KR19980046549A - 자기 디스크용 결정화유리와 그의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 자기 디스크용 결정화유리와 그의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 Li2O-SiO2, SiO2-Al2O3-MgO, Li2O-Al2O3-SiO2 또는 BaO-Al2O3-2SiO2계 등의 결정화 유리조성에 대해 용융시 용제로서 연화점이 450 ℃ 이하인 저융점 유리분말을 혼합사용함으로써, 상기 유리 조성계 자체의 용융온도 보다 낮은 온도에서 용융할 수 있으며 또한 용융된 유리는 위의 조성계 자체의 결정화 온도보다 결정화온도가 낮고 결정화시간이 짧으며 결정크기가 0.2 ∼ 1 ㎛ 범위내에 있기 때문에 표면 연마시 연마가공성이 우수하여 연마 후의 표면특성이 하드디스크 드라이브용 자기디스크 기판으로서 사용하기에 적합하도록 개선된 결정화유리와 그의 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 자기 디스크용 결정화유리와 그의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 Li2O-SiO2, SiO2-Al2O3-MgO, Li2O-Al2O3-SiO2 또는 BaO-Al2O3-2SiO2계 등의 결정화 유리조성에 대해 용융시 용제로서 연화점이 450 ℃ 이하인 저융점 유리분말을 혼합사용함으로써, 상기 유리 조성계 자체의 용융온도 보다 낮은 온도에서 용융할 수 있으며 또한 용융된 유리는 위의 조성계 자체의 결정화 온도보다 결정화온도가 낮고 결정화시간이 짧으며 결정크기가 0.2 ∼ 1 ㎛ 범위내에 있기 때문에 표면 연마시 연마가공성이 우수하여 연마 후의 표면특성이 하드디스크 드라이브용 자기디스크 기판으로서 사용하기에 적합하도록 개선된 결정화유리와 그의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 결정화유리의 제조방법은 용융상태의 유리를 급냉하여 얻어진 유리성형체를 재가열하여 핵생성을 통해 결정화시키는 결정화유리는 오래전부터 행해저온 제조방법으로서 근래에 와서는 이들 결정화유리를 하드디스크의 기판으로서 사용하기 위한 연구가 진행되고 있다.
일반적으로 자기 디스크용 재료로서 요구되는 특성으로는 자기 디스크의 시동/정지 특성인 CSS(CONTACT START STOP)에 대해 디스크의 표면조도가 15 Å ∼ 50 Å 범위에 있는 것이 요구되고 있다. 이는 표면조도가 15 Å 이하가 되면 디스크의 고속회전시 일어나는 접착저항의 증대로 디스크의 흡착이 발생되고 50 Å을 초과하면 헤드가 손상을 입기 때문에 사용이 곤란해지는 문제가 있기 때문이다. 이러한 시동/정지 특성에 미치는 표면조도는 주로 기판내에 존재하는 결정크기에 따라 좌우되기 때문에 유리조성 및 결정화온도를 제어하는 것이 중요하다.
또한, 결정화유리는 표면에 결점은 물론 조직이 치밀하고 균질하여야 하며 고속회전시 헤드의 접촉에 충분한 기계적강도 및 경도를 가져야 하고, 결정화유리 재료성분 중에는 나트륨 성분이 없도록 하여 성막공정 중에 나트륨이온이 확산해서 막의 특성이 나쁘게 되는 것을 방지하여야 한다. 또한 여러 가지 약품에 의한 세정이나 에칭(Etching)에 대해 내성을 얻을 수 있도록 화학적 내구성을 갖는 것이 요구되고 있다.
현재 사용되고 있는 하드디스크 기판재료로는 알루미늄합금, 화학강화유리 및 결정화유리등이 사용되고 있다. 알루미늄합금 기판은 성분으로 사용되는 여러 가지 재료자체가 갖는 결점의 영향 때문에 연마공정에 의한 기판표면의 돌기 또는 스팟(Spot)상의 요철이 생성되어 표면평활성 및 표면조도 등의 특성측면에서는 충분하지 않아 고밀도의 기록화에 대응할 수 없는 문제점이 있다. 화학강화 유리의 경우, 연마과정이 화학강화 후에 행하여져 디스크의 박막화에 따른 강화층의 불안정 요소가 많고 저비용을 통한 양산화에 곤란한 점이 있다.
일본특허공개 소 63-210039, 평 6-329440 및 평 8-111024에서는 SiO2-Li2O 계의 조성을 가진 결정화유리에 대해 개시하고 있는 바, 이들의 최종 생성물의 결정상은 α-쿼츠(Quartz)와 리튬실리케이트 결정이 생성되었음이 공지되어 있다. 미국특허 제3,231,456호와 제3,977,857호에서 사용된 결정화유리는 SiO2-Al2O3-MgO, Li2O-Al2O3-SiO2, SiO2-Li2O계의 조성으로 이루어진 결정화유리로서 이들의 결정상은 코디어라이트(Cordierite), 베타-유크립타이트(β-eucryptite), β-스포듀멘(Spodumene), 메타규산리튬 등의 결정이 석출되는 것으로 알려져 있다.
그러나, 이러한 조성의 결정화유리는 용융온도를 1500 ℃에서 장시간 유지하여야 하며, 고온의 결정화온도가 필요하고 결정화시간이 많이 소요되게 되어 생산효율이 떨어지는 문제가 있다. 그리고, 결정크기와 모양도 조절하기 어려워서 대체로 1 ㎛ 이하 크기의 미세한 결정을 균질하게 석출시키기 어려우며, 또한 결정화유리 제조 후 연마시 결정화유리의 표면강도가 크기 때문에 연마비용 등 제조비용이 많이드는 문제점이 있었다.
본 발명에서는 상기와 같은 종래의 자기 디스크용 결정화 유리의 문제점을 개선하기 위하여 연구 노력한 결과, 이미 오래전부터 알려져온 결정화유리인 Li2O-SiO2, SiO2-Al2O3-MgO, Li2O-Al2O3-SiO2계 등에 대하여 용융시 용제로서 연화온도가 450 ℃ 미만인 저융점 유리 분말을 혼합사용함으로써 1450 ℃에서 단시간에 용융시킬 수 있을 뿐만 아니라 결정화온도와 결정화시간의 단축 및 결정화유리의 연마시 연마가 용이한 자기 디스크용 결정화 유리를 제조할 수 있게 되었다. 또한, 이렇게 하여 제조한 결정화 유리의 결정상은 베타-유크립타이트(β-Eucry ptite), 알파-코디어라이트(α-Cordierite), 이규산리튬(Lituium disilicate), 셀시안(Celsian, BaO-Al2O3-2SiO2), 간나이트(Gahnite)로 이루어지고, 이들 0.1∼1 ㎛ 이하의 미세한 결정으로 이루어진 글래스 하드 디스크 기판은 우수한 시동/정지(CSS) 특성 및 연마 후의 표면조도를 원하는 범위내로 조절할 수 있기 때문에 생산성이 우수한 자기 디스크용 기판을 개발할 수 있게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 하드 디스크용 결정화유리 기판 제조에 있어서, 저융점 유리분말을 혼합사용 용융함으로써 유리제조시 저온에서 용융할 수 있고 결정화온도와 결정화시간 단축 및 결정화유리의 연마시 연마가 용이하여 연마 후의 표면특성이 하드 디스크 드라이브용 자기 디스크 기판으로서 사용하기에 적합하도록 개선된 결정화유리와 그의 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명은 자기디스크용 결정화유리에 있어서, Li2O-SiO2계, 베타-유크립타이트(β-Eucryptite)계, 알파-코디어라이트(α-Cordierite)계 및 셀시안(Celsian, BaO- Al2O3-2SiO2)계 중에서 선택된 하나이상의 성분으로 이루어진 결정화유리 조성 배치(Batch) 100 중량부에 대하여 저융점 유리분말 5 ∼ 25 중량부가 혼합되어 있는 것을 그 특징으로 하고 있다.
본 발명의 또 다른 특징은 결정화유리의 제조방법에 있어서, 결정화 유리인 Li2O-SiO2계, Li2O-Al2O3-SiO2계, MgO-Al2O3-SiO2계 및 BaO-Al2O3-SiO2계중에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 성분으로 이루어진 조성물 배치(Batch)에 대하여 저융점 유리분말 5 ∼ 25 중량부를 변화시켜 가면서 용융시킨 후 각각의 조성 배치(Batch)의 용융유리를 650∼800 ℃의 온도에서 1 ∼ 2 시간동안 결정화시키는 것을 그 특징으로 한다.
이와같은 본 발명을 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같다.
본 발명은 저융점 유리분말을 사용하여 종래의 결정화유리 조성계의 용융온도, 결정화온도, 결정화시간 및 연마가공성을 향상시켜 하드 디스크의 자기디스크용으로 적합한 결정화유리와 그를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에서 사용된 결정화유리 제조를 위해 사용한 상기 각각의 계의 조성범위를 살펴보면 다음과 같은 바, Li2O-SiO2계에서는 Li2O 5 ∼ 15 중량%, SiO2 60 ∼ 78 중량%, Al2O3 1 ∼ 5 중량%, ZnO 1 ∼ 3 중량%, K2O 1 ∼ 5 중량%, MgO 5 중량%이하, P2O5 2 중량%이하의 범위에 있는 조성의 것을 사용하였으며, Li2O-Al2O3-SiO2계에서는 Li2O 8 ∼ 12 중량%, Al2O3 8 ∼ 15 중량%, SiO2 50 ∼ 65 중량%, K2O 3 ∼ 8 중량%, ZnO 5 ∼ 12 중량%의 범위에 있는 조성의 것을 사용하고 MgO-Al2O3-SiO2계에서는 MgO 15 ∼ 30 중량%, Al2O3 15 ∼ 25 중량%, SiO2 20 ∼ 35 중량%, ZnO 1 ∼ 15 중량%, TiO2 3 ∼ 8 중량%, BaO 6 중량%이하, SrCO3 11 중량% 이하의 조성범위를 갖는 것을 결정화유리의 조성으로 사용할 수 있다. 또한 알칼리가 함유되지 않은 셀시안(Celsian) 유리조성으로는 SiO2 45 ∼ 65 중량%, Al2O3 10 ∼ 25 중량%, BaO 10 ∼ 25 중량%, ZnO 10 ∼ 20 중량%, CaO 5 중량% 이하, B2O3 8 중량%이하, MgO 7 중량% 이하의 조성범위를 갖는 것을 사용할 수 있다. 상기의 결정화 유리의 조성범위는 일반적인 결정화 유리의 조성으로서 본 발명에서는 이들 조성의 함량범위를 사용하였다.
각각의 조성을 갖는 배치의 용융온도와 결정화온도를 낮추기 위하여 사용된 저융점 유리분말의 조성은 PbO 80∼87 중량%, B2O3 10∼15 중량%, SiO2 0.1∼2.0 중량%, Al2O3 0.1∼1.0 중량%, ZnO 2∼4 중량%의 조성(A)을 갖는 저융점유리와 PbO 70∼80 중량%, SiO2 1.0∼3.0 중량%, B2O3 5.0∼8.0 중량%, ZnO 10.0∼15.0 중량%, BaO 3.0∼5.0 중량%, PbF2 0.1∼2.0 중량%의 조성(B)을 가지는 저융점 유리분말을 사용하였다. 이들 저융점 유리분말의 제조방법은 각각의 배치를 백금도가니에 넣고 A, B 조성 모두 1000 ℃의 온도로 각각 1시간씩 용융하여 리본상으로 만든 후 알루미나 볼밀을 사용하여 분쇄하고 이를 150 메쉬로 체가름하여 사용하였다. 이렇게 하여 제조한 각각의 저융점 유리분말의 연화점을 측정한 결과 A 조성은 350 ℃였고, B 조성의 연화점은 380 ℃였다. 여기서 제조된 B 유리는 결정성 저융점 유리였다. 이렇게 하여 제조한 저융점 유리분말을 상기의 조성범위를 갖는 결정화유리 조성에 대하여 각각 5 ∼ 25 중량부 범위안에서 사용할 수 있다.
결정화유리 조성에 융제로서 사용되는 저융점 유리분말의 경우 5 중량부 미만이면 결정화유리 조성의 용융온도, 결정화온도 및 시간을 낮추는데 효과가 없고 25 중량부를 초과하면 결정화도가 떨어지며, 용융시 유리의 밀도 차이에 의한 유리내부에 코드(Code)가 발생하기 쉽고 또한 결정화 유리의 내후성이 떨어지며 유리의 강도가 저하된다.
이와같은 본 발명을 다음의 실시예에 의거하여 더욱 상세히 설명하겠는 바, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
SiO2 74.5 중량%, Li2O 11.0 중량%, Al2O3 4.0 중량%, ZnO 3.0 중량%, K2O 3.0 중량%, MgO 3.0 중량%, P2O5 1.5 중량%의 결정화 유리조성을 갖는 배치 190 GR에 대해 PbO 84 중량%, B2O3 12 중량%, SiO2 1 중량%, Al2O3 0.5 중량%, ZnO 2.5 중량%의 배치조성 200 GR을 백금도가니에 넣고 전기로(모델명; 51442, 린드베르그(LINDBERG)사제)에서 1000 ℃에서 1시간 용융시킨 후(Melting) 리본 컬릿상으로 만들어 이를 2LT 알루미나 볼밀에 넣고 60 rpm으로 1시간 밀링(Milling)한 후 150 메쉬로 체가름하여 만든 저융점 유리분말(이하, 저융점 유리분말 조성 A로 칭한다) 10 GR을 혼합한 후 백도가니에 넣고 10 ℃/분의 승온속도로 1450 ℃까지 승온한 후 1450 ℃에서 2시간 유지하고 바로 꺼내어 ¢150 mm 카본틀에 붓고 이를 다시 450 ℃로 예열시킨 서냉로에 넣어 서냉시켰다.
서냉된 유리를 2 ℃/분으로 480 ℃까지 승온시킨 후 480 ℃에서 1시간동안 핵생성을 시키고 다시 2 ℃/분으로 650 ℃까지 승온시켜 650 ℃에서 2시간 유지하여 하드 디스크용 결정화 유리를 제조하였다. 이렇게하여 제조한 결정한 유리는 저융점유리를 사용하지 않을때보다 결정화온도가 100 ℃정도 낮았으며, X선회절분석결과 결정상은 알파-쿼츠(α-quartz)상과 알파-이규산리튬(α-lithium disilicate)이 혼재된 상태로 분석되었다.
실시예 2
SiO2 74.5 중량%, Li2O 11.0 중량%, Al2O3 4.0 중량%, ZnO 3.0 중량%, K2O 3.0 중량%, MgO 3.0 중량%, P2O5 1.5 중량%의 결정화 유리조성을 갖는 배치 190 GR에 PbO 75.0 중량%, SiO2 1.0 중량%, B2O3 6.0 중량%, ZnO 12.0 중량%, BaO 4.0 중량%, PbF2 1.0 중량%의 배치조성 200 GR을 백금도가니에 넣고 전기로에서 1000 ℃에서 1시간 용융(Melting)시킨 후 리본 컬릿(Ribbon cullet)상으로 만들어 이를 2 LT 알루미나 볼밀에 넣고 60 rpm으로 1시간 밀링(Milling)한 후 150 메쉬로 체가름하여 만든 저융점 유리분말(이하, 저융점 유리분말 조성 B로 칭한다) 10 GR을 혼합한 후 백도가니에 넣고 10 ℃/분의 승온속도로 1450 ℃까지 승온한 후 1450 ℃에서 2시간 유지하고 바로 꺼내어 ¢150 mm 카본틀에 붓고 이를 다시 450 ℃로 예열시킨 서냉로에 넣어 서냉시킨다.
서냉된 유리를 2 ℃/분으로 500 ℃까지 승온시킨 후 500 ℃에서 1시간동안 핵생성을 시키고 다시 2 ℃/분으로 670 ℃까지 승온시켜 670 ℃에서 2시간 유지하여 하드 디스크용 결정화유리를 제조하였다. 이렇게 하여 제조한 결정화유리는 저융점유리를 사용하지 않았을 때보다 결정화온도가 80 ℃ 정도 낮았으며, X선회절 분석결과 결정상은 알파-쿼츠(α-quartz)상과 알파-이규산리튬(α-lithium disilicate)상이 혼합된 상태로 분석되었다.
실시예 3
SiO2 56.0 중량%, Al2O3 12.0 중량%, Li2O 11.0 중량%, K2CO3 9.0 중량%, ZnO 12.0 중량%의 결정화 유리조성을 갖는 배치 180 GR에 저융점 유리분말 조성 A를 20 GR을 혼합하여 백금도가니에 넣고 10 ℃/분의 승온속도로 1450 ℃까지 승온한 후 1450 ℃에서 2시간 유지하고 바로 꺼내어 ¢150 mm 카본틀에 붓고 이를 다시 450 ℃로 예열시킨 서냉로에 넣어 서냉시킨다.
서냉된 유리를 2 ℃/분으로 550 ℃까지 승온시킨 후 550 ℃에서 1시간동안 핵생성을 시키고 다시 2 ℃/분으로 720 ℃까지 승온시켜 720 ℃에서 2시간 유지하여 하드 디스크용 결정화유리를 제조하였다. 이렇게 하여 제조한 결정화유리는 저융점유리를 사용하지 않았을 때보다 결정화온도가 80 ℃ 정도 낮았으며, X선회절 분석결과 결정상은 베타-유그립타이트(β-Eucryptite)상과 간나이트(Gahnit)상이 혼재된 상태로 분석되었다.
실시예 4
SiO2 56.0 중량%, Al2O3 23.0 중량%, MgO 12.0 중량%, B2O3 5.0 중량%, ZnO 4.0 중량%의 결정화유리 조성을 갖는 배치 170 GR에 저융점 유리분말 조성 B를 30 GR을 혼합하여 백금도가니에 넣고 10 ℃/분의 승온속도로 1450 ℃까지 승온한 후 1450 ℃에서 2시간 유지하고 바로 꺼내어 ¢150 mm 카본틀에 붓고 이를 다시 450 ℃로 예열시킨 서냉로에 넣어 서냉시킨다.
서냉된 유리를 2 ℃/분으로 550 ℃까지 승온시킨 후 550 ℃에서 1시간동안 핵생성을 시키고 다시 2 ℃/분으로 780 ℃까지 승온시켜 780 ℃에서 2시간 유지하여 하드 디스크용 결정화유리를 제조하였다. 이렇게 하여 제조한 결정화유리는X선회절 분석결과 주결정상은 알파-쿼츠(α-quartz)상과 ZnAlO3상 이었다.
실시예 5
알칼리가 함유되지 않은 조성으로는 SiO2 49.5 중량%, Al2O3 18.0 중량%, MgO 5.0 중량%, B2O3 2.0 중량%, ZnO 17.0 중량%, TiO2 7.0 중량%, CaO 1.5 중량%의 결정화유리 조성을 갖는 배치 190 GR에 저융점 유리분말 조성 B를 10 GR을 혼합하여 백금도가니에 넣고 10 ℃/분의 승온속도로 1450 ℃까지 승온한 후 1450 ℃에서 2시간 유지하고 바로 꺼내어 ¢150 mm 카본틀에 붓고 이를 다시 450 ℃로 예열시킨 서냉로에 넣어 서냉시킨다.
서냉된 유리를 2 ℃/분으로 550 ℃까지 승온시킨 후 550 ℃에서 1시간동안 핵생성을 시키고 다시 2 ℃/분으로 800 ℃까지 승온시켜 800 ℃에서 2시간 유지하여 하드 디스크용 결정화유리를 제조하였다. 이렇게 하여 제조한 결정화유리는 저융점유리를 사용하지 않았을 때보다 결정화 온도가 100 ℃ 정도 낮았으며, X선회절 분석결과 주결정상이 간나이트(Gahnite, ZnAl2O4)상과 코디어라이트(Cordierite)상이었다.
실시예 6
SiO2 41.3 중량%, Al(OH)3 25.3 중량%, MgO 5.8 중량%, BaCO3 2.1 중량%, ZnO 10.7 중량%, SrCO3 9.9 중량%, TiO2 4.9 중량%의 결정화 유리조성을 갖는 배치 190 GR에 저융점 유리분말조성 A를 10 GR을 혼합하여 백도가니에 넣고 10 ℃/분의 승온속도로 1450 ℃까지 승온한 후 1450 ℃에서 2시간 유지하고 바로 꺼내어 ¢150 mm 카본틀에 붓고 이를 다시 450 ℃로 예열시킨 서냉로에 넣어 서냉시킨다.
서냉된 유리를 2 ℃/분으로 550 ℃까지 승온시킨 후 550 ℃에서 1시간동안 핵생성을 시키고 다시 2 ℃/분으로 800 ℃까지 승온시켜 800 ℃에서 2시간 유지하여 하드 디스크용 결정화유리를 제조하였다. 이렇게 하여 제조한 결정화유리는 저융점유리를 사용하지 않았을 때보다 결정화온도가 100 ℃ 정도 낮았으며, X선회절 분석결과 주결정상이 코디어라이트(Cordierite, 2MgO-2Al2O3-5SiO2)상과 간나이트(Gahnite)상 이었다.
실시예 7 ∼ 8
상기 실시예와 동일한 방법으로 수행하였으며 결정화유리의 조성과 용융온도, 결정화시간, 결정화후의 결정상을 다음 표 1에 나타내었다.
비교예 1∼2
상기 실시예와는 달리 저융점유리 분말을 사용하지 않았으며, 결정화유리의 조성과 용융온도, 결정화시간 및 결정화 후의 결정상을 다음 표 1에 나타내었다.
[표 1]
실험예
상기의 실시예 1∼7 및 비교예 1∼2에서 제조한 결정화유리는 각각의 온도로 결정화시켜 얻은 결정화 유리를 니켈 필터(Ni filter)와 Cu Kα 타켓을 사용하고 스캔 스피드(Scan speed)는 4°/min 으로 하고 2θ범위는 10°∼ 70°의 조건에서 X선 회절분석기(모델명:PW1730/10, 필립스(Philips)사제)의 분석을 통해 최적의 결정화온도 및 시간 그리고 이때의 결정상을 확인하였으며, 결정화 유리의 일부를 떼내어 마운팅(Mounting)하고 이를 폴리싱(Polishing)한 후 전자주사현미경(모델명: DS130, 아카시(Akasi)사제)분석을 통하여 결정의 크기 및 모양을 관찰하였다. 표면조도는 결정화시킨 유리판을 0.4 mm의 두께로 가공한 후 연마제로 CeO2을 사용하여 연마한 후 표면조도 분석기(모델명:M5, PSI사제)를 이용하여 표면조도를 측정하였다. CSS 측정은 결정화시킨 유리판을 3.5인치 코어드릴(Core drill)로 디스크 형태로 가공하여 이를 직접 하드디스크 드라이브에 넣고 5,200 R.P.M 으로 회전 및 정지를 반복 실시함으로서 하드 디스크 기판으로서의 사용 가능성을 확인하였으며 그 결과를 다음 표 2에 나타내었다.
[표 2a]
[표 2b]
상기의 결과를 통하여 알 수 있듯이, 본 발명의 자기디스크용 결정화유리는 저융점분말 분말을 혼합하여 사용함으로써 결정화온도를 종래 조성에 대비해서 약 100 ℃의 낮은온도에서 제조할 수 있음을 보여주고 있으며 결정화시간에 있어서는 결정화 온도가 낮아짐으로 인해 시간이 더 단축되는 효과를 가짐을 알 수 있다. 결정크기에 있어서는 0.2 ∼ 1.0 ㎛의 범위에서 균일한 크기를 보이는 특성을 보였으며 표면조도의 향상으로 연마가공성이 개선됨으로해서 하드 디스크의 기판재료로서 우수한 특성을 보유하고 있는 것을 알 수 있었다.
Claims (7)
- 자기디스크용 결정화유리에 있어서, Li2O-SiO2계, 베타-유크립타이트(β-Eucryptite)계, 알파-코디어라이트(α-Cordierite)계 및 셀시안(Celsian, BaO- Al2O3-2SiO2)계 중에서 선택된 하나이상의 성분으로 이루어진 결정화유리 조성 배치(Batch) 100 중량부에 대하여 저융점 유리분말이 5 ∼ 25 중량부가 혼합되어 있고 상기 저융점 유리분말은 유리제조시 연화점이 450 ℃이하인 것을 특징으로 하는 자기디스크용 결정화유리.
- 제 1 항에 있어서, 상기 저융점 유리분말 조성은 PbO 70 ∼ 87 중량%, B2O3 5.0 ∼ 15 중량%, SiO2 0.1 ∼ 3.0 중량%, Al2O3 0.1 ∼ 1.0 중량%, ZnO 2.0 ∼ 15 중량%, BaO 0.5 ∼ 5 중량% 및 PbF2 0.1 ∼ 2.0 중량%의 조성범위로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기디스크용 결정화유리.
- 제 1 항에 있어서, 상기 Li2O-SiO2계 결정화유리 조성은 Li2O 5 ∼ 15 중량%, SiO2 60 ∼ 85 중량%, Al2O3 1 ∼ 5 중량%, ZnO 1 ∼ 3 중량%, K2O 1 ∼ 5 중량%, MgO 0.5 ∼ 5 중량% 및 P2O5 0.5 ∼ 2 중량%로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기디스크용 결정화유리.
- 제 1 항에 있어서, 상기 베타-유크립타이트(β-Eucryptite)계 결정화 유리조성은 Li2O 8 ∼ 12 중량%, Al2O3 8 ∼ 15 중량%, SiO2 50 ∼ 65 중량%, K2O 3 ∼ 8 중량% 및 ZnO 5 ∼ 12 중량%로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기디스크용 결정화유리.
- 제 1 항에 있어서, 상기 알파-코디어라이트(α-Cordierite)계 결정화 유리조성은 MgO 15 ∼ 30 중량%, Al2O3 15 ∼ 25 중량%, SiO2 20 ∼ 35 중량%, ZnO 1 ∼ 15 중량%, TiO2 3 ∼ 8 중량%, BaO 1 ∼ 6 중량% 및 SrO 5 ∼ 15 중량%로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기디스크용 결정화유리.
- 제 1 항에 있어서, 상기 셀시안(Celsian, BaO-Al2O3-2SiO2)계 결정화유리 조성은 SiO2 45 ∼ 65 중량%, Al2O3 10 ∼ 25 중량%, BaO 10 ∼ 25 중량%, ZnO 10 ∼ 20 중량%, CaO 0.5 ∼ 5 중량%, B2O3 0.5 ∼ 8 중량% 및 MgO 0.5 ∼ 7 중량%로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기디스크용 결정화유리.
- 자기 디스크용 결정화유리의 제조방법에 있어서, 결정화 유리인 Li2O-SiO2계, Li2O-Al2O3-SiO2계, MgO-Al2O3-SiO2계 및 BaO-Al2O3-SiO2계 중에서 선택된 하나이상의 성분으로 이루어진 조성물 배치(Batch) 100 중량부에 대하여 저융점 유리분말 5 ∼ 25 중량부를 변화시켜 가면서 첨가하여 용융시킨 후, 각각의 조성 배치(Batch)의 용융유리를 650∼800 ℃의 온도에서 1 ∼ 2 시간동안 결정화시키는 것을 특징으로 하는 자기디스크용 결정화유리의 제조방법.
Priority Applications (1)
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KR1019960064908A KR19980046549A (ko) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | 자기 디스크용 결정화유리와 그의 제조방법 |
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KR19980046549A true KR19980046549A (ko) | 1998-09-15 |
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ID=66522016
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KR (1) | KR19980046549A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100612584B1 (ko) * | 1999-05-21 | 2006-08-14 | 엘지전자 주식회사 | 표시소자용 고강도 유전체 조성물 |
-
1996
- 1996-12-12 KR KR1019960064908A patent/KR19980046549A/ko not_active Application Discontinuation
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