KR102666111B1 - 광변조 디바이스 및 이의 제조 방법 - Google Patents

광변조 디바이스 및 이의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 출원에서는 투과율 가변 특성이 우수하면서, 고온 환경에서도 차단 모드에서의 광 누설이 효과적으로 제어되어 다양한 용도로의 적용이 가능한 광변조 디바이스 및 이의 제조 방법을 제공할 수 있다.

Description

광변조 디바이스 및 이의 제조 방법{Transmission Variable Device and the method of manufacturing the device}
본 출원은 광변조 디바이스 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
광변조 디바이스는 적어도 2개 이상의 다른 상태의 사이를 스위칭할 수 있는 디바이스를 의미한다. 이와 같은 광변조 디바이스에 대해, 최근에는 유연 소자의 구현 및 롤투롤 공정 적용 등이 비교적 용이하도록 고분자 필름 기재를 적용하고 있다. 이에 따라, 예를 들면, 안경 또는 선글라스 등의 아이웨어(eyewear), 모바일 기기, 가상 현실(VR: Virtual Reality)용 기기, 증강현실(AR: Augmented Reality)용 기기와 같은 웨어러블(wearable) 디바이스 또는 차량의 선루프 등에 사용되는 등 광변조 디바이스의 용도가 점차 확대되고 있다.
그런데 이러한 용도의 확대에 따라, 광변조 디바이스가 고온 환경에 장시간 노출되는 경우 역시 증가하고 있는데, 광변조 디바이스가 고온에 장시간 노출될 경우 광변조 디바이스의 성능, 특히 차단 모드일 때의 광 누설이 문제될 수 있다.
본 출원은 광변조 디바이스 및 이의 제조 방법에 대한 것이다. 본 출원은 고온 환경에 장시간 노출되는 경우에도 투과율 가변 특성과 헤이즈 특성을 비롯한 광학 특성이 우수하고, 차단 모드에서 전 방위 광 누설이 제어되어 다양한 용도로 적용 가능한 광변조 디바이스를 제공하는 것을 하나의 목적으로 한다.
본 명세서에서 정의하는 각도는 제조 오차(error) 또는 편차(variation) 등의 오차를 감안하여 이해되어야 한다. 예를 들어, 본 명세서에서 용어 수직, 평행, 직교 또는 수평 등은, 목적 효과를 손상시키지 않는 범위에서의 실질적인 수직, 평행, 직교 또는 수평을 의미하고, 예를 들면, 상기 각각의 경우는 약 ±10도 이내의 오차, 약 ±5도 이내의 오차, 약 ±3도 이내의 오차, 약 ±2도 이내의 오차, 약 ±1도 이내의 오차 또는 약 ±0.5도 이내의 오차를 포함할 수 있다.
본 명세서에서 언급하는 물성 중에서 측정 온도가 해당 물성에 영향을 미치는 경우에 특별히 달리 규정하지 않는 한, 상기 물성은 상온에서 측정한 물성이다.
본 명세서에서 용어 상온은 특별히 가온되거나 감온되지 않은 상태에서의 온도로서, 약 10℃ 내지 30℃의 범위 내의 어느 한 온도, 예를 들면, 약 15℃ 이상, 18℃ 이상, 20℃ 이상 또는 약 23℃ 이상이면서, 약 27℃ 이하의 온도를 의미할 수 있다. 또한, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 본 명세서에서 언급하는 온도의 단위는 ℃이다.
본 명세서에서 언급하는 위상차, 굴절률 및 굴절률 이방성 등은, 특별히 달리 규정하지 않는 한 약 550nm 파장의 광에 대한 물리량이다.
특별히 달리 규정하지 않는 한, 본 명세서에서 언급하는 어느 2개의 방향이 이루는 각도는 상기 두 개의 방향이 이루는 예각 내지 둔각 중 예각이거나, 또는 시계 방향 및 반시계 방향으로 측정된 각도 중에서 작은 각도일 수 있다. 따라서, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 본 명세서에서 언급하는 각도는 양수이다. 다만, 경우에 따라서 시계 방향 또는 반시계 방향으로 측정된 각도 간의 측정 방향을 표시하기 위해서 상기 시계 방향으로 측정된 각도를 양수로 표시하고, 반시계 방향으로 측정된 각도를 음수로 표기할 수도 있다.
본 출원은 예를 들어, 각각 제 1 표면과 제 2 표면을 가지고, 서로 대향 배치된 제 1 및 제 2 기판 및 상기 제 1 및 제 2 기판의 사이에 존재하는 광변조층을 포함하는 광변조 디바이스에 관한 것일 수 있다.
본 출원은 예를 들어, 제 1 기판, 광변조층 및 제 2 기판이 순차 형성된 광변조 디바이스에 대한 것일 수 있다. 하나의 예시에서, 본 출원의 상기 제 1 기판은 제 1 표면에 접착제층 또는 점착제층이 형성되어 있고 상기 제 2 기판은 제 1 표면에 액정 배향막이 형성되어 있으며, 상기 제 1 및 제 2 기판은 서로의 제 1 표면이 대향하도록 배치된 광변조 디바이스에 대한 것일 수 있다.
본 출원의 광변조 디바이스는, 하나의 예시에서, 도 1과 같이, 제 1 기판(102)의 제 1 표면에 접착제층 또는 점착제층(103)이 형성되어 있고, 제 2 기판(202)의 제 1 표면에 액정 배향막(203)이 형성되어 있으며, 상기 제 1 기판(102) 및 상기 제 2 기판(202)은 서로의 제 1 표면이 대향하도록 배치되어 있고, 상기 제 1 기판(102) 및 상기 제 2 기판(202) 사이에 존재하는 광변조층(300)을 포함할 수 있다.
본 출원의 광변조 디바이스는, 상기와 같은 스위칭을 위해서 적어도 광변조층을 포함할 수 있다. 상기 광변조층은, 일 예시에서 편광 성분을 생성하는 층일 수 있다.
본 출원에서 상기 광변조층은, 예를 들어, 액정 화합물을 포함하고, 상기 액정 화합물의 배향 상태를 외부 신호 인가 등을 통해 제어할 수 있는 액정층을 의미할 수 있다. 액정 화합물로는 외부 신호의 인가에 의하여 그 배향 방향이 변경될 수 있는 것이라면 모든 종류의 액정 화합물을 사용할 수 있다. 액정 화합물로는, 예를 들어, 네마틱(nematic) 액정 화합물, 스멕틱(smectic) 액정 화합물 또는 콜레스테릭(cholestric) 액정 화합물 등을 사용할 수 있다. 또한, 외부 신호의 인가에 의하여 그 배향 방향이 변경될 수 있도록, 액정 화합물은 예를 들어 중합성기 또는 가교성기를 가지지 않는 화합물일 수 있다.
본 출원은, 예를 들어, 상기 광변조층 내의 액정 화합물의 배열을 조절하여, 초기 배향이 수직 배향이고, 상기 수직 배향 상태가 외부 신호의 인가에 의해 수평 배향 상태로 변경될 수 있도록 설계된 광변조 디바이스에 대한 것일 수 있다. 또한 상기 수평 배향은 트위스티드 배향일 수 있다. 상기에서 초기 배향이란, 광변조층에 외부 신호가 인가되지 않은 때의 배향 상태이다. 본 명세서에서 용어 수직 배향은, 상기 광변조층의 방향자 또는 상기 광변조층 내의 액정 화합물의 방향자가 상기 광변조층의 평면에 대하여 대략 수직하게 배열된 상태이고, 예를 들면, 상기 광변조층의 기준면의 법선인 z축과 상기 방향자가 이루는 각도는 약 80도 내지 100도 또는 85도 내지 95도의 범위 내이거나 약 90도 정도일 수 있다. 또한, 용어 수평 배향은, 상기 광변조층의 방향자 또는 상기 광변조층 내의 액정 화합물의 방향자가 상기 광변조층의 기준면에 대략 평행하게 배열된 상태를 의미할 수 있고, 예를 들면, 상기 방향자와 상기 광변조층의 기준면 이루는 각도는 약 0도 내지 10도 또는 약 0도 내지 5도의 범위 내이거나 약 0도 정도일 수 있다.
본 명세서에서 용어 광변조층의 방향자 또는 액정 화합물의 방향자는 상기 광변조층의 광축(Optical axis) 또는 지상축(Slow axis)을 의미할 수 있다. 예를 들어, 상기 광축 또는 지상축은, 액정 분자가 막대(rod) 모양인 경우 장축 방향을 의미할 수 있고, 액정 분자가 원판(discotic) 모양인 경우 원판 평면의 법선 방향의 축을 의미할 수 있으며, 상기 광변조층 내에 서로 방향자가 상이한 복수의 액정 화합물이 포함되어 있는 경우, 상기 액정 화합물의 방향자들의 벡터 합을 의미할 수 있다.
본 출원에서 광변조층은, 예를 들어, 상기 액정 화합물과 함께 화학식 1의 화합물을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
화학식 1에서 R1 내지 R4는 각각 독립적으로 알킬기, 히드록시기, 알콕시기 또는 할로겐 원자이되, R1 내지 R4 중 적어도 하나는 탄소수 11 이상의 알킬기일 수 있고, R1 내지 R4 중 적어도 하나는 할로겐 원자일 수 있다. 상기 화학식 1에서, 바람직하게는, R1 내지 R4 중 적어도 하나는 탄소수 10 내지 30의 직쇄상 알킬기일 수 있고, 2개 이상은 할로겐 원자일 수 있다. 상기 화학식 1에서, 보다 바람직하게는, R1 내지 R4 중 어느 하나는 탄소수 10 내지 30의 직쇄상 알킬기일 수 있고, 나머지는 할로겐 원자일 수 있다. 본 출원에서 상기 할로겐 원자는 예를 들어, 염소(Cl), 불소(F), 브롬(Br) 또는 요오드(I) 등일 수 있으나, 염소(Cl)인 것이 바람직하다. 상기 직쇄상 알킬기의 탄소수는 다른 예시에서, 11 이상, 12 이상, 13 이상, 14 이상, 15 이상, 16 이상 또는 17 이상이거나 29 이하, 28 이하, 27 이하, 26 이하, 25 이하, 24 이하, 23 이하, 22 이하, 21 이하, 20 이하 또는 19 이하일 수 있다.
본 출원은, 광변조층에 상기와 같은 액정 화합물 및/또는 화학식 1의 화합물을 포함함으로써 고온 환경에 장시간 노출되는 경우에도 투과율 가변 특성과 헤이즈 특성을 비롯한 광학 특성이 우수하고, 차단 모드에서 전 방위 광 누설이 제어된 광변조 디바이스를 제공할 수 있다.
본 출원의 광변조층은, 하나의 예시에서 상기 화학식 1의 화합물을 상기 액정 화합물 100 중량부 대비 0.3 내지 10 중량부의 범위 내로 포함할 수 있다. 상기 화학식 1의 화합물을 상기 범위 내로 포함하는 경우, 광변조 디바이스가 고온에 장시간 노출될 경우 후술할 수직 배향력을 갖는 접착제층(또는 점착제층)의 수직 배향력 저하로 인해 초기 수직 배향이 적절히 이루어지지 않아 차단 모드에서 광 누설이 발생되는 문제를 해결하면서도, 구동 성능이 우수한 광변조 디바이스를 제공할 수 있다. 따라서, 상기 화학식 1의 화합물은 상기 범위로 포함되는 것이 바람직하며, 다른 예시에서, 상기 화학식 1의 화합물은 상기 액정 화합물 10 중량부 대비 대략 0.35 중량부 이상, 0.4 중량부 이상, 0.45 중량부 이상 또는 0.5 중량부 이상이거나 9 중량부 이하, 8 중량부 이하, 7 중량부 이하, 6 중량부 이하, 5 중량부 이하, 4 중량부 이하, 3 중량부 이하, 2 중량부 이하 또는 1 중량부 이하의 범위로 포함될 수 있다.
본 출원의 광변조층은 예를 들어, 트위스티드 배향 모드를 구현할 수 있도록 설계될 수 있다. 본 명세서에서 용어 트위스티드 배향 모드는 상기 액정 화합물들의 방향자가 가상의 나선축을 따라서 꼬이면서 층을 이루며 배향한 나선형의 구조를 의미할 수 있다. 상기 트위스티드 배향 모드는, 전술한 수평 배향 모드에서 구현될 수 있다. 예를 들어, 수평 트위스티드 배향 모드는 개개의 액정 화합물들이 수평 배향된 상태로 나선축을 따라 꼬이면서 층을 이루는 상태를 의미할 수 있다.
상기 트위스티드 배향 모드에서, 상기 광변조층의 두께(d)와 상기 트위스티드 모드의 피치(p)의 비율(d/p)은 예를 들어, 1 이하일 수 있다. 상기 비율(d/p)이 1을 초과하면, 핑거 도메인(finger domain) 등의 문제가 발생할 수 있기 때문에 가급적 상기 범위로 조절될 수 있다. 상기 비율(d/p)은 다른 예시에서 약 0.95 이하, 약 0.9 이하, 약 0.85 이하, 약 0.8 이하, 약 0.75 이하, 약 0.7 이하, 약 0.65 이하, 약 0.6 이하, 약 0.55 이하, 약 0.5 이하, 약 0.4 이하, 약 0.3 이하, 약 0.2 이하, 약 0.1 이하, 약 0.09 이하, 약 0.08 이하, 약 0.07 이하, 약 0.06 이하, 약 0.05 이하, 약 0.04 이하 또는 약 0.03 이하이거나, 약 0.01 이상 또는 약 0.02 이상 정도일 수 있다. 상기에서 광변조층의 두께(d)는 광변조 디바이스 내의 셀 갭(Cell Gap)과 같은 의미일 수 있다.
트위스티드 배향모드의 피치(p)는, Wedge cell을 이용한 계측 방법으로 측정할 수 있고, 구체적으로는 D.Podolskyy 등의 Simple method for accurate measurements of the cholesteric pitch using a stripe-wedge Grandjean-Cano cell(Liquid Crystals, Vol. 35, No. 7, July 8\2008, 789-791)에 기재된 방식으로 측정할 수 있다.
상기 광변조층이 트위스티드 모드를 구현할 수 있도록 상기 광변조층은 소위 키랄 도펀트를 추가로 포함할 수 있다. 즉, 상기 광변조층은, 액정 화합물 및 화학식 1의 화합물과 함께 키랄 도펀트를 추가로 포함할 수 있다.
광변조층에 포함될 수 있는 키랄 도펀트(Chiral dopant)로는, 액정성, 예를 들면, 네마틱 규칙성을 손상시키지 않고 목적하는 회전(twisting)을 유도할 수 있는 것이라면, 특별히 제한되지 않고 사용될 수 있다. 액정 분자에 회전을 유도하기 위한 키랄 도펀트는 분자 구조 중에 키랄리티(chirality)를 적어도 포함할 필요가 있다. 키랄 도펀트는, 예를 들면, 1개 또는 2개 이상의 비대칭 탄소(asymmetric carbon)를 가지는 화합물, 키랄 아민 또는 키랄 술폭시드 등의 헤테로원자 상에 비대칭점(asymmetric point)이 있는 화합물 또는 크물렌(cumulene) 또는 비나프톨(binaphthol) 등의 축부제를 가지는 광학 활성인 부위(axially asymmetric, optically active site)를 가지는 화합물이 예시될 수 있다. 키랄 도펀트는 예를 들면, 분자량이 1,500 이하인 저분자 화합물일 수 있다. 키랄 도펀트로는, 시판되는 키랄 네마틱 액정, 예를 들면, Merck사에서 시판되는 키랄 도판트 액정 S811 또는 BASF사의 LC756 등이 적용될 수 있다.
키랄 도펀트의 적용 비율은, 목적하는 상기 비율(d/p)을 달성할 수 있다면 특별히 제한되지 않는다. 일반적으로 키랄 도펀트의 함량(중량%)은, 100/(HTP(Helixcal Twisting power) × 피치(nm)의 수식으로 계산되며, 목적하는 피치(p)를 고려하여 적정 비율로 선택될 수 있다.
본 출원의 광변조층은, 또한 이색성 염료를 추가로 포함할 수 있다. 본 명세서에서 용어 「염료」는, 가시광 영역, 예를 들면, 400nm 내지 700nm 파장 범위 내에서 적어도 일부 또는 전체 범위 내의 광을 집중적으로 흡수 및/또는 변형시킬 수 있는 물질을 의미할 수 있고, 용어 「이색성 염료」는 상기 가시광 영역의 적어도 일부 또는 전체 범위에서 광의 이방성 흡수가 가능한 물질을 의미할 수 있다. 이러한 염료로는, 예를 들면, 아조 염료 또는 안트라퀴논 염료 등이 공지되어 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
하나의 예시에서, 상기 광변조층은 소위 게스트호스트 액정층(Guest Host Liquid Crystal cell)일 수 있다. 용어 「GHLC층」은, 액정의 배열에 따라 이색성 염료가 함께 배열되어 이색성 염료의 정렬 방향과 상기 정렬 방향의 수직한 방향에 대하여 각각 비등방성 광 흡수 특성을 나타내는 기능성 층을 의미할 수 있다. 예를 들어, 이색성 염료는 빛의 흡수율이 편광 방향에 따라서 달라지는 물질로서, 장축 방향으로 편광된 빛의 흡수율이 크면 p형 염료로 호칭하고 단축 방향으로 편광된 빛의 흡수율이 크면 n형 염료라고 호칭할 수 있다. 하나의 예시에서, p형 염료가 사용되는 경우, 염료의 장축 방향으로 진동하는 편광은 흡수되고 염료의 단축 방향으로 진동하는 편광은 흡수가 적어 투과시킬 수 있다. 이하 특별한 언급이 없는 한 이색성 염료는 p형 염료인 것으로 가정한다.
상기와 같이 광변조층에 이색성 염료를 추가로 포함시키는 것에 의해서 광변조 디바이스에서 발생할 수 있는 측면 관찰 시의 광 누설을 방지할 수 있다.
상기 게스트 호스트 액정층에서 이색성 염료의 배향은 액정 화합물의 배향에 추종할 수 있다. 따라서, 예를 들어, 상기 광변조 디바이스가 상기 액정 화합물의 수직 배향 시에 낮은 투과율을 구현하도록 설계된 디바이스인 경우에, 상기 액정 화합물의 수직 배향 상태에서 상기 이색성 염료도 수직 배향 상태 혹은 그에 준한 상태가 된다. 이와 같이 수직 배향 혹은 그에 준한 상태로 배향된 이색성 염료는 측면 관찰 시에 누설될 광을 흡수할 수 있다. 특히 이러한 방식을 도입하여, 별도의 보상 구조를 도입하지 않고도 측면 광누설의 방지가 가능하고, 상기 기판이 등방성 기판이 아닌 경우에도 복잡한 설계 없이 측면 광누설을 방지할 수 있다.
상기 광변조층에 포함되는 이색성 염료는, 적어도 가시광 영역, 예를 들면, 대략 400 내지 700nm 범위 내의 파장에 대해서 흡수를 나타낼 수 있다. 이러한 흡수 특성이 확보된다면, 이색성 염료는 1종이 사용될 수도 있고, 2종 이상의 혼합이 사용될 수도 있다.
상기 광변조층에 포함되는 이색성 염료의 비율은 예를 들어, 5 중량% 이하일 수 있다. 상기 이색성 염료의 비율은, 광변조층에 포함되는 모든 성분의 중량에 대한 이색성 염료의 비율이다. 예를 들어, 광변조층이 액정 화합물, 화학식 1의 화합물, 이색성 염료 및 키랄 도펀트를 포함한다면, 상기 4성분의 합계 중량 대비 상기 이색성 염료의 백분율이 상기 이색성 염료의 비율이 될 수 있다. 이색성 염료의 비율이 지나치게 높아지면, 이색성 염료가 액정 화합물의 수평 배향에 추종하는 경우에 정면에서 지나치게 많은 광을 흡수할 수 있고, 이는 본 출원에서 의도하는 효과가 아니다. 즉, 이색성 염료의 비율은 상기 염료가 액정 화합물의 수직 배향에 추종한 때에 측면 광누설을 효과적으로 방지하면서도 상기 염료가 액정 화합물의 수평 배향에 추종할 때에는 정면 광을 최소한으로 흡수할 수 있도록 제어되는 것이 적절하다. 다른 예시에서, 상기 이색성 염료의 비율은, 4 중량% 이하, 3 중량% 이하, 2 중량% 이하 또는 1 중량% 이하이거나 0.1 중량% 이상, 0.2 중량% 이상, 0.3 중량% 이상 또는 0.4 중량% 이상일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
본 출원은, 광변조층에 상기와 같은 범위의 중량비율로 이색성 염료를 추가로 포함함으로써, 광변조 디바이스의 투과 모드에서, 후술하는 범위의 투과율을 나타내면서도 측면에서의 빛샘 현상 또한 제어된 광변조 디바이스를 제공할 수 있다. 상기 광변조층은 유전율 이방성이 음수인 액정 화합물을 포함하거나, 혹은 상기 광변조층의 유전율 이방성이 음수일 수 있다. 상기 유전율 이방성의 절대값은 본 출원의 목적을 고려하여 적절히 선택될 수 있다. 용어 「유전율 이방성(△ε)」은 수평 유전율(ε//)과 수직 유전율(ε⊥)의 차이(ε// -ε⊥)를 의미할 수 있다. 본 명세서에서 용어 수평 유전율(ε//)은 액정 분자의 방향자와 인가 전압에 의한 전기장의 방향이 실질적으로 수평하도록 전압을 인가한 상태에서 상기 전기장의 방향을 따라 측정한 유전율 값을 의미하고, 수직 유전율(ε⊥)은 액정 분자의 방향자와 인가 전압에 의한 전기장의 방향이 실질적으로 수직하도록 전압을 인가한 상태에서 상기 전기장의 방향을 따라 측정한 유전율 값을 의미한다.
상기 액정층은 굴절률 이방성(n△)이 약 0.04 내지 0.15의 범위 내인 액정 화합물을 포함하거나, 상기 액정층이 상기 언급된 굴절률 이방성을 나타낼 수 있다. 본 출원에서 말하는 굴절률 이방성(n△)은 이상 굴절률(ne, extraordinary refractive index) 및 정상 굴절률(no, ordinary refractive index)의 차이(ne-no)이고, 이는 Abbe 굴절계를 이용하여 확인할 수 있는데, 그 구체적인 방식은 하기 실시예에 개시된 방법에 따른다. 상기 굴절률 이방성(n△)은 다른 예시에서, 약 0.14 이하, 0.13 이하, 0.12 이하, 0.11 이하 또는 0.1 이하이거나 0.05 이상, 0.06 이상, 0.07 이상, 0.08 이상 또는 0.09 이상일 수 있다.
본 출원의 광변조층의 두께는 본 출원의 목적을 고려하여 적절히 선택될 수 있다. 일 예시에서, 상기 광변조층의 두께는, 약 20㎛ 이하일 수 있다. 이와 같이 두께를 제어함으로, 투과 모드 및 차단 모드에서의 투과율 차이가 큰 디바이스, 즉, 투과율 가변 특성이 우수한 디바이스를 구현할 수 있다. 상기 두께는 다른 예시에서, 약 19㎛ 이하, 18㎛ 이하, 17㎛ 이하, 16㎛ 이하, 15㎛ 이하, 14㎛ 이하, 13㎛ 이하, 12㎛ 이하, 11㎛ 이하, 10㎛ 이하, 9㎛ 이하, 8㎛ 이하 또는 7㎛ 이하이거나 1㎛ 이상, 2㎛ 이상, 3㎛ 이상, 4㎛ 이상 또는 5㎛ 이상일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
본 출원의 광변조 디바이스에서는 예를 들어, 제 1 기판과 제 2 기판이 상기 광변조층의 양면에 배치되어 있을 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 기판은 예를 들어, 고분자 필름 기판일 수 있다. 본 출원은 상기 제 1 및 제 2 기판으로 고분자 필름 기판을 적용함에 따라, 유연한 광학 디바이스의 제공이 가능할 수 있다. 본 출원에서 상기 제 1 및 제 2 기판은 각각, 제 1 고분자 필름 기판 및 제 2 고분자 필름 기판일 수 있다.
상기 제 1 및 제 2 고분자 필름 기판은 예를 들어, 각각 550nm 파장의 광에 대한 면상 위상차가 500nm 이상일 수 있다. 다른 예시에서, 1000nm 이상, 2000nm 이상, 3000nm 이상, 4000nm 이상, 5000nm 이상, 6000nm 이상, 7000nm 이상, 8000nm 이상, 9000nm 이상 또는 10000nm 이상이거나 50000nm 이하, 40000nm 이하, 30000nm 이하, 20000nm 이하 또는 15000nm 이하일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 명세서에서 면상 위상차 하기 수식 1로 계산된 값을 의미할 수 있다.
[수식 1]
Rin = d × (nx - ny)
수식 1에서 Rin은 면상 위상차이고, d는 고분자 필름 기판의 두께이며, nx는 고분자 필름 기판의 지상축 방향의 굴절률이고, ny는 진상축 방향의 굴절률로서, 상기 지상축 방향과 직교하는 면상 방향의 굴절률이다.
상기와 같이 높은 위상차를 가지는 필름은 업계에 공지이고, 이러한 필름은 광학적으로 큰 비등방성은 물론 제조 과정에서의 고연신 등에 의해 기계적 물성도 큰 비대칭성을 나타낸다. 업계에 공지된 상기 위상차 필름의 대표적인 예로는, PET(poly(ethylene terephthalate)) 필름 등과 같은 폴리에스테르 필름 등이 있을 수 있다.
본 출원의 광변조 디바이스에서, 상기 제 1 및 제 2 고분자 필름 기판은, 상기 제 1 및 제 2 고분자 필름 기판의 지상축이 특정 위치 관계를 가지도록 디바이스 내에 포함될 수 있다. 일 예시에서, 상기 제 1 및 제 2 고분자 필름 기판은 서로의 지상축이 수평하도록 배치되어 있을 수 있다.
상기와 같은 면상 위상차를 가지는 제 1 및 제 2 고분자 필름 기판을, 상기 고분자 필름 기판의 지상축이 상기와 같은 범위를 갖도록 배치함으로써, 전술한 광변조층과의 조합을 통해 우수한 투과도 가변 효과를 나타내면서도 고온 환경에 노출된 경우에도 차단 모드에서의 광 누설이 효과적으로 제어된 광변조 디바이스를 제공할 수 있다.
본 출원의 제 1 및 제 2 기판은 예를 들어, 제 1 기판의 제 2 표면 및/또는 제 2 기판의 제 2 표면 중 하나 이상의 표면에 형성된 편광층을 추가로 포함할 수 있다. 본 명세서에서 편광층은 자연광 내지 비편광을 편광으로 변화시키는 소자를 의미할 수 있다. 하나의 예시에서, 상기 편광층은 선 편광층일 수 있다. 본 명세서에서 선 편광층은 선택적으로 투과하는 광이 어느 하나의 방향으로 진동하는 선 편광이고 선택적으로 흡수 또는 반사하는 광이 상기 선편광의 진동 방향과 직교하는 방향으로 진동하는 선편광인 경우를 의미한다. 즉, 상기 선 편광자는 면 방향으로 직교하는 투과축 및 흡수축 내지 반사축을 가질 수 있다.
상기 편광층은 흡수형 편광층 또는 반사형 편광층일 수 있다. 상기 흡수형 편광층으로는, 예를 들어, PVA(본 명세서에서 PVA는 polyvinyl alcohol을 의미한다)연신 필름 등과 같은 고분자 연신 필름에 요오드를 염착한 편광층 또는 배향된 상태로 중합된 액정을 호스트로 하고, 상기 액정의 배향에 따라 배열된 이방성 염료를 게스트로 하는 게스트-호스트형 편광층을 사용할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 반사형 편광층으로는, 예를 들면, 소위 DBEF(Dual Brightness Enhancement Film)으로 공지되어 있는 반사형 편광층이나 LLC(Lyotropic liquid crystal)과 같은 액정 화합물을 코팅하여 형성되는 반사형 편광층을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
하나의 예시에서, 상기 편광층이 상기 제 1 기판의 제 2 표면 및 상기 제 2 기판의 제 2 표면에 각각 형성된 경우라면, 상기 편광층은 서로의 흡수축이 수직하도록 배치될 수 있다. 본 출원의 광변조 디바이스는 이러한 배치를 통해 본 출원의 목적을 보다 효과적으로 달성할 수 있다.
본 출원에서 상기 제 2 기판의 제 1 표면에는 예를 들어, 액정 배향막이 형성되어 있을 수 있다. 상기 액정 배향막은, 상기 광변조층 내의 액정의 초기 배향을 결정하기 위해서 사용될 수 있으며, 예를 들어, 수직 배향막일 수 있다. 또한, 상기 액정 배향막의 종류는 특별히 제한되지 않고, 예를 들면, 공지의 러빙 배향막 또는 광 배향막일 수 있다.
배향 방향은 러빙 배향막의 경우는 러빙 방향, 광 배향막인 경우는 조사되는 편광의 방향일 수 있는데, 이러한 배향 방향은 선형 편광층을 사용한 검출 방식으로 확인할 수 있다. 예를 들어, 본 출원의 광변조층이 RTN(Reversed Twisted Nematic) 모드 등과 같은 트위스티드 배향 모드인 경우에 일면에 선형 편광층을 배치하고, 그 편광층의 흡수축을 변경하면서 투과율을 측정하면, 상기 흡수축 또는 투과축과 액정 배향막의 배향 방향이 일치하는 경우에 투과율이 낮게 되는 경향을 보이는데, 적용된 액정 화합물의 굴절률 이방성 등을 반영한 시뮬레이션을 통해 배향 방향을 확인할 수 있다. 본 출원의 광변조층의 모드에 따라서 배향 방향을 확인하는 방식은 공지이다.
본 출원의 광변조 디바이스는, 예를 들어, 접착제층 또는 점착제층 등을 추가로 포함할 수 있다. 하나의 예시에서, 상기 접착제층 또는 점착제층은 수직 배향력을 가지는 접착제 또는 점착제를 포함할 수 있다. 본 명세서에서 용어 수직 배향력을 가지는 접착제 또는 점착제는 액정 분자에 대한 수직 배향력 및 접착력 또는 점착력을 동시에 가지는 물질을 의미할 수 있다.
하나의 예시에서, 수직 배향력을 가지는 접착제 또는 점착제는 제 1 기판의 표면 및 제 2 기판의 표면 중 적어도 하나의 표면에 형성되어 있을 수 있다. 본 출원의 일 실시예에 의하면, 제 1 기판의 제 1 표면에 수직 배향력을 가지는 접착제가 존재하고, 제 2 기판의 제 1 표면에 액정 배향막이 형성되어 있을 수 있다.
본 출원에서 수직 배향력을 가지는 접착제 또는 점착제로는, 예를 들어, 실리콘(Silicone) 접착제 또는 실리콘 점착제를 사용할 수 있다. 상기 실리콘 접착제 또는 점착제로는 경화성 실리콘 화합물을 포함하는 조성물의 경화물을 사용할 수 있다. 경화성 실리콘 화합물의 종류는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 가열 경화성 실리콘 화합물 또는 자외선 경화형 실리콘 화합물을 사용할 수 있다.
본 출원의 하나의 예시에서, 상기 경화성 실리콘 화합물은 부가경화형 실리콘 화합물로서, (1) 분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 함유하는 오르가노폴리실록산 및 (2) 분자 중에 2개 이상의 규소결합 수소원자를 함유하는 오르가노폴리실록산을 포함할 수 있다. 상기와 같은 실리콘 화합물은, 예를 들어, 후술하는 촉매의 존재 하에서, 부가 반응에 의하여 경화물을 형성할 수 있다.
상기에서 (1) 오르가노폴리실록산은, 실리콘 경화물을 구성하는 주성분으로서, 1분자 중 적어도 2개의 알케닐기를 포함할 수 있다. 이 때, 알케닐기의 구체적인 예에는, 비닐기, 알릴기, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기 또는 헵테닐기 등이포함될 수 있고, 이 중 비닐기가 바람직할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 (1) 오르가노폴리실록산에서, 전술한 알케닐기의 결합 위치는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 상기 알케닐기는 분자쇄의 말단 및/또는 분자쇄의 측쇄에 결합되어 있을 수 있다. 또한, 상기 (1) 오르나고폴리실록산에서, 전술한 알케닐 외에 포함될 수 있는 치환기의 종류로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기 또는 헵틸기 등의 알킬기; 페닐기,톨릴기, 크실릴기 또는 나프틸기 등의 아릴기; 벤질기 또는 페넨틸기 등의 아랄킬기; 클로로메틸기, 3-클로로프로필기 또는 3,3,3-트리플루오로프로필기 등의 할로겐 치환 알킬기 등을 들 수 있고, 이 중 메틸기 또는 페닐기가 바람직하나 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 (1) 오르가노폴리실록산의 분자 구조는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 직쇄상, 분지상, 고리상, 망상 또는 일부가 분지상을 이루는 직쇄상 등과 같이, 어떠한 형상이라도 가질 수 있다. 본 출원에서는 상기와 같은 분자 구조 중 특히 직쇄상의 분자 구조를 가지는 것이 바람직하나, 이에 제한되는 것은 아니다. 한편, 본 발명에서는 경화물의 하드니스(hardness) 및 굴절률의 광점에서 상기 (1) 오르가노폴리실록산으로서, 분자 구조 중에 아릴기 또는 아랄킬기와 같은 방향족기를 함유하는 오르가노폴리실록산을 사용하는 것이 바람직하지만, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
본 출원에서 사용할 수 있는 상기 (1) 오르가노폴리실록산의 보다 구체적인 예로는, 분자쇄 양말단 트리메틸실록산기 봉쇄 디메틸실록산-메틸비닐실록산 공중합체, 분자쇄 양말단 트리메틸실록산기 봉쇄 메틸비닐폴리실록산, 분자쇄 양말단 트리메틸실록산기 봉쇄 디메틸실록산-메틸비닐실록산-메틸페닐실록산 공중합체, 분자쇄 양말단 디메틸비닐실록산기 봉쇄 디메틸폴리실록산, 분자쇄 양말단 디메틸비닐실록산기 봉쇄 메틸 비닐폴리실록산, 분자쇄 양말단 디메틸비닐실록산기 봉쇄 디메틸실록산-메틸비닐실록산 공중합체, 분자쇄 양말단 디메틸비닐실록산기 봉쇄 디메틸실록산-메틸비닐실록산-메틸페닐실록산 공중합체, R12SiO1/2로 표시되는 실록산 단위와 R12R2SiO1/2로 표시되는 실록산 단위와 SiO4/2로 표시되는 실록산 단위를 포함하는 오르가노폴리실록산 공중합체, R12R2SiO1/2로 표시되는 실록산 단위와 SiO4/2로 표시되는 실록산 단위를 포함하는 오르가노폴리실록산 공중합체, R1R2SiO2/2로 표시되는 실록산 단위와 R1SiO3/2로 표시되는 실록산 단위 또는 R2SiO3/2로 표시되는 실록산 단위를 포함하는 오르가노폴리실록산 공중합체 및 상기 중 2 이상의 혼합물을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것 은 아니다. 상기에서, R1은 알케닐기 외의 탄화수소기로서, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기 또는 헵틸기 등의 알킬기; 페닐기, 톨릴기, 크실릴기 또는 나프틸기 등의 아릴기; 벤질기 또는 페넨틸기 등의 아랄킬기; 클로로메틸기, 3-클로로프로필기 또는 3,3,3-트리플루오로프로필기 등의 할로겐 치환 알킬기 등일 수 있다. 또한, 상기에서 R2는 알케닐기로서, 구체적으로는 비닐기, 알릴기, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기 또는 헵테닐기 등일 수 있다.
본 발명의 일 태양에서, 상기 (1) 오르가노폴리실록산은 25℃에서의 점도가 50 내지 500,000 CP(centipoise), 바람직하게는 400 내지 100,000 CP일 수 있다. 상기 점도가 50 CP 미만이면, 실리콘 화합물의 경화물의 기계적 강도가 저하될 우려가 있고, 500,000 CP를 초과하면, 취급성 또는 작업성이 저하될 우려가 있다.
상기 부가경화형 실리콘 화합물에서, (2) 오르가노폴리실록산은 상기 (1) 오르가노폴리실록산을 가교시키는 역할을 수행할 수 있다. 상기 (2) 오르가노폴리실록산에서, 수소원자의 결합 위치는 특별히 한정되지 않으며, 예
를 들면, 분자쇄의 말단 및/또는 측쇄에 결합되어 있을 수 있다. 또한, 상기 (2) 오르가노폴리실록산에서, 상기 규소결합 수소원자 외에 포함될 수 있는 치환기의 종류는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, (1) 오르가노폴리실록산에서 언급한 바와 같은, 알킬기, 아릴기, 아랄킬기 또는 할로겐 치환 알킬기 등을 들 수 있고, 이 중 메틸기 또는 페닐기가 바람직하나, 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, (2) 오르가노폴리실록산의 분자 구조는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 직쇄상, 분지상, 고리상, 망상 또는 일부가 분지상을 이루는 직쇄상 등과 같이, 어떠한 형상이라도 가질 수 있다. 본 발명에서는 상기와 같은 분자 구조 중 특히 직쇄상의 분자 구조를 가지는 것이 바람직하나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에서 사용할 수 있는 상기 (2) 오르가노폴리실록산의 보다 구체적인 예로는, 분자쇄 양말단 트리메틸실록산기 봉쇄 메틸하이드로젠폴리실록산, 분자쇄 양말단 트리메틸실록산기 봉쇄 디메틸실록산-메틸하이드로젠 공중합체, 분자쇄 양말단 트리메틸실록산기 봉쇄 디메틸실록산-메틸하이드로젠실록산-메틸페닐실록산 공중합체,분자쇄 양말단 디메틸하이드로젠실록산기 봉쇄 디메틸폴리실록산, 분자쇄 양말단 디메틸하이드로젠실록산기 봉쇄 디메틸실록산-메틸페닐실록산 공중합체, 분자쇄 양말단 디메틸하이드로젠실록산기 봉쇄 메틸페닐폴리실록산, R13SiO1/2로 표시되는 실록산 단위와 R12HSiO1/2로 표시되는 실록산 단위와 SiO4/2로 표시되는 실록산 단위를 포함하는 오르가노폴리실록산 공중합체, R12HSiO1/2로 표시되는 실록산 단위와 SiO4/2로 표시되는 실록산 단위를 포함하는 오르가노폴리실록산 공중합체, R1HSiO2/2로 표시되는 실록산 단위와 R1SiO3/2로 표시되는 실록산 단위 또는 HSiO3/2로 표시되는 실록산 단위를 포함하는 오르가노폴리실록산 공중합체 및 상기 중 2 이상의 혼합물을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기에서, R1은 알케닐기 외의 탄화수소기로서, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기 또는 헵틸기 등의 알킬기; 페닐기, 톨릴기, 크실릴기 또는 나프틸기 등의 아릴기; 벤질기 또는 페넨틸기 등의 아랄킬기; 클로로메틸기, 3-클로로프로필기 또는 3,3,3-트리플루오로프로필기 등의 할로겐 치환 알킬기 등일 수 있다.
본 출원에서, 예를 들어, 상기 (2) 오르가노폴리실록산은 25℃에서의 점도가 1 내지 500,000 CP(centipoise), 바람직하게는 5 내지 100,000 CP일 수 있다. 상기 점도가 1 CP 미만이면, 실리콘 화합물의 경화물의 기계적 강도가 저하될 우려가 있고, 500,000 CP를 초과하면, 취급성 또는 작업성이 저하될 우려가 있다.
본 출원에서, 상기 (2) 오르가노폴리실록산의 함량은, 적절한 경화가 이루어질 수 있을 정도로 포함된다면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 (2) 오르가노폴리실록산은, 전술한 (1) 오르가노폴리실록산에 포함되는 알케닐기 하나에 대하여, 규소결합 수소원자가 0.5 내지 10개가 되는 양으로 포함될 수 있다. 상기 규소원자 결합 수소 원자의 개수가 0.5개 미만이면, 경화성 실리콘 화합물의 경화가 불충분하게 이루어질 우려가 있고, 10개를 초과하면, 경화물의 내열성이 저하될 우려가 있다. 한편, 본 발명에서는, 경화물의 하드니스(hardness) 및 굴절률의 관점에서, 상기 (2) 오르가노폴리실록산으로서, 분자 구조 중에 아릴기 또는 아랄킬기와 같은 방향족기를 함유하는 (2) 오르가노폴리실록산을 사용하는 것이 바람직하지만, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
본 출원에서, 상기 부가경화형 실리콘 화합물은, 경화를 위한 촉매로서, 백금 또는 백금 화합물을 추가로 포함할 수 있다. 이와 같은, 백금 또는 백금 화합물의 구체적인 예로는, 백금 미분말, 백금흑, 백금 담지 실리카 미분말, 백금 담지 활성탄, 염화 백금산, 사염화 백금, 염화 백금산의 알코올 용액, 백금과 올레핀의 착체, 백금과 1,1,3,3-테트라메틸-1,3-디비닐디실록산 등의 알케닐실록산과의 착체, 이들 백금 또는 백금 화합물__ 을 함유하는 입자경이 10 ㎛ 미만인 열가소성 수지 미분말(폴리스티렌 수지, 나이론 수지, 폴리카보네이트수지, 실리콘 수지 등)을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 부가 경화형 실리콘 화합물 내에 전술한 촉매의 함유량은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 전체 화합물 중 중량 단위로 0.1 내지 500 ppm, 바람직하게는 1 내지 50 ppm의 양으로 포함될 수 있다. 상기 촉매의 함유량이 0.1 ppm 미만이면, 조성물의 경화성이 저하될 우려가 있고, 500 ppm을 초과하면, 경제성이 떨어질 우려가 있다.
본 출원에서, 상기 부가경화형 실리콘 화합물은, 그 저장 안정성, 취급성 및 작업성 향상의 관점에서, 3-메틸-1-부틴-3-올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올, 페닐부틴올 등의 알킨 알코올; 3-메틸-3-펜텐-1-인,3,5-디메틸-3-헥센-1-인 등의 에닌(enyne) 화합물; 1,2,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐시클로테트라실록산,1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-트라헥세닐시클로테트라실록산, 벤조트리아졸 등의 경화억제제를 추가로 포함할
수 있다. 상기 경화억제제의 함량은, 발명의 목적을 해하지 않는 범위에서 적절하게 선택될 수 있으며, 예를 들면, 중량 기준으로 10 ppm 내지 50,000 ppm의 범위로 포함될 수 있다.
본 출원에서, 상기 실리콘 화합물은, 축합경화형 실리콘 화합물로서, 예를 들면 (a) 알콕시기 함유 실록산 폴리머; 및 (b) 수산기 함유 실록산 폴리머를 포함할 수 있다.
본 발명에서 사용될 수 있는 상기 (a) 실록산 폴리머는, 예를 들면, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물일 수 있다.
[화학식 2]
R1 aR2 bSiOc(OR3)d
상기 식에서 R1 및 R2는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기를 나타내고, R3은 알킬기를 나타내며, R1, R2 및 R3가 각각 복수개 존재하는 경우에는 서로 동일하거나 상이할 수 있고, a 및 b는 각각 독립적으로 0 이상, 1 미만의 수를 나타내고, a+b는 0 초과, 2 미만의 수를 나타내며, c는 0 초과, 2미만의 수를 나타내고, d는 0 초과, 4 미만의 수를 나타내며, a+b+c×2+d는 4이다.
본 발명에서는 또한, 상기 화학식 2로 표시되는 실록산 폴리머가 겔 투과 크로마토그래피로 측정한, 폴리스티렌 환산의 중량평균분자량이 1,000 내지 100,000, 바람직하게는 1,000 내지 80,000, 보다 바람직하게는 1,500 내지 70,000일 수 있다. (a) 실록산 폴리머의 중량평균분자량이 상기 범위 내에 있음으로 해서, 실리콘 경화물의 형성 시에 크랙 등의 불량을 일으키지 않고, 양호한 경화물을 얻을 수 있다.
상기 화학식 2의 정의에서, 1가 탄화수소는, 예를 들면, 탄소수 1 내지 8의 알킬기, 페닐기, 벤질기 또는 톨릴기 등일 수 있고, 이 때 탄소수 1 내지 8의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기,펜틸기, 헥실기, 헵틸기 또는 옥틸기 등일 수 있다. 또한, 상기 화학식 2의 정의에서, 1가 탄화수소기는, 예를 들면, 할로겐, 아미노기, 머캅토기, 이소시아네이트기, 글리시딜기, 글리시독시기 또는 우레이도기 등의 공지의치환기로 치환되어 있을 수 있다. 또한, 상기 화학식 2의 정의에서, R3의 알킬기의 예로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기 또는 부틸기 등을 들 수 있다. 이와 같은 알킬기 중에서, 메틸기 또는 에틸기 등이 바람직하나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명에서는, 상기 화학식 2의 폴리머 중 분지상 또는 3차 가교된 실록산 폴리머를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 이 (a) 실록산 폴리머에는, 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위 내에서, 구체적으로는 탈알코올 반응을 저해하지 않는 범위 내에서 수산기가 잔존하고 있을 수 있다.
상기와 같은 (a) 실록산 폴리머는, 예를 들면, 다관능의 알콕시실란 또는 다관능 클로로 실란 등을 가수분해 및 축합시킴으로써 제조할 수 있다. 이 분야의 평균적 기술자는, 목적하는 (a) 실록산 폴리머에 따라 적절한 다관능 알콕시실란 또는 클로로 실란을 용이하게 선택할 수 있으며, 그를 사용한 가수분해 및 축합 반응의 조건 또한 용이하게 제어할 수 있다. 한편, 상기 (a) 실록산 폴리머의 제조 시에는, 목적에 따라서, 적절한 1관능의 알콕시 실란을 병용 사용할 수도 있다.
상기와 같은 (a) 실록산 폴리머로는, 예를 들면, 신에쯔 실리콘사의 X40-9220 또는 X40-9225, GE 토레이 실리콘사의 XR31-B1410, XR31-B0270 또는 XR31-B2733 등과 같은, 시판되고 있는 오르가노실록산 폴리머를 사용할 수 있다. 한편, 본 발명에서는, 경화물의 하드니스(hardness) 및 굴절률의 관점에서, 상기 (a) 오르가노폴리실록산__ 으로서, 분자 구조 중에 아릴기 또는 아랄킬기와 같은 방향족기를 함유하는 (a) 오르가노폴리실록산을 사용하는 것이 바람직하지만, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 한편, 상기 축합경화형 실리콘 화합물에 포함되는, (b) 수산기 함유 실록산 폴리머로는, 예를 들면, 하기 화학식 3으로 나타나는 화합물을 사용할 수 있다.
[화학식 3]
상기 화학식 3에서, R4 및 R5은 각각 독립적으로, 수소원자 또는 치환 또는 비치환된 1가의 탄화수소기를 나타내고, R5 및 R6이 각각 복수 존재하는 경우에는, 상기는 서로 동일하거나, 상이할 수 있으며, n은 5 내지 2,000의 정수를 나타낸다.
상기 화학식 3의 정의에서, 1가 탄화수소기의 구체적인 종류로는, 예를 들면, 전술한 화학식 2의 경우와 동일한 탄화수소기를 들 수 있다.
본 발명에서, 상기 화학식 3의 실록산 폴리머는, 겔 투과 크로마토그래피로 측정한 폴리스티렌 환산 중량평균분자량이 500 내지 100,000, 바람직하게는 1,000 내지 80,000, 보다 바람직하게는 1,500 내지 70,000일 수 있다. (b) 실록산 폴리머의 중량평균분자량이 상기 범위 내에 있음으로 해서, 실리콘 경화물의 형성 시에 크랙 등의 불량을 일으키지 않고, 양호한 경화물을 얻을 수 있다.
상기와 같은 (b) 실록산 폴리머는, 예를 들면, 디알콕시실란 및/또는 디클로로 실란 등을 가수분해 및 축합시킴으로써 제조할 수 있다. 이 분야의 평균적 기술자는, 목적하는 (b) 실록산 폴리머에 따라 적절한 디알콕시 실란 또는 디클로로 실란을 용이하게 선택할 수 있으며, 그를 사용한 가수분해 및 축합 반응의 조건 또한 용이하게 제어할 수 있다. 상기와 같은 (b) 실록산 폴리머로는, 예를 들면, GE 토레이 실리콘사의 XC96-723, YF-3800, YF-3804 등과 같은, 시판되고 있는 2관능 오르가노실록산 폴리머를 사용할 수 있다. 한편, 본 발명에서는, 경화물의 하드니스(hardness) 및 굴절률의 관점에서, 상기 (1) 오르가노폴리실록산으로서, 분자 구조 중에 아릴기 또는 아랄킬기와 같은 방향족기를 함유하는 (1) 오르가노폴리실록산을 사용하는 것이 바람직하지만, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
수직 배향력을 가지는 접착제 또는 점착제의 타입은 특별히 제한되지 않고, 목적하는 용도에 따라 적절히 선택될 수 있으며, 예를 들어 고상 접착제 또는 점착제, 반고상 접착제 또는 점착제, 탄성 접착제 또는 점착제 또는 액상 접착제 또는 점착제를 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 고상 접착제 또는 점착제, 반고상 접착제 또는 점착제, 탄성 접착제 또는 점착제는 소위 감압성 접착제 또는 점착제(PSA; Pressure Sensitive Adhesive)로 호칭될 수 있으며, 접착 또는 점착 대상이 합착되기 전에 경화될 수 있다. 액상 접착제 또는 점착제는 소위 광학 투명 레진(OCR; OpticalClear Resin)으로 호칭될 수 있으며, 접착 또는 점착 대상이 합착된 후에 경화될 수 있다. 본 출원에서, 예를 들어, 수직 배향력을 가지는 PSA 타입의 접착제 또는 점착제로서 폴리디메틸실록산 접착제 또는 점착제(Polydimethyl siloxane adhesive) 또는 폴리메틸비닐실록산 접착제 또는 점착제(Polymethylvinyl siloxane adhesive)를 사용할 수 있고, 수직 배향력을 가지는 OCR타입의 접착제로서 알콕시실리콘 접착제 또는 점착제(Alkoxy silicone adhesive)를 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기와 같은 배치 하에서 상기와 같은 특성을 가지는 접착제층 또는 점착제층을 포함함으로써 우수한 접착력 또는 점착력을 가지면서도 특히 차단 모드에서의 광 누설이 제어되어 우수한 광학 특성을 나타낼 수 있는 광변조 디바이스를 제공할 수 있다.
본 출원의 하나의 예시에서, 상기와 같이 수직 배향력을 가지는 접착제층 또는 점착제층이 제 1 기판의 일면에 형성되어 있는 경우, 상기 제 1 기판에는 액정 배향막이 형성되어 있지 않을 수도 있다. 이에 따라, 본 출원의 광변조 디바이스 제조 시 롤투롤(roll-to-roll) 공정의 적용이 용이할 수 있다.
이와 같이 공지의 수직 배향막과 수직 배향능을 가지는 접착제 또는 점착제에 의해 형성되는 액정 화합물의 배향은, 수직 배향 시에는 광 누설을 효과적으로 억제하고, 수평 배향 시에는 정면 광의 흡수를 최소화하도록 할 수 있다.
본 출원의 광변조 디바이스는, 예를 들어, 대향 배치된 상기 제 1 및 제 2 기판의 간격이 격벽 형태의 스페이서로 유지되어 있을 수 있다.
일 예시에서, 본 출원의 광변조 디바이스는 도 2와 같이, 제 1 기판(102)의 제 1 표면에 접착제층 또는 점착제층(103)이 형성되어 있고, 액정 배향막(203), 제 2 기판(202)의 제 1 표면에 액정 배향막(203)이 형성되어 있으며, 상기 제 1 기판(102) 및 상기 제 2 기판(202)은 서로의 제 1 표면이 대향하도록 배치되어 있고, 상기 제 1 기판(102) 및 상기 제 2 기판(202) 사이에 존재하는 광변조층(300)을 포함하면서, 상기 제 1 기판(102)과 제 2 기판(202) 사이의 간격(G)을 유지할 수 있도록 하는 격벽 형태의 스페이서(500)를 포함할 수 있다. 또한, 도 2에 나타낸 대로, 광변조층(300)은 스페이서(500)가 존재하지 않는 영역 내에 존재할 수 있다.
본 출원에서 상기 스페이서는 경화성 수지를 포함할 수 있다. 경화성 수지의 종류는 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 가열 경화성 수지 또는 광 경화성 수지, 예를 들어 자외선 경화성 수지를 사용할 수 있다. 가열 경화성 수지로는 예를 들어, 실리콘 수지, 규소 수지, 프란 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 아미노 수지, 페놀 수지, 요소 수지, 폴리에스테르 수지 또는 멜라민 수지 등을 사용할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 자외선 경화성 수지로는 대표적으로 아크릴 중합체, 예를 들어, 폴리에스테르 아크릴레이트 중합체, 폴리스티렌 아크릴레이트 중합체, 에폭시 아크릴레이트 중합체, 폴리우레탄 아크릴레이트 중합체 또는 폴리부타디엔 아크릴레이트 중합체, 실리콘 아크릴레이트 중합체 또는 알킬 아크릴레이트 중합체 등을 사용할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 일 예시에서, 상기 스페이서는 아크릴 중합체, 보다 구체적으로 폴리에스터계 아크릴레이트 주합체를 사용하여 형성될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 예시에서, 실리콘 중합체를 사용하여 형성될 수도 있으며, 스페이서를 실리콘 중합체를 사용하여 형성하는 경우, 스페이서의 오목한 영역에 잔존하는 실리콘 중합체가 수직 배향막의 역할을 수행할 수 있으므로 후술하는 바와 같이 스페이서가 존재하는 기판에 추가의 수직 배향막을 사용하지 않을 수도 있다. 실리콘 중합체로는 규소와 산소의 결합(Si-O-Si)을 주축으로 하는 공지의 중합체를 사용할 수 있고, 예를 들어, 폴리디메틸실록산(PDMS, Polydimethylsiloxane)를 사용할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
스페이서의 형상 및 배열 방식은 예를 들어, 하부 기판과 상부 기판 간 일정한 간격을 유지할 수 있도록 하는 범위 내에서 적절히 설계될 수 있다. 일 예시에서, 상기 스페이서는 사각형, 삼각형 또는 허니콤(Honeycomb) 격벽 형상으로 구획을 이루도록 존재할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 스페이서의 피치, 선폭, 높이 및 상부 또는 하부 기판에서의 면적 비율은 본 출원의 목적을 손상시키지 않는 범위 내에서 적절히 선택될 수 있다.
상기 스페이서의 피치는 예를 들어, 50㎛ 내지 500㎛일 수 있고, 다른 예시에서 100㎛ 이상, 150㎛ 이상, 200㎛ 이상, 250㎛ 이상, 300㎛ 이상 또는 350㎛ 이상이거나 450㎛ 이하, 400㎛ 이하 또는 350㎛ 이하일 수 있다.
상기 스페이서의 선폭은 예를 들어, 1㎛ 내지 50㎛일 수 있고, 다른 예시에서 2㎛ 이상, 3㎛ 이상, 4㎛ 이상, 5㎛ 이상, 6㎛ 이상, 7㎛ 이상, 8㎛ 이상, 9㎛ 이상, 10㎛ 이상, 11㎛ 이상, 12㎛ 이상, 13㎛ 이상, 14㎛ 이상, 15㎛ 이상 또는 16㎛ 이상이거나 45㎛ 이하, 40㎛ 이하, 35㎛ 이하, 30㎛ 이하, 25㎛ 이하, 20㎛ 이하, 19㎛ 이하, 18㎛ 이하, 17㎛ 이하 또는 16㎛ 이하일 수 있다.
본 출원에서 상기 스페이서의 높이는 제 1 및 제 2 기판 간의 간격을 고려하여 조절될 수 있다. 예를 들어, 상기 스페이서의 높이는 1㎛ 내지 20㎛일 수 있고, 다른 예시에서, 2㎛ 이상, 3㎛ 이상, 4㎛ 이상, 5㎛ 이상 또는 6㎛ 이상이거나 19㎛ 이하, 18㎛ 이하, 17㎛ 이하, 16㎛ 이하, 15㎛ 이하, 14㎛ 이하, 13㎛ 이하, 12㎛ 이하, 11㎛ 이하, 10㎛ 이하, 9㎛ 이하, 8㎛ 이하, 7㎛ 이하 또는 6㎛ 이하일 수 있다.
본 출원에서 제 1 기판 또는 제 2 기판에 존재하는 스페이서의 면적 비율은 제 1 기판 또는 제 2 기판의 면적에 대하여 약 0.1% 내지 50%일 수 있다. 본 출원에서 상기 스페이서의 면적 비율이 클수록 상부 기판과 하부 기판의 접착력이 증가할 수 있다. 다른 예시에서, 1% 이상, 2% 이상, 3% 이상, 4% 이상, 5% 이상, 6% 이상, 7% 이상, 8% 이상 또는 9% 이상이거나 45% 이하, 40% 이하, 35% 이하, 30% 이하, 25% 이하, 20% 이하, 15% 이하, 10% 이하 또는 9% 이하일 수 있다.
본 출원의 광변조 디바이스는, 본 출원의 효과를 방해하지 않는 한, 상기 제 1 및 제 2 기판의 일면에 각각 도전층을 추가로 포함할 수 있다. 일 예시에서, 도 3과 같이, 제 1 기판(102)의 제 1 표면에 접착제층 또는 점착제층(103)이 형성되어 있고, 액정 배향막(203), 제 2 기판(202)의 제 1 표면에 액정 배향막(203)이 형성되어 있으며, 상기 제 1 기판(102) 및 상기 제 2 기판(202)은 서로의 제 1 표면이 대향하도록 배치되어 있고, 상기 제 1 기판(102) 및 상기 제 2 기판(202) 사이에 존재하는 광변조층(300)을 포함하면서, 상기 제 1 기판(102)과 제 2 기판(202) 사이의 간격(G)을 유지할 수 있도록 하는 격벽 형태의 스페이서(500)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 접착제층 또는 점착제층(103)과 제 1 기판(102) 사이 및 액정 배향막(203)과 제 2 기판(202) 사이에 각각 도전층(400a,400b)이 형성되어 있을 수 있다.
상기 도전층은 광변조층의 정렬 상태를 전환할 수 있도록 광 변조층에 적절한 전계를 인계할 수 있다. 상기 전계의 방향은 수직 또는 수평 방향, 예를 들어, 광 변조층의 두께 방향 또는 면 방향일 수 있다.
상기 도전층은 예를 들어, 투명 전도성 층일 수 있으며, 상기 투명 전도성 층은 예를 들어, 전도성 고분자, 전도성 금속, 전도성 나노와이어 또는 ITO(Indium Tin Oxide) 등의 금속 산화물 등을 증착하여 형성될 수 있다. 이외에도 투명 전도성 층을 형성할 수 있는 다양한 소재 및 형성 방법이 공지되어 있고, 이를 제한 없이 적용할 수 있다.
기타 구성으로서, 본 출원의 효과를 방해하지 않는 한, 하드 코팅층, 반사 방지층, NIR(Near-Infrared) 차단(cut) 기능의 염료를 포함하는 층 등의 공지 구성을 추가로 포함할 수 있다.
본 출원은, 전술한 면상 위상차를 가지는 제 1 및 제 2 고분자 필름 기판을, 상기 고분자 필름 기판의 지상축이 상기와 같은 범위를 갖도록 배치하는 등 특유의 배치 구조를 가지면서, 전술한 광변조층과의 조합 등을 통해 우수한 투과도 가변 효과를 나타내면서도 고온 방치 시에도 차단 모드에서의 광 누설이 효과적으로 제어된 광변조 디바이스를 제공할 수 있다.
본 출원의 광변조 디바이스는 일 예시에서, 투과 모드일 때의 투과율이 20% 이상일 수 있으며, 다른 예시에서, 21% 이상, 22% 이상, 23% 이상, 24% 이상, 25% 이상, 30% 이상, 35% 이상, 40% 이상, 45% 이상, 50% 이상, 55% 이상, 60% 이상, 65% 이상, 70% 이상, 75% 이상 또는 80% 이상 정도일 수 있다. 또한, 차단 모드일 ?의 투과율은 60% 이하, 55% 이하, 50% 이하, 45% 이하, 40% 이하, 35% 이하, 30% 이하, 25% 이하, 20% 이하, 15% 이하, 10% 이하, 5% 이하, 4% 이하, 3% 이하, 2% 이하, 1% 이하, 0.9% 이하, 0.8% 이하, 0.7% 이하, 0.6% 이하, 0.5% 이하, 0.4 % 이하 또는 0.3% 이하일 수 있다. 투과 모드에서 투과율은 높을수록 유리하며, 차단 모드에서는 투과율이 낮을수록 유리하기 때문에, 상기 투과 모드 상태의 투과율의 상한과 차단 모드 상태의 투과율의 하한은 특별히 제한되지 않으며, 일 예시에서 상기 투과 모드 상태의 투과율의 상한은 약 100%이고, 차단 모드 상태에서의 투과도의 하한은 약 0%일 수 있다. 상기 차단 모드는, 광변조 디바이스에 전압을 인가하지 않은 상태를 의미할 수 있고, 투과 모드는 광변조 디바이스에 전압을 인가한 상태, 하나의 예시에서, 전압을 약 30V로 인가한 상태를 의미할 수 있다.
본 출원의 광변조 디바이스는 일 예시에서, 상기 투과 모드와 차단 모드 상태에서의 투과율의 차이가, 15% 이상, 16% 이상, 17% 이상, 18% 이상, 19% 이상, 20% 이상, 25% 이상, 30% 이상, 35% 이상 또는 40% 이상일 수 있거나, 90% 이하, 85% 이하, 80% 이하, 75% 이하, 70% 이하, 65% 이하, 60% 이하, 55% 이하, 50% 이하 또는 45% 이하일 수 있다.
상기 투과율은, 예를 들면, 직진광 투과율일 수 있다. 직진광 투과율은, 상기 광변조 디바이스로 입사한 광에 대해 상기 입사 방향과 동일 방향으로 투과된 광의 비율의 백분율일 수 있다. 예를 들어, 상기 디바이스가 필름 또는 시트 형태라면, 상기 필름 또는 시트 표면의 법선 방향과 나란한 방향으로 입사한 광 중에서 역시 상기 법선 방향과 나란한 방향으로 상기 디바이스를 투과한 광의 백분율을 상기 투과율로 정의할 수 있다.
상기 투과율은, 각각 가시광 영역, 예를 들면, 약 400nm 내지 700nm 또는 약 380nm 내지 780nm 범위 내의 어느 한 파장에 대한 투과율 또는 반사율이거나, 상기 가시광 영역 전체에 대한 투과율 또는 반사율이거나, 상기 가시광 영역 전체에 대한 투과율 또는 반사율 중에서 최대 또는 최소 투과율 또는 반사율이거나, 상기 가시광 영역 내의 투과율의 평균치 또는 반사율의 평균치일 수 있다. 또한, 다른 예시에서 상기 투과율은 약 550nm 파장의 광에 대한 투과율일 수 있다.
본 출원은 전술한 특유의 구조 및/또는 배치를 가지면서 화학식 1의 화합물을 상기와 같은 범위로 포함하는 광변조층을 도입함으로써, 우수한 투과율 가변 특성을 나타내면서도 고온 방치 시에도 초기 수직 배향이 효과적으로 제어된 광변조 디바이스를 제공할 수 있다.
상기와 같은 광변조 디바이스는 다양한 용도에 적용될 수 있다. 광변조 디바이스가 적용될 수 있는 용도에는, 윈도우 또는 선루프 등과 같은 건물, 용기 또는 차량 등을 포함하는 밀폐된 공간의 개구부나 아이웨어(eyewear) 등이나 창호용, OLED(organic light emitting device)의 차광판 등이 예시될 수 있다. 상기에서 아이웨어의 범위에는, 일반적인 안경, 선글라스, 스포츠용 고글 내지는 헬멧 또는 가상 현실 또는 증강 현실 체험용 기기 등과 같은 웨어러블 기기 등, 관찰자가 렌즈를 통하여 외부를 관찰할 수 있도록 형성된 모든 아이 웨어가 포함될 수 있다.
본 출원의 광변조 디바이스가 적용될 수 있는 대표적인 용도에는 차량용 선루프가 있을 수 있다.
하나의 예시에서 상기 광변조 디바이스는, 그 자체로서 차량용 선루프일 수 있다. 예를 들면, 적어도 하나 이상의 개구부가 형성되어 있는 차체를 포함하는 자동차에 있어서 상기 개구부에 장착된 상기 광변조 디바이스 또는 차량용 선루프를 장착하여 사용될 수 있다.
선루프는, 차량의 천장에 존재하는 고정된 또는 작동(벤팅 또는 슬라이딩)하는 개구부(opening)로서, 빛 또는 신선한 공기가 차량의 내부로 유입되도록 하는 기능을 할 수 있는 장치를 통칭하는 의미일 수 있다. 본 출원에서 선루프의 작동 방식은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어, 수동으로 작동하거나 또는 모터로 구동할 수 있으며, 선루프의 형상, 크기 또는 스타일은 목적하는 용도에 따라 적절히 선택될 수 있다. 예를 들어, 선루프는 작동 방식에 따라 팝-업 타입 선루프, 스포일러(tile & slide) 타입 선루프, 인빌트 타입 선루프, 폴딩 타입 선루프, 탑-마운트 타입 선루프, 파노라믹 루프 시스템 타입 선루프, 제거 가능한 루프 패널즈(t-tops 또는 targa roofts) 타입 선루프 또는 솔라 타입 선루프 등이 예시될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
본 출원의 예시적인 선루프는 본 출원의 상기 광변조 디바이스를 포함할 수 있고, 이 경우 광변조 디바이스에 대한 구체적인 사항은 상기 광변조 디바이스의 항목에서 기술한 내용이 동일하게 적용될 수 있다.
본 출원은 또한 광변조 디바이스의 제조 방법에 대한 것이다.
본 출원은 하나의 예시에서, 대향 배치된 제 1 및 제 2 기판의 사이에 존재하고, 액정 화합물 및 하기 화학식 1의 화합물을 포함하는 광변조층을 열처리하는 단계를 포함하는 광변조 디바이스의 제조 방법에 대한 것일 수 있다.
[화학식 1]
화학식 1에서 R1 내지 R4는 각각 독립적으로 알킬기, 히드록시기, 알콕시기 또는 할로겐 원자이되, R1 내지 R4 중 적어도 하나는 탄소수 11 이상의 알킬기일 수 있고, R1 내지 R4 중 적어도 하나는 할로겐 원자일 수 있다. 상기 화학식 1에서, 바람직하게는, R1 내지 R4 중 적어도 하나는 탄소수 10 내지 30의 직쇄상 알킬기일 수 있고, 2개 이상은 할로겐 원자일 수 있다. 상기 화학식 1에서, 보다 바람직하게는, R1 내지 R4 중 어느 하나는 탄소수 10 내지 30의 직쇄상 알킬기일 수 있고, 나머지는 할로겐 원자일 수 있다. 본 출원에서 상기 할로겐 원자는 예를 들어, 염소(Cl), 불소(F), 브롬(Br) 또는 요오드(I) 등일 수 있으나, 염소(Cl)인 것이 바람직하다. 상기 직쇄상 알킬기의 탄소수는 다른 예시에서, 11 이상, 12 이상, 13 이상, 14 이상, 15 이상, 16 이상 또는 17 이상이거나 29 이하, 28 이하, 27 이하, 26 이하, 25 이하, 24 이하, 23 이하, 22 이하, 21 이하, 20 이하 또는 19 이하일 수 있다.
본 출원에서 상기 열처리는, 예를 들어, 80℃ 내지 120℃의 온도 범위에서 약 20분 이하의 시간 동안 수행될 수 있다. 본 발명자들은 특히 광변조층에 상기와 같은 화학식 1의 화합물을 후술하는 범위로 포함하는 경우, 상기 온도 및 시간 동안 열처리를 가함으로써 고온에서도 초기 수직 배향력을 효과적으로 유지할 수 있어 차단 모드에서의 광 누설이 효과적으로 제어되면서도 고분자 필름 기판 등의 열팽창 및 수축으로 인한 컬(Curl) 발생 등이 제어되어 투과율 가변 특성 또한 우수한 광변조 디바이스를 제공할 수 있다는 것을 확인하였다.
상기 열처리는 다른 예시에서, 81℃ 이상, 82℃ 이상, 83℃ 이상, 84℃ 이상 또는 85℃ 이상의 온도에서 수행되거나 119℃ 이하, 118℃ 이하, 117℃ 이하, 116℃ 이하, 115℃ 이하, 114℃ 이하, 113℃ 이하, 112℃ 이하, 111℃ 이하, 110℃ 이하, 109℃ 이하, 108℃ 이하, 107℃ 이하, 106℃ 이하 또는 105℃ 이하에서 수행될 수 있다. 또한 상기 열처리는 6분 이상, 7분이상, 8분 이상, 9분 이상 또는 10분 이상 수행되거나 14분 이하, 13분 이하, 12분 이하, 11분 이하 또는 10분 이하로 수행될 수 있다.
본 출원의 광변조 디바이스의 제조 방법은, 특히 광변조층에 화학식 1의 화합물을 후술하는 범위로 포함함으로써 목적하는 효과를 극대화할 수 있다.
본 출원의 광변조 디바이스의 제조 방법은, 하나의 예시에서 상기 화학식 1의 화합물을 상기 액정 화합물 100 중량부 대비 0.3 내지 10 중량부의 범위 내로 포함하는 광변조 디바이스의 제조 방법에 관한 것일 수 있다. 다른 예시에서, 상기 화학식 1의 화합물은 상기 액정 화합물 10 중량부 대비 대략 0.35 중량부 이상, 0.4 중량부 이상, 0.45 중량부 이상 또는 0.5 중량부 이상이거나 9 중량부 이하, 8 중량부 이하, 7 중량부 이하, 6 중량부 이하, 5 중량부 이하, 4 중량부 이하, 3 중량부 이하, 2 중량부 이하 또는 1 중량부 이하의 범위로 포함될 수 있다.
본 출원의 광변조 디바이스의 제조 방법에서, 상기 광변조 디바이스에 관해서는 전술한 광변조 디바이스의 구조, 배치 등이 동일하게 적용될 수 있다.
본 출원에서는 투과율 가변 특성이 우수하면서, 고온 환경에서도 차단 모드에서의 광 누설이 효과적으로 제어되어 다양한 용도로의 적용이 가능한 광변조 디바이스 및 이의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1 내지 3은 예시적인 광변조 디바이스의 모식도이다.
도 4는 굴절률 이방성을 평가하기 위한 방법을 보여주는 도면이다.
도 5 내지 10은 실시예 1 내지 6의 광변조 디바이스에 대해 차단 모드일 때의 광 누설을 평가한 결과이다.
도 11 내지 14은 비교예 1 내지 4의 광변조 디바이스에 대해 차단 모드일 때의 광 누설을 평가한 결과이다.
이하 실시예 및 비교예를 통하여 본 출원을 구체적으로 설명하지만, 본 출원의 범위가 하기 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
평가예 1. 고분자 필름 기판의 면상 위상차 평가
고분자 필름의 면상 위상차(Rin)는 Agilent사의 UV/VIS spectroscope 8453 장비를 이용하여 측정하였다(550 nm 파장 기준). UV/VIS spectroscope에 2장의 편광자를 투과축이 서로 직교하도록 설치하고, 상기 2장의 편광자 사이에 고분자 필름을 그 지상축이 2장의 편광자의 투과축과 각각 45도를 이루도록 위치시킨 후, 파장에 따른 투과도를 측정하였다. 파장에 따른 투과도 그래프에서 각 피크(peak)들의 위상 지연 차수(Phase retardation order)를 구하였다. 구체적으로, 파장에 따른 투과도 그래프에서 파형은 하기 수식 A를 만족하고, 사인(Sine) 파형에서 최대 피크(Tmax) 조건은 하기 수식 B을 만족한다. 수식 A에서 λmax인 경우, 수식 A의 T와 수식 B의 T는 동일하기 때문에 수식을 전개한다. n+1, n+2 및 n+3에 대해서도 수식을 전개하고, n과 n+1 수식을 정리해서 R을 소거하여 n을 λn 및 λn+1 수식으로 정리하면, 하기 수식 C가 도출된다. 수식 A의 T와 수식 B의 T가 동일함에 근거하여 n과 λ를 알 수 있으므로 각 λn, λn+1, λn+2 및 λn+3 대해 R을 구한다. 4 포인트에 대해 파장에 따른 R값의 직선 추세선을 구하고 수식 550 nm에 대한 R 값을 산정한다. 직선 추세선의 함수는 Y=ax+b이고, a 및 b는 상수이다. 상기 함수의 x에 550nm를 대입했을 때의 Y 값이 550 nm 파장의 광에 대한 Rin 값이다.
[수식 A]
T = sin2[(2πR/λ)]
[수식 B]
T = sin2[((2n+1)π/2)]
[수식 C]
n = (λn -3λn+1)/(2λn+1 +1-2λn)
상기에서 R은 면상 위상차(Rin)를 의미하고, λ는 파장을 의미하고, n은 사인파형의 꼭지 차수를 의미한다.
평가예 2. 광변조층의 두께
광변조층의 두께는 스페이서의 높이와 대략 일치한다. 따라서, 상기 스페이서의 높이를 측정 장비(Optical profiler, Nano system社, Nano View-E1000)를 사용하여 확인하고, 상기 스페이서의 높이를 광변조층의 두께(cell gap)으로 하였다.
평가예 3. 광변조층(액정층)의 굴절률 이방성 평가
광변조층의 굴절률 이방성(△n)은 Abbe 굴절계를 사용하여 다음의 방식으로 평가한다. Abbe 굴절계의 Measuring Prism과 illumination Prism의 면에 수직배향막을 코팅하고, 측정하고자 하는 액정 화합물을 Measuring Prism에 도포한 후에 illumination Prism으로 덮어주면, 두 계면의 수직배향력에 의해 액정 화합물은 수직으로 배향된다. 상기 과정에서 적용되는 액정 화합물은, 이색성 염료 등 다른 물질과 혼합되지 않은 광변조층에 적용될 액정 화합물만이다.
그 후, 도 4에 나타난 바와 같이 접안렌즈쪽(grounded 부)에 선형 편광판을 적용하여 광(light)을 조사하여 관측하면, 도 4에 나타난 것과 같은 θe 및 θo를 구할 수 있고, Measuring prism의 굴절률(np)과 상기 각도(θe 및 θo)를 통해 이상 굴절률(ne=npsinθe)과 정상 굴절률(no=npsinθo)을 구할 수 있으며, 그 차이(ne-no)가 굴절률 이방성으로 규정될 수 있다. 상기 측정 시의 기준 파장은 대략 550nm이다.
실시예 1.
제 1 및 제 2 고분자 필름 기판으로, 대략 145㎛ 두께의 연신 PET(polyethylene terephthalate) 필름 기판(SKC社)을 이용하여 광변조 디바이스를 제조하였다. 상기 PET 필름 기판은 550nm 파장의 광에 대한 면상 위상차(Rin)가 약 10,000nm 내지 15,000nm의 범위 내였다.
상기 제 1 고분자 필름 기판의 일면에 우선 ITO(Indium Tin Oxide)막(도전층)을 증착하고, 상기 ITO 막 상에 실리콘 점착제 조성물(KR3700, Shinetsu社)을 바 코팅 방식으로 코팅한 후 약 100℃로 100분 간 경화시켜 약 10㎛ 두께의 점착제층을 형성하였다(상부 기판).
상기 제 2 고분자 필름 기판의 일면에 우선 ITO(Indium Tin Oxide)막(도전층)을 증착하고, 상기 ITO막 상에 셀 갭(Cell gap) 유지를 위한 사각형 격벽 형태의 스페이서(피치: 350㎛, 높이: 6㎛, 선폭: 30㎛, 면적비율(100×B/A): 약 12.5%)를 형성하였다.
그 후, 광변조층(액정층)의 초기 배향제어를 위해 대략 100nm 두께의 폴리이미드계 수직 배향막(SE-5661LB3, Nissan社)을 형성한 후, 러빙 포로 러빙 처리하였다. 이 때, 러빙 배향은 제 2 고분자 필름 기판의 지상축에 수평이 되도록 하였다(하부 기판).
이어서, 상기 상부 기판의 점착제층과 하부 기판의 배향막이 대향하도록 배치하고(Cell gap: 6㎛), 그 내부에 액정 물질을 주입한 후에 라미네이션 공정을 통하여 광변조 디바이스를 제조하였다. 그 후, 상기 광변조 디바이스를 85℃ 오븐에 넣어 10분 간 열처리하였다. 상기 액정 물질로는, 굴절률 이방성(△n)이 대략 0.094인 음의 유전율 이방성을 가지는 액정 화합물(SHN-7002XX T12, JNC社)에 옥타데실트리클로로실란(TCI社) 및 키랄 도펀트(S811, Merck社)를 배합한 조성물을 사용하였다. 이 때, 상기 옥타데실트리클로로실란은 상기 액정 화합물 100 중량부에 대해 약 0.5중량부 배합하였고, 상기 키랄 도펀트는 상기 액정 화합물 100 중량부에 대해 약 0.5 중량부 배합하여, 키랄 피치(chiral pitch)가 대략 20㎛ 정도가 되도록 하였다.
이어서, 상기 제 1 고분자 필름 기판의 ITO막(도전층)이 형성되지 않은 면에 제 1 편광층을 부착하고, 상기 제 2 고분자 필름 기판의 ITO막(도전층)이 형성되지 않은 면에 제 2 편광층을 부착하였다. 상기 제 1 및 제 2 편광층으로는 일반적인 PVA 편광층을 사용하였다. 상기 배치 시 제 1 및 제 2 편광층의 흡수축이 서로 수직하도록 배치하였다.
그 결과, 제 1 편광층/ 제 1 고분자 필름 기판/ ITO막/ 점착제층/ 광변조층(액정층)/ 배향막/ ITO막/ 제 2 고분자 필름 기판/ ITO막/ 제 2 고분자 필름 기판/ 제 2 편광층의 구조를 포함하는 광변조 디바이스가 형성되었다.
실시예 2 내지 6.
액정 물질에 포함되는 옥타데실트리클로로실란의 중량부, 광변조 디바이스에 대한 열처리 온도 및 시간을 하기 [표1]과 같이 한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 제조하였다. 하기 표 1 및 표 2에서, 광변조층 첨가제의 중량부는, 광변조층에 포함되는 액정 화합물 100 중량부에 대한 상기 광변조층 첨가제의 중량부를 의미한다.
[표 1]
비교예 1 내지 4.
액정 물질에 포함되는 첨가제의 종류, 중량부, 광변조 디바이스에 대한 열처리 온도 및 시간을 하기 [표2]와 같이 한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 제조하였다.
[표 2]
상기 제조된 실시예 및 비교예의 광변조 디바이스를 95℃의 Hot plate 상에 LG CHEM이라는 글자가 기재된 종이를 셋팅하고 2시간 유지한 후에 육안으로 광 누설 여부를 확인하고, 그 결과를 하기 표 3에 정리하였다.
[표 3]
표 3의 광 누설은 고온에서 방치된 광변조 디바이스에 대해 차단 모드(전압 미인가 상태)에서의 광 누설을 평가한 것을 의미하며, 육안 관찰 시 광 누설이 발생하지 않은 경우 X로 표시하고, 육안 광찰 시 광 누설이 발생한 경우 O로 표시하였다.
표 3으로부터 확인되는 바와 같이, 실시예에 따른 광변조 디바이스는 고온 하에서도 광 누설이 발생하지 않았지만, 비교예의 경우 모든 경우에 광 누설이 확인되었다. 도 5 내지 10은 순서대로 실시예 1 내지 6에 대한 결과이며, 도 12 내지 18은 순서대로 비교예 11 내지 14에 대한 결과이다.
101, 201 : 제 1, 제 2 편광층
102, 202 : 제 1, 제 2 고분자 필름 기판
103 : 접착제층 또는 점착제층
203 : 액정배향막
300 : 광변조층
400a, 400b : 도전층
500 : 스페이서

Claims (15)

  1. 각각 제 1 표면과 제 2 표면을 가지고, 서로 대향 배치된 제 1 및 제 2 기판; 및
    상기 제 1 및 제 2 기판의 사이에 존재하는 광변조층을 포함하며,
    상기 광변조층은, 액정 화합물 및 하기 화학식 1의 화합물을 포함하고,
    제 1 기판의 제 1 표면에는 접착제층 또는 점착제층이 형성되어 있고, 제 2 기판의 제 1 표면에는 액정 배향막이 형성되어 있으며, 상기 제 1 및 제 2 기판은 서로의 제 1 표면이 대향하도록 배치되어 있는 광변조 디바이스:
    [화학식 1]

    화학식 1에서 R1 내지 R4는 각각 독립적으로 알킬기, 히드록시기, 알콕시기 또는 할로겐 원자이되, R1 내지 R4 중 적어도 하나는 탄소수 11 이상의 알킬기이고, R1 내지 R4 중 적어도 하나는 할로겐 원자이다.
  2. 제 1 항에 있어서, 화학식 1의 R1 내지 R4 중 적어도 하나는 탄소수 10 내지 30의 직쇄상 알킬기이고, 2개 이상은 할로겐 원자인 광변조 디바이스.
  3. 제 1 항에 있어서, 화학식 1의 R1 내지 R4 중 어느 하나는 탄소수 10 내지 30의 직쇄상 알킬기이고, 나머지는 할로겐 원자인 광변조 디바이스.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서, 접착제층 또는 점착제층은 실리콘 접착제층 또는 실리콘 점착제층인 광변조 디바이스.
  6. 제 1 항에 있어서, 제 1 기판에는 액정 배향막이 형성되어 있지 않은 광변조 디바이스.
  7. 제 1 항에 있어서, 액정 배향막은 수직 배향막인 광변조 디바이스.
  8. 제 1 항에 있어서, 광변조층은, 수직 배향 모드와 트위스티드 모드의 사이를 스위칭할 수 있도록 형성되어 있는 광변조 디바이스.
  9. 제 8 항에 있어서, 수직 배향 모드가 초기 상태에서 구현되도록 광변조층이 형성되어 있는 광변조 디바이스.
  10. 제 8 항에 있어서, 광변조층의 두께 d와 트위스티드 모드의 피치 p의 비율 d/p는 1 이하인 광변조 디바이스.
  11. 제 1 항에 있어서, 광변조층은, 화학식 1의 화합물을 액정 화합물 100 중량부 대비 0.1 내지 10 중량부의 비율로 포함하는 광변조 디바이스.
  12. 제 1 항에 있어서, 제 1 기판의 제 2 표면 및 제 2 기판의 제 2 표면 중 하나 이상의 표면에 형성된 편광층을 추가로 포함하는 광변조 디바이스.
  13. 제 1 항에 있어서, 제 1 및 제 2 기판은 각각 550nm 파장의 광에 대한 면상 위상차가 500nm 이상인 고분자 기판이고, 상기 제 1 및 제 2 기판은 서로의 지상축이 서로 평행하도록 대향 배치되어 있는 광변조 디바이스.
  14. 대향 배치된 제 1 및 제 2 기판의 사이에 존재하고, 액정 화합물 및 하기 화학식 1의 화합물을 포함하는 광변조층을 열처리하는 단계를 포함하고, 제 1 기판의 제 1 표면에는 접착제층 또는 점착제층이 형성되어 있고, 제 2 기판의 제 1 표면에는 액정 배향막이 형성되어 있으며, 상기 제 1 및 제 2 기판은 서로의 제 1 표면이 대향하도록 배치되어 있는 광변조 디바이스의 제조 방법:
    [화학식 1]

    화학식 1에서 R1 내지 R4는 각각 독립적으로 알킬기, 히드록시기, 알콕시기 또는 할로겐 원자이되, R1 내지 R4 중 적어도 하나는 탄소수 11 이상의 알킬기이고, R1 내지 R4 중 적어도 하나는 할로겐 원자이다.
  15. 제 14 항에 있어서, 열처리는, 광변조층을 80℃ 내지 120℃의 범위 내의 온도에서, 20분 이하의 시간 동안 유지하여 수행하는 광변조 디바이스의 제조 방법.
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