KR19990047796A

KR19990047796A - Ion implant with speed detector to detect the rotational speed of the disc

Info

Publication number: KR19990047796A
Application number: KR1019970066315A
Authority: KR
Inventors: 옥경하; 조신현; 신동진
Original assignee: 윤종용; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1997-12-05
Filing date: 1997-12-05
Publication date: 1999-07-05

Abstract

본 발명은 디스크의 회전과 주사축의 왕복 운동의 복합에 의에 웨이퍼에 이온 빔을 균일하게 주입하는 이온 주입 장치의 이온 주입부에 있어서 디스크의 회전 속도가 적정 속도를 유지하는지 여부를 감지하기 위한 속도 감지기를 구비하는 이온 주입 장치의 이온 주입부에 관한 것으로서, 이온 주입부는 웨이퍼가 놓여지는 디스크 패드와, 디스크 패드가 설치된 상면을 갖는 디스크와, 디스크의 하면 중심부에 일체로 형성된 디스크 회전축과, 디스크 회전축이 관통할 수 있도록 관통홈을 갖는 버킷과, 버킷에 설치되어 디스크 회전축을 회전시킴으로 디스크를 회전시키는 모터 구동부와, 버킷에 결합되며 디스크를 왕복 운동, 기울이는 구동장치를 갖는 주사축과, 버킷의 관통홀 내부면에 설치되어 디스크 회전축의 회전 속도를 감지함으로 디스크의 회전 속도를 감지하는 속도 감지기를 구비한다. 본 발명은 디스크가 적정 속도로 회전하지 않는지 여부를 파악할 수 있고 적정 속도로 회전하지 않는 경우 적절히 이온 주입 작업을 조절함으로써 웨이퍼의 수율을 높이고 이온 주입 장치에 무리가 가지 않도록 보호하는 이점이 있다.The present invention provides a speed for detecting whether the rotational speed of a disk maintains an appropriate speed in an ion implantation unit of an ion implantation device that uniformly injects an ion beam into a wafer due to a combination of disk rotation and reciprocating motion of a scanning axis. An ion implantation unit of an ion implantation apparatus having a detector, wherein the ion implantation unit comprises a disk pad on which a wafer is placed, a disk having an upper surface on which the disk pad is installed, a disk rotating shaft integrally formed at the center of the lower surface of the disk, and a disk rotating shaft. A bucket having a through groove so as to penetrate therein, a motor drive unit installed in the bucket to rotate the disk by rotating the disk rotating shaft, a scanning shaft coupled to the bucket and having a driving device for reciprocating and tilting the disk, and through the bucket. It is installed on the inner surface of the hole to detect the rotational speed of the disk rotation axis And a speed sensor for sensing speed. According to the present invention, it is possible to determine whether the disk does not rotate at an appropriate speed, and if it does not rotate at an appropriate speed, it is advantageous to increase the yield of the wafer and to protect the ion implantation apparatus by appropriately adjusting the ion implantation operation.

Description

Ion implant with speed detector to detect the rotational speed of the disc

본 발명은 반도체 소자 제조 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 이온 빔 주사 방향은 고정시키고 배치(batch)단위로 웨이퍼를 회전시켜 이온을 주입하는 이온 주입 장치의 이온 주입부에 있어서, 디스크의 회전 속도를 감지하기 위한 속도 감지기를 구비하는 이온 주입부에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, in an ion implantation unit of an ion implantation apparatus in which ions are implanted by rotating a wafer in a batch unit while fixing the ion beam scanning direction. It relates to an ion implantation unit having a speed detector for detecting the.

이온 주입 장치는 원자 또는 분자 이온을 고전압 하에서 가속시켜 목표 물질의 표면층을 뚫고 들어갈 수 있는 충분한 에너지를 갖게 함으로써 목표 물질 내부로 주입시키는 장치이다. 웨이퍼 가공 공정에서, 웨이퍼의 표면에 불순물을 주입하는 공정의 한 가지 수단으로 이온 주입 장치가 널리 이용된다. 이온 주입 장치는 이온을 생성하는 이온 생성부(Ion source), 생성된 이온을 분류하는 이온 분석부(Ion analyzer), 분류된 이온의 주사 방향을 유도하는 이온 주사부(Beam gate), 주사된 이온이 웨이퍼 표면에 주입되는 이온 주입부(Target) 및 각 부분의 기계적 동작을 보조하는 보조설비(Utility)을 포함한 구성을 갖는다.An ion implantation device is a device for injecting atomic or molecular ions into a target material by accelerating under high voltage to have sufficient energy to penetrate the surface layer of the target material. In a wafer processing process, an ion implantation apparatus is widely used as one means of injecting impurities into the surface of a wafer. The ion implantation apparatus includes an ion source for generating ions, an ion analyzer for sorting the generated ions, a ion gate for guiding the scanning direction of the sorted ions, and a scanned ion An ion implantation target (Target) implanted on the wafer surface and a utility (Utility) to assist the mechanical operation of each part has a configuration.

이중에서 이온 주입부(Target)의 이온 주입 방식에는 정전기적 렌즈에 의한 빔(beam) 주사 방식, 기계적 회전에 의한 웨이퍼 주사 방식과 양자를 혼합한 방식이 있다. GENUS사 G1510 모델 이온 주입 장치에서는 이온 주입시 디스크 위에 설치된 패드에 웨이퍼를 안착시킨 후 모터를 이용하여 디스크를 1223 rpm으로 회전시키고, 회전하는 웨이퍼에 이온 빔을 주사하는 방식을 사용한다. 하기에서는 GENUS사 G1510 모델 장치를 중심으로 기술하겠다. 일반적으로 동시에 복수의 웨이퍼에 이온을 주입하기 위해서 배치 단위의 이온 주입이 행해진다. 배치는 한번의 이온 주입시 웨이퍼 몇 매를 단위로 작업하느냐를 나타낸다. G1510 모델에서는 디스크 하나에 9매의 웨이퍼가 각각 9매의 패드에 안착되어 작업이 진행된다.The ion implantation method of the ion implantation unit (Target) includes a beam scanning method by an electrostatic lens, a wafer scanning method by mechanical rotation and a mixture of both. In the GENUS G1510 model ion implantation device, a wafer is placed on a pad installed on the disk during ion implantation, the disk is rotated at 1223 rpm using a motor, and an ion beam is scanned on the rotating wafer. The following description will focus on the GENUS G1510 model device. In general, ion implantation in a batch unit is performed to implant ions into a plurality of wafers at the same time. The batch indicates how many wafers are worked on in one ion implantation. In the G1510, nine wafers are placed on each of nine pads on a single disk.

이온 주입부는 웨이퍼가 안착되는 복수의 원형 디스크 패드와, 복수의 디스크 패드가 설치된 상면을 갖는 디스크와, 디스크의 하면 중심부에 일체로 형성된 디스크 회전축과, 디스크 회전축이 관통할 수 있도록 관통홈을 갖는 버킷(bucket)과, 버킷에 설치되어 디스크 회전축을 회전시켜서 이에 연결된 디스크를 회전시키는 모터 구동부와, 버킷에 결합되며 디스크를 축방향으로 왕복, 축을 중심으로 기울일(tilt) 수 있는 구동 장치를 갖는 주사축(scan shaft)을 구비한다. 주사축은 디스크를 주사축 방향으로 왕복 운동시킴으로 이온 빔이 웨이퍼에 균일하게 주사되도록 하고, 디스크를 주사축을 중심으로 기울여서 웨이퍼에 이온 빔이 채널링(channelling)하는 것을 방지하는 각, 예를 들면 약 7 ° 를 유지하도록 한다. 채널링이란 이온 빔이 실리콘 결정면 방향으로 주입되어 원자핵과 충돌함 없이 결정 내부로 깊숙이 침투하는 것을 말하며 주사된 이온의 정지 메커니즘이 비정질의 경우와 다르므로 목표 깊이로 이온을 주입하기 위하여 결정면을 약 7 ° 정도 기울여서 비정질에 이온 빔을 주사하는 것과 같은 효과를 얻고 있다. 이온 주입 공정은 진공으로 유지되는 작업 챔버(process chamber) 내에서 행해진다.The ion implantation portion has a plurality of circular disk pads on which the wafer is seated, a disk having an upper surface on which the plurality of disk pads are installed, a disk rotation shaft integrally formed at the center of the lower surface of the disk, and a bucket having a through groove through which the disk rotation shaft can pass. a scanning shaft having a bucket, a motor driving portion installed in the bucket to rotate the disk rotating shaft and rotating the disk connected thereto, and a driving device coupled to the bucket and capable of reciprocating the disk in the axial direction and tilting the disk about the shaft. (scan shaft). The scanning axis causes the ion beam to be uniformly scanned on the wafer by reciprocating the disk in the direction of the scanning axis, and tilting the disk about the scanning axis to prevent channeling of the ion beam on the wafer, e. ° Keep it. Channeling means that the ion beam is injected toward the silicon crystal plane and penetrates deeply into the crystal without colliding with the nucleus. Since the stopping mechanism of the injected ions is different from the amorphous case, the crystal plane is about 7 to be injected to the target depth. ° Tilt to a degree, and the effect of scanning an ion beam to amorphous is obtained. The ion implantation process is performed in a process chamber maintained in vacuum.

웨이퍼에 이온 빔이 주입되는 방식에 대해 상세히 설명하고자 한다. 이온 빔은 이온 주사각에 대해 약 7 ° 기울어진 상태에서 디스크에 안착되어 고속으로 회전하는 웨이퍼의 일정 지점에 주사된다. 이와 동시에 디스크에 연결된 주사축을 왕복 운동시킴으로 이온 빔이 웨이퍼의 회전과 함께 웨이퍼 전면에 균일하게 주입되게 된다. 즉, 디스크의 회전과 주사축의 왕복 운동의 복합에 의해 이온 빔이 웨이퍼 상에 균일하게 주입되는 것이다. 웨이퍼에 주입되는 이온의 양은 디스크의 회전은 1223 rpm으로 고정하여 상수 값으로 놓고, 주사축의 왕복 속도를 변수로 하여 빠르게 또는 느리게 조절함으로써 조절된다. 즉, 주사축의 왕복 속도를 느리게 하면 주입되는 이온의 양이 많아지고 왕복 속도를 빠르게 하면 주입되는 이온의 양이 줄어들게 된다.The manner in which the ion beam is implanted into the wafer will be described in detail. Ion beam is about 7 for ion scan angle ° Scanned at a point on the wafer that is mounted on the disk in the tilted state and rotates at high speed. At the same time, by reciprocating the scanning axis connected to the disk, the ion beam is uniformly injected onto the wafer front with the rotation of the wafer. That is, the ion beam is uniformly injected onto the wafer by the combination of the rotation of the disk and the reciprocating motion of the scanning axis. The amount of ions injected into the wafer is controlled by setting the rotation of the disk at a constant value of 1223 rpm and adjusting the speed of the scanning axis to a variable value quickly or slowly. In other words, if the reciprocating speed of the scanning axis is slowed, the amount of implanted ions increases, and if the reciprocating speed is increased, the amount of implanted ions is reduced.

그러므로 디스크의 회전 속도를 일정하게 유지하는 것은 이온 주입 공정에서 매우 중요한 요소가 된다. 즉, 디스크 회전 속도가 적정 속도에 비해 느리면 이온 빔이 웨이퍼에 나선형으로 주입되어 이온 빔이 주입되지 않는 부분이 나타나게 되며, 디스크의 회전 속도가 빠르면 이온 주입 장치에 무리가 가게 되고 목표하는 이온 주입 작업이 이뤄지지 않는다. 또한 디스크의 회전 속도가 일정하지 않으면 웨이퍼에 주입되는 이온의 분포가 불균일하게 된다.Therefore, maintaining a constant rotation speed of the disk is a very important factor in the ion implantation process. In other words, if the disk rotation speed is slower than the proper speed, the ion beam is spirally injected into the wafer, and the portion where the ion beam is not injected appears.If the disk rotation speed is high, the ion implantation device becomes unreasonable and the target ion implantation work is performed. This is not done. In addition, if the rotational speed of the disk is not constant, the distribution of ions injected into the wafer becomes uneven.

그런데, 디스크의 회전 속도를 일정하게 유지하는 것이 중요한 요소가 됨에도 불구하고 종래의 이온 주입부에는 디스크 회전 속도를 감지하여 나타내는 장치가 없었다. GENUS사 G1510 모델 이온 주입 장치는 이온 주입 작업시 디스크의 회전 속도가 1223 rpm이 되도록 고정되어 있으나 실제 디스크가 회전하는 속도는 알 수 없으므로, 실제 이온 주입 작업에서 디스크의 회전 속도가 1223 rpm 인지 여부는 이온 주입 작업이 종료된 이후 테스트 공정에서 목표하는 이온 주입이 이뤄졌는지 판단하거나, 디스크가 과도하게 빠른 속도로 회전하여 웨이퍼의 깨짐, 떨어짐 등의 문제점이 발생한 경우에 알 수 있을 뿐이다. 따라서 목표하는 이온 주입이 이뤄지지 않아 이후의 웨이퍼에 이뤄지는 공정들이 무위로 돌아가거나, 디스크가 과도하게 빠른 속도로 회전하여 웨이퍼의 깨짐, 떨어짐으로 웨이퍼 수율이 떨어지거나 이온 주입부에 무리가 생기는 문제점이 있다.By the way, even though it is important to keep the disk rotation speed constant, there is no device for detecting and displaying the disk rotation speed in the conventional ion implantation unit. The GENUS G1510 model ion implanter is fixed so that the rotational speed of the disk is 1223 rpm during ion implantation, but the actual rotation speed of the disk is unknown. Only after the ion implantation operation has been completed can be determined whether the target ion implantation has been performed in the test process, or when the disk is rotated at an excessively high speed, and problems such as cracking and falling of the wafer occur. Therefore, there is a problem that the target ion implantation is not performed and subsequent processes performed on the wafer return to an indefinite state, or the disk is rotated at an excessively high speed so that the yield of the wafer may be degraded due to the cracking or dropping of the wafer, or the ion implantation may be overwhelmed. .

따라서, 본 발명의 목적은 디스크의 회전 속도를 감지하기 위한 속도 감지기를 구비하는 이온 주입 장치의 이온 주입부를 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an ion implantation unit of an ion implantation apparatus having a speed detector for sensing the rotational speed of the disk.

본 발명의 또 다른 목적은 디스크의 회전 속도를 감지하여 이온 주입 작업을 조절함으로써 웨이퍼의 수율을 높이고 이온 주입부에 무리가 가지 않도록 보호하는 데 있다.Still another object of the present invention is to increase the yield of the wafer by protecting the rotation speed of the disk by adjusting the ion implantation operation and to protect the ion implantation from being excessive.

도 1은 디스크 패드에 웨이퍼가 안착되는 모습을 나타내는 절개 사시도,1 is a cutaway perspective view illustrating a state in which a wafer is seated on a disk pad;

도 2는 웨이퍼가 기울어진 상태에서 이온 빔이 주입되는 모습을 나타낸 개략도,2 is a schematic view showing a state in which an ion beam is implanted in a state in which the wafer is inclined;

도 3은 본 발명에 따른 속도 감지기를 구비한 이온 주입부를 나타내는 부분 절개 개략도,3 is a partial cutaway schematic diagram showing an ion implantation with a speed sensor in accordance with the present invention;

도 4는 본 발명에 따른 속도 감지기를 나타내는 부분 절개 개략도이다.4 is a partial cutaway schematic diagram illustrating a speed sensor in accordance with the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 설명 ><Description of Main Parts of Drawings>

10 : 이온 주입부 12 : 디스크10 ion implant 12 disc

16 : 웨이퍼 14 : 디스크 패드16: wafer 14: disk pad

18 : 주사축 20 : 작업 챔버18: scanning axis 20: working chamber

30 : 모터 구동부 22 : 구동 장치30: motor drive unit 22: drive device

36 : 모터 26 : 디스크 회전축36: motor 26: disk rotation axis

38 : 모터 회전축 34 : 벨트38: motor shaft 34: belt

13 : 이온 빔 33 : 속도 감지기13: ion beam 33: speed detector

42 : 감지봉 40 : 광센서42: sensing rod 40: light sensor

44 : 수광부 45 : 수광부44: light receiver 45: light receiver

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 웨이퍼가 놓이는 복수의 원형 디스크 패드와, 복수의 디스크 패드가 중심에 대해 대칭을 이루도록 설치된 상면을 갖는 디스크와, 디스크의 하면 중심부에 일체로 형성된 디스크 회전축과, 디스크 회전축이 관통할 수 있도록 홈을 갖는 버킷과, 버킷에 결합되며 디스크를 왕복 운동 및 기울이는 구동 장치를 갖는 주사축과, 버킷에 설치되어 디스크 회전축을 회전시켜 이에 연결된 디스크를 회전시키는 모터 구동부와, 버킷의 관통홀 내부면에 설치되어 디스크 회전축의 회전 속도를 감지함으로 디스크의 회전 속도를 감지하는 속도 감지기를 구비하는 이온 주입 장치의 이온 주입부를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention is a disk having a plurality of circular disk pads on which the wafer is placed, a disk having a plurality of disk pads installed symmetrically about the center, a disk rotation axis integrally formed in the center of the lower surface of the disk, A scanning shaft having a groove having a groove through which the disk rotating shaft penetrates, a driving unit coupled to the bucket and reciprocating and tilting the disk, a motor driver installed in the bucket to rotate the disk rotating shaft to rotate the disk connected thereto; It is provided on the inner surface of the through-hole of the bucket to provide the ion implantation unit of the ion implantation device having a speed sensor for detecting the rotational speed of the disk by detecting the rotational speed of the disk rotation axis.

먼저, 이온 주입 작업을 상세히 설명하고자 한다.First, the ion implantation operation will be described in detail.

웨이퍼는 작업 챔버 내에서 웨이퍼 정렬장치에 의해 디스크 패드에 안착되는 웨이퍼 안착 단계를 거친다. 웨이퍼 안착 단계를 거친 후 디스크는 서서히 회전하기 시작하면서 주사축에 연결된 구동 장치에 의해 이온 빔의 주사선과 일정 각도, 예를 들어 7 ° 의 각을 이루도록 서서히 기울어진다. 디스크 회전 속도가 적정 속도를 갖게 되면 이온 빔을 막고 있던 막이 열리면서 이온 빔이 주사된다. 이온 빔이 주사되면서 디스크는 주사축에 연결된 구동 장치에 의해 주사축 방향으로 서서히 왕복 운동을 하여 웨이퍼에 이온 빔이 균일하게 주사되도록 한다. 웨이퍼에 이온 빔 주사 작업이 완료되면 막이 닫히면서 이온 빔 주사가 멈추고 디스크의 회전 속도가 서서히 감소하면서 다시 주사축에 연결된 구동 장치에 의해 디스크가 주사축을 중심으로 기울어지면서 차후의 이온 주입 작업을 위해 최초의 웨이퍼 안착 단계로 돌아간다.The wafer is subjected to a wafer seating step that is seated on the disk pad by a wafer aligner in the working chamber. After the wafer settling step, the disc begins to rotate slowly, at an angle to the scan line of the ion beam, for example, 7 by a drive connected to the scanning axis. ° Tilt slowly to achieve an angle of. When the disk rotation speed is appropriate, the membrane blocking the ion beam opens and the ion beam is scanned. As the ion beam is scanned, the disk is gradually reciprocated in the direction of the scanning axis by a driving device connected to the scanning axis so that the ion beam is uniformly scanned on the wafer. When the ion beam scanning is completed on the wafer, the membrane is closed, the ion beam scanning stops, the disk's rotational speed decreases slowly, and the disk is tilted about the scanning axis again by the drive unit connected to the scanning axis. Return to the wafer seating step.

본 발명에 따른 속도 감지기가 설치된 이온 주입부는 이온 빔 주사 작업에서 디스크의 회전 속도를 감지하는 속도 감지기를 구비하므로 작업자는 속도 감지기에 적정 속도에서 벗어난 값이 나타난 경우 디스크의 회전을 서서히 정지시켜서 모터의 이상 여부, 불량 웨이퍼의 제거 등 목표하는 이온 주입 작업을 수행하기 위해 적절한 조치를 취할 수 있다.Since the ion implantation unit provided with the speed detector according to the present invention includes a speed detector for detecting the rotational speed of the disk in the ion beam scanning operation, the operator slowly stops the rotation of the disk when the speed detector shows a value out of an appropriate speed, thereby causing Appropriate measures may be taken to perform the target ion implantation operation, such as abnormality or removal of defective wafers.

첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.With reference to the accompanying drawings will be described in detail an embodiment of the present invention.

도 1은 디스크 패드에 웨이퍼가 안착되는 모습을 나타내는 절개 사시도이고, 도 2는 웨이퍼가 기울어진 상태에서 이온 빔이 주입되는 모습을 나타낸 개략도이다.1 is a cutaway perspective view illustrating a state in which a wafer is seated on a disk pad, and FIG. 2 is a schematic view illustrating an ion beam being injected while the wafer is inclined.

이온 주입 작업은 진공으로 유지되는 작업 챔버(20)내에서 행해진다. 이온 주입 장치의 이온 주입부(10)는 이동 챔버(17)로부터 웨이퍼 정렬장치(도시되지 않음)에 의해 복수개의 웨이퍼(16)가 각각 놓이는 복수개의 원형 디스크 패드(14)와, 디스크 패드(14)가 상면에 설치된 디스크(12)와, 디스크(12)의 하면 중심부에 일체로 형성된 디스크 회전축(26)과, 디스크 회전축(26)이 연결된 버킷(24)과, 버킷(24)에 웨이퍼 면과 평행을 이루도록 관통하여 결합되며 디스크를 주사축을 중심으로 기울이거나 주사축 방향으로 왕복 운동시키는 구동 장치(22)를 갖는 주사축(18)을 구비한다. 도면 부호 15는 웨이퍼가 기울어진 상태의 디스크의 위치를 나타낸다. 주사축(18)은 디스크(12)를 주사축(18)을 중심으로 기울여서 웨이퍼(16) 중심축과 이온 빔(13)이 이루는 각도가 채널링(channelling)을 방지하는 각, 예를 들면 7 ° 를 유지하도록 하고, 디스크를 주사축 방향을 따라 왕복 운동시킴으로 이온 빔(13)이 웨이퍼(16) 상에 균일하게 주사되도록 한다.The ion implantation operation is performed in the working chamber 20 which is maintained in vacuum. The ion implantation unit 10 of the ion implantation apparatus includes a plurality of circular disk pads 14 on which a plurality of wafers 16 are placed by a wafer aligner (not shown) from the moving chamber 17, and a disk pad 14. ) Is provided on the upper surface of the disk 12, the disk rotating shaft 26 integrally formed in the center of the lower surface of the disk 12, the bucket 24 is connected to the disk rotating shaft 26, the bucket surface and the wafer surface and It is provided with a scanning shaft 18 having a drive device 22 coupled therethrough so as to be parallel and tilting the disk about the scanning axis or reciprocating in the scanning axis direction. Reference numeral 15 denotes the position of the disk with the wafer tilted. The scanning axis 18 tilts the disk 12 about the scanning axis 18 such that an angle between the central axis of the wafer 16 and the ion beam 13 prevents channeling, for example, 7 ° And the disk is reciprocated along the scanning axis direction so that the ion beam 13 is uniformly scanned on the wafer 16.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 속도 감지기가 부착된 이온 주입부(10)를 나타내는 부분 절개 개략도이고, 도 4는 본 발명에 따른 속도 감지기를 나타내는 부분 절개 개략도이다.3 is a partial cutaway schematic view showing an ion implantation unit 10 with a speed sensor according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a partial cutaway schematic view showing a speed sensor according to the present invention.

도 3 및 도 4를 참조하면, 버킷(24) 내부에는 디스크 회전축(26)이 관통할 수 있도록 관통홈(32)이 형성되어 있고, 디스크 회전축(26)을 회전시킴으로 이에 연결된 디스크(12)를 회전시키는 모터 구동부(30)가 설치되어 있다. 모터 구동부(30)는 모터(36)와, 모터 회전축(38)과, 모터 회전축(38)의 회전 운동을 디스크 회전축(26)에 결합된 풀리(28;pulley)에 전달하는 벨트(34)를 갖는다. 디스크(12)의 회전 속도를 감지하기 위한 속도 감지기(33)는 회전축(26)에 수직으로 설치되어 있는 감지봉(42)과 'ㄷ'자형 개구부를 가지며 감지봉(42)의 위치에 대응하여 버킷(24)의 관통홀(32) 내부면에 설치되는 광센서(40)를 구비한다. 속도 감지기(33)의 동작 내용에 대해 설명하면, 디스크(12)를 회전시키는 회전축(26)에 수직으로 설치된 감지봉(42)이 회전축(26)의 회전에 따라 광센서(40)에 형성된 'ㄷ'자형 개구부 내를 통과하게 된다. 'ㄷ'자형 개구부 말단 중 일단에는 빛을 보내는 발광부(45)인 발광 다이오드가 설치되어 있고 타단에는 발광 다이오드로부터 온 빛을 받아들이는 수광부(44)인 포토 트랜지스터가 설치되어 있다. 감지봉(42)이 'ㄷ'자형 개구부 내에 들어가게 되면 빛이 차단되어 광센서(40) 내의 감지 회로(도시되지 않음)의 접점이 닫히게 되도록 설계되어 있어, 회전축(26)의 회전에 따른 빛의 단속(斷續)을 전기적 신호로 바꾸어 이를 표시판(도시되지 않음)에 나타냄으로 디스크(12)의 회전 속도를 감지하게 된다.3 and 4, through holes 32 are formed in the bucket 24 to allow the disk rotation shaft 26 to pass therethrough, and the disk 12 connected thereto is rotated by rotating the disk rotation shaft 26. The motor drive part 30 which rotates is provided. The motor drive unit 30 includes a belt 34 which transmits the motor 36, the motor rotating shaft 38, and the rotational movement of the motor rotating shaft 38 to a pulley 28 coupled to the disk rotating shaft 26. Have The speed detector 33 for detecting the rotational speed of the disk 12 has a sensing rod 42 and a 'c' shaped opening which are installed perpendicular to the rotating shaft 26 and corresponds to the position of the sensing rod 42. The optical sensor 40 is installed on the inner surface of the through hole 32 of the bucket 24. Referring to the operation of the speed sensor 33, the sensing rod 42 is installed on the optical sensor 40 in accordance with the rotation of the rotating shaft 26 is installed on the sensing rod 42 perpendicular to the rotating shaft 26 for rotating the disk 12 It will pass through the '-' opening. One end of the 'c'-shaped opening is provided with a light emitting diode which is a light emitting part 45 for transmitting light, and a phototransistor which is a light receiving part 44 for receiving light from the light emitting diode is provided at the other end. When the sensing rod 42 enters the 'c' shaped opening, the light is cut off so that the contact of the sensing circuit (not shown) in the optical sensor 40 is closed. The rotational speed of the disk 12 is sensed by converting the intermittent current into an electrical signal and displaying it on a display panel (not shown).

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 속도 감지기를 구비하는 이온 주입 장치의 이온 주입부를 사용하면, 작업자는 디스크의 회전 속도가 적정 속도를 유지하는지를 파악할 수 있고, 디스크 회전 속도에 이상이 있는 경우 이를 파악하여 이온 주입 작업을 조절함으로, 웨이퍼의 수율을 높이고 이온 주입부에 무리가 가지 않도록 보호할 수 있다.As described above, when the ion implantation unit of the ion implantation apparatus including the speed sensor according to the present invention is used, the operator can determine whether the rotational speed of the disk maintains an appropriate speed, and if there is an abnormality in the rotational speed of the disk, By adjusting the ion implantation operation, it is possible to increase the yield of the wafer and to protect the ion implantation from being excessive.

Claims

A plurality of circular disk pads on which a plurality of wafers are placed,

A disk having an upper surface on which the plurality of disk pads are symmetrical about a center;

A disk rotating shaft integrally formed at the center of the lower surface of the disk,

A bucket having a through groove so that the disk rotating shaft can pass therethrough;

A motor driver installed in the bucket to rotate the disk rotating shaft to rotate the disk connected to the disk rotating shaft;

A scanning shaft coupled to the bucket and having a drive device for tilting or reciprocating the disk,

The ion implantation unit of the ion implantation device, characterized in that the speed detector for detecting the rotational speed of the disk rotation shaft is installed in a portion including a point of the disk rotation shaft and the inner surface of the through groove corresponding thereto.

According to claim 1, wherein the speed sensor is a sensing rod which is installed perpendicular to the disk axis of rotation,

It is installed on the inner surface of the through groove corresponding to the position where the sensing rod is installed, has a 'c'-shaped opening, one end of the' c'-shaped opening end of the light emitting portion, the other end of the light receiving portion and the sensing rod is the disk rotation axis And an optical sensor for detecting a rotational speed of the disk through intermittent light generated when passing between the light-receiving unit and the light-emitting unit in accordance with the rotation of the ion implantation unit.

The ion implantation apparatus of claim 1, wherein the motor driving unit includes a motor having a motor rotation shaft, and a belt connecting the motor rotation shaft and the disk rotation shaft to transmit the rotational motion of the motor to the disk. Ion implantation.

The scanning axis of claim 1, wherein the scanning axis is coupled through the bucket while being parallel to the wafer surface, and the ion beam scanning angle and the wafer surface can prevent channeling by tilting the disk about an axis of the scanning axis. An ion implantation unit of an ion implantation apparatus, characterized in that the ion beam is scanned at an angle and the disk is reciprocated in the direction of the scanning axis so that ion implantation is uniformly injected into the wafer.

The method of claim 4, wherein the angle capable of preventing channeling is about 7.

°

An ion implantation unit of the ion implantation apparatus, characterized in that.