KR19990063869A - 동적 적외선 장면 영사기 - Google Patents
동적 적외선 장면 영사기Info
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Abstract
배타적이진 않을지라도 특이성을 갖는 적외선 검출 시스템을 사용하기 위한 동적 적외선 장면 영사기는 열 영상 또는 검색 시스템으로 사용한다. 이러한 시스템에서, 동적 적외선 장면 영사기는 테스팅 및 측정을 위해 열 장면을 시뮬레이팅하는데 사용된다. 장치는 포지티브 및 네가티브 루미네슨스 방사할수 있는, 전자 발광 반도체 다이오드 구조물 어레이, 및 포지티브 및 네가티브 루미네슨스의 방사가 제어될 수 있도록 독립적으로 각각의 다이오드에 두 극성의 전류를 공급하는 전자 회로를 구비한다. 어레이내의 다이오드 구조물은 좁은 대역차 반도체 재료, 예를 들어, Hg1-xCdxTe, In1-xAlxSb, Hg1-xZnxTe, In1-xTlxSb 재료 시스템(x는 성분비)에 근거한다. 양호한 실시예에서, 다이오드들은 3내지5㎛ 또는 8내지13㎛의 파장 범위로 적외선 방사를 할 수 있다. 다이오드 구조물의 네가티브 루미네슨스 특성를 활용함으로써, 동적 적외선 장면 영사기는 광범위의 온도, 및 외부적 극저온 냉각없이 특히 저온을 시뮬레이팅할 수 있다. 동적 적외선 장면 영사기는 기존의 시스템으로 실현할 수 있는 것보다 더 빠른 열 영상기 프레임 속도의 사용을 허용한다.
Description
적외선 검출 시스템은 일반적으로 열 영상 시스템중의 카테고리이며, 적외선 장면은 옵저버 또는 검색 시스템에 존재하며, 집속 평면으로부터의 정보는 컴퓨터에 의해 직접 활성된다. 열 영상 신데사이저로서 알려진 동적 적외선 장면 영사기(DIRSP)는 현재 이들 적외선 집속 평면 검출기 어레이 시스템의 동적 테스팅을 위해 사용된다.
임의의 적외선 시스템은 최소 해상 온도 차(MRTD), 노이즈 등가 온도 차(NETD), 및 공간 해상도(MTF)등의 성능을 결정하고 시간에 따른 시스템의 낙후를 모니터링하는 정적 테스팅이 필수적이다. 이러한 테스팅은 전형적으로 온도차 및 공간 주파수의 변화를 갖는 한 개 이상의 열 장면의 시뮬레이션을 요구한다. 이러한 테스트를 실행하는 기존의 수단은 전기적으로 가열된 영역 또는 온도 구분의 바(bar)를 포함하는 슈도 블랙바디 소스를 활용한다. 이 바(bar)들간의 온도차는 MRTD 또는 NETD를 설정하기 위해 변화될 수 있으며, MTF는 구조물의 분명한 크기로부터 결정된다. 전형적으로, 소스들은 저 주파수 응답을 갖는 크기로 몇몇 센티미터의 가열된 바들로 구성되며, 따라서, 적외선 검출 시스템의 동적 테스팅을 위해 사용될 수 없다.
동적 테스팅은 모든 적외선 검출 시스템에 유용하며, 특히, 적외선 검출기, 광학 장치, 신호 처리, 짐벌 및 트래킹 알고리즘 등으로 구성된, 전체 시스템의 기능을 테스트하기 위해, 미사일 검색 시스템에 유용하다. 1 kHz까지의 프레임 속도로 변경될 수 있는 2차원 배열의 적외선 장면을 시뮬레이팅하고 투영할 것이 요구된다. 350℃까지 범위의 온도가 요구된다.
상기 요구를 충족하는 현재 사용가능한 DIRSP는 존재하지 않는다. 개발중인 전형적인 DIRSP 시스템의 한 종류는 저항적으로 가열된 화소의 2차원 배열, 실리콘 집적 회로에 근거한다. 그러나, 이러한 시스템은 상당한 불편한 정도의 열을 방사하며, 실현가능한 최대 프레임 속도는 약 100 Hz이다. 또한, 실제의 열 장면들은, 장면내의 금속 물체로부터 반사되는 것과 검출기에 의해 직접 보여지는 차가운 하늘로부터 기인한, 주위 온도에 비해 매우 차가운 온도인 물체를 흔히 포함한다. 저항 영사기 어레이는 값비싼 극저온 냉각 장비가 활용되지 않는한 이러한 차가운 온도를 시뮬레이팅할 수 없다.
본 발명은 적외선 검출 시스템을 테스팅하는데 사용하기 위한 동적 적외선 장면 영사기(DIRSP)에 관한 것이다.
도 1은 그 설계가 종래 기술로 공지된 기본 열 영상 시스템을 테스팅하기 위한 시스템의 개략도.
도 2는 본 발명에서 사용된 대로, 전자 발광 다이오드의 어레이의 개략도.
도 3 및 도 4는 본 발명에서 사용된 다층 다이오드 구조물의 개략도.
도 5는 순바이어스 및 역바이어스하에 InSb 장치로부터 방사된 방사선의 스펙트럼도.
도 6은 역바이어스하에 Hg1-xCdxTe 장치에 대한 네가티브 루미네슨스 스펙트럼 및 스펙트럼 응답을 도시한 도면.
도 7은 장치내에 사용된 전형적인 이멀젼(immersion) 광학 장치의 개략도.
도 8은 장치내의 광학 집중 장치로서 사용된 전형적인 윈스톤 콘 장치의 개략도.
도 9는 다이오드 어레이에 대해 포지티브 및 네가티브 극성 전류를 공급하도록 사용된 전자 장치를 도시한 도면.
도 10은 다이오드 어레이용의 행-열 어드레싱 회로의 블록도.
본 발명은 적외선 검출 시스템의 테스팅을 위한 동적 적외선 장면 검출기로서 발광 다이오드 어레이를 사용하는 것을 목적으로 한다. 장치는 특히, 열 영상 시스템 또는 검색 시스템의 테스팅에서 사용된다. 구동 장치는 포지티브 및 네가티브 루미네슨스의 방사를 가능하게 하도록 다이오드에 인가될 역방향 및 순방향 바이어스를 허용한다. 발광 다이오드는 네가티브 루미네슨스를 가능하게 하는 헤테로 구조물 장치이다[즉, 미국 특허 5016073]. 본 발명은 저항성 가열에 근거한 전형적인 시스템에 관련된 몇몇 문제점들을 극복한다. 예를 들어, 전력 소산은 더 낮아지며, 따라서, 과도한 냉각에 대한 요구를 감소시키고, 전자 발광의 기본 스위칭 속도는 매우 빠른 프레임 속도가 가능하게 한다. 또한, 주위 온도 미만의 차가운 장면 온도는 네가티브 발광의 사용에 의해 시뮬레이팅될 수 있다.
본 발명에 따라, 적외선 검출 시스템의 테스팅을 위해 동적 적외선 장면 영사기로서 사용되는 장치에 있어서,
포지티브 및 네가티브 루미네슨스를 방사할 수 있는 적외선 발광 다이오드 구조물 어레이; 및
각각의 적외선 발광 다이오드에 독립적으로 포지티브 및 네가티브 극성 전류를 공급하는 수단을 구비하며,
포지티브 및 네가티브 루미네슨스는 각각의 다이오드 구조물로부터 방사되게 된다.
양호한 실시예에서, 상기 다이오드 구조물은 3 내지 5 ㎛ 또는 8 내지 13 ㎛ 파장 범위로 방사선을 방사하고 흡수한다.
또다른 양호한 실시예에서, 상기 다이오드 구조물은 좁은 대역차 반도체 재료로부터 형성된다.
상기 다이오드 구조물은 수은 카드뮴 텔루라이드(Hg1-xCdxTe) 재료, 인듐 알루미늄 안티모나이드(In1-xAlxSb) 재료, 수은 아연 텔루라이드(Hg1-xZnxTe) 재료, 또는 인듐 탈륨 안티모나이드(In1-xTlxSb) 재료 시스템에 근거하는 동적 적외선 장면 영사기로서 사용되며, 여기서, x는 성분비이다.
상기 장치는 상기 다이오드 구조물의 표면상에 광학 집중 장치 어레이를 포함한다.
상기 장치는 상기 다이오드 구조물의 표면상에 윈스톤 콘 어레이를 포함한다.
상기 장치는 다이오드 구조물의 표면상의 렌즈 어레이를 포함한다.
본 발명은 다음 도면들을 참조하여, 단지 설명을 위해 상술된다.
도 1에 있어서, 전형적인 열 영상 시스템(thermal imaging system)은 적외선 검출기 어레이(1) 및 관련 렌즈 또는 렌즈 장치(2)를 구비한다. 동적 적외선 장면 영사기(dynamic infrared scene projector)는 영사기 어레이(3) 및 관련 렌즈 또는 렌즈 장치(4)를 구비한다. 영사기 어레이 및 검출기 어레이용의 제어 전자 장치도 또한 도시되어 있다. 적외선 검출기 어레이(1)는, 예를 들어, 저항성 볼로메트릭 검출기 어레이 또는 광기전(photovoltaic) 검출기 어레이이다. 기존의 시스템에서, 영사기 어레이(3)는 실리콘 집적 시스템에 의해 구동되는 2차원 배열의 저항 어레이이다. 그러나, 이러한 시스템은 몇몇 관련된 문제점들이 있다. 예를 들어, 이들 시스템은 저 프레임 속도(~100Hz)로만 동작할 수 있고, 광대한 극저온 냉각으로 냉온 시뮬레이션만을 실현할 수 있다. 또, 이들 시스템은 불편할 정도의 상당량의 열을 방사한다.
본 발명에서, 영사기 어레이(3)는 포지티브 및 네가티브 루미네슨스 발광을 할 수 있는 적외선 발광 다이오드 구조물 어레이이다. 도 2에는 발광 다이오드(전자 발광 다이오드로 언급되기도 함) 어레이를 개략적으로 도시하고 있다. 어레이는 임의의 개수의 다이오드 소자(또는 화소)(5)를 구비하는데, 최적의 개수는 시험을 통해 적외선 검출기 어레이내의 소자 개수에 따른다. 실제로는 어레이가 상당히 크지만, 단순화를 위해 5행(6) 5열(7) 어레이가 도시되어 있다. 일반적으로, 영사기 어레이내의 화소 수는 시험하에 최소한 검출기 어레이내의 화소 수와 동일해야 하며, 에일리어싱을 피하기 위해서 이상적으로는 검출기 어레이내의 화소 수의 4배(즉, 행-열 각 방향으로 2배)가 된다. 예를 들어, 적외선 검출기 시스템이 InSb 검출기들의 256 x 256 어레이를 갖는다면, 512 x 512 영사기 어레이로 동작되는 것이 바람직하다.
전자 발광 다이오드 구조물을 활용하는 동적 적외선 장면 영사기는 2차원의 저항 어레이를 활용하는 기존의 시스템에 비해 몇몇 장점이 있다. 예를 들어, 이러한 장치들로부터 네가티브 루미네슨스를 활용함으로써, 기존의 시스템에 요구되는 지나친 냉각없이 냉온으로 시뮬레이팅할 수 있다. 이러한 발광 어레이는 또한 기존의 시스템으로 실현될 수 있는 것보다 더 빠른 프레임 속도를 사용할 수 있게 한다.
도 3 및 도 4는 각각 In1-xAlxSb 및 Hg1-xCdxTe의 다이오드 구조물의 개략도이며, 여기서, x는 성분비이다. 먼저, 이 구조물은 적정 기판상에서 에픽택셜 성장된다. 어레이는 메사 에칭 또는 이온 빔 밀링등의 표준 기술을 이용하여 기판상에 형성된다. 이들 기술은 당업자들에게는 친숙한 것이다.
도 3에서, 도시된 장치는 InSb/In1-xAlxSb 시스템에 근거하며 4개 층의 p+-p +-π-n 구조물인데, 여기서, p+층(8)은 In0.85Al0.15Sb의 형태이다. 실시예는 단지 설명을 목적으로 하며 장치는 사실상 도핑 레벨의 다수의 성분비 및 결합비중의 하나를 갖는다. 이 구조물은 InSb 기판(9)상에 분자살(molecular beam) 에피택시에 의해 성장되며, 이 기술은 당업자들에게 정규적인 것이다[T.Ashley 등, 세미콘드. Sci. Tech. 8 S386(1993)].
p+층(10)의 용도는 In0.85Al0.15Sb 영역(8)에 대해 저 저항성, 저 주입 접촉을 제공하는 것이다. n+층(11)은 1㎛ 두께를 가지며, 전기 레벨에 대해 실리콘으로 2 x 1018cm-3로 도핑된다. p+(10) 및p +(8) 영역은 각각 1㎛ 및 200Å의 두께를 가지며, 베릴륨(Be)으로 2 x 1018cm-3로 도핑된다. In1-xAlxSb 장벽(8)의 성분비 x는 0.15이다. 중앙의 π 영역(12)은 1.3㎛ 두께이며, 정교하게 도핑되지 않는다. 직경 300㎛의 원형 다이오드는 p+영역(10)에 대해 메사 에칭에 의해 제조된다. 스퍼터링된 크롬/금 접촉부(13)는 각각의 메사 구조물의 상단부 및 p+영역(10)에 인가된다. 메사 구조물로부터 방사된 적외선이 또한 표시되어 있다. 이 구조물의 표면에는 예를 들어, 0.7㎛의 주석 산화물로 항반사성 코팅된다.
도 4에 있어서, 장치는 Hg1-xCdxTe 시스템에 근거하며, 3개 층p +-p-n +구조물을 갖는다. 이 구조물은 GaAs 기판상의 내부확산 다층 처리를 이용하여 금속 유기적 기상 에피택시에 의해 성장된다[S.J.C. Irvine 등, Materials Letter 2, 305(1984)]. 이 기술은 당업자들에게 친숙한 것이다. 실시예에서, Hg1-xCdxTe 장치는 활성 π영역(15)내에 0.184,p +영역(16)내에 x=0.35, 및n +영역(17)내에 x=0.23의 성분비를 갖는다. π 및p + 층은 각각 7x1015cm-3및 1x1017cm-3의 레벨의 비소로 도핑되고 n+영역은 3x1017cm-3의 레벨의 요오드로 도핑된다. 다이오드 구조물은 원형 트랜치를 에칭함으로써 모놀리식으로 재료를 정의하여,p +영역에 대해 공통 접촉부(18)를 갖는 요구된 개수의 선형 어레이를 형성한다. 완료된 메사 장치는 그후 약 0.3㎛ 두께(도시않됨)의 아연 황화물로 패시베이팅되며, 크롬/금으로 금속화된다. 전형적인 메사 직경은 45㎛이며, 메사에 대한 전기적 접촉부(19)는 사파이어 캐리어(21)상의 금 리드-아웃 패턴(20)상으로 어레이를 인듐 범프 결합하여 실현된다. 이 기술은 당업자들에게 친숙하다.
열 영상 카메라가 동작하는 파장 범위는 발광 다이오드 어레이내에서 사용하기 위한 적절한 재료 구조물을 결정한다. Hg1-xCdxTe 또는 In1-xAlxSb 재료에 근거한 다이오드 구조물은, 3 내지 5 ㎛ 파장 범위로 적외선을 방사한다. Hg1-xCdxTe 재료에 근거한 장치는 8 내지 13㎛의 파장 범위로 방사한다. 대안적으로, 다이오드 구조물은 예를 들어, Hg1-xZnxTe 또는 In1-xTlxSb등의 또다른 좁은 대역차 반도체 재료로부터 형성될 수도 있다.
네가티브 루미네슨스 현상을 설명하기 위해, 순바이어스(22) 및 역바이어스(23)하에 InSb 장치로부터의 방사선의 스펙트럼을 도 5에 도시한다. 루미네슨스 스펙트럼(24)내의 최소치는 6.0㎛에서 발생하는 반면에, 포지티브 루미네슨스 스펙트럼(25)내의 피크는 5.8㎛에서 발생한다. 점선(26)은 네트 대역 대 대역의 방사성 재결합을 위한 이론적 계산을 나타낸다.
도 6은 역바이어스하에 Hg1-xCdxTe 장치에 대한 네가티브 루미네슨스 방사 스펙트럼을 도시한다. 단일의 피크(28)는 10㎛너머로 연장되는 긴 파장 테일로, 약 8.5㎛의 파장에서 나타난다. 이 도면은 또한 검출기(역방향 모드로 동작)로서 사용될 때의 장치(29)의 스펙트럼 응답을 도시한 것이다.
적외선 검출 시스템에서 요구되는 상당히 큰 어레이는 상당히 큰 전류를 갖는다. 예를 들어, 효과적인 네가티브 루미네슨스를 위해 약 π층 두께를 갖는 InSb 장치는 15 내지 20 A cm-2범위로 역 포화 전류 밀도를 갖는다. 고 루미네슨스 출력을 유지하면서 이 값을 최소로 하는 것이 바람직하다. 이것은 집중 장치의 사용에 의해 실현될 수 있다.
예를 들어, 도 7에서, 120㎛의 곡률 반경을 가진 렌즈(30)는 이온 빔 밀링에 의해 변질되게 도핑된 InSb 으로 형성된다. 이 목적을 위한 이온 빔 밀링 기술은 당업자들에게 친숙한 것이다. 렌즈들은 다수의 재료들로부터 형성된다. 예를 들어, In1-xAlxSb 구조물에 근거한 장치에 대해, 렌즈들은 InSb로부터 형성되는 것이 바람직하고, Hg1-xCdxTe 구조물에 근거한 장치에 대해, 렌즈들은 CdTe 또는 CdZnTe로부터 형성되는 것이 바람직하다.
상기 실시예에서, 다이오드 어레이 소자(5)(방사 영역)는 직경이 20㎛이다. 출력 방사선(14)은 렌즈(30)에 의해 f/2 콘(여기서, f는 f-넘버)에 집속된다. 각각의 렌즈의 곡률 반경은, 각각의 다이오드 소자(5)로부터 방사된 방사선이 다이오드에 대해 되반사되는 것이 아니라, 시험하에, 검출기 어레이에 대해 순방향으로 전송되게 한다. 방사선이 작게 방사된 영역을 유지함으로써, 다이오드 구조물내의 전류는 감소되며, 렌즈 장치는 네가티브 루미네슨스 효율이 하이가 되게 보장한다(네가티브 루미네슨스 효율은 다이오드(5)에 의해 흡수된 장치의 앞면상에 충돌하는 적외선의 비율임). 다이오드 어레이는 실리콘 멀티플렉싱 회로(31)에 의해 구동되며, 그 실시예가 후술된다.
도 8에서, 바람직한 효율 및 전류 밀도는 윈스턴 콘(32)을 사용함으로써 실현된다. 이 실시예에서, 20㎛ 직경 다이오드(5)로부터 방사된 방사선(14)은 장치(34a)의 표면에 도달하기 전에, 콘(33)의 벽에서 전체 내부 반사를 겪는다. 이 표면(34a)은 콘 어레이에 인가된 항방사성 코팅부(34)의 표면이다. 콘의 형태는 표면(34a)상에 입사된 방사선(14)이 반사보다는 전송되는 각도로 되도록 설계된다. 이 장치를 이용하여, 방사 영역의 표면은 작게 유지되며, 따라서, 저 전류를 유지하며, 고 네가티브 루미네슨스 효율이 실현된다. 약 2 A cm-2의 평균 전류 밀도와 동일한 전류가 이 장치로 실현될 수 있다.
InSb 장치에 대해, 콘은 InSb 구조물로 형성되며, 콘 정형화는 이온 빔 밀링에 의해 실행된다. 대안적으로, 화학 에칭이 표면을 제조하는데 사용되며, 그 기술은 당업자들에게 표준적인 것이다.
적외선 발광 다이오드에 대해 전류를 공급하는데 사용될 수 있는 전자 회로의 예가 도 9에 도시되어 있다. 포지티브 및 네가티브 루미네슨스를 위해, 각각의 다이오드 소자 또는 화소(5)에 대해 전류의 두 극성을 제공하는 수단이 필수적이다. 포지티브 또는 네가티브 전류중의 한 전류는, 포지티브 또는 네가티브 루미네슨스의 방사가 특정 화소내에 요구되는지에 따라, 임의의 순간에 각각의 다이오드(5)에 인가된다. 이것은 다이오드 어레이를 구동하는데 사용된 임의의 다른 회로 또는 상기 회로의 필수적인 특성이다.
회로 "C"는 실리콘 어드레싱 회로의 각각의 화소에서 구현된다. 회로는 각각의 화소가 개별적으로 어드레싱되도록 디지탈 행 어드레스 선택 라인(40) 및 디지탈 열 어드레스 선택 라인(41)을 구비한다. 행 선택 및 열 선택을 위해, 각 화소(5)에 대해 두 전계 효과 트랜지스터(FET)(42a,42b)가 관련된다. 외부적 아날로그 전압은 또다른 입력 라인(43)을 통해 인가되고 2-레벨 금속 상호접속을 요구한다. 아날로그 라인은, 한 번에 단지 한 화소가 어드레싱될 지라도, 전압을 완전한 열에 한 번에 공급한다.
회로는 또한 전류 제한을 목적으로, n-채널 증가형 FET(44), p-채널 증가형 FET(45), 캐패시턴스(46) 및 저항성 소자(47)을 구비한다. 실제상, 이 캐패시턴스는 FET(44,45)의 게이트 캐패시턴스이다. 적외선 광 방사 다이오드(5)는 어드레신 회로에 관련하여 도시된다. 두 FET의 특성은 당업자들에게 공지되어 있으며, Sze(존 윌리 및 손즈, 1981)에 의한 "반도체 장치 물리학"(제 2판)에서 이해될 수 있다.
도 10에는 간단한 5x5 어레이(도 2참조)에 대한 행-열 어드레싱 회로의 블록도가 도시되어 있다. 회로 "C"(도 9 참조)는 행 어드레스 라인 및 열 어드레스 라인(47,48)으로, 어레이의 각 화소(5)에서 구현된다. 각각의 프레임 사이클에서, 행-열 어드레싱 구조는 제 1 FET 스위치를 선택하고, 전하를 캐패시턴스(46)상에 위치되도록 스위치를 닫을 것이다. 캐패시턴스상의 전하는 다음의 리셋이 시작될 때까지 다이어드(5)를 통해 흐르는 전류를 제어한다. 임계보다 큰 전압이 캐패시턴스(46)상에 인가될 때, n-채널 증가형 FET(44)는 온이며, 다이오드(5)를 흐르는 전류를 네가티브 루미네슨스를 형성하는 극성으로 통과시킬 것이다. 임계보다 작은 전압이 개패시턴스(46)에 인가될 때, n-채널 증가형 모드는 오프이며, p-채널 증가형 FET(45)는 온이고 다이오드(5)를 흐르는 전류를 포지티브 루미네슨스를 형성하는 극성으로 통과시킬 것이다. 다이오드상의 전하의 중간 레벨은 루미네슨스의 중간 레벨 또는 "그레이 스케일"의 사용을 허용한다.
실제상, 전자 발광 다이오드의 기본 스위칭 속도는 1 MHz를 초과한다. 이러한 시스템으로 실현되는 프레임 속도는 각각의 화소의 열 시상수가 아닌, 멀티플렉서 구동 회로의 주파수에 의해 결정된다.
Claims (11)
- 적외선 검출 시스템의 테스팅을 위해 동적 적외선 장면 영사기로서 사용되는 장치에 있어서,포지티브 및 네가티브 루미네슨스를 방사할 수 있는 적외선 발광 다이오드 구조물 어레이; 및각각의 적외선 발광 다이오드에 독립적으로 포지티브 및 네가티브 극성 전류를 공급하는 수단을 구비하며,포지티브 및 네가티브 루미네슨스는 각각의 다이오드 구조물로부터 방사되는 동적 적외선 장면 영사기로서 사용되는 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 다이오드 구조물은 3 내지 5 ㎛ 파장 범위로 방사선을 방사하고 흡수하는 동적 적외선 장면 영사기로서 사용되는 장치.
- 제 1항에 있어서, 상기 다이오드 구조물은 8 내지 13 ㎛ 파장 범위로 방사선을 방사하고 흡수하는 동적 적외선 장면 영사기로서 사용되는 장치.
- 제 1항 내지 3항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 다이오드 구조물은 좁은 대역차 반도체 재료로부터 형성되는 동적 적외선 장면 영사기로서 사용되는 장치.
- 제 4항에 있어서, 상기 다이오드 구조물은 수은 카드뮴 텔루라이드(Hg1-xCdxTe) 재료 시스템에 근거하는 동적 적외선 장면 영사기로서 사용되는 장치.
- 제 4항에 있어서, 상기 다이오드 구조물은 인듐 알루미늄 안티모나이드(In1-xAlxSb) 재료 시스템에 근거하는 동적 적외선 장면 영사기로서 사용되는 장치.
- 제 4항에 있어서, 상기 다이오드 구조물은 수은 아연 텔루라이드(Hg1-xZnxTe) 재료 시스템에 근거하는 동적 적외선 장면 영사기로서 사용되는 장치.
- 제 4항에 있어서, 상기 다이오드 구조물은 인듐 탈륨 안티모나이드(In1-xTlxSb) 재료 시스템에 근거하는 동적 적외선 장면 영사기로서 사용되는 장치.
- 제 1항 내지 8항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 다이오드 구조물의 표면상에 광학 집중 장치 어레이를 포함하는 동적 적외선 장면 영사기로서 사용되는 장치.
- 제 9항에 있어서, 상기 광학 집중 장치는 윈스톤 콘인 동적 적외선 장면 영사기로서 사용되는 장치.
- 제 9항에 있어서, 상기 광학 집중 장치는 렌즈 어레이인 동적 적외선 장면 영사기로서 사용되는 장치.
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