KR19980040523U

KR19980040523U - Current meter for beam control

Info

Publication number: KR19980040523U
Application number: KR2019960053604U
Authority: KR
Inventors: 정창영
Original assignee: 김종진; 포항종합제철 주식회사; 신창식; 재단법인 포항산업과학연구원
Priority date: 1996-12-23
Filing date: 1996-12-23
Publication date: 1998-09-15

Abstract

본 고안은 빔 조절장치용 전류측정기에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 이온총이나 전자총에서 조사되는 빔의 조절시간을 단축할 수 있도록 한 것이다.The present invention relates to a current meter for a beam control device, and more particularly, to shorten the adjustment time of the beam irradiated from the ion gun or the electron gun.

이를 위해 본 고안은 각종 분석장비에 사용되는 이온통이나 전자총에서 조사되는 빔의 전류를 측정하는 전류측정기에 있어서, 상기 전류측정기의 상면 일측에 빔의 형태를 측정하는 실리콘 웨이퍼를 클립으로 고정시키고 타측에는 스퍼터율을 측정하는 탄탈륨판을 클립으로 고정시켜서 된 것으로, 시편 스테이지를 이동시키는 간단한 작업으로 교환 또는 수리후 조사되는 빔의 조절을 할 수 있게 되므로 그 작업 시간이 단축 됨은 물론 운전자의 실수로 인한 오동작을 미연에 방지할 수 있게 되는 것이다.To this end, the present invention is a current measuring device for measuring the current of the beam irradiated from the ion gun or electron gun used in various analysis equipment, the silicon wafer for measuring the shape of the beam on the upper side of the current measuring instrument with a clip and On the side, the tantalum plate for measuring the sputtering rate is fixed with a clip. The simple operation of moving the specimen stage makes it possible to adjust the beam irradiated after replacement or repair. Malfunctions can be prevented in advance.

Description

Current meter for beam control

일반적으로 표면 분석기의 하나인 광전자 분광기와 오제 현미경에는 시편의 청정 및 깊이 방향 분석을 위한 이온총이 부착되어 있는데, 상기 이온총을 수리하거나 필라멘트를 교체할 경우에는 이온총에서 조사되는 빔을 조절해야 한다.In general, photoelectron spectroscopy and Auger microscopes, one of the surface analyzers, are equipped with ion guns for clean and depth analysis of specimens. When repairing or replacing the filament, the beam irradiated from the ion gun must be adjusted. do.

이때에는 통상 3단계의 빔조절 절차를 거치게 된다. 상기 이온총을 수리한 직후 빔의 형태를 맞추기 위해 산화막이 입혀진 실리콘 웨이퍼를 이용한다.In this case, a three-step beam control procedure is usually performed. Immediately after repairing the ion gun, an oxide coated silicon wafer is used to shape the beam.

이때 시편홀더에 실리콘 웨이퍼를 장착한 후, 시편이송장치를 이용하여 진공을 유지한 상태에서 분석실로 이송하여 위치를 고정시킨 후, 이온빔을 조사하여 빔의 형태를 현미경으로 조사한다.At this time, after the silicon wafer is mounted on the specimen holder, the specimen is transferred to the analysis chamber while the vacuum is maintained using the specimen transfer device to fix the position, and then the ion beam is irradiated to examine the shape of the beam under a microscope.

이러한 과정을 반복하여 빔의 형태가 가능한한 원형에 가깝도록 조절한다.Repeat this process to adjust the shape of the beam as close to the circle as possible.

상기 빔의 형태조절이 끝나면 다음 단계는 전류측정기를 이용하여 빔 전류를 측정하는 단계가 된다.After adjusting the shape of the beam, the next step is to measure the beam current using a current meter.

이 단계에서는 빔 단계로 이 경우도 마찬가지 형태를 측정하는데 사용되었던 시편홀더를 진공밖으로 빼어낸 후 전류측정기(10)를 다시 분석실에 장입하고 상기 전류측정기(10)의 중앙에 형성된 전류 측정공(12)으로 빔을 조사하여 빔의 전류를 측정한다.In this step, the specimen holder used to measure the same shape in the beam step is taken out of the vacuum, and the current measuring instrument 10 is inserted into the analysis chamber again and the current measuring hole 12 formed in the center of the current measuring instrument 10 is carried out. Irradiate the beam with) to measure the current in the beam.

마지막 단계는 이온빔의 스퍼터율을 측정하는 단계를 거쳐 산화막이 입혀진 탄탈륨 시편을 시편홀더에 장착하여 측정하게 된다.The final step is to measure the sputter rate of the ion beam, and then measure the tantalum specimen coated with oxide on the specimen holder.

이들 3가지 단게를 거치는 동안 시편을 대기중에서 초고진공이 유지되고 있는 분석실까지 이송하기 위해서는 시편 장입용기를 매번 진공상태로 만들어야 하기 때문에 시간이 오래 걸릴뿐만아니라, 절차도 번거로워 자칫하면 운전자가 실수를 하게 되는 문제점이 있었다.During these three steps, the specimen loading container must be vacuumed each time to transport the specimen from the air to the analysis chamber where ultra-high vacuum is maintained. There was a problem.

본 고안은 이와같은 문제점을 해결하기 위한 것으로 지금까지 3단계로 이루어졌던 빔조절 방법을 한 단계로 축소하여 시간을 단축하고 공정을 단순하게 하기 위한 것으로 전류측정기에 실리콘 웨이퍼와 탄탈륨판을 동시에 부착시켜 빔의 형태와 빔전류, 그리고 스퍼터율을 동시에 측정할 수 있는 빔 조절장치용 전류측정기를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention is to solve this problem and to reduce the time of the beam control method that has been made up to three steps in one step to shorten the time and simplify the process by attaching a silicon wafer and tantalum plate at the same time to the current meter An object of the present invention is to provide a current meter for a beam control device that can simultaneously measure the shape of the beam, the beam current, and the sputter rate.

상기 목적을 달성하기 위한 본 고안 빔 조절기용 전류 측정기용 각종 분석장비에 사용되는 이온총이나 전자총에서 조사되는 빔의 전류를 측정하는 전류측정기에 있어서, 상기 전류측정기의 상면 일측에 빔의 형태를 측정하는 실리콘 웨이퍼를 클립으로 고정시키고 타측에는 스퍼터율을 측정하는 탄탈륨판을 클립으로 고정시켜서 된 것이다.In the current measuring device for measuring the current of the beam irradiated from the ion gun or electron gun used in the various analysis equipment for the current measuring device for the beam regulator of the present invention for achieving the above object, measuring the shape of the beam on one side of the upper surface of the current meter The silicon wafer is fixed with a clip, and on the other side, a tantalum plate for measuring sputtering rate is fixed with a clip.

도 1은 종래 전류 측정기의 평면도1 is a plan view of a conventional current meter

도 2는 본 고안에 따른 전류 측정기의 평면도2 is a plan view of the current meter according to the present invention

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

10:전류 측정기20:실리콘 웨이퍼10: current measuring instrument 20: silicon wafer

30:클립40:탄탈륨 시편30: clip 40: tantalum specimen

이하, 본 고안을 도시한 첨부 도면 도 2를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings showing the present invention in detail as follows.

도 2는 본 고안에 따른 전류측정기의 평면도로서 이를 참조하면, 이온총이나 전자총에서 조사되는 빔의 전류를 측정하는 전류측정기(10)의 상면 일측에 실리콘 웨이퍼(20)가 클립(30)으로 고정되어 있고 하측에는 탄탈륨시편(40)이 클립(30)으로 고정되어 있으며 중앙에는 전류를 측정하기 위한 전류측정공(12)이 형성되어 있다.2 is a plan view of the current meter according to the present invention, the silicon wafer 20 is fixed with a clip 30 on one side of the upper surface of the current meter 10 for measuring the current of the beam irradiated from the ion gun or the electron gun Tantalum specimen 40 is fixed to the clip 30 at the lower side, and a current measuring hole 12 for measuring the current is formed at the center thereof.

상기와 같이 구성된 본 고안의 작용 및 효과는 다음과 같다.The operation and effects of the present invention configured as described above are as follows.

전류측정기(10)의 상면에 실리콘 웨이퍼(20)와 탄탈륨 시편(40)은 클립(30)으로 각각 고정시킨 후, 상기 전류측정기(10)를 3축(X, Y, Z)으로 움직일 수 있는 시편 스테이지 상부에 고정시킨 후, 상기 시편 스테이지를 이동시켜 전류측정기(10)의 상면에 고정된 실리콘 웨이퍼(20)를 이온총에서 조사되는 빔의 하부에 위치시킨 상태에서 상기 빔의 형태가 원형에 가깝도록 이온총을 조절한다.After fixing the silicon wafer 20 and the tantalum specimen 40 on the upper surface of the current meter 10 with the clips 30, the current meter 10 can be moved in three axes (X, Y, Z). After fixing the upper stage of the specimen stage, the shape of the beam is circular in a state in which the silicon wafer 20 fixed to the upper surface of the current meter 10 is positioned below the beam irradiated from the ion gun by moving the specimen stage. Adjust the ion gun so that it is close.

상기 빔의 형태의 조절이 완료되면 시편 스테이지를 조절하여 전류측정기(10)의 중앙에 형성된 전류측정공(12)을 이온총에서 조사되는 빔의 하부에 위치시킨 후, 빔의 전류를 측정한다.When the adjustment of the shape of the beam is completed, after adjusting the specimen stage to position the current measuring hole 12 formed in the center of the current meter 10 in the lower portion of the beam irradiated from the ion gun, the current of the beam is measured.

또한, 상기 시편 스테이지는 조절하여 전류측정기(10)의 상면에 고정된 탄탈륨 시편(40)이 이온총에서 조사되는 빔의 하부에 위치시켜 빔의 스퍼터율을 측정한다.In addition, the specimen stage is adjusted so that the tantalum specimen 40 fixed to the upper surface of the current meter 10 is positioned below the beam irradiated from the ion gun to measure the sputter rate of the beam.

이상에서와 같이 본 고안은 시편 스테이지를 이동시키는 간단한 작업으로 교환 또는 수리후 조사되는 빔의 조절을 할 수 있게 되므로 그 작업 시간이 단축 됨은 물론 운전자의 실수로 인한 오동작을 미연에 방지할 수 있게 되는 매우 유용한 고안이다.As described above, the present invention is a simple operation of moving the specimen stage, so that it is possible to adjust the beam irradiated after the replacement or repair, so that the working time is shortened and the malfunction due to the driver's mistake can be prevented in advance. It is a very useful design.

Claims

In the current meter 10 for measuring the current of the beam irradiated from the ion gun or electron gun used in various analysis equipment, the silicon wafer 20 for measuring the shape of the beam on the upper surface of the current meter 10, the clip (30) and the other side of the current meter for beam control apparatus characterized in that the tantalum plate 40 for measuring the sputter rate is fixed with a clip (30).