KR20000015801A - Method for forming a carbon film - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A method is provided for forming a carbon film by vacuum arc scheme. CONSTITUTION: The method can form a carbon film having low concentration of macro particles with the improved deposition rate, by using a switching circuit pulsing high current of high frequency and providing arc current signal having a shorter rise time. That is, the method comprises the steps of providing graphite source (115) within a vacuum arc deposition apparatus (100); forming arc (122) between the graphite source (115) and a cathode (122) of the apparatus; and pulsing the arc (122) for defining arc signal (120) having pulse width within a range of 0.25-100 microseconds and within a range of 10-50% of the period of the pulsed arc signal (120). The method also includes pulsing a current signal (119) within a range of 100-300 amperes from an arc power supply (116), wherein the current signal (119) is pulsed at a power MOSFET switching circuit (200) to provide a pulsed arc signal (120) having a rise time within a range of 5-20 nanoseconds.

Description

탄소막을 형성하기 위한 방법Method for Forming Carbon Film

탄소막의 형성을 위한 음극 진공 아크 증착 방법은 당해 기술 분야에 공지되어 있다. 또한, 전계 방출 탄소막의 형성을 위한 음극 진공 아크 증착 방법의 사용도 공지되어 있다. 그러나, 이러한 종래 기술의 방법에 따라 생성된 탄소막은 높은 비율의 고입자(macroparticles)에 시달리게 된다. 아크는 탄소원(carbon source)에 매우 고온 및 고압 환경을 생성한다. 이러한 조건은 전형적으로 고입자가 탄소원의 아크 수용면(arc-receiving surface)으로부터 방출되도록 한다. 균일하고, 평탄한 막을 형성하기 위해서는, 이러한 고입자를 제거하는 것이 바람직하다.Cathodic vacuum arc deposition methods for the formation of carbon films are known in the art. It is also known to use a cathode vacuum arc deposition method for the formation of a field emission carbon film. However, the carbon film produced according to this prior art method suffers from a high proportion of macroparticles. The arc creates a very high temperature and high pressure environment at the carbon source. Such conditions typically allow high particles to be released from the arc-receiving surface of the carbon source. In order to form a uniform and flat film, it is desirable to remove such high particles.

종래 기술의 진공 아크 기법(vacuum arc scheme)에서는, 필터 밴드(fliter bend)가 고입자의 제거를 위해 증착 장치에 포함되어 있다. 흑연원(graphite source)은 기화되어 필터 밴드를 향하게 된다. 필터 밴드는 휘어지고 자기 코일에 의해 둘러싸인 밀봉 통로(enclosed passageway)를 포함한다. 대전된 탄소 종을 밴드 주위로 향하게 하기 위해 자기장이 통로 내에 형성된다. 이론적으로, 대전되지 않은 입자 및 무거운 고입자는 밴드 주위로 유도될 수 없으며 따라서 필터 밴드의 밀봉 벽에 영향을 미치게 된다. 필터링되지 않은 종이 기판에 증착되어 탄소막을 형성한다. 필터링 기법은 충분한 균일성 및 적당히 낮은 고입자 함유량을 갖는 탄소막을 형성하지 않는다.In the prior art vacuum arc scheme, a filter band is included in the deposition apparatus for the removal of high particles. The graphite source is vaporized and directed towards the filter band. The filter band includes an enclosed passageway that is bent and surrounded by a magnetic coil. A magnetic field is created in the passageway to direct the charged carbon species around the band. In theory, uncharged particles and heavy high particles cannot be induced around the band and thus affect the sealing wall of the filter band. It is deposited on an unfiltered paper substrate to form a carbon film. The filtering technique does not form a carbon film with sufficient uniformity and moderately low particle content.

또다른 종래 기술의 진공 아크 기법에서, 아크는 연속적이기보다는 주기적으로 발생된다. 이러한 기법에서는, 커패시터가 양극으로부터 음극으로 주기적으로 충전되고 방전된다. 각각의 방전 결과로 아크가 발생한다. 아크가 오프되어 있는 동안의 기간은 탄소원에 국부적인 냉각을 가능하게 한다. 국부적인 온도를 감소시킴으로써, 고입자의 유량은 감소된다. 그러나, 이러한 기법은 분 당 10 옹스트롬 정도의 극히 낮은 증착 속도(deposition rate)로 저하된다. 이러한 낮은 증착 속도는 커패시터의 느린 차지업 속도(charge up rate)로부터 발생한다.In another prior art vacuum arc technique, arcs are generated periodically rather than continuously. In this technique, the capacitor is periodically charged and discharged from the positive pole to the negative pole. Each discharge results in an arc. The period while the arc is off allows for local cooling to the carbon source. By reducing the local temperature, the flow rate of high particles is reduced. However, this technique is degraded at extremely low deposition rates, such as 10 angstroms per minute. This low deposition rate results from the slow charge up rate of the capacitor.

따라서, 낮은 농도의 고입자를 갖는 탄소막을 생성하기 위한 향상된 진공 아크 증착 방법의 필요성이 존재하게 되었다. 또한, 향상된 증착 속도를 갖는 탄소막을 생성하기 위한 향상된 진공 아크 증착 방법의 필요성이 존재하게 되었다.Thus, there is a need for an improved vacuum arc deposition method for producing carbon films having high concentrations of high particles. There also exists a need for an improved vacuum arc deposition method for producing carbon films with improved deposition rates.

본 발명은 음극 아크 증착의 영역에 관한 것이며, 특히 탄소막의 형성을 위한 음극 아크 증착에 관한 것이다.The present invention relates to the area of cathode arc deposition, and more particularly to cathode arc deposition for the formation of carbon films.

도 1은 본 발명의 방법을 실행하는데 유용한 진공 아크 증착 장치의 개략도.1 is a schematic diagram of a vacuum arc deposition apparatus useful for practicing the method of the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 펄싱된 전류 신호의 그래프.2 is a graph of a pulsed current signal in accordance with the present invention.

도 3은 본 발명의 방법을 실행하는데 유용한 스위칭 회로의 개략도.3 is a schematic diagram of a switching circuit useful for practicing the method of the present invention.

간략하고 명쾌한 설명을 위해, 도면에 도시된 소자들은 반드시 비례적으로 도시되어 있지는 않다. 예를 들어, 소자 중 몇몇의 치수는 서로에 대해 과장되어 있다.For simplicity and clarity, the elements shown in the figures are not necessarily drawn to scale. For example, the dimensions of some of the devices are exaggerated relative to one another.

본 발명은 탄소막을 형성하기 위한 향상된 방법에 대한 것이다. 본 발명은 진공 아크 증착 기술에 의해 형성된 탄소막 내의 고입자 함유량을 감소시킨다. 이러한 고입자 량의 감소는 아크 수명을 감소시킴으로써 달성되는데, 이는 탄소원의 국부적인 가열을 감소시킨다. 또한, 감소된 국부적인 가열은 플라즈마의 전하 상태 분포를 향상시킨다. 이러한 향상된 플라즈마는 높은 이온화도를 가지므로, 보다 효율적이다. 본 발명에 따른 방법은 고 주파수의 고 전류를 펄싱(pulsing)하는 스위칭 소자를 사용하여, 향상된 고속 상승 시간을 갖는 아크 전류 신호를 제공함으로써 증착 속도를 더 향상시킨다.The present invention is directed to an improved method for forming a carbon film. The present invention reduces the high particle content in the carbon film formed by vacuum arc deposition techniques. This reduction in the amount of high particles is achieved by reducing the arc life, which reduces the local heating of the carbon source. In addition, reduced local heating improves the charge state distribution of the plasma. This improved plasma has a high degree of ionization and is therefore more efficient. The method according to the invention further improves the deposition rate by providing an arc current signal with an improved fast rise time using a switching element that pulses a high frequency high current.

도 1에 본 발명을 실행하는데 유용한 진공 아크 증착 장치(100)의 개략도가 도시되어 있다. 진공 아크 증착 장치(100)는 진공 챔버(110), 아크 전원(116), 및 스위치(118)를 포함한다. 진공 챔버(110)는 양극(112) 및 음극(114)을 포함한다. 흑연원(115)이 음극(114)에 제공된다. 흑연원(115)은 포코-그래파이트(Poco- Graphite), 파피엑스-그래파이트(Papyex-Graphite)등과 같은 고체 편(solid piece)의 흑연을 포함한다. 증착 기판(117)이 양극(112)에 제공된다. 증착 기판(117)은 유리 웨이퍼, 실리콘 웨이퍼 등과 같은 아티클(article)을 포함하는데, 그 상부에 탄소막이 증착된다. 전원(116)의 네거티브 단자가 음극(114)에 접속되고, 전원(116)의 포지티브 단자가 스위치(118)의 입력 단자에 접속된다.1 is a schematic diagram of a vacuum arc deposition apparatus 100 useful for practicing the present invention. The vacuum arc deposition apparatus 100 includes a vacuum chamber 110, an arc power source 116, and a switch 118. The vacuum chamber 110 includes an anode 112 and a cathode 114. The graphite source 115 is provided to the cathode 114. Graphite source 115 includes a solid piece of graphite, such as Poco-Graphite, Papyex-Graphite, or the like. Deposition substrate 117 is provided to anode 112. The deposition substrate 117 includes an article such as a glass wafer, a silicon wafer, or the like, on which a carbon film is deposited. The negative terminal of the power source 116 is connected to the negative electrode 114, and the positive terminal of the power source 116 is connected to the input terminal of the switch 118.

진공 아크 증착 장치(100)의 동작은 먼저, 도 1의 진공 챔버(110) 내에 화살표로 표시된 아크(122)를 개시(스트라이킹)시키는 것을 포함한다. 양극(112)은 아크(122)를 형성 및 전달하기 위한 흑연원 근방에 트리거(121)를 포함한다. 아크(122)가 초기화된 후에, 아크 전원(116)으로부터 전류 신호(119)가 발생된다. 전류 신호(119)는 스위치(118)의 입력 단자에 공급된다. 전류 신호(119)는 스위치(118)의 출력 단자에 펄싱된 전류 신호(120)를 생성하도록 스위치(118)로 펄싱된다. 펄싱된 전류 신호(120)는 양극(112)에 공급된다. 펄싱된 전류 신호(120)는 아크(122)를 펄싱하기 위한 전류를 제공한다. 이러한 방식에서, 펄싱된 아크 신호는 탄소 플라즈마를 생성하기 위한 흑연원(115)으로 형성된다.Operation of the vacuum arc deposition apparatus 100 includes first initiating (strike) an arc 122 indicated by an arrow in the vacuum chamber 110 of FIG. 1. The anode 112 includes a trigger 121 near the graphite source for forming and delivering the arc 122. After arc 122 is initialized, current signal 119 is generated from arc power source 116. The current signal 119 is supplied to the input terminal of the switch 118. Current signal 119 is pulsed to switch 118 to produce a current signal 120 pulsed to the output terminal of switch 118. The pulsed current signal 120 is supplied to the anode 112. Pulsed current signal 120 provides current for pulsing arc 122. In this manner, the pulsed arc signal is formed of a graphite source 115 for generating a carbon plasma.

도 2는 본 발명에 따른 펄싱된 전류 신호(120)의 그래프를 도시하고 있다. 펄싱된 전류 신호(120)는 주기적인 펄스들(123)을 갖는다. 펄스들(123) 각각은 최대 펄스 전류(imax)의 70% 이상의 전류에 대한 펄스의 지속 기간에 대응하는 펄스 폭(PW)을 갖는다. 또한, 펄스들(123) 각각은 기준선 전류 값(imin)으로부터 최대 펄스 전류(imax)로 전류 신호를 증가시키는데 요구되는 시간에 대응하는 상승 시간(RT)을 갖는다. 또한, 펄싱된 전류 신호(120)의 기간(P)이 도 2에 표시되어 있다.2 shows a graph of pulsed current signal 120 in accordance with the present invention. The pulsed current signal 120 has periodic pulses 123. Each of the pulses 123 has a pulse width PW corresponding to the duration of the pulse for a current greater than or equal to 70% of the maximum pulse current i max . Each of the pulses 123 also has a rise time RT corresponding to the time required to increase the current signal from the baseline current value i min to the maximum pulse current i max . Also, the period P of the pulsed current signal 120 is shown in FIG. 2.

본 발명에 따르면, 펄스 폭의 값 및 기간에 대한 펄스 폭의 비율이 미리 결정되어 흑연원(115)에 감소된 국부적 가열을 제공한다. 흑연원(115) 상의 위치에서의 아크(122)의 상주 시간의 감소는 그 위치에 전달된 국부적 가열 부하를 감소시킨다. 이러한 감소된 국부적 가열은 그 위치로부터 방출된 흑연 고입자의 수, 크기, 및 크기 분포의 폭을 감소시키는 이점을 제공한다. 또한, 감소된 국부적 가열은 플라즈마의 향상된 대전 상태 분포(charge state distribution)의 이점을 제공한다. 더우기, 본 발명에 따르면, 높은 증착 속도를 실현하기 위한 큰 최대 펄스 전류 및 짧은 상승 시간이 제공된다.According to the present invention, the ratio of the pulse width to the value and duration of the pulse width is predetermined to provide reduced local heating to the graphite source 115. Reducing the residence time of the arc 122 at a location on the graphite source 115 reduces the local heating load delivered to that location. This reduced local heating provides the advantage of reducing the number, size, and width of the size distribution of graphite high particles emitted from that location. In addition, reduced local heating provides the advantage of improved charge state distribution of the plasma. Moreover, according to the present invention, a large maximum pulse current and a short rise time for realizing a high deposition rate are provided.

펄스 폭은 0.25 - 100 마이크로 초의 범위, 양호하게는 0.25 - 10 마이크로 초, 가장 양호하게는 0.5 - 2 마이크로 초의 범위 내에 있다. 또한, 펄스 폭은 펄싱된 전류 신호(120)의 기간의 10 - 50%의 범위, 양호하게는 펄싱된 전류 신호(120)의 기간의 20 - 30%의 범위 내에 있도록 미리 결정된다. 펄스들(123)의 짧은 지속 기간은 가열 시간을 제한하고, 펄스들(123) 간의 시간은 흑연원(115)에서의 열 소모(heat dissipation)를 가능하게 한다. 펄싱된 전류 신호(120)의 기간(P)에 대한 펄스 폭(PW)의 비율은 전원(116)의 듀티 싸이클(duty cycle)에 의해 설정된다.The pulse width is in the range of 0.25-100 microseconds, preferably 0.25-10 microseconds, and most preferably 0.5-2 microseconds. Also, the pulse width is predetermined to be in the range of 10-50% of the period of the pulsed current signal 120, preferably in the range of 20-30% of the period of the pulsed current signal 120. The short duration of the pulses 123 limits the heating time, and the time between the pulses 123 enables heat dissipation in the graphite source 115. The ratio of the pulse width PW to the period P of the pulsed current signal 120 is set by the duty cycle of the power supply 116.

최대 펄스 전류(imax)의 값은 20 - 500 암페어의 범위, 양호하게는 100 - 300 암페어의 범위 내에 있다. 이러한 고 전류값은 아크의 용이한 리스트라이킹(restriking)을 촉진하고 또한 흑연원(115)으로부터의 플라즈마 이온의 높은 유동(flux)을 제공한다.The value of the maximum pulse current i max is in the range of 20-500 amps, preferably in the range of 100-300 amps. This high current value facilitates easy restriking of the arc and also provides a high flux of plasma ions from the graphite source 115.

상승 시간(RT)은 100 나노 초보다 작고, 양호하게는 50 나노 초보다 작으며, 가장 양호하게는 5 - 20 나노 초의 범위 내에 있다. 이러한 빠른 상승 시간은 각각의 펄스들(123) 동안에 플라즈마 유동을 향상시키고 증착 기판(117)에서의 탄소막의 증착 속도를 향상시킨다.Rise time (RT) is less than 100 nanoseconds, preferably less than 50 nanoseconds, most preferably in the range of 5-20 nanoseconds. This fast rise time improves plasma flow during each pulse 123 and improves the deposition rate of the carbon film on the deposition substrate 117.

스위치(118)의 기능을 구현하기 위한 전력 MOSFET 스위칭 회로가 도 3에 도시되어 있다. 전력 MOSFET 스위칭 회로(200)는 고 전류 신호의 고주파 펄싱을 제공할 수 있다. 이는 또한 빠른 상승 시간을 실현할 수 있다. 전력 MOSFET 스위칭 회로(200)는 전류 신호(119)가 공급되는 제1 입력 단자(210)를 포함한다. 전력 MOSFET 스위칭 회로(200)는 구동 신호(217)가 공급되는 제2 입력 단자(214)를 더 포함한다. 구동 신호(217)는 펄싱된 전류 신호(120)에 대한 파형을 정의한다. 펄싱된 전류 신호(120)는 전력 MOSFET 스위칭 회로(200)의 출력 단자(212)로부터 송신된다.A power MOSFET switching circuit for implementing the function of the switch 118 is shown in FIG. 3. The power MOSFET switching circuit 200 may provide high frequency pulsing of the high current signal. This can also realize a fast rise time. The power MOSFET switching circuit 200 includes a first input terminal 210 to which a current signal 119 is supplied. The power MOSFET switching circuit 200 further includes a second input terminal 214 to which a drive signal 217 is supplied. The drive signal 217 defines a waveform for the pulsed current signal 120. The pulsed current signal 120 is transmitted from the output terminal 212 of the power MOSFET switching circuit 200.

전력 MOSFET 스위칭 회로(200)는 4개의 모듈(225)과 직렬로 접속된 전치 구동기 트랜지스터(predriver transistor)(216)를 갖는다. 모듈들(225)은 서로 병렬로 접속된다. 용이한 이해를 위해, 모듈들(225) 중 단지 하나만이 도 3의 점선 내에 도시되어 있다. 모듈들(225) 각각은 스피드업 커패시터들(speed up capacitors) (222), 전류 제한 저항기들(226), 구동기 전계 효과 트랜지스터들(FET)(228), 과도 억압 다이오드들(transient suppression diodes)(218), 필터 커패시터들(220), 풀다운 저항기들(224), 및 출력 전력 MOSFET(230)를 포함한다. 이러한 소자들은 도 3에 도시된 방식으로 접속된다.The power MOSFET switching circuit 200 has a predriver transistor 216 connected in series with the four modules 225. Modules 225 are connected in parallel to each other. For ease of understanding, only one of the modules 225 is shown in the dashed line in FIG. 3. Each of the modules 225 includes speed up capacitors 222, current limiting resistors 226, driver field effect transistors (FETs) 228, transient suppression diodes ( 218, filter capacitors 220, pull-down resistors 224, and output power MOSFET 230. These elements are connected in the manner shown in FIG.

출력 전력 MOSFET들(230)은 빠른 스위칭 시간 및 우수한 전력 효율을 제공한다. 도 3의 실시예에서, 출력 전력 MOSFET들(230) 각각은 200 볼트 FET를 포함한다. 전력 MOSFET 스위칭 회로가 상기 배열에 따라 설명되었지만, 본 기술 분야에 숙련된 당업자라면 본 발명을 실행하기 위해 다른 배열들도 가능하다는 것을 인식할 것이다.Output power MOSFETs 230 provide fast switching time and good power efficiency. In the embodiment of FIG. 3, each of the output power MOSFETs 230 includes a 200 volt FET. Although power MOSFET switching circuits have been described in accordance with the above arrangement, those skilled in the art will recognize that other arrangements are possible to practice the present invention.

요약하면, 본 발명에 따른 탄소막을 형성하기 위한 방법은 낮은 고입자 함유량 및 향상된 균일성을 갖는 탄소막을 제공한다. 또한, 본 발명에 따른 방법은 고 전류를 고 주파수로 펄싱하는 스위칭 회로를 사용함으로써 이러한 탄소막의 증착 속도를 향상시키며 짧은 상승 시간을 갖는 아크 전류 신호를 제공한다. 또한, 본 발명에 따른 방법은 흑연원에서의 국부적인 가열을 감소시킴으로써 플라즈마의 이온화 특성을 향상시킨다.In summary, the method for forming a carbon film according to the present invention provides a carbon film having low high particle content and improved uniformity. In addition, the method according to the invention improves the deposition rate of such carbon films by using switching circuits that pulse high currents at high frequencies and provide arc current signals with short rise times. In addition, the method according to the invention improves the ionization properties of the plasma by reducing local heating in the graphite source.

본 발명의 특정한 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본 기술 분야에 숙련된 당업자라면 추가의 수정 및 향상을 이룰 수 있을 것이다. 그러므로, 본 발명은 설명된 특정한 형태로 제한되지 않으며 첨부된 특허 청구 범위에서는 본 발명의 본질 및 범위로부터 벗어나지 않는 모든 수정을 포함하는 것을 의도로 한다.While specific embodiments of the present invention have been shown and described, additional modifications and enhancements will occur to those skilled in the art. Therefore, it is intended that the invention not be limited to the particular form described, but to include all modifications that do not depart from the spirit and scope of the invention in the appended claims.

Claims (10)

탄소막을 형성하기 위한 방법에 있어서,In the method for forming a carbon film, 진공 아크 증착 장치(vacuum arc deposition apparatus)(100) 내에 흑연원(graphite source)(115)을 제공하는 단계;Providing a graphite source 115 in a vacuum arc deposition apparatus 100; 상기 흑연원(115)과 상기 진공 아크 증착 장치(100)의 양극(112) 사이에 아크(122)를 형성하는 단계; 및Forming an arc (122) between the graphite source (115) and the anode (112) of the vacuum arc deposition apparatus (100); And 0.25 - 100 마이크로 초의 범위 내에 있으며 또한 펄싱된 아크 신호(pulsed arc signal)(120)의 기간의 10 - 50 %의 범위 내에 있는 펄스 폭을 갖는 펄싱된 아크 신호(120)를 정의하도록 상기 아크(122)를 펄싱하는 단계The arc 122 to define a pulsed arc signal 120 having a pulse width in the range of 0.25-100 microseconds and also in the range of 10-50% of the duration of the pulsed arc signal 120. Pulsing) 를 포함하는 탄소막 형성 방법.Carbon film forming method comprising a. 제1항에 있어서, 상기 아크(122)를 펄싱하는 단계는 0.25 - 10 마이크로 초의 범위 내의 펄스 폭을 갖는 펄싱된 아크 신호(120)를 정의하도록 상기 아크(122)를 펄싱하는 단계를 포함하는 탄소막 형성 방법.2. The carbon film of claim 1, wherein pulsing the arc 122 comprises pulsing the arc 122 to define a pulsed arc signal 120 having a pulse width in the range of 0.25-10 microseconds. Forming method. 제2항에 있어서, 상기 아크(122)를 펄싱하는 단계는 0.5 - 2 마이크로 초의 범위 내의 펄스 폭을 갖는 펄싱된 아크 신호(120)를 정의하도록 상기 아크(122)를 펄싱하는 단계를 포함하는 탄소막 형성 방법.3. The carbon film of claim 2, wherein pulsing the arc 122 comprises pulsing the arc 122 to define a pulsed arc signal 120 having a pulse width in the range of 0.5-2 microseconds. Forming method. 제1항에 있어서, 상기 아크(122)를 펄싱하는 단계는 상기 펄싱된 아크 신호(120)의 기간의 20% - 30%의 범위 내의 펄스 폭을 갖는 펄싱된 아크 신호(120)를 제공하도록 상기 아크(122)를 펄싱하는 단계를 포함하는 탄소막 형성 방법.The method of claim 1, wherein pulsing the arc 122 comprises: providing the pulsed arc signal 120 having a pulse width in the range of 20% -30% of the duration of the pulsed arc signal 120. Pulsing the arc (122). 제1항에 있어서, 상기 아크(122)를 형성하는 단계는 20 - 500 암페어의 범위 내의 아크 전류를 갖는 아크(122)를 형성하는 단계를 포함하는 탄소막 형성 방법.The method of claim 1, wherein forming the arc (122) comprises forming an arc (122) having an arc current in the range of 20-500 amps. 제5항에 있어서, 상기 아크(122)를 형성하는 단계는 100 - 300 암페어의 범위 내의 아크 전류를 갖는 아크(122)를 형성하는 단계를 포함하는 탄소막 형성 방법.6. The method of claim 5, wherein forming the arc (122) comprises forming an arc (122) having an arc current in the range of 100-300 amps. 제1항에 있어서, 상기 아크(122)를 펄싱하는 단계는 100 나노 초보다 작은 상승 시간을 갖는 펄싱된 아크 신호(120)를 정의하도록 상기 아크(122)를 펄싱하는 단계를 포함하는 탄소막 형성 방법.The method of claim 1, wherein pulsing the arc 122 includes pulsing the arc 122 to define a pulsed arc signal 120 having a rise time of less than 100 nanoseconds. . 제7항에 있어서, 상기 아크(122)를 펄싱하는 단계는 50 나노 초보다 작은 상승 시간을 갖는 펄싱된 아크 신호(120)를 정의하도록 상기 아크(122)를 펄싱하는 단계를 포함하는 탄소막 형성 방법.8. The method of claim 7, wherein pulsing the arc 122 comprises pulsing the arc 122 to define a pulsed arc signal 120 having a rise time of less than 50 nanoseconds. . 제8항에 있어서, 상기 아크(122)를 펄싱하는 단계는 5 - 20 나노 초의 범위 내의 상승 시간을 갖는 펄싱된 아크 신호(120)를 정의하도록 상기 아크(122)를 펄싱하는 단계를 포함하는 탄소막 형성 방법.9. The carbon film of claim 8, wherein pulsing the arc 122 comprises pulsing the arc 122 to define a pulsed arc signal 120 having a rise time in the range of 5-20 nanoseconds. Forming method. 제1항에 있어서, 상기 아크(122)를 펄싱하는 단계는,The method of claim 1, wherein pulsing the arc 122 comprises: 전력 MOSFET 스위칭 회로(200)의 입력 단자(210)를 아크 전원(116)의 출력 단자에 접속시키는 단계;Connecting the input terminal 210 of the power MOSFET switching circuit 200 to the output terminal of the arc power source 116; 상기 전력 MOSFET 스위칭 회로(200)의 출력 단자(212)를 상기 진공 아크 증착 장치(100)의 양극(112)에 접속시키는 단계; 및Connecting an output terminal (212) of the power MOSFET switching circuit (200) to the anode (112) of the vacuum arc deposition apparatus (100); And 상기 양극(112)에 펄싱된 전류 신호(120)를 제공하도록 상기 전력 MOSFET 스위칭 회로(200)에서 상기 아크 전원(116)으로부터의 전류 신호(119)를 펄싱하는 단계Pulsing the current signal 119 from the arc power source 116 in the power MOSFET switching circuit 200 to provide a pulsed current signal 120 to the anode 112. 를 포함하는 탄소막 형성 방법.Carbon film forming method comprising a.
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