KR19990045767A - Method and apparatus for pattern registration and film thickness determination in cells plated on inductive debit cards - Google Patents

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KR19990045767A
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페르난도 하비에르 페레이라
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Abstract

미리 지불된 전화 데빗카드 (debit card) 의 크레디트 셀과 같이 절연표면 상에 도금된 도전성 금속패턴의 두께를 판정하기 위한 장치는 상기 카드의 크레디트 셀과 수가 동일한 복수의 인식모듈을 구비하는데, 상기 각각의 모듈은 인턱턴스가 그 상대적인 크레디트 셀 (25) 의 실제 위치와 정렬되는 한 쌍의 동일직선 상의 인식코일 (24a, 24b) 에 의해 제공되는 오실레이터 (30) 로 구성되고, 상기 인식 어셈블리의 출력 (26) 은 그 출력이 메모리 수단이 제공되는 연산수단 (11, 21) 에 접속되는 A/D 변환기 (40) 의 입력에 접속된다. 상기 오실레이터는 교대로 인에이블 (enable) 되어 그 출력전압이 수치로 변환된다. 상기 변환기의 파라미터는 성분 변화, 인식코일 위치 등을 보상하기 위하여 상기 메모리에 저장된 상수에 따라 각각의 인식모듈에 맞게 조절된다. 상기 결과적인 수치는 막의 두께를 제공하기 위하여 각각의 인식모듈에 대하여 특정된 전달곡선 (53) 에 따라 상기 연산수단에 의하여 처리된다. 상기 상수 및 전달곡선은 알려진 금속막 두께의 표준카드를 이용한 개별적인 캘리브레이션에 의하여 셀 어레이에서의 각각의 위치에 대하여 미리 결정된다.An apparatus for determining the thickness of a conductive metal pattern plated on an insulating surface, such as a credit cell of a prepaid telephone debit card, includes a plurality of recognition modules each having the same number as the credit cells of the card. The module of consists of an oscillator 30 provided by a pair of colinear recognition coils 24a, 24b whose inductance is aligned with the actual position of its relative credit cell 25, and the output of the recognition assembly ( 26 is connected to an input of the A / D converter 40 whose output is connected to arithmetic means 11, 21 where memory means are provided. The oscillators are alternately enabled to convert their output voltages to numerical values. The transducer parameters are adjusted for each recognition module according to the constants stored in the memory to compensate for component changes, recognition coil positions, and the like. The resulting numerical value is processed by the computing means according to the transfer curve 53 specified for each recognition module to provide the thickness of the film. The constant and transfer curve are predetermined for each position in the cell array by individual calibration using a standard card of known metal film thickness.

Description

유도성 데빗카드 상에 도금된 셀에서의 패턴 등록 및 막 두께를 판정하기 위한 방법 및 장치Method and apparatus for determining pattern registration and film thickness in cells plated on inductive debit cards

본발명은 절연표면 상에 증착된 도전성 금속층의 두께의 판정에 관한 것으로, 특히 여기에 인용삽입된 특허서류 PI(BR) 7804885, PI(BR) 9201380-5 및 PI(BR) 9304503-4 에 기재된 바와 같은 유도성 데빗카드 상의 크레디트 셀의 생산에 이용되는 금속막의 두께 측정에 관한 것이다.The present invention relates to the determination of the thickness of a conductive metal layer deposited on an insulating surface, in particular the patent documents PI (BR) 7804885, PI (BR) 9201380-5 and PI (BR) 9304503-4, incorporated herein by reference. It relates to the measurement of the thickness of the metal film used for the production of credit cells on inductive debit cards as shown.

X 선 회절에 기초한 금속막 두께의 측정방법은 이미 잘 알려져 있지만, 그에 필요한 시간 뿐만 아니라 그 비용으로 인하여 실험실에서의 높은 정확도를 갖는 측정에 그 사용이 한정된다.Methods of measuring metal film thickness based on X-ray diffraction are already well known, but their use is limited to measurements with high accuracy in the laboratory due to the time required and the cost thereof.

더욱이, 현재 알려진 방법은 카드의 제조중에 갑자기 발생하는 레지스터 (register) 에러, 즉, 카드 상에 도금된 금속 셀패턴의 그 엣지 (edge) 에 대한 위치 불일치를 정확히 검출하지 못한다.Moreover, currently known methods do not accurately detect register errors that occur suddenly during the manufacture of the card, ie position mismatches for those edges of the metal cell pattern plated on the card.

상기한 관점에서, 본발명은 그 주요 목적으로서 최소한의 에러 마진 (error margin) 및 저 비용으로 상기 금속막의 두께를 신속하게 측정할 수 있는 장치를 제공한다.In view of the above, the present invention provides a device capable of quickly measuring the thickness of the metal film with a minimum error margin and low cost as its main purpose.

셀의 도금중의 잘못된 레지스터, 즉 카드를 쓸모 없게 만드는 카드 엣지에 대한 이상적인 위치 및 상기 셀의 실제 위치 사이의 불일치를 검출하는 것도 또한 본발명의 추가적인 목적이다.It is also a further object of the present invention to detect mismatches between the wrong registers during plating of the cell, i.e. the ideal position for the card edge which makes the card useless and the actual position of the cell.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본발명은 복수의 인식 모듈로 구성된 인식 어셈블리를 구비하는 장치를 제공하는데, 여기에서 각각의 모듈은 그 상대적인 크레디트 셀의 진정한 위치에 일치하여 위치하는 인식 코일에 의해 인덕턴스가 제공되는 오실레이터 (oscillator) 로 구성되고 각각의 센서는 공정을 제어하는 연산 수단에 의해 발생되는 펄스에 의하여 한번에 하나씩 개별적으로 인에이블 (enable) 되며, 상기 오실레이터 출력전압은, 금속층의 두께에 관한 정보를 제공하도록 메모리 수단에 저장된 상수에 따라 상기 연산 수단에 의해 처리하기 위하여, 수치로 변환하기 위한 수단에 결합된다.In order to achieve the above object, the present invention provides an apparatus having a recognition assembly composed of a plurality of recognition modules, where each module is inductance by a recognition coil positioned in correspondence with the true position of its relative credit cell. And each sensor is individually enabled one at a time by pulses generated by the computing means controlling the process, and the oscillator output voltage is information about the thickness of the metal layer. Coupled to means for converting into a numerical value for processing by said computing means in accordance with a constant stored in a memory means to provide.

본발명의 또다른 특징에 따르면, 알려진 금속막 두께를 갖는 표준 카드를 이용하는 개별적인 캘리브레이션 (callibration) 에 의하여 셀어레이에서의 각각의 위치에 대하여 상기 상수가 미리 결정된다.According to another feature of the invention, the constant is predetermined for each position in the cell array by individual calibration using a standard card with a known metal film thickness.

본발명의 또다른 특징에 따르면, 도금된 셀패턴에서의 레지스터 에러의 측정을 가능하게 하기 위하여 셀 매트릭스 (matrix) 외부에 위치한 센서가 제공된다.According to another feature of the present invention, a sensor is provided located outside the cell matrix to enable measurement of the resistor error in the plated cell pattern.

본발명의 또다른 특징에 따르면, 카드에 있는 모든 셀의 완전 체크가 허락됨으로써 제조상의 결함으로 인하여 하나 이상의 셀이 개방 (open) 되어 있는 그러한 카드는 거부된다.According to another feature of the present invention, a complete check of all the cells in the card is allowed such that such a card is opened where one or more cells are opened due to manufacturing defects.

본발명의 다른 태양 및 효과 뿐만 아니라 전술한 특성들도 다음과 같은 첨부도면에 도시된 바와 같이 제한적인 의미가 아닌 일례로서 취해진 특정한 실시예의 기재로부터 보다 분명해진다.The foregoing features, as well as other aspects and effects of the present invention, are more apparent from the description of the specific embodiment, which is taken as an example, and not in a limiting sense, as shown in the accompanying drawings.

도 1 은 PC 에 적합한 마이크로컴퓨터와 같은 외부의 제어장비와의 접속 뿐만 아니라 본발명의 원리에 따라 만들어진 테스트 장치의 블록다이어그램을 도시한다.1 shows a block diagram of a test apparatus made in accordance with the principles of the present invention as well as connecting to external control equipment such as a microcomputer suitable for a PC.

도 2 는 본발명에 따라 제안된 장치의 보다 상세한 도면을 도시한다.Figure 2 shows a more detailed view of the proposed device according to the present invention.

도 3 은 본발명에 따른 측정된 전압값을 금속층 두께로 변환하게 하는 구성요소를 도시하는 하나의 인식 모듈에 대한 캘리브레이션 곡선을 도시한다.FIG. 3 shows a calibration curve for one recognition module showing components for converting measured voltage values according to the present invention into metal layer thicknesses.

도 4 는 본발명에 따른 레지스터 오정렬 검출의 원리를 도시한다.4 illustrates the principle of register misalignment detection in accordance with the present invention.

도 1 의 블록다이어그램을 보다 상세히 참조하면, 제안된 장치 (20) 는 다음의 블록을 구비한다. 즉, 마이크로제어기, 아날로그-디지털 변환기 (A/D), 메모리 및 부착물로 구성된 제어판 (21) (CPU-A/D); 개별적인 배선 (23) 에 의하여 센서 매트릭스에 있는 각각의 오실레이터의 동작을 제어하는 어드레스 해독기로 구성된 해독카드 (CEO) (22); 및 그 각각이 상기 오실레이터 이외에도 한쌍의 동일직선 상의 인식 코일 (24a-24b) 을 포함하는 카드의 셀의 수와 동일한 수의 인식 모듈로 구성된 인식 어셈블리로서, 상기 코일 심선의 안쪽 단부는 크레디트 셀 (25) 이 놓이고 그 폭이 상기 카드 두께 보다 약간 더 큰 틈을 형성하여 의도하지 않은 불규칙의 이유가 되는 인식 어셈블리를 구비한다,Referring to the block diagram of FIG. 1 in more detail, the proposed apparatus 20 includes the following blocks. That is, a control panel 21 (CPU-A / D) composed of a microcontroller, an analog-to-digital converter (A / D), a memory, and an attachment; A decryption card (CEO) 22 consisting of an address decoder for controlling the operation of each oscillator in the sensor matrix by separate wiring 23; And recognition modules each having the same number of recognition modules as the number of cells of a card including a pair of in-line recognition coils 24a-24b in addition to the oscillator, wherein an inner end of the coil core wire is a credit cell 25 ) Has a recognition assembly which is placed and forms a gap whose width is slightly larger than the thickness of the card, which is the reason for unintended irregularities.

여전히 도 1 을 참조하면, 장치 (20) 는 예를 들어 RS 232 와 같은 표준화된 프로토콜 (protocol) 을 이용하는 일련의 통신선 (46) 을 통하여 측정 과정을 제어하는 PC 마이크로컴퓨터 (11) 에 접속된다.Still referring to FIG. 1, the device 20 is connected to a PC microcomputer 11 which controls the measurement process via a series of communication lines 46 using a standardized protocol, for example RS 232.

도 2 를 참조하면, 인식 어셈블리 (27) 는 각각이 탱크를 구성하는 코일이 유도성 센서 (24a, 24b) 인 콜피트 (Colpitts) 오실레이터로 구성되는 복수의 테스트 모듈 (30) 을 구비한다. 이러한 오실레이터는 그 진폭이 유도성 코일 부하에 비례하는 교류 신호를 발생하는 특성을 갖는다. 상기 부하가 셀 조건 (개방 또는 단락) 뿐만 아니라 금속층의 특성 (두께 및 도전성) 에도 좌우된다는 사실을 고려해보면, 알려진 합금에 대하여 상기 인식 코일 간의 신호 진폭이 금속막의 두께에 반비례하게 된다.Referring to FIG. 2, the recognition assembly 27 has a plurality of test modules 30, each of which consists of Colpitts oscillators whose coils that make up the tank are inductive sensors 24a, 24b. Such oscillators have the property of generating an alternating signal whose amplitude is proportional to the inductive coil load. Considering the fact that the load depends not only on the cell conditions (open or short) but also on the properties (thickness and conductivity) of the metal layer, the signal amplitude between the recognition coils is inversely proportional to the thickness of the metal film for known alloys.

모든 오실레이터에 있는 트랜지스터 (31) 는 정상적으로는 컷오프 (cut-off) 되어, 일단의 도선 (23) 중의 하나를 통하여 트랜지스터의 베이스에 인가되는 양의 전압 펄스 (32) 를 통하여 CEO (22) 에 의해 오실레이션이 개별적으로 가능해진다. 이러한 펄스의 지속 시간 (33) 은 안정된 상태의 동작에 도달하기 위하여 오실레이터에 의해 요구되는 시간보다 실질적으로 커서, 임의의 가능한 과도전류의 효과를 제거한다. 트랜지스터 (31) 의 콜렉터에 존재하는 오실레이션 전압의 일부가 다이오드 (34) 에 의해 정류되고 커패시터 (35) 에 의해 여과되어, 상기한 명령 펄스 (32) 와 동일한 지속기간을 갖는 직각 펄스 (36) 를 초래한다.Transistors 31 in all oscillators are normally cut off, by the CEO 22 via a positive voltage pulse 32 applied to the base of the transistor via one of the wires 23. Oscillation is possible individually. The duration 33 of this pulse is substantially greater than the time required by the oscillator to reach steady state operation, eliminating the effect of any possible transients. A portion of the oscillation voltage present in the collector of transistor 31 is rectified by diode 34 and filtered by capacitor 35, so that the rectangular pulse 36 has the same duration as the command pulse 32 described above. Results in.

펄스 (36) 의 크기는 A/D 변환기 (40) 에 인가되는 최대의 전압보다 휠씬 크다. 이 때문에, 상기 펄스 (36) 으로부터 일정한 전압을 빼서 수치로 변환하기 위한 상기 변환기 (40) 의 입력으로 전송되는 보다 낮은 진폭의 펄스 (38) 를 만들기 위하여, 제너 다이오드 (Zener diode) (37) 가 상기 변환기 입력과 직렬로 접속된다.The magnitude of the pulse 36 is much greater than the maximum voltage applied to the A / D converter 40. For this reason, in order to make a lower amplitude pulse 38 transmitted to the input of the converter 40 for subtracting a constant voltage from the pulse 36 and converting it into a numerical value, a Zener diode 37 is provided. It is connected in series with the transducer input.

상기 전송은 그 값이 제어 단자 (39') 에 인가되는 신호에 의해 CPU (21) 에 의하여 조절되는 디지털적으로 제어되는 전위차계 (39) 를 통하여 이루어진다. 각각의 오실레이터의 성분 간의 차이가 있기 때문에, 이러한 조절은 각각의 테스트 모듈 (30) 에 대하여 개별적이다. 더욱이, 오실레이션 (oscillation) 전압은 (엣지 등으로부터 다소 멀리 떨어진) 어레이 내의 인식 코일의 위치에 의해 영향을 받는다. 이러한 전위차계의 조절용 데이터는 알려진 두께의 표준 카드를 이용하여 장치의 전 캘리브레이션 중에 결정되어 CPU 의 메모리 (도시되지 않음) 에 저장된다.The transmission is made via a digitally controlled potentiometer 39 whose value is adjusted by the CPU 21 by a signal applied to the control terminal 39 '. Since there is a difference between the components of each oscillator, these adjustments are individual for each test module 30. Moreover, the oscillation voltage is affected by the position of the recognition coils in the array (somewhat farther away from the edge, etc.). This potentiometer adjustment data is determined during the entire calibration of the device using a standard card of known thickness and stored in a memory (not shown) of the CPU.

제어된 전위차계 (41, 42) 는 CPU 로부터 제어 신호에 의하여 동일한 방식으로 조절되고, 그 조절은 104 개의 인식 모듈 각각에 대하여 특정되어 있다. 여기에서, 첫번째 조절은 A/D 변환기 스팬 (span) 을 조절하는 것이고, 두번째 조절은 상기 변환기에 대하여 가장 낮은 전압신호 (V-널 (null)) (가장 두꺼운 금속막에 대응) 를 설정하는 것이다. 상기한 바와 같이, 제어된 전위차계 (39) 는 변환기의 입력에 인가되는 전압의 최대값을 제한한다.The controlled potentiometers 41 and 42 are adjusted in the same manner by control signals from the CPU, and the adjustment is specified for each of the 104 recognition modules. Here, the first adjustment is to adjust the A / D converter span and the second adjustment is to set the lowest voltage signal (V-null) (corresponding to the thickest metal film) for the converter. . As mentioned above, the controlled potentiometer 39 limits the maximum value of the voltage applied to the input of the converter.

이러한 전위차계가 올바르게 조절된 후, 변환기의 출력은 가장 두꺼운 예정된 금속층에 대하여는 0 이되고, 데빗카드의 제조중에 기대될 수 있는 가장 얇은 막에 대하여는 255 가 된다. 수치 및 금속 두께 (E) 사이의 직접적인 관계를 제공하기 위하여, 변환기 (40) 의 출력은 CPU (21) 에 의해 처리되어 255 의 완성을 발생한다.After this potentiometer is correctly adjusted, the output of the transducer is zero for the thickest predetermined metal layer and 255 for the thinnest film that can be expected during manufacture of the debit card. In order to provide a direct relationship between the numerical value and the metal thickness E, the output of the converter 40 is processed by the CPU 21 to produce completion of 255.

이러한 단계 후에, 수개의 위치가 테스트용으로 프로그램된 경우, 상기 CPU 는 테스트될 다음 위치의 어드레스를 CEO (23) 로 보낸다. 직렬 인터페이스 (45) 및 배선 (46) 을 통하여, 상기 수치는 마이크로컴퓨터 (11) (도 1 에 도시됨) 로 전달되고, 상기 마이크로컴퓨터 (11) 는 금속층의 실제 두께에 관한 정보를 전달하기 위하여 이러한 결과를 처리한다.After this step, if several locations have been programmed for testing, the CPU sends the address of the next location to be tested to the CEO 23. Through the serial interface 45 and the wiring 46, the numerical value is transmitted to the microcomputer 11 (shown in FIG. 1), which is adapted to convey information about the actual thickness of the metal layer. Handle these results.

이러한 두께의 계산은 각각의 테스트 모듈에 대한 전달 곡선의 도움으로 이루어지는데, 이러한 전달 곡선은 구성요소의 특성 및 매트릭스 내의 센서의 위치에 좌우된다. 따라서, 104 개 모듈 (본 실시예에서) 각각은 하나 이상의 직선 선분에 의해 근사될 수 있는 전달 곡선을 갖는다. 도 3 은 이러한 곡선의 근사를 두개의 상수에 의해 정의된 단일 선분 (53) 으로 예시하는데, 상기 두개의 상수는 선형 상수 (b) 및 각 상수 (m) 이다. 그러므로, 상기 매트릭스 내의 각각의 위치에 대하여 두께가 E = (VN × m) + b 에 의해 계산되는데, 여기에서 VN 은 CPU 로 전달되는 수치이다.The calculation of this thickness is made with the aid of a transfer curve for each test module, which depends on the properties of the component and the position of the sensor in the matrix. Thus, each of the 104 modules (in this embodiment) has a transmission curve that can be approximated by one or more straight line segments. 3 illustrates an approximation of this curve with a single line segment 53 defined by two constants, which are the linear constants (b) and angular constants (m). Therefore, for each position in the matrix, the thickness is calculated by E = (VN x m) + b, where VN is the value passed to the CPU.

전술한 바와 같이, 각각의 테스트 모듈에 대한 특성 곡선은 2 이상의 직선 선분을 통하여 보다 정확하게 근사될 수 있으며, 각각의 선분은 특정한 선형 상수 (b1, b2 등) 에 의해서 뿐만 아니라 특정한 각 상수 (m1, m2 등) 에 의하여 정의된다. 결과적으로, 이러한 경우에, 막 두께를 계산하기 위한 공식은 하나의 단일 선분을 통하여 근사시키는데 이용되는 공식 보다 상당히 더 복잡해진다.As mentioned above, the characteristic curve for each test module can be approximated more accurately through two or more straight line segments, each segment being defined not only by a particular linear constant (b1, b2, etc.) but also by a particular angular constant (m1, m2, etc.). As a result, in this case, the formula for calculating the film thickness becomes considerably more complicated than the formula used to approximate through one single line segment.

일단 카드에서 하나 이상의 셀에서의 두께의 값이 계산되면, 이러한 값은 저장되고, 인쇄되고, 다른 유니트 (unit) 로 전달되고, 심지어는 카드를 거부하기 위한 (허용 한계를 넘는 두께값에 대한) 경고를 트리거 (trigger) 하기 위하여 이용될 수도 있다. 제조상의 결함으로 인하여 셀이 고장나는 경우에, 이러한 사실은 "불충분한 두께" 로 장치에 의해 해석되어 카드 거부를 초래한다.Once the values of the thickness in one or more cells in the card are calculated, these values are stored, printed, transferred to another unit, and even for rejecting the card (for thickness values beyond the acceptable limits). It may be used to trigger an alert. In the event of a cell failure due to manufacturing defects, this fact is interpreted by the device as "insufficient thickness" resulting in card rejection.

두께 판정 이외에도, 제안된 장치는 예상치 못한 레지스터 에러에 대한 판정을 한다. 이를 위하여, 비금속 창이 카드에 제공되는데, 직사각형이나 정사각형 모양인 이러한 창은 크레디트 셀 어레이 외부의 도금된 영역에 위치한다. 이와 유사한 방식으로, 유도성 센서의 집합에는 상기 창과 일치하게 위치하는 코일과 함께 추가적인 테스트 모듈이 제공된다.In addition to the thickness determination, the proposed apparatus makes a determination for unexpected register errors. For this purpose, a non-metallic window is provided on the card, which is rectangular or square in shape and is located in the plated area outside of the credit cell array. In a similar manner, a set of inductive sensors is provided with additional test modules with coils positioned in line with the window.

도 4 는 레지스트 에러 판정의 원리를 보인다. 창 (60) 의 엣지 (61) 중의 하나를 고려하면, 상기 유도성 센서 심선에 대하여 대략 3 개의 위치가 가능하다. 도 4a 에서, 심선 (62) 은 도금되지 않은 부분 위에 완전히 놓이므로, 금속층에 유도된 전류가 가장 낮고, 따라서 오실레이터 단자에서의 전압이 가장 크다. 도 4b 는 심선 (63) 이 부분적으로는 도금된 영역 상에 놓이고 부분적으로는 창 상에 놓인 위치를 도시하는데, 이 경우에 약간의 부하가 발생하여 오실레이션 진폭은 이전보다 작다. 마지막으로, 도 4c 에서, 심선 (64) 은 완전히 금속 도금된 영역 상에 위치한다. 오실레이터 코일 부하는 가장 높으며, 따라서 오실레이션의 전압은 가장 작다.4 shows the principle of resist error determination. Considering one of the edges 61 of the window 60, approximately three positions are possible with respect to the inductive sensor core. In Fig. 4A, since the core wire 62 completely lies on the unplated portion, the current induced in the metal layer is the lowest, and therefore the voltage at the oscillator terminal is the largest. 4B shows the position where the core 63 lies partially on the plated area and partly on the window, in which case a slight load occurs and the oscillation amplitude is smaller than before. Finally, in FIG. 4C, the core 64 is located on a fully metal plated region. The oscillator coil load is the highest, so the oscillation voltage is the smallest.

대응하는 유도성 센서의 위치 뿐만 아니라 창의 크기 및 위치에 관한 적당한 선택을 통하여 카드의 축에 대한 패턴의 회전 뿐만 아니라 세로방향이나 가로방향으로의 카드 상에 도금된 금속 패턴의 일탈을 검출할 수 있게 된다.By appropriate selection of the size and position of the window as well as the corresponding inductive sensor position, it is possible to detect the deviation of the metal pattern plated on the card in the longitudinal or transverse direction as well as the rotation of the pattern about the axis of the card. do.

자명하게도, 센서에 의해 검출된 전압값은 카드 상의 금속층의 두께에 따라 변하게 되어, 상기 레지스터 센서에 의해 공급된 값의 분석을 위한 적절한 소프트웨어를 필요로 한다.Obviously, the voltage value detected by the sensor varies with the thickness of the metal layer on the card, requiring appropriate software for analysis of the value supplied by the resistor sensor.

전술한 바와 같이, 최대 및 최소의 수용가능한 측정된 레벨은 알려진 레지스터 불일치를 갖는 표준 카드를 통하여 미리 결정되어야 한다. 이러한 값은 컴퓨터 메모리에 저장되어, 상기 레지스터 에러가 진정한 위치로부터 허용할 수 있는 편차를 초과하는 카드의 거부를 가능하게 한다.As mentioned above, the maximum and minimum acceptable measured levels must be predetermined through a standard card with a known register mismatch. This value is stored in computer memory to allow the rejection of the card beyond the allowable deviation of the register error from the true location.

본발명이 특정한 실시예에 기초하여 기재되었지만, 본발명의 개념의 범위를 벗어남이 없이 여러가지 변경 및 수정이 가해질 수 있다는 것은 분명하다. 따라서, 예를 들어 충분한 메모리가 이용가능하고 모든 필요한 소프트웨어가 부가된다면, 모든 데이터 처리가 장치의 CPU 에 의해 이루어져서, 마이크로컴퓨터 (11) 의 필요성을 없앤다.Although the present invention has been described based on the specific embodiments, it is apparent that various changes and modifications can be made without departing from the scope of the present invention. Thus, for example, if sufficient memory is available and all the necessary software is added, all data processing is done by the CPU of the device, eliminating the need for the microcomputer 11.

더욱이, 전술한 내용이 104 개의 셀 (100 개의 크레디트 셀 및 위치/유효성을 위한 4개의 셀) 을 갖는 카드를 테스트하도록 설계된 장치를 설명하지만, 본발명의 원리는 임의의 갯수의 셀을 갖는 카드에도 동일하게 적용될수 있으며, 절연 물질 상에 증착된 연속적인 금속층의 두께에 대한 측정에도 동일하게 적용될 수 있다.Furthermore, while the foregoing describes an apparatus designed to test a card having 104 cells (100 credit cells and 4 cells for location / validity), the principles of the present invention also apply to cards with any number of cells. The same may be applied to the measurement of the thickness of the continuous metal layer deposited on the insulating material.

Claims (8)

유도성 데빗카드 상에 도금된 셀에서의 패턴 등록 및 막두께를 판정하기 위한 장치로서,An apparatus for determining pattern registration and film thickness in a cell plated on an inductive debit card, 상기 카드의 크레디트 셀과 수가 동일한 복수의 인식 모듈로 구성된 인식 어셈블리 (27) 를 구비하고,A recognition assembly 27 composed of a plurality of recognition modules having the same number as the credit cells of the card, 상기 각각의 모듈은 그 세로축이 상대적인 크레디트 셀 (25) 의 진정한 위치와 정렬된 한쌍의 동일직선 상의 인식 코일 (24a, 24b) 에 의해 인덕턴스가 제공되는 오실레이터 (30) 로 구성되며,Each module consists of an oscillator 30 whose inductance is provided by a pair of colinear recognition coils 24a, 24b whose longitudinal axis is aligned with the true position of the credit cells 25 relative to each other, 상기 인식 어셈블리의 출력 (26) 은 그 출력이 각 개별 인식 모듈에 관한 데이터 뿐만 아니라 두께 계산용 특정한 소프트웨어가 부가된 메모리 수단이 제공되는 연산 수단 (11, 21) 에 접속되는 A/D 변환기 (40) 의 입력에 접속되는 것을 특징으로 하는 유도성 데빗카드 상에 도금된 셀에서의 패턴 등록 및 막두께를 판정하기 위한 장치.The output 26 of the recognition assembly is an A / D converter 40 whose output is connected to arithmetic means 11, 21 which are provided with memory means appended with data relating to each individual recognition module as well as specific software for thickness calculation. Device for determining pattern registration and film thickness in a cell plated on an inductive debit card. 제 1 항에 있어서, 상기 패턴 등록은 인식 코일 (62, 63, 64) 이 크레디트 셀어레이 영역 외부에 위치한 추가적인 인식 모듈에 의해 체크되는 것을 특징으로 하는 장치.2. The apparatus of claim 1, wherein the pattern registration is checked by an additional recognition module in which the recognition coils (62, 63, 64) are located outside the credit cell array area. 제 1 항에 있어서, 상기 인식 모듈 각각은 콜피츠 (Colpitts) 오실레이터를 구비하는 것을 특징으로 하는 장치.10. The apparatus of claim 1, wherein each of the recognition modules comprises a Colpitts oscillator. 제 1 항에 있어서, 상기 인식 어셈블리 (27) 출력 및 상기 A/D 변환기 (40) 입력 사이에 제너 다이오드를 삽입하는 것을 특징으로 하는 장치.2. A device according to claim 1, wherein a zener diode is inserted between the recognition assembly (27) output and the A / D converter (40) input. 제 1 항에 있어서, 디지털적으로 제어된 전위차계 (39) 를 상기 A/D 변환기 (40) 의 입력 경로에 접속하고,A digitally controlled potentiometer (39) according to claim 1, connected to the input path of said A / D converter (40), 상기 전위차계의 제어단자 (39') 는 상기 연산 수단 (21) 에 접속되는 것을 특징으로 하는 장치.The control terminal (39 ') of the potentiometer is connected to the calculating means (21). 제 1 항에 있어서, 디지털적으로 제어되는 전위차계 (41, 42) 가 상기 A/D 변환기의 스팬 및 V-널 단자에 접속되고,A digitally controlled potentiometer (41, 42) is connected to the span and the V-null terminal of the A / D converter, 상기 전위차계의 제어단자 (41', 42') 가 상기 연산 수단 (21) 에 접속되는 것을 특징으로 하는 장치.The control terminal (41 ', 42') of the potentiometer is connected to the calculating means (21). 유도성 데빗카드 상에 도금된 셀에서의 패턴 등록 및 막두께를 판정하기 위한 방법으로서,A method for determining pattern registration and film thickness in a cell plated on an inductive debit card, 크레디트 셀어레이 내에서 테스트될 하나 이상의 위치를 선택하는 단계;Selecting one or more locations to be tested in the credit cell array; 상기 선택된 위치에 관한 테스트 모듈에 연관된 상수를 연산 수단 (11, 21) 의 메모리로부터 독출하는 단계;Reading a constant associated with the test module relating to the selected position from the memory of the computing means (11, 21); A/D 변환기를 미리 세팅하는 단계로서, 상기 변환기의 신호입력, 스팬 및 V-널 단자에 각각 접속된 디지털적으로 제어되는 전위차계 (39, 41, 42) 의 제어단자 (39', 41', 42') 에 급송되고 상기 상수로부터 유도되고 CPU (21) 에 의해 발생된 제어신호에 의하여 상기 A/D 변환기를 미리 세팅하는 단계; 및A step of setting an A / D converter in advance, wherein the control terminals 39 ', 41', of the digitally controlled potentiometers 39, 41, 42 connected to the signal input, span and V-null terminals of the converter are respectively set. Presetting the A / D converter by means of a control signal fed to the controller 42 ') and derived from the constant and generated by the CPU (21); And 상기 막을 구성하는 금속 합금뿐만 아니라 어레이 내의 상기 위치와 연관된 전달 곡선에 따라 상기 A/D 변환기로부터 연산 수단 (11, 21) 으로 전송된 수치를 처리함으로써 막두께를 계산하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 유도성 데빗카드 상에 도금된 셀에서의 패턴 등록 및 막두께를 판정하기 위한 방법.Calculating a film thickness by processing numerical values transmitted from the A / D converter to the computing means (11, 21) according to the transfer curves associated with the positions in the array as well as the metal alloys constituting the film. A method for pattern registration and film thickness in a cell plated on an inductive debit card. 제 7 항에 있어서, 상기 연산 수단 (11, 21) 메모리에 저장된 상기 전달 곡선 및 상기 상수의 값은 알려진 금속막 두께의 표준 카드에 대하여 수행된 측정에 의해 미리 결정되는 것을 특징으로 하는 방법.8. Method according to claim 7, characterized in that the value of said transfer curve and said constant stored in said computing means (11, 21) memory are determined by measurements performed on a standard card of known metal film thickness.
KR10-1998-0702011A 1995-09-18 1996-09-17 Method and apparatus for determining pattern register and film thickness in plated cells on inductive debit cards KR100467116B1 (en)

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