KR102645259B1 - Substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간이 형성되는 챔버부; 상기 챔버부의 외측에 위치되고, 열을 공급 또는 회수 가능한 열조절부; 및 열전도를 통하여 상기 처리 공간에 열을 공급하거나 상기 처리 공간으로부터 열을 회수 가능하도록, 일측이 상기 처리 공간에 위치되고 타측이 상기 열조절부에 연결되는 열전도부를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment includes a chamber portion having a processing space therein; a heat control unit located outside the chamber unit and capable of supplying or recovering heat; and a heat conduction unit, one side of which is located in the processing space and the other side of which is connected to the heat adjustment unit, so as to supply heat to the processing space or recover heat from the processing space through heat conduction.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}Substrate processing apparatus {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

아래의 실시 예는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The example below relates to a substrate processing device.

일반적으로 반도체는 리소그래피, 증착 및 에칭 등과 같은 일련의 공정들이 반복적으로 수행되어 제조된다. 이러한 반도체를 구성하는 기판의 표면에는 반복적인 공정에 의해 각종 파티클, 금속 불순물 또는 유기물 등과 같은 오염물질들이 잔존하게 된다. 기판 상에 잔존하는 오염물질은 제조되는 반도체의 신뢰성을 저하시키므로, 이를 개선하기 위해 반도체 제조공정 중 기판을 세정 및 건조하는 공정이 요구된다.In general, semiconductors are manufactured by repeatedly performing a series of processes such as lithography, deposition, and etching. Contaminants such as various particles, metal impurities, or organic substances remain on the surface of the substrate that makes up such a semiconductor due to repetitive processes. Contaminants remaining on the substrate reduce the reliability of the semiconductor being manufactured, so to improve this, processes for cleaning and drying the substrate are required during the semiconductor manufacturing process.

최근에는 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리하는 공정이 채용되고 있다. 이러한 초임계 처리 공정은 초임계 유체의 조건을 만족시키기 위해 처리 공간 내부에 고온 및 고압이 형성되어야 한다. 처리 공간에 형성되는 고압을 견딜 수 있도록, 챔버는 일반적으로 sus 재질로 형성된다. 또한, 처리 공간에 고온을 형성하기 위하여, 챔버 외곽에 코일 히터나 실리콘 에칭 히터 등을 부착하여 승온하는 방식 또는 챔버에 홀을 구성하고 홀에 히터를 삽입하는 카트리지 히터 방식이 사용되었다. 다만, sus 재질은 그 특성상 열전도율이 낮으며, 특히 고압 공정을 위해 두껍게 설계되는 경우가 많아 내부의 온도를 공정 온도로 승온하기 위하여 많은 시간이 소요된다는 문제가 있었다. 또한, 종래의 장치는 온도 하강을 위하여, 챔버 내부로 별도의 냉각 유체가 흐를 수 있도록 유로가 형성된 장치를 삽입하거나, PCW나 냉각 가스 등을 흘려 냉각하는 방법이 이용되었다. 다만, 이와 같은 장치는 냉각에 많은 시간이 소요되고, 장치 구조가 복잡해진다는 문제가 있었다. 따라서, 처리 공간 내부의 온도를 빠르게 올릴 수 있으면서, 동시에 쿨링 기능을 수행할 수 있는 기판 처리 장치가 요구되는 실정이다.Recently, a process for processing substrates using supercritical fluid has been adopted. This supercritical treatment process requires high temperature and high pressure to be formed inside the processing space to satisfy the conditions of the supercritical fluid. To withstand the high pressures created in the processing space, the chamber is generally made of sus material. Additionally, in order to create a high temperature in the processing space, a method of raising the temperature by attaching a coil heater or a silicon etching heater to the outside of the chamber, or a cartridge heater method of forming a hole in the chamber and inserting a heater into the hole was used. However, due to its nature, the sus material has low thermal conductivity, and is often designed to be thick, especially for high-pressure processes, so there is a problem that it takes a lot of time to raise the internal temperature to the process temperature. In addition, in order to lower the temperature, the conventional device used a method of inserting a device with a flow path to allow a separate cooling fluid to flow into the chamber, or cooling by flowing PCW or cooling gas. However, such devices have the problem that it takes a lot of time to cool and the device structure becomes complicated. Therefore, there is a need for a substrate processing device that can quickly raise the temperature inside the processing space and simultaneously perform a cooling function.

전술한 배경기술은 발명자가 본 발명의 도출과정에서 보유하거나 습득한 것으로서, 반드시 본 발명의 출원 전에 일반 공중에 공개된 공지기술이라고 할 수는 없다.The above-mentioned background technology is possessed or acquired by the inventor in the process of deriving the present invention, and cannot necessarily be said to be known technology disclosed to the general public before the application for the present invention.

일 실시 예의 목적은, 처리 공간 내부 온도를 빠르게 승온 및 하강할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.The purpose of one embodiment is to provide a substrate processing device that can rapidly increase and decrease the temperature inside a processing space.

일 실시 예의 목적은, 히팅 및 쿨링 기능을 동시에 갖는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.The purpose of one embodiment is to provide a substrate processing device that has both heating and cooling functions.

일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 처리 공간이 형성되는 챔버부; 상기 챔버부의 외측에 위치되고, 열을 공급 또는 회수 가능한 열조절부; 및 열전도를 통하여 상기 처리 공간에 열을 공급하거나 상기 처리 공간으로부터 열을 회수 가능하도록, 일측이 상기 처리 공간에 위치되고 타측이 상기 열조절부에 연결되는 열전도부를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment includes a chamber portion having a processing space therein; a heat control unit located outside the chamber unit and capable of supplying or recovering heat; and a heat conduction unit, one side of which is located in the processing space and the other side of which is connected to the heat adjustment unit, so as to supply heat to the processing space or recover heat from the processing space through heat conduction.

상기 열전도부는, 상기 처리 공간에 위치되는 플레이트부; 및 일측이 상기 플레이트부에 연결되고 타측이 상기 열조절부에 연결되도록, 상기 챔버부를 관통하는 관통부를 포함할 수 있다.The heat conduction unit may include a plate unit located in the processing space; And it may include a penetrating part penetrating the chamber part so that one side is connected to the plate part and the other side is connected to the heat adjustment part.

상기 관통부는, 제1관통부 및 상기 제1관통부와 이격 배치되는 제2관통부를 포함할 수 있다.The penetrating portion may include a first penetrating portion and a second penetrating portion spaced apart from the first penetrating portion.

상기 열조절부는, 상기 제1관통부에 연결되는 히팅부; 및 상기 제2관통부에 연결되는 쿨링부를 포함할 수 있다.The heat control unit includes a heating unit connected to the first penetration unit; And it may include a cooling part connected to the second penetrating part.

상기 처리 공간의 내부 온도 상승을 위하여 상기 히팅부를 작동시키고, 상기 처리 공간의 내부 온도 하강을 위하여 상기 쿨링부를 작동시키는 제어부를 더 포함할 수 있다.It may further include a control unit that operates the heating unit to increase the internal temperature of the processing space and operates the cooling unit to reduce the internal temperature of the processing space.

상기 처리 공간의 내부 온도를 측정하는 센서부를 더 포함하고, 상기 제어부는 상기 센서부에서 측정된 측정값을 고려하여 상기 열조절부를 제어할 수 있다.It may further include a sensor unit that measures the internal temperature of the processing space, and the control unit may control the heat control unit by considering the measurement value measured by the sensor unit.

상기 열전도부는 상기 챔버부보다 열전도율이 높은 재질을 포함할 수 있다.The heat-conducting portion may include a material with higher thermal conductivity than the chamber portion.

상기 열전도부는 열전도도가 200W/mk 이상인 재질을 포함할 수 있다.The heat conduction unit may include a material having a heat conductivity of 200 W/mk or more.

상기 플레이트부의 일면에는 요철이 형성될 수 있다.Irregularities may be formed on one surface of the plate portion.

상기 플레이트부는 메쉬(mesh) 구조로 형성될 수 있다.The plate portion may be formed in a mesh structure.

상기 열전도부는 일체로 형성될 수 있다.The heat conduction part may be formed integrally.

상기 챔버부 및 관통부의 사이를 실링하는 실링부를 더 포함할 수 있다.It may further include a sealing part that seals between the chamber part and the penetration part.

상기 챔버부는 제1바디 및 제2바디를 포함하고, 상기 제1바디 및 제2바디에는 상기 열조절부 및 열전도부가 각각 구비될 수 있다.The chamber unit may include a first body and a second body, and the first body and the second body may be provided with the heat adjustment unit and the heat conduction unit, respectively.

상기 플레이트부는, 제1플레이트부 및 상기 제1플레이트와 이격 배치되는 제2플레이트부를 포함하고, 상기 관통부는, 상기 제1플레이트부에 연결되는 제1관통부 및 상기 제2플레이트부에 연결되는 제2관통부를 포함할 수 있다.The plate portion includes a first plate portion and a second plate portion spaced apart from the first plate, and the penetration portion includes a first penetration portion connected to the first plate portion and a second plate portion connected to the second plate portion. It may include two penetration parts.

상기 열조절부는, 상기 제1관통부에 연결되는 히팅부; 및 상기 제2관통부에 연결되는 쿨링부를 포함할 수 있다.The heat control unit includes a heating unit connected to the first penetration unit; And it may include a cooling part connected to the second penetrating part.

일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 열전도율이 높은 열전도부를 통하여 처리 공간 내부 온도를 빠르게 승온 및 하강시킬 수 있다.The substrate processing apparatus according to one embodiment can rapidly increase and decrease the temperature inside the processing space through a heat conduction unit with high heat conductivity.

일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 히팅 및 쿨링 기능을 동시에 가짐으로써, 처리 공간 내부의 온도 변화를 일정하게 유지하여 공정의 안정성을 높일 수 있다.The substrate processing apparatus according to one embodiment has heating and cooling functions at the same time, thereby improving process stability by maintaining constant temperature changes inside the processing space.

일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the substrate processing apparatus according to one embodiment are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned may be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 일 실시 예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니 된다.
도 1은 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 블록도이다.
도 3은 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 단면도이다.The following drawings attached to this specification illustrate a preferred embodiment of the present invention, and serve to further understand the technical idea of the present invention along with the detailed description of the invention. Therefore, the present invention is limited to the matters described in such drawings. It should not be interpreted in a limited way.
1 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to one embodiment.
Figure 2 is a block diagram of a substrate processing apparatus according to one embodiment.
3 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to one embodiment.

이하, 실시 예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 실시 예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 실시 예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail through illustrative drawings. When adding reference numerals to components in each drawing, it should be noted that identical components are given the same reference numerals as much as possible even if they are shown in different drawings. Additionally, when describing an embodiment, if a detailed description of a related known configuration or function is judged to impede understanding of the embodiment, the detailed description will be omitted.

또한, 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.Additionally, in describing the components of the embodiment, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the nature, sequence, or order of the component is not limited by the term. When a component is described as being "connected," "coupled," or "connected" to another component, that component may be directly connected or connected to that other component, but there is no need for another component between each component. It should be understood that may be “connected,” “combined,” or “connected.”

어느 하나의 실시 예에 포함된 구성요소와, 공통적인 기능을 포함하는 구성요소는, 다른 실시 예에서 동일한 명칭을 사용하여 설명하기로 한다. 반대되는 기재가 없는 이상, 어느 하나의 실시 예에 기재한 설명은 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 중복되는 범위에서 구체적인 설명은 생략하기로 한다.Components included in one embodiment and components including common functions will be described using the same names in other embodiments. Unless stated to the contrary, the description given in one embodiment may be applied to other embodiments, and detailed description will be omitted to the extent of overlap.

도 1은 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 단면도이다. 도 2는 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 블록도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to one embodiment. Figure 2 is a block diagram of a substrate processing apparatus according to one embodiment.

도 1 및 도 2를 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)는 기판에 대한 공정을 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(1)는 내부에 고온 및 고압을 형성할 수 있다. 예를 들어, 기판 처리 장치(1)는 초임계 건조 장치일 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 2 , the substrate processing apparatus 1 according to one embodiment may perform a process on a substrate. The substrate processing device 1 can generate high temperature and high pressure inside. For example, the substrate processing device 1 may be a supercritical drying device.

일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)는 챔버부(10), 열조절부(11), 열전도부(12), 제어부(13) 및 센서부(14)를 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus 1 according to one embodiment may include a chamber unit 10, a heat control unit 11, a heat conduction unit 12, a control unit 13, and a sensor unit 14.

챔버부(10) 내부에서는 기판에 대한 공정이 수행될 수 있다. 챔버부(10)는 내부에 처리 공간(S)이 형성될 수 있다. 처리 공간(S)에는 고온 및 고압이 형성될 수 있다. 챔버부(10)는 처리 공간(S)에 고압이 유지되도록 밀폐 구조를 가질 수 있다. 챔버부(10)의 내부에는 기판이 안착될 수 있다. 챔버부(10)에는 기판이 안착될 수 있도록, 기판 안착부가 위치될 수 있다. 챔버부(10)는 제1바디(101) 및 제2바디(102)를 포함할 수 있다. 제1바디(101) 및 제2바디(102)는 처리 공간(S)이 형성되도록 서로 결합 가능할 수 있다. 예를 들어, 제1바디(101) 및 제2바디(102) 중 적어도 하나는 처리 공간(S)이 개폐되도록 승강 가능할 수 있다. 챔버부(10)는 sus 재질을 포함할 수 있다.Inside the chamber unit 10, a process on a substrate may be performed. The chamber unit 10 may have a processing space (S) formed therein. High temperature and high pressure may be formed in the processing space (S). The chamber unit 10 may have a sealed structure to maintain high pressure in the processing space (S). A substrate may be seated inside the chamber portion 10. A substrate mounting portion may be positioned in the chamber portion 10 so that a substrate can be mounted. The chamber unit 10 may include a first body 101 and a second body 102. The first body 101 and the second body 102 may be coupled to each other to form a processing space S. For example, at least one of the first body 101 and the second body 102 may be capable of being raised and lowered to open and close the processing space S. The chamber portion 10 may include a sus material.

열조절부(11)는 열을 공급 또는 회수 가능하도록 구성될 수 있다. 열조절부(11)는 히팅부(111) 및 쿨링부(112)를 포함할 수 있다. 히팅부(111)는 열을 공급할 수 있다. 예를 들어, 히팅부(111)는 히터를 포함할 수 있다. 쿨링부(112)는 열을 회수할 수 있다. 예를 들어, 쿨링부(1112)는 쿨러를 포함할 수 있다. 열조절부(11)는 챔버부(10)의 외측에 위치될 수 있다. 한편, 열조절부(11)의 히팅부 및 쿨링부는 하나의 구성이고, 온도를 조절하여 히팅 및 쿨링 기능을 동시에 갖는 장치일 수도 있다.The heat control unit 11 may be configured to supply or recover heat. The heat control unit 11 may include a heating unit 111 and a cooling unit 112. The heating unit 111 can supply heat. For example, the heating unit 111 may include a heater. The cooling unit 112 can recover heat. For example, the cooling unit 1112 may include a cooler. The heat control unit 11 may be located outside the chamber unit 10. Meanwhile, the heating unit and the cooling unit of the heat control unit 11 are one component, and may be a device that controls temperature and has heating and cooling functions at the same time.

열전도부(12)는 열전도를 통하여, 열조절부(11) 및 처리 공간(S) 간의 열교환을 수행할 수 있다. 즉, 열전도부(12)는 열전도를 통하여 처리 공간(S)에 열을 공급하거나, 처리 공간(S)으로부터 열을 회수할 수 있다. 이를 위하여, 열전도부(12)의 일측은 처리 공간(S)에 위치되고, 타측은 열조절부(11)에 연결될 수 있다. 열전도부(12)는 챔버부(10)보다 열전도율이 높은 재질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 열전도부(12)는 알루미늄 재질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 열전도부(12)는 열전도도가 200W/mk 이상인 재질을 포함할 수 있다. 따라서, 열전도부(12)는 챔버부(10)보다 열 전도에 유리할 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 열조절부(11)에서 생성된 열은 열전도부(12)를 통해 처리 공간(S)으로 공급되고, 처리 공간(S)의 내부 온도가 승온될 수 있다. 또한, 메인터넌스를 위하여 쿨링이 필요한 경우, 처리 공간(S) 내부의 열은 열전도부(12)를 통해 열조절부(11)로 회수되고, 처리 공간(S)의 내부 온도가 하강될 수 있다. 한편, 열전도부(12)는 일체로 형성될 수 있다.The heat conduction unit 12 can perform heat exchange between the heat control unit 11 and the processing space (S) through heat conduction. That is, the heat conduction unit 12 can supply heat to the processing space (S) or recover heat from the processing space (S) through heat conduction. To this end, one side of the heat conduction unit 12 may be located in the processing space S, and the other side may be connected to the heat adjustment unit 11. The heat conduction part 12 may include a material with higher heat conductivity than the chamber part 10. For example, the heat conduction part 12 may include aluminum. For example, the heat conduction unit 12 may include a material with a heat conductivity of 200 W/mk or more. Accordingly, the heat conduction portion 12 may be more advantageous in heat conduction than the chamber portion 10. According to this structure, the heat generated in the heat control unit 11 is supplied to the processing space S through the heat conduction unit 12, and the internal temperature of the processing space S can be increased. In addition, when cooling is required for maintenance, the heat inside the processing space (S) is recovered to the heat adjusting unit (11) through the heat conduction unit (12), and the internal temperature of the processing space (S) may decrease. Meanwhile, the heat-conducting portion 12 may be formed integrally.

열전도부(12)는 플레이트부(121) 및 관통부(122)를 포함할 수 있다.The heat conduction part 12 may include a plate part 121 and a penetration part 122.

플레이트부(121)는 처리 공간(S)에 위치될 수 있다. 즉, 플레이트부(121)는 챔버부(10)의 내부에 위치될 수 있다. 플레이트부(121)는 처리 공간(S)의 일면에 배치될 수 있다. 예를 들어, 플레이트부(121)는 챔버부(10)의 내부 상부면 또는 내부 하부면에 배치될 수 있다. 플레이트부(121)는 처리 공간(S)과 열교환을 수행할 수 있다. 플레이트부(121)는 열교환에 유리하도록 넓은 표면적을 가질 수 있다. 예를 들어, 플레이트부(121)는 넓은 판 형상으로 형성될 수 있다. 플레이트부(121)의 적어도 일면에는 요철이 형성될 수 있다. 플레이트부(121)는 그물망 형상의 메쉬(mesh) 구조를 포함할 수 있다. 플레이트부(121)는 도선이 감겨진 코일 구조를 포함할 수 있다. 이과 같은 구조에 의하면, 플레이트부(121)와 처리 공간(S) 사이의 열 교환이 더욱 효율적으로 수행될 수 있다.The plate portion 121 may be located in the processing space (S). That is, the plate part 121 may be located inside the chamber part 10. The plate portion 121 may be disposed on one side of the processing space (S). For example, the plate part 121 may be disposed on the inner upper surface or the inner lower surface of the chamber part 10. The plate portion 121 may perform heat exchange with the processing space (S). The plate portion 121 may have a large surface area to facilitate heat exchange. For example, the plate portion 121 may be formed in a wide plate shape. Irregularities may be formed on at least one surface of the plate portion 121. The plate portion 121 may include a net-shaped mesh structure. The plate portion 121 may include a coil structure in which a conductive wire is wound. According to this structure, heat exchange between the plate portion 121 and the processing space (S) can be performed more efficiently.

관통부(122)는 일측이 플레이트부(121)에 연결되고, 타측이 열조절부(11)에 연결될 수 있다. 관통부(122)는 챔버부(10)를 관통할 수 있다. 관통부(122)는 열조절부(11) 및 플레이트부(121) 간의 열교환을 수행할 수 있다. 즉, 관통부(122)는 열전도를 통하여 열조절부(11) 및 플레이트부(121) 사이에서 열을 전달할 수 있다. 관통부(122)는 복수 개 마련될 수 있다. 예를 들어, 관통부(122)는 제1관통부(122a) 및 제2관통부(122b)를 포함할 수 있다. 제1관통부(122a) 및 제2관통부(122b)는 서로 이격 배치될 수 있다. 제1관통부(122a)에는 히팅부(111)가 연결될 수 있다. 제2관통부(122b)에는 쿨링부(112)가 연결될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 히팅 및 쿨링 기능을 동시에 가질 수 있다. 한편, 챔버부(10) 및 관통부(122)의 사이에는 실링부(미도시)가 적용될 수 있다. 처리 공간(S)에 고압이 유지되도록, 실링부는 챔버부(10) 및 관통부(122)의 사이를 실링할 수 있다.One side of the penetrating portion 122 may be connected to the plate portion 121 and the other side may be connected to the heat adjusting portion 11. The penetrating portion 122 may penetrate the chamber portion 10 . The penetrating portion 122 may perform heat exchange between the heat adjusting portion 11 and the plate portion 121. That is, the penetrating part 122 can transfer heat between the heat adjusting part 11 and the plate part 121 through heat conduction. A plurality of penetrating portions 122 may be provided. For example, the penetrating part 122 may include a first penetrating part 122a and a second penetrating part 122b. The first through portion 122a and the second through portion 122b may be spaced apart from each other. The heating unit 111 may be connected to the first penetration part 122a. The cooling unit 112 may be connected to the second penetrating part 122b. According to this structure, it can have heating and cooling functions at the same time. Meanwhile, a sealing part (not shown) may be applied between the chamber part 10 and the penetration part 122. To maintain high pressure in the processing space S, the sealing unit may seal between the chamber unit 10 and the penetration unit 122.

한편, 챔버부(10)의 제1바디(101) 및 제2바디(102)에는 열조절부(11) 및 열전도부(12)가 각각 구비될 수 있다. 제1바디(101) 및 제2바디(102)에 각각 구비된 열조절부(11) 및 열전도부(12)는 서로 독립적으로 또는 서로 연동되어 제어될 수 있다.Meanwhile, the first body 101 and the second body 102 of the chamber unit 10 may be provided with a heat adjustment unit 11 and a heat conduction unit 12, respectively. The heat control unit 11 and the heat conduction unit 12 provided in the first body 101 and the second body 102, respectively, may be controlled independently of each other or in conjunction with each other.

제어부(13)는 열조절부(11)를 제어할 수 있다. 제어부(13)는 열조절부(11)를 제어하여, 처리 공간(S) 내부의 온도를 승온 또는 하강시킬 수 있다. 처리 공정 등을 위하여, 처리 공간(S)의 내부 온도 상승이 필요한 경우, 제어부(13)는 히팅부(111)를 작동시킬 수 있다. 히팅부(111)에서 발생된 열은 제1관통부(122a)를 통하여 플레이트부(121)로 전달될 수 있다. 플레이트부(121)로 전달된 열은 처리 공간(S) 내부로 전달됨으로써, 처리 공간(S)의 온도가 상승될 수 있다. 또한, 메인터넌스 등을 위하여, 처리 공간(S)의 내부 온도 하강이 필요한 경우, 제어부(13)는 쿨링부(112)를 작동시킬 수 있다. 처리 공간(S) 내부의 고온에 의하여 뜨거워진 플레이트부(121)의 열은 제2관통부(122b)를 통하여 차가운 쿨링부(112)로 회수될 수 있다. 따라서, 처리 공간(S) 내부의 열은 쿨링부(112)를 통해 지속적으로 회수되고, 그에 따라 처리 공간(S)의 내부 온도는 하강될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 열전도도가 높은 열전도부(12)를 직접 히팅 및 쿨링하여 처리 공간(S) 내부와 열교환을 수행할 수 있으므로, 히팅 및 쿨링 시간을 단축할 수 있다.The control unit 13 can control the heat control unit 11. The control unit 13 can control the heat control unit 11 to raise or lower the temperature inside the processing space S. If an increase in the internal temperature of the processing space S is required for the processing process, etc., the control unit 13 may operate the heating unit 111. Heat generated in the heating unit 111 may be transferred to the plate unit 121 through the first penetration part 122a. The heat transferred to the plate unit 121 is transferred to the inside of the processing space (S), thereby increasing the temperature of the processing space (S). Additionally, when it is necessary to lower the internal temperature of the processing space S for maintenance, etc., the control unit 13 may operate the cooling unit 112. Heat of the plate part 121 heated by the high temperature inside the processing space S may be recovered to the cold cooling part 112 through the second penetration part 122b. Accordingly, heat inside the processing space (S) is continuously recovered through the cooling unit 112, and the internal temperature of the processing space (S) may decrease accordingly. According to this structure, the heat conduction part 12, which has high thermal conductivity, can be directly heated and cooled to exchange heat with the inside of the processing space S, thereby shortening the heating and cooling time.

센서부(14)는 처리 공간(S)의 내부 온도를 측정할 수 있다. 예를 들어, 센서부(14)는 온도 센서를 포함할 수 있다. 제어부(13)는 센서부(14)에서 측정된 측정값을 고려하여 열조절부(11)를 제어할 수 있다. 제어부(13)는 처리 공간(S)의 온도가 일정하게 유지되도록, 측정된 온도값을 이용하여 열조절부(11)를 피드백 제어할 수 있다. 예를 들어, 측정값이 목표값보다 높게 측정된 경우, 제어부(13)는 히팅부(111)의 강도를 낮추거나, 쿨링부(112)를 작동시킬 수 있다. 또는, 측정값이 목표값보다 낮게 측정된 경우, 제어부(13)는 히팅부(111)의 강도를 높일 수 있다. 이와 같은 구성에 의하면, 히팅 및 쿨링 기능을 동시에 수행할 수 있으므로, 처리 공간(S)의 내부 온도를 일정하게 유지시킬 수 있고, 그에 따라 공정의 안정성을 향상시킬 수 있다.The sensor unit 14 can measure the internal temperature of the processing space (S). For example, the sensor unit 14 may include a temperature sensor. The control unit 13 may control the heat control unit 11 by considering the measurement value measured by the sensor unit 14. The control unit 13 may feedback control the heat control unit 11 using the measured temperature value so that the temperature of the processing space S is maintained constant. For example, if the measured value is higher than the target value, the control unit 13 may lower the intensity of the heating unit 111 or operate the cooling unit 112. Alternatively, if the measured value is lower than the target value, the control unit 13 may increase the intensity of the heating unit 111. According to this configuration, the heating and cooling functions can be performed simultaneously, so the internal temperature of the processing space S can be maintained constant, thereby improving the stability of the process.

도 3은 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 단면도이다.3 is a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to one embodiment.

도 3을 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)의 플레이트부(121)는 제1플레이트부(121a) 및 제2플레이트부(121b)를 포함할 수 있다. 제1플레이트부(121a) 및 제2플레이트부(121b)는 서로 이격 배치될 수 있다. 관통부(122)는 제1관통부(122a) 및 제2관통부(122b)를 포함할 수 있다. 제1관통부(122a)는 제1플레이트부(121a)에 연결될 수 있다. 제2관통부(122b)는 제2플레이트부(121b)에 연결될 수 있다. 열조절부(11)는 히팅부(111) 및 쿨링부(112)를 포함할 수 있다. 제1관통부(122a)에는 히팅부(111)가 연결될 수 있다. 제2관통부(122b)에는 쿨링부(112)가 연결될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 제1플레이트부(121a) 및 제2플레이트부(121b)는 서로 이격되어 있으므로, 히팅 및 쿨링을 서로 독립적으로 제어할 수 있다.Referring to FIG. 3, the plate portion 121 of the substrate processing apparatus 1 according to an embodiment may include a first plate portion 121a and a second plate portion 121b. The first plate portion 121a and the second plate portion 121b may be spaced apart from each other. The penetrating portion 122 may include a first penetrating portion 122a and a second penetrating portion 122b. The first penetration part 122a may be connected to the first plate part 121a. The second penetration part 122b may be connected to the second plate part 121b. The heat control unit 11 may include a heating unit 111 and a cooling unit 112. The heating unit 111 may be connected to the first penetration part 122a. The cooling unit 112 may be connected to the second penetrating part 122b. According to this structure, since the first plate part 121a and the second plate part 121b are spaced apart from each other, heating and cooling can be controlled independently of each other.

이상과 같이 비록 한정된 도면에 의해 실시 예들이 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 구조, 장치 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.As described above, although the embodiments have been described with limited drawings, various modifications and variations can be made by those skilled in the art from the above description. For example, the described techniques may be performed in a different order than the described method, and/or components of the described structure, device, etc. may be combined or combined in a form different from the described method, or may be used with other components or equivalents. Appropriate results can be achieved even if replaced or substituted by .

1: 기판 처리 장치
10: 챔버부
11: 열조절부
12: 열전도부
13: 제어부
14: 센서부1: Substrate processing device
10: Chamber part
11: Heat control unit
12: heat conduction part
13: control unit
14: Sensor unit

Claims (15)

내부에 처리 공간이 형성되는 챔버부;
상기 챔버부의 외측에 위치되고, 열을 공급 또는 회수 가능한 열조절부; 및
열전도를 통하여 상기 처리 공간에 열을 공급하거나 상기 처리 공간으로부터 열을 회수 가능하도록, 일측이 상기 처리 공간에 위치되고 타측이 상기 열조절부에 연결되는 열전도부를 포함하고,
상기 열전도부는,
상기 처리 공간에 위치되는 플레이트부; 및
일측이 상기 플레이트부에 연결되고 타측이 상기 열조절부에 연결되도록, 상기 챔버부를 관통하는 관통부를 포함하는, 기판 처리 장치.A chamber portion in which a processing space is formed;
a heat control unit located outside the chamber unit and capable of supplying or recovering heat; and
A heat conduction unit having one side located in the processing space and the other side connected to the heat adjustment unit so as to supply heat to the processing space or recover heat from the processing space through heat conduction,
The heat conduction part,
a plate portion located in the processing space; and
A substrate processing apparatus comprising a penetrating portion penetrating the chamber portion such that one side is connected to the plate portion and the other side is connected to the heat adjusting portion. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 관통부는, 제1관통부 및 상기 제1관통부와 이격 배치되는 제2관통부를 포함하는, 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
The through portion includes a first through portion and a second through portion spaced apart from the first through portion. 제3항에 있어서,
상기 열조절부는,
상기 제1관통부에 연결되는 히팅부; 및
상기 제2관통부에 연결되는 쿨링부를 포함하는, 기판 처리 장치.According to paragraph 3,
The heat control unit,
a heating unit connected to the first penetration unit; and
A substrate processing apparatus including a cooling unit connected to the second penetration unit. 제4항에 있어서,
상기 처리 공간의 내부 온도 상승을 위하여 상기 히팅부를 작동시키고, 상기 처리 공간의 내부 온도 하강을 위하여 상기 쿨링부를 작동시키는 제어부를 더 포함하는, 기판 처리 장치.According to paragraph 4,
A substrate processing apparatus further comprising a control unit that operates the heating unit to increase the internal temperature of the processing space and operates the cooling unit to reduce the internal temperature of the processing space. 제5항에 있어서,
상기 처리 공간의 내부 온도를 측정하는 센서부를 더 포함하고,
상기 제어부는 상기 센서부에서 측정된 측정값을 고려하여 상기 열조절부를 제어하는, 기판 처리 장치.According to clause 5,
Further comprising a sensor unit that measures the internal temperature of the processing space,
The control unit controls the heat adjustment unit by considering the measurement value measured by the sensor unit. 제1항에 있어서,
상기 열전도부는 상기 챔버부보다 열전도율이 높은 재질을 포함하는, 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
A substrate processing apparatus, wherein the heat conduction portion includes a material having a higher heat conductivity than the chamber portion. 제1항에 있어서,
상기 열전도부는 열전도도가 200W/mk 이상인 재질을 포함하는, 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
A substrate processing device, wherein the heat conduction unit includes a material having a heat conductivity of 200 W/mk or more. 제1항에 있어서,
상기 플레이트부의 일면에는 요철이 형성되는, 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
A substrate processing apparatus in which irregularities are formed on one surface of the plate portion. 제1항에 있어서,
상기 플레이트부는 메쉬(mesh) 구조로 형성되는, 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
A substrate processing device wherein the plate portion is formed in a mesh structure. 내부에 처리 공간이 형성되는 챔버부;
상기 챔버부의 외측에 위치되고, 열을 공급 또는 회수 가능한 열조절부; 및
열전도를 통하여 상기 처리 공간에 열을 공급하거나 상기 처리 공간으로부터 열을 회수 가능하도록, 일측이 상기 처리 공간에 위치되고 타측이 상기 열조절부에 연결되는 열전도부를 포함하고,
상기 열전도부는 일체로 형성되는, 기판 처리 장치.A chamber portion in which a processing space is formed;
a heat control unit located outside the chamber unit and capable of supplying or recovering heat; and
A heat conduction unit having one side located in the processing space and the other side connected to the heat adjustment unit so as to supply heat to the processing space or recover heat from the processing space through heat conduction,
A substrate processing device, wherein the heat conduction portion is formed integrally. 제1항에 있어서,
상기 챔버부 및 관통부의 사이를 실링하는 실링부를 더 포함하는, 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
A substrate processing apparatus further comprising a sealing part that seals between the chamber part and the penetration part. 제1항에 있어서,
상기 챔버부는 제1바디 및 제2바디를 포함하고,
상기 제1바디 및 제2바디에는 상기 열조절부 및 열전도부가 각각 구비되는, 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
The chamber portion includes a first body and a second body,
A substrate processing apparatus, wherein the first body and the second body are respectively provided with the heat adjustment unit and the heat conduction unit. 제1항에 있어서,
상기 플레이트부는, 제1플레이트부 및 상기 제1플레이트와 이격 배치되는 제2플레이트부를 포함하고,
상기 관통부는, 상기 제1플레이트부에 연결되는 제1관통부 및 상기 제2플레이트부에 연결되는 제2관통부를 포함하는, 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
The plate portion includes a first plate portion and a second plate portion spaced apart from the first plate,
The through portion includes a first through portion connected to the first plate portion and a second through portion connected to the second plate portion. 제14항에 있어서,
상기 열조절부는,
상기 제1관통부에 연결되는 히팅부; 및
상기 제2관통부에 연결되는 쿨링부를 포함하는, 기판 처리 장치.According to clause 14,
The heat control unit,
a heating unit connected to the first penetration unit; and
A substrate processing apparatus including a cooling unit connected to the second penetration unit.
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