KR20000025649A - Semiconductor manufacturing device using apparatus of controlling electric field and magnetic field - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 전기장 및 자기장 제어 장치를 이용한 반도체 제조 설비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to semiconductor manufacturing equipment using electric and magnetic field control devices.
세라믹 돔(ceramic dome) 구조를 갖는 챔버(10)는 웨이퍼(22) 바로 위에 플라즈마(plasma)(24)를 형성하지 않고 챔버(10) 위에 돔(12)을 형성하고, 상기 돔(12) 주위에 RF 소스 파워(14)가 인가되는 코일(coil)(16)을 장착하여 전극(18) 상에 놓여진 웨이퍼(20)에 RF 바이어스 파워(22)를 가함으로써 상기 웨이퍼(20)에서 어느 정도 떨어진 위치에 플라즈마(24)가 형성된다.A chamber 10 having a ceramic dome structure forms a dome 12 over the chamber 10 without forming a plasma 24 directly over the wafer 22, and around the dome 12. A coil 16 to which an RF source power 14 is applied to the coil 16 and a RF bias power 22 is applied to the wafer 20 placed on the electrode 18 so as to be separated from the wafer 20 to some extent. Plasma 24 is formed at the location.
상기 세라믹 돔(12) 주위의 코일(16)은 도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 상기 돔(12)의 중앙 부위에만 감겨져 있다. 따라서, 코일(16)이 감겨져 있는 부위에는 상기 플라즈마(24)를 이용한 식각 공정시 코일(16)의 전기장(electric field)이 작용하게 되고, 상기 전기장과 수직으로 자기장(magnetic field)이 작용하게 된다.The coil 16 around the ceramic dome 12 is wound only at the central portion of the dome 12, as shown in FIG. 1. Therefore, an electric field of the coil 16 acts on the portion around which the coil 16 is wound, and a magnetic field acts perpendicular to the electric field. .
이때, 세라믹 돔(12)의 상기 전기장 및 자기장이 작용하는 부분(참조 부호 A)은 플라즈마 식각 공정시 발생되는 폴리머의 증착이 불안정한 부분으로 식각 공정시 폴리머(polymer)의 증착(deposition) 능력이 떨어져 도 4a와 같이, 폴리머(30)가 잘 증착되지 않음을 알 수 있다. 이는, 세라믹 돔 내부 전체에 균일한 폴리머의 증착이 불가능함을 의미한다.At this time, the portion of the ceramic dome 12 in which the electric and magnetic fields act (reference A) is an unstable portion of the polymer that is generated during the plasma etching process, and the deposition ability of the polymer during the etching process is poor. As shown in Figure 4a, it can be seen that the polymer 30 is not deposited well. This means that the deposition of uniform polymer throughout the ceramic dome is impossible.
결과적으로, 상기 전기장 및 자기장이 작용하는 부분에 불안정하게 증착된 폴리머(30)는 후에 떨어져서 파티클로서 작용하게 된다. 이는, 반도체 설비의 능력을 저하시키고, 상기 파티클을 제거하기 위한 세정 공정 주기를 단축시켜 생산성을 저하시키는 문제를 유발한다.As a result, the polymer 30 unstable deposited at the portion where the electric field and the magnetic field acts later falls off and acts as a particle. This causes a problem of lowering the capability of the semiconductor equipment, shortening the cleaning process cycle for removing the particles, and lowering the productivity.
본 발명은 상술한 제반 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 챔버 내벽에 폴리머가 균일하게 증착되도록 하여 파티클 발생을 감소시킬 수 있고, 세정 주기를 연장할 수 있는 전기장 및 자기장 제어 장치를 이용한 반도체 제조 설비를 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been proposed to solve the above-mentioned problems, and the semiconductor manufacturing equipment using the electric and magnetic field control device that can reduce the particle generation by extending the uniform deposition of the polymer on the inner wall of the chamber, and can extend the cleaning cycle The purpose is to provide.
도 1은 일반적인 돔 구조를 갖는 반도체 제조 설비를 보여주는 도면;1 shows a semiconductor manufacturing facility having a typical dome structure;
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 돔 구조의 챔버에 그라운드 실드를 장착한 반도체 제조 설비를 보여주는 도면;2 illustrates a semiconductor manufacturing facility having a ground shield mounted on a chamber of a dome structure in accordance with an embodiment of the present invention;
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 그라운드 실드의 구조를 상세히 보여주는 도면; 그리고3 is a view showing in detail the structure of the ground shield according to an embodiment of the present invention; And
도 4a 내지 도 4b는 각각 종래 및 본 발명의 챔버 내벽에 폴리머 증착 상태를 보여주는 도면이다.4A to 4B are diagrams showing polymer deposition on inner walls of the chambers of the prior art and the present invention, respectively.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings
10 : 챔버 12 : 세라믹 돔10 chamber 12 ceramic dome
14 : 소스 파워 16 : 코일14 source power 16 coil
18 : 전극 20 : 웨이퍼18 electrode 20 wafer
22 : 바이어스 파워 24 : 플라즈마22: bias power 24: plasma
26 : 그라운드 실드 30 : 폴리머26: ground shield 30: polymer
(구성)(Configuration)
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의하면, 플라즈마 식각 공정을 수행하는 반도체 제조 설비는, 챔버와; 상기 챔버에 파워를 인가하는 코일과; 상기 코일의 방향으로 전기장이 발생하고, 상기 전기장에 수직으로 자기장이 발생되고, 상기 챔버와 상기 코일 사이에 장착된 실드를 포함하되, 상기 실드는 상기 주변에 발생되는 자기장 및 전기장의 세기를 조절한다.According to the present invention for achieving the above object, a semiconductor manufacturing apparatus for performing a plasma etching process, the chamber; A coil for applying power to the chamber; An electric field is generated in the direction of the coil, a magnetic field is generated perpendicular to the electric field, and includes a shield mounted between the chamber and the coil, wherein the shield controls the strength of the magnetic field and the electric field generated around the coil. .
(작용)(Action)
도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 신규한 전기장 및 자기장 제어 장치를 이용한 반도체 제조 설비는, 코일에 의해 챔버에 파워가 인가되면 상기 코일의 방향으로 전기장이 발생하고, 상기 전기장에 수직으로 자기장이 발생된다. 그리고, 상기 챔버와 상기 코일 사이에 장착된 실드를 포함하되, 상기 실드는 상기 주변에 발생되는 자기장 및 전기장의 세기를 조절한다. 이와 같은 전기장 및 자기장 제어 장치를 이용한 반도체 제조 설비는, 세라믹 돔과 코일 사이에 그라운드 실드를 장착하여 전기장 및 자기장의 세기를 조절함으로써 챔버 내벽에 폴리머를 균일하게 증착할 수 있다. 따라서, 파티클의 발생을 최소화하여 챔버의 세정 주기를 연장할 수 있고, 생산성 및 반도체 설비 능력을 크게 향상시킬 수 있다.Referring to FIG. 2, in a semiconductor manufacturing apparatus using a novel electric field and magnetic field control apparatus according to an embodiment of the present invention, when a power is applied to a chamber by a coil, an electric field is generated in the direction of the coil, and perpendicular to the electric field. Magnetic field is generated. And, including a shield mounted between the chamber and the coil, the shield controls the strength of the magnetic field and the electric field generated in the periphery. In a semiconductor manufacturing facility using such an electric and magnetic field control device, a ground shield is provided between a ceramic dome and a coil to adjust the strength of the electric and magnetic fields to uniformly deposit a polymer on the inner wall of the chamber. Therefore, the generation of particles can be minimized to extend the cleaning cycle of the chamber, and the productivity and the semiconductor equipment capacity can be greatly improved.
(실시예)(Example)
이하, 도 2 , 도 3, 그리고 도 4b를 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2, 3, and 4B.
도 2에 있어서, 도 1에 도시된 반도체 제조 설비의 구성 요소와 동일한 기능을 갖는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 병기한다.In FIG. 2, the same reference numerals are given together about the component which has the same function as the component of the semiconductor manufacturing equipment shown in FIG.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 돔 구조의 챔버에 그라운드 실드를 장착한 반도체 제조 설비를 보여주는 도면이고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 그라운드 실드의 구조를 상세히 보여주는 도면이다. 그리고, 도 4b는 본 발명의 챔버 내벽에 폴리머 증착 상태를 보여주는 도면이다.FIG. 2 is a view illustrating a semiconductor manufacturing facility in which a ground shield is mounted in a chamber of a dome structure according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a view illustrating in detail the structure of the ground shield according to the embodiment of the present invention. And, Figure 4b is a view showing a polymer deposition state on the inner wall of the chamber of the present invention.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 전기장 및 자기장 제어 기술을 이용한 반도체 제조 설비는, 상기 세라믹 돔(12)과 코일(16) 사이에 그라운드 실드(ground shield)(26)를 장착하여 코일(16) 주변에서 발생되는 전기장 및 자기장을 최소화하고, 플라즈마 발화(ignition)를 가능하게 한다. 상기 그라운드 실드(26)의 재질은 도체 금속이고, 도 3에 도시되어 있는 바와 같이, 얇은 판 구조로 되어 있으며, 판 내부는 슬릿(slit)을 만들어서 상기 전기장 및 자기장이 통과할 수 있도록 되어 있다.Referring to FIG. 2, in a semiconductor manufacturing apparatus using an electric field and a magnetic field control technique according to the present invention, a ground shield 26 is mounted between the ceramic dome 12 and the coil 16 to form a coil 16. Minimize the electric and magnetic fields generated in the periphery, and enable plasma ignition. The ground shield 26 is made of a conductive metal, and as shown in FIG. 3, has a thin plate structure, and the inside of the plate forms a slit so that the electric and magnetic fields can pass therethrough.
상기 그라운드 실드(26)를 장착하여 코일 주변의 전기장 및 자기장에 의해 세라믹 돔(12) 내벽에 폴리머가 불안정하게 증착되어 떨어지는 것을 최소화시킴으로써 도 3b에 도시된 바와 같이, 세라믹 돔(12) 내벽에 폴리머(30)가 균일하게 증착되도록 한다. 결과적으로, 상기 그라운드 실드(26)에 의해 도 3a와 같이, 챔버 내벽에 폴리머가 균일하게 증착하게 됨으로써 파티클의 발생을 최소화할 수 있다.By mounting the ground shield 26 to minimize the unstable deposition of polymer on the inner wall of the ceramic dome 12 by the electric and magnetic fields around the coil as shown in Figure 3b, the polymer on the inner wall of the ceramic dome 12 Allow 30 to be deposited uniformly. As a result, as shown in FIG. 3A, the ground shield 26 uniformly deposits polymer on the inner wall of the chamber, thereby minimizing particle generation.
따라서, 반도체 제조 공정시 높은 품질의 제품을 얻을 수 있고, 챔버(chamber)의 세정(cleaning) 주기를 연장할 수 있어 생산성이 크게 향상되고, 반도체 설비 능력이 향상된다.Therefore, a high quality product can be obtained in the semiconductor manufacturing process, the cleaning cycle of the chamber can be extended, the productivity is greatly improved, and the capability of semiconductor equipment is improved.
본 발명은 세라믹 돔과 코일 사이에 그라운드 실드를 장착하여 전기장 및 자기장의 세기를 조절함으로써 챔버 내벽에 폴리머를 균일하게 증착할 수 있다. 따라서, 파티클의 발생을 최소화하여 챔버의 세정 주기를 연장할 수 있고, 생산성 및 반도체 설비 능력을 크게 향상시킬 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, a ground shield is installed between the ceramic dome and the coil to adjust the strength of the electric and magnetic fields, thereby uniformly depositing the polymer on the inner wall of the chamber. Accordingly, the generation of particles can be minimized to extend the cleaning cycle of the chamber, and the productivity and the capability of semiconductor equipment can be greatly improved.
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010063770A (en) * | 1999-12-24 | 2001-07-09 | 황 철 주 | Apparatus using plasma for fabricating a semiconductor device and thin film forming method using the same |
| KR100462046B1 (en) * | 2001-11-05 | 2004-12-16 | 네오뷰코오롱 주식회사 | evaporation apparatus for inorganic material layer of organic material display |
| KR101149041B1 (en) * | 2006-12-21 | 2012-05-25 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | APPARATUS OF MANUFACTURING GaN SUBSTRATE AND METHOD OF MAMUFACTURING THE SAME |
-
1998
- 1998-10-13 KR KR1019980042806A patent/KR20000025649A/en not_active Application Discontinuation
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