KR19980036049A

KR19980036049A - Single chamber type chamber of semiconductor cleaning device corresponding to wafer large diameter

Info

Publication number: KR19980036049A
Application number: KR1019960054523A
Authority: KR
Inventors: 조용준; 장규환
Original assignee: 김광호; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1996-11-15
Filing date: 1996-11-15
Publication date: 1998-08-05

Abstract

매엽식 챔버의 프로파일을 개선하여 장비의 크기를 크게 축소시킬 수 있는 반도체 세정 장치의 매엽식 챔버를 개시한다.Disclosed is a single phase chamber of a semiconductor cleaning device capable of improving the profile of the single layer chamber to significantly reduce the size of the equipment.

반도체 세정을 위하여 스핀 스크루버(scrubber) 공정과 습식 딥핑(DIPPING) 공정 그리고 드라이까지 하나의 챔버에서 진행 할 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 세정 장치의 매엽식 챔버(Chamber)를 제공한다.In order to clean the semiconductor, there is provided a single chamber chamber of a semiconductor cleaning apparatus, wherein the spin scrubber process, the wet dipping process, and the dry process can be performed in one chamber.

상기 스쿠루버와 스핀 프로세싱 부에는 화학물질을 분사할 수 있는 분사 노즐과 이를 린싱하여 줄 수 있는 샤워 노즐을 장착한다.The scuba lever and the spin processing unit are equipped with a spray nozzle for injecting chemicals and a shower nozzle for rinsing it.

따라서 본 발명에 따르면, 매엽식 챔버를 이용하는 반도체 소자 제조 공정에 있어서, 매엽식 챔버의 프로파일을 개선하여 장비의 크기를 크게 축소시킬 수 있는 반도체 세정 장치의 매엽식 챔버를 실현할 수 있다.Therefore, according to the present invention, in the semiconductor device manufacturing process using the sheet type chamber, it is possible to realize the sheet type chamber of the semiconductor cleaning apparatus which can greatly reduce the size of the equipment by improving the profile of the sheet type chamber.

Description

Single chamber type chamber of semiconductor cleaning device corresponding to wafer large diameter

본 발명은 반도체 세정 장치의 매엽식 챔버(Chamber)에 관한 것으로, 특히 반도체 웨이퍼의 대구경화에 대응한 매엽 공정의 반도체 세정 장치의 매엽식 챔버(Chamber)에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a single chamber chamber of a semiconductor cleaning apparatus, and more particularly, to a single chamber chamber of a semiconductor cleaning apparatus in a sheet process corresponding to large diameter of a semiconductor wafer.

현재 반도체 장치의 고집적화에 따른 디자인 룰의 감소는 본 반도체 업계에서는 매우 중요한 사안이다. 하지만 디자인 룰이 미세화된다고 해도 칩 크기가 필연적으로 커지고 있는 것이 지금의 실정이므로 이에따라 현재의 6 웨이퍼당 만들어 낼 수 있는 칩의 개수가 적어지게 되고 생산성 및 수율 관점에서 웨이퍼의 대구경화가 필요한 것이 사실이다. 하지만 습식(wet) 장비의 경우 이에 따른 장비의 크기가 한정적이므로 이러한 관점에서 새로운 개념이 도입되지 않으면 안되는 실정이다.The reduction of design rules due to the high integration of semiconductor devices is a very important issue in the semiconductor industry. However, even if the design rules are miniaturized, the size of the chips is inevitably increasing, which means that the number of chips that can be produced per six wafers is reduced and the wafer size needs to be large in terms of productivity and yield. . However, in the case of wet equipment, the size of the equipment is limited, so a new concept must be introduced in this respect.

따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 매엽식 챔버의 프로파일을 개선하여 장비의 크기를 크게 축소시킬 수 있는 반도체 세정 장치의 매엽식 챔버를 제공하는 것이다.Accordingly, the technical problem to be achieved by the present invention is to provide a single wafer type chamber of a semiconductor cleaning device capable of greatly reducing the size of equipment by improving the profile of the single sheet type chamber.

도 1은 본 발명에 의한 반도체 세정 장치의 매엽식 챔버를 나타낸 구조도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a structural diagram showing a sheet type chamber of a semiconductor cleaning apparatus according to the present invention.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings

1 ... PVA 브러쉬3 ... 나이론 브러쉬1 ... PVA Brush 3 ... Nylon Brush

5 ... 스핀 프로세싱 부 7,13 ... 화학물질 분사 노즐5 ... spin processing part 7, 13 ... chemical spray nozzle

9 ... 샤워 노즐11 ... 웨이퍼 홀딩 아암9 ... shower nozzle 11 ... wafer holding arm

15... 캐리어17 ... DI공급 노즐15 ... Carrier 17 ... DI supply nozzle

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명은, 반도체 세정을 위하여 스핀 스크루버(scrubber) 공정과 습식 딥핑(DIPPING) 공정 그리고 드라이까지 하나의 챔버에서 진행 할 수 있는 것을 특징으로하는 반도체 세정 장치의 매엽식 챔버(Chamber)를 제공한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention is a single wafer type semiconductor cleaning device, characterized in that the process can be carried out in one chamber from the spin scrubber process, the wet dipping process and the dry for the semiconductor cleaning Provide a chamber.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 의한 반도체 세정 장치의 매엽식 챔버(Chamber)를 나타낸 구조도이다.1 is a structural diagram showing a single chamber chamber of a semiconductor cleaning apparatus according to the present invention.

참조 번호 1은 PVA 브러쉬, 3은 나이론 브러쉬, 5는 스핀 프로세싱 부, 7과 13은 화학물질 분사 노즐, 9는 샤워 노즐, 11은 웨이퍼 홀딩 아암, 15는 캐리어, 17은 DI 공급 노즐을 나타낸다.Reference numeral 1 denotes a PVA brush, 3 a nylon brush, 5 a spin processing section, 7 and 13 a chemical spray nozzle, 9 a shower nozzle, 11 a wafer holding arm, 15 a carrier, and 17 a DI supply nozzle.

본 발명은 웨이퍼가 대구경화함에도 장비를 축소할 수 있도록 하기 위하여 고안한 장비이다. 그 주된 내용은 우선 습식(wet)공정에서 염두해야 하는 파티클 제거 관점인데 파티클을 물리적으로 제거시킬 수 있는 것과 화학반응에 의해서 제거 할 수 있는 것으로 구분하여 이를 조합하였으며 챔버내에 고정된 캐리어에 웨이퍼를 고정시킨 후 모든 세정을 하나의 챔버안에서 진행할 수 있도록 하였다. 이렇게 함으로써 장비의 크기를 크게 축소시킬 수 있게 된다.The present invention is a device designed to reduce the equipment even when the wafer is large diameter. Its main contents are the particle removal aspects that should be considered in the wet process first. The particles can be separated physically and chemically and can be combined. The wafer is fixed to the carrier fixed in the chamber. After all the cleaning was allowed to proceed in one chamber. This will greatly reduce the size of the equipment.

좀더 구체적으로 설명하면, 본 발명은 웨이퍼내의 물리적으로 제거할 수 있는 파티클을 제거하기 위하여 기존의 스핀 스크루버(scrubber:1,3,5)를 응용하였다. 우선 스크루빙하는 브러쉬의 재질에는 PVA, 모에어, 나이론 등이 있는데 웨이퍼의 앞면의 경우 비교적 부드러운 재질의 PVA 브러쉬(1)를 이용하여 클리닝을 한 후 웨이퍼를 수평하게 회전시켜 뒷면의 경우 털끝이 딱딱하지만 세정력이 뛰어난 나이론 재질의 브러쉬(3)로 세정을하여 물리적 파티클을 제거한다. 이때 제거력을 향상시키기 위해서 주변에 여러개의 화학 노즐(chemical nozzle:7)을 만들어 화학 물질을 선택적으로 분사할 수 있게 하였다.More specifically, the present invention applies the conventional spin screwers (scrubber 1, 3, 5) to remove the physically removable particles in the wafer. First of all, the material of the brush to be scrubbed is PVA, mo air, nylon, etc. In the case of the front side of the wafer, the cleaning is done using a relatively soft PVA brush (1). However, it is cleaned with a nylon brush (3), which has excellent cleaning power, to remove physical particles. At this time, in order to improve the removal force, several chemical nozzles (chemical nozzles 7) were created in the vicinity to selectively spray chemicals.

이렇게 매엽식으로 진행된 웨이퍼들이 웨이퍼 고정 아암(ARM:11)이 90도 회전하면서 챔버 내의 고정된 캐리어(15)에 놓이게 되고 선택된 화학 주입(chemical injection)에서 분사된 화학 물질(7)이 챔버내로 유입되어 프로세스가 진행되게 한다. 이후 화학물질 처리가 완료된 후 핫-이온제거수(hot-DI) 노즐(17)에서 뿜어져 나오는 핫-이온제거수(DI)에 의해서 챔버는 이온제거수로 오우버 플로우되고 드레인되면서 샤우워로 화학 물질을 린싱하여 준다. 이렇게 프로세스가 모두 진행된 후 챔버를 클리닝하여 주기 위해 샤우워를 하여 준다.These single wafers are placed in a fixed carrier 15 in the chamber while the wafer holding arm (ARM) 11 is rotated 90 degrees and the chemicals 7 injected from the selected chemical injection flow into the chamber. To allow the process to proceed. After the chemical treatment is completed, the chamber is overflowed and drained to the shower by hot-ion removal water (DI) discharged from the hot-DI nozzle (17). Rinse the chemicals. After all the processes are done, a shower is provided to clean the chamber.

이후, 습식 처리를 모두 마친 후 슬로우(slow) 드레인을 하면서 챔버 윗부분의 노즐(13)에서 분사되는 IPA 또는 메탈론 등의 알코올(ALCOHOL)류의 증기를 분사하여 웨이퍼와 이온제거수의 표면장력을 줄여주어 원할 하기 드라이 해주게 된다. 이렇게 드라이 공정을 마친 웨이퍼는 도면상의 화살표 방향으로 옮겨져 언 로딩(unload) 하게 한다.Then, after the wet treatment is completed, the surface tension of the wafer and the ion removal water is injected by spraying the vapor of alcohol (ALCOHOL), such as IPA or metallon, which is injected from the nozzle 13 in the upper part of the chamber while performing a slow drain. Reduce the dryness to do what you want. The wafer after the dry process is moved in the direction of the arrow on the drawing to be unloaded.

이상, 본 발명은 상술한 실시예들에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 많은 변형이 가능함은 명백하다.As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and it is apparent that many modifications are possible by those skilled in the art within the technical spirit of the present invention.

Claims

Single wafer chamber of a semiconductor cleaning device, characterized in that can proceed in a single chamber, such as a spin scrubber process, a wet dipping process and a dry for cleaning the semiconductor.

The single chamber type chamber of a semiconductor cleaning apparatus according to claim 1, wherein the scuba lever and the spin processing unit are equipped with a spray nozzle for injecting chemicals and a shower nozzle for rinsing it.