KR19990069564A - Plasma Ion Accelerator for Semiconductor Wafer Etching Process - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 웨이퍼 식각공정에 사용되는 플라즈마 이온가속장치에 관한 것으로, 전기장과 자기장이 동시에 존재할 때 전하가 받게 되는 전자기력을 이용하여 챔버(10) 내에 존재하는 플라즈마(P) 이온을 웨이퍼(1) 쪽으로 가속시켜 주기 위한 플라즈마 이온가속장치를 제공하기 위해, 웨이퍼(1)를 수용하기 위한 플라즈마(P) 반응용의 챔버(10)와, 이 챔버(10) 내에서 상기 웨이퍼(1)를 지지하기 위한 서셉터(11)와, 상기 챔버(10)의 내주면에 배치되어 그 전자기력에 의해 내부 전하를 특정 방향으로 가속시키기 위한 전극 및 자석(20)과, 상기 챔버(10)의 외부에 구비된 고밀도 플라즈마 발생기(12)로 구성된 것으로서, 전기장과 자기장의 동시 형성에 따른 전자기력을 이용함과 아울러, 상기 자기장 및 전기장의 벡터곱 방향으로 내부 전하가 진행하는 원리를 이용하여 챔버(10) 내에 존재하는 플라즈마(P) 이온을 웨이퍼(1) 쪽으로 가속시켜 주므로써 불필요한 고주파 가속기(120)를 제거할 수 있게 되어 장치의 소형화를 실현할 수 있고, 이에 따른 소요 경비의 절감은 물론, 웨이퍼(1)에 가속전압이 직접 전달되지 않으므로 반도체 소자의 손상을 방지할 수 있으며, 상기 플라즈마(P)의 안정성을 도모할 수 있도록 된 반도체 웨이퍼 식각공정용 플라즈마 이온가속장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma ion acceleration device used in a semiconductor wafer etching process, wherein wafers 1 are plasma (P) ions present in the chamber 10 by using an electromagnetic force that is charged when an electric field and a magnetic field exist at the same time. In order to provide a plasma ion accelerator for accelerating to the side, the chamber 10 for the reaction of plasma P for accommodating the wafer 1 and the support of the wafer 1 in the chamber 10 are supported. A susceptor 11 for disposition, an electrode and a magnet 20 disposed on an inner circumferential surface of the chamber 10 to accelerate internal charge in a specific direction by the electromagnetic force, and a high density provided on the outside of the chamber 10. It is composed of a plasma generator 12, using the electromagnetic force according to the simultaneous formation of the electric field and the magnetic field, and the principle that the internal charge proceeds in the vector product direction of the magnetic field and the electric field By accelerating the plasma P ions present in the chamber 10 toward the wafer 1, unnecessary high frequency accelerators 120 can be removed, thereby miniaturizing the device, thereby reducing the required cost. Of course, since the acceleration voltage is not directly transmitted to the wafer 1, it is possible to prevent damage to the semiconductor device, and relates to a plasma ion accelerator for a semiconductor wafer etching process capable of achieving stability of the plasma (P). .
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼 식각공정에 사용되는 플라즈마 이온가속장치에 관한 것으로, 특히 전기장과 자기장이 동시에 존재할 때 전하가 받게 되는 전자기력을 이용하여 챔버 내에 존재하는 플라즈마 이온을 웨이퍼 쪽으로 가속시켜 주기 위한 반도체 웨이퍼 식각공정용 플라즈마 이온가속장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma ion acceleration device used in a semiconductor wafer etching process, and more particularly, to semiconductor wafer etching for accelerating plasma ions present in a chamber toward a wafer by using an electromagnetic force that is charged when an electric field and a magnetic field exist at the same time. It relates to a plasma ion accelerator for the process.
일반적인 반도체의 웨이퍼 처리공정에 의하면, 900。C 내지 1200。C의 온도로 제어되는 확산로(Diffusion Furnace)의 석영관(Quartz Carrier) 속에서, 연마된 웨이퍼 표면에 산화막을 형성시킨 후, 사진식각(Photo Engraving)을 위한 액체상태의 감광제(Photo Resist)를 도포하게 된다.According to a wafer processing process of a general semiconductor, an oxide film is formed on a polished wafer surface in a quartz tube of a diffusion furnace controlled at a temperature of 900 ° C. to 1200 ° C., followed by photolithography. Apply liquid photoresist for Photo Engraving.
상기와 같은 사진식각 공정을 진행하기 위한 플라즈마장치는 이온화된 고온의 플라즈마를 이용하여, 선택적인 부식형태(Etch Pattern)을 형성하기 위한 목적으로 도포된 포토 레지스트(Photo Resist)를 기화(氣化), 회화(灰化)하므로써 제거하도록 된 장치이다.The plasma apparatus for performing the photolithography process as described above vaporizes the photoresist coated for the purpose of forming a selective etching pattern by using ionized high temperature plasma. It is a device that is removed by painting.
여기서, 플라즈마(Plasma)는 산소, 질소 또는 이들의 혼합으로 이루어진 가스를 마이크로웨이브 등의 고주파 에너지에 의하여 이온화된 것으로, 도전성을 가지며 자기장에 의해 영향을 받는 아크 가스를 의미한다.Here, plasma refers to an arc gas in which oxygen, nitrogen, or a mixture of these gases is ionized by high frequency energy such as microwave, and has conductivity and is affected by a magnetic field.
플라즈마를 이용한 식각장치의 경우, 현재, 플라즈마 발생과 플라즈마 이온의 가속을 위한 고주파(Radio Freuency) 전력을 별도의 장치로 분리시켜 상기 플라즈마의 밀도와 가속 정도를 독립적으로 제어할 수 있는 시스템이 개발되어 있다. 이러한 장치는 분리형 플라즈마 식각장치(De-Coupled Plasma Etcher)라 불리워지고 있으며, 고밀도의 플라즈마를 요하는 경우에는 통상 2개의 고주파 전력을 구비한 상기 분리형 플라즈마 식각장치가 사용되고 있다.In the case of an etching apparatus using plasma, a system for separating plasma high frequency power (Radio Freuency) for plasma generation and acceleration of plasma ions into a separate device is developed to independently control the density and acceleration of the plasma. have. Such a device is called a De-Coupled Plasma Etcher, and when a high density plasma is required, the above-described separate plasma etching device having two high frequency powers is used.
상기의 경우에 있어서, 2개의 고주파 전력은 플라즈마를 발생시키기 위한 주 고주파 전력과, 웨이퍼가 놓이는 서셉터에 가속전압(Bias Voltage)을 발생시켜 챔버 내의 플라즈마 이온을 가속하기 위한 부 고주파 전력을 사용하게 된다.In this case, the two high frequency powers use the main high frequency power for generating the plasma and the negative high frequency power for accelerating the plasma ions in the chamber by generating a bias voltage on the susceptor on which the wafer is placed. do.
즉, 종래의 반도체 웨이퍼 식각공정용 플라즈마장치는 도 1에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(1)를 수용하기 위한 플라즈마(P) 반응용의 챔버(Chamber)(10)와, 이 챔버(10) 내에서 상기 웨이퍼(1)를 지지하기 위한 서셉터(Susceptor)(11)와, 이 서셉터(11)의 웨이퍼(1) 접촉면 상에 형성된 전극(124)과, 상기 서셉터(11)와 연결되어 고주파 가속을 위한 회로를 구성하는 고주파 가속기(RF Biasing System)(120)와, 상기 챔버(10)의 외부에 구비된 고밀도 플라즈마 발생기(12)로 구성되어 있는 것이다.That is, the conventional plasma wafer etching process for semiconductor wafers, as shown in FIG. 1, includes a chamber 10 for plasma P reaction for accommodating the wafer 1, and the chamber 10. A susceptor 11 for supporting the wafer 1, an electrode 124 formed on a contact surface of the wafer 1 of the susceptor 11, and the susceptor 11. A high frequency accelerator (RF biasing system) 120 constituting a circuit for high frequency acceleration, and a high density plasma generator 12 provided outside the chamber 10.
여기서, 상기 고밀도 플라즈마 발생기(12)는 주 고주파 전력에 해당하는 장치이고, 고주파 가속기(120)는 부 고주파 전력에 해당하는 장치가 된다.Here, the high density plasma generator 12 is a device corresponding to the main high frequency power, and the high frequency accelerator 120 is a device corresponding to the negative high frequency power.
이때, 플라즈마(P)를 발생시키기 위한 주 고주파 전력이 아닌 이온 가속전압을 발생시키기 위한 부 고주파 전력이 공급되는 서셉터(11)에는 상기한 바와 같이 전극(124)의 기능을 갖게 되는데, 상기의 부 고주파 전력은 플라즈마장치의 특성상 부도체(Dielectric Isulator)로 이루어지게 되며, 상기 고주파 가속기(120)에는 블로킹 커패시터(Blocking Capacitor)(121)와, 고주파정합 네트워크(RF Matching Network)(122)와, 고주파 발생기(RF Generator)(123) 등과 연결되어 또 다른 플라즈마 발생원의 역할을 수행하게 된다.In this case, the susceptor 11 to which the negative high frequency power for generating the ion acceleration voltage is supplied instead of the main high frequency power for generating the plasma P has the function of the electrode 124 as described above. Negative high-frequency power is made of a dielectric isulator (Dielectric Isulator), the high-frequency accelerator 120, the blocking capacitor (Blocking Capacitor) 121, the RF Matching Network (RF Matching Network) 122, and a high frequency It is connected to an RF generator 123 and the like to serve as another plasma generator.
다시 말해서, 상기 서셉터(11)의 전극(124) 부분만을 살펴 보면, 상기 전극(124)에 의해 소규모 형태의 플라즈마 발생장치를 이루게 되고, 따라서, 전체적으로 볼 때 하나의 챔버(10) 내에 두 종류의 플라즈마(P)가 발생하게 되는 것이다. 물론, 상기 전극(124)에서 발생되는 플라즈마(P)는 이를 가속하기 위한 것이므로, 매우 미약하게 나타난다.In other words, when only the electrode 124 of the susceptor 11 is looked at, a small-scale plasma generator is formed by the electrode 124, and thus, as a whole, two kinds of plasma generators are formed in one chamber 10. Plasma P is generated. Of course, since the plasma P generated by the electrode 124 is for accelerating it, it appears very weak.
상기에서 살펴본 바와 같이, 종래의 플라즈마 식각장치는 플라즈마(P) 이온을 가속하기 위하여 전극(124)을 포함한 별도의 고주파 가속기(120)가 구비되어야 하므로, 이들이 차지하는 공간으로 인하여 시스템의 규모가 커지게 되고, 이를 운용하기 위한 부대 비용이 많이 발생하게 되며, 2개의 플라즈마(P)가 하나의 챔버(10) 내에 존재하게 되므로, 양 플라즈마 간에 간섭 및 섭동(Perturbation) 현상이 발생하게 되는 문제점이 있었다.As described above, the conventional plasma etching apparatus has to be provided with a separate high-frequency accelerator 120 including the electrode 124 to accelerate the plasma (P) ions, so that the size of the system due to the space occupied In addition, a lot of incidental costs for operating the same, and because two plasma (P) is present in one chamber 10, there was a problem that the interference and perturbation phenomenon between the two plasma occurs.
또한, 상기 플라즈마 식각장치는 웨이퍼(1)에 가속전압이 직접 형성되므로 이로 인하여 반도체 소자가 손상될 염려가 있었다.In addition, since the plasma etching apparatus directly forms an acceleration voltage on the wafer 1, there is a concern that the semiconductor device may be damaged.
이에 본 발명은 상기와 같은 제반 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 전기장과 자기장의 동시 형성에 따른 전자기력을 이용하여, 챔버 내에 존재하는 플라즈마 이온을 웨이퍼 쪽으로 가속시켜 주므로써 장치의 소형화를 실현하고, 소요 경비의 절감 및 플라즈마의 안정성을 도모할 수 있도록 된 반도체 웨이퍼 식각공정용 플라즈마 이온가속장치를 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, by using the electromagnetic force according to the simultaneous formation of the electric field and magnetic field, by accelerating the plasma ions present in the chamber toward the wafer to realize miniaturization of the device, It is an object of the present invention to provide a plasma ion accelerator for a semiconductor wafer etching process that can reduce the required cost and stabilize the plasma.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 웨이퍼 식각공정용 플라즈마장치의 개략도,1 is a schematic diagram of a plasma apparatus for a semiconductor wafer etching process according to the prior art,
도 2는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 식각공정용 플라즈마 이온가속장치의 개략도,2 is a schematic diagram of a plasma ion accelerator for a semiconductor wafer etching process according to the present invention;
도 3은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 식각공정용 플라즈마 이온가속장치의 횡단면도,3 is a cross-sectional view of a plasma ion accelerator for a semiconductor wafer etching process according to the present invention;
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 전극 및 자석의 배치 상태를 도시한 횡단면도이다.Figure 4 is a cross-sectional view showing the arrangement of the electrode and the magnet according to an embodiment of the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
P ; 플라즈마 1 ; 웨이퍼P; Plasma 1; wafer
10 ; 챔버 11 ; 서셉터10; Chamber 11; Susceptor
12 ; 고밀도 플라즈마 발생기 20 ; 전극 및 자석12; High density plasma generator 20; Electrodes and magnets
120 ; 고주파 가속기 121 ; 블로킹 커패시터120; High frequency accelerator 121; Blocking capacitor
122 ; 고주파정합 네트워크 123 ; 고주파 발생기122; High frequency matching network 123; High frequency generator
124 ; 전극124; electrode
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 식각공정용 플라즈마 이온가속장치는 웨이퍼를 수용하기 위한 플라즈마 반응용의 챔버와, 이 챔버 내에서 상기 웨이퍼를 지지하기 위한 서셉터와, 상기 챔버의 내주면에 배치되어 그 전자기력에 의해 내부 전하를 특정 방향으로 가속시키기 위한 전극 및 자석과, 상기 챔버의 외부에 구비된 고밀도 플라즈마 발생기로 구성된 것을 특징으로 한다.Plasma ion acceleration apparatus for semiconductor wafer etching process according to the present invention for achieving the above object, the chamber for the plasma reaction for accommodating the wafer, the susceptor for supporting the wafer in the chamber, and the chamber Is disposed on the inner circumferential surface of the electrode and a magnet for accelerating the internal charge in a specific direction by the electromagnetic force, characterized in that consisting of a high-density plasma generator provided on the outside of the chamber.
이하, 본 발명을 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2 내지 도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 식각공정용 플라즈마 이온가속장치는 웨이퍼(1)를 수용하기 위한 플라즈마(P) 반응용의 챔버(10)와, 이 챔버(10) 내에서 상기 웨이퍼(1)를 지지하기 위한 서셉터(11)와, 상기 챔버(10)의 내주면에 배치되어 그 전자기력에 의해 내부 전하를 특정 방향으로 가속시키기 위한 전극 및 자석(20)과, 상기 챔버(10)의 외부에 구비된 고밀도 플라즈마 발생기(12)로 구성되어 있는 것이다.2 to 4, the plasma ion accelerator for the semiconductor wafer etching process according to the present invention includes a chamber 10 for the plasma P reaction for accommodating the wafer 1, and the chamber 10 A susceptor (11) for supporting the wafer (1), an electrode and a magnet (20) disposed on the inner circumferential surface of the chamber (10) to accelerate internal charge in a specific direction by the electromagnetic force; It is composed of a high-density plasma generator 12 provided outside the chamber 10.
상기 전극 및 자석(20)은 플라즈마(P)가 발생되는 챔버(10) 내에서 전기장과 자기장의 교차 상태가 항상 일정한 방향으로 진행될 수 있도록 소정 위치에 배치된다. 즉, 상기 전극 및 자석(20)은 도 3 및 도 4에 도시한 실시예에서와 같이, 상기 챔버(10)의 내주면을 따라 N극, +극, S극, -극의 순서로 연속 배치하여 자기장 및 전기장이 상호 교차될 수 있도록 하는 것이 바람직하다.The electrode and the magnet 20 are disposed at a predetermined position in the chamber 10 where the plasma P is generated so that the crossing state of the electric field and the magnetic field may always proceed in a constant direction. That is, the electrode and the magnet 20 are continuously arranged along the inner circumferential surface of the chamber 10 in the order of N pole, + pole, S pole, and-pole as in the embodiment shown in FIGS. 3 and 4. It is desirable to allow magnetic and electric fields to cross each other.
이때, 상기 자석은 영구자석 또는 전자석 중에 어느 것을 선택하여 사용하든 관계 없다.At this time, the magnet is irrespective of which of the permanent magnets or electromagnets is selected and used.
상기한 바와 같은 구성에 의한 본 발명의 작용을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the present invention by the configuration as described above are as follows.
본 발명에서는 플라즈마(P)를 가속하기 위하여, 기존의 전극 가속장치 대신에 전자기력을 이용하게 되는 것으로서, 전기장과 자기장이 동시에 존재할 경우에 두 힘의 벡터곱(F = E
따라서, 플라즈마(P)를 발생시키는 챔버(10) 내에 전기장과 자기장을 도입할 수 있도록 전극 및 자석(20)을 배치하였는 바, 상기 전극 및 자석(20)의 각 위치를 변화시킴에 따라 전기장의 세기와 방향을 조절할 수 있으므로, 상기 플라즈마(P) 이온의 가속 방향 및 세기를 임의로 조절할 수 있는 것이다.Accordingly, the electrode and the magnet 20 are disposed in the chamber 10 generating the plasma P to introduce the electric field and the magnetic field. As the respective positions of the electrode and the magnet 20 are changed, Since the intensity and direction can be adjusted, the acceleration direction and intensity of the plasma P ions can be arbitrarily adjusted.
한편, 상기의 바람직한 실시예(도 4)에서와 같이 3쌍의 영구자석과 3쌍의 전극을 상호 교대로 연속 설치한 후, 상기 전극에 전원공급 시스템을 연결하게 되면, 상기 전극의 세기를 쉽게 조절할 수 있게 된다.On the other hand, after three consecutive pairs of permanent magnets and three pairs of electrodes are installed alternately as shown in the preferred embodiment (Fig. 4), connecting the power supply system to the electrodes, the strength of the electrodes easily It can be adjusted.
이러한 원리에 의해 이온의 가속 정도를 조절하면, 기존의 고주파 가속기(120)와 동일한 효과를 얻을 수 있게 된다.By controlling the degree of acceleration of the ion by this principle, it is possible to obtain the same effect as the conventional high frequency accelerator (120).
상기와 같은 구성및 작용에 의해 기대할 수 있는 본 발명의 효과는 다음과 같다.The effects of the present invention that can be expected by the configuration and action as described above are as follows.
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 식각공정용 플라즈마 이온가속장치는 전기장과 자기장의 동시 형성에 따른 전자기력을 이용함과 아울러, 상기 자기장 및 전기장의 벡터곱 방향으로 내부 전하가 진행하는 원리를 이용하여 챔버(10) 내에 존재하는 플라즈마(P) 이온을 웨이퍼(1) 쪽으로 가속시켜 주므로써 불필요한 고주파 가속기(120)를 제거할 수 있게 되어 장치의 소형화를 실현할 수 있고, 이에 따른 소요 경비의 절감은 물론, 웨이퍼(1)에 가속전압이 직접 전달되지 않으므로 반도체 소자의 손상을 방지할 수 있으며, 상기 플라즈마(P)의 안정성을 도모할 수 있게 되는 매우 유용한 효과가 있다.Plasma ion acceleration apparatus for semiconductor wafer etching process according to the present invention uses the electromagnetic force according to the simultaneous formation of the electric field and the magnetic field, the chamber 10 by using the principle that the internal charge proceeds in the vector product direction of the magnetic field and the electric field By accelerating the plasma P ions present in the wafer 1, the unnecessary high frequency accelerator 120 can be removed, thereby miniaturizing the device, thereby reducing the required cost and, of course, the wafer 1. Since the accelerating voltage is not directly transmitted to the Nth, the damage of the semiconductor device can be prevented, and the stability of the plasma P can be achieved.
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KR1019980003900A KR19990069564A (en) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | Plasma Ion Accelerator for Semiconductor Wafer Etching Process |
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KR1019980003900A KR19990069564A (en) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | Plasma Ion Accelerator for Semiconductor Wafer Etching Process |
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KR1019980003900A KR19990069564A (en) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | Plasma Ion Accelerator for Semiconductor Wafer Etching Process |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100422488B1 (en) * | 2001-07-09 | 2004-03-12 | 에이엔 에스 주식회사 | Plasma reactor for electronic component manufacturing |
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1998
- 1998-02-10 KR KR1019980003900A patent/KR19990069564A/en not_active Application Discontinuation
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100422488B1 (en) * | 2001-07-09 | 2004-03-12 | 에이엔 에스 주식회사 | Plasma reactor for electronic component manufacturing |
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