KR102666115B1 - Transmission Variable Device - Google Patents

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KR102666115B1
KR102666115B1 KR1020200094626A KR20200094626A KR102666115B1 KR 102666115 B1 KR102666115 B1 KR 102666115B1 KR 1020200094626 A KR1020200094626 A KR 1020200094626A KR 20200094626 A KR20200094626 A KR 20200094626A KR 102666115 B1 KR102666115 B1 KR 102666115B1
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Abstract

본 출원은 광변조 디바이스에 대한 것이다. 본 출원은, 투과율 가변 특성 등의 광학 특성 및 기계적 물성 등이 우수하면서도 차단 모드에서 전 방위의 광 누설이 제어되고, 레인보우(rainbow) 현상이나 연신 무늬 등의 외관 불량도 제어되어 다양한 용도로 적용 가능한 광변조 디바이스를 제공할 수 있다. This application relates to an optical modulation device. In this application, while excellent optical properties such as variable transmittance characteristics and mechanical properties, light leakage in all directions is controlled in blocking mode, and appearance defects such as rainbow phenomenon or stretching pattern are controlled, so that it can be applied to various purposes. An optical modulation device can be provided.

Description

광변조 디바이스{Transmission Variable Device}Light modulation device {Transmission Variable Device}

본 출원은 광변조 디바이스에 관한 것이다. This application relates to light modulation devices.

광변조 디바이스는 적어도 2개 이상의 다른 상태의 사이를 스위칭할 수 있는 디바이스이다. 이와 같은 광변조 디바이스에 고분자 필름 기재를 적용하면 유연 소자의 구현 및 롤투롤 공정 적용 등이 용이하다. An optical modulation device is a device that can switch between at least two different states. Applying a polymer film substrate to such an optical modulation device makes it easy to implement flexible devices and apply roll-to-roll processes.

이 때 고분자 필름으로 등방성 필름 기재를 사용할 경우 약한 기계적 강도, 크랙의 발생 또는 열에 의한 수축 등이 발생하는 문제점이 있다. At this time, when an isotropic film base material is used as the polymer film, there are problems such as low mechanical strength, occurrence of cracks, or shrinkage due to heat.

그렇지만, 비등방성 필름 기재를 도입한 광변조 디바이스는, 필름 기재의 위상차에 의해 디바이스의 구동 성능이 저하되는 문제, 예를 들어, 차단 모드에서 광변조 디바이스의 측면으로 빛이 누설되거나 레인보우(rainbow) 현상 또는 연신 무늬가 발생하는 문제가 있다. However, light modulation devices incorporating an anisotropic film substrate suffer from the problem of deterioration of the driving performance of the device due to the phase difference of the film substrate, for example, light leakage to the side of the light modulation device in blocking mode or rainbow appearance. There is a problem of developing or stretching patterns.

따라서 본 출원은, 투과율 가변 특성 등의 광학 특성 및 기계적 물성 등이 우수하면서도 차단 모드에서 전 방위의 광 누설이 제어되고, 레인보우(rainbow) 현상이나 연신 무늬 등의 외관 불량도 제어되어 다양한 용도로 적용 가능한 광변조 디바이스를 제공하는 것을 하나의 목적으로 한다.Therefore, in this application, while excellent optical properties such as variable transmittance characteristics and mechanical properties, light leakage in all directions is controlled in blocking mode, and appearance defects such as rainbow phenomenon or stretching pattern are controlled, so that it can be applied to various purposes. One purpose is to provide a possible optical modulation device.

본 명세서에서 정의하는 각도는 제조 오차(error) 또는 편차(variation) 등의 오차를 감안하여 이해되어야 한다. 예를 들어, 본 명세서에서 용어 수직, 수평, 직교, 평행 또는 각도의 수치 등은, 목적 효과를 손상시키지 않는 범위에서의 실질적인 수직, 수평, 직교, 평행 또는 각도의 수치를 의미하고, 예를 들면, 상기 각각의 경우는 약 ±5도 이내의 오차, 약 ±3도 이내의 오차, 약 ±2도 이내의 오차, 약 ±1도 이내의 오차 또는 약 ±0.5도 이내의 오차를 포함할 수 있다. The angles defined in this specification should be understood taking into account errors such as manufacturing errors or variations. For example, the terms vertical, horizontal, perpendicular, parallel or angular in this specification mean substantially vertical, horizontal, perpendicular, parallel or angular in the range that does not impair the intended effect, e.g. , each of the above cases may include an error within approximately ±5 degrees, an error within approximately ±3 degrees, an error within approximately ±2 degrees, an error within approximately ±1 degree, or an error within approximately ±0.5 degrees. .

본 명세서에서 언급하는 물성 중에서 측정 온도가 해당 물성에 영향을 미치는 경우에 특별히 달리 규정하지 않는 한, 상기 물성은 상온에서 측정한 물성이다.Among the physical properties mentioned in this specification, in cases where the measurement temperature affects the relevant physical properties, unless otherwise specified, the physical properties are those measured at room temperature.

본 명세서에서 용어 상온은 특별히 가온되거나 감온되지 않은 상태에서의 온도로서, 약 10℃ 내지 30℃의 범위 내의 어느 한 온도, 예를 들면, 약 15℃ 이상, 18℃ 이상, 20℃ 이상 또는 약 23℃ 이상이면서, 약 27℃ 이하의 온도를 의미할 수 있다. 또한, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 본 명세서에서 언급하는 온도의 단위는 ℃이다. As used herein, the term room temperature refers to a temperature in a state where the temperature is not particularly heated or reduced, and is any temperature within the range of about 10°C to 30°C, for example, about 15°C or higher, 18°C or higher, 20°C or higher, or about 23°C or higher. It may mean a temperature above ℃ and below about 27℃. Additionally, unless otherwise specified, the unit of temperature referred to in this specification is °C.

본 명세서에서 면내 위상차(Rin)는 하기 수식 4로 계산된 값을 의미할 수 있고, 두께 방향 위상차(Rth)는 하기 수식 5로 계산된 값을 의미할 수 있다. In this specification, the in-plane retardation (R in ) may refer to a value calculated using Equation 4 below, and the thickness direction retardation (R th ) may refer to a value calculated using Equation 5 below.

[수식 4][Formula 4]

Rin = d × (nx - ny)R in = d × (n x - n y )

[수식 5][Formula 5]

Rth = d × (nz - ny)R th = d × (n z - n y )

수식 4 및 수식 5에서 Rin은 면내 위상차일 수 있고, Rth는 두께 방향 위상차일 수 있고, d는 층의 두께일 수 있으며, nx는 층의 지상축 방향의 굴절률일 수 있고, ny는 층의 진상축 방향의 굴절률로서, 상기 지상축 방향과 직교하는 면내 방향의 굴절률일 수 있으며, nz는 층의 두께 방향의 굴절률일 수 있다. In Equations 4 and 5, R in may be the in-plane phase difference, R th may be the thickness direction phase difference, d may be the thickness of the layer, n x may be the refractive index in the slow axis direction of the layer, and n y is the refractive index in the fast axis direction of the layer, and may be the refractive index in the in-plane direction perpendicular to the slow axis direction, and n z may be the refractive index in the thickness direction of the layer.

상기에서 용어 층은, 면내 위상차 및/또는 두께 방향 위상차 측정 대상의 층이다. 상기 층은 예를 들어, 편광층, 고분자 필름, 광학 이방성층 또는 광변조층 등일 수 있다. In the above, the term layer refers to a layer subject to measurement of in-plane retardation and/or thickness direction retardation. The layer may be, for example, a polarizing layer, a polymer film, an optically anisotropic layer, or a light modulation layer.

본 명세서에서 언급하는 위상차, 굴절률 및 굴절률 이방성 등은, 특별히 달리 규정하지 않는 한 약 550nm 파장의 광에 대한 물리량이다. Phase difference, refractive index, refractive index anisotropy, etc. mentioned in this specification are physical quantities for light with a wavelength of about 550 nm, unless otherwise specified.

특별히 달리 규정하지 않는 한, 본 명세서에서 언급하는 어느 2개의 방향이 이루는 각도는 상기 두 개의 방향이 이루는 예각 내지 둔각 중 예각이거나, 또는 시계 방향 및 반시계 방향으로 측정된 각도 중에서 작은 각도일 수 있다. 따라서, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 본 명세서에서 언급하는 각도는 양수이다. 다만, 경우에 따라서 시계 방향 또는 반시계 방향으로 측정된 각도 간의 측정 방향을 표시하기 위해서 상기 시계 방향으로 측정된 각도를 양수로 표시하고, 반시계 방향으로 측정된 각도를 음수로 표기할 수도 있다.Unless otherwise specified, the angle formed by any two directions mentioned in this specification may be an acute angle or an obtuse angle formed by the two directions, or may be a smaller angle among angles measured clockwise and counterclockwise. . Accordingly, unless otherwise specified, angles referred to herein are positive numbers. However, in some cases, in order to indicate the measurement direction between angles measured clockwise or counterclockwise, the angle measured in the clockwise direction may be displayed as a positive number, and the angle measured in the counterclockwise direction may be displayed as a negative number.

본 출원의 광변조 디바이스는, 제 1 기판, 광변조층 및 제 2 기판이 순차 형성된 디바이스일 수 있다. 본 출원의 광변조 디바이스는 예를 들어, 각각 제 1 표면과 제 2 표면을 가지고 서로 대향 배치된 제 1 및 제 2 기판 및 상기 제 1 및 제 2 기판의 사이에 존재하는 광변조층을 포함할 수 있다. 본 명세서에서 예를 들어, 제 1 표면은 기판의 주표면과 그 반대측 표면 중에서 어느 하나의 표면을 의미하고, 제 2 표면은 기판의 주표면과 그 반대측 표면 중에서 다른 하나의 표면을 의미할 수 있다. 본 명세서에서 다른 예시에서, 제 1 표면은 제 1 및 제 2 기판 중 상기 광변조층을 향하는 방향을 의미할 수 있고, 제 2 표면은 상기 제 1 표면의 반대 방향을 의미할 수 있다. The light modulation device of the present application may be a device in which a first substrate, a light modulation layer, and a second substrate are formed sequentially. The light modulation device of the present application may include, for example, first and second substrates each having a first surface and a second surface and disposed opposite to each other, and a light modulation layer present between the first and second substrates. You can. For example, in this specification, the first surface refers to one of the main surface of the substrate and the opposite surface, and the second surface may refer to the other surface among the main surface of the substrate and the opposite surface. . In another example herein, the first surface may refer to a direction toward the light modulation layer among the first and second substrates, and the second surface may refer to a direction opposite to the first surface.

본 출원에서 상기 제 1 및/또는 제 2 기판은 예를 들어, 각각 고분자 필름일 수 있다. 상기 고분자 필름은 등방성 또는 비등방성일 수 있으나, 기계적 강도, 크랙 발생 제어 또는 열에 의한 수축 제어 등의 관점에서 비등방성 고분자 필름인 것이 바람직할 수 있다. In the present application, the first and/or second substrate may each be a polymer film, for example. The polymer film may be isotropic or anisotropic, but it may be preferable to be an anisotropic polymer film from the viewpoint of mechanical strength, crack generation control, or shrinkage control due to heat.

상기 제 1 및/또는 제 2 기판은 예를 들어, 각각 550nm 파장에 대한 면내 위상차가 3000nm 이상일 수 있다. 상기 제 1 및/또는 제 2 고분자 필름은, 다른 예시에서 각각 550nm 파장에 대한 면내 위상차가 3500nm 이상, 4000nm 이상, 4500nm 이상, 5000nm 이상, 5500nm 이상, 6000nm 이상, 6500nm 이상, 7000nm 이상, 7500nm 이상, 8000nm 이상 또는 8500nm 이상이거나, 50000nm 이하, 40000nm 이하, 30000nm 이하, 20000nm 이하, 19000nm 이하, 18000nm 이하, 17000nm 이하, 16000nm 이하, 15000nm 이하, 14000nm 이하, 13000nm 이하, 12000nm 이하 또는 11000nm 이하일 수 있다. For example, the first and/or second substrate may each have an in-plane retardation of 3000 nm or more for a wavelength of 550 nm. In other examples, the first and/or second polymer films have an in-plane retardation for a wavelength of 550 nm of 3500 nm or more, 4000 nm or more, 4500 nm or more, 5000 nm or more, 5500 nm or more, 6000 nm or more, 6500 nm or more, 7000 nm or more, 7500 nm or more, Above 8000nm or above 8500nm, below 50000nm, below 40000nm, below 30000nm, below 20000nm, below 19000nm, below 18000nm, below 17000nm, below 16000nm, below 15000nm, below 14000nm, below 13000nm, It may be less than or equal to 11000 nm.

상기와 같이 높은 위상차를 가지는 필름은 업계에 공지이고, 이러한 필름은 광학적으로 큰 비등방성은 물론 제조 과정에서의 고연신 등에 의해 기계적 물성도 큰 비대칭성을 나타낸다. 업계에 공지된 상기 위상차 필름은 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트(Poly ethylene terephthalate; PET) 필름, 시클로-올레핀 중합체(Cyclo-Olefin Polymer; COP)필름, 시클로-올레핀 공중합체(Cyclo-Olefin Co-polymer; COC) 필름, 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC), 폴리프로필렌(Poly Propylene; PP)필름, 폴리술폰(Polysulfone; PSF) 필름 또는 아크릴(Polymethylmethacrylate; PMMA) 필름 등일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 본 출원에서 제 1 및/또는 제 2 기판은 목적하는 효과 등을 고려하여 상기 공지된 필름 중에서 적절히 선택할 수 있다. Films having a high retardation as described above are known in the industry, and these films exhibit not only high optical anisotropy but also high asymmetry in mechanical properties due to high elongation during the manufacturing process. The retardation film known in the industry includes, for example, polyethylene terephthalate (PET) film, Cyclo-Olefin Polymer (COP) film, and Cyclo-Olefin Co-polymer. ; COC) film, polycarbonate (PC), polypropylene (PP) film, polysulfone (PSF) film, or acrylic (Polymethylmethacrylate (PMMA) film), but is not limited thereto. In the present application, the first and/or second substrate may be appropriately selected from among the known films in consideration of the desired effect, etc.

본 출원에서 상기 제 1 및 제 2 기판은 예를 들어, 서로 상이할 수 있다. 본 발명자들은 상기와 같은 높은 위상차를 가지는 고분자 필름을 제 1 및/또는 제 2 기판에 적용함에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 기판에 각각 적용되는 고분자 필름이 서로 상이하여야만 레인보우(rainbow) 현상뿐만 아니라 연신무늬와 같은 외관품질 저하를 개선할 수 있음을 확인하고 본 발명을 완성하였다. In the present application, the first and second substrates may be different from each other, for example. The present inventors found that when applying a polymer film having a high phase difference as described above to a first and/or second substrate, the polymer films applied to the first and second substrates must be different from each other to prevent not only the rainbow phenomenon but also the rainbow phenomenon. The present invention was completed after confirming that deterioration in appearance quality, such as stretching patterns, could be improved.

본 출원에서 상기 제 1 및 제 2 기판에 각각 적용되는 고분자 필름이 서로 상이하다는 것은, 예를 들어, 상기 제 1 및 제 2 기판의 면내 위상차가 서로 상이하다는 것을 의미할 수 있다. In the present application, the fact that the polymer films applied to the first and second substrates are different from each other may mean, for example, that the in-plane retardation of the first and second substrates is different from each other.

본 출원의 제 1 및 제 2 기판은, 예를 들어, 하기 수식 1의 K가 0 초과 0.5 이하의 범위 내일 수 있다. For the first and second substrates of the present application, for example, K in the following equation 1 may be in the range of more than 0 and less than or equal to 0.5.

[수식 1][Formula 1]

수식 1의 K에서, Rin,A 550nm 파장의 광에 대한 제 1 기판의 면내 위상차를 의미할 수 있고, Rin,B 550nm 파장의 광에 대한 제 2 기판의 면내 위상차를 의미할 수 있으며, max(Rin,A, Rin,B)는 Rin,A 또는 Rin,B 중 더 큰 값을 의미할 수 있다. In K in Equation 1, R in,A is It can mean the in-plane phase difference of the first substrate for light with a wavelength of 550 nm, and R in,B is It may refer to the in-plane retardation of the second substrate for light with a wavelength of 550 nm, and max(R in,A , R in,B ) may refer to the larger value of R in,A or R in,B .

상기 수식 1의 K는 다른 예시에서, 0.01 이상, 0.02 이상, 0.03 이상, 0.04 이상, 0.05 이상, 0.06 이상, 0.07 이상, 0.08 이상 또는 0.09 이상이거나 0.45 이하, 0.4 이하, 0.35 이하, 0.3 이하, 0.25 이하, 0.2 이하 또는 0.15 이하일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. In other examples, K in Formula 1 is 0.01 or more, 0.02 or more, 0.03 or more, 0.04 or more, 0.05 or more, 0.06 or more, 0.07 or more, 0.08 or more, or 0.09 or more, or 0.45 or less, 0.4 or less, 0.35 or less, 0.3 or less, or 0.25 or more. It may be 0.2 or less or 0.15 or less, but is not limited thereto.

본 출원에서 상기 수식 1의 K에서, Rin,A 값은 예를 들어, 6000nm 이상일 수 있다. 상기 Rin,A 는 다른 예시에서, 6500 nm 이상, 7000nm 이상, 7500 nm 이상, 8000nm 이상, 또는 8500 nm 이상이거나 12000nm 이하, 11500nm 이하, 11000nm 이하, 10500nm 이하, 10000nm 이하 또는 9500nm 이하일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한 상기 수식 1의 K에서, Rin,B 은 예를 들어, 8000nm 이상일 수 있고, 다른 예시에서, 8500 nm 이상, 9000 nm 이상 또는 9500 nm 이거나 15000nm 이하, 14500nm 이하, 14000nm 이하, 13500nm 이하, 13000nm 이하, 12500nm 이하, 12000nm 이하, 11500nm 이하, 11000nm 이하 또는 10500nm 이하일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In this application, in K of Equation 1 above, R in, A of The value may be, for example, 6000 nm or more. In other examples, the R in,A may be 6500 nm or more, 7000 nm or more, 7500 nm or more, 8000 nm or more, or 8500 nm or less, or 12000 nm or less, 11500 nm or less, 11000 nm or less, 10500 nm or less, 10000 nm or less, or 9500 nm or less. It is not limited. Also, in K of Equation 1, R in,B may be, for example, 8000 nm or more, and in other examples, 8500 nm or more, 9000 nm or more, or 9500 nm, or 15000 nm or less, 14500 nm or less, 14000 nm or less, 13500 nm or less, 13000 nm. Hereinafter, it may be 12500 nm or less, 12000 nm or less, 11500 nm or less, 11000 nm or less, or 10500 nm or less, but is not limited thereto.

본 출원의 광변조 디바이스는, 예를 들어, 상기 수식 1 및/또는 후술하는 수식 2를 만족하는 제 1 및 제 2 기판을 각각 도입함으로써 후술하는 다른 층들, 예를 들어, 편광층, 광변조층 등의 다른 층들과의 조합에 의해 레인보우(rainbow) 현상이나 연신무늬와 같은 외관 품질 저하 현상을 제어할 수 있다. The light modulation device of the present application includes, for example, other layers described later, such as a polarization layer and a light modulation layer, by introducing first and second substrates that satisfy Equation 1 and/or Equation 2 described later, respectively. By combining it with other layers, it is possible to control appearance quality degradation such as rainbow phenomenon or stretching pattern.

본 출원에서 상기 제 1 및 제 2 기판에 적용되는 고분자 필름이 서로 상이하다는 것은, 예를 들어, 상기 고분자 필름의 두께가 서로 상이하다는 것을 의미할 수 있다. 본 출원에서 상기 제 1 및 제 2 기판은 예를 들어, 하기 수식 2의 P의 값이 0.3 이상일 수 있다. In the present application, the fact that the polymer films applied to the first and second substrates are different from each other may mean, for example, that the thicknesses of the polymer films are different from each other. In the present application, for example, the first and second substrates may have a P value of 0.3 or more in Equation 2 below.

[수식 2][Formula 2]

수식 2의 P에서, WA 제 1 기판의 두께를 의미할 수 있고, WB 제 2 기판의 두께를 의미할 수 있으며, min(WA, WB)는 WA 또는 WB 중 더 작은 값을 의미할 수 있다.In P in Equation 2, W A is It may mean the thickness of the first substrate, and W B is It may refer to the thickness of the second substrate, and min(W A , W B ) may refer to the smaller value of W A or W B.

상기 수식 2의 P의 값은 다른 예시에서, 1 미만, 0.95 미만, 0.9 미만, 0.85 미만 또는 0.8 미만이거나 0.35 이상, 0.4 이상, 0.45 이상, 0.5 이상, 0.55 이상, 0.6 이상, 0.65 이상 또는 0.7 이상일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. In other examples, the value of P in Equation 2 is less than 1, less than 0.95, less than 0.9, less than 0.85, or less than 0.8, or more than 0.35, more than 0.4, more than 0.45, more than 0.5, more than 0.55, more than 0.6, more than 0.65, or more than 0.7. It may be possible, but it is not limited to this.

본 출원에서 상기 수식 2의 P에서, WA 값은 예를 들어, 50㎛ 내지 100㎛의 범위 내일 수 있다. 상기 WA 값은 다른 예시에서, 55㎛ 이상, 60㎛ 이상, 65㎛ 이상, 70㎛ 이상 또는 75㎛ 이상이거나 95㎛ 이하, 90㎛ 이하 또는 85㎛ 이하일 수 있다. 본 출원에서 상기 수식 2의 P에서, WB 값은 예를 들어, 120㎛ 내지 180㎛의 범위 내일 수 있다. 상기 WB 값은 다른 예시에서, 125㎛ 이상, 130㎛ 이상 또는 135㎛ 이상 또는 140㎛ 이상이거나 175㎛ 이하, 170㎛ 이하, 165㎛ 이하, 160㎛ 이하, 155㎛ 이하 또는 150㎛ 이하일 수 있다. In the present application, in P of Equation 2, the W A value may be, for example, in the range of 50㎛ to 100㎛. In other examples, the W A value may be 55 μm or more, 60 μm or more, 65 μm or more, 70 μm or more, or 75 μm or more, or 95 μm or less, 90 μm or less, or 85 μm or less. In the present application, in P of Equation 2, the W B value may be, for example, in the range of 120㎛ to 180㎛. In other examples, the W B value may be 125 ㎛ or more, 130 ㎛ or more, 135 ㎛ or more, or 140 ㎛ or more, or 175 ㎛ or less, 170 ㎛ or less, 165 ㎛ or less, 160 ㎛ or less, 155 ㎛ or less, or 150 ㎛ or less. .

본 출원은 예를 들어, 상기 수식 1 및/또는 수식 2를 만족하는 제 1 및 제 2 기판을 각각 도입함으로써 투과율 가변 특성 등의 광학 특성 및 기계적 물성 등이 우수하면서도 차단 모드에서 전 방위의 광 누설이 제어되고, 레인보우(rainbow) 현상이나 연신 무늬 등의 외관 불량도 제어된 광변조 디바이스를 제공할 수 있다. For example, in this application, by introducing first and second substrates that satisfy Equation 1 and/or Equation 2, respectively, optical properties such as variable transmittance characteristics and mechanical properties are excellent, while light leakage in all directions in blocking mode is achieved. It is possible to provide an optical modulation device in which this is controlled and appearance defects such as rainbow phenomenon or stretching pattern are also controlled.

본 출원에서 제 1 및 제 2 기판으로 상기와 같은 특징을 가지는 고분자 필름을 각각 도입하면서 상기 제 1 및 제 2 기판의 지상축 간 관계를 소정 범위로 제어함으로써 본 출원의 목적을 보다 효과적으로 달성할 수 있다. 상기 고분자 필름은 예를 들어, 비등방성 필름일 수 있다. In the present application, the purpose of the present application can be more effectively achieved by introducing polymer films having the above characteristics as the first and second substrates, respectively, and controlling the relationship between the slow axes of the first and second substrates to a predetermined range. there is. For example, the polymer film may be an anisotropic film.

본 출원에서 제 1 및 제 2 기판의 지상축은 예를 들어, 서로 수평하도록 배치될 수 있다. 본 명세서에서 상기 제 1 및 제 2 기판의 지상축이 서로 수평하다는 것은, 상기 제 1 고분자 필름의 지상축과 상기 제 2 고분자 필름의 지상축이 대략 -10도 내지 10도 내의 범위로 배치된 것을 의미할 수 있다. 상기 제 1 및 제 2 고분자 필름의 지상축은, 다른 예시에서, 대략 -9도 이상, 대략 -8도 이상, 대략 -7도 이상, 대략 -6도 이상, 대략 -5도 이상, 대략 -4도 이상, 대략 -3도 이상, 대략 -2도 이상 또는 대략 -1도 이상이거나 대략 9도 이하, 대략 8도 이하, 대략 7도 이하, 대략 6도 이하, 대략 5도 이하, 대략 4도 이하, 대략 3도 이하, 대략 2도 이하 또는 대략 1도 이하일 수 있고, 바람직하게는 0도로 배치되어 있을 수 있다. In the present application, the slow axes of the first and second substrates may be arranged to be horizontal to each other, for example. In this specification, the slow axes of the first and second substrates being horizontal to each other means that the slow axes of the first polymer film and the slow axes of the second polymer film are arranged within a range of approximately -10 degrees to 10 degrees. It can mean. In other examples, the slow axes of the first and second polymer films are approximately -9 degrees or greater, approximately -8 degrees or greater, approximately -7 degrees or greater, approximately -6 degrees or greater, approximately -5 degrees or greater, or approximately -4 degrees. or above, approximately -3 degrees or greater, approximately -2 degrees or greater, or approximately -1 degrees or greater, or approximately 9 degrees or lower, approximately 8 degrees or lower, approximately 7 degrees or lower, approximately 6 degrees or lower, approximately 5 degrees or lower, approximately 4 degrees or lower, It may be approximately 3 degrees or less, approximately 2 degrees or less, or approximately 1 degree or less, and may preferably be arranged at 0 degrees.

본 출원은 전술한 특성을 가지는 제 1 및 제 2 기판과 함께 후술하는 특성을 가지는 광학 이방성층을 추가로 도입함으로써 광학 보상이 보다 효과적으로 이루어진 광변조 디바이스를 제공할 수 있다. The present application can provide an optical modulation device in which optical compensation is more effective by additionally introducing an optically anisotropic layer having the characteristics described later along with the first and second substrates having the characteristics described above.

상기 광학 이방성층은 예를 들어, 상기 광변조층과 상기 제 1 기판 사이 또는 상기 광변조층과 상기 제 2 기판 사이 중 적어도 하나에 포함될 수 있다. 본 명세서에서 상기 광변조층과 상기 제 1 기판 사이 또는 상기 광변조층과 상기 제 2 기판 사이 중 적어도 하나에 포함될 수 있다는 것은, 상기 광변조층과 상기 제 1 기판 사이 및 상기 광변조층과 상기 제 2 기판 사이 각각에 상기 광학 이방성층이 배치되어 있거나, 상기 광변조층과 상기 제 1 기판 사이 또는 상기 광변조층과 상기 제 2 기판 사이 중 어느 하나에 상기 광학 이방성층이 배치되어 있는 것을 의미할 수 있다. For example, the optically anisotropic layer may be included at least one of between the light modulation layer and the first substrate or between the light modulation layer and the second substrate. In the present specification, it may be included at least one of between the light modulation layer and the first substrate or between the light modulation layer and the second substrate, between the light modulation layer and the first substrate and between the light modulation layer and the second substrate. This means that the optically anisotropic layer is disposed between the second substrates, or between the light modulation layer and the first substrate, or between the light modulation layer and the second substrate. can do.

상기 광학 이방성층은 예를 들어, 하기 수식 3을 만족할 수 있다. For example, the optically anisotropic layer may satisfy Equation 3 below.

[수식 3][Formula 3]

nz < ny ≒ nx n z < n y ≒ n x

수식 3에서 nx는 광학 이방성층의 지상축 방향의 550nm 파장의 광에 대한 굴절률일 수 있고, ny는 광학 이방성층의 진상축 방향의 550nm 파장의 광에 대한 굴절률일 수 있으며, nz는 광학 이방성층의 두께 방향의 굴절률일 수 있다. 본 명세서에서 A≒B는 예를 들어, A와 B의 값이 실질적으로 동일하다는 것을 의미할 수 있고, 상기 A 및/또는 B는 각각 예를 들어, nx, ny 또는 nz 중 어느 하나일 수 있다. In Equation 3 , n It may be the refractive index in the thickness direction of the optically anisotropic layer. In the present specification, A≒B may mean, for example, that the values of A and B are substantially the same, and A and/or B are each, for example, any one of n x, n y , or n z. It can be.

상기 광학 이방성층은 예를 들어, 550nm 파장의 광에 대한 두께 방향 위상차가 -50nm 내지 -700nm의 범위 내일 수 있다. 상기 두께 방향 위상차는 다른 예시에서, -60nm 이하, -70 nm 이하, -80 nm 이하, -90 nm 이하, -100 nm 이하, -110nm 이하, -120nm 이하, -130nm 이하, -140nm 이하, -150nm 이하, -160nm 이하, -170nm 이하, -180nm 이하, -190nm 이하, -200nm 이하 또는 -210nm 이하이거나 -690 nm 이상, -680 nm 이상, -670 nm 이상, -660 nm 이상, -650 nm 이상, -640 nm 이상, -630 nm 이상, -620 nm 이상, -610 nm 이상, -600 nm 이상, -590 nm 이상, -580 nm 이상, -570 nm 이상, -560 nm 이상, -550 nm 이상, -540 nm 이상, -530 nm 이상, -520 nm 이상, -510 nm 이상, -500 nm 이상, -490 nm 이상, -480 nm 이상, -470 nm 이상, -460 nm 이상, -450 nm 이상, -440 nm 이상, -430 nm 이상, -420 nm 이상, -410 nm 이상, -400 nm 이상, -390 nm 이상, -380 nm 이상, -370 nm 이상, -360 nm 이상, -350 nm 이상, -340nm 이상, -330nm 이상, -320nm 이상, -310nm 이상, -300nm 이상, -290nm 이상, -280nm 이상, -270nm 이상, -260nm 이상, -250nm 이상, -240nm 이상 또는 -230nm 이상일 수 있다. For example, the optically anisotropic layer may have a thickness direction retardation in the range of -50nm to -700nm with respect to light with a wavelength of 550nm. In other examples, the thickness direction phase difference is -60 nm or less, -70 nm or less, -80 nm or less, -90 nm or less, -100 nm or less, -110 nm or less, -120 nm or less, -130 nm or less, -140 nm or less, - Below 150 nm, below -160 nm, below -170 nm, below -180 nm, below -190 nm, below -200 nm, or below -210 nm, or above -690 nm, above -680 nm, above -670 nm, above -660 nm, -650 nm or more, -640 nm or more, -630 nm or more, -620 nm or more, -610 nm or more, -600 nm or more, -590 nm or more, -580 nm or more, -570 nm or more, -560 nm or more, -550 nm or more, -540 nm or more, -530 nm or more, -520 nm or more, -510 nm or more, -500 nm or more, -490 nm or more, -480 nm or more, -470 nm or more, -460 nm or more, -450 nm or more, -440 nm or more, -430 nm or more, -420 nm or more, -410 nm or more, -400 nm or more, -390 nm or more, -380 nm or more, -370 nm or more, -360 nm or more, -350 nm or greater than -340 nm, greater than -330 nm, greater than -320 nm, greater than -310 nm, greater than -300 nm, greater than -290 nm, greater than -280 nm, greater than -270 nm, greater than -260 nm, greater than -250 nm, greater than -240 nm, or greater than -230 nm. there is.

상기 광학 이방성층은 예를 들어, 550 nm 파장의 광에 대한 면내 위상차가 10nm 이하의 범위 내일 수 있다. 다른 예시에서, 상기 면내 위상차는 9nm 이하, 8nm 이하, 7 nm 이하, 6 nm 이하, 5 nm 이하, 4 nm 이하, 3 nm 이하, 2 nm 이하 또는 1 nm 이하일 수 있으며, 바람직하게는 0nm일 수 있다. For example, the optically anisotropic layer may have an in-plane retardation of 10 nm or less for light with a wavelength of 550 nm. In another example, the in-plane retardation may be 9 nm or less, 8 nm or less, 7 nm or less, 6 nm or less, 5 nm or less, 4 nm or less, 3 nm or less, 2 nm or less, or 1 nm or less, preferably 0 nm. there is.

본 출원에서 상기 광학 이방성층은 상기와 같은 특성을 나타내는 것이면 제한 없이 사용될 수 있다. 하나의 예시에서, 상기 광학 이방성층은 폴리아미드를 용매에 배합하여 형성할 수 있다. 상기 폴리아미드는 하나의 예시에서, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-5,5'-바이페닐다이아민을 이소프탈산 및/또는 테레프탈산과 중합하여 형성할 수 있다. 또한, 상기 용매는, 하나의 예시에서 디메틸아세트아마이드일 수 있다. 상기 폴리아미드는 예를 들어, 상기 용매에 대해 대략 4 중량% 내지 10 중량%의 범위 내로 포함될 수 있으며, 다른 예시에서, 4.5 중량% 이상 또는 5 중량% 이상이거나 9 중량% 이하, 8 중량% 이하, 7 중량% 이하, 6 중량% 이하 또는 5.5 중량% 이하로 포함될 수 있다. In the present application, the optically anisotropic layer can be used without limitation as long as it exhibits the above characteristics. In one example, the optically anisotropic layer can be formed by mixing polyamide with a solvent. In one example, the polyamide can be formed by polymerizing 2,2'-bis(trifluoromethyl)-5,5'-biphenyldiamine with isophthalic acid and/or terephthalic acid. Additionally, the solvent may be dimethylacetamide in one example. The polyamide may be included, for example, in a range of approximately 4% to 10% by weight relative to the solvent, and in other examples, at least 4.5% by weight, at least 5% by weight, or at most 9% by weight, at most 8% by weight. , may be included in 7% by weight or less, 6% by weight or less, or 5.5% by weight or less.

하나의 예시에서, 폴리아미드를 용매에 배합하여 형성한 상기 용액을 고분자 필름 또는 후술하는 도전층 상에 도포하여 코팅할 수 있으며, 예를 들어, 바 코팅 방식, 슬롯-다이(Slot-Die) 코팅 방식, 그라비어(Gravire) 코팅 방식 등에 의할 수 있다. In one example, the solution formed by mixing polyamide in a solvent can be coated by applying it on a polymer film or a conductive layer described later, for example, bar coating method, slot-die coating. method, gravure coating method, etc.

상기 코팅에 의해 형성된 코팅층은 열 경화 또는 자외선 경화 등에 의해 경화될 수 있다. 하나의 예시에서, 본 출원의 상기 광학 이방성층은 상기 코팅층에 대략 50℃ 내지 150℃의 범위 내의 열을 대략 5분 내지 30분의 범위 내의 시간 동안 가하여 경화시켜 형성한 층일 수 있다. 다른 예시에서, 상기 경화 온도는 60 ℃ 이상, 70 ℃ 이상, 80 ℃ 이상 또는 90 ℃ 이상이거나 140 ℃ 이하, 130 ℃ 이하, 120 ℃ 이하 또는 110 ℃ 이하일 수 있고, 상기 경화 시간은 6분 이상, 7분 이상, 8분 이상 또는 9분 이상이거나 25분 이하, 20분 이하 또는 15분 이하 정도일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. The coating layer formed by the coating may be hardened by heat curing or ultraviolet curing. In one example, the optically anisotropic layer of the present application may be a layer formed by curing the coating layer by applying heat in the range of approximately 50°C to 150°C for a time in the range of approximately 5 minutes to 30 minutes. In another example, the curing temperature may be 60°C or higher, 70°C or higher, 80°C or higher, or 90°C or lower, or 140°C or lower, 130°C or lower, 120°C or lower, or 110°C or lower, and the curing time may be 6 minutes or higher, It may be 7 minutes or more, 8 minutes or more, or 9 minutes or less, or 25 minutes or less, 20 minutes or less, or 15 minutes or less, but is not limited thereto.

상기 광학 이방성층은 예를 들어, 굴절률 이방성(n△)이 0.01 내지 0.15의 범위 내일 수 있다. 상기 굴절률 이방성(n△)은 다른 예시에서, 0.02 이상, 0.03 이상, 0.04 이상, 0.05 이상, 0.06 이상, 0.07 이상, 0.08 이상 또는 0.09 이상이거나 0.14 이하, 0.13 이하, 0.12 이하 또는 0.11 이하일 수 있다. For example, the optically anisotropic layer may have a refractive index anisotropy (n△) in the range of 0.01 to 0.15. In other examples, the refractive index anisotropy (n△) may be 0.02 or more, 0.03 or more, 0.04 or more, 0.05 or more, 0.06 or more, 0.07 or more, 0.08 or more, or 0.09 or more, or 0.14 or less, 0.13 or less, 0.12 or less, or 0.11 or less.

상기 광학 이방성층은 또한 예를 들어, 평균 굴절률이 1.0 내지 2.0의 범위 내일 수 있다. 상기 평균 굴절률은 다른 예시에서, 1.1 이상, 1.2 이상, 1.3 이상, 1.4 이상, 1.5 이상 또는 1.6 이상이거나 1.9 이하, 1.8 이하 또는 1.7 이하일 수 있다. The optically anisotropic layer may also have an average refractive index in the range of 1.0 to 2.0, for example. In other examples, the average refractive index may be 1.1 or more, 1.2 or more, 1.3 or more, 1.4 or more, 1.5 or more, or 1.6 or more, or 1.9 or less, 1.8 or less, or 1.7 or less.

본 출원에서 상기 광학 이방성층은 두께가 예를 들어, 0.1㎛ 내지 10㎛의 범위 내일 수 있다. 다른 예시에서, 상기 두께는 약 0.2㎛ 이상, 약 0.3㎛ 이상, 약 0.4㎛ 이상, 약 0.5㎛ 이상, 약 0.6㎛ 이상, 약 0.7㎛ 이상, 약 0.8㎛ 이상, 약 0.9㎛ 이상, 약 1㎛ 이상, 약 1.1㎛ 이상, 약 1.2㎛ 이상, 약 1.3㎛ 이상, 약 1.4㎛ 이상, 약 1.5㎛ 이상, 약 1.6㎛ 이상, 약 1.7㎛ 이상, 약 1.8㎛ 이상 또는 약 1.9㎛ 이상이거나 약 9㎛ 이하, 약 8㎛ 이하, 약 7㎛ 이하, 약 6㎛ 이하, 약 5㎛ 이하, 약 4㎛ 이하 또는 약 3㎛ 이하일 수 있다. In the present application, the optically anisotropic layer may have a thickness in the range of, for example, 0.1㎛ to 10㎛. In other examples, the thickness is greater than or equal to about 0.2 μm, greater than or equal to about 0.3 μm, greater than or equal to about 0.4 μm, greater than or equal to about 0.5 μm, greater than or equal to about 0.6 μm, greater than or equal to about 0.7 μm, greater than or equal to about 0.8 μm, greater than or equal to about 0.9 μm, or greater than or equal to about 1 μm. or more, about 1.1 ㎛ or more, about 1.2 ㎛ or more, about 1.3 ㎛ or more, about 1.4 ㎛ or more, about 1.5 ㎛ or more, about 1.6 ㎛ or more, about 1.7 ㎛ or more, about 1.8 ㎛ or more, or about 1.9 ㎛ or more, or about 9 ㎛. Hereinafter, it may be about 8 μm or less, about 7 μm or less, about 6 μm or less, about 5 μm or less, about 4 μm or less, or about 3 μm or less.

본 출원은, 상기와 같은 특성을 가지는 광학 이방성층을 광변조 디바이스의 적절한 위치에 추가로 포함함으로써 차단 모드에서 측면으로의 광 누설을 제어하면서도 제 1 및 제 2 고분자 필름 등의 광 성질에 의해 보상 효과가 왜곡되는 문제를 해결할 수 있다. The present application controls light leakage to the side in blocking mode by additionally including an optically anisotropic layer having the above characteristics at an appropriate position of the light modulation device, while compensating for it by the optical properties of the first and second polymer films. This can solve the problem of distorted effects.

본 출원은 예를 들어, 제 1 및/또는 제 2 기판의 제 2 표면 중 하나 이상의 표면에 형성된 편광층을 추가로 포함할 수 있다. 본 출원에서 상기 편광층은 제 1 기판의 제 2 표면에만 형성되거나, 제 2 기판의 제 2 표면에만 형성되거나 또는 제 1 및 제 2 기판의 제 2 표면에 모두 형성되어 있을 수 있지만, 차단 모드에서의 광 누설을 제어하는 측면에서 바람직하게는 상기 제 1 및 제 2 기판의 제 2 표면에 모두 형성되어 있을 수 있다. The present application may further include, for example, a polarizing layer formed on one or more surfaces of the first and/or second surfaces of the second substrate. In the present application, the polarizing layer may be formed only on the second surface of the first substrate, only on the second surface of the second substrate, or may be formed on both the second surfaces of the first and second substrates, but in blocking mode In terms of controlling light leakage, it may preferably be formed on both the second surfaces of the first and second substrates.

본 명세서에서 편광층은 자연광 내지 비편광을 편광으로 변화시키는 소자를 의미할 수 있다. 상기 편광층은 예를 들어, 선 편광층일 수 있다. 본 명세서에서 선 편광층은 선택적으로 투과하는 광이 어느 하나의 방향으로 진동하는 선 편광이고 선택적으로 흡수 또는 반사하는 광이 상기 선편광의 진동 방향과 직교하는 방향으로 진동하는 선편광인 경우를 의미한다. 즉, 상기 선 편광자는 면 방향으로 직교하는 투과축 및 흡수축 내지 반사축을 가질 수 있다. In this specification, a polarizing layer may refer to a device that changes natural light or non-polarized light into polarized light. For example, the polarizing layer may be a linear polarizing layer. In this specification, a linear polarization layer refers to a case where the selectively transmitted light is linearly polarized light vibrating in one direction, and the light selectively absorbed or reflected is linearly polarized light vibrating in a direction perpendicular to the vibration direction of the linearly polarized light. That is, the linear polarizer may have a transmission axis and an absorption axis or reflection axis that are orthogonal to the plane direction.

상기 편광층은 흡수형 편광층 또는 반사형 편광층일 수 있다. 상기 흡수형 편광층으로는, 예를 들어, PVA(본 명세서에서 PVA는 polyvinyl alcohol을 의미한다)연신 필름 등과 같은 고분자 연신 필름에 요오드를 염착한 편광층 또는 배향된 상태로 중합된 액정을 호스트로 하고, 상기 액정의 배향에 따라 배열된 이방성 염료를 게스트로 하는 게스트-호스트형 편광층을 사용할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 반사형 편광층으로는, 예를 들면, 소위 DBEF(Dual Brightness Enhancement Film)으로 공지되어 있는 반사형 편광층이나 LLC(Lyotropic liquid crystal)과 같은 액정 화합물을 코팅하여 형성되는 반사형 편광층을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The polarizing layer may be an absorbing polarizing layer or a reflective polarizing layer. The absorbing polarizing layer includes, for example, a polarizing layer dyed with iodine on a stretched polymer film such as PVA (in this specification, PVA refers to polyvinyl alcohol) stretched film, or a liquid crystal polymerized in an aligned state as a host. In addition, a guest-host type polarizing layer using an anisotropic dye arranged according to the orientation of the liquid crystal as a guest may be used, but is not limited thereto. As the reflective polarizing layer, for example, a reflective polarizing layer known as DBEF (Dual Brightness Enhancement Film) or a reflective polarizing layer formed by coating a liquid crystal compound such as LLC (Lyotropic liquid crystal) may be used. However, it is not limited to this.

본 출원에서 상기 편광층은 예를 들어, 80㎛ 내지 200㎛의 범위 내의 두께를 가질 수 있다. 다른 예시에서, 상기 편광층의 두께는, 90㎛ 이상, 100㎛ 이상, 110㎛ 이상, 120㎛ 이상 또는 130㎛ 이상이거나 190㎛ 이하, 180㎛ 이하, 170㎛ 이하, 160㎛ 이하 또는 150㎛ 이하일 수 있다. In the present application, the polarizing layer may have a thickness ranging from, for example, 80 μm to 200 μm. In another example, the thickness of the polarizing layer is 90 ㎛ or more, 100 ㎛ or more, 110 ㎛ or more, 120 ㎛ or more, or 130 ㎛ or less, or 190 ㎛ or less, 180 ㎛ or less, 170 ㎛ or less, 160 ㎛ or less, or 150 ㎛ or less. You can.

본 출원의 광변조 디바이스는 예를 들어, 상기 제 1 및 제 2 기판의 서로의 제 1 표면이 대향하도록 배치되어 있고, 상기 대향 배치된 제 1 및 제 2 기판의 사이에 액정 화합물을 포함하는 광변조층을 포함할 수 있다. For example, the light modulation device of the present application is arranged so that the first surfaces of the first and second substrates face each other, and includes a liquid crystal compound between the opposingly arranged first and second substrates. It may include a modulation layer.

본 출원에서 상기 광변조층은 적어도 액정 화합물을 포함하는 층으로, 상기 액정 화합물의 배향 상태를 외부 신호 인가 등을 통해 제어할 수 있는 액정층을 의미할 수 있다. In the present application, the light modulation layer is a layer containing at least a liquid crystal compound, and may refer to a liquid crystal layer in which the alignment state of the liquid crystal compound can be controlled through the application of an external signal, etc.

상기 액정 화합물은, 예를 들어, 네마틱(nematic) 액정 화합물, 스멕틱(smectic) 액정 화합물 또는 콜레스테릭(cholesteric) 액정 화합물 등일 수 있다. 또한, 외부 신호의 인가에 의하여 그 배향 방향이 변경될 수 있도록 예를 들어, 중합성기 또는 가교성기를 가지지 않는 화합물이거나, 가지더라도 중합 또는 가교되지 않은 화합물일 수 있다.The liquid crystal compound may be, for example, a nematic liquid crystal compound, a smectic liquid crystal compound, or a cholesteric liquid crystal compound. In addition, for example, it may be a compound that does not have a polymerizable group or a crosslinkable group, or it may have a compound that is not polymerized or crosslinked so that its orientation direction can be changed by the application of an external signal.

상기 광변조층은 예를 들어, 유전율 이방성이 음수인 액정 화합물을 포함하거나, 혹은 상기 광변조층은 상기 언급된 유전율 이방성을 나타낼 수 있다. 유전율 이방성의 절대값은 본 출원의 목적을 고려하여 적절히 선택될 수 있다. 용어 「유전율 이방성(△ε)」은 수평 유전율(ε//)과 수직 유전율(ε⊥)의 차이(ε// -ε⊥)를 의미할 수 있다. 본 명세서에서 용어 수평 유전율(ε//)은 액정 분자의 방향자와 인가 전압에 의한 전기장의 방향이 실질적으로 수평하도록 전압을 인가한 상태에서 상기 전기장의 방향을 따라 측정한 유전율 값을 의미하고, 수직 유전율(ε⊥)은 액정 분자의 방향자와 인가 전압에 의한 전기장의 방향이 실질적으로 수직하도록 전압을 인가한 상태에서 상기 전기장의 방향을 따라 측정한 유전율 값을 의미한다.For example, the light modulation layer may include a liquid crystal compound having negative dielectric anisotropy, or the light modulation layer may exhibit the above-mentioned dielectric anisotropy. The absolute value of dielectric anisotropy may be appropriately selected considering the purpose of the present application. The term “permittivity anisotropy (△ε)” may mean the difference (ε// -ε⊥) between the horizontal permittivity (ε//) and the vertical permittivity (ε⊥). In this specification, the term horizontal dielectric constant (ε//) refers to a dielectric constant value measured along the direction of the electric field while applying a voltage so that the direction of the electric field due to the director of the liquid crystal molecules and the applied voltage is substantially horizontal, The vertical dielectric constant (ε⊥) refers to a dielectric constant value measured along the direction of the electric field while applying a voltage such that the direction of the electric field caused by the applied voltage is substantially perpendicular to the director of the liquid crystal molecules.

상기 광변조층은 예를 들어, 굴절률 이방성(n△)이 약 0.04 내지 0.15의 범위 내인 액정 화합물을 포함하거나, 상기 광변조층이 상기 언급된 굴절률 이방성을 나타낼 수 있다. 본 출원의 굴절률 이방성(n△)은 이상 굴절률(ne, extraordinary refractive index) 및 정상 굴절률(no, ordinary refractive index)의 차이(ne-no)일 수 있다. 본 명세서에서 상기 ne는 예를 들어, nz일 수 있고, no는 예를 들어, nx 및/또는 ny일 수 있다. 즉, 본 출원에서 상기 굴절률 이방성(n△)은 예를 들어, nz-nx 또는 nz-ny일 수 있다. 상기 굴절률 이방성(n△)은 다른 예시에서, 약 0.14 이하, 0.13 이하, 0.12 이하, 0.11 이하 또는 0.1 이하이거나 0.05 이상, 0.06 이상 또는 0.07 이상일 수 있다. For example, the light modulation layer may include a liquid crystal compound having a refractive index anisotropy (nΔ) in the range of about 0.04 to 0.15, or the light modulation layer may exhibit the above-mentioned refractive index anisotropy. The refractive index anisotropy (n△) of the present application may be the difference (ne-no) between the abnormal refractive index (ne, extraordinary refractive index) and the normal refractive index (no, ordinary refractive index). In the present specification, ne may be, for example, n z , and no may be, for example, n x and/or n y . That is, in the present application, the refractive index anisotropy (n△) may be, for example, n z -n x or n z -n y . In other examples, the refractive index anisotropy (nΔ) may be about 0.14 or less, 0.13 or less, 0.12 or less, 0.11 or less, or 0.1 or less, or 0.05 or more, 0.06 or more, or 0.07 or more.

상기 광변조층은 또한 예를 들어, 평균 굴절률이 1.0 내지 2.0의 범위 내일 수 있다. 본 출원의 평균 굴절률은 이상 굴절률(ne) 및 정상 굴절률(no)의 평균값((ne+no)/2)을 의미할 수 있다. 본 명세서에서 상기 평균 굴절률은 예를 들어, (nx+nz)/2 또는 (ny+nz)/2일 수 있다. 상기 평균 굴절률은 다른 예시에서, 1.1 이상, 1.2 이상, 1.3 이상, 1.4 이상 또는 1.5 이상이거나 1.9 이하, 1.8 이하, 1.7 이하 또는 1.6 이하일 수 있다. The light modulation layer may also have an average refractive index in the range of 1.0 to 2.0, for example. The average refractive index of the present application may mean the average value ((ne+no)/2) of the abnormal refractive index (ne) and the normal refractive index (no). In this specification, the average refractive index may be, for example, (n x +n z )/2 or (n y +n z )/2. In other examples, the average refractive index may be 1.1 or more, 1.2 or more, 1.3 or more, 1.4 or more, or 1.5 or more, or 1.9 or less, 1.8 or less, 1.7 or less, or 1.6 or less.

상기 광변조층의 구동 모드는, 예를 들어, Reversed TN(Twisted Nematic) 모드, Reversed STN(Super Twisted Nematic) 모드, VA(Vertical Alignment) 모드, MVA(Multi-domain Vertical Alignment) 모드, PVA(Patterned Vertical Alignment) 모드, HAN(Hybrid Aligned Nematic) 모드 등일 수 있다. The driving modes of the optical modulation layer include, for example, Reversed TN (Twisted Nematic) mode, Reversed STN (Super Twisted Nematic) mode, VA (Vertical Alignment) mode, MVA (Multi-domain Vertical Alignment) mode, and PVA (Patterned Nematic) mode. It may be Vertical Alignment) mode, HAN (Hybrid Aligned Nematic) mode, etc.

본 출원의 광변조층은, 광투과도 가변 특성을 조절한다는 측면에서 상기 액정 화합물과 함께 이색성 염료를 추가로 포함할 수 있다. 본 명세서에서 용어 「염료」는, 가시광 영역, 예를 들면, 400nm 내지 700nm 파장 범위 내에서 적어도 일부 또는 전체 범위 내의 광을 집중적으로 흡수 및/또는 변형시킬 수 있는 물질을 의미할 수 있고, 용어 「이색성 염료」는 상기 가시광 영역의 적어도 일부 또는 전체 범위에서 광의 이방성 흡수가 가능한 물질을 의미할 수 있다. 이러한 염료로는, 예를 들면, 아조 염료 또는 안트라퀴논 염료 등이 공지되어 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The light modulation layer of the present application may further include a dichroic dye together with the liquid crystal compound in terms of controlling the variable light transmittance characteristics. In this specification, the term “dye” may refer to a material that can intensively absorb and/or modify light within at least part or the entire range of visible light, for example, within the 400 nm to 700 nm wavelength range, and the term “ “Dichroic dye” may refer to a material capable of anisotropic absorption of light in at least part or the entire range of the visible light region. Examples of such dyes include known azo dyes and anthraquinone dyes, but are not limited thereto.

하나의 예시에서, 상기 광변조층은 액정 화합물 및 이색성 염료를 포함하는 액정층으로서, 소위 게스트호스트 액정층(Guest Host Liquid Crystal cell)일 수 있다. 용어 「GHLC층」은, 액정의 배열에 따라 이색성 염료가 함께 배열되어 이색성 염료의 정렬 방향과 상기 정렬 방향의 수직한 방향에 대하여 각각 비등방성 광 흡수 특성을 나타내는 기능성 층을 의미할 수 있다. 예를 들어, 이색성 염료는 빛의 흡수율이 편광 방향에 따라서 달라지는 물질로서, 장축 방향으로 편광된 빛의 흡수율이 크면 p형 염료로 호칭하고 단축 방향으로 편광된 빛의 흡수율이 크면 n형 염료라고 호칭할 수 있다. 하나의 예시에서, p형 염료가 사용되는 경우, 염료의 장축 방향으로 진동하는 편광은 흡수되고 염료의 단축 방향으로 진동하는 편광은 흡수가 적어 투과시킬 수 있다. In one example, the light modulation layer is a liquid crystal layer containing a liquid crystal compound and a dichroic dye, and may be a so-called guest host liquid crystal cell. The term “GHLC layer” refers to a functional layer in which dichroic dyes are arranged together according to the arrangement of the liquid crystal and exhibit anisotropic light absorption characteristics with respect to the alignment direction of the dichroic dye and the direction perpendicular to the alignment direction. . For example, a dichroic dye is a material whose light absorption rate varies depending on the polarization direction. If the absorption rate of light polarized in the major axis direction is high, it is called a p-type dye. If the absorption rate of light polarized in the minor axis direction is high, it is called an n-type dye. It can be called. In one example, when a p-type dye is used, polarized light vibrating in the long axis direction of the dye is absorbed, and polarized light vibrating in the short axis direction of the dye has low absorption and can be transmitted.

상기 게스트호스트 액정층 내에 포함되는 이색성 염료의 비율은 특별히 제한되지 않고, 목적하는 투과도를 고려하여 적정 범위로 설정될 수 있다. 통상 이색성 염료 및 액정 화합물의 혼화성 등을 고려하여 상기 이색성 염료는 약 0.1 중량% 내지 4 중량% 정도의 비율로 광변조층 내에 포함될 수 있다. The ratio of the dichroic dye included in the guest host liquid crystal layer is not particularly limited and can be set to an appropriate range considering the desired transmittance. In general, considering the miscibility of the dichroic dye and the liquid crystal compound, the dichroic dye may be included in the light modulation layer at a ratio of about 0.1% to 4% by weight.

본 출원은, 예를 들어, 상기 광변조층 내의 액정 화합물의 배열을 조절하여, 초기 배향이 수직 배향이고, 상기 수직 배향 상태가 외부 신호의 인가에 의해 수평 배향 상태로 변경될 수 있도록 설계된 광변조 디바이스에 대한 것일 수 있다. 또한 상기 수평 배향은 트위스티드 배향일 수 있다. 상기에서 초기 배향이란, 광변조층에 외부 신호가 인가되지 않은 때의 배향 상태이다. 본 명세서에서 용어 수직 배향은, 상기 광변조층의 방향자 또는 상기 광변조층 내의 액정 화합물의 방향자가 상기 광변조층의 평면에 대하여 대략 수직하게 배열된 상태이고, 예를 들면, 상기 광변조층의 기준면의 법선인 z축과 상기 방향자가 이루는 각도는 약 80도 내지 100도 또는 85도 내지 95도의 범위 내이거나 약 90도 정도일 수 있다. 또한, 용어 수평 배향은, 상기 광변조층의 방향자 또는 상기 광변조층 내의 액정 화합물의 방향자가 상기 광변조층의 기준면에 대략 평행하게 배열된 상태를 의미할 수 있고, 예를 들면, 상기 방향자와 상기 광변조층의 기준면 이루는 각도는 약 0도 내지 10도 또는 약 0도 내지 5도의 범위 내이거나 약 0도 정도일 수 있다. This application, for example, adjusts the arrangement of the liquid crystal compound in the light modulation layer, so that the initial alignment is vertical, and the vertical alignment state is designed to be changed to the horizontal alignment state by application of an external signal. It may be about the device. Additionally, the horizontal orientation may be a twisted orientation. In the above, initial orientation refers to an orientation state when no external signal is applied to the optical modulation layer. As used herein, the term vertical alignment refers to a state in which the director of the light modulation layer or the director of the liquid crystal compound in the light modulation layer is arranged approximately perpendicular to the plane of the light modulation layer, for example, the light modulation layer The angle formed by the z-axis, which is the normal line of the reference plane, and the director may be in the range of about 80 degrees to 100 degrees, 85 degrees to 95 degrees, or about 90 degrees. In addition, the term horizontal orientation may mean a state in which the director of the light modulation layer or the director of the liquid crystal compound in the light modulation layer is arranged approximately parallel to the reference plane of the light modulation layer, for example, in the direction. The angle formed between the ruler and the reference plane of the light modulation layer may be in the range of about 0 degrees to 10 degrees, about 0 degrees to 5 degrees, or about 0 degrees.

본 명세서에서 용어 광변조층의 방향자 또는 액정 화합물의 방향자는 상기 광변조층의 광축(Optical axis) 또는 지상축(Slow axis)을 의미할 수 있다. 예를 들어, 상기 광축 또는 지상축은, 액정 분자가 막대(rod) 모양인 경우 장축 방향을 의미할 수 있고, 액정 분자가 원판(discotic) 모양인 경우 원판 평면의 법선 방향의 축을 의미할 수 있으며, 상기 광변조층 내에 서로 방향자가 상이한 복수의 액정 화합물이 포함되어 있는 경우, 상기 액정 화합물의 방향자들의 벡터 합을 의미할 수 있다. In this specification, the term director of the light modulation layer or the director of the liquid crystal compound may mean the optical axis or slow axis of the light modulation layer. For example, the optical axis or slow axis may mean the long axis direction if the liquid crystal molecule is rod-shaped, and may mean the axis in the normal direction of the disc plane if the liquid crystal molecule is disc-shaped, When a plurality of liquid crystal compounds having different directors are included in the light modulation layer, it may mean the vector sum of the directors of the liquid crystal compounds.

본 출원은, 예를 들어, 상기 광변조층 내의 액정 화합물의 배열을 조절하여, 초기 배향이 수직 배향이고, 상기 수직 배향 상태가 외부 신호의 인가에 의해 수평 배향 상태로 변경될 수 있도록 설계된 광변조 디바이스에 대한 것일 수 있다. 상기에서 초기 배향이란, 광변조층에 외부 신호가 인가되지 않은 때, 즉 차단 모드일 때의 배향 상태이다. This application, for example, adjusts the arrangement of the liquid crystal compound in the light modulation layer, so that the initial alignment is vertical, and the vertical alignment state is designed to be changed to the horizontal alignment state by application of an external signal. It may be about the device. In the above, initial orientation refers to an orientation state when no external signal is applied to the optical modulation layer, that is, in blocking mode.

상기 광변조층은 예를 들어, 트위스트 배향 모드를 구현할 수 있도록 설계될 수 있다. 본 명세서에서 용어 트위스트 배향 모드는 상기 액정 화합물들의 방향자가 가상의 나선축을 따라서 꼬이면서 층을 이루며 배향한 나선형의 구조를 의미할 수 있다. For example, the light modulation layer may be designed to implement a twist orientation mode. As used herein, the term twist alignment mode may refer to a helical structure in which the directors of the liquid crystal compounds are oriented in layers while twisting along a virtual helical axis.

상기 트위스트 배향 모드는, 하나의 예시에서 수평 배향 모드에서 구현될 수 있고, 수직 배향 모드인 경우에는 꼬임 없이 상기 광변조층의 방향자 또는 상기 광변조층 내의 액정 화합물의 방향자가 상기 광변조층의 평면에 대하여 대략 수직하게 배열된 상태일 수 있다. 수평 트위스트 배향 모드는 예를 들어, 개개의 액정 화합물들이 수평 배향된 상태로 나선축을 따라 꼬이면서 층을 이루는 상태를 의미할 수 있다. In one example, the twist alignment mode can be implemented in a horizontal alignment mode, and in the case of a vertical alignment mode, the director of the light modulation layer or the director of the liquid crystal compound in the light modulation layer is the light modulation layer without twisting. It may be arranged approximately perpendicular to the plane. The horizontal twist alignment mode may mean, for example, a state in which individual liquid crystal compounds are horizontally aligned and twisted along a spiral axis to form a layer.

상기 수평 트위스트 배향 모드에서, 상기 광변조층의 두께(d, cell gap)와 피치(p)의 비율(d/p)는 예를 들어, 1 이하일 수 있다. 상기 비율(d/p)이 1을 초과하면, 초기 수직 배향 모드인 경우에도 액정 화합물들이 나선축을 따라 꼬이는 현상이 발생할 수 있고, 핑거 도메인(finger domain) 등의 문제가 발생할 수 있기 때문에 가급적 상기 범위로 조절될 수 있다. 상기 비율(d/p)은 다른 예시에서 약 0.95 이하, 약 0.9 이하, 약 0.85 이하, 약 0.8 이하, 약 0.75 이하, 약 0.7 이하, 약 0.65 이하, 약 0.6 이하, 약 0.55 이하, 약 0.5 이하 또는 약 0.45 이하이거나, 약 0.1 이상, 약 1.15 이상, 약 0.2 이상, 약 0.25 이상, 약 0.3 이상 또는 약 0.35 이상 정도일 수도 있다. 상기에서 광변조층의 두께(d)는 광변조 디바이스 내의 셀 갭(Cell Gap)과 같은 의미일 수 있다. In the horizontal twist orientation mode, the ratio (d/p) between the thickness (d, cell gap) and the pitch (p) of the light modulation layer may be, for example, 1 or less. If the ratio (d/p) exceeds 1, the liquid crystal compounds may be twisted along the helical axis even in the initial vertical alignment mode, and problems such as finger domains may occur, so it is preferably within the above range. can be adjusted. In other examples, the ratio (d/p) is about 0.95 or less, about 0.9 or less, about 0.85 or less, about 0.8 or less, about 0.75 or less, about 0.7 or less, about 0.65 or less, about 0.6 or less, about 0.55 or less, about 0.5 or less. Alternatively, it may be about 0.45 or less, about 0.1 or more, about 1.15 or more, about 0.2 or more, about 0.25 or more, about 0.3 or more, or about 0.35 or more. In the above, the thickness (d) of the light modulation layer may have the same meaning as the cell gap in the light modulation device.

수평 트위스트 배향모드의 광변조층의 피치(p)는, Wedge cell을 이용한 계측 방법으로 측정할 수 있고, 구체적으로는 D.Podolskyy 등의 Simple method for accurate measurements of the cholesteric pitch using a stripe-wedge Grandjean-Cano cell(Liquid Crystals, Vol. 35, No. 7, July 8\2008, 789-791)에 기재된 방식으로 측정할 수 있다. The pitch (p) of the optical modulation layer in the horizontal twist orientation mode can be measured by a measurement method using a wedge cell, and specifically, the Simple method for accurate measurements of the cholesteric pitch using a stripe-wedge Grandjean by D. Podolskyy et al. -It can be measured by the method described in Cano cell (Liquid Crystals, Vol. 35, No. 7, July 8\2008, 789-791).

상기 광변조층이 수평 트위스트 모드를 구현할 수 있도록 상기 광변조층은 소위 키랄 도펀트를 추가로 포함할 수 있다. The light modulation layer may further include a so-called chiral dopant so that the light modulation layer can implement a horizontal twist mode.

광변조층에 포함될 수 있는 키랄 도펀트(Chiral dopant)로는, 액정성, 예를 들어, 네마틱 규칙성을 손상시키지 않고 목적하는 회전(twisting)을 유도할 수 있는 것이라면, 특별히 제한되지 않고 사용될 수 있다. 액정 분자에 회전을 유도하기 위한 키랄 도펀트는 분자 구조 중에 키랄리티(chirality)를 적어도 포함할 필요가 있다. 키랄 도펀트는, 예를 들면, 1개 또는 2개 이상의 비대칭 탄소(asymmetric carbon)를 가지는 화합물, 키랄 아민 또는 키랄 술폭시드 등의 헤테로원자 상에 비대칭점(asymmetric point)이 있는 화합물 또는 크물렌(cumulene) 또는 비나프톨(binaphthol) 등의 축부제를 가지는 광학 활성인 부위(axially asymmetric, optically active site)를 가지는 화합물이 예시될 수 있다. 키랄 도펀트는 예를 들면, 분자량이 1,500 이하인 저분자 화합물일 수 있다. 키랄 도펀트로는, 시판되는 키랄 네마틱 액정, 예를 들면, Merck사에서 시판되는 키랄 도판트 액정 S811 또는 BASF사의 LC756 등이 적용될 수 있다. Chiral dopant that may be included in the light modulation layer may be used without particular limitation as long as it can induce the desired twisting without damaging liquid crystallinity, for example, nematic regularity. . A chiral dopant for inducing rotation in liquid crystal molecules needs to include at least chirality in its molecular structure. Chiral dopants are, for example, compounds with one or more asymmetric carbons, compounds with asymmetric points on heteroatoms such as chiral amines or chiral sulfoxides, or cumulene. ) or a compound having an optically active site (axially asymmetric, optically active site) with an axial agent such as binaphthol may be exemplified. For example, the chiral dopant may be a low molecular weight compound with a molecular weight of 1,500 or less. As the chiral dopant, a commercially available chiral nematic liquid crystal, for example, chiral dopant liquid crystal S811 available from Merck or LC756 from BASF, etc. may be applied.

키랄 도펀트의 적용 비율은, 목적하는 상기 비율(d/p)을 달성할 수 있다면 특별히 제한되지 않는다. 일반적으로 키랄 도펀트의 함량(중량%)은, 100/(HTP(Helixcal Twisting power) × 피치(nm)의 수식으로 계산되며, 목적하는 피치(p)를 고려하여 적정 비율로 선택될 수 있다. 하나의 예시에서, 상기 키랄 도펀트는 상기 피치(p)가 대략 5㎛ 내지 50㎛의 범위 내이도록 포함될 수 있다. 다른 예시에서, 상기 키랄 도펀트는 상기 피치가 대략 6㎛ 이상, 7㎛ 이상, 8㎛ 이상, 9㎛ 이상, 10㎛ 이상, 11㎛ 이상, 12㎛ 이상, 13㎛ 이상, 14㎛ 이상, 15㎛ 이상, 16㎛ 이상, 17㎛ 이상, 18㎛ 이상 또는 19㎛ 이상이거나 45 ㎛ 이하, 40 ㎛ 이하, 35 ㎛ 이하, 30 ㎛ 이하, 29 ㎛ 이하, 28 ㎛ 이하, 27 ㎛ 이하, 26 ㎛ 이하, 25 ㎛ 이하, 24㎛ 이하, 23㎛ 이하, 22㎛ 이하 또는 21㎛가 되도록 적정 범위로 포함될 수 있다. The application ratio of the chiral dopant is not particularly limited as long as the desired ratio (d/p) can be achieved. In general, the content (% by weight) of the chiral dopant is calculated by the formula 100/(HTP (Helixcal Twisting power) × Pitch (nm), and can be selected at an appropriate ratio considering the desired pitch (p). One In an example, the chiral dopant may be included such that the pitch (p) is in the range of approximately 5㎛ to 50㎛, and in another example, the chiral dopant may have a pitch of approximately 6㎛ or more, 7㎛ or more, or 8㎛. or more, 9㎛ or more, 10㎛ or more, 11㎛ or more, 12㎛ or more, 13㎛ or more, 14㎛ or more, 15㎛ or more, 16㎛ or more, 17㎛ or more, 18㎛ or more, or 19㎛ or more, or 45㎛ or less, The appropriate range is 40 ㎛ or less, 35 ㎛ or less, 30 ㎛ or less, 29 ㎛ or less, 28 ㎛ or less, 27 ㎛ or less, 26 ㎛ or less, 25 ㎛ or less, 24 ㎛ or less, 23 ㎛ or less, 22 ㎛ or less or 21 ㎛. may be included.

본 출원의 광변조층의 두께는 본 출원의 목적을 고려하여 적절히 선택될 수 있다. 일 예시에서, 상기 광변조층의 두께는, 약 15㎛ 이하일 수 있다. 이와 같이 두께를 제어함으로, 투과 모드 및 차단 모드에서의 투과율 차이가 큰 디바이스, 즉, 투과율 가변 특성이 우수한 디바이스를 구현할 수 있다. 상기 두께는 다른 예시에서, 약 14㎛ 이하, 13㎛ 이하, 12㎛ 이하, 11㎛ 이하, 10㎛ 이하, 9㎛ 이하, 8㎛ 이하 또는 7㎛ 이하이거나 1㎛ 이상, 2㎛ 이상, 3㎛ 이상, 4㎛ 이상 또는 5㎛ 이상일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. The thickness of the light modulation layer of the present application may be appropriately selected in consideration of the purpose of the present application. In one example, the thickness of the light modulation layer may be about 15㎛ or less. By controlling the thickness in this way, it is possible to implement a device with a large difference in transmittance between transmission mode and blocking mode, that is, a device with excellent transmittance variable characteristics. In other examples, the thickness is about 14㎛ or less, 13㎛ or less, 12㎛ or less, 11㎛ or less, 10㎛ or less, 9㎛ or less, 8㎛ or less, or 7㎛ or less, or 1㎛ or more, 2㎛ or more, or 3㎛. It may be more than 4㎛, or more than 4㎛, or more than 5㎛, but is not limited thereto.

본 출원은, 상기와 같은 광변조층을 전술한 고분자 필름 및/또는 광학 이방성층 등과 함께 적절한 위치에 도입함으로써, 투과율 가변 특성 및 기계적 물성이 우수하고, 차단 모드에서의 전 방위 광 누설이 제어되면서도 레인보우(rainbow) 현상이나 연신무늬 등의 외관품질 저하 등을 제어할 수 있는 광변조 디바이스를 제공할 수 있다. In this application, by introducing the above-mentioned light modulation layer at an appropriate position along with the above-described polymer film and/or optically anisotropic layer, etc., the transmittance variable characteristics and mechanical properties are excellent, and omnidirectional light leakage in the blocking mode is controlled while It is possible to provide an optical modulation device that can control appearance quality degradation such as rainbow phenomenon or stretching pattern.

본 출원의 광변조 디바이스는, 예를 들어, 접착제층 또는 점착제층이 형성되어 있을 수 있다. 상기 접착제층 또는 점착제층은 예를 들어, 수직 배향력을 가지는 접착제 또는 점착제를 포함할 수 있다. 본 명세서에서 용어 수직 배향력을 가지는 접착제 또는 점착제는 액정 분자에 대한 수직 배향력 및 접착력(또는 점착력)을 동시에 가지는 물질을 의미할 수 있다. For example, the light modulation device of the present application may have an adhesive layer or adhesive layer formed thereon. For example, the adhesive layer or pressure-sensitive adhesive layer may include an adhesive or pressure-sensitive adhesive having a vertical alignment force. As used herein, the term adhesive or pressure-sensitive adhesive having a vertical alignment force may refer to a material that has both a vertical alignment force and an adhesive force (or adhesive force) to liquid crystal molecules.

상기 수직 배향력을 가지는 접착제 또는 점착제는 예를 들어, 제 1 기판의 일 표면 및/또는 제 2 기판의 일 표면 중 적어도 하나의 표면에 형성되어 있을 수 있다. 하나의 예시에서, 제 1 기판의 제 1 표면에 수직 배향력을 가지는 접착제 또는 점착제가 존재하고, 제 2 기판의 제 1 표면에 액정 배향막이 형성되어 있을 수 있다. For example, the adhesive or pressure-sensitive adhesive having the vertical alignment force may be formed on at least one surface of one surface of the first substrate and/or one surface of the second substrate. In one example, an adhesive or pressure-sensitive adhesive having a vertical alignment force may be present on the first surface of the first substrate, and a liquid crystal alignment film may be formed on the first surface of the second substrate.

본 출원에서 수직 배향력을 가지는 접착제 또는 점착제로는, 예를 들어, 실리콘(Silicone) 접착제 또는 실리콘 점착제를 사용할 수 있다. 상기 실리콘 접착제 또는 실리콘 점착제로는 경화성 실리콘 화합물을 포함하는 조성물의 경화물을 사용할 수 있다. 경화성 실리콘 화합물의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 가열 경화성 실리콘 화합물 또는 자외선 경화성 실리콘 화합물을 사용할 수 있다. In the present application, for example, a silicone adhesive or a silicone adhesive may be used as an adhesive or adhesive having a vertical alignment force. The silicone adhesive or silicone pressure-sensitive adhesive may be a cured product of a composition containing a curable silicone compound. The type of the curable silicone compound is not particularly limited, and for example, a heat-curable silicone compound or an ultraviolet curable silicone compound can be used.

하나의 예시에서 상기 경화성 실리콘 조성물은 부가 경화성 실리콘 조성물로서, (1) 분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 함유하는 오르가노폴리실록산 및 (2) 분자 중에 2개 이상의 규소결합 수소원자를 함유하는 오르가노폴리실록산을 포함할 수 있다. 상기와 같은 실리콘 화합물은, 예를 들면, 백금 촉매 등의 촉매의 존재 하에서, 부가 반응에 의하여 경화물을 형성할 수 있다.In one example, the curable silicone composition is an addition curable silicone composition, which includes (1) an organopolysiloxane containing two or more alkenyl groups in the molecule and (2) an organopolysiloxane containing two or more silicon-bonded hydrogen atoms in the molecule. may include. The above silicone compound can form a cured product through an addition reaction in the presence of a catalyst such as a platinum catalyst, for example.

상기 (1) 오르가노폴리실록산은, 실리콘 경화물을 구성하는 주성분으로서, 1 분자 중 적어도 2개의 알케닐기를 포함한다. 이 때, 알케닐기의 구체적인 예에는, 비닐기, 알릴기, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기 또는 헵테닐기 등이 포함되고, 이 중 비닐기가 통상 적용되지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 (1) 오르가노폴리실록산에서, 전술한 알케닐기의 결합 위치는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 알케닐기는 분자쇄의 말단 및/또는 분자쇄의 측쇄에 결합되어 있을 수 있다. 또한, 상기 (1) 오르가노폴리실록산에서, 전술한 알케닐 외에 포함될 수 있는 치환기의 종류로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기 또는 헵틸기 등의 알킬기; 페닐기, 톨릴기, 크실릴기 또는 나프틸기 등의 아릴기; 벤질기 또는 페넨틸기 등의 아랄킬기; 클로로메틸기, 3-클로로프로필기 또는 3,3,3-트리플루오로프로필기 등의 할로겐 치환 알킬기 등을 들 수 있고, 이 중 메틸기 또는 페닐기가 통상 적용되지만, 이에 제한되는 것은 아니다.The organopolysiloxane (1) above is a main component constituting the cured silicone product, and contains at least two alkenyl groups in one molecule. At this time, specific examples of the alkenyl group include a vinyl group, an allyl group, a butenyl group, a pentenyl group, a hexenyl group, or a heptenyl group. Among these, the vinyl group is usually applied, but is not limited thereto. In the above (1) organopolysiloxane, the bonding position of the above-mentioned alkenyl group is not particularly limited. For example, the alkenyl group may be bonded to the terminal of the molecular chain and/or to the side chain of the molecular chain. In addition, in the organopolysiloxane (1), types of substituents that may be included in addition to the alkenyl group described above include alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, or heptyl group; Aryl groups such as phenyl group, tolyl group, xylyl group, or naphthyl group; Aralkyl groups such as benzyl group or penentyl group; Halogen-substituted alkyl groups such as chloromethyl group, 3-chloropropyl group, or 3,3,3-trifluoropropyl group are included, and among these, methyl group or phenyl group are usually applied, but are not limited thereto.

상기 (1) 오르가노폴리실록산의 분자 구조는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 직쇄상, 분지상, 고리상, 망상 또는 일부가 분지상을 이루는 직쇄상 등과 같이, 어떠한 형상이라도 가질 수 있다. 통상 상기와 같은 분자 구조 중 특히 직쇄상의 분자 구조를 가지는 것이 적용되지만, 이에 제한되는 것은 아니다.The molecular structure of the organopolysiloxane (1) above is not particularly limited, and may have any shape, such as straight chain, branched, ring, network, or partially branched straight chain. Usually, among the above molecular structures, those having a linear molecular structure are particularly applied, but are not limited thereto.

상기 (1) 오르가노폴리실록산의 보다 구체적인 예로는, 분자쇄 양말단 트리메틸실록산기 봉쇄 디메틸실록산-메틸비닐실록산 공중합체, 분자쇄 양말단 트리메틸실록산기 봉쇄 메틸비닐폴리실록산, 분자쇄 양말단 트리메틸실록산기 봉쇄 디메틸실록산-메틸비닐실록산-메틸페닐실록산 공중합체, 분자쇄 양말단 디메틸비닐실록산기 봉쇄 디메틸폴리실록산, 분자쇄 양말단 디메틸비닐실록산기 봉쇄 메틸비닐폴리실록산, 분자쇄 양말단 디메틸비닐실록산기 봉쇄 디메틸실록산-메틸비닐실록산 공중합체, 분자쇄 양말단 디메틸비닐실록산기 봉쇄 디메틸실록산-메틸비닐실록산-메틸페닐실록산 공중합체, R1 2SiO2/2로 표시되는 실록산 단위와 R1 2R2SiO1/2로 표시되는 실록산 단위와 SiO4/2로 표시되는 실록산 단위를 포함하는 오르가노폴리실록산 공중합체, R1 2R2SiO1/2로 표시되는 실록산 단위와 SiO4/2로 표시되는 실록산 단위를 포함하는 오르가노폴리실록산 공중합체, R1R2SiO2/2로 표시되는 실록산 단위와 R1SiO3/2로 표시되는 실록산 단위 또는 R2SiO3/2로 표시되는 실록산 단위를 포함하는 오르가노폴리실록산 공중합체 및 상기 중 2 이상의 혼합물을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기에서, R1은 알케닐기 외의 탄화수소기로서, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기 또는 헵틸기 등의 알킬기; 페닐기, 톨릴기, 크실릴기 또는 나프틸기 등의 아릴기; 벤질기 또는 페넨틸기 등의 아랄킬기; 클로로메틸기, 3-클로로프로필기 또는 3,3,3-트리플루오로프로필기 등의 할로겐 치환 알킬기 등일 수 있다. 또한, 상기에서 R2는 알케닐기로서, 구체적으로는 비닐기, 알릴기, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기 또는 헵테닐기 등일 수 있다.More specific examples of the above (1) organopolysiloxane include, dimethylsiloxane-methylvinylsiloxane copolymer, blocking trimethylsiloxane groups at both ends of the molecular chain, methylvinylpolysiloxane, blocking trimethylsiloxane groups at both ends of the molecular chain, and blocking trimethylsiloxane groups at both ends of the molecular chain. Dimethylsiloxane-methylvinylsiloxane-methylphenylsiloxane copolymer, blocking the dimethylvinylsiloxane groups at both ends of the molecular chain. Dimethylpolysiloxane, blocking the dimethylvinylsiloxane groups at both ends of the molecular chain. Methylvinylpolysiloxane, blocking the dimethylvinylsiloxane groups at both ends of the molecular chain. Dimethylsiloxane-methyl. Vinylsiloxane copolymer, dimethylvinylsiloxane group blocked at both ends of the molecular chain Dimethylsiloxane-methylvinylsiloxane-methylphenylsiloxane copolymer, siloxane unit expressed as R 1 2 SiO 2/2 and R 1 2 R 2 SiO 1/2 Organopolysiloxane copolymer containing a siloxane unit and a siloxane unit represented by SiO 4/2 , an organopolysiloxane copolymer containing a siloxane unit represented by R 1 2 R 2 SiO 1/2 and a siloxane unit represented by SiO 4/2 Organopolysiloxane copolymer, an organopolysiloxane copolymer comprising a siloxane unit represented by R 1 R 2 SiO 2/2 and a siloxane unit represented by R 1 SiO 3/2 or a siloxane unit represented by R 2 SiO 3/2 and mixtures of two or more of the above, but are not limited thereto. In the above, R 1 is a hydrocarbon group other than an alkenyl group, and specifically, an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, or a heptyl group; Aryl groups such as phenyl group, tolyl group, xylyl group, or naphthyl group; Aralkyl groups such as benzyl group or penentyl group; It may be a halogen-substituted alkyl group such as a chloromethyl group, 3-chloropropyl group, or 3,3,3-trifluoropropyl group. In addition, in the above, R 2 is an alkenyl group, and may specifically be a vinyl group, an allyl group, a butenyl group, a pentenyl group, a hexenyl group, or a heptenyl group.

상기 부가경화성 실리콘 조성물에서, (2) 오르가노폴리실록산은 상기 (1) 오르가노폴리실록산을 가교시키는 역할을 수행할 수 있다. 상기 (2) 오르가노폴리실록산에서, 수소원자의 결합 위치는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 분자쇄의 말단 및/또는 측쇄에 결합되어 있을 수 있다. 또한, 상기 (2) 오르가노폴리실록산에서, 상기 규소결합 수소원자 외에 포함될 수 있는 치환기의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, (1) 오르가노폴리실록산에서 언급한 바와 같은, 알킬기, 아릴기, 아랄킬기 또는 할로겐 치환 알킬기 등을 들 수 있고, 이 중 통상 메틸기 또는 페닐기가 적용되지만, 이에 제한되는 것은 아니다.In the addition-curable silicone composition, (2) organopolysiloxane may serve to crosslink (1) organopolysiloxane. In the above (2) organopolysiloxane, the bonding position of the hydrogen atom is not particularly limited, and for example, it may be bonded to the terminal and/or side chain of the molecular chain. In addition, in the (2) organopolysiloxane, the types of substituents that may be included in addition to the silicon bond hydrogen atom are not particularly limited, for example, as mentioned in (1) organopolysiloxane, an alkyl group, an aryl group, Examples include an aralkyl group or a halogen-substituted alkyl group, and among these, a methyl group or a phenyl group is usually applied, but is not limited thereto.

상기 (2) 오르가노폴리실록산의 분자 구조는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 직쇄상, 분지상, 고리상, 망상 또는 일부가 분지상을 이루는 직쇄상 등과 같이, 어떠한 형상이라도 가질 수 있다. 상기와 같은 분자 구조 중 통상 직쇄상의 분자 구조를 가지는 것이 적용되지만, 이에 제한되는 것은 아니다.The molecular structure of the organopolysiloxane (2) is not particularly limited, and may have any shape, such as straight chain, branched, ring, network, or partially branched straight chain. Among the molecular structures described above, those having a linear molecular structure are generally applied, but are not limited thereto.

상기 (2) 오르가노폴리실록산의 보다 구체적인 예로는, 분자쇄 양말단 트리메틸실록산기 봉쇄 메틸하이드로젠폴리실록산, 분자쇄 양말단 트리메틸실록산기 봉쇄 디메틸실록산-메틸하이드로젠 공중합체, 분자쇄 양말단 트리메틸실록산기 봉쇄 디메틸실록산-메틸하이드로젠실록산-메틸페닐실록산 공중합체, 분자쇄 양말단 디메틸하이드로젠실록산기 봉쇄 디메틸폴리실록산, 분자쇄 양말단 디메틸하이드로젠실록산기 봉쇄 디메틸실록산-메틸페닐실록산 공중합체, 분자쇄 양말단 디메틸하이드로젠실록산기 봉쇄 메틸페닐폴리실록산, R1 3SiO1/2로 표시되는 실록산 단위와 R1 2HSiO1/2로 표시되는 실록산 단위와 SiO4/2로 표시되는 실록산 단위를 포함하는 오르가노폴리실록산 공중합체, R12HSiO1/2로 표시되는 실록산 단위와 SiO4/2로 표시되는 실록산 단위를 포함하는 오르가노폴리실록산 공중합체, R1HSiO2/2로 표시되는 실록산 단위와 R1SiO3/2로 표시되는 실록산 단위 또는 HSiO3/2로 표시되는 실록산 단위를 포함하는 오르가노폴리실록산 공중합체 및 상기 중 2 이상의 혼합물을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기에서, R1은 알케닐기 외의 탄화수소기로서, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기 또는 헵틸기 등의 알킬기; 페닐기, 톨릴기, 크실릴기 또는 나프틸기 등의 아릴기; 벤질기 또는 페넨틸기 등의 아랄킬기; 클로로메틸기, 3-클로로프로필기 또는 3,3,3-트리플루오로프로필기 등의 할로겐 치환 알킬기 등일 수 있다.More specific examples of the above (2) organopolysiloxane include methylhydrogenpolysiloxane with trimethylsiloxane groups blocked at both ends of the molecular chain, dimethylsiloxane-methylhydrogen copolymer with blocked trimethylsiloxane groups at both ends of the molecular chain, and trimethylsiloxane groups at both molecular chain ends. Blocked dimethylsiloxane-methylhydrogensiloxane-methylphenylsiloxane copolymer, dimethylpolysiloxane with blocked dimethylhydrogensiloxane groups at both ends of the molecular chain, dimethylsiloxane-methylphenylsiloxane copolymer with blocked dimethylhydrogensiloxane groups at both ends of the molecular chain, dimethyl both ends of the molecular chain Hydrogensiloxane group-blocked methylphenylpolysiloxane, an organopolysiloxane aerial comprising siloxane units represented by R 1 3 SiO 1/2 and siloxane units represented by R 1 2 HSiO 1/2 and siloxane units represented by SiO 4/2 polymer, an organopolysiloxane copolymer comprising a siloxane unit represented by R12HSiO1/2 and a siloxane unit represented by SiO 4/2 , a siloxane unit represented by R 1 HSiO 2/2 and a siloxane unit represented by R 1 SiO 3/2 Examples include, but are not limited to, organopolysiloxane copolymers containing siloxane units or siloxane units represented by HSiO 3/2 and mixtures of two or more of the above. In the above, R 1 is a hydrocarbon group other than an alkenyl group, and specifically, an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, or a heptyl group; Aryl groups such as phenyl group, tolyl group, xylyl group, or naphthyl group; Aralkyl groups such as benzyl group or penentyl group; It may be a halogen-substituted alkyl group such as a chloromethyl group, 3-chloropropyl group, or 3,3,3-trifluoropropyl group.

상기 (2) 오르가노폴리실록산의 함량은, 적절한 경화가 이루어질 수 있을 정도로 포함된다면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 (2) 오르가노폴리실록산은, 전술한 (1) 오르가노폴리실록산에 포함되는 알케닐기 하나에 대하여, 규소결합 수소원자가 0.5 내지 10개가 되는 양으로 포함될 수 있다. 이러한 범위에서 경화를 충분하게 진행시키고, 내열성을 확보할 수 있다.The content of the organopolysiloxane (2) above is not particularly limited as long as it is contained in an amount that allows appropriate curing. For example, the (2) organopolysiloxane may be included in an amount of 0.5 to 10 silicon-bonded hydrogen atoms per alkenyl group included in the above-mentioned (1) organopolysiloxane. Within this range, hardening can sufficiently proceed and heat resistance can be secured.

상기 부가경화성 실리콘 조성물은, 경화를 위한 촉매로서, 백금 또는 백금 화합물을 추가로 포함할 수 있다. 이와 같은, 백금 또는 백금 화합물의 구체적인 종류는 특별한 제한은 없다. 촉매의 비율도 적절한 경화가 이루어질 수 있는 수준으로 조절되면 된다.The addition-curable silicone composition may further include platinum or a platinum compound as a catalyst for curing. As such, the specific type of platinum or platinum compound is not particularly limited. The ratio of catalyst can also be adjusted to a level where appropriate curing can be achieved.

상기 부가경화성 실리콘 조성물은, 저장 안정성, 취급성 및 작업성 향상의 관점에서 필요한 적절한 첨가제를 적정 비율로 또한 포함할 수도 있다.The addition-curable silicone composition may also contain appropriate additives in an appropriate ratio from the viewpoint of improving storage stability, handling, and workability.

다른 예시에서 상기 실리콘 조성물은, 축합경화성 실리콘 조성물로서, 예를 들면 (a) 알콕시기 함유 실록산 폴리머; 및 (b) 수산기 함유 실록산 폴리머를 포함할 수 있다.In another example, the silicone composition is a condensation-curable silicone composition, for example, (a) an alkoxy group-containing siloxane polymer; and (b) a hydroxyl group-containing siloxane polymer.

상기 (a) 실록산 폴리머는, 예를 들면, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물일 수 있다.The (a) siloxane polymer may be, for example, a compound represented by the following formula (1).

[화학식 1][Formula 1]

R1 aR2 bSiOc(OR3)d R 1 a R 2 b SiO c (OR 3 ) d

화학식 1에서 R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기를 나타내고, R3은 알킬기를 나타내며, R1, R2 및 R3가 각각 복수개 존재하는 경우에는 서로 동일하거나 상이할 수 있고, a 및 b는 각각 독립적으로 0 이상, 1 미만의 수를 나타내고, a+b는 0 초과, 2 미만의 수를 나타내며, c는 0 초과, 2 미만의 수를 나타내고, d는 0 초과, 4 미만의 수를 나타내며, a+b+c×2+d는 4이다.In Formula 1, R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group, R 3 represents an alkyl group, and when multiple R 1 , R 2 and R 3 each exist, They may be the same or different from each other, and a and b each independently represent a number greater than 0 and less than 1, a+b represents a number greater than 0 and less than 2, and c represents a number greater than 0 and less than 2. , d represents a number greater than 0 and less than 4, and a+b+c×2+d is 4.

화학식 1의 정의에서, 1가 탄화수소는, 예를 들면, 탄소수 1 내지 8의 알킬기, 페닐기, 벤질기 또는 톨릴기 등일 수 있고, 이 때 탄소수 1 내지 8의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기 또는 옥틸기 등일 수 있다. 또한, 화학식 1의 정의에서, 1가 탄화수소기는, 예를 들면, 할로겐, 아미노기, 머캅토기, 이소시아네이트기, 글리시딜기, 글리시독시기 또는 우레이도기 등의 공지의 치환기로 치환되어 있을 수 있다.In the definition of Formula 1, the monovalent hydrocarbon may be, for example, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a phenyl group, a benzyl group, or a tolyl group, and in this case, the alkyl group having 1 to 8 carbon atoms includes a methyl group, an ethyl group, a propyl group, It may be an isopropyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, or octyl group. In addition, in the definition of Formula 1, the monovalent hydrocarbon group may be substituted with a known substituent such as, for example, halogen, amino, mercapto, isocyanate, glycidyl, glycidoxy, or ureido.

화학식 1의 정의에서, R3의 알킬기의 예로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기 또는 부틸기 등을 들 수 있다. 알킬기 중에서, 메틸기 또는 에틸기 등이 통상 적용되지만, 이에 제한되는 것은 아니다.In the definition of Formula 1, examples of the alkyl group of R 3 include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, or butyl group. Among alkyl groups, methyl groups or ethyl groups are commonly used, but are not limited thereto.

화학식 1의 폴리머 중 분지상 또는 3차 가교된 실록산 폴리머를 사용할 수 있다. 또한, 이 (a) 실록산 폴리머에는, 목적을 손상시키지 않는 범위 내에서, 구체적으로는 탈알코올 반응을 저해하지 않는 범위 내에서 수산기가 잔존하고 있을 수 있다.Among the polymers of Formula 1, branched or tertiary crosslinked siloxane polymers can be used. Additionally, hydroxyl groups may remain in this (a) siloxane polymer within a range that does not impair the purpose, and specifically, within a range that does not inhibit the dealcoholization reaction.

상기 (a) 실록산 폴리머는, 예를 들면, 다관능의 알콕시실란 또는 다관능 클로로 실란 등을 가수분해 및 축합시킴으로써 제조할 수 있다. 이 분야의 평균적 기술자는, 목적하는 (a) 실록산 폴리머에 따라 적절한 다관능 알콕시실란 또는 클로로 실란을 용이하게 선택할 수 있으며, 그를 사용한 가수분해 및 축합 반응의 조건 또한 용이하게 제어할 수 있다. 한편, 상기 (a) 실록산 폴리머의 제조 시에는, 목적에 따라서, 적절한 1관능의 알콕시 실란을 병용 사용할 수도 있다.The (a) siloxane polymer can be produced, for example, by hydrolyzing and condensing polyfunctional alkoxysilane or polyfunctional chlorosilane. An average skilled person in this field can easily select an appropriate polyfunctional alkoxysilane or chlorosilane depending on the desired (a) siloxane polymer, and can also easily control the conditions for hydrolysis and condensation reactions using it. On the other hand, when producing the siloxane polymer (a), an appropriate monofunctional alkoxy silane may be used in combination depending on the purpose.

상기 (a) 실록산 폴리머로는, 예를 들면, 신에쯔 실리콘사의 X40-9220 또는 X40-9225, GE 토레이 실리콘사의 XR31-B1410, XR31-B0270 또는 XR31-B2733 등과 같은, 시판되고 있는 오르가노실록산 폴리머를 사용할 수 있다.Examples of the (a) siloxane polymer include commercially available organosiloxanes such as X40-9220 or Polymers can be used.

상기 축합경화성 실리콘 조성물에 포함되는, (b) 수산기 함유 실록산 폴리머로는, 예를 들면, 하기 화학식 2으로 나타나는 화합물을 사용할 수 있다.As the hydroxyl group-containing siloxane polymer (b) contained in the condensation-curable silicone composition, for example, a compound represented by the following formula (2) can be used.

[화학식 2][Formula 2]

화학식 2에서, R4 및 R5은 각각 독립적으로, 수소원자 또는 치환 또는 비치환된 1가의 탄화수소기를 나타내고, R5 및 R6이 각각 복수 존재하는 경우에는, 상기는 서로 동일하거나, 상이할 수 있으며, n은 5 내지 2,000의 정수를 나타낸다.In Formula 2, R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group, and when multiple R 5 and R 6 exist, they may be the same or different from each other. and n represents an integer from 5 to 2,000.

화학식 2의 정의에서, 1가 탄화수소기의 구체적인 종류로는, 예를 들면, 상기 화학식 1의 경우와 동일한 탄화수소기를 들 수 있다.In the definition of Formula 2, specific types of monovalent hydrocarbon groups include, for example, the same hydrocarbon groups as those in Formula 1 above.

상기 (b) 실록산 폴리머는, 예를 들면, 디알콕시실란 및/또는 디클로로 실란 등을 가수분해 및 축합시킴으로써 제조할 수 있다. 이 분야의 평균적 기술자는, 목적하는 (b) 실록산 폴리머에 따라 적절한 디알콕시 실란 또는 디클로로 실란을 용이하게 선택할 수 있으며, 그를 사용한 가수분해 및 축합 반응의 조건 또한 용이하게 제어할 수 있다. 상기와 같은 (b) 실록산 폴리머로는, 예를 들면, GE 토레이 실리콘사의 XC96-723, YF-3800, YF-3804 등과 같은, 시판되고 있는 2관능 오르가노실록산 폴리머를 사용할 수 있다. The (b) siloxane polymer can be produced, for example, by hydrolyzing and condensing dialkoxysilane and/or dichlorosilane. An average person skilled in the field can easily select an appropriate dialkoxy silane or dichlorosilane depending on the desired (b) siloxane polymer, and can also easily control the conditions of hydrolysis and condensation reactions using it. As the (b) siloxane polymer as described above, for example, commercially available bifunctional organosiloxane polymers such as XC96-723, YF-3800, and YF-3804 from GE Toray Silicone Co., Ltd. can be used.

위에 기술한 부가 경화형 혹은 축합 경화형 실리콘 조성물은 본 출원에서 적용되는 실리콘 점착제 또는 접착제를 형성하기 위한 재료의 하나의 예시이다. 즉, 기본적으로 업계에서 OCA 또는 OCR 등으로 알려진 실리콘 점착제 또는 접착제가 모두 본 출원에서 적용될 수 있다.The addition-curable or condensation-curable silicone composition described above is an example of a material for forming the silicone adhesive or adhesive applied in the present application. That is, basically all silicone adhesives or adhesives known in the industry as OCA or OCR can be applied in the present application.

상기 점착제 또는 접착제 혹은 그를 형성하는 경화성 조성물의 유형은 특별히 제한되지 않고, 목적하는 용도에 따라 적절히 선택될 수 있다. 예를 들면, 고상, 반고상 또는 액상의 점착제 또는 접착제 또는 경화성 조성물이 사용될 수 있다. 고상 또는 반고상의 점착제 또는 접착제 또는 경화성 조성물은 접착(또는 점착) 대상이 합착되기 전에 경화될 수 있다. 액상의 점착제 또는 접착제 또는 경화성 조성물은, 소위 광학 투명 레진(OCR; Optical Clear Resin)으로 호칭되고, 접착 또는 점착 대상이 합착된 후에 경화될 수 있다. 일 예시에 따르면 상기 점착제 또는 접착제 또는 경화성 조성물로서는, 소위 폴리디메틸실록산계(Polydimethyl siloxane-based) 점착제 또는 접착제 또는 경화성 조성물 또는 폴리메틸비닐실록산계(Polymethylvinyl siloxane-based) 점착제 또는 접착제 또는 경화성 조성물 또는 알콕시실리콘계(Alkoxy silicone-based) 점착제 또는 접착제 또는 경화성 조성물 등을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The type of the adhesive or adhesive or the curable composition forming it is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended use. For example, a solid, semi-solid or liquid adhesive or adhesive or curable composition may be used. A solid or semi-solid adhesive or adhesive or curable composition may be cured before the adhesive (or adhesive) object is bonded. The liquid adhesive or adhesive or curable composition is called optical clear resin (OCR), and can be cured after the adhesive or adhesive object is bonded. According to one example, the adhesive or adhesive or curable composition is a so-called polydimethyl siloxane-based adhesive or adhesive or curable composition or a polymethylvinyl siloxane-based adhesive or adhesive or curable composition or an alkoxy Alkoxy silicone-based adhesives, adhesives, or curable compositions may be used, but are not limited thereto.

상기 점착제층 또는 접착제층의 두께는 특별히 제한되지 않고, 목적하는 접착력 또는 점착력의 확보를 위한 적정 범위로 선택될 수 있다. 상기 두께는 대략 1㎛ 내지 50㎛의 범위 내일 수 있다. 상기 두께는 다른 예시에서 2㎛ 이상, 3㎛ 이상, 4㎛ 이상, 5㎛ 이상, 6㎛ 이상, 7㎛ 이상, 8㎛ 이상 또는 9㎛ 이상이거나, 45㎛ 이하, 40㎛ 이하, 35㎛ 이하, 30㎛ 이하, 25㎛ 이하, 20㎛ 이하 또는 15㎛ 이하 정도일 수도 있다.The thickness of the adhesive layer or adhesive layer is not particularly limited and may be selected within an appropriate range to secure the desired adhesion or adhesion. The thickness may range from approximately 1㎛ to 50㎛. In other examples, the thickness is 2㎛ or more, 3㎛ or more, 4㎛ or more, 5㎛ or more, 6㎛ or more, 7㎛ or more, 8㎛ or more, or 9㎛ or more, or 45㎛ or less, 40㎛ or less, or 35㎛ or less. , it may be about 30 μm or less, 25 μm or less, 20 μm or less, or 15 μm or less.

상기와 같은 배치 하에서 상기와 같은 접착제층 또는 점착제층을 포함함으로써 롤투롤(Roll-to-roll) 공정의 적용이 가능하여 공정성이 우수하고, 접착력(또는 점착력) 또한 우수하면서도 특히 차단 모드에서의 광 누설이 제어되어 우수한 광학 특성을 나타낼 수 있는 광변조 디바이스를 제공할 수 있다. Under the above arrangement, by including the above adhesive layer or adhesive layer, it is possible to apply a roll-to-roll process, which provides excellent fairness, excellent adhesion (or adhesion), and especially light in blocking mode. It is possible to provide an optical modulation device that can exhibit excellent optical properties by controlling leakage.

이와 같이 공지의 수직 배향막과 수직 배향능을 가지는 접착제 또는 점착제에 의해 형성되는 액정 화합물의 배향, 전술한 위상차 필름 및/또는 광학 이방성층 등과의 조합에 의해 액정 화합물의 수직 배향 시에는 전 방위 측면 광누설을 효과적으로 억제하고, 수평 배향 시에는 정면 광의 흡수를 최소화하도록 할 수 있다.In this way, when the liquid crystal compound is vertically aligned by the alignment of the liquid crystal compound formed by a known vertical alignment film and an adhesive or adhesive having vertical alignment ability, or by the combination of the above-mentioned retardation film and/or optical anisotropic layer, etc., omnidirectional side light is generated. Leakage can be effectively suppressed, and absorption of front light can be minimized during horizontal orientation.

본 출원은 예를 들어, 제 2 기판의 제 1 표면에 액정 배향막이 형성되어 있을 수 있다. 상기 액정 배향막은, 상기 광변조층의 초기 배향을 결정하기 위해서 사용될 수 있다. 이 때 적용되는 액정 배향막의 종류는 특별히 제한되지 않고, 예를 들면 공지의 러빙 배향막 또는 광배향막일 수 있다. In the present application, for example, a liquid crystal alignment film may be formed on the first surface of the second substrate. The liquid crystal alignment layer may be used to determine the initial orientation of the light modulation layer. The type of liquid crystal alignment layer applied at this time is not particularly limited, and may be, for example, a known rubbing alignment layer or a photo-alignment layer.

상기 액정 배향막의 배향 방향은 러빙 배향막인 경우는 러빙 방향, 광 배향막인 경우는 조사되는 편광의 방향일 수 있는데, 이러한 배향 방향은, 선형 편광자를 사용한 검출 방식으로 확인할 수 있다. 예를 들어, 광변조층이 Reversed TN(Twisted Nematic) 모드 등과 같은 트위스트 배향 모드인 경우에 일면에 선형 편광자를 배치하고, 그 편광자의 흡수축을 변경하면서 투과율을 측정하면, 상기 흡수축 또는 투과축와 액정 배향막의 배향 방향이 일치하는 경우에 투과율이 낮게되는 경향을 보이는데, 적용된 액정 화합물의 굴절률 이방성 등을 반영한 모사(simulation)를 통해 배향 방향을 확인할 수 있다. 광변조층의 모드에 따라서 액정 배향막의 배향 방향을 확인하는 방식은 공지이다. 또한 상기 액정 배향막은 전술한 대로 공지의 러빙 배향막 또는 광 배향막 등이 적용될 수 있고, 원하는 모드에 따라서 적용될 수 있는 배향막의 종류는 공지이다. The alignment direction of the liquid crystal alignment layer may be a rubbing direction in the case of a rubbing alignment layer, or the direction of irradiated polarized light in the case of a photo-alignment layer. This alignment direction can be confirmed by a detection method using a linear polarizer. For example, when the light modulation layer is in a twisted orientation mode such as Reversed TN (Twisted Nematic) mode, a linear polarizer is placed on one side, and the transmittance is measured while changing the absorption axis of the polarizer, the absorption axis or the transmission axis and the liquid crystal When the orientation directions of the alignment films match, the transmittance tends to be low, and the orientation direction can be confirmed through simulation reflecting the refractive index anisotropy of the applied liquid crystal compound. A method of confirming the alignment direction of the liquid crystal alignment layer according to the mode of the light modulation layer is known. Additionally, as described above, the liquid crystal alignment layer may be a known rubbing alignment layer or a photo-alignment layer, and the type of alignment layer that can be applied depending on the desired mode is known.

본 출원에서 상기 액정 배향막의 두께는 예를 들어, 50nm 내지 1000nm의 범위 내일 수 있다. 상기 액정 배향막의 두께는 다른 예시에서, 60nm 이상, 70nm 이상, 80nm 이상 또는 90 nm 이상이거나 9000 nm 이하, 8000 nm 이하, 7000 nm 이하, 6000 nm 이하, 5000 nm 이하, 4000 nm 이하, 3000 nm 이하, 2000 nm 이하, 1000 nm 이하, 900 nm 이하, 800 nm 이하, 700 nm 이하, 600 nm 이하, 500 nm 이하, 400 nm 이하, 300 nm 이하, 200 nm 이하, 190 nm 이하, 180 nm 이하, 170 nm 이하, 160 nm 이하, 150 nm 이하, 140 nm 이하, 130 nm 이하, 120 nm 또는 110 nm 이하일 수 있다. In the present application, the thickness of the liquid crystal alignment layer may be, for example, in the range of 50 nm to 1000 nm. In other examples, the thickness of the liquid crystal alignment film is 60 nm or more, 70 nm or more, 80 nm or more, or 90 nm or less, or 9000 nm or less, 8000 nm or less, 7000 nm or less, 6000 nm or less, 5000 nm or less, 4000 nm or less, and 3000 nm or less. , 2000 nm or less, 1000 nm or less, 900 nm or less, 800 nm or less, 700 nm or less, 600 nm or less, 500 nm or less, 400 nm or less, 300 nm or less, 200 nm or less, 190 nm or less, 180 nm or less, 170 It may be less than 160 nm, less than 150 nm, less than 140 nm, less than 130 nm, less than 120 nm, or less than 110 nm.

본 출원의 하나의 예시에서, 상기와 같이 수직 배향력을 가지는 접착제층 또는 점착제층이 제 1 기판의 일면에 형성되어 있는 경우, 상기 제 1 기판에는 액정 배향막이 형성되어 있지 않을 수도 있다. 이와 같은 구성을 통해, 롤투롤(Roll-to-roll) 공정에의 적용이 가능하여 우수한 공정성 등을 확보할 수 있다. In one example of the present application, when an adhesive layer or pressure-sensitive adhesive layer having a vertical alignment force as described above is formed on one surface of the first substrate, a liquid crystal alignment layer may not be formed on the first substrate. Through this configuration, it is possible to apply it to a roll-to-roll process and ensure excellent fairness.

본 출원에서 상기 대향 배치된 제 1 및 제 2 기판의 간격이 격벽 형태의 스페이서로 유지되어 있을 수 있다. 하나의 예시에서, 도 1과 같이 제 1 편광층(101)/제 1 기판(201)/광학 이방성층(700)/접착제층 또는 점착제층(400)/광변조층(300)/액정 배향막(500)/제 2 기판(202)/제 2 편광층(102)이 순차 형성되어 있으면서, 상기 제 1 및 제 2 기판의 간격(G)을 상기 격벽 형태의 스페이서(800)로 유지하고 있을 수 있다. 이 때, 광변조층(300)은 스페이서(800)가 존재하지 않는 영역 내에 존재할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. In the present application, the gap between the first and second substrates arranged opposite each other may be maintained by a spacer in the form of a partition. In one example, as shown in Figure 1, a first polarizing layer 101/first substrate 201/optically anisotropic layer 700/adhesive layer or adhesive layer 400/light modulation layer 300/liquid crystal alignment film ( 500)/second substrate 202/second polarization layer 102 may be sequentially formed, and the gap G between the first and second substrates may be maintained by the partition-shaped spacer 800. . At this time, the light modulation layer 300 may exist in a region where the spacer 800 does not exist, but is not limited thereto.

본 출원에서 상기 스페이서의 형상 및 배열 방식은 예를 들어, 제 2 기판과 제 1 기판 간 일정한 간격을 유지할 수 있도록 하는 범위 내에서 적절히 설계될 수 있다. In the present application, the shape and arrangement method of the spacer can be appropriately designed within a range that allows, for example, to maintain a constant gap between the second substrate and the first substrate.

본 출원의 상기 스페이서는 격벽 형상으로 구획을 이루도록 존재하거나 또는 둘 이상의 기둥 형상이 이격되어 존재할 수도 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 하나의 예시에서, 상기 스페이서는 사각형, 삼각형 또는 허니콤(Honeycomb)의 격벽 형상일 수 있다. 차단 모드에서의 광 누설을 효과적으로 제어하는 측면에서 사각형의 격벽 형상이 적절하고, 정사각형 또는 직사각형 형태의 격벽 형상이 적절할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. The spacer of the present application may exist to form a partition in the shape of a partition, or may exist in the shape of two or more pillars spaced apart, but is not limited thereto. In one example, the spacer may be in the shape of a square, triangle, or honeycomb partition. In terms of effectively controlling light leakage in the blocking mode, a square partition shape may be appropriate, and a square or rectangular partition shape may be appropriate, but is not limited thereto.

본 출원에서 상기 스페이서의 배열 방식, 예를 들어, 피치, 선폭, 높이 및 상부 또는 제 2 기판에서의 면적 비율 등은 본 출원의 목적을 손상시키지 않는 범위 내에서 적절히 선택될 수 있다. 상기에서 면적 비율은, 제 2 기판의 제 1 표면의 전체 면적 대비 스페이서가 형성된 면적의 백분율을 의미한다.In the present application, the arrangement method of the spacer, for example, pitch, line width, height, and area ratio on the upper or second substrate, etc. may be appropriately selected within a range that does not impair the purpose of the present application. In the above, the area ratio refers to the percentage of the area where the spacer is formed compared to the total area of the first surface of the second substrate.

본 명세서에서 용어 피치(Pitch)는, 상기 스페이서를 상부에서 관찰한 때에 확인되는 서로 마주보는 변 간의 간격 또는 서로 마주보는 꼭지점과 변 간의 간격을 의미한다. 본 명세서에서 스페이서를 상부에서 관찰한다는 것은, 스페이서와 형성된 고분자 필름 기판의 면의 법선 방향과 평행하게 상기 스페이서를 관찰하는 것을 의미한다. 일 예시에서, 상기 스페이서가 삼각형의 격벽 형상일 경우, 용어 피치는 삼각형의 한 꼭지점과 상기 꼭지점이 마주보는 변 간의 수직 거리를 의미할 수 있다. 다른 예시에서, 사각형의 격벽 형상일 경우, 용어 피치는 사각형의 각 변의 길이를 의미할 수 있으며, 사각형의 각 변의 길이가 모두 동일한 경우(즉, 각형이 정사각형인 경우)에는 그 동일한 변의 길이가 피치로서 규정되고, 각 변의 길이가 동일하지 않은 경우(예를 들면, 사각형이 직사각형인 경우), 모든 변들의 길이의 산술 평균이 상기 피치로서 규정될 수 있다. 다른 예시에서, 상기 스페이서가 허니콤(육각형인 경우)의 격벽 형상일 경우, 용어 피치는 상기 육각형의 마주보는 변의 간격을 의미할 수 있으며, 상기 마주보는 변의 간격이 모두 동일한 경우에는 그 동일한 변의 간격의 길이가 피치로서 규정되고, 상기 각각의 변의 간격이 동일하지 않은 경우, 모든 변의 간격의 길이들의 산술 평균이 상기 피치로서 규정될 수 있다. In this specification, the term pitch refers to the spacing between opposing sides or the spacing between opposing vertices and sides as seen when the spacer is observed from above. In this specification, observing the spacer from above means observing the spacer parallel to the normal direction of the surface of the polymer film substrate formed with the spacer. In one example, when the spacer is in the shape of a triangular partition, the term pitch may mean the vertical distance between one vertex of the triangle and the side facing the vertex. In another example, in the case of a square partition shape, the term pitch may refer to the length of each side of the square, and if the lengths of each side of the square are the same (i.e., if the angle is a square), the length of the same sides is the pitch. It is defined as, and when the lengths of each side are not the same (for example, when a square is a rectangle), the arithmetic average of the lengths of all sides can be defined as the pitch. In another example, when the spacer is in the shape of a honeycomb (in the case of a hexagon) partition, the term pitch may mean the spacing of opposing sides of the hexagon, and if the spacing of the opposing sides are all the same, the spacing of the same sides The length of is defined as the pitch, and if the spacing of each side is not the same, the arithmetic average of the lengths of the spacing of all sides may be defined as the pitch.

본 출원에서 상기 스페이서의 피치는 예를 들어, 50㎛ 내지 1000㎛일 수 있고, 다른 예시에서 100㎛ 이상, 150㎛ 이상, 200㎛ 이상, 250㎛ 이상 또는 300㎛ 이상이거나 950㎛ 이하, 900㎛ 이하, 850㎛ 이하, 800㎛ 이하, 750㎛ 이하, 700㎛ 이하, 650㎛ 이하, 600㎛ 이하, 550㎛ 이하, 600㎛ 이하, 450㎛ 이하 또는 400㎛ 이하일 수 있다.In the present application, the pitch of the spacer may be, for example, 50㎛ to 1000㎛, and in other examples, it is 100㎛ or more, 150㎛ or more, 200㎛ or more, 250㎛ or more, or 300㎛ or more, or 950㎛ or less, or 900㎛. Hereinafter, it may be 850 μm or less, 800 μm or less, 750 μm or less, 700 μm or less, 650 μm or less, 600 μm or less, 550 μm or less, 600 μm or less, 450 μm or less, or 400 μm or less.

본 명세서에서 용어 선폭(line width)은 상기 스페이서를 상부에서 관찰한 때의 상기 격벽의 길이 방향과 수직한 방향으로 확인되는 치수를 의미한다. 상기 스페이서의 선폭은 예를 들어, 1㎛ 내지 50㎛일 수 있고, 다른 예시에서 2㎛ 이상, 3㎛ 이상, 4㎛ 이상, 5㎛ 이상, 6㎛ 이상, 7㎛ 이상, 8㎛ 이상 또는 9㎛ 이상이거나 45㎛ 이하, 40㎛ 이하, 35㎛ 이하, 30㎛ 이하, 25㎛ 이하, 20㎛ 이하, 19㎛ 이하, 18㎛ 이하, 17㎛ 이하, 16㎛ 이하, 15㎛ 이하, 14㎛ 이하, 13㎛ 이하, 12㎛ 이하 또는 11㎛ 이하일 수 있다. In this specification, the term line width refers to a dimension confirmed in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the partition when the spacer is observed from above. The line width of the spacer may be, for example, 1㎛ to 50㎛, and in other examples, 2㎛ or more, 3㎛ or more, 4㎛ or more, 5㎛ or more, 6㎛ or more, 7㎛ or more, 8㎛ or more, or 9㎛ or more. ㎛ or less, 45㎛ or less, 40㎛ or less, 35㎛ or less, 30㎛ or less, 25㎛ or less, 20㎛ or less, 19㎛ or less, 18㎛ or less, 17㎛ or less, 16㎛ or less, 15㎛ or less, 14㎛ or less , may be 13 μm or less, 12 μm or less, or 11 μm or less.

또한 용어 스페이서의 높이는, 통상 상기 광변조층의 두께(cell gap)와 대략 일치하고, 상기 언급한 고분자 필름 기판의 면의 법선 방향으로 측정되는 스페이서의 치수를 의미한다. 본 출원에서 상기 스페이서의 높이는 제 1 기판과 제 2 기판 간의 간격을 고려하여 조절될 수 있다. 예를 들어, 상기 스페이서의 높이는 1㎛ 내지 20㎛일 수 있고, 다른 예시에서, 2㎛ 이상, 3㎛ 이상, 4㎛ 이상 또는 5㎛ 이상이거나 19㎛ 이하, 18㎛ 이하, 17㎛ 이하, 16㎛ 이하, 15㎛ 이하, 14㎛ 이하, 13㎛ 이하, 12㎛ 이하, 11㎛ 이하, 10㎛ 이하, 9㎛ 이하, 8㎛ 이하 또는 7㎛ 이하일 수 있다. 하나의 예시에서, 상기 스페이서의 높이는 광변조층의 두께와 대략 동일할 수 있다. In addition, the term spacer height generally roughly corresponds to the thickness (cell gap) of the light modulation layer and refers to the spacer dimension measured in the normal direction of the surface of the above-mentioned polymer film substrate. In the present application, the height of the spacer can be adjusted considering the gap between the first and second substrates. For example, the height of the spacer may be 1 ㎛ to 20 ㎛, and in other examples, 2 ㎛ or more, 3 ㎛ or more, 4 ㎛ or more, or 5 ㎛ or more, or 19 ㎛ or less, 18 ㎛ or less, 17 ㎛ or less, 16 It may be ㎛ or less, 15 ㎛ or less, 14 ㎛ or less, 13 ㎛ or less, 12 ㎛ or less, 11 ㎛ or less, 10 ㎛ or less, 9 ㎛ or less, 8 ㎛ or less, or 7 ㎛ or less. In one example, the height of the spacer may be approximately equal to the thickness of the light modulation layer.

본 명세서에서 용어 면적 비율은, 고분자 필름 기판의 면적을 A라고 하고, 스페이서가 형성된 면적을 B라고 할 때에 고분자 필름 기판의 면적(A) 중 스페이서가 형성된 면적(B)의 비율에 100을 곱한 값, 즉, 100×B/A 을 의미한다. 본 출원에서 스페이서의 면적 비율은 상기 제 1 또는 제 2 고분자 필름 기판에 대하여 약 0.1% 내지 50%일 수 있다. 본 출원에서 상기 스페이서의 면적 비율이 클수록 제 1 및 제 2 고분자 필름 기판의 접착력(또는 점착력)이 증가할 수 있다. 다른 예시에서, 1% 이상, 2% 이상, 3% 이상, 4% 이상, 5% 이상, 6% 이상, 7% 이상 또는 8% 이상 이상이거나 45% 이하, 40% 이하, 35% 이하, 30% 이하, 25% 이하, 20% 이하, 15% 이하 또는 10% 이하일 수 있다. In this specification, the term area ratio refers to the ratio of the area where the spacer is formed (B) to the area (A) of the polymer film substrate, assuming that the area of the polymer film substrate is A and the area where the spacer is formed is B. The value is multiplied by 100. , That means 100×B/A. In the present application, the area ratio of the spacer may be about 0.1% to 50% with respect to the first or second polymer film substrate. In the present application, as the area ratio of the spacer increases, the adhesion (or adhesive force) of the first and second polymer film substrates may increase. In other examples, it is greater than 1%, greater than 2%, greater than 3%, greater than 4%, greater than 5%, greater than 6%, greater than 7%, or greater than 8%, or greater than 45%, greater than 40%, greater than 35%, or greater than 30%. It may be % or less, 25% or less, 20% or less, 15% or less, or 10% or less.

본 출원에서 상기 스페이서는 예를 들어, 경화성 수지를 포함할 수 있다. 경화성 수지는, 예를 들어, 가열 경화성 수지 또는 광 경화성 수지, 예를 들어, 자외선 경화성 수지일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 가열 경화성 수지는, 예를 들어, 실리콘 수지, 규소 수지, 프란 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 아미노 수지, 페놀 수지, 요소 수지, 폴리에스테르 수지 또는 멜라민 수지 등일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 자외선 경화성 수지는 대표적으로 아크릴 중합체, 예를 들어, 폴리에스테르 아크릴레이트 중합체, 폴리스티렌 아크릴레이트 중합체, 에폭시 아크릴레이트 중합체, 폴리우레탄 아크릴레이트 중합체, 폴리부타디엔 아크릴레이트 중합체, 실리콘 아크릴레이트 중합체 또는 알킬 아크릴레이트 중합체 등을 사용할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 하나의 예시에서, 상기 스페이서는 아크릴 중합체, 보다 구체적으로 폴리에스터계 아크릴레이트 중합체를 사용하여 형성될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니며, 다른 예시에서 실리콘 중합체를 사용하여 형성될 수도 있다. 스페이서를 실리콘 중합체를 사용하여 형성하는 경우, 스페이서의 오목한 영역에 잔존하는 실리콘 중합체가 수직 배향막 역할을 수행할 수 있으므로 전술한 대로 스페이서가 존재하는 기판에 추가의 액정 배향막을 사용하지 않을 수도 있다. 실리콘 중합체로는 예를 들어, 규소와 산소의 결합(Si-O-Si)을 주축으로 하는 공지의 중합체, 예를 들어, 폴리디메틸실록산(PDMS, Polydimethylsiloxane)을 사용할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. In the present application, the spacer may include, for example, a curable resin. The curable resin may be, for example, a heat-curable resin or a photo-curable resin, for example, an ultraviolet curable resin, but is not limited thereto. The heat-curable resin may be, for example, silicone resin, silicon resin, phran resin, polyurethane resin, epoxy resin, amino resin, phenol resin, urea resin, polyester resin, or melamine resin, but is not limited thereto. The UV curable resin is typically an acrylic polymer, such as polyester acrylate polymer, polystyrene acrylate polymer, epoxy acrylate polymer, polyurethane acrylate polymer, polybutadiene acrylate polymer, silicone acrylate polymer, or alkyl acrylate. Polymers, etc. may be used, but are not limited thereto. In one example, the spacer may be formed using an acrylic polymer, more specifically, a polyester-based acrylate polymer, but is not limited thereto, and in another example, it may be formed using a silicone polymer. When the spacer is formed using a silicone polymer, the silicone polymer remaining in the concave area of the spacer may serve as a vertical alignment layer, so an additional liquid crystal alignment layer may not be used on the substrate on which the spacer is present, as described above. As the silicone polymer, for example, a known polymer mainly based on the bond between silicon and oxygen (Si-O-Si), for example, polydimethylsiloxane (PDMS), can be used, but is not limited thereto.

본 출원은 스페이서의 형태 및/또는 배열 방식을 상기와 같이 제어함으로써 셀 갭이 적절히 유지되고 상하 필름 기판의 접착력(또는 점착력)이 우수하며, 차단 모드에서의 광 누설 또한 적절히 제어된 광변조 디바이스를 제공할 수 있다. The present application provides a light modulation device in which the cell gap is appropriately maintained, the adhesion (or adhesion) of the upper and lower film substrates is excellent, and light leakage in blocking mode is also appropriately controlled by controlling the shape and/or arrangement method of the spacer as described above. can be provided.

하나의 예시에서, 본 출원의 광변조 디바이스는, 차단 모드일 때의 투과율이 60% 이하, 55% 이하, 50% 이하, 45% 이하, 40% 이하, 35% 이하, 30% 이하, 25% 이하, 20% 이하, 15% 이하, 10% 이하, 5% 이하, 4% 이하, 3% 이하, 2% 이하, 1% 이하, 0.9% 이하, 0.8% 이하, 0.7% 이하, 0.6% 이하, 0.5% 이하, 0.4 % 이하 또는 0.3% 이하일 수 있다. 차단 모드에서는 투과율이 낮을수록 유리하기 때문에, 차단 모드 상태의 투과율의 하한은 특별히 제한되지 않으며, 하나의 예시에서 상기 차단 모드 상태에서의 투과율의 하한은 약 0%일 수 있다. In one example, the light modulation device of the present application has a transmittance of 60% or less, 55% or less, 50% or less, 45% or less, 40% or less, 35% or less, 30% or less, 25% when in blocking mode. or less, 20% or less, 15% or less, 10% or less, 5% or less, 4% or less, 3% or less, 2% or less, 1% or less, 0.9% or less, 0.8% or less, 0.7% or less, 0.6% or less, It may be 0.5% or less, 0.4% or less, or 0.3% or less. Since lower transmittance is more advantageous in blocking mode, the lower limit of the transmittance in the blocking mode state is not particularly limited. In one example, the lower limit of the transmittance in the blocking mode state may be about 0%.

본 출원의 광변조 디바이스는 하나의 예시에서, 투과 모드일 때의 투과율이 20% 이상일 수 있으며, 다른 예시에서, 21% 이상, 22% 이상, 23% 이상 또는 24% 이상 정도일 수 있다. 투과 모드 상태의 투과율의 상한은 특별히 제한되지는 않으나, 하나의 예시에서 상기 투과 모드 상태에서의 투과율의 상한은 60%일 수 있고, 다른 예시에서, 55% 이하, 50% 이하, 45% 이하, 40% 이하, 35% 이하 또는 30% 이하 정도 일 수 있다. In one example, the light modulation device of the present application may have a transmittance of 20% or more in a transmission mode, and in another example, it may have a transmittance of 21% or more, 22% or more, 23% or more, or 24% or more. The upper limit of the transmittance in the transmission mode state is not particularly limited, but in one example, the upper limit of the transmittance in the transmission mode state may be 60%, and in another example, 55% or less, 50% or less, 45% or less, It may be around 40% or less, 35% or less, or 30% or less.

본 출원의 광변조 디바이스는 하나의 예시에서, 상기 투과 모드와 차단 모드 상태에서의 투과율의 차이가, 15% 이상, 16% 이상, 17% 이상, 18% 이상, 19% 이상, 20% 이상, 21% 이상, 22% 이상, 23% 이상 또는 24% 이상일 수 있거나, 90% 이하, 85% 이하, 80% 이하, 75% 이하, 70% 이하, 65% 이하, 60% 이하, 55% 이하, 50% 이하, 45% 이하, 40% 이하, 35% 이하, 30% 이하 또는 25% 이하일 수 있다. In one example, the light modulation device of the present application has a transmittance difference between the transmission mode and the blocking mode of 15% or more, 16% or more, 17% or more, 18% or more, 19% or more, 20% or more, It can be 21% or more, 22% or more, 23% or more, or 24% or more, or 90% or less, 85% or less, 80% or less, 75% or less, 70% or less, 65% or less, 60% or less, 55% or less, It may be 50% or less, 45% or less, 40% or less, 35% or less, 30% or less, or 25% or less.

상기 투과율은, 예를 들면, 직진광 투과율일 수 있다. 직진광 투과율은, 상기 광변조 디바이스로 입사한 광에 대해 상기 입사 방향과 동일 방향으로 투과된 광의 비율의 백분율일 수 있다. 예를 들어, 상기 디바이스가 필름 또는 시트 형태라면, 상기 필름 또는 시트 표면의 법선 방향인 z축 방향과 나란한 방향으로 입사한 광 중에서 역시 상기 법선 방향과 나란한 방향으로 상기 디바이스를 투과한 광의 백분율을 상기 투과율로 정의할 수 있다. The transmittance may be, for example, straight light transmittance. The straight light transmittance may be a percentage of the ratio of light transmitted in the same direction as the incident direction with respect to the light incident on the light modulation device. For example, if the device is in the form of a film or sheet, the percentage of light that has transmitted through the device in a direction parallel to the normal direction among the light incident in a direction parallel to the z-axis direction, which is the normal direction of the surface of the film or sheet, is calculated as It can be defined as transmittance.

상기 투과율은, 각각 가시광 영역, 예를 들면, 약 400nm 내지 700nm 또는 약 380nm 내지 780nm 범위 내의 어느 한 파장에 대한 투과율 또는 반사율이거나, 상기 가시광 영역 전체에 대한 투과율 또는 반사율이거나, 상기 가시광 영역 전체에 대한 투과율 또는 반사율 중에서 최대 또는 최소 투과율 또는 반사율이거나, 상기 가시광 영역 내의 투과율의 평균치 또는 반사율의 평균치일 수 있다. 또한, 다른 예시에서 상기 투과율은 약 550nm 파장의 광에 대한 투과율일 수 있다. The transmittance is the transmittance or reflectance for any wavelength within the visible light region, for example, about 400 nm to 700 nm or about 380 nm to 780 nm, the transmittance or reflectance for the entire visible light region, or the transmittance or reflectance for the entire visible light region. Among transmittances and reflectances, it may be the maximum or minimum transmittance or reflectance, or it may be the average value of the transmittance or reflectance within the visible light region. Additionally, in another example, the transmittance may be the transmittance for light with a wavelength of about 550 nm.

본 출원의 광변조 디바이스는 하나의 예시에서, 차단 모드일 때 경사각 투과율이 3% 이하일 수 있다. 본 명세서에서 경사각 투과율은, 측정 대상의 기준면(예를 들어, 광변조 디바이스의 편광층, 고분자 필름, 위상차 필름, 광학 이방성층 또는 광변조층 등의 표면일 수 있다) 의 법선 방향인 z축 방향으로부터의 경사각이 Θ가 되는 축의 방향과 평행하게 측정 대상을 투과하는 광의 투과율을, 동경각 Φ를 달리하면서 측정한 값을 의미할 수 있다. 하나의 예시에서, 측정대상의 기준면의 법선 방향인 z축 방향을 0도로 하여 60도(도 7의 경사각 Θ)에 대하여 도 7의 동경각 Φ를 0도, 45도, 90도, 135도, 180도, 225도, 270도 및 315도로 달리하면서 측정한 투과율을 의미할 수 있다. 본 출원에서 상기 차단 모드일 때 경사각 투과율은, 다른 예시에서, 2.9% 이하, 2.8% 이하 또는 2.7% 이하이거나, 0% 이상, 0.5% 이상, 1% 이상, 1.5% 이상 또는 2% 이상일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In one example, the light modulation device of the present application may have a tilt angle transmittance of 3% or less when in a blocking mode. In this specification, the tilt angle transmittance refers to the z-axis direction, which is the normal direction of the reference surface of the measurement object (for example, it may be the surface of a polarizing layer, polymer film, retardation film, optical anisotropic layer, or light modulation layer of a light modulation device). The transmittance of light passing through the object to be measured parallel to the direction of the axis whose inclination angle is Θ may be a value measured while varying the inclination angle Φ. In one example, the z-axis direction, which is the normal direction of the reference surface of the measurement object, is set as 0 degrees, and the east inclination angle Φ in FIG. 7 with respect to 60 degrees (inclination angle Θ in FIG. 7) is 0 degrees, 45 degrees, 90 degrees, 135 degrees, It may mean the transmittance measured while varying at 180 degrees, 225 degrees, 270 degrees, and 315 degrees. In the present application, the tilt angle transmittance in the blocking mode may be, in other examples, 2.9% or less, 2.8% or less, or 2.7% or less, or 0% or more, 0.5% or more, 1% or more, 1.5% or more, or 2% or more. , but is not limited to this.

본 출원의 광변조 디바이스는, 예를 들어, 상기 제 1 및 제 2 기판의 일면에 각각 도전층을 추가로 포함할 수 있다. 예를 들어, 접착제층 또는 점착제층과 제 1 기판 사이 및 액정 배향막과 제 2 기판 사이에 각각 도전층이 형성되어 있을 수 있다. For example, the light modulation device of the present application may further include a conductive layer on one surface of each of the first and second substrates. For example, a conductive layer may be formed between the adhesive layer or the adhesive layer and the first substrate, and between the liquid crystal alignment layer and the second substrate.

도전층이 형성되는 경우, 상기 광학 이방성층은 상기 제 1 기판과 도전층 사이 또는 상기 도전층과 점착제층 또는 접착제층 사이에 배치되어 있거나 및/또는 상기 제 2 기판과 상기 도전층 사이 또는 상기 도전층과 액정 배향막 사이에 배치되어 있을 수 있다. When a conductive layer is formed, the optically anisotropic layer is disposed between the first substrate and the conductive layer or between the conductive layer and an adhesive layer or adhesive layer, and/or between the second substrate and the conductive layer or between the conductive layer. It may be disposed between the layer and the liquid crystal alignment layer.

상기 도전층은 광변조층의 액정 화합물의 정렬 상태를 전환할 수 있도록 광변조층에 적절한 전계를 인계할 수 있다. 상기 전계의 방향은 수직 또는 수평 방향, 예를 들어, 광변조층의 두께 방향 또는 면 방향일 수 있다.The conductive layer can transfer an appropriate electric field to the light modulation layer to change the alignment state of the liquid crystal compound in the light modulation layer. The direction of the electric field may be vertical or horizontal, for example, the thickness direction or surface direction of the light modulation layer.

상기 도전층은 예를 들어, 투명 전도성 층일 수 있으며, 상기 투명 전도성 층은 예를 들어, 전도성 고분자, 전도성 금속, 전도성 나노와이어 또는 ITO(Indium Tin Oxide) 등의 금속 산화물 등을 증착하여 형성될 수 있다. 이외에도 투명 전도성 층을 형성할 수 있는 다양한 소재 및 형성 방법이 공지되어 있고, 이를 제한 없이 적용할 수 있다.The conductive layer may be, for example, a transparent conductive layer, and the transparent conductive layer may be formed by depositing, for example, a conductive polymer, a conductive metal, a conductive nanowire, or a metal oxide such as ITO (Indium Tin Oxide). there is. In addition, various materials and forming methods that can form a transparent conductive layer are known, and can be applied without limitation.

상기와 같은 광변조 디바이스는 다양한 용도에 적용될 수 있다. 광변조 디바이스가 적용될 수 있는 용도에는, 윈도우 또는 선루프 등과 같은 건물, 용기 또는 차량 등을 포함하는 밀폐된 공간의 개구부나 아이웨어(eyewear) 등이나 창호용, OLED(organic light emitting device)의 차광판 등이 예시될 수 있다. 상기에서 아이웨어의 범위에는, 일반적인 안경, 선글라스, 스포츠용 고글 내지는 헬멧 또는 가상 현실 또는 증강 현실 체험용 기기 등과 같은 웨어러블 기기 등, 관찰자가 렌즈를 통하여 외부를 관찰할 수 있도록 형성된 모든 아이 웨어가 포함될 수 있다. The optical modulation device described above can be applied to various purposes. Applications to which light modulation devices can be applied include openings in closed spaces including buildings, containers, or vehicles, such as windows or sunroofs, eyewear, etc., windows, and light shields for OLEDs (organic light emitting devices). etc. may be exemplified. The scope of eyewear in the above includes all eyewear designed to allow the observer to observe the outside through a lens, such as general glasses, sunglasses, sports goggles, helmets, or wearable devices such as virtual reality or augmented reality experience devices. You can.

본 출원의 광변조 디바이스가 적용될 수 있는 대표적인 용도에는 차량용 선루프가 있을 수 있다. A representative application to which the light modulation device of the present application can be applied may include a sunroof for a vehicle.

하나의 예시에서 상기 광변조 디바이스는, 그 자체로서 차량용 선루프일 수 있다. 예를 들면, 적어도 하나 이상의 개구부가 형성되어 있는 차체를 포함하는 자동차에 있어서 상기 개구부에 장착된 상기 광변조 디바이스 또는 차량용 선루프를 장착하여 사용될 수 있다.In one example, the light modulation device may itself be a sunroof for a vehicle. For example, in an automobile including a car body in which at least one opening is formed, the light modulation device or a vehicle sunroof may be mounted on the opening.

선루프는, 차량의 천장에 존재하는 고정된 또는 작동(벤팅 또는 슬라이딩)하는 개구부(opening)로서, 빛 또는 신선한 공기가 차량의 내부로 유입되도록 하는 기능을 할 수 있는 장치를 통칭하는 의미일 수 있다. 본 출원에서 선루프의 작동 방식은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 수동으로 작동하거나 또는 모터로 구동할 수 있으며, 선루프의 형상, 크기 또는 스타일은 목적하는 용도에 따라 적절히 선택될 수 있다. 예를 들어, 선루프는 작동 방식에 따라 팝-업 타입 선루프, 스포일러(tile & slide) 타입 선루프, 인빌트 타입 선루프, 폴딩 타입 선루프, 탑-마운트 타입 선루프, 파노라믹 루프 시스템 타입 선루프, 제거 가능한 루프 패널즈(t-tops 또는 targa roofts) 타입 선루프 또는 솔라 타입 선루프 등이 예시될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. A sunroof is a fixed or operating (venting or sliding) opening in the ceiling of a vehicle, which can refer to a device that allows light or fresh air to enter the interior of the vehicle. there is. In the present application, the operating method of the sunroof is not particularly limited, and for example, it may be operated manually or driven by a motor, and the shape, size, or style of the sunroof may be appropriately selected depending on the intended use. For example, depending on how the sunroof operates, there are three types: pop-up type sunroof, spoiler (tile & slide) type sunroof, inbuilt type sunroof, folding type sunroof, top-mounted type sunroof, and panoramic sunroof. Examples may include, but are not limited to, a roof system type sunroof, a removable roof panel (t-tops or targa roofts) type sunroof, or a solar type sunroof.

본 출원의 예시적인 선루프는 본 출원의 상기 광변조 디바이스를 포함할 수 있고, 이 경우 광변조 디바이스에 대한 구체적인 사항은 상기 광변조 디바이스의 항목에서 기술한 내용이 동일하게 적용될 수 있다.The exemplary sunroof of the present application may include the light modulation device of the present application, and in this case, the specific details of the light modulation device may be equally applied to those described in the section on the light modulation device.

본 출원은 광변조 디바이스에 대한 것이다. 본 출원은, 투과율 가변 특성 등의 광학 특성 및 기계적 물성 등이 우수하면서도 차단 모드에서 전 방위의 광 누설이 제어되고, 레인보우(rainbow) 현상이나 연신 무늬 등의 외관 불량도 제어되어 다양한 용도로 적용 가능한 광변조 디바이스를 제공할 수 있다.This application relates to a light modulation device. In this application, while excellent optical properties such as variable transmittance characteristics and mechanical properties, light leakage in all directions is controlled in blocking mode, and appearance defects such as rainbow phenomenon or stretching pattern are controlled, so that it can be applied to various purposes. An optical modulation device can be provided.

도 1은 본 출원의 예시적인 광변조 디바이스의 모식도이다.
도 2는 굴절률 이방성을 평가하기 위한 방법을 보여주는 도면이다.
도 3은 실시예 1의 광변조 디바이스에 대해 레인보우 현상 유무를 테스트한 결과이다.
도 4는 비교예 1의 광변조 디바이스에 대해 레인보우 현상 유무를 테스트한 결과이다.
도 5는 비교예 2의 광변조 디바이스에 대해 레인보우 현상 유무를 테스트한 결과이다.
1 is a schematic diagram of an exemplary light modulation device of the present application.
Figure 2 is a diagram showing a method for evaluating refractive index anisotropy.
Figure 3 shows the results of testing the presence or absence of rainbow phenomenon for the light modulation device of Example 1.
Figure 4 shows the results of testing the presence or absence of rainbow phenomenon for the light modulation device of Comparative Example 1.
Figure 5 shows the results of testing the presence or absence of rainbow phenomenon for the light modulation device of Comparative Example 2.

이하 실시예를 통하여 본 출원을 구체적으로 설명하지만, 본 출원의 범위가 하기 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다. The present application will be described in detail through examples below, but the scope of the present application is not limited by the examples below.

평가예 1. 외관 품질 테스트Evaluation example 1. Appearance quality test

레인보우(rainbow) 현상 및 연신무늬 발생 여부는, 백-라이트유닛(back-light unit) 상에 직교 편광자를 놓은 후, 상기 직교 편광자 상에 실시예 및 비교예의 광변조 디바이스를 올려놓고, 측면에서 육안 관찰하였다. To determine whether a rainbow phenomenon or stretching pattern occurs, place an orthogonal polarizer on a back-light unit, place the light modulation device of Examples and Comparative Examples on the orthogonal polarizer, and visually inspect it from the side. observed.

평가예 2. 차단 모드일 때의 투과율 측정Evaluation example 2. Transmittance measurement in blocking mode

차단 모드(전압 미인가, 0V)일 때의 투과율을 헤이즈미터(NDH5000SP, 세코스社)를 이용하여, ASTM D1003규격에 따라 측정하였다.Transmittance in blocking mode (no voltage applied, 0V) was measured using a haze meter (NDH5000SP, Secos) according to the ASTM D1003 standard.

구체적으로, 적분구 내의 측정 대상에 380nm 내지 780nm 파장의 광을 입사시키면, 입사된 광은 측정 대상에 의하여 확산광(DT, 확산되어 출광된 모든 광의 합)과 직진광(PT, 확산광을 배제한 정면 방향의 출광)으로 분리된다. 상기 확산광과 직진광을 적분구 내에서 수광 소자에 집광시켜 각각 측정할 수 있다. 즉, 상기 과정에 의해서 전체 투과광(TT)은 상기 확산광(DT)과 직진광(PT)의 총합(DT+PT)으로 규정될 수 있다. 상기 전체 투과광은 전체 투과율을 의미한다.Specifically, when light with a wavelength of 380 nm to 780 nm is incident on the measurement object in the integrating sphere, the incident light is divided into diffuse light (DT, the sum of all light diffused and emitted) and straight light (PT, excluding the diffuse light) depending on the measurement object. (light exiting in the front direction). The diffused light and the straight light can be measured by concentrating them on a light-receiving element within an integrating sphere. That is, through the above process, the total transmitted light (TT) can be defined as the sum (DT+PT) of the diffused light (DT) and straight light (PT). The total transmitted light refers to the total transmittance.

평가예 3. 면내 위상차 평가Evaluation example 3. In-plane phase difference evaluation

고분자 필름 등의 면내 위상차(Rin)는 Agilent사의 UV/VIS spectroscope 8453 장비를 이용하여 측정하였다(550 nm 파장 기준). UV/VIS spectroscope에 2장의 편광자를 투과축이 서로 직교하도록 설치하고, 상기 2장의 편광자 사이에 고분자 필름 등을 그 지상축이 2장의 편광자의 투과축과 각각 45도를 이루도록 위치시킨 후, 파장에 따른 투과율를 측정하였다. 파장에 따른 투과율 그래프에서 각 피크(peak)들의 위상 지연 차수(Phase retardation order)를 구하였다. 구체적으로, 파장에 따른 투과율 그래프에서 파형은 하기 수식 A를 만족하고, 사인(Sine) 파형에서 최대 피크(Tmax) 조건은 하기 수식 B을 만족한다. 수식 A에서 λmax인 경우, 수식 A의 T와 수식 B의 T는 동일하기 때문에 수식을 전개한다. n+1, n+2 및 n+3에 대해서도 수식을 전개하고, n과 n+1 수식을 정리해서 R을 소거하여 n을 λn 및 λn+1 수식으로 정리하면, 하기 수식 C가 도출된다. 수식 A의 T와 수식 B의 T가 동일함에 근거하여 n과 λ를 알 수 있으므로 각 λn, λn+1, λn+2 및 λn+3 대해 R을 구한다. 4 포인트에 대해 파장에 따른 R값의 직선 추세선을 구하고 550 nm의 파장의 광에 대한 R 값을 산정한다. 직선 추세선의 함수는 Y=ax+b이고, a 및 b는 상수이다. 상기 함수의 x에 550nm를 대입했을 때의 Y 값이 550 nm 파장의 광에 대한 Rin 값이다.The in-plane retardation (Rin) of polymer films, etc. was measured using Agilent's UV/VIS spectroscope 8453 equipment (based on a wavelength of 550 nm). Install two polarizers on a UV/VIS spectroscope so that their transmission axes are orthogonal to each other, place a polymer film, etc. between the two polarizers so that their slow axes are at 45 degrees with the transmission axes of the two polarizers, and then The transmittance was measured. The phase retardation order of each peak was obtained from the transmittance graph according to wavelength. Specifically, in the transmittance graph according to wavelength, the waveform satisfies Equation A below, and the maximum peak (Tmax) condition in the sine waveform satisfies Equation B below. In the case of λmax in formula A, T in formula A and T in formula B are the same, so expand the formula. If the equations are developed for n+1, n+2, and n+3, the n and n+1 equations are organized to eliminate R, and n is organized into the λn and λn+1 equations, the following equation C is derived. Since n and λ can be known based on the fact that T in formula A and T in formula B are the same, R is obtained for each λn, λn+1, λn+2, and λn+3. For the 4 points, obtain a straight trend line of the R value according to the wavelength and calculate the R value for light with a wavelength of 550 nm. The function of a straight trend line is Y=ax+b, where a and b are constants. The Y value when 550 nm is substituted for x in the above function is the Rin value for light with a wavelength of 550 nm.

[수식 A][Formula A]

T = sin2[(2πR/λ)]T = sin2[(2πR/λ)]

[수식 B][Formula B]

T = sin2[((2n+1)π/2)]T = sin2[((2n+1)π/2)]

[수식 C][Formula C]

n = (λn -3λn+1)/(2λn+1 +1-2λn)n = (λn -3λn+1)/(2λn+1 +1-2λn)

상기에서 R은 면내 위상차(Rin)를 의미하고, λ는 파장을 의미하고, n은 사인파형의 꼭지 차수를 의미한다.In the above, R refers to the in-plane phase difference (Rin), λ refers to the wavelength, and n refers to the peak order of the sinusoidal waveform.

평가예 4. 각 층의 두께Evaluation Example 4. Thickness of each layer

광변조층의 두께는 스페이서의 높이와 일치하며, 상기 스페이서의 높이는 측정 장비(Optical profiler, Nano system社, Nano View-E1000)를 사용하여 확인하였다. 또한, 광학 이방성층의 두께도 상기 측정 장비(Optical profiler, Nano system社, Nano View-E1000)를 사용하여 확인하였다.The thickness of the light modulation layer matched the height of the spacer, and the height of the spacer was confirmed using a measuring device (Optical profiler, Nano system, Nano View-E1000). In addition, the thickness of the optically anisotropic layer was confirmed using the measuring equipment (Optical profiler, Nano system, Nano View-E1000).

한편, 편광층, 위상차 필름 및 접착제층(또는 점착제층)의 두께는 디지메틱 두께 게이지(547, 미쓰도요社)를 이용하여 측정하였다. Meanwhile, the thickness of the polarizing layer, retardation film, and adhesive layer (or adhesive layer) was measured using a Digimatic Thickness Gauge (547, Mitutoyo Co., Ltd.).

평가예 5. 광변조층(액정층) 또는 광학 이방성층의 굴절률 이방성 및 평균 굴절률 평가Evaluation Example 5. Evaluation of refractive index anisotropy and average refractive index of light modulation layer (liquid crystal layer) or optically anisotropic layer

광변조층 또는 광학 이방성층의 굴절률 이방성(△n) 및 평균 굴절률은 Abbe 굴절계를 사용하여 다음의 방식으로 평가한다. Abbe 굴절계의 Measuring Prism과 illumination Prism의 면에 수직배향막을 코팅하고, 측정하고자 하는 대상을 Measuring Prism에 도포한 후에 illumination Prism으로 덮어주면, 두 계면의 수직배향력에 의해 광변조층, 위상차 필름 또는 광학 이방성층은 수직으로 배향된다. 이 때 상기 과정에서 광변조층에 적용되는 액정 화합물은, 이색성 염료 등 다른 물질과 혼합되지 않은 액정 화합물만이다. The refractive index anisotropy (△n) and average refractive index of the light modulation layer or optically anisotropic layer are evaluated using an Abbe refractometer in the following manner. When a vertical alignment film is coated on the surfaces of the measuring prism and illumination prism of an Abbe refractometer, and the object to be measured is applied to the measuring prism and then covered with the illumination prism, the vertical alignment force of the two interfaces causes the light modulation layer, retardation film, or optical The anisotropic layer is vertically oriented. At this time, the liquid crystal compound applied to the light modulation layer in the above process is only a liquid crystal compound that is not mixed with other substances such as dichroic dye.

그 후, 도 2에 나타난 바와 같이 접안렌즈쪽(grounded 부)에 선형 편광판을 적용하여 광(light)을 조사하여 관측하면, 도 2에 나타난 것과 같은 θe 및 θo를 구할 수 있고, Measuring prism의 굴절률(np)과 상기 각도(θe 및 θo)를 통해 이상 굴절률(ne=npsinθe)과 정상 굴절률(no=npsinθo)을 구할 수 있다. 여기에서, 그 차이(ne-no)가 굴절률 이방성으로 규정될 수 있으며, 그 평균값((ne+no)/2)이 평균 굴절률로 규정될 수 있다. . 상기 측정 시의 기준 파장은 대략 550nm이다.Then, as shown in Figure 2, when a linear polarizer is applied to the eyepiece side (grounded part) and light is irradiated and observed, θ e and θ o as shown in Figure 2 can be obtained, and measuring prism Through the refractive index (n p ) and the angles (θ e and θ o ), the abnormal refractive index (n e = n p sinθ e ) and the normal refractive index (n o = n p sinθ o ) can be obtained. Here, the difference (n e -n o ) can be defined as refractive index anisotropy, and the average value ((n e + n o )/2) can be defined as the average refractive index. . The reference wavelength during the above measurement is approximately 550 nm.

실시예 1.Example 1.

제 1 및 제 2 기판으로, 각각 두께 80㎛, 145㎛인 연신 PET(Polyethylene terephthalate)필름(SKC社)을 사용하여 디바이스를 제작하였다. 상기 제 1 기판은 550nm 파장의 광에 대한 면내 위상차가 약 9,000nm 정도이고, 상기 제 2 기판은 550nm 파장의 광에 대한 면내 위상차가 약 10,000nm 정도였다. A device was manufactured using stretched PET (polyethylene terephthalate) film (SKC) with a thickness of 80 ㎛ and 145 ㎛ as the first and second substrates, respectively. The first substrate had an in-plane retardation of approximately 9,000 nm for light with a wavelength of 550 nm, and the in-plane retardation of the second substrate for light with a wavelength of 550 nm was approximately 10,000 nm.

상기 제 1 기판의 일면 상에 -C 플레이트 재료를 바 코팅한 후 약 130℃에서 20분 간 경화시켜 약 2㎛ 두께의 광학 이방성층을 형성하고, 이어서 상기 광학 이방성층 상에 ITO(Indium Tin Oxide)막(도전층)을 증착하였다. 상기 광학 이방성층의 550nm 파장의 광에 대한 두께 방향 위상차는 대략 -220nm 정도이고, 굴절률 이방성은 대략 0.1 이며, 평균 굴절률은 1.65였다. 여기서 -C 플레이트 재료는 테레프탈산, 이소프탈산 및 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-바이페닐다이아민을 중합한 폴리아미드를 디메틸아세트아마이드 용액에 대해 대략 5.3중량%로 배합하여 준비하였다.After bar-coating the -C plate material on one side of the first substrate, it was cured at about 130°C for 20 minutes to form an optically anisotropic layer with a thickness of about 2㎛, and then ITO (Indium Tin Oxide) was applied on the optically anisotropic layer. ) A film (conductive layer) was deposited. The thickness direction retardation of the optically anisotropic layer for light with a wavelength of 550 nm was approximately -220 nm, the refractive index anisotropy was approximately 0.1, and the average refractive index was 1.65. Here, the -C plate material is a polyamide polymerized with terephthalic acid, isophthalic acid, and 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-biphenyldiamine at approximately 5.3% by weight based on the dimethylacetamide solution. It was prepared by mixing.

이어서, 상기 ITO막 상에 수직 배향력을 가지는 실리콘 점착제(Shinetsu社, KR3700)를 바 코팅한 후 약 150℃에서 10분 간 경화시켜 약 10㎛ 두께의 점착제층을 형성하였다(제 1 고분자 필름 기판). Next, a silicone adhesive (KR3700, Shinetsu Co., Ltd.) having a vertical orientation was bar-coated on the ITO film and cured at about 150°C for 10 minutes to form an adhesive layer about 10㎛ thick (first polymer film substrate ).

상기 제 2 기판의 일면에 우선 ITO(Indium Tin Oxide)막(도전층)을 증착하고, 상기 ITO막 상에 셀 갭(Cell gap) 유지를 위한 정사각형 격벽 형태의 스페이서(피치: 350㎛, 높이: 6㎛, 선폭: 10㎛, 면적 비율: 9%)를 형성하였다. 그 후, 광변조층(액정층)의 초기 배향제어를 위해 대략 100nm 두께의 폴리이미드계 수직 배향막(SE-5661LB3, Nissan社)을 형성한 후, 러빙 포로 러빙 처리하였다. 이 때 러빙 방향은 제 1 및 제 2 기판의 지상축에 대해 수직이 되도록 하였다(제 2 고분자 필름 기판). First, an ITO (Indium Tin Oxide) film (conductive layer) is deposited on one side of the second substrate, and a spacer in the form of a square partition (pitch: 350㎛, height: 350㎛) is placed on the ITO film to maintain the cell gap. 6㎛, line width: 10㎛, area ratio: 9%) was formed. Afterwards, to control the initial orientation of the light modulation layer (liquid crystal layer), a polyimide-based vertical alignment film (SE-5661LB3, Nissan) with a thickness of approximately 100 nm was formed and then subjected to rubbing treatment with a rubbing cloth. At this time, the rubbing direction was perpendicular to the slow axes of the first and second substrates (second polymer film substrate).

이어서, 상기 제 1 고분자 필름 기판의 점착제층과 제 2 고분자 필름 기판의 수직 배향막이 대향하도록 배치하고(Cell gap: 6㎛), 그 내부에 액정 물질을 주입한 후에 라미네이션 공정을 통하여 디바이스를 제작하였다. 상기 액정 물질로는, 굴절률 이방성(△n)이 대략 0.07이고, 평균 굴절률이 대략 1.58인 음의 유전율 이방성을 가지는 액정 화합물(MAT-19-1261, Merck社)에 키랄 도펀트(S811, Merck社)를 배합한 조성물을 사용하였다. 이 때, 상기 키랄 도펀트는 상기 액정 화합물 100 중량부에 대해 약 0.58 중량부 배합하여, 키랄 피치(chiral pitch)가 대략 20㎛ 정도가 되도록 하였다. Next, the adhesive layer of the first polymer film substrate was placed so that the vertical alignment layer of the second polymer film substrate faced each other (Cell gap: 6㎛), and a liquid crystal material was injected into it, and then a device was manufactured through a lamination process. . The liquid crystal material includes a liquid crystal compound (MAT-19-1261, Merck) with a negative dielectric anisotropy with a refractive index anisotropy (Δn) of approximately 0.07 and an average refractive index of approximately 1.58, and a chiral dopant (S811, Merck). A composition combining the following was used. At this time, the chiral dopant was mixed in an amount of about 0.58 parts by weight based on 100 parts by weight of the liquid crystal compound, so that the chiral pitch was approximately 20㎛.

이어서, 상기 제 1 기판의 광학 이방성층이 형성되지 않은 면에 제 1 편광층을 부착하고, 상기 제 2 기판의 ITO막(도전층)이 형성되지 않은 면에 제 2 편광층을 부착하였다. 상기 제 1 및 제 2 편광층으로는 일반적인 PVA 편광층을 사용하였으며 그 두께는 각각 140㎛였다.Next, a first polarizing layer was attached to the side of the first substrate on which the optically anisotropic layer was not formed, and a second polarizing layer was attached to the side of the second substrate on which the ITO film (conductive layer) was not formed. A general PVA polarizing layer was used as the first and second polarizing layers, and each had a thickness of 140 μm.

상기 배치 시에는 제 1 및 제 2 기판의 지상축이 서로 수평하고, 제 1 및 제 2 편광층의 흡수축이 서로 수직하며, 상기 제 1 편광층의 흡수축이 상기 제 1 및 제 2 고분자 필름의 지상축에 수평하도록 배치하였다. 또한, 수직 배향막의 러빙 방향과 상기 제 2 고분자 필름의 지상축이 서로 수직하도록 배치하였다. During the arrangement, the slow axes of the first and second substrates are horizontal to each other, the absorption axes of the first and second polarizing layers are perpendicular to each other, and the absorption axes of the first polarizing layer are aligned with the first and second polymer films. It was placed horizontal to the ground axis. In addition, the rubbing direction of the vertical alignment layer and the slow axis of the second polymer film were arranged to be perpendicular to each other.

그 결과, 제 1 편광층/제 1 기판/-C 플레이트/ITO막/점착제층/광변조층(액정층)/수직 배향막/ITO막/제 2 기판/제 2 편광층의 구조를 가지는 광변조 디바이스가 형성되었다. As a result, light modulation having the structure of first polarizing layer/first substrate/-C plate/ITO film/adhesive layer/light modulation layer (liquid crystal layer)/vertical alignment film/ITO film/second substrate/second polarizing layer. The device has been formed.

실시예 1에 의해 형성된 광변조 디바이스에 대해 외관 품질 테스트를 실시한 결과, 레인보우(rainbow) 현상 및 연신무늬의 발생이 없는 것을 확인하였으며, 이를 도 3 에 나타내었다. As a result of performing an external quality test on the optical modulation device formed in Example 1, it was confirmed that there was no rainbow phenomenon or stretching pattern, which is shown in FIG. 3.

비교예 1.Comparative Example 1.

제 1 및 제 2 기판으로, 두께가 각각 145㎛이고, 550nm 파장의 광에 대한 면내 위상차가 각각 약 10,000nm 정도인 연신 PET(Polyethylene terephthalate)필름(SKC社)을 동일하게 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 제조하였다.As the first and second substrates, the same stretched PET (Polyethylene terephthalate) film (SKC) was used, each with a thickness of 145㎛ and an in-plane retardation of about 10,000nm for light with a wavelength of 550nm. It was prepared in the same way as Example 1.

비교예 1에 의해 형성된 광변조 디바이스에 대해 외관 품질 테스트를 실시한 결과, 레인보우(rainbow) 현상 및 연신무늬가 관찰되었으며, 이를 도 4 에 나타내었다. As a result of performing an appearance quality test on the optical modulation device formed in Comparative Example 1, a rainbow phenomenon and stretching pattern were observed, which are shown in FIG. 4.

비교예 2.Comparative Example 2.

제 1 및 제 2 기판으로, 두께가 각각 80㎛이고, 550nm 파장의 광에 대한 면내 위상차가 각각 약 9,000nm 정도인 연신 PET(Polyethylene terephthalate)필름(SKC社)을 동일하게 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 제조하였다.As the first and second substrates, the same stretched PET (Polyethylene terephthalate) film (SKC) was used, each having a thickness of 80㎛ and an in-plane retardation of about 9,000nm for light with a wavelength of 550nm. It was prepared in the same way as Example 1.

비교예 2에 의해 형성된 광변조 디바이스에 대해 외관 품질 테스트를 실시한 결과, 레인보우(rainbow) 현상 및 연신무늬가 관찰되었으며, 이를 도 5 에 나타내었다. As a result of performing an appearance quality test on the optical modulation device formed in Comparative Example 2, a rainbow phenomenon and stretching pattern were observed, which are shown in FIG. 5.

101, 102: 제 1, 제 2 편광층
201, 202: 제 1, 제 2 기판
400: 접착제층 또는 점착제층
500: 액정 배향막
300: 광변조층
800: 스페이서
700: 광학 이방성층
G: 셀 갭
101, 102: first and second polarizing layers
201, 202: first and second substrates
400: Adhesive layer or adhesive layer
500: liquid crystal alignment film
300: Light modulation layer
800: Spacer
700: Optically anisotropic layer
G: cell gap

Claims (17)

각각 제 1 표면과 제 2 표면을 가지고, 서로 대향 배치된 제 1 및 제 2 기판; 및
상기 제 1 및 제 2 기판의 사이에 존재하는 광변조층을 포함하며,
하기 수식 1의 K가 0 초과 0.5 이하의 범위 내인 광변조 디바이스:
[수식 1]

수식 1의 K에서, Rin,A 550nm 파장의 광에 대한 상기 제 1 기판의 면내 위상차를 의미하고, Rin,B 550nm 파장의 광에 대한 상기 제 2 기판의 면내 위상차를 의미하며, max(Rin,A, Rin,B)는 Rin,A 또는 Rin,B 중 더 큰 값을 의미하고, 상기 면내 위상차는 하기 수식 4로 계산되는 값이다:
[수식 4]
Rin = d × (nx - ny)
수식 4에서 Rin은 상기 면내 위상차이고, d는 상기 제 1 기판 또는 제 2 기판의 두께이며, nx는 상기 제 1 기판 또는 제 2 기판의 지상축 방향의 굴절률이고, ny는 상기 제 1 기판 또는 제 2 기판의 진상축 방향의 굴절률이다.
first and second substrates each having a first surface and a second surface and disposed opposite to each other; and
It includes a light modulation layer present between the first and second substrates,
An optical modulation device in which K in Equation 1 below is in the range of more than 0 and less than or equal to 0.5:
[Formula 1]

In K in Equation 1, R in,A is Means the in-plane retardation of the first substrate for light with a wavelength of 550 nm, and R in,B is Means the in-plane retardation of the second substrate for light of 550 nm wavelength, max(R in,A , R in,B ) means the larger value of R in,A or R in,B , and the in-plane retardation is a value calculated using Equation 4 below:
[Formula 4]
R in = d × (n x - n y )
In Equation 4, R in is the in-plane retardation, d is the thickness of the first or second substrate, n x is the refractive index of the first or second substrate in the slow axis direction, and n y is the first It is the refractive index of the substrate or the second substrate in the direction of the fast axis.
제 1 항에 있어서, 제 1 및 제 2 기판은 550nm 파장의 광에 대한 면내 위상차가 3000nm 이상인 광변조 디바이스. The light modulation device of claim 1, wherein the first and second substrates have an in-plane retardation of 3000 nm or more for light with a wavelength of 550 nm. 제 1 항에 있어서, 제 1 및 제 2 기판은 하기 수식 2의 P의 값이 0.3 이상인 광변조 디바이스:
[수식 2]

수식 2의 P에서, WA 제 1 기판의 두께를 의미하고, WB 제 2 기판의 두께를 의미하며, min(WA, WB)는 WA 또는 WB 중 더 작은 값을 의미한다.
The light modulation device of claim 1, wherein the first and second substrates have a P value of 0.3 or more in Equation 2 below:
[Formula 2]

In P in Equation 2, W A is means the thickness of the first substrate, and W B is It means the thickness of the second substrate, and min(W A , W B ) means the smaller value of W A or W B.
제 1 항에 있어서, 제 1 기판의 제 1 표면에는 접착제층 또는 점착제층이 형성되어 있고, 제 2 기판의 제 1 표면에는 액정 배향막이 형성되어 있으며, 상기 제 1 및 제 2 기판은 서로의 제 1 표면이 대향하도록 배치되어 있는 광변조 디바이스. The method of claim 1, wherein an adhesive layer or adhesive layer is formed on the first surface of the first substrate, and a liquid crystal alignment film is formed on the first surface of the second substrate, and the first and second substrates are adjacent to each other. 1 A light modulation device arranged with opposing surfaces. 제 4 항에 있어서, 접착제층 또는 점착제층은 실리콘 접착제층 또는 실리콘 점착제층인 광변조 디바이스. The light modulation device according to claim 4, wherein the adhesive layer or adhesive layer is a silicone adhesive layer or a silicone adhesive layer. 제 4 항에 있어서, 제 1 기판에는 액정 배향막이 형성되어 있지 않은 광변조 디바이스. The light modulation device according to claim 4, wherein no liquid crystal alignment layer is formed on the first substrate. 제 4 항에 있어서, 액정 배향막은 수직 배향막인 광변조 디바이스.The light modulation device of claim 4, wherein the liquid crystal alignment layer is a vertical alignment layer. 제 1 항에 있어서, 광변조층과 제 1 기판 사이 또는 광변조층과 제 2 기판 사이 중 적어도 하나에 광학 이방성층을 포함하는 광변조 디바이스. The light modulation device of claim 1, comprising an optically anisotropic layer at least one of the light modulation layer and the first substrate or the light modulation layer and the second substrate. 제 1 항에 있어서, 제 1 기판 또는 제 2 기판의 제 2 표면 중 하나 이상의 표면에 형성된 편광층을 추가로 포함하는 광변조 디바이스. 2. The light modulating device of claim 1, further comprising a polarizing layer formed on at least one of the first surface or the second surface of the second substrate. 제 1 항에 있어서, 제 1 및 제 2 기판은 각각 비등방성 필름이고, 상기 제 1 및 제 2 기판의 지상축은 서로 수평인 광변조 디바이스. The light modulation device of claim 1, wherein the first and second substrates are each an anisotropic film, and the slow axes of the first and second substrates are horizontal to each other. 제 1 항에 있어서, 제 1 및 제 2 기판의 간격이 격벽 형상의 스페이서로 유지되어 있는 광변조 디바이스.The light modulation device according to claim 1, wherein the gap between the first and second substrates is maintained by a partition-shaped spacer. 제 11 항에 있어서, 스페이서는 사각형, 삼각형 또는 허니콤 격벽 형상인 광변조 디바이스.12. The light modulation device of claim 11, wherein the spacer is square, triangular or honeycomb partition shaped. 제 1 항에 있어서, 광변조층은 액정 화합물을 포함하는 광변조 디바이스.The light modulation device of claim 1, wherein the light modulation layer includes a liquid crystal compound. 제 1 항에 있어서, 광변조층은, 수직 배향 모드와 수평 트위스티드 모드의 사이를 스위칭할 수 있도록 형성되어 있는 광변조 디바이스. The light modulation device according to claim 1, wherein the light modulation layer is formed to be capable of switching between a vertical alignment mode and a horizontal twisted mode. 제 14 항에 있어서, 수직 배향 모드가 초기 상태에서 구현되도록 광변조층이 형성되어 있는 광변조 디바이스. The light modulation device according to claim 14, wherein the light modulation layer is formed so that a vertical alignment mode is implemented in the initial state. 제 14 항에 있어서, 광변조층의 두께 d와 트위스티드 모드의 피치 p의 비율 d/p는 1 이하인 광변조 디바이스.
The light modulation device according to claim 14, wherein a ratio d/p between the thickness d of the light modulation layer and the pitch p of the twisted mode is 1 or less.
제 1 항에 있어서, 제 1 및 제 2 기판은 서로 다른 두께를 가지는 광변조 디바이스.The light modulation device of claim 1, wherein the first and second substrates have different thicknesses.
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