KR19990051226A - LCD - Google Patents
LCD Download PDFInfo
- Publication number
- KR19990051226A KR19990051226A KR1019970070507A KR19970070507A KR19990051226A KR 19990051226 A KR19990051226 A KR 19990051226A KR 1019970070507 A KR1019970070507 A KR 1019970070507A KR 19970070507 A KR19970070507 A KR 19970070507A KR 19990051226 A KR19990051226 A KR 19990051226A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wiring
- electrode
- liquid crystal
- crystal display
- transparent conductive
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13458—Terminal pads
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
- H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
Abstract
본 발명에 따라 배선을 별도로 하여 공통 전극과 연결되는 스토리지 전극, 스토리지 전극에 대향하는 화소 전극 및 상기 스토리지 전극과 상기 화소 전극사이에 개재된 절연막으로 스토리지 캐퍼시터를 구성하는 액정 표시 소자로서, 상기 스토리지 전극 물질은 투명한 도전 물질과 비저항이 낮은 금속 물질로 구성되며, 상기 금속 물질로된 배선 폭이 상기 투명한 도전 물질로된 배선 폭보다 좁게 상기 투명한 도전 물질로된 배선상에 클래딩된 것을 특징으로 한다.According to an exemplary embodiment of the present invention, a liquid crystal display device includes a storage electrode connected to a common electrode with a separate wiring, a pixel electrode facing the storage electrode, and an insulating layer interposed between the storage electrode and the pixel electrode. The material is composed of a transparent conductive material and a low resistivity metal material, and is characterized in that the wiring width of the metal material is clad on the wiring of the transparent conductive material so that the width of the wiring is smaller than the wiring width of the transparent conductive material.
Description
본 발명은 액정 표시 소자에 관한 것으로, 특히 스토리지 캐퍼시터로 인한 개구율의 저하를 개선할 수 있는 액정 표시 소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device capable of improving a drop in aperture ratio due to a storage capacitor.
일반적으로, 액정 표시 소자는 텔레비젼이나 그래픽 디스플레이 등의 표시 장치를 구성한다. 특히, 액티브 매트릭스형 액정 표시 소자는 많은 화소수에 적합하여 표시 화면의 고화질화, 대형화, 컬러 화면화 등을 실현하는데 기여하고 있다.Generally, liquid crystal display elements comprise display devices, such as a television and a graphic display. In particular, the active matrix liquid crystal display element is suitable for a large number of pixels, contributing to realizing high quality, large size, color screen, and the like of a display screen.
이와 같은 고화질의 표시 화면을 얻기 위해서는 개구율의 향상이 요구된다. 개구율은 화소 면적에 대한 실제 빛이 투과되는 면적의 비로 표시된다. 이러한 개구율에 영향을 미치는 요소는 신호선의 폭 및 저항, 스토리지 캐퍼시터의 캐퍼시턴스 등이다. 또한, 스토리지 캐퍼시터용 전극을 별도로 배선하여 공통 전극과 연결하여 사용하는 경우, 대부분 화소 전극과 소정 부분 오버랩되게 되고 이 스토리지 캐터시터를 구성하는 물질의 투과율이 개구율에 영향을 미친다.In order to obtain such a high quality display screen, improvement of the aperture ratio is required. The aperture ratio is expressed as the ratio of the area through which actual light is transmitted to the pixel area. Factors affecting the aperture ratio are the width and resistance of the signal line, the capacitance of the storage capacitor, and the like. In addition, when the electrodes for the storage capacitors are separately wired and connected to the common electrodes, most of them overlap with a predetermined portion of the pixel electrodes, and the transmittance of the material constituting the storage capacitor affects the aperture ratio.
도 1은 종래 박막 트랜지스터 액정 표시 소자의 하부 기판을 나타내는 평면도로서, 매트릭스 형태로 배열된 액정 표시 소자의 단위 셀을 도시한 것이다.1 is a plan view illustrating a lower substrate of a conventional thin film transistor liquid crystal display device, and illustrates unit cells of a liquid crystal display device arranged in a matrix form.
도 1을 참조로하여, 종래 박막 트랜지스터 액정 표시 소자는 하부 기판상에 다수의 게이트 신호선과 다수의 데이터 신호선이 매트릭스 형태로 배열되어 있다. 각각의 게이트 신호선(11)과 데이터 신호선(12)으로 둘러싸인 공간내에 각각의 화소 전극(13)이 형성된다. 그리고, 이 게이트 신호선(11)과 데이터 신호선(12)이 교차되는 위치에 박막 트랜지스터(14)가 형성된다. 또한, 각각의 게이트 신호선(11)과 나란하며 게이트 물질로 구성된 스토리 전극(15)이 상기 화소 전극과 소정 부분 오버랩되어 형성된다. 이 때, 스토리지 전극 물질 즉 게이트 물질은 Cr, MoTa 또는 MoW 등의 불투명 물질이다.Referring to FIG. 1, in the conventional thin film transistor liquid crystal display, a plurality of gate signal lines and a plurality of data signal lines are arranged in a matrix form on a lower substrate. Each pixel electrode 13 is formed in a space surrounded by each gate signal line 11 and data signal line 12. The thin film transistor 14 is formed at a position where the gate signal line 11 and the data signal line 12 cross each other. In addition, a story electrode 15 formed of a gate material parallel to each gate signal line 11 is formed to overlap a predetermined portion of the pixel electrode. At this time, the storage electrode material, that is, the gate material, is an opaque material such as Cr, MoTa, or MoW.
상기에서 언급한 바와 같이, 스토리지 캐퍼시터용 전극을 별도로 배선하는 경우 대부분 스토리지 전극은 게이트 전극과 동시에 형성된다. 따라서, 불투명한 게이트 물질된 스토리지 전극으로 인하여 화소 면적에 대해 실제로 빛이 투과하는 면적(16)이 감소하게 되어 개구율이 저하되는 문제가 있다.As mentioned above, when the electrodes for the storage capacitor are separately wired, most of the storage electrodes are formed simultaneously with the gate electrodes. Accordingly, the area 16 through which light actually transmits to the pixel area is reduced due to the opaque gate material storage electrode, thereby decreasing the aperture ratio.
따라서, 본 발명은 스토리지 전극 물질을 투명한 도전 물질로 대체하여 개구율을 증가시킴으로써 고화질의 액정 표시 소자를 실현하면서 신호 지연 시간을 단축할 수 있는 액정 표시 소자를 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of shortening a signal delay time while realizing a high quality liquid crystal display device by increasing the aperture ratio by replacing the storage electrode material with a transparent conductive material.
도 1은 종래 박막 트랜지스터 액정 표시 소자의 하부 기판을 나타내는 평면도.1 is a plan view showing a lower substrate of a conventional thin film transistor liquid crystal display device.
도 2는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 액정 표시 소자의 하부 기판을 나타내는 평면도.2 is a plan view showing a lower substrate of the thin film transistor liquid crystal display device according to the present invention.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)
11, 21: 게이트 신호선 12, 22: 데이터 신호선11, 21: gate signal line 12, 22: data signal line
13, 23: 화소 전극 14, 26: 박막 트랜지스터13, 23: pixel electrode 14, 26: thin film transistor
15, 24: 스토리지 전극 25a: ITO15, 24: storage electrode 25a: ITO
25b: 알루미늄 16, 27: 빛이 투과하는 면적25b: aluminum 16, 27: area through which light passes
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따라 배선을 별도로 하여 공통 전극과 연결되는 스토리지 전극, 스토리지 전극에 대향하는 화소 전극 및 상기 스토리지 전극과 상기 화소 전극사이에 개재된 절연막으로 스토리지 캐퍼시터를 구성하는 액정 표시 소자로서, 상기 스토리지 전극 물질은 투명한 도전 물질과 비저항이 낮은 금속 물질로 구성되며, 상기 금속 물질로된 배선 폭이 상기 투명한 도전 물질로된 배선 폭보다 좁게 상기 투명한 도전 물질로된 배선상에 클래딩된 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, according to the present invention, a liquid crystal constituting a storage capacitor using a storage electrode connected to a common electrode, a pixel electrode opposite to the storage electrode, and an insulating layer interposed between the storage electrode and the pixel electrode, with wiring separate. As the display element, the storage electrode material is composed of a transparent conductive material and a low resistivity metal material, and the wiring width of the metal material is clad on the wiring of the transparent conductive material so that the width of the wiring is narrower than that of the transparent conductive material. It is characterized by.
(실시예)(Example)
이하 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명하도록 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 액정 표시 소자의 하부 기판을 나타내는 평면도로서, 매트릭스 형태로 배열된 액정 표시 소자의 단위 셀을 도시한 것이다.2 is a plan view illustrating a lower substrate of a thin film transistor liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention, illustrating unit cells of a liquid crystal display device arranged in a matrix form.
본 발명에 따른 박막 트랜지스터 액정 표시 소자의 하부 기판은 종래와 동일하게 하부 기판상에 다수의 게이트 신호선과 다수의 데이터 신호선이 매트릭스 형태로 배열되어 있다. 그리고, 각각의 게이트 신호선(21)과 데이터 신호선(22)으로 둘러싸인 공간내에 이들 신호선의 가장 자리와 소정 부분 오버랩되어 각각의 화소 전극(23)이 형성된다. 또한, 각각의 게이트 신호선(21)과 나란하게 스토리지 전극(24)이 형성된다.In the lower substrate of the thin film transistor liquid crystal display according to the present invention, a plurality of gate signal lines and a plurality of data signal lines are arranged in a matrix form on the lower substrate as in the related art. In the space surrounded by the gate signal lines 21 and the data signal lines 22, the pixel electrodes 23 are formed by overlapping the edges of these signal lines with a predetermined portion. In addition, the storage electrode 24 is formed in parallel with each gate signal line 21.
이와 같이, 스토리지 캐퍼시터를 구성하는 스토리지 전극의 배선을 별도로하고 후속 공정에서 공통 전극과 연결하는 액정 표시 소자의 경우, 스토리지 전극(24)은 게이트 신호선(21)과 동시에 형성되며 화소 전극(23)에 대향하게 된다. 즉, 게이트 물질이 스토리지 전극 물질이 되기 때문에, 종래에는 불투명한 게이트 물질로 인하여 개구율을 저하시켰다.As described above, in the case of the liquid crystal display device in which the wiring of the storage electrode constituting the storage capacitor is separately connected and connected to the common electrode in a subsequent process, the storage electrode 24 is formed simultaneously with the gate signal line 21 and formed on the pixel electrode 23. Will be opposed. That is, since the gate material becomes a storage electrode material, the aperture ratio is conventionally lowered due to the opaque gate material.
따라서, 본 발명은 이 게이트 물질을 투명 물질인 ITO(Indium Tin Oxide)(25a)와 알루미늄(25b)으로 대체하되, ITO로된 배선상에 ITO 배선보다 그 폭이 좁은 알루미늄을 클래딩하여 2중 배선을 구성한다. 만약, 개구율만을 고려하여 게이트 물질 및 스토리지 전극 물질을 ITO로만 구성하는 경우, ITO의 저항으로 인하여 종래에 비해 신호 지연 시간(RC Delay)이 길어지게 된다. 따라서, 스토리지 캐퍼시터에 해당되는 면적은 ITO 배선으로 구성하고, 이 ITO 배선상에 상대적으로 폭이 좁은 알루미늄 배선을 형성하여 신호 지연 시간을 단축한다. 이와 같은, 2중 클래드 구조는 배선의 폭에 따라, 빛이 투과하는 면적(27)이 증가하여 개구율을 20∼ 30% 정도 향상시킬 수 있다.Accordingly, the present invention replaces the gate material with indium tin oxide (ITO) 25a and aluminum 25b, which are transparent materials, but clad aluminum with a narrower width than the ITO wiring on the wiring made of ITO to double wiring. Configure If the gate material and the storage electrode material are formed of only ITO in consideration of only the aperture ratio, the signal delay time RC delay is longer due to the resistance of the ITO. Therefore, the area corresponding to the storage capacitor is composed of ITO wiring, and a relatively narrow aluminum wiring is formed on the ITO wiring to shorten the signal delay time. In such a double clad structure, the area 27 through which light is transmitted increases with the width of the wiring, and the aperture ratio can be improved by about 20 to 30%.
그리고, 이 게이트 신호선(21)과 데이터 신호선(22)이 교차되는 위치에 게이트 전극, 소오스 전극 및 드레인 전극을 갖는 박막 트랜지스터(26)가 형성된다. 상기 게이트 전극은 게이트 신호선과 일체되며, 드레인 전극은 데이터 신호선과 일체된다. 또한, 소오스 전극은 화소 전극과 연결된다.Then, a thin film transistor 26 having a gate electrode, a source electrode and a drain electrode is formed at a position where the gate signal line 21 and the data signal line 22 cross each other. The gate electrode is integrated with the gate signal line, and the drain electrode is integrated with the data signal line. In addition, the source electrode is connected to the pixel electrode.
이상에서 설명한 바와 같이, 스토리지 캐퍼시터에 해당되는 면적은 투명 물질인 ITO 배선으로 구성하고, 이 ITO 상에 상대적으로 폭이 좁은 알루미늄 배선을 형성함으로써, 신호 지연 시간을 단축하고 개구율을 향상시킬 수 있다.As described above, the area corresponding to the storage capacitor is composed of ITO wiring, which is a transparent material, and by forming a relatively narrow aluminum wiring on the ITO, the signal delay time can be shortened and the aperture ratio can be improved.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes can be made without departing from the technical spirit of the present invention. It will be evident to those who have knowledge of.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970070507A KR19990051226A (en) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | LCD |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970070507A KR19990051226A (en) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | LCD |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990051226A true KR19990051226A (en) | 1999-07-05 |
Family
ID=66090980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970070507A KR19990051226A (en) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | LCD |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19990051226A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100466393B1 (en) * | 2001-05-30 | 2005-01-13 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | Thin film transistor liquid crystal display |
| KR100823386B1 (en) * | 2005-01-19 | 2008-04-17 | 샤프 가부시키가이샤 | Substrate for liquid crystal display and liquid crystal display |
| KR101116826B1 (en) * | 2011-08-17 | 2012-02-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | Thin Film Transistor Substrate for Display Device |
-
1997
- 1997-12-19 KR KR1019970070507A patent/KR19990051226A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100466393B1 (en) * | 2001-05-30 | 2005-01-13 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | Thin film transistor liquid crystal display |
| KR100823386B1 (en) * | 2005-01-19 | 2008-04-17 | 샤프 가부시키가이샤 | Substrate for liquid crystal display and liquid crystal display |
| KR101116826B1 (en) * | 2011-08-17 | 2012-02-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | Thin Film Transistor Substrate for Display Device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7855767B2 (en) | Transflective liquid crystal display | |
| USRE44181E1 (en) | Liquid crystal display having a reduced number of data driving circuit chips | |
| JP5143393B2 (en) | Liquid crystal display | |
| US10330992B2 (en) | Display device | |
| JP4490450B2 (en) | Liquid crystal display device and thin film transistor substrate thereof | |
| US6326641B1 (en) | Liquid crystal display device having a high aperture ratio | |
| KR101251996B1 (en) | Liquid crystal display | |
| KR20050047752A (en) | Liquid crystal display, thin film diode panel and manufacturing method of the same | |
| JPH08179351A (en) | Array substrate for display device | |
| JP2006276360A (en) | Liquid crystal display panel | |
| JP4198485B2 (en) | Electrode substrate for display device | |
| KR19990051226A (en) | LCD | |
| JPH10293324A (en) | Liquid crystal display element | |
| KR100313244B1 (en) | Liquid Crystal Panel | |
| KR100569271B1 (en) | Thin film transistor liquid crystal display | |
| JP2006126772A (en) | Liquid crystal display | |
| JPH05203997A (en) | Liquid crystal display device | |
| KR0144951B1 (en) | Liquid crystal display elements | |
| CN114927111B (en) | Substrate, display panel and electronic equipment thereof | |
| US20070040956A1 (en) | Thin film diode panel and manufacturing method of the same | |
| KR100569261B1 (en) | Thin film transistor liquid crystal display device | |
| KR100282932B1 (en) | Thin film device | |
| KR100232545B1 (en) | A liquid crystal display device | |
| JPH0695142A (en) | Liquid crystal display device | |
| KR20210123463A (en) | Liquid crystal display device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |