KR102644399B1 - Substrate cleaning apparatus - Google Patents

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Abstract

일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 처리 헤드; 상기 처리 헤드에 연결되고, 기판의 일면을 처리하는 처리 패드; 상기 처리 헤드에 연결되고, 상기 기판의 일면에 수직한 축을 중심으로 상기 처리 헤드를 회전시키는 회전부; 상기 처리 헤드에 연결되고, 상기 기판의 일면에 수직한 방향을 따라 상기 처리 헤드를 이동시키는 이동부; 상기 처리 패드가 상기 기판에 접촉한 상태에서, 상기 처리 패드를 상기 기판 방향으로 가압하는 가압부; 및 상기 처리 패드를 통한 상기 기판의 처리 공정을 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment includes a processing head; a processing pad connected to the processing head and processing one side of the substrate; a rotating part connected to the processing head and rotating the processing head about an axis perpendicular to one surface of the substrate; a moving part connected to the processing head and moving the processing head along a direction perpendicular to one surface of the substrate; a pressurizing unit that presses the processing pad toward the substrate while the processing pad is in contact with the substrate; and a control unit that controls a processing process of the substrate through the processing pad.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE CLEANING APPARATUS}Substrate processing device {SUBSTRATE CLEANING APPARATUS}

아래의 실시 예는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The example below relates to a substrate processing device.

일반적으로 반도체는 리소그래피, 증착 및 에칭 등과 같은 일련의 공정들이 반복적으로 수행되어 제조된다. 이러한 반도체를 구성하는 기판의 표면에는 반복적인 공정에 의해 각종 파티클, 금속 불순물 또는 유기물 등과 같은 오염물질들이 잔존하게 된다. 기판 상에 잔존하는 오염물질은 제조되는 반도체의 신뢰성을 저하시키므로, 이를 개선하기 위해 반도체 제조공정 중 기판을 세정하는 공정이 요구된다. 한편, 종래의 기판 처리 장치에서는, 기판 표면에 슬러리 잔사나 금속 연마 고착 이물이 충분히 제거되지 않는 문제가 있었다. 따라서, 기판을 정밀하게 세정 또는 버핑할 수 있는 기판 처리 장치가 요구된다.In general, semiconductors are manufactured by repeatedly performing a series of processes such as lithography, deposition, and etching. Contaminants such as various particles, metal impurities, or organic substances remain on the surface of the substrate that makes up such a semiconductor due to repetitive processes. Contaminants remaining on the substrate reduce the reliability of the semiconductor being manufactured, so a process of cleaning the substrate during the semiconductor manufacturing process is required to improve this. On the other hand, in conventional substrate processing equipment, there was a problem in which slurry residue and metal polishing adhering impurities were not sufficiently removed from the substrate surface. Therefore, there is a need for a substrate processing device that can precisely clean or buff a substrate.

전술한 배경기술은 발명자가 본 발명의 도출과정에서 보유하거나 습득한 것으로서, 반드시 본 발명의 출원 전에 일반 공중에 공개된 공지기술이라고 할 수는 없다.
일본 공개특허공보 특개2015-233091호는 기판 세정 장치에 대하여 개시하고 있다.The above-mentioned background technology is possessed or acquired by the inventor in the process of deriving the present invention, and cannot necessarily be said to be known technology disclosed to the general public before the application for the present invention.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2015-233091 discloses a substrate cleaning device.

일 실시 예의 목적은, 기판을 정밀하게 세정 또는 버핑할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.The purpose of one embodiment is to provide a substrate processing device that can precisely clean or buff a substrate.

일 실시 예의 목적은, 세정력을 향상시키기 위하여, 기판에 대한 세정 부재의 하방력 또는 상방력을 정밀하게 제어할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.The purpose of one embodiment is to provide a substrate processing apparatus that can precisely control the downward or upward force of a cleaning member with respect to a substrate in order to improve cleaning power.

일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 처리 헤드; 상기 처리 헤드에 연결되고, 기판의 일면을 처리하는 처리 패드; 상기 처리 헤드에 연결되고, 상기 기판의 일면에 수직한 축을 중심으로 상기 처리 헤드를 회전시키는 회전부; 상기 처리 헤드에 연결되고, 상기 기판의 일면에 수직한 방향을 따라 상기 처리 헤드를 이동시키는 이동부; 상기 처리 패드가 상기 기판에 접촉한 상태에서, 상기 처리 패드를 상기 기판 방향으로 가압하는 가압부; 및 상기 처리 패드를 통한 상기 기판의 처리 공정을 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment includes a processing head; a processing pad connected to the processing head and processing one side of the substrate; a rotating part connected to the processing head and rotating the processing head about an axis perpendicular to one surface of the substrate; a moving part connected to the processing head and moving the processing head along a direction perpendicular to one surface of the substrate; a pressurizing unit that presses the processing pad toward the substrate while the processing pad is in contact with the substrate; and a control unit that controls a processing process of the substrate through the processing pad.

상기 제어부는, 상기 기판에 대한 상기 처리 패드의 접촉 여부를 판단하여 상기 가압부의 작동을 제어할 수 있다.The control unit may control the operation of the pressing unit by determining whether the processing pad is in contact with the substrate.

상기 제어부는, 상기 회전부에 작용하는 힘 또는 토크 변화량을 통해 상기 기판에 대한 상기 처리 패드의 접촉 여부를 판단할 수 있다.The control unit may determine whether the processing pad is in contact with the substrate through a change in force or torque applied to the rotating unit.

상기 제어부는, 상기 이동부에 작용하는 힘 또는 토크 변화량을 통해 상기 기판에 대한 상기 처리 패드의 접촉 여부를 판단할 수 있다.The control unit may determine whether the processing pad is in contact with the substrate through a change in force or torque applied to the moving unit.

상기 제어부는, 상기 기판 및 처리 패드가 접촉한 것으로 판단되면, 상기 회전부, 이동부 및 가압부 중 적어도 어느 하나에 작용하는 힘 또는 토크 값을 통해 상기 가압부의 작동을 제어할 수 있다.If it is determined that the substrate and the processing pad are in contact, the control unit may control the operation of the pressing unit through a force or torque value applied to at least one of the rotating unit, the moving unit, and the pressing unit.

상기 처리 헤드에 연결되고, 상기 기판의 일면에 평행한 평면 상에서 상기 처리 헤드를 병진 이동시키는 평행 이동부를 더 포함할 수 있다.It may further include a parallel movement unit connected to the processing head and configured to translate and move the processing head on a plane parallel to one surface of the substrate.

상기 기판을 기준으로 상기 처리 헤드의 반대편에 배치되고, 상기 기판의 타면을 지지하는 지지 부재를 더 포함할 수 있다.It may further include a support member disposed on an opposite side of the processing head with respect to the substrate and supporting the other side of the substrate.

상기 지지 부재는 길이 방향으로 형성되고, 상기 평행 이동부는 상기 처리 헤드를 상기 지지 부재의 길이 방향을 따라 이동시킬 수 있다.The support member is formed in a longitudinal direction, and the parallel movement unit can move the processing head along the longitudinal direction of the support member.

상기 지지 부재는 상기 기판의 타면을 처리하도록 회전 구동될 수 있다.The support member may be driven to rotate to process the other side of the substrate.

상기 가압부는, 상기 처리 헤드 내에 구비되는 가압 챔버; 및 상기 가압 챔버 내의 압력을 조절하는 압력 조절부를 포함할 수 있다.The pressurizing unit includes a pressurizing chamber provided within the processing head; And it may include a pressure regulator that adjusts the pressure in the pressurization chamber.

상기 가압 챔버는 복수 개의 구역으로 구획되고, 상기 압력 조절부는 상기 복수 개의 구역 각각에 개별적으로 압력을 조절할 수 있다.The pressurization chamber is divided into a plurality of zones, and the pressure control unit can individually adjust the pressure in each of the plurality of zones.

상기 가압부는, 상기 처리 헤드에 고정적으로 연결되는 제1파트; 상기 제1파트에 대해 슬라이딩 가능하게 연결되는 제2파트; 및 상기 제2파트를 상기 제1파트에 대해 슬라이딩 시키는 공압부를 포함할 수 있다.The pressing part includes a first part fixedly connected to the processing head; a second part slidably connected to the first part; And it may include a pneumatic part that slides the second part relative to the first part.

일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 기판의 일면을 처리하는 처리 패드를 포함하는 처리 유닛; 상기 기판의 타면을 지지하는 지지 부재를 포함하는 지지 유닛; 및 상기 기판의 처리 환경에 따른 파라미터를 생성하고, 생성된 상기 파라미터에 기초하여 상기 처리 유닛의 작동을 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment includes a processing unit including a processing pad that processes one side of a substrate; a support unit including a support member supporting the other surface of the substrate; and a control unit that generates parameters according to the processing environment of the substrate and controls the operation of the processing unit based on the generated parameters.

상기 기판의 처리 환경은, 상기 처리 유닛 및 지지 유닛에 작용하는 토크, 힘, 전류 및 전압, 상기 기판의 회전 속도, 온도 및 표면 거칠기, 및 상기 기판 상에 공급되는 케미컬의 양, 온도 및 종류 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The processing environment of the substrate includes torque, force, current and voltage acting on the processing unit and support unit, rotational speed, temperature and surface roughness of the substrate, and the amount, temperature and type of chemical supplied on the substrate. It can include at least one of them.

상기 제어부는 상기 파라미터가 설정된 목표 범위 내에 포함되도록 상기 처리 유닛의 작동을 제어할 수 있다.The control unit may control the operation of the processing unit so that the parameter falls within a set target range.

상기 처리 패드는, 상기 기판을 기준으로 상기 지지 부재의 반대편에 배치될 수 있다.The processing pad may be disposed on an opposite side of the support member with respect to the substrate.

상기 지지 부재의 길이 방향을 따라 상기 처리 패드를 이동시키는 평행 이동부를 더 포함할 수 있다.It may further include a parallel moving part that moves the treatment pad along the longitudinal direction of the support member.

상기 처리 패드는, 상기 기판의 중심부에 배치되는 제1 처리 패드; 및 상기 제1 처리 패드로부터 이격된 위치에 배치되는 제2 처리 패드를 포함할 수 있다.The processing pad includes: a first processing pad disposed at the center of the substrate; and a second processing pad disposed at a location spaced apart from the first processing pad.

상기 지지 부재는 길이 방향으로 형성되고, 상기 제1 처리 패드 및 제2 처리 패드는 상기 지지 부재의 길이 방향을 따라 배치될 수 있다.The support member may be formed in a longitudinal direction, and the first processing pad and the second processing pad may be disposed along the longitudinal direction of the support member.

상기 지지 유닛은, 상기 지지 부재가 상기 기판의 타면을 처리하도록 상기 지지 부재를 회전시키는 지지 부재 구동부를 더 포함할 수 있다.The support unit may further include a support member driving unit that rotates the support member so that the support member processes the other surface of the substrate.

상기 지지 유닛은, 상기 처리 유닛이 상기 기판에 가하는 압력을 완충할 수 있다.The support unit may buffer pressure applied by the processing unit to the substrate.

상기 지지 부재는 완충 소재를 포함할 수 있다.The support member may include a cushioning material.

상기 지지 부재는 롤 부재, 패드 부재 및 벨트 부재 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.The support member may include at least one of a roll member, a pad member, and a belt member.

상기 처리 패드가 상기 기판에 접촉한 상태에서, 상기 처리 패드를 상기 기판 방향으로 가압하는 가압부를 더 포함할 수 있다.It may further include a pressing unit that presses the processing pad toward the substrate while the processing pad is in contact with the substrate.

상기 제어부는, 상기 파라미터에 기초하여 상기 가압부의 작동을 제어할 수 있다.The control unit may control the operation of the pressurizing unit based on the parameter.

상기 제어부는, 상기 파라미터의 변화를 고려하여 상기 처리 패드 및 기판의 접촉 여부를 판단할 수 있다.The control unit may determine whether the processing pad and the substrate are in contact by considering changes in the parameters.

일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 기판이 위치되는 기판 처리 영역의 일측에 배치되는 제1 처리 부재; 상기 기판 처리 영역을 기준으로, 상기 제1 처리 부재의 반대편에 배치되는 제2 처리 부재; 및 상기 기판 처리 영역에 기판이 위치하지 않은 상태에서, 상기 제1 처리 부재 및 제2 처리 부재가 서로 접촉하도록, 상기 제1 처리 부재 및 제2 처리 부재의 위치를 조절하는 제어부를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment includes a first processing member disposed on one side of a substrate processing area where a substrate is located; a second processing member disposed on an opposite side of the first processing member based on the substrate processing area; and a control unit that adjusts the positions of the first processing member and the second processing member so that the first processing member and the second processing member contact each other when the substrate is not located in the substrate processing area. .

상기 기판 처리 영역에 상기 기판이 배치되면, 상기 제어부는 상기 제1 처리 부재 및 제2 처리 부재를 각각 상기 기판에 접촉시킬 수 있다.When the substrate is placed in the substrate processing area, the control unit may bring the first processing member and the second processing member into contact with the substrate, respectively.

상기 기판 처리 영역에 배치된 상기 기판의 처리가 완료되면, 상기 제어부는 상기 제1 처리 부재 및 제2 처리 부재를 각각 상기 기판으로부터 이격시킬 수 있다.When processing of the substrate disposed in the substrate processing area is completed, the control unit may separate the first processing member and the second processing member from the substrate.

상기 기판 처리 영역으로부터 상기 기판이 반출되면, 상기 제어부는 상기 제1 처리 부재 및 제2 처리 부재를 서로 접촉시킬 수 있다.When the substrate is unloaded from the substrate processing area, the control unit may bring the first processing member and the second processing member into contact with each other.

상기 제1 처리 부재 및 제2 처리 부재가 서로 접촉되면, 상기 제어부는 상기 제1 처리 부재 및 제2 처리 부재 중 적어도 어느 하나를 회전시킬 수 있다.When the first processing member and the second processing member contact each other, the control unit may rotate at least one of the first processing member and the second processing member.

상기 제1 처리 부재 및 제2 처리 부재는, 서로 접촉된 상태에서 상대적으로 회전됨으로써 각각 세척되는 것을 특징으로 할 수 있다.The first processing member and the second processing member may be each cleaned by rotating relative to each other while in contact with each other.

상기 제1 처리 부재는 패드 부재를 포함하고, 상기 제2 처리 부재는 롤 부재를 포함할 수 있다.The first processing member may include a pad member, and the second processing member may include a roll member.

상기 기판 처리 영역에 상기 기판의 존재 유무를 감지하는 기판 감지부를 더 포함할 수 있다.It may further include a substrate detection unit that detects the presence or absence of the substrate in the substrate processing area.

일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 기판에 대한 가압력을 정밀하게 제어할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment can precisely control the pressing force on a substrate.

일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 기판의 양면을 동시에 처리할 수 있다.A substrate processing device according to an embodiment can process both sides of a substrate simultaneously.

일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the substrate processing apparatus according to one embodiment are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned may be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 일 실시 예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니 된다.
도 1은 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 사시도이다.
도 2는 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 측면도이다.
도 3은 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 블록도이다.
도 4는 일 실시 예에 따른 가압부의 개략도이다.
도 5는 일 실시 예에 따른 가압부의 개략도이다.
도 6 내지 도 8은 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 측면도이다.
도 9는 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 측면도이다.The following drawings attached to this specification illustrate a preferred embodiment of the present invention, and serve to further understand the technical idea of the present invention along with the detailed description of the invention. Therefore, the present invention is limited to the matters described in such drawings. It should not be interpreted in a limited way.
1 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to one embodiment.
2 is a schematic side view of a substrate processing apparatus according to one embodiment.
Figure 3 is a block diagram of a substrate processing apparatus according to one embodiment.
Figure 4 is a schematic diagram of a pressing unit according to one embodiment.
Figure 5 is a schematic diagram of a pressing unit according to one embodiment.
6 to 8 are schematic side views of a substrate processing apparatus according to an embodiment.
9 is a schematic side view of a substrate processing apparatus according to one embodiment.

이하, 실시 예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 실시 예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 실시 예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail through illustrative drawings. When adding reference numerals to components in each drawing, it should be noted that identical components are given the same reference numerals as much as possible even if they are shown in different drawings. Additionally, when describing an embodiment, if a detailed description of a related known configuration or function is judged to impede understanding of the embodiment, the detailed description will be omitted.

또한, 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.Additionally, in describing the components of the embodiment, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the nature, sequence, or order of the component is not limited by the term. When a component is described as being "connected," "coupled," or "connected" to another component, that component may be directly connected or connected to that other component, but there is no need for another component between each component. It should be understood that may be “connected,” “combined,” or “connected.”

어느 하나의 실시 예에 포함된 구성요소와, 공통적인 기능을 포함하는 구성요소는, 다른 실시 예에서 동일한 명칭을 사용하여 설명하기로 한다. 반대되는 기재가 없는 이상, 어느 하나의 실시 예에 기재한 설명은 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 중복되는 범위에서 구체적인 설명은 생략하기로 한다.Components included in one embodiment and components including common functions will be described using the same names in other embodiments. Unless stated to the contrary, the description given in one embodiment may be applied to other embodiments, and detailed description will be omitted to the extent of overlap.

도 1은 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 사시도이다. 도 2는 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 측면도이다. 도 3은 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 블록도이다.1 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to one embodiment. 2 is a schematic side view of a substrate processing apparatus according to one embodiment. Figure 3 is a block diagram of a substrate processing apparatus according to one embodiment.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)는 기판(W)을 처리할 수 있다. 즉, 기판 처리 장치(1)는 기판(W)을 세정 또는 버핑할 수 있다. 기판 처리 장치(1)는 기판(W)의 양면을 동시에 세정할 수 있다. 기판 처리 장치(1)는 처리부재가 기판(W)에 가하는 힘을 정밀하게 제어할 수 있다. 기판 처리 장치(1)는 회전부 및 이동부 등에 걸리는 힘 또는 토크 등을 측정하고, 이를 바탕으로 피드백 제어를 수행할 수 있다. 기판 처리 장치(1)는 피드백 제어를 이용하여, 기판(W)을 손상시키지 않으면서, 충분한 압력으로 기판(W)을 처리할 수 있으므로, 기판(W) 표면에 잔류하는 슬러리나 금속 연마 고착 이물 등을 효과적으로 제거할 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 3 , the substrate processing apparatus 1 according to one embodiment may process the substrate W. That is, the substrate processing apparatus 1 can clean or buff the substrate W. The substrate processing apparatus 1 can clean both sides of the substrate W simultaneously. The substrate processing apparatus 1 can precisely control the force applied by the processing member to the substrate W. The substrate processing device 1 can measure force or torque applied to the rotating part, the moving part, etc., and perform feedback control based on this. The substrate processing apparatus 1 can process the substrate W with sufficient pressure without damaging the substrate W using feedback control, so that slurry or metal polishing adhering substances remaining on the surface of the substrate W are removed. It can be effectively removed.

일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)는 처리 유닛(11), 회전부(12), 이동부(13), 평행 이동부(14), 가압부(15), 지지 유닛(16), 제어부(17) 및 기판 감지부(18)를 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus 1 according to one embodiment includes a processing unit 11, a rotation unit 12, a moving unit 13, a parallel moving unit 14, a pressing unit 15, a support unit 16, and a control unit ( 17) and a substrate detection unit 18.

처리 유닛(11)은 기판(W)의 일면을 처리할 수 있다. 즉, 처리 유닛(11)은 기판(W)의 일면을 세정 또는 버핑할 수 있다. 처리 유닛(11)은 기판(W)이 위치되는 기판 처리 영역의 일측에 배치될 수 있다. 처리 유닛(11)은 처리 헤드(111) 및 처리 패드(112)를 포함할 수 있다.The processing unit 11 can process one side of the substrate W. That is, the processing unit 11 can clean or buff one side of the substrate W. The processing unit 11 may be disposed on one side of the substrate processing area where the substrate W is located. Processing unit 11 may include a treatment head 111 and a treatment pad 112 .

처리 헤드(111)는 기판을 처리하기 위하여 회전 및 이동될 수 있다. 구체적으로, 처리 헤드(111)는 회전부(12), 이동부(13) 및 평행 이동부(14)에 의해 회전 및 이동될 수 있다.The processing head 111 can rotate and move to process the substrate. Specifically, the processing head 111 may be rotated and moved by the rotating part 12, the moving part 13, and the parallel moving part 14.

처리 패드(112)는 처리 헤드(111)에 연결될 수 있다. 처리 패드(112)는 기판(W)의 일면을 처리할 수 있다. 예를 들어, 처리 패드(112)는 기판(W)의 상측에 위치될 수 있다. 처리 패드(112)는 패드 또는 디스크 형태로 형성될 수 있다.Treatment pad 112 may be connected to treatment head 111 . The processing pad 112 may process one side of the substrate W. For example, the processing pad 112 may be located on the top of the substrate W. The treatment pad 112 may be formed in a pad or disk shape.

회전부(12)는 처리 헤드(111)에 연결될 수 있다. 회전부(12)는 기판(W)의 일면에 수직한 축을 중심으로 처리 헤드(111)를 회전시킬 수 있다. 예를 들어, 회전부(12)는 모터 및 기어 박스 등을 포함할 수 있다.The rotating part 12 may be connected to the processing head 111. The rotating unit 12 may rotate the processing head 111 about an axis perpendicular to one surface of the substrate W. For example, the rotating part 12 may include a motor and a gear box.

이동부(13)는 처리 헤드(111)에 연결될 수 있다. 이동부(13)는 기판(W)의 일면에 수직한 방향을 따라 처리 헤드(111)를 이동시킬 수 있다. 즉, 이동부(13)는 기판(W)에 대한 처리 패드(112)의 이격 거리를 조절할 수 있다. 이동부(13)는 처리 헤드(111)를 이동시킴으로써, 처리 패드(112)를 기판(W)에 대하여 접촉시킬 수 있다. 예를 들어, 이동부(13)는 모터 및 기어 박스 등을 포함할 수 있다.The moving part 13 may be connected to the processing head 111. The moving unit 13 may move the processing head 111 along a direction perpendicular to one surface of the substrate W. That is, the moving unit 13 can adjust the separation distance between the processing pad 112 and the substrate W. The moving unit 13 moves the processing head 111 to bring the processing pad 112 into contact with the substrate W. For example, the moving part 13 may include a motor and a gear box.

평행 이동부(14)는 처리 헤드(111)에 연결될 수 있다. 평행 이동부(14)는 기판(W)의 일면에 평행한 평면 상에서 처리 헤드(111)를 병진 이동시킬 수 있다. 즉, 평행 이동부(14)는 수평 방향으로 처리 헤드(111)를 이동시킬 수 있다. 평행 이동부(14)는 처리 헤드(111)를 수평 방향으로 이동시킴으로써, 처리 패드(112)의 수평 방향 위치를 조절할 수 있다. 평행 이동부(14)는 모터 및 기어 박스 등을 포함할 수 있다.The parallel moving unit 14 may be connected to the processing head 111. The parallel movement unit 14 may translate the processing head 111 on a plane parallel to one surface of the substrate W. That is, the parallel moving unit 14 can move the processing head 111 in the horizontal direction. The parallel moving unit 14 can adjust the horizontal position of the processing pad 112 by moving the processing head 111 in the horizontal direction. The parallel moving unit 14 may include a motor, a gear box, etc.

가압부(15)는 처리 패드(112)를 기판(W) 방향으로 가압할 수 있다. 가압부(15)는 처리 패드(112)가 기판(W)에 접촉한 상태에서 작동될 수 있다. 가압부(15)에 의하여 처리 패드(112)가 기판(W)에 가하는 압력을 조절함으로써, 기판(W)에 대한 처리 강도를 조절할 수 있다. 가압부(15)는 공압을 이용하여 구동될 수 있다.The pressing unit 15 may press the processing pad 112 in the direction of the substrate W. The pressing unit 15 may be operated while the processing pad 112 is in contact with the substrate W. By adjusting the pressure applied by the processing pad 112 to the substrate W by the pressing unit 15, the intensity of processing on the substrate W can be adjusted. The pressurizing unit 15 may be driven using pneumatic pressure.

도 4는 일 실시 예에 따른 가압부의 개략도이다.Figure 4 is a schematic diagram of a pressing unit according to one embodiment.

예를 들어, 도 4와 같이, 가압부(15)는 가압 챔버(151) 및 압력 조절부(152)를 포함할 수 있다. 가압 챔버(151)는 처리 헤드(111) 내에 구비될 수 있다. 가압 챔버(151)는 복수 개의 영역으로 구획될 수 있다. 가압 챔버(151)는 가요성 소재로 형성될 수 있다. 가압 챔버(151)의 일측에는 처리 패드(112)가 연결될 수 있다. 압력 조절부(152)는 가압 챔버(151) 내의 압력을 조절할 수 있다. 압력 조절부(152)는 가압 챔버(151)의 복수 개의 구역 각각에 개별적으로 압력을 조절할 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 압력 조절부(152)가 가압 챔버(151) 내의 압력을 조절함으로써, 처리 패드(112)가 기판(W)에 가하는 압력을 조절할 수 있다.For example, as shown in FIG. 4, the pressurizing unit 15 may include a pressurizing chamber 151 and a pressure adjusting unit 152. The pressure chamber 151 may be provided within the processing head 111. The pressure chamber 151 may be divided into a plurality of areas. The pressure chamber 151 may be formed of a flexible material. A processing pad 112 may be connected to one side of the pressure chamber 151. The pressure regulator 152 can adjust the pressure within the pressure chamber 151. The pressure regulator 152 may individually adjust the pressure in each of the plurality of zones of the pressure chamber 151. According to this structure, the pressure regulator 152 can adjust the pressure within the pressure chamber 151 to control the pressure applied by the processing pad 112 to the substrate W.

도 5는 일 실시 예에 따른 가압부의 개략도이다.Figure 5 is a schematic diagram of a pressing unit according to one embodiment.

또는, 예를 들어, 도 5와 같이, 가압부(15)는 제1파트(153), 제2파트(154) 및 공압부(155)를 포함할 수 있다. 제1파트(153)는 처리 헤드(111)에 고정적으로 연결될 수 있다. 제2파트(154)는 제1파트(153)에 대해 슬라이딩 가능하게 연결될 수 있다. 제2파트(154)의 일측에는 처리 패드(112)가 연결될 수 있다. 공압부(155)는 제2파트(154)를 제1파트(153)에 대해 슬라이딩 시킬 수 있다. 제2파트(154)는 제1파트(153)로부터 기판(W)을 향하는 방향으로 슬라이딩 이동될 수 있다. 공압부(155)는 공압 실린더 또는 공압 피스톤 등을 포함할 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 공압을 이용함으로써, 처리 패드(112)가 기판(W)에 가하는 압력을 조절할 수 있다.Or, for example, as shown in FIG. 5, the pressurizing part 15 may include a first part 153, a second part 154, and a pneumatic part 155. The first part 153 may be fixedly connected to the processing head 111. The second part 154 may be slidably connected to the first part 153. A processing pad 112 may be connected to one side of the second part 154. The pneumatic unit 155 can slide the second part 154 relative to the first part 153. The second part 154 may be slidably moved from the first part 153 toward the substrate W. The pneumatic unit 155 may include a pneumatic cylinder or pneumatic piston. According to this structure, the pressure applied by the processing pad 112 to the substrate W can be adjusted by using pneumatic pressure.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 지지 유닛(16)은 기판(W)의 타면을 지지할 수 있다. 지지 유닛(16)은 기판 처리 영역을 기준으로 처리 유닛(11)의 반대편에 배치될 수 있다. 즉, 지지 유닛(16)은 기판(W)을 기준으로 처리 헤드(111)의 반대편에 배치될 수 있다. 지지 유닛(16)이 처리 유닛(11)의 반대편에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지 유닛(16)은 처리 유닛(11)이 기판(W)에 가하는 압력을 완충할 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 가압부(15)가 기판(W)에 가하는 압력에 의하여 기판(W)이 휘거나 손상되는 것을 방지할 수 있다. 지지 유닛(16)은 지지 부재(161) 및 지지 부재 구동부(162)를 포함할 수 있다.1 to 3, the support unit 16 may support the other surface of the substrate W. The support unit 16 may be disposed on the opposite side of the processing unit 11 based on the substrate processing area. That is, the support unit 16 may be disposed on the opposite side of the processing head 111 with respect to the substrate W. A support unit 16 may support the substrate W on the opposite side of the processing unit 11 . The support unit 16 can buffer the pressure applied by the processing unit 11 to the substrate W. According to this structure, it is possible to prevent the substrate W from being bent or damaged due to the pressure applied to the substrate W by the pressing unit 15. The support unit 16 may include a support member 161 and a support member driving unit 162.

지지 부재(161)는 기판(W)의 타면을 지지할 수 있다. 지지 부재(161)는 롤 부재, 패드 부재 및 벨트 부재 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 지지 부재(161)는 길이 방향으로 형성되는 롤 부재를 포함할 수 있다. 지지 부재(161)는 그 길이 방향이 기판(W)의 직경 방향과 일치되도록 배치될 수 있다. 처리 패드(112)는 기판(W)을 기준으로 지지 부재(161)에 대응되는 반대편에 배치될 수 있다. 즉, 평행 이동부(14)는 지지 부재(161)의 길이 방향을 따라 처리 패드(112)를 이동시킬 수 있다. 지지 부재(161)는 충격을 흡수할 수 있는 완충 소재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 지지 부재(161)는 탄성적으로 압축 변형 가능한 소재를 포함할 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 지지 부재(161)가 기판(W)의 타면을 지지하면서 완충 역할을 할 수 있으므로, 가압부(15)가 기판(W)에 가하는 압력에 의하여 기판(W)이 휘거나 손상되는 것을 방지할 수 있다.The support member 161 may support the other surface of the substrate W. The support member 161 may include at least one of a roll member, a pad member, and a belt member. For example, the support member 161 may include a roll member formed in the longitudinal direction. The support member 161 may be arranged so that its length direction coincides with the diameter direction of the substrate W. The processing pad 112 may be disposed on the opposite side of the substrate W from the support member 161 . That is, the parallel movement unit 14 can move the treatment pad 112 along the longitudinal direction of the support member 161. The support member 161 may include a cushioning material capable of absorbing shock. For example, the support member 161 may include an elastically compressible and deformable material. According to this structure, the support member 161 can support the other surface of the substrate W and act as a buffer, so the substrate W is not bent or bent due to the pressure applied to the substrate W by the pressing portion 15. It can prevent damage.

지지 부재 구동부(162)는 지지 부재(161)를 회전시킬 수 있다. 지지 부재(161)는 지지 부재 구동부(162)에 의해 회전 구동되면서, 기판(W)의 타면을 처리할 수 있다. 예를 들어, 지지 부재(161)가 롤 부재를 포함하는 경우, 지지 부재 구동부(162)는 지지 부재(161)를 기판(W) 면에 평행한 축을 중심으로 지지 부재(161)를 회전시킬 수 있다. 지지 부재(161)까 패드 부재를 포함하는 경우, 지지 부재 구동부(162)는 지지 부재(161)를 기판(W) 면에 수직한 축을 중심으로 지지 부재(161)를 회전시킬 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 기판(W)의 양면을 동시에 처리하면서, 기판(W)이 휘어지거나 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 지지 부재 구동부(162)는 가압부(15)가 기판(W)에 가하는 압력을 완충할 수 있도록, 완충 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 지지 부재 구동부(162)는 댐퍼 및 스프링 등을 포함할 수 있다. 한편, 지지 부재 구동부(162)는 기판(W)에 수직한 방향을 따라 지지 부재(161)를 이동시킬 수도 있다.The support member driving unit 162 may rotate the support member 161. The support member 161 can be rotated by the support member driver 162 and process the other surface of the substrate W. For example, when the support member 161 includes a roll member, the support member driving unit 162 may rotate the support member 161 about an axis parallel to the surface of the substrate W. there is. When the support member 161 also includes a pad member, the support member driving unit 162 may rotate the support member 161 about an axis perpendicular to the surface of the substrate W. According to this structure, both sides of the substrate W can be processed simultaneously and the substrate W can be prevented from being bent or damaged. Additionally, the support member driving unit 162 may include a buffering structure to buffer the pressure applied by the pressing unit 15 to the substrate W. For example, the support member driving unit 162 may include a damper, a spring, etc. Meanwhile, the support member driving unit 162 may move the support member 161 along a direction perpendicular to the substrate W.

도 6 내지 도 8은 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 측면도이다.6 to 8 are schematic side views of a substrate processing apparatus according to an embodiment.

도 6을 참조하면, 처리 유닛(11)은 복수 개 구비될 수 있다. 처리 유닛(11)은 제1 처리 유닛(11a) 및 제2 처리 유닛(11b)을 포함할 수 있다. 제1 처리 유닛(11a) 및 제2 처리 유닛(11b)은 서로 독립적으로 제어될 수 있다. 제1 처리 헤드(111a) 및 제2 처리 헤드(111b)는 서로 동일한 방향 또는 반대 방향으로 회전될 수 있다. 제1 처리 패드(112a) 및 제2 처리 패드(112b)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 처리 패드(112a)는 기판(W)의 중심부에 배치될 수 있다. 제2 처리 패드(112b)는 제1 처리 패드(112a)로부터 이격된 위치에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 처리 패드(112b)는 기판(W)의 외곽부에 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 처리 패드(112a) 및 제2 처리 패드(112b)는 지지 부재(161)의 길이 방향을 따라 배치될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 제1 처리 패드(112a) 및 제2 처리 패드(112b)가 기판(W)에 대하여 압력을 가하더라도, 지지 부재(161)에 의하여 그 압력이 지지될 수 있으므로, 충분한 압력을 가하면서도 기판(W)이 휘거나 손상되는 것을 방지할 수 있다.Referring to FIG. 6, a plurality of processing units 11 may be provided. The processing unit 11 may include a first processing unit 11a and a second processing unit 11b. The first processing unit 11a and the second processing unit 11b can be controlled independently of each other. The first processing head 111a and the second processing head 111b may be rotated in the same direction or in opposite directions. The first processing pad 112a and the second processing pad 112b may be arranged to be spaced apart from each other. For example, the first processing pad 112a may be disposed at the center of the substrate W. The second processing pad 112b may be disposed at a location spaced apart from the first processing pad 112a. For example, the second processing pad 112b may be disposed on the outer portion of the substrate W. In this case, the first processing pad 112a and the second processing pad 112b may be disposed along the longitudinal direction of the support member 161. According to this structure, even if the first processing pad 112a and the second processing pad 112b apply pressure to the substrate W, the pressure can be supported by the support member 161, thereby maintaining sufficient pressure. It is possible to prevent the substrate (W) from being bent or damaged while applying pressure.

도 7을 참조하면, 지지 유닛(16)은 복수 개 구비될 수 있다. 지지 유닛(16)은 제1 지지 유닛(16a) 및 제2 지지 유닛(16b)을 포함할 수 있다. 제1 지지 유닛(16a) 및 제2 지지 유닛(16b)은 서로 독립적으로 제어될 수 있다. 제1 지지 부재(161a) 및 제2 지지 부재(161b)는 동일한 방향 또는 반대 방향으로 회전될 수 있다. 제1 지지 부재(161a) 및 제2 지지 부재(161b)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 지지 부재(161a) 및 제2 지지 부재(161b)는 기판(W)의 직경 방향에 대하여 서로 대칭적으로 배치될 수 있다. 처리 유닛(11)은 제1 지지 부재(161a) 및 제2 지지 부재(161b) 사이를 등분하는 위치에 배치될 수 있다. 처리 유닛(11)은 기판(W)의 직경 방향을 따라 이동될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 가압부(15)까 기판(W)에 대하여 압력을 가하더라도, 제1 지지 부재(161a) 및 제2 지지 부재(161b)가 그 압력을 분산 지지할 수 있으므로, 충분한 압력을 가하면서도 기판(W)이 휘거나 손상되는 것을 방지할 수 있다.Referring to FIG. 7, a plurality of support units 16 may be provided. The support unit 16 may include a first support unit 16a and a second support unit 16b. The first support unit 16a and the second support unit 16b can be controlled independently of each other. The first support member 161a and the second support member 161b may be rotated in the same direction or in opposite directions. The first support member 161a and the second support member 161b may be arranged to be spaced apart from each other. For example, the first support member 161a and the second support member 161b may be arranged symmetrically with respect to the radial direction of the substrate W. The processing unit 11 may be disposed in a position equidistant between the first support member 161a and the second support member 161b. The processing unit 11 can be moved along the diametric direction of the substrate W. According to this structure, even if pressure is applied to the substrate W by the pressing unit 15, the first support member 161a and the second support member 161b can distribute and support the pressure, thereby maintaining sufficient pressure. It is possible to prevent the substrate (W) from being bent or damaged while applying pressure.

도 8을 참조하면, 처리 유닛(11)은 제1 처리 유닛(11a) 및 제2 처리 유닛(11b)을 포함할 수 있다. 지지 유닛(16)은 제1 지지 유닛(16a) 및 제2 지지 유닛(16b)을 포함할 수 있다. 제1 처리 패드(112a)는 제1 지지 부재(161a)의 반대편에 배치될 수 있다. 제2 처리 패드(112b)는 제2 지지 부재(161b)의 반대편에 배치될 수 있다. 제1 처리 패드(112a)는 제1 지지 부재(161a)의 길이 방향을 따라 이동될 수 있다. 제2 처리 패드(112b)는 제2 지지 부재(161b)의 길이 방향을 따라 이동될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 복수 개의 처리 유닛(11) 및 지지 유닛(16)을 이용하여 넓은 면적을 동시에 처리할 수 있으므로, 공정 시간을 단축할 수 있다Referring to FIG. 8, the processing unit 11 may include a first processing unit 11a and a second processing unit 11b. The support unit 16 may include a first support unit 16a and a second support unit 16b. The first treatment pad 112a may be disposed on the opposite side of the first support member 161a. The second treatment pad 112b may be disposed on the opposite side of the second support member 161b. The first treatment pad 112a may be moved along the longitudinal direction of the first support member 161a. The second treatment pad 112b may be moved along the longitudinal direction of the second support member 161b. According to this structure, a large area can be processed simultaneously using a plurality of processing units 11 and support units 16, thereby shortening the process time.

짐벌부(미도시)는 처리 패드(112) 또는 지지 부재(161)가 기판(W)의 경사에 순응하도록 처리 패드(112) 또는 지지 부재(161)에 연결될 수 있다. 짐벌부는 기판(W)에 경사가 발생한 경우, 처리 패드(112) 또는 지지 부재(161)를 기판(W)의 경사에 순응시킬 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 기판(W)이 흔들리거나 떨리면서 기판(W)에 경사가 발생하는 경우에도, 처리 패드(112) 및 지지 부재(161)가 기판(W)에 대하여 접촉을 유지할 수 있고, 그에 따라 공정 균일도가 향상될 수 있다.The gimbal unit (not shown) may be connected to the processing pad 112 or the support member 161 so that the processing pad 112 or the support member 161 conforms to the inclination of the substrate W. When a tilt occurs in the substrate W, the gimbal unit may adapt the processing pad 112 or the support member 161 to the tilt of the substrate W. According to this structure, even when the substrate W shakes or trembles and an inclination occurs in the substrate W, the processing pad 112 and the support member 161 can maintain contact with the substrate W, Accordingly, process uniformity can be improved.

제어부(17)는 처리 패드(112)를 통한 기판(W)의 처리 공정을 제어할 수 있다. 제어부(17)는 회전부(12), 이동부(13), 평행 이동부(14), 가압부(15) 및 지지 부재 구동부(162)를 제어할 수 있다. 제어부(17)는 회전부(12), 이동부(13), 평행 이동부(14), 가압부(15) 및 지지 부재 구동부(162) 중 적어도 어느 하나에 작용하는 힘, 토크, 전류 또는 전압을 고려하여, 상기 구성을 피드백 제어할 수 있다.The control unit 17 may control the processing process of the substrate W through the processing pad 112. The control unit 17 can control the rotating unit 12, the moving unit 13, the parallel moving unit 14, the pressing unit 15, and the support member driving unit 162. The control unit 17 controls the force, torque, current, or voltage acting on at least one of the rotating part 12, the moving part 13, the parallel moving part 14, the pressing part 15, and the support member driving part 162. Taking this into account, the above configuration can be feedback controlled.

제어부(17)는 이동부(13)를 제어하여, 처리 패드(112)를 공정 위치로 이동시킬 수 있다. 공정 위치는 처리 패드(112)가 기판(W)의 표면을 처리하기 위한 위치를 의미할 수 있다. 즉, 처리 패드(112)는 이동부(13)에 의하여, 기판(W)에 대하여 수직 방향으로 접근할 수 있다. 이 경우, 처리 패드(112)는 회전부(12)에 의해 회전 중일 수 있다.The control unit 17 may control the moving unit 13 to move the processing pad 112 to the process position. The process position may refer to a position at which the processing pad 112 processes the surface of the substrate W. That is, the processing pad 112 can be approached in a vertical direction with respect to the substrate W by the moving unit 13. In this case, the treatment pad 112 may be rotating by the rotating part 12.

기판(W)에 처리 패드(112)가 접촉되게 되면, 회전부(12) 및 이동부(13)에 작용하는 토크 또는 힘에 변화가 발생할 수 있다. 예를 들어, 처리 패드(112) 및 기판(W)의 접촉 전후로, 회전부(12) 및 이동부(13)에 작용하는 토크 또는 힘이 임계적으로 상승할 수 있다. 제어부(17)는 회전부(12) 및 이동부(13)에 작용하는 힘 또는 토크 변화량을 통해 기판(W)에 대한 처리 패드(112)의 접촉 여부를 판단할 수 있다. 예를 들어, 제어부(17)는 회전부(12) 및 이동부(13)에 작용하는 힘 또는 토크값에 임계적인 변화가 발생하면, 기판(W)에 처리 패드(112)가 접촉된 것으로 판단할 수 있다. 제어부(17)는, 기판(W)에 처리 패드(112)가 접촉된 것으로 판단되면, 이동부(13)의 작동을 정지할 수 있다. 결과적으로, 제어부(17)는 처리 패드(112) 및 기판(W)의 접촉 전후에 발생되는 회전부(12) 및 이동부(13)의 토크 또는 힘 측정값의 변화를 고려하여, 처리 패드(112)의 공정 위치를 결정할 수 있다.When the processing pad 112 comes into contact with the substrate W, a change may occur in the torque or force acting on the rotating part 12 and the moving part 13. For example, before and after contact between the processing pad 112 and the substrate W, the torque or force acting on the rotating unit 12 and the moving unit 13 may critically increase. The control unit 17 may determine whether the processing pad 112 is in contact with the substrate W through the amount of change in force or torque acting on the rotating unit 12 and the moving unit 13. For example, when a critical change occurs in the force or torque value acting on the rotating unit 12 and the moving unit 13, the control unit 17 determines that the processing pad 112 is in contact with the substrate W. You can. If it is determined that the processing pad 112 is in contact with the substrate W, the control unit 17 may stop the operation of the moving unit 13. As a result, the control unit 17 considers changes in torque or force measurements of the rotating part 12 and the moving part 13 that occur before and after contact between the processing pad 112 and the substrate W, and controls the processing pad 112 ) process location can be determined.

한편, 제어부(17)는 회전부(12) 및 이동부(13)의 토크 또는 힘이 설정값에 도달할 때까지, 이동부(13)를 제어할 수도 있다. 상기 설정값은 실험 등을 통해 미리 결정되어질 수 있다. 상기 설정값은 처리 패드(112)의 회전 속도 등에 따라 변경되는 값일 수 있다.Meanwhile, the control unit 17 may control the moving unit 13 until the torque or force of the rotating unit 12 and the moving unit 13 reaches a set value. The set value may be determined in advance through experimentation, etc. The set value may be a value that changes depending on the rotation speed of the processing pad 112, etc.

제어부(17)는 기판(W)에 대한 처리 패드(112)의 접촉 여부를 판단하고, 기판(W)에 처리 패드(112)가 접촉된 상태에서 가압부(15)의 작동을 제어할 수 있다. 제어부(17)는 기판(W) 및 처리 패드(112)가 접촉한 것으로 판단되면, 회전부(12), 이동부(13) 및 가압부(15) 중 적어도 어느 하나에 작용하는 힘 또는 토크 값을 통해 상기 가압부(15)의 작동을 제어할 수 있다. 예를 들어, 기판(W)의 표면 처리 상태에 따라, 회전부(12) 및 이동부(13)의 토크 또는 힘에 변화가 생길 수 있다. 제어부(17)는 토크 또는 힘의 변화량을 고려하여, 기판(W)에 대한 처리 패드(112)의 압력이 일정하게 유지되도록 가압부(15)를 제어할 수 있다. 예를 들어, 회전부(12) 또는 이동부(13)의 토크 측정값이 감소한 경우, 제어부(17)는 처리 패드(112)의 압력이 증가하도록 가압부(15)를 제어할 수 있다. 회전부(12) 또는 이동부(13)의 토크 측정값이 증가한 경우, 제어부(17)는 처리 패드(112)의 압력이 감소하도록 가압부(15)를 제어할 수 있다.The control unit 17 may determine whether the processing pad 112 is in contact with the substrate W and control the operation of the pressing unit 15 while the processing pad 112 is in contact with the substrate W. . If it is determined that the substrate W and the processing pad 112 are in contact, the control unit 17 determines the force or torque value acting on at least one of the rotating unit 12, the moving unit 13, and the pressing unit 15. The operation of the pressurizing unit 15 can be controlled through this. For example, depending on the surface treatment condition of the substrate W, the torque or force of the rotating part 12 and the moving part 13 may change. The control unit 17 may control the pressurizing unit 15 so that the pressure of the processing pad 112 with respect to the substrate W is maintained constant in consideration of the change in torque or force. For example, when the torque measurement value of the rotating unit 12 or the moving unit 13 decreases, the control unit 17 may control the pressing unit 15 to increase the pressure of the treatment pad 112. When the torque measurement value of the rotating unit 12 or the moving unit 13 increases, the control unit 17 may control the pressing unit 15 to reduce the pressure of the treatment pad 112.

또한, 제어부(17)는 특정 시간까지는 회전부(12)의 토크 또는 힘 값을 고려하고, 상기 특정 시간 이후부터는 이동부(13)의 토크 또는 힘 값을 고려하여 가압부(15)를 제어할 수도 있다. 또는, 제어부(17)는 특정 시간까지는 이동부(13)의 토크 또는 힘 값을 고려하고, 상기 특정 시간 이후부터는 회전부(12)의 토크 또는 힘 값을 고려하여 가압부(15)를 제어할 수도 있다.In addition, the control unit 17 may control the pressing unit 15 by considering the torque or force value of the rotating unit 12 up to a certain time, and considering the torque or force value of the moving unit 13 after the specific time. there is. Alternatively, the control unit 17 may control the pressing unit 15 by considering the torque or force value of the moving unit 13 up to a certain time, and considering the torque or force value of the rotating unit 12 after the specific time. there is.

한편, 제어부(17)는 회전부(12) 및 이동부(13)의 토크 또는 힘이 설정값에 도달할 때까지, 가압부(15)를 제어할 수도 있다. 상기 설정값은 실험 등을 통해 미리 결정되어질 수 있다. 상기 설정값은 처리 패드(112)의 회전 속도 등에 따라 변경되는 값일 수 있다.Meanwhile, the control unit 17 may control the pressing unit 15 until the torque or force of the rotating unit 12 and the moving unit 13 reaches the set value. The set value may be determined in advance through experimentation, etc. The set value may be a value that changes depending on the rotation speed of the processing pad 112, etc.

또한, 제어부(17)는 평행 이동부(14)의 토크 또는 힘을 고려하여, 가압부(15)를 제어할 수도 있다.Additionally, the control unit 17 may control the pressing unit 15 by considering the torque or force of the parallel moving unit 14.

제어부(17)는, 기판(W)의 처리 환경에 따른 파라미터를 생성하고, 생성된 파라미터에 기초하여 처리 공정을 제어할 수 있다. 예를 들어, 제어부(17)는 파라미터에 기초하여, 처리 유닛(11), 회전부(12), 이동부(13), 평행 이동부(14), 가압부(15) 및 지지 유닛(16)의 작동을 제어할 수 있다. 기판(W)의 처리 환경은, 기판(W)의 처리 공정에 영향을 주는 요소를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(W)의 처리 환경은, 처리 유닛(11) 및 지지 유닛(16)에 작용하는 토크, 힘, 전류 및 전압, 기판(W)의 회전 속도, 온도 및 표면 거칠기, 및 기판(W) 상에 공급되는 케미컬의 양, 온도 및 종류 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 제어부(17)는 생성된 파라미터가 설정된 목표 범위 내에 포함되도록 처리 유닛(11)의 작동을 제어할 수 있다. 예를 들어, 제어부(17)는 생성된 파라미터가 설정 오차 범위 내에서 목표값에 부합하도록, 처리 유닛(11)을 피드백 제어할 수 있다. 상기 목표 범위, 설정 오차 및 목표값 등은, 실험 등을 통해 미리 결정될 수 있다. 제어부(17)는 파라미터의 변화를 통해 기판(W) 및 처리 패드(112)의 접촉 여부를 판단할 수 있다. 제어부(17)는 기판(W) 및 처리 패드(112)가 접촉된 것으로 판단되면, 파라미터에 기초하여 가압부(15)의 작동을 제어할 수 있다.The control unit 17 may generate parameters according to the processing environment of the substrate W and control the processing process based on the generated parameters. For example, the control unit 17 controls the processing unit 11, the rotating unit 12, the moving unit 13, the parallel moving unit 14, the pressing unit 15, and the supporting unit 16 based on the parameters. Operation can be controlled. The processing environment of the substrate W may include factors that affect the processing process of the substrate W. For example, the processing environment of the substrate W includes the torque, force, current and voltage acting on the processing unit 11 and the support unit 16, the rotational speed, temperature and surface roughness of the substrate W, and the substrate W. (W) may include at least one of the amount, temperature, and type of chemical supplied to the phase. The control unit 17 may control the operation of the processing unit 11 so that the generated parameters fall within a set target range. For example, the control unit 17 may feedback control the processing unit 11 so that the generated parameter meets a target value within a set error range. The target range, setting error, target value, etc. may be determined in advance through experiment, etc. The control unit 17 may determine whether the substrate W and the processing pad 112 are in contact through changes in parameters. If it is determined that the substrate W and the processing pad 112 are in contact, the control unit 17 may control the operation of the pressing unit 15 based on parameters.

도 9는 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 측면도이다.9 is a schematic side view of a substrate processing apparatus according to one embodiment.

도 9를 참조하면, 처리 유닛(11) 및 지지 유닛(16)은 공정 이후에 서로 접촉되어, 서로 세척될 수 있다. 처리 패드(112)(제1 처리 부재)는 기판(W)이 위치되는 기판 처리 영역의 일측에 배치될 수 있다. 기판 처리 영역은, 처리 대상 기판이 인입되고 안착되어 공정이 수행되는 영역을 의미할 수 있다. 지지 부재(161)(제2 처리 부재)는 기판 처리 영역을 기준으로, 처리 패드(112)의 반대편에 배치될 수 있다. 예를 들어, 처리 패드(112)는 패드 부재를 포함하고, 지지 부재(161)는 롤 부재를 포함할 수 있다.Referring to Figure 9, the processing unit 11 and the support unit 16 are in contact with each other after the process so that they can be cleaned. The processing pad 112 (first processing member) may be disposed on one side of the substrate processing area where the substrate W is located. The substrate processing area may refer to an area where a substrate to be processed is introduced and seated and a process is performed. The support member 161 (second processing member) may be disposed on the opposite side of the processing pad 112 based on the substrate processing area. For example, treatment pad 112 may include a pad member and support member 161 may include a roll member.

제어부(17)는 기판 처리 영역에 기판(W)이 위치하지 않은 상태에서, 처리 패드(112) 및 지지 부재(161)가 서로 접촉하도록, 처리 패드(112) 및 지지 부재(161)의 위치를 조절할 수 있다. 예를 들어, 제어부(17)는 이동부(13) 및 지지 부재 구동부(162)를 제어함으로써, 처리 패드(112) 및 지지 부재(161)의 위치를 조절할 수 있다.The control unit 17 adjusts the positions of the processing pad 112 and the support member 161 so that the processing pad 112 and the support member 161 contact each other when the substrate W is not located in the substrate processing area. It can be adjusted. For example, the control unit 17 may control the moving unit 13 and the support member driving unit 162 to adjust the positions of the treatment pad 112 and the support member 161.

기판 처리 영역에 기판(W)이 배치되면, 즉 기판 처리 영역에 기판(W)이 인입되면 제어부(17)는 처리 패드(112) 및 지지 부재(161)를 각각 기판(W)에 접촉시킬 수 있다. 제어부(17)는 회전부(12) 및 지지 부재 구동부(162)를 제어하여, 처리 패드(112) 및 지지 부재(161)가 기판(W)의 각 면을 처리하도록 할 수 있다.When the substrate W is placed in the substrate processing area, that is, when the substrate W is introduced into the substrate processing area, the control unit 17 may bring the processing pad 112 and the support member 161 into contact with the substrate W, respectively. there is. The control unit 17 may control the rotation unit 12 and the support member driving unit 162 to allow the processing pad 112 and the support member 161 to process each side of the substrate W.

기판 처리 영역에 배치된 기판(W)의 처리가 완료되면, 제어부(17)는 처리 패드(112) 및 지지 부재(161)를 각각 기판(W)으로부터 이격시킬 수 있다. 처리 패드(112) 및 지지 부재(161)가 기판(W)으로부터 이격된 상태에서, 기판(W)은 기판 처리 영역으로부터 반출될 수 있다.When processing of the substrate W disposed in the substrate processing area is completed, the control unit 17 may separate the processing pad 112 and the support member 161 from the substrate W, respectively. With the processing pad 112 and the support member 161 spaced apart from the substrate W, the substrate W may be carried out from the substrate processing area.

기판 처리 영역으로부터 기판(W)이 반출되면, 제어부(17)는 처리 패드(112) 및 지지 부재(161)를 서로 접촉시킬 수 있다. 다시 말해, 제어부(17)는 이동부(13) 및 지지 부재 구동부(162)를 제어하여, 처리 패드(112) 및 지지 부재(161)가 서로 접촉되게 할 수 있다.When the substrate W is unloaded from the substrate processing area, the control unit 17 may bring the processing pad 112 and the support member 161 into contact with each other. In other words, the control unit 17 may control the moving unit 13 and the support member driving unit 162 to bring the treatment pad 112 and the support member 161 into contact with each other.

처리 패드(112) 및 지지 부재(161)가 서로 접촉되면, 제어부(17)는 처리 패드(112) 및 지지 부재(161) 중 적어도 어느 하나를 회전시킬 수 있다. 다시 말해, 제어부(17)는 회전부(12) 및 지지 부재 구동부(162)를 제어하여, 처리 패드(112) 및 지지 부재(161) 중 적어도 어느 하나를 회전시킬 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 처리 패드(112) 및 지지 부재(161)는 서로 접촉된 채 상대적으로 회전됨으로써 각각 세척될 수 있다. 다시 말해, 처리 패드(112) 및 지지 부재(161)는 서로에 의하여 세척될 수 있으므로, 별도의 컨디셔너를 필요로 하지 않을 수 있다. 처리 패드(112) 및 지지 부재(161)가 서로에 의한 세척이 완료되면, 제어부(17)는 처리 패드(112) 및 지지 부재(161)를 서로 이격시키고, 처리 공정을 반복할 수 있다.When the treatment pad 112 and the support member 161 contact each other, the controller 17 may rotate at least one of the treatment pad 112 and the support member 161. In other words, the control unit 17 may control the rotation unit 12 and the support member driving unit 162 to rotate at least one of the treatment pad 112 and the support member 161. According to this structure, the treatment pad 112 and the support member 161 can be cleaned by being relatively rotated while in contact with each other. In other words, the treatment pad 112 and the support member 161 can be cleaned by each other and thus may not require a separate conditioner. When the treatment pad 112 and the support member 161 are completely cleaned of each other, the control unit 17 may space the treatment pad 112 and the support member 161 apart from each other and repeat the treatment process.

기판 감지부(18)는 기판 처리 영역에 기판(W)의 존재 유무를 감지할 수 있다. 기판 감지부(18)에서 기판 처리 영역에 기판(W)이 존재하는 것으로 감지되면, 제어부(17)는 처리 공정을 수행할 수 있다. 처리된 기판(W)이 반출되어 기판 감지부(18)에서 기판 처리 영역에 기판(W)이 존재하지 않는 것으로 감지되면, 제어부(17)는 처리 패드(112) 및 지지 부재(161)를 서로 접촉 및 회전시킬 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 공정의 안정성이 향상될 수 있다.The substrate detection unit 18 can detect the presence or absence of the substrate W in the substrate processing area. When the substrate detection unit 18 detects that the substrate W exists in the substrate processing area, the control unit 17 may perform a processing process. When the processed substrate W is taken out and the substrate detection unit 18 detects that the substrate W does not exist in the substrate processing area, the control unit 17 connects the processing pad 112 and the support member 161 to each other. It can be touched and rotated. According to this structure, the stability of the process can be improved.

이상과 같이 비록 한정된 도면에 의해 실시 예들이 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 구조, 장치 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.As described above, although the embodiments have been described with limited drawings, various modifications and variations can be made by those skilled in the art from the above description. For example, the described techniques may be performed in a different order than the described method, and/or components of the described structure, device, etc. may be combined or combined in a different form than the described method, or may be used with other components or equivalents. Appropriate results can be achieved even if replaced or substituted by .

1: 기판 처리 장치
11: 처리 유닛
12: 회전부
13: 이동부
14: 평행 이동부
15: 가압부
16: 지지 유닛
17: 제어부
18: 기판 감지부1: Substrate processing device
11: Processing unit
12: Rotating part
13: Moving part
14: Parallel moving part
15: Pressure part
16: support unit
17: Control unit
18: Board detection unit

Claims (34)

처리 헤드;
상기 처리 헤드에 연결되고, 기판의 일면을 처리하는 처리 패드;
상기 처리 헤드에 연결되고, 상기 기판의 일면에 수직한 축을 중심으로 상기 처리 헤드를 회전시키는 회전부;
상기 처리 헤드에 연결되고, 상기 기판의 일면에 수직한 방향을 따라 상기 처리 헤드를 이동시키는 이동부;
상기 처리 패드가 상기 기판에 접촉한 상태에서, 상기 처리 패드를 상기 기판 방향으로 가압하는 가압부; 및
상기 처리 패드를 통한 상기 기판의 처리 공정을 제어하는 제어부를 포함하고,
상기 제어부는, 상기 처리 패드가 상기 회전부에 의해 회전되는 상태에서 상기 처리 패드를 상기 기판에 접촉시키고, 상기 회전부에 작용하는 힘 또는 토크 변화량을 통해 상기 기판에 대한 상기 처리 패드의 접촉 여부를 판단하는, 기판 처리 장치.processing head;
a processing pad connected to the processing head and processing one side of the substrate;
a rotating part connected to the processing head and rotating the processing head about an axis perpendicular to one surface of the substrate;
a moving part connected to the processing head and moving the processing head along a direction perpendicular to one surface of the substrate;
a pressurizing unit that presses the processing pad toward the substrate while the processing pad is in contact with the substrate; and
A control unit that controls a processing process of the substrate through the processing pad,
The control unit contacts the processing pad with the substrate while the processing pad is rotated by the rotating unit, and determines whether the processing pad is in contact with the substrate through the force or torque change amount acting on the rotating unit. , substrate processing equipment. 제1항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 기판에 대한 상기 처리 패드의 접촉 여부를 판단하여 상기 가압부의 작동을 제어하는, 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
The control unit determines whether the processing pad is in contact with the substrate and controls the operation of the pressing unit. 삭제delete 제2항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 이동부에 작용하는 힘 또는 토크 변화량을 통해 상기 기판에 대한 상기 처리 패드의 접촉 여부를 판단하는, 기판 처리 장치.According to paragraph 2,
The control unit determines whether the processing pad is in contact with the substrate through a change in force or torque applied to the moving unit. 제1항 또는 제4항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 기판 및 처리 패드가 접촉한 것으로 판단되면, 상기 회전부, 이동부 및 가압부 중 적어도 어느 하나에 작용하는 힘 또는 토크 값을 통해 상기 가압부의 작동을 제어하는, 기판 처리 장치.According to claim 1 or 4,
The control unit, when it is determined that the substrate and the processing pad are in contact, controls the operation of the pressing unit through a force or torque value applied to at least one of the rotating unit, the moving unit, and the pressing unit. 제1항에 있어서,
상기 처리 헤드에 연결되고, 상기 기판의 일면에 평행한 평면 상에서 상기 처리 헤드를 병진 이동시키는 평행 이동부를 더 포함하는, 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
The substrate processing apparatus further includes a parallel moving part connected to the processing head and translating the processing head on a plane parallel to one surface of the substrate. 제6항에 있어서,
상기 기판을 기준으로 상기 처리 헤드의 반대편에 배치되고, 상기 기판의 타면을 지지하는 지지 부재를 더 포함하는, 기판 처리 장치.According to clause 6,
The substrate processing apparatus further includes a support member disposed on an opposite side of the processing head with respect to the substrate and supporting the other side of the substrate. 제7항에 있어서,
상기 지지 부재는 길이 방향으로 형성되고,
상기 평행 이동부는 상기 처리 헤드를 상기 지지 부재의 길이 방향을 따라 이동시키는, 기판 처리 장치.In clause 7,
The support member is formed in the longitudinal direction,
The substrate processing apparatus wherein the parallel movement unit moves the processing head along the longitudinal direction of the support member. 제8항에 있어서,
상기 지지 부재는 상기 기판의 타면을 처리하도록 회전 구동되는, 기판 처리 장치.According to clause 8,
The support member is driven to rotate to process the other side of the substrate. 제1항에 있어서,
상기 가압부는,
상기 처리 헤드 내에 구비되는 가압 챔버; 및
상기 가압 챔버 내의 압력을 조절하는 압력 조절부를 포함하는, 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
The pressurizing part is,
a pressure chamber provided within the processing head; and
A substrate processing apparatus comprising a pressure regulator that adjusts the pressure in the pressurization chamber. 제10항에 있어서,
상기 가압 챔버는 복수 개의 구역으로 구획되고,
상기 압력 조절부는 상기 복수 개의 구역 각각에 개별적으로 압력을 조절하는, 기판 처리 장치.According to clause 10,
The pressurization chamber is divided into a plurality of zones,
The pressure regulator adjusts pressure individually in each of the plurality of zones. 제1항에 있어서,
상기 가압부는,
상기 처리 헤드에 고정적으로 연결되는 제1파트;
상기 제1파트에 대해 슬라이딩 가능하게 연결되는 제2파트; 및
상기 제2파트를 상기 제1파트에 대해 슬라이딩 시키는 공압부를 포함하는, 기판 처리 장치.According to paragraph 1,
The pressurizing part is,
A first part fixedly connected to the processing head;
a second part slidably connected to the first part; and
A substrate processing apparatus including a pneumatic part that slides the second part relative to the first part. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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