KR19980031092A

KR19980031092A - Wafer Exposure Method

Info

Publication number: KR19980031092A
Application number: KR1019960050623A
Authority: KR
Inventors: 이용석
Original assignee: 김영환; 현대전자산업 주식회사
Priority date: 1996-10-31
Filing date: 1996-10-31
Publication date: 1998-07-25

Abstract

본 발명은 웨이퍼 노광 방법에 관한 것으로, 스테이지의 이동 경로에 기인하는 진동으로 인한 해상력 저하를 방지하기 위하여 웨이퍼의 일측부를 기준으로 일방향으로만 노광 공정이 이루어질 수 있도록 스테이지를 이동시키므로써 소자의 수율이 향상될 수 있는 웨이퍼 노광 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer exposure method, in order to prevent the degradation of the resolution due to vibration caused by the movement path of the stage, the yield of the device is moved by moving the stage so that the exposure process can be performed only in one direction relative to one side of the wafer. A wafer exposure method that can be improved.

Description

Wafer Exposure Method

본 발명은 웨이퍼 노광 방법에 관한 것으로, 특히 스테이지의 진동으로 인한 해상력 저하를 방지하기 위하여 스테이지의 이동 경로를 개선한 웨이퍼 노광 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer exposure method, and more particularly, to a wafer exposure method in which a moving path of a stage is improved to prevent a decrease in resolution due to vibration of the stage.

일반적으로 반도체 소자의 제조 공정에서 웨이퍼상에 소정의 층을 형성한 후 사진(Lithography) 및 식각(Etching) 공정을 실시하여 형성된 층을 패터닝(Patterning)한다. 이때 사진 공정은 패터닝하고자 하는 층의 상부에 감광막을 형성한 후 소정의 마스크(Mask)를 이용하여 상기 감광막을 노광(Exposure)시키고 현상(Develop)시켜 감광막 패턴을 형성하는 과정이고 식각 공정은 상기와 같이 형성된 감광막 패턴을 마스크로 이용하여 하부층의 노출된 부분을 제거하는 과정이다.In general, a predetermined layer is formed on a wafer in a manufacturing process of a semiconductor device, and then a layer formed by lithography and etching is patterned. At this time, the photo process is a process of forming a photoresist pattern by forming a photoresist film on the layer to be patterned and then exposing and developing the photoresist film using a predetermined mask. The exposed portion of the lower layer is removed using the photoresist pattern formed as a mask.

상기 노광 공정은 스탭퍼(STEPPER)라는 노광 장비에서 실시된다. 노광 장비는 웨이퍼가 장착되는 스테이지(Stage)와 빛을 조사하기 위한 광원(Light Source) 사이에 마스크가 위치되도록 구성되는데, 스테이지는 마스크와의 정렬을 위하여 좌우 및 상하로 이동되도록 구성된다. 또한, 스테이지의 이동은 기계적 또는 전자적으로 구성된 구동장치에 의해 이루어지고, 구동장치는 감지장치로부터 출력되는 신호에 의해 제어되는데, 감지장치는 레이저 빔(LASER Beam) 등을 이용하여 스테이지의 이동을 감지할 수 있도록 구성된다. 그러면 상기와 같이 구성된 노광 장비를 이용한 종래의 웨이퍼 노광 방법을 도 1을 통해 설명하기로 한다.The exposure step is carried out in an exposure apparatus called a STEPPER. The exposure apparatus is configured such that a mask is positioned between a stage on which a wafer is mounted and a light source for irradiating light, and the stage is configured to move left and right and up and down for alignment with the mask. In addition, the stage is moved by a mechanical or electronically configured driving device, and the driving device is controlled by a signal output from the sensing device. The sensing device senses the movement of the stage by using a laser beam or the like. Configured to do so. Next, a conventional wafer exposure method using the exposure apparatus configured as described above will be described with reference to FIG. 1.

종래에는 도 1에 도시된 바와 같이 감광막이 형성된 웨이퍼(1)를 노광 장비의 스테이지에 장착시킨 후 상기 웨이퍼(1)가 마스크(도시않됨)와 일치될 수 있도록 상기 스테이지를 이동시킨다. 이때 상기 웨이퍼(1)에 존재하는 다수의 다이(Die)중 첫번째 노광될 다이(2)가 상기 마스크와 중첩되도록 한다. 이후 상기 첫 번째 다이의 노광이 완료되면 상기 스테이지를 이동시켜 상기 마스크와 두 번째 다이가 중첩되도록 한 후 노광을 실시하며 계속해서 이와 같은 동작이 반복 실시되도록 한다. 이와 같이 상기 웨이퍼(1)에 존재하는 다수의 다이(2)가 순차적으로 노광되도록 스테이지의 이동이 이루어진다. 예를 들어 상기 스테이지는 상기 도 1의 화살표(선 A)방향과 같이 상기 웨이퍼(1)의 첫 번째 행의 좌측 첫 번째 다이(2)로부터 우측으로 그리고 두 번째 행의 우측 첫 번째 다이(2)로부터 좌측으로 이동한다. 이와 같은 스테이지의 이동 경로는 스테이지의 이동 거리를 최소화시키므로써 수율을 최대화하려는 목적에 의해 결정되어지지만, 상기 스테이지의 이동이 양방향으로 이루어지기 때문에 스테이지의 방향 전환 및 정지시 웨이퍼에 미세한 진동이 발생된다. 그러므로 이로인한 마스크와 웨이퍼의 오정렬(Misalignment)로 인해 해상력이 저하되는데, 반도체 소자가 고집적화됨에 따라 웨이퍼와 마스크의 정렬 정도에 대한 허용오차의 범위는 더욱 감소되기 때문에 상기와 같은 노광 방법을 이용하는 경우 소자의 수율이 저하된다.Conventionally, as shown in FIG. 1, the wafer 1 on which the photoresist film is formed is mounted on a stage of an exposure apparatus, and then the stage is moved so that the wafer 1 can be matched with a mask (not shown). In this case, the die 2 to be exposed first of the plurality of dies existing in the wafer 1 is overlapped with the mask. Thereafter, when the exposure of the first die is completed, the stage is moved to overlap the mask and the second die, and then the exposure is performed, and the operation is repeatedly performed. As such, the stage is moved to sequentially expose the plurality of dies 2 present in the wafer 1. For example, the stage is to the right from the left first die 2 of the first row of the wafer 1 and to the right first die 2 of the second row as in the direction of the arrow (line A) of FIG. 1. To the left. The movement path of the stage is determined by the purpose of maximizing the yield by minimizing the movement distance of the stage. However, since the movement of the stage is performed in both directions, minute vibration is generated in the wafer during the direction change and stop of the stage. . Therefore, the resolution of the mask and the wafer misalignment (misalignment) is reduced due to this, the tolerance range for the degree of alignment of the wafer and the mask is further reduced as the semiconductor device is highly integrated, so the device using the above exposure method Yield is lowered.

따라서 본 발명은 웨이퍼의 일측부를 기준으로 일방향으로만 노광 공정이 이루어질 수 있도록 스테이지를 이동시키므로써 상기한 단점을 해소할 수 있는 웨이퍼 노광 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a wafer exposure method that can solve the above disadvantages by moving the stage so that the exposure process can be performed only in one direction based on one side of the wafer.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 감광막이 형성된 웨이퍼를 노광 장비의 스테이지에 장착시킨 후 실시하는 웨이퍼 노광 방법에 있어서, 상기 웨이퍼에 존재하는 다수의 다이를 순차적으로 노광시키되, 상기 스테이지가 상기 웨이퍼의 일측부를 기준으로 일방향으로만 이동하도록 하는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object is a wafer exposure method performed after mounting a wafer on which a photosensitive film is formed on a stage of exposure equipment, wherein a plurality of dies present in the wafer are sequentially exposed, the stage is the wafer It characterized in that to move only in one direction based on one side of the.

도 1은 종래의 웨이퍼 노광 방법을 설명하기 위한 웨이퍼의 평면도.1 is a plan view of a wafer for explaining a conventional wafer exposure method.

도 2A 및 도 2B는 본 발명에 따른 웨이퍼 노광 방법을 설명하기 위한 웨이퍼의 평면도.2A and 2B are plan views of a wafer for explaining a wafer exposure method according to the present invention;

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

1 및 3:웨이퍼2 및 4:다이1 and 3: Wafer 2 and 4: Die

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the present invention.

본 발명에 따른 웨이퍼 노광 방법은 먼저, 감광막이 형성된 웨이퍼(3)를 노광 장비의 스테이지에 장착시킨 후 상기 웨이퍼(3)가 마스크(도시않됨)와 일치될 수 있도록 상기 스테이지를 이동시킨다. 이때 상기 웨이퍼(3)에 존재하는 다수의 다이중 첫 번째 노광될 다이(4)가 상기 마스크와 중첩되도록 한다. 이후 상기 첫 번째 다이의 노광이 완료되면 상기 스테이지를 이동시켜 상기 마스크와 두 번째 다이가 중첩되도록 한 후 노광을 실시하며 계속해서 이와 같은 동작이 반복 실시되도록 한다. 이와 같이 상기 웨이퍼(1)에 존재하는 다수의 다이(4)가 순차적으로 노광되도록 스테이지의 이동이 이루어는데, 상기 스테이지는 상기 웨이퍼의 일측부를 기준으로 일방향으로만 이동된다. 예를 들어 상기 도 2A의 화살표(선 B) 방향과 같이 상기 웨이퍼(3)의 첫 번째 행의 좌측 첫 번째 다이(4)로부터 우측으로 이동하며 상기 첫 번째 행에 존재하는 다이(4)를 노광시킨 후 다시 두 번째 행의 좌측 첫 번째 다이(4)로부터 우측으로 이동하며 상기 두 번제 행에 존재하는 다이(4)를 노광시키는 방법으로 상기 웨이퍼(3)에 존재하는 다이(4)를 순차적으로 노광시킨다. 또 다른 예로써, 도 2B의 화살표(선 C) 방향과 같이 웨이퍼(3)의 첫 번째 열 하부의 첫 번째 다이(4)로부터 상부로 이동하며 상기 첫 번째 열에 존재하는 다이(4)를 노광시킨 후 다시 두 번째 열 하부의 첫 번째 다이(4)로부터 상부로 이동하며 상기 두 번째 열에 존재하는 다이(4)를 노광시키는 방법으로 상기 웨이퍼(3)에 존재하는 다이(4)를 순차적으로 노광시킨다.In the wafer exposure method according to the present invention, first, the wafer 3 on which the photosensitive film is formed is mounted on a stage of an exposure apparatus, and then the stage is moved so that the wafer 3 can be matched with a mask (not shown). At this time, the first die 4 to be exposed among the plurality of dies present in the wafer 3 is overlapped with the mask. Thereafter, when the exposure of the first die is completed, the stage is moved to overlap the mask and the second die, and then the exposure is performed, and the operation is repeatedly performed. As such, the stage is moved so that the plurality of dies 4 present in the wafer 1 are sequentially exposed, and the stage is moved only in one direction based on one side of the wafer. For example, as shown by the arrow (line B) of FIG. 2A, the die 4 existing in the first row is exposed by moving from the left first die 4 to the right of the first row of the wafer 3. The die 4 present in the wafer 3 is sequentially moved by moving from the first die 4 on the left side of the second row to the right side and exposing the die 4 present in the second row. It exposes. As another example, as shown in the direction of the arrow (line C) of FIG. 2B, the first die 4 under the first row of the wafer 3 is moved upwards to expose the die 4 present in the first row. Afterwards, the die 4 present in the wafer 3 is sequentially exposed by moving upward from the first die 4 below the second row and exposing the die 4 present in the second row. .

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 웨이퍼의 일측부를 기준으로 일방향으로만 노광 공정이 이루어질 수 있도록 스테이지를 이동시키므로써 스테이지의 이동 경로에 기인하여 발생되는 진동이 최소화된다. 그러므로 고집적 소자의 제조 공정에 적용하는 경우 웨이퍼와 마스크의 정렬 정도가 양호하게 유지되어 해상력 저하가 방지되며, 따라서 소자의 수율 저하가 방지될 수 있는 탁월한 효과가 있다.As described above, according to the present invention, the vibration caused by the movement path of the stage is minimized by moving the stage so that the exposure process can be performed only in one direction based on one side of the wafer. Therefore, when applied to the manufacturing process of the high-density device, the alignment degree of the wafer and the mask is maintained good to prevent the lowering of the resolution, there is an excellent effect that can prevent the lowering of the yield of the device.

Claims

In the wafer exposure method performed after mounting the wafer in which the photosensitive film was formed in the stage of exposure equipment,

Exposing a plurality of dies present in the wafer sequentially, wherein the stage moves in only one direction with respect to one side of the wafer.