KR102692584B1 - Perovskite Photovolatic Cell and Method for Fabricating the Same - Google Patents

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Abstract

페로브스카이트 태양전지는 제1 베리어층, 제1 베리어층에 결합하는 제1 투명 전극층, 제1 투명 전극층에 결합하는 전자 수송층, 전자 수송층에 결합하고 광 입사 방향에 집광 어레이를 구비하는 광 흡수층, 광 흡수층에 결합하는 정공 수송층, 정공 수송층에 결합하는 제2 투명 전극층, 제2 투명 전극층에 결합하는 제2 베리어층을 포함한다.A perovskite solar cell includes a first barrier layer, a first transparent electrode layer bonded to the first barrier layer, an electron transport layer bonded to the first transparent electrode layer, and a light absorption layer bonded to the electron transport layer and having a light-collecting array in the light incident direction. , a hole transport layer bonded to the light absorption layer, a second transparent electrode layer bonded to the hole transport layer, and a second barrier layer bonded to the second transparent electrode layer.

Description

페로브스카이트 태양전지 및 그 제조방법{Perovskite Photovolatic Cell and Method for Fabricating the Same}Perovskite solar cell and method for manufacturing the same {Perovskite Photovolatic Cell and Method for Fabricating the Same}

본 발명은 페로브스카이트 태양전지에 관한 것으로, 상세하게는 광 흡수층의 광 흡수율을 높여 태양전지 효율을 높이고, 아울러 투과율도 개선할 수 있는, 페로브스카이트 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to perovskite solar cells, and more specifically, to a perovskite solar cell and a method of manufacturing the same, which can increase solar cell efficiency by increasing the light absorption rate of the light absorption layer and also improve transmittance. .

페로브스카이트 태양전지는 페로브스스카이트 구조를 갖는 광 흡수층을 이용하여 태양 에너지를 전기 에너지로 변환하는 전지로, 저렴한 비용과 제조 공정의 용이성을 바탕으로, 박막형 소자, 대면적 소자, 유연성(flexible) 소자 등의 제조에 널리 이용되고 있다.Perovskite solar cells are cells that convert solar energy into electrical energy using a light absorption layer with a perovskite structure. Based on low cost and ease of manufacturing process, they are used in thin-film devices, large-area devices, and flexibility ( It is widely used in the manufacture of flexible devices.

페로브스카이트 태양전지는 일반적으로 투명 기판, 투명 전극층, 전자 수송층, 광 흡수층, 정공 수송층, 금속 전극층 등을 순차적으로 적층하여 구성하고 있다. Perovskite solar cells are generally constructed by sequentially stacking a transparent substrate, a transparent electrode layer, an electron transport layer, a light absorption layer, a hole transport layer, and a metal electrode layer.

페로브스카이트 태양전지의 제조 공정을 보면, 기판을 준비하는 단계, 기판 상에 투명 전극층을 형성하는 단계, 투명 전극층 상에 전자 수송층을 형성하는 단계, 전자 수송층 상에 페로브스스카이트 구조를 갖는 광 흡수층을 형성하는 단계, 광 흡수층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계, 정공 수송층 상에 금속 전극층을 형성하는 단계 등을 포함할 수 있다.Looking at the manufacturing process of a perovskite solar cell, it includes preparing a substrate, forming a transparent electrode layer on the substrate, forming an electron transport layer on the transparent electrode layer, and having a perovskite structure on the electron transport layer. It may include forming a light absorption layer, forming a hole transport layer on the light absorption layer, forming a metal electrode layer on the hole transport layer, etc.

그런데, 종래의 페로브스카이트 태양전지에서, 광 흡수층은 양쪽 면이 평평한 구조를 가지고 있는데, 이러한 평면 형상의 광 흡수층으로는 태양전지 효율을 극대화하는 데 한계가 있다.However, in a conventional perovskite solar cell, the light absorption layer has a structure where both sides are flat, and there is a limit to maximizing solar cell efficiency with this planar light absorption layer.

[선행기술문헌][Prior art literature]

한국특허등록 제1686342호(반투명 페로브스카이트 태양전지 및 제조방법)Korean Patent Registration No. 1686342 (Translucent perovskite solar cell and manufacturing method)

본 발명은 종래기술의 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 광 흡수층의 광 흡수율을 높여 태양전지 효율을 높이고, 아울러 투과율도 높일 수 있는, 페로브스카이트 태양전지 및 그 제조방법을 제공하고자 한다.The present invention is intended to solve these problems of the prior art, and seeks to provide a perovskite solar cell and a manufacturing method thereof that can increase solar cell efficiency by increasing the light absorption rate of the light absorption layer and also increase transmittance.

이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 페로브스카이트 태양전지는, 제1 베리어층, 제1 베리어층의 일면에 결합하는 제1 투명 전극층, 제1 투명 전극층에 결합하는 전자 수송층, 전자 수송층에 결합하고 광 입사 방향에 집광 어레이를 구비하는 광 흡수층, 광 흡수층에 결합하는 정공 수송층, 정공 수송층에 결합하는 제2 투명 전극층, 제2 투명 전극층에 결합하는 제2 베리어층 등을 포함하여 구성할 수 있다.The perovskite solar cell of the present invention for achieving this purpose includes a first barrier layer, a first transparent electrode layer bonded to one surface of the first barrier layer, an electron transport layer bonded to the first transparent electrode layer, and a first transparent electrode layer bonded to the electron transport layer. It can be configured to include a light absorption layer having a light-collecting array in the direction of light incidence, a hole transport layer bonded to the light absorption layer, a second transparent electrode layer bonded to the hole transport layer, and a second barrier layer bonded to the second transparent electrode layer. .

본 발명의 페로브스카이트 태양전지에서, 집광 어레이는 곡면 형상을 갖는 다수의 집광 돌출부와 집광 돌출부 사이에 평면으로 형성되는 투광 평면부를 포함할 수 있다.In the perovskite solar cell of the present invention, the light-collecting array may include a plurality of light-collecting protrusions having a curved shape and a light-transmitting plane portion formed as a plane between the light-collecting protrusions.

본 발명의 페로브스카이트 태양전지에서, 집광 돌출부는 500 내지 2,000㎚의 폭으로 구성할 수 있다.In the perovskite solar cell of the present invention, the light-collecting protrusion may have a width of 500 to 2,000 nm.

본 발명의 페로브스카이트 태양전지에서, 집광 돌출부는 100 내지 200㎚의 높이로 구성할 수 있다.In the perovskite solar cell of the present invention, the light-collecting protrusion may be configured to have a height of 100 to 200 nm.

본 발명의 페로브스카이트 태양전지에서, 투광 평면부는 500 내지 2,000㎚의 폭을 가질 수 있다.In the perovskite solar cell of the present invention, the light transmitting plane portion may have a width of 500 to 2,000 nm.

본 발명의 페로브스카이트 태양전지는 제1 베리어층의 타면에 결합하는 제1 보호층을 더 포함할 수 있다.The perovskite solar cell of the present invention may further include a first protective layer bonded to the other surface of the first barrier layer.

본 발명의 페로브스카이트 태양전지는 제2 베리어층에 결합하는 제2 보호층을 더 포함할 수 있다.The perovskite solar cell of the present invention may further include a second protective layer coupled to the second barrier layer.

본 발명의 페로브스카이트 태양전지에서, 제1 베리어층은, 분리층, 분리층에 결합하는 분리 보호층, 및 분리 보호층에 결합하는 제1 투명전극 베리어층을 포함할 수 있다.In the perovskite solar cell of the present invention, the first barrier layer may include a separation layer, a separation protective layer bonded to the separation layer, and a first transparent electrode barrier layer bonded to the separation protective layer.

본 발명에 따른 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법은, 캐리어 기판에 제1 베리어층을 형성하는 단계, 제1 베리어층의 일면에 제1 투명 전극층을 형성하는 단계, 제1 투명 전극층에 전자 수송층을 형성하는 단계, 전자 수송층에 집광 어레이를 갖는 광 흡수층을 형성하는 단계, 광 흡수층에 정공 수송층을 형성하는 단계, 정공 수송층에 제2 투명 전극층을 형성하는 단계, 제2 투명 전극층에 제2 베리어층을 형성하는 단계, 캐리어 기판을 제거하는 단계 등을 포함할 수 있다.The method of manufacturing a perovskite solar cell according to the present invention includes forming a first barrier layer on a carrier substrate, forming a first transparent electrode layer on one side of the first barrier layer, and forming an electron transport layer on the first transparent electrode layer. forming a light absorption layer having a light-collecting array in the electron transport layer, forming a hole transport layer in the light absorption layer, forming a second transparent electrode layer in the hole transport layer, forming a second barrier layer in the second transparent electrode layer. It may include steps of forming, removing the carrier substrate, etc.

본 발명에 따른 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법에서, 광 흡수층 형성 단계는, 전자 수송층에 광 흡수 물질을 코팅하는 단계, 광 흡수 물질을 전 건조하는 단계, 광 흡수 물질을 집광 어레이 대응 형상을 갖는 스탬프로 임프린트하여 광 흡수 물질의 개방면에 곡면 형상을 갖는 다수의 집광 돌출부와 집광 돌출부 사이에 평면으로 형성되는 투광 평면부를 구비하는 집광 어레이를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.In the method of manufacturing a perovskite solar cell according to the present invention, the light absorption layer forming step includes coating the electron transport layer with a light absorption material, pre-drying the light absorption material, and forming the light absorption material into a shape corresponding to a light collection array. It may include forming a light-collecting array having a plurality of light-collecting protrusions having a curved shape on an open surface of the light-absorbing material by imprinting with a stamp having a light-transmitting planar portion formed as a plane between the light-collecting protrusions.

본 발명에 따른 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법에서, 제1 베리어층 형성 단계는, 캐리어 기판에 분리층을 형성하는 단계, 분리층에 분리 보호층을 형성하는 단계, 및 분리 보호층에 제1 투명전극 베리어층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.In the method of manufacturing a perovskite solar cell according to the present invention, the first barrier layer forming step includes forming a separation layer on the carrier substrate, forming a separation protective layer on the separation layer, and forming a separation protective layer on the separation protective layer. 1. It may include forming a transparent electrode barrier layer.

본 발명에 따른 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법에서, 전자 수송층 형성 단계는, 제1 투명 전극층에 전자 전달 물질을 코팅하는 단계, 전자 전달 물질 코팅층에 전자 전달 물질의 나노 입자를 코팅하는 단계, 및 전자 전달 물질의 나노 입자를 용접 또는 소결하여 나노 기공 구조를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.In the method of manufacturing a perovskite solar cell according to the present invention, the step of forming an electron transport layer includes coating an electron transport material on a first transparent electrode layer, coating nanoparticles of an electron transport material on the electron transport material coating layer, And it may include forming a nanopore structure by welding or sintering the nanoparticles of the electron transport material.

본 발명에 따른 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법은 제2 베리어층에 제2 보호층을 결합하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing a perovskite solar cell according to the present invention may further include bonding a second protective layer to the second barrier layer.

본 발명에 따른 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법은 제1 베리어층의 타면에 제1 보호층을 결합하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method of manufacturing a perovskite solar cell according to the present invention may further include bonding a first protective layer to the other surface of the first barrier layer.

이러한 구성을 갖는 본 발명의 페로브스카이트 태양전지 및 그 제조방법에 의하면, 광 흡수층의 광 입사 방향에 곡면 형상을 갖는 다수의 집광 돌출부와 집광 돌출부 사이에 평면으로 형성되는 투광 평면부를 갖는 집광 어레이를 형성함으로써, 광 흡수율을 크게 높일 수 있고, 그 결과 태양전지의 효율을 높일 수 있다. According to the perovskite solar cell of the present invention having such a configuration and its manufacturing method, a light-collecting array having a plurality of light-collecting protrusions having a curved shape in the light incident direction of the light absorption layer and a light-transmitting plane portion formed as a plane between the light-collecting protrusions. By forming, the light absorption rate can be greatly increased, and as a result, the efficiency of the solar cell can be increased.

도 1은 본 발명에 따른 페로브스카이트 태양전지의 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 페로브스카이트 태양전지에서 광 흡수층의 확대도이다.
도 3a~3m은 본 발명에 따른 페로브스카이트 태양전지의 제조방법을 도시하는 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a perovskite solar cell according to the present invention.
Figure 2 is an enlarged view of the light absorption layer in the perovskite solar cell according to the present invention.
3A to 3M are cross-sectional views showing a method of manufacturing a perovskite solar cell according to the present invention.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 페로브스카이트 태양전지의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a perovskite solar cell according to the present invention.

도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 페로브스카이트 태양전지는 제1 보호층(110), 제1 베리어층(120), 제1 투명 전극층(130), 전자 수송층(140), 광 흡수층(150), 정공 수송층(160), 제2 투명 전극층(170), 제2 베리어층(180), 제2 보호층(190) 등으로 구성할 수 있다.As shown in Figure 1, the perovskite solar cell of the present invention includes a first protective layer 110, a first barrier layer 120, a first transparent electrode layer 130, an electron transport layer 140, and a light absorption layer. (150), a hole transport layer 160, a second transparent electrode layer 170, a second barrier layer 180, a second protective layer 190, etc.

제1 보호층(110)은 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성, 방수성 등을 고려하여 적절한 재질을 선택할 수 있는데, 예를들어 유리, 필름 등을 사용할 수도 있으나, 플렉서블 특성을 위해서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리프로필렌(PP), 폴리이미드(PI), 트리아세틸셀룰로오스(TAC) 등의 투명 플라스틱 필름을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 제1 보호층(110)은 선택적으로 추가하여 구비할 수 있다.The first protective layer 110 can be made of an appropriate material considering transparency, surface smoothness, ease of handling, waterproofing, etc. For example, glass, film, etc. may be used, but for flexible properties, polyethylene terephthalate (PET) , it may be desirable to use transparent plastic films such as polyethylene naphthalate (PEN), polypropylene (PP), polyimide (PI), and triacetylcellulose (TAC). The first protective layer 110 can be optionally added.

제1 베리어층(120)은 제1 보호층(110) 상에 형성할 수 있다. 제1 베리어층(120)은 유기막, 무기막 또는 유무기 복합제막으로 구성할 수 있다. 무기막은 SiN 및 SiO 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있고, 유기막은 고밀도 폴리에틸렌, 저밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리카보네이트 등이 있고, 유무기 복합제막은 무기 입자와 고분자의 복합제로 이루어질 수 있다. 무기 입자로는 SiO2, Al2O3, MgO, BaTiO3, ZrO2, ZnO 등이 있다.The first barrier layer 120 may be formed on the first protective layer 110. The first barrier layer 120 may be composed of an organic film, an inorganic film, or an organic-inorganic composite film. The inorganic film may include one or more of SiN and SiO, the organic film includes high-density polyethylene, low-density polyethylene, polypropylene, polyester, polyimide, polycarbonate, etc., and the organic-inorganic composite film is a composite of inorganic particles and polymers. It can be done. Inorganic particles include SiO 2 , Al 2 O 3 , MgO, BaTiO 3 , ZrO 2 , ZnO, etc.

제1 베리어층(120)은 분리층, 분리 보호층을 더 포함할 수 있다. 분리층은 제1 보호층(110) 상에 형성하고, 분리 보호층은 분리층 상에 형성할 수 있다. The first barrier layer 120 may further include a separation layer and a separation protection layer. The separation layer may be formed on the first protective layer 110, and the separation protective layer may be formed on the separation layer.

분리층은 캐리어 기판으로부터 분리하는데 사용하는 것으로, 고분자 유기막, 예를들어 폴리이미드(polyimide), 폴리비닐알코올(poly vinyl alcohol), 폴리아믹산(polyamic acid), 폴리아미드(polyamide), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리스타이렌(polystyrene), 폴리노보넨(polynorbornene), 페닐말레이미드 공중합체(phenylmaleimide copolymer), 폴리아조벤젠(polyazobenzene), 폴리페닐렌프탈아미드(polyphenylenephthalamide), 폴리에스테르(polyester), 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate), 폴리아릴레이트(polyarylate), 신나메이트(cinnamate)계 고분자, 쿠마린(coumarin)계 고분자, 프탈리미딘(phthalimidine)계 고분자, 칼콘(chalcone)계 고분자 및 방향족 아세틸렌계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 사용할 수 있다. The separation layer is used to separate from the carrier substrate and is composed of a polymer organic film, such as polyimide, polyvinyl alcohol, polyamic acid, polyamide, and polyethylene. ), polystyrene, polynorbornene, phenylmaleimide copolymer, polyazobenzene, polyphenylenephthalamide, polyester, polymethyl methacrylate (polymethyl methacrylate), polyarylate, cinnamate-based polymer, coumarin-based polymer, phthalimidine-based polymer, chalcone-based polymer, and aromatic acetylene-based polymer. You can use one or more selected from .

분리 보호층은 분리층 상에 결합하여 분리층을 보호하는 것으로, 유기 절연막으로 구성할 수 있다.The separation protective layer is bonded to the separation layer to protect the separation layer, and may be composed of an organic insulating film.

제1 투명 전극층(130)은 제1 베리어층(120) 상에 형성할 수 있다. 제1 투명 전극층(130)은 태양광 입사 방향에 위치할 수 있다. 제1 투명 전극층(130)은 투명한 재질이면서 전도성이 우수한 재료를 사용하는데, 예를들어 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnOx), 인듐아연주석산화물(IZTO), 주석 산화물(SnOx), 카드뮴주석산화물(CTO) 등과 같은 투명 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 또한, 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 바나듐(V), 철(Fe), 망간(Mn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 아연(Zn), 몰리브덴(Mo), 칼슘(Ca) 등과 같은 금속 또는 이들의 합금(예를 들면, 은-팔라듐-구리(APC)) 을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다. 예를 들면, 제1 투명 전극층(130)은 투명 도전성 산화물 층 및 상술한 금속 또는 합금을 포함하는 금속층의 적층 구조를 가질 수 있다.The first transparent electrode layer 130 can be formed on the first barrier layer 120. The first transparent electrode layer 130 may be located in the direction of incident sunlight. The first transparent electrode layer 130 uses a material that is transparent and has excellent conductivity, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnOx), indium zinc tin oxide (IZTO), It may include transparent conductive oxides such as tin oxide (SnOx) and cadmium tin oxide (CTO). Additionally, silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), chromium (Cr), titanium (Ti), tungsten (W), and niobium (Nb). ), tantalum (Ta), vanadium (V), iron (Fe), manganese (Mn), cobalt (Co), nickel (Ni), zinc (Zn), molybdenum (Mo), calcium (Ca), etc. or It may include alloys thereof (eg, silver-palladium-copper (APC)). These may be used alone or in combination of two or more. For example, the first transparent electrode layer 130 may have a stacked structure of a transparent conductive oxide layer and a metal layer containing the above-described metal or alloy.

일 실시예에 있어서, 제1 투명 전극층(130)은 순차적으로 적층된 제1 투명 도전성 산화물 층, 금속층 및 제2 투명 도전성 산화물층을 포함할 수 있다.In one embodiment, the first transparent electrode layer 130 may include a first transparent conductive oxide layer, a metal layer, and a second transparent conductive oxide layer sequentially stacked.

전자 수송층(140)은 제1 투명 전극층(130) 상에 형성되어 제1 투명 전극층(130)으로 전자를 전달할 수 있다. 전자 수송층(140)은 전자 받개(electron-accepter) 화합물 등을 이용할 수 있는데, 예를들어 티타늄산화물(TiO2), 아연산화물(ZnO) 주석산화물(SnO2), 니켈산화물(NiO) 등을 사용할 수 있다. 전자 수송층(140)은 상측에 나노 기공 구조를 형성하여 그 상부에 결합하거나 광 흡수층(150)의 결합, 기능 발휘 등을 원활하게 할 수 있다. The electron transport layer 140 is formed on the first transparent electrode layer 130 and can transfer electrons to the first transparent electrode layer 130. The electron transport layer 140 may use an electron-accepter compound, such as titanium oxide (TiO 2 ), zinc oxide (ZnO), tin oxide (SnO 2 ), or nickel oxide (NiO). You can. The electron transport layer 140 can form a nano-pore structure on the top of the electron transport layer 140 and can be bonded to the top of the electron transport layer 140 or can facilitate the bond and function of the light absorption layer 150.

광 흡수층(150)은 태양광을 흡수하여 전자와 정공을 생성하는 것으로, 적어도 일부가 전자 수송층(140) 상측의 나노 기공 구조에 삽입되는 형태로 전자 수송층(140)에 결합할 수 있다. 광 흡수층(150)은 ABX3의 페로브스카이트 구조를 갖는 물질을 사용할 수 있는데, 여기서 A는 유기(CH3NH3, H2NCH3NH3), B는 금속 원소(Pb,Sn), X는 할라이드(halide) 원소(I,Br,Cl)이며, 대표적인 물질은 CH3NH3PbI3 등이 있다.The light absorption layer 150 absorbs sunlight to generate electrons and holes, and can be bonded to the electron transport layer 140 in the form of at least part of it being inserted into the nanopore structure on the upper side of the electron transport layer 140. The light absorption layer 150 may be made of a material having a perovskite structure of ABX 3 , where A is organic (CH 3 NH 3 , H 2 NCH 3 NH 3 ), B is a metal element (Pb, Sn), X is a halide element (I, Br, Cl), and representative substances include CH 3 NH 3 PbI 3 .

광 흡수층(150)은 광 입사 방향에 마이크로렌즈와 같은 집광 어레이를 형성할 수 있다. 집광 어레이는 집광 돌출부, 투광 평면부 등을 포함할 수 있다.The light absorption layer 150 may form a light-concentrating array such as a microlens in the light incident direction. The light-collecting array may include light-collecting protrusions, light-transmitting flat portions, etc.

광 흡수층(150)의 상세 구조는 도 2를 참조하여 추후 상세히 설명한다.The detailed structure of the light absorption layer 150 will be described in detail later with reference to FIG. 2.

정공 수송층(160)은 광 흡수층(150) 상에 형성되어 제2 투명 전극층(170)으로 정공을 전달할 수 있다. 정공 수송층(160)은 정공 수송 물질, 예를들어 Spiro-OMeTAD, P3HT 등을 사용할 수 있다.The hole transport layer 160 is formed on the light absorption layer 150 and can transfer holes to the second transparent electrode layer 170. The hole transport layer 160 may be made of a hole transport material, such as Spiro-OMeTAD or P3HT.

제2 투명 전극층(170)은 정공 수송층(160) 상에 형성할 수 있다. 제2 투명 전극층(170)은 태양광 입사 방향의 반대편에 위치할 수 있다. 제2 투명 전극층(170)은 전기 전도성이 우수한 금속, 예를들어 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 구리(Cu), 니켈(Ni), 철(Fe), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo) 및 이들의 합금 등을 사용할 수 있는데, 이들은 투명성, 유연성 등을 위해서 나노 와이어를 용접 또는 소결한 형태로 갖는 것이 바람직할 수 있다.The second transparent electrode layer 170 may be formed on the hole transport layer 160. The second transparent electrode layer 170 may be located on the opposite side of the solar light incident direction. The second transparent electrode layer 170 is made of a metal with excellent electrical conductivity, such as gold (Au), silver (Ag), platinum (Pt), copper (Cu), nickel (Ni), iron (Fe), and zinc (Zn). ), aluminum (Al), molybdenum (Mo), and alloys thereof can be used, and it may be desirable to have nanowires in a welded or sintered form for transparency, flexibility, etc.

제2 베리어층(180)은 제2 투명 전극층(170) 상에 형성할 수 있다. 제2 베리어층(180)은 유기막, 무기막 또는 유무기 복합제막으로 구성할 수 있다. 무기막은 SiN 및 SiO 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있고, 유기막은 고밀도 폴리에틸렌, 저밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리카보네이트 등이 있으며, 유무기 복합제막은 무기 입자와 고분자의 복합제일 수 있다. 무기 입자로는 SiO2, Al2O3, MgO, BaTiO3, ZrO2, ZnO 등을 사용할 수 있다.The second barrier layer 180 can be formed on the second transparent electrode layer 170. The second barrier layer 180 may be composed of an organic film, an inorganic film, or an organic-inorganic composite film. The inorganic film may include one or more of SiN and SiO, the organic film includes high-density polyethylene, low-density polyethylene, polypropylene, polyester, polyimide, polycarbonate, etc., and the organic-inorganic composite film is a composite of inorganic particles and polymers. You can. Inorganic particles may include SiO 2 , Al 2 O 3 , MgO, BaTiO 3 , ZrO 2 , ZnO, etc.

제2 보호층(190)은 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성, 방수성 등을 고려하여 적절한 재질을 선택할 수 있는데, 예를들어 유리, 필름 등을 사용할 수도 있으나, 플렉서블 특성을 위해서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리프로필렌(PP), 폴리이미드(PI), 트리아세틸셀룰로오스(TAC) 등의 투명 플라스틱 필름을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 제2 보호층(190)은 선택적으로 추가하여 구비할 수 있다.The second protective layer 190 can be made of an appropriate material considering transparency, surface smoothness, ease of handling, waterproofing, etc. For example, glass or film may be used, but for flexible properties, polyethylene terephthalate (PET) may be used. , it may be desirable to use transparent plastic films such as polyethylene naphthalate (PEN), polypropylene (PP), polyimide (PI), and triacetylcellulose (TAC). The second protective layer 190 can be optionally added.

도 2는 본 발명에 따른 페로브스카이트 태양전지에서 광 흡수층의 확대도이다.Figure 2 is an enlarged view of the light absorption layer in the perovskite solar cell according to the present invention.

도 2에 도시한 바와 같이, 광 흡수층(150)은 집광 돌출부(151), 투광 평면부(152) 등을 포함하는 집광 어레이를 광 입사 방향에 구비할 수 있다.As shown in FIG. 2, the light absorption layer 150 may be provided with a light-collecting array including a light-collecting protrusion 151 and a light-transmitting flat portion 152 in the light incident direction.

집광 돌출부(151)는 곡면 형태의 표면을 광 입사 방향으로 돌출시킨 형상으로 구성할 수 있다. 집광 돌출부(151)는 예를들어 마이크로렌즈 형상으로 구성하되, 투과율 악화를 방지하기 위해, 다수의 집광 돌출부(151)는 서로 이격시켜 배치할 수 있다. The light-collecting protrusion 151 may have a curved surface that protrudes in the direction of light incidence. The light-collecting protrusions 151 may be configured, for example, in the shape of a microlens. However, in order to prevent deterioration of transmittance, a plurality of light-collecting protrusions 151 may be arranged to be spaced apart from each other.

아래의 표 1은 집광 돌출부(151)의 이격 간격(P)에 따른 태양전지 효율과 투과율을 측정한 것이다. 여기서, 집광 돌출부(151)의 폭(W)은 1,000nm, 높이(H)는 150nm로 하였다.Table 1 below shows the solar cell efficiency and transmittance measured according to the spacing (P) of the light collecting protrusion 151. Here, the width (W) of the light-collecting protrusion 151 was set to 1,000 nm and the height (H) was set to 150 nm.

이격 간격(P)(nm)Spacing (P) (nm) 효율(%)efficiency(%) 투과율(%)Transmittance (%) 300300 9.79.7 1414 350350 9.49.4 1919 400400 8.88.8 2424 450450 8.38.3 2828 500500 7.57.5 3131 10001000 5.85.8 4545 15001500 4.74.7 5252 20002000 4.14.1 5959 20502050 3.93.9 6060 25002500 3.53.5 6363 30003000 2.92.9 6666

위의 표 1에서 보듯이, 이격 간격(P)이 500nm 미만으로 떨어지면 투과율이 허용치 30% 보다 낮아져 제품에 적용할 수 없고, 이격 간격(P)이 2,000nm 를 초과하면 효율이 4% 아래로 떨어져 제품에 적용할 수 없다.As shown in Table 1 above, if the separation distance (P) falls below 500 nm, the transmittance becomes lower than the allowable value of 30% and cannot be applied to the product, and if the separation distance (P) exceeds 2,000 nm, the efficiency falls below 4%. It cannot be applied to products.

따라서, 집광 돌출부(151)의 이격 간격(P)은 500~2,000㎚의 범위로 구성하는 것이 바람직할 수 있다.Therefore, it may be desirable for the spacing (P) of the light-collecting protrusions 151 to be in the range of 500 to 2,000 nm.

아래의 표 2은 집광 돌출부(151)의 폭(W)에 따른 태양전지 효율과 투과율을 측정한 것이다. 여기서, 집광 돌출부(151)의 이격 간격(P)은 1,000nm, 높이(H)는 150nm로 하였다.Table 2 below shows the solar cell efficiency and transmittance measured according to the width (W) of the light collecting protrusion 151. Here, the spacing (P) of the light-collecting protrusions 151 was set to 1,000 nm, and the height (H) was set to 150 nm.

폭(W)(nm)Width (W) (nm) 효율(%)efficiency(%) 투과율(%)Transmittance (%) 300300 6.66.6 2626 400400 6.56.5 2828 500500 6.26.2 3131 700700 5.75.7 3434 10001000 6.56.5 3939 15001500 5.45.4 4646 20002000 4.24.2 4848 22002200 3.93.9 4949 25002500 3.63.6 5050

위의 표 2에서 보듯이, 폭(W)이 500nm 미만으로 떨어지면 투과율이 허용치 30% 보다 낮아져 제품에 적용할 수 없고, 폭(W)이 2,000nm를 초과하면 효율이 허용치 4% 아래로 떨어져 제품에 적용할 수 없다. As shown in Table 2 above, if the width (W) falls below 500nm, the transmittance falls below the allowable value of 30% and cannot be applied to the product, and if the width (W) exceeds 2,000nm, the efficiency falls below the allowable value of 4% and cannot be applied to the product. cannot be applied to

따라서, 집광 돌출부(151)의 폭(W)은 500~2,000㎚의 범위로 구성하는 것이 바람직할 수 있다.Therefore, it may be desirable for the width (W) of the light-collecting protrusion 151 to be in the range of 500 to 2,000 nm.

아래의 표 3은 집광 돌출부(151)의 최고 높이(H)에 따른 태양전지 효율과 투과율을 측정한 것이다. 여기서, 집광 돌출부(151)의 이격 간격(P)은 1,000nm, 폭(W)는 1,000nm로 하였다. Table 3 below shows the solar cell efficiency and transmittance measured according to the maximum height (H) of the light collecting protrusion 151. Here, the spacing (P) of the light-collecting protrusions 151 was set to 1,000 nm, and the width (W) was set to 1,000 nm.

높이(H)(nm)Height (H) (nm) 효율(%)efficiency(%) 투과율(%)Transmittance (%) 8080 2.42.4 5252 9090 3.53.5 5151 100100 4.14.1 5050 120120 4.94.9 4848 150150 6.56.5 4545 180180 6.86.8 3535 200200 7.27.2 3131 220220 7.77.7 2828 250250 8.58.5 2323

위의 표 3에서 보듯이, 높이(H)가 100nm 아래로 떨어지면 효율이 허용치 4% 보다 떨어져 제품에 적용할 수 없고, 높이(H)가 200nm를 초과하면 투과율이 허용치 30% 보다 낮아져 제품에 적용할 수 없다.As shown in Table 3 above, if the height (H) falls below 100 nm, the efficiency falls below the allowable value of 4% and cannot be applied to products, and if the height (H) exceeds 200 nm, the transmittance falls below the allowable value of 30% and cannot be applied to products. Can not.

따라서, 집광 돌출부(151)의 높이는 100~200㎚의 범위로 구성하는 것이 바람직할 수 있다.Therefore, it may be desirable for the height of the light-collecting protrusion 151 to be in the range of 100 to 200 nm.

투광 평면부(152)는 집광 돌출부(151)의 사이, 즉 이격 공간에 해당하는 영역을 평면 형태로 구성한 것으로, 투과율을 유지하거나 높이는데 기여할 수 있다. The light transmitting plane portion 152 is formed in a planar shape in the area corresponding to the space between the light collecting protrusions 151, and can contribute to maintaining or increasing the transmittance.

투광 평면부(152)의 폭은 집광 돌출부(151)의 이격 간격에 해당하는 것으로, 위에서 설명한 집광 돌출부(151)의 이격 간격, 즉 500~2,000㎚의 범위로 구성할 수 있다.The width of the light-transmitting plane portion 152 corresponds to the spacing of the light-collecting protrusions 151, and can be configured in the range of 500 to 2,000 nm, that is, the spacing of the light-collecting protrusions 151 described above.

도 2에서는, 집광 돌출부(151)를 광 입사 방향으로만 형성한 것을 도시하고 있으나, 광 입사 방향은 물론 광 출사 방향에도 형성할 수 있다.In FIG. 2, it is shown that the light collecting protrusion 151 is formed only in the light incident direction, but it can be formed in the light incident direction as well as the light exit direction.

도 3a~3m은 본 발명에 따른 페로브스카이트 태양전지의 제조방법을 도시하는 단면도이다.3A to 3M are cross-sectional views showing a method of manufacturing a perovskite solar cell according to the present invention.

도 3a에 도시한 바와 같이, 먼저 캐리어 기판(100)을 준비할 수 있다. 캐리어 기판(100)은 유리 기판, 플라스틱 기판 등을 사용할 수 있다.As shown in FIG. 3A, the carrier substrate 100 can be prepared first. The carrier substrate 100 may use a glass substrate, a plastic substrate, or the like.

도 3b,3c와 같이, 캐리어 기판(100)에 제1 베리어층(120)을 형성할 수 있다. 제1 베리어층(120)은 캐리어 기판(100)에 분리층(121)을 형성하는 단계, 분리층(121)에 분리 보호층(122)을 형성하는 단계, 및 분리 보호층(122)에 제1 투명전극 베리어층(123)을 형성하는 단계를 거쳐 형성할 수 있다.As shown in FIGS. 3B and 3C, the first barrier layer 120 may be formed on the carrier substrate 100. The first barrier layer 120 is formed by forming a separation layer 121 on the carrier substrate 100, forming a separation protection layer 122 on the separation layer 121, and forming a separation protection layer 122 on the separation layer 122. 1 It can be formed through the step of forming the transparent electrode barrier layer 123.

분리층(121)은 폴리이미드, 폴리비닐알코올 등의 고분자 유기막을 캐리어 기판(100)에 코팅, 예를들어 스핀 코팅, 다이 코팅, 스프레이 코팅, 롤 코팅, 스크린 코팅, 슬릿 코팅, 딥 코팅, 그라비아 코팅 등의 방법으로 형성할 수 있다.The separation layer 121 is coated with a polymer organic film such as polyimide or polyvinyl alcohol on the carrier substrate 100, for example, spin coating, die coating, spray coating, roll coating, screen coating, slit coating, dip coating, or gravure. It can be formed by methods such as coating.

분리 보호층(122)은 유기절연막 또는 무기절연막을 분리층(121)에 코팅 및 경화하거나, 증착 등의 방법으로 형성할 수 있다. 코팅막의 경화는 열 경화 또는 UV 경화를 단독으로 사용하거나, 열 경화 및 UV 경화를 조합하여 사용할 수 있다.The separation protective layer 122 may be formed by coating and curing an organic insulating film or an inorganic insulating film on the separation layer 121, or by vapor deposition. The coating film can be cured using heat curing or UV curing alone, or a combination of heat curing and UV curing.

제1 투명전극 베리어층(123)은 유기막, 무기막 또는 유무기 복합제막을 분리 보호층(122)에 코팅 및 경화하거나 증착 등으로 형성할 수 있다.The first transparent electrode barrier layer 123 may be formed by coating and curing an organic film, an inorganic film, or an organic-inorganic composite film on the separation protection layer 122, or by vapor deposition.

도 3b,3c에서, 제1 베리어층(120)은, 분리층(121)과 분리 보호층(122)이 없이, 제1 투명전극 베리어층(123)의 단독층으로 구성할 수도 있다.3B and 3C, the first barrier layer 120 may be composed of a single layer of the first transparent electrode barrier layer 123 without the separation layer 121 and the separation protection layer 122.

도 3d와 같이, 제1 투명 전극층(130)을 제1 베리어층(120)에 형성할 수 있다. 제1 투명 전극층(130)은 ITO, FTO, IZO/APC/IZO 등의 투명 도전성 물질을 제1 베리어층(120)에 스퍼터링, E-빔, 열 증착, 스핀 코팅, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅, 닥터 블레이트, 그라비어 프린팅법 등을 방법으로 형성할 수 있다.As shown in FIG. 3D, the first transparent electrode layer 130 can be formed on the first barrier layer 120. The first transparent electrode layer 130 is formed by applying a transparent conductive material such as ITO, FTO, IZO/APC/IZO to the first barrier layer 120 by sputtering, E-beam, thermal evaporation, spin coating, screen printing, inkjet printing, and doctor printing. It can be formed using methods such as plate and gravure printing.

도 3e와 같이, 전자 수송층(140)을 제1 투명 전극층(130)에 형성할 수 있다. 전자 수송층(140)은 TiO2, ZnO, SnO2, NiO, Nb2O5 등을 제1 투명 전극층(130)에 트랜스퍼 프린팅 등의 방법으로 형성할 수 있다. 전자 수송층(140)은 상부에 나노 기공 구조를 형성하여 상부에 형성되는 페로브스카이트 구조의 광흡수 물질의 결합을 용이하게 하고 그 기능 발휘를 원활하게 할 수 있다. 나노 기공 구조는 광흡수 물질의 나노 입자를 코팅한 후, 펄스 UV 광으로 용접 또는 소결하는 방법으로 형성할 수 있다.As shown in FIG. 3E, the electron transport layer 140 can be formed on the first transparent electrode layer 130. The electron transport layer 140 may be formed of TiO 2 , ZnO, SnO 2 , NiO, Nb 2 O 5 , etc. on the first transparent electrode layer 130 using a method such as transfer printing. The electron transport layer 140 can form a nano-pore structure on the top to facilitate the combination of the light-absorbing material with a perovskite structure formed on the top and facilitate its function. The nanopore structure can be formed by coating nanoparticles of a light-absorbing material and then welding or sintering them with pulsed UV light.

도 3f와 같이, 광 흡수층(150)을 전자 수송층(140)에 형성할 수 있다. 광 흡수층(150)은 ABX3의 페로브스카이트 구조를 갖는 물질을 전자 수송층(140)에 트랜스퍼 프린팅 등의 방법으로 형성할 수 있다. 광 흡수층(150)은 적어도 일부가 전자 수송층(140)의 나노 기공 구조에 삽입되는 형태로 결합할 수 있다. As shown in FIG. 3F, the light absorption layer 150 may be formed on the electron transport layer 140. The light absorption layer 150 may be formed of a material having an ABX 3 perovskite structure on the electron transport layer 140 using a method such as transfer printing. The light absorption layer 150 may be combined in such a way that at least a portion of the light absorption layer 150 is inserted into the nanopore structure of the electron transport layer 140.

도 3f에서, 광 흡수층(150)을 전(pre) 건조, 즉 일부 건조하여 약한 연성을 갖게 할 수 있다. 전 건조는 열 경화, UV 경화 등을 이용할 수 있다. In FIG. 3F, the light absorption layer 150 may be pre-dried, that is, partially dried to have weak ductility. Pre-drying can be done using heat curing or UV curing.

도 3g와 같이, 광 흡수층(150)의 광 입사 방향에 집광 어레이를 형성할 수 있다. 집광 어레이는, 집광 어레이에 대응하는 형상을 갖는 대응 돌출/함몰부를 갖는 템플릿(200)으로 광 흡수층(150)를 열압착하여 형성할 수 있다. 집광 어레이는, 도 2에 도시한 바와 같이, 광 흡수층(150)의 개방면에 이격되고 곡면 형상을 갖는 다수의 집광 돌출부(151)와 집광 돌출부(151) 사이에 평면으로 형성되는 투광 평면부(152)를 포함할 수 있다.As shown in Figure 3g, a light-collecting array can be formed in the light incident direction of the light absorption layer 150. The light collection array can be formed by thermocompressing the light absorption layer 150 with a template 200 having corresponding protrusions/depressions having a shape corresponding to the light collection array. As shown in FIG. 2, the light-collecting array includes a plurality of light-collecting protrusions 151 spaced apart from the open surface of the light absorption layer 150 and having a curved shape, and a light-transmitting plane portion ( 152) may be included.

도 3h와 같이, 정공 수송층(160)을 광 흡수층(150)에 형성할 수 있다. 정공 수송층(160)은 Spiro-OMeTAD, P3HT 등의 물질을 광 흡수층(150)에 트랜스퍼 프린팅 등의 코팅 방법으로 형성할 수 있다.As shown in FIG. 3H, the hole transport layer 160 may be formed on the light absorption layer 150. The hole transport layer 160 can be formed by coating a material such as Spiro-OMeTAD or P3HT on the light absorption layer 150 using a coating method such as transfer printing.

도 3i와 같이, 제2 투명 전극층(170)을 정공 수송층(160)에 형성할 수 있다. 제2 투명 전극층(170)은 도전 금속, 예를들어 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 구리(Cu), 니켈(Ni), 철(Fe), 아연(Zn), 알루미늄(Al) 등을 정공 수송층(160)에 코팅하거나, MoO3층, APC층, MoO3층 등을 차례로 증착하여 다층막 구조로 형성할 수도 있다. 제2 투명 전극층(170)은 나노 와이어 형태의 도전 금속을 코팅한 후 이를 펄스 UV 광을 이용항 용접 또는 소결하여 구성할 수도 있다.As shown in FIG. 3I, the second transparent electrode layer 170 can be formed on the hole transport layer 160. The second transparent electrode layer 170 is made of a conductive metal, such as gold (Au), silver (Ag), platinum (Pt), copper (Cu), nickel (Ni), iron (Fe), zinc (Zn), and aluminum. (Al) or the like may be coated on the hole transport layer 160, or a MoO 3 layer, an APC layer, and a MoO 3 layer may be sequentially deposited to form a multilayer structure. The second transparent electrode layer 170 may be formed by coating a nanowire-shaped conductive metal and then welding or sintering it using pulsed UV light.

도 3j와 같이, 제2 베리어층(180)을 제2 투명 전극층(170)에 형성할 수 있다. 제2 베리어층(180)은 유기막, 무기막 또는 유무기 복합제막을 코팅 및 경화하거나, 증착 등의 방법을 통해 형성할 수 있다.As shown in FIG. 3J, the second barrier layer 180 can be formed on the second transparent electrode layer 170. The second barrier layer 180 can be formed by coating and curing an organic film, an inorganic film, or an organic-inorganic composite film, or by deposition.

도 3k와 같이, 제2 보호층(190)을 제2 베리어층(180)에 결합할 수 있다. 제2 보호층(190)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리프로필렌(PP), 폴리이미드(PI), 트리아세틸셀룰로오스(TAC) 등의 투명 플라스틱 필름을 사용할 수 있다. 제2 보호층(190)은 선택적으로 추가 형성할 수 있다.As shown in FIG. 3K, the second protective layer 190 may be coupled to the second barrier layer 180. The second protective layer 190 may be made of a transparent plastic film such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polypropylene (PP), polyimide (PI), or triacetylcellulose (TAC). The second protective layer 190 can be optionally additionally formed.

도 3l과 같이, 캐리어 기판(100)을 분리층(121)에서 제거할 수 있다.As shown in FIG. 3L, the carrier substrate 100 can be removed from the separation layer 121.

도 3m과 같이, 제1 보호층(110)을 분리층(121)에 결합할 수 있다. 제1 보호층(110)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리프로필렌(PP), 폴리이미드(PI), 트리아세틸셀룰로오스(TAC) 등의 투명 플라스틱 필름을 사용할 수 있다. 제1 보호층(110)은 선택적으로 추가 형성할 수 있다.As shown in FIG. 3M, the first protective layer 110 may be coupled to the separation layer 121. The first protective layer 110 may be made of a transparent plastic film such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polypropylene (PP), polyimide (PI), or triacetylcellulose (TAC). The first protective layer 110 can be selectively additionally formed.

이상, 본 발명을 여러 실시예로서 설명하였는데, 이들은 본 발명을 예증하기 위한 것이다. 통상의 기술자라면 이러한 실시예들을 다른 형태로 변형하거나 수정할 수 있을 것이다. 그러나, 본 발명의 권리범위는 아래의 특허청구범위에 의해 정해지므로, 그러한 변형이나 수정이 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석될 수 있다.Above, the present invention has been described through several examples, which are intended to illustrate the present invention. Those skilled in the art will be able to transform or modify these embodiments into other forms. However, since the scope of rights of the present invention is determined by the scope of the patent claims below, such variations or modifications may be interpreted as being included in the scope of rights of the present invention.

100 : 캐리어 기판 110 : 제1 보호층
120 : 제1 베리어층 121 : 분리층
122 : 분리 보호층 123 : 제1 투명전극 베리어층
130 : 제1 투명 전극층 140 : 전자 수송층
150 : 광 흡수층 151 : 집광 돌출부
152 : 투광 평면부 160 : 정공 수송층
170 : 제2 투명 전극층 180 : 제2 베리어층
190 : 제2 보호층 H : 집광 돌출부의 높이
P : 집광 돌출부의 간격 W : 집광 돌출부의 폭(너비)100: carrier substrate 110: first protective layer
120: first barrier layer 121: separation layer
122: Separation protective layer 123: First transparent electrode barrier layer
130: first transparent electrode layer 140: electron transport layer
150: light absorption layer 151: light collecting protrusion
152: light transmitting plane portion 160: hole transport layer
170: second transparent electrode layer 180: second barrier layer
190: Second protective layer H: Height of light-collecting protrusion
P: Spacing of light-collecting protrusions W: Width of light-collecting protrusions (width)

Claims (14)

제1 베리어층;
상기 제1 베리어층의 일면에 결합하는 제1 투명 전극층;
상기 제1 투명 전극층에 결합하는 전자 수송층;
상기 전자 수송층에 결합하고 광 입사 방향에 집광 어레이를 구비하는 광 흡수층;
상기 광 흡수층에 결합하는 정공 수송층;
상기 정공 수송층에 결합하는 제2 투명 전극층; 및
상기 제2 투명 전극층에 결합하는 제2 베리어층을 포함하고,
상기 집광 어레이는
곡면 형상을 갖는 다수의 집광 돌출부; 및
상기 집광 돌출부 사이에 평면으로 형성되는 투광 평면부를 포함하고,
집광 돌출부는 500 내지 2,000㎚의 폭과 100 내지 200㎚의 높이를 갖고,
상기 투광 평면부는 500 내지 2,000㎚의 폭을 갖는, 페로브스카이트 태양전지.first barrier layer;
a first transparent electrode layer bonded to one surface of the first barrier layer;
an electron transport layer bonded to the first transparent electrode layer;
a light absorption layer coupled to the electron transport layer and having a light collection array in the light incident direction;
a hole transport layer bonded to the light absorption layer;
a second transparent electrode layer coupled to the hole transport layer; and
It includes a second barrier layer coupled to the second transparent electrode layer,
The light-collecting array is
A plurality of light-collecting protrusions having a curved shape; and
A light transmitting plane portion formed as a plane between the light collecting protrusions,
The light-collecting protrusion has a width of 500 to 2,000 nm and a height of 100 to 200 nm,
A perovskite solar cell, wherein the light transmitting plane portion has a width of 500 to 2,000 nm. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 베리어층의 타면에 제1 보호층을 더 포함하는, 페로브스카이트 태양전지.According to paragraph 1,
A perovskite solar cell further comprising a first protective layer on the other side of the first barrier layer. 제1항에 있어서,
상기 제2 베리어층에 제2 보호층을 더 포함하는, 페로브스카이트 태양전지.According to paragraph 1,
A perovskite solar cell further comprising a second protective layer on the second barrier layer. 제1항, 제6항 내지 7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 베리어층은
분리층;
상기 분리층에 결합하는 분리 보호층; 및
상기 분리 보호층에 결합하는 제1 투명전극 베리어층을 포함하는, 페로브스카이트 태양전지.The method of any one of claims 1, 6 to 7, wherein the first barrier layer is
separation layer;
A separation protective layer coupled to the separation layer; and
A perovskite solar cell comprising a first transparent electrode barrier layer coupled to the separation protective layer. 캐리어 기판에 제1 베리어층을 형성하는 단계;
상기 제1 베리어층에 제1 투명 전극층을 형성하는 단계;
상기 제1 투명 전극층에 전자 수송층을 형성하는 단계;
상기 전자 수송층에 집광 어레이를 갖는 광 흡수층을 형성하되, 상기 집광 어레이는 곡면 형상을 갖는 다수의 집광 돌출부 및 상기 집광 돌출부 사이에 평면으로 형성되는 투광 평면부를 포함하고, 집광 돌출부는 500 내지 2,000㎚의 폭과 100 내지 200㎚의 높이를 갖고, 상기 투광 평면부는 500 내지 2,000㎚의 폭을 갖게 하는 단계;
상기 광 흡수층에 정공 수송층을 형성하는 단계;
상기 정공 수송층에 제2 투명 전극층을 형성하는 단계;
상기 제2 투명 전극층에 제2 베리어층을 형성하는 단계; 및
상기 캐리어 기판을 제거하는 단계를 포함하는, 페로브스카이트 태양전지의 제조방법.forming a first barrier layer on a carrier substrate;
forming a first transparent electrode layer on the first barrier layer;
forming an electron transport layer on the first transparent electrode layer;
A light absorption layer having a light-collecting array is formed on the electron transport layer, wherein the light-collecting array includes a plurality of light-collecting protrusions having a curved shape and a light-transmitting plane portion formed as a plane between the light-collecting protrusions, and the light-collecting protrusions have a thickness of 500 to 2,000 nm. having a width and a height of 100 to 200 nm, wherein the light transmitting plane portion has a width of 500 to 2,000 nm;
forming a hole transport layer on the light absorption layer;
forming a second transparent electrode layer on the hole transport layer;
forming a second barrier layer on the second transparent electrode layer; and
A method of manufacturing a perovskite solar cell, including the step of removing the carrier substrate. 제9항에 있어서, 상기 광 흡수층 형성 단계는
상기 전자 수송층에 광 흡수 물질을 코팅하는 단계;
상기 광 흡수 물질을 전 건조하는 단계;
상기 광 흡수 물질을 집광 어레이 대응 형상을 갖는 스탬프로 임프린트하여, 상기 광 흡수 물질의 개방면에 곡면 형상을 갖는 다수의 집광 돌출부와 집광 돌출부 사이에 평면으로 형성되는 투광 평면부를 구비하는 상기 집광 어레이를 형성하는 단계를 포함하는, 페로브스카이트 태양전지의 제조방법.The method of claim 9, wherein the light absorption layer forming step is
coating the electron transport layer with a light absorbing material;
Pre-drying the light absorbing material;
Imprinting the light-absorbing material with a stamp having a shape corresponding to the light-collecting array, the light-collecting array having a plurality of light-collecting protrusions having a curved shape on an open surface of the light-absorbing material and a light-transmitting plane portion formed as a plane between the light-collecting protrusions. A method of manufacturing a perovskite solar cell, including the step of forming. 제9항에 있어서, 상기 제1 베리어층 형성 단계는
상기 캐리어 기판에 분리층을 형성하는 단계;
상기 분리층에 분리 보호층을 형성하는 단계; 및
상기 분리 보호층에 제1 투명전극 베리어층을 형성하는 단계를 포함하는, 페로브스카이트 태양전지의 제조방법. The method of claim 9, wherein the first barrier layer forming step is
forming a separation layer on the carrier substrate;
forming a separation protective layer on the separation layer; and
A method of manufacturing a perovskite solar cell, comprising forming a first transparent electrode barrier layer on the separation protective layer. 제9항에 있어서, 상기 전자 수송층 형성 단계는
상기 제1 투명 전극층에 전자 전달 물질을 코팅하는 단계;
상기 전자 전달 물질 코팅층에 전자 전달 물질의 나노 입자를 코팅하는 단계; 및
상기 전자 전달 물질의 나노 입자를 용접 또는 소결하여 나노 기공 구조를 형성하는 단계를 포함하는, 페로브스카이트 태양전지의 제조방법.The method of claim 9, wherein the electron transport layer forming step is
coating an electron transport material on the first transparent electrode layer;
coating nanoparticles of an electron transport material on the electron transport material coating layer; and
A method of manufacturing a perovskite solar cell, comprising forming a nanopore structure by welding or sintering nanoparticles of the electron transport material. 제9항에 있어서,
상기 제2 베리어층에 제2 보호층을 결합하는 단계를 더 포함하는, 페로브스카이트 태양전지의 제조방법. According to clause 9,
A method of manufacturing a perovskite solar cell, further comprising bonding a second protective layer to the second barrier layer. 제9항에 있어서,
상기 제1 베리어층에 제1 보호층을 결합하는 단계를 더 포함하는, 페로브스카이트 태양전지의 제조방법.
According to clause 9,
A method of manufacturing a perovskite solar cell, further comprising bonding a first protective layer to the first barrier layer.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115602746A (en) * 2021-07-08 2023-01-13 隆基绿能科技股份有限公司（Cn） Solar cell

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011074457A1 (en) * 2009-12-15 2011-06-23 ソニー株式会社 Photoelectric conversion element and method for manufacturing photoelectric conversion element
WO2018181744A1 (en) * 2017-03-30 2018-10-04 積水化学工業株式会社 Solar cell and method for producing same
KR102009935B1 (en) * 2011-06-29 2019-08-12 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시간 Sacrificial etch protection layers for reuse of wafers after epitaxial lift off

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120116968A (en) * 2010-01-06 2012-10-23 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 Moisture resistant photovoltaic devices with elastomeric, polysiloxane protection layer
KR101353888B1 (en) * 2012-03-21 2014-01-21 주식회사 포스코 Method of manufacturing flexible organic solar cell including nano-patterned hole extraction layer and flexible organic solar cell manufactured by them
US9911935B2 (en) * 2015-09-04 2018-03-06 International Business Machines Corporation Transparent conducting oxide as top-electrode in perovskite solar cell by non-sputtering process
KR101629729B1 (en) * 2015-09-07 2016-06-13 한국기계연구원 Perovskite solar cell
KR102457929B1 (en) * 2016-12-02 2022-10-25 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 Tandem solar cell and method of manufacturing thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011074457A1 (en) * 2009-12-15 2011-06-23 ソニー株式会社 Photoelectric conversion element and method for manufacturing photoelectric conversion element
KR102009935B1 (en) * 2011-06-29 2019-08-12 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시간 Sacrificial etch protection layers for reuse of wafers after epitaxial lift off
WO2018181744A1 (en) * 2017-03-30 2018-10-04 積水化学工業株式会社 Solar cell and method for producing same

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