KR20000007719A - 파우더 캐처 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 디바이스 제조 동안 발생된 유해 가스를 가스 스크러버로 처리하기 전에 가스 중의 유해 분말 성분을 처리하여 집진함으로써, 가스 스크러버의 수명을 연장시킬 수 있는 한편, 가스 스크러버에서 사용되는 흡착제의 수명을 연장시킬 수 있는 파우더 캐처에 관한 것이다. 파우더 캐처는 한 쪽 측부에 가스가 유입되는 가스 유입구를, 다른 쪽 측부에 가스가 배출되는 가스 배출구를 가지는 원통체로 형성되며, 하부가 일정 각도만큼 종방향으로 절개되어 있는 가스 챔버를 가진다. 가스 냉각 수단에 의하여 가스 챔버를 통과하는 가스가 냉각되며, 냉각에 의하여 가스 입자가 가스 냉각 수단의 외면에 흡착된다. 흡착된 입자는 가스 냉각 수단이 회전될 때, 가스 냉각 수단에 인접하여 가스 챔버에 설치되는 다수의 입자 제거날에 의하여 제거된다. 입자 제거날에 의하여 제거된 입자는 하부에 위치된 입자 수용 수단의 호형 만곡부에 쌓이며, 입자 수용 수단의 회전에 의하여, 입자 수용 수단의 하부에 위치된 집진통에 집진된다.

Description

파우더 캐처
본 발명은 파우더 캐처(powder catcher)에 관한 것이고, 보다 상세하게는 반도체 디바이스 제조 중에 발생된 가스의 유해 성분을 냉각, 흡착 처리하여, 유해성 입자를 제거하여 분말로서 집진하기 위한 파우더 캐처에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 디바이스 제조 공정에서는 각종 유해성, 부식성, 인화성 가스를 사용한다. 예를 들어, 화학 증착(CVD), 저압 CVD, 플라즈마 강화 CVD, 플라즈마 부식, 에피탁시 증착과 같은 반도체 디바이스 제조 공정에서는 다량의 실란(SiH4), 디클로로실란(SiH2Cl2), 암모니아(4NH3), 산화질소(NO), 아르신(AsH3), 포스핀(PH3), 디보린(B2H6), 보론 트리클로라이드(BCl3) 성분등을 함유한 각종 유해성, 부식성, 인화성 가스를 사용하지만, 반도체 디바이스 제조 공정 동안에는 이중 소량만이 사용된다.
따라서, 이러한 반도체 디바이스 제조 공정 동안 발생된 폐기 가스에는 실란(SiH4), 디클르로실란(SiH2Cl2), 암모니아(4NH3), 아르신(AsH3), 포스핀(PH3), 디보린(B2H6), 보론 트리클로라이드(BCl3), 텅스텐 헥사플루오라이드(WF6), 포스포러스 트리브로마이드(PBr3), 테트라에틸 오르가노실리케이트((C2H5O)4Si), 트리이소부틸알루미늄((C4H9)3Al) 및 기타 유기 금속과 같은 독성 물질이 비교적 고농도로 함유되므로, 이러한 가스가 대기 중에 배출하기 전에, 가스로 인한 대기 오염을 방지하기 위하여, 배출 가스 중에 함유된 이러한 독성 물질을 제거하는 것이 법적으로 의무화되어 있다.
반도체 디바이스 제조 공정 동안 배출되는 유해성 가스를 처리하는 방법은 다음의 세 가지가 있다: 첫째는 주로 수소기 등을 함유한 가연성 성분을 함유한 가스를 연소실에서 약 500℃ 내지 800℃의 고온에서 분해, 반응 또는 연소시키는 버닝(burning)방식이며, 두 번째는 주로 수용성 성분을 함유한 가스를 수조에 저장된 물을 통과시키는 동안, 수용성 성분을 물에 용해하여 처리하는 웨팅(wetting)방식이며, 마지막으로는 발화되지 않거나 물에 녹지 않는 불용성 성분을 함유한 가스를 흡착제에 통과시켜, 가스가 흡착제를 통과하는 동안, 가스중의 불용성 유해 성분을 흡착제에 물리적 또는 화학적인 흡착에 의하여 정화하는 흡착 방식이 있다.
상기된 바와 같은 버닝 방식에서, 가스 중에 함유된 예를 들면, 실란은 산소 또는 공기와 함께 연소되어 실리콘 디옥사이드 입자를 생성할 수 있다.
그러나, 불행하게도, 실란 연소는 다음과 같은 여러 가지 문제를 유발한다: 첫째, 실리콘 디옥사이드 입자는 기상(gas phase) 반응의 결과로서 극히 미세한 분말을 형성하며, 이러한 미세 분말은 버너를 막히게 할 수도 있으며, 경우에 따라서는 연소 장치의 고장을 일으키기도 한다. 둘째, 상기된 실리콘 디옥사이드 입자는 통상적으로 물 세척으로 수집되며, 이 때, 사용된 세척수는 폐기 전에 처리하여 상기 입자 및 각종 수용성 유해 물질들을 제거하여야만 한다.
또한, 반도체 디바이스 제조 공정 동안 배출되는 폐기 가스를 처리하기 위하여, 물 화학 약품 용액, 및 건성 화학 약품에 의한 웨팅 방식은 배출 가스 중의 수용성 성분을 물 세척에 의하여 용해키는 것이며, 물에 대해 불용성 또는 난용성인 오염 물질에 대해서는 화학적 세척 방법이 이용될 수 있다.
그러나, 상기된 바와 같은 웨팅 방식은 반도체 디바이스 제조 공정 중에 발생되는 가스를 처리하는 데 효과적이기는 하지만, 수질 오염에 대한 규제가 점차 강화되는 추세에 따라서, 물 또는 화학적 흡착제가 작업장에서 배출되기 전에 사전 처리되어야만 되어, 웨팅 방식은 점차 사용 선호도가 떨어졌다.
또한, 가스 흡착 방식은 불용성 또는 난용성의 유해성 성분을 함유한 가스가, 탄소(C) 또는 산화 알루미나(Al2O3) 입자 또는 이에 산화 메탈기가 코팅되는 입자로 형성되며 하나의 입자 덩어리로 이루어진 촉매 흡착제를 통과하는 동안, 유해성 가스가 흡착제에 흡착되어 다음과 같은 물리적 또는 화학적 반응으로 가스중의 유해 물질을 처리하는 것이다.
2SiH4+ WF6→ WSi2+ 6HF + H2
SiH4→ Si + 2H2
B2H6→ 2B + 3H2
그러나, 상기된 바와 같은 흡착 방식의 가스 스크러버를 사용하여, 반도체 디바이스 제조 공정동안 발생된 유해 가스를 처리할 때, 가스 중의 불용성 또는 난용성 유해 성분은 상기된 바와 같이 가스 스크러버의 흡착제에 의하여 처리될 수 있었지만, 가연성의 유해 성분의 처리는 미흡하여, 가연성 유해 성분으로 인한 흡착제들 사이의 가스 통로가 폐색되는 문제가 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 반도체 디바이스 제조 동안 발생된 유해 가스를 가스 스크러버로 처리하기 전에 가스 중의 가연성 성분을 처리하여 집진함으로써, 가스 스크러버의 수명을 연장시킬 수 있는 한편, 가스 스크러버에서 사용되는 흡착제의 수명을 연장시킬 수 있는 파우더 캐처를 제공하는 데 있다.
도 1은 본 발명에 따른 파우더 캐처가 사용되는 예를 개략적으로 도시한 공정도.
도 2는 도 1에 도시된 본 발명에 따른 파우더 캐처의 구조를 도시하기 위한 종단면도.
도 3은 도 2의 선Ⅲ-Ⅲ을 따라서 취한 가스 스크러버의 횡단면도.
도 4는 가스 챔버를 통과하는 가스를 냉각하기 위한 가스 냉각 수단을 예시하기 위한 사시도.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
1 : 파우더 캐처 2 : 집진통
3 : 가스 챔버 4 : 가스 유입구
5 : 가스 배출구 6 : 냉각 수단
7 : 입자 제거날 8 : 입자 수용 수단
9 : 중공축 10 : 원형 챔버
11 : 가스 통로 13 : 원판
14 : 냉각수 통과공 15 : 차단판
16 : 원형체 17 : 회전축
18 : 케이싱 19 : 호퍼
20 : 배출 파이프 21 : 밸브
22 : 에어 노즐
상기된 바와 같은 목적은, 한 쪽 측부에 가스가 유입되는 가스 유입구를, 다른 쪽 측부에 가스가 배출되는 가스 배출구를 가지는 원통체로 형성되며, 하부가 일정 각도만큼 종방향으로 절개되어 있는 가스 챔버와; 상기 가스 챔버를 통과하는 가스를 냉각하고, 통과시에 냉각에 의하여 발생된 가스 입자가 외면에 흡착되는 가스 냉각 수단과; 상기 가스 냉각 수단이 회전될 때, 상기 가스 냉각 수단의 외면에 흡착된 가스 입자를 제거하기 위하여 상기 가스 챔버에 설치되는 다수의 입자 제거날과; 상기 가스 챔버를 지지하는 케이싱에 회전 가능하게 설치되는 회전축, 및 상기 입자 제거날의 하부에 위치되도록 상기 회전축에 설치되며, 낙하된 분말을 수용하는 호형 만곡부가 양측에 형성되는 원형체를 가지는 입자 수용 수단과; 상기 입자 수용 수단으로부터 제거된 분말을 집진하기 위한 집진통을 포함하는 것을 특징으로 본 발명에 따른 하는 파우더 캐처에 의하여 달성될 수 있다.
상기에서, 가스 냉각 수단은 상기 가스 챔버를 관통하여 상기 가스 챔버에 회전 가능하게 지지되며, 냉각수가 가스의 반대 방향으로 공급되며, 등간격으로 설치되는 다수의 차단판에 의하여 다수의 구획으로 분할되며, 상기 차단판의 양측에 다수의 냉각수 통과공이 형성되는 중공축, 상기 냉각수 통과공이 수용되도록 상기 차단판이 위치된 중공축에 설치되며, 방사상의 위치에 가스가 통과하는 다수의 가스 통로가 제공되는 다수의 원형 챔버, 및 원형 챔버 내에서 상기 차단판의 위치에서 중공축에 설치되며, 상기 가스 통로가 관통하는 다수의 구멍이 형성되는 원판을 구비한다.
상기에서, 입자 수용 수단과 상기 입자 제거날은 상기 중공 챔버들 사이에 배치된다.
상기에서, 입자 수용 수단과 가스 냉각 수단은 서로 반대 방향으로 회전된다.
상기에서, 입자 수용 수단의 호형 만곡부는 상기 가스 챔버의 하부에 형성된 절개부와 원을 이룬다.
상기에서, 상기 케이싱의 하부는 원추형 호퍼로 형성되며, 하부에 개폐 밸브가 설치되고, 상기 집진통이 상기 호퍼의 하단에 연결된다.
상기에서, 본 발명에 따른 파우더 캐처는 상기 호퍼와 상기 집진통에 각각 설치되는 바이브레이터를 추가로 포함할 수도 있다.
상기에서, 입자 수용 수단은 호형 만곡부에 흡착되는 입자를 제거하기 위한 에어 노즐이 원형체에 각각 제공된다.
상기 다수의 에어 노즐은 2 내지 3초 동안 6 내지 7㎏/㎠의 에어를 분출하도록 작동된다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 명세서에 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다.
도 1에는 본 발명에 따른 파우더 캐처가 설치되는 공정 라인에 대한 도면이 도시되어 있다. 도 1에 도시된 바와 같이 반도체 디바이스 제조 동안에 발생된 유해 가스는 가스 스크러버(100)로 들어가기 전에, 라인(101) 상에 설치된 파우더 캐처(1)에서 사전 처리된다. 라인(101) 상에 설치된 밸브(102)는 파우더 캐처(1)의 하부에 제공되는 집진통(2)에 분말이 가득 집진되어, 집진통(2)을 비우기 위하여 파우더 캐처(1)를 정지하였을 때, 라인(101)을 통하여 파우더 캐처(1) 또는 가스 스크러버(100)로 가스가 유입되는 것을 방지하기 위한 것이다.
한편, 또 다른 라인(103)은 집진통(2)이 비워졌을 때, 집진통(2)에 잔류할 수도 있는 가스를 배출하기 위하여, 집진통(2)에 질소(N2) 가스를 불어넣기 위한 질소 가스 퍼지용 라인이다. 이 라인(103) 또한 집진통(2)이 라인(103)으로 분리되거나 또는 집진통(2)에 질소 가스를 공급할 필요가 없을 때, 집진통(2)으로 질소 가스를 공급 및 차단하기 위한 밸브(104)가 설치된다.
도 2에는 본 발명에 따른 파우더 캐처가 단면도로서 도시되어 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 파우더 캐처(1)는 크게 반도체 디바이스 제조 동안 발생된 유해 가스가 통과하는 가스 챔버(3), 가스 챔버(3)를 통과하는 가스를 냉각하기 위한 냉각 수단(6), 냉각 수단(6)에 흡착된 가스 입자를 제거하기 위한 입자 제거날(7), 입자 제거날(7)에 의하여 냉각 수단(6)으로부터 제거되어 분말화된 분말을 수용하여 집진통(2)으로 보내기 위한 입자 수용 수단(8), 및 상기된 바와 같이 분말을 집진하기 위한 집진통(2)을 포함한다.
가스 챔버(3)는 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 하부가 일정 각도만큼 종방향으로 절개되어 있는 원통체로 형성되며, 라인(102)으로부터 가스가 유입되는 가스 유입구(4)가 한 쪽 측부에 제공되며, 가스가 배출되는 가스 배출구(5)가 다른 쪽 측부에 제공된다. 상기된 바와 같이, 밸브(102)의 개방으로 라인(102)을 따라서 흐르는 고온의 가스는 가스 유입구(4)를 통하여 가스 챔버(3)로 유입된다.
가스 챔버(3)내에는 가스 챔버(3)로 유입된 고온의 가스를 냉각하기 위한 냉각 수단(6)이 제공되며, 가스는 냉각 수단(6)에 의하여 냉각되는 동안, 가스 챔버(3)의 내면과 냉각 수단(6)의 외면에 입자로서 흡착된다.
냉각 수단(6)은 도 2에 도시된 바와 같이 가스 챔버(3)를 관통하여 가스 챔버(3)에 회전 가능하게 지지되며, 냉각수가 가스의 반대 방향으로 공급되며, 등간격으로 설치되는 다수의 차단판(15)에 의하여 다수의 구획으로 분할되며, 차단판(15)의 양측에 다수의 냉각수 통과공(14)이 형성되는 중공축(9), 냉각수 통과공(14)이 수용되도록 차단판(15)이 위치된 중공축(9)에 설치되며, 방사상의 위치에 가스가 통과하는 다수의 가스 통로(11)가 제공되는 다수의 원형 챔버(10), 및 원형 챔버(10) 내에서 차단판(15)의 위치에서 중공축(9)에 설치되며, 가스 통로(11)가 관통하는 다수의 구멍이 형성되는 원판(13)을 구비한다.
가스 통로(11)는 도 3에 도시된 바와 같이 원형 챔버(10)와 원판(13)에서 방사상으로 제공되는 한편, 하나의 원형 챔버(10a)와 원형 챔버(10a)에 배치된 원판(13)에 형성된 가스 통로(11a)가 바깥쪽에 제공되었을 때, 이웃하는 다음의 원형 챔버(10b)와 원형 챔버(10b)에 배치되는 가스 통로(11b)는 가스 통로(11a)로부터 대략 45° 치우쳐 그 안쪽에 제공된다.
한편, 중공축(9)에 공급된 냉각수는 도 4에 도시된 바와 같이 중공축(9) 내에 등간격을 설치된 차단판(15)에 의하여 흐름이 차단되고, 차단판(15)으로부터 냉각수 공급측의 중공축(9)에 형성된 냉각수 통과공(16)을 통하여 원형 챔버(10) 내로 유입된다. 원형 챔버(10) 내로 유입된 냉각수는 원판(13)을 따라서 흘러, 차단판(15)으로부터 냉각수 배출측의 중공축(9)에 형성된 냉각수 통과공(16)을 통하여 중공축(9)으로 흐르게 된다.
따라서, 가스 유입구(4)를 통하여 가스 챔버(3)로 공급된 가스는 원형 챔버(10)에 제공되는 가스 통로(11)를 통과할 때, 원형 챔버(10)로 공급된 냉각수에 의하여 냉각된다. 가스는 또한 중공축(9)을 흐르는 냉각수에 의하여 냉각되며, 가스가 냉각될 때, 가스 중의 가연성의 유해 성분은 냉각 수단(6)을 구성하는 중공축(9)과 원형 챔버(10)의 외면에 입자로서 흡착된다.
가스 냉각 수단(6)의 외면에 일정 두께로 흡착된 가스 입자를 제거하기 위하여, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같은 다수의 입자 제거날(7)이 제공된다. 각각의 입자 제거날(7)은 원형 챔버(10)들 사이의 위치에서 가스 챔버(3)의 하부 일측에 일정 각도를 가지도록 설치되며, 상부 가장자리가 중공축(9)과 대략 2mm 정도 떨어져 있으며, 양측 가장자리가 인접한 원형 챔버(10)와 대략 2mm 정도 떨어져 있다.
따라서, 가스 입자가 가스 냉각 수단(6)의 외면에 2mm 이상의 두께만큼 흡착되어 있을 때, 가스 냉각 수단(6)이 회전됨으로써, 가스 냉각 수단(6)의 외면에 흡착된 가스 입자는 입자 제거날(7)의 상부 및 양측 가장자리에 접촉됨으로써, 가스 냉각 수단(6)의 외면에 2mm 이상 흡착된 가스 입자는 입자 제거날(7)에 의하여 가스 냉각 수단(6)으로부터 제거된다.
입자 제거날(7)은 도 3에 도시된 바와 같이 가스 냉각 수단(6)의 회전 방향에 따라서 가스 챔버(3)에 설치되는 위치와 기울기 각도가 변경될 수 있으며, 가스 냉각 수단(6)은 가스 챔버(3)로 공급된 가스의 양에 따른 가스 입자가 외면에 2mm 이상 흡착되는 시기를 고려하여 회전되도록 프로그램될 수 있다. 가스 냉각 수단(6)은 회전될 때, 대략 1RPM의 속도로 느리게 회전된다.
입자 제거날(7)에 의하여 제거된 입자는 분말화되어 입자 제거날(7)의 하부에 설치된 입자 수용 수단(8)으로 낙하된다. 입자 수용 수단(8)은 도 3에 도시된 바와 같이 가스 챔버(3)를 지지하는 케이싱(18)에 회전 가능하게 설치되는 회전축(17)과, 회전축(17)에 설치되는 다수의 원형체(16)로 구성된다. 각각의 원형체(16)는 원형 챔버(10)들 사이에 위치된 입자 제거날(7)의 하부에 위치되며, 가스 챔버(3)의 하부에 형성된 절개부와 원을 이루는 호형 만곡부(16a,16b)가 양측에 형성된다.
따라서, 입자 제거날(7)에 의하여 가스 냉각 수단(6)으로부터 제거되어 입자 수용 수단(8)으로 낙하되는 분말화된 가스 입자는 원형체(16)의 호형 만곡부(16a,16b)중 상부에 위치된 호형 만곡부(16a)에 낙하되어 쌓이게 된다.
원형체(16)의 양측부에 형성된 호형 만곡부(16a,16b)는 회전축(17)을 중심으로 서로 대칭으로 형성되고, 분말화된 가스 입자가 상부에 위치된 호형 만곡부(16a)에 일정 시간동안 쌓였을 때, 호형 만곡부(16a)로부터 분말을 제거하도록, 회전축(17)은 주기적으로 도 3에 도시된 바와 같이 가스 냉각 수단(6)의 회전 방향의 반대 방향으로 180°회전된다. 회전축(17)이 180°회전됨에 따라서, 하부에 위치된 호형 만곡부(16b)가 상부로 선회된다. 또한, 원형체(16)가 회전축(17)에 의하여 회전됨으로써, 호형 만곡부(16a)에 쌓인 분말 입자는 케이싱(18)의 하부에 제공되는 원추 형상의 호퍼(19)로 낙하되어 호퍼(19)에 쌓이게 된다.
호퍼(19)는 하단에 분말을 배출하기 위한 배출 파이프(20)가 제공되며, 배출 파이프(20)는 집진통(2)과 연결된다. 또한, 배출 파이프(20)는 호퍼(19)에 쌓여진 집진통(2)으로 분말을 보내기 위하여, 배출 파이프(20)를 개방하기 위한 밸브(21)가 설치되며, 밸브(21)는 호퍼(19)가 비워져 있거나 적은 양의 분말이 쌓여 있을 때 폐쇄된다.
또한, 호퍼(19)와 집진통(2)은 분말이 국부적으로 쌓이거나 또한 고착되는 것을 방지하도록, 바이브레이터(도시되지 않음)가 설치될 수 있으며, 이러한 바이브레이터는 호퍼(19)와 집진통(2)에 진동을 가함으로써 상기된 바와 같이 호퍼(19)와 집진통(2)에 분말이 국부적으로 쌓이거나 또한 고착되는 것을 방지한다.
또한, 가스 냉각 수단(6)으로부터 제거되어 입자 수용 수단(8)으로 낙하되어 쌓이는 분말이 호형 만곡부(16a,16b)에 고착되는 것을 방지하기 위하여, 호형 만곡부(16a,16b)에 에어를 분사하기 위한 에어 노즐(22)이 각각 제공된다. 각각의 에어 노즐(22)은 2 내지 3초 동안 6 내지 7㎏/㎠의 에어를 분출하도록 작동된다. 에어 노즐(22)에 에어를 공급하도록 회전축(17)은 중공축으로 형성된다.
상기된 바와 같은 본 발명에 따른 파우더 캐처에 의하면, 반도체 디바이스 제조 동안 발생된 유해 가스를 가스 스크러버로 처리하기 전에 가스 중의 가연성 유해 성분을 처리함으로써, 가스 스크러버에서 사용되는 흡착제의 수명을 연장시킬 수 있다.

Claims (9)

  1. 한 쪽 측부에 가스가 유입되는 가스 유입구를, 다른 쪽 측부에 가스가 배출되는 가스 배출구를 가지는 원통체로 형성되며, 하부가 일정 각도만큼 종방향으로 절개되어 있는 가스 챔버와;
    상기 가스 챔버를 통과하는 가스를 냉각하고, 통과시에 냉각에 의하여 발생된 가스 입자가 외면에 흡착되는 가스 냉각 수단과;
    상기 가스 냉각 수단이 회전될 때 상기 가스 냉각 수단의 외면에 흡착된 가스 입자를 제거하기 위하여 상기 가스 챔버에 설치되는 다수의 입자 제거날과;
    상기 가스 챔버를 지지하는 케이싱에 회전 가능하게 설치되는 회전축, 및 상기 입자 제거날의 하부에 위치되도록 상기 회전축에 설치되며, 낙하된 분말을 수용하는 호형 만곡부가 양측에 형성되는 원형체를 가지는 입자 수용 수단과;
    상기 입자 수용 수단으로부터 제거된 분말을 집진하기 위한 집진통을 포함하는 것을 특징으로 하는 파우더 캐처.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 가스 냉각 수단은 상기 가스 챔버를 관통하여 상기 가스 챔버에 회전 가능하게 지지되며, 냉각수가 가스의 반대 방향으로 공급되며, 등간격으로 설치되는 다수의 차단판에 의하여 다수의 구획으로 분할되며, 상기 차단판의 양측에 다수의 냉각수 통과공이 형성되는 중공축, 상기 냉각수 통과공이 수용되도록 상기 차단판이 위치된 중공축에 설치되며, 방사상의 위치에 가스가 통과하는 다수의 가스 통로가 제공되는 다수의 원형 챔버, 및 원형 챔버 내의 상기 차단판이 설치된 위치에서 중공축에 설치되며, 상기 가스 통로가 관통하는 다수의 구멍이 형성되는 원판을 구비하는 것을 특징으로 하는 파우더 캐처.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 입자 수용 수단과 상기 입자 제거날은 상기 중공 챔버들 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 파우더 캐처.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 입자 수용 수단과 가스 냉각 수단은 서로 반대 방향으로 회전되는 것을 특징으로 하는 파우더 캐처.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 입자 수용 수단의 호형 만곡부는 상기 가스 챔버의 하부에 형성된 절개부와 원을 이루는 것을 특징으로 하는 파우더 캐처.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 케이싱의 하부는 원추형 호퍼로 형성되며, 하부에 개폐 밸브가 설치되고, 상기 집진통이 상기 호퍼의 하단에 연결되는 것을 특징으로 하는 파우더 캐처.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 호퍼와 상기 집진통에 각각 설치되는 바이브레이터를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 파우더 캐처.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 입자 수용 수단은 호형 만곡부에 흡착되는 입자를 제거하기 위한 에어 노즐이 원형체에 각각 제공되는 것을 특징으로 하는 파우더 캐처.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 에어 노즐은 2 내지 3초 동안 6 내지 7㎏/㎠의 에어를 분출하도록 작동되는 것을 특징으로 하는 파우더 캐처.
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KR101384179B1 (ko) * 2012-09-05 2014-04-10 부경대학교 산학협력단 습식 집진장치
WO2015099312A1 (ko) * 2013-12-23 2015-07-02 부경대학교 산학협력단 습식 집진장치
WO2015122696A1 (ko) * 2014-02-14 2015-08-20 한국생산기술연구원 배기가스 처리를 위한 파우더 발생장치
CN114107949A (zh) * 2020-08-25 2022-03-01 韩华株式会社 配备有自由基部的基板处理装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11517847B2 (en) * 2020-12-31 2022-12-06 J-Solution Co., Ltd. Cobalt-carbon gas collection apparatus

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100621660B1 (ko) * 2005-07-01 2006-09-11 주식회사 뉴프로텍 반도체 부산물 트랩장치
KR101384179B1 (ko) * 2012-09-05 2014-04-10 부경대학교 산학협력단 습식 집진장치
WO2015099312A1 (ko) * 2013-12-23 2015-07-02 부경대학교 산학협력단 습식 집진장치
WO2015122696A1 (ko) * 2014-02-14 2015-08-20 한국생산기술연구원 배기가스 처리를 위한 파우더 발생장치
CN114107949A (zh) * 2020-08-25 2022-03-01 韩华株式会社 配备有自由基部的基板处理装置

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