KR20000020853A - Circuit for generating bias current stabilized from temperature variation - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A circuit for generating a bias current stabilized from temperature variation is provided to generate a constant current though a temperature of IC rises by a driving current. CONSTITUTION: A circuit for generating a bias current stabilized from temperature variation comprises a first current unit(100), an auxiliary current source unit(200), a current compensator(300), and bias current output unit(400). The first current unit comprises a first transistor and a first resistance. The auxiliary current source unit comprises a second, a third, a fourth, a fifth transistors and a second, a third, a fourth, and a fifth resistances. The current compensator comprises a sixth, a seventh, an eighth, and a ninth resistances and a sixth, a seventh, and an eighth transistors. The bias current output unit comprises a ninth, a tenth, and an eleventh transistors and a tenth, an eleventh, and twelfth resistances.

Description

온도 변화에 안정된 바이어스 전류 발생 회로Bias Current Generation Circuit Stable to Temperature Changes

본 발명은 2상 BLDC(BrushLess Direct Current) 모터에 관한 것으로서, 특히 IC(Integrated Circuit)에 바이어스 전류를 공급하는 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a two-phase brushless direct current (BLDC) motor, and more particularly to a circuit for supplying a bias current to an integrated circuit (IC).

도1은 종래의 바이어스 전류 발생 회로도이다.1 is a conventional bias current generating circuit diagram.

도1에 도시된 종래의 바이어스 전류 발생 회로는 전원 전압(VDD)에 일단이 연결된 저항(R1)과, 전원 전압(VDD)에 이미터가 연결되고 베이스가 공통인 트랜지스터(Q3,Q4)와, 저항(R1)에 베이스가 연결되고 트랜지스터(Q3)의 컬렉터에 컬렉터가 연결된 트랜지스터(Q2)와, 트랜지스터(Q2)의 베이스에 컬렉터가 연결되고 이미터에 베이스가 연결되며 이미터가 접지된 트랜지스터(Q1)과, 트랜지스터(Q1)의 베이스와 접지단 사이에 연결된 저항(R2)로 이루어져 있다.The conventional bias current generating circuit shown in FIG. 1 includes a resistor R1 having one end connected to the power supply voltage VDD, transistors Q3 and Q4 having an emitter connected to the power supply voltage VDD and having a common base. Transistor Q2 having a base connected to the resistor R1 and a collector connected to the collector of transistor Q3, and a collector connected to the base of transistor Q2, a base connected to the emitter, and an emitter grounded. Q1) and a resistor R2 connected between the base of the transistor Q1 and the ground terminal.

그리고, 트랜지스터(Q4)의 베이스와 컬렉터는 서로 연결되어 있고, 트랜지스터(Q4)의 컬렉터에 출력 전류, Iout이 흐른다.The base and the collector of the transistor Q4 are connected to each other, and the output current Iout flows through the collector of the transistor Q4.

여기서, 출력 전류(Iout)는 다음의 식1과 같이 나타낼 수 있다.Here, the output current Iout may be expressed as in Equation 1 below.

Iout = Vbe1/R2,Iout = Vbe1 / R2,

여기서, Vbe1은 트랜지스터(Q1)의 베이스와 이미터간의 전위이다.Here, Vbe1 is a potential between the base of the transistor Q1 and the emitter.

식1의 출력 전류(Iout)을 온도를 고려한 값으로 나타내면 식2와 같으며, 이때 식2는 온도(T)에 대한 편미분으로 나타난다.The output current Iout of Equation 1 is expressed as a value considering temperature, and Equation 2 is expressed as a partial derivative with respect to the temperature T.

식2에서 우변을 Vbe1/R2로 묶으면,In Equation 2, if we bind the right side with Vbe1 / R2,

가 된다. Becomes

여기서, Vbe1/R2는 Iout이다. 그리고, Vbe1/R2를 제외한 우변을 Tcf라 두면, Iout(Tcf) = f(Tcf) × Iout로 나타낼 수 있고, 최종적으로 식3과 같이 나타낼 수 있다.Where Vbe1 / R2 is Iout. If the right side excluding Vbe1 / R2 is Tcf, Iout (Tcf) = f (Tcf) × Iout may be expressed as Eq.

식3에서 보면, 출력 전류(Iout)은 상당히 큰 온도계수를 가지고, 온도에 대해 값이 감소한다.(온도 -25。C ∼ +180。C까지 약 20μA가 감소)In Equation 3, the output current Iout has a fairly large temperature coefficient and the value decreases with temperature (a decrease of about 20 μA from -25 ° C to + 180 ° C).

이상과 같이 IC가 동작함에 있어서, 외란 혹은 구동전류로 인하여 IC내의 온도가 상승할 경우에 온도변화에 불안정한 바이어스 전류가 공급되어 전체적인 IC의 동작이 불안정하게되는 문제점이 있다.In operation of the IC as described above, when the temperature in the IC rises due to disturbance or driving current, an unstable bias current is supplied to the temperature change, and thus the overall operation of the IC becomes unstable.

따라서, 이 발명은 온도 변화에 따른 IC로 공급되는 전류의 변화를 최소화시키기 위한 것이다.Therefore, the present invention is to minimize the change in the current supplied to the IC according to the temperature change.

도1은 종래의 바이어스 전류 발생 회로를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a conventional bias current generating circuit.

도2는 이 발명의 실시예에 따른 온도 변화에 안정된 바이어스 전류 발생 회로의 회로도이다.2 is a circuit diagram of a bias current generation circuit stable to temperature changes according to an embodiment of the present invention.

도3은 도2의 제1 트랜지스터에 흐르는 전류와 이미터와 베이스간의 전위가 온도에 따라 변화하는 것을 나타내는 도면이다.3 is a diagram illustrating that a current flowing through the first transistor of FIG. 2 and a potential between the emitter and the base change with temperature.

도4는 도2의 전류 보상부에 흐르는 전류가 온도에 따라 변하는 것을 나타내는 도면이다.4 is a diagram illustrating that a current flowing in the current compensator of FIG. 2 varies with temperature.

도5는 이 발명의 실시예에 따른 온도 변화에 안정된 바이어스 전류 발생 회로의 출력 전류를 나타낸 도면이다.5 is a diagram showing an output current of a bias current generating circuit stable to temperature changes according to an embodiment of the present invention.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명은,The present invention for achieving the above object,

전류부와, 전류원부와, 전류 보상부와, 바이어스 전류 출력부로 이루어진다.It consists of a current part, a current source part, a current compensating part, and a bias current output part.

상기 전류부는 밴드갭 전압을 베이스 입력으로 하는 제1 트랜지스터와 제1 트랜지스터의 이미터에 연결된 제1 저항으로 이루어져, 온도 변화에 따라 가변되는 제1 전류를 가진다.The current part includes a first transistor having a bandgap voltage as a base input and a first resistor connected to an emitter of the first transistor, and has a first current that varies according to a temperature change.

상기 전류원부는 전원 전압을 인가 받으며 2쌍의 전류 미러를 구성하는 제2, 제3, 제4, 제5 트랜지스터와 각 트랜지스터의 이미터에 위치한 제2, 제3, 제4, 제5 저항으로 이루어져 회로에 전류를 인가한다.The current source unit includes a second, third, fourth, and fifth transistors configured to receive a power supply voltage and constitute two pairs of current mirrors, and second, third, fourth, and fifth resistors positioned at emitters of each transistor. Apply current to the circuit.

상기 전류 보상부는 상기 전류 발생부에 흐르는 제1 전류가 온도에 따라 가변될 때 제1 전류의 변화에 반비례하는 제2 전류를 가지도록 하여 상기 제1 전류의 변화를 보상하기 위해서, 전원 전압에 연결된 제6 저항과, 상기 제6 저항에 직렬로 연결된 제7, 제8 저항과, 제6 및 제7 저항의 접점에 컬렉터가 연결되고 제7 및 제8 저항의 접점에 베이스가 연결되며 이미터가 접지된 제6 트랜지스터와, 전류 미러를 형성하는 제7 및 제8 트랜지스터와 제7 트랜지스터의 컬렉터에 위치한 제9 저항으로 이루어진다.The current compensator has a second current which is inversely proportional to the change of the first current when the first current flowing in the current generator varies with temperature, so as to compensate for the change in the first current, connected to a power supply voltage. The collector is connected to the sixth resistor, the seventh and eighth resistors connected in series with the sixth resistor, the sixth and seventh resistors, and the base is connected to the seventh and eighth contacts. The sixth transistor is grounded, and the seventh and eighth transistors forming the current mirror and the ninth resistor located at the collector of the seventh transistor.

상기 바이어스 전류 출력부는 전원 전압을 컬렉터 입력으로 하고 상기 제3 및 제4 트랜지스터의 컬렉터 전압을 베이스 전압으로 하는 제9 트랜지스터와, 상기 제8 트랜지스터의 이미터 전압을 베이스 전압으로 하는 트랜지스터 제10 및 제11 트랜지스터와 상기 제10 트랜지스터의 이미터와 베이스에 연결된 제10, 제11, 제12 저항으로 이루어진다.The bias current output unit includes a ninth transistor including a power supply voltage as a collector input and a collector voltage of the third and fourth transistors as a base voltage, and a transistor tenth and a fifth using an emitter voltage of the eighth transistor as a base voltage. An eleventh transistor includes tenth, eleventh, and twelfth resistors connected to an emitter and a base of the tenth transistor.

여기서, 상기 제3 및 제4 트랜지스터의 컬렉터가 서로 연결되는 것이 바람직하고, 상기 제2 및 제3 트랜지스터가 전류 미러를 형성하고, 상기 제4 및 제5 트랜지스터가 전류 미러를 형성하는 것이 바람직하다.Here, it is preferable that the collectors of the third and fourth transistors are connected to each other, the second and third transistors form a current mirror, and the fourth and fifth transistors form a current mirror.

또한, 상기 제2 트랜지스터는 상기 제1 트랜지스터의 컬렉터에 컬렉터와 베이스가 연결되고, 상기 제5 트랜지스터는 상기 제8 트랜지스터의 컬렉터에 베이스와 컬렉터가 연결되는 것이 바람직하다. 그리고 상기 제7 트랜지스터는 컬렉터와 베이스가 서로 연결되는 것이 바람직하다.In addition, the second transistor is preferably a collector and a base connected to the collector of the first transistor, the fifth transistor is preferably a base and a collector connected to the collector of the eighth transistor. In the seventh transistor, it is preferable that the collector and the base are connected to each other.

이하, 이 발명의 한 실시예를 설명한다.Hereinafter, one embodiment of this invention is described.

도2는 이 발명의 실시예에 따른 온도 변화에 안정된 바이어스 전류 발생 회로의 회로도이다.2 is a circuit diagram of a bias current generation circuit stable to temperature changes according to an embodiment of the present invention.

도2에서, 이 발명은 밴드갭 전압원(Vband)과, 전류부(100)와, 종속 전류원부(200)와, 전류 보상부(300)와, 바이어스 전류 출력부(400)로 이루어진다.In FIG. 2, the present invention consists of a bandgap voltage source Vband, a current part 100, a dependent current source part 200, a current compensating part 300, and a bias current output part 400. As shown in FIG.

전류부(100)는 밴드갭 전압원(Vband)의 밴드갭 전압을 베이스 입력으로 하는 트랜지스터(Q1)와, 트랜지스터(Q1)의 이미터와 접지단 사이에 연결된 저항(R1)으로 이루어진다.The current unit 100 includes a transistor Q1 having a bandgap voltage of the bandgap voltage source Vband as a base input, and a resistor R1 connected between the emitter and the ground terminal of the transistor Q1.

여기서, 밴드갭 전압원(Vband)은 도시하지 않은 밴드갭 전압 회로에서 출력되는 전압이다.Here, the bandgap voltage source Vband is a voltage output from a bandgap voltage circuit (not shown).

종속 전류원부(200)는 전원 전압(VDD)에 연결된 저항(R2,R3,R4,R5)과 저항(R2)에 이미터가 연결되고 트랜지스터(Q1)의 컬렉터에 컬렉터와 베이스가 연결된 트랜지스터(Q2)와, 저항(R3)에 이미터가 연결되고 트랜지스터(Q2)와 함께 전류 미러를 이루는 트랜지스터(Q3)와 저항(R4)에 이미터가 연결되고 트랜지스터(Q3)의 컬렉터에 컬렉터가 연결된 트랜지스터(Q4)와 저항(R5)단에 이미터가 연결되고 트랜지스터(Q4)의 베이스에 베이스와 컬렉터가 연결된 트랜지스터(Q5)로 이루어진다.The slave current source unit 200 includes transistors Q2 having an emitter connected to the resistors R2, R3, R4, and R5 connected to the power supply voltage VDD and a resistor R2, and a collector and a base connected to the collector of the transistor Q1. And a transistor having an emitter connected to a resistor R3, a transistor Q3 forming a current mirror with the transistor Q2, and an emitter connected to a resistor R4, and a collector connected to a collector of the transistor Q3. An emitter is connected to Q4) and a resistor R5, and a transistor Q5 is connected to a base and a collector at the base of transistor Q4.

전류 보상부(300)는 전원 전압(VDD)에 연결된 저항(R6)과 저항(R6)에 직렬 연결된 저항(R7,R8)과, 저항(R6,R7)의 접점에 컬렉터가 연결되고 저항(R7,R8)의 접점에 베이스가 연결되고 이미터가 접지된 트랜지스터(Q6)와, 트랜지스터(Q6)의 컬렉터에 일단이 연결된 저항(R9)과 저항(R9)의 타단에 컬렉터와 베이스가 연결되고 이미터가 접지된 트랜지스터(Q7)와, 트랜지스터(Q7)와 함께 전류 미러를 이루고 트랜지스터(Q5)의 컬렉터와 베이스에 컬렉터가 연결되고 이미터가 접지된 트랜지스터(Q8)로 이루어진다.The current compensator 300 includes a resistor R6 connected to the power supply voltage VDD, resistors R7 and R8 connected in series with the resistor R6, and a collector connected to a contact point of the resistors R6 and R7 and a resistor R7. The transistor is connected to the base of the contact point of R8 and the emitter is grounded, and the collector and the base are connected to the other end of the resistor R9 and the resistor R9 having one end connected to the collector of the transistor Q6. A transistor Q7 having a grounded transistor, and a transistor Q7 having a current mirror with the transistor Q7, a collector connected to a base and a collector of transistor Q5, and an emitter grounded.

바이어스 전류 출력부(400)는 트랜지스터(Q3,Q4)의 컬렉터에 베이스가 연결되고 전원 전압을 컬렉터 입력으로 하는 트랜지스터(Q9)와, 트랜지스터(Q9)의 베이스에 컬렉터가 연결되고 이미터에 베이스가 연결된 트랜지스터(Q10)와, 트랜지스터(Q10)의 베이스에 베이스가 연결되고 컬렉터에 바이어스 전류가 출력되는 트랜지스터(Q11)와, 트랜지스터(Q10,Q11)의 이미터와 접지단 사이에 연결된 저항(R10,R12)와 트랜지스터(Q11,Q12)의 베이스와 접지단 사이에 연결된 저항(R11)로 이루어진다.The bias current output unit 400 includes a transistor Q9 having a base connected to the collectors of the transistors Q3 and Q4 and having a power supply voltage as a collector input, a collector connected to the base of the transistor Q9, and a base connected to the emitter. The connected transistor Q10, the transistor Q11 having a base connected to the base of the transistor Q10, and outputting a bias current to the collector, and a resistor R10 connected between the emitters of the transistors Q10 and Q11 and the ground terminal. R12) and a resistor R11 connected between the base of the transistors Q11 and Q12 and the ground terminal.

이상과 같이 구성된 이 발명의 실시예에 따른 온도 변화에 안정된 바이어스 전류 발생 회로를 도2 내지 도5를 참조로 하여 설명한다.A bias current generating circuit stable to temperature changes according to the embodiment of the present invention configured as described above will be described with reference to FIGS.

베이스로 입력되는 밴드갭 전압(Vband)이 임계 전압 이상이 되면, 트랜지스터(Q1)은 턴 온한다. 이에 따라 트랜지스터(Q2)는 컬렉터에 흐르는 전류(I1)가 트랜지스터(Q1)을 통해 접지단으로 흘러 턴 온되고 트랜지스터(Q3)도 턴 온한다.When the band gap voltage Vband input to the base becomes equal to or greater than the threshold voltage, the transistor Q1 is turned on. Accordingly, the transistor Q2 is turned on by flowing the current I1 flowing through the collector to the ground terminal through the transistor Q1, and also turns on the transistor Q3.

이때, 저항(R1)에 걸리는 전압(Va)은 다음과 같이 나타낼 수 있다.In this case, the voltage Va applied to the resistor R1 may be expressed as follows.

전압(Va) = 전류(I1) × 저항(R1)Voltage (Va) = Current (I1) × Resistance (R1)

그러나, 전압(Va)는 온도가 증가하면 트랜지스터(Q1)의 베이스와 이미터간의 전위가 낮아져 도3의 (1)에 도시된 바와 같이 증가하여 결국 밴드갭 전압과 같아지게 된다.However, as the temperature Va increases, the potential between the base of the transistor Q1 and the emitter decreases as the temperature increases, and as shown in FIG. 3 (1), the voltage Va becomes equal to the bandgap voltage.

도3은 도2의 제1 트랜지스터에 흐르는 전류와 이미터와 베이스간의 전위가 온도에 따라 변화하는 것을 나타내는 도면이다.3 is a diagram illustrating that a current flowing through the first transistor of FIG. 2 and a potential between the emitter and the base change with temperature.

이때, 도3의 (1)에서, A점과 B점 사이의 간격은 트랜지스터(Q1)의 이미터와 베이스간의 가변 전위(△Vbe1)을 나타내고, 가로축은 전압, 세로축은 온도를 나타낸다. 그리고, A지점은 밴드갭 전압의 레벨을 나타낸다.At this time, in FIG. 3 (1), the interval between the points A and B represents the variable potential DELTA Vbe1 between the emitter and the base of the transistor Q1, the horizontal axis represents voltage, and the vertical axis represents temperature. Point A represents the level of the bandgap voltage.

따라서, 트랜지스터(Q1)에 흐르는 전류(I1)는 가변 전위(△Vbe1) / 저항(R1)이므로 온도가 증가하면 도3의 (2)와 같이 온도 증가에 비례하여 △I 만큼 증가한다.Accordingly, since the current I1 flowing through the transistor Q1 is a variable potential ΔVbe1 / resistance R1, as the temperature increases, the current I1 increases by ΔI in proportion to the increase in temperature as shown in FIG.

이렇게 온도 변화에 따라 가변되는 전류(△I1)는 불규칙한 바이어스 전류 발생의 원인이 된다. 따라서, 가변되는 전류(△I1)을 보상하기 위해 전류 보상부(300)와 더불어 종속 전류원부(200)는 다음과 같이 동작한다.The current ΔI1 that varies according to the temperature change causes irregular bias currents. Accordingly, in order to compensate for the variable current ΔI1, the slave current source unit 200 together with the current compensator 300 operate as follows.

우선, 전류부(100)의 가변 전류(△I1)를 보상하는 전류를 위해 저항(R9)을 저항(R1)과 같은 값으로 설정한다.First, the resistor R9 is set to the same value as the resistor R1 in order to compensate for the variable current ΔI1 of the current unit 100.

저항(R6)을 통해 인가되는 전압은 트랜지스터(Q)의 컬렉터와 베이스에 인가되고, 또한 저항(R7,R8)에 의해 분압되어 트랜지스터(Q6)의 베이스로 인가된다.The voltage applied through the resistor R6 is applied to the collector and base of the transistor Q, and is also divided by the resistors R7 and R8 to the base of the transistor Q6.

그러면, 트랜지스터(Q7)는 턴 온되고, 트랜지스터(Q8)도 턴 온된다. 그리고, 트랜지스터(Q5)도 턴 온된다.Then, transistor Q7 is turned on and transistor Q8 is also turned on. The transistor Q5 is also turned on.

여기서, 트랜지스터(Q7)의 컬렉터에 흐르는 전류(I2)는 전류 미러를 이루는 트랜지스터(Q8)의 컬렉터에도 전류(I2)가 흐르게 된다. 이때, 전류(I2)는 트랜지스터(Q7)의 컬렉터와 더불어 트랜지스터(Q7)의 컬렉터에 컬렉터가 연결된 트랜지스터(Q6)가 턴 온될 때 트랜지스터(Q6)에 흐른다.Here, the current I2 flowing through the collector of the transistor Q7 also flows through the collector of the transistor Q8 forming the current mirror. At this time, the current I2 flows in the transistor Q6 when the transistor Q6 connected to the collector of the transistor Q7 together with the collector of the transistor Q7 is turned on.

이것은 트랜지스터(Q6)의 베이스와 이미터간의 전위에 따라 트랜지스터(Q7)의 컬렉터에 흐르는 전류(I2)가 변화된다는 것을 의미하며, 트랜지스터(Q6)의 베이스 전압에 따라 전류(I2)가 변화된다는 것을 의미한다.This means that the current I2 flowing in the collector of transistor Q7 changes according to the potential between the base and emitter of transistor Q6, and that current I2 changes according to the base voltage of transistor Q6. it means.

여기서, 트랜지스터(Q6)의 베이스 전압은 C점과 접지단 사이의 전압(Vc)이 저항(R7,R8)에 의해 분압된 전압이다.Here, the base voltage of the transistor Q6 is a voltage obtained by dividing the voltage Vc between the point C and the ground terminal by the resistors R7 and R8.

그러므로, C점과 접지단 사이의 전압이 어느 정도인가에 따라 저항(R7,R8)에 의해 분압된 전압 즉, 트랜지스터(Q6)의 베이스에 인가되는 전압이 결정되고, 그에 따라 전류(I2)의 값이 어느 정도 감소하느냐가 결정된다.Therefore, the voltage divided by the resistors R7 and R8, that is, the voltage applied to the base of the transistor Q6, is determined depending on how much the voltage between the point C and the ground terminal is, and accordingly the current I2 It is determined how much the value decreases.

특히, 회로내 온도가 전류부(100)의 전류 즉 전압(Va)를 가변시키지 못하는 온도일 경우에는 트랜지스터(Q6)가 동작하지 않아야 하므로 트랜지스터(Q6)의 베이스로 인가되는 전압은 임계 전압 이하가 되어야 한다.Particularly, when the temperature in the circuit is a temperature at which the current of the current unit 100 cannot be changed, that is, the voltage Va, the transistor Q6 should not operate. Therefore, the voltage applied to the base of the transistor Q6 is less than or equal to the threshold voltage. Should be.

그리고, 회로내 온도가 전류부(100)의 전압(Va)을 가변시키는 온도일 경우에는 트랜지스터(Q6)가 동작하여야 하므로 트랜지스터(Q6)의 베이스로 인가되는 전압은 임계 전압 이상이 되어야 한다.In addition, when the temperature in the circuit is a temperature at which the voltage Va of the current unit 100 is varied, the transistor Q6 should be operated. Therefore, the voltage applied to the base of the transistor Q6 should be greater than or equal to the threshold voltage.

즉, C점과 접지단 사이의 전압은 전류부(100)의 전압(Va)가 가변될 때 즉, 트랜지스터(Q1)에 흐르는 전류(I1)이 가변될 때의 온도에서 전압(Va)의 가변량 (△Vbe1)만큼 가변되어야 한다.That is, the voltage between the point C and the ground terminal is variable in voltage at a temperature when the voltage Va of the current portion 100 is changed, that is, when the current I1 flowing through the transistor Q1 is variable. Should be variable by the amount DELTA Vbe1.

여기서, 전압(Va)의 가변량(△Vbe1)은 상기의 설명에 의해 다음의 식4와 같이 나타낼 수 있다.Here, the variable amount ΔVbe1 of the voltage Va can be expressed by the following equation 4 by the above description.

▵Vbe1=[1+(R7÷R8)Vbe6]-Vbe7BeVbe1 = [1+ (R7 ÷ R8) Vbe6] -Vbe7

따라서, 이 발명은 상기의 조건에 만족하는 저항(R7,R8)의 값을 조절함에 의해 원하는 식4와 같은 전류 특성을 얻을 수 있다.Therefore, in the present invention, desired current characteristics as shown in Equation 4 can be obtained by adjusting the values of the resistors R7 and R8 satisfying the above conditions.

이상과 같이 트랜지스터(Q1)에 흐르는 전류(I1)가 온도 상승에 따라 도3의 (2)와 같이 상승하면, C점과 접지단 사이의 전압이 저항(R7,R8)의 값이 상승하는 효과에 의해 증가하여 트랜지스터(Q6)의 이미터와 베이스간의 전위를 낮춰 트랜지스터(Q7)의 컬렉터로 흐르는 전류(I2)를 도4와 같이 전류(I1)의 증가분(△I1)만큼 감소시킨다.As described above, when the current I1 flowing in the transistor Q1 rises as shown in Fig. 3 (2) as the temperature rises, the voltage between the point C and the ground terminal increases in the values of the resistors R7 and R8. The current I2 flowing into the collector of the transistor Q7 is reduced by the increment? I1 of the current I1 as shown in FIG. 4 by decreasing the potential between the emitter and the base of the transistor Q6.

도4는 도2의 전류 보상부에 흐르는 전류가 온도에 따라 변하는 것을 나타내는 도면이다.4 is a diagram illustrating that a current flowing in the current compensator of FIG. 2 varies with temperature.

이렇게 감소된 전류(I2)는 트랜지스터(Q7)의 컬렉터에 흐르고, 그에 따라 트랜지스터(Q8,Q5)의 컬렉터에 흐르는 전류(I2)(여기서 전류 미러의 특성에 의해 트랜지스터(Q8)의 컬렉터에 전류(I2)가 흐른다)도 감소되고, 따라서 트랜지스터(Q5)와 함께 전류 미러를 이루는 트랜지스터(Q4)의 컬렉터에도 전류(I2)의 감소분(△I2)분만큼 전류가 감소되어 흐른다.This reduced current I2 flows in the collector of transistor Q7, and accordingly the current I2 flowing in the collector of transistors Q8, Q5 (wherein the current of the collector of transistor Q8 due to the characteristics of the current mirror) I2) also decreases, so that the current also decreases by the decrease? I2 of the current I2 in the collector of the transistor Q4 which forms a current mirror with the transistor Q5.

이때, 트랜지스터(Q4)의 컬렉터는 트랜지스터(Q3)의 컬렉터와 공통이므로, 트랜지스터(Q3,Q4)의 컬렉터에 흐르는 전류(I3)는 전류(I1)과 전류(I2)의 가산치와 같다.At this time, since the collector of the transistor Q4 is common to the collector of the transistor Q3, the current I3 flowing through the collectors of the transistors Q3 and Q4 is equal to the sum of the current I1 and the current I2.

즉, 전류(I3)는 도5와 도시된 바와 같이 일정하며, 전류(I3) = 전류(I1) + 전류(I2)로 나타낼 수 있다.That is, the current I3 is constant as shown in FIG. 5, and may be represented as current I3 = current I1 + current I2.

도5는 이 발명의 실시예에 따른 온도 변화에 안정된 바이어스 전류 발생 회로의 출력 전류를 나타낸 도면이다.5 is a diagram showing an output current of a bias current generating circuit stable to temperature changes according to an embodiment of the present invention.

이상과 같이 얻어진 전류(I3)는 트랜지스터(Q9)의 베이스에 인가되어 트랜지스터(Q9)를 턴 온시키고, 트랜지스터(Q10,Q11)을 턴 온시킨다.The current I3 obtained as described above is applied to the base of the transistor Q9 to turn on the transistor Q9 and to turn on the transistors Q10 and Q11.

그리고, 전류(I3)는 트랜지스터(Q9)의 전류 미러를 형성하는 트랜지스터(Q11)의 컬렉터에 흐르게 되어 IC에 공급된다.The current I3 flows through the collector of the transistor Q11 forming the current mirror of the transistor Q9 and is supplied to the IC.

결국, IC는 온도 변화에 따라 일정한 전류(I3)를 공급받게 된다.As a result, the IC is supplied with a constant current I3 according to the temperature change.

이 발명은 외란 혹은 구동 전류에 의해 IC내의 온도가 상승하더라도 일정한 전류가 발생되도록 하는 효과가 있다.This invention has the effect of generating a constant current even if the temperature in the IC rises due to disturbance or drive current.

Claims (3)

밴드갭 전압을 베이스 입력으로 하는 제1 트랜지스터와, 제1 트랜지스터의 이미터에 연결된 제1 저항으로 이루어져, 온도 변화에 따라 가변되는 제1 전류를 가지는 제1 전류부와;A first current portion comprising a first transistor having a band gap voltage as a base input, and a first resistor connected to an emitter of the first transistor, the first current portion having a first current varying with a temperature change; 전원 전압을 인가 받으며 2쌍의 전류 미러를 구성하는 제2, 제3, 제4, 제5 트랜지스터와 각 트랜지스터의 이미터에 위치한 제2, 제3, 제4, 제5 저항으로 이루어져 회로에 전류를 인가하는 종속 전류원부와;Second, third, fourth, and fifth transistors configured to receive a power supply voltage and constitute two pairs of current mirrors, and second, third, fourth, and fifth resistors located at emitters of the respective transistors to provide current to the circuit. A slave current source unit for applying; 상기 전류 발생부에 흐르는 제1 전류가 온도에 따라 가변될 때 제1 전류의 변화에 반비례하는 제2 전류를 가지도록 하여 상기 제1 전류의 변화를 보상하기 위해서, 전원 전압에 연결된 제6 저항과, 상기 제6 저항에 직렬로 연결된 제7, 제8 저항과, 제6 및 제7 저항의 접점에 컬렉터가 연결되고 제7 및 제8 저항의 접점에 베이스가 연결되며 이미터가 접지된 제6 트랜지스터와, 전류 미러를 형성하는 제7 및 제8 트랜지스터와 제7 트랜지스터의 컬렉터에 위치한 제9 저항으로 이루어진 전류 보상부와;A sixth resistor connected to a power supply voltage so as to compensate for the change in the first current by having a second current inversely proportional to the change in the first current when the first current flowing in the current generation unit varies with temperature; And a sixth and eighth resistor connected in series to the sixth resistor and a collector connected to the contacts of the sixth and seventh resistors, the base connected to the contacts of the seventh and eighth resistors, and the emitter grounded. A current compensating unit comprising a transistor, a seventh and eighth transistors forming a current mirror, and a ninth resistor located at a collector of the seventh transistor; 전원 전압을 컬렉터 입력으로 하고 상기 제3 및 제4 트랜지스터의 컬렉터 전압을 베이스 전압으로 하는 제9 트랜지스터와, 상기 제8 트랜지스터의 이미터 전압을 베이스 전압으로 하는 트랜지스터 제10 및 제11 트랜지스터와 상기 제10 트랜지스터의 이미터와 베이스에 연결된 제10, 제11, 제12 저항으로 이루어져, 상기 제1 전류와 상기 제2 전류의 합을 출력하는 바이어스 전류 출력부로 이루어진 온도 변화에 안정된 바이어스 전류 회로.A ninth transistor in which a power supply voltage is a collector input, and the collector voltages of the third and fourth transistors are base voltages; and the transistors tenth and eleventh transistors in which the emitter voltage of the eighth transistor is a base voltage; 10. A bias current circuit comprising a bias current output unit comprising a tenth, eleventh, and twelfth resistors connected to an emitter of a transistor and a base, and outputting a sum of the first current and the second current. 제1항에서, 상기 종속 전류원부The method of claim 1, wherein the dependent current source unit 상기 제3 및 제4 트랜지스터의 컬렉터가 서로 연결되고, 상기 제2 및 제3 트랜지스터가 전류 미러를 형성하고, 상기 제4 및 제5 트랜지스터가 전류 미러를 이루는 온도 변화에 안정된 바이어스 전류 회로.And a collector of the third and fourth transistors connected to each other, the second and third transistors form a current mirror, and the bias current circuit stable to temperature changes in which the fourth and fifth transistors form a current mirror. 제1항에서, 상기 전류 보상부의 상기 저항(R7)과 상기 저항(R8)은,The resistor R7 and the resistor R8 of the current compensator are: ▵Vbe1=[1+(R7÷R8)Vbe6]-Vbe7 을 만족하는 온도 변화에 안정된 바이어스 전류 회로. BeVbe1 = [1+ (R7 ÷ R8) Vbe6] -Vbe7 Bias current circuit stable to temperature changes to satisfy
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