KR19980016346A - Control method of grinding thickness - Google Patents

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Abstract

신규한 그라인딩 두께의 제어방법이 개시되어 있다. 그라인더 스핀들에 레이저 프로젝트 및 선형 어레이 탐지기를 부착하고, 상기 레이저 프로젝트로부터의 레이저 조사에 의해 상기 선형 어레이 탐지기가 스핀들의 위치를 탐지함으로써, 그라인딩되는 두께를 직접 제어한다. 웨이퍼 상태에 의존하지 않고 스핀들을 직접 제어함으로써, 웨이퍼가 과도 그라인딩되는 등의 오류 발생률을 현저히 감소시킬 수 있다.A novel grinding thickness control method is disclosed. Attaching a laser project and a linear array detector to the grinder spindle and directly detecting the position of the spindle by the linear array detector by laser irradiation from the laser project. By directly controlling the spindle without depending on the wafer state, the rate of occurrence of errors such as excessive grinding of the wafer can be significantly reduced.

Description

그라인딩 두께의 제어방법Control method of grinding thickness

본 발명은 그라인딩(grinding) 두께의 제어방법에 관한 것으로, 실리콘-온 인슐레이터(silicon on insulator; 이하 SOI라 한다) 웨이퍼 제작방법에 있어서 그라인딩되는 SOI층의 두께를 더욱 미세하게 제어할 수 있는 그라인딩 두께의 제어방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a control method of a grinding thickness, and more particularly, to a grinding method for controlling a thickness of a grinding layer in a method of manufacturing a silicon-on-insulator (hereinafter referred to as SOI) wafer, To a control method of the control unit.

반도체장치의 집적도가 256Mb급 이상으로 고집적화됨에 따라, SOI 기술이 차세대 고집적 기억소자의 핵심기술로 주목받고 있다. SOI 기술은 보다 효과적으로 실리콘기판 상에 형성되는 반도체 소자들을 상호 분리할 수 있으며, 벌크 실리콘 상에 형성된 소자보다 SOI 상에 형성된 소자가 결과적으로 요구하는 공정수가 작고, IC칩 내에 형성된 소자들간에 나타나는 용량성 결합(capacitive coupling)이 줄어드는 잇점이 있다. 이러한 소자를 SOI 소자라고 하는데, 특히 박막의 SOI 소자는 쇼트-채널 효과(short channel effect)의 감소, 서브-스레쉬홀드 스윙(subthreshold swing)의 향상, 높은 이동도(mobility), 및 핫-캐리어 효과(hot carrier effect)의 감소 등 기존의 벌크 소자에 비해 월등한 특성을 갖는다.As the degree of integration of semiconductor devices is higher than 256Mb level, SOI technology is attracting attention as a core technology of next generation high density integrated memory devices. SOI technology can isolate semiconductor devices formed on a silicon substrate from each other more effectively, and the number of processes required as a result of devices formed on SOI is smaller than that of devices formed on bulk silicon, and the capacity This has the advantage of reducing capacitive coupling. Such a device is called an SOI device. In particular, a SOI device of a thin film has a short channel effect, an improvement of a subthreshold swing, a high mobility, And a reduction in hot carrier effect.

SOI 기술에 사용되는 SOI 웨이퍼는 실리콘기판 상에 산화막 및 실리콘층 (이를 SOI 층이라 한다) 적층되어 이루어지며, 이때 상기 SOI 층의 두께 균일성 확보가 후속공정 진행의 기본 전제조건이 되고 있고 소자의 특성에 주요한 이슈가 되고 있다. SOI 웨이퍼의 제작방법은 여러 가지가 제시되어 있는데, 현재 가장 많이 채택되고 있는 방식은 산화막이 형성되어 있는 두 매의 웨이퍼를 본딩한 후 한쪽 웨이퍼의 이면(backside)을 그라인딩하여 수 |Lm 정도의 SOI 층 (즉, 실리콘층)을 남긴 후 이를 폴리싱(polishing), 예컨대 화학기계적 폴리싱(chemical mechanical polishing; 이하 CMP라 한다)하여 최종적인 SOI 웨이퍼를 얻는다. 상술한 방식에서 이면 그라인딩 공정후에 남게되는 SOI 층의 두께는 후속 CMP 공정의 처리능력량(throughput) 뿐만 아니라 SOI 층의 전체두께 변화에도 영향을 미치게 된다. 따라서, 가능한 한 얇은 SOI 층을 남겨야만 공정 처리능력량 향상과 균일한 SOI 층의 확보가 가능해진다.The SOI wafer used in the SOI technology is formed by stacking an oxide layer and a silicon layer (referred to as an SOI layer) on a silicon substrate. At this time, securing the thickness uniformity of the SOI layer is a basic precondition for the progress of the subsequent process, It is becoming a major issue in character. There are various methods of manufacturing SOI wafers. Currently, the most widely adopted method is to bond two wafers formed with an oxide film and then grind the backside of one wafer to form SOI After leaving the layer (i.e., the silicon layer), it is polished, for example, by chemical mechanical polishing (CMP) to obtain a final SOI wafer. In the above-described method, the thickness of the SOI layer remaining after the backside grinding process affects not only the throughput of the subsequent CMP process but also the entire thickness variation of the SOI layer. Therefore, if the SOI layer as thin as possible is left, it is possible to improve the processing capacity and secure a uniform SOI layer.

도 1은 종래방법에 의한 그라인딩 두께 제어방법을 설명하기 위한 개략도이다. 여기서, 참조부호 1은 스핀들(spindle), 2는 그라인딩 휠, 3은 웨이퍼 로딩 척, 4는 턴-테이블, 5은 게이지(gauge), 5a는 웨이퍼 상의 게이지, 5b는 턴-테이블 상의 게이지를 각각 나타낸다.1 is a schematic view for explaining a grinding thickness control method according to a conventional method. Reference numeral 1 denotes a spindle, 2 denotes a grinding wheel, 3 denotes a wafer loading chuck, 4 denotes a turn-table, 5 denotes a gauge, 5a denotes a gauge on the wafer, and 5b denotes a gauge on the turn- .

도 1을 참조하면, 종래의 이면 그라인더에 의한 두께 제어방식은, 회전하고 있는 턴-테이블(4)과 그라인딩되고 있는 웨이퍼 위에 두 개의 게이지(5; 5a,5b)를 위치시켜 그 차이를 읽어 그라인딩하고자 하는 두께의 입력값에 게이징한 값이 도달하면 그라인딩을 멈추는 것이다.Referring to FIG. 1, in the conventional thickness control method using a back grinder, two gauges 5 (5a, 5b) are placed on a rotating turn table 4 and a wafer being ground, When the gaging value reaches the input value of the desired thickness, the grinding is stopped.

이러한 종래방법은 4|Lm 정도 이하의 SOI 층의 확보에 한계를 보이고 있는데, 이는 다음과 같은 문제점들이 있기 때문이다.This conventional method has a limitation in securing an SOI layer of about 4 Lm or less because there are the following problems.

첫째, 인-시튜(in-situ) 게이지의 측정이 1|Lm 단위로 이루어지기 때문에 자체 오차가 ±0.5|Lm이다.First, since in-situ gauge measurements are made in units of 1 | Lm, their error is ± 0.5 | Lm.

둘째, 턴-테이블(4)과 웨이퍼에 게이지(5)가 직접 로딩되기 때문에, 정상 작동시에는 냉각수에 의해 형성된 수막으로 웨이퍼에 손상을 주지 않지만 오류 발생시에는 웨이퍼에 게이지 스크래치(scratch)가 생기기도 한다. 발생되는 오류의 주된 원인은 본딩된 웨이퍼에 보이드가 있거나, 웨이퍼와 게이지 사이에 그라인딩되는 도중에 생긴 입자들이 끼었을 경우 등으로 주로 웨이퍼에 의존한 게이징 방식에 기인한 것이다.Second, since the turn table 4 and the gage 5 are directly loaded on the wafer 4, the water film formed by the cooling water does not damage the wafer during normal operation, but when an error occurs, a scratch on the wafer may occur do. The main cause of the errors is due to wafer-dependent gauging methods, such as when voids are present in the bonded wafer or when particles are caught between the wafer and the gauge.

셋째, 게이지(5)가 내부에 있기 때문에 그라인딩되는 도중에 생긴 입자들이 게이지에 영향을 주는 경우도 있다. 또한, 게이지(5)가 온도에 민감하기 때문에 대기상태와 그라인딩 동작시와는 냉각수에 의해 약 3|Lm 정도의 게이징 오차를 보인다.Third, since the gauge (5) is inside, particles generated during grinding may affect the gauge. Further, since the gauge 5 is sensitive to temperature, the cooling water exhibits a gaging error of about 3 [Lambda] m in the standby state and in the grinding operation.

넷째, 스핀들(1), 즉 그라인딩 휠(2)의 위치와 게이지(5)와의 오차가 클 경우, 오류가 발생하여 웨이퍼에 손상을 주기 쉽다.Fourth, when the error between the position of the spindle 1, that is, the grinding wheel 2, and the gauge 5 is large, an error occurs and the wafer is easily damaged.

다섯째, 스핀들(1)은 자체 게이지가 없고 그리인딩되고 있는 웨이퍼의 두께 게이징 값의 피드백에 의하여 휠(2) 위치의 제어가 이루어지기 때문에, 스핀들(1)과 게이지(5)를 일치시키기 위해 캘리브레이션(calibration)을 두 번에 걸쳐 따로 시행하여야 한다.Fifth, since the spindle 1 has no self-gauge and control of the position of the wheel 2 is performed by feedback of the thickness gauging value of the wafer being drawn, the spindle 1 and the gauge 5 are matched The calibration must be performed separately in two separate runs.

본 발명의 목적은 상술한 종래방법의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 선형 어레이 탐지기(linear array detector)를 부착하여 그라인더 스핀들의 구동을 직접 제어할 수 있는 그라인딩 두께의 제어방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a control method of a grinding thickness capable of directly controlling the driving of a grinder spindle by attaching a linear array detector.

도 1은 종래방법에 의한 그라인딩 두께 제어방법을 설명하기 위한 개략도.1 is a schematic view for explaining a grinding thickness control method according to a conventional method;

도 2는 본 발명에 의한 그라인딩 두께 제어방법을 설명하기 위한 개략도.2 is a schematic view for explaining a grinding thickness control method according to the present invention;

도 3은 본 발명에 사용되는 레이저 프로젝트의 상세도.3 is a detailed view of the laser project used in the present invention.

도면의 주요부분에 대한 부호의 설명DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS

1 ... 스핀들2 ... 그라인딩 휠1 ... spindle 2 ... grinding wheel

3 ... 웨이퍼 로딩 척4 ... 턴-테이블3 ... Wafer loading chuck 4 ... Turn-table

5 ... 웨이퍼 두께 제어용 게이지5 ... Gauges for wafer thickness control

6 ... 레이저 프로젝트7 ... 선형 어레이 탐지기6 ... Laser Project 7 ... Linear Array Detector

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 그라인더 스핀들에 레이저 프로젝트 및 선형 어레이 탐지기를 부착하고, 상기 레이저 프로젝트로부터의 레이저 조사에 의해 상기 선형 어레이 탐지기가 스핀들의 위치를 탐지함으로써, 그라인딩되는 두께를 직접 제어하는 것을 특징으로 하는 그라인딩 두께의 제어방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method for controlling a grinding apparatus, which comprises attaching a laser project and a linear array detector to a grinder spindle, and detecting the position of the spindle by the laser beam from the laser project, The grinding thickness control method comprising:

상기 선형 어레이 탐지기는 상기 스핀들의 운동방향에 평행하게 부착한다.The linear array detector attaches parallel to the direction of motion of the spindle.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 의한 그라인딩 두께 제어방법을 설명하기 위한 개략도이다. 도 3은 본 발명에서 사용되는 레이저 프로젝트(laser project)의 상세도이다. 여기서, 참조부호 1은 스핀들, 2는 그라인딩 휠, 3은 웨이퍼 로딩 척, 4는 턴-테이블, 6은 레이저 프로젝트, 6a는 배터리, 6b는 레이저 다이오드, 6c는 렌즈, 그리고 7은 선형 어레이 탐지기를 각각 나타낸다.2 is a schematic view for explaining a grinding thickness control method according to the present invention. 3 is a detailed view of a laser project used in the present invention. In this case, reference numeral 1 denotes a spindle, 2 denotes a grinding wheel, 3 denotes a wafer loading chuck, 4 denotes a turn-table, 6 denotes a laser project, 6a denotes a battery, 6b denotes a laser diode, 6c denotes a lens, Respectively.

도 2를 참조하면, 본 발명에 의한 그라인딩 두께 제어방식은, 그라인딩을 하는 휠(2), 즉 스핀들(1)에 레이저 프로젝트(6)를 직접 설치하고, 주 제어기(main controller)(도시되지 않음)에 연결된 선형 어레이 탐지기(7)를 상기 스핀들(1)의 운동방향에 평행하게 부착함으로써 스핀들(1)의 구동을 제어하는 것이다. 즉, 종래의 웨이퍼를 게이징하여 두께를 제어하는 방식에서 스핀들(1)의 위치를 게이징하는 방식으로 전환하였다.2, the grinding thickness control method according to the present invention is characterized in that the grinding wheel 2, that is, the laser project 6 is directly mounted on the spindle 1, and a main controller (not shown) ) Of the linear array detector 7 connected in parallel to the direction of motion of the spindle 1 to control the driving of the spindle 1. That is, in the conventional method of gauging the wafer and controlling the thickness, the position of the spindle 1 is switched to the method of gauging.

구체적으로, 그라인딩할 웨이퍼를 턴-테이블(4)에 로딩한 후 원하는 두께를 주 제어기에 입력하면, 스핀들(1)이 하향 운동을 하면서 웨이퍼가 그라인딩된다. 이때, 상기 스핀들(1)에 부착된 레이저 프로젝트(6)에서 주사된 광신호를 선형 어레이 탐지기(7)가 감지하여 전기신호로 전환시켜 주 제어기로 전달한다. 상기 선형 어레이 탐지기(7)의 각 셀에 도달된 레이저의 강도를 계산하여 스핀들(1)의 위치를 탐지하게 되고, 원하는 그라인딩 두께에서 스핀들(1)이 하향 운동을 멈추게 된다.Specifically, after loading the wafer to be ground into the turn-table 4 and inputting a desired thickness to the main controller, the wafer is grinded while the spindle 1 moves downward. At this time, the linear array detector 7 detects the optical signal scanned by the laser project 6 attached to the spindle 1, converts the optical signal into an electrical signal, and transmits the electrical signal to the main controller. The intensity of the laser reached in each cell of the linear array detector 7 is calculated to detect the position of the spindle 1 and the downward motion of the spindle 1 at the desired grinding thickness is stopped.

상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 종래의 그리인딩되는 웨이퍼에 의존하여 두께를 제어하는 방식이 아니라, 그라인더 스핀들에 선형 어레이 탐지기를 부착하고 레이저 조사에 의해 스핀들의 위치를 제어한다. 따라서, 그라인딩을 하고 있는 스핀들을 직접 제어하기 때문에, 웨이퍼가 과도 그라인딩되는 등의 오류 발생률을 현저히 감소시킬 수 있으며, 웨이퍼 상태에 의해 미스-게이징되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 캘리브레이션이 한 번에 이루어짐으로써 설비의 보수·유지 측면에서 잇점이 있다.As described above, according to the present invention, a linear array detector is attached to the grinder spindle and the position of the spindle is controlled by laser irradiation, not by a method of controlling the thickness depending on the conventional drawn wafer. Therefore, since the spindle undergoing grinding is directly controlled, the rate of occurrence of errors such as excessive grinding of the wafer can be remarkably reduced, and mis-gaging due to the wafer state can be prevented. In addition, since the calibration is performed at one time, there is an advantage in maintenance and maintenance of the equipment.

더욱이, 선형 어레이 탐지기의 칩-세트(chip-set) 집적도에 따라 현재 |Lm 단위로 제어되고 있는 그라인딩 두께를 그 이하 단위까지 조절할 수 있다. 따라서, 이면 그라인딩 공정에서 남겨지는 SOI 층의 두께를 현재보다 감소시킬 수 있으므로, 후속 CMP 공정의 처리능력량을 향상시킬 수 있고 균일한 SOI 층을 얻을 수 있다.Furthermore, the grinding thickness, which is currently controlled in units of Lm, can be adjusted to sub-units according to the chip-set integration of the linear array detector. Therefore, the thickness of the SOI layer left in the backside grinding process can be reduced more than the present, so that the processing capacity of the subsequent CMP process can be improved and a uniform SOI layer can be obtained.

본 발명이 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 기술적 사상내에서 당분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 명백하다.It is apparent that the present invention is not limited to the above embodiments, and many modifications are possible within the technical scope of the present invention by those skilled in the art.

Claims (2)

그라인더 스핀들에 레이저 프로젝트 및 선형 어레이 탐지기를 부착하고,Attach the laser project and linear array detector to the grinder spindle, 상기 레이저 프로젝트로부터의 레이저 조사에 의해 상기 선형 어레이 탐지기가 스핀들의 위치를 탐지함으로써, 그라인딩되는 두께를 직접 제어하는 것을 특징으로 하는 그라인딩 두께의 제어방법.Wherein the linear array detector detects the position of the spindle by laser irradiation from the laser project to directly control the thickness to be ground. 제1항에 있어서, 상기 선형 어레이 탐지기는 상기 스핀들의 운동방향에 평행하게 부착하는 것을 특징으로 하는 그라인딩 두께의 제어방법.The method of claim 1, wherein the linear array detector is attached parallel to the direction of motion of the spindle.
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