KR20000007372A - Method for fabricating mirror of laser diode - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A method for fabricating a mirror of a laser diode is provided to enhance coating efficiency during mirror coating on a cleavage surface using an epitaxial layer and upper/lower electrodes. CONSTITUTION: The laser diode includes a wafer in which the epitaxial layer and the upper/lower electrodes are formed. The method comprises the steps of etching the wafer in parallel with a cleavage surface of the wafer to form a groove; cleaving the wafer along the groove with a chip bar shape; stacking the chip bar to form a mirror coating on the cleavage surface, wherein the hole is formed on an upper/lower portion of the wafer and the cleaving step is performed by a breaking process.

Description

레이저 다이오드의 미러 제조방법Manufacturing method of mirror of laser diode

본 발명은 레이저 다이오드에 관한 것으로, 특히 레이저 다이오드의 미러 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a laser diode, and more particularly to a method of manufacturing a mirror of the laser diode.

일반적으로 레이저 다이오드는 광통신, CD(Compact Disk)계 픽업(pickup)용, 다른 종류의 레이저 여기용 광원 등에 사용된다.Generally, laser diodes are used for optical communications, compact disk (CD) -based pickups, and other kinds of light sources for laser excitation.

이러한 용도로 사용되는 레이저 다이오드의 제조공정은 다음과 같다.The manufacturing process of the laser diode used for this purpose is as follows.

도 1a 내지 1c는 일반적인 레이저 다이오드의 제조공정을 보여주는 도면으로서, 도 1a에 도시된 바와 같이 먼저 웨이퍼를 준비한 후, 원하는 파장이나 기타 특성을 만족하는 에피 성장(epi growth) 공정 및 포토리소그래피(photolithography) 공정을 행한다.1A to 1C are diagrams illustrating a manufacturing process of a general laser diode. First, as shown in FIG. 1A, a wafer is first prepared, followed by an epi growth process and photolithography that satisfy desired wavelengths or other characteristics. The process is performed.

그리고, 상부에는 상부 전극을 형성하고, 레이저 다이오드의 전체 두께를 얇게 하기 위하여 하부를 래핑(lapping)한 다음, 하부 전극을 형성한다.The upper electrode is formed on the upper part, and the lower electrode is wrapped to reduce the overall thickness of the laser diode, and then the lower electrode is formed.

이어, 도 1b에 도시된 바와 같이, 칩으로 분리하기 위하여 먼저 스크라이빙(scribing) 및 클리빙(cleaving) 공정으로 칩 바(chip bar)를 형성하고, 도 1c에 도시된 바와 같이, 칩 바의 양 측면에 미러 박막을 형성한 다음, 도시되지는 않았지만 칩 바를 칩으로 분리하여 레이저 다이오드 칩을 완성한다.Subsequently, as shown in FIG. 1B, a chip bar is first formed by a scribing and cleaving process in order to separate the chip into chips, and as shown in FIG. 1C, the chip bar is formed. After forming the mirror thin film on both sides of the, and not shown, the chip bar is separated into chips to complete the laser diode chip.

여기서, 레이저 다이오드의 양 측면, 즉 양 벽개면(facet)에 미러를 코팅하는 이유는 다음과 같다.Here, the reason for coating the mirror on both sides, that is, both facet of the laser diode is as follows.

첫째, 제작 공정에 있어서 핸들링(handling)하기가 용이하고, 벽개면에 존재하는 pn 접합 부위에서의 전기적인 보호를 위한 보호막으로서의 역할이 있고, 둘째 벽개에 의한 손실을 방지하여 발진개시전류를 낮추고, 광전효율을 높임으로서 저전력 구동을 하게 하거나, 양 벽개면의 반사율을 조절하여 한쪽으로는 고출력을 구현하고 다른 한쪽으로는 상대적으로 낮은 광출력을 나오게 하는 미러로서의 역할이 있다.First, it is easy to handle in the fabrication process, serves as a protective film for electrical protection at the pn junctions present on the cleaved surface, and secondly, to reduce the oscillation start current by preventing the cleavage, By increasing the efficiency, low-power driving, or by adjusting the reflectance of both cleaved surface to realize a high output on one side and a relatively low light output on the other side serves as a mirror.

기존에는 레이저 다이오드의 양 벽개면에 미러를 코팅하기 위하여 지그(jig)를 이용하여 칩 바를 적층(stacking)한 후, 노출된 벽개면에 미러를 코팅하는 방법을 사용하였는데, 이때의 칩 바 디멘션(dimension)은 대략 0.1(가로)×30(세로)×0.3(높이) mm3으로서, 0.1×30 mm2인 벽개면 쪽에 미러를 코팅하였다.Conventionally, in order to coat the mirror on both cleaved surfaces of the laser diode, a chip bar is stacked using a jig and then the mirror bar is coated on the exposed cleaved surface. In this case, the chip bar dimension is used. Silver was approximately 0.1 (width) x 30 (length) x 0.3 (height) mm 3 with a mirror coated on the cleaved surface side of 0.1 x 30 mm 2 .

그러나, 가로나 높이의 길이에 비해 세로의 길이가 너무 길기 때문에 칩 바가 휘어지거나 깨지기 쉬우므로 그 칩 바 사이에 다른 물질로 만든 스페이서(spacer)를 끼워서 적층하여 미러를 형성하는 방법도 사용하였다.However, since the length of the length is too long compared to the length of the width or height, the chip bars are easily bent or broken, so that a mirror is formed by sandwiching spacers made of different materials between the chip bars.

하지만, 기존의 미러 형성 방법에서는 칩 바를 정확하게 적층하여 원하는 부분(0.1×30 mm2)에만 미러를 코팅하기가 어려워서, 도 1c에 도시된 바와 같이, 칩 바의 높이 방향으로도 미러 코팅막이 침투되기도 하고(B, C부분), 다른 칩 바나 스페이서의 쉐이드(shade) 현상에 의해 0.1×30 mm2영역에서도 박막의 두께차가 생기게 되어 극단의 경우에는 코팅막이 형성되지 않기도 한다(A부분).However, in the conventional mirror forming method, it is difficult to coat the mirror only on a desired portion (0.1 × 30 mm 2 ) by accurately stacking the chip bars, and as shown in FIG. 1C, the mirror coating film also penetrates in the height direction of the chip bar. (Parts B and C), the difference in thickness of the thin film occurs in the region of 0.1 × 30 mm 2 due to the shade of other chip bars or spacers, and in the extreme case, the coating film is not formed (part A).

이와 같은 현상이 생기는 이유는 칩 바의 길이가 너무 길어서 휘어진 상태로 적층될 수도 있고, 칩 바를 서로 적층할 때 정확히 각도가 맞아야 하지만 실제적으로 각도를 정확하게 맞추어 적층하는 것은 불가능하다.The reason why such a phenomenon occurs is that the length of the chip bar is too long to be stacked in a bent state, and when the chip bars are stacked with each other exactly the right angles, but it is impossible to actually stack the angles accurately.

종래 기술에 따른 레이저 다이오드의 미러 제조방법에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.The mirror fabrication method of the laser diode according to the prior art has the following problems.

종래 기술은 칩 바를 정확하게 적층할 수가 없어 벽개면에 미러 박막이 제대로 코팅되지 않아 미러 박막의 불균일에 의해 원하는 특성이 저하되고, 미러 박막이 상부 전극쪽으로 침투되어 조립 공정시 불량이 발생한다.In the prior art, since the chip bars cannot be stacked accurately, the mirror thin film is not properly coated on the cleaved surface, so that the desired characteristics are deteriorated by the unevenness of the mirror thin film, and the mirror thin film penetrates toward the upper electrode, thereby causing a defect in the assembly process.

본 발명은 이와 같은 문제를 해결하기 위한 것으로 레이저 다이오드의 벽개면에 미러 코팅시 코팅 효율을 높일 수 있는 레이저 다이오드의 미러 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a mirror of a laser diode that can improve the coating efficiency when the mirror coating on the cleaved surface of the laser diode to solve such a problem.

도 1a 내지 1c는 일반적인 레이저 다이오드의 제조공정을 보여주는 도면1A to 1C are views illustrating a manufacturing process of a general laser diode

도 2a 내지 2c는 본 발명에 따른 레이저 다이오드의 미러 제조공정을 보여주는 도면2a to 2c is a view showing a mirror manufacturing process of the laser diode according to the present invention

도 3, 도 4, 도 5는 본 발명의 다른 실시예들을 보여주는 도면3, 4, and 5 show other embodiments of the present invention.

본 발명에 따른 레이저 다이오드의 미러 제조방법의 특징은 에피택셜층 및 상/하부 전극이 형성된 웨이퍼를 포함하는 레이저 다이오드의 미러 제조방법에 있어서, 웨이퍼의 벽개면과 평행한 방향으로 웨이퍼를 에칭하여 홈을 형성하는 단계와, 홈을 따라 칩 바 형태로 클리빙하는 단계와, 칩 바를 적층하여 상기 벽개면에 미러 코팅을 하는 단계를 포함하여 이루어지는데 있다.A method of manufacturing a mirror of a laser diode according to the present invention is a method of manufacturing a mirror of a laser diode including a wafer having an epitaxial layer and upper and lower electrodes formed thereon, wherein the groove is formed by etching the wafer in a direction parallel to the cleaved surface of the wafer. And forming a chip bar along the groove, and laminating the chip bar to apply a mirror coating to the cleaved surface.

본 발명의 다른 특징은 에피택셜층 및 상/하부 전극이 형성된 웨이퍼를 포함하는 레이저 다이오드의 미러 제조방법에 있어서, 웨이퍼의 벽개면과 평행한 방향으로 웨이퍼를 에칭하여 제 1 홈을 형성하고, 웨이퍼의 벽개면과 수직한 방향으로 웨이퍼를 에칭하여 제 2 홈을 형성하는 단계와, 제 1 홈을 따라 칩 바 형태로 클리빙하는 단계와, 칩 바를 적층하여 상기 벽개면에 미러 코팅을 하는 단계를 포함하여 이루어지는데 있다.Another aspect of the present invention is a method of manufacturing a mirror of a laser diode comprising a wafer having an epitaxial layer and upper and lower electrodes, wherein the wafer is etched in a direction parallel to the cleaved surface of the wafer to form a first groove, Etching the wafer in a direction perpendicular to the cleaved surface to form a second groove, cleaving a chip bar along the first groove, and laminating the chip bar to apply a mirror coating to the cleaved surface. To lose.

상기와 같은 특징을 갖는 본 발명에 따른 레이저 다이오드의 미러 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the accompanying drawings, a method of manufacturing a mirror of a laser diode according to the present invention having the above characteristics is as follows.

본 발명의 개념은 벽개면 부분과 전극 표면 사이에 홈을 형성하여 벽개면에 미러 코팅시, 기존에 발생되었던 벽개면에서의 코팅막 불균일, 원하는 특성 저하, 전극 표면으로의 코팅막 침투에 의한 조립 공정 불량 등을 개선하는데 있다.The concept of the present invention is to form a groove between the cleaved surface portion and the electrode surface to improve the coating film non-uniformity on the cleaved surface, deterioration of desired properties, poor assembly process due to the coating film penetration into the electrode surface when mirror coating on the cleaved surface It is.

즉, 본 발명은 벽개면 부분과 전극 표면 사이에 형성되는 홈으로 인하여 벽개면에 미러 코팅시, 약간의 각도를 가지고 칩 바가 적층되더라도 미러 코팅할 벽개면이 상대적으로 돌출되므로 미러 코팅막이 균일하게 증착되고, 전극 표면으로 침투되는 것을 방지하며, 클리빙 공정만으로 칩을 분리할 수 있어 공정이 간단하다.That is, in the present invention, when the mirror coating on the cleaved surface due to the groove formed between the cleaved surface portion and the electrode surface, even if the chip bars are stacked at a slight angle, the cleaved surface to be mirror-coated relatively protrudes, and thus the mirror coating film is uniformly deposited. It prevents penetration to the surface and the process is simple because the chip can be separated only by the cleaving process.

도 2a 내지 2c는 본 발명에 따른 레이저 다이오드의 미러 제조공정을 보여주는 도면으로서, 먼저 도 2a에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 위에 원하는 파장이나 기타 특성을 만족하는 에피택셜층 및 상/하부 전극을 형성하고, 도 2b에 도시된 바와 같이, 미러가 형성될 벽개면과 수평한 방향으로 웨이퍼를 에칭하여 홈을 형성한다.2A to 2C illustrate a process of manufacturing a mirror of a laser diode according to the present invention. First, as shown in FIG. 2A, an epitaxial layer and an upper / lower electrode satisfying a desired wavelength or other characteristics are formed on a wafer. 2B, the groove is formed by etching the wafer in a direction parallel to the cleaved surface on which the mirror is to be formed.

여기서, 이 홈은 전극과 전극 사이에 형성되며, 웨이퍼의 상부와 하부에 형성된다.Here, the groove is formed between the electrode and the upper and lower portions of the wafer.

이와 같이 홈을 형성하는 이유에 대해서는 후술하기로 한다.The reason for forming the grooves will be described later.

이어, 도 2c에 도시된 바와 같이, 홈을 따라 클리빙(cleaving)을 하여 칩 바(chip bar)를 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 2C, a chip bar is formed by cleaving along the groove.

여기서, 칩 바의 형태는 도시된 바와 같이 미러가 형성될 벽개면 쪽이 앞으로 돌출된 형태이다.Here, the shape of the chip bar is a form in which the cleaved surface on which the mirror is to be formed protrudes forward as shown.

이러한 형태의 칩 바를 적층하여 벽개면 쪽에 미러를 코팅하는데, 칩 바를 정확하게 적층하지 않아도 종래의 미러 코팅시와 같은 여러 불량 현상은 나타나지 않는다.This type of chip bar is laminated to coat the mirror on the cleaved surface, and even if the chip bar is not accurately stacked, various defects as in the conventional mirror coating do not appear.

그리고, 도시되지는 않았지만 칩 바를 칩으로 분리하여 레이저 다이오드 칩을 완성한다.Although not shown, the chip bar is separated into chips to complete the laser diode chip.

이와 같이 웨이퍼의 상/하부에 홈을 형성하여 미러를 코팅하는 이유는 다음과 같다.Thus, the reason for coating the mirror by forming a groove on the upper and lower portions of the wafer is as follows.

첫째, 미러 코팅을 위한 칩 바 형성 공정시, 벽개면과 평행한 홈으로 인하여 별도의 스크라이빙(scribing) 공정을 행하지 않고 브레이킹(breaking) 공정만 수행하므로 공정이 간단하다.First, in the chip bar forming process for mirror coating, the process is simple because only the breaking process is performed without a separate scribing process due to the groove parallel to the cleavage surface.

둘째, 벽개면에 미러 코팅시, 약간의 각도를 가지고 칩 바들이 적층되었다 하더라도 원하는 두께로 미러를 증착할 수 있을 뿐만 아니라 전극 표면으로 미러 코팅막이 침투되는 것을 막을 수 있다.Second, when the mirror coating on the cleaved surface, even if the chip bars are stacked at a slight angle, not only can the mirror be deposited to a desired thickness, but also the mirror coating film can be prevented from penetrating into the electrode surface.

왜냐하면, 벽개면 부분이 상대적으로 앞으로 돌출되어 있고 전극 표면과 단차가 있기 때문이다.This is because the cleaved portion protrudes relatively forward and there is a step with the electrode surface.

셋째, 레이저 다이오드와 스템(stem) 또는 서브마운트(submount)을 조립하는 다이 본딩(die bonding) 공정시에 사용되는 솔더(solder)가 벽개면 및 벽개면과 수직한 면을 타고 올라가 조립 불량을 일으키는 것을 막아주므로 조립 수율을 높일 수 있다.Third, the solder used in the die bonding process of assembling the laser diode and the stem or submount rises on the cleaved surface and the surface perpendicular to the cleaved surface to prevent assembly failure. As a result, the assembly yield can be increased.

즉, 종래에는 도 1c에 도시된 바와 같이, 최상부에 있는 칩 바가 그 아래의 칩 바 일부를 가려 A영역과 같이 미러 코팅막이 제대로 형성되지 않는 쇄이드(shade)현상이 일어나지만, 본 발명은 최상부 칩 바의 아랫 부분의 홈에 의한 공간과 그 아래 칩 바의 윗부분의 홈에 의한 공간으로 인해 미러 코팅하고자 하는 pn 정션(junction) 부근에는 미러 코팅막이 균일하게 증착된다.That is, as shown in FIG. 1C, the chip bar at the top covers a portion of the chip bar underneath, so that a shade phenomenon occurs in which the mirror coating film is not properly formed as in the A region. The mirror coating film is uniformly deposited near the pn junction to be mirror-coated due to the space caused by the groove in the lower portion of the chip bar and the groove in the upper portion of the chip bar below.

또한, 도 1c의 B영역이나 C영역과 같이 금속 전극이 있는 칩 바의 아래, 윗면 쪽으로 미러 코팅막이 침투하는 현상이 일어나지만, 본 발명은 미러 코팅막이 형성될 벽개면이 돌출되어 전극과 단차가 있어 미러 코팅막을 턱이 진 부분으로 한정할 수 있으므로 조립 공정시 불량 문제가 발생하지 않게 된다.In addition, the phenomenon in which the mirror coating film penetrates toward the upper and lower surfaces of the chip bar with the metal electrodes, such as the region B or C of FIG. 1C, occurs, but the present invention has a step with the electrode because the cleaved surface on which the mirror coating film is to be formed protrudes. Since the mirror coating film can be limited to the tucked portion, no defect problem occurs during the assembly process.

이 홈의 형태는 상기 실시예 외에도 다른 형태로도 만들 수 있다.The shape of the groove can be made in other forms in addition to the above embodiment.

도 3, 도 4, 도 5는 본 발명의 다른 실시예들을 보여주는 도면으로서, 도 3은 하부 전극 쪽에는 홈을 형성하지 않고 상부 전극 쪽에만 홈을 벽개면과 수평하게 형성한 경우이다.3, 4, and 5 are views illustrating other embodiments of the present invention. FIG. 3 illustrates a case in which grooves are formed horizontally with the cleavage surface only on the upper electrode side without forming a groove on the lower electrode side.

그리고, 도 4는 웨이퍼의 벽개면과 평행한 방향으로 제 1 홈을 형성할 뿐만 아니라 벽개면에 대해 수직한 방향으로 제 2 홈을 형성하여 제 1 홈을 따라 클리빙함으로써, 칩 바를 형성한 다음, 칩 바를 적층하여 벽개면에 미러 코팅을 수행하는 방법이다.4 illustrates not only the first groove in the direction parallel to the cleaved surface of the wafer, but also the second groove in the direction perpendicular to the cleaved surface and cleaved along the first groove, thereby forming the chip bar. Laminating the bar is a method of performing a mirror coating on the cleaved surface.

여기서, 제 1 홈 및 제 2 홈은 상/하부 전극 쪽에 모두 형성할 수도 있고, 또는 도 5에 도시된 바와 같이 상부 전극 쪽에만 형성할 수도 있다.Here, the first groove and the second groove may be formed at both the upper and lower electrode sides, or may be formed only at the upper electrode side as shown in FIG. 5.

이 제 1 홈 및 제 2 홈은 전극 표면이 돌출되도록 전극을 중심으로 전극 주변에 형성된다.The first groove and the second groove are formed around the electrode around the electrode such that the electrode surface protrudes.

이와 같이, 벽개면과 수직한 방향으로도 홈을 형성하게 되면, 미러 코팅 후 칩 형성 과정에서 별도의 스크라이빙 공정을 행하지 않고 브레이킹 공정만 수행해도 되므로 공정이 더욱 간단해진다.As such, when the groove is formed even in the direction perpendicular to the cleavage surface, the process may be simplified since the breaking process may be performed without performing a separate scribing process in the chip forming process after mirror coating.

또한, 브레이킹하여 얻어진 칩을 스템이나 서브마운트 등에 조립할 때, 칩과 스템 사이를 솔더로 접착하게 되는데 이 솔더가 칩의 단면을 타고 올라가서 pn 정션(junction)에 닿게 되면 전기적인 쇼트(short)현상이 일어나게 되어 다이오드의 역할을 할 수가 없게 된다.In addition, when assembling a chip obtained by braking to a stem or a submount, it is bonded between the chip and the stem by solder. When the solder rises along the cross section of the chip and reaches the pn junction, an electrical short phenomenon occurs. It can't act as a diode.

본 발명에 의한 칩 제조시에는 전극 표면의 턱에 의해 솔더가 단면을 타고 올라가는 것을 방지할 수 있어 조립 불량을 개선할 수 있게 된다.In manufacturing the chip according to the present invention, it is possible to prevent the solder from riding up the cross section by the jaw of the electrode surface, thereby improving the assembly failure.

한편, 홈 형성시 표면 에칭은 포토리소그래피(photolithography) 공정과 웨트 에칭(wet etching)이나 드라이 에칭(dry etching)으로 할 수 있으며, 전극 표면에 패턴이 있는 경우에는 에칭 공정만으로도 형성할 수 있다.Meanwhile, when the groove is formed, the surface etching may be performed by a photolithography process, wet etching, or dry etching, and may be formed only by an etching process when there is a pattern on the electrode surface.

본 발명에 따른 레이저 다이오드의 미러 제조방법에 있어서는 다음과 같은 효과가 있다.The method of manufacturing a mirror of a laser diode according to the present invention has the following effects.

첫째, 종래와 같이 미러 코팅막의 불균일로 인한 특성 저하, 전극 표면으로의 미러 코팅막 침투 현상 등을 방지할 수 있다.First, it is possible to prevent the deterioration of characteristics due to the non-uniformity of the mirror coating film, the phenomenon of penetrating the mirror coating film to the electrode surface as in the prior art.

둘째, 레이저 다이오드 칩을 스템이나 서브마운트 등에 조립할 때, 솔더에 의한 조립 불량을 현저하게 줄일 수 있다.Second, when assembling a laser diode chip to a stem, a submount, or the like, assembly defects due to solder can be significantly reduced.

셋째, 레이저 다이오드의 칩 바 또는 칩 형성시, 스크라이빙 공정 없이 브레이킹 공정만 수행하므로 공정이 간단하다.Third, when forming a chip bar or chip of the laser diode, the process is simple because only the braking process is performed without a scribing process.

Claims (8)

에피택셜층 및 상/하부 전극이 형성된 웨이퍼를 포함하는 레이저 다이오드의 미러 제조방법에 있어서,In the method of manufacturing a mirror of a laser diode comprising a wafer on which an epitaxial layer and upper and lower electrodes are formed, 상기 웨이퍼의 벽개면과 평행한 방향으로 웨이퍼를 에칭하여 홈을 형성하는 단계;Etching the wafer in a direction parallel to the cleaved surface of the wafer to form a groove; 상기 홈을 따라 칩 바 형태로 클리빙(cleaving)하는 단계;Cleaving in the form of a chip bar along the groove; 상기 칩 바를 적층하여 상기 벽개면에 미러 코팅을 하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 미러 제조방법.And laminating the chip bars to perform mirror coating on the cleaved surface. 제 1 항에 있어서, 상기 홈은 벽개면과 평행한 방향으로 상기 웨이퍼 상/하부에 형성되거나 또는 상기 웨이퍼 상부에만 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 미러 제조방법.The method of claim 1, wherein the groove is formed in the upper and lower portions of the wafer in a direction parallel to the cleaved surface or is formed only on the wafer. 제 1 항에 있어서, 상기 홈은 전극과 전극 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 미러 제조방법.The method of claim 1, wherein the groove is formed between the electrode and the electrode. 제 1 항에 있어서, 상기 클리빙은 브레이킹(breaking) 공정만으로 수행하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 미러 제조방법.The method of claim 1, wherein the cleaving is performed only by a breaking process. 에피택셜층 및 상/하부 전극이 형성된 웨이퍼를 포함하는 레이저 다이오드의 미러 제조방법에 있어서,In the method of manufacturing a mirror of a laser diode comprising a wafer on which an epitaxial layer and upper and lower electrodes are formed, 상기 웨이퍼의 벽개면과 평행한 방향으로 웨이퍼를 에칭하여 제 1 홈을 형성하고, 상기 웨이퍼의 벽개면과 수직한 방향으로 웨이퍼를 에칭하여 제 2 홈을 형성하는 단계;Etching the wafer in a direction parallel to the cleaved surface of the wafer to form a first groove, and etching the wafer in a direction perpendicular to the cleaved surface of the wafer to form a second groove; 상기 제 1 홈을 따라 칩 바 형태로 클리빙하는 단계;Cleaving in the form of a chip bar along the first groove; 상기 칩 바를 적층하여 상기 벽개면에 미러 코팅을 하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 미러 제조방법.And laminating the chip bars to perform mirror coating on the cleaved surface. 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 홈 및 제 2 홈은 상기 웨이퍼 상/하부에 형성되거나 또는 상기 웨이퍼 상부에만 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 미러 제조방법.The method of claim 5, wherein the first groove and the second groove are formed on or under the wafer, or only on the wafer. 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 홈 및 제 2 홈은 전극 표면이 돌출되도록 전극을 중심으로 전극 주변에 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 미러 제조방법.The method of claim 5, wherein the first groove and the second groove are formed around the electrode around the electrode so that the electrode surface protrudes. 제 5 항에 있어서, 상기 클리빙은 브레이킹 공정만으로 수행하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 미러 제조방법.6. The method of claim 5, wherein the cleaving is performed only by a braking process.
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