KR102660721B1 - Method of forming a metal thin film on a glass substrate - Google Patents
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Abstract
금속 박막 형성 방법이 제공된다. 상기 금속 박막 형성 방법은 유리 기판을 준비하는 단계, 상기 유리 기판 상에, 금속 이온을 포함하는 전도성 MOD(Metal Organic Decomposition) 잉크 조성물을 도포하는 단계, 상기 전도성 MOD 잉크 조성물이 도포된 상기 유리 기판 상에 제1 출력을 갖는 제1 레이저를 조사하여, 상기 금속 이온이 환원된 금속 입자를 포함하는 예비 씨드층(seed layer)을 형성하는 단계, 및 상기 예비 씨드층이 형성된 상기 유리 기판 상에 상기 제1 출력보다 높은 제2 출력을 갖는 제2 레이저를 조사하여, 상기 금속 이온이 환원된 금속 입자 중 일부가 상기 유리 기판 내로 침투된 씨드층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. A method for forming a metal thin film is provided. The metal thin film forming method includes preparing a glass substrate, applying a conductive MOD (Metal Organic Decomposition) ink composition containing metal ions on the glass substrate, and applying a conductive MOD (Metal Organic Decomposition) ink composition to the glass substrate onto which the conductive MOD ink composition is applied. irradiating a first laser having a first output to form a preliminary seed layer including metal particles in which the metal ions are reduced, and forming a preliminary seed layer on the glass substrate on which the preliminary seed layer is formed. The method may include forming a seed layer in which some of the metal particles in which the metal ions are reduced have penetrated into the glass substrate by irradiating a second laser having a second output higher than 1 output.
Description
본 발명은 유리기판 상에 금속 박막을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 씨드층(seed layer)을 이용하여 유리기판 상에 금속 박막을 형성하는 방법에 관련된 것이다. The present invention relates to a method of forming a metal thin film on a glass substrate, and more specifically, to a method of forming a metal thin film on a glass substrate using a seed layer.
유리 기판위에 접착제 없이 금속막을 접착시키는 방법은 디스플레이 솔라셀 등 수없이 많은 디바이스 분야에서 수요가 있어왔으나, PVD방식으로 스퍼터링을 이용하는 방법 외에는 적용가능한 방법이 없었다.The method of adhering a metal film to a glass substrate without an adhesive has been in demand in numerous device fields such as display solar cells, but there has been no applicable method other than using sputtering using the PVD method.
형성되는 금속막을 씨드층(Seed Layer)으로 하여 도금성장 등을 시키기 위해서는 기존방식인 스퍼터링을 이용하더라도 일반적으로 수십에서 수백 nm의 티타늄(Ti) 박막을 먼저 형성하고, 다시 그 위에 수백 nm의 구리(Cu) 박막을 형성하는 방법을 써야 가능하므로 스퍼터 Target 등의 비용, 진공 스퍼터링 장비의 운용비용, 그리고 스퍼터링의 직진성으로 인한 전체기판에의 불균일성 등이 문제되어 왔다. 이에 따라, 유리 기판 상에 금속 박막을 형성하기 위한 다양한 기술들이 지속적으로 연구되고 있다. In order to use the formed metal film as a seed layer for plating growth, etc., even if the existing sputtering method is used, a titanium (Ti) thin film of tens to hundreds of nm is generally first formed, and then hundreds of nm of copper (Copper) is formed on top of it. Since it is possible to use a method of forming a Cu) thin film, there have been problems with the cost of sputter targets, operating costs of vacuum sputtering equipment, and non-uniformity of the entire substrate due to the straight-line nature of sputtering. Accordingly, various technologies for forming metal thin films on glass substrates are continuously being researched.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 유리 기판 상에 금속 박막을 형성하는 방법을 제공하는 데 있다. One technical problem to be solved by the present invention is to provide a method of forming a metal thin film on a glass substrate.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 유리 기판과 씨드층의 접착력이 향상된 금속 박막 형성 방법을 제공하는 데 있다. Another technical problem to be solved by the present invention is to provide a method of forming a metal thin film with improved adhesion between a glass substrate and a seed layer.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 유리 기판 상에 형성된 금속 박막의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 금속 박막 형성 방법을 제공하는 데 있다. Another technical problem to be solved by the present invention is to provide a method of forming a metal thin film that can improve the reliability of a metal thin film formed on a glass substrate.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상술된 것에 제한되지 않는다. The technical problems to be solved by the present invention are not limited to those described above.
상기 기술적 과제들을 해결하기 위하여, 본 발명은 금속 박막 형성 방법을 제공한다. In order to solve the above technical problems, the present invention provides a method for forming a metal thin film.
일 실시 예에 따르면, 상기 금속 박막 형성 방법은 유리 기판을 준비하는 단계, 상기 유리 기판 상에, 금속 이온을 포함하는 전도성 MOD(Metal Organic Decomposition) 잉크 조성물을 도포하는 단계, 상기 전도성 MOD 잉크 조성물에 제1 출력을 갖는 제1 레이저를 조사하여, 상기 금속 이온이 환원된 예비 씨드층(seed layer)을 형성하는 단계, 및 상기 예비 씨드층에 상기 제1 출력보다 높은 제2 출력을 갖는 제2 레이저를 조사하여, 상기 금속 이온이 환원된 금속 입자 중 일부가 상기 유리 기판 내로 침투된 씨드층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. According to one embodiment, the method of forming a metal thin film includes preparing a glass substrate, applying a conductive MOD (Metal Organic Decomposition) ink composition containing metal ions on the glass substrate, and applying a conductive MOD (Metal Organic Decomposition) ink composition to the conductive MOD ink composition. Forming a preliminary seed layer in which the metal ions are reduced by irradiating a first laser having a first output, and applying a second laser having a second output higher than the first output to the preliminary seed layer. It may include forming a seed layer in which some of the metal particles in which the metal ions are reduced have penetrated into the glass substrate by irradiating.
일 실시 예에 따르면, 상기 씨드층을 형성하는 단계에서, 상기 예비 씨드층에 상기 제2 레이저가 조사되는 경우 상기 예비 씨드층과 접촉된 상기 유리 기판의 표면이 용융되고, 용융된 상기 유리 기판의 표면으로 상기 금속 입자 중 일부가 침투되는 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, in the step of forming the seed layer, when the second laser is irradiated to the preliminary seed layer, the surface of the glass substrate in contact with the preliminary seed layer is melted, and the melted glass substrate is melted. It may include penetration of some of the metal particles into the surface.
일 실시 예에 따르면, 상기 씨드층을 형성하는 단계에서, 상기 예비 씨드층에 상기 제2 레이저가 조사되는 경우 상기 예비 씨드층과 접촉된 상기 유리 기판의 표면이 용융되고, 용융된 상기 유리 기판의 표면으로 상기 금속 입자 중 일부가 침투되는 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, in the step of forming the seed layer, when the second laser is irradiated to the preliminary seed layer, the surface of the glass substrate in contact with the preliminary seed layer is melted, and the melted glass substrate is melted. It may include penetration of some of the metal particles into the surface.
일 실시 예에 따르면, 상기 씨드층과 상기 유리 기판 사이의 접착력은 상기 예비 씨드층과 상기 유리 기판 사이의 접착력보다 강한 것을 포함하고, 상기 유리 기판은, 열팽창률이 4 ppm/K 미만인 것을 포함하며, 상기 제1 레이저 및 상기 제2 레이저는 하나의 레이저로 이루어지고, 상기 레이저가 조사되는 초기 시간 동안 상기 제1 레이저에 의한 효과가 나타나는 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the adhesive force between the seed layer and the glass substrate is stronger than the adhesive force between the preliminary seed layer and the glass substrate, and the glass substrate has a thermal expansion coefficient of less than 4 ppm/K, , the first laser and the second laser may be composed of one laser, and the effect caused by the first laser may appear during the initial time when the laser is irradiated.
일 실시 예에 따르면, 상기 금속 이온은, 구리 이온을 포함하고, 상기 전도성 MOD 잉크 조성물은, 구리 전구체와 포름산이 반응하여 형성된 구리 포메이트, 및 리간드로서 아민기를 포함하는 구리 포메이트-아민 잉크를 포함할 수 있다. According to one embodiment, the metal ion includes a copper ion, and the conductive MOD ink composition includes copper formate formed by reacting a copper precursor and formic acid, and a copper formate-amine ink containing an amine group as a ligand. It can be included.
일 실시 예에 따르면, 상기 유기 기판을 준비하는 단계 이후 상기 전도성 MOD 잉크 조성물을 도포하는 단계 이전, 상기 유리 기판을 UV ozone 처리하는 단계를 더 포함하고, 상기 전도성 MOD 잉크 조성물을 도포하는 단계 이후 상기 예비 씨드층을 형성하는 단계 이전, 상기 유리 기판 상에 도포된 상기 전도성 MOD 잉크 조성물을 열처리하여, 상기 전도성 MOD 잉크 조성물 내 용매를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. According to one embodiment, the step of preparing the organic substrate and before the step of applying the conductive MOD ink composition further includes the step of treating the glass substrate with UV ozone, and after the step of applying the conductive MOD ink composition. Before forming the preliminary seed layer, the step of heat treating the conductive MOD ink composition applied on the glass substrate to remove the solvent in the conductive MOD ink composition may be further included.
본 발명의 실시 예에 따른 금속 박막 형성 방법은, 유리 기판을 준비하는 단계, 상기 유리 기판 상에, 금속 이온(구리 이온)을 포함하는 전도성 MOD(Metal Organic Decomposition) 잉크 조성물을 도포하는 단계, 상기 전도성 MOD 잉크 조성물이 도포된 상기 유리 기판 상에 제1 출력을 갖는 제1 레이저를 조사하여, 상기 금속 이온이 환원된 금속 입자를 포함하는 예비 씨드층을 형성하는 단계, 및 상기 예비 씨드층이 형성된 상기 유리 기판 상에 상기 제1 출력보다 높은 제2 출력을 갖는 제2 레이저를 조사하여, 상기 금속 이온이 환원된 금속 입자 중 일부가 상기 유리 기판 내로 침투된 씨드층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. A method of forming a metal thin film according to an embodiment of the present invention includes preparing a glass substrate, applying a conductive MOD (Metal Organic Decomposition) ink composition containing metal ions (copper ions) on the glass substrate, Forming a preliminary seed layer including metal particles in which the metal ion is reduced by irradiating a first laser having a first output on the glass substrate coated with a conductive MOD ink composition, and forming the preliminary seed layer The method may include irradiating a second laser having a second output higher than the first output on the glass substrate to form a seed layer in which some of the metal particles in which the metal ions are reduced have penetrated into the glass substrate. there is.
즉, 상기 전도성 MOD 잉크 조성물에 서로 다른 출력을 갖는 제1 레이저 및 제2 레이저가 순차적으로 조사됨으로써, 금속 박막 형성을 위한 상기 씨드층이 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 씨드층이 포함하는 금속 입자가 상기 유리 기판의 내부로 침투될 수 있으므로, 상기 씨드층과 상기 유리 기판 사이의 접착력이 향상될 수 있다. 이로 인해, 상기 유리 기판 상에 형성되는 금속 박막의 신뢰성이 향상될 수 있다. That is, the seed layer for forming a metal thin film can be formed by sequentially irradiating the conductive MOD ink composition with a first laser and a second laser having different outputs. Accordingly, since the metal particles included in the seed layer can penetrate into the interior of the glass substrate, the adhesion between the seed layer and the glass substrate can be improved. Because of this, the reliability of the metal thin film formed on the glass substrate can be improved.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 금속 박막 형성 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 금속 박막 형성 방법의 각 단계들을 구체적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제1 변형 예에 따른 금속 박막 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 제2 변형 예에 따른 금속 박막 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 제1 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 제2 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 제3 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명의 제4 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 제5 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 발명의 실시 예에 따른 금속 박막 형성 방법을 통해 형성된 씨드층 및 금속 박막을 촬영한 사진이다.
도 13은 본 발명의 제1 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법을 통해 금속 배선이 형성되는 과정을 촬영한 사진이다. 1 is a flowchart for explaining a method of forming a metal thin film according to an embodiment of the present invention.
2 and 3 are diagrams for specifically explaining each step of the method for forming a metal thin film according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a diagram for explaining a method of forming a metal thin film according to a first modified example of the present invention.
Figure 5 is a diagram for explaining a method of forming a metal thin film according to a second modified example of the present invention.
6 and 7 are diagrams for explaining a method of forming metal wiring according to a first modified example of the present invention.
8 is a diagram for explaining a method of forming a metal wire according to a second modified example of the present invention.
9 is a diagram for explaining a method of forming a metal wire according to a third modified example of the present invention.
Figure 10 is a diagram for explaining a method of forming a metal wire according to a fourth modified example of the present invention.
FIG. 11 is a diagram for explaining a method of forming a metal wire according to a fifth modification of the present invention.
Figure 12 is a photograph of a seed layer and a metal thin film formed through a metal thin film forming method according to an embodiment of the present invention.
Figure 13 is a photograph taken of the process of forming a metal wire through the metal wire forming method according to the first modified example of the present invention.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. However, the technical idea of the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosed content will be thorough and complete and so that the spirit of the present invention can be sufficiently conveyed to those skilled in the art.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. In this specification, when an element is referred to as being on another element, it means that it may be formed directly on the other element or that a third element may be interposed between them. Additionally, in the drawings, the thicknesses of films and regions are exaggerated for effective explanation of technical content.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. Additionally, in various embodiments of the present specification, terms such as first, second, and third are used to describe various components, but these components should not be limited by these terms. Accordingly, what is referred to as a first component in one embodiment may be referred to as a second component in another embodiment.
여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.Each embodiment described and illustrated herein also includes its complementary embodiment. Additionally, in this specification, 'and/or' is used to mean including at least one of the components listed before and after.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. In the specification, singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In addition, terms such as "include" or "have" are intended to designate the presence of features, numbers, steps, components, or a combination thereof described in the specification, but are not intended to indicate the presence of one or more other features, numbers, steps, or components. It should not be understood as excluding the possibility of the presence or addition of elements or combinations thereof.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.In addition, in the following description of the present invention, if a detailed description of a related known function or configuration is judged to unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 금속 박막 형성 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 2 및 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 금속 박막 형성 방법의 각 단계들을 구체적으로 설명하기 위한 도면이다. FIG. 1 is a flowchart for explaining a method for forming a metal thin film according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are diagrams for specifically explaining each step of the method for forming a metal thin film according to an embodiment of the present invention.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 유리 기판(100)이 준비된다(S100). 일 실시 예에 따르면, 상기 유리 기판(100)은 4 ppm/K 미만의 열팽창률을 가질 수 있다. 이와 달리, 상기 유리 기판(100)이 4 ppm/K 이상의 열팽창률을 갖는 경우, 후술되는 예비 씨드층 형성 단계 및 씨드층 형성 단계에서 조사되는 레이저에 의해 손상되는 문제점이 발생될 수 있다. Referring to FIGS. 1 to 3, a glass substrate 100 is prepared (S100). According to one embodiment, the glass substrate 100 may have a coefficient of thermal expansion of less than 4 ppm/K. On the other hand, if the glass substrate 100 has a coefficient of thermal expansion of 4 ppm/K or more, damage may occur due to laser irradiation in the preliminary seed layer forming step and the seed layer forming step, which will be described later.
상기 유리 기판(100) 상에, 금속 이온을 포함하는 전도성 MOD(Metal Organic Decomposition) 잉크 조성물(IK)이 도포될 수 있다(S200). 일 실시 예에 따르면, 상기 금속 이온은 구리(Cu) 이온을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 전도성 MOD 잉크 조성물은 구리 전구체와 포름산이 반응하여 형성된 구리 포메이트, 및 리간드로서 아민기를 포함하는 구리 포메이트-아민 잉크를 포함할 수 있다. On the glass substrate 100, a conductive MOD (Metal Organic Decomposition) ink composition (IK) containing metal ions may be applied (S200). According to one embodiment, the metal ion may include copper (Cu) ions. More specifically, the conductive MOD ink composition may include copper formate formed by reacting a copper precursor and formic acid, and a copper formate-amine ink containing an amine group as a ligand.
예를 들어, 상기 구리 전구체는 산화구리, 수산화구리, 질산구리, 탄산구리, 황산구리, 염화구리 및 아세트산구리 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 아민기를 형성하는 화합물은 부틸아민, 헥실아민, 옥틸아민, 다이부틸 아민, 트리에틸 아민, 디에틸렌트리아민(Diethylenetriamine), 에틸렌 다이아민, 사이클로헥실아민 및 아미노 메틸 프로판올 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 용매는 물(H2O), 알코올계 용매, 글리콜계 용매, 아세테이트계 용매, 에테르계 용매, 케톤계 용매, 탄화수소계 용매, 방향족계 용매, 할로겐 치환 용매, 아세토니트릴, 디메틸술폭사이드 또는 이들의 혼합물 등을 포함할 수 있다. 상기 알코올계 용매로는 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 1-메톡시프로판올, 부탄올, 에틸헥실 알코올, 테르피네올 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 상기 글리콜계 용매로는 에틸렌글리콜, 글리세린 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 상기 아세테이트계 용매로는 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 메톡시프로필아세테이트, 카비톨아세테이트, 에틸카비톨아세테이트 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 상기 에테르계 용매로는 메틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 디에틸에테르, 테트라히드로퓨란, 디옥산 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 상기 케톤계 용매로는 메틸에틸케톤, 아세톤, 디메틸포름아미드, 1-메틸-2-피롤리돈 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 상기 탄화수소계 용매로는 헥산, 헵탄, 도데칸, 파라핀 오일, 미네랄 스피릿 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 상기 방향족계 용매로는 벤젠, 톨루엔, 자일렌 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 상기 할로겐 치환 용매로는 클로로포름, 메틸렌클로라이드, 카본테트라클로라이드 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 상기 용매의 함량에 따라 상기 전도성 MOD 잉크 조성물의 점도가 제어될 수 있다. For example, the copper precursor may include any one of copper oxide, copper hydroxide, copper nitrate, copper carbonate, copper sulfate, copper chloride, and copper acetate. For example, the compound forming the amine group is any one of butylamine, hexylamine, octylamine, dibutylamine, triethylamine, diethylenetriamine, ethylene diamine, cyclohexylamine, and amino methyl propanol. may include. For example, the solvent is water (H 2 O), alcohol-based solvent, glycol-based solvent, acetate-based solvent, ether-based solvent, ketone-based solvent, hydrocarbon-based solvent, aromatic solvent, halogen-substituted solvent, acetonitrile, dimethyl It may include sulfoxide or mixtures thereof. The alcohol-based solvent may include methanol, ethanol, isopropanol, 1-methoxypropanol, butanol, ethylhexyl alcohol, terpineol, or mixtures thereof. The glycol-based solvent may include ethylene glycol, glycerin, or mixtures thereof. The acetate-based solvent may include ethyl acetate, butyl acetate, methoxypropyl acetate, carbitol acetate, ethyl carbitol acetate, or mixtures thereof. The ether-based solvent may include methyl cellosolve, butyl cellosolve, diethyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, or mixtures thereof. The ketone-based solvent may include methyl ethyl ketone, acetone, dimethylformamide, 1-methyl-2-pyrrolidone, or mixtures thereof. The hydrocarbon-based solvent may include hexane, heptane, dodecane, paraffin oil, mineral spirit, or mixtures thereof. The aromatic solvent may include benzene, toluene, xylene, or mixtures thereof. The halogen-substituted solvent may include chloroform, methylene chloride, carbon tetrachloride, or mixtures thereof. The viscosity of the conductive MOD ink composition can be controlled depending on the solvent content.
상기 구리 포메이트-아민 잉크는 구리 포메이트(Cu formate)와 리간드로서 다양한 아민기의 적용이 가능할 수 있다. 상기 구리 포메이트는 구리 전구체와 포름산을 반응 용기에 넣고 교반하면서 반응시켜 형성할 수 있다. 예를 들어, 반응 용기에 산화구리(CuO)와 포름산을 1:3의 중량비로 넣고 밀폐한 후, 교반하면서 반응시켜 상기 구리 포메이트를 형성할 수 있다. The copper formate-amine ink can be used with copper formate and various amine groups as ligands. The copper formate can be formed by reacting a copper precursor and formic acid in a reaction vessel while stirring. For example, copper oxide (CuO) and formic acid may be placed in a reaction vessel at a weight ratio of 1:3, sealed, and then reacted with stirring to form the copper formate.
상기 구리 포메이트, 아민 화합물(아민기를 갖는 화합물) 및 용매를 반응 용기에 첨가하고 혼합하고, 상기 반응 용기를 밀폐한 후, 교반하면서 반응시켜 구리 포메이트-아민 잉크를 형성할 수 있다. 상기 구리 포메이트와 상기 아민 화합물은 1:0.05~1:2의 중량비로 혼합될 수 있다. The copper formate, an amine compound (a compound having an amine group), and a solvent may be added to a reaction vessel and mixed, the reaction vessel may be sealed, and the reaction may be performed while stirring to form copper formate-amine ink. The copper formate and the amine compound may be mixed at a weight ratio of 1:0.05 to 1:2.
일 실시 예에 따르면, 상기 유리 기판(100) 상에 도포되는 상기 전도성 MOD 잉크 조성물(IK)의 점도가 제어될 수 있다. 상기 전도성 MOD 잉크 조성물(IK)의 점도가 과도하게 높은 경우, 상기 유리 기판(100)과의 접촉강이 증가함에 따라 코팅의 균일성이 저하되는 문제점이 발생될 수 있다. 또한, 홀(hole)이 형성된 유리 기판의 홀 내로 상기 전도성 MOD 잉크 조성물(IK)의 진입이 어려워지는 문제점이 발생될 수 있다. 이와 달리, 상기 전도성 MOD 잉크 조성물(IK)의 점도가 과도하게 낮은 경우, 후술되는 예비 씨드층 및 씨드층과 유리 기판 사이의 접착력이 감소되는 문제점이 발생될 수 있다. According to one embodiment, the viscosity of the conductive MOD ink composition (IK) applied on the glass substrate 100 may be controlled. If the viscosity of the conductive MOD ink composition (IK) is excessively high, the uniformity of the coating may decrease as the contact strength with the glass substrate 100 increases. In addition, a problem may arise in which it becomes difficult for the conductive MOD ink composition (IK) to enter the hole of the glass substrate in which the hole is formed. On the other hand, if the viscosity of the conductive MOD ink composition (IK) is excessively low, a problem may occur in which the adhesion between the preliminary seed layer and the seed layer and the glass substrate, which will be described later, is reduced.
상기 전도성 MOD 잉크 조성물(IK)이 도포된 상기 유리 기판(100) 상에, 제1 출력을 갖는 제1 레이저가 조사될 수 있다. 이에 따라, 상기 금속 이온(구리 이온)이 환원된 예비 씨드층(200)이 형성될 수 있다(S300). 상기 예비 씨드층(200)은, 상기 금속 이온(구리 이온)이 환원된 금속 입자(구리 입자)들로 이루어진 물질층으로 정의될 수 있다. A first laser having a first output may be irradiated onto the glass substrate 100 on which the conductive MOD ink composition (IK) is applied. Accordingly, the preliminary seed layer 200 in which the metal ion (copper ion) is reduced can be formed (S300). The preliminary seed layer 200 may be defined as a material layer made of metal particles (copper particles) in which the metal ions (copper ions) are reduced.
보다 구체적으로, 인쇄 전자 산업의 발달에 따라서 전도성 잉크에 대한 기술 개발은 지속적으로 이루어져 왔다. 전도성 잉크에 대한 기술 개발은 대표적으로 두 가지 방향에서 이루어져 왔는데, 하나는 나노 입자 형태의 잉크와 또 다른 하나는 금속 유기 분해(Metal Organic Decomposition; 이하 'MOD'라 함) 잉크이다. 저 가격화가 가능한 금속재료 잉크에 대한 기술 개발 요구가 지속적으로 있어왔으며, 그 대표적인 것이 구리(Cu)이다. 구리(Cu)는 전기전도도(1.72μΩ·㎝)가 우수하며, 낮은 가격대에 잉크 제작이 가능하다. 하지만, 구리 잉크의 제작에 있어서 단점인 재료의 산화안정성 때문에 실질적인 제품 개발에 어려움이 있다. 이러한 문제점을 해결할 수 있는 것이 MOD(Metal Organic Decomposition) 잉크이다. 그 이유는 MOD 잉크 자체는 이미 산화되어진 형태로 존재하므로 공기 중에서의 안정성이 확보되기 때문이다.More specifically, technology development for conductive ink has continued along with the development of the printed electronics industry. Technology development for conductive ink has typically been conducted in two directions: one is ink in the form of nanoparticles, and the other is metal organic decomposition (hereinafter referred to as 'MOD') ink. There has been a continuous demand for technology development for metallic material inks that can be reduced in price, a representative example of which is copper (Cu). Copper (Cu) has excellent electrical conductivity (1.72μΩ·cm) and can be used to produce ink at a low price. However, there are difficulties in developing practical products due to the oxidation stability of the material, which is a disadvantage in the production of copper ink. MOD (Metal Organic Decomposition) ink can solve these problems. This is because the MOD ink itself already exists in an oxidized form, ensuring stability in air.
이러한 MOD 잉크의 자체적인 안정성은 확보 가능하지만, 실질적인 구리 박막으로 환원시키기 위해서는 추가적인 열처리나 광처리가 필요하다.Although the stability of such MOD ink can be ensured, additional heat treatment or light treatment is required to reduce it to an actual copper thin film.
이러한 MOD 잉크의 소결 방법으로 열소결 공정이나, 상온/대기압 상태에서의 소결이 가능한 레이저 소결법이 있다. 열소결 공정은 금속 입자를 소결시키기 위하여 비활성 기체 상태에서 약 200∼350 ℃의 온도로 가열하는 방식이다.Methods for sintering MOD ink include a thermal sintering process and a laser sintering method that allows sintering at room temperature/atmospheric pressure. The thermal sintering process is a method of heating to a temperature of about 200 to 350 ° C in an inert gas state to sinter the metal particles.
최근 플렉서블 폴리머나 유리 위에 도금 패턴을 제작하려는 시도가 이루어지면서 고온 소결 방법은 그 사용에 제한이 있다. 특히, 구리 이온 잉크(구리 전구체를 포함하는 MOD 잉크)를 기판에 도포하고 열소결하는 경우에 열화학적 평형에 의하여 그 표면에 산화층이 형성되어 있어 소결이 매우 어렵고, 소결 후에도 전도성이 떨어지는 단점이 있다.Recently, attempts have been made to produce plating patterns on flexible polymers or glass, but the use of high-temperature sintering methods has been limited. In particular, when copper ion ink (MOD ink containing a copper precursor) is applied to a substrate and heat sintered, an oxide layer is formed on the surface due to thermochemical equilibrium, which makes sintering very difficult and has the disadvantage of poor conductivity even after sintering. .
또한, MOD 잉크를 열소결 하는 경우에 산소가 없는 환경에서 처리하여야 하는 단점을 가지고 있으므로 실질적인 양산 시스템 구성에 있어서 제한적인 부분이 있다. 이러한 단점을 극복하기 위해서 레이저 소결 공정을 적용할 경우 구리 박막의 산화반응이 일어나기 전에 순수 구리 박막을 얻을 수 있다.In addition, when heat sintering MOD ink, it has the disadvantage of having to be processed in an oxygen-free environment, so there are limitations in configuring a practical mass production system. To overcome these shortcomings, when a laser sintering process is applied, a pure copper thin film can be obtained before the oxidation reaction of the copper thin film occurs.
이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 금속 박막 형성 방법은, 상기 전도성 MOD 잉크 조성물(IK)에 레이저를 조사함으로써, 상기 전도성 MOD 잉크 조성물(IK)이 포함하는 금속 이온(구리 이온)을 환원시켜 상기 예비 씨드층(200)을 제조할 수 있다. 예를 들어, 상기 전도성 MOD 잉크 조성물(IK)에 조사되는 레이저는, 9,000~11,000nm의 파장을 갖는 CO2 레이저를 포함할 수 있다. Accordingly, the method of forming a metal thin film according to an embodiment of the present invention reduces the metal ions (copper ions) contained in the conductive MOD ink composition (IK) by irradiating a laser to the conductive MOD ink composition (IK). The preliminary seed layer 200 can be manufactured. For example, the laser irradiated to the conductive MOD ink composition (IK) may include a CO 2 laser having a wavelength of 9,000 to 11,000 nm.
상기 예비 씨드층(200)이 형성된 상기 유리 기판(100) 상에 상기 제1 출력보다 높은 제2 출력을 갖는 제2 레이저가 조사될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제2 레이저는 상기 유리 기판(100)과 상기 예비 씨드층(200)의 계면에 조사될 수 있다. 이에 따라, 상기 금속 이온(구리 이온)이 환원된 금속 입자(구리 입자) 중 일부가 상기 유리 기판(100) 내로 침투된 씨드층(300)이 형성될 수 있다. 상기 씨드층(300)은, 상기 예비 씨드층(200)이 포함하는 금속 입자(구리 입자) 중 일부가 상기 유리 기판(100) 내로 침투된 상태로 정의될 수 있다. A second laser having a second output higher than the first output may be irradiated onto the glass substrate 100 on which the preliminary seed layer 200 is formed. According to one embodiment, the second laser may be irradiated to the interface between the glass substrate 100 and the preliminary seed layer 200. Accordingly, the seed layer 300 may be formed in which some of the metal particles (copper particles) in which the metal ions (copper ions) are reduced have penetrated into the glass substrate 100. The seed layer 300 may be defined as a state in which some of the metal particles (copper particles) included in the preliminary seed layer 200 have penetrated into the glass substrate 100.
보다 구체적으로, 상기 유리 기판(100)과 상기 예비 씨드층(200)의 계면에 상기 제2 레이저가 조사되는 경우, 상기 유리 기판(100)의 표면이 용융될 수 있다. 이에 따라, 용융된 상기 유리 기판(100)의 표면을 통해 상기 예비 씨드층(200)의 금속 입자(구리 입자)가 상기 유리 기판(100)의 내부로 침투될 수 있다. More specifically, when the second laser is irradiated to the interface between the glass substrate 100 and the preliminary seed layer 200, the surface of the glass substrate 100 may be melted. Accordingly, metal particles (copper particles) of the preliminary seed layer 200 may penetrate into the interior of the glass substrate 100 through the molten surface of the glass substrate 100.
상기 유리 기판(100)의 내부로 침투된 상기 금속 입자(구리 입자)는, 상기 씨드층(300)의 앵커(anchor)로 작용될 수 있다. 즉, 상기 금속 입자(구리 입자)가 상기 유리 기판(100)의 내부로 침투됨에 따라, 상기 씨드층(300)과 상기 유리 기판(100) 사이의 접착력이 향상될 수 있다. 이에 따라, 상기 씨드층(300)과 상기 유리 기판(100) 사이의 접착력은, 상기 예비 씨드층(200)과 상기 유리 기판(100) 사이의 접착력보다 강할 수 있다. The metal particles (copper particles) that have penetrated into the glass substrate 100 may act as anchors of the seed layer 300. That is, as the metal particles (copper particles) penetrate into the interior of the glass substrate 100, the adhesion between the seed layer 300 and the glass substrate 100 may be improved. Accordingly, the adhesive force between the seed layer 300 and the glass substrate 100 may be stronger than the adhesive force between the preliminary seed layer 200 and the glass substrate 100.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 레이저 및 상기 제2 레이저는 하나의 레이저로 이루어지고, 상기 레이저가 조사되는 초기 시간 동안 상기 제1 레이저에 의한 효과가 나타나는 것을 포함할 수 있다. According to one embodiment, the first laser and the second laser may be composed of one laser, and an effect caused by the first laser may appear during the initial time when the laser is irradiated.
일 실시 예에 따르면, 상기 유리 기판(100)을 준비하는 단계(S100) 이후 상기 전도성 MOD 잉크 조성물(IK)을 도포하는 단계(S200) 이전, 상기 유리 기판을 UV ozone 처리하는 단계가 수행될 수 있다. 예를 들어, 상기 UV ozone 처리는 UV ozone cleaner를 통해 15분 동안 수행될 수 있다. 이에 따라, 상기 유리 기판(100) 상에 잔존된 유기물이 제거되고 상기 유리 기판(100)의 표면에 친수성이 확보될 수 있으므로 상기 전도성 MOD 잉크 조성물(IK)의 코팅 효율성 및 신뢰성이 향상될 수 있다. According to one embodiment, after preparing the glass substrate 100 (S100) and before applying the conductive MOD ink composition (IK) (S200), a step of treating the glass substrate with UV ozone may be performed. there is. For example, the UV ozone treatment can be performed for 15 minutes using a UV ozone cleaner. Accordingly, organic substances remaining on the glass substrate 100 can be removed and hydrophilicity can be secured on the surface of the glass substrate 100, so the coating efficiency and reliability of the conductive MOD ink composition (IK) can be improved. .
이와 달리, 상기 유리 기판(100)을 준비하는 단계(S100) 이후 상기 전도성 MOD 잉크 조성물(IK)을 도포하는 단계(S200) 이전, 상기 유리 기판을 UV ozone 처리하는 단계가 수행되지 않는 경우, 상기 전도성 MOD 잉크 조성물(IK)의 코팅 효율 및 신뢰성이 저하되는 문제점이 발생될 수 있다. In contrast, if the step of UV ozone treatment of the glass substrate is not performed after the step of preparing the glass substrate 100 (S100) and before the step of applying the conductive MOD ink composition (IK) (S200), the Problems may arise where the coating efficiency and reliability of the conductive MOD ink composition (IK) are reduced.
또한, 일 실시 예에 따르면, 상기 전도성 MOD 잉크 조성물(IK)을 도포하는 단계(S200) 이후 상기 예비 씨드층(200)을 형성하는 단계(S300) 이전, 상기 유리 기판(100) 상에 도포된 상기 전도성 MOD 잉크 조성물(IK)을 열처리하는 단계가 수행될 수 있다. 구체적으로, 상기 전도성 MOD 잉크 조성물(IK)은 90°의 온도에서 20분 동안 열처리될 수 있다. 상기 전도성 MOD 잉크 조성물(IK)이 열처리됨에 따라, 상기 전도성 MOD 잉크 조성물(IK) 내 용매가 제거될 수 있다. 이로 인해, 상기 전도성 MOD 잉크 조성물(IK)의 금속 이온이 환원되어 형성되는 상기 예비 씨드층(200)의 신뢰성이 향상될 수 있다. In addition, according to one embodiment, after the step of applying the conductive MOD ink composition (IK) (S200) and before the step of forming the preliminary seed layer 200 (S300), the ink composition is applied on the glass substrate 100. A step of heat treating the conductive MOD ink composition (IK) may be performed. Specifically, the conductive MOD ink composition (IK) may be heat treated at a temperature of 90° for 20 minutes. As the conductive MOD ink composition (IK) is heat treated, the solvent in the conductive MOD ink composition (IK) may be removed. Because of this, the reliability of the preliminary seed layer 200, which is formed by reducing the metal ions of the conductive MOD ink composition (IK), can be improved.
이와 달리, 상기 전도성 MOD 잉크 조성물(IK)을 도포하는 단계(S200) 이후 상기 예비 씨드층(200)을 형성하는 단계(S300) 이전, 상기 유리 기판(100) 상에 도포된 상기 전도성 MOD 잉크 조성물(IK)을 열처리하는 단계가 수행되지 않는 경우, 상기 전도성 MOD 잉크 조성물(IK)의 금속 이온이 환원되어 형성되는 상기 예비 씨드층(200)의 신뢰성이 저하되는 문제점이 발생될 수 있다. In contrast, the conductive MOD ink composition applied on the glass substrate 100 after the step of applying the conductive MOD ink composition (IK) (S200) and before the step of forming the preliminary seed layer 200 (S300). If the step of heat treating (IK) is not performed, a problem may occur in which the reliability of the preliminary seed layer 200, which is formed by reducing the metal ions of the conductive MOD ink composition (IK), is reduced.
상기 유리 기판(100) 상에 상기 씨드층(300)이 형성된 후 상기 씨드층(300)을 성장시킴으로써, 상기 유리 기판(100) 상에 금속 박막(구리 박막)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 씨드층(300)은 전해도금법을 통해 성장될 수 있다. After the seed layer 300 is formed on the glass substrate 100, a metal thin film (copper thin film) may be formed on the glass substrate 100 by growing the seed layer 300. For example, the seed layer 300 may be grown through an electroplating method.
결과적으로, 본 발명의 실시 예에 따른 금속 박막 형성 방법은, 유리 기판(100)을 준비하는 단계, 상기 유리 기판(100) 상에, 금속 이온(구리 이온)을 포함하는 전도성 MOD(Metal Organic Decomposition) 잉크 조성물(IK)을 도포하는 단계, 상기 전도성 MOD 잉크 조성물(IK)이 도포된 상기 유리 기판(100) 상에 제1 출력을 갖는 제1 레이저를 조사하여, 상기 금속 이온이 환원된 금속 입자를 포함하는 예비 씨드층(200)을 형성하는 단계, 및 상기 예비 씨드층(200)이 형성된 상기 유리 기판(100) 상에 상기 제1 출력보다 높은 제2 출력을 갖는 제2 레이저를 조사하여, 상기 금속 이온이 환원된 금속 입자 중 일부가 상기 유리 기판(100) 내로 침투된 씨드층(300)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. As a result, the method of forming a metal thin film according to an embodiment of the present invention includes preparing a glass substrate 100, and forming a conductive MOD (Metal Organic Decomposition) containing metal ions (copper ions) on the glass substrate 100. ) Applying an ink composition (IK), irradiating a first laser having a first output on the glass substrate 100 on which the conductive MOD ink composition (IK) is applied, forming metal particles in which the metal ions are reduced. forming a preliminary seed layer 200 including, and irradiating a second laser having a second output higher than the first output on the glass substrate 100 on which the preliminary seed layer 200 is formed, It may include forming a seed layer 300 in which some of the metal particles in which the metal ions are reduced have penetrated into the glass substrate 100.
즉, 상기 전도성 MOD 잉크 조성물(IK)에 서로 다른 출력을 갖는 제1 레이저 및 제2 레이저가 순차적으로 조사됨으로써, 금속 박막 형성을 위한 상기 씨드층(300)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 씨드층(300)이 포함하는 금속 입자가 상기 유리 기판(100)의 내부로 침투될 수 있으므로, 상기 씨드층(300)과 상기 유리 기판(100) 사이의 접착력이 향상될 수 있다. 이로 인해, 상기 유리 기판(100) 상에 형성되는 금속 박막의 신뢰성이 향상될 수 있다. That is, the seed layer 300 for forming a metal thin film can be formed by sequentially irradiating the conductive MOD ink composition (IK) with a first laser and a second laser having different outputs. Accordingly, since the metal particles contained in the seed layer 300 can penetrate into the interior of the glass substrate 100, the adhesion between the seed layer 300 and the glass substrate 100 can be improved. . Because of this, the reliability of the metal thin film formed on the glass substrate 100 can be improved.
이상, 본 발명의 실시 예에 따른 금속 박막 형성 방법이 설명되었다. 이하, 본 발명의 변형 예들에 따른 금속 박막 형성 방법이 설명된다. Above, a method for forming a metal thin film according to an embodiment of the present invention has been described. Hereinafter, a method for forming a metal thin film according to modified examples of the present invention will be described.
도 4는 본 발명의 제1 변형 예에 따른 금속 박막 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다. Figure 4 is a diagram for explaining a method of forming a metal thin film according to a first modified example of the present invention.
본 발명의 제1 변형 예에 따른 금속 박막 형성 방법은, 유리 기판 준비 단계(S100), 전도성 MOD 잉크 조성물(IK) 도포 단계(S200), 예비 씨드층 형성 단계(S300), 및 씨드층 형성 단계(S400)를 포함할 수 있다. 상기 제1 변형 예에 따른 금속 박막이 형성하는 방법의 각 단계들은, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명된 상기 실시 예에 따른 금속 박막이 형성하는 방법의 각 단계들과 같을 수 있다. The metal thin film forming method according to the first modified example of the present invention includes a glass substrate preparation step (S100), a conductive MOD ink composition (IK) application step (S200), a preliminary seed layer forming step (S300), and a seed layer forming step. (S400) may be included. Each step of the method for forming a metal thin film according to the first modified example may be the same as each step of the method for forming a metal thin film according to the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 3.
다만, 상기 제1 변형 예에 따른 금속 박막 형성 방법은, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 유리 기판(100) 준비 단계(S100) 이후 상기 전도성 MOD 잉크 조성물(IK) 도포 단계(S200) 이전, 상기 유리 기판(100)의 표면에 요철 구조를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 유리 기판(100)의 표면에 요철 구조가 형성됨에 따라, 상기 씨드층과 상기 유리 기판(100) 사이의 접합력이 향상될 수 있다. 이로 인해, 씨드층을 통해 상기 유리 기판(100) 상에 형성되는 금속 박막의 신뢰성이 향상될 수 있다. However, in the metal thin film forming method according to the first modified example, as shown in FIG. 4, after the glass substrate 100 preparation step (S100) and before the conductive MOD ink composition (IK) application step (S200), A step of forming a concavo-convex structure on the surface of the glass substrate 100 may be further included. As the concavo-convex structure is formed on the surface of the glass substrate 100, the bonding force between the seed layer and the glass substrate 100 may be improved. Because of this, the reliability of the metal thin film formed on the glass substrate 100 through the seed layer can be improved.
도 5는 본 발명의 제2 변형 예에 따른 금속 박막 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다. Figure 5 is a diagram for explaining a method of forming a metal thin film according to a second modified example of the present invention.
본 발명의 제2 변형 예에 따른 금속 박막 형성 방법은, 유리 기판 준비 단계(S100), 전도성 MOD 잉크 조성물(IK) 도포 단계(S200), 예비 씨드층 형성 단계(S300), 및 씨드층 형성 단계(S400)를 포함할 수 있다. 상기 제2 변형 예에 따른 금속 박막이 형성하는 방법의 각 단계들은, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명된 상기 실시 예에 따른 금속 박막이 형성하는 방법의 각 단계들과 같을 수 있다. The metal thin film forming method according to the second modified example of the present invention includes a glass substrate preparation step (S100), a conductive MOD ink composition (IK) application step (S200), a preliminary seed layer forming step (S300), and a seed layer forming step. (S400) may be included. Each step of the method for forming a metal thin film according to the second modified example may be the same as each step of the method for forming a metal thin film according to the above embodiment described with reference to FIGS. 1 to 3.
다만, 상기 제2 변형 예에 따른 금속 박막 형성 방법은, 상기 전도성 MOD 잉크 조성물(IK) 도포 단계에서, 상기 유리 기판(100) 상에 제1 전도성 MOD 잉크 조성물(IK1) 및 제2 전도성 MOD 잉크 조성물(IK2)이 도포될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 전도성 MOD 잉크 조성물(IK1)은 상기 제2 전도성 MOD 잉크 조성물(IK2) 보다 점도가 높을 수 있다. 또한, 상기 제1 전도성 MOD 잉크 조성물(IK1)은 상기 제2 전도성 MOD 잉크 조성물(IK2) 보다 먼저 코팅될 수 있다. However, in the method of forming a metal thin film according to the second modified example, in the step of applying the conductive MOD ink composition (IK), a first conductive MOD ink composition (IK 1 ) and a second conductive MOD are applied on the glass substrate 100. The ink composition (IK 2 ) can be applied. According to one embodiment, the first conductive MOD ink composition (IK 1 ) may have a higher viscosity than the second conductive MOD ink composition (IK 2 ). Additionally, the first conductive MOD ink composition (IK 1 ) may be coated before the second conductive MOD ink composition (IK 2 ).
즉, 상대적으로 점도가 높은 전도성 MOD 잉크 조성물이 코팅된 후 상대적으로 점도가 낮은 전도성 MOD 잉크 조성물이 다시 코팅될 수 있다. 이에 따라, 상기 유리 기판(100) 상에 코팅되는 전도성 MOD 잉크 조성물의 코팅 효율 및 코팅 신뢰성이 향상될 수 있다. That is, after the conductive MOD ink composition with relatively high viscosity is coated, the conductive MOD ink composition with relatively low viscosity may be coated again. Accordingly, the coating efficiency and coating reliability of the conductive MOD ink composition coated on the glass substrate 100 can be improved.
이상, 본 발명의 변형 예들에 따른 금속 박막 형성 방법이 설명되었다. 이하, 본 발명의 변형 예들에 따른 금속 배선 형성 방법이 설명된다. Above, a method of forming a metal thin film according to modified examples of the present invention has been described. Hereinafter, a method of forming metal wiring according to modified examples of the present invention will be described.
도 6 및 도 7은 본 발명의 제1 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다. 6 and 7 are diagrams for explaining a method of forming metal wiring according to a first modified example of the present invention.
도 6 및 도 7을 참조하면, 본 발명의 제1 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법은, 복수의 관통홀(H)이 형성된 유리 기판(100) 상에 씨드층(300)을 형성하는 단계(S10), 상기 씨드층(300) 상에 마스크(M)를 배치하는 단계(S20), 상기 씨드층(300)을 성장시켜 상기 유리 기판(100)에 형성된 복수의 관통홀(H) 내에 금속 배선(400)을 형성하는 단계(S30), 및 상기 마스크(M)를 제거하는 단계(S40)를 포함할 수 있다. 이에 따라, 유리 기판(100)의 관통홀(H) 내에 금속 배선(400)이 용이하게 형성될 수 있다. 6 and 7, the method of forming a metal wire according to the first modified example of the present invention includes forming a seed layer 300 on a glass substrate 100 on which a plurality of through holes (H) are formed ( S10), placing a mask (M) on the seed layer 300 (S20), growing the seed layer 300 to wire metal lines in the plurality of through holes (H) formed in the glass substrate 100 It may include forming 400 (S30) and removing the mask M (S40). Accordingly, the metal wiring 400 can be easily formed in the through hole H of the glass substrate 100.
일 실시 예에 따르면, 상기 S10 단계에서 상기 유리 기판(100) 상에 형성되는 씨드층(300)은, 도 1 내지 도 3을 통해 설명된 상기 실시 예에 따른 금속 박막 형성 방법을 통해 형성될 수 있다. 상기 유리 기판(100)에 관통홀(H)이 형성되어 있음에도 불구하고, 상기 전도성 MOD 잉크 조성물의 점도로 인하여, 상기 유리 기판(100) 상에 도포된 상기 전도성 MOD 잉크 조성물은 상기 관통홀(H)의 내부로 유입되지 않을 수 있다. 특히, 도 6에 도시된 바와 같이, 상대적으로 직경이 넓은 관통홀(H)의 경우, 메니스커스 현상에 의해 상기 관통홀(H)의 내부로 상기 전도성 MOD 잉크 조성물이 유입되지 않을 수 있다. According to one embodiment, the seed layer 300 formed on the glass substrate 100 in step S10 may be formed through the metal thin film forming method according to the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 3. there is. Even though the through hole (H) is formed in the glass substrate 100, due to the viscosity of the conductive MOD ink composition, the conductive MOD ink composition applied on the glass substrate 100 is formed in the through hole (H). ) may not flow into the interior. In particular, as shown in FIG. 6, in the case of a through hole (H) having a relatively wide diameter, the conductive MOD ink composition may not flow into the through hole (H) due to a meniscus phenomenon.
도 8은 본 발명의 제2 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다. 8 is a diagram for explaining a method of forming a metal wire according to a second modified example of the present invention.
도 8을 참조하면, 본 발명의 제2 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법은, 복수의 관통홀(H)이 형성된 유리 기판(100) 상에 씨드층(300)을 형성하는 단계(S10), 상기 씨드층(300) 상에 마스크(M)를 배치하는 단계(S20), 상기 씨드층(300)을 성장시켜 상기 유리 기판(100)에 형성된 복수의 관통홀(H) 내에 금속 배선(400)을 형성하는 단계(S30), 및 상기 마스크(M)를 제거하는 단계(S40)를 포함할 수 있다. 즉, 상기 제2 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법은, 도 6 및 도 7을 참조하여 설명된 상기 제1 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법과 같을 수 있다. Referring to FIG. 8, the method of forming a metal wire according to a second modified example of the present invention includes forming a seed layer 300 on a glass substrate 100 on which a plurality of through holes H are formed (S10), A step of disposing a mask (M) on the seed layer 300 (S20), growing the seed layer 300 to form a metal wire 400 in the plurality of through holes (H) formed in the glass substrate 100. It may include forming (S30) and removing the mask (S40). That is, the method of forming a metal wire according to the second modified example may be the same as the method of forming a metal wire according to the first modified example described with reference to FIGS. 6 and 7.
다만, 상기 제2 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법은, 상기 S30 단계에서, 전해도금법을 이용하여 상기 씨드층(300)으로부터 상기 금속 배선(400)을 성장시키되, 전해도금에서 사용되는 전극이 복수의 돌출부를 가질 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 전극의 돌출부는 상기 유리 기판(100)에 형성된 관통홀(H)과 대응되도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 관통홀(H)을 따라 성장되는 상기 씨드층(300)의 성장률이 향상될 수 있고, 성장되는 상기 씨드층(300)의 밀도가 향상(보이드 감소)될 수 있다. 이로 인해, 상기 씨드층(300)으로부터 성장된 상기 금속 배선(400)의 신뢰성이 향상될 수 있다. However, in the method of forming a metal wire according to the second modified example, in step S30, the metal wire 400 is grown from the seed layer 300 using an electroplating method, and the electrodes used in electroplating are plural. It may have protrusions. According to one embodiment, the protrusion of the electrode may be formed to correspond to the through hole (H) formed in the glass substrate 100. Accordingly, the growth rate of the seed layer 300 grown along the through hole H may be improved, and the density of the grown seed layer 300 may be improved (voids reduced). Because of this, the reliability of the metal wiring 400 grown from the seed layer 300 can be improved.
도 9는 본 발명의 제3 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다. 9 is a diagram for explaining a method of forming a metal wire according to a third modified example of the present invention.
도 9를 참조하면, 본 발명의 제3 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법은, 복수의 관통홀(H)이 형성된 유리 기판(100) 상에 씨드층(300)을 형성하는 단계(S10), 상기 씨드층(300) 상에 마스크(M)를 배치하는 단계(S20), 상기 씨드층(300)을 성장시켜 상기 유리 기판(100)에 형성된 복수의 관통홀(H) 내에 금속 배선(400)을 형성하는 단계(S30), 및 상기 마스크(M)를 제거하는 단계(S40)를 포함할 수 있다. 즉, 상기 제2 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법은, 도 6 및 도 7을 참조하여 설명된 상기 제1 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법과 같을 수 있다. Referring to FIG. 9, the method of forming a metal wire according to a third modified example of the present invention includes forming a seed layer 300 on a glass substrate 100 on which a plurality of through holes (H) are formed (S10), A step of disposing a mask (M) on the seed layer 300 (S20), growing the seed layer 300 to form a metal wire 400 in the plurality of through holes (H) formed in the glass substrate 100. It may include forming (S30) and removing the mask (S40). That is, the method of forming a metal wire according to the second modified example may be the same as the method of forming a metal wire according to the first modified example described with reference to FIGS. 6 and 7.
다만, 상기 제3 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법은, 상기 S30 단계에서, 전해도금법을 이용하여 상기 씨드층(300)으로부터 상기 금속 배선(400)을 성장시키되, 전해도금에서 사용되는 전극이 복수의 돌출부를 가질 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 전극의 돌출부는 상기 유리 기판(100)에 형성된 복수의 관통홀(H1, H2) 중 상대적으로 직경이 작은 관통홀(H2)에 대응되도록 형성될 수 있다. 구체적으로, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 유리 기판(100)에 상대적으로 직경이 큰 제1 관통홀(H1) 및 상대적으로 직경이 작은 제2 관통홀(H2)이 형성된 경우 상기 전극의 돌출부는 상기 제2 관통홀(H2)과 대응되도록 형성될 수 있다. However, in the method of forming a metal wire according to the third modified example, in step S30, the metal wire 400 is grown from the seed layer 300 using an electroplating method, and the electrodes used in electroplating are plural. It may have protrusions. According to one embodiment, the protrusion of the electrode may be formed to correspond to a relatively small diameter through hole (H 2 ) among the plurality of through holes (H 1 , H 2 ) formed in the glass substrate 100 . Specifically, as shown in FIG. 9, when a first through hole (H 1 ) with a relatively large diameter and a second through hole (H 2 ) with a relatively small diameter are formed in the glass substrate 100, the electrode The protrusion may be formed to correspond to the second through hole (H 2 ).
상대적으로 직경이 큰 제1 관통홀(H1)에는 메니스커스 현상이 발상됨으로, 상기 전극의 돌출부가 상기 제1 관통홀(H1)과 대응되도록 형성되는 경우, 상기 제1 관통홀(H1) 내에 형성되는 금속 배선(400)의 균일성이 저하될 수 있다. 따라서, 상기 제3 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법은 상기 전극에 형성되는 돌출부의 위치를 선택적으로 제어함에 따라 서로 다른 직경을 갖는 관통홀(H1, H2) 모두에서 상기 금속 배선(400)이 균일하게 성장될 수 있다. Since a meniscus phenomenon occurs in the first through hole (H 1 ) having a relatively large diameter, when the protrusion of the electrode is formed to correspond to the first through hole (H 1 ), the first through hole (H 1 ) The uniformity of the metal wiring 400 formed within may deteriorate. Therefore, the method of forming a metal wire according to the third modified example selectively controls the position of the protrusion formed on the electrode, thereby forming the metal wire 400 in all of the through holes H 1 and H 2 having different diameters. It can be grown uniformly.
도 10은 본 발명의 제4 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다. Figure 10 is a diagram for explaining a method of forming a metal wire according to a fourth modified example of the present invention.
도 10을 참조하면, 본 발명의 제4 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법은, 복수의 관통홀(H)이 형성된 유리 기판(100) 상에 씨드층(300)을 형성하는 단계(S10), 상기 씨드층(300) 상에 마스크(M)를 배치하는 단계(S20), 상기 씨드층(300)을 성장시켜 상기 유리 기판(100)에 형성된 복수의 관통홀(H) 내에 금속 배선(400)을 형성하는 단계(S30), 및 상기 마스크(M)를 제거하는 단계(S40)를 포함할 수 있다. 즉, 상기 제2 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법은, 도 6 및 도 7을 참조하여 설명된 상기 제1 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법과 같을 수 있다. Referring to FIG. 10, the method of forming a metal wire according to a fourth modified example of the present invention includes forming a seed layer 300 on a glass substrate 100 on which a plurality of through holes (H) are formed (S10), A step of disposing a mask (M) on the seed layer 300 (S20), growing the seed layer 300 to form a metal wire 400 in the plurality of through holes (H) formed in the glass substrate 100. It may include forming (S30) and removing the mask (S40). That is, the method of forming a metal wire according to the second modified example may be the same as the method of forming a metal wire according to the first modified example described with reference to FIGS. 6 and 7.
다만, 상기 제4 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법은, 상기 S30 단계에서, 전해도금법을 이용하여 상기 씨드층(300)으로부터 상기 금속 배선(400)을 성장시키되, 전해도금에서 사용되는 전극이 오목부를 가질 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 전극의 오목부는 상기 유리 기판(100)에 형성된 복수의 관통홀(H1, H2) 중 상대적으로 직경이 큰 관통홀(H1)에 대응되도록 형성될 수 있다. 구체적으로, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 유리 기판(100)에 상대적으로 직경이 큰 제1 관통홀(H1) 및 상대적으로 직경이 작은 제2 관통홀(H2)이 형성된 경우 상기 전극의 오목부는 상기 제1 관통홀(H1)과 대응되도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 메니스커스 현상이 발생된 상기 제1 관통홀(H1) 내에 형성되는 상기 금속 배선(400)의 균일성이 향상될 수 있다. However, in the method of forming a metal wire according to the fourth modified example, in step S30, the metal wire 400 is grown from the seed layer 300 using an electroplating method, but the electrode used in electroplating is concave. You can have wealth. According to one embodiment, the concave portion of the electrode may be formed to correspond to a relatively large diameter through hole (H 1 ) among the plurality of through holes (H 1 , H 2 ) formed in the glass substrate 100 . Specifically, as shown in FIG. 10, when a first through hole (H 1 ) with a relatively large diameter and a second through hole (H 2 ) with a relatively small diameter are formed in the glass substrate 100, the electrode The concave portion may be formed to correspond to the first through hole (H 1 ). Accordingly, the uniformity of the metal wiring 400 formed in the first through hole (H 1 ) where the meniscus phenomenon occurs can be improved.
도 11은 본 발명의 제5 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다. FIG. 11 is a diagram for explaining a method of forming a metal wire according to a fifth modification of the present invention.
도 11을 참조하면, 본 발명의 제5 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법은, 복수의 관통홀(H)이 형성된 유리 기판(100) 상에 씨드층(300)을 형성하는 단계(S10), 상기 씨드층(300) 상에 마스크(M)를 배치하는 단계(S20), 상기 씨드층(300)을 성장시켜 상기 유리 기판(100)에 형성된 복수의 관통홀(H) 내에 금속 배선(400)을 형성하는 단계(S30), 및 상기 마스크(M)를 제거하는 단계(S40)를 포함할 수 있다. 즉, 상기 제2 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법은, 도 6 및 도 7을 참조하여 설명된 상기 제1 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법과 같을 수 있다. Referring to FIG. 11, the method of forming a metal wire according to a fifth modified example of the present invention includes forming a seed layer 300 on a glass substrate 100 on which a plurality of through holes H are formed (S10), A step of disposing a mask (M) on the seed layer 300 (S20), growing the seed layer 300 to form a metal wire 400 in the plurality of through holes (H) formed in the glass substrate 100. It may include forming (S30) and removing the mask (S40). That is, the method of forming a metal wire according to the second modified example may be the same as the method of forming a metal wire according to the first modified example described with reference to FIGS. 6 and 7 .
다만, 상기 제5 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법은, 상기 S10 단계에서, 상기 유리 기판(100) 상에 상기 전도성 MOD 잉크 조성물이 도포된 후, 복수의 관통홀(H)을 통해 압력을 인가할 수 있다. 이에 따라, 상기 관통홀(H)에서 발생되는 메니스커스 현상이 감소될 수 있다. 이로 인해, 상기 관통홀(H) 내에 형성되는 금속 배선의 신뢰성이 향상될 수 있다. However, in the method of forming a metal wire according to the fifth modified example, in step S10, after the conductive MOD ink composition is applied on the glass substrate 100, pressure is applied through a plurality of through holes (H). can do. Accordingly, the meniscus phenomenon occurring in the through hole (H) can be reduced. Because of this, the reliability of the metal wiring formed in the through hole (H) can be improved.
도 12는 본 발명의 실시 예에 따른 금속 박막 형성 방법을 통해 형성된 씨드층 및 금속 박막을 촬영한 사진이다. Figure 12 is a photograph of a seed layer and a metal thin film formed through a metal thin film forming method according to an embodiment of the present invention.
도 12를 참조하면, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명된 방법으로 구리 박막을 형성한 후 촬영하였다. 구체적으로 도 12의 (a)는 유리 기판 상에 형성된 구리 씨드층을 나타내고, 도 12의 (b)는 구리 씨드층을 통해 성장된 구리 박막을 나타낸다. 도 12에서 확인할 수 있듯이, 상기 실시 예에 따른 금속 박막 형성 방법을 통해, 유리 기판 상에 구리 박막이 용이하게 형성될 수 있음을 알 수 있다. Referring to Figure 12, a copper thin film was formed by the method described with reference to Figures 1 to 3 and then photographed. Specifically, Figure 12 (a) shows a copper seed layer formed on a glass substrate, and Figure 12 (b) shows a copper thin film grown through the copper seed layer. As can be seen in FIG. 12, it can be seen that a copper thin film can be easily formed on a glass substrate through the metal thin film forming method according to the above embodiment.
도 13은 본 발명의 제1 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법을 통해 금속 배선이 형성되는 과정을 촬영한 사진이다. Figure 13 is a photograph taken of the process of forming a metal wire through the metal wire forming method according to the first modified example of the present invention.
도 13을 참조하면, 도 6 및 도 7을 참조하여 설명된 방법으로 유리 기판의 관통홀 내에 구리 배선을 형성한 후 촬영하였다. 구체적으로, 도 13의 (a)는 관통홀의 표면에 구리 씨드층이 형성된 상태를 나타내고, 도 13의 (b) 및 (c)는 구리 씨드층을 통해 형성된 구리 배선을 나타낸다. 도 13에서 확인할 수 있듯이, 상기 제1 변형 예에 따른 금속 배선 형성 방법을 통해, 유리 기판의 관통홀 내에 구리 배선이 용이하게 형성될 수 있음을 알 수 있다. Referring to FIG. 13, a photo was taken after forming a copper wire in a through hole of a glass substrate using the method described with reference to FIGS. 6 and 7. Specifically, Figure 13 (a) shows a copper seed layer formed on the surface of the through hole, and Figures 13 (b) and (c) show copper wiring formed through the copper seed layer. As can be seen in FIG. 13, it can be seen that a copper wire can be easily formed in a through hole of a glass substrate through the method of forming a metal wire according to the first modified example.
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.Above, the present invention has been described in detail using preferred embodiments, but the scope of the present invention is not limited to the specific embodiments and should be interpreted in accordance with the appended claims. Additionally, those skilled in the art should understand that many modifications and variations are possible without departing from the scope of the present invention.
100: 유리 기판
200: 예비 씨드층
300: 씨드층
400: 금속 배선
IK: 전도성 MOD 잉크 조성물
M: 마스크
H: 관통홀100: glass substrate
200: preliminary seed layer
300: Seed layer
400: metal wiring
IK: Conductive MOD ink composition
M: mask
H: Through hole
Claims (5)
상기 유리 기판 상에, 금속 이온을 포함하는 전도성 MOD(Metal Organic Decomposition) 잉크 조성물을 도포하는 단계;
상기 전도성 MOD 잉크 조성물이 도포된 상기 유리 기판 상에 제1 출력을 갖는 제1 레이저를 조사하여, 상기 금속 이온이 환원된 금속 입자를 포함하는 예비 씨드층(seed layer)을 형성하는 단계; 및
상기 예비 씨드층이 형성된 상기 유리 기판 상에 상기 제1 출력보다 높은 제2 출력을 갖는 제2 레이저를 조사하여, 상기 금속 이온이 환원된 금속 입자 중 일부가 상기 유리 기판 내로 침투된 씨드층을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 유리 기판 상에 상기 전도성 MOD 잉크 조성물을 도포하는 단계 이전, 상기 유리 기판의 표면에 요철 구조를 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 전도성 MOD 잉크 조성물은, 제1 전도성 MOD 잉크 조성물, 및 상기 제1 전도성 MOD 잉크 조성물보다 점도가 낮은 제2 전도성 MOD 잉크 조성물을 포함하고,
상기 유리 기판 상에 상기 전도성 MOD 잉크 조성물을 도포하는 단계에서, 상기 유리 기판 상에, 상기 제1 전도성 MOD 잉크 조성물이 코팅된 후, 상기 제2 전도성 MOD 잉크 조성물이 코팅되는 것을 포함하는 금속 박막 형성 방법.
Preparing a glass substrate;
Applying a conductive MOD (Metal Organic Decomposition) ink composition containing metal ions on the glass substrate;
forming a preliminary seed layer including metal particles in which the metal ions are reduced by irradiating a first laser having a first output on the glass substrate coated with the conductive MOD ink composition; and
A second laser having a second output higher than the first output is irradiated on the glass substrate on which the preliminary seed layer is formed, thereby forming a seed layer in which some of the metal particles in which the metal ions are reduced have penetrated into the glass substrate. Including the steps of:
Before applying the conductive MOD ink composition on the glass substrate, further comprising forming a concavo-convex structure on the surface of the glass substrate,
The conductive MOD ink composition includes a first conductive MOD ink composition, and a second conductive MOD ink composition having a lower viscosity than the first conductive MOD ink composition,
In the step of applying the conductive MOD ink composition on the glass substrate, forming a metal thin film comprising coating the first conductive MOD ink composition on the glass substrate and then coating the second conductive MOD ink composition. method.
상기 씨드층을 형성하는 단계에서, 상기 예비 씨드층에 상기 제2 레이저가 조사되는 경우 상기 예비 씨드층과 접촉된 상기 유리 기판의 표면이 용융되고,
용융된 상기 유리 기판의 표면으로 상기 금속 입자 중 일부가 침투되는 것을 포함하는 금속 박막 형성 방법.
According to claim 1,
In the step of forming the seed layer, when the second laser is irradiated to the preliminary seed layer, the surface of the glass substrate in contact with the preliminary seed layer is melted,
A method of forming a metal thin film comprising infiltrating some of the metal particles into the molten surface of the glass substrate.
상기 씨드층과 상기 유리 기판 사이의 접착력은 상기 예비 씨드층과 상기 유리 기판 사이의 접착력보다 강한 것을 포함하고,
상기 유리 기판은, 열팽창률이 4 ppm/K 미만인 것을 포함하며,
상기 제1 레이저 및 상기 제2 레이저는 하나의 레이저로 이루어지고, 상기 레이저가 조사되는 초기 시간 동안 상기 제1 레이저에 의한 효과가 나타나는 것을 포함하고,
상기 금속 이온은, 구리 이온을 포함하고,
상기 전도성 MOD 잉크 조성물은, 구리 전구체와 포름산이 반응하여 형성된 구리 포메이트, 및 리간드로서 아민기를 포함하는 구리 포메이트-아민 잉크를 포함하고,
상기 유기 기판을 준비하는 단계 이후 상기 전도성 MOD 잉크 조성물을 도포하는 단계 이전, 상기 유리 기판을 UV ozone 처리하는 단계를 더 포함하고,
상기 전도성 MOD 잉크 조성물을 도포하는 단계 이후 상기 예비 씨드층을 형성하는 단계 이전, 상기 유리 기판 상에 도포된 상기 전도성 MOD 잉크 조성물을 열처리하여, 상기 전도성 MOD 잉크 조성물 내 용매를 제거하는 단계를 더 포함하는 금속 박막 형성 방법.
According to claim 1,
The adhesive force between the seed layer and the glass substrate is stronger than the adhesive force between the preliminary seed layer and the glass substrate,
The glass substrate includes a thermal expansion coefficient of less than 4 ppm/K,
The first laser and the second laser are composed of one laser, and the effect of the first laser appears during the initial time when the laser is irradiated,
The metal ions include copper ions,
The conductive MOD ink composition includes copper formate formed by reacting a copper precursor and formic acid, and a copper formate-amine ink containing an amine group as a ligand,
After preparing the organic substrate and before applying the conductive MOD ink composition, it further includes UV ozone treatment of the glass substrate,
After applying the conductive MOD ink composition and before forming the preliminary seed layer, the method further includes heat treating the conductive MOD ink composition applied on the glass substrate to remove the solvent in the conductive MOD ink composition. A method of forming a metal thin film.
상기 씨드층 상에 마스크를 배치하는 단계; 및
상기 씨드층을 성장시켜 상기 유리 기판에 형성된 복수의 관통홀 내에 금속 배선을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 씨드층을 성장시켜 상기 유리 기판에 형성된 복수의 관통홀 내에 상기 금속 배선을 형성하는 단계는, 전해도금법을 이용하여 상기 씨드층으로부터 상기 금속 배선을 성장시키는 것을 포함하고,
상기 유리 기판의 복수의 관통홀의 직경에 따라서, 전해도금법에 이용되는 전극의 형상 및 배치가 상이하게 제어되는 것을 포함하는 금속 배선의 제조 방법.
Forming the seed layer according to claim 1 on a glass substrate having a plurality of through holes formed thereon;
Placing a mask on the seed layer; and
Growing the seed layer to form metal wiring within a plurality of through holes formed in the glass substrate,
The step of growing the seed layer to form the metal wire within a plurality of through holes formed in the glass substrate includes growing the metal wire from the seed layer using an electroplating method,
A method of manufacturing a metal wiring, including controlling the shape and arrangement of electrodes used in electroplating to be different depending on the diameters of the plurality of through holes in the glass substrate.
복수의 관통홀이 형성된 상기 유리 기판 상에 상기 씨드층을 형성하는 단계는, 복수의 관통홀이 형성된 상기 유리 기판 상에 전도성 MOD(Metal Organic Decomposition) 잉크 조성물을 도포하는 단계를 포함하고,
복수의 관통홀이 형성된 상기 유리 기판 상에 상기 전도성 MOD 잉크 조성물을 도포한 후에, 상기 유리 기판의 복수의 관통홀을 통해 압력이 인가되는 것을 포함하는 금속 배선의 제조 방법.According to clause 4,
The step of forming the seed layer on the glass substrate on which the plurality of through holes is formed includes applying a conductive MOD (Metal Organic Decomposition) ink composition on the glass substrate on which the plurality of through holes are formed,
A method of manufacturing a metal wiring comprising applying the conductive MOD ink composition on the glass substrate in which a plurality of through holes are formed, and then applying pressure through the plurality of through holes in the glass substrate.
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