KR19990064056A - Tin Plated Electrolyte Composition - Google Patents

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KR19990064056A
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케이번 휴 오드리스콜
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로버트 고오든 웰번
요크셔어 케미칼즈 피이엘시이
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    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
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    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
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    • C25D3/30Electroplating: Baths therefor from solutions of tin
    • C25D3/32Electroplating: Baths therefor from solutions of tin characterised by the organic bath constituents used

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Abstract

a) 황산, 설팜산, 아크릴 설폰산, 알킬 설폰산 및 알칸올 설폰산 중에서 선택된 하나 이상의 산, b) 치환체 중 적어도 하나가 2급, 3급 또는 4급 질소 원자를 포함하는 일-, 이-, 삼-치환된 페놀 (각각 임의로 알킬옥실화됨) 또는 둘 이상의 이들 화합물의 혼합물을 포함하는 하나 이상의 첨가제, c) 주석원 및 d) 물을 포함하는, 주석으로 표면을 전기도금시키기 위한 방법에 사용하기 적합한 조성물을 기재한다.mono-, di-, at least one of a) at least one acid selected from sulfuric acid, sulfamic acid, acrylic sulfonic acid, alkyl sulfonic acid and alkanol sulfonic acid, b) substituents comprising secondary, tertiary or quaternary nitrogen atoms At least one additive comprising a tri-substituted phenol (each optionally alkyloxylated) or a mixture of two or more of these compounds, c) a source of tin and d) water in a method for electroplating a surface with tin. Described are compositions suitable for use.

Description

주석 도금 전해질 조성물Tin Plated Electrolyte Composition

이상적으로 전해질은 넓은 도금 범위를 생성하고 양질의 침착층을 생성하며 낮은 부식성, 우수한 산화방지성, 낮은 독성 및 낮은 환경 충격을 지니는 성질을 지녀야 한다.Ideally, the electrolyte should have properties that produce a wide range of plating, produce a good layer of deposition, have low corrosiveness, good antioxidant properties, low toxicity and low environmental impact.

다수의 전해질 조성물이 알려져 있고 당해분야에서 입수된다. 전형적인 조는 예를 들면, US-A-3 769 182 및 US-A-4 118 289에 기재된 바와 같이 플루오로보레이트 및 플루오로실리케이트 전해질을 기초로 하는 수성 산성조를 포함한다. 아릴 설폰산이 예를 들면, US-A-3 905 878에 기재된 바와 같이 전기도금조에서 사용되어 왔다. 전통적으로, 선택된 아릴 설폰산은 Ferrostan 과정에서 사용된 바와 같은 페놀설폰산이다.Many electrolyte compositions are known and are available in the art. Typical baths include aqueous acid baths based on fluoroborate and fluorosilicate electrolytes as described, for example, in US-A-3 769 182 and US-A-4 118 289. Aryl sulfonic acids have been used in electroplating baths as described, for example, in US-A-3 905 878. Traditionally, the aryl sulfonic acid selected is phenolsulfonic acid as used in the Ferrostan procedure.

무기산 (특히 황산) 전기도금조가 또한 기재되었다. 예를 들면, US-A-2 156 427에는 미세한 결정 텍스춰의 주석 코팅을 생성하기 위한 타르산 및 황산을 함유하는 조가 기재되어 있다.Mineral acid (particularly sulfuric acid) electroplating baths have also been described. For example, US Pat. No. 2,156,2727 describes a bath containing taric acid and sulfuric acid for producing a tin coating of fine crystal textures.

알킬 그룹에 1 내지 5개의 탄소 원자를 함유하는 알칸 설폰산은 이전에는 특정 전해 도금조에서 사용되었고 이러한 용도가 US-A-2 522 942에 최초로 기재되었다. 더 근래에는 메탄설폰산이 예를 들면, US-A-4 565 610 및 US-A-4 617 097에서와 같이 주석, 납 및 주석-납 합금의 전기도금에서의 사용을 위해 다수의 광택제와 배합한 알칸설폰산의 특정의 바람직한 예로서 제기되어 왔다. 그러나, 메탄설폰산을 기본으로 한 시스템은 고비용, 독성, 악취 문제를 안고 있으며, 유동 광택을 낸 스트립 강판에 표면 결함을 도입하는 것으로 알려져 있다.Alkanesulfonic acids containing 1 to 5 carbon atoms in the alkyl group were previously used in certain electrolytic plating baths and this use was first described in US-A-2 522 942. More recently methanesulfonic acid has been formulated with a number of varnishes for use in electroplating tin, lead and tin-lead alloys, for example as in US-A-4 565 610 and US-A-4 617 097. It has been raised as a particular preferred example of alkanesulfonic acid. However, methanesulfonic acid based systems suffer from high cost, toxicity and odor problems and are known to introduce surface defects in flow polished strip steel sheets.

알칸 또는 알칸올 설폰산 (보통 메탄 설폰산), 주석 및/또는 납 염 및 다양한 보조 첨가제를 포함하는 다양한 도금조 조성물이 알려져 있다. 알려진 보조 첨가제는 작은 유기 분자 내지 큰 중합체 계면활성제 분자의 범위이고 US-A-4 555 314, US-A-4 565 609, US-A-4 582 576, US-A-4 599 149, US-A-4 617 097, US-A-4 666 999, US-A-4 673 470, US-A-4 701 244, US-A-4 828 657 및 US-A-4 849 059에 기재되어 있다. 예를 들면, EP 0 490 575에 기재되어 있는 바와 같이, 아릴 및 알킬 설폰산의 혼합물을 함유하는 도금조 조성물이 또한 당해분야에 공지되어 있다.Various plating bath compositions are known which include alkanes or alkanol sulfonic acids (usually methane sulfonic acid), tin and / or lead salts and various auxiliary additives. Known auxiliary additives range from small organic molecules to large polymeric surfactant molecules and are US-A-4 555 314, US-A-4 565 609, US-A-4 582 576, US-A-4 599 149, US- A-4 617 097, US-A-4 666 999, US-A-4 673 470, US-A-4 701 244, US-A-4 828 657 and US-A-4 849 059. For example, plating bath compositions containing mixtures of aryl and alkyl sulfonic acids are also known in the art, as described in EP 0 490 575.

주석판의 품질을 증진시키는 다양한 첨가제가 제안되어 왔다. 이들은 소수성 유기 화합물과 알킬렌 옥사이드, 예를 들면, 알파 나프톨 6몰 에톡실레이트 (Emery-Trylon에 의해 공급되는 'ENSA 6'); 알킬벤젠 알콕실레이트, 예를 들면, 'Tritons'; N-헤테로사이클의 유도체, 예를 들면, 2-알킬이미다졸린; 방향족 알데히드, 예를 들면, 나프탈데히드; 2,2-비스(4-하이드록시페닐)프로판의 유도체, 예를 들면, 2,2-비스(4-하이드록시페닐) 프로판을 설폰화제와 반응시킴으로써 형성된 'Diphone V' (Yorkshire Chemicals에 의해 공급); 및 US-A-3 954 573에 기재된 바와 같이 치환체 중 적어도 하나가 2급, 3급, 또는 4급 질소 원자를 포함하는 2,4,6-치환 페놀의 축합체를 포함한다. 그러나, 후자의 첨가제는 플루오로보레이트 주석 도금 시스템에서의 사용에 대해서만 기재되어 있다.Various additives have been proposed to enhance the quality of tin plates. These include hydrophobic organic compounds and alkylene oxides such as alpha naphthol 6 mole ethoxylate ('ENSA 6' supplied by Emery-Trylon); Alkylbenzene alkoxylates such as 'Tritons'; Derivatives of N-heterocycles such as 2-alkylimidazolines; Aromatic aldehydes such as naphthalaldehyde; Derivatives of 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane, for example 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane, 'Diphone V' formed by reacting with sulfonating agents (supplied by Yorkshire Chemicals ); And condensates of 2,4,6-substituted phenols, wherein at least one of the substituents comprises secondary, tertiary, or quaternary nitrogen atoms as described in US-A-3 954 573. However, the latter additives are only described for use in fluoroborate tin plating systems.

스트립 주석판 제조의 경우, 생산 속도의 모든 변화를 수용하고 전류 밀도 결함의 발생을 최소화하기 위해서 전류 밀도의 가능한한 넓은 범위에 걸쳐서 만족할만한 주석 침착층을 생성할 수 있는 시스템을 구비하는 것이 상업적인 관점에서 바람직하다.In the case of strip tin plate manufacturing, it is commercially viable to have a system capable of producing a satisfactory tin deposit layer over the widest possible range of current densities to accommodate all variations in production rate and minimize the occurrence of current density defects. desirable.

본 발명은 고속 스트립 또는 와이어 도금 과정에서 주석으로 표면을 전기 도금시키기에 적합한 전해질 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to electrolyte compositions suitable for electroplating surfaces with tin in high speed strip or wire plating processes.

따라서, 본 발명은 광범위한 도금 범위, 양질의 침착 및 개선된 환경 이익의 모든 상술된 이익을 나타내는, 주석으로 표면을 전기도금시키는 과정에 사용하기에 적합한 조성물을 제공한다. 이러한 조성물은 a) 황산, 설팜산, 아릴 설폰산, 알킬 설폰산 및 알칸올 설폰산 중에서 선택되는 하나 이상의 산, b) 치환체 중 적어도 하나가 2급, 3급 또는 4급 질소 원자를 포함하는 일-, 이- 또는 삼-치환된 페놀 (각각 임의로 알콕실화됨) (바람직하게는 2,4 또는 2,6-이치환 또는 2,4,6-삼치환 페놀임), 또는 이들의 둘 이상의 혼합물을 포함하는 하나 이상의 첨가제, c) 주석원, d) 산화방지제 (임의), 및 e) 물을 포함한다.Accordingly, the present invention provides a composition suitable for use in the process of electroplating a surface with tin, which exhibits all of the above mentioned benefits of a wide range of plating, good deposition and improved environmental benefits. Such compositions comprise a) one or more acids selected from sulfuric acid, sulfamic acid, aryl sulfonic acid, alkyl sulfonic acid and alkanol sulfonic acid, b) at least one of the substituents comprising secondary, tertiary or quaternary nitrogen atoms -, Di- or tri-substituted phenols (optionally each alkoxylated) (preferably 2,4 or 2,6-disubstituted or 2,4,6-trisubstituted phenols), or mixtures of two or more thereof At least one additive, c) tin source, d) antioxidant (optional), and e) water.

바람직하게는 주석원은 주석염이다. 또한 주석원은 원소 주석일 수 있다.Preferably the tin source is tin salt. The tin source may also be elemental tin.

산은 여타의 단일 산 또는 산의 조합일 수 있다. 산의 바람직한 예에는 황산, 설팜산, 페놀설폰산, 메탄 설폰산 및 톨루엔설폰산이 포함된다.The acid may be any single acid or combination of acids. Preferred examples of the acid include sulfuric acid, sulfamic acid, phenolsulfonic acid, methane sulfonic acid and toluenesulfonic acid.

산(들)은 조성물(조성물에 관하여)의 25 내지 500 g/ℓ, 좀더 바람직하게는 30 내지 250 g/ℓ, 더욱 바람직하게는 30 내지 100 g/ℓ 총 농도로 존재한다.The acid (s) are present at a total concentration of 25 to 500 g / l, more preferably 30 to 250 g / l, more preferably 30 to 100 g / l of the composition (relative to the composition).

주석원은 바람직하게는 조성물에 관하여 5 내지 100 g/ℓ (좀더 바람직하게는 15 내지 60 g/ℓ)의 농도로 조성물에 존재한다. 주석염이 주석원인 경우에, 이것은 일치환된 벤젠설폰산 또는 무기산의 염일 필요가 없다. 따라서, 조성물은 주석, 설포네이트 및 무기산으로부터의 것들 이외에 다른 이온을 함유할 수 있다. 주석원이 고체 주석인 경우, 이것은 전기분해가 전기도금조에서 주석 이온의 실질적으로 일정한 농도를 유지하도록 진행됨에 따라 점진적으로 용해되는 주석 양극일 수 있다. 주석원이 주석염인 경우, 주석이 조로부터 전착됨에 따라, 일정한 수준으로 조내 주석 이온의 농도를 유지하기 위해서 주석염이 조에 첨가되도록 전기도금조로 계량할 수 있다.The tin source is preferably present in the composition at a concentration of 5 to 100 g / l (more preferably 15 to 60 g / l) with respect to the composition. If the tin salt is a tin source, it does not need to be a salt of a monosubstituted benzenesulfonic acid or inorganic acid. Thus, the composition may contain other ions in addition to those from tin, sulfonates and inorganic acids. If the tin source is solid tin, it may be a tin anode that gradually dissolves as electrolysis proceeds to maintain a substantially constant concentration of tin ions in the electroplating bath. When the tin source is tin salt, as tin is electrodeposited from the bath, it can be metered into the electroplating bath so that tin salt is added to the bath to maintain the concentration of tin ions in the bath at a constant level.

산화방지제를 임의로 첨가할 수 있다. 이러한 물질은 슬러지 형성 및 제 1 주석 손실을 유발할 수 있는 2가 주석의 4가 주석으로의 산화를 지연시킨다. 첨가될 산화방지제의 바람직한 양은 조성물의 1 내지 50 g/ℓ, 가장 바람직하게는 조성물의 2.5 내지 20 g/ℓ 범위이다. 전형적인 산화방지제는 예를 들면, US-A- 3 749 649에 기재되어 있고 1,2,3-트리하이드록시벤젠, 1,2-디하이드록시벤젠, 1,2-디하이드록시벤젠-4-설폰산, 1,2-디하이드록시벤젠-3,5-디설폰산, 1,4-디하이드록시벤젠, 1,4-디하이드록시벤젠-2-설폰산, 1,4-디하이드록시벤젠-2,5-디설폰산 또는 바나듐 펜톡사이드가 포함된다.Antioxidants may optionally be added. Such materials delay the oxidation of divalent tin to tetravalent tin, which can lead to sludge formation and loss of first tin. The preferred amount of antioxidant to be added is in the range of 1 to 50 g / l of the composition, most preferably 2.5 to 20 g / l of the composition. Typical antioxidants are described, for example, in US Pat. No. 3,749,649 and 1,2,3-trihydroxybenzene, 1,2-dihydroxybenzene, 1,2-dihydroxybenzene-4- Sulfonic acid, 1,2-dihydroxybenzene-3,5-disulfonic acid, 1,4-dihydroxybenzene, 1,4-dihydroxybenzene-2-sulfonic acid, 1,4-dihydroxybenzene -2,5-disulfonic acid or vanadium pentoxide.

본 발명의 조성물은 또한 치환체 중 적어도 하나가 2급, 3급 또는 4급 질소 원자를 포함하는 일-, 이- 또는 삼-치환된 페놀 (각각 임의로 알콕실화됨)을 함유하는 하나 이상의 첨가제를 포함한다. 페놀은 바람직하게는 2,4 또는 2,6-이치환된 또는 2,4,6-삼치환된 페놀이다.The compositions of the invention also include one or more additives wherein at least one of the substituents contains mono-, di- or tri-substituted phenols, each optionally optionally alkoxylated, containing secondary, tertiary or quaternary nitrogen atoms. do. The phenol is preferably 2,4 or 2,6-disubstituted or 2,4,6-trisubstituted phenol.

첨가제는 화학식 1을 갖는다.The additive has the formula (1).

상기식에서,In the above formula,

Y는 알킬렌, CH2CH2O 또는 CH(CH3)CH2O 이고,Y is alkylene, CH 2 CH 2 O or CH (CH 3 ) CH 2 O,

n3은 0 내지 10이며,n 3 is 0 to 10,

Y가 알킬렌일 경우 n3은 1이며,N 3 is 1 when Y is alkylene,

R은 화학식 1a의 그룹이며,R is a group of formula 1a,

R3은 H, 알킬, 아릴, 하이드록실 또는 CHO이며, 단, R3이 하이드록실 또는 CHO인 경우, n2은 1 내지 3이며, R3가 H, 알킬 또는 아릴인 경우, n2은 1이며,R 3 is H, alkyl, aryl, hydroxyl or CHO, provided that when R 3 is hydroxyl or CHO n 2 is 1 to 3, and when R 3 is H, alkyl or aryl, n 2 is 1 Is,

R4는 H, 알킬, 사이클로알킬, 하이드록시알킬 또는 알콕시알킬이며,R 4 is H, alkyl, cycloalkyl, hydroxyalkyl or alkoxyalkyl,

R5는 추가 치환될 수 있는, O 또는 N 원자에 의해서 임의로 간섭된 알킬이며,R 5 is alkyl optionally interrupted by O or N atoms, which may be further substituted,

X는 임의로 추가 치환된 페놀(임의로 알콕실화됨) 라디칼이며,X is an optionally further substituted phenol (optionally alkoxylated) radical,

n은 0 또는 1이며,n is 0 or 1,

n1은 1 내지 7이며,n 1 is 1 to 7,

n이 0일 경우, n1은 1이며,If n is 0, n 1 is 1,

n이 1일 경우, n1은 1 내지 7이며,when n is 1, n 1 is 1 to 7,

R은 임의로 황산, 톨루엔설폰산, 설팜산, 페놀설폰산 및 메탄설폰산과 같은 산과의 반응에 의해 형성된 4급 암모늄염일 수 있다.R may optionally be a quaternary ammonium salt formed by reaction with acids such as sulfuric acid, toluenesulfonic acid, sulfamic acid, phenolsulfonic acid and methanesulfonic acid.

R1과 R2는 (동일하거나 상이할 수 있고) R, H 또는 임의로 치환된 알킬이다.R 1 and R 2 (which may be the same or different) are R, H or optionally substituted alkyl.

특히 바람직한 예에는 화학식 2a, 2b, 2c, 2d의 화합물들이 포함된다.Particularly preferred examples include compounds of the formulas 2a, 2b, 2c, 2d.

상기식에서,In the above formula,

R1은 CH3, CH2CH3CH(CH3)2또는 C(CH3)3이고,R 1 is CH 3 , CH 2 CH 3 CH (CH 3 ) 2 or C (CH 3 ) 3 ,

n은 1 내지 7이며,n is 1 to 7,

x는 0 내지 10이다.x is 0 to 10.

상기식에서,In the above formula,

R1은 CH3CH2CH3, CH(CH3)2또는 C(CH3)3이다.R 1 is CH 3 CH 2 CH 3 , CH (CH 3 ) 2 or C (CH 3 ) 3 .

상기식에서,In the above formula,

R1은 CH3, CH2CH3, CH(CH3)2또는 C(CH3)3이고,R 1 is CH 3 , CH 2 CH 3 , CH (CH 3 ) 2 or C (CH 3 ) 3 ,

n은 1 내지 7이다.n is 1 to 7.

상기식에서,In the above formula,

R은 -CH2NHCH2CH2NHCH2CH2OH이고,R is -CH 2 NHCH 2 CH 2 NHCH 2 CH 2 OH,

R1은 -CH3,, -CH2CH3또는 -C(CH3)3이며,R 1 is —CH 3 ,, —CH 2 CH 3 or —C (CH 3 ) 3 ,

R2는 H 또는 R이다.R 2 is H or R.

당해분야의 기술자들에게 공지된 바와 같이 이러한 첨가제는 산성 또는 염기성 조건 하에서 페놀의 알데히드 및 아민과의 축합에 의해 편리하게 제조할 수 있다. 페놀:아민:알데히드의 몰 비율은 광범위에 걸쳐서 다양할 수 있고, 전형적으로 범위는 1:1:1 내지 1:2:2일 것이다. 당해분야의 기술자들에게 명백하게 될 바와 같이 이러한 반응은 단량체 산물과 중합체 산물의 혼합물을 생성할 것이다. 반응 산물은 또한 에틸렌 또는 프로필렌 옥사이드로 알콕실화될 수 있다. 어떠한 페놀, 아민 및 알데히드도 사용될 수 있지만, 바람직한 예로 하기의 화합물이 포함된다.As known to those skilled in the art, such additives may be conveniently prepared by condensation of phenols with aldehydes and amines under acidic or basic conditions. The molar ratio of phenol: amine: aldehyde may vary over a wide range, typically in the range 1: 1: 1 to 1: 2: 2. As will be apparent to those skilled in the art, this reaction will produce a mixture of monomer product and polymer product. The reaction product may also be alkoxylated with ethylene or propylene oxide. Any phenol, amine and aldehyde may be used, but preferred examples include the following compounds.

페놀: 알킬 그룹이 메틸, 에틸, 이소프로필, n-부틸, sec-부틸, tert-부틸, 이소아밀, 헥실, 및 노닐인 오르토 및/또는 파라 알킬페놀.Phenols: Ortho and / or para alkylphenols where the alkyl groups are methyl, ethyl, isopropyl, n-butyl, sec-butyl, tert-butyl, isoamyl, hexyl, and nonyl.

디페놀: 2,2-비스(4-하이드록시페닐)프로판 또는 4,4'-디하이드록시디페닐설폰.Diphenol: 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane or 4,4'-dihydroxydiphenylsulfone.

알데히드: 포름알데히드, 아세트알데히드, 글리옥살.Aldehyde: formaldehyde, acetaldehyde, glyoxal.

아민: 메틸아민, 디메틸아민, 에틸아민, 디에틸아민, n- 또는 이소-프로필아민, n- 또는 sec-부틸아민, n-헥실아민, 에탄올아민, 디에탄올아민, n 또는 이소-프로판올아민, 2-아미노부탄올, 4-아미노부탄올, 2-아미노-5-디에틸아미노펜탄, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올, 2-아미노-2-에틸-1,3-프로판디올.Amines: methylamine, dimethylamine, ethylamine, diethylamine, n- or iso-propylamine, n- or sec-butylamine, n-hexylamine, ethanolamine, diethanolamine, n or iso-propanolamine, 2-aminobutanol, 4-aminobutanol, 2-amino-5-diethylaminopentane, 2- (2-aminoethoxy) ethanol, 2- (2-aminoethylamino) ethanol, 2-amino-2-ethyl -1,3-propanediol.

본 발명의 조성물이 주석 도금을 위해 사용될 경우 다른 첨가제를 사용함으로써 수득될 수 있는 것보다 더 적은 표면 결함과 함께 더 넓은 도금 범위 및 더 광택이 나는 플레이트를 제공한다.When the composition of the present invention is used for tin plating, it provides a wider plating range and a more shiny plate with fewer surface defects than can be obtained by using other additives.

본 발명의 조성물 및 방법을 사용하여 주석-도금될 수 있는 표면은 통상적으로 주석-도금될 수 있는 표면, 예를 들면, 스틸 또는 구리이다.Surfaces that can be tin-plated using the compositions and methods of the invention are typically surfaces that can be tin-plated, such as steel or copper.

실시예 1Example 1

본 실시예는 바람직한 첨가제가 염기성 촉매 작용을 사용하여 어떻게 합성될 수 있는지를 설명한다.This example illustrates how preferred additives can be synthesized using basic catalysis.

치환 페놀 (1 몰), 물 (페놀을 기준으로하여 동등량) 및 나트륨 하이드록사이드 (0.2 몰)을 반응기에 부여한다. 혼합물을 투명한 용액이 수득될 때까지 60℃에서 교반하면서 가열한다.Substituted phenol (1 mole), water (equivalent amount based on phenol) and sodium hydroxide (0.2 mole) are added to the reactor. The mixture is heated with stirring at 60 ° C. until a clear solution is obtained.

아민 (2 몰)을 제 2 반응기에 부여하고 알데히드 (2 몰)를 60℃ 이하의 온도를 유지하면서 교반하에 서서히 첨가한다. 이 용액을 제 1 반응기내 알킬페놀 용액에 첨가하고 혼합물을 100℃에서 30분 동안 가열한다.Amine (2 moles) is added to the second reactor and aldehyde (2 moles) is added slowly under stirring while maintaining a temperature of 60 ° C. or less. This solution is added to the alkylphenol solution in the first reactor and the mixture is heated at 100 ° C. for 30 minutes.

하기의 실시예는 이러한 합성 방법을 설명한다.The following examples illustrate this synthesis method.

실시예 번호Example number 페놀phenol 아민Amine 알데히드Aldehyde 22 4-메틸페놀4-methylphenol 에탄올아민Ethanolamine 포름알데히드Formaldehyde 33 4-tert 부틸페놀4-tert butylphenol 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올2- (2-aminoethylamino) ethanol 포름알데히드Formaldehyde 44 4,4'-이소프로필리덴-디페놀4,4'-isopropylidene-diphenol 디에탄올아민Diethanolamine 포름알데히드Formaldehyde 55 4-에틸페놀4-ethylphenol 이소-프로판올아민Iso-propanolamine 포름알데히드Formaldehyde 66 4-tert 부틸페놀4-tert butylphenol 디에탄올아민Diethanolamine 포름알데히드Formaldehyde 77 4-tert 부틸페놀4-tert butylphenol 에탄올아민Ethanolamine 포름알데히드Formaldehyde 88 3-메틸페놀3-methylphenol 에탄올아민Ethanolamine 글리옥살Glyoxal 99 4-노닐페놀7몰 에톡실레이트4-nonylphenol 7 mole ethoxylate 에탄올아민Ethanolamine 포름알데히드Formaldehyde 1010 4-tert 부틸페놀1몰 에톡실레이트4-tert butylphenol 1 mole ethoxylate 2-아미노-2-에틸프로판디올2-amino-2-ethylpropanediol 포름알데히드Formaldehyde

실시예 11Example 11

본 실시예는 바람직한 첨가제가 산 촉매작용을 사용하여 어떻게 제조될 수 있는지를 설명한다.This example illustrates how preferred additives can be prepared using acid catalysis.

온도를 60℃ 이하로 유지하면서 포름알데히드 (2 몰)를 교반하면서 에탄올아민 (2 몰)에 서서히 첨가한다. 물 (108 g)을 첨가하고 혼합물을 황산을 사용하여 pH 3으로 산성화한다. 혼합물을 60℃로 가열하고 p-크레졸 (1 몰)을 첨가한다. 첨가 완료시 혼합물을 100℃로 3분 동안 가열하고 이어서 냉각한다.Formaldehyde (2 moles) is slowly added to ethanolamine (2 moles) while maintaining the temperature below 60 ° C. Water (108 g) is added and the mixture is acidified to pH 3 with sulfuric acid. The mixture is heated to 60 ° C. and p-cresol (1 mole) is added. On completion of the addition the mixture is heated to 100 ° C. for 3 minutes and then cooled.

다양한 조성물의 전기도금 특성을 Hull Cell내 총 전류 3 amp로 1분 동안 50℃에서 측정한다. 나트륨 하이드록사이드내 침지, 이어서 물 세정 및 18.5% 염산내 침지에 의해 예비-청정된 10 cm x 6 cm 강판이 하기의 모든 실시예에서 사용된다.Electroplating properties of the various compositions are measured at 50 ° C. for 1 minute with a total current of 3 amps in Hull Cell. A 10 cm x 6 cm steel sheet pre-cleaned by dipping in sodium hydroxide followed by water washing and dipping in 18.5% hydrochloric acid is used in all examples below.

사용된 수성 조성물이 표 2에 예시되어 있고, 실시예 12 내지 22는 본 발명에 따른 것이고, 반면에 실시예 23 및 24는 비교를 위해 제공되었다.The aqueous compositions used are illustrated in Table 2 and Examples 12-22 are according to the present invention, while Examples 23 and 24 are provided for comparison.

실시예 12 및 14 내지 21에서 조성물은 1g/ℓ의 산화방지제 (1,2-디하이드록시벤젠-4-설폰산)를 포함한다. 모든 경우의 주석원은 Sn++로서 계산된 30 g/ℓ 양의 주석 설페이트이다.In Examples 12 and 14-21 the composition comprises 1 g / l antioxidant (1,2-dihydroxybenzene-4-sulfonic acid). The tin source in all cases is the tin sulfate in the amount of 30 g / l calculated as Sn ++ .

실시예번호Example Number mountain 산 농도(g/ℓ)Acid concentration (g / ℓ) 첨가제(실시예 당)Additives (per example) 첨가제 농도(g/ℓ)Additive concentration (g / ℓ) 도금 범위(A/dm2) x 10Plating range (A / dm 2 ) x 10 1212 황산Sulfuric acid 6060 (4)(4) 66 15-6715-67 1313 PSAPSA 6060 (5)(5) 66 5.4-905.4-90 1414 PTSA/설팜산PTSA / sulfamic acid 10/5010/50 9 부 (2) +1 부 (3)Part 9 (2) + Part 1 (3) 66 6.5-906.5-90 1515 PTSA/황산PTSA / Sulfate 40/5040/50 (11)(11) 66 5.4-375.4-37 1616 벤젠설폰산Benzene sulfonic acid 6060 1 부 (2) +1 부 (6)Part 1 (2) + Part 1 (6) 66 10-5510-55 1717 황산Sulfuric acid 5050 (8)(8) 66 11-8211-82 1818 메탄설폰산Methanesulfonic acid 6060 (7)(7) 66 5.4-385.4-38 1919 메탄설폰산Methanesulfonic acid 5050 (9)(9) 33 6-586-58 2020 PTSA/황산PTSA / Sulfate 10/4010/40 8 부 (3) +2 부 (9)Part 8 (3) + Part 2 (9) 55 5.4-705.4-70 2121 PTSA/황산PTSA / Sulfate 10/5010/50 9 부 (2) +1 부 (9)Part 9 (2) + Part 1 (9) 66 5.4-905.4-90 2222 PSAPSA 4040 (10)10 66 11-7411-74 2323 PSAPSA 6060 ENSA 6ENSA 6 44 9-549-54 2424 PSAPSA 6060 Diphone VDiphone V 55 7-527-52 모든 농도는 물을 포함하여 조성물의 g/ℓ이다.PSA는 페놀 설폰산이다.PTSA는 파라 톨루엔 설폰산이다.All concentrations are g / l of the composition, including water. PSA is phenol sulfonic acid. PTSA is para toluene sulfonic acid.

Claims (17)

a) 황산, 설팜산, 아릴 설폰산, 알킬 설폰산 및 알칸올 설폰산 중에서 선택되는 하나 이상의 산,a) at least one acid selected from sulfuric acid, sulfamic acid, aryl sulfonic acid, alkyl sulfonic acid and alkanol sulfonic acid, b) 치환체 중 적어도 하나가 2급, 3급 또는 4급 질소 원자를 포함하는 일-, 이- 또는 삼-치환된 페놀 (각각 임의로 알콕실화됨) 또는 이들 화합물의 둘 이상의 혼합물을 포함하는 하나 이상의 첨가제,b) at least one of the mono-, di- or tri-substituted phenols (each optionally alkoxylated) comprising secondary, tertiary or quaternary nitrogen atoms or at least one mixture of two or more of these compounds additive, c) 주석원, 및c) annotation sources, and d) 물을 포함하는, 표면을 주석으로 전기도금시키기 위한 방법에 사용하기 적합한 조성물.d) a composition suitable for use in a method for electroplating a surface with tin, comprising water. 제 1 항에 있어서, 페놀이 2,4 또는 2,6-이치환된 또는 2,4,6-삼치환된 페놀인 조성물.The composition of claim 1 wherein the phenol is 2,4 or 2,6-disubstituted or 2,4,6-trisubstituted phenol. 제 1 항 또는 2 항에 있어서, 주석원이 주석염인 조성물.The composition of claim 1 or 2, wherein the tin source is tin salt. 제 1 항 내지 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 하나 이상의 산이 황산, 설팜산, 페놀-4-설폰산, 톨루엔 2- 또는 4-설폰산 또는 메탄설폰산 중에서 선택되는 조성물.The composition of claim 1, wherein the one or more acids are selected from sulfuric acid, sulfamic acid, phenol-4-sulfonic acid, toluene 2- or 4-sulfonic acid or methanesulfonic acid. 제 1 항 내지 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 산(들)이 조성물(조성물에 관하여)의 25 내지 500 g/ℓ 총 농도로 존재하는 조성물.5. The composition of claim 1, wherein the acid (s) is present at a total concentration of 25 to 500 g / l of the composition (relative to the composition). 제 5 항에 있어서, 산(들)이 30 내지 250 g/ℓ의 농도로 존재하는 조성물.6. The composition of claim 5 wherein the acid (s) is present at a concentration of 30 to 250 g / l. 제 6 항에 있어서, 산(들)이 30 내지 100 g/ℓ의 농도로 존재하는 조성물.7. The composition of claim 6 wherein the acid (s) is present at a concentration of 30 to 100 g / l. 제 1 항 내지 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 주석원이 조성물에 관하여 5 내지 100 g/ℓ의 농도로 조성물에 존재하는 조성물.The composition of claim 1, wherein the tin source is present in the composition at a concentration of 5 to 100 g / l relative to the composition. 제 8 항에 있어서, 주석원이 15 내지 60 g/ℓ의 양으로 존재하는 조성물.9. The composition of claim 8 wherein the tin source is present in an amount of 15 to 60 g / l. 제 1 항 내지 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 또한 산화방지제를 포함하는 조성물.10. A composition according to any one of claims 1 to 9, which further comprises an antioxidant. 제 10 항에 있어서, 산화방지제가 조성물의 1 내지 50 g/ℓ의 양으로 존재하는 조성물.The composition of claim 10 wherein the antioxidant is present in an amount of 1 to 50 g / l of the composition. 제 11 항에 있어서, 산화방지제가 조성물의 2.5 내지 20 g/ℓ의 양으로 존재하는 조성물.The composition of claim 11 wherein the antioxidant is present in an amount of 2.5 to 20 g / l of the composition. 제 1 항 내지 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 하나 이상의 첨가제가 화학식 1의 화합물로부터 선택되는 조성물.13. The composition of any one of the preceding claims, wherein at least one additive is selected from compounds of formula (I). 화학식 1Formula 1 화학식 1aFormula 1a 상기식에서,In the above formula, Y는 알킬렌, CH2CH2O 또는 CH(CH3)CH2O 이고,Y is alkylene, CH 2 CH 2 O or CH (CH 3 ) CH 2 O, n3은 0 내지 10이며,n 3 is 0 to 10, Y가 알킬렌일 경우 n3은 1이며,N 3 is 1 when Y is alkylene, R은 화학식 1a의 그룹이며,R is a group of formula 1a, R3은 H, 알킬, 아릴, 하이드록실 또는 CHO이며, 단, R3이 하이드록실 또는 CHO인 경우, n2은 1 내지 3이며, R3가 H, 알킬 또는 아릴인 경우, n2은 1이며,R 3 is H, alkyl, aryl, hydroxyl or CHO, provided that when R 3 is hydroxyl or CHO n 2 is 1 to 3, and when R 3 is H, alkyl or aryl, n 2 is 1 Is, R4는 H, 알킬, 사이클로알킬, 하이드록시알킬 또는 알콕시알킬이며,R 4 is H, alkyl, cycloalkyl, hydroxyalkyl or alkoxyalkyl, R5는 추가 치환될 수 있는, O 또는 N 원자에 의해서 임의로 간섭된 알킬이며,R 5 is alkyl optionally interrupted by O or N atoms, which may be further substituted, X는 임의로 추가 치환된 페놀(임의로 알콕실화됨) 라디칼이며,X is an optionally further substituted phenol (optionally alkoxylated) radical, n은 0 또는 1이며,n is 0 or 1, n1은 1 내지 7이며,n 1 is 1 to 7, n이 0일 경우, n1은 1이며,If n is 0, n 1 is 1, n이 1일 경우, n1은 1 내지 7이며,when n is 1, n 1 is 1 to 7, R은 황산, 톨루엔설폰산, 설팜산, 페놀설폰산 및 메탄설폰산과 같은 산과의 반응에 의해 형성된 4급 암모늄염이며,R is a quaternary ammonium salt formed by reaction with acids such as sulfuric acid, toluenesulfonic acid, sulfamic acid, phenolsulfonic acid and methanesulfonic acid, R1과 R2는 동일하거나 상이할 수 있고, R, H 또는 임의로 추가 치환된 알킬이다.R 1 and R 2 may be the same or different and are R, H or optionally further substituted alkyl. 제 13 항에 있어서, 하나 이상의 첨가제가 화학식 1, 2c 및 2d의 화합물로부터 선택되는 조성물.The composition of claim 13, wherein the at least one additive is selected from compounds of Formulas 1, 2c and 2d. 화학식 1Formula 1 화학식 1aFormula 1a 상기식에서,In the above formula, Y는 알킬렌, CH2CH2O 또는 CH(CH3)CH2O 이고,Y is alkylene, CH 2 CH 2 O or CH (CH 3 ) CH 2 O, n3은 0 내지 10이며,n 3 is 0 to 10, Y가 알킬렌일 경우 n3은 1이며,N 3 is 1 when Y is alkylene, R은 화학식 1a의 그룹이다.R is a group of formula 1a. 화학식 2cFormula 2c 상기식에서,In the above formula, R1은 CH3, CH2CH3, CH(CH3)2또는 C(CH3)3이고,R 1 is CH 3 , CH 2 CH 3 , CH (CH 3 ) 2 or C (CH 3 ) 3 , n은 1 내지 7이다.n is 1 to 7. 화학식 2dFormula 2d 상기식에서,In the above formula, R은 -CH2NHCH2CH2NHCH2CH2OH이고,R is -CH 2 NHCH 2 CH 2 NHCH 2 CH 2 OH, R1은 -CH3,, -CH2CH3또는 -C(CH3)3이며,R 1 is —CH 3 ,, —CH 2 CH 3 or —C (CH 3 ) 3 , R2는 H 또는 R이다.R 2 is H or R. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에서 청구한 조성물의 사용을 포함하는 표면의 주석 도금 방법.A method of tin plating of a surface comprising the use of a composition as claimed in claim 1. 제 15 항에 있어서, 과정이 스트립 또는 와이어 도금 과정인 방법.The method of claim 15, wherein the process is a strip or wire plating process. 제 1 항 내지 14 항 중 어느 한 항의 조성물 및/또는 제 15 항 또는 16 항의 방법을 사용하여 주석-도금된 표면.A tin-plated surface using the composition of any one of claims 1 to 14 and / or the method of claim 15 or 16.
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