KR102648699B1

KR102648699B1 - Appratus for testing semiconductor device

Info

Publication number: KR102648699B1
Application number: KR1020220176499A
Authority: KR
Inventors: 최병규; 슌이치 무토; 이치 무토
Original assignee: 최병규; 이치 무토
Priority date: 2022-12-16
Filing date: 2022-12-16
Publication date: 2024-03-19

Abstract

일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 장치는, 전류의 방향에 따라 가열면 또는 냉각면으로 전환되는 양측 면을 갖는 열전 소자 모듈, 상기 열전 소자 모듈의 상부에 배치되며 상기 열전 소자 모듈을 냉각하는 방열 모듈 및 상기 열전 소자 모듈의 하부에 배치되며 홀더에 탑재된 테스트 대상 소자와 접촉하여 상기 테스트 대상 소자를 가열하거나 냉각하는 푸셔 모듈을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 방열 모듈은 탑 플레이트, 제1 미들 플레이트, 제2 미들 플레이트, 바텀 플레이트를 포함할 수 있다.A semiconductor device test device according to an embodiment includes a thermoelectric device module having both sides that are converted into a heating surface or a cooling surface depending on the direction of the current, and a heat dissipation module disposed on an upper part of the thermoelectric device module and cooling the thermoelectric device module. And it may include a pusher module disposed below the thermoelectric element module and contacting the test subject element mounted on a holder to heat or cool the test subject element. In one embodiment, the heat dissipation module may include a top plate, a first middle plate, a second middle plate, and a bottom plate.

Description

Semiconductor device test device {APPRATUS FOR TESTING SEMICONDUCTOR DEVICE}

본 명세서는 반도체 소자 테스트 장치에 관한 것이다.This specification relates to a semiconductor device test device.

반도체 소자는 저온이나 고온의 환경에서도 전기적인 특성을 유지할 수 있어야 한다. 따라서 반도체 소자의 제조 과정에서는 저온 또는 고온 환경에서 반도체 소자의 전기적인 특성에 대한 테스트가 수행된다.Semiconductor devices must be able to maintain their electrical characteristics even in low or high temperature environments. Therefore, during the manufacturing process of semiconductor devices, tests are performed on the electrical characteristics of the semiconductor devices in a low or high temperature environment.

반도체 소자의 테스트를 위한 테스트 장치는 열전 소자를 구비할 수 있다. 열전 소자의 하단부에 설치된 푸셔는 반도체 소자의 상단에 직접 접촉된다. 열전 소자의 구동을 제어함으로써 푸셔의 온도를 조절할 수 있다. A test device for testing semiconductor devices may include a thermoelectric device. The pusher installed at the bottom of the thermoelectric element is in direct contact with the top of the semiconductor element. The temperature of the pusher can be adjusted by controlling the operation of the thermoelectric element.

반도체 소자 테스트 장치에 사용되는 열전 소자의 대표적인 예는 펠티어(peltier) 소자이다. 열전 소자에 전류가 공급되면 열전 소자의 일측에서는 열이 흡수되고 타측에서는 열이 방출된다. 이러한 열전 소자의 특성을 이용하여 반도체 소자에 열을 가하거나 반도체 소자를 냉각시킨 상태에서 반도체 소자의 전기적인 특성에 대한 테스트가 수행될 수 있다. A representative example of a thermoelectric element used in a semiconductor device test device is a Peltier element. When current is supplied to the thermoelectric element, heat is absorbed from one side of the thermoelectric element and heat is emitted from the other side. Using the characteristics of these thermoelectric devices, tests on the electrical characteristics of the semiconductor device can be performed by applying heat to the semiconductor device or cooling the semiconductor device.

전술한 바와 같이 열전 소자를 포함하는 반도체 소자 테스트 장치를 이용하여 반도체 소자를 냉각시킬 때, 열전 소자 하단부의 온도가 낮아질수록 보다 넓은 온도 범위에서 반도체 소자를 테스트할 수 있다. 열전 소자 하단부의 온도가 낮아질수록 열전 소자 상단부의 온도는 높아진다. 따라서 열전 소자 하단부의 온도를 보다 낮추어 반도체 소자 테스트 장치의 냉각 성능을 높이기 위해서는 열전 소자 상단부에 대한 방열 성능을 높일 필요가 있다.As described above, when cooling a semiconductor device using a semiconductor device test device including a thermoelectric device, the lower the temperature of the lower part of the thermoelectric device, the more the semiconductor device can be tested over a wider temperature range. As the temperature of the lower part of the thermoelectric element decreases, the temperature of the upper part of the thermoelectric element increases. Therefore, in order to increase the cooling performance of the semiconductor device test device by lowering the temperature of the lower part of the thermoelectric element, it is necessary to increase the heat dissipation performance of the upper part of the thermoelectric element.

한편, 열전 소자를 포함하는 반도체 소자 테스트 장치를 이용하여 반도체 소자를 가열하거나 냉각할 때, 반도체 소자 테스트 장치의 가열 또는 냉각 성능을 높이기 위해서는 열전 소자 하단부에서 발생하는 열기나 냉기가 손실없이 그대로 반도체 소자에 전달되는 것이 바람직하다. 그러나 반도체 소자 테스트 장치의 구조 및 재질 상의 문제로 인하여 열전 소자 하단부에서 발생하는 열기나 냉기가 반도체 소자에 전달되는 과정에서 손실되는 문제가 있다.Meanwhile, when heating or cooling a semiconductor device using a semiconductor device test device including a thermoelectric device, in order to increase the heating or cooling performance of the semiconductor device test device, the heat or cold generated at the bottom of the thermoelectric device is transferred to the semiconductor device without loss. It is desirable that it be delivered to . However, due to problems with the structure and materials of the semiconductor device test device, there is a problem that heat or cold generated at the bottom of the thermoelectric device is lost in the process of being transmitted to the semiconductor device.

본 명세서의 목적은 열전 소자 상단부에 대한 방열 성능을 높임으로써 반도체 소자의 테스트 과정에서 열전 소자 하단부의 온도를 종래에 비해 보다 낮게 유지시킬 수 있는 반도체 소자 테스트 장치를 제공하는 것이다.The purpose of this specification is to provide a semiconductor device test device that can maintain the temperature of the lower part of the thermoelectric element lower than before during the test process of the semiconductor device by increasing the heat dissipation performance of the upper part of the thermoelectric element.

본 명세서의 다른 목적은 열전 소자 하단부에서 발생하는 열기나 냉기가 반도체 소자에 전달되지 못하고 손실되는 양을 줄임으로써 반도체 소자에 대한 가열 성능 또는 냉각 성능이 향상되는 반도체 소자 테스트 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present specification is to provide a semiconductor device test device that improves the heating or cooling performance of the semiconductor device by reducing the amount of heat or cold generated at the bottom of the thermoelectric device that is not transmitted to the semiconductor device and is lost.

본 명세서의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 명세서의 다른 목적 및 장점들은 이하에서 기술되는 본 명세서의 실시예에 의해 보다 분명하게 이해될 것이다. 또한, 본 명세서의 목적 및 장점들은 청구범위에 기재된 구성요소들 및 그 조합에 의해 실현될 수 있다.The purpose of the present specification is not limited to the purposes mentioned above, and other purposes and advantages of the present specification that are not mentioned will be more clearly understood by the examples of the present specification described below. Additionally, the objects and advantages of the present specification can be realized by the components and combinations thereof described in the claims.

일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 장치는, 어퍼 하우징, 상기 어퍼 하우징의 하측에 결합되어 수용 공간을 형성하는 로어 하우징, 상기 수용 공간에 수용되고 전류의 방향에 따라 가열면 또는 냉각면으로 전환되는 양측 면을 갖는 열전 소자 모듈, 상기 수용 공간에 수용되고 상기 열전 소자 모듈의 상부에 배치되며 상기 열전 소자 모듈을 냉각하는 방열 모듈, 상기 수용 공간에 수용되고 상기 열전 소자 모듈의 하부에 배치되며 홀더에 탑재된 테스트 대상 소자와 접촉하여 상기 테스트 대상 소자를 가열하거나 냉각하는 푸셔 모듈 및 상기 로어 하우징의 하부면에 배치되며 상기 로어 하우징과 결합되는 커버를 포함할 수 있다.A semiconductor device test device according to an embodiment includes an upper housing, a lower housing coupled to the lower side of the upper housing to form an accommodating space, and two sides that are accommodated in the accommodating space and are converted into a heating surface or a cooling surface depending on the direction of the current. A thermoelectric element module having a surface, a heat dissipation module accommodated in the receiving space, disposed on an upper part of the thermoelectric element module, and cooling the thermoelectric element module, accommodated in the receiving space, disposed below the thermoelectric element module, and mounted on a holder. It may include a pusher module that contacts the tested element and heats or cools the tested element, and a cover disposed on the lower surface of the lower housing and coupled to the lower housing.

일 실시예에서, 상기 로어 하우징과 상기 커버 사이에는 단열 공간이 형성될 수 있다.In one embodiment, an insulating space may be formed between the lower housing and the cover.

일 실시예에서, 상기 방열 모듈은, 상기 열전 소자 모듈의 상부와 접촉하며 상기 열전 소자 모듈과의 열 교환을 위한 냉매가 유동하는 제3 냉매 유동 영역을 포함하는 바텀 플레이트, 상기 바텀 플레이트의 상부에 결합되며 상기 냉매의 수직 방향으로의 유동을 위한 제2 수직 통로부 및 제3 수직 통로부를 포함하는 제2 미들 플레이트, 상기 제2 미들 플레이트의 상부에 결합되며 상기 냉매의 수직 방향으로의 유동을 위한 제1 수직 통로부 및 상기 냉매가 유동하는 제2 냉매 유동 영역을 포함하는 제1 미들 플레이트 및 상기 제1 미들 플레이트의 상부에 결합되며 상기 냉매가 유동하는 제1 냉매 유동 영역을 포함하는 탑 플레이트를 포함할 수 있다.In one embodiment, the heat dissipation module is a bottom plate that contacts the upper part of the thermoelectric element module and includes a third refrigerant flow area through which the refrigerant for heat exchange with the thermoelectric element module flows, and is located on the upper part of the bottom plate. A second middle plate coupled to the top of the second middle plate and including a second vertical passage portion and a third vertical passage portion for the vertical flow of the refrigerant, and a second middle plate for the vertical flow of the refrigerant. A first middle plate including a first vertical passage portion and a second refrigerant flow region through which the refrigerant flows, and a top plate coupled to an upper part of the first middle plate and including a first refrigerant flow region through which the refrigerant flows. It can be included.

실시예들에 따르면, 반도체 소자 테스트 장치의 열전 소자 상단부에 대한 방열 성능을 높임으로써 반도체 소자 테스트 장치를 이용한 반도체 소자의 테스트 과정에서 열전 소자 하단부의 온도를 종래에 비해 보다 낮게 유지시킬 수 있다. 따라서 보다 넓은 온도 범위에서 반도체 소자에 대한 테스트가 수행될 수 있다.According to embodiments, by increasing the heat dissipation performance of the upper part of the thermoelectric element of the semiconductor device test apparatus, the temperature of the lower part of the thermoelectric element can be maintained lower than before during the test of the semiconductor device using the semiconductor device test apparatus. Therefore, tests on semiconductor devices can be performed over a wider temperature range.

실시예들에 따르면, 반도체 소자 테스트 장치의 열전 소자 하단부에서 발생하는 열기나 냉기가 반도체 소자에 전달되지 못하고 손실되는 양을 줄임으로써 반도체 소자에 대한 가열 성능 또는 냉각 성능이 향상되고 보다 넓은 온도 범위에서 반도체 소자에 대한 테스트가 수행될 수 있다.According to embodiments, the heating or cooling performance of the semiconductor device is improved by reducing the amount of heat or cold generated at the bottom of the thermoelectric element of the semiconductor device test device and lost without being transmitted to the semiconductor device, and over a wider temperature range. Tests on semiconductor devices can be performed.

도 1은 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 반도체 소자 테스트 장치의 분해 사시도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 탑 플레이트의 상부를 나타내는 사시도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 탑 플레이트의 하부를 나타내는 사시도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 제1 미들 플레이트의 상부를 나타내는 사시도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 제1 미들 플레이트의 하부를 나타내는 사시도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 제2 미들 플레이트의 상부를 나타내는 사시도이다.
도 8은 일 실시예에 따른 제2 미들 플레이트의 하부를 나타내는 사시도이다.
도 9는 일 실시예에 따른 바텀 플레이트의 상부를 나타내는 사시도이다.
도 10은 일 실시예에 따른 로어 하우징의 하부면에 배치되는 단열 구조체를 나타낸다.
도 11은 다른 실시예에 따른 로어 하우징의 하부면에 배치되는 단열 구조체를 나타낸다.1 is a perspective view of a semiconductor device testing apparatus according to an embodiment.
FIG. 2 is an exploded perspective view of the semiconductor device test device shown in FIG. 1.
Figure 3 is a perspective view showing the upper part of the top plate according to one embodiment.
Figure 4 is a perspective view showing the lower part of the top plate according to one embodiment.
Figure 5 is a perspective view showing the upper part of the first middle plate according to one embodiment.
Figure 6 is a perspective view showing the lower part of the first middle plate according to one embodiment.
Figure 7 is a perspective view showing the upper part of the second middle plate according to one embodiment.
Figure 8 is a perspective view showing the lower part of the second middle plate according to one embodiment.
Figure 9 is a perspective view showing the upper part of the bottom plate according to one embodiment.
Figure 10 shows an insulation structure disposed on the lower surface of the lower housing according to one embodiment.
Figure 11 shows an insulation structure disposed on the lower surface of a lower housing according to another embodiment.

전술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 후술되며, 이에 따라 본 명세서가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 명세서의 실시예들을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 명세서를 설명함에 있어서 본 명세서와 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명을 생략한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일 또는 유사한 구성요소를 가리킨다.The above-mentioned objectives, features and advantages will be described in detail later with reference to the attached drawings, and thus, those skilled in the art will be able to easily implement the embodiments of the present specification. In describing the present specification, if it is determined that a detailed description of known technology related to the present specification may unnecessarily obscure the gist of the present specification, the detailed description will be omitted. Hereinafter, preferred embodiments of the present specification will be described in detail with reference to the attached drawings. In the drawings, identical reference numerals indicate identical or similar components.

도 1은 일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 장치의 사시도이다. 또한 도 2는 도 1에 도시된 반도체 소자 테스트 장치의 분해 사시도이다.1 is a perspective view of a semiconductor device testing apparatus according to an embodiment. Additionally, FIG. 2 is an exploded perspective view of the semiconductor device test device shown in FIG. 1.

일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 장치(A)는 홀더(3)에 탑재되는 테스트 대상 소자(4)(예컨대, 반도체 소자)와 접촉되어 테스트 대상 소자(4)에 열을 가하거나 테스트 대상 소자(4)를 냉각시킨다.The semiconductor device test device (A) according to one embodiment is in contact with the test target device 4 (e.g., semiconductor device) mounted on the holder 3 to apply heat to the test target device 4 or to test the test target device ( 4) Cool down.

테스트 대상 소자(4)는 홀더(3)에 탑재된 상태에서 트레이(2)에 배치된다. 테스트 대상 소자(4)가 외부로 노출되도록 홀더(3)에는 홀이 관통 형성될 수 있다. 트레이(2)는 로딩 플레이트(1)에 적재된 상태에서 테스트를 위한 핸들러(미도시)의 하부로 이송될 수 있다. The device under test (4) is placed on the tray (2) while being mounted on the holder (3). A hole may be formed through the holder 3 so that the device under test 4 is exposed to the outside. The tray 2 may be transported to the lower part of a handler (not shown) for testing while being loaded on the loading plate 1.

핸들러(미도시)는 테스트 대상 소자(4)가 탑재된 트레이(2)의 상부에 배치될 수 있다. 핸들러(미도시)는 테스트 대상 소자(4)의 테스트를 위해 하강하며, 반도체 소자 테스트 장치(A)의 푸셔 모듈(600) 중 일부분이 홀더(3)의 홀에 삽입됨으로써 푸셔 모듈(600)이 테스트 대상 소자(4)에 접촉된다.A handler (not shown) may be placed on top of the tray 2 on which the device under test 4 is mounted. The handler (not shown) descends to test the device under test (4), and a portion of the pusher module 600 of the semiconductor device test device (A) is inserted into the hole of the holder (3), thereby causing the pusher module (600) to It contacts the element under test (4).

일 실시예에 따른 반도체 소자 테스트 장치(A)는 외관을 형성하는 어퍼 하우징(100) 및 로어 하우징(200)과, 어퍼 하우징(100) 및 로어 하우징(200)의 내부에 형성되는 수용 공간에 수용되며 전류의 방향에 따라 가열면 또는 냉각면으로 전환되는 양측 면을 갖는 열전 소자 모듈(500), 어퍼 하우징(100) 및 로어 하우징(200)의 내부에 형성되는 수용 공간에 수용되며 열전 소자 모듈(500)의 상부에 배치되어 열전 소자 모듈(500)을 냉각하는 방열 모듈(400), 열전 소자 모듈(500)의 하부에 배치되며 테스트 반도체 소자에 접촉되는 푸셔 모듈(600)을 포함할 수 있다.The semiconductor device test device (A) according to one embodiment is accommodated in an upper housing 100 and a lower housing 200 that form the exterior, and an accommodating space formed inside the upper housing 100 and the lower housing 200. It is accommodated in the receiving space formed inside the thermoelectric element module 500, the upper housing 100, and the lower housing 200, and has both sides that are converted into a heating surface or a cooling surface depending on the direction of the current, and the thermoelectric element module ( It may include a heat dissipation module 400 disposed on the upper part of the thermoelectric element module 500 to cool the thermoelectric element module 500, and a pusher module 600 disposed below the thermoelectric element module 500 and in contact with the test semiconductor element.

어퍼 하우징(100)은 하부면이 개방된 육면체 형상을 가진다. 어퍼 하우징(100)의 하부에 로어 하우징(200)이 결합되고, 내부에 탄성부재(300), 방열 모듈(400) 및 열전 소자 모듈(500)이 수납될 수 있다.The upper housing 100 has a hexahedral shape with an open lower surface. The lower housing 200 is coupled to the lower part of the upper housing 100, and an elastic member 300, a heat dissipation module 400, and a thermoelectric element module 500 can be accommodated therein.

어퍼 하우징(100)의 내부에는 방열 모듈(400)이 삽입되는 수용 공간(110)이 형성된다. 또한, 어퍼 하우징(100)의 일측면에는 방열 모듈(400)의 일부를 외부로 노출시키기 위한 개구부(130)가 형성된다.An accommodating space 110 into which the heat dissipation module 400 is inserted is formed inside the upper housing 100. Additionally, an opening 130 is formed on one side of the upper housing 100 to expose a portion of the heat dissipation module 400 to the outside.

수용 공간(110)에는 탄성부재(300) 및 방열 모듈(400)이 수용된다. 수용 공간(110)은 어퍼 하우징(100)의 내부에서 상측을 향해 오목하게 형성된다. 수용 공간(110)은 방열 모듈(400)의 형상에 대응하는 형상을 가질 수 있다. 수용 공간(110)에 탄성부재(300)가 삽입된 상태에서 방열 모듈(400)이 수용될 수 있다.The elastic member 300 and the heat dissipation module 400 are accommodated in the accommodation space 110. The receiving space 110 is formed concavely toward the top inside the upper housing 100. The receiving space 110 may have a shape corresponding to the shape of the heat dissipation module 400. The heat dissipation module 400 may be accommodated with the elastic member 300 inserted into the accommodation space 110 .

개구부(130)는 어퍼 하우징(100)의 측면 일측에 형성된다. 개구부(130)를 통해서 방열 모듈(400)의 일부가 어퍼 하우징(100)의 외부로 노출될 수 있다.The opening 130 is formed on one side of the upper housing 100. A portion of the heat dissipation module 400 may be exposed to the outside of the upper housing 100 through the opening 130.

탄성부재(300)는 일 방향으로 볼록하게 돌출된 형태를 갖는다. 탄성부재(300)는 중앙 부분이 일 방향으로 돌출된 형태를 갖는 판 스프링일 수 있다. 예컨대 탄성부재(300)의 상부는 오목한 형상을 가지며 탄성부재(300)의 하부는 볼록한 형상을 가질 수 있다.The elastic member 300 has a shape that protrudes convexly in one direction. The elastic member 300 may be a leaf spring whose central portion protrudes in one direction. For example, the upper part of the elastic member 300 may have a concave shape and the lower part of the elastic member 300 may have a convex shape.

탄성부재(300)의 돌출된 중앙 부분은 방열 모듈(400)을 향하도록 배치될 수 있다. 따라서 탄성부재(300)가 삽입공간(110)과 방열 모듈(400)의 사이에 배치되면, 삽입공간(110) 내에서 어퍼 하우징(100)에 의해서 탄성부재(300)가 눌리면서 탄성부재(300)가 방열 모듈(400)의 상부를 가압하게 된다. 이에 따라서 방열 모듈(400)이 방열 모듈(400)의 하부에 배치되는 열전 소자 모듈(500) 방향으로 가압되면서 방열 모듈(400)과 열전 소자 모듈(500)이 보다 견고하게 밀착될 수 있다.The protruding central portion of the elastic member 300 may be arranged to face the heat dissipation module 400. Therefore, when the elastic member 300 is disposed between the insertion space 110 and the heat dissipation module 400, the elastic member 300 is pressed by the upper housing 100 within the insertion space 110 and the elastic member 300 The upper part of the heat dissipation module 400 is pressed. Accordingly, the heat dissipation module 400 is pressed in the direction of the thermoelectric element module 500 disposed below the heat dissipation module 400, and the heat dissipation module 400 and the thermoelectric element module 500 can be brought into closer contact more firmly.

특히 테스트 대상 소자(4)에 대한 테스트 과정에서 열전 소자 모듈(500)이나 푸셔 모듈(600)의 열팽창으로 인하여 열전 소자 모듈(500)이 밀리거나 움직이게 되더라도 탄성부재(300)에 의해서 방열 모듈(400)이 가압되므로 방열 모듈(400)과 열전 소자 모듈(500)의 밀착 상태가 보다 안정적으로 유지될 수 있다.In particular, even if the thermoelectric element module 500 is pushed or moved due to thermal expansion of the thermoelectric element module 500 or the pusher module 600 during the test process for the element to be tested 4, the heat dissipation module 400 is maintained by the elastic member 300. ) is pressurized, so the close contact between the heat dissipation module 400 and the thermoelectric element module 500 can be maintained more stably.

일 실시예에서, 탄성부재(300)는 X자 형상으로 형성될 수 있다. 탄성부재(300)가 X자 형상으로 형성되면 삽입공간(110) 내에서 어퍼 하우징(100)에 의해서 탄성부재(300)의 상부면이 가압될 때 탄성부재(300)의 중앙 부분으로 보다 많은 힘이 전달되므로, 탄성부재(300)가 사각형일때에 비해서 방열 모듈(400)에 대한 가압력이 보다 높아질 수 있다.In one embodiment, the elastic member 300 may be formed in an X-shape. When the elastic member 300 is formed in an Since this is transmitted, the pressing force on the heat dissipation module 400 can be higher than when the elastic member 300 is square.

또한 탄성부재(300)가 X자 형상으로 형성되면 탄성부재(300)가 사각형일때에 비해서 탄성부재(300)의 중앙 부분으로 보다 많은 힘이 전달되므로 탄성부재(300)가 방열 모듈(400)을 가압할 때 가압력이 분산되는 것을 방지하고 방열 모듈(400)의 상부면이 균일하게 가압되는 효과가 있다.In addition, when the elastic member 300 is formed in an This has the effect of preventing the pressing force from dispersing when applying pressure and ensuring that the upper surface of the heat dissipation module 400 is pressed evenly.

다른 실시예에서, 탄성부재(300)는 직사각형 또는 정사각형 형상을 가질 수도 있다.In another embodiment, the elastic member 300 may have a rectangular or square shape.

로어 하우징(200)은 어퍼 하우징(100)의 하부에 결합되며, 상부면이 개방된 육면체 형상이다. 로어 하우징(200)의 내부에는 후술할 푸셔 모듈(600)의 푸셔 베이스(612) 형상에 대응하는 형상을 갖는 수용 공간(210)이 형성된다. 수용 공간(210)의 하부면에는 푸셔 모듈(600)의 일부가 삽입되어 외측으로 돌출될 수 있도록 관통 홀(230)이 형성된다. 관통 홀(230)은 로어 하우징(200)의 하면 중앙에 관통 형성된다. 관통 홀(230)의 형상은 후술할 푸셔 모듈(600)의 커넥터(616) 형상에 대응된다.The lower housing 200 is coupled to the lower part of the upper housing 100 and has a hexahedral shape with an open upper surface. An accommodating space 210 having a shape corresponding to the shape of the pusher base 612 of the pusher module 600, which will be described later, is formed inside the lower housing 200. A through hole 230 is formed in the lower surface of the receiving space 210 so that a portion of the pusher module 600 can be inserted and protrude outward. The through hole 230 is formed through the center of the lower surface of the lower housing 200. The shape of the through hole 230 corresponds to the shape of the connector 616 of the pusher module 600, which will be described later.

로어 하우징(200)의 측면 일측에는 개구부(250)가 형성된다. 개구부(250)를 통해서 온도 센서(701)가 외부로 노출될 수 있다.An opening 250 is formed on one side of the lower housing 200. The temperature sensor 701 may be exposed to the outside through the opening 250.

로어 하우징(200)의 상부면에는 어퍼 하우징(100)을 향해 형성된 복수의 홈 또는 홀(270)이 형성될 수 있다. 도면에는 도시되지 않았으나 어퍼 하우징(100)의 하부면에는 로어 하우징(200)의 상부면에 형성된 복수의 홈 또는 홀(270)과 대응되되록 복수의 홈 또는 홀이 형성될 수 있다. 복수의 홈 또는 홀(270)에 각각 체결부재가 삽입됨으로써 로어 하우징(200)과 어퍼 하우징(100)이 결합될 수 있다. 예를 들어, 체결부재로 볼 플런저가 사용될 수 있다.A plurality of grooves or holes 270 may be formed on the upper surface of the lower housing 200 toward the upper housing 100 . Although not shown in the drawing, a plurality of grooves or holes may be formed on the lower surface of the upper housing 100 to correspond to the plurality of grooves or holes 270 formed on the upper surface of the lower housing 200. The lower housing 200 and the upper housing 100 may be coupled by inserting fastening members into each of the plurality of grooves or holes 270. For example, a ball plunger may be used as a fastening member.

어퍼 하우징(100) 및 로어 하우징(200)은 높은 온도의 녹는점을 갖는 플라스틱이나 수지 재질로 만들어질 수 있다. 어퍼 하우징(100) 및 로어 하우징(200)은 열전 소자 모듈(500)의 가열면이 가열되는 온도에서 변형되거나 녹지 않는 재질인 것이 바람직하다. 예를 들어, 어퍼 하우징(100) 및 로어 하우징(200)은 피크(PEEK) 재질로 만들어질 수 있다. 또한, 어퍼 하우징(100) 및 로어 하우징(200)은 사출 성형에 의해 만들어질 수 있다.The upper housing 100 and the lower housing 200 may be made of plastic or resin material with a high melting point. The upper housing 100 and the lower housing 200 are preferably made of a material that does not deform or melt at the temperature at which the heating surface of the thermoelectric element module 500 is heated. For example, the upper housing 100 and the lower housing 200 may be made of PEEK material. Additionally, the upper housing 100 and lower housing 200 may be made by injection molding.

열전 소자 모듈(500)은 하나 이상의 펠티어 소자를 포함할 수 있다. 열전 소자 모듈(500)은 전류의 방향에 따라 가열면 또는 냉각면으로 전환되는 양측 면, 즉 상부면 및 하부면을 가진다.The thermoelectric element module 500 may include one or more Peltier elements. The thermoelectric element module 500 has two sides, that is, an upper surface and a lower surface, that are converted into a heating surface or a cooling surface depending on the direction of the current.

푸셔 모듈(600), 열전 소자 모듈(500) 또는 방열 모듈(400) 중 적어도 하나에는 온도 센서가 배치될 수 있다. 일 예로, 푸셔 모듈(600)의 일측에는 온도 센서(700)가 배치될 수 있다. 다른 예로, 열전 소자 모듈(500)의 하부면의 일측이나 열전 소자 모듈(500)의 상부면의 일측에도 온도 센서가 배치될 수 있다. 온도 센서를 통해서 측정되는 온도값을 참조로 열전 소자 모듈(500)의 구동이 제어될 수 있다.A temperature sensor may be disposed in at least one of the pusher module 600, the thermoelectric element module 500, and the heat dissipation module 400. As an example, a temperature sensor 700 may be placed on one side of the pusher module 600. As another example, a temperature sensor may be placed on one side of the lower surface of the thermoelectric element module 500 or on one side of the upper surface of the thermoelectric element module 500. The operation of the thermoelectric element module 500 may be controlled with reference to the temperature value measured through the temperature sensor.

일 실시예에서, 방열 모듈(400)은 순차적으로 적층되는 탑 플레이트(410), 제1 미들 플레이트(420), 제2 미들 플레이트(430), 바텀 플레이트(440)를 포함할 수 있다. In one embodiment, the heat dissipation module 400 may include a top plate 410, a first middle plate 420, a second middle plate 430, and a bottom plate 440 that are sequentially stacked.

탑 플레이트(410)는 제1 미들 플레이트(420)의 상부에 결합되며 냉매가 유동하는 제1 냉매 유동 영역을 포함할 수 있다.The top plate 410 is coupled to the top of the first middle plate 420 and may include a first refrigerant flow area in which the refrigerant flows.

제1 미들 플레이트(420)는 제2 미들 플레이트(430)의 상부에 결합되며 냉매의 수직 방향으로의 유동을 위한 제1 수직 통로부 및 냉매가 유동하는 제2 냉매 유동 영역을 포함할 수 있다.The first middle plate 420 is coupled to the upper part of the second middle plate 430 and may include a first vertical passage for the vertical flow of the refrigerant and a second refrigerant flow area through which the refrigerant flows.

제2 미들 플레이트(430)는 바텀 플레이트(440)의 상부에 결합되며 냉매의 수직 방향으로의 유동을 위한 제2 수직 통로부 및 제3 수직 통로부를 포함할 수 있다.The second middle plate 430 is coupled to the upper part of the bottom plate 440 and may include a second vertical passage and a third vertical passage for the flow of refrigerant in the vertical direction.

바텀 플레이트(440)는 열전 소자 모듈(500)의 상부와 접촉하도록 배치되며 열전 소자 모듈(500)과의 열 교환을 위한 냉매가 유동하는 제3 냉매 유동 영역을 포함할 수 있다.The bottom plate 440 is disposed to contact the upper part of the thermoelectric element module 500 and may include a third refrigerant flow area in which refrigerant for heat exchange with the thermoelectric element module 500 flows.

방열 모듈(400)의 예시적인 구조는 도 3 내지 도 9를 참조하여 보다 상세히 기술된다.An exemplary structure of the heat dissipation module 400 is described in more detail with reference to FIGS. 3 to 9 .

방열 모듈(400)은 어퍼 하우징(100)의 삽입공간(110)에 수납되는 부분과 외부로 돌출되는 부분으로 구분될 수 있다. 그러나 수납되는 부분과 돌출되는 부분이 각기 분리된 것은 아니며, 방열 모듈(400)의 일부분이 어퍼 하우징(100)의 외부로 돌출될 수 있다.The heat dissipation module 400 may be divided into a part stored in the insertion space 110 of the upper housing 100 and a part that protrudes to the outside. However, the accommodated portion and the protruding portion are not separated from each other, and a portion of the heat dissipation module 400 may protrude to the outside of the upper housing 100.

어퍼 하우징(100)의 외부로 돌출되는 방열 모듈(400)의 일부분에는 유입 커넥터(5) 및 유출 커넥터(6)가 각각 연결될 수 있다. 유입 커넥터(5) 및 유출 커넥터(6)는 각각 냉매를 유입 또는 유출시키기 위한 배관의 일측과 연결될 수 있다. 유입 커넥터(5) 및 유출 커넥터(6)와 연결되는 배관의 타측에는 방열 모듈(400)로 냉매를 공급하거나 방열 모듈(400)로부터 유출되는 냉매를 회수하는 냉매 공급 장치가 연결될 수 있다.An inlet connector 5 and an outlet connector 6 may be connected to a portion of the heat dissipation module 400 that protrudes out of the upper housing 100, respectively. The inlet connector 5 and the outlet connector 6 may be connected to one side of a pipe for inflowing or outflowing refrigerant, respectively. A refrigerant supply device that supplies refrigerant to the heat dissipation module 400 or recovers refrigerant flowing out of the heat dissipation module 400 may be connected to the other side of the pipe connected to the inlet connector 5 and the outlet connector 6.

냉매 공급 장치는 배관 및 유입 커넥터(5)를 통해서 방열 모듈(400)에 냉매를 공급할 수 있다. 방열 모듈(400)로 유입되는 냉매는 탑 플레이트(410), 제1 미들 플레이트(420), 제2 미들 플레이트(430)를 거쳐서 바텀 플레이트(440)에 도달한다. 냉매가 바텀 플레이트(440)에 도달하면 바텀 플레이트(440)의 하부면에 배치되는 열전 소자 모듈(500)로부터 발산되는 열 에너지가 냉매에 의해서 흡수될 수 있다.The refrigerant supply device can supply refrigerant to the heat dissipation module 400 through the pipe and the inlet connector 5. The refrigerant flowing into the heat dissipation module 400 passes through the top plate 410, the first middle plate 420, and the second middle plate 430 before reaching the bottom plate 440. When the refrigerant reaches the bottom plate 440, the heat energy emitted from the thermoelectric element module 500 disposed on the lower surface of the bottom plate 440 may be absorbed by the refrigerant.

열전 소자 모듈(500)로부터 발산되는 열 에너지를 흡수한 냉매는 제2 미들 플레이트(430), 제1 미들 플레이트(420)를 거쳐서 탑 플레이트(410)에 도달한다. 탑 플레이트(410)에 도달한 냉매는 유출 커넥터(6) 및 배관을 통해서 냉매 공급 장치로 이동한다. 이와 같이 회수된 냉매는 냉매 공급 장치 내에서 냉각된 후 다시 방열 모듈(400)로 공급될 수 있다. 전술한 냉매의 순환에 의해서 방열 모듈(400)의 하부에 배치되는 열전 소자 모듈(500)에 대한 방열이 이루어질 수 있다.The refrigerant that absorbs the heat energy emitted from the thermoelectric element module 500 passes through the second middle plate 430 and the first middle plate 420 and reaches the top plate 410. The refrigerant that reaches the top plate 410 moves to the refrigerant supply device through the outlet connector 6 and the pipe. The refrigerant recovered in this way can be cooled in the refrigerant supply device and then supplied back to the heat dissipation module 400. Heat may be dissipated to the thermoelectric element module 500 disposed below the heat dissipation module 400 by circulation of the above-mentioned refrigerant.

일 실시예에서, 냉매 공급 장치는 미리 정해진 정비 시간 동안 미리 정해진 온도를 갖는 클리닝 냉매를 공급함으로써 방열 모듈(400) 및 배관에 대한 클리닝 작업이 수행될 수 있다. 예를 들어 냉매 공급 장치는 미리 정해진 정비 시간(예컨대, 5분) 동안 미리 정해진 온도(예컨대, 70℃ 내지 90℃)로 가열된 클리닝 냉매를 방열 모듈(400)로 공급하고 공급된 클리닝 냉매를 회수하는 클리닝 작업을 수행할 수 있다. 이와 같은 클리닝 작업이 수행되면, 테스트 대상 소자(4)에 대한 테스트 과정에서 배관이나 방열 모듈(400) 내부에 달라붙거나 퇴적된 이물질들이 클리닝 냉매에 의해서 떨어져 나가거나 녹게 된다. 클리닝 작업이 종료된 후 이물질이 포함된 클리닝 냉매를 회수함으로써 배관이나 방열 모듈(400) 내부에 달라붙거나 퇴적된 이물질들이 제거될 수 있다. 이에 따라서 반도체 소자 테스트 장치(A)의 구동 과정에서 배관이나 방열 모듈(400) 내부의 이물질로 인한 방열 모듈(400)의 방열 성능이 저하되는 것을 방지할 수 있다.In one embodiment, the refrigerant supply device may perform a cleaning operation on the heat dissipation module 400 and the piping by supplying cleaning refrigerant having a predetermined temperature for a predetermined maintenance time. For example, the refrigerant supply device supplies cleaning refrigerant heated to a predetermined temperature (e.g., 70°C to 90°C) for a predetermined maintenance time (e.g., 5 minutes) to the heat dissipation module 400 and recovers the supplied cleaning refrigerant. cleaning tasks can be performed. When such a cleaning operation is performed, foreign substances that adhered to or accumulated inside the piping or heat dissipation module 400 during the test process for the device under test 4 are removed or melted by the cleaning refrigerant. After the cleaning operation is completed, the cleaning refrigerant containing foreign substances is recovered, thereby removing foreign substances stuck to or deposited inside the pipe or the heat dissipation module 400. Accordingly, it is possible to prevent the heat dissipation performance of the heat dissipation module 400 from being deteriorated due to foreign substances inside the pipe or heat dissipation module 400 during the operation of the semiconductor device test device A.

방열 모듈(400)의 상부면에는 센서 장착부(415)가 형성된다. 센서 장착부(415)에는 방열 모듈(400)의 온도를 측정하기 위한 온도 센서(예컨대, 바이메탈 센서)가 장착될 수 있다.A sensor mounting portion 415 is formed on the upper surface of the heat dissipation module 400. A temperature sensor (eg, bimetal sensor) for measuring the temperature of the heat dissipation module 400 may be mounted on the sensor mounting unit 415.

푸셔 모듈(600)은 열전 소자 모듈(500)과 면접촉되는 상부 플레이트(612)와, 상부 플레이트(612)의 하부에 배치되는 하부 플레이트(614)와, 하부 플레이트(614)의 하부에 배치되는 커넥터(616)를 포함할 수 있다. 상부 플레이트(612)의 크기는 하부 플레이트(614)의 크기보다 크고, 하부 플레이트(614)의 크기는 커넥터(616)의 크기보다 클 수 있다. 푸셔 모듈(600)은 열전 소자 모듈(500)의 열기 또는 냉기를 테스트 대상 소자(4)로 전달할 수 있도록 열 전도율이 높은 소재로 만들어지는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상부 플레이트(612), 하부 플레이트(614), 커넥터(616)는 알루미늄 소재로 만들어질 수 있다.The pusher module 600 includes an upper plate 612 in surface contact with the thermoelectric element module 500, a lower plate 614 disposed below the upper plate 612, and a lower plate 614 disposed below the lower plate 614. It may include a connector 616. The size of the upper plate 612 may be larger than that of the lower plate 614, and the size of the lower plate 614 may be larger than the size of the connector 616. The pusher module 600 is preferably made of a material with high thermal conductivity so that it can transfer hot or cold air from the thermoelectric element module 500 to the element under test (4). For example, the upper plate 612, lower plate 614, and connector 616 may be made of aluminum.

상부 플레이트(612)는 열전 소자 모듈(500)과 접촉되며 열전 소자 모듈(500)을 지지한다. 하부 플레이트(614)는 상부 플레이트(612)의 하부에 배치되며, 상부 플레이트(612)로부터 전달되는 열기 또는 냉기를 커넥터(616)로 전달한다. 하부 플레이트(614)는 실시예에 따라 생략될 수도 있다.The upper plate 612 is in contact with the thermoelectric module 500 and supports the thermoelectric module 500. The lower plate 614 is disposed below the upper plate 612 and transmits heat or cold air transmitted from the upper plate 612 to the connector 616. The lower plate 614 may be omitted depending on the embodiment.

커넥터(616)는 하부 플레이트(614)의 하부에 연결되며, 푸셔(630)와 결합될 수 있다. 커넥터(616)는 하부 플레이트(614)로부터 전달받은 열기 또는 냉기를 테스트 대상 소자(4)로 전달한다. The connector 616 is connected to the lower part of the lower plate 614 and may be combined with the pusher 630. The connector 616 transfers heat or cold received from the lower plate 614 to the element under test 4.

커넥터(616)는 테스트 대상 소자(4)와 직접 접촉될 수 있다. 이를 위해, 커넥터(616)는 로어 하우징(200)의 하부면에 형성된 개구부를 통해서 외부로 노출된다. 또한, 커넥터(616)는 푸셔(630)와 결합되고, 푸셔(630)가 테스트 대상 소자(4)의 홀더(3)에 삽입됨으로써 테스트 대상 소자(4)와 접촉될 수 있다. 커넥터(616)의 하부면은 푸셔(630)의 하부면에 형성된 개구부를 통해서 외부로 노출된다.The connector 616 may be in direct contact with the device under test 4. To this end, the connector 616 is exposed to the outside through an opening formed in the lower surface of the lower housing 200. Additionally, the connector 616 is coupled to the pusher 630, and the pusher 630 is inserted into the holder 3 of the device under test 4, thereby making contact with the device under test 4. The lower surface of the connector 616 is exposed to the outside through an opening formed in the lower surface of the pusher 630.

푸셔(630)는 커넥터(616)에 결합되며, 로어 하우징(200) 외부로 노출된 커넥터(616)를 보호한다. 따라서 푸셔(630)는 커넥터(610)의 형상에 대응하는 형상을 가질 수 있다.The pusher 630 is coupled to the connector 616 and protects the connector 616 exposed to the outside of the lower housing 200. Accordingly, the pusher 630 may have a shape corresponding to the shape of the connector 610.

푸셔(630)는 테스트 대상 소자(4)가 탑재된 홀더(3)에 삽입되어 홀더(3)를 가압할 수 있다. 푸셔(630)가 홀더(3)에 결합되면 푸셔(630)의 하부면을 통해서 외부로 노출되는 커넥터(616)의 하부면이 테스트 대상 소자(4)에 접촉될 수 있다. 열전 소자 모듈(500)이 생성하는 열기 또는 냉기가 커넥터(616)를 통해 테스트 대상 소자(4)로 전달될 수 있다.The pusher 630 may be inserted into the holder 3 on which the device under test 4 is mounted and pressurize the holder 3. When the pusher 630 is coupled to the holder 3, the lower surface of the connector 616 exposed to the outside through the lower surface of the pusher 630 may contact the element under test 4. The heat or cold generated by the thermoelectric element module 500 may be transferred to the element under test 4 through the connector 616.

이하에서는 도 3 내지 도 9를 참조하여 일 실시예에 따른 방열 모듈(400)의 예시적인 구조가 상세히 기술된다.Hereinafter, an exemplary structure of the heat dissipation module 400 according to an embodiment is described in detail with reference to FIGS. 3 to 9.

도 3은 일 실시예에 따른 탑 플레이트의 상부를 나타내는 사시도이다. 도 4는 일 실시예에 따른 탑 플레이트의 하부를 나타내는 사시도이다. 도 5는 일 실시예에 따른 제1 미들 플레이트의 상부를 나타내는 사시도이다. 도 6은 일 실시예에 따른 제1 미들 플레이트의 하부를 나타내는 사시도이다. 도 7은 일 실시예에 따른 제2 미들 플레이트의 상부를 나타내는 사시도이다. 도 8은 일 실시예에 따른 제2 미들 플레이트의 하부를 나타내는 사시도이다. 도 9는 일 실시예에 따른 바텀 플레이트의 상부를 나타내는 사시도이다.Figure 3 is a perspective view showing the upper part of the top plate according to one embodiment. Figure 4 is a perspective view showing the lower part of the top plate according to one embodiment. Figure 5 is a perspective view showing the upper part of the first middle plate according to one embodiment. Figure 6 is a perspective view showing the lower part of the first middle plate according to one embodiment. Figure 7 is a perspective view showing the upper part of the second middle plate according to one embodiment. Figure 8 is a perspective view showing the lower part of the second middle plate according to one embodiment. Figure 9 is a perspective view showing the upper part of the bottom plate according to one embodiment.

도 3 및 도 4를 참조하면, 탑 플레이트(410)는 몸체부(410a), 제1 돌출부(410b) 및 제2 돌출부(410c)를 포함한다. 제1 돌출부(410b) 및 제2 돌출부(410c)는 몸체부(410a)와 일체로 형성되며 몸체부(410a)로부터 돌출된다.Referring to FIGS. 3 and 4 , the top plate 410 includes a body portion 410a, a first protrusion 410b, and a second protrusion 410c. The first protrusion 410b and the second protrusion 410c are formed integrally with the body portion 410a and protrude from the body portion 410a.

도 3을 참조하면, 몸체부(410a)의 상부면에는 센서 장착부(415)가 형성된다. 센서 장착부(415)에는 방열 모듈(400)의 온도를 측정하기 위한 온도 센서(예컨대, 바이메탈 센서)가 장착될 수 있다.Referring to FIG. 3, a sensor mounting portion 415 is formed on the upper surface of the body portion 410a. A temperature sensor (eg, bimetal sensor) for measuring the temperature of the heat dissipation module 400 may be mounted on the sensor mounting unit 415.

제1 돌출부(410b)에는 제1 냉매 유입구(411)가 형성된다. 제1 냉매 유입구(411)에는 유입 커넥터(5)가 연결될 수 있다. 냉매 공급 장치로부터 공급되는 냉매는 배관 및 유입 커넥터(5)를 통해서 제1 냉매 유입구(411)로 유입될 수 있다(B1).A first refrigerant inlet 411 is formed in the first protrusion 410b. An inlet connector 5 may be connected to the first refrigerant inlet 411. The refrigerant supplied from the refrigerant supply device may flow into the first refrigerant inlet 411 through the pipe and the inlet connector 5 (B1).

제2 돌출부(410c)에는 제1 냉매 유출구(412)가 형성된다. 제1 냉매 유출구(412)에는 유출 커넥터(6)가 연결될 수 있다. 후술하는 바와 같이 바텀 플레이트(440)에서 열전 소자 모듈(500)의 열 에너지를 흡수한 냉매는 제2 미들 플레이트(430), 제1 미들 플레이트(420)를 거쳐서 제1 냉매 유출구(412)로 유출된다(C7, C8). 제1 냉매 유출구(412)로 유출된 냉매는 유출 커넥터(6) 및 배관을 통해서 냉매 공급 장치로 회수될 수 있다.A first refrigerant outlet 412 is formed in the second protrusion 410c. An outlet connector 6 may be connected to the first refrigerant outlet 412. As described later, the refrigerant that absorbs the heat energy of the thermoelectric element module 500 in the bottom plate 440 flows out to the first refrigerant outlet 412 through the second middle plate 430 and the first middle plate 420. becomes (C7, C8). The refrigerant flowing out of the first refrigerant outlet 412 can be recovered to the refrigerant supply device through the outlet connector 6 and the pipe.

도 4를 참조하면, 몸체부(410a)의 하부면에는 미리 정해진 부피를 갖는 제1 냉매 유동 영역(414)이 형성된다. 제1 냉매 유동 영역(414)에는 제1 지지부(416a, 416b, 416c, 416d) 및 제2 지지부(417a, 417b, 417c)가 각각 배치될 수 있다. Referring to FIG. 4, a first refrigerant flow region 414 having a predetermined volume is formed on the lower surface of the body portion 410a. First and second supports 416a, 416b, 416c, and 416d may be disposed in the first refrigerant flow region 414, respectively.

제1 지지부(416a, 416b, 416c, 416d)는 각각 다수의 제1 지지체(51)를 포함한다. 제2 지지부(417a, 417b, 417c)는 각각 다수의 제2 지지체(52)를 포함한다. The first supports 416a, 416b, 416c, and 416d each include a plurality of first supports 51. The second supports 417a, 417b, and 417c each include a plurality of second supports 52.

도 4에는 제1 지지체(51)가 원기둥이고 제2 지지체(52)가 사각 기둥인 실시예가 도시되어 있으나, 제1 지지체(51) 또는 제2 지지체(52)의 형상은 실시예에 따라서 달라질 수 있다.4 shows an embodiment in which the first support 51 is a cylinder and the second support 52 is a square column, but the shape of the first support 51 or the second support 52 may vary depending on the embodiment. there is.

또한 도 4에는 제1 지지부(416a, 416b, 416c, 416d)에 제1 지지체(51)들이 각각 1열로 배치되고, 제2 지지부(417a, 417b, 417c)에 제2 지지체(52)들이 각각 2열로 배치되며, 제1 지지부(416a, 416b, 416c, 416d) 및 제2 지지부(417a, 417b, 417c)가 서로 교대로 배치되는 실시예가 도시된다. 그러나 제1 지지부(416a, 416b, 416c, 416d)에 배치되는 제1 지지체(51)들의 배열 상태나 수, 또는 제2 지지부(417a, 417b, 417c)에 배치되는 제2 지지체(52)들의 배열 상태나 수는 실시예에 따라서 달라질 수 있다.In addition, in FIG. 4, the first supports 51 are arranged in one row on the first supports 416a, 416b, 416c, and 416d, and the second supports 52 are arranged in two rows on the second supports 417a, 417b, and 417c. An embodiment is shown in which first supports 416a, 416b, 416c, and 416d and second supports 417a, 417b, and 417c are alternately arranged in a row. However, the arrangement state or number of the first supports 51 disposed on the first supports 416a, 416b, 416c, and 416d, or the arrangement of the second supports 52 disposed on the second supports 417a, 417b, and 417c. The status or number may vary depending on the embodiment.

일 실시예에서, 탑 플레이트(410) 및 탑 플레이트(410)의 하부에 배치되는 제1 미들 플레이트(420)는 프레스 접합 방식에 의해서 서로 결합될 수 있다. 탑 플레이트(410) 및 제1 미들 플레이트(420)가 결합될 때 제1 지지부(416a, 416b, 416c, 416d) 및 제2 지지부(417a, 417b, 417c)는 각각 제1 미들 플레이트(420)의 상부면과 접촉될 수 있다. 탑 플레이트(410) 및 제1 미들 플레이트(420)가 연결되면 제1 냉매 유동 영역(414)이 밀폐될 수 있다. In one embodiment, the top plate 410 and the first middle plate 420 disposed below the top plate 410 may be coupled to each other by a press bonding method. When the top plate 410 and the first middle plate 420 are combined, the first supports (416a, 416b, 416c, 416d) and the second supports (417a, 417b, 417c) are respectively attached to the first middle plate (420). May be in contact with the upper surface. When the top plate 410 and the first middle plate 420 are connected, the first refrigerant flow area 414 can be sealed.

이상과 같은 제1 지지부(416a, 416b, 416c, 416d) 및 제2 지지부(417a, 417b, 417c)의 대칭형 배치 구조에 의하면, 탑 플레이트(410) 및 제1 미들 플레이트(420)가 결합될 때 발생하는 압력이 제1 지지부(416a, 416b, 416c, 416d) 및 제2 지지부(417a, 417b, 417c)에 의해서 균일하게 분산되는 효과가 있다.According to the symmetrical arrangement structure of the first supports (416a, 416b, 416c, 416d) and the second supports (417a, 417b, 417c) as described above, when the top plate 410 and the first middle plate 420 are combined There is an effect that the generated pressure is uniformly distributed by the first and second supports (416a, 416b, 416c, and 416d) and the second supports (417a, 417b, and 417c).

또한 전술한 구조에 의하면 제1 지지부(416a, 416b, 416c, 416d) 및 제2 지지부(417a, 417b, 417c)에 의해서 제1 냉매 유동 영역(414)에 유로가 형성된다. 이에 따라서 제1 냉매 유입구(411)를 통해서 유입되어 제1 미들 플레이트(420)로 유입(B2)된 후 다시 제1 냉매 유동 영역(414)에 형성되는 제1 냉매 유입부(413)로 유입(B5)되는 냉매는 제1 냉매 유동 영역(414)으로 이동(B6)하면서 제1 냉매 유동 영역(414) 전체로 확산된다. 이 때 냉매가 제1 지지부(416a, 416b, 416c, 416d) 및 제2 지지부(417a, 417b, 417c)에 의해서 형성되는 유로를 통과하므로, 냉매의 유속이 빨라지고 압력이 증가하게 된다. 이로 인해서 제1 냉매 유동 영역(414) 내에서 냉매의 이동 속도 또는 확산 속도가 빨라지므로 방열 효과가 향상되는 효과가 있다.In addition, according to the above-described structure, a flow path is formed in the first refrigerant flow region 414 by the first supports (416a, 416b, 416c, 416d) and the second supports (417a, 417b, 417c). Accordingly, the refrigerant flows through the first refrigerant inlet 411, flows into the first middle plate 420 (B2), and then flows again into the first refrigerant inlet 413 formed in the first refrigerant flow area 414 ( The refrigerant B5) moves to the first refrigerant flow area 414 (B6) and spreads throughout the first refrigerant flow area 414. At this time, since the refrigerant passes through the passage formed by the first and second supports (416a, 416b, 416c, 416d) and the second supports (417a, 417b, 417c), the flow rate of the refrigerant increases and the pressure increases. As a result, the movement speed or diffusion speed of the refrigerant within the first refrigerant flow region 414 increases, thereby improving the heat dissipation effect.

또한 제1 냉매 유동 영역(414) 내에서 냉매가 유동하면서 탑 플레이트(410)의 하부에서 발생하는 열 에너지가 냉매에 의해서 흡수되므로 방열 모듈(400)의 방열 효과가 더욱 향상될 수 있다.Additionally, as the refrigerant flows in the first refrigerant flow region 414, heat energy generated at the bottom of the top plate 410 is absorbed by the refrigerant, so the heat dissipation effect of the heat dissipation module 400 can be further improved.

다음으로 도 5 및 도 6을 참조하면, 제1 미들 플레이트(420)는 몸체부(420a), 제1 돌출부(420b) 및 제2 돌출부(420c)를 포함한다. 제1 돌출부(420b) 및 제2 돌출부(420c)는 몸체부(420a)와 일체로 형성되며 몸체부(420a)로부터 돌출된다.Next, referring to FIGS. 5 and 6 , the first middle plate 420 includes a body portion 420a, a first protrusion 420b, and a second protrusion 420c. The first protrusion 420b and the second protrusion 420c are formed integrally with the body portion 420a and protrude from the body portion 420a.

제1 돌출부(420b)에는 제2 냉매 유입구(421) 및 제3 냉매 유입구(423)가 각각 형성된다. A second refrigerant inlet 421 and a third refrigerant inlet 423 are formed in the first protrusion 420b, respectively.

제2 냉매 유입구(421)는 도 3 및 도 4에 도시된 탑 플레이트(410)의 제1 냉매 유입구(411)와 대응되는 위치에 형성된다. 즉, 제1 냉매 유입구(411)와 제2 냉매 유입구(421)는 서로 연결된다. 또한 제3 냉매 유입구(423)는 도 4에 도시된 탑 플레이트(410)의 제1 냉매 유입부(413)와 대응되는 위치에 형성된다.The second refrigerant inlet 421 is formed at a position corresponding to the first refrigerant inlet 411 of the top plate 410 shown in FIGS. 3 and 4. That is, the first refrigerant inlet 411 and the second refrigerant inlet 421 are connected to each other. Additionally, the third refrigerant inlet 423 is formed at a position corresponding to the first refrigerant inlet 413 of the top plate 410 shown in FIG. 4.

제1 돌출부(420b)의 하부면에는 제2 냉매 유입부(425)가 형성된다. 제2 냉매 유입부(425)에는 제2 냉매 유입구(421) 및 제3 냉매 유입구(423)가 형성된다. 제1 미들 플레이트(420)와 제2 미들 플레이트(430)가 결합되면 제2 냉매 유입부(425)는 밀폐된다.A second refrigerant inlet 425 is formed on the lower surface of the first protrusion 420b. A second refrigerant inlet 421 and a third refrigerant inlet 423 are formed in the second refrigerant inlet 425. When the first middle plate 420 and the second middle plate 430 are combined, the second refrigerant inlet 425 is sealed.

이에 따라서 제1 냉매 유입구(411)를 통해서 유입(B2)되는 냉매는 제2 냉매 유입구(421)를 통과(B3)하여 제2 미들 플레이트(430)의 제1 돌출부(430b)에 도달할 수 있다. 제2 미들 플레이트(430)의 제1 돌출부(430b)와 충돌하는 냉매는 제2 냉매 유입부(425)를 통해서 제3 냉매 유입구(423)로 유입된다(B4). 제3 냉매 유입구(423)로 유입(B4)된 냉매는 제3 냉매 유입구(423)를 통과(B5)한 후 도 4에 도시된 탑 플레이트(410)의 제1 냉매 유입부(413)로 유입되어 몸체부(420a) 방향으로 이동한다(B6). 이에 따라서 냉매는 도 4에 도시된 제1 냉매 유동 영역(414) 내에서 확산된다. Accordingly, the refrigerant flowing in (B2) through the first refrigerant inlet 411 may pass through the second refrigerant inlet 421 (B3) and reach the first protrusion 430b of the second middle plate 430. . The refrigerant that collides with the first protrusion 430b of the second middle plate 430 flows into the third refrigerant inlet 423 through the second refrigerant inlet 425 (B4). The refrigerant flowing into the third refrigerant inlet 423 (B4) passes through the third refrigerant inlet 423 (B5) and then flows into the first refrigerant inlet 413 of the top plate 410 shown in FIG. 4. and moves in the direction of the body portion 420a (B6). Accordingly, the refrigerant spreads within the first refrigerant flow region 414 shown in FIG. 4.

몸체부(420a)에는 제1 수직 통로부(427a, 427b, 427c)가 형성된다. 제1 수직 통로부(427a, 427b, 427c)는 각각 다수의 수직 통로(53)를 포함한다. 도 5 및 도 6에는 몸체부(420a)에 서로 나란히 배치되는 3열의 제1 수직 통로부(427a, 427b, 427c)가 형성되는 실시예가 도시되나, 제1 수직 통로부의 배치 구조 및 각각의 제1 수직 통로부에 포함되는 수직 통로(53)의 수는 실시예에 따라서 달라질 수 있다.First vertical passage portions 427a, 427b, and 427c are formed in the body portion 420a. The first vertical passage portions 427a, 427b, and 427c each include a plurality of vertical passages 53. 5 and 6 show an embodiment in which three rows of first vertical passage portions 427a, 427b, and 427c are arranged side by side in the body portion 420a, but the arrangement structure of the first vertical passage portion and each first vertical passage portion are shown in FIGS. The number of vertical passages 53 included in the vertical passage portion may vary depending on the embodiment.

일 실시예에서, 제1 수직 통로부(427a, 427b, 427c)는 도 4에 도시된 제1 지지부(416a, 416b, 416c, 416d) 및 제2 지지부(417a, 417b, 417c)와 대응되지 않는 위치에 형성될 수 있다. 즉, 탑 플레이트(410)와 제1 미들 플레이트(420)가 결합될 때 제1 수직 통로부(427a, 427b, 427c)의 입구는 제1 지지부(416a, 416b, 416c, 416d) 또는 제2 지지부(417a, 417b, 417c)에 의해서 가려지지 않는다. 이에 따라서 제1 냉매 유입부(413)로 유입되어 몸체부(420a) 방향으로 이동(B6)하는 냉매는 제1 냉매 유동 영역(414) 내에서 확산되면서 제1 수직 통로부(427a, 427b, 427c)를 통해서 제1 미들 플레이트(420)의 하부에 배치되는 제2 미들 플레이트(430)로 이동한다(B7).In one embodiment, the first vertical passage parts (427a, 427b, 427c) do not correspond to the first supports (416a, 416b, 416c, 416d) and second supports (417a, 417b, 417c) shown in Figure 4. It can be formed in position. That is, when the top plate 410 and the first middle plate 420 are combined, the inlet of the first vertical passage part (427a, 427b, 427c) is the first support part (416a, 416b, 416c, 416d) or the second support part. It is not obscured by (417a, 417b, 417c). Accordingly, the refrigerant flowing into the first refrigerant inlet 413 and moving (B6) in the direction of the body portion 420a spreads within the first refrigerant flow region 414 and flows through the first vertical passage portions 427a, 427b, and 427c. ) moves to the second middle plate 430 disposed below the first middle plate 420 (B7).

제2 돌출부(420c)에는 제2 냉매 유출구(422)가 형성된다. 제2 냉매 유출구(422)는 도 3 및 도 4에 도시된 탑 플레이트(410)의 제1 냉매 유출구(412)와 대응되는 위치에 형성된다. 즉, 제1 냉매 유출구(412)와 제2 냉매 유출구(422)는 서로 연결된다. A second refrigerant outlet 422 is formed in the second protrusion 420c. The second refrigerant outlet 422 is formed at a position corresponding to the first refrigerant outlet 412 of the top plate 410 shown in FIGS. 3 and 4. That is, the first refrigerant outlet 412 and the second refrigerant outlet 422 are connected to each other.

제2 돌출부(420c)의 하부면에는 제3 냉매 유입부(426)가 형성된다. 제3 냉매 유입부(426)에는 제2 냉매 유출구(422)가 형성된다.A third refrigerant inlet 426 is formed on the lower surface of the second protrusion 420c. A second refrigerant outlet 422 is formed in the third refrigerant inlet 426.

후술하는 바와 같이 바텀 플레이트(440)에서 열전 소자 모듈(500)의 열 에너지를 흡수한 냉매는 제2 미들 플레이트(430)의 제3 수직 통로부(432a, 432b, 432c, 432d)를 통해서 제2 냉매 유동 영역(414)으로 유입된 후 제2 냉매 유동 영역(414) 전체에서 확산되면서 제3 냉매 유입부(426)로 이동한다(C4). 제3 냉매 유입부(426)로 이동한 냉매는 제2 냉매 유출구(422)를 통과(C5, C6)한 후 제1 냉매 유출구(412)로 유입(C7)된 후 제1 냉매 유출구(412)로부터 유출된다(C8). 제1 냉매 유출구(412)로 유출된 냉매는 유출 커넥터(6) 및 배관을 통해서 냉매 공급 장치로 회수될 수 있다.As will be described later, the refrigerant that absorbs the heat energy of the thermoelectric element module 500 in the bottom plate 440 flows through the second vertical passage portions 432a, 432b, 432c, and 432d of the second middle plate 430. After flowing into the refrigerant flow area 414, it spreads throughout the second refrigerant flow area 414 and moves to the third refrigerant inlet 426 (C4). The refrigerant moving to the third refrigerant inlet 426 passes through the second refrigerant outlet 422 (C5, C6) and then flows into the first refrigerant outlet 412 (C7) and then flows into the first refrigerant outlet 412. flows out from (C8). The refrigerant flowing out of the first refrigerant outlet 412 can be recovered to the refrigerant supply device through the outlet connector 6 and the pipe.

도 6을 참조하면, 몸체부(420a)의 하부면에는 미리 정해진 부피를 갖는 제2 냉매 유동 영역(424)이 형성된다. 제2 냉매 유동 영역(424)에는 제3 지지부(428a, 428b, 428c) 및 제4 지지부(429a, 429b, 429c, 429d)가 각각 배치될 수 있다. Referring to FIG. 6, a second refrigerant flow region 424 having a predetermined volume is formed on the lower surface of the body portion 420a. Third and fourth supports 428a, 428b, 428c, and 429a, 429b, 429c, and 429d may be disposed in the second refrigerant flow region 424, respectively.

제3 지지부(428a, 428b, 428c)는 각각 다수의 제3 지지체(54)를 포함한다. 제4 지지부(429a, 429b, 429c, 429d)는 각각 다수의 제4 지지체(55)를 포함한다. The third supports 428a, 428b, and 428c each include a plurality of third supports 54. The fourth supports 429a, 429b, 429c, and 429d each include a plurality of fourth supports 55.

도 6에는 제3 지지체(54) 및 제4 지지체(55)가 각각 원기둥인 실시예가 도시되어 있으나, 제3 지지체(54) 또는 제4 지지체(55)의 형상은 실시예에 따라서 달라질 수 있다.Figure 6 shows an embodiment in which the third support 54 and the fourth support 55 are each cylindrical, but the shape of the third support 54 or the fourth support 55 may vary depending on the embodiment.

또한 도 6에는 제3 지지부(428a, 428b, 428c)에 제3 지지체(54)들이 각각 1열로 배치되고, 제4 지지부(429a, 429b, 429c, 429d)에 제4 지지체(55)들이 각각 1열로 배치되며, 제3 지지부(428a, 428b, 428c) 및 제4 지지부(429a, 429b, 429c, 429d)가 서로 교대로 배치되는 실시예가 도시된다. 그러나 제3 지지부(428a, 428b, 428c)에 배치되는 제3 지지체(54)들의 배열 상태나 수, 또는 제4 지지부(429a, 429b, 429c, 429d)에 배치되는 제4 지지체(55)들의 배열 상태나 수는 실시예에 따라서 달라질 수 있다.In addition, in FIG. 6, the third supports 54 are arranged in one row on the third supports 428a, 428b, and 428c, and the fourth supports 55 are arranged in one row on the fourth supports 429a, 429b, 429c, and 429d. An embodiment is shown in which the third supports 428a, 428b, 428c and the fourth supports 429a, 429b, 429c, and 429d are alternately arranged in a row. However, the arrangement state or number of the third supports 54 disposed on the third supports 428a, 428b, 428c, or the arrangement of the fourth supports 55 disposed on the fourth supports 429a, 429b, 429c, 429d The status or number may vary depending on the embodiment.

일 실시예에서, 제3 지지부(428a, 428b, 428c)는 제1 수직 통로부(427a, 427b, 427c)와 대응되는 위치에 배치된다. 이에 따라서 제1 수직 통로부(427a, 427b, 427c)에 포함되는 각각의 수직 통로(53)는 제3 지지부(428a, 428b, 428c)를 관통한다. In one embodiment, the third support portions 428a, 428b, and 428c are disposed at positions corresponding to the first vertical passage portions 427a, 427b, and 427c. Accordingly, each vertical passage 53 included in the first vertical passage portions 427a, 427b, and 427c passes through the third support portions 428a, 428b, and 428c.

일 실시예에서, 제1 미들 플레이트(420) 및 제1 미들 플레이트(420)의 하부에 배치되는 제2 미들 플레이트(430)는 프레스 접합 방식에 의해서 서로 결합될 수 있다. 제1 미들 플레이트(420) 및 제2 미들 플레이트(430)가 결합될 때 제3 지지부(428a, 428b, 428c) 및 제4 지지부(429a, 429b, 429c, 429d)는 각각 제1 미들 플레이트(420)의 상부면과 접촉될 수 있다. 탑 플레이트(410) 및 제1 미들 플레이트(420)가 연결되면 제2 냉매 유동 영역(424)이 밀폐될 수 있다. In one embodiment, the first middle plate 420 and the second middle plate 430 disposed below the first middle plate 420 may be coupled to each other by a press joining method. When the first middle plate 420 and the second middle plate 430 are combined, the third support portions 428a, 428b, 428c and the fourth support portions 429a, 429b, 429c, and 429d are respectively connected to the first middle plate 420. ) can be in contact with the upper surface of the. When the top plate 410 and the first middle plate 420 are connected, the second refrigerant flow area 424 can be sealed.

이상과 같은 제3 지지부(428a, 428b, 428c) 및 제4 지지부(429a, 429b, 429c, 429d)의 대칭형 배치 구조에 의하면, 제1 미들 플레이트(420) 및 제2 미들 플레이트(430)가 결합될 때 발생하는 압력이 제3 지지부(428a, 428b, 428c) 및 제4 지지부(429a, 429b, 429c, 429d)에 의해서 균일하게 분산되는 효과가 있다.According to the symmetrical arrangement structure of the third support portions 428a, 428b, 428c and the fourth support portions 429a, 429b, 429c, and 429d as described above, the first middle plate 420 and the second middle plate 430 are coupled. There is an effect that the pressure generated when the pressure is uniformly distributed by the third support parts (428a, 428b, 428c) and the fourth support parts (429a, 429b, 429c, 429d).

또한 전술한 구조에 의하면 제3 지지부(428a, 428b, 428c) 및 제4 지지부(429a, 429b, 429c, 429d)에 의해서 제2 냉매 유동 영역(424)에 유로가 형성된다. 이에 따라서 제2 미들 플레이트(430)의 제3 수직 통로부(432a, 432b, 432c, 432d)를 통해서 유입되는 냉매는 제3 지지부(428a, 428b, 428c) 및 제4 지지부(429a, 429b, 429c, 429d)에 의해서 형성되는 유로를 통해서 제2 냉매 유동 영역(414) 전체로 확산된다. 이 때 냉매가 제3 지지부(428a, 428b, 428c) 및 제4 지지부(429a, 429b, 429c, 429d)에 의해서 형성되는 유로를 통과하므로, 냉매의 유속이 빨라지고 압력이 증가하게 된다. 이로 인해서 제2 냉매 유동 영역(414) 내에서 냉매의 이동 속도 또는 확산 속도가 빨라지므로 방열 효과가 향상되는 효과가 있다.In addition, according to the above-described structure, a flow path is formed in the second refrigerant flow region 424 by the third and fourth supports (428a, 428b, 428c, 429d). Accordingly, the refrigerant flowing through the third vertical passage portions 432a, 432b, 432c, 432d of the second middle plate 430 is connected to the third support portions 428a, 428b, 428c and the fourth support portions 429a, 429b, 429c. , 429d) spreads throughout the second refrigerant flow area 414 through the flow path formed by 429d). At this time, since the refrigerant passes through the passage formed by the third and fourth supports (428a, 428b, 428c) and the fourth supports (429a, 429b, 429c, and 429d), the flow rate of the refrigerant increases and the pressure increases. As a result, the movement speed or diffusion speed of the refrigerant within the second refrigerant flow region 414 increases, thereby improving the heat dissipation effect.

또한 제2 냉매 유동 영역(414) 내에서 냉매가 유동하면서 제1 미들 플레이트(420)의 하부에서 발생하는 열 에너지가 냉매에 의해서 흡수되므로 방열 모듈(400)의 방열 효과가 더욱 향상될 수 있다.Additionally, as the refrigerant flows in the second refrigerant flow region 414, heat energy generated at the bottom of the first middle plate 420 is absorbed by the refrigerant, so the heat dissipation effect of the heat dissipation module 400 can be further improved.

다음으로 도 7 및 도 8을 참조하면, 제2 미들 플레이트(430)는 몸체부(430a), 제1 돌출부(430b) 및 제2 돌출부(430c)를 포함한다. 제1 돌출부(430b) 및 제2 돌출부(430c)는 몸체부(430a)와 일체로 형성되며 몸체부(430a)로부터 돌출된다.Next, referring to FIGS. 7 and 8 , the second middle plate 430 includes a body portion 430a, a first protrusion 430b, and a second protrusion 430c. The first protrusion 430b and the second protrusion 430c are formed integrally with the body portion 430a and protrude from the body portion 430a.

제1 미들 플레이트(420)와 제2 미들 플레이트(430)가 결합되면 제1 미들 플레이트(420)의 제1 돌출부(420b) 하단에 형성되는 제2 냉매 유입부(425)의 하부가 제2 미들 플레이트(430)의 제1 돌출부(430b)의 상부에 의해서 차단된다. 이에 따라서 제2 냉매 유입부(425)에 형성된 제2 냉매 유입구(421)로 유입(B3)되는 냉매는 제2 미들 플레이트(430)의 제1 돌출부(430b)의 상부에 충돌(B4)한 후 제3 냉매 유입구(423)로 유입될 수 있다(B5).When the first middle plate 420 and the second middle plate 430 are combined, the lower part of the second refrigerant inlet 425 formed at the bottom of the first protrusion 420b of the first middle plate 420 is the second middle plate 420. It is blocked by the top of the first protrusion 430b of the plate 430. Accordingly, the refrigerant flowing (B3) into the second refrigerant inlet 421 formed in the second refrigerant inlet 425 collides (B4) with the upper part of the first protrusion 430b of the second middle plate 430. It may flow into the third refrigerant inlet 423 (B5).

또한 제1 미들 플레이트(420)와 제2 미들 플레이트(430)가 결합되면 제1 미들 플레이트(420)의 제2 돌출부(420c) 하단에 형성되는 제3 냉매 유입부(426)의 하부가 제2 미들 플레이트(430)의 제2 돌출부(430c)의 상부에 의해서 차단된다. 이에 따라서 제2 미들 플레이트(430)의 제3 수직 통로부(432a, 432b, 432c, 432d)를 통해서 제2 냉매 유동 영역(414)으로 유입된 후 제2 냉매 유동 영역(414) 전체에서 확산되면서 제3 냉매 유입부(426)로 이동한다(C4). 제3 냉매 유입부(426)로 이동한 냉매는 제2 냉매 유출구(422)를 통과(C5, C6)한 후 제1 냉매 유출구(412)로 유입(C7)된 후 제1 냉매 유출구(412)를 통해서 유출된다(C8).In addition, when the first middle plate 420 and the second middle plate 430 are combined, the lower part of the third refrigerant inlet 426 formed at the bottom of the second protrusion 420c of the first middle plate 420 is the second middle plate 420. It is blocked by the upper part of the second protrusion 430c of the middle plate 430. Accordingly, it flows into the second refrigerant flow area 414 through the third vertical passage portions 432a, 432b, 432c, and 432d of the second middle plate 430 and then spreads throughout the second refrigerant flow area 414. Move to the third refrigerant inlet 426 (C4). The refrigerant moving to the third refrigerant inlet 426 passes through the second refrigerant outlet 422 (C5, C6) and then flows into the first refrigerant outlet 412 (C7) and then flows into the first refrigerant outlet 412. It leaks out through (C8).

도 7을 참조하면, 몸체부(430a)에는 제2 수직 통로부(431a, 431b, 431c) 및 제3 수직 통로부(432a, 432b, 432c, 432d)가 각각 형성된다. 제2 수직 통로부(431a, 431b, 431c)는 각각 다수의 제2 수직 통로(56)를 포함한다. 제3 수직 통로부(432a, 432b, 432c, 432d)는 각각 다수의 제3 수직 통로(57)를 포함한다. Referring to FIG. 7, second vertical passage portions 431a, 431b, and 431c and third vertical passage portions 432a, 432b, 432c, and 432d are formed in the body portion 430a, respectively. The second vertical passage portions 431a, 431b, and 431c each include a plurality of second vertical passages 56. The third vertical passage portions 432a, 432b, 432c, and 432d each include a plurality of third vertical passages 57.

도 7의 일 실시예에서, 제2 수직 통로부(431a, 431b, 431c) 및 제3 수직 통로부(432a, 432b, 432c, 432d)는 서로 교대로 배치된다. 또한 도 7에서 제2 수직 통로부(431a, 431b, 431c)는 각각 1열로 배치되는 다수의 제2 수직 통로(56)를 포함하고, 제3 수직 통로부(432a, 432b, 432c, 432d)는 1열로 배치되는 다수의 제3 수직 통로(57)를 포함한다. 그러나 제2 수직 통로부(431a, 431b, 431c)에 배치되는 제2 수직 통로(56)의 배열 상태나 수, 또는 제3 수직 통로부(432a, 432b, 432c, 432d)에 배치되는 제3 수직 통로(57)들의 배열 상태나 수는 실시예에 따라서 달라질 수 있다.In one embodiment of Figure 7, the second vertical passage portions 431a, 431b, and 431c and the third vertical passage portions 432a, 432b, 432c, and 432d are alternately arranged with each other. In addition, in FIG. 7, the second vertical passages 431a, 431b, and 431c each include a plurality of second vertical passages 56 arranged in one row, and the third vertical passages 432a, 432b, 432c, and 432d are It includes a plurality of third vertical passages 57 arranged in one row. However, the arrangement or number of the second vertical passages 56 disposed in the second vertical passage portions 431a, 431b, and 431c, or the third vertical passage portions 432a, 432b, 432c, and 432d. The arrangement or number of passages 57 may vary depending on the embodiment.

일 실시예에서, 제2 수직 통로부(431a, 431b, 431c)는 도 5 및 도 6에 도시된 제1 미들 플레이트(420)의 제1 수직 통로부(427a, 427b, 427c)와 대응되는 위치에 형성될 수 있다. 즉, 제1 수직 통로부(427a, 427b, 427c)에 포함되는 각각의 제1 수직 통로(53)는 제2 수직 통로부(431a, 431b, 431c)에 포함되는 각각의 제2 수직 통로(56)와 서로 연결될 수 있다. 이에 따라서 제1 수직 통로(53)를 통과(B6, B8)한 냉매는 그대로 제2 수직 통로(56)를 통과(B9, B10)하여 바텀 플레이트(440)에 공급될 수 있다.In one embodiment, the second vertical passage portions 431a, 431b, and 431c are located at positions corresponding to the first vertical passage portions 427a, 427b, and 427c of the first middle plate 420 shown in FIGS. 5 and 6. can be formed in That is, each of the first vertical passages 53 included in the first vertical passage portions 427a, 427b, and 427c is each of the second vertical passages 56 included in the second vertical passage portions 431a, 431b, and 431c. ) can be connected to each other. Accordingly, the refrigerant that has passed through the first vertical passage 53 (B6, B8) can be supplied to the bottom plate 440 by passing through the second vertical passage 56 (B9, B10).

도 8을 참조하면, 제2 미들 플레이트(430)의 하부면에는 다수의 제1 냉매 수용부(433) 및 다수의 제2 냉매 수용부(434)가 각각 형성된다. Referring to FIG. 8, a plurality of first refrigerant accommodating parts 433 and a plurality of second refrigerant accommodating parts 434 are formed on the lower surface of the second middle plate 430, respectively.

도 8에 도시된 바와 같이 제1 냉매 수용부(433)는 장축 및 단축을 갖는 긴 원형 또는 모서리가 둥근 직사각형의 형상을 가질 수 있다. 그러나 제1 냉매 수용부(433)의 형상은 실시예에 따라서 달라질 수 있다. 제1 냉매 수용부(433)는 후술되는 바텀 플레이트(440)의 냉매 유로부(444) 또는 냉매 지연부(443a, 443b)와 대응되는 위치에 배치될 수 있다.As shown in FIG. 8, the first refrigerant receiving portion 433 may have a long circular shape with a long axis and a short axis, or a rectangular shape with rounded corners. However, the shape of the first refrigerant receiving portion 433 may vary depending on the embodiment. The first refrigerant receiving portion 433 may be disposed in a position corresponding to the refrigerant passage portion 444 or the refrigerant delay portions 443a and 443b of the bottom plate 440, which will be described later.

제2 미들 플레이트(430)와 바텀 플레이트(440)가 결합되면 바텀 플레이트(440)의 냉매 유로부(444) 또는 냉매 지연부(443a, 443b)에 흐르거나 머무르는 냉매가 제1 냉매 수용부(433)에 수용될 수 있다. 이에 따라서 바텀 플레이트(440)의 냉매 유로부(444) 또는 냉매 지연부(443a, 443b)에 흐르거나 머무르는 냉매의 유동 속도를 지연시키는 동시에 냉매 유로부(444) 또는 냉매 지연부(443a, 443b)에 흐르거나 머무르는 냉매의 양을 증가시킴으로써 방열 모듈(400)의 방열 성능이 향상될 수 있다.When the second middle plate 430 and the bottom plate 440 are combined, the refrigerant flowing or remaining in the refrigerant passage part 444 or the refrigerant delay part 443a, 443b of the bottom plate 440 is transferred to the first refrigerant receiving part 433. ) can be accepted. Accordingly, the flow speed of the refrigerant flowing or remaining in the refrigerant passage part 444 or the refrigerant delay part 443a, 443b of the bottom plate 440 is delayed, and the refrigerant flow part 444 or the refrigerant delay part 443a, 443b is simultaneously delayed. The heat dissipation performance of the heat dissipation module 400 can be improved by increasing the amount of refrigerant flowing or remaining in it.

또한 도 8에 도시된 바와 같이, 제2 냉매 수용부(434)는 제1 냉매 유도부(434a), 제2 냉매 유도부(434b), 냉매 수송부(434c)를 포함한다.Also, as shown in FIG. 8, the second refrigerant receiving portion 434 includes a first refrigerant guide portion 434a, a second refrigerant guide portion 434b, and a refrigerant transport portion 434c.

제1 냉매 유도부(434a) 및 제2 냉매 유도부(434b)는 후술되는 바텀 플레이트(440)의 냉매 유로부(444) 또는 냉매 지연부(443a, 443b)와 대응되는 위치에 배치될 수 있다. The first refrigerant guide portion 434a and the second refrigerant guide portion 434b may be disposed at positions corresponding to the refrigerant flow portion 444 or the refrigerant delay portions 443a and 443b of the bottom plate 440, which will be described later.

냉매 수송부(434c)에는 제2 수직 통로(56) 또는 제3 수직 통로(57)가 형성될 수 있다. A second vertical passage 56 or a third vertical passage 57 may be formed in the refrigerant transport unit 434c.

제2 미들 플레이트(430)와 바텀 플레이트(440)가 결합되면 제1 수직 통로(53)를 통과(B6, B8)한 냉매가 냉매 수송부(434c)에 형성된 제2 수직 통로(56)를 통과(B9, B10)하여 바텀 플레이트(440)에 공급될 수 있다. 제2 수직 통로(56)를 통해서 냉매 수송부(434c)로 유입된 냉매는 제1 냉매 유도부(434a) 또는 제2 냉매 유도부(434b)로 이동한다. 이에 따라서 제1 냉매 유도부(434a) 또는 제2 냉매 유도부(434b)와 마주보는 바텀 플레이트(440)의 냉매 유로부(444) 또는 냉매 지연부(443a, 443b)를 통해서 냉매가 이동하면서 바텀 플레이트(440) 하부에 배치된 열전 소자 모듈(500)의 열 에너지가 냉매에 의해 흡수될 수 있다.When the second middle plate 430 and the bottom plate 440 are combined, the refrigerant (B6, B8) passing through the first vertical passage 53 passes through the second vertical passage 56 formed in the refrigerant transport portion 434c ( B9, B10) may be supplied to the bottom plate 440. The refrigerant flowing into the refrigerant transport unit 434c through the second vertical passage 56 moves to the first refrigerant guide part 434a or the second refrigerant guide part 434b. Accordingly, the refrigerant moves through the refrigerant passage part 444 or the refrigerant delay part 443a, 443b of the bottom plate 440 facing the first refrigerant guide part 434a or the second refrigerant guide part 434b, and the bottom plate ( 440) Thermal energy of the thermoelectric element module 500 disposed below may be absorbed by the refrigerant.

또한 바텀 플레이트(440)의 냉매 유로부(444) 또는 냉매 지연부(443a, 443b)를 통해서 이동하면서 열 에너지를 흡수한 냉매는 제1 냉매 유도부(434a) 및 제2 냉매 유도부(434b)를 거쳐서 제3 수직 통로(57)가 형성된 냉매 수송부(434c)로 이동할 수 있다. 냉매 수송부(434c)로 이동한 냉매는 제3 수직 통로(57)를 통해서 제2 미들 플레이트(430)와 제1 미들 플레이트(420) 사이에 형성된 제2 냉매 유동 영역(424)으로 공급된다(C3).In addition, the refrigerant that absorbs heat energy while moving through the refrigerant passage portion 444 or the refrigerant delay portions 443a and 443b of the bottom plate 440 passes through the first refrigerant guide portion 434a and the second refrigerant guide portion 434b. It can move to the refrigerant transport unit 434c in which the third vertical passage 57 is formed. The refrigerant moving to the refrigerant transport unit 434c is supplied to the second refrigerant flow area 424 formed between the second middle plate 430 and the first middle plate 420 through the third vertical passage 57 (C3 ).

다음으로 도 9를 참조하면, 바텀 플레이트(440)는 몸체부(440a), 제1 돌출부(440b) 및 제2 돌출부(440c)를 포함한다. 제1 돌출부(440b) 및 제2 돌출부(440c)는 몸체부(440a)와 일체로 형성되며 몸체부(440a)로부터 돌출된다.Next, referring to FIG. 9, the bottom plate 440 includes a body portion 440a, a first protrusion 440b, and a second protrusion 440c. The first protrusion 440b and the second protrusion 440c are formed integrally with the body portion 440a and protrude from the body portion 440a.

몸체부(440a)에는 바텀 플레이트(440) 하부에 배치된 열전 소자 모듈(500)의 방열을 위한 냉매가 유동하는 제3 냉매 유동 영역이 형성된다. 제3 냉매 유동 영역은 냉매 분산부(442), 냉매 지연부(443), 냉매 유로부(444)를 포함한다.A third refrigerant flow area in which refrigerant for dissipating heat of the thermoelectric element module 500 disposed below the bottom plate 440 flows is formed in the body portion 440a. The third refrigerant flow area includes a refrigerant dispersion unit 442, a refrigerant delay unit 443, and a refrigerant passage unit 444.

냉매 분산부(442)는 제2 수직 통로부(431a, 431b, 431c)와 대응되는 위치에 배치될 수 있다. 도 9에 도시된 바와 같이 몸체부(440a)에는 제2 수직 통로부(431a, 431b, 431c)와 대응되는 위치에 배치되는 제1 내지 제3 냉매 분산부(441a, 441b, 441c)가 형성될 수 있다. 냉매 분산부(442)는 제2 미들 플레이트(430)로부터 제2 수직 통로부(431a, 431b, 431c)를 통해서 유입(B11)되는 냉매를 제3 방향(D3) 또는 제4 방향(D4)으로 분산시킬 수 있다. The refrigerant dispersion unit 442 may be disposed at a position corresponding to the second vertical passage parts 431a, 431b, and 431c. As shown in FIG. 9, first to third refrigerant dispersion parts 441a, 441b, and 441c are formed in the body portion 440a at positions corresponding to the second vertical passage portions 431a, 431b, and 431c. You can. The refrigerant dispersion unit 442 distributes the refrigerant flowing in (B11) from the second middle plate 430 through the second vertical passage parts (431a, 431b, 431c) in the third direction (D3) or the fourth direction (D4). It can be dispersed.

냉매 유로부(444)는 냉매 분산부(442)를 통해서 유입되는 냉매가 흐르는 영역이다. 냉매 유로부(444)는 냉매 분산부(442)에 의해서 제3 방향(D3) 또는 제4 방향(D4)으로 분산된 냉매를 제1 방향(D1) 또는 제2 방향(D2)으로 유동시킬 수 있다. The refrigerant passage portion 444 is an area through which the refrigerant flowing through the refrigerant dispersion portion 442 flows. The refrigerant flow unit 444 may cause the refrigerant dispersed in the third direction (D3) or fourth direction (D4) by the refrigerant dispersion unit 442 to flow in the first direction (D1) or the second direction (D2). there is.

냉매 지연부(443)는 냉매 유로부(444)의 양단에 배치될 수 있다. 예컨대 도 9에 도시된 바와 같이 냉매 유로부(444)의 양단에는 제1 냉매 지연부(443a) 및 제2 냉매 지연부(443b)가 각각 반복적으로 배치될 수 있다. 제1 냉매 지연부(443a) 및 제2 냉매 지연부(443b)는 서로 마주보지 않도록 배치될 수 있다.The refrigerant delay unit 443 may be disposed at both ends of the refrigerant passage unit 444. For example, as shown in FIG. 9, a first refrigerant delay unit 443a and a second refrigerant delay unit 443b may be repeatedly disposed at both ends of the refrigerant passage portion 444. The first refrigerant delay unit 443a and the second refrigerant delay unit 443b may be arranged not to face each other.

제1 냉매 지연부(443a) 및 제2 냉매 지연부(443b)는 냉매 유로부(444)를 통해서 흐르는 냉매를 수용함으로써 냉매의 유동 속도를 지연시킨다. 이에 따라서 냉매가 바텀 플레이트(440)의 제3 냉매 유동 영역에 머무르는 시간이 길어지므로 냉매에 의한 방열 효과가 향상될 수 있다. 또한 제1 냉매 지연부(443a) 및 제2 냉매 지연부(443b)에 냉매가 수용됨으로써 제3 냉매 유동 영역 내에서 냉매의 유동 면적이 보다 넓어지므로 냉매에 의한 방열 효과가 향상될 수 있다. The first refrigerant delay unit 443a and the second refrigerant delay unit 443b accommodate the refrigerant flowing through the refrigerant passage unit 444, thereby delaying the flow speed of the refrigerant. Accordingly, the time the refrigerant stays in the third refrigerant flow region of the bottom plate 440 increases, so the heat dissipation effect by the refrigerant can be improved. In addition, as the refrigerant is accommodated in the first refrigerant delay unit 443a and the second refrigerant delay unit 443b, the flow area of the refrigerant within the third refrigerant flow area becomes wider, and thus the heat dissipation effect by the refrigerant can be improved.

냉매 유로부(444) 및 냉매 지연부(443)를 통해서 유동하는 냉매는 바텀 플레이트(440) 하부에 배치되는 열전 소자 모듈(500)의 열에너지를 흡수한 후 바텀 플레이트(440) 상부에 배치되는 제2 미들 플레이트(430)에 형성되는 제3 수직 통로부(432a, 432b, 432c, 432d)의 제3 수직 통로(57)를 통해서 제2 미들 플레이트(430)로 이동한다(C1). The refrigerant flowing through the refrigerant passage portion 444 and the refrigerant delay portion 443 absorbs the heat energy of the thermoelectric element module 500 disposed below the bottom plate 440 and then absorbs the heat energy of the thermoelectric element module 500 disposed below the bottom plate 440. 2 It moves to the second middle plate 430 through the third vertical passage 57 of the third vertical passage portions 432a, 432b, 432c, and 432d formed in the middle plate 430 (C1).

한편, 일 실시예에서 제1 수직 통로부(427a, 427b, 427c)에 포함되는 제1 수직 통로(53)의 내주면, 제2 수직 통로부(431a, 431b, 431c)에 포함되는 제2 수직 통로(56)의 내주면, 또는 제3 수직 통로부(432a, 432b, 432c, 432d)에 포함되는 제3 수직 통로(57)의 내주면에는 나사산이 형성될 수 있다. 수직 통로(53, 56, 57)의 내주면에 나사산이 형성되면, 다시 말해서 수직 통로(53, 56, 57)의 내주면에 나선형 유로가 형성되면, 냉매가 수직 통로를 통과할 때 냉매의 유동 속도 및 압력이 증가하면서 방열 모듈(400) 내에서 냉매의 순환이 보다 빨라진다. 이에 따라서 방열 모듈(400)의 방열 효과가 더욱 향상될 수 있다.Meanwhile, in one embodiment, the inner peripheral surface of the first vertical passage 53 included in the first vertical passage portions 427a, 427b, and 427c, and the second vertical passage included in the second vertical passage portions 431a, 431b, and 431c. A screw thread may be formed on the inner peripheral surface of (56) or the inner peripheral surface of the third vertical passage 57 included in the third vertical passage portions 432a, 432b, 432c, and 432d. When threads are formed on the inner peripheral surface of the vertical passages (53, 56, 57), that is, when a spiral flow path is formed on the inner peripheral surface of the vertical passages (53, 56, 57), the flow speed of the refrigerant when it passes through the vertical passage and As the pressure increases, the circulation of the refrigerant within the heat dissipation module 400 becomes faster. Accordingly, the heat dissipation effect of the heat dissipation module 400 may be further improved.

이상과 같이 기술된 실시예에 따른 4개의 플레이트로 구성되는 방열 모듈(400)에 유입되는 냉매는 B1→B2→ … →B10의 순서로 탑 플레이트(310), 제1 미들 플레이트(420), 제2 미들 플레이트(430)를 통과하여 바텀 플레이트(440)의 제3 냉매 유동 영역에 도달한다. 제3 냉매 유동 영역에서 유동하면서 바텀 플레이트(440) 하부에 배치된 열전 소자 모듈(500)의 열 에너지를 흡수한 냉매는 C1→C2→ … →C8의 순서로 제2 미들 플레이트(430), 제1 미들 플레이트(420), 탑 플레이트(310)를 통과하여 외부로 유출된다.The refrigerant flowing into the heat dissipation module 400 composed of four plates according to the embodiment described above is B1→B2→... →It passes through the top plate 310, the first middle plate 420, and the second middle plate 430 in the order of B10 and reaches the third refrigerant flow area of the bottom plate 440. The refrigerant that flows in the third refrigerant flow region and absorbs the heat energy of the thermoelectric element module 500 disposed below the bottom plate 440 is C1 → C2 → … →It flows out through the second middle plate 430, first middle plate 420, and top plate 310 in the order of C8.

전술한 바와 같이, 로어 하우징(200)의 내부에 형성되는 수용 공간(210)에는 열전 소자 모듈(500) 및 푸셔 모듈(600)이 각각 수용된다. 또한 수용 공간(210)의 하부면에는 푸셔 모듈(600)의 일부가 삽입되어 외측으로 돌출될 수 있도록 관통 홀(230)이 형성된다. 푸셔 모듈(600)의 커넥터(616)는 관통 홀(230)을 통해서 외부로 노출된다. 푸셔 모듈(600)의 상부 플레이트(612)는 열전 소자 모듈(500)과 접촉되며 열전 소자 모듈(500)을 지지한다. 푸셔 모듈(600)의 하부 플레이트(614)는 상부 플레이트(612)의 하부에 배치되며, 상부 플레이트(612)로부터 전달되는 열기 또는 냉기를 커넥터(616)로 전달한다.As described above, the thermoelectric element module 500 and the pusher module 600 are accommodated in the receiving space 210 formed inside the lower housing 200, respectively. Additionally, a through hole 230 is formed on the lower surface of the receiving space 210 so that a portion of the pusher module 600 can be inserted and protrude outward. The connector 616 of the pusher module 600 is exposed to the outside through the through hole 230. The upper plate 612 of the pusher module 600 is in contact with the thermoelectric element module 500 and supports the thermoelectric element module 500. The lower plate 614 of the pusher module 600 is disposed below the upper plate 612 and transmits hot or cold air transmitted from the upper plate 612 to the connector 616.

로어 하우징(200)은 높은 온도의 녹는점을 갖는 플라스틱이나 수지 재질로 만들어질 수 있다. 그런데 열전 소자 모듈(500)의 하부면에서 발생하는 열기나 냉기가 상부 플레이트(612) 및 하부 플레이트(614)를 통해서 커넥터(616)로 전달되는 과정에서 열전 소자 모듈(500)의 하부면에서 발생하는 열기나 냉기 중 일부가 로어 하우징(200)으로 전달된다. 이에 따라서 열전 소자 모듈(500)의 하부면에서 발생하는 열기나 냉기 중 일부가 커넥터(616)로 전달되지 못하고 손실되는 문제가 있다.The lower housing 200 may be made of plastic or resin material with a high melting point. However, heat or cold generated from the lower surface of the thermoelectric element module 500 is generated from the lower surface of the thermoelectric element module 500 in the process of being transferred to the connector 616 through the upper plate 612 and lower plate 614. Some of the heat or cold air is transmitted to the lower housing (200). Accordingly, there is a problem that some of the heat or cold air generated from the lower surface of the thermoelectric element module 500 is not transmitted to the connector 616 and is lost.

이러한 문제를 해결하기 위하여, 로어 하우징(200)의 하부면에는 단열 구조체가 배치될 수 있다.To solve this problem, an insulation structure may be disposed on the lower surface of the lower housing 200.

도 10은 일 실시예에 따른 로어 하우징의 하부면에 배치되는 단열 구조체를 나타낸다. Figure 10 shows an insulation structure disposed on the lower surface of the lower housing according to one embodiment.

도 10을 참조하면, 로어 하우징(200)의 하부면에는 커버(81)가 결합될 수 있다. 커버(81)는 높은 온도의 녹는점을 갖는 플라스틱이나 수지 재질로 만들어질 수 있다. 예를 들어, 커버(81)는 피크(PEEK) 재질로 만들어질 수 있다.Referring to FIG. 10, a cover 81 may be coupled to the lower surface of the lower housing 200. The cover 81 may be made of plastic or resin material with a high melting point. For example, the cover 81 may be made of PEEK material.

커버(81)는 로어 하우징(200)의 하부면에 형성되는 다수의 고정 부재 삽입구(84)에 삽입 및 고정되는 다수의 고정 부재(83)에 의해서 로어 하우징(200)의 하부면에 결합될 수 있다.The cover 81 can be coupled to the lower surface of the lower housing 200 by a plurality of fixing members 83 that are inserted and fixed to a plurality of fixing member insertion holes 84 formed on the lower surface of the lower housing 200. there is.

커버(81)에는 로우 하우징(200)의 하부면에 형성되는 관통 홀(230)과 대응되는 형상 및 위치를 갖는 관통 홀(85)이 형성될 수 있다. 푸셔 모듈(600)의 커넥터(616)가 관통 홀(230) 및 관통 홀(85)을 통해서 외부로 노출될 수 있다.A through hole 85 having a shape and position corresponding to the through hole 230 formed on the lower surface of the row housing 200 may be formed in the cover 81. The connector 616 of the pusher module 600 may be exposed to the outside through the through hole 230 and the through hole 85.

로어 하우징(200)의 하부면과 커버(81) 사이에는 단열 공간이 형성될 수 있다. An insulating space may be formed between the lower surface of the lower housing 200 and the cover 81.

일 실시예에서, 로어 하우징(200)의 하부면과 커버(81) 사이에 형성되는 단열 공간에는 단열재(82)가 배치될 수 있다. 단열재(82)는 로어 하우징(200)의 하부면의 적어도 일부분을 덮도록 배치될 수 있다. 단열 공간에 단열재(82)가 배치될 경우, 커버(81)는 로어 하우징(200)의 하부면과 단열재(82)를 밀착시키며 동시에 단열재(82)를 로어 하우징(200)의 하부면에 고정시키는 역할을 할 수 있다.In one embodiment, an insulating material 82 may be disposed in the insulating space formed between the lower surface of the lower housing 200 and the cover 81. The insulation material 82 may be disposed to cover at least a portion of the lower surface of the lower housing 200. When the insulation material 82 is placed in the insulation space, the cover 81 brings the lower surface of the lower housing 200 into close contact with the insulation material 82 and simultaneously fixes the insulation material 82 to the lower surface of the lower housing 200. can play a role.

단열재(82)는 로어 하우징(200)의 하부면과 일치하는 형상을 가질 수 있으나, 단열재(82)의 형상은 실시예에 따라서 달라질 수 있다. 단열재(82)는 단열 성능이 높은 재질, 예컨대 폴리스틸렌, 발포폴리에틸렌, 폴리우레탄폼과 같은 재질로 만들어질 수 있으나, 단열재의 재질이 이에 한정되는 것은 아니다.The insulation material 82 may have a shape that matches the lower surface of the lower housing 200, but the shape of the insulation material 82 may vary depending on the embodiment. The insulating material 82 may be made of a material with high insulating performance, such as polystyrene, expanded polyethylene, or polyurethane foam, but the material of the insulating material is not limited thereto.

다른 실시예에서, 로어 하우징(200)의 하부면과 커버(81) 사이에 형성되는 단열 공간에는 공기가 채워질 수 있다. 실시예에 따라서는 커버(81)가 로어 하우징(200)의 하부면을 밀폐하도록 로어 하우징(200)의 하부면에 결합됨으로써 로어 하우징(200)의 하부면과 커버(81) 사이에 형성되는 단열 공간은 밀폐된 공간으로 형성될 수 있다. 밀폐된 단열 공간에 공기가 채워짐으로써 단열 성능이 보다 향상될 수 있다.In another embodiment, the insulating space formed between the lower surface of the lower housing 200 and the cover 81 may be filled with air. Depending on the embodiment, the cover 81 is coupled to the lower surface of the lower housing 200 to seal the lower surface of the lower housing 200, thereby forming insulation between the lower surface of the lower housing 200 and the cover 81. The space may be formed as an enclosed space. Insulation performance can be further improved by filling the sealed insulating space with air.

도 11은 다른 실시예에 따른 로어 하우징의 하부면에 배치되는 단열 구조체를 나타낸다.Figure 11 shows an insulation structure disposed on the lower surface of a lower housing according to another embodiment.

도 11을 참조하면, 다른 실시예에서 로어 하우징(200)의 하부면에는 커버(91a, 91b), 즉 제1 커버(91a) 및 제2 커버(91b)가 결합될 수 있다. 제1 커버(91a) 및 제2 커버(91b)는 높은 온도의 녹는점을 갖는 플라스틱이나 수지 재질로 만들어질 수 있다. 예를 들어, 제1 커버(91a) 및 제2 커버(91b)는 피크(PEEK) 재질로 만들어질 수 있다.Referring to FIG. 11 , in another embodiment, covers 91a and 91b, that is, first covers 91a and second covers 91b, may be coupled to the lower surface of the lower housing 200. The first cover 91a and the second cover 91b may be made of plastic or resin material with a high melting point. For example, the first cover 91a and the second cover 91b may be made of PEEK material.

제1 커버(91a) 및 제2 커버(91b)는 각각 로어 하우징(200)의 하부면에 형성되는 다수의 고정 부재 삽입구(94)에 삽입 및 고정되는 다수의 고정 부재(93)에 의해서 로어 하우징(200)의 하부면에 결합될 수 있다.The first cover 91a and the second cover 91b are connected to the lower housing by a plurality of fixing members 93 that are inserted and fixed into a plurality of fixing member insertion holes 94 formed on the lower surface of the lower housing 200, respectively. It may be coupled to the lower surface of (200).

다른 실시예에서, 로어 하우징(200)의 하부면과 제1 커버(91a) 및 제2 커버(91b) 사이에는 단열재(92)가 배치될 수 있다. 단열재(92)는 로어 하우징(200)의 하부면의 적어도 일부분을 덮도록 배치될 수 있다. 단열 공간에 단열재(92)가 배치될 경우, 제1 커버(91a) 및 제2 커버(91b)는 로어 하우징(200)의 하부면과 단열재(92)를 밀착시키며 동시에 단열재(92)를 로어 하우징(200)의 하부면에 고정시키는 역할을 할 수 있다. 이에 따라서 단열재(92)의 적어도 일부분이 외부로 노출될 수 있다.In another embodiment, an insulating material 92 may be disposed between the lower surface of the lower housing 200 and the first cover 91a and the second cover 91b. The insulation material 92 may be disposed to cover at least a portion of the lower surface of the lower housing 200. When the insulation material 92 is disposed in the insulation space, the first cover 91a and the second cover 91b bring the lower surface of the lower housing 200 into close contact with the insulation material 92 and simultaneously attach the insulation material 92 to the lower housing. It may serve to secure to the lower surface of (200). Accordingly, at least a portion of the insulation material 92 may be exposed to the outside.

단열재(92)는 로어 하우징(200)의 하부면과 일치하는 형상을 가질 수 있으나, 단열재(92)의 형상은 실시예에 따라서 달라질 수 있다. 단열재(92)는 단열 성능이 높은 재질, 예컨대 폴리스틸렌, 발포폴리에틸렌, 폴리우레탄폼과 같은 재질로 만들어질 수 있으나, 단열재의 재질이 이에 한정되는 것은 아니다.The insulation material 92 may have a shape that matches the lower surface of the lower housing 200, but the shape of the insulation material 92 may vary depending on the embodiment. The insulating material 92 may be made of a material with high insulating performance, such as polystyrene, expanded polyethylene, or polyurethane foam, but the material of the insulating material is not limited thereto.

도 10 또는 도 11에 도시된 실시예에 따르면 로어 하우징(200)의 하부면에 배치되는 단열 구조체(예컨대, 커버(81, 91a, 91b) 또는 단열재(82, 92))에 의해서 로어 하우징(200)의 하부면에 대한 단열이 이루어질 수 있다. 이에 따라서 열전 소자 모듈(500)의 하부면에서 발생하는 열기나 냉기 중 로어 하우징(200)을 통해서 손실되는 열기나 냉기의 양이 감소하므로, 종래에 비해 커넥터(616)로 전달되는 열기나 냉기의 양이 증가한다. 따라서 반도체 소자 테스트 장치(A)의 가열 성능 또는 냉각 성능이 높아지며, 보다 넓은 온도 범위에서 반도체 소자에 대한 테스트가 수행될 수 있다.According to the embodiment shown in FIG. 10 or 11, the lower housing 200 is insulated by an insulating structure (e.g., covers 81, 91a, 91b or insulators 82, 92) disposed on the lower surface of the lower housing 200. ) can be insulated on the lower surface. Accordingly, the amount of heat or cold air lost through the lower housing 200 among the heat or cold air generated on the lower surface of the thermoelectric element module 500 is reduced, and thus the amount of heat or cold air transmitted to the connector 616 is reduced compared to the prior art. The amount increases. Accordingly, the heating or cooling performance of the semiconductor device test device A is increased, and tests on semiconductor devices can be performed over a wider temperature range.

이상과 같이 본 명세서에 대해서 예시한 도면을 참조로 하여 설명하였으나, 본 명세서에 개시된 실시예와 도면에 의해 본 명세서가 한정되는 것은 아니며, 통상의 기술자에 의해 다양한 변형이 이루어질 수 있을 것이다. 아울러 앞서 본 명세서의 실시예를 설명하면서 본 명세서의 구성에 따른 효과를 명시적으로 기재하여 설명하지 않았을지라도, 해당 구성에 의해 예측 가능한 효과 또한 인정되어야 한다.As described above, the present specification has been described with reference to the drawings, but the present specification is not limited to the embodiments and drawings disclosed herein, and various modifications may be made by those skilled in the art. In addition, even if the effects of the configuration of the present specification were not explicitly described and explained previously while explaining the embodiments of the present specification, the predictable effects of the configuration should also be recognized.

Claims

Upper housing;
a lower housing coupled to the lower side of the upper housing to form a receiving space;
a thermoelectric element module accommodated in the receiving space and having both sides converted into a heating surface or a cooling surface depending on the direction of the current;
a heat dissipation module accommodated in the accommodation space and disposed on an upper part of the thermoelectric element module and cooling the thermoelectric element module;
a pusher module accommodated in the receiving space, disposed below the thermoelectric element module, and contacting the test subject element mounted on a holder to heat or cool the test subject element; and
It includes a cover disposed on the lower surface of the lower housing and coupled to the lower housing,
An insulating space is formed between the lower housing and the cover,
The heat dissipation module is
a bottom plate that is in contact with an upper part of the thermoelectric element module and includes a third refrigerant flow area in which a refrigerant for heat exchange with the thermoelectric element module flows in a horizontal direction;
a second middle plate coupled to the top of the bottom plate and including a second vertical passage and a third vertical passage for the vertical flow of the refrigerant;
a first middle plate coupled to an upper part of the second middle plate and including a first vertical passage for the refrigerant to flow in a vertical direction and a second refrigerant flow area for the refrigerant to flow in a horizontal direction; and
A top plate coupled to the upper part of the first middle plate and including a first refrigerant flow area through which the refrigerant flows in a horizontal direction,
The first middle plate is
Comprising a first protrusion and a second protrusion,
The first protrusion is
Comprising a second refrigerant inlet and a third refrigerant inlet,
The second protrusion is
comprising a second refrigerant outlet
Semiconductor device test equipment.

According to paragraph 1,
In the insulating space, an insulating material is placed or filled with air.
Semiconductor device test equipment.

According to paragraph 1,
The cover includes a through hole through which a portion of the pusher module passes.
Semiconductor device test equipment.

According to paragraph 1,
The cover is
Includes a first cover and a second cover covering a partial area of the lower surface of the lower housing,
At least a portion of the insulated space is exposed to the outside.
Semiconductor device test equipment.

delete

According to paragraph 1,
The third refrigerant flow area is
A refrigerant disposed at a position corresponding to the second vertical passage, and dispersing the refrigerant flowing from the second middle plate through the second vertical passage in a third direction or a fourth direction opposite to the third direction. dispersion unit;
a refrigerant passage unit that causes the refrigerant dispersed by the refrigerant dispersion unit to flow in a first direction perpendicular to the third direction or a second direction opposite to the first direction; and
Comprising a refrigerant delay portion disposed at both ends of the refrigerant flow path portion.
Semiconductor device test equipment.

According to clause 6,
The refrigerant passage portion is disposed at a position corresponding to the third vertical passage portion,
The refrigerant flowing through the refrigerant passage portion is supplied to the second middle plate through the third vertical passage portion.
Semiconductor device test equipment.

According to clause 6,
The second middle plate is
a first refrigerant receiving portion formed on a lower surface of the second middle plate and disposed at a position corresponding to the refrigerant passage portion or the refrigerant delay portion; and
It is formed on the lower surface of the second middle plate and includes a second refrigerant receiving portion disposed at a position corresponding to the second vertical passage portion or the third vertical passage portion.
Semiconductor device test equipment.

According to clause 8,
The second refrigerant receiving part
a first refrigerant guide portion and a second refrigerant guide portion disposed at positions corresponding to the refrigerant passage portion or the refrigerant delay portion; and
It is disposed between the first refrigerant guide part and the second refrigerant guide part and includes a refrigerant transport part connected to the second vertical passage part or the third vertical passage part.
Semiconductor device test equipment.

According to paragraph 1,
The second refrigerant flow area is
a third support portion inside which the first vertical passage portion is formed; and
Comprising a fourth support portion alternately disposed with the third support portion.
Semiconductor device test equipment.

delete

According to paragraph 1,
The refrigerant flowing into the second refrigerant inlet collides with the first protrusion of the second middle plate and then flows into the third refrigerant inlet and is supplied to the first vertical passage.
Semiconductor device test equipment.

According to paragraph 1,
The first refrigerant flow area is
Comprising a first support part and a second support part arranged alternately with the first support part.
Semiconductor device test equipment.

According to paragraph 1,
The top plate is
Comprising a first protrusion and a second protrusion,
The first protrusion of the top plate is
It includes a first refrigerant inlet connected to an inlet connector that introduces refrigerant into the heat dissipation module,
The second protrusion of the top plate is
Comprising a first refrigerant outlet connected to an outlet connector that flows out the refrigerant from the heat dissipation module.
Semiconductor device test equipment.

According to paragraph 1,
A screw thread is formed on the inner peripheral surface of the vertical passage included in the first vertical passage, the second vertical passage, or the third vertical passage.
Semiconductor device test equipment.