KR20000025074A - Cathode structure of microwave oven magnetron - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A cathode is provided to reduce a thermal deformation despite a temperature gradient by mounting a plate of a Mo material having a thermal expansion coefficient inside a cathode. CONSTITUTION: A heater generates heat with an application of an electric power. A cathode (80) is adjacently disposed to the heater. A first grid is adjacently disposed over the cathode(80). An input cavity is surrounded by a choke structural body mounted between the cathode(80) and the first grid. An output cavity is surrounded by a second grid mounted over an anode and the first grid. A radiation part is formed on the output cavity to radiate a microwave. The cathode(80) is structured with a first Ni plate(81), a first Mo plate(82), a second Mo plate(83), and a second Ni plate(84).

Description

전자렌지용 초고주파 발진관의 그리트론 캐소드구조 ( Gritron cathode of microwave generater)Gritron cathode of microwave generator for microwave oven

본 발명은 전자렌지용 초고주파 발진기에 관한 것으로, 특히 그리트론 캐소드의 구조에 관한 것이다.The present invention relates to ultra-high frequency oscillators for microwave ovens, and more particularly, to the structure of a gritron cathode.

전자렌지에는 초고주파 발진장치로서 4KV의 고전압으로 구동되는 마그네트론을 사용하고 있다. 이 마그네트론은 마이크로파를 생성하는 일종의 2극 진공관으로서, 도 1에 그 구조가 도시되어 있다.The microwave oven uses a magnetron driven by a high voltage of 4KV as an ultra-high frequency oscillator. This magnetron is a kind of bipolar vacuum tube that generates microwaves, the structure of which is shown in FIG.

즉 상기 마그네트론은, 도 1에 도시된 바와 같이, 하부에 커버가 덮인 필터박스 안에 전원입력부와, 히터, 입력캐비티와 출력캐비티,피이드백 봉이 설치되고, 애노드내의 안테나는 브라켓내에 설치된다. 필터박스의 내부와 애노드의 안테나부분은 진공을 유지하도록 되어 있다.That is, as shown in FIG. 1, the magnetron is provided with a power input unit, a heater, an input cavity and an output cavity, and a feedback rod in a filter box covered with a lower portion thereof, and an antenna in the anode is installed in a bracket. The inside of the filter box and the antenna part of the anode are designed to maintain a vacuum.

여기서 상기 히터의 상면에는 캐소드가 배치되어 히터가 발열함에 따라 고온으로 가열되어 열전자를 방출하게 된다.Here, the cathode is disposed on the upper surface of the heater to be heated to a high temperature as the heater generates heat to emit hot electrons.

상기 입력캐비티는 캐소드와 제1그리드와 쵸크 구조체로 둘러싸인 공간이고, 캐소드는 중앙에 구멍이 형성된 링 형태의 디스크로서, 이 캐소드의 상부에 일정한 간격을 두고 배치된 제1그리드는 바이어스 전압이 인가되어 캐소드로부터 방출된 전자를 입력캐비티에 제어하고 접속한다.The input cavity is a space surrounded by a cathode, a first grid, and a choke structure. The cathode is a ring-shaped disk having a hole formed in the center thereof, and the first grid disposed at regular intervals on the top of the cathode is applied with a bias voltage. Electrons emitted from the cathode are controlled and connected to the input cavity.

이때 제1그리드와 캐소드 사이는 전기적으로 절연된 상태이며, 즉 직류는 차폐되어야 하고, 입력캐비티 내부에 마이크로파를 형성하는 표면 전류는 통전되어야 하므로 이를 위하여 쵸크 구조체가 캐소드와 제1그리드 사이에 배치된다.In this case, the choke structure is disposed between the cathode and the first grid because the first grid and the cathode are electrically insulated, that is, the direct current must be shielded, and the surface current forming the microwave inside the input cavity must be energized. .

한편, 입력캐비티의 상부에 배치되는 출력캐비티는 입력캐비티의 제1그리드 상부에 대향하도록 설치되어 제1그리드를 통과한 전자가 통과하면서 표면전류가 유도되는 제2그리드와, 바닥면에서 하향 돌출한 돌기가 형성된 애노드에 의해 둘러싸인 공간을 지칭한다. 이 공간에서 입력캐비티에 집속된 전자가 밀도 변조되면서 제1그리드와 제2그리드 사이의 전위차에 의해 가속되고, 제2그리드에 유도된 표면전류에 의해 마이크로파가 형성된다. 감속된 전자빔을 소멸시키는 애노드에는 복수개의 냉각핀이 적층 배열되어 열을 방사시키게 된다.On the other hand, the output cavity disposed in the upper portion of the input cavity is installed so as to face the upper portion of the first grid of the input cavity, the second grid that the surface current is induced while electrons passing through the first grid and protrudes downward from the bottom surface It refers to a space surrounded by the formed anode. In this space, electrons focused on the input cavity are densely modulated, accelerated by the potential difference between the first and second grids, and microwaves are formed by the surface current induced in the second grid. A plurality of cooling fins are stacked on the anode for dissipating the decelerated electron beam to radiate heat.

상기 제1그리드 및 제2그리는 금속재로서 캐소드에 대응하게 캐소드와 동일한 형상으로되어 있으며, 중심에서 반경방향을 따라 절개된 다수개의 슬롯이 원주방향을 따라 소정 간격을 두고 형성되어 있다.The first grid and the second grid are made of metal and have the same shape as the cathode corresponding to the cathode, and a plurality of slots cut along the radial direction from the center are formed at predetermined intervals along the circumferential direction.

따라서 입력캐비티에 접속된 전자는 제1그리드의 바이어스 전원의 자동 차폐기능에 의해 밀도 변조되어 제1그리드를 통과하고, 이때 서로 절연된 입출력캐비티 사이에 동작전압이 인가되면, 그 사이에 전위차가 발생되어 제1그리드를 통과한 전자가 가속되어 제2그리드를 통과하게 되므로 출력캐비티에 표면전류가 유동된다.Therefore, the electrons connected to the input cavity are densely modulated by the automatic shielding function of the bias power of the first grid to pass through the first grid, and when an operating voltage is applied between the input and output cavities that are insulated from each other, a potential difference is generated therebetween. As a result, electrons passing through the first grid are accelerated to pass through the second grid so that surface current flows through the output cavity.

이 결과 출력캐비티내에 마이크로파가 형성되고 이 마이크로파는 애노드의 중앙을 관통하여 출력캐비티에 구비된 안테나를 통해 방사된다. 이를 위해 안테나 커플링 단부는 출력캐비티내에 위치하게 된다.As a result, microwaves are formed in the output cavity, which passes through the center of the anode and radiates through an antenna provided in the output cavity. For this purpose, the antenna coupling end is located in the output cavity.

한편 상기 입출력캐비티 사이의 중앙부에는 출력캐비티에 형성된 마이크로파의 일부를 입력캐비티로 피이드백시키는 피이드백 봉이 설치되어 마이크로파의 파워를 증폭하고 공진시킨다.Meanwhile, a feedback rod for feeding back a part of the microwaves formed in the output cavity to the input cavity is installed at the center between the input and output cavities to amplify and resonate the power of the microwave.

이상과 같은 마그네트론은 캐소드가 Ni 플레이트로 이루어지고, 상면에 액티베이션 물질이 도포되어 있다. 따라서 상기 캐소드는 전자방출시 전자방출표면에서는 온도가 대략 850℃ 정도로 상승하고, 양쪽 선단에서는 그보다 상대적으로 낮은 750℃가 되어 전자방출표면과 선단사이에서는 온도구배가 발생한다.The magnetron as described above has a cathode made of a Ni plate, and an activation material is coated on the upper surface. Therefore, the cathode rises to about 850 ° C. at the electron emission surface at the electron emission surface, and becomes relatively lower than 750 ° C. at both ends, so that a temperature gradient occurs between the electron emission surface and the tip.

따라서 마그네트론이 장시간 작동하면 상기 온도구배에 의해 캐소드가 열변형하는 문제가 발생한다. 이는 캐소드가 열팽창계수가 17.3×10-6mm/mm·℃인 Ni로 되어 있기 때문이다.Therefore, when the magnetron is operated for a long time, a problem occurs that the cathode is thermally deformed by the temperature gradient. This is because the cathode has Ni with a thermal expansion coefficient of 17.3 × 10 −6 mm / mm · ° C.

이와 같이 캐소드가 열변형되어 그리드와 접촉하게 되면 캐비티가 변형되어 공진주파수와 전자계 필드가 변화되므로 마이크로파가 발생되지 않는 불량이 발생하게 된다.As such, when the cathode is thermally deformed to come into contact with the grid, the cavity is deformed to change the resonant frequency and the electromagnetic field, resulting in a defect in which microwaves are not generated.

이에 본 발명은 상기 종래 마그네트론의 캐소드가 가진 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로, 열변형량을 줄여서 전자방출 및 캐비티의 작용을 원활하게 하여 오작동을 방지하게 한 그리트론 캐소드의 구조를 제공함에 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the problem of the cathode of the conventional magnetron, the object of the present invention is to provide a structure of the gritron cathode to prevent malfunction by reducing the amount of thermal strain to facilitate the emission of electrons and the cavity. .

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 제1그리드에 아래쪽에서 그 제1그리드와 인접한 캐소드를 다층의 플레이트로 적층하되, 안쪽층 플레이트는 열팽창계수가 적은 재질로 하고, 이를 피복하는 외측의 플레이트는 액티베이션이 가능하게 Ni재질로 된 것에 특징이 있는 것이다.The present invention for achieving the above object is laminated to the first grid and the cathode adjacent to the first grid in a multi-layered plate, the inner layer plate is made of a material with a low coefficient of thermal expansion, the outer plate to cover the activation It is possible that this material is made of Ni material.

따라서 본 발명은 캐소드를 구성하는 안쪽층의 플레이트가 열팽창계수가 적어서 열변형이 적으므로 캐소드 전체의 변형을 방지 또는 억제하게 되는 것이다.Therefore, the present invention is to prevent or suppress the deformation of the entire cathode because the plate of the inner layer constituting the cathode has a low coefficient of thermal expansion due to the small coefficient of thermal expansion.

도 1 은 종래 전자렌지용 초고주파 발진관의 결합단면도,1 is a cross-sectional view of a conventional microwave oven for microwave oven,

도 2 는 도 1의 "A"부에 대한 확대도,2 is an enlarged view of a portion “A” of FIG. 1;

도 3 은 본 발명에 따른 그리트론 캐소드의 구조를 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing the structure of a gritron cathode according to the present invention.

※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of code for main part of drawing

10: 전원입력부 20: 히터10: power input unit 20: heater

30: 입력캐비티 40: 출력캐비티30: input cavity 40: output cavity

50: 피이드백 봉 60: 애노드50: feedback rod 60: anode

70: 안테나 80: 캐소드70: antenna 80: cathode

81,84: Ni 플레이트 82,83: Mo 플레이트81,84: Ni plate 82,83: Mo plate

90: 제1그리드 100: 제2그리드90: first grid 100: second grid

110: 쵸크구조체110: choke structure

이하 본 발명에 따른 초고주파 발진기의 캐소드(80) 구조를 첨부한 도면에 따라 상세히 설명한다.Hereinafter, the structure of the cathode 80 of the ultra-high frequency oscillator according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 초고주파 발진기는, 도 1 에 도시된 바와 같이, 하부에 커버가 덮인 필터박스 안에 전원입력부(10)와, 히터(20), 입력캐비티(30)와 출력캐비티(40),피이드백 봉(50)이 설치되고, 애노드(60)내의 안테나(70)는 브라켓내에 설치된다. 필터박스의 내부와 애노드의 안테나부분은 진공을 유지하도록 되어 있다.Ultra-high frequency oscillator according to the present invention, as shown in Figure 1, the power input unit 10, the heater 20, the input cavity 30 and the output cavity 40, the feed back in the filter box covered with a lower cover The rod 50 is installed, and the antenna 70 in the anode 60 is installed in the bracket. The inside of the filter box and the antenna part of the anode are designed to maintain a vacuum.

여기서 상기 히터(20)의 상면에는 캐소드(80)가 배치되어 히터(20)가 발열함에 따라 고온으로 가열되어 열전자를 방출하게 된다.Here, the cathode 80 is disposed on the upper surface of the heater 20 to be heated to a high temperature as the heater 20 generates heat to emit hot electrons.

상기 캐소드(80)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 복수개의 플레이트가 차례로 적층되어 이루어진다. 즉 바닥부로부터 제1 Ni플레이트(81),제1 Mo플레이트(82),제2 Mo플레이트(83) 및 제2 Ni플레이트(84)가 차례로 적층되어 접합된 구조로 되어 있다.As shown in FIG. 3, the cathode 80 is formed by sequentially stacking a plurality of plates. In other words, the first Ni plate 81, the first Mo plate 82, the second Mo plate 83, and the second Ni plate 84 are laminated and joined from each other in the bottom portion.

따라서 상기 Mo 플레이트(82,83)은 Ni 플레이트(81,84)보다 상대적으로 열팽창계수가 적어 전자방출시 중앙부와 선단부 사이에 발생하는 온도구배가 적게 되므로 열변형이 적게 일어나서 외층에 있는 Ni 플레이트의 열변형을 방지하게 되는 것이다.Accordingly, the Mo plates 82 and 83 have a relatively smaller coefficient of thermal expansion than the Ni plates 81 and 84, so that the temperature gradient generated between the center and the tip during electron emission is reduced, resulting in less thermal deformation and thus the Ni plate in the outer layer. It is to prevent thermal deformation.

상기 입력캐비티(30)는 캐소드(80)와 제1그리드(90)와 쵸크 구조체(110)로 둘러싸인 공간이고, 캐소드(80)는 중앙에 구멍이 형성된 링 형태로 되면서 다층의 형상으로 되어 있다. 이 캐소드(80)의 상부에 일정한 간격을 두고 배치된 제1그리드(90)는 바이어스 전압이 인가되어 캐소드(80)로부터 방출된 전자를 입력캐비티(30)에 제어하고 접속한다.The input cavity 30 is a space surrounded by the cathode 80, the first grid 90, and the choke structure 110, and the cathode 80 has a multi-layered shape with a ring having a hole formed in the center thereof. The first grid 90 disposed at regular intervals above the cathode 80 is applied with a bias voltage to control and connect electrons emitted from the cathode 80 to the input cavity 30.

이때 제1그리드(90)와 캐소드(80) 사이는 전기적으로 절연된 상태이며, 즉 직류는 차폐되어야 하고, 입력캐비티(30) 내부에 마이크로파를 형성하는 표면 전류는 통전되어야 하므로 이를 위하여 쵸크 구조체(110)가 캐소드(80)와 제1그리드(90) 사이에 배치된다.In this case, the first grid 90 and the cathode 80 are electrically insulated, that is, the direct current must be shielded, and the surface current forming the microwaves in the input cavity 30 must be energized. 110 is disposed between the cathode 80 and the first grid 90.

한편, 입력캐비티(30)의 상부에 배치되는 출력캐비티(40)는 입력캐비티(30)의 제1그리드(90) 상부에 대향하도록 설치되어 제1그리드(90)를 통과한 전자가 통과하면서 표면전류가 유도되는 제2그리드(100)와, 바닥면에서 하향 돌출한 돌기가 형성된 애노드에 의해 둘러싸인 공간을 지칭한다. 이 공간에서 입력캐비티(30)에 집속된 전자가 밀도 변조되면서 제1그리드(90)와 제2그리드(100) 사이의 전위차에 의해 가속되고, 제2그리드(100)에 유도된 표면전류에 의해 마이크로파가 형성된다. 감속된 전자빔을 소멸시키는 애노드에는 복수개의 냉각핀이 적층 배열되어 열을 방사시키게 된다.Meanwhile, the output cavity 40 disposed above the input cavity 30 is installed to face the upper portion of the first grid 90 of the input cavity 30 so that electrons passing through the first grid 90 pass through the surface. It refers to a space surrounded by the second grid 100, from which current is induced, and an anode on which protrusions projecting downward from the bottom surface are formed. In this space, the electrons focused on the input cavity 30 are densely modulated and accelerated by the potential difference between the first grid 90 and the second grid 100, and by the surface current induced in the second grid 100. Microwaves are formed. A plurality of cooling fins are stacked on the anode for dissipating the decelerated electron beam to radiate heat.

상기 제1그리드(90) 및 제2그리는 금속재로서 캐소드(80)에 대응하게 캐소드(80)와 동일한 형상으로되어 있으며, 중심에서 반경방향을 따라 절개된 다수개의 슬롯이 원주방향을 따라 소정 간격을 두고 형성되어 있다.The first grid 90 and the second grid are made of metal and have the same shape as the cathode 80 corresponding to the cathode 80, and a plurality of slots cut along the circumferential direction at a predetermined interval along the circumferential direction are formed. It is formed.

따라서 입력캐비티(30)에 접속된 전자는 제1그리드(90)의 바이어스 전원의 자동 차폐기능에 의해 밀도 변조되어 제1그리드(90)를 통과하고, 이때 서로 절연된 입출력캐비티(30,40) 사이에 동작전압이 인가되면, 그 사이에 전위차가 발생되어 제1그리드(90)를 통과한 전자가 가속되어 제2그리드(100)를 통과하게 되므로 출력캐비티(40)에 표면전류가 유동된다.Therefore, the electrons connected to the input cavity 30 are densely modulated by the automatic shielding function of the bias power supply of the first grid 90 to pass through the first grid 90, where the input and output cavities 30 and 40 are insulated from each other. When an operating voltage is applied therebetween, a potential difference is generated therebetween, and electrons passing through the first grid 90 are accelerated to pass through the second grid 100 so that a surface current flows in the output cavity 40.

이 결과 출력캐비티(40)내에 마이크로파가 형성되고 이 마이크로파는 애노드의 중앙을 관통하여 출력캐비티(40)에 구비된 안테나를 통해 방사된다. 이를 위해 안테나 커플링 단부는 출력캐비티(40)내에 위치하게 된다.As a result, microwaves are formed in the output cavity 40 and the microwaves penetrate through the center of the anode and are radiated through an antenna provided in the output cavity 40. To this end, the antenna coupling end is located in the output cavity 40.

한편 상기 입출력캐비티(30,40) 사이의 중앙부에는 출력캐비티(40)에 형성된 마이크로파의 일부를 입력캐비티(30)로 피이드백시키는 피이드백 봉(50)이 설치되어 마이크로파의 파워를 증폭하고 공진시킨다.On the other hand, in the center between the input and output cavities 30 and 40, a feedback rod 50 for feeding back part of the microwave formed in the output cavity 40 to the input cavity 30 is installed to amplify and resonate the power of the microwave .

상기한 바와 같이 본 발명의 초고주파 발진장치는 캐소드의 안쪽에 열팽창계수가 적은 Mo재질로 된 플레이트가 설치되어 중앙부와 양쪽 선단 사이에 온도구배가 발생하더라도 열변형이 줄어들므로 캐소드의 변형량이 줄어들게 되어 캐소드와 그리드가 접촉하는 불량이 발생하지 않게 된다.As described above, the ultra-high frequency oscillation apparatus of the present invention is provided with a plate made of Mo material having a low coefficient of thermal expansion inside the cathode, so that even if a temperature gradient occurs between the center and both ends, the thermal strain is reduced, thereby reducing the amount of cathode deformation. The failure of contacting the grid will not occur.

Claims (1)

전원입력부(10)와, 전원입력부(10)로부터 전원을 인가받아 발열하는 히터(20)과, 상기 히터(20)에 인접배치된 캐소드(80)와, 상기 캐소드(80)위에 인접배치된 제1그리드(90)와, 상기 캐소드(80)와 제1그리드(90) 사이에 설치된 쵸크구조체로 둘러쌓여 이루어지는 입력캐비티(30)와, 애노드와 상기 제1그리드(90)위에 설치된 제2그리드(100)로 둘러쌓여 이루어진 출력캐비티(40)와, 상기 출력캐비티(40)에 형성된 마이크로파를 방사하는 방사수단 및 상기 입출력캐비티(30,40) 사이에 설치되어 출력캐비티(40)에 형성된 마이크로파의 일부를 상기 입력캐비티(30)에 피이드백하는 피이드백 수단을 포함한 전자렌지용 초고주파 발진관에 있어서,A power source input unit 10, a heater 20 for generating heat by receiving power from the power source input unit 10, a cathode 80 disposed adjacent to the heater 20, and a cathode disposed adjacent to the cathode 80; An input cavity 30 which is surrounded by a first grid 90, a choke structure provided between the cathode 80 and the first grid 90, and a second grid provided on the anode and the first grid 90 ( Part of the microwave formed in the output cavity 40 is installed between the output cavity 40 surrounded by the 100, the radiating means for radiating the microwave formed in the output cavity 40 and the input and output cavity (30, 40) In the microwave microwave tube including a feedback means for feeding back to the input cavity 30, 상기 캐소드(80)가 제1 Ni 플레이트(81), 제1 Mo 플레이트(82), 제2 Mo 플레이트(83), 제2 Ni 플레이트(84)가 순차적으로 적층되어 이루어진 것을 특징으로 하는 전자렌지용 초고주파 발진관의 캐소드 구조.The cathode 80 is a microwave oven, characterized in that the first Ni plate 81, the first Mo plate 82, the second Mo plate 83, the second Ni plate 84 is sequentially stacked The cathode structure of the microwave oscillator tube.
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