KR19990036456A - Integrated circuit device - Google Patents

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KR19990036456A
KR19990036456A KR1019980009593A KR19980009593A KR19990036456A KR 19990036456 A KR19990036456 A KR 19990036456A KR 1019980009593 A KR1019980009593 A KR 1019980009593A KR 19980009593 A KR19980009593 A KR 19980009593A KR 19990036456 A KR19990036456 A KR 19990036456A
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요시히로 다케마에
야스로우 마츠자키
히로요시 도미타
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이데이 노부유끼
소니 가부시끼 가이샤
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Abstract

DLL 회로의 가변 지연 회로의 수를 적게 하여 회로 규모를 작게 한다.The number of variable delay circuits of the DLL circuit is reduced and the circuit scale is reduced.

공급되는 클록 CLK0과 소정의 위상 관계의 타이밍으로 동작하는 내부 회로(3)를 가지는 집적 회로 장치에 있어서, 상기 클록 CLK0을 소정 시간 지연시켜 내부 회로(3)에 타이밍 신호 N4를 생성하는 가변 지연 회로(2)와, 클록 CLK0의 주파수를 분주하여 제1 기준 클록 CLK1을 생성하는 분주 회로(4)와, 제1 기준 클록 CLK1을 타이밍 신호 N4의 타이밍에 동기시켜 제2 기준 클록 CLK2을 생성하는 타이밍 동기 회로(5)와, 제2 기준 클록을 소정 시간 지연시킨 가변 클록 N7과 제1 기준 클록 CLK1의 위상을 비교하여, 양 클록의 위상을 일치시키도록 가변 지연 회로(2)에 지연 제어 신호 N9를 부여하는 위상 비교·제어 회로(8, 9)를 가진다. 가변 지연 회로(2)를 DLL 회로와 겸용함으로써, 회로 규모의 축소를 가능하게 한다.1. An integrated circuit device having an internal circuit (3) operating at a timing with a predetermined phase relationship with a supplied clock (CLK0), characterized in that the internal circuit (3) comprises a variable delay circuit A divider circuit 4 for dividing the frequency of the clock CLK0 to generate a first reference clock CLK1, and a timing generator for generating a second reference clock CLK2 by synchronizing the first reference clock CLK1 with the timing of the timing signal N4 The phase of the first reference clock CLK1 is compared with the phase of the variable clock N7 delayed by the second reference clock for a predetermined time and the delay control signal N9 Control circuit 8, 9 for giving the phase comparison / control circuit 8, By using the variable delay circuit 2 as a DLL circuit, it is possible to reduce the circuit scale.

Description

집적 회로 장치Integrated circuit device

본 발명은 외부 클록에 대하여 소정의 위상 타이밍으로 동작하는 내부 회로에 타이밍 신호를 생성하는 DLL 회로의 개량에 관한 것으로서, 가변 지연 회로를 생략하여 회로의 규모를 작게 할 수 있는 DLL 회로를 지니는 집적 회로 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an improvement of a DLL circuit for generating a timing signal in an internal circuit that operates at a predetermined phase timing with respect to an external clock, and an integrated circuit having a DLL circuit capable of reducing the scale of the circuit by omitting the variable delay circuit ≪ / RTI >

근래의 메모리 장치는 100MHz를 넘는 동작 속도가 요구되고 있으며, 내부에 지연·로크·루프(DLL) 회로 등을 설치하여, 외부 클록과 데이터 출력 신호와의 위상을 맞추어, 내부 배선 등에 의한 지연 특성의 영향을 배제하며, 액세스 시간의 지연이나 불균형을 억제하고 있다. 메모리 장치를 제어하는 시스템 측은 메모리 장치에 클록을 공급하고, 클록에 동기하여 데이터나 어드레스를 부여하여, 클록에 동기하여 출력 데이터를 수신한다.In recent years, memory devices have been required to operate at speeds exceeding 100 MHz. A delay, lock loop (DLL) circuit or the like has been provided therein to adjust the phase of the external clock and the data output signal, And the delay and the unbalance of the access time are suppressed. The system side that controls the memory device supplies a clock to the memory device, gives data or an address in synchronization with the clock, and receives the output data in synchronization with the clock.

이러한 DLL 회로를 본 출원인은 평성8(1996)년 12월 19일자 일본 특허출원 평8-339988호에서 개시하였다. 도 1은 그 DLL 회로를 이용한 타이밍 신호의 생성 회로의 예를 나타내는 도면이다.This DLL circuit is disclosed in Japanese Patent Application No. Hei 8-339988 dated December 19, 1996. 1 is a diagram showing an example of a timing signal generating circuit using the DLL circuit.

도 1에는 외부 클록 CLK을 입력하여 내부 클록 N1을 생성하는 입력 버퍼(1)와, 그 내부 클록 N1을 소정 시간 지연시켜 타이밍 신호 N4를 생성하는 가변 지연 회로(2)와, 내부 클록 N1를 1/N 분주하여 제1 기준 클록 N2을 생성하는 분주기(4)와, 제1 기준 클록 N2을 지연하는 가변 지연 회로(10)와, 더미 데이터 출력 버퍼(6)와 더미 입력 버퍼(7)를 경유한 가변 클록 N7과, 분주기(4)에 의해 분주된 제1 기준 클록 N2과의 위상을 비교하는 위상 비교기(8)와, 위상 비교기(8)의 검출 신호 N8에 응답하여 상기 가변 지연 회로(2, 10)의 지연 시간을 제어하는 지연 제어 신호 N9를 생성하는 지연 제어 회로(9)가 나타내어진다. 내부 회로인 데이터 출력 버퍼(3)는 메모리로부터의 독출 데이터 DATA를 타이밍 신호 N4에 응답하여 데이터출력 DQ를 출력한다.FIG. 1 shows an input buffer 1 for inputting an external clock CLK to generate an internal clock N1, a variable delay circuit 2 for delaying the internal clock N1 by a predetermined time to generate a timing signal N4, A variable delay circuit 10 for delaying the first reference clock N2 and a dummy data output buffer 6 and a dummy input buffer 7 A phase comparator 8 for comparing the phase of the variable clock N7 passed through the variable delay circuit 7 with the phase of the first reference clock N2 divided by the frequency divider 4 and a phase comparator 8 responsive to the detection signal N8 of the phase comparator 8, And a delay control circuit 9 for generating a delay control signal N9 for controlling the delay time of the delay circuits 2 and 10 is shown. The data output buffer 3, which is an internal circuit, outputs the data DQ output from the memory in response to the timing signal N4.

가변 지연 회로(10)와, 더미 회로(6, 7)와, 위상 비교기(8) 및 지연 제어 회로(9)에 의해 DLL 회로가 구성된다. 그리고, 위상 비교기(8)와 지연 제어 회로(9)에 의해, 제1 기준 클록 N2과 가변 클록 N7과의 위상이 일치하도록, 가변 지연 회로(10)의 지연량이 제어된다. 그 결과, 외부 클록 CLK과 더미 데이터 출력 버퍼(6)의 출력 N6과의 위상이 일치한다. 그리고, 가변 지연 회로(2)의 지연량도 같은 지연 제어 신호 N9에 의해 제어됨으로써, 타이밍 신호 N4에 응답하여 출력되는 데이터출력 DQ도 외부 클록 CLK의 위상에 동기한다.The variable delay circuit 10, the dummy circuits 6 and 7, the phase comparator 8 and the delay control circuit 9 constitute a DLL circuit. The delay amount of the variable delay circuit 10 is controlled by the phase comparator 8 and the delay control circuit 9 such that the phases of the first reference clock N2 and the variable clock N7 coincide with each other. As a result, the phase of the external clock CLK and the output N6 of the dummy data output buffer 6 coincide with each other. The delay amount of the variable delay circuit 2 is also controlled by the same delay control signal N9 so that the data output DQ output in response to the timing signal N4 is also synchronized with the phase of the external clock CLK.

도 1에 나타내어진 분주기(4)는 클록 CLK의 주파수가 높아짐에 따라, 위상 비교기(8)에서의 위상 비교 동작이 곤란하게 되는 동시에 소비 전력이 높아짐에 대응하여 설치된 것으로, 클록 CLK의 주파수를 떨어뜨려 낮은 주파수의 기준 클록 N2을 생성한다.The frequency divider 4 shown in Fig. 1 is provided in response to the fact that the phase comparison operation in the phase comparator 8 becomes difficult and the power consumption increases as the frequency of the clock CLK becomes higher. The frequency of the clock CLK is set to Thereby generating a low-frequency reference clock N2.

그러나, 메모리 장치 등에 있어서, 데이터출력 DQ은 복수 설치되고, 그에 따라, 도 1에 나타낸 회로를 복수조 설치할 필요가 있다. 입력 버퍼(1)와 1/N 분주기(4)를 공통화하는 것은 가능하지만, 대규모 회로 구성의 가변 지연 회로를 각각의 조에서 2개씩 설치할 필요가 있고, 도 1에 나타낸 회로는 메모리 장치의 고집적도라는 요구에 반한다.However, in a memory device or the like, a plurality of data outputs DQ are provided, and accordingly, it is necessary to provide a plurality of circuits shown in Fig. Although it is possible to make the input buffer 1 and the 1 / N frequency divider 4 common, two variable delay circuits of a large-scale circuit configuration must be provided in each group, and the circuit shown in Fig. Dora is against the demand.

그래서, 본 발명의 목적은 DLL 회로를 이용한 타이밍 신호의 생성 회로를 보다 간략화한 집적 회로 장치를 제공하는 데에 있다.Therefore, an object of the present invention is to provide an integrated circuit device in which a timing signal generating circuit using a DLL circuit is simplified.

또한, 본 발명의 다른 목적은 DLL 회로를 이용한 타이밍 신호의 생성 회로에 있어서 가변 지연 회로를 생략하여 간략화한 집적 회로 장치를 제공하는 데에 있다.It is another object of the present invention to provide an integrated circuit device in which a variable delay circuit is omitted in a timing signal generating circuit using a DLL circuit.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 DLL 회로내의 가변 지연 회로를 생략하고, 대신에 또 하나의 가변 지연 회로로부터 생성되는 타이밍 신호의 타이밍에 분주기가 생성하는 제1 기준 클록의 위상을 맞추도록 시프트하여, 제2 기준 클록을 생성하는 타이밍 동기 회로를 설치한다. 그리고, 분주된 제1 기준 클록과, 제2 기준 클록을 지연시킨 가변 클록을 위상 비교기로 비교하여, 양 클록의 위상이 일치하도록 가변 지연 회로의 지연량을 제어한다. 그 결과, 가변 지연 회로를 1개로 생략할 수 있고, 더욱이 분주된 클록을 이용한 DLL 회로를 구성할 수 있다.In order to achieve the above object, the present invention provides a variable delay circuit in a DLL circuit, wherein the variable delay circuit is omitted, and instead, the phase of the first reference clock generated by the frequency divider is matched to the timing of the timing signal generated from another variable delay circuit And a timing synchronization circuit for generating a second reference clock is provided. Then, the divided first reference clock and the variable clock delayed by the second reference clock are compared by the phase comparator, and the delay amount of the variable delay circuit is controlled so that the phases of both clocks coincide with each other. As a result, it is possible to omit the variable delay circuit by one, and furthermore, the DLL circuit using the divided clock can be constituted.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 공급되는 클록과 소정의 위상 관계의 타이밍으로 동작하는 내부 회로를 가지는 집적 회로 장치에 있어서,In order to achieve the above object, the present invention provides an integrated circuit device having an internal circuit operating at a timing of a predetermined phase relationship with a supplied clock,

상기 클록을 소정 시간 지연시켜 상기 내부 회로에 타이밍 신호를 생성하는 가변 지연 회로와,A variable delay circuit for delaying the clock for a predetermined time to generate a timing signal in the internal circuit,

상기 클록의 주파수를 분주하여 제1 기준 클록을 생성하는 분주 회로와,A frequency divider circuit for dividing a frequency of the clock to generate a first reference clock;

상기 제1 클록을 상기 타이밍 신호의 타이밍에 동기시켜 제2 기준 클록을 생성하는 타이밍 동기 회로와,A timing synchronizing circuit for synchronizing the first clock with the timing of the timing signal to generate a second reference clock;

상기 제2 기준 클록을 소정 시간 지연시킨 가변 클록과 상기 제1 기준 클록의 위상을 비교하여, 당해 양 클록의 위상을 일치시키도록 상기 가변 지연 회로에 지연 제어 신호를 부여하는 위상 비교·제어 회로를 가지는 것을 특징으로 한다.A phase comparison / control circuit that compares the phases of the variable clock obtained by delaying the second reference clock by a predetermined time and the phase of the first reference clock and gives a delay control signal to the variable delay circuit so as to match the phases of the two clocks .

상기한 구성에 의하면, 가변 지연 회로를 상기 선출원의 회로 구성에서 생략할 수 있어, 고집적화의 요구에 응할 수 있다.According to the above configuration, the variable delay circuit can be omitted in the circuit configuration of the above-mentioned prior art, and the demand for high integration can be satisfied.

또한, 상기 발명에 있어서, 상기 제1 기준 클록은 상기 클록의 1 주기분의 펄스폭을 가지고, 상기 제2 기준 클록은 상기 제1 기준 클록의 반전 레벨을 가지며, 상기 위상 비교·제어 회로는 상기 제1 기준 클록의 상승 또는 하강 구간과 상기 가변 클록의 상승 또는 하강 구간과의 위상을 일치시키도록 상기 가변 지연 회로의 지연량을 제어하는 것을 특징으로 한다.Further, in the above invention, the first reference clock has a pulse width of one cycle of the clock, the second reference clock has an inversion level of the first reference clock, and the phase comparison / The delay amount of the variable delay circuit is controlled so that the phases of the rising or falling section of the first reference clock coincide with the rising or falling section of the variable clock.

상기 발명에 의하면, 공급되는 외부 클록의 1 주기 후의 타이밍에 내부 회로의 동작의 타이밍을 동기시킬 수 있다.According to the present invention, the timing of the operation of the internal circuit can be synchronized with the timing after one cycle of the supplied external clock.

더욱이, 상기 발명에 있어서, 상기 분주 회로가 공통으로 설치되고, 상기 가변 지연 회로와, 타이밍 동기 회로와, 위상 비교·제어 회로가 복수조 설치되어 있는 것을 특징으로 한다. 따라서, 복수의 데이터 출력 단자가 설치되는 경우에 대응하여, DLL 회로를 복수조 설치하더라도, 고집적화의 폐해가 되지는 않는다.Further, in the above invention, the frequency dividing circuits are commonly provided, and a plurality of sets of the variable delay circuit, the timing synchronizing circuit, and the phase comparing / controlling circuit are provided. Therefore, even when a plurality of DLL circuits are provided in correspondence to the case where a plurality of data output terminals are provided, high integration is not hindered.

도 1은 DLL 회로를 이용한 타이밍 신호의 생성 회로에 대한 실시예를 나타내는 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a diagram showing an embodiment of a timing signal generating circuit using a DLL circuit. Fig.

도 2는 본 발명의 제1 실시예를 나타내는 도면.2 is a view showing a first embodiment of the present invention.

도 3은 제1 실시예의 동작을 나타내는 타이밍 차트.3 is a timing chart showing the operation of the first embodiment.

도 4는 가변 지연 회로의 일례를 나타내는 회로도.4 is a circuit diagram showing an example of a variable delay circuit;

도 5는 지연 제어 회로를 나타내는 도면.5 shows a delay control circuit;

도 6은 위상 비교기의 회로도.6 is a circuit diagram of a phase comparator.

도 7은 도 6의 동작을 나타내는 타이밍 차트.7 is a timing chart showing the operation of Fig.

도 8은 제2 실시예에 대한 회로도.8 is a circuit diagram for the second embodiment;

도 9는 도 8의 동작 타이밍 차트.9 is an operation timing chart of Fig.

도 10은 1/2위상 시프트 회로(40)의 회로도.10 is a circuit diagram of a 1/2 phase shift circuit 40. Fig.

도 11은 제3 실시예를 나타내는 도면.11 is a view showing a third embodiment.

도 12는 도 11의 동작 타이밍 차트.12 is an operation timing chart of Fig.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>Description of the Related Art

1 : 입력 버퍼1: Input buffer

2 : 가변 지연 회로2: Variable delay circuit

3 : 데이터 출력 버퍼, 내부 회로3: Data output buffer, internal circuit

4 : 분주기4: Divider

5 : 타이밍 동기 회로5: Timing synchronization circuit

6, 7 : 더미 회로6, 7: Dummy circuit

8 : 위상 비교기8: Phase comparator

9 : 지연 제어 회로9: delay control circuit

N1, CLK0 : 클록N1, CLK0: Clock

N2, CLK1 : 제1 기준 클록N2, CLK1: first reference clock

N3, N5 : 기준 클록N3, N5: Reference clock

N7 : 가변 클록N7: Variable Clock

N8 : 위상 비교 검출 신호N8: Phase comparison detection signal

N9 : 지연 제어 신호N9: Delay control signal

이하, 본 발명의 실시형태의 예에 대해서 도면에 따라 설명한다. 그러나, 이러한 실시형태의 예가 본 발명의 기술적 범위를 한정하는 것은 아니다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the examples of such embodiments do not limit the technical scope of the present invention.

도 2는 본 발명의 제1 실시형태의 예를 나타내는 도면이다. 도 2에는 도 1에 대응하는 부분에 같은 인용 번호가 주어진다. 도 2에는 도 1에 있어서의 가변 지연 회로(10)가 생략되고, 대신에 타이밍 동기 회로(5)가 설치된다.2 is a diagram showing an example of the first embodiment of the present invention. In Fig. 2, the same reference numerals are given to portions corresponding to Fig. In Fig. 2, the variable delay circuit 10 in Fig. 1 is omitted, and a timing synchronization circuit 5 is provided instead.

외부 클록 CLK은 입력 버퍼(1)에 공급되고, 입력 버퍼(1)는 외부 클록을 검출하여 내부 클록 N1을 생성한다. 내부 클록 N1은 가변 지연 회로(2)에 의해 소정 시간 지연되어, 타이밍 신호 N4가 생성된다. 데이터 출력 버퍼(3)는 이 타이밍 신호 N4에 응답하여, 메모리 등으로부터의 데이터 DATA를 데이터 출력 DQ으로서 출력한다.The external clock CLK is supplied to the input buffer 1, and the input buffer 1 detects an external clock to generate an internal clock N1. The internal clock N1 is delayed for a predetermined time by the variable delay circuit 2 to generate the timing signal N4. In response to the timing signal N4, the data output buffer 3 outputs data DATA from a memory or the like as a data output DQ.

내부 클록 N1은 1/N 분주기(4)에 의해 그 주파수가 1/N로 분주되어 제1 기준 클록 N2이 생성된다. 이 제1 기준 클록 N2는 위상 비교기(8)에 공급된다. 또한, 타이밍 동기 회로(5)는 제1 기준 클록 N2를 타이밍 신호 N4의 타이밍에 동기시켜 제2 기준 클록 N5을 생성한다. 본 발명에 따른 실시예는 가변 지연 회로(2)를 DLL 회로내의 지연 회로와 겸용하여, 그 지연한 타이밍에 분주된 제1 기준 클록을 합치어, 제2 기준 클록 N5을 더미 회로(6, 7)에 공급한다. 그 결과, 더미 입력 버퍼(7)의 출력의 가변 클록 N7은 분주된 클록이며, 가변 지연 회로(2)의 지연량과 더미 회로(6, 7)의 지연량을 가진 클록이 된다.The internal clock N1 is frequency divided by 1 / N by a 1 / N divider 4 to generate a first reference clock N2. The first reference clock N2 is supplied to the phase comparator 8. Further, the timing synchronization circuit 5 generates the second reference clock N5 by synchronizing the first reference clock N2 with the timing of the timing signal N4. In the embodiment of the present invention, the variable delay circuit 2 is also used as the delay circuit in the DLL circuit, and the first reference clock divided by the delayed timing is combined to output the second reference clock N5 to the dummy circuits 6 and 7 . As a result, the variable clock N7 of the output of the dummy input buffer 7 is a divided clock, which is a clock having a delay amount of the variable delay circuit 2 and a delay amount of the dummy circuits 6 and 7.

도 3은 도 2의 제1 실시형태의 예의 동작을 나타내는 타이밍 차트도이다. 상기한 바와 같이, 외부 클록 CLK은 입력 버퍼(1)에 의해 일정한 지연을 가지는 내부 클록 N1(CLK0)을 생성한다. 또한, 도 3의 예에서는 분주기(4)는 내부 클록 N1(CLK0)을 1/2로 분주하여 제1 기준 클록 N2을 생성한다. 제1 기준 클록 N2과 내부 클록 N1은 위상은 대체로 일치하고 있다.3 is a timing chart showing the operation of the example of the first embodiment of Fig. As described above, the external clock CLK generates an internal clock N1 (CLK0) having a constant delay by the input buffer 1. [ In the example of FIG. 3, the frequency divider 4 divides the internal clock N1 (CLK0) by 1/2 to generate the first reference clock N2. The phases of the first reference clock N2 and the internal clock N1 substantially coincide with each other.

그래서, 가변 지연 회로(2)는 내부 클록 N1을 소정의 지연량 지연시켜 타이밍 신호 N4를 생성한다. 도면중, 내부 클록 N1의 상승 구간 B0는 타이밍 신호 N4의 상승 구간 Bl로 지연한다. 그리고, 타이밍 동기 회로(5)는 분주된 제1 기준 클록 N2(CLKl)를 타이밍 신호 N4의 타이밍에 일치시킨 제2 기준 클록 N5(CLK2)를 생성한다. 이 타이밍 동기 회로(5)는 예컨대, 후술하는 바와 같이, 제1 기준 클록 N2(CLKl)를 D 입력 단자에 입력하고, 타이밍 신호 N4를 클록 단자에 입력하고, 제2 기준 클록 N5을 출력 단자에 생성하는 D형 플립플롭에 의해 구성된다. 그 결과, 도 3에 나타내는 바와 같이, 제2 기준 클록 N5은 분주된 제1 기준 클록 N2을 가변 지연 회로(2)의 지연량만큼 지연시킨 클록이 된다.Thus, the variable delay circuit 2 delays the internal clock N1 by a predetermined delay amount to generate the timing signal N4. In the figure, the rising section B0 of the internal clock N1 is delayed in the rising section B1 of the timing signal N4. Then, the timing synchronization circuit 5 generates the second reference clock N5 (CLK2) in which the divided first reference clock N2 (CLK1) coincides with the timing of the timing signal N4. The timing synchronization circuit 5 inputs the first reference clock N2 (CLK1) to the D input terminal, the timing signal N4 to the clock terminal, and the second reference clock N5 to the output terminal D flip-flops. As a result, as shown in Fig. 3, the second reference clock N5 becomes a clock obtained by delaying the divided first reference clock N2 by the delay amount of the variable delay circuit 2.

이러한 제2 기준 클록이 더미 데이터 출력 버퍼(6)와 더미 입력 버퍼(7)를 경유하여, 가변 클록 N7으로서 위상 비교기(8)에 공급된다. 도 3의 예에서는 가변 클록 N7은 제2 기준 클록이 더미 회로(6, 7)의 지연량만큼 지연하여 반전된 클록이다. 따라서, 가변 클록 N7에 있어서의 내부 클록 N1의 상승 구간 B0에 대응하는 구간 B2는 하강 구간으로 되고 있다.This second reference clock is supplied to the phase comparator 8 via the dummy data output buffer 6 and the dummy input buffer 7 as the variable clock N7. In the example of Fig. 3, the variable clock N7 is a clock whose second reference clock is delayed and inverted by a delay amount of the dummy circuits 6, 7. Therefore, the interval B2 corresponding to the rising interval B0 of the internal clock N1 in the variable clock N7 is the falling interval.

상기 가변 클록이 반전 클록인 것은 본질적인 것은 아니다. 단, 반전 클록을 사용함으로써, 내부 클록 N1의 상승 구간 B0로부터 1 주기 후의 상승 구간 Al에 동기하는 제1 기준 클록의 하강 구간 A2와, 상승 구간 A1에 대응하는 가변 클록 N7의 하강 구간 B2와의 위상을 일치시키도록 제어할 수 있다. 반전 클록이 아닌 경우는 위상 비교기(8)에 있어서, 제1 기준 클록 N2의 하강 구간 A2의 위상과, 가변 클록의 B2의 위상을 비교하면 된다. 제1 기준 클록 N2와 가변 클록 N7의 상승 구간 간의 위상을 비교하여도 좋다.It is not essential that the variable clock is an inverting clock. However, by using the inverted clock, the phase difference between the falling period A2 of the first reference clock synchronized with the rising period Al after one cycle from the rising period B0 of the internal clock N1 and the falling period B2 of the variable clock N7 corresponding to the rising period A1 Can be controlled to coincide with each other. In the case where it is not an inversion clock, the phase comparator 8 may compare the phase of the falling section A2 of the first reference clock N2 with the phase of the variable clock B2. The phase between the first reference clock N2 and the rising section of the variable clock N7 may be compared.

또한, 도 3의 예에서는 분주기(4)가 1/2 분주이기 때문에, 하강 구간 A2를 내부 클록의 1 주기 지연된 위상에 맞출 수 있다.In the example of FIG. 3, since the frequency divider 4 is half divided, the falling interval A2 can be matched to the phase delayed by one cycle of the internal clock.

이상과 같이, 제1 실시예에서는 가변 지연 회로를 1개로 줄일 수 있고, 대신에 설치한 타이밍 동기 회로의 회로 규모는 훨씬 적어지기 때문에, 특히 복수조의 DLL 회로를 설치하는 경우에, 높은 집적도라는 요구에 응할 수 있다. 즉, 도 2중의 회로(20) 부분은 공통으로 설치되고, 회로(30) 부분은 데이터출력 DQ마다 설치되지만, 회로(30) 부분은 간략화된다.As described above, in the first embodiment, the number of variable delay circuits can be reduced to one, and the circuit scale of the timing synchronization circuit provided is much smaller. Therefore, in particular, when a plurality of sets of DLL circuits are provided, . That is, the circuit 20 portion in FIG. 2 is provided in common, and the circuit portion 30 is provided for each data output DQ, but the circuit 30 portion is simplified.

이어서, 도 2의 회로를 구성하는 가변 지연 회로(2), 지연 제어 회로(9) 및 위상 비교기(8)의 구체적 회로예를 나타낸다.Next, specific circuit examples of the variable delay circuit 2, the delay control circuit 9 and the phase comparator 8 constituting the circuit of Fig. 2 are shown.

도 4는 가변 지연 회로의 일례를 나타내는 회로도이다. 지연 제어 신호 p1∼p(n)(도 2중에서는 N9)에 의해 그 지연 시간이 선택된다. 이 가변 지연 회로는 입력 단자 IN에 인가되는 클록을 소정 시간 지연시켜 출력 단자 OUT로 출력한다. 이 예에서는 n단의 지연 회로가 되어, 1단째는 NAND(7ll, 712) 및 인버터(713)로 구성되고, 2단째는 NAND(721, 722) 및 인버터(723)로 구성되며, 이하 같은 식으로, n단째는 NAND(761, 762 및 763)로 구성된다.4 is a circuit diagram showing an example of a variable delay circuit. The delay time is selected by the delay control signals p1 to p (n) (N9 in Fig. 2). This variable delay circuit delays the clock applied to the input terminal IN by a predetermined time and outputs it to the output terminal OUT. The first stage is composed of NAND 711 and inverter 713 and the second stage is composed of NAND 721 and 722 and inverter 723 and the following equation And the n-th stage is composed of NANDs 761, 762, and 763.

지연 제어 신호 p1∼p(n)(N9)는 어느 하나가 H레벨로 되고, 그 밖에는 모두 L레벨이 된다. 그리고, H레벨이 된 지연 제어 신호 p에 의해 대응하는 NAND(711, 721, …, 761)가 1개만 열려, 입력 IN에 인가되는 클록을 통과시킨다. 다른 L레벨의 지연 제어 신호 p에 의해, 대응하는 다른 NAND(711, 721, …, 761)는 모두 닫힌다. 도시하는 바와 같이, 지연 제어 신호 p1이 H레벨일 때는 NAND(711)가 열려, 입력 단자 IN에서부터 인버터(701), NAND(711, 712) 및 인버터(713)를 경유하여 출력 단자 OUT까지의 지연 경로가 형성된다. 따라서, 게이트 4단의 지연을 갖는다.One of the delay control signals p1 to p (n) (N9) is at the H level, and all of them are at the L level. Then, only one corresponding NAND 711, 721, ..., 761 is opened by the delay control signal p having the H level, and the clock applied to the input IN is passed. The other NANDs 711, 721, ..., 761 corresponding to the other L-level delay control signal p are closed. As shown in the figure, when the delay control signal p1 is at the H level, the NAND 711 is opened and the delay from the input terminal IN to the output terminal OUT via the inverter 701, the NAND 711, and the inverter 713, A path is formed. Therefore, the gate has a delay of four stages.

지연 제어 신호 p2가 H레벨일 때는 NAND(721)가 열린다. 게이트(762)의 입력은 모두 H레벨이기 때문에, 인버터(763)의 출력은 H레벨이 되고, 같은 식으로 인버터(753, 743, …)의 출력도 H레벨이다. 따라서, NAND(722)도 개방 상태가 된다. 그 결과, 입력 단자 IN에서부터 인버터(701), 게이트(721∼723, 712, 713)를 경유하여 출력 단자 OUT까지의 지연 경로가 형성된다. 따라서, 게이트 6단의 지연을 갖는다.When the delay control signal p2 is at the H level, the NAND 721 is opened. Since the inputs of the gate 762 are all at the H level, the output of the inverter 763 is at the H level, and the outputs of the inverters 753, 743, ... are also at the H level in the same manner. Therefore, the NAND 722 is also in the open state. As a result, a delay path from the input terminal IN to the output terminal OUT via the inverter 701 and the gates 721 to 723, 712, and 713 is formed. Therefore, the gate has a delay of six stages.

이하, 도 4중에 나타낸 바와 같이, H레벨의 지연 제어 신호 p가 왼쪽으로 이동할 때마다, 지연 경로의 게이트수가 2게이트씩 증가한다. 이것이 가변 지연 회로의 지터의 원인이 된다. 지연 제어 신호 p(n)가 H레벨일 때는 2+2n단의 게이트수의 지연 경로로 된다.Hereinafter, as shown in Fig. 4, every time the H level delay control signal p moves to the left, the number of gates in the delay path increases by two gates. This causes jitter in the variable delay circuit. When the delay control signal p (n) is at the H level, it is a delay path of 2 + 2n stages of gates.

도 5는 지연 제어 회로(9)의 도면이다. 도 5에는 지연 제어 회로의 일부분이 나타내어지고, 설명의 형편상, 가변 지연 회로의 지연 제어 신호 p1∼p6(N9)가 나타내어져 있다고 하자. 이 지연 제어 회로에는 위상 비교기로부터의 위상 비교 결과인 검출 신호 A∼D(도 2중에서는 N8)이 부여되고, 신호 A, B에 의해 H레벨의 지연 제어 신호 p가 우측으로 시프트되고, 검출 신호 C, D에 의해 H레벨의 지연 제어 신호 p가 좌측으로 시프트된다.Fig. 5 is a diagram of the delay control circuit 9. Fig. 5, a part of the delay control circuit is shown, and the delay control signals p1 to p6 (N9) of the variable delay circuit are shown for convenience of explanation. The delay control circuit is provided with detection signals A to D (N8 in FIG. 2) as a result of phase comparison from the phase comparator, the delay control signal p of the H level is shifted to the right by the signals A and B, The delay control signal p of the H level is shifted to the left by C, D.

지연 제어 회로의 각 단은 예컨대 1단째에서는 NAND 게이트(612)와 인버터(613)로 이루어지는 래치 회로를 각각 가진다. 또한, 검출 신호 A∼D에 의해 래치 회로(612, 613)의 상태를 강제적으로 반전시키는 트랜지스터(614, 615)를 가진다. 트랜지스터(616, 617)는 반전 대상밖인 경우에 트랜지스터(614, 615)에 의해서는 래치 회로가 반전되지 않도록 하기 위해 설치된다. 2단째∼6단째의 회로도 같은 식의 구성이다. 이들 트랜지스터는 모두 N채널형이다.Each stage of the delay control circuit has, for example, a latch circuit composed of a NAND gate 612 and an inverter 613 in the first stage. In addition, transistors 614 and 615 for forcibly inverting the states of the latch circuits 612 and 613 by the detection signals A to D are provided. Transistors 616 and 617 are provided to prevent the latch circuits from being inverted by transistors 614 and 615 when they are outside the object of inversion. The circuit of the second stage to the sixth stage also has the same configuration. All of these transistors are N-channel type.

지금 가령, 4단째의 출력 p4이 H레벨의 상태라고 하자. 다른 출력은 모두 L레벨의 상태에 있다. 각 단의 래치 회로의 상태는 도 5에 H, L로 나타내어지는 대로이다. 즉, 1단째에서부터 3단째까지는 래치 회로는 NAND출력이 H레벨이고 인버터출력이 L레벨인데 대하여, 4단째에서부터 6단째에서는 래치 회로는 NAND출력이 L레벨이고 인버터출력이 H레벨이다. 따라서, 그랜드에 접속되어 있는 트랜지스터는 617, 627, 637, 647, 646, 656, 666이 각각 도통상태에 있다. 즉, 래치상태의 경계의 양측에 있는 4단째의 회로의 트랜지스터(647)와 3단째의 트랜지스터(636)가 도통상태에 있고, 검출 신호 B 또는 C에 의해 그 래치상태가 반전 가능한 상태로 되어 있다.Suppose now that the output p4 of the fourth stage is at the H level. The other outputs are all at the L level. The states of the latch circuits at each stage are as indicated by H and L in Fig. That is, from the first stage to the third stage, in the latch circuit, the NAND output is at the H level and the inverter output is at the L level, whereas in the fourth to sixth stages, the NAND output is at the L level and the inverter output is at the H level. Therefore, the transistors 617, 627, 637, 647, 646, 656, and 666 connected to the gates are in a conductive state. That is, the transistors 647 and 636 of the fourth-stage circuit on both sides of the boundary of the latch state are in a conductive state, and the latch state is reversible by the detection signal B or C .

그래서, 가령, 검출 신호 C에 H레벨이 부여되면, 트랜지스터(645)가 도통하여, 인버터(643)의 출력이 강제적으로 H레벨에서 L레벨로 구동된다. 그 때문에, NAND게이트(642)의 출력도 L레벨에서 H레벨로 전환되어, 그 상태가 래치된다. NAND게이트(642)의 출력이 H레벨로 됨으로써, NOR게이트(641)의 출력 p4은 L레벨이 되고, 대신에 인버터(643)의 출력의 L레벨로의 변화에 의해 NOR게이트(651)의 출력 p5이 H레벨로 전환된다. 그 결과, H레벨의 지연 제어 신호는 p4에서 p5로 시프트된다. 도 4에서 설명한 바와 같이, H레벨의 지연 제어 신호 p가 좌측으로 시프트함으로써, 가변 지연 회로의 지연 경로가 길어져 지연 시간은 길어지도록 제어된다.Thus, for example, when the detection signal C is applied with the H level, the transistor 645 conducts, and the output of the inverter 643 is forcibly driven from the H level to the L level. Therefore, the output of the NAND gate 642 is also switched from the L level to the H level, and the state is latched. The output p4 of the NOR gate 641 becomes the L level and the output of the NOR gate 651 is changed by the change of the output of the inverter 643 to the L level instead of the output of the NAND gate 642, p5 is switched to the H level. As a result, the H-level delay control signal is shifted from p4 to p5. As described with reference to FIG. 4, the H-level delay control signal p shifts to the left, so that the delay path of the variable delay circuit becomes longer and the delay time becomes longer.

한편, 가령, 검출 신호 B에 H레벨이 부여되면, 상기와 같은 식의 동작에 의해 3단째의 래치 회로의 NAND게이트(632)의 출력이 L레벨로 강제적으로 전환되고, 인버터(633)의 출력은 H레벨로 전환된다. 그 결과, 출력 p3이 H레벨로 된다. 이로써, 가변 지연 회로의 지연 경로가 짧아져 지연 시간은 짧아지도록 제어된다.On the other hand, when the H level is applied to the detection signal B, the output of the NAND gate 632 of the third-stage latch circuit is forcibly changed to the L level by the above-described operation, and the output of the inverter 633 Is switched to the H level. As a result, the output p3 becomes H level. As a result, the delay path of the variable delay circuit is shortened and the delay time is controlled to be short.

또한, 출력 p5 또는 p3가 H레벨이 되면, 이번에는 검출 신호 A 또는 D에 의해 H레벨의 출력이 각각 우측 또는 좌측으로 시프트 제어된다. 즉, 검출 신호 A, B는 H레벨의 출력을 우측으로 시프트 제어하고, 검출 신호 C, D는 H레벨의 출력을 좌측으로 시프트 제어한다. 또, 검출 신호 A, D는 홀수번째의 출력 p1, p3, p5이 H레벨의 상태일 때에 시프트 제어하고, 검출 신호 B, C는 짝수번째의 출력 p2, p4, p6이 H레벨일 때에 시프트 제어한다.Further, when the output p5 or p3 becomes the H level, the output of the H level is shifted to the right or left respectively by the detection signal A or D this time. That is, the detection signals A and B shift-control the output of the H level to the right and the detection signals C and D shift-control the output of the H level to the left. The detection signals A and D are subjected to shift control when the odd-numbered outputs p1, p3 and p5 are at the H level, and when the even-numbered outputs p2, p4 and p6 are at the H level, do.

더욱이, 이 지연 제어 회로(9)는 동작 개시시에 리셋 신호 Reset에 의해 지연 제어 신호 p1가 H레벨로 되고, 가변 지연 회로(2)의 지연량을 가장 적은 상태로 한다. 따라서, DLL 회로에 있어서의 피드백 루프의 지연량은 가장 적은 양에서부터 동작이 개시되어, 1 주기 후의 타이밍 Al, A2에 타이밍 B2이 일치하도록 제어된다.Further, at the start of operation, the delay control circuit 9 causes the delay control signal p1 to be at the H level by the reset signal Reset, and sets the delay amount of the variable delay circuit 2 to the smallest state. Therefore, the delay amount of the feedback loop in the DLL circuit is started from the smallest amount, and the timing Al and the timing A2 after one cycle are controlled so that the timing B2 coincides with each other.

도 6은 위상 비교기(8)의 회로도이다. 이 위상 비교기에는 가변 클록 Vari CLK과 기준 클록 Ref CLK의 클록 위상의 관계를 검출하는 위상 검출부(51)를 가진다. 이 위상 검출부(51)는 NAND게이트(501, 502 및 503,504)로 이루어지는 래치 회로를 2개 가지며, 기준 클록 Ref CLK에 대하여 가변 클록 Vari CLK의 위상이, (1) 일정 시간 이상 진행되고 있는 경우, (2) 일정 시간내 정도의 위상차의 관계에 있는경우, 및 (3) 일정 시간 이상 지연되고 있는 경우를 검출한다. 검출출력 nl∼n4의 조합에 의해 상기 3개의 상태가 검출된다.6 is a circuit diagram of the phase comparator 8. Fig. The phase comparator has a phase detector 51 for detecting the relationship between the variable clock Vari CLK and the clock phase of the reference clock Ref CLK. The phase detector 51 has two latch circuits composed of NAND gates 501 and 502 and 503 and 504. When the phase of the variable clock Vari CLK with respect to the reference clock Ref CLK is (1) (2) a phase difference of about a predetermined time, and (3) a case in which a delay is longer than a predetermined time. The above three states are detected by the combination of the detection outputs nl to n4.

샘플링 펄스 발생부(52)는 NAND게이트(505), 지연 회로(506), NOR게이트(507)로 이루어지고, 2개의 클록 Ref CLK과 Vari CLK이 함께 H레벨로 될 때에 샘플링신호를 노드 n9로 출력한다. 샘플링 래치 회로부(53)는 샘플링신호 N9에 의해, 검출출력 nl∼n4을 샘플링게이트(508∼511)에 의해 샘플링하여, NAND(512, 513 및 514, 515)로 이루어지는 래치 회로로 래치한다. 따라서, 샘플링시의 검출출력 n1∼n4이 노드 n5∼n8에 각각 래치된다.The sampling pulse generating section 52 includes a NAND gate 505, a delay circuit 506 and a NOR gate 507. When the two clocks Ref CLK and Vari CLK become H level together, the sampling pulse generating section 52 outputs a sampling signal to a node n9 Output. The sampling latch circuit portion 53 samples the detection outputs nl to n4 by the sampling gates 508 to 511 by the sampling signal N9 and latches the sampled signals by the latch circuit composed of the NANDs 512 and 513 and 514 and 515. Therefore, the detection outputs n1 to n4 at the time of sampling are latched in the nodes n5 to n8, respectively.

½ 분주 회로(54)는 JK 플립플롭 구성으로, 양 클록 Vari CLK, Ref CLK이 함께 H레벨이 될 때를 NAND게이트(520)로 검출하여, 그 검출펄스 nl0를 ½ 분주하여, 역상의 펄스신호 n11와 n12를 생성한다. 디코드부(55)는 샘플링 래치된 노드 n5∼n8의 신호를 디코드하여, 가변 클록 Vari CLK이 기준 클록 Ref CLK보다 진행되고 있을 때는 다이오드(536)의 출력을 H레벨로 하고, 양 클록의 위상이 일치하고 있을 때는 다이오드(536, 540)의 출력을 함께 L레벨로 하며, 또한 가변 클록 Vari CLK이 기준 클록 Ref CLK보다 지연되고 있을 때는 다이오드(540)의 출력을 H레벨로 한다. 출력회로부(56)는 디코드부(55)의 출력에 따라서, 역상 펄스신호 nl1와 n12에 응답하여, 검출 신호 A∼D를 출력한다. 검출 신호 A∼D는 이미 설명한 바와 같이 지연 제어 회로의 상태를 제어한다.The ½ frequency divider circuit 54 has a JK flip flop configuration. The NAND gate 520 detects when both of the clocks Vari CLK and Ref CLK are at the H level, divides the detection pulse nl0 by 1/2, Generate n11 and n12. The decode unit 55 decodes the signals of the sampling latched nodes n5 to n8 to set the output of the diode 536 to the H level when the variable clock Vari CLK is ahead of the reference clock Ref CLK, The outputs of the diodes 536 and 540 are set to the L level. When the variable clock Vari CLK is delayed from the reference clock Ref CLK, the output of the diode 540 is set to the H level. The output circuit section 56 outputs the detection signals A to D in response to the reversed phase pulse signals nl1 and n12 in accordance with the output of the decoding section 55. [ The detection signals A to D control the state of the delay control circuit as described above.

도 7은 도 6의 동작을 나타내는 타이밍 차트도이다. 이 도면에서는 가변 클록 Vari CLK이 기준 클록 Ref CLK보다 진행하고 있는 상태, 양 클록의 위상이 일치하고 있는 상태, 그리고 가변 클록 Vari CLK이 기준 클록 Ref CLK보다 지연되는 상태를 순서대로 나타내고 있다. 즉, 샘플링 펄스 n9가 Sl, S2일 때는 가변 클록 Vari CLK이 진행하고 있기 때문에, 그것이 검출되어, 펄스 n12에 응답하여 검출 신호 C가 H레벨로 출력되며, 또한 펄스 nl1에 응답하여 검출 신호 D가 H레벨로 출력된다. 샘플링 펄스가 S3일 때는 위상이 일치하여 검출 신호 A∼D는 모두 L레벨이 된다. 더욱이, 샘플링 펄스 S4, S5, S6일 때는 가변 클록 Vari CLK이 지연되고 있기 때문에, 그것이 검출되어, 펄스 n11에 응답하여 검출 신호 B가 혹은 펄스 nl2에 응답하여 검출 신호 A가 각각 H레벨이 된다.7 is a timing chart showing the operation of Fig. In this figure, a state in which the variable clock Vari CLK is ahead of the reference clock Ref CLK, a state in which the phases of both clocks coincide with each other, and a state in which the variable clock Vari CLK is delayed from the reference clock Ref CLK are sequentially shown. That is, since the variable clock Vari CLK is in progress when the sampling pulse n9 is Sl and S2, it is detected, the detection signal C is output to the H level in response to the pulse n12, and the detection signal D H level. When the sampling pulse is S3, the phases coincide with each other, and all the detection signals A to D are at the L level. Furthermore, since the variable clock Vari CLK is delayed in the sampling pulses S4, S5, and S6, it is detected, and in response to the pulse n11, the detection signal A becomes the H level in response to the detection signal B or the pulse nl2.

상기한 동작을 이하에 순서대로 설명한다.The above-described operation will be described below in order.

샘플링 펄스 S1Sampling pulse S1

이 기간에서는 가변 클록 Vari CLK이 진행하고 있기 때문에, 양 클록 Vari CLK, Ref CLK이 함께 L레벨의 상태에서, 가변 클록 Vari CLK이 먼저 H레벨이 되고, 노드 n2가 L레벨에서 래치되고, 노드 n1가 H레벨에서 래치된다. NAND 및 인버터(500)는 가변 클록 Vari CLK을 일정 시간 늦추는 지연 회로이고, NAND(503, 504)에서도 같은 식으로 노드 n3=H레벨, 노드 n4=H레벨이 래치된다. 그래서, 샘플링 발생부(52)에 의해, 양 클록 Vari CLK, Ref CLK이 함께 H레벨이 되는 타이밍에서, 지연 회로(506)의 지연 시간만큼의 폭을 가지는 샘플링 펄스 n9가 생성되고, 위상 비교부(51)에서의 래치상태가 샘플링되어, 래치부(53)에서 그 래치상태가 래치된다. 즉, 노드 n1∼n4의 상태가 노드 n5∼n8로 전송된다.In this period, since the variable clock Vari CLK is in progress, the variable clock Vari CLK is first brought to the H level first when both of the clocks Vari CLK and Ref CLK are at the L level, the node n2 is latched at the L level, Is latched at the H level. The NAND and inverter 500 are delay circuits that delay the variable clock Vari CLK by a predetermined time. The nodes n3 = H level and the node n4 = H level are similarly latched in the NANDs 503 and 504 as well. Thus, the sampling generator 52 generates a sampling pulse n9 having a width corresponding to the delay time of the delay circuit 506 at the timing at which both the clocks Vari CLK and Ref CLK coincide with the H level, The latch state in the latch unit 51 is sampled, and the latch state is latched in the latch unit 53. [ That is, the states of the nodes n1 to n4 are transferred to the nodes n5 to n8.

그리고, 양 클록 Vari CLK, Ref CLK이 함께 H레벨이 되는 타이밍에서 펄스 nl0가 생성된다. 분주 회로부(54)는 NAND(524, 525)의 래치 회로와 NAND(528, 529)의 래치 회로가 게이트(526, 527) 및 게이트(530, 531)에서 결합되고, 그들 게이트는 펄스 n10의 반전, 비반전 펄스에서 열린다. 따라서, 펄스 n10가 ½로 분주된다.Then, the pulse nl0 is generated at the timing when both of the clocks Vari CLK and Ref CLK coincide with the H level. The frequency divider circuit portion 54 is connected to the latch circuits of the NANDs 524 and 525 and the latch circuits of the NANDs 528 and 529 at the gates 526 and 527 and the gates 530 and 531, , And is opened in the non-inverting pulse. Therefore, the pulse n10 is divided by ½.

디코더부(55)에서는 노드 n5∼n8의 H, L, H, L 레벨의 상태에 의해, 인버터(536)의 출력이 H레벨로, 인버터(540)의 출력이 L레벨로 된다. 따라서, 펄스 n12에 응답하여, 인버터(536)의 H레벨이 NAND(543), 인버터(544)를 통해, 검출 신호 C를 H레벨로 한다. 검출 신호 C의 H레벨에 의해, 시프트 레지스터의 H레벨의 출력은 좌측으로 시프트하여, 가변 지연 회로의 지연 경로가 길어진다. 그 결과, 가변 클록 VariCLK은 지연되는 방향으로 제어된다.In the decoder unit 55, the output of the inverter 536 is at the H level and the output of the inverter 540 is at the L level depending on the states of the H, L, H, and L levels of the nodes n5 to n8. Therefore, in response to the pulse n12, the H level of the inverter 536 is set to the H level through the NAND 543 and the inverter 544. Due to the H level of the detection signal C, the H level output of the shift register shifts to the left, and the delay path of the variable delay circuit becomes longer. As a result, the variable clock VariCLK is controlled in the delayed direction.

샘플링 펄스 S2Sampling pulse S2

상기한 바와 같이, 가변 클록 Vari CLK이 진행하고 있는 것이, 위상 비교부(51)에서 검출되고, 펄스 n11에 응답하여 검출 신호 D가 H레벨로 된다. 따라서, 같은 식으로 지연 제어 회로의 지연 제어 신호인 H레벨 출력은 좌측으로 이동하여, 가변 지연 회로의 지연 경로는 보다 길어진다.As described above, the phase comparator 51 detects that the variable clock Vari CLK is in progress, and the detection signal D becomes H level in response to the pulse n11. Thus, the H level output, which is the delay control signal of the delay control circuit, is shifted to the left in the same manner, and the delay path of the variable delay circuit becomes longer.

샘플링 펄스 S3Sampling pulse S3

샘플링 펄스 S3가 출력되는 타이밍에서는 양 클록 Vari CLK과 Ref CLK은 대부분 위상이 일치한다. 지연 회로(505)에서의 지연 시간 이내의 위상어긋남을 갖는 경우는 가변 클록 Vari CLK이 약간 진행하고 있을 때는In the timing at which the sampling pulse S3 is output, most of the clocks Vari CLK and Ref CLK are in phase. In the case of having a phase shift within the delay time in the delay circuit 505, when the variable clock Vari CLK is slightly advanced

n1=H, n2=L, n3=L, n4=Hn1 = H, n2 = L, n3 = L, n4 = H

n5=H, n6=L, n7=L, n8=Hn5 = H, n6 = L, n7 = L, n8 = H

이 된다. 이 상태가 도 7에 나타내어져 있다. 또한, 지연 회로(505)에서의 지연 시간 이내의 위상어긋남을 갖는 경우로, 가변 클록 Vari CLK이 약간 지연되고 있을 때는. This state is shown in Fig. Further, in the case of having a phase shift within the delay time in the delay circuit 505, and when the variable clock Vari CLK is slightly delayed

n1=L, n2=H, n3=H, n4=Ln1 = L, n2 = H, n3 = H, n4 = L

n5=L, n6=H, n7=H, n8=Ln5 = L, n6 = H, n7 = H, n8 = L

이 된다..

어느 경우라도, 디코더부(55)에 의해 디코드되어, 양 인버터(536, 540)의 출력이 함께 L레벨로 되고, 검출출력 A∼D는 전부 L레벨이 된다. 그 결과, 지연 제어 회로의 상태는 변화하지 않고, 가변 지연 회로의 지연 시간이 변화하지 않는다.In either case, the decoder unit 55 decodes the output of both the inverters 536 and 540 to the L level, and the detection outputs A to D are all at the L level. As a result, the state of the delay control circuit does not change, and the delay time of the variable delay circuit does not change.

샘플링 펄스 S4, S5, S6Sampling pulses S4, S5, S6

이 경우는 가변 클록 Vari CLK이 지연되고 있다. 따라서, 위상 비교부(51)의 래치상태는In this case, the variable clock Vari CLK is delayed. Therefore, the latch state of the phase comparator 51 is

n1=L, n2=H, n3=L, n4=Hn1 = L, n2 = H, n3 = L, n4 = H

이 되고, 그 결과, 샘플링된 래치부(53)에서도As a result, even in the sampled latch portion 53

n5=L, n6=H, n7=L, n8=Hn5 = L, n6 = H, n7 = L, n8 = H

로 된다. 이 상태가 디코더부(55)에서 디코드되고, 인버터(536)는 L레벨 출력, 인버터(540)는 H레벨 출력이 된다. 따라서, 펄스 n11와 n12에 응답하여, 검출 신호 B와 A가 각각 H레벨이 된다. 그 결과, 지연 제어 회로의 지연 제어 신호 p가 우측방향으로 시프트하여, 가변 지연 회로의 지연 경로를 짧게 하여 지연 시간을 짧게 한다. 그 때문에, 가변 클록 Vari CLK이 진행하는 방향으로 제어된다.. This state is decoded by the decoder unit 55, and the inverter 536 becomes an L level output and the inverter 540 becomes an H level output. Therefore, in response to the pulses n11 and n12, the detection signals B and A become H levels, respectively. As a result, the delay control signal p of the delay control circuit shifts to the right, shortening the delay path of the variable delay circuit to shorten the delay time. Therefore, the variable clock Vari CLK is controlled to proceed.

제2 실시예Second Embodiment

도 8은 제2 실시예를 나타내는 회로도이다. 또한, 도 9는 도 8의 동작 타이밍 차트도이다. 제2 실시예도, 제1 실시예와 같이, DLL 회로내의 가변 지연 회로를 생략하고, 타이밍 신호 N4를 생성하는 가변 지연 회로(2)의 지연량을 이용하여 피드백루프의 분주클록을 생성한다.8 is a circuit diagram showing the second embodiment. 9 is an operation timing chart of Fig. Also in the second embodiment, as in the first embodiment, the variable delay circuit in the DLL circuit is omitted, and the frequency division clock of the feedback loop is generated using the delay amount of the variable delay circuit 2 that generates the timing signal N4.

제2 실시예에서는 1/N 분주기(4)는 펄스폭이 내부 클록 N1의 1 주기분이고, 1/2 분주보다도 높은 분주비로 내부 클록 N2을 분주한다. 이로써, 위상 비교기(8)는 여유를 가지고 위상 비교 동작을 할 수 있다. 따라서, 도 9에 나타내는 바와 같이 내부 클록 N1의 상승 구간 B0에서 상승하고, 그 다음의 상승 구간 Al에서 하강하는 분주된 제1 기준 클록 N2이 생성된다. 따라서, 이 하강 구간 A2의 위상이 위상 비교기(8)에 있어서 이용된다.In the second embodiment, the 1 / N divider 4 divides the internal clock N2 with a dividing ratio that is one cycle of the internal clock N1 and has a pulse width that is higher than 1/2. Thereby, the phase comparator 8 can perform phase comparison operation with sufficient margin. Accordingly, as shown in Fig. 9, the divided first reference clock N2 rising at the rising section B0 of the internal clock N1 and falling at the next rising section Al is generated. Therefore, the phase of the falling section A2 is used in the phase comparator 8. [

그리고, 1/2위상 시프트 회로(40)는 제1 기준 클록 N2(CLK1)의 위상을 180도 시프트하여 제2 기준 클록 N3(CLK2)을 생성한다. 이 제2 기준 클록 N3은 도 9에 나타내는 바와 같이, 제1 기준 클록 N2의 하강 구간 A2의 양측에서 H레벨로 된다.Then, the 1/2 phase shift circuit 40 shifts the phase of the first reference clock N2 (CLK1) 180 degrees to generate the second reference clock N3 (CLK2). As shown in Fig. 9, the second reference clock N3 is at the H level on both sides of the falling period A2 of the first reference clock N2.

이 제2 기준 클록 N3이 타이밍 동기 회로(5)에 공급된다. 제2 실시예에서, 이 타이밍 동기 회로(5)는 D 플립플롭 회로로 구성된다. 즉, 제2 기준 클록이 D 입력 단자에 공급되고, 타이밍 신호 N4가 클록 단자에 공급된다. 그리고, 제2 기준 클록을 타이밍 신호 N4의 타이밍에 맞춘 제3 기준 클록 N5(CLK3)가 생성된다. D형 플립플롭의 동작에 의하면, 타이밍 신호 N4의 상승 구간에서의 D 입력 단자의 공급되는 제2 기준 클록 N3의 레벨의 반전 신호가 반전 출력 /Q으로 출력된다. 따라서, 제3 기준 클록 N5은 도 9에 나타내는 바와 같다.The second reference clock N3 is supplied to the timing synchronization circuit 5. [ In the second embodiment, this timing synchronization circuit 5 is constituted by a D flip-flop circuit. That is, the second reference clock is supplied to the D input terminal, and the timing signal N4 is supplied to the clock terminal. Then, a third reference clock N5 (CLK3) matching the timing of the timing signal N4 with the second reference clock is generated. According to the operation of the D flip-flop, the inverted signal of the level of the second reference clock N3 supplied from the D input terminal in the rising section of the timing signal N4 is output as the inverted output / Q. Therefore, the third reference clock N5 is as shown in Fig.

그리고, 제3 기준 클록 N5은 더미 데이터 출력 버퍼(6)와 더미 입력 버퍼(7)를 경유하여 소정의 지연을 갖는 가변 클록 N7이 위상 비교기(8)에 공급된다. 제1 실시예와 마찬가지로, 위상 비교기(8)와 위상 제어 회로(9)에 의해, 제1 기준 클록 N2의 하강 구간 A2와 가변 클록 N7의 하강 구간 B2의 위상이 일치하도록, 가변 지연 회로(2)의 지연량을 제어하는 지연 제어 신호 N9가 생성된다.The third reference clock N5 is supplied to the phase comparator 8 via the dummy data output buffer 6 and the dummy input buffer 7 with the variable clock N7 having a predetermined delay. The phase comparator 8 and the phase control circuit 9 control the phases of the falling period A2 of the first reference clock N2 and the falling period B2 of the variable clock N7 in the same manner as in the first embodiment, The delay control signal N9 is generated.

도 9에 점선으로 나타내는 바와 같이, 가령 구간 B0에 대응하는 타이밍 신호 N4의 구간이 B3에 있다고 하면, 그에 따라서 제3 기준 클록 N5도 점선과 같이 생성되고, 가변 클록 N7의 하강 구간 B4는 구간 A2에 일치하도록, 가변 지연 회로(2)의 지연량이 적어지도록 제어된다. 단, 통상적으로 가변 클록 N7의 하강 구간 B2는 도 9중 좌측에서 우측으로 이동하는 과정에서, DLL 회로가 로크 상태로 되고, 구간 B2는 구간 A2에 일치한다.9, if the interval of the timing signal N4 corresponding to the interval B0 is B3, the third reference clock N5 is generated as indicated by the dotted line, and the falling interval B4 of the variable clock N7 is divided into the interval A2 The delay amount of the variable delay circuit 2 is controlled to be smaller. However, in the process of moving the falling period B2 of the variable clock N7 from the left side to the right side in Fig. 9, the DLL circuit is normally in the locked state, and the period B2 is in the period A2.

제2 실시예에 있어서, 1/2위상 시프트 회로(40)는 제1 기준 클록 N2의 하강 구간 A2의 전후에서 소정의 펄스폭을 갖는 제2 기준 클록 N3을 생성한다. 상기한 바와 같이, DLL 회로 동작이 개시될 때에, 지연 제어 회로(9)는 리셋되어 가변 지연 회로(2)의 지연량을 최소로 세트한다. 따라서, 그 후의 위상 비교 동작의 결과, 내부 클록의 상승 구간 B0에 대응하는 구간 B2와, 구간 B0로부터 1 클록 주기 후의 상승 구간 A1에 대응하는 제1 기준 클록의 구간 A2의 위상이 일치할 때에, DLL 회로는 로크 상태가 된다. 그래서, 제2 실시예에서는 제2 기준 클록 N3과 타이밍 신호 N4로부터, 제1 기준 클록 N2의 구간 A2에 맞추어야 할 하강 구간 Bl을 갖는 제3 기준 클록 N5을 생성한다.In the second embodiment, the 1/2 phase shift circuit 40 generates a second reference clock N3 having a predetermined pulse width before and after the falling period A2 of the first reference clock N2. As described above, when the DLL circuit operation is started, the delay control circuit 9 is reset to set the delay amount of the variable delay circuit 2 to the minimum. Therefore, as a result of the subsequent phase comparison operation, when the phase B2 corresponding to the rising section B0 of the internal clock coincides with the phase of the section A2 of the first reference clock corresponding to the rising section A1 after one clock period from the section B0, The DLL circuit is in the locked state. Thus, in the second embodiment, the third reference clock N5 having the falling period B1 to be matched with the interval A2 of the first reference clock N2 is generated from the second reference clock N3 and the timing signal N4.

따라서, 1/2 시프트 회로(40)는 시프트량을 그만큼 엄밀하게 할 필요는 없다. 또, 제2 기준 클록 N3의 펄스폭은 구간 A2의 양측에 어느 정도 확보되면, DLL 회로 동작에 지장은 없다.Therefore, the 1/2 shift circuit 40 does not need to make the shift amount as rigid as that. When the pulse width of the second reference clock N3 is secured to a certain extent on both sides of the section A2, the operation of the DLL circuit is not affected.

제2 실시예에서는 타이밍 동기 회로 5는 D형 플립플롭 회로로 구성된다. D형 플립플롭 회로를 이용함으로써, 타이밍 신호 N4에 위상이 동기한 기한 반전 클록 N5을 용이하게 생성할 수 있다. 더욱이, D형 플립플롭은 가변 지연 회로(2)의 회로보다도 간단한 회로이다. 따라서, 도면중 회로 부분(30)을 복수의 데이터출력분 설치하더라도, 회로 규모의 확대는 그다지 없다.In the second embodiment, the timing synchronization circuit 5 is composed of a D-type flip-flop circuit. By using the D-type flip-flop circuit, it is possible to easily generate the time-reversal clock N5 whose phases are synchronized with the timing signal N4. Furthermore, the D-type flip-flop is a circuit simpler than the circuit of the variable delay circuit 2. [ Therefore, even if the circuit portion 30 is provided with a plurality of data outputs in the drawing, the circuit scale is not so large.

도 10은 1/2위상 시프트 회로(40)의 회로도이다. 위상 비교기(14), 지연 제어 회로(15), 가변 지연 회로(11, 12)는 도 6, 도 5, 도 4에서 설명한 회로와 같다. 이 1/2위상 시프트 회로(40)의 예는 제1 기준 클록N2(CLK1)를 2개의 가변 지연 회로(11, 12)로 지연시켜 피드백되는 가변 클록 N12와 제1 기준 클록 N2(CLKl)와의 위상을 일치시키도록 제어하는 DLL 회로로 구성된다. 즉, 도 2의 경우의 DLL 회로와 같이, 위상 비교기(14)가 제1 기준 클록 N2(CLKl)와 가변 클록 N12과의 위상을 비교하여, 검사 신호 N14를 지연 제어 회로(15)에 부여하여, 지연 제어 신호 N15에 의해, 2개의 가변 지연 회로(11, 12)의 지연량이, 양 클록의 위상이 일치하도록 제어된다.Fig. 10 is a circuit diagram of the 1/2 phase shift circuit 40. Fig. The phase comparator 14, the delay control circuit 15, and the variable delay circuits 11 and 12 are the same as those described in Figs. 6, 5 and 4. Fig. An example of the 1/2 phase shift circuit 40 is a circuit for delaying the first reference clock N2 (CLK1) by the two variable delay circuits 11 and 12 and outputting the first reference clock N2 (CLK1) And a DLL circuit for controlling the phases to coincide with each other. 2, the phase comparator 14 compares the phase of the first reference clock N2 (CLK1) with the phase of the variable clock N12 to give the test signal N14 to the delay control circuit 15 , The delay amounts of the two variable delay circuits 11 and 12 are controlled so that the phases of both clocks coincide with each other by the delay control signal N15.

또한, 지연 제어 회로(11, 12)는 같은 지연량이고, 도 5에서 설명한 바와 같이, 리셋 신호에 의해 지연량이 최소로 되고 나서 DLL 동작이 개시된다. 따라서, 가변 지연 회로(11)의 출력인 1/2 시프트 클록 N3(CLK2)은 반드시 제1 기준 클록 N2(CLK1)에서부터 180도 위상 시프트한 클록으로 된다.Further, the delay control circuits 11 and 12 have the same delay amount, and the DLL operation is started after the delay amount is minimized by the reset signal as described in Fig. Therefore, the 1/2 shift clock N3 (CLK2), which is the output of the variable delay circuit 11, necessarily becomes a clock shifted by 180 degrees from the first reference clock N2 (CLK1).

제3 실시예Third Embodiment

도 11은 제3 실시예를 나타내는 도면이다. 또한, 도 12는 도 11의 동작 타이밍 차트도이다. 제3 실시예가 도 8에 나타낸 제2 실시예와 다른 곳은 1/2위상 시프트 회로(40)가 D형 플립플롭 회로로 구성되어 있는 데에 있다. 그리고, D형 플립플롭(40)의 D 입력 단자에는 제1 기준 클록 CLK1이 공급되고, 클록 입력 단자 CLK에는 내부 클록 N1의 반전 클록 /CLK0이 공급된다. 그리고, 비반전 출력 단자 Q로부터 제2 기준 클록 N3이 생성된다. 그 이외에는 제2 실시예와 같은 구성이다.11 is a view showing a third embodiment. 12 is an operation timing chart of Fig. The third embodiment differs from the second embodiment shown in Fig. 8 in that the 1/2 phase shift circuit 40 is composed of a D-type flip-flop circuit. The first reference clock CLK1 is supplied to the D input terminal of the D flip-flop 40, and the inverted clock / CLK0 of the internal clock N1 is supplied to the clock input terminal CLK. Then, the second reference clock N3 is generated from the non-inverted output terminal Q. The other structure is the same as that of the second embodiment.

도 12에 나타내는 바와 같이, 내부 클록 N1(CLK0)의 반전 클록 /CLK0은 내부 클록 Nl(CLK0)에 대하여 180도 위상이 지연된 클록이다. 따라서, D형 플립플롭(40)이 그 180도 위상이 지연된 반전 클록 /CLK0의 타이밍에 제1 기준 클록 N2 (CLK1)의 위상을 맞춤으로써, 제1 기준 클록 N2(CLKl)를 180도 위상 시프트시킨 제2 기준 클록 N3(CLK2)을 출력 Q에 생성할 수 있다.As shown in Fig. 12, the inversion clock / CLK0 of the internal clock N1 (CLK0) is a clock whose phase is delayed by 180 degrees with respect to the internal clock N1 (CLK0). Therefore, the D-type flip-flop 40 sets the phase of the first reference clock N2 (CLK1) at the timing of the inverted clock / CLK0 delayed by 180 degrees to shift the first reference clock N2 (CLK1) The second reference clock N3 (CLK2) generated at the output Q can be generated.

그 이외의 동작은 제2 실시예와 같다. 제3 실시예에서는 1/2위상 시프트 회로를 D형 플립플롭(40)으로 구성하였기 때문에, 제2 실시예의 도 10에 나타내어진 DLL 회로를 이용한 경우보다도 적은 회로 구성으로 실현할 수 있다.The other operations are the same as in the second embodiment. In the third embodiment, since the 1/2 phase shift circuit is composed of the D-type flip-flop 40, the circuit configuration can be realized with a smaller circuit configuration than the DLL circuit shown in Fig. 10 of the second embodiment.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, DLL 회로를 이용한 타이밍 신호를 생성하는 회로에 있어서, 가변 지연 회로로 바꾸어 타이밍 동기 회로를 설치하였기 때문에, 회로 규모가 큰 가변 지연 회로의 수를 줄일 수 있어서, 전체의 회로 규모를 작게 할 수 있다.As described above, according to the present invention, since the timing synchronization circuit is provided in place of the variable delay circuit in the circuit for generating the timing signal using the DLL circuit, the number of variable delay circuits having a large circuit scale can be reduced, The entire circuit scale can be reduced.

Claims (7)

공급되는 클록과 소정의 위상 관계의 타이밍으로 동작하는 내부 회로를 가지는 집적 회로 장치에 있어서,1. An integrated circuit device having an internal circuit that operates at a timing of a predetermined phase relationship with a clock to be supplied, 상기 클록을 소정 시간 지연시켜 상기 내부 회로에 타이밍 신호를 생성하는 가변 지연 회로와,A variable delay circuit for delaying the clock for a predetermined time to generate a timing signal in the internal circuit, 상기 클록의 주파수를 분주하여 제1 기준 클록을 생성하는 분주 회로와,A frequency divider circuit for dividing a frequency of the clock to generate a first reference clock; 상기 제1 기준 클록을 상기 타이밍 신호의 타이밍에 동기시켜 제2 기준 클록을 생성하는 타이밍 동기 회로와,A timing synchronizing circuit for synchronizing the first reference clock with the timing of the timing signal to generate a second reference clock; 상기 제2 기준 클록을 소정 시간 지연시킨 가변 클록과 상기 제1 기준 클록의 위상을 비교하여, 양 클록의 위상을 일치시키도록 상기 가변 지연 회로에 지연제어 신호를 부여하는 위상 비교·제어 회로를 지니는 것을 특징으로 하는 집적 회로 장치.And a phase comparison / control circuit that compares the phase of the first reference clock with the variable clock obtained by delaying the second reference clock by a predetermined time and gives a delay control signal to the variable delay circuit so as to match the phases of both clocks Wherein the integrated circuit device comprises: 제1항에 있어서, 상기 제1 기준 클록은 상기 클록의 1 주기분의 펄스폭을 가지며, 상기 제2 기준 클록은 상기 제1 기준 클록의 반전 레벨을 가지고, 상기 위상 비교·제어 회로는 상기 제1 기준 클록의 상승 또는 하강 구간과 상기 가변 클록의 상승 또는 하강 구간과의 위상을 일치시키도록 상기 가변 지연 회로의 지연량을 제어하는 것을 특징으로 하는 집적 회로 장치.The phase comparison and control circuit according to claim 1, wherein the first reference clock has a pulse width of one cycle of the clock, the second reference clock has an inversion level of the first reference clock, And controls the delay amount of the variable delay circuit so that the phase of the rising clock or the falling clock of the reference clock coincides with the phase of the rising clock or the falling clock of the variable clock. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 분주 회로가 공통으로 설치되고, 상기 가변 지연 회로와, 타이밍 동기 회로와, 위상 비교·제어 회로가 복수조 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 집적 회로 장치.The integrated circuit device according to claim 1 or 2, wherein the frequency divider circuit is provided in common, and a plurality of sets of the variable delay circuit, the timing synchronization circuit, and the phase comparison / control circuit are provided. 공급되는 클록과 소정의 위상 관계의 타이밍으로 동작하는 내부 회로를 가지는 집적 회로 장치에 있어서,1. An integrated circuit device having an internal circuit that operates at a timing of a predetermined phase relationship with a clock to be supplied, 상기 클록을 소정 시간 지연시켜 상기 내부 회로에 타이밍 신호를 생성하는 가변 지연 회로와,A variable delay circuit for delaying the clock for a predetermined time to generate a timing signal in the internal circuit, 상기 클록의 주파수를 분주하여 상기 공급 클록의 1 주기분의 펄스폭을 가지는 제1 기준 클록을 생성하는 분주 회로와,A frequency divider circuit for dividing a frequency of the clock to generate a first reference clock having a pulse width corresponding to one cycle of the supplied clock; 상기 제1 기준 클록을 대략 ½ 주기의 위상을 시프트시킨 제2 기준 클록을 생성하는 위상 시프트 회로와,A phase shift circuit for generating a second reference clock in which the phase of the first reference clock is shifted by approximately a half cycle; 상기 제2 기준 클록을 상기 타이밍 신호의 타이밍에 동기시켜 제3 기준 클록을 생성하는 타이밍 동기 회로와,A timing synchronizing circuit for synchronizing the second reference clock with the timing of the timing signal to generate a third reference clock, 상기 제3 기준 클록을 소정 시간 지연시킨 가변 클록과 상기 제1 기준 클록의 위상을 비교하여, 당해 양 클록의 위상을 일치시키도록 상기 가변 지연 회로에 지연 제어 신호를 부여하는 위상 비교·제어 회로를 지니는 것을 특징으로 하는 집적 회로 장치.A phase comparison / control circuit that compares the phases of the variable clock obtained by delaying the third reference clock by a predetermined time and the phase of the first reference clock to give a delay control signal to the variable delay circuit so as to match the phases of the two clocks Wherein the integrated circuit device comprises: 제4항에 있어서, 상기 타이밍 동기 회로는 상기 제2 기준 클록을 D 입력 단자에, 상기 타이밍 신호를 클록 단자에 각각 입력하며, 상기 제3 기준 클록을 출력 단자로부터 생성하는 제1 D형 플립플롭 회로인 것을 특징으로 하는 집적 회로 장치.5. The flip-flop circuit according to claim 4, wherein the timing synchronization circuit includes: a first D-type flip-flop for inputting the second reference clock to a D input terminal and the timing signal to a clock terminal, Circuit. &Lt; / RTI &gt; 제4항에 있어서, 상기 위상 시프트 회로는 상기 제1 기준 클록을 D 입력 단자에, 상기 공급되는 클록의 반전 클록을 클록 단자에 각각 입력하며, 상기 제2 기준 클록을 출력 단자로부터 생성하는 제2 D형 플립플롭 회로인 것을 특징으로 하는 집적 회로 장치.5. The phase locked loop circuit according to claim 4, wherein the phase shift circuit inputs the first reference clock to the D input terminal, the inverted clock of the supplied clock to the clock terminal, and the second reference clock from the output terminal Type flip-flop circuit. 제4항 내지 제6항중 어느 한 항에 있어서, 상기 분주 회로 및 위상 시프트 회로가 공통으로 설치되고, 상기 가변 지연 회로와, 타이밍 동기 회로와, 위상 비교·제어 회로가 복수조 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 집적 회로 장치.The liquid crystal display device according to any one of claims 4 to 6, characterized in that a plurality of sets of the variable delay circuit, the timing synchronization circuit, and the phase comparison / control circuit are provided in common to the frequency division circuit and the phase shift circuit .
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4190662B2 (en) 1999-06-18 2008-12-03 エルピーダメモリ株式会社 Semiconductor device and timing control circuit
KR100521418B1 (en) * 1999-12-30 2005-10-17 주식회사 하이닉스반도체 Short locking time and high noise immunity delay controller in delay locked loop
JP4446070B2 (en) 2000-04-11 2010-04-07 エルピーダメモリ株式会社 DLL circuit, semiconductor device using the same, and delay control method
KR100410632B1 (en) * 2001-06-30 2003-12-18 주식회사 하이닉스반도체 DLL for reducing layout area and current comsumption
KR100507877B1 (en) * 2002-03-28 2005-08-18 주식회사 하이닉스반도체 Rdll circuit for reduction of area
KR100875651B1 (en) 2007-08-14 2008-12-26 주식회사 하이닉스반도체 Delay locked loop circuit and operation method thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030064524A (en) * 2002-01-28 2003-08-02 엘지이노텍 주식회사 Timing synchronous circuit of data sending

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