KR102682150B1 - Substrate cleaning brush and substrate cleaning apparatus comprising the same - Google Patents

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Abstract

일 실시 예에 따른 기판 세정 브러쉬는, 회전 작동하는 샤프트; 상기 샤프트의 외면에 감기고, 기판 표면에 접촉되는 세정부재; 및 상기 세정부재의 외면에 돌출 형성되는 복수 개의 돌기를 포함하고, 상기 세정부재의 전체 면적 중 상기 돌기가 형성된 면적은 60% 이상일 수 있다.A substrate cleaning brush according to an embodiment includes a shaft that rotates; a cleaning member wound around the outer surface of the shaft and in contact with the surface of the substrate; and a plurality of protrusions protruding from the outer surface of the cleaning member, wherein the area where the protrusions are formed may be 60% or more of the total area of the cleaning member.

Description

기판 세정 브러쉬 및 이를 포함하는 기판 세정 장치{SUBSTRATE CLEANING BRUSH AND SUBSTRATE CLEANING APPARATUS COMPRISING THE SAME}Substrate cleaning brush and substrate cleaning device including the same {SUBSTRATE CLEANING BRUSH AND SUBSTRATE CLEANING APPARATUS COMPRISING THE SAME}

아래의 실시 예는 기판 세정 브러쉬 및 이를 포함하는 기판 세정 장치에 관한 것이다.The examples below relate to a substrate cleaning brush and a substrate cleaning device including the same.

일반적으로 반도체는 리소그래피, 증착 및 에칭 등과 같은 일련의 공정들이 반복적으로 수행되어 제조된다. 이러한 반도체를 구성하는 기판의 표면에는 반복적인 공정에 의해 각종 파티클, 금속 불순물 또는 유기물 등과 같은 오염물질들이 잔존하게 된다. 기판 상에 잔존하는 오염물질은 제조되는 반도체의 신뢰성을 저하시키므로, 이를 개선하기 위해 반도체 제조공정 중 기판을 세정하는 공정이 요구된다. 한편, 종래의 기판 세정 장치에서는, 기판 표면에 슬러리 잔사나 금속 연마 고착 이물이 충분히 제거되지 않는 문제가 있었다. 따라서, 기판을 정밀하게 세정할 수 있는 기판 세정 브러쉬 및 이를 포함하는 기판 세정 장치가 요구된다.In general, semiconductors are manufactured by repeatedly performing a series of processes such as lithography, deposition, and etching. Contaminants such as various particles, metal impurities, or organic substances remain on the surface of the substrate that makes up such a semiconductor due to repetitive processes. Contaminants remaining on the substrate reduce the reliability of the semiconductor being manufactured, so a process of cleaning the substrate during the semiconductor manufacturing process is required to improve this. On the other hand, in conventional substrate cleaning devices, there was a problem that slurry residue and metal polishing adhering foreign substances were not sufficiently removed from the substrate surface. Therefore, a substrate cleaning brush capable of precisely cleaning a substrate and a substrate cleaning device including the same are required.

전술한 배경기술은 발명자가 본 발명의 도출과정에서 보유하거나 습득한 것으로서, 반드시 본 발명의 출원 전에 일반 공중에 공개된 공지기술이라고 할 수는 없다.
일본 공개특허공보 특개2000-270929호는 세정용 브러쉬에 대하여 개시하고 있다The above-mentioned background technology is possessed or acquired by the inventor in the process of deriving the present invention, and cannot necessarily be said to be known technology disclosed to the general public before the application for the present invention.
Japanese Patent Publication No. 2000-270929 discloses a cleaning brush.

일 실시 예의 목적은, 향상된 기판 세정력을 갖는 기판 세정 브러쉬를 제공하는 것이다.The purpose of one embodiment is to provide a substrate cleaning brush with improved substrate cleaning power.

일 실시 예의 목적은, 기판 세정 브러쉬를 정밀하게 제어할 수 있는 기판 세정 장치를 제공하는 것이다.The purpose of one embodiment is to provide a substrate cleaning device that can precisely control a substrate cleaning brush.

일 실시 예에 따른 기판 세정 브러쉬는, 회전 작동하는 샤프트; 상기 샤프트의 외면에 감기고, 기판 표면에 접촉되는 세정부재; 및 상기 세정부재의 외면에 돌출 형성되는 복수 개의 돌기를 포함하고, 상기 세정부재의 전체 면적 중 상기 돌기가 형성된 면적은 60% 이상일 수 있다.A substrate cleaning brush according to an embodiment includes a shaft that rotates; a cleaning member wound around the outer surface of the shaft and in contact with the surface of the substrate; and a plurality of protrusions protruding from the outer surface of the cleaning member, wherein the area where the protrusions are formed may be 60% or more of the total area of the cleaning member.

상기 복수 개의 돌기가 상기 세정부재의 외면으로부터 돌출 높이는 상기 세정부재의 두께 대비 10% 이하일 수 있다.The protruding height of the plurality of protrusions from the outer surface of the cleaning member may be 10% or less compared to the thickness of the cleaning member.

상기 복수 개의 돌기 중 서로 인접하게 배치된 돌기 사이의 거리는, 상기 세정부재의 원주 방향 둘레의 10% 이하일 수 있다.The distance between protrusions disposed adjacent to each other among the plurality of protrusions may be 10% or less of the circumferential circumference of the cleaning member.

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일 실시 예에 따른 기판 세정 브러쉬는, 회전 작동하는 샤프트; 상기 샤프트의 일측에 감기고, 기판 표면에 접촉되는 제1세정부재; 및 상기 샤프트의 타측에 감기고, 기판 표면에 접촉되는 제2세정부재를 포함하고, 상기 제2세정부재는 상기 제1세정부재보다 더 큰 경도를 가질 수 있다.A substrate cleaning brush according to an embodiment includes a shaft that rotates; a first cleaning member wound around one side of the shaft and in contact with the surface of the substrate; and a second cleaning member wound around the other side of the shaft and in contact with the surface of the substrate, wherein the second cleaning member may have greater hardness than the first cleaning member.

일 실시 예에 따른 기판 세정 브러쉬는, 회전 작동하는 샤프트; 상기 샤프트의 외면에 적층되는 제1레이어; 및 상기 제1레이어의 외면에 적층되는 제2레이어를 포함하고, 상기 제2레이어는 상기 제1레이어보다 더 큰 경도를 가질 수 있다.A substrate cleaning brush according to an embodiment includes a shaft that rotates; A first layer laminated on the outer surface of the shaft; and a second layer laminated on the outer surface of the first layer, wherein the second layer may have greater hardness than the first layer.

상기 제2레이어는 기판 표면에 접촉되고, 상기 제1레이어는 상기 제2레이어 및 기판 표면의 접촉 압력에 순응하여 압축 변형될 수 있다.The second layer is in contact with the substrate surface, and the first layer can be compressed and deformed in compliance with the contact pressure of the second layer and the substrate surface.

일 실시 예에 따른 기판 세정 장치는, 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 기판 세정 브러쉬; 상기 기판에 수직한 축을 중심으로 상기 기판 세정 브러쉬를 회전시키는 회전부; 상기 기판에 수직한 방향을 따라 상기 기판 세정 브러쉬를 이동시키는 이동부; 및 상기 회전부 및 이동부를 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.A substrate cleaning device according to an embodiment includes a substrate cleaning brush according to any one of claims 1 to 7; a rotating part that rotates the substrate cleaning brush about an axis perpendicular to the substrate; a moving unit that moves the substrate cleaning brush along a direction perpendicular to the substrate; And it may include a control unit that controls the rotating unit and the moving unit.

상기 기판 세정 브러쉬는, 상기 기판의 일면을 세정하는 제1 기판 세정 브러쉬; 및 상기 기판의 타면을 세정하는 제2 기판 세정 브러쉬를 포함할 수 있다.The substrate cleaning brush includes: a first substrate cleaning brush that cleans one surface of the substrate; and a second substrate cleaning brush for cleaning the other surface of the substrate.

상기 이동부 또는 회전부의 힘, 토크, 전압 및 전류 중 적어도 어느 하나를 측정하는 측정부를 더 포함하고, 상기 제어부는 상기 측정부의 측정값을 고려하여 상기 이동부를 제어할 수 있다.It may further include a measuring unit that measures at least one of force, torque, voltage, and current of the moving unit or the rotating unit, and the control unit may control the moving unit by considering the measured value of the measuring unit.

상기 제어부는 상기 기판 세정 브러쉬가 상기 기판을 향해 이동하도록 상기 이동부를 제어하되, 상기 기판 세정 브러쉬가 상기 기판에 접촉되기 전에 상기 측정부에서 측정되는 1차 측정값을 기준으로, 상기 기판에 대한 상기 기판 세정 브러쉬의 접촉 여부를 판단할 수 있다.The control unit controls the moving unit to move the substrate cleaning brush toward the substrate, based on the first measurement value measured by the measuring unit before the substrate cleaning brush contacts the substrate. It is possible to determine whether the substrate cleaning brush is in contact.

상기 제어부는 상기 1차 측정값을 이용하여 목표값을 설정하고, 상기 측정부에서 상기 목표값이 측정될 때까지 상기 이동부를 제어할 수 있다.The control unit may set a target value using the first measurement value and control the moving unit until the target value is measured by the measurement unit.

상기 제어부는, 상기 기판 세정 브러쉬의 회전 속도에 따라 상기 목표값을 보정할 수 있다.The control unit may correct the target value according to the rotation speed of the substrate cleaning brush.

상기 제어부는 상기 기판에 상기 기판 세정 브러쉬가 접촉된 것으로 판단되면, 상기 이동부를 제어하여 상기 기판에 대한 상기 기판 세정 브러쉬의 압박력을 조절할 수 있다.When the control unit determines that the substrate cleaning brush is in contact with the substrate, the control unit may control the moving unit to adjust the pressing force of the substrate cleaning brush with respect to the substrate.

상기 제어부는, 상기 기판에 상기 기판 세정 브러쉬가 접촉됐을 때 상기 측정부에서 측정되는 2차 측정값을 기준으로, 상기 기판에 대한 상기 기판 세정 브러쉬의 압박력을 조절할 수 있다.The control unit may adjust the pressing force of the substrate cleaning brush against the substrate based on a secondary measurement value measured by the measuring unit when the substrate cleaning brush contacts the substrate.

상기 제어부는 세정 공정 중에 상기 측정부에서 측정되는 측정값이 상기 2차 측정값보다 크게 유지되도록 상기 이동부를 제어할 수 있다.The control unit may control the moving unit so that the measurement value measured by the measurement unit is maintained greater than the secondary measurement value during the cleaning process.

상기 제어부는 상기 2차 측정값을 이용하여 상한값을 설정하고, 세정 공정 중에 상기 측정부에서 측정되는 측정값이 상기 2차 측정값보다 크고 상기 상한값보다 작게 유지되도록 상기 이동부를 제어할 수 있다.The control unit may set an upper limit value using the secondary measurement value, and control the moving unit so that the measurement value measured by the measurement unit during the cleaning process remains greater than the secondary measurement value and less than the upper limit value.

상기 회전부의 전압 또는 전류를 측정하는 회전 측정부를 더 포함하고, 상기 제어부는 상기 회전 측정부의 측정값을 고려하여 상기 이동부를 제어할 수 있다.It may further include a rotation measuring unit that measures the voltage or current of the rotating unit, and the control unit may control the moving unit by considering the measured value of the rotation measuring unit.

일 실시 예에 따른 기판 세정 브러쉬는, 향상된 기판 세정력을 가질 수 있다.A substrate cleaning brush according to an embodiment may have improved substrate cleaning power.

일 실시 예에 따른 기판 세정 장치는, 기판 세정 브러쉬를 정밀하게 제어할 수 있다.A substrate cleaning device according to an embodiment can precisely control a substrate cleaning brush.

일 실시 예에 따른 기판 세정 브러쉬 및 이를 포함하는 기판 세정 장치의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the substrate cleaning brush and the substrate cleaning device including the same according to an embodiment are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned may be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 일 실시 예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니 된다.
도 1은 일 실시 예에 따른 기판 세정 장치의 사시도이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 기판 세정 장치의 개략적인 측면도다.
도 3은 일 실시 예에 따른 기판 세정 장치의 블록도이다.
도 4는 일 실시 예에 따른 기판 세정 브러쉬의 사시도이다.
도 5는 일 실시 예에 따른 기판 세정 브러쉬의 사시도이다.
도 6은 일 실시 예에 따른 기판 세정 브러쉬의 사시도이다.The following drawings attached to this specification illustrate a preferred embodiment of the present invention, and serve to further understand the technical idea of the present invention along with the detailed description of the present invention. Therefore, the present invention is limited to the matters described in such drawings. It should not be interpreted in a limited way.
1 is a perspective view of a substrate cleaning device according to an embodiment.
Figure 2 is a schematic side view of a substrate cleaning device according to one embodiment.
Figure 3 is a block diagram of a substrate cleaning device according to one embodiment.
Figure 4 is a perspective view of a substrate cleaning brush according to one embodiment.
Figure 5 is a perspective view of a substrate cleaning brush according to one embodiment.
Figure 6 is a perspective view of a substrate cleaning brush according to one embodiment.

이하, 실시 예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 실시 예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 실시 예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail through illustrative drawings. When adding reference numerals to components in each drawing, it should be noted that identical components are given the same reference numerals as much as possible even if they are shown in different drawings. Additionally, when describing an embodiment, if a detailed description of a related known configuration or function is judged to impede understanding of the embodiment, the detailed description will be omitted.

또한, 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.Additionally, in describing the components of the embodiment, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the essence, order, or order of the component is not limited by the term. When a component is described as being “connected,” “coupled,” or “connected” to another component, that component may be directly connected or connected to that other component, but there is no need for another component between each component. It should be understood that may be “connected,” “combined,” or “connected.”

어느 하나의 실시 예에 포함된 구성요소와, 공통적인 기능을 포함하는 구성요소는, 다른 실시 예에서 동일한 명칭을 사용하여 설명하기로 한다. 반대되는 기재가 없는 이상, 어느 하나의 실시 예에 기재한 설명은 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 중복되는 범위에서 구체적인 설명은 생략하기로 한다.Components included in one embodiment and components including common functions will be described using the same names in other embodiments. Unless stated to the contrary, the description given in one embodiment may be applied to other embodiments, and detailed description will be omitted to the extent of overlap.

도 1은 일 실시 예에 따른 기판 세정 장치의 사시도이다. 도 2는 일 실시 예에 따른 기판 세정 장치의 개략적인 측면도다. 도 3은 일 실시 예에 따른 기판 세정 장치의 블록도이다.1 is a perspective view of a substrate cleaning device according to an embodiment. Figure 2 is a schematic side view of a substrate cleaning device according to one embodiment. Figure 3 is a block diagram of a substrate cleaning device according to one embodiment.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 세정 장치(1)는 기판(W)을 세정할 수 있다. 기판 세정 장치(1)는 기판(W)의 양면 즉, 상부면 및 하부면을 동시에 세정할 수 있다. 기판 세정 장치(1)는 기판 세정 브러쉬가 기판(W)에 가하는 힘을 정밀하게 제어할 수 있도록, 이동부 또는 회전부의 전압 또는 전류를 측정하고, 이를 바탕으로 이동부를 제어할 수 있다. 따라서, 기판(W)을 손상시키지 않으면서, 충분한 압력으로 기판(W)을 세정할 수 있으므로, 기판(W) 표면에 잔류하는 슬러리나 금속 연마 고착 이물 등을 효과적으로 제거할 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 3 , the substrate cleaning device 1 according to one embodiment can clean the substrate W. The substrate cleaning device 1 can simultaneously clean both sides of the substrate W, that is, the upper and lower surfaces. The substrate cleaning device 1 measures the voltage or current of the moving part or rotating part and controls the moving part based on this so that the force applied by the substrate cleaning brush to the substrate W can be precisely controlled. Accordingly, since the substrate W can be cleaned with sufficient pressure without damaging the substrate W, slurry, metal polishing adhering substances, etc. remaining on the surface of the substrate W can be effectively removed.

일 실시 예에 따른 기판 세정 장치(1)는 기판 세정 브러쉬(11), 회전부(12), 이동부(13), 측정부(14) 및 제어부(15)를 포함할 수 있다.The substrate cleaning device 1 according to one embodiment may include a substrate cleaning brush 11, a rotating unit 12, a moving unit 13, a measuring unit 14, and a control unit 15.

기판 세정 브러쉬(11)는 기판(W)의 표면을 세정할 수 있다. 기판 세정 브러쉬(11)는 길이 방향을 가질 수 있다. 기판 세정 브러쉬(11)는 길이 방향 축을 중심으로 회전되면서, 기판(W)의 표면을 세정할 수 있다.The substrate cleaning brush 11 can clean the surface of the substrate W. The substrate cleaning brush 11 may have a longitudinal direction. The substrate cleaning brush 11 may clean the surface of the substrate W while rotating around the longitudinal axis.

도 4 내지 도 6은 일 실시 예에 따른 기판 세정 브러쉬의 사시도이다. 도 4 내지 도 6은 예시적인 도면으로서, 각 구성의 형상, 위치, 길이 및 개수 등을 한정하는 것은 아님에 유의해야 한다.4 to 6 are perspective views of a substrate cleaning brush according to one embodiment. It should be noted that FIGS. 4 to 6 are exemplary drawings and do not limit the shape, position, length, and number of each component.

도 4를 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 세정 브러쉬(11)는 샤프트(111), 세정부재(112) 및 돌기(113)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4 , the substrate cleaning brush 11 according to one embodiment may include a shaft 111, a cleaning member 112, and a protrusion 113.

샤프트(111)는 회전 작동할 수 있다. 샤프트(111)는 회전부(12)에 의해 회전될 수 있다. 세정부재(112)는 샤프트(111)의 외면에 감길 수 있다. 세정부재(112)는 기판(W)의 표면에 접촉될 수 있다. 세정부재(112)는 기판(W)에 접촉되어 회전함으로써, 기판(W)의 표면을 세정할 수 있다. 예를 들어, 세정부재(112)는 우레탄 소재를 포함할 수 있다.The shaft 111 can operate in rotation. The shaft 111 may be rotated by the rotating part 12. The cleaning member 112 may be wrapped around the outer surface of the shaft 111. The cleaning member 112 may be in contact with the surface of the substrate (W). The cleaning member 112 may clean the surface of the substrate W by rotating in contact with the substrate W. For example, the cleaning member 112 may include a urethane material.

돌기(113)는 세정부재(112)의 외면에 돌출 형성될 수 있다. 돌기(113)는 복수 개 형성될 수 있다. 복수 개의 돌기(113)는 특정 패턴을 형성할 수 있다. 세정부재(112)의 외면에 형성된 돌기(113)로 인하여, 세정력이 향상될 수 있다.The protrusion 113 may be formed to protrude on the outer surface of the cleaning member 112. A plurality of protrusions 113 may be formed. The plurality of protrusions 113 may form a specific pattern. Due to the protrusions 113 formed on the outer surface of the cleaning member 112, cleaning power can be improved.

세정부재(112)의 전체 면적 중 돌기(113)가 형성된 면적은 60% 이상일 수 있다. 돌기(113)가 형성된 면적이 상기 수치 범위에 포함되는 경우, 세정 균일성이 향상될 수 있다. 돌기(113)의 돌출 높이는 세정부재(112)의 두께 대비 10% 이하일 수 있다. 돌기(113)의 돌출 높이가 상기 수치 범위에 포함되는 경우, 세정부재(112)가 기판(W)에 가하는 압력이 기판(W)에 손실없이 전달되어 세정력이 향상될 수 있다. 복수 개의 돌기(113) 중 서로 인접하게 배치된 돌기(113) 사이의 거리는, 세정부재(112)의 원주 방향 둘레의 10% 이하일 수 있다. 인접하게 배치된 돌기(113) 사이의 거리가 상기 범위에 포함되는 경우, 돌기(113) 밀집도가 향상되어 세정력이 향상될 수 있다.The area where the protrusions 113 are formed may be 60% or more of the total area of the cleaning member 112. When the area where the protrusions 113 are formed is within the above numerical range, cleaning uniformity can be improved. The protruding height of the protrusion 113 may be 10% or less compared to the thickness of the cleaning member 112. When the protrusion height of the protrusion 113 is within the above numerical range, the pressure applied by the cleaning member 112 to the substrate W may be transmitted to the substrate W without loss, thereby improving cleaning power. The distance between the plurality of protrusions 113 disposed adjacent to each other may be 10% or less of the circumferential circumference of the cleaning member 112. When the distance between adjacently placed protrusions 113 is within the above range, the density of the protrusions 113 may be improved, thereby improving cleaning power.

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도 5를 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 세정 브러쉬(11)는 샤프트(111), 제1세정부재(112a) 및 제2세정부재(1122)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5 , the substrate cleaning brush 11 according to one embodiment may include a shaft 111, a first cleaning member 112a, and a second cleaning member 1122.

샤프트(111)는 회전 작동할 수 있다. 제1세정부재(112a)는 샤프트(111)의 일측에 감길 수 있다. 예를 들어, 제1세정부재(112a)는 샤프트(111)의 좌측 반부에 감길 수 있다. 제2세정부재(1122)는 샤프트(111)의 타측에 감길 수 있다. 예를 들어, 제2세정부재(1122)는 샤프트(111)의 우측 반부에 감길 수 있다. 제1세정부재(112a) 및 제2세정부재(1122)는 기판(W)의 표면에 접촉될 수 있다. 제2세정부재(1122)는 제1세정부재(112a)보다 더 큰 경도를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2세정부재(1122)는 우레탄 소재를 포함할 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 회전하는 기판(W)을 제1세정부재(112a) 및 제2세정부재(1122)가 번갈아가며 세정할 수 있으므로, 세정력이 향상될 수 있다. 한편, 제1세정부재(112a) 및 제2세정부재(1122)의 외면에 복수 개의 돌기가 형성될 수도 있다.The shaft 111 can operate in rotation. The first cleaning member 112a may be wound around one side of the shaft 111. For example, the first cleaning member 112a may be wound around the left half of the shaft 111. The second cleaning member 1122 may be wound around the other side of the shaft 111. For example, the second cleaning member 1122 may be wound around the right half of the shaft 111. The first cleaning member 112a and the second cleaning member 1122 may be in contact with the surface of the substrate (W). The second cleaning member 1122 may have greater hardness than the first cleaning member 112a. For example, the second cleaning member 1122 may include a urethane material. According to this structure, the rotating substrate W can be cleaned alternately by the first cleaning member 112a and the second cleaning member 1122, so cleaning power can be improved. Meanwhile, a plurality of protrusions may be formed on the outer surfaces of the first cleaning member 112a and the second cleaning member 1122.

도 6을 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 세정 브러쉬(11)는 샤프트(111), 제1레이어(114) 및 제2레이어(115)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, the substrate cleaning brush 11 according to one embodiment may include a shaft 111, a first layer 114, and a second layer 115.

샤프트(111)는 회전 작동할 수 있다. 제1레이어(114)는 샤프트(111)의 외면에 적층될 수 있다. 제2레이어(115)는 제1레이어(114)의 외면에 적층될 수 있다. 제2레이어(115)는 기판(W)의 표면에 접촉되어, 기판(W)의 표면을 세정할 수 있다. 제2레이어(115)는 제1레이어(114)보다 더 큰 경도를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2레이어(115)는 우레탄 소재를 포함할 수 있다. 제1레이어(114)는 완충 소재를 포함할 수 있다. 제1레이어(114)는 제2레이어(115) 및 기판(W) 표면의 접촉 압력에 순응하여 압축 변형될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 더 큰 경도를 갖는 제2레이어(115)를 이용하여 세정력을 향상시키면서도, 제1레이어(114)의 완충 작용으로 인해 기판(W)의 전면에 제2레이어(115)를 접촉시킬 수 있으며, 그에 따라 세정 균일도가 향상될 수 있다. 한편, 제2레이어(115)의 외면에 복수 개의 돌기가 형성될 수도 있다.The shaft 111 can operate in rotation. The first layer 114 may be laminated on the outer surface of the shaft 111. The second layer 115 may be laminated on the outer surface of the first layer 114. The second layer 115 may be in contact with the surface of the substrate W to clean the surface of the substrate W. The second layer 115 may have greater hardness than the first layer 114. For example, the second layer 115 may include a urethane material. The first layer 114 may include a cushioning material. The first layer 114 may be compressively deformed in compliance with the contact pressure of the second layer 115 and the surface of the substrate W. According to this structure, the cleaning power is improved by using the second layer 115 with greater hardness, and the second layer 115 is placed on the front surface of the substrate W due to the buffering effect of the first layer 114. contact, and thus cleaning uniformity can be improved. Meanwhile, a plurality of protrusions may be formed on the outer surface of the second layer 115.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 세정 브러쉬(11)는 복수 개 구비될 수 있다. 예를 들어, 기판 세정 브러쉬(11)는 제1 기판 세정 브러쉬(11a) 및 제2 기판 세정 브러쉬(11b)를 포함할 수 있다. 제1 기판 세정 브러쉬(11a)는 기판(W)의 상부면을 세정할 수 있다. 이를 위하여, 제1 기판 세정 브러쉬(11a)는 기판(W)의 상측에 위치될 수 있다. 제2 기판 세정 브러쉬(11b)는 기판(W)의 하부면을 세정할 수 있다. 이를 위하여, 제2 기판 세정 브러쉬(11b)는 기판(W)의 하측에 위치될 수 있다. 제1 기판 세정 브러쉬(11a) 및 제2 기판 세정 브러쉬(11b)는, 각 길이 방향이 서로 평행하도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 기판 세정 브러쉬(11a) 및 제2 기판 세정 브러쉬(11b)는 기판(W)의 직경 방향으로 배치될 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 3 , a plurality of substrate cleaning brushes 11 may be provided. For example, the substrate cleaning brush 11 may include a first substrate cleaning brush 11a and a second substrate cleaning brush 11b. The first substrate cleaning brush 11a can clean the upper surface of the substrate W. For this purpose, the first substrate cleaning brush 11a may be positioned on the upper side of the substrate W. The second substrate cleaning brush 11b can clean the lower surface of the substrate W. To this end, the second substrate cleaning brush 11b may be positioned below the substrate W. The first substrate cleaning brush 11a and the second substrate cleaning brush 11b may be arranged so that their longitudinal directions are parallel to each other. For example, the first substrate cleaning brush 11a and the second substrate cleaning brush 11b may be arranged in the diameter direction of the substrate W.

회전부(12)는 기판 세정 브러쉬(11)를 회전시킬 수 있다. 예를 들어, 회전부(12)는 기판(W)의 표면에 평행한 축을 기준으로 기판 세정 브러쉬(11)를 회전시킬 수 있다. 즉, 회전부(12)는 수평 방향 축을 기준으로 기판 세정 브러쉬(11)를 회전시킬 수 있다. 예를 들어, 회전부(12)는 모터 및 기어 박스 등을 포함할 수 있다. 기판 세정 브러쉬(11)가 복수 개 구비되는 경우, 회전부(12)는 각 기판 세정 브러쉬(11) 별로 구비될 수 있으며, 서로 독립적으로 제어될 수 있다.The rotating unit 12 may rotate the substrate cleaning brush 11. For example, the rotating unit 12 may rotate the substrate cleaning brush 11 about an axis parallel to the surface of the substrate W. That is, the rotating unit 12 can rotate the substrate cleaning brush 11 based on the horizontal axis. For example, the rotating part 12 may include a motor and a gear box. When a plurality of substrate cleaning brushes 11 are provided, the rotating unit 12 may be provided for each substrate cleaning brush 11 and may be controlled independently of each other.

이동부(13)는 기판 세정 브러쉬(11)를 기판(W)에 대한 방향으로, 또는 기판(W)에 대하여 멀어지는 방향으로 기판 세정 브러쉬(11)를 이동시킬 수 있다. 다시 말해, 이동부(13)는 기판 세정 브러쉬(11)를 기판 표면에 수직한 방향으로 이동시킬 수 있다. 예를 들어, 이동부(13)는 세정 공정 전, 세정 공정 중 및/또는 세정 공정 후에, 기판 세정 브러쉬(11)를 이동시킬 수 있다. 이동부(13)는 기판(W)에 대한 기판 세정 브러쉬(11)의 이격거리를 조절하고, 기판(W)에 기판 세정 브러쉬(11)를 접촉시킬 수 있다. 기판(W)에 기판 세정 브러쉬(11)가 접촉된 상태에서, 이동부(13)는 기판(W)에 대한 기판 세정 브러쉬(11)의 압박력을 조절할 수 있다. 이동부(13)에 의하여 기판 세정 브러쉬(11)가 기판(W)에 가하는 압박력이 조절됨으로써, 기판(W)에 대한 세정 강도가 조절될 수 있다. 예를 들어, 이동부(13)는 모터, 기어 박스 및 공압 실린더 등을 포함할 수 있다. 기판 세정 브러쉬(11)가 복수 개 구비되는 경우, 이동부(13)는 각 기판 세정 브러쉬(11) 별로 구비될 수 있으며, 서로 독립적으로 제어될 수 있다. 한편, 이동부(13)는 기판 세정 브러쉬(11)를 수직 및 수평 방향으로 이동시킬 수 있도록 구성될 수도 있다.The moving unit 13 may move the substrate cleaning brush 11 in a direction toward the substrate W or in a direction away from the substrate W. In other words, the moving unit 13 can move the substrate cleaning brush 11 in a direction perpendicular to the substrate surface. For example, the moving unit 13 may move the substrate cleaning brush 11 before, during, and/or after the cleaning process. The moving unit 13 can adjust the separation distance of the substrate cleaning brush 11 with respect to the substrate W and bring the substrate cleaning brush 11 into contact with the substrate W. When the substrate cleaning brush 11 is in contact with the substrate W, the moving unit 13 can adjust the pressing force of the substrate cleaning brush 11 with respect to the substrate W. By adjusting the pressing force applied by the substrate cleaning brush 11 to the substrate W by the moving unit 13, the cleaning intensity for the substrate W can be adjusted. For example, the moving part 13 may include a motor, a gear box, a pneumatic cylinder, etc. When a plurality of substrate cleaning brushes 11 are provided, the moving unit 13 may be provided for each substrate cleaning brush 11 and may be controlled independently of each other. Meanwhile, the moving unit 13 may be configured to move the substrate cleaning brush 11 in vertical and horizontal directions.

측정부(14)는 회전부(12) 및 이동부(13)의 전압 또는 전류를 측정할 수 있다. 측정부(14)는 회전부(12) 및 이동부(13)에 작용하는 토크를 측정할 수 있다. 예를 들어, 측정부(14)는 전압 센서, 전류 센서, 토크 센서 또는 힘 센서를 등을 포함할 수 있다. 측정부(14)의 측정은 실시간으로 이루어질 수 있다. 측정부(14)는 회전 측정부(141) 및 이동 측정부(142)를 포함할 수 있다. 회전 측정부(141)는 회전부(12)의 전압 또는 전류를 측정할 수 있다. 이동 측정부(142)는 이동부(13)의 전압 또는 전류를 측정할 수 있다.The measuring unit 14 can measure the voltage or current of the rotating unit 12 and the moving unit 13. The measuring unit 14 can measure the torque acting on the rotating unit 12 and the moving unit 13. For example, the measuring unit 14 may include a voltage sensor, a current sensor, a torque sensor, or a force sensor. Measurements by the measuring unit 14 can be performed in real time. The measurement unit 14 may include a rotation measurement unit 141 and a movement measurement unit 142. The rotation measuring unit 141 can measure the voltage or current of the rotating unit 12. The movement measuring unit 142 can measure the voltage or current of the moving unit 13.

제어부(15)는 회전부(12) 및 이동부(13)를 제어할 수 있다. 제어부(15)는 회전부(12) 및 이동부(13)를 제어함에 있어서, 측정부(14)의 측정값을 고려할 수 있다. 즉, 정밀한 제어가 가능하도록, 제어부(15)는 회전 측정부(141) 및 이동 측정부(142)의 측정값을 피드백하여 회전부(12) 및 이동부(13)를 제어할 수 있다.The control unit 15 can control the rotating unit 12 and the moving unit 13. The control unit 15 may consider the measured value of the measuring unit 14 when controlling the rotating unit 12 and the moving unit 13. That is, to enable precise control, the control unit 15 can control the rotation unit 12 and the movement unit 13 by feeding back the measured values of the rotation measurement unit 141 and the movement measurement unit 142.

제어부(15)는 기판 세정 브러쉬(11)가 기판(W)을 향해 이동하도록 이동부(13)를 제어할 수 있다. 제어부(15)는 이동부(13)를 제어하여, 기판 세정 브러쉬(11)를 기판(W)에 대해 접촉시킬 수 있다. 이 경우, 제어부(15)는 이동 측정부(142)의 측정값을 고려하여 이동부(13)를 제어할 수 있다. 예를 들어, 제어부(15)는 기판 세정 브러쉬(11)의 초기 상태에서 이동 측정부(142)의 측정값을 1차 측정값으로 저장할 수 있다. 기판 세정 브러쉬(11)의 초기 상태는 기판 세정 브러쉬(11)가 기판(W)에 접촉되기 전 상태를 의미할 수 있다. 기판 세정 브러쉬(11)는 초기 상태에서 회전부(12)에 의해 회전 중일 수 있으며, 또는 회전되지 않는 상태일 수도 있다. 제어부(15)는 1차 측정값을 기준으로, 기판(W)에 대한 기판 세정 브러쉬(11)의 접촉 여부를 판단할 수 있다. 제어부(15)는 1차 측정값을 이용하여 목표값을 설정하고, 이동 측정부(142)에서 상기 목표값이 측정될 때까지 이동부(13)를 제어할 수 있다. 한편, 기판 세정 브러쉬(11)의 회전 속도에 따라 1차 측정값이 달라질 수 있다. 따라서, 제어부(15)는 기판 세정 브러쉬(11)의 회전 속도에 따라 목표값을 보정할 수 있다. 예를 들어, 상기 목표값은 실험을 통하여, 기판 세정 브러쉬(11)가 기판(W)에 접촉됐을 때 이동 측정부(142)에서 측정되는 측정값으로 미리 데이터베이스화 되어 저장되어 있을 수 있다. 제어부(15)는 데이터베이스를 참고하여, 1차 측정값에 대응되는 목표값을 설정할 수 있다. 이와 같은 구성에 의하면, 회전 속도에 따라 1차 측정값이 달라지는 경우에도, 그에 대응되는 목표값을 설정할 수 있으므로, 기판 세정 브러쉬(11)가 기판(W)에 접촉되는 순간을 정확하게 판단할 수 있다. The control unit 15 may control the moving unit 13 so that the substrate cleaning brush 11 moves toward the substrate W. The control unit 15 can control the moving unit 13 to bring the substrate cleaning brush 11 into contact with the substrate W. In this case, the control unit 15 may control the moving unit 13 by considering the measured value of the movement measuring unit 142. For example, the control unit 15 may store the measurement value of the movement measurement unit 142 in the initial state of the substrate cleaning brush 11 as the primary measurement value. The initial state of the substrate cleaning brush 11 may refer to a state before the substrate cleaning brush 11 comes into contact with the substrate W. The substrate cleaning brush 11 may be rotated by the rotating unit 12 in its initial state, or may be in a non-rotating state. The control unit 15 may determine whether the substrate cleaning brush 11 is in contact with the substrate W based on the first measurement value. The control unit 15 can set a target value using the first measurement value and control the moving unit 13 until the target value is measured by the moving measuring unit 142. Meanwhile, the first measurement value may vary depending on the rotation speed of the substrate cleaning brush 11. Accordingly, the control unit 15 can correct the target value according to the rotation speed of the substrate cleaning brush 11. For example, the target value may be stored in a database in advance as a measurement value measured by the movement measurement unit 142 when the substrate cleaning brush 11 is in contact with the substrate W through an experiment. The control unit 15 may refer to the database and set a target value corresponding to the first measurement value. According to this configuration, even when the primary measurement value varies depending on the rotation speed, the corresponding target value can be set, so the moment when the substrate cleaning brush 11 contacts the substrate W can be accurately determined. .

한편, 기판(W)에 기판 세정 브러쉬(11)가 접촉되게 되면, 이동부(13)에 작용하는 전류 또는 전압에 변화가 발생할 수 있다. 예를 들어, 기판 세정 브러쉬(11) 및 기판(W)의 접촉 전후로, 이동부(13)에 작용하는 전류 또는 전압이 임계적으로 상승할 수 있다. 이동 측정부(142)는 기판 세정 브러쉬(11) 및 기판(W)의 접촉 전후에 발생되는 이동부(13)의 이러한 측정값 변화를 측정할 수 있다. 제어부(15)는 이동부(13)의 측정값에 변화가 발생하면, 기판(W)에 기판 세정 브러쉬(11)가 접촉된 것으로 판단할 수 있다. 예를 들어, 제어부(15)는 이동 측정부(142)에서 측정되는 측정값이, 1차 측정값에 비하여 임계적으로 상승된 경우 기판(W)에 기판 세정 브러쉬(11)가 접촉된 것으로 판단할 수 있다.Meanwhile, when the substrate cleaning brush 11 comes into contact with the substrate W, a change in the current or voltage acting on the moving part 13 may occur. For example, before and after contact between the substrate cleaning brush 11 and the substrate W, the current or voltage acting on the moving part 13 may critically increase. The movement measuring unit 142 can measure the change in the measurement value of the moving unit 13 that occurs before and after contact between the substrate cleaning brush 11 and the substrate W. If a change occurs in the measured value of the moving unit 13, the control unit 15 may determine that the substrate cleaning brush 11 is in contact with the substrate W. For example, the control unit 15 determines that the substrate cleaning brush 11 is in contact with the substrate W when the measurement value measured by the moving measurement unit 142 is critically increased compared to the first measurement value. can do.

기판(W)에 기판 세정 브러쉬(11)가 접촉된 것으로 판단되면, 제어부(15)는 이동부(13)를 제어하여 기판(W)에 대한 기판 세정 브러쉬(11)의 압박력을 조절할 수 있다. 압박력은 기판 세정 브러쉬(11)가 기판(W)을 압박하는 정도를 의미할 수 있다. 압박력을 조절함으로써 기판(W)에 대한 세정력을 조절할 수 있다. 제어부(15)는 기판(W)에 기판 세정 브러쉬(11)가 접촉됐을 때 이동 측정부(142)의 측정값을 2차 측정값으로 저장할 수 있다. 제어부(15)는 2차 측정값을 기준으로 기판(W)에 대한 기판 세정 브러쉬(11)의 압박력을 조절할 수 있다. 예를 들어, 제어부(15)는 세정 공정 중에 이동 측정부(142)에서 측정되는 측정값이 2차 측정값보다 크게 유지되도록, 이동부(13)를 제어할 수 있다. 이와 같은 구성에 의하면, 세정이 진행됨에 따라 압박력이 약해지는 것을 방지하고, 세정 균일성을 향상시킬 수 있다. 또한, 제어부(15)는 2차 측정값을 이용하여 상한값을 설정할 수 있다. 상한값은 실험을 통하여, 기판(W)이 파손될 우려가 있는 상태에서 이동 측정부(142)에서 측정되는 측정값으로 미리 데이터베이스화 되어 저장되어 있을 수 있다. 제어부(15)는 데이터베이스를 참고하여, 2차 측정값에 대응되는 상한값을 설정할 수 있다. 또는, 제어부(15)는 2차 측정값에 일정 비율을 곱하여, 상한값을 설정할 수도 있다. 제어부(15)는 공정 중에 이동 측정부(142)에서 측정되는 측정값이 2차 측정값보다 크고 상한값보다 작게 유지되도록 이동부(13)를 제어할 수 있다. 이와 같은 구성에 의하면, 세정력을 향상시키면서도 기판(W)의 파손을 방지할 수 있다.If it is determined that the substrate cleaning brush 11 is in contact with the substrate W, the control unit 15 may control the moving unit 13 to adjust the pressing force of the substrate cleaning brush 11 with respect to the substrate W. The pressing force may refer to the degree to which the substrate cleaning brush 11 presses the substrate W. By adjusting the compression force, the cleaning force on the substrate (W) can be adjusted. The control unit 15 may store the measurement value of the moving measurement unit 142 as a secondary measurement value when the substrate cleaning brush 11 contacts the substrate W. The control unit 15 may adjust the pressing force of the substrate cleaning brush 11 against the substrate W based on the secondary measurement value. For example, the control unit 15 may control the moving unit 13 so that the measurement value measured by the moving measuring unit 142 is maintained greater than the secondary measurement value during the cleaning process. According to this configuration, the pressing force can be prevented from weakening as cleaning progresses, and cleaning uniformity can be improved. Additionally, the control unit 15 can set the upper limit value using the secondary measurement value. The upper limit value may be stored in a database in advance as a measurement value measured by the moving measurement unit 142 in a state where there is a risk of damage to the substrate W through an experiment. The control unit 15 may refer to the database and set an upper limit value corresponding to the secondary measurement value. Alternatively, the control unit 15 may set the upper limit value by multiplying the secondary measurement value by a certain ratio. The control unit 15 may control the moving unit 13 so that the measured value measured by the moving measuring unit 142 during the process is maintained greater than the secondary measured value and lower than the upper limit. According to this configuration, it is possible to prevent damage to the substrate W while improving cleaning power.

한편, 제어부(15)는 기판 세정 브러쉬(11)가 기판(W)에 대하여 이동 및 접촉하도록 이동부(13)를 제어하여, 회전 측정부(141)의 측정값을 고려하여 이동부(13)를 제어할 수 있다. 예를 들어, 제어부(15)는 기판 세정 브러쉬(11)의 초기 상태에서 회전 측정부(141)의 측정값을 1차 측정값으로 저장할 수 있다. 기판 세정 브러쉬(11)의 초기 상태는 기판 세정 브러쉬(11)가 기판(W)에 접촉되기 전에 회전부(12)에 의해 회전되는 상태를 의미할 수 있다. 제어부(15)는 1차 측정값을 기준으로, 기판(W)에 대한 기판 세정 브러쉬(11)의 접촉 여부를 판단할 수 있다. 제어부(15)는 1차 측정값을 이용하여 목표값을 설정하고, 회전 측정부(141)에서 상기 목표값이 측정될 때까지 이동부(13)를 제어할 수 있다. 예를 들어, 상기 목표값은 실험을 통하여, 기판 세정 브러쉬(11)가 기판(W)에 접촉됐을 때 회전 측정부(141)에서 측정되는 측정값으로 미리 데이터베이스화 되어 저장되어 있을 수 있다. 제어부(15)는 데이터베이스를 참고하여, 1차 측정값에 대응되는 목표값을 설정할 수 있다. 이와 같은 구성에 의하면, 기판 세정 브러쉬(11)가 기판(W)에 접촉되는 순간을 정확하게 판단할 수 있다.Meanwhile, the control unit 15 controls the moving unit 13 so that the substrate cleaning brush 11 moves and contacts the substrate W, and moves the moving unit 13 in consideration of the measured value of the rotation measuring unit 141. can be controlled. For example, the control unit 15 may store the measurement value of the rotation measurement unit 141 in the initial state of the substrate cleaning brush 11 as the primary measurement value. The initial state of the substrate cleaning brush 11 may mean that the substrate cleaning brush 11 is rotated by the rotating unit 12 before contacting the substrate W. The control unit 15 may determine whether the substrate cleaning brush 11 is in contact with the substrate W based on the first measurement value. The control unit 15 can set a target value using the first measurement value and control the moving unit 13 until the target value is measured by the rotation measurement unit 141. For example, the target value may be stored in a database in advance as a measurement value measured by the rotation measurement unit 141 when the substrate cleaning brush 11 is in contact with the substrate W through an experiment. The control unit 15 may refer to the database and set a target value corresponding to the first measurement value. According to this configuration, the moment when the substrate cleaning brush 11 contacts the substrate W can be accurately determined.

한편, 기판(W)에 기판 세정 브러쉬(11)가 접촉되게 되면, 회전부(12)에 작용하는 전류 또는 전압에 변화가 발생할 수 있다. 예를 들어, 기판 세정 브러쉬(11) 및 기판(W)의 접촉 전후로, 회전부(12)에 작용하는 전류 또는 전압이 임계적으로 상승할 수 있다. 회전 측정부(141)는 기판 세정 브러쉬(11) 및 기판(W)의 접촉 전후에 발생되는 회전부(12)의 이러한 측정값 변화를 측정할 수 있다. 제어부(15)는 회전부(12)의 측정값에 변화가 발생하면, 기판(W)에 기판 세정 브러쉬(11)가 접촉된 것으로 판단할 수 있다. 예를 들어, 제어부(15)는 회전 측정부(141)에서 측정되는 측정값이, 1차 측정값에 비하여 임계적으로 상승된 경우 기판(W)에 기판 세정 브러쉬(11)가 접촉된 것으로 판단할 수 있다.Meanwhile, when the substrate cleaning brush 11 comes into contact with the substrate W, a change in the current or voltage acting on the rotating part 12 may occur. For example, before and after contact between the substrate cleaning brush 11 and the substrate W, the current or voltage acting on the rotating part 12 may critically increase. The rotation measurement unit 141 can measure the change in the measurement value of the rotation unit 12 that occurs before and after contact between the substrate cleaning brush 11 and the substrate W. If a change occurs in the measured value of the rotating unit 12, the control unit 15 may determine that the substrate cleaning brush 11 is in contact with the substrate W. For example, the control unit 15 determines that the substrate cleaning brush 11 is in contact with the substrate W when the measurement value measured by the rotation measurement unit 141 is critically increased compared to the first measurement value. can do.

기판(W)에 기판 세정 브러쉬(11)가 접촉된 것으로 판단되면, 제어부(15)는 이동부(13)를 제어하여 기판(W)에 대한 기판 세정 브러쉬(11)의 압박력을 조절할 수 있다. 압박력은 기판 세정 브러쉬(11)가 기판(W)을 압박하는 정도를 의미할 수 있다. 압박력을 조절함으로써 기판(W)에 대한 세정력을 조절할 수 있다. 제어부(15)는 기판(W)에 기판 세정 브러쉬(11)가 접촉됐을 때 회전 측정부(141)의 측정값을 2차 측정값으로 저장할 수 있다. 제어부(15)는 2차 측정값을 기준으로 기판(W)에 대한 기판 세정 브러쉬(11)의 압박력을 조절할 수 있다. 예를 들어, 제어부(15)는 세정 공정 중에 회전 측정부(141)에서 측정되는 측정값이 2차 측정값보다 크게 유지되도록, 이동부(13)를 제어할 수 있다. 이와 같은 구성에 의하면, 세정이 진행됨에 따라 압박력이 약해지는 것을 방지하고, 세정 균일성을 향상시킬 수 있다. 또한, 제어부(15)는 2차 측정값을 이용하여 상한값을 설정할 수 있다. 상한값은 실험을 통하여, 기판(W)이 파손될 우려가 있는 상태에서 회전 측정부(141)에서 측정되는 측정값으로 미리 데이터베이스화 되어 저장되어 있을 수 있다. 제어부(15)는 데이터베이스를 참고하여, 2차 측정값에 대응되는 상한값을 설정할 수 있다. 또는, 제어부(15)는 2차 측정값에 일정 비율을 곱하여, 상한값을 설정할 수도 있다. 제어부(15)는 공정 중에 회전 측정부(141)에서 측정되는 측정값이 2차 측정값보다 크고 상한값보다 작게 유지되도록 이동부(13)를 제어할 수 있다. 이와 같은 구성에 의하면, 세정력을 향상시키면서도 기판(W)의 파손을 방지할 수 있다.If it is determined that the substrate cleaning brush 11 is in contact with the substrate W, the control unit 15 may control the moving unit 13 to adjust the pressing force of the substrate cleaning brush 11 with respect to the substrate W. The pressing force may refer to the degree to which the substrate cleaning brush 11 presses the substrate W. By adjusting the compression force, the cleaning force on the substrate (W) can be adjusted. The control unit 15 may store the measurement value of the rotation measurement unit 141 as a secondary measurement value when the substrate cleaning brush 11 contacts the substrate W. The control unit 15 may adjust the pressing force of the substrate cleaning brush 11 against the substrate W based on the secondary measurement value. For example, the control unit 15 may control the moving unit 13 so that the measurement value measured by the rotation measurement unit 141 is maintained greater than the secondary measurement value during the cleaning process. According to this configuration, the pressing force can be prevented from weakening as cleaning progresses, and cleaning uniformity can be improved. Additionally, the control unit 15 can set the upper limit value using the secondary measurement value. The upper limit value may be stored in a database in advance as a measurement value measured by the rotation measurement unit 141 in a state where there is a risk of damage to the substrate W through an experiment. The control unit 15 may refer to the database and set an upper limit value corresponding to the secondary measurement value. Alternatively, the control unit 15 may set an upper limit value by multiplying the secondary measurement value by a certain ratio. The control unit 15 may control the moving unit 13 so that the measurement value measured by the rotation measurement unit 141 during the process remains greater than the secondary measurement value and less than the upper limit. According to this configuration, it is possible to prevent damage to the substrate W while improving cleaning power.

이상과 같이 비록 한정된 도면에 의해 실시 예들이 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 구조, 장치 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.As described above, although the embodiments have been described with limited drawings, various modifications and variations can be made by those skilled in the art from the above description. For example, the described techniques may be performed in a different order than the described method, and/or components of the described structure, device, etc. may be combined or combined in a different form than the described method, or may be used with other components or equivalents. Appropriate results can be achieved even if replaced or substituted by .

1: 기판 세정 장치
11: 기판 세정 브러쉬
12: 회전부
13: 이동부
14: 측정부
15: 제어부1: Substrate cleaning device
11: Substrate cleaning brush
12: Rotating part
13: Moving part
14: Measuring part
15: control unit

Claims (18)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 기판 세정 브러쉬;
기판에 평행한 축을 중심으로 상기 기판 세정 브러쉬를 회전시키는 회전부;
상기 기판에 수직한 방향을 따라 상기 기판 세정 브러쉬를 이동시키는 이동부; 및
상기 회전부 및 이동부를 제어하는 제어부를 포함하고,
상기 이동부 또는 회전부의 힘, 토크, 전압 및 전류 중 적어도 어느 하나를 측정하는 측정부를 더 포함하고,
상기 제어부는 상기 측정부의 측정값을 고려하여 상기 이동부를 제어하고,
상기 제어부는 상기 기판 세정 브러쉬가 상기 기판을 향해 이동하도록 상기 이동부를 제어하되, 상기 기판 세정 브러쉬가 상기 기판에 접촉되기 전에 상기 측정부에서 측정되는 1차 측정값을 기준으로, 상기 기판에 대한 상기 기판 세정 브러쉬의 접촉 여부를 판단하고,
상기 제어부는 상기 1차 측정값을 이용하여 목표값을 설정하고, 상기 측정부에서 상기 목표값이 측정될 때까지 상기 이동부를 제어하고,
상기 제어부는, 상기 기판 세정 브러쉬의 회전 속도에 따라 상기 목표값을 보정하는, 기판 세정 장치.substrate cleaning brush;
a rotating part that rotates the substrate cleaning brush about an axis parallel to the substrate;
a moving unit that moves the substrate cleaning brush along a direction perpendicular to the substrate; and
It includes a control unit that controls the rotating unit and the moving unit,
It further includes a measuring unit that measures at least one of force, torque, voltage, and current of the moving part or rotating part,
The control unit controls the moving unit by considering the measured value of the measuring unit,
The control unit controls the moving unit to move the substrate cleaning brush toward the substrate, based on the first measurement value measured by the measuring unit before the substrate cleaning brush contacts the substrate. Determine whether the substrate cleaning brush is in contact,
The control unit sets a target value using the first measurement value and controls the moving unit until the target value is measured by the measurement unit,
The control unit corrects the target value according to the rotation speed of the substrate cleaning brush. 제8항에 있어서,
상기 기판 세정 브러쉬는,
상기 기판의 일면을 세정하는 제1 기판 세정 브러쉬; 및
상기 기판의 타면을 세정하는 제2 기판 세정 브러쉬를 포함하는, 기판 세정 장치.According to clause 8,
The substrate cleaning brush is,
a first substrate cleaning brush for cleaning one side of the substrate; and
A substrate cleaning device comprising a second substrate cleaning brush that cleans the other side of the substrate. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제8항에 있어서,
상기 제어부는 상기 기판에 상기 기판 세정 브러쉬가 접촉된 것으로 판단되면, 상기 이동부를 제어하여 상기 기판에 대한 상기 기판 세정 브러쉬의 압박력을 조절하는, 기판 세정 장치.According to clause 8,
When the control unit determines that the substrate cleaning brush is in contact with the substrate, the control unit controls the moving unit to adjust the pressing force of the substrate cleaning brush with respect to the substrate. 제14항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 기판에 상기 기판 세정 브러쉬가 접촉됐을 때 상기 측정부에서 측정되는 2차 측정값을 기준으로, 상기 기판에 대한 상기 기판 세정 브러쉬의 압박력을 조절하는, 기판 세정 장치.According to clause 14,
The control unit adjusts the pressing force of the substrate cleaning brush against the substrate based on a secondary measurement value measured by the measuring unit when the substrate cleaning brush contacts the substrate. 제15항에 있어서,
상기 제어부는 세정 공정 중에 상기 측정부에서 측정되는 측정값이 상기 2차 측정값보다 크게 유지되도록 상기 이동부를 제어하는, 기판 세정 장치.According to clause 15,
The control unit controls the moving unit so that the measurement value measured by the measurement unit is maintained greater than the secondary measurement value during the cleaning process. 제16항에 있어서,
상기 제어부는 상기 2차 측정값을 이용하여 상한값을 설정하고, 세정 공정 중에 상기 측정부에서 측정되는 측정값이 상기 2차 측정값보다 크고 상기 상한값보다 작게 유지되도록 상기 이동부를 제어하는, 기판 세정 장치.According to clause 16,
The control unit sets an upper limit value using the secondary measurement value, and controls the moving unit so that the measurement value measured by the measurement unit during the cleaning process remains greater than the secondary measurement value and less than the upper limit value. . 제8항에 있어서,
상기 회전부의 전압 또는 전류를 측정하는 회전 측정부를 더 포함하고,
상기 제어부는 상기 회전 측정부의 측정값을 고려하여 상기 이동부를 제어하는, 기판 세정 장치.According to clause 8,
It further includes a rotation measuring unit that measures the voltage or current of the rotating unit,
The control unit controls the moving unit by considering the measured value of the rotation measuring unit.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000270929A (en) * 1999-03-26 2000-10-03 Shibaura Mechatronics Corp Washing brush
KR100683276B1 (en) 2005-11-07 2007-02-15 세메스 주식회사 Apparatus for cleaning the substrate
JP4511591B2 (en) * 2004-09-28 2010-07-28 株式会社荏原製作所 Substrate cleaning apparatus and cleaning member replacement time determination method

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030062678A (en) * 2002-01-18 2003-07-28 (주)케이.씨.텍 Method and apparatus for cleaning a substrate

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000270929A (en) * 1999-03-26 2000-10-03 Shibaura Mechatronics Corp Washing brush
JP4511591B2 (en) * 2004-09-28 2010-07-28 株式会社荏原製作所 Substrate cleaning apparatus and cleaning member replacement time determination method
KR100683276B1 (en) 2005-11-07 2007-02-15 세메스 주식회사 Apparatus for cleaning the substrate

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