KR19980037349A - High heat emission lead frame and semiconductor chip package using same - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 고 열방출용 리드 프레임 및 그를 이용한 반도체 칩 패키지에 관한 것으로, 에지 패드가 형성된 반도체 칩의 상부면에 긴 개구부가 형성된 다이 패드가 부착되며, 그 다이 패드의 양측과 연결·형성된 히트 싱크가 패키지 몸체의 양측면을 통해서 외부로 노출된 구조를 갖고 있으며, 그 개구부에 성형 수지가 충전됨으로써, 반도체 칩, 리드 프레임 및 성형 수지 사이의 결합력이 증가되어 패키지의 내부 신뢰성이 향상되며, 다이 패드가 반도체 칩의 상부면에 부착된 구조를 갖기 때문에 반도체 칩을 중심으로 상·하의 성형 수지의 양의 차이에 따른 패키지의 휨과 같은 문제점을 극복할 수 있는 장점이 있다.The present invention relates to a high heat dissipation lead frame and a semiconductor chip package using the same, wherein a die pad having a long opening is attached to an upper surface of a semiconductor chip on which an edge pad is formed, and connected to and formed on both sides of the die pad. The sink has a structure exposed to the outside through both sides of the package body, the molding resin is filled in its opening, thereby increasing the bonding force between the semiconductor chip, the lead frame and the molding resin to improve the internal reliability of the package, die pad Has a structure attached to the upper surface of the semiconductor chip, there is an advantage that can overcome the problems, such as bending of the package according to the difference in the amount of the upper and lower molding resin around the semiconductor chip.
그리고, 반도체 칩에서 발생되는 열은 히트 싱크를 통해서 외부로 방출되는 장점이 있다.In addition, heat generated in the semiconductor chip has an advantage of being discharged to the outside through the heat sink.
Description
본 발명은 고 열방출용 리드 프레임 및 그를 이용한 반도체 칩 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 고방열 패키지의 내부 신뢰성을 향상시키기 위해서 반도체 칩의 상부면에 부착되는 다이 패드에 개구부가 형성되어 있어 패키지 몸체를 이루는 성형 수지가 이 개구부에 채워져 반도체 칩, 리드 프레임 및 성형 수지 사이의 결합력이 향상되며, 고 열방출을 위해서 다이 패드의 양측과 연결된 히트 싱크가 패키지 몸체의 외부로 노출되게 연장·형성된 구조를 갖는 고 열방출용 리드 프레임 및 그를 이용한 반도체 칩 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a high heat dissipation lead frame and a semiconductor chip package using the same, and more particularly, in order to improve internal reliability of the high heat dissipation package, an opening is formed in a die pad attached to an upper surface of the semiconductor chip. The molding resin forming the body is filled in the opening to improve the bonding force between the semiconductor chip, the lead frame and the molding resin, and the heat sink connected to both sides of the die pad is exposed and extended to the outside of the package body for high heat dissipation. It relates to a high heat emission lead frame having a and a semiconductor chip package using the same.
최근에 전자기기의 박형화 및 대용량화에 대응하기 위한 반도체 기술들이 연구되고 있다.Recently, semiconductor technologies have been studied to cope with thinning and large-capacity electronic devices.
이런 반도체 기술들 중에는, 패키지 외형의 크기를 줄여 실장 밀도를 증가시키기 위해서 칩 스케일 패키지(chip scale package), 페이퍼 틴 패키지(paper thin package) 등이 개발되고 있다.Among these semiconductor technologies, chip scale packages, paper thin packages, and the like have been developed to reduce the package size and increase the package density.
그리고, 여러 개의 반도체 칩을 하나의 패키지로 제조하는 멀티 칩 패키지(multi chip package) 및 다수의 반도체 칩 패키지들이 인쇄 회로 기판에 실장된 메모리 모듈(memory module) 등이 개발되고 있다.In addition, a multi chip package for manufacturing several semiconductor chips into one package and a memory module in which a plurality of semiconductor chip packages are mounted on a printed circuit board are being developed.
상기한 반도체 칩 및 반도체 칩 패키지의 고집적화는 단위 면적당 발열량의 증가를 유발시켜 제품 자체의 수명, 특성, 신뢰성 등에 직접적인 영향을 미치는 반도체 칩의 정션(junction) 온도를 상승시키므로 패키지의 열 특성을 향상시켜 반도체 칩의 정션 온도를 낮추는 것이 제품의 경쟁력 향상을 위한 과제로 대두되고 있다.The high integration of the semiconductor chip and the semiconductor chip package causes an increase in the amount of heat generated per unit area, thereby increasing the junction temperature of the semiconductor chip directly affecting the life, characteristics, and reliability of the product itself, thereby improving the thermal characteristics of the package. Lowering the junction temperature of semiconductor chips has emerged as a challenge to improve product competitiveness.
일반적으로, 패키지의 열특성은 크게 패키지 내부 열저항과 외부 열저항으로 구분 될 수 있다.In general, the thermal characteristics of a package can be largely classified into an internal thermal resistance and an external thermal resistance.
여기서, 패키지의 고유한 특성으로 인식되고 있는 내부 열저항은 반도체 칩을 성형하는 성형 물질 및 패키지의 구조에 의해 결정되어지고, 외부 열저항의 경우 제품이 사용되는 조건 및 환경에 따라 변화된다.Here, the internal thermal resistance, which is recognized as a unique characteristic of the package, is determined by the molding material for forming a semiconductor chip and the structure of the package, and the external thermal resistance varies depending on the conditions and environment in which the product is used.
도 1은 종래 기술에 따른 히트 싱크가 패키지 몸체 하부에 노출된 고방열 패키지를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a heat dissipation package in which a heat sink according to the prior art is exposed under a package body.
도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 히트 싱크를 갖는 고방열 패키지(100)는 복수개의 본딩 패드들(12)이 형성된 반도체 칩(10)이 구비되며, 그 반도체 칩(10)의 하부면이 접착제(50)에 의해 히트 싱크(20)의 상부면에 부착된다.Referring to FIG. 1, a high heat dissipation package 100 having a heat sink according to the related art includes a semiconductor chip 10 having a plurality of bonding pads 12 formed thereon, and a lower surface of the semiconductor chip 10 may be provided. The adhesive 50 is attached to the top surface of the heat sink 20.
그리고, 본딩 패드들(12)과 각기 대응되어 본딩 와이어(60)에 의해 전기적으로 연결된 내부 리드들(32)이 반도체 칩(10)이 부착된 히트 싱크(20)의 상부면에 반도체 칩(10)과 이격된 위치에 부착되어 있다.In addition, internal leads 32 electrically connected to the bonding pads 12 and electrically connected to each other by the bonding wires 60 may be formed on the upper surface of the heat sink 20 to which the semiconductor chips 10 are attached. Attached to a position away from).
여기서, 반도체 칩(10), 내부 리드들(32) 및 본딩 와이어(60)를 포함하는 전기적 연결 부분 및 히트 싱크(20)가 에폭시 계열의 성형 수지에 의해 봉지되어 패키지 몸체(40)가 형성된다.Here, the electrical connection part including the semiconductor chip 10, the inner leads 32 and the bonding wire 60 and the heat sink 20 are sealed by an epoxy-based molding resin to form a package body 40. .
내부 리드들(32)과 일체로 형성된 외부 리드들(34)은 패키지 몸체(40)의 외부로 돌출된 구조를 갖는다.The outer leads 34 integrally formed with the inner leads 32 have a structure that protrudes out of the package body 40.
그리고, 외부 리드들(34)은 외부 전자 장치의 실장 구조에 맞게 절곡된다.The external leads 34 are bent to fit the mounting structure of the external electronic device.
여기서, 히트 싱크(20)의 하부면은 패키지 몸체(40)의 외부로 노출되어 반도체 칩(10)에서 발생되는 열을 외부로 방출시키게 된다.Here, the lower surface of the heat sink 20 is exposed to the outside of the package body 40 to release the heat generated from the semiconductor chip 10 to the outside.
통상적으로 히트 싱크(20)는 열 전도도가 좋은 구리(Cu) 계열의 합금이 사용된다.Typically, the heat sink 20 is a copper (Cu) -based alloy having a good thermal conductivity is used.
이와 같은 구조를 갖는 고방열 패키지는 히트 싱크의 하부면이 외부로 노출된 형태이기 때문에 열방출면에서는 효과적이나, 반도체 칩을 중심으로 상·하의 성형 수지의 양이 크게 차이가 나기 때문에 패키지의 내부 신뢰성 테스트에서 패키지가 휘는(warpage) 문제점이 발생된다.The high heat dissipation package having such a structure is effective on the heat dissipation surface because the lower surface of the heat sink is exposed to the outside, but the internal reliability of the package is large because the amount of upper and lower molding resins differs mainly around the semiconductor chip. The test causes a problem with warpage of the package.
그리고, 성형 수지에 비해 구리 계열의 히트 싱크는 열팽창 계수가 크기 때문에 열적 스트레스에 따른 열팽창의 차이에 의해 경계면이 벌어지는 박리가 발생될 수 있다.In addition, since a copper-based heat sink has a larger thermal expansion coefficient than a molding resin, peeling may occur due to a difference in thermal expansion due to thermal stress.
또한, 성형 공정시에 노출된 히트 싱크 표면에 프레쉬(flash)가 발생되어, 그 성형 수지가 히트 싱크의 일부 표면을 덮음으로써, 패키지의 열방출 특성이 저하되는 문제점이 발생된다.In addition, a flash is generated on the surface of the heat sink exposed during the molding process, and the molding resin covers a part of the surface of the heat sink, thereby causing a problem that the heat dissipation characteristics of the package are deteriorated.
따라서, 본 발명의 목적은 열방출 특성을 유지하면서, 패키지의 내부 신뢰성을 향상시킬 수 있는 고 열방출용 리드 프레임 및 그를 이용한 반도체 칩 패키지를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a high heat dissipation lead frame and a semiconductor chip package using the same, which can improve internal reliability of the package while maintaining heat dissipation characteristics.
도 1은 종래 기술에 따른 히트 싱크가 패키지 몸체 하부에 노출된 고방열 패키지를 나타내는 단면도.1 is a cross-sectional view showing a high heat radiation package in which a heat sink according to the prior art is exposed under the package body.
도 2는 본 발명에 따른 고 열방출용 리드 프레임을 나타내는 사시도.Figure 2 is a perspective view showing a high heat dissipation lead frame according to the present invention.
도 3은 도 2의 리드 프레임을 이용한 고방열 패키지의 요부 절개 사시도.Figure 3 is a perspective view of the main portion of the high heat dissipation package using the lead frame of Figure 2;
도 4는 도 3의 A-A'선 단면도.4 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 3.
도 5는 도 3의 B-B'선 단면도.5 is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. 3.
※ 도면의 주요 부분에 대한 설명 ※※ Description of the main parts of the drawings ※
10, 110 : 반도체 칩 20, 120 : 히트 싱크(heat sink)10, 110: semiconductor chip 20, 120: heat sink
32, 132 : 내부 리드 34, 134 : 외부 리드32, 132: internal lead 34, 134: external lead
40, 140 : 패키지 몸체 50, 150 : 접착제40, 140: package body 50, 150: adhesive
60, 160 : 본딩 와이어 130 : 리드 프레임60, 160: bonding wire 130: lead frame
135a : 개구부(開口部) 135b : 관통 구멍135a: opening 135b: through hole
136 : 다이 패드136: die pad
상기 목적을 달성하기 위하여, 중간에 개구부가 형성되어 있으며, 반도체 칩이 부착될 다이 패드와; 상기 다이 패드에 대향하여 형성된 복수개의 내부 리드와; 상기 내부 리드와 일체로 형성된 외부 리드와; 상기 내부 리드 및 외부 리드를 가로지르는 방향으로 연결·형성된 댐바와; 상기 다이 패드의 양측과 일체로 형성되어 그 다이 패드를 지지하는 열 방출용 히트 싱크; 및 상기 히트 싱크 및 외부 리드를 지지하며, 상·하 말단에 형성된 가이드 레일 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 고 열방출용 리드 프레임을 제공한다.In order to achieve the above object, an die is formed in the middle, the die pad to which the semiconductor chip is attached; A plurality of internal leads formed opposite the die pads; An outer lead formed integrally with the inner lead; A dam bar connected and formed in a direction crossing the inner lead and the outer lead; A heat dissipation heat sink formed integrally with both sides of the die pad to support the die pad; And to support the heat sink and the outer lead, provides a high heat dissipation lead frame comprising a guide rail portion formed on the upper and lower ends.
상기 다른 목적을 달성하기 위하여, 일면에 복수개의 에지 패드가 형성된 반도체 칩과; 상기 반도체 칩의 일면에 부착되며, 중간에 개구부가 형성된 다이 패드와; 상기 다이 패드에 대향하여 형성되어 있으며, 상기 에지 패드와 각기 대응되어 전기적으로 연결된 복수개의 내부 리드와; 상기 반도체 칩과 내부 리드를 포함하는 전기적 연결 부분 및 상기 다이 패드가 봉지된 패키지 몸체와; 상기 내부 리드와 일체로 형성되어 있으며, 상기 패키지 몸체에 대하여 외부로 돌출된 외부 리드; 및 상기 다이 패드와 일체로 형성되어 있으며, 상기 패키지 몸체에 대하여 외부로 돌출된 히트 싱크를 포함하는 것을 특징으로 하는 고 열방출용 리드 프레임을 이용한 반도체 칩 패키지를 제공한다.In order to achieve the above another object, a semiconductor chip having a plurality of edge pads formed on one surface; A die pad attached to one surface of the semiconductor chip and having an opening formed in the middle thereof; A plurality of internal leads formed to face the die pad and electrically connected to the edge pads, respectively; An electrical connection portion including the semiconductor chip and an inner lead and a package body in which the die pad is sealed; An outer lead formed integrally with the inner lead and protruding to the outside of the package body; And a heat sink formed integrally with the die pad and protruding to the outside of the package body, the semiconductor chip package using the high heat dissipation lead frame.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 따른 고 열방출용 리드 프레임을 나타내는 사시도이다.2 is a perspective view showing a high heat dissipation lead frame according to the present invention.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 고 열방출용 리드 프레임(130)은 본딩 패드들이 형성된 반도체 칩의 일면에 부착되는 다이 패드(36)의 중간에 긴 개구부(135a)가 형성되어 있다.2, in the high heat dissipation lead frame 130 according to the present invention, an elongated opening 135a is formed in the middle of a die pad 36 attached to one surface of a semiconductor chip on which bonding pads are formed.
다이 패드의 긴 개구부(135a)의 양 말단 부분과 연결되어 그 다이 패드(136)를 지지하며, 성형 공정 이후에 패키지 몸체의 외부로 돌출되어 반도체 칩에서 발생하는 열을 외부로 방출하는 열 방출용 히트 싱크(120)가 형성되어 있다.It is connected to both end portions of the long opening 135a of the die pad to support the die pad 136, and after the forming process, for heat dissipation that protrudes out of the package body to release heat generated from the semiconductor chip to the outside. The heat sink 120 is formed.
여기서, 다이 패드(136)와 히트 싱크(120)를 연결하는 부분에 관통 구멍(135b)이 형성되어 있다.Here, a through hole 135b is formed in a portion connecting the die pad 136 and the heat sink 120.
통상적인 다이 패드를 갖는 리드 프레임에 있어서, 상기한 다이 패드(136)와 연결된 부분을 포함하는 히트 싱크(120)는 다이 패드를 지지하는 타이 바(tie-bar)에 해당되는 부분이다.In a lead frame having a conventional die pad, the heat sink 120 including the portion connected to the die pad 136 is a portion corresponding to a tie-bar supporting the die pad.
다이 패드(136)의 말단 부분은 그 폭이 점점 줄어드는 형상으로 히트 싱크(120)로 이어지는 부분이 형성되어 있으며, 패키지 몸체 외부로 돌출이 시작되는 부분은 폭이 점점 증가하는 형상으로 히트 싱크(120)가 제작된다.The end portion of the die pad 136 has a width that gradually decreases, and a portion leading to the heat sink 120 is formed, and the portion where the protrusion starts to extend out of the package body has a width that gradually increases in width. ) Is produced.
이유는, 히트 싱크(120)를 절곡하는 공정에서 가해지는 충격을 크게 받는 부분은 다이 패드(136)와 히트 싱크(120)를 연결하는 부분이다.The reason for this is that the portion of the heat sink 120 that is subjected to a large impact on the bending of the heat sink 120 is a portion that connects the die pad 136 to the heat sink 120.
만약, 다이 패드와 히트 싱크를 연결하는 부분이 다이 패드 및 히트 싱크에 대하여 수직을 이루고 있을 경우에는 다이 패드와 히트 싱크를 연결하는 부분이 받게되는 충격은 다이 패드 및 히트 싱크를 통해서 효과적으로 흡수되지 않는다.If the part connecting the die pad and the heat sink is perpendicular to the die pad and the heat sink, the shock that is received by the part connecting the die pad and the heat sink is not effectively absorbed through the die pad and the heat sink. .
따라서, 일차적으로 다이 패드(136)와 히트 싱크(120)를 연결하는 부분이 받게되는 충격을 다이 패드(136) 및 히트 싱크(120)가 흡수하기 위해서 다이 패드(136)의 말단은 폭이 줄어드는 형상으로, 히트 싱크(120)의 시작 부분은 폭이 늘어나는 형상으로 제작된다.Accordingly, the ends of the die pad 136 may be reduced in width so that the die pad 136 and the heat sink 120 may receive the shock that the portion connecting the die pad 136 and the heat sink 120 receives. In the shape, the start portion of the heat sink 120 is manufactured in a shape in which the width is increased.
그리고, 다이 패드(136)와 히트 싱크(120)의 연결 부분에 관통 구멍(135b)을 형성한 이유도 상기한 내용과 동일하며, 자세한 내용은 후술하겠다.In addition, the reason why the through hole 135b is formed in the connection portion between the die pad 136 and the heat sink 120 is also the same as described above.
다이 패드(136)에 대향하여 형성되어 있으며, 반도체 칩의 본딩 패드들과 전기적으로 연결될 복수개의 내부 리드(132)가 형성되어 있으며, 그 내부 리드(132)와 일체로 형성된 외부 리드(134)가 형성되어 있다.A plurality of inner leads 132 are formed to face the die pad 136 and electrically connected to the bonding pads of the semiconductor chip, and an outer lead 134 integrally formed with the inner leads 132 is formed. Formed.
그리고, 성형 공정에서 액상의 성형 수지가 흘러 넘치는 것을 방지하기 위한 댐바(133)가 내부 리드(132) 및 외부 리드(134)를 가로지르는 방향으로 연결·형성되어 있다.In addition, a dam bar 133 for preventing the liquid molding resin from flowing out in the forming step is connected and formed in a direction crossing the inner lead 132 and the outer lead 134.
그리고, 히트 싱크(120)의 말단 및 외부 리드(134)의 말단과 일체로 형성되어 있으며, 리드 프레임(130) 전체를 지지하는 상·하 말단에 형성된 가이드 레일 부분(131)을 갖는다.It is formed integrally with the end of the heat sink 120 and the end of the outer lead 134, and has a guide rail portion 131 formed on the upper and lower ends supporting the entire lead frame 130.
가이드 레일 부분(131)은 히트 싱크(120) 및 외부 리드들(134)을 지지하며, 리드 프레임(130)이 이송되는 경우에 있어서, 이송 레일과 접촉되는 부분이다.The guide rail portion 131 supports the heat sink 120 and the external leads 134, and is in contact with the transfer rail when the lead frame 130 is transferred.
여기서, 다이 패드에 긴 개구부가 형성된 이유는 후술하겠다.Here, the reason why the long opening is formed in the die pad will be described later.
도 3은 도 2의 리드 프레임을 이용한 고방열 패키지의 요부 절개 사시도이다.3 is a perspective view illustrating main parts of the high heat dissipation package using the lead frame of FIG. 2.
도 4는 도 3의 A-A'선 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 3.
도 5는 도 3의 B-B'선 단면도이다.5 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 3.
도 3 및 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 고 열방출용 리드 프레임을 이용한 반도체 칩 패키지(200)는 상부면에 복수개의 본딩 패드(112)가 형성된 반도체 칩(110)이 구비되며, 그 반도체 칩(110)의 상부면에 도 2의 리드 프레임의 다이 패드(136)가 접착제(150)에 의해 부착된다.3 and 5, the semiconductor chip package 200 using the high heat dissipation lead frame according to the present invention includes a semiconductor chip 110 having a plurality of bonding pads 112 formed on an upper surface thereof. The die pad 136 of the lead frame of FIG. 2 is attached to the top surface of the semiconductor chip 110 by the adhesive 150.
여기서, 다이 패드(136)는 반도체 칩(110) 상부면에 형성된 본딩 패드들(112) 사이의 영역에 부착된다.Here, the die pad 136 is attached to an area between the bonding pads 112 formed on the upper surface of the semiconductor chip 110.
따라서, 반도체 칩 상부면에 부착되어 반도체 칩을 지지하며, 다이 패드의 개구부의 크기를 크게하기 위해서는 반도체 칩 상부면에 충분한 영역을 확보되어야 하기 때문에, 반도체 칩 상부면의 중간 부분을 확보할 수 있는 본딩 패드들(112)이 외측에 형성된 에지 패드형(edge pad type) 반도체 칩(110)이 바람직하다.Therefore, in order to secure the semiconductor chip attached to the upper surface of the semiconductor chip and to increase the size of the opening of the die pad, a sufficient area must be secured to the upper surface of the semiconductor chip, thereby securing an intermediate portion of the upper surface of the semiconductor chip. The edge pad type semiconductor chip 110 in which the bonding pads 112 are formed outside is preferable.
그리고, 다이 패드(136)에 대향하여 형성된 내부 리드들(132)은 그들(132)에 각기 대응되는 에지 패드들(112)과 본딩 와이어(160)에 의해 전기적으로 연결된다.In addition, the inner leads 132 formed to face the die pad 136 are electrically connected to the edge pads 112 and the bonding wire 160 corresponding to the 132.
반도체 칩(110), 내부 리드들(132) 및 본딩 와이어(160)를 포함하는 전기적 연결 부분과 다이 패드(136)가 에폭시 계열의 성형 수지에 봉지되어 패키지 몸체(140)가 형성된다.The electrical connection part including the semiconductor chip 110, the internal leads 132, and the bonding wire 160 and the die pad 136 are encapsulated in an epoxy-based molding resin to form a package body 140.
여기서, 패키지 몸체(140)에 대하여 외부로 돌출된 외부 리드(134)는 도 2의 설명에서 언급되었던 것처럼 내부 리드들(132)과 각기 일체로 형성되어 있다.Here, the outer lead 134 protruding outward with respect to the package body 140 is formed integrally with the inner leads 132, as mentioned in the description of FIG. 2.
그리고, 패키지 몸체(140)에 대하여 외부로 돌출된 히트 싱크(120)는 도 2의 설명에서 언급되었던 것처럼 다이 패드(136)의 양측과 일체로 형성된 구조를 갖는다.The heat sink 120 protruding outward with respect to the package body 140 has a structure integrally formed with both sides of the die pad 136 as mentioned in the description of FIG. 2.
그리고, 패키지(200)의 크기를 줄이기 위해서 히트 싱크(120)는 패키지 몸체(140)의 표면에 근접하게 절곡된 구조를 갖는다.In addition, in order to reduce the size of the package 200, the heat sink 120 has a structure bent close to the surface of the package body 140.
여기서, 다이 패드(136)와 히트 싱크(120)를 연결하는 부분에 관통 구멍(135b)이 형성되어 있음으로써, 성형 공정에서 그 관통 구멍(135b)에 성형 수지가 충전되어 반도체 칩(110)을 중심으로 상·하부에 충전된 성형 수지가 연결되기 때문에 다이 패드(136)와 히트 싱크(120)를 연결하는 부분과 성형 수지로 이루어진 패키지 몸체(140)와의 결합력이 크다.Here, the through hole 135b is formed in the portion connecting the die pad 136 and the heat sink 120, so that the molding resin is filled in the through hole 135b in the forming process to form the semiconductor chip 110. Since the molding resin filled in the upper and lower portions are connected to the center, the bonding force between the portion connecting the die pad 136 and the heat sink 120 and the package body 140 made of the molding resin is large.
따라서, 히트 싱크(120)를 패키지 몸체(140)에 근접하게 절곡하는 공정에서 가해지는 충격을 패키지 몸체(140)에서 흡수하게 된다.Therefore, the shock applied to the heat sink 120 in the process of bending the package body 140 closer to the package body 140 is absorbed.
즉, 상기한 관통 구멍(135b)은 로킹 홀(locking hole)의 역할을 하게 된다.That is, the through hole 135b serves as a locking hole.
그리고, 다이 패드(136)에 형성된 개구부(135a)에 성형 수지가 충전되어 반도체 칩(110), 다이 패드(136) 및 성형 수지 사이의 결합력이 증가된다.The molding resin is filled in the opening 135a formed in the die pad 136 to increase the bonding force between the semiconductor chip 110, the die pad 136, and the molding resin.
따라서, 반도체 칩(110), 다이 패드(136) 및 성형 수지 사이의 열팽창 계수값은 차이가 나지만, 그 요소들 사이의 결합력이 그 요소들 사이의 열팽창에 따른 변화를 극복하게 된다.Accordingly, the coefficient of thermal expansion between the semiconductor chip 110, the die pad 136, and the molding resin is different, but the bonding force between the elements overcomes the change due to thermal expansion between the elements.
또한, 반도체 칩(110)에서 발생되는 열은 다이 패드(136)에 전달되며, 그 다이 패드(136)에 전달된 열은 다이 패드(136)와 연결된 히트 싱크(120)를 통해서 외부로 방출된다.In addition, heat generated in the semiconductor chip 110 is transferred to the die pad 136, and heat transferred to the die pad 136 is discharged to the outside through the heat sink 120 connected to the die pad 136. .
여기서, 도 4는 다이 패드(136)에 형성된 긴 개구부(135a)에 성형 수지가 충전된 상태를 나타내는 도면이며, 도 5는 다이 패드(136)와 히트 싱크(120)를 연결하는 부분에 형성된 관통 구멍(135b)에 성형 수지가 충전된 상태 및 히트 싱크(120)가 패키지 몸체(140)의 외부에 근접하게 절곡된 상태를 도시하고 있다.Here, FIG. 4 is a view showing a state in which a molding resin is filled in the long opening 135a formed in the die pad 136, and FIG. 5 is a through hole formed in a portion connecting the die pad 136 and the heat sink 120. The state in which the molding resin is filled in the hole 135b and the state in which the heat sink 120 is bent close to the outside of the package body 140 are illustrated.
따라서, 본 발명의 의한 구조를 따르면, 히트 싱크가 외부로 노출되어 있어 반도체 칩에서 발생되는 열을 외부로 효과적으로 방출할 수 있는 이점(利點)이 있다.Therefore, according to the structure of the present invention, the heat sink is exposed to the outside, there is an advantage that can effectively discharge the heat generated in the semiconductor chip to the outside.
그리고, 본 발명에 따른 히트 싱크가 패키지 몸체의 양측면의 통해서 외부로 돌출된 구조를 갖고 있으며, 다이 패드에 형성된 개구부 및 다이 패드와 히트 싱크의 연결 부분에 형성된 관통 구멍이 히트 싱크를 포함하는 리드 프레임에 형성되어 있기 때문에, 반도체 칩을 중심으로 상·하의 성형 수지의 양의 차이에 따른 패키지의 휨과 같은 문제점 및 성형 수지와의 결합력의 약화에 따른 내부 신뢰성과 관련되는 문제점을 극복할 수 있는 이점이 있다.In addition, the heat sink according to the present invention has a structure protruding to the outside through both sides of the package body, the opening formed in the die pad and the through-hole formed in the connection portion of the die pad and the heat sink includes a lead frame Since it is formed on the semiconductor chip, it is possible to overcome problems such as warpage of the package due to the difference in the amount of molding resin above and below the semiconductor chip and problems related to internal reliability due to weakening of the bonding strength with the molding resin. There is this.
Claims (9)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960056094A KR19980037349A (en) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | High heat emission lead frame and semiconductor chip package using same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960056094A KR19980037349A (en) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | High heat emission lead frame and semiconductor chip package using same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR19980037349A true KR19980037349A (en) | 1998-08-05 |
Family
ID=66321459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960056094A KR19980037349A (en) | 1996-11-21 | 1996-11-21 | High heat emission lead frame and semiconductor chip package using same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19980037349A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030085444A (en) * | 2002-04-30 | 2003-11-05 | 세미텍 주식회사 | Semiconductor package |
| KR100421033B1 (en) * | 2000-11-22 | 2004-03-04 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | Power package with high thermal transferability |
| KR100548012B1 (en) * | 1998-09-17 | 2006-04-21 | 삼성테크윈 주식회사 | Semiconductor package |
-
1996
- 1996-11-21 KR KR1019960056094A patent/KR19980037349A/en not_active Application Discontinuation
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| KR100548012B1 (en) * | 1998-09-17 | 2006-04-21 | 삼성테크윈 주식회사 | Semiconductor package |
| KR100421033B1 (en) * | 2000-11-22 | 2004-03-04 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | Power package with high thermal transferability |
| KR20030085444A (en) * | 2002-04-30 | 2003-11-05 | 세미텍 주식회사 | Semiconductor package |
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