KR19990086526A - Control system of semiconductor device manufacturing facilities - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체장치 제조설비의 제어시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a control system of a semiconductor device manufacturing facility.
본 발명은, 공정조건을 설정하는 공정조건 설정단계, 공정챔버 내부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급단계, 상기 공정챔버 내부로 웨이퍼를 로딩시키는 웨이퍼 핸들링단계, 상기 반도체장치 제조공정을 수행하는 공정단계, 상기 공정챔버 내부에서 발생된 배기가스의 배기압력의 정상유무를 측정하는 단계, 상기 측정에 의해서 상기 배기압력이 스펙인일 경우 상기 공정챔버 내부의 웨이퍼를 언로딩시키고, 후속 웨이퍼를 공정챔버 내부로 로딩시키는 후속 웨이퍼 핸들링단계 및 상기 측정에 의해서 상기 배기압력이 스펙아웃일 경우 상기 핸들러의 동작을 정지시키는 핸들러 동작정지단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The present invention provides a process condition setting step of setting a process condition, a reaction gas supply step of supplying a reaction gas into the process chamber, a wafer handling step of loading a wafer into the process chamber, and a process of performing the semiconductor device manufacturing process. Step, measuring the presence or absence of the exhaust pressure of the exhaust gas generated in the process chamber, if the exhaust pressure is the specification by the measurement, unload the wafer inside the process chamber, and subsequent wafers process chamber And a handler operation stop step of stopping the operation of the handler when the exhaust pressure is spec out by the subsequent wafer handling step of loading into the inside and the measurement.
따라서, 배기가스의 배기압력에 이상이 발생할 경우에, 공정진행이 중단됨으로서 불량제품이 양산되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.Therefore, when an abnormality occurs in the exhaust pressure of the exhaust gas, the process progress is interrupted, thereby preventing the production of defective products.
Description
본 발명은 반도체장치 제조설비의 제어시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 배기가스의 배기압력에 이상이 발생할 경우 공정진행이 중단되는 반도체장치 제조설비의 제어시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a control system of a semiconductor device manufacturing facility, and more particularly, to a control system of a semiconductor device manufacturing facility in which process progress is stopped when an abnormality occurs in an exhaust pressure of exhaust gas.
통상, 반도체장치를 제조하는 공정에 있어서, 반도체 기판 상에 에피택셜(Epitaxial) 증착막을 성장시키기 위하여 가장 널리 사용되고 있는 방법중 하나가 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition : 이하‘CVD’라고 함)법이다. 상기 CVD는 공정챔버 내에 반응가스를 주입하여서 화학반응에 의해서 생성된 고체 생성물을 반도체 기판 상에 증착시키는 것이다.Generally, in the process of manufacturing a semiconductor device, one of the most widely used methods for growing an epitaxial deposited film on a semiconductor substrate is a chemical vapor deposition (hereinafter referred to as 'CVD') method. . The CVD is to inject a reaction gas into the process chamber to deposit the solid product produced by the chemical reaction on the semiconductor substrate.
그리고, 상기 CVD는 증착시 화학반응에 필요한 여기 에너지를 공급하는 방법에 따라 열에너지만 공급하는 열화학증착법과 플라즈마(Plasma) 분위기에서 증착하는 플라즈마 화학증착법 등이 있고, 증착압력에 따라 저압에서 막질이 형성되는 저압화학기상증착법, 상압에서 막질이 형성되는 상압화학기상증착법 등이 있다.In addition, the CVD may include a thermal chemical vapor deposition method for supplying only thermal energy and a plasma chemical vapor deposition method in a plasma atmosphere according to a method of supplying excitation energy required for a chemical reaction during deposition. Low pressure chemical vapor deposition, and atmospheric pressure chemical vapor deposition to form a film at normal pressure.
특히, 상기 상압화학기상증착법을 이용하여 반도체 기판 상에 특정막을 형성하는 상압화학기상증착설비는 공정챔버 내부에서 발생된 배기가스가 배기라인 소정영역에 설치된 오러피스(Orifice)를 통과하며 배기압력이 조절된 후, 외부로 배기되도록 되어 있다. 또한 공정챔버의 온도, 공정챔버 내부로 공급되는 반응가스의 양, 공정챔버 내부로 공급되는 반응가스의 종류 등의 공정환경에 이상이 발생할 경우 공정챔버 내부로 웨이퍼를 이송시키는 핸들러(Handler)의 동작과 반응가스의 공급이 중단되도록 되어 있다.Particularly, in the atmospheric chemical vapor deposition apparatus which forms a specific film on a semiconductor substrate by using the atmospheric chemical vapor deposition method, the exhaust gas generated inside the process chamber passes through an orifice installed in a predetermined region of the exhaust line, and the exhaust pressure is increased. After being adjusted, it is to be exhausted to the outside. In addition, when an abnormality occurs in the process environment such as the temperature of the process chamber, the amount of reactant gas supplied into the process chamber, and the kind of reactant gas supplied into the process chamber, a handler for transferring the wafer into the process chamber is provided. The supply of overreaction gas is stopped.
그런데, 여러 가지 원인에 의해서 배기가스의 압력에 이상이 발생되어 공정챔버 내부의 압력이 변화되었다. 이에 따라, 반도체 기판 상에 형성되는 막질의 균일도(Uniformity)가 떨어지고, 외부 공기가 공정챔버 내부로 유입되어 잔류가스와 반응하여 실란(SiH4) 성질을 가진 파티클(Particle) 등의 다수의 파티클을 발생시켜 공정불량요인으로 작용하였다.However, an abnormality occurred in the pressure of the exhaust gas due to various causes, and the pressure inside the process chamber was changed. Accordingly, the uniformity of the film quality formed on the semiconductor substrate is reduced, and outside air flows into the process chamber and reacts with the residual gas to generate a plurality of particles such as particles having a silane (SiH 4 ) property. To cause process defects.
그러므로, 배기가스의 배기압력에 이상이 발생될 경우 핸들러가 연속적으로 공정챔버 내부에 웨이퍼를 로딩시켜 공정이 진행됨으로서 불량제품이 양산되어 수율이 떨어지는 문제점이 있었다.Therefore, when an abnormality occurs in the exhaust pressure of the exhaust gas, the handler continuously loads the wafer into the process chamber, thereby causing a problem in that the defective product is mass-produced and the yield falls.
본 발명의 목적은, 배기가스의 배기압력에 이상이 발생할 경우 공정진행이 중단됨으로서 제품불량을 최소화하여 반도체장치의 생산수율을 향상시킬 수 있는 반도체장치 제조설비의 제어시스템을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a control system of a semiconductor device manufacturing facility that can improve the production yield of the semiconductor device by minimizing product defects by stopping the process progress when an abnormality in the exhaust pressure of the exhaust gas occurs.
도1은 본 발명에 따른 반도체장치 제조설비의 제어시스템의 일 실시예를 설명하기 위한 흐름도이다.1 is a flowchart illustrating an embodiment of a control system of a semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체장치 제조설비의 제어시스템은, 반도체장치 제조공정의 진행에 따른 공정조건을 설정하는 공정조건 설정단계; 상기 반도체장치 제조공정이 진행되는 공정챔버 내부로 반응가스를 공급하는 반응가스 공급단계; 상기 공정챔버 내부로 웨이퍼를 로딩시키는 웨이퍼 핸들링단계; 상기 공정챔버 내부에서 상기 반도체장치 제조공정을 수행하는 공정단계; 상기 공정챔버 내부에서 발생된 배기가스의 배기압력의 정상유무를 측정하는 단계; 상기 측정에 의해서 상기 배기압력이 스펙인일 경우 상기 공정챔버 내부의 웨이퍼를 언로딩시키고, 후속 웨이퍼를 공정챔버 내부로 로딩시키는 후속 웨이퍼 핸들링단계 및 상기 측정에 의해서 상기 배기압력이 스펙아웃일 경우 상기 핸들러의 동작을 정지시키는 핸들러 동작정지단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.A control system of a semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention for achieving the above object includes a process condition setting step of setting a process condition according to the progress of the semiconductor device manufacturing process; A reaction gas supplying step of supplying a reaction gas into a process chamber in which the semiconductor device manufacturing process is performed; A wafer handling step of loading a wafer into the process chamber; A process step of performing the semiconductor device manufacturing process in the process chamber; Measuring whether the exhaust pressure of the exhaust gas generated in the process chamber is normal; A subsequent wafer handling step of unloading the wafer inside the process chamber when the exhaust pressure is in spec by the measurement and loading the subsequent wafer into the process chamber and when the exhaust pressure is spec out by the measurement And a handler operation stop step for stopping the operation of the handler.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도1을 참조하면, 먼저, S2단계에서 저압화학기상증착공정을 진행하기 위한 공정챔버의 온도, 공정챔버의 압력, 공정챔버 내부로 공급될 반응가스의 종류 및 양 등의 각종 공정조건을 설정한다.Referring to FIG. 1, first, various process conditions such as the temperature of a process chamber for performing a low pressure chemical vapor deposition process, a pressure of a process chamber, and a kind and amount of reaction gas to be supplied into the process chamber are set in operation S2. .
다음으로, S4단계에서 여러 가지 종류의 반응가스 가운데 선택된 반응가스를 공정챔버 내부로 공급한다.Next, the reaction gas selected from the various types of reaction gas in step S4 is supplied into the process chamber.
이어서, S6단계에서 공정챔버 내부로 웨이퍼를 로딩(Loading)시킨 후, S8단계에서 상기 반응가스를 사용하여 웨이퍼 상에 특정막을 형성하는 반도체장치 제조공정을 진행한다.Subsequently, after loading the wafer into the process chamber in step S6, a semiconductor device manufacturing process of forming a specific film on the wafer using the reaction gas is performed in step S8.
계속해서, S10단계에서 상기 공정챔버 내부에서 외부로 배기되는 배기가스의 배기압력을 측정한 후, 상기 배기가스의 배기압력이 스펙아웃(Spec out)일 경우 S12단계에서에는 상기 핸들러의 동작을 정지시킨다. 상기 핸들러의 동작이 정지되더라도 공정챔버 내부로는 반응가스를 공급함으로서 선행된 공정의 진행에 의해서 공정챔버 내부에 위치하는 웨이퍼에 대한 반도체장치 제조공정을 완료한다.Subsequently, after measuring the exhaust pressure of the exhaust gas exhausted from the inside of the process chamber to the outside in step S10, if the exhaust pressure of the exhaust gas is spec out, the operation of the handler is stopped in step S12. Let's do it. Even if the operation of the handler is stopped, by supplying the reaction gas into the process chamber, the semiconductor device manufacturing process for the wafer located in the process chamber is completed by advancing the preceding process.
또한, 상기 배기가스의 배기압력이 스펙인(Spec in)일 경우 S14단계에서 상기 공정챔버 내부의 웨이퍼를 언로딩시키고, 후속 웨이퍼를 공정챔버 내부로 로딩한다.In addition, when the exhaust pressure of the exhaust gas is Spec in, in step S14, the wafer inside the process chamber is unloaded, and the subsequent wafer is loaded into the process chamber.
따라서, 본 발명에 의하면 반도체장치 제조공정이 진행되는 공정챔버 내부에서 외부로 배기되는 배기가스의 압력에 이상이 발생할 경우 공정진행이 중단됨으로서 불량제품이 양산되어 수율이 떨어지는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, if an abnormality occurs in the pressure of the exhaust gas exhausted from the inside of the process chamber in which the semiconductor device manufacturing process is performed, the process is stopped so that the yield of the defective product is prevented and the yield is reduced. have.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980019543A KR19990086526A (en) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | Control system of semiconductor device manufacturing facilities |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980019543A KR19990086526A (en) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | Control system of semiconductor device manufacturing facilities |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990086526A true KR19990086526A (en) | 1999-12-15 |
Family
ID=65899678
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019980019543A KR19990086526A (en) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | Control system of semiconductor device manufacturing facilities |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19990086526A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101487520B1 (en) * | 2013-02-27 | 2015-01-29 | 우범제 | An air exhaust gas monitoring device of an apparatus for hadling wafer |
-
1998
- 1998-05-28 KR KR1019980019543A patent/KR19990086526A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101487520B1 (en) * | 2013-02-27 | 2015-01-29 | 우범제 | An air exhaust gas monitoring device of an apparatus for hadling wafer |
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