KR19990042110U - SDRAM clock synchronous circuit - Google Patents

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KR19990042110U KR2019980009227U KR19980009227U KR19990042110U KR 19990042110 U KR19990042110 U KR 19990042110U KR 2019980009227 U KR2019980009227 U KR 2019980009227U KR 19980009227 U KR19980009227 U KR 19980009227U KR 19990042110 U KR19990042110 U KR 19990042110U
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박영기
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김영환
현대반도체 주식회사
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Abstract

본 고안은 에스디램의 클럭 동기 회로에 관한 것으로, 종래 에스디램을 사용한 시스템 부팅시 지정되지 않은 어드레스 신호와 모드 레지스터 신호가 동시 들어올 경우 복수의 지연 인에이블 신호가 모두 저전위로 출력됨으로써, 회로가 오동작하여 상기 시스템 부팅을 실행하지 못하는 문제점이 있었다. 따라서, 본 고안은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 제1,제2,제3 인버터와; 제1,제2,제3 논리곱 게이트와; 지연제어부로 구성한 클럭 동기 회로에 있어서, 지정되지 않은 어드레스 신호 입력시 사전에 지정된 지연시간을 갖도록 지연 인에이블 신호를 출력하는 오동작 방지부를 더 포함하여 구성한 장치를 제공하여 지정되지 않은 어드레스 신호 입력시 사전에 지정된 지연시간을 갖는 지연 인에이블 신호를 출력함으로써, 지정되지 않은 어드레스 신호에 의한 회로의 오동작을 방지하고, 시스템의 신뢰도를 향상시키는 효과가 있다.The present invention relates to a clock synchronization circuit of an SDRAM. When a non-specified address signal and a mode register signal simultaneously enter a system booting system using a conventional SDRAM, a plurality of delay enable signals are output at a low potential, thereby causing the circuit to malfunction. There was a problem that can not execute the system boot. Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, the first, second, third inverter; First, second, and third AND gates; A clock synchronizing circuit composed of a delay control section, comprising: a malfunction prevention section for outputting a delay enable signal so as to have a predetermined delay time upon input of an unspecified address signal, and providing a device configured to provide an apparatus for inputting an unspecified address signal. By outputting a delay enable signal having a delay time specified in Fig. 2, there is an effect of preventing a malfunction of a circuit due to an unspecified address signal and improving the reliability of the system.

Description

에스디램의 클럭 동기 회로SDRAM clock synchronous circuit

본 고안은 에스디램의 클럭 동기 회로에 관한 것으로, 특히 에스디램을 사용한 시스템에 있어서 지정되지 않은 어드레스 신호 입력시 사전에 지정된 지연시간을 갖도록 지연 인에이블 신호를 출력하여 상기 시스템의 오동작을 방지하는 에스디램의 클럭 동기 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a clock synchronization circuit of an SDRAM. In particular, in a system using an SDRAM, an SD delay output signal is output to have a predetermined delay time when an unspecified address signal is input. The clock synchronization circuit of the RAM.

일반적인 에스디램의 클럭 동기 회로는 모드 레지스터 신호에 의해 읽기 동작을 수행할 경우 입력데이터를 원하는 클럭만큼 지연시킨 후 출력하도록 클럭의 동기를 맞추는 회로이다.In general, a SDRAM clock synchronization circuit is a circuit for synchronizing clocks to delay input data by a desired clock when performing a read operation using a mode register signal.

도 1은 종래의 에스디램의 클럭 동기 회로도로서, 이에 도시된 바와 같이 외부 입력 패드(미도시)로부터 입력되는 제4,제5,제6 어드레스 신호(A4,A5,A6)를 각각 반전하여 출력하는 제1,제2,제3 인버터(I1,I2,I3)와; 모드 레지스터 신호(MRS)와 상기 제1,제2 인버터(I1,I2)의 출력신호 및 제4 어드레스 신호(A4)를 입력받아 논리곱 연산하여 출력하는 제1 논리곱 게이트(AND1)와; 상기 모드 레지스터 신호(MRS)와 제1,제3 인버터신호(I1,I3) 및 제5 어드레스 신호(A5)를 입력받아 논리곱 연산하여 출력하는 제2 논리곱 게이트(AND2)와; 상기 모드 레지스터 신호(MRS)와 제1 인버터(I1)의 출력신호 및 제4,제5 어드레스 신호(A4,A5)를 입력받아 논리곱 연산하여 출력하는 제3 논리곱 게이트(AND3)와; 상기 제1,제2,제3 논리곱 게이트(AND1,AND2,AND3)에서 출력되는 지연 인에이블 신호(LE1,LE2,LE3)에 의해 각기 해당되는 클럭만큼 지연시키는 지연 제어 신호를 출력하는 지연 제어부(10)로 구성된다.FIG. 1 is a clock synchronization circuit diagram of a conventional SDRAM, and inverts and outputs fourth, fifth, and sixth address signals A4, A5, and A6 input from an external input pad (not shown). First, second, and third inverters I1, I2, and I3; A first AND gate AND1 that receives a mode register signal MRS, an output signal of the first and second inverters I1 and I2, and an AND logic operation to output the fourth address signal A4; A second AND gate AND2 for receiving the mode register signal MRS, the first and third inverter signals I1 and I3, and the fifth address signal A5 and performing an AND operation on the mode register signal; A third AND gate AND3 for receiving the mode register signal MRS, the output signal of the first inverter I1, and the fourth and fifth address signals A4 and A5 and performing an AND operation on the mode register signal; A delay control unit configured to output a delay control signal delayed by a corresponding clock by the delay enable signals LE1, LE2, and LE3 output from the first, second, and third AND gates AND1, AND2, and3; It consists of (10).

이하, 종래 기술에 따른 일실시예의 동작과정을 첨부한 도 2의 진리표를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the truth table of Figure 2 attached to the operation of one embodiment according to the prior art will be described in detail.

우선, 모드 레지스터 신호(MRS)가 저전위이면, 제1,제2,제3 논리곱 게이트(AND1∼AND3)가 저전위를 출력하여 클럭 동기 회로는 동작하지 않으므로, 상기 모드 레지스터 신호(MRS)를 고전위로 인가하여 상기 클럭 동기 회로를 인에이블시킨다.First, when the mode register signal MRS has a low potential, since the first, second, and third AND gates AND1 to AND3 output a low potential, and the clock synchronizing circuit does not operate, the mode register signal MRS Is applied at high potential to enable the clock synchronizing circuit.

따라서, 제4 어드레스 신호(A4)가 고전위이고, 제5,제6 어드레스 신호(A5,A6)가 저전위일 경우, 제1,제2 인버터(I1,I2)는 고전위를 출력하고, 제3 인버터(I3)는 저전위를 출력한다.Therefore, when the fourth address signal A4 is at high potential and the fifth and sixth address signals A5 and A6 are at low potential, the first and second inverters I1 and I2 output high potentials. The third inverter I3 outputs a low potential.

그러므로, 상기 고전위 모드 레지스터 신호(MRS)와 상기 제1,제2 인버터(I1,I2)의 고전위 출력신호 및 상기 고전위 제4 어드레스 신호(A4)를 입력받은 상기 제1 논리곱 게이트(AND1)는 고전위인 제1 지연 인에이블 신호(LE1)를 출력하나, 각각 상기 저전위인 제5 어드레스 신호(A5)를 입력받은 상기 제2,제3 논리곱 게이트(AND2),(AND3)의 저전위인 제2,제3 지연 인에이블 신호(LE2),(LE3)는 출력한다.Therefore, the first AND gate receives the high potential mode register signal MRS, the high potential output signal of the first and second inverters I1 and I2, and the high potential fourth address signal A4. AND1 outputs the first delay enable signal LE1 having a high potential, but the low voltages of the second and third AND gates AND2 and AND3 respectively receiving the fifth address signal A5 having the low potential. The above second and third delay enable signals LE2 and LE3 are output.

따라서, 상기 고전위인 제1 지연 인에이블 신호(LE1)에 의해 지연 제어부(10)는 입력데이터를 한 클럭 지연시키는 지연제어신호를 클럭 지연 회로(미도시)로 출력한다.Accordingly, the delay control unit 10 outputs a delay control signal for delaying the input data by one clock by the high delay first delay enable signal LE1 to a clock delay circuit (not shown).

그리고, 제4,제6 어드레스 신호(A4,A6)는 저전위이고 제5 어드레스 신호(A5)는 고전위일 경우, 상기 제1,제3 인버터(I1,I3)는 고전위를 출력하고 상기 제2 인버터(I2)는 저전위를 출력한다.When the fourth and sixth address signals A4 and A6 have a low potential and the fifth address signal A5 has a high potential, the first and third inverters I1 and I3 output a high potential and 2 The inverter I2 outputs a low potential.

따라서, 상기 고전위 모드 레지스터 신호(MRS)와 상기 제1,제3 인버터(I1,I3)의 고전위 출력신호 및 고전위 제5 어드레스 신호(A5)를 입력받은 상기 제2 논리곱 게이트(AND2)는 고전위인 제2 지연 인에이블 신호(LE2)를 출력하나, 각각 상기 저전위인 제4 어드레스 신호(A4)를 입력받은 상기 제1,제3 논리곱 게이트(AND1),(AND3)는 저전위인 제1,제3 지연 인에이블 신호(LE1),(LE3)를 출력한다.Accordingly, the second AND gate AND2 receiving the high potential mode register signal MRS, the high potential output signal of the first and third inverters I1 and I3, and the high potential fifth address signal A5. ) Outputs a second delay enable signal LE2 having a high potential, but the first and third AND gates AND1 and AND3 receiving the fourth address signal A4 having the low potential are respectively low potential. The first and third delay enable signals LE1 and LE3 are output.

이에 따라, 상기 고전위인 제2 지연 인에이블 신호(LE2)를 입력받은 상기 지연 제어부(10)는 입력 데이터를 두 클럭 지연시키는 지연제어신호를 출력한다.Accordingly, the delay control unit 10 receiving the high potential second delay enable signal LE2 outputs a delay control signal for delaying the input data by two clocks.

또한, 제4,제5 어드레스 신호(A4,A5)가 고전위이고 제6 어드레스 신호(A6)가 저전위일 경우, 상기 제2,제3 인버터(I2,I3)는 저전위를 출력하고 상기 제1 인버터(I3)는 고전위를 출력한다.In addition, when the fourth and fifth address signals A4 and A5 are high potential and the sixth address signal A6 is low potential, the second and third inverters I2 and I3 output low potential and The first inverter I3 outputs a high potential.

따라서, 상기 고전위 모드 레지스터 신호(MRS)와 상기 고전위 제4,제5 어드레스신호(A4,A5) 및 고전위 제1 인버터(I1) 출력 신호를 입력받은 상기 제3 논리곱 게이트(AND3)는 제3 지연 인에이블 신호(LE3)를 고전위로 출력되나, 각각 저전위인 제2,제3 인버터의 출력신호를 입력받은 상기 제1,제2 논리곱 게이트(AND1,AND2)는 제1,제2 지연 인에이블 신호(LE1,LE2)를 저전위로 출력되므로, 상기 제3 지연 인에이블 신호(LE3)를 입력받은 상기 지연 제어부(10)는 세 클럭 지연시키는 지연제어신호를 출력한다.Accordingly, the third AND gate AND3 receiving the high potential mode register signal MRS, the high potential fourth and fifth address signals A4 and A5, and the high potential first inverter I1 output signal. The third delay enable signal LE3 is output at high potential, but the first and second AND gates AND1 and AND2 receiving the output signals of the second and third inverters having low potentials are respectively the first and the second. Since the two delay enable signals LE1 and LE2 are output at a low potential, the delay controller 10 receiving the third delay enable signal LE3 outputs a delay control signal for three clock delays.

그러나, 제6 어드레스 신호(A6)가 고전위이거나, 제4,제5,제6 어드레스 신호(A4∼A6) 모두 저전위일 경우, 상기 제1,제2,제3 논리곱 게이트(AND1∼AND3)는 저전위인 제1,제2,제3 지연 인에이블 신호(LE1∼LE3)를 출력하므로, 상기 지연 제어부(10)는 불능상태가 되어 동작하지 못한다.However, when the sixth address signal A6 has a high potential or the fourth, fifth, and sixth address signals A4 to A6 have low potentials, the first, second, and third AND gates AND1 to AND3) outputs the first, second and third delay enable signals LE1 to LE3 having low potentials, and thus the delay controller 10 is disabled and cannot operate.

상기와 같이 종래 에스디램을 사용한 시스템 부팅시 지정되지 않은 어드레스 신호와 모드 레지스터 신호가 동시 들어올 경우 복수의 지연 인에이블 신호가 모두 저전위로 출력됨으로써, 회로가 오동작하여 상기 시스템 부팅을 실행하지 못하는 문제점이 있었다.As described above, when a non-specified address signal and a mode register signal simultaneously enter a system booting system using a conventional SDRAM, a plurality of delay enable signals are all output at low potentials, thereby preventing a system from booting due to a malfunction of the circuit. there was.

따라서, 본 고안은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 에스디램을 사용한 시스템에 있어서 지정되지 않은 어드레스 신호 입력시 사전에 지정된 지연시간을 갖도록 출력하여 회로의 오동작을 방지하는 에스디램의 클럭 동기 회로를 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been devised to solve the above-mentioned problems. In the system using the SDRAM, an SDRAM which outputs a predetermined delay time when inputting an unspecified address signal prevents malfunction of the circuit. Its purpose is to provide a clock synchronizing circuit.

도 1은 종래 에스디램의 클럭 동기 회로도.1 is a clock synchronization circuit diagram of a conventional SDRAM.

도 2는 도 1의 진리표.2 is a truth table of FIG. 1.

도 3은 본 고안 에스디램의 클럭 동기 회로도.3 is a clock synchronization circuit diagram of the inventive inventive DRAM.

도 4는 도 3의 진리표.4 is a truth table of FIG. 3.

***도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명****** Description of the symbols for the main parts of the drawings ***

10 : 지연 제어부 100 : 오동작 방지부10: delay control unit 100: malfunction prevention unit

I1∼I3 : 인버터 AND1∼AND5 : 논리곱 게이트I1 to I3: Inverter AND1 to AND5: Logic gate

OR : 논리합 게이트OR: OR gate

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 고안의 구성은 외부 입력 패드로 부터 입력되는 제1,제2,제3 어드레스 신호를 각기 반전하여 출력하는 제1,제2,제3 인버터와; 모드 레지스터 신호와 상기 제1,제2 인버터의 출력신호 및 제3 어드레스 신호를 입력받아 논리곱 연산하여 출력하는 제1 논리곱 게이트와; 상기 모드 레지스터 신호와 제1,제3 인버터신호 및 제2 어드레스 신호를 입력받아 논리곱 연산하여 출력하는 제2 논리곱 게이트와; 상기 모드 레지스터 신호와 제1 인버터의 출력신호 및 제2,제3 어드레스 신호를 입력받아 논리곱 연산하여 출력하는 제3 논리곱 게이트와; 상기 제1,제2,제3 논리곱 게이트에서 출력되는 지연 인에이블 신호에 의해 각기 해당되는 클럭만큼 지연시키는 지연 제어 신호를 출력하는 지연 제어부로 구성한 클럭 동기 회로에 있어서, 지정되지 않은 어드레스 신호 입력시 사전에 지정된 지연시간을 갖도록 지연 인에이블 신호를 출력하는 오동작 방지부를 더 포함하여 된 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a constitution of the present invention includes: first, second, and third inverters for inverting and outputting first, second, and third address signals respectively input from an external input pad; A first AND gate that receives a mode register signal, an output signal of the first and second inverters, and a third address signal and performs an AND operation on the mode register signal; A second AND gate receiving the mode register signal, the first and third inverter signals, and the second address signal, and performing an AND operation on the mode register signal; A third AND gate that receives the mode register signal, the output signal of the first inverter, and the second and third address signals to perform an AND operation on the mode register signal; An unspecified address signal input in a clock synchronizing circuit comprising a delay control unit for outputting a delay control signal for delaying a corresponding clock by a delay enable signal output from the first, second, and third AND gates. The apparatus may further include a malfunction prevention unit configured to output a delay enable signal to have a predetermined delay time.

상기 오동작 방지부의 구성은 상기 모드 레지스터 신호와 제2,제3 인버터의 출력신호를 입력받아 논리곱 연산하여 출력하는 제4 논리곱 게이트와; 상기 모드 레지스터 신호와 제1 어드레스 신호를 입력받아 논리곱 연산하여 출력하는 제5 논리곱 게이트와; 상기 제1,제4,제5 논리곱 게이트의 출력신호를 입력받아 논리합 연산하여 제1 지연 인에이블 신호를 출력하는 논리합 게이트로 구성하여 된 것을 특징으로 한다.The malfunction prevention unit may include a fourth AND gate that receives the mode register signal and the output signals of the second and third inverters and performs a logical AND operation on the output signal; A fifth AND gate that receives the mode register signal and the first address signal, and performs an AND operation on the mode register signal; And a logic sum gate configured to receive the output signals of the first, fourth, and fifth logical product gates, and to perform a logical sum operation to output a first delay enable signal.

이하, 본 고안에 따른 일실시예에 대한 동작과 작용효과를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the operation and effect of an embodiment of the present invention will be described in detail.

도 3은 본 고안 에스디램의 클럭 동기 회로도로서, 이에 도시한 바와 같이 외부 입력 패드(미도시)로부터 입력되는 제4,제5,제6 어드레스(A4,A5,A6) 신호를 각기 반전하여 출력하는 제1,제2,제3 인버터(I1,I2,I3)와; 모드 레지스터 신호(MRS)와 상기 제1,제2 인버터(I1,I2)의 출력신호 및 제4 어드레스 신호(A4)를 입력받아 논리곱 연산하여 출력하는 제1 논리곱 게이트(AND1)와; 상기 모드 레지스터 신호(MRS)와 제1,제3 인버터신호(I1,I3) 및 제5 어드레스 신호(A5)를 입력받아 논리곱 연산하여 출력하는 제2 논리곱 게이트(AND2)와; 상기 모드 레지스터 신호(MRS)와 제1 인버터(I1)의 출력신호 및 제4,제5 어드레스 신호(A4,A5)를 입력받아 논리곱 연산하여 출력하는 제3 논리곱 게이트(AND3)와; 지정되지 않은 어드레스 신호 입력시 사전에 지정된 지연시간을 갖도록 지연 인에이블 신호를 출력하는 오동작 방지부(100)와; 입력되는 상기 오동작 방지부(100)의 지연 인에이블 신호(LE1) 및 제2,제3 논리곱 게이트(AND2),(AND3)의 지연 인에이블 신호(LE2),(LE3)에 의해 각기 해당되는 클럭만큼 지연시키는 지연제어신호를 출력하는 지연 제어부(10)로 구성한다.FIG. 3 is a clock synchronization circuit diagram of an inventive SDRAM, and inverts and outputs fourth, fifth, and sixth address signals A4, A5, and A6 input from an external input pad (not shown). First, second, and third inverters I1, I2, and I3; A first AND gate AND1 that receives a mode register signal MRS, an output signal of the first and second inverters I1 and I2, and an AND logic operation to output the fourth address signal A4; A second AND gate AND2 for receiving the mode register signal MRS, the first and third inverter signals I1 and I3, and the fifth address signal A5 and performing an AND operation on the mode register signal; A third AND gate AND3 for receiving the mode register signal MRS, the output signal of the first inverter I1, and the fourth and fifth address signals A4 and A5 and performing an AND operation on the mode register signal; A malfunction prevention unit 100 for outputting a delay enable signal to have a predetermined delay time when inputting an unspecified address signal; The delay enable signal LE1 of the malfunction prevention unit 100 and the delay enable signals LE2 and LE3 of the second and third AND gates AND2 and AND3 are respectively input. The delay control unit 10 outputs a delay control signal delayed by a clock.

상기 오동작 방지부(100)의 구성은 상기 모드 레지스터 신호(MRS)와 제2,제3 인버터(I1,I2)의 출력신호를 입력받아 논리곱 연산하여 출력하는 제4 논리곱 게이트(AND4)와; 상기 모드 레지스터 신호(MRS)와 제6 어드레스 신호(A6)를 입력받아 논리곱 연산하여 출력하는 제5 논리곱 게이트(AND5)와; 상기 제1,제4,제5 논리곱 게이트(AND1,AND4,AND5)의 출력신호를 입력받아 논리합 연산하여 지연 인에이블 신호(LE1)를 출력하는 논리합 게이트(OR)로 구성한다.The malfunction prevention unit 100 includes a fourth AND gate AND4 for receiving the mode register signal MRS and the output signals of the second and third inverters I1 and I2 and performing an AND operation on the output signals. ; A fifth AND gate AND5 for receiving the mode register signal MRS and the sixth address signal A6 and performing an AND operation on the mode register signal; And a logic sum gate OR that receives the output signals of the first, fourth, and fifth AND gates AND1, AND4, and AND5, and performs a logical sum operation to output a delay enable signal LE1.

이하, 이와 같이 구성한 본 고안에 따른 일실시예의 동작과정을 첨부한 도 4의 진리표를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the truth table of Figure 4 attached to the operation of an embodiment according to the present invention configured as described in detail as follows.

우선, 모드 레지스터 신호(MRS)가 저전위이면, 제1 내지 제5 논리곱 게이트(AND1∼AND5)가 저전위를 출력하므로, 클럭 동기 회로는 동작하지 않으므로, 상기 모드 레지스터 신호(MRS)를 고전위로 인가하여 상기 클럭 동기 회로에 인에이블시킨다.First, when the mode register signal MRS has a low potential, since the first to fifth AND gates AND1 to AND5 output a low potential, the clock synchronizing circuit does not operate, so that the mode register signal MRS is high. Applied upward to enable the clock synchronization circuit.

여기서, 제4 어드레스 신호(A4)가 고전위이고, 제5,제6 어드레스 신호(A5,A6)가 저전위일 경우, 제1,제2 인버터(I1,I2)는 고전위를 출력하고, 제3 인버터(I3)는 저전위를 출력한다.Here, when the fourth address signal A4 has a high potential and the fifth and sixth address signals A5 and A6 have a low potential, the first and second inverters I1 and I2 output a high potential. The third inverter I3 outputs a low potential.

그러므로, 상기 고전위 모드 레지스터 신호(MRS)와 상기 제1,제2 인버터(I1,I2)의 고전위 출력신호 및 상기 고전위 제4 어드레스 신호(A4)를 입력받은 상기 제1 논리곱 게이트(AND1)는 고전위를 출력하고, 상기 제2 내지 제5 논리곱 게이트(AND2∼AND5)의 저전위를 출력한다.Therefore, the first AND gate receives the high potential mode register signal MRS, the high potential output signal of the first and second inverters I1 and I2, and the high potential fourth address signal A4. AND1) outputs a high potential, and outputs a low potential of the second to fifth AND gates AND2 to AND5.

따라서, 고전위인 제1 논리곱 게이트(AND1)의 출력신호와 저전위인 제4,제5 논리곱 게이트(AND4,AND5)의 출력신호를 입력받은 오동작 방지부(100)내의 논리합 게이트(OR)는 고전위의 제1 지연 인에이블 신호(LE1)를 출력하고, 제2,제3 논리곱 게이트(AND2,AND3)는 저전위의 제2,제3 지연 인에이블 신호(LE2,LE3)를 출력한다.Accordingly, the OR gate OR in the malfunction prevention part 100 that receives the output signal of the first AND gate AND1 having high potential and the output signals of the fourth and fifth AND gates AND4 and 5 having low potential is The high potential first delay enable signal LE1 is output, and the second and third AND gates AND2 and AND3 output the low potential second and third delay enable signals LE2 and LE3. .

그에 따라, 상기 고전위인 제1 지연 인에이블 신호(LE1)를 입력받은 지연 제어부(10)는 한 클럭 지연시키는 지연제어신호를 클럭 지연 회로(미도시)로 출력한다.Accordingly, the delay control unit 10 receiving the high potential first delay enable signal LE1 outputs a delay control signal for delaying one clock to a clock delay circuit (not shown).

그리고, 제4,제6 어드레스 신호(A4,A6)가 저전위이고, 제5 어드레스 신호(A5)가 고전위일 경우 및 제4,제5 어드레스 신호(A4,A5)가 고전위이고, 제6 어드레스 신호(A6)가 저전위일 경우는 도 1과 동일하게 동작한다.The fourth and sixth address signals A4 and A6 have a low potential, the fifth address signal A5 has a high potential, and the fourth and fifth address signals A4 and A5 have a high potential. When the address signal A6 has a low potential, the operation is the same as that of FIG.

반면에, 제4,제5,제6 어드레스 신호(A4,A5,A6) 모두 저전위일 경우, 상기 제2,제3 인버터(I2,I3)에서 반전된 고전위 신호를 입력받은 상기 제5 논리곱 게이트(AND5)가 고전위 신호를 출력한다.On the other hand, when the fourth, fifth, and sixth address signals A4, A5, and A6 are all at low potential, the fifth and fifth inverters receiving the inverted high potential signal from the second and third inverters I2 and I3 may be used. The AND gate AND5 outputs a high potential signal.

이에 따라, 상기 논리합 게이트(OR)는 고전위인 제5 논리곱 게이트(AND5)의 출력신호에 의해 고전위의 제1 지연 인에이블 신호(LE1)를 출력함에 따라 지연 제어부(10)는 한 클럭 지연시키는 지연제어신호를 출력한다.Accordingly, as the OR gate OR outputs the first delay enable signal LE1 having the high potential by the output signal of the fifth AND gate AND5 having the high potential, the delay controller 10 delays one clock delay. Outputs a delay control signal.

또한, 제6 어드레스 신호(A6)가 고전위이면, 상기 고전위의 제6 어드레스 신호(A6)를 입력받은 제5 논리곱 게이트(AND5)가 고전위 신호를 출력하므로, 상기 논리합 게이트(OR)는 고전위의 제1 지연 인에이블 신호(LE1)를 출력한다.In addition, when the sixth address signal A6 has a high potential, since the fifth AND gate AND5 receiving the sixth address signal A6 of the high potential outputs a high potential signal, the OR gate OR Outputs a high potential first delay enable signal LE1.

이에 따라, 상기 논리합 게이트(OR)는 고전위의 제5 논리곱 게이트(AND5)의 출력신호에 의해 제1 지연 인에이블 신호(LE1)를 고전위로 출력함에 따라 지연 제어부(10)는 한 클럭 지연시키는 지연제어신호를 출력한다.Accordingly, as the OR gate outputs the first delay enable signal LE1 to the high potential by the output signal of the fifth AND gate AND5 of high potential, the delay controller 10 delays one clock delay. Outputs a delay control signal.

즉, 상기 모드 레지스터 신호(MRS)가 고전위일 때, 지정되지 않은 어드레스 신호가 입력되면, 상기 오동작 방지부(100)는 제1 지연 인에이블 신호를 고전위로 출력한다.That is, when an address signal that is not specified is input when the mode register signal MRS has a high potential, the malfunction prevention unit 100 outputs a first delay enable signal at a high potential.

상기에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 고안은 지정되지 않은 어드레스 신호 입력시 사전에 지정된 지연시간을 갖는 지연 인에이블 신호를 출력함으로써, 지정되지 않은 어드레스 신호에 의한 회로의 오동작을 방지하고, 시스템의 신뢰도를 향상시키는 효과가 있다.As described in detail above, the present invention outputs a delay enable signal having a predetermined delay time when inputting an unspecified address signal, thereby preventing a malfunction of a circuit due to an unspecified address signal and improving system reliability. It is effective to improve.

Claims (2)

외부 입력 패드로 부터 입력되는 제1,제2,제3 어드레스 신호를 각기 반전하여 출력하는 제1,제2,제3 인버터와; 모드 레지스터 신호와 상기 제1,제2 인버터의 출력신호 및 제3 어드레스 신호를 입력받아 논리곱 연산하여 출력하는 제1 논리곱 게이트와; 상기 모드 레지스터 신호와 제1,제3 인버터신호 및 제2 어드레스 신호를 입력받아 논리곱 연산하여 출력하는 제2 논리곱 게이트와; 상기 모드 레지스터 신호와 제1 인버터의 출력신호 및 제2,제3 어드레스 신호를 입력받아 논리곱 연산하여 출력하는 제3 논리곱 게이트와; 상기 제1,제2,제3 논리곱 게이트에서 출력되는 지연 인에이블 신호에 의해 각기 해당되는 클럭만큼 지연시키는 지연 제어 신호를 출력하는 지연 제어부로 구성한 클럭 동기 회로에 있어서, 지정되지 않은 어드레스 신호 입력시 사전에 지정된 지연시간을 갖도록 지연 인에이블 신호를 출력하는 오동작 방지부를 더 포함하여 된 것을 특징으로 하는 에스디램의 클럭 동기 회로.First, second, and third inverters inverting and outputting first, second, and third address signals respectively input from an external input pad; A first AND gate that receives a mode register signal, an output signal of the first and second inverters, and a third address signal and performs an AND operation on the mode register signal; A second AND gate receiving the mode register signal, the first and third inverter signals, and the second address signal, and performing an AND operation on the mode register signal; A third AND gate that receives the mode register signal, the output signal of the first inverter, and the second and third address signals to perform an AND operation on the mode register signal; An unspecified address signal input in a clock synchronizing circuit comprising a delay control unit for outputting a delay control signal for delaying a corresponding clock by a delay enable signal output from the first, second, and third AND gates. And a malfunction prevention unit for outputting a delay enable signal to have a predetermined delay time at a time. 제1항에 있어서, 상기 오동작 방지부는 상기 모드 레지스터 신호와 제2,제3 인버터의 출력신호를 입력받아 논리곱 연산하여 출력하는 제4 논리곱 게이트와; 상기 모드 레지스터 신호와 제1 어드레스 신호를 입력받아 논리곱 연산하여 출력하는 제5 논리곱 게이트와; 상기 제1,제4,제5 논리곱 게이트의 출력신호를 입력받아 논리합 연산하여 지연 인에이블 신호를 출력하는 논리합 게이트로 구성하여 된 것을 특징으로 하는 에스디램의 클럭 동기 회로.The gate driving circuit of claim 1, wherein the malfunction prevention unit comprises: a fourth AND gate that receives the mode register signal and the output signals of the second and third inverters and performs a logical AND operation on the output signal; A fifth AND gate that receives the mode register signal and the first address signal, and performs an AND operation on the mode register signal; And a logic sum gate configured to receive an output signal of the first, fourth, and fifth logical product gates and perform an OR operation to output a delay enable signal.
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