KR19980065920A

KR19980065920A - Magnet device of semiconductor magnetron sputtering equipment

Info

Publication number: KR19980065920A
Application number: KR1019970001152A
Authority: KR
Inventors: 이재욱
Original assignee: 김광호; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1997-01-16
Filing date: 1997-01-16
Publication date: 1998-10-15
Also published as: KR100253082B1

Abstract

본 발명에 따른 반도체 마그네트론 스퍼터링 설비의 마그네트 장치는, 마그네트 고정판, 상기 마그네트 고정판의 중심에서 일측방으로 그 중심이 편재되어 설치되는 자석 및 상기 마그네트 고정판을 회전시키는 모터를 구비하여 이루어지는 반도체 마그네트론 스퍼터링 설비의 마그네트 장치에 있어서, 상기 마그네트 고정판에 상기 자석의 중심과 다른 위치에 그 중심을 가지는 보조자석이 하나 이상 더 구비되는 것을 특징으로 한다.A magnet device of a semiconductor magnetron sputtering apparatus according to the present invention comprises a magnet fixing plate, a magnet installed centrally from one side of the center of the magnet fixing plate, and a motor for rotating the magnet fixing plate. In the magnet device, characterized in that the magnet fixing plate is further provided with at least one auxiliary magnet having a center at a position different from the center of the magnet.

따라서, 본 발명에 의하면 마그네트론 스퍼터링 설비에서 타겟의 수명을 연장하고, 스퍼터링 공정에서 웨이퍼에 형성되는 막을 균일한 두께를 가진 양질의 것으로 할 수 있다는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, there is an effect that the life of the target can be extended in the magnetron sputtering equipment, and that the film formed on the wafer in the sputtering process can be of high quality with a uniform thickness.

Description

Magnet device of semiconductor magnetron sputtering equipment

본 발명은 반도체 마그네트론 스퍼터링 설비의 마그네트 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 마그네트론 스퍼터링 설비에서 타겟면의 식각이 고르게 이루어지게 하는 마그네트 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnet device of a semiconductor magnetron sputtering facility, and more particularly, to a magnet device for evenly etching a target surface in a semiconductor magnetron sputtering facility.

반도체장치의 콘택이나 회로배선을 이루는 방법으로 웨이퍼 전면에 알루미늄같은 금속재료를 스퍼터링하여 금속막을 적층하고 포토리소그래피와 에칭을 통해 회로패턴을 형성하는 방법이 많이 사용되고 있다.As a method of forming a contact or circuit wiring of a semiconductor device, a method of forming a circuit pattern by sputtering a metal material such as aluminum on the entire surface of a wafer and forming a metal pattern through photolithography and etching has been widely used.

스퍼터링은 공정챔버의 상부에 막의 재료가 되는 타겟을 놓고, 아래에는 웨이퍼를 위치시킨 상태에서 진공을 형성하고, 타겟을 음극으로 형성하고, 아르곤 원자 혹은 양이온화된 아르곤 입자 등의 충돌입자를 투입하여 타겟에 충돌시키고 그 파편이 웨이퍼에 쌓여 막을 형성시키는 공정이다.Sputtering puts a target to be a film material on the upper part of the process chamber, vacuum is formed while the wafer is positioned below, the target is formed as a cathode, and collision particles such as argon atoms or cationized argon particles are introduced. It is a process of colliding with a target and debris accumulating on a wafer and forming a film.

따라서, 스퍼터링 설비는 공정챔버와 공정챔버에 놓이는 웨이퍼 스테이지, 타겟, 공정챔저에 전장을 인가시키는 전원, 진공인가장치 및 충돌입자 공급장치를 기본적으로 구비하여 이루어진다.Therefore, the sputtering equipment is basically provided with a process chamber, a wafer stage placed in the process chamber, a target, a power source for applying an electric field to the process chamber, a vacuum application device, and a collision particle supply device.

스퍼터링 설비의 타겟에서 튕겨나온 타겟의 파편들은 막이 형성되는 웨이퍼에 대해 선호되는 방향성을 가지고 있지 않다. 따라서, 막을 입히고자 하는 기판에 콘택같은 작은 구멍이 있다면, 파편이 그 구멍을 메우기도 전에 구멍의 입구가 먼저 막혀서 홀 내부에 공간이 형성되는 현상이 발생하는 경우가 많았다.Fragments of the targets that bounce off the targets of the sputtering equipment do not have the preferred orientation for the wafer on which the film is formed. Therefore, if the substrate to be coated has a small hole such as a contact, the opening of the hole is first blocked before the debris fills the hole, so that a space is formed inside the hole.

이러한 문제를 방지하기 위해 스퍼터링 설비에는 타겟 파편들의 방향성을 제어하기 위한 노력이 이루어졌다. 그 대표적인 방식이 타겟 파편들의 방향성에 따라 선별하는 일종의 필터를 이용하는 컬리메이터 방식과, 스퍼터링 설비에서 타겟과 웨이퍼의 간격을 띄어 파편들의 정면으로의 입사율을 높이는 저압 원거리 스퍼터링 방식이다.To prevent this problem, efforts have been made to control the orientation of target debris in the sputtering facility. Representative methods are a collimator method using a kind of filter that sorts according to the direction of target debris, and a low pressure long distance sputtering method to increase the incident rate of the debris in front of the wafer in a sputtering facility by space between the target and the wafer.

그러나 이러한 방식들을 통해 홀에 공간이 생기는 문제를 일부 해결한 경우에도, 충돌입자와 타겟의 충돌효율이 떨어져서 공정진행에 장시간이 소요되고, 형성된 막의 두께 균일성이 떨어지고, 작은 홀의 내부나 돌출부위 근방에서 막두께의 차이를 유발하는 비대칭현상이 문제가 된다. 이러한 문제에 대하여, 근래의 대부분의 반도체용 스퍼터링 설비들은 충돌입자와 타겟 사이의 충돌효율을 높이고, 적층되는 막의 균일성을 높이기 위해 타겟의 위쪽에 영구자석을 이용하는 마그네트론 음극을 사용하고 있으며, 이들 마그네트론 음극은 각 설비회사별 고유의 마그네트론 구조를 가지고 있고, 이들 마그네트론 구조의 몇 가지 예가 미국특허번호 4,746,417. 4,872,964. 4,995,958. 등에 나타나 있다.However, even if some of the problem of space is created through these methods, the collision efficiency between the collision particles and the target is reduced, so that the process takes a long time, the thickness uniformity of the formed film is inferior, and the inside of the small hole or near the protrusion part The problem of asymmetry, which causes the difference in film thickness, is a problem. In response to this problem, most of the semiconductor sputtering equipments use magnetron cathodes using permanent magnets on top of targets to increase collision efficiency between collision particles and targets and to increase the uniformity of the stacked films. The cathode has a magnetron structure unique to each facility company, and some examples of these magnetron structures are described in US Pat. No. 4,746,417. 4,872,964. 4,995,958. It is shown on the back.

도1은 종래의 마그네트론 스퍼터링 설비의 개략적인 구성을 나타내는 측단면도이다.1 is a side sectional view showing a schematic configuration of a conventional magnetron sputtering apparatus.

마그네트 장치를 제외한 나머지 부분은 진공과 전장이 인가되고, 상부에 타겟(11)이, 그리고 하부에 웨이퍼 스테이지(12)가 놓이는 공정챔버(10)와 같은 공통적인 스퍼터링 설비의 구성을 가지고 있다. 거기에 타겟(11) 상부로 일정 간격 이격되어 설치되는 마그네트 고정판(13), 마그네트 고정판의 중심에서 편재되어 그 중심이 위치하게 되는 자석(14), 고정판의 무게균형을 위한 웨이트 밸런스(15), 고정판을 회전시키기 위한 모터(16)와 축(17)이 마그네트 장치(18)를 구성하고 있다.The remaining parts except the magnet device have a common sputtering structure, such as a process chamber 10 in which a vacuum and electric field are applied, a target 11 is placed on the top, and a wafer stage 12 is placed on the bottom. There, the magnet fixing plate 13 which is installed at a predetermined interval spaced above the target 11, the magnet 14 is ubiquitous at the center of the magnet fixing plate, the weight balance 15 for balancing the weight of the fixing plate, The motor 16 and the shaft 17 for rotating the fixed plate constitute the magnet device 18.

자석에 의한 자기장은 타겟면 주변에 형성되므로, 공정챔버 내에서 발생된 전자들이 타겟면 부근에 밀집되고, 공정챔버에 입사된 아르곤 원자와 충돌하여 다시 타겟과 충돌할 수 있는 하전입자의 수를 증가시킬 수 있게 된다.Since the magnetic field generated by the magnet is formed around the target surface, electrons generated in the process chamber are concentrated near the target surface, and the number of charged particles that collide with the argon atoms incident on the process chamber and collide with the target again increases. You can do it.

일반적으로 마그네트론 스퍼터링 설비에서는 대부분이 고정된 자석의 고정판을 회전시키는 형태를 취하고 있으므로 회전되는 고정판의 속도와 영구자석의 배치가 스퍼터링에 의해 형성되는 막질의 특성과 두께 균일성에 중요한 영향을 미치게 된다.In general, in the magnetron sputtering system, since most of them take the form of rotating the fixed plate of the fixed magnet, the speed of the rotating plate and the arrangement of the permanent magnets have a significant influence on the film quality and the uniformity of the film formed by sputtering.

그런데, 종래의 마그네트론 스퍼터링 설비의 경우, 마그네트 장치의 고정된 사양들에 의해 타겟의 일정한 부분들은 많이 식각되고, 다른 부분들은 잘 식각되지 않아 마치 물결 파동과 같은 형태를 타겟 표면에 나타내게 된다.However, in the case of the conventional magnetron sputtering equipment, certain parts of the target are etched by the fixed specifications of the magnet device, and other parts are not etched well, so that a wave-like shape appears on the target surface.

도2은 종래의 마그네트론 스퍼터링 설비에서 공정이 상당기간 진행된 상태의 타겟의 측단면을 나타내는 개념도이다.2 is a conceptual diagram showing a side cross-section of a target in a state where the process has been performed for a long time in a conventional magnetron sputtering facility.

마그네트론 스퍼터링 설비에서 공정진행에 따라 타겟면(21)이 도2와 같이 불균일하게 파형을 그리면서 식각될 경우, 타겟(20)의 수명이 짧아지고, 다시 스퍼터링 과정에서 웨이퍼 위에 형성되는 막의 균일성이 떨어지는 문제점이 발생한다.When the target surface 21 is etched unevenly as shown in FIG. 2 as the process progresses in the magnetron sputtering equipment, the lifetime of the target 20 is shortened, and the uniformity of the film formed on the wafer during the sputtering process again. Falling problem occurs.

본 발명의 목적은, 마그네트론 스퍼터링 설비에서 타겟의 수명을 연장하고, 스퍼터링 공정에서 웨이퍼에 형성되는 막을 균일한 두께를 가진 양질의 것으로 할 수 있는, 반도체 마그네트론 스퍼터링 설비의 마그네트 장치를 제공하는 데 있다.It is an object of the present invention to provide a magnet device of a semiconductor magnetron sputtering facility, which can extend the life of the target in the magnetron sputtering facility and make the film formed on the wafer in the sputtering process of high quality with uniform thickness.

도3은 보조자석을 이용하는 본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트 장치를 나타내는 평면도이다.Figure 3 is a plan view showing a magnet device according to an embodiment of the present invention using an auxiliary magnet.

도4는 도3의 마그네트 장치를 A-A선에 따라 절단한 경우에 볼 수 있는 측단면도이다.FIG. 4 is a side cross-sectional view seen when the magnet device of FIG. 3 is cut along line A-A. FIG.

도5는 본 발명의 실시예를 채택하여 스퍼터링 공정이 진행된 경우의 타겟전면의 변화를 나타내는 개념도이다.5 is a conceptual diagram illustrating a change in the front surface of the target when the sputtering process is performed by adopting an embodiment of the present invention.

도6은 마그네트 고정판이 회전운동에 더하여 선형운동을 할 수 있도록 구성한 본 발명의 일 실시예에 따른 마그네트 장치의 정면단면도이다.Figure 6 is a front cross-sectional view of the magnet device according to an embodiment of the present invention configured to allow the magnet fixing plate to perform a linear motion in addition to the rotational movement.

도면의 주요부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for main parts of the drawings

10: 공정챔버 11, 20, 50, 66: 타겟10: process chamber 11, 20, 50, 66: target

12: 웨이퍼 스테이지 13, 31, 65: 마그네트 고정판12: wafer stage 13, 31, 65: magnet holding plate

14, 33: 자석 15: 웨이트 밸런스14, 33: magnet 15: weight balance

16, 61: 모터 17: 축16, 61: motor 17: shaft

18: 마그네트 장치 21: 타겟면18: magnet device 21: target surface

32: 보조자석 고정판 34: 보조자석32: auxiliary magnet fixing plate 34: auxiliary magnet

35: 쉴드 51: 식각면35: Shield 51: Etch Surface

62: 회전축 63: 마그네트축62: rotating shaft 63: magnet shaft

64, 67: 기어 68: 지지대(68)64, 67: Gear 68: Support (68)

69: 기어박스 70: 이송축69: gearbox 70: feed shaft

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 하나에 따른 반도체 마그네트론 스퍼터링 설비의 마그네트 장치는, 마그네트 고정판, 상기 마그네트 고정판의 중심에서 일측방으로 그 중심이 편재되어 설치되는 자석 및 상기 마그네트 고정판을 회전시키는 모터를 구비하여 이루어지는 반도체 마그네트론 스퍼터링 설비의 마그네트 장치에 있어서, 상기 마그네트 고정판에 상기 자석의 중심과 다른 위치에 그 중심을 가지는 보조자석이 하나 이상 더 구비되는 것을 특징으로 한다.The magnet device of the semiconductor magnetron sputtering equipment according to one of the present invention for achieving the above object is a magnet fixed plate, a magnet which is installed in one side from the center of the magnet fixed plate is ubiquitous and a motor for rotating the magnet fixed plate In the magnet device of the semiconductor magnetron sputtering equipment provided, characterized in that the magnet fixing plate is further provided with at least one auxiliary magnet having a center at a position different from the center of the magnet.

본 발명에서 마그네트 고정판에서 상기 보조자석은 각각 상기 자석의 반대편에 설치되고, 크기나 자속이 상대적으로 작게 형성되고, 자석의 상호 간섭을 방지하기 위해 자석과 보조자석 사이에 쉴드부재를 설치하는 것이 바람직하다.In the present invention, in the magnet fixing plate, the auxiliary magnets are respectively installed on opposite sides of the magnet, the size or magnetic flux is relatively small, it is preferable to install a shield member between the magnet and the auxiliary magnet to prevent mutual interference of the magnets. Do.

그리고 부가적인 설비의 필요가 없도록 자석과 보조자석은 영구자석으로 이루어지는 것이 일반적이다.In addition, magnets and auxiliary magnets are generally made of permanent magnets so that no additional equipment is required.

또한, 보조자석은 마그네트 고정판의 기준 설치위치에서 주변으로 다소간 위치를 변동시킬 수 있도록 위치조정나사 등 위치조정수단을 구비하는 것이 바람직하다.In addition, the auxiliary magnet is preferably provided with a position adjusting means such as a position adjusting screw so as to change the position somewhat from the reference installation position of the magnet fixing plate to the periphery.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 또하나의 반도체 마그네트론 스퍼터링 설비의 마그네트 장치는, 마그네트 고정판, 상기 마그네트 고정판의 중심에서 일측방으로 그 중심이 편재되어 설치되는 자석 및 상기 마그네트 고정판을 회전시키는 모터를 구비하여 이루어지는 반도체 마그네트론 스퍼터링 설비의 마그네트 장치에 있어서, 상기 마그네트 고정판을 선형이동시킬 수 있는 이송수단이 더 구비되어 이루어지는 것을 특징으로 한다.Another magnet device of the semiconductor magnetron sputtering apparatus according to the present invention for achieving the above object is a magnet fixed plate, a magnet that is installed with its center unevenly installed from the center of the magnet fixed plate to one side and a motor for rotating the magnet fixed plate A magnet device of a semiconductor magnetron sputtering apparatus comprising: a transfer means capable of linearly moving the magnet holding plate;

본 발명에서 마그네트 고정판을 이동시킬 수 있는 이송수단은 상기 모터를 포함하는 수단일 수도 있고, 선형이송만을 위한 별도의 동력전달장치를 사용하는 것일 수도 있다.In the present invention, the transfer means capable of moving the magnet fixing plate may be a means including the motor, or may use a separate power transmission device for linear transfer only.

이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

종래의 마그네트론 고정판(31)에 보조자석 고정판(32)이 부착되고 보조자석 고정판(32)에는 원래의 자석(33)과 중심대칭적으로 보조자석(34)이 설치된다. 원래의 마그네트 장치에 사용되는 자석(33)이 보조자석(34)에 비해 조금 크고, 두 자석의 가운데에는 두 자석의 중심을 잇는 선과 수직으로 길게, 두 자석에서 발생되는 자기장의 상호 간섭을 차폐하는 쉴드(35)가 설치된다.The auxiliary magnet fixing plate 32 is attached to the conventional magnetron fixing plate 31 and the auxiliary magnet fixing plate 32 is provided with an auxiliary magnet 34 symmetrically with the original magnet 33. The magnet 33 used in the original magnet device is slightly larger than the auxiliary magnet 34, and the center of the two magnets is perpendicular to the line connecting the centers of the two magnets to shield the mutual interference of the magnetic fields generated from the two magnets. Shield 35 is installed.

영구자석의 영향으로 물리적 식각이 이루어지는 패턴을 나타내는 선 'B'와 보조자석의 영향으로 물리적 식각이 이루어지는 패턴을 나타내는 선 'C'에서 집중적 식각이 이루어지는 영역이 교차적으로 나타나며, 그 결과 타겟은 전면에 걸쳐 고르게 식각되는 식각면(51)을 나타내고 있다. 그 결과로 타겟(50)의 사용효율은 80%이상 증가될 수 있고, 타겟(50)의 표면 요철에 따른 불균일한 스퍼터링 양상을 개선시킬 수 있다.The area intensively etched on the line 'B' representing the pattern of physical etching under the influence of the permanent magnet and 'C' representing the pattern of physical etching under the influence of the auxiliary magnet appears alternately. The etching surface 51 which is etched evenly over is shown. As a result, the use efficiency of the target 50 can be increased by 80% or more, and the non-uniform sputtering pattern according to the surface irregularities of the target 50 can be improved.

또한 타겟의 충돌효율도 복수개의 보조자석을 더 설치하게 되므로 높아질 수 있다. 한편, 보조자석의 위치를 조절할 수 있으므로 원래의 자석과 보충적으로 가장 높은 사용효율을 가질 수 있도록 공정의 진행에 따라 보조자석의 위치를 옮겨줄 수 있다.In addition, the collision efficiency of the target can be increased because the installation of a plurality of auxiliary magnets. On the other hand, since the position of the auxiliary magnet can be adjusted, the position of the auxiliary magnet can be moved as the process proceeds to have the highest use efficiency in addition to the original magnet.

모터(61)에는 스플라인 형태의 회전축(62)이 연결되고, 회전축(62)에는 수직으로 설치되는 마그네트축(63)에 동력을 전달할 수 있도록 베벨기어쌍의 한 쪽 기어(64)가 설치되며, 이 기어(64)는 회전축(62)의 축방향으로 이동이 가능하다. 마그네트 고정판(65)은 스퍼터링 설비의 타겟(66)과 평행하게 설치되고, 마그네트 고정판(65)과 수직하게 연결되어 고정판을 회전시키는 마그네트축(63)의 단부에는 베벨기어쌍의 나머지 한 쪽 기어(67)가 설치된다. 베벨기어쌍은 일체로 형성되어 선형으로 동작하는 지지대(68)에 의해 지지된다. 지지대(68)의 상부는 회전축(62)과 평행하게 설치되며, 한 끝이 기어박스(69)에 연결되어 모터(61)의 동력을 전달받는 이송축(70)에 연결된다. 기어박스(69)는 여러 기어와 감속기를 이용하여 지지대(68)가 이송축(70)을 따라 일정한 속도로 왕복 직선운동을 할 수 있도록 설치된다. 기어박스(69)의 기어의 회전방향은 이송축에 설치된 리미트 스위치 등을 이용하여 제어될 수 있다.A rotating shaft 62 in the form of a spline is connected to the motor 61, and one gear 64 of the bevel gear pair is installed on the rotating shaft 62 so as to transmit power to the magnet shaft 63 installed vertically. This gear 64 is movable in the axial direction of the rotation shaft 62. The magnet fixing plate 65 is installed in parallel with the target 66 of the sputtering equipment, and is connected to the magnet fixing plate 65 perpendicularly to the end of the magnet shaft 63 to rotate the fixing plate. 67) is installed. The bevel gear pair is integrally formed and supported by a support 68 that operates linearly. The upper portion of the support 68 is installed in parallel with the rotation shaft 62, one end is connected to the gearbox 69 is connected to the feed shaft 70 receives the power of the motor 61. The gear box 69 is installed to allow the support 68 to reciprocate linearly at a constant speed along the feed shaft 70 by using several gears and a reducer. The rotational direction of the gear of the gearbox 69 may be controlled using a limit switch or the like installed on the feed shaft.

따라서, 모터의 회전과 함께 마그네트 고정판이 회전하면서, 지지대에 의해 지지되는 회전축의 기어, 마그네트축의 기어 및 마그네트축에 연결된 마그네트 고정판은 지지대와 함께 이송축을 따라 직선 왕복운동을 하게 된다.Accordingly, as the magnet fixing plate rotates with the rotation of the motor, the gear of the rotating shaft supported by the support, the gear of the magnet shaft and the magnet fixing plate connected to the magnet shaft are linearly reciprocated along the feed shaft together with the support.

이때, 마그네트 고정판의 회전주기와 직선 왕복운동의 주기가 조화되어 전체가 짧은 주기를 이룰 경우, 타겟 전면이 그 주기에 따른 일정 패턴으로 식각될 수 있으므로 회전주기와 직선운동주기의 조화가 이루어지지 않도록 하는 것이 바람직하다.At this time, when the rotation period of the magnet fixing plate and the period of the linear reciprocating motion are harmonized, and the entire period is short, the front surface of the target may be etched in a predetermined pattern according to the period so that the rotation period and the linear motion period are not harmonized. It is desirable to.

그리고, 특히 스퍼터링이 이루어지는 웨이퍼의 좌, 우, 상, 하의 모서리 부분에서 나타나는 비대칭 현상의 개선효과를 얻을 수 있다.In addition, it is possible to obtain an effect of improving the asymmetry phenomenon, which appears in the corner portions of the left, right, top, and bottom of the sputtered wafer.

따라서, 본 발명에 의하면 공통적으로 마그네트론 스퍼터링 설비에서 타겟의 수명을 연장하고, 스퍼터링 공정에서 웨이퍼에 형성되는 막을 균일한 두께를 가진 양질의 것으로 할 수 있다는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, there is an effect that the life of the target can be extended in a magnetron sputtering facility in common, and that the film formed on the wafer in the sputtering process can be of good quality with a uniform thickness.

이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.

Claims

A magnet device of a semiconductor magnetron sputtering apparatus comprising a magnet fixing plate, a magnet installed centrally from one side of a center of the magnet fixing plate, and a motor for rotating the magnet fixing plate, wherein the magnet fixing plate has a center of the magnet. The magnet device of the semiconductor magnetron sputtering equipment, characterized in that at least one auxiliary magnet having its center at a different position from the other.

The magnet device of the semiconductor magnetron sputtering apparatus according to claim 1, wherein the auxiliary magnet is installed on the opposite side of the magnet in the magnet fixing plate.

The magnet device of the semiconductor magnetron sputtering facility according to claim 2, wherein the auxiliary magnet is smaller than the magnet in size or strength of a magnetic field.

The magnet device of the semiconductor magnetron sputtering facility according to claim 2, wherein a shield for shielding magnetic flux is provided between the magnet and the auxiliary magnet.

The magnet device of the semiconductor magnetron sputtering apparatus according to claim 3 or 4, wherein at least one of the magnet and the auxiliary magnet is made of a permanent magnet.

The magnet device of the semiconductor magnetron sputtering facility according to claim 5, further comprising a position adjusting means capable of adjusting a position of the auxiliary magnet in the magnet fixing plate.

The magnet device of the semiconductor magnetron sputtering apparatus according to claim 1, wherein at least one of the magnet and the auxiliary magnet is made of a permanent magnet.

The magnet device of the semiconductor magnetron sputtering facility according to claim 1, further comprising a position adjusting means for adjusting a position of the auxiliary magnet in the magnet fixing plate.

A magnet device of a semiconductor magnetron sputtering device comprising a magnet fixing plate, a magnet installed at one side of the center of the magnet fixing plate, and a motor for rotating the magnet fixing plate, wherein the magnet fixing plate can be linearly moved. Magnet device of a semiconductor magnetron sputtering equipment, characterized in that the transfer means is further provided.

The spline-type rotary shaft is connected to the motor, and one side of the bevel gear pair is installed to be movable in the axial direction of the rotary shaft so as to transmit power to a magnet shaft vertically installed on the rotary shaft. The other end of the bevel gear pair is installed at an end portion of the magnet shaft connected to the magnet fixing plate to rotate the magnet fixing plate, and the bevel gear pair is integrally formed and supported by a linear operating member. The upper part of the support is installed in parallel with the rotating shaft, one end is connected to the gearbox is connected to the feed shaft for receiving the power of the motor, the gearbox is a support gear along the feed shaft by using several gears and reducers For reciprocating linear motion And a magnet device of said semiconductor magnetron sputtering equipment.

The magnet device of the semiconductor magnetron sputtering facility according to claim 10, wherein the rotation direction of the gear of the gearbox is controlled by using a limit switch provided on the feed shaft.