KR19980035680A - Address converter circuit - Google Patents

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    • G06F12/1027Address translation using associative or pseudo-associative address translation means, e.g. translation look-aside buffer [TLB]

Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야1. TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION

마이크로프로세서의 어드레스 변환기 회로.Address converter circuit of the microprocessor.

2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제2. The technical problem to be solved by the invention

마이크로프로세서에서, 짧은 시간에 비교 어드레스를 물리적 어드레스로 변환시켜, 캐쉬 액세스(Cache Access)를 1 CPU 사이클에 가능하게 함.In a microprocessor, the comparison address is translated into a physical address in a short time, enabling cache access in one CPU cycle.

3. 발명의 해결방법의 요지3. Summary of Solution to Invention

마이크로프로세서의 어드레스 변환기 회로에 있어서, 비교 어드레스 저장 구조로서 4개의 캠 셀 어레이로 구성된 태그 웨이 블록과 4개의 엔트리 비교 블록으로 이루어진 태그 블록, 비교 어드레스의 하위 3비트를 디코딩하는 디코더 블록, 물리적 어드레스(데이터 어드레스) 저장구조로서 4개의 8*20 에스램 셀 어레이로 구성된 에스램 셀 어레이 블록과, 20비트 물리적 어드레스를 출력하는 프리차지 먹스 블록으로 이루어진 데이터 블록을 포함하는 어드레스 변환기 회로를 제공함.An address converter circuit of a microprocessor, comprising: a tag way block composed of four cam cell arrays and a tag block composed of four entry comparison blocks as a comparison address storage structure, a decoder block for decoding the lower 3 bits of the comparison address, and a physical address ( Data address) storage structure comprising an SRAM cell array block consisting of four 8 * 20 SRAM cell arrays and a data block consisting of a precharge mux block for outputting a 20 bit physical address.

4. 발명의 중요한 용도4. Important uses of the invention

본 발명은 메모리 관리의 페이징 어드레스 모드(Paging Address Mode)를 지원하는 마이크로프로세서에서, 짧은 시간에 비교 어드레스를 물리적 어드레스로 변환시켜, 캐쉬 액세스(Cache Access)를 1 CPU 사이클에 가능하게 하는 회로로 사용됨.In the present invention, a microprocessor supporting a paging address mode of memory management is used as a circuit that converts a comparative address into a physical address in a short time, thereby enabling cache access in one CPU cycle. .

Description

어드레스 변환기 회로Address converter circuit

본 발명은 마이크로프로세서의 어드레스 변환기 회로에 관한 것으로 특히, 메모리 관리(Memory Management)중 페이징 어드레스 모드(Paging Address Mode)를 지원하는 마이크로프로세서에서, 비교 어드레스(Linear Address)를 물리적 어드레스(Physical Address)로 변환하는 어드레스 변환기 회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an address converter circuit of a microprocessor. In particular, in a microprocessor which supports a paging address mode during memory management, a linear address is converted into a physical address. The address converter circuit for converting.

도 1 은 종래의 기술로 구현한 4 웨이 세트 연합 32 엔트리 변환기(4 Way Set Associative 32 Entry Translator) 회로에 관한 도면이다. 도면을 참조하면, 종래의 4 웨이 세트 연합 32 엔트리 변환기는 비교 어드레스(101) 저장 구조인 4개의 에스램 셀 어레이 블록으로 된 태그 웨이 블록(120)과 4개의 센스 앰프 및 비교 블록(130)으로 이루어진 태그 블록(180), 비교 어드레스(101)의 하위 3비트(103)를 디코딩하는 디코더 블록(140), 물리적 어드레스(데이터 어드레스) 저장구조로서 4개의 8*20 에스램 셀 어레이로 구성된 에스램 셀 어레이 블록(110)과, 20비트 물리적 어드레스를 출력하는 프리차지 먹스 블록(150)으로 이루어진 데이터 블록(190)을 포함한다. 상기 태그 블록(Tag Block)(180)은 비교 어드레스(101)의 최상위 17비트(102)를 저장하는 4개의 에스램 셀 어레이 블록(SRAM Cell Array Block)인 태그 웨이 블록(120)으로 구성되었으며, 웨이마다 8 엔트리(워드)씩 4 블록으로 나뉘고, 4개의 센스 앰프 비교 블록(130)을 포함한다. 데이터 블록(Data Block)(190)은 20비트 물리적 어드레스를 저장하는 에스램 셀 어레이 블록(110)과 데이터 먹스 블록(150)을 포함한다.1 is a diagram of a 4 way set associative 32 entry translator circuit implemented in the prior art. Referring to the drawings, a conventional 4-way set federated 32 entry converter is composed of a tag way block 120 of four SRAM cell array blocks and four sense amplifiers and a comparison block 130 of a comparison address 101 storage structure. SRAM consisting of four 8 * 20 SRAM cell arrays as a tag block 180, a decoder block 140 for decoding the lower 3 bits 103 of the comparison address 101, and a physical address (data address) storage structure. And a data block 190 including a cell array block 110 and a precharge mux block 150 for outputting a 20-bit physical address. The tag block 180 is composed of a tag way block 120 that is four SRAM cell array blocks that store the most significant 17 bits 102 of the comparison address 101. Each way is divided into four blocks of eight entries (words) and includes four sense amplifier comparison blocks 130. The data block 190 includes an SRAM cell array block 110 and a data mux block 150 that store a 20-bit physical address.

비교 어드레스의 하위 3비트(103)는 태그 웨이 블록(120) 안의 엔트리 8개중 하나를 선택하기 위해, 디코더 블록(Decoder Block)(140)에서 리드(Read), 라이트(Write) 신호가 인에이블(Enable)(141)되면, Tag_word[7:0](146, 147, 148, 149), Data_word[7:0](144)를 만들어 태그 블록(180)과 데이터 블록(190)으로 전송한다. 태그 블록(180)의 각 태그 웨이 블록(120)은 디코더 블록(140)으로부터 전달되는 Tag_word[7:0](146, 147, 148, 149) 중 하나의 인에이블 신호에 의해 해당 엔트리(워드)의 17비트 데이터를 센스 앰프 및 비교 블록(Sense Amplifier Compare Block)(130)에 전달하고, 비교 어드레스의 최상위 17비트(102)와 각 블록의 센스 앰프 및 비교 블록(130)에서 17비트를 비교하여, 모든 비트가 같으면 Way_Hit[4:1](139) 신호를 만들어 데이터 블록(190)으로 전달한다.The lower 3 bits 103 of the comparison address are used to enable read and write signals in the decoder block 140 to select one of the eight entries in the tag way block 120. 141, Tag_word [7: 0] (146, 147, 148, 149) and Data_word [7: 0] 144 are created and transmitted to the tag block 180 and the data block 190. Each tag way block 120 of the tag block 180 is a corresponding entry (word) by an enable signal of one of Tag_word [7: 0] (146, 147, 148, 149) transmitted from the decoder block 140. 17 bits of data are passed to the sense amplifier and comparison block 130, and the 17 bits of the sense amplifier and the comparison block 130 of each block are compared with the most significant 17 bits 102 of the comparison address. If all bits are the same, the Way_Hit [4: 1] 139 signal is generated and transmitted to the data block 190.

태그 블록(180)에서 전달되는 Way_Hit[4:1](139) 신호는 데이터_먹스 블록(Data_Mux Block)(150)으로 전달되며, 디코더 블록(140)에서 전달되는 Data_Word[7:0](144)에 의해 읽혀진 80비트 데이터중 20비트의 물리적 어드레스를 선택하는 용도로 사용한다.The Way_Hit [4: 1] (139) signal transmitted from the tag block 180 is transmitted to the Data_Mux Block 150 and the Data_Word [7: 0] (144) transmitted from the decoder block 140. Used to select 20-bit physical address from 80-bit data read by).

이와 같은 구조는 3비트 디코더(140)의 결과에 의한 Tag_Word[7:0](146, 147, 148, 149)에 의해 태그 블록(180)을 리드하고 결과를 비교 어드레스 최상위 17비트와 비교하여 Way_Hit[4:1](139)를 만들어 데이터 먹스 블록(150)의 선택 신호로 사용하는 단계를 가지며, 변환기의 액세스 시간이 빠르지 못한 이유가 된다. 또한 각 태그 웨이 블록(120)별로 센스 앰프 및 비교 블록(130)을 가지므로 변환기의 전체 면적이 커지며, 파워(Power)소모가 많은 단점이 있다.This structure reads the tag block 180 by Tag_Word [7: 0] (146, 147, 148, 149) as a result of the 3-bit decoder 140 and compares the result with the most significant 17 bits of the comparison address to Way_Hit. [4: 1] 139, which is used as a selection signal of the data mux block 150, is a reason why the access time of the converter is not fast. In addition, since each tag way block 120 has a sense amplifier and a comparison block 130, the total area of the converter is increased, and power consumption is disadvantageous.

본 발명의 기술적 과제는, 메모리 관리의 페이징 어드레스 모드(Paging Address Mode)를 지원하는 마이크로프로세서에서, 짧은 시간에 비교 어드레스를 물리적 어드레스로 변환시켜, 캐쉬 액세스(Cache Access)를 1 CPU 사이클에 가능하게 함으로써 마이크로프로세서의 성능을 향상시키는 역할을 하는 회로를 제공하는데 있다.The technical problem of the present invention is that in a microprocessor supporting a paging address mode of memory management, a comparative address is converted into a physical address in a short time, thereby enabling cache access in one CPU cycle. By providing a circuit that serves to improve the performance of the microprocessor.

도 1 은 종래의 4 웨이 세트 연합 32 엔트리 변환기 회로에 관한 도면.1 is a diagram of a conventional four way set federated 32 entry converter circuit.

도 2 는 본 발명에 따른 4 웨이 세트 연합 32 엔트리 변환기 회로에 관한 도면.2 is a diagram of a four way set federated 32 entry converter circuit in accordance with the present invention;

도 3 은 본 발명에 따른 엔트리 비교 블록 회로에 관한 도면.3 is a diagram of an entry comparison block circuit according to the present invention;

도 4 는 본 발명에 따른 프리차지 먹스 회로에 관한 도면.4 is a diagram of a precharge mux circuit according to the present invention.

도 5 는 본 발명에 따른 2 포트 액세스 어드레스 변환기 회로에 관한 도면.5 is a diagram of a two port access address translator circuit in accordance with the present invention;

도 6 은 본 발명에 따른 2 포트 액세스 캠 셀 회로에 관한 도면.6 illustrates a two port access cam cell circuit in accordance with the present invention.

도 7 은 본 발명에 따른 2 포트 액세스 에스램 셀 회로에 관한 도면.7 illustrates a two port access SRAM cell circuit in accordance with the present invention.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명은,The present invention for achieving the above object,

마이크로프로세서의 어드레스 변환기 회로에 있어서, 8*17비트 캠(CAM:Contents Addressable Memory) 셀 어레이인 태그 웨이 블록과, 4개의 엔트리 비교 블록으로 구성된 태그 블록; 비교 어드레스 하위 3비트를 디코딩하는 디코더 블록; 및 4개의 8*20비트 에스램 셀 어레이로 구성된 에스램 셀 어레이 블록과, 각 엔트리 비교 블록에서 나오는 신호를 사용하여 4개의 데이터 블록중 하나를 선택하여 물리적 어드레스를 출력하는 프리차지 먹스 블록으로 구성된 데이터 블록을 포함하여 이루어진 4 웨이 세트 연합 어드레스 변환기 회로를 제공하는 것이다.An address converter circuit of a microprocessor, comprising: a tag block comprising a tag way block, which is an 8 * 17 bit CAM (Contents Addressable Memory) cell array, and a four entry comparison block; A decoder block for decoding the lower three bits of the comparison address; And a precharge mux block configured to output a physical address by selecting one of four data blocks using a signal from each entry comparison block and an SRAM cell array block including four 8 * 20 bit SRAM cell arrays. It is to provide a four-way set federated address translator circuit comprising a data block.

상기 4 웨이 세트 연합 어드레스 변환기를 구현하는 방법으로 비교 어드레스 저장 구조인 태그 웨이 블록을 캠 셀 어레이로 구현하고, 물리적 어드레스(데이터 어드레스) 저장구조인 에스램 셀 어레이 블록을 8*20비트 에스램 셀 어레이로 구현하는 어드레스 변환기 회로를 제공한다.The 4-way set federated address translator implements a tag way block, which is a comparison address storage structure, as a cam cell array, and an 8 * 20-bit SRAM cell, which is a physical address (data address) storage structure. An address translator circuit is provided that implements an array.

상기 어드레스 변환기에 있어서, 하나의 디코더를 이용하여 디코딩하고 그 결과를 태그 블록과 데이터 블록에서 공통으로 사용하는 구조를 사용한다.In the address translator, a decoder is used to decode using one decoder and use the result in a tag block and a data block in common.

상기 어드레스 변환기에 있어서, 웨이 안의 엔트리를 선택하는 신호인 Tag_Word[7:0]를, 태그 블록과 비교 어드레스 비교 결과인 Tag_Entry_Hit[7:0]에 적용하여, 디코딩과 태그 액세스를 병행하게 처리하는 구조를 사용한다.In the address translator, Tag_Word [7: 0], which is a signal for selecting an entry in a way, is applied to Tag_Entry_Hit [7: 0], which is a result of comparing a tag block and a comparison address, to simultaneously perform decoding and tag access. Use

상기 어드레스 변환기에 있어서, 태그 비교 결과인 Tag_Entry_Hit[7:0]와 디코딩 결과인 Tag_Word[7:0]을 논리 앤드하고 그 결과를 논리 오아하여 Way_Hit[4:1]를 만드는 엔트리 비교 블록 회로를 포함한다.The address translator includes an entry comparison block circuit for logic ANDing Tag_Entry_Hit [7: 0] as a tag comparison result and Tag_Word [7: 0] as a decoding result, and logic Way to generate the Way_Hit [4: 1]. do.

상기 어드레스 변환기에 있어서, 엔트리 비교 블록의 출력인 Way_Hit[4:1] 신호 정보로 에스램 셀 어레이 블록의 80 비트 리드 데이터에서 20비트 데이터 어드레스(물리적 어드레스)를 선택하는 프리차지 먹스 블록 회로를 포함한다.The address converter includes a precharge mux block circuit for selecting a 20-bit data address (physical address) from the 80-bit read data of the SRAM cell array block as Way_Hit [4: 1] signal information that is an output of the entry comparison block. do.

멀티_포트 액세스 4 웨이 세트 연합 어드레스 변환기 회로에 있어서,A multi-port access four way set federated address translator circuit,

8*17비트 캠 셀 어레이 4개로 구성된 태그 웨이 블록과, 8개의 엔트리 비교 블록으로 구성된 태그 블록; X_비교 어드레스와 Y_비교 어드레스 하위 3비트를 디코딩하는 디코더 블록; 4개의 8*20비트 에스램 셀 어레이로 구성된 에스램 셀 어레이 블록과, 각 엔트리 비교 블록에서 나오는 신호를 사용하여 4개의 데이터 블록중 하나를 선택하여 X_포트 물리적 어드레스와 Y_포트 물리적 어드레스를 출력하는 2개의 프리차지 먹스 블록으로 구성된 데이터 블록을 포함하는 것을 특징으로 한다.A tag block consisting of four 8 * 17 bit cam cell arrays and a tag block consisting of eight entry comparison blocks; A decoder block for decoding the lower 3 bits of the X_ comparison address and the Y_ comparison address; The SRAM cell array block, which consists of four 8 * 20-bit SRAM cell arrays, and the signal from each entry comparison block are used to select one of the four data blocks to select the X_port physical address and the Y_port physical address. And a data block consisting of two precharge mux blocks to be output.

상기 비교 어드레스 저장 구조인 태그 블록을 멀티 포트 액세스 캠 셀 어레이로 구현하고, 물리적 어드레스(데이터 어드레스) 저장구조인 에스램 셀 어레이 블록을 멀티_포트 액세스 에스램 셀 어레이로 구현하는 어드레스 변환기 회로를 제공한다.Provides an address converter circuit for implementing the tag block, the comparison address storage structure, into a multi-port access cam cell array, and implementing the SRAM cell array block, the physical address (data address) storage structure, into a multi-port access SRAM cell array. do.

상기 멀티_포트 액세스 4 웨이 셀 연합 어드레스 변환기에 있어서, 각 포트마다 하나의 디코더를 이용하여, 디코딩하고 그 결과를 태그 블록과 데이터 블록에서 공통으로 사용하는 구조를 사용한다.In the multi-port access 4-way cell federated address translator, a decoder is used for each port to decode and use the result in the tag block and the data block in common.

상기 멀티_포트 액세스 4 웨이 셀 연합 어드레스 변환기에 있어서, 웨이 안의 엔트리를 선택하는 Tag_Word[7:0]를 태그 블록의 비교 어드레스 비교 결과인 Tag_Entry_Hit[7:0]에 적용하여, 디코딩과 태그 액세스를 병행하게 처리하는 구조를 사용한다.In the multi-port access four-way cell federated address translator, Tag_Word [7: 0], which selects an entry in a way, is applied to Tag_Entry_Hit [7: 0], which is a comparison address comparison result of a tag block, for decoding and tag access. Use a parallel process.

상기 멀티_포트 액세스 4 웨이 셀 연합 어드레스 변환기에 있어서, 태그 비교 결과인 Tag_Entry_Hit[7:0]와 디코딩 결과인 Tag_Word[7:0]를 논리 앤드하고, 그 결과를 논리 오아하여 Way_Hit[4:1]를 만드는 엔트리 비교 블록을 사용한다.In the multi-port access four-way cell federated address translator, a logic AND of Tag_Entry_Hit [7: 0], which is a tag comparison result, and Tag_Word [7: 0], which is a decoding result, are logically divided into Way_Hit [4: 1. Use an entry comparison block to construct].

상기 멀티_포트 액세스 4 웨이 셀 연합 어드레스 변환기에 있어서, 엔트리 비교 블록의 출력인 Way_Hit[4:1] 신호 정보로 에스램 셀 어레이 블록의 80비트 리드 데이터에서 20비트 데이터 어드레스(물리적 어드레스)를 선택하는 프리차지 먹스 블록을 사용한다.In the multi-port access 4-way cell federated address translator, a 20-bit data address (physical address) is selected from 80-bit read data of an SRAM cell array block as Way_Hit [4: 1] signal information that is an output of an entry comparison block. Use precharge mux blocks.

따라서, 본 발명에 따르면 메모리 관리의 페이징 어드레스 모드(Paging Address Mode)를 지원하는 마이크로프로세서에서, 짧은 시간에 비교 어드레스를 물리적 어드레스로 변환시켜, 캐쉬 액세스(Cache Access)를 1 CPU 사이클에 가능하게 함으로써 마이크로프로세서의 성능을 향상시킬 수 있다.Accordingly, according to the present invention, in a microprocessor supporting a paging address mode of memory management, by converting a comparison address into a physical address in a short time, enabling cache access in one CPU cycle It can improve the performance of the microprocessor.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described the present invention in more detail.

도 2 는 본 발명에 따른 4 웨이 세트 연합 32 엔트리 변환기 회로에 관한 도면이다. 도면을 참조하면, 4웨이 세트 연합 32 엔트리 변환기 회로는, 8*17비트 캠(CAM:Contents Addressable Memory) 셀 어레이인 태그 웨이 블록(220) 4개와, 4개의 엔트리 비교 블록(260)으로 구성된 태그 블록(280); 비교 어드레스(201) 하위 3비트(203)를 디코딩하는 디코더 블록(140); 4개의 8*20비트 에스램 셀 어레이로 구성된 에스램 셀 어레이 블록(210)과, 각 엔트리 비교 블록(260)에서 나오는 신호를 사용하여 4개의 에스램 셀 어레이 블록(210)중 하나를 선택하여 20비트 물리적 어드레스(275)를 출력하는 프리차지 먹스 블록(270)으로 구성된 데이터 블록(290)을 포함한다.2 is a diagram of a four way set federated 32 entry converter circuit in accordance with the present invention. Referring to the drawings, a four-way set federated 32 entry converter circuit comprises a tag consisting of four tag way blocks 220, which are an 8 * 17 bit CAM (Contents Addressable Memory) cell array, and four entry comparison blocks 260. Block 280; A decoder block 140 for decoding the lower three bits 203 of the comparison address 201; SRAM cell array block 210 consisting of four 8 * 20-bit SRAM cell arrays and one of four SRAM cell array blocks 210 are selected using signals from each entry comparison block 260. And a data block 290 consisting of a precharge mux block 270 that outputs a 20 bit physical address 275.

상기 태그 블록(280)은 비교 어드레스(201)의 최상위 17비트(202)를 저장하는 8*17 비트 캠 셀 어레이인 태그 웨이 블록(220)과, 엔트리_비교 블록(260) 4개씩을 사용하여 구현하였다. 디코더 블록(240)은 4 웨이, 32 엔트리를 구현하기 위해 3 비트 디코딩이 필요하므로 비교 어드레스(201)의 하위 3비트(203)를 디코딩하는 디코더로, Tag_Word[7:0](246), Data_Word[7:0](244)을 만들어 태그 블록(280)의 엔트리_비교 블록(260)과 데이터 블록(290)의 에스램 셀 어레이 블록(210)으로 전달한다.The tag block 280 uses a tag way block 220, which is an 8 * 17 bit cam cell array that stores the most significant 17 bits 202 of the comparison address 201, and four entry_comparison blocks 260, respectively. Implemented. The decoder block 240 is a decoder that decodes the lower 3 bits 203 of the comparison address 201 because 3 bits decoding is required to implement 4 way, 32 entries. Tag_Word [7: 0] (246), Data_Word [7: 0] 244 is created and transmitted to the entry_comparison block 260 of the tag block 280 and the SRAM cell array block 210 of the data block 290.

상기 태그 블록(280)의 각 태그 웨이 블록(220)에서는 디코더 블록(240)에서 Tag_Word[7:0](246), Data_Word[7:0](244)를 만드는 동안 비교 어드레스 최상위 17 비트(202)를 모든 엔트리의 캠 셀 내용과 비교하여 Tag_Entry_Hit[7:0](221)을 각각 만들어 엔트리_비교 블록(260)에 전달한다. 태그 블록(280)의 각 엔트리_비교 블록(260)은 디코더 블록(240)에서 오는 Tag_Word[7:0](246)와 해당 태그 웨이 블록(220)에서 오는 Tag_Entry_Hit[7:0](221) 신호를 논리 앤드(Logical AND)하고 그 결과를 논리 오아(Logical OR)하여 Way_Hit[4:1](269) 신호를 만들어, 20개의 프리차지 먹스 블록(270)에 공통으로 전달한다.In each tag way block 220 of the tag block 280, the comparison address most significant 17 bits 202 while creating the Tag_Word [7: 0] 246 and the Data_Word [7: 0] 244 in the decoder block 240. ) Is compared with the cam cell contents of all entries, and each Tag_Entry_Hit [7: 0] 221 is created and transmitted to the entry_comparison block 260. Each entry_comparison block 260 of the tag block 280 is a Tag_Word [7: 0] 246 coming from the decoder block 240 and a Tag_Entry_Hit [7: 0] 221 coming from the corresponding tag way block 220. The signal is logically ANDed and the result is logically ORed to generate a Way_Hit [4: 1] (269) signal, which is commonly transmitted to 20 precharge mux blocks 270.

상기 태그 블록(280)에서 비교 어드레스(201)를 이용하여 Way_Hit[4:1](269)를 만드는 동안 데이터 블록(290)의 각 에스램 셀 어레이 블록(210)은 디코더(240)로부터 Data_Word[7:0](244) 신호를 받아 해당되는 워드 데이터를 읽어 각각 20 비트를 20개의 프리차지 먹스 블록(270)에 한 비트씩 보낸다. 각 프리차지 먹스 블록(270)은 태그 블록(280)의 엔트리 비교 블록(260)에서 오는 Way_Hit[4:1](269) 선택 신호를 사용하여 에스램 셀 어레이 블록(210)에서 오는 4 비트 데이터 중 한 비트를 선택하며, 20개의 프리차지 먹스 블록(270)의 출력 20 비트는 어드레스 변환기의 출력인 물리적 어드레스(275)가 된다.While creating Way_Hit [4: 1] 269 using the comparison address 201 in the tag block 280, each SRAM cell array block 210 of the data block 290 is assigned a Data_Word [ 7: 0] (244) is read, and the corresponding word data is read and 20 bits are sent to each of 20 precharge mux blocks 270. Each precharge mux block 270 uses 4-way data from the entry comparison block 260 of the tag block 280 to select 4-bit data from the SRAM cell array block 210 using the Way_Hit [4: 1] (269) selection signal. One bit is selected, and the output 20 bits of the 20 precharge mux blocks 270 become the physical address 275 which is the output of the address translator.

도 3 은 본 발명에 따른 엔트리 비교 블록 회로에 관한 도면이다. 도면을 참조하면, 엔트리 비교 블록 회로는 소정의 NMOS 트랜지스터들(309, 370, 371, 372, 373, 374, 375, 376, 377, 380, 381, 382, 383, 384, 385, 386, 387)과 인버터(353, 354)로 구성된다. 상기 엔트리_비교 블록 회로의 NMOS 트랜지스터들은 상기 도 2의 디코더 블록(도 2의 240)에서 오는 Tag_Word[7:0](도 3의 346)와 해당 태그 웨이 블록(도 2의 220)에서 오는 Tag_Entry_Hit[7:0](도 3의 321) 신호를 논리 앤드(Logical AND)하고 그 결과를 논리 오아(Logical OR)하여 Way_Hit[4:1](361) 신호를 만들어, 도 2에서의 프리차지 먹스 블록(도 2의 270)에 공통으로 전달한다.3 is a diagram of an entry comparison block circuit according to the present invention. Referring to the drawings, the entry comparison block circuit includes predetermined NMOS transistors 309, 370, 371, 372, 373, 374, 375, 376, 377, 380, 381, 382, 383, 384, 385, 386, 387. And inverters 353 and 354. The NMOS transistors of the entry-comparison block circuit are Tag_Word [7: 0] (346 in FIG. 3) coming from the decoder block (240 in FIG. 2) of FIG. 2 and Tag_Entry_Hit coming from the corresponding tag way block (220 in FIG. 2). Logically AND the [7: 0] (321 in FIG. 3) signal and perform a logical OR on the result to produce a Way_Hit [4: 1] (361) signal, and the precharge mux in FIG. Common to block 270 of FIG. 2.

도 4 는 본 발명에 따른 프리차지 먹스 회로에 관한 도면이다. 도면을 참조하면, 프리차지 먹스 회로는 소정의 NMOS 트랜지스터들(409, 471, 472, 473, 474, 481, 482, 483, 484)과 인버터(453, 454)등으로 구성된다. 프리차지 먹스 회로는 상기 태그 블록(도 2의 280)의 엔트리 비교 블록(도 2의 260)에서 오는 Way_Hit[4:1](469) 선택 신호를 사용하여 상기 에스램 셀 어레이 블록(도 2의 210)에서 오는 4 비트 데이터인 Read_Data[4:1](468) 중 한 비트를 선택하며, 이러한 프리차지 먹스 20개로 구성된 상기 프리차지 먹스 블록(도 2의 270)의 출력 20 비트는 어드레스 변환기의 출력인 물리적 어드레스(도 2의 275)가 된다.4 is a diagram of a precharge mux circuit according to the present invention. Referring to the drawings, the precharge mux circuit is composed of predetermined NMOS transistors 409, 471, 472, 473, 474, 481, 482, 483, 484, inverters 453, 454, and the like. The precharge mux circuit uses the Way_Hit [4: 1] 469 select signal from the entry comparison block (260 of FIG. 2) of the tag block (280 of FIG. 2) to select the SRAM cell array block (FIG. 2). Selects one bit of the four-bit data Read_Data [4: 1] 468 from 210, and the output 20 bits of the precharge mux block 270 of FIG. This is the output physical address (275 in FIG. 2).

본 발명에 따른 어드레스 변환기에 데이터를 라이트할 때는 비교 어드레스와 해당 물리적 어드레스, 라이트 웨이(Write Way) 선택 정보를 갖고 있는 웨이_선택[1:0] 신호(도 2의 242)가 필요하며, 웨이_선택[1:0] 신호(도 2의 242)는 어드레스 변환기 제어 블록(Address Translator Control Block)의 LRU 블록으로부터 전달된다. 본 발명에서는 비교 어드레스 하위 3비트(도 2의 203)를 디코딩하여 Tag_Word[7:0](도 2의 246), Data_Word[7:0](도 2의 244)을 디코더 블록(도 2의 240)에서 만들고, 웨이_선택[1:0] 신호(도 2의 242)도 디코더 블록(도 2의 240)에서 디코딩하여 Write_Way[4:1]를 만들어 태그 블록에서는 Tag_Word[7:0]과 Write_Way[4:1]을 이용하여 해당되는 32 엔트리 중 하나에 비교 어드레스 17 비트를 라이트하고, 데이터 블록에서는 Data_Word[7:0]와 Write_Way[4:1]을 이용하여 해당되는 32 엔트리중 하나에 물리적 어드레스 20 비트를 라이트한다.When writing data to the address translator according to the present invention, a way_select [1: 0] signal (242 in FIG. 2) having a comparison address, a corresponding physical address, and write way selection information is required. The selection [1: 0] signal (242 in FIG. 2) is delivered from the LRU block of the Address Translator Control Block. In the present invention, the lower three bits of the comparison address (203 in FIG. 2) are decoded to decode Tag_Word [7: 0] (246 in FIG. 2) and Data_Word [7: 0] (244 in FIG. 2) into a decoder block (240 in FIG. 2). ), And the way_select [1: 0] signal (242 in FIG. 2) is also decoded in the decoder block (240 in FIG. 2) to create Write_Way [4: 1]. In the tag block, Tag_Word [7: 0] and Write_Way [4: 1] is used to write the comparison address 17 bits to one of the corresponding 32 entries, and in the data block, data_Word [7: 0] and Write_Way [4: 1] are used to physically write to one of the 32 entries. Write address 20 bits.

본 발명에서 구현된 어드레스 변환기를 이용하여 멀티_포트 액세스 어드레스 변환기(Multi_Port Access Address Translator)를 구현할 수 있으며, 도 5 는 본 발명에 따른 2 포트 액세스 어드레스 변환기 회로에 관한 도면이다.The Multi_Port Access Address Translator may be implemented using the address translator implemented in the present invention, and FIG. 5 is a diagram of a two-port access address translator circuit according to the present invention.

도면을 참조하면, 8*17비트 캠 셀 어레이인 4개의 태그 웨이 블록(520)과, 8개의 엔트리 비교 블록(561, 562)으로 구성된 태그 블록(580); X_비교 어드레스(501)와 Y_비교 어드레스(502) 하위 3비트(505, 506)를 디코딩하는 디코더 블록(540); 4개의 8*20비트 에스램 셀 어레이로 구성된 에스램 셀 어레이 블록(510)과, 각 엔트리 비교 블록(561, 562)에서 나오는 신호를 사용하여 4개의 에스램 셀 어레이 블록(510)중 하나를 선택하여 X_포트 물리적 어드레스(577)와 Y_포트 물리적 어드레스(578)를 출력하는 2개의 프리차지 먹스 블록(571, 572)으로 구성된 데이터 블록(590)을 포함한다.Referring to the drawings, a tag block 580 consisting of four tag way blocks 520, which are an 8 * 17 bit cam cell array, and eight entry comparison blocks 561, 562; A decoder block 540 for decoding the lower 3 bits 505 and 506 of the X_comparison address 501 and the Y_comparison address 502; An SRAM cell array block 510 composed of four 8 * 20-bit SRAM cell arrays and a signal from each entry comparison block 561, 562 are used to select one of the four SRAM cell array blocks 510. And a data block 590 consisting of two precharge mux blocks 571 and 572 that selectively select to output an X_port physical address 577 and a Y_port physical address 578.

상기 2 포트 어드레스 변환기는, 펜티엄(Pentium)급 이상의 마이크로프로세서에서 2개의 데이터 물리적 어드레스(Operand Physical Address)를 요구하는데, 이 요구를 충족시키는 어드레스 변환기이다.The two-port address translator requires two data physical addresses from a Pentium or higher microprocessor, and is an address translator that satisfies this requirement.

도 6 은 본 발명에 따른 2 포트 캠 셀 회로에 관한 도면이다. 도 7 은 본 발명에 따른 2 포트 에스램 셀 회로에 관한 도면이다. 도면을 참조하면, 상기 태그 블록(도 5의 580)은 도 6에서 보인 캠 셀을 이용한 4개의 8*17 비트 캠 셀 어레이 블록인 태그 웨이 블록(520)과 8개의 엔트리 비교 블록(561, 562)으로 구성된다.6 is a diagram of a two-port cam cell circuit in accordance with the present invention. 7 is a diagram of a two port SRAM cell circuit according to the present invention. Referring to the drawings, the tag block 580 of FIG. 5 includes four 8 * 17 bit cam cell array blocks using a cam cell shown in FIG. 6, a tag way block 520, and eight entry comparison blocks 561 and 562. It is composed of

상기 데이터 블록(590)은 도 7에서 보인 에스램 셀을 이용한 4개의 8*20비트 에스램 셀 어레이 블록(510)과 2개의 프리차지 먹스 블록(571, 572)으로 구성된다.The data block 590 includes four 8 * 20 bit SRAM cell array blocks 510 and two precharge mux blocks 571 and 572 using the SRAM cells shown in FIG. 7.

상기 디코더 블록(540)은 2개의 X, Y 비교 어드레스(501, 502)로부터 각각의 하위 3비트(505, 506)를 디코딩하여 X_Tag_Word[7:0](547)와, Y_Tag_Word[7:0](548), X-Data_Word[7:0](545), Y_Data_Wore[7:0](546)을 만들어 내며, 웨이_선택[1:0] 신호(542)을 디코딩하여 Write_Way[4:1]을 만들어, X_비교 어드레스와 X_물리적 어드레스를 태그 블록(580)과 데이터 블록(590)에 라이트할 때 어느 웨이에 라이트할지를 결정하게 한다.The decoder block 540 decodes the lower three bits 505 and 506 from the two X and Y comparison addresses 501 and 502, respectively, to X_Tag_Word [7: 0] (547) and Y_Tag_Word [7: 0]. (548), X-Data_Word [7: 0] (545), Y_Data_Wore [7: 0] (546), and decode the way_select [1: 0] signal 542 to write_Way [4: 1] To determine which way to write the X_comparison address and the X_physical address to the tag block 580 and the data block 590.

2포트 어드레스 변환기는 라이트 오퍼레이션 시간에 X_포트를 이용하여 라이트하며, 리드 오퍼레이션 시간은 X_포트, Y_포트가 병행하여 본 발명에서 구현한 신호 포트 어드레스 변환기와 같이 동작하게 된다.The two-port address translator writes using the X_port at the write operation time, and the read operation time operates in the same manner as the signal port address translator implemented in the present invention in parallel with the X_port and the Y_port.

본 발명이 상기 실시 예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상적 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 명백하다.The present invention is not limited to the above embodiments, and it is apparent that many modifications are possible by those skilled in the art within the technical spirit of the present invention.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 마이크로프로세서에서 사용되는 어드레스 변환기 회로에서, 태그 블록을 캠으로 구현하여 엔트리 디코딩과 캠 액세스를 병행 처리하여 Way_Hit 신호를 빠르게 구하는 구조를 사용하여 어드레스 변환기의 액세스 시간을 빠르게 하였으며, 태그의 각 블록에 센스 앰프를 사용하지 않아 칩 면적을 줄이고, 파워 소모를 줄이는 효과를 얻었으며, 또한 엔트리 선택 블록과 프리차지 먹스 블록 등의 회로를 개발하여 어드레스 변환기의 면적을 적게 하고, 액세스 시간을 빠르게 하였다.As described above, according to the present invention, in the address converter circuit used in a microprocessor, an access time of the address converter is determined by using a structure in which a tag block is implemented as a cam to simultaneously process entry decoding and cam access to quickly obtain a Way_Hit signal. In addition, the chip area and power consumption are reduced by not using a sense amplifier in each block of the tag. Also, circuits such as an entry selection block and a precharge mux block are developed to reduce the area of the address translator. , Faster access time.

Claims (13)

4 웨이 세트 연합 어드레스 변환기 회로에 있어서,In a four way set federated address translator circuit, 소정 개수의 캠 셀 어레이인 태그 웨이 블록과, 엔트리 비교 블록을 구비한 태그 블록;A tag block including a tag way block that is a predetermined number of cam cell arrays and an entry comparison block; 비교 어드레스 하위 3비트를 디코딩하는 디코더 블록; 및A decoder block for decoding the lower three bits of the comparison address; And 소정 개수의 에스램 셀 어레이로 구성된 에스램 셀 어레이 블록과, 상기 엔트리 비교 블록 각각에서 나오는 신호를 사용하여 상기 에스램 셀 어레이 블록중 하나를 선택하여 물리적 어드레스를 출력하는 프리차지 먹스 블록을 구비한 데이터 블록을 포함하여 이루어진 4 웨이 세트 연합 어드레스 변환기 회로.And a precharge mux block configured to output a physical address by selecting one of the SRAM cell array blocks by using a signal from each of the entry comparison blocks. 4 way set federated address translator circuit comprising data blocks. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 태그 웨이 블록은 비교 어드레스 저장 구조로서 8*17 비트 캠 셀 어레이로 구현한 것을 특징으로 하는 4 웨이 세트 연합 어드레스 변환기 회로.And the tag way block is implemented as an 8 * 17 bit cam cell array as a comparison address storage structure. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 에스램 셀 어레이 블록은 물리적 어드레스 저장구조로서 8*20비트 에스램 셀 어레이로 구현하는 것을 특징으로 하는 4 웨이 세트 연합 어드레스 변환기 회로.And the SRAM cell array block is implemented as an 8 * 20 bit SRAM cell array as a physical address storage structure. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 디코더는 하나의 디코더를 이용하여 디코딩하고 그 결과를 태그 블록과 데이터 블록에서 공통으로 사용하는 것을 특징으로 하는 4 웨이 세트 연합 어드레스 변환기 회로.And said decoder decodes using one decoder and uses the result in common in a tag block and a data block. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 엔트리 비교 블록 안의 엔트리를 선택하는 신호를 태그 블록의 비교 어드레스 비교 결과인 신호에 적용하여, 디코딩과 태그 액세스를 병행하게 처리하는 것을 특징으로 하는 4 웨이 세트 연합 어드레스 변환기 회로.And decode and tag access in parallel by applying a signal for selecting an entry in the entry comparison block to a signal that is the result of the comparison address comparison of the tag block. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 엔트리 비교 블록은 디코더 블록에서 오는 신호와 상기 태그 웨이 블록에서 오는 신호를 논리 앤드하고 그 결과를 논리 오아한 신호를 만들어, 프리차지 먹스 블록에 공통으로 전달하는 것을 특징으로 하는 4 웨이 세트 연합 어드레스 변환기 회로.The entry comparison block logically ANDs the signals coming from the decoder block and the signals coming from the tag way block, and generates a logical elegant signal, and transmits them to the precharge mux block in common. Converter circuit. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 프리차지 먹스 블록 회로는 상기 엔트리 비교 블록의 출력 신호 정보로 에스램 셀 어레이 블록의 다수 비트 리드 데이터에서 소정 비트 물리적 어드레스를 선택하는 것을 특징으로 하는 4 웨이 세트 연합 어드레스 변환기 회로.And the precharge mux block circuit selects a predetermined bit physical address from the multiple bit read data of an SRAM cell array block as output signal information of the entry comparison block. 멀티_포트 액세스 4 웨이 세트 연합 어드레스 변환기 회로에 있어서,A multi-port access four way set federated address translator circuit, 소정 개수의 캠 셀 어레이로 구성된 태그 웨이 블록과, 태그 웨이 블록의 2 배수 개수의 엔트리 비교 블록으로 구성된 태그 블록; X_비교 어드레스와 Y_비교 어드레스 하위 3비트를 디코딩하는 디코더 블록; 소정 개수의 에스램 셀 어레이로 구성된 에스램 셀 어레이 블록과, 각 엔트리 비교 블록에서 나오는 신호를 사용하여 에스램 셀 어레이 블록중 하나를 선택하여 엑스_포트 물리적 어드레스와 와이_포트 물리적 어드레스를 출력하는 2개의 프리차지 먹스 블록으로 구성된 데이터 블록을 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티_포트 액세스 4 웨이 세트 연합 어드레스 변환기 회로.A tag block comprising a tag way block composed of a predetermined number of cam cell arrays, and an entry comparison block having a multiple of two times the tag way block; A decoder block for decoding the lower 3 bits of the X_ comparison address and the Y_ comparison address; A SRAM cell array block composed of a predetermined number of SRAM cell arrays and a signal from each entry comparison block are used to select one of the SRAM cell array blocks to output an X-port physical address and a Y-port physical address. And a multi-port access four way set federated address translator circuit comprising a data block consisting of two precharge mux blocks. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 태그 웨이 블록은 비교 어드레스 저장 구조로서 멀티_포트 액세스 캠 셀 어레이로 구현하고, 상기 에스램 셀 어레이 블록은 물리적 어드레스 저장구조인 멀티_포트 액세스 에스램 셀 어레이로 구현하는 것을 특징으로 하는 멀티_포트 액세스 4 웨이 세트 연합 어드레스 변환기 회로.The tag way block is implemented as a multi-port access cam cell array as a comparison address storage structure, and the SRAM cell array block is implemented as a multi_port access SRAM cell array as a physical address storage structure. Port access 4-way set federated address translator circuit. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 디코더는 각 포트마다 하나의 디코더를 이용하여, 디코딩하고 그 결과를 태그 블록과 데이터 블록에서 공통으로 사용하는 것을 특징으로 하는 멀티_포트 액세스 4 웨이 세트 연합 어드레스 변환기 회로.And the decoder uses one decoder for each port to decode and use the result in common in a tag block and a data block. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 엔트리 비교 블록 안의 엔트리를 선택하는 신호를 태그 블록의 비교 어드레스 비교 결과인 신호에 적용하여, 디코딩과 태그 액세스를 병행하게 처리하는 것을 특징으로 하는 멀티_포트 액세스 4 웨이 세트 연합 어드레스 변환기 회로.And decode and tag access in parallel by applying a signal for selecting an entry in the entry comparison block to a signal that is the result of the comparison address comparison of the tag block. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 엔트리 비교 블록은 디코더 블록에서 오는 신호와 상기 태그 웨이 블록에서 오는 신호를 논리 앤드하고 그 결과를 논리 오아한 신호를 만들어, 프리차지 먹스 블록에 공통으로 전달하는 것을 특징으로 하는 멀티_포트 액세스 4 웨이 세트 연합 어드레스 변환기 회로.The entry comparison block logically ANDs the signals coming from the decoder block and the signals coming from the tag way block, and generates a logical elegant signal and transfers the result to the precharge mux block in common. Way set federated address translator circuit. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 2 개의 프리차지 먹스 블록 회로는 각각 상기 엔트리 비교 블록의 출력 신호 정보로 에스램 셀 어레이 블록의 다수 비트 리드 데이터에서 소정 비트의 엑스_포트 물리적 어드레스와 와이_포트 물리적 어드레스를 선택하는 것을 특징으로 하는 멀티_포트 액세스 4 웨이 세트 연합 어드레스 변환기 회로.Each of the two precharge mux block circuits selects an X_port physical address and a Y_port physical address of a predetermined bit from the multi-bit read data of an SRAM cell array block as output signal information of the entry comparison block. Multi-port access 4-way set federated address translator circuit.
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KR100459728B1 (en) * 2002-10-22 2004-12-03 삼성전자주식회사 High-speed translation lookaside buffer

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