KR19980063125A - Voltage Control Gain Control of Microwave Amplifiers for Satellite Communication - Google Patents
Voltage Control Gain Control of Microwave Amplifiers for Satellite Communication Download PDFInfo
- Publication number
- KR19980063125A KR19980063125A KR1019960082571A KR19960082571A KR19980063125A KR 19980063125 A KR19980063125 A KR 19980063125A KR 1019960082571 A KR1019960082571 A KR 1019960082571A KR 19960082571 A KR19960082571 A KR 19960082571A KR 19980063125 A KR19980063125 A KR 19980063125A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- voltage
- signal
- amplifier
- ultra
- high frequency
- Prior art date
Links
Landscapes
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
본 발명은 운용자가 필요에 따라 증폭기의 이득특성을 임의로 조정할 수 있도록 된 위성통신용 초고주파 증폭기의 전압조정 이득조절기에 관한 것으로, 초고주파대역의 RF수신신호가 입력되는 입력포트와 이 입력포트를 통해 인가되는 신호를 각각 소정 레벨로 순차 증폭하는 제1,제2,제3 증폭부가 구비된 초고주파 증폭기에 있어서, 운용자 조정에 따라 가변 가능한 전압신호를 출력하는 전압조정부와, 이 전압조정부로부터 출력되는 전압신호를 인가받아 그 전압레벨에 대응되는 전류신호를 출력하는 전압/전류 변환기, 이 전압/전류 변환기에서 출력되는 전류신호에 따라 내부의 임피던스값이 변화되면서 상기 제1증폭부에 의해 증폭되어 출력되는 RF신호에 대한 감쇠비를 조절하는 초고주파 가변감쇠기를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a voltage adjusting gain regulator of a microwave communication amplifier for allowing an operator to arbitrarily adjust the gain characteristics of an amplifier according to necessity, and an input port through which an RF reception signal of an ultra high frequency band is input and applied through the input port. An ultra-high frequency amplifier provided with first, second and third amplifiers which sequentially amplify a signal to a predetermined level, respectively, comprising: a voltage adjusting unit for outputting a voltage signal which is variable according to operator adjustment; and a voltage signal output from the voltage adjusting unit. A voltage / current converter that is applied and outputs a current signal corresponding to the voltage level, and an RF signal amplified and output by the first amplifier while the internal impedance value is changed according to the current signal output from the voltage / current converter. Characterized in that it comprises an ultra-high frequency variable attenuator for adjusting the attenuation ratio for the.
Description
본 발명은 위성통신시스템에서 사용되는 초고주파 증폭기에 관한 것으로, 특히 운용자가 필요에 따라 증폭기의 이득특성을 임의로 조정할 수 있도록 된 위성통신용 초고주파 증폭기의 전압조정 이득조절기에 관한 것이다.The present invention relates to a microwave amplifier for use in a satellite communication system, and more particularly to a voltage-adjusting gain regulator of a satellite communication microwave amplifier that allows the operator to arbitrarily adjust the gain characteristics of the amplifier as needed.
초고주파 대역의 무선신호를 송수신하는 통신기기에서는 일반적으로 전력이득이 높고 잡음지수가 낮은 특성을 가진 전계효과 트랜지스터(FET;field effect transistor)를 사용하여 증폭회로를 구성하게 되는 바, 도1은 초고주파대역의 무선신호를 이용하는 위성통신시스템의 증폭회로를 나타낸 것이다.In a communication device that transmits and receives a radio signal in an ultra high frequency band, an amplification circuit is generally configured by using a field effect transistor (FET) having high power gain and low noise figure. The amplification circuit of the satellite communication system using a wireless signal of the.
도1에서 참조부호 Pin은 안테나에 의해 수신된 초고주파대역의 RF수신신호가 입력되는 입력포트이고, 참조번호 2,5,8은 각각 전계효과 트랜지스터(이하, FET라 칭함)로서 구성한 제1,제2,제3 증폭기, 참조번호 1,3,4,6,7,9는 각각 상기 제1,제2,제3 증폭기(2,5,8)의 입출력 임피던스 매칭을 위하여 구성된 임피던스 매칭회로이다.In Fig. 1, reference numeral P in denotes an input port through which an RF reception signal of an ultra-high frequency band received by an antenna is input, and reference numerals 2, 5, and 8 denote first, second, and third transistors, respectively, configured as field effect transistors (hereinafter referred to as FETs). The second and third amplifiers, reference numerals 1, 3, 4, 6, 7, and 9 are impedance matching circuits configured for input / output impedance matching of the first, second, and third amplifiers 2, 5, and 8, respectively. .
또한, 참조부호 C1∼C4는 상기 제1,제2,제3 증폭기(2,5,8)의 입출력단에 각각 설치되어 RF수신신호에 포함되어 있는 DC성분을 차단하는 커플링 캐패시터이고, 참조부호 Pout는 상기 제1,제2,제3 증폭기(2,5,8)에 의해 증폭된 수신신호를 출력하는 출력포트이다.In addition, reference numerals C1 to C4 are coupling capacitors provided at the input / output terminals of the first, second, and third amplifiers 2, 5, and 8 respectively to block DC components included in the RF reception signal. P out denotes an output port for outputting a received signal amplified by the first, second and third amplifiers 2, 5 and 8.
즉, 상기한 구성으로 된 종래의 증폭회로는 각각 10dB 증폭이득을 갖는 제1,제2 증폭기(2,5)를 3단으로 접속하여 상기 입력포트(Pin)를 통해 인가되는 12.25∼12.75 GHz 대역의 RF수신신호에 대해 30dB 전력증폭을 얻도록 되어 있다.That is, the conventional amplifier circuit in the above-described configuration, 12.25~12.75 GHz is applied via the input port (P in) to connect the first and the second amplifier (2,5) having an amplification gain 10dB respectively in three A 30dB power amplification is achieved for the RF received signal in the band.
한편, 위성통신용 초고주파 증폭기는 시스템 환경이 변화됨에 따라 증폭기의 이득을 조정하여야 할 상황이 발생되기도 하는 바, 종래의 증폭기는 최초 시스템 설계시에 결정되는 이득으로서 고정되게 되므로 상기한 바와 같은 이득조정의 사유가 발생된 상황에 대해서 능동적으로 대처할 수 없다는 문제가 있었다.On the other hand, in the case of the satellite communication ultra-high frequency amplifier, there is a situation where the gain of the amplifier needs to be adjusted as the system environment changes, and the conventional amplifier is fixed as a gain determined at the time of initial system design. There was a problem that can not proactively deal with the situation that caused the reason.
본 발명은 상기한 사정을 감안하여 창출된 것으로서, 운용자가 필요에 따라 증폭기의 이득특성을 임의로 조정할 수 있도록 된 위성통신용 초고주파 증폭기의 전압조정 이득조절기를 제공함에 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a voltage adjusting gain regulator of an ultrahigh frequency amplifier for satellite communication, in which an operator can arbitrarily adjust the gain characteristics of an amplifier as necessary.
도1은 종래 위성통신시스템의 RF수신단 증폭회로를 개략적으로 나타낸 회로구성도.1 is a circuit diagram schematically showing an RF receiver amplifier circuit of a conventional satellite communication system.
도2는 본 발명의 1실시예에 따른 위성통신용 초고주파 증폭기의 전압조정 이득조절기 내부구성을 나타낸 회로구성도.Figure 2 is a circuit diagram showing the internal configuration of the voltage adjusting gain regulator of the ultra-high frequency amplifier for satellite communication according to an embodiment of the present invention.
******** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *************** Explanation of symbols for the main parts of the drawing *******
1,3,4,6,7,9 : 임피던스 매칭회로 2 : 제1증폭기1,3,4,6,7,9: Impedance matching circuit 2: First amplifier
5 : 제2증폭기 8 : 제3증폭기5: 2nd amplifier 8: 3rd amplifier
10 : 전압조정부 11 : 전압/전류 변환기10: voltage adjusting unit 11: voltage / current converter
Pin: 입력포트 Pout: 출력포트P in : Input port P out : Output port
C1∼C4 : 커플링 캐패시터 D2 : 핀 다이오드C1 to C4: coupling capacitor D2: pin diode
Q1,Q2,Q3 : 전계효과 트랜지스터(FET; field effect transistor)Q1, Q2, Q3: field effect transistor (FET)
I1,I2 : 아이솔레이터(isolator).I1, I2: isolator.
상기 목적을 실현하기 위한 본 발명에 따른 위성통신용 초고주파 증폭기의 전압조정 이득조절기는 초고주파대역의 RF수신신호가 입력되는 입력포트와 이 입력포트를 통해 인가되는 신호를 각각 소정 레벨로 순차 증폭하는 제1,제2,제3 증폭부가 구비된 초고주파 증폭기에 있어서, 운용자 조정에 따라 가변 가능한 전압신호를 출력하는 전압조정부와, 이 전압조정부로부터 출력되는 전압신호를 인가받아 그 전압레벨에 대응되는 전류신호를 출력하는 전압/전류 변환기, 이 전압/전류 변환기에서 출력되는 전류신호에 따라 내부의 임피던스값이 변화되면서 상기 제1증폭부에 의해 증폭되어 출력되는 RF신호에 대한 감쇠비를 조절하는 초고주파 가변감쇠기를 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.According to an embodiment of the present invention, a voltage adjusting gain regulator of a microwave communication amplifier according to the present invention is configured to sequentially amplify an input port to which an RF reception signal of an ultra high frequency band is input and a signal applied through the input port to a predetermined level, respectively. In the ultra-high frequency amplifier provided with the second and third amplification unit, a voltage adjusting unit for outputting a voltage signal which is variable according to operator adjustment, and a voltage signal output from the voltage adjusting unit is applied to receive a current signal corresponding to the voltage level. An output voltage / current converter, and an ultra-high frequency variable attenuator for controlling the attenuation ratio for the RF signal amplified by the first amplifier while the internal impedance value is changed according to the current signal output from the voltage / current converter. Characterized in that configured.
즉, 상기한 구성으로 된 본 발명에 의하면 운용자는 시스템 환경이 변화됨에 따라 증폭기의 이득특성을 가변하여야 할 필요가 있을 때, 볼륨조정을 통해 증폭이득을 능동적으로 가변설정할 수 있게 되는 바, 시스템 환경이 변화될 때마다 그에 맞춰 증폭기를 새롭게 구현해야 하는 낭비요인을 없앨 수 있게 된다.That is, according to the present invention having the above-described configuration, when the operator needs to vary the gain characteristics of the amplifier as the system environment changes, the operator can actively set the amplification gain by adjusting the volume. Each time this changes, the waste of having to reimplement the amplifier accordingly can be eliminated.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment according to the present invention.
도2는 본 발명의 1실시예에 따른 위성통신용 초고주파 증폭기의 전압조정 이득조절기 내부구성을 나타낸 회로구성도로, 도2에서 참조부호 Pin은 안테나에 의해 수신된 초고주파대역의 RF수신신호가 입력되는 입력포트이고, 참조번호 2,5,8은 각각 전계효과 트랜지스터(이하, FET라 칭함)로서 구성한 제1,제2,제3 증폭기, 참조번호 1,3,4,6,7,9는 각각 상기 제1,제2,제3 증폭기(2,5,8)의 입출력 임피던스 매칭을 위하여 구성된 임피던스 매칭회로이다.FIG. 2 is a circuit diagram illustrating an internal configuration of a voltage adjust gain regulator of a satellite communication microwave amplifier according to an embodiment of the present invention. In FIG. 2, reference numeral P in denotes an RF signal received by an antenna. Input ports 2, 5, and 8 denote first, second, and third amplifiers configured as field effect transistors (hereinafter referred to as FETs), and reference numerals 1, 3, 4, 6, 7, and 9 respectively. An impedance matching circuit configured for input / output impedance matching of the first, second, and third amplifiers (2, 5, 8).
또한, 참조부호 C1∼C4는 상기 제1,제2,제3 증폭기(2,5,8)의 입출력단에 각각 설치되어 RF수신신호에 포함되어 있는 DC성분을 차단하는 커플링 캐패시터이고, 참조부호 Pout는 상기 제1,제2,제3 증폭기(2,5,8)에 의해 증폭된 수신신호를 출력하는 출력포트이다.In addition, reference numerals C1 to C4 are coupling capacitors provided at the input / output terminals of the first, second, and third amplifiers 2, 5, and 8 respectively to block DC components included in the RF reception signal. P out denotes an output port for outputting a received signal amplified by the first, second and third amplifiers 2, 5 and 8.
한편, 참조번호 10은 운용자 조정에 따라 가변 가능한 전압신호를 출력하는 전압조정부이고, 참조번호 11은 이 전압조정부(10)로부터 출력되는 전압신호를 인가받아 그 전압레벨에 대응되는 전류신호를 출력하는 전압/전류 변환기이며, 참조부호 D2는 이 전압/전류 변환기(11)에서 출력되는 전류신호에 따라 내부의 임피던스값이 변화되면서 상기 제1증폭기(2)에 의해 증폭되어 출력되는 RF신호에 대한 감쇠비를 조절하는 초고주파 가변감쇠기로서의 핀 다이오드, I1,I2는 각각 이 핀 다이오드(D2) 접속에 따른 임피던스 매칭을 위한 드롭-인 타입(drop in type)의 아이솔레이터(isolator)이다.On the other hand, reference numeral 10 is a voltage adjusting unit for outputting a voltage signal variable according to the operator adjustment, and reference numeral 11 receives a voltage signal output from the voltage adjusting unit 10 and outputs a current signal corresponding to the voltage level. A voltage / current converter, and reference numeral D2 denotes an attenuation ratio for the RF signal amplified and output by the first amplifier 2 while the internal impedance value is changed according to the current signal output from the voltage / current converter 11. The pin diodes, I1 and I2, as the ultra-high frequency variable attenuators for controlling the voltage difference, are respectively drop-in type isolators for impedance matching according to the connection of the pin diode D2.
이어, 상기한 구성으로 된 장치의 동작을 설명한다.Next, the operation of the device having the above configuration will be described.
상기 입력포트(Pin)를 통해 인가된 RF신호는 각각 10dB 이득을 갖는 제1,제2,제3 증폭기(2,5,8)에 의해 다단증폭된 후, 출력포트(Pout)를 통해 출력되게 된다.The RF signal applied through the input port (P in ) is multi-amplified by the first, second, third amplifier (2, 5, 8) having a gain of 10dB, respectively, and then through the output port (P out ) Will be output.
한편, 상기 전압조정부(10)는 예컨대 운용자의 볼륨저항 조정에 따라 출력되는 전압값이 가변적으로 설정되도록 된 것인 바, 운용자는 시스템 환경변화에 맞게 저항값을 조정함으로써 전압조정부(10)의 출력전압을 가변설정하게 된다.On the other hand, the voltage adjusting unit 10 is to be set to a variable voltage value, for example, according to the operator's volume resistance adjustment, the operator outputs the voltage adjusting unit 10 by adjusting the resistance value in accordance with changes in the system environment The voltage is set variable.
상기 전압조정부(10)에서 출력된 전압신호는 상기 전압/전류 변환기(11)에 의해 전위레벨에 상응하는 전류신호로서 변환되어 출력되게 된다.The voltage signal output from the voltage adjusting unit 10 is converted into a current signal corresponding to the potential level by the voltage / current converter 11 and output.
상기 전압/전류 변환기(11)에서 출력되는 전류신호는 제1증폭기(2)의 출력단과 접지사이에 설치된 핀 다이오드(D2)의 애노드단으로 인가되게 된다.The current signal output from the voltage / current converter 11 is applied to the anode terminal of the pin diode D2 provided between the output terminal of the first amplifier 2 and the ground.
한편, 상기 핀 다이오드(D2)는 전류변화에 따라 내부의 임피던스값이 변화되는 특성을 지니고 있어서, 상기 전압/전류 변환기(11)로부터 인가되는 전류값에 따라 제1증폭기(2)의 출력신호에 대해 가변적인 감쇠를 실행하는 가변감쇠기로서 동작하게 된다.On the other hand, the pin diode (D2) has a characteristic that the internal impedance value is changed in accordance with the current change, and according to the current value applied from the voltage / current converter 11 to the output signal of the first amplifier (2) It acts as a variable attenuator that performs variable attenuation for the circuit.
결국, 상기 핀 다이오드(D2)는 전압조정부(10)로부터 출력되는 전압신호에 따라 내부의 감쇠비를 조정하게 되는 바, 결과적으로 운용자 설정에 따라 RF수신신호의 전력레벨 변동폭을 보정하게 된다.As a result, the pin diode D2 adjusts the internal attenuation ratio according to the voltage signal output from the voltage adjusting unit 10. As a result, the pin diode D2 corrects the fluctuation range of the power level of the RF reception signal according to the operator setting.
즉, 상기 실시예에 의하면 운용자 설정에 따라 증폭기의 이득특성을 임의로 조정할 수 있도록 된 위성통신용 초고주파 증폭기의 전압조정 이득조절기를 실현할 수 있게 된다.That is, according to the above embodiment, it is possible to realize the voltage adjusting gain regulator of the microwave communication microwave amplifier, which is capable of arbitrarily adjusting the gain characteristics of the amplifier according to the operator setting.
한편, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 변형실시할 수 있다.Meanwhile, the present invention is not limited to the above embodiments and can be variously modified within the scope not departing from the technical gist of the present invention.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 운용자는 시스템 환경이 변화됨에 따라 증폭기의 이득특성을 가변하여야 할 필요가 있을 때, 볼륨조정을 통해 증폭이득을 능동적으로 가변설정할 수 있게 되는 바, 시스템 환경이 변화될 때마다 그에 맞춰 증폭기를 새롭게 구현해야 하는 낭비요인을 없앨 수 있게 된다.As described above, according to the present invention, when the operator needs to vary the gain characteristic of the amplifier as the system environment changes, the operator can actively set the amplification gain by adjusting the volume. Each time, the waste of having to reimplement the amplifier accordingly can be eliminated.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960082571A KR19980063125A (en) | 1996-12-31 | 1996-12-31 | Voltage Control Gain Control of Microwave Amplifiers for Satellite Communication |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960082571A KR19980063125A (en) | 1996-12-31 | 1996-12-31 | Voltage Control Gain Control of Microwave Amplifiers for Satellite Communication |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980063125A true KR19980063125A (en) | 1998-10-07 |
Family
ID=66427635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960082571A KR19980063125A (en) | 1996-12-31 | 1996-12-31 | Voltage Control Gain Control of Microwave Amplifiers for Satellite Communication |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19980063125A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9966652B2 (en) | 2015-11-03 | 2018-05-08 | Amkor Technology, Inc. | Packaged electronic device having integrated antenna and locking structure |
-
1996
- 1996-12-31 KR KR1019960082571A patent/KR19980063125A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9966652B2 (en) | 2015-11-03 | 2018-05-08 | Amkor Technology, Inc. | Packaged electronic device having integrated antenna and locking structure |
| US10566680B2 (en) | 2015-11-03 | 2020-02-18 | Amkor Technology, Inc. | Packaged electronic device having integrated antenna and locking structure |
| US10923800B2 (en) | 2015-11-03 | 2021-02-16 | Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. | Packaged electronic device having integrated antenna and locking structure |
| US11677135B2 (en) | 2015-11-03 | 2023-06-13 | Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. | Packaged electronic device having integrated antenna and locking structure |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8149049B2 (en) | Low noise receiving apparatus | |
| US6967528B2 (en) | Variable gain amplifier | |
| US7039377B2 (en) | Switchable gain amplifier | |
| US6215355B1 (en) | Constant impedance for switchable amplifier with power control | |
| US7113033B2 (en) | Variable impedance load for a variable gain radio frequency amplifier | |
| US6201441B1 (en) | Semiconductor circuit | |
| US20040113698A1 (en) | Signal amplifier using a doherty amplifier | |
| KR102320461B1 (en) | Transceiver circuit | |
| US8301091B2 (en) | Power detector for multi-band network access | |
| CN111510089B (en) | Low-noise amplifying module with bypass function and control method | |
| US6630861B2 (en) | Variable gain amplifier | |
| CN113169717A (en) | Load line switching for push-pull power amplifiers | |
| US10236848B2 (en) | Power amplifier module | |
| US20070018727A1 (en) | Variable gain amplifier and wireless communication apparatus including the same | |
| US7443243B2 (en) | High frequency amplifier having an attenuator | |
| JP2019197968A (en) | Variable gain amplifier | |
| KR19980063125A (en) | Voltage Control Gain Control of Microwave Amplifiers for Satellite Communication | |
| EP1109311B1 (en) | Gain control for an amplifier | |
| US5805986A (en) | High-frequency step attenuator suitable for transmission circuit | |
| US20110177789A1 (en) | Low noise amplifier and the uses thereof | |
| US20020140510A1 (en) | Amplifier device with gain switching, for a cellular mobile telephone in particular | |
| KR19980059146A (en) | Automatic Gain Control of Microwave Amplifiers for Satellite Communication | |
| KR19980063123A (en) | Temperature Compensation Automatic Gain Controller of Microwave Amplifier for Satellite Communication | |
| US20020171492A1 (en) | Variable gain low-noise amplifier and method | |
| KR100193265B1 (en) | Variable Gain Amplifier Using Varactor Diodes |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |