KR102636056B1 - 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 - Google Patents

조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102636056B1
KR102636056B1 KR1020220053709A KR20220053709A KR102636056B1 KR 102636056 B1 KR102636056 B1 KR 102636056B1 KR 1020220053709 A KR1020220053709 A KR 1020220053709A KR 20220053709 A KR20220053709 A KR 20220053709A KR 102636056 B1 KR102636056 B1 KR 102636056B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
substituted
unsubstituted
formula
independently
Prior art date
Application number
KR1020220053709A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20220062246A (ko
Inventor
원종우
강동민
김준석
류진현
이병관
이상신
이현규
정성현
정호국
형경희
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사, 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020220053709A priority Critical patent/KR102636056B1/ko
Publication of KR20220062246A publication Critical patent/KR20220062246A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102636056B1 publication Critical patent/KR102636056B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D405/00—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom
    • C07D405/14—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing three or more hetero rings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/56—Ring systems containing three or more rings
    • C07D209/80—[b, c]- or [b, d]-condensed
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D403/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00
    • C07D403/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing two hetero rings
    • C07D403/10—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing two hetero rings linked by a carbon chain containing aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D405/00—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom
    • C07D405/02—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing two hetero rings
    • C07D405/12—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing two hetero rings linked by a chain containing hetero atoms as chain links
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/90—Multiple hosts in the emissive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

화학식 1 및 화학식 2의 조합으로 표현되는 제1 화합물, 그리고 화학식 3으로 표현되는 제2 화합물을 포함하는 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치에 관한 것이다.
[화학식 1] [화학식 2] [화학식 3]
Figure 112023131279754-pat00172
Figure 112023131279754-pat00173
Figure 112023131279754-pat00174

상기 화학식 1 내지 화학식 3에서, 각 치환기의 정의는 명세서에서 정의한 바와 같다.

Description

조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치{COMPOSITION AND ORGANIC OPTOELECTRONIC DEVICE AND DISPLAY DEVICE}
조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치에 관한 것이다.
유기 광전자 소자(organic optoelectronic diode)는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이다.
유기 광전자 소자는 동작 원리에 따라 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 하나는 광 에너지에 의해 형성된 엑시톤(exciton)이 전자와 정공으로 분리되고 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되면서 전기 에너지를 발생하는 광전 소자이고, 다른 하나는 전극에 전압 또는 전류를 공급하여 전기 에너지로부터 광 에너지를 발생하는 발광 소자이다.
유기 광전자 소자의 예로는 유기 광전 소자, 유기 발광 소자, 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼(organic photo conductor drum) 등을 들 수 있다.
이 중, 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)는 근래 평판 표시 장치(flat panel display device)의 수요 증가에 따라 크게 주목 받고 있다. 유기 발광 소자는 전기 에너지를 빛으로 전환시키는 소자로서, 유기 발광 소자의 성능은 전극 사이에 위치하는 유기 재료에 의해 많은 영향을 받는다.
일 구현예는 고효율 및 장수명 유기 광전자 소자를 구현할 수 있는 조성물을 제공한다.
다른 구현예는 상기 조성물을 포함하는 유기 광전자 소자를 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1 및 화학식 2의 조합으로 표현되는 제1 화합물, 그리고 하기 화학식 3으로 표현되는 제2 화합물을 포함하는 조성물을 제공한다.
[화학식 1] [화학식 2]
Figure 112023131279754-pat00001
상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
a1* 내지 a4* 중 인접한 둘은 각각 b1* 및 b2*와 연결되고,
a1* 내지 a4* 중 b1* 및 b2*와 연결되지 않은 나머지는 각각 독립적으로 C-La-Ra 이고,
La 및 L1 내지 L4는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
Ra 및 R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
Ra 및 R1 내지 R4 중 적어도 하나는 하기 화학식 A로 표현되는 기이고,
[화학식 A]
Figure 112023131279754-pat00002
상기 화학식 A에서,
Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
*은 La 및 L1 내지 L4와의 연결 지점이고;
[화학식 3]
Figure 112023131279754-pat00003
상기 화학식 3에서,
L5 내지 L9는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
Ar2는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
R5 내지 R8은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이고,
R5 내지 R8은 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 기가 연결되어 치환 또는 비치환된 방향족의 단환식 또는 다환식 고리를 형성하고,
Ar2 및 R5 내지 R8 중 적어도 하나는 하기 화학식 B로 표현되는 기이고,
[화학식 B]
Figure 112023131279754-pat00004
상기 화학식 B에서,
Z1 내지 Z5는 각각 독립적으로 N 또는 C-Lb-Rd이고,
Z1 내지 Z5 중 적어도 하나는 N이고,
여기서 Lb는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
Rd는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이고,
Rd는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 기가 연결되어 치환 또는 비치환된 방향족의 단환식 또는 다환식 고리, 또는 치환 또는 비치환된 방향족의 단환식 또는 다환식 헤테로고리를 형성하고,
*는 L5 내지 L9와의 연결 지점이다.
다른 구현예에 따르면, 서로 마주하는 양극과 음극, 상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 1층의 유기층을 포함하고, 상기 유기층은 상기 조성물을 포함하는 유기 광전자 소자를 제공한다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
고효율 장수명 유기 광전자 소자를 구현할 수 있다.
도 1 및 도 2는 각각 일 구현예에 따른 유기 발광 소자를 도시한 단면도이다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 "치환"이란 별도의 정의가 없는 한, 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기, 히드록실기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C6 내지 C30 아릴실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C3 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, C1 내지 C10 트리플루오로알킬기, 시아노기, 또는 이들의 조합으로 치환된 것을 의미한다.
본 발명의 일 예에서, "치환"은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C6 내지 C30 아릴실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C3 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로아릴기로 치환된 것을 의미한다. 또한, 본 발명의 구체적인 일 예에서, "치환"은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, C1 내지 C20 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C2 내지 C30 헤테로아릴기로 치환된 것을 의미한다. 또한, 본 발명의 구체적인 일 예에서, "치환"은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, C1 내지 C5 알킬기, C6 내지 C18 아릴기, 피리디닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 디벤조퓨란일기, 디벤조티오펜일기 또는 카바졸일기로 치환된 것을 의미한다. 또한, 본 발명의 구체적인 일 예에서, "치환"은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, C1 내지 C5 알킬기, C6 내지 C18 아릴기, 디벤조퓨란일기 또는 디벤조티오펜일기로 치환된 것을 의미한다. 또한, 본 발명의 구체적인 일 예에서, "치환"은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, 메틸기, 에틸기, 프로판일기, 부틸기, 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 트리페닐렌기, 디벤조퓨란일기 또는 디벤조티오펜일기로 치환된 것을 의미한다.
본 명세서에서 "헤테로"란 별도의 정의가 없는 한, 하나의 작용기 내에 N, O, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다.
본 명세서에서 "아릴(aryl)기"는 탄화수소 방향족 모이어티를 하나 이상 갖는 그룹을 총괄하는 개념으로서, 탄화수소 방향족 모이어티의 모든 원소가 p-오비탈을 가지면서, 이들 p-오비탈이 공액(conjugation)을 형성하고 있는 형태, 예컨대 페닐기, 나프틸기 등을 포함하고, 2 이상의 탄화수소 방향족 모이어티들이 시그마 결합을 통하여 연결된 형태, 예컨대 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기 등을 포함하며, 2 이상의 탄화수소 방향족 모이어티들이 직접 또는 간접적으로 융합된 비방향족 융합 고리, 예컨대 플루오레닐기 등을 포함할 수 있다.
아릴기는 모노시클릭, 폴리시클릭 또는 융합 고리 폴리시클릭(즉, 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다.
본 명세서에서 "헤테로고리기(heterocyclic group)"는 헤테로아릴기를 포함하는 상위 개념으로서, 아릴기, 시클로알킬기, 이들의 융합고리 또는 이들의 조합과 같은 고리 화합물 내에 탄소 (C) 대신 N, O, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한 개를 함유하는 것을 의미한다. 상기 헤테로고리기가 융합고리인 경우, 상기 헤테로고리기 전체 또는 각각의 고리마다 헤테로 원자를 한 개 이상 포함할 수 있다.
일 예로 "헤테로아릴(heteroaryl)기"는 아릴기 내에 N, O, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한 개를 함유하는 것을 의미한다. 2 이상의 헤테로아릴기는 시그마 결합을 통하여 직접 연결되거나, 상기 헤테로아릴기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다. 상기 헤테로아릴기가 융합고리인 경우, 각각의 고리마다 상기 헤테로 원자를 1 내지 3개 포함할 수 있다.
상기 헤테로고리기는 구체적인 예를 들어, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴나졸리닐기, 퀴녹살리닐기 등을 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및/또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기는, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환 또는 비치환된 피레닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 p-터페닐기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐기, 치환 또는 비치환된 o-터페닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 인데닐기, 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피롤릴기, 치환 또는 비치환된 피라졸릴기, 치환 또는 비치환된 이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 티아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기, 치환 또는 비치환된 티아디아졸일기, 치환 또는 비치환된 피리딜기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈옥사진일기, 치환 또는 비치환된 벤즈티아진일기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페나진일기, 치환 또는 비치환된 페노티아진일기, 치환 또는 비치환된 페녹사진일기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기, 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
본 명세서에서, 정공 특성이란, 전기장(electric field)을 가했을 때 전자를 공여하여 정공을 형성할 수 있는 특성을 말하는 것으로, HOMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 양극에서 형성된 정공의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 정공의 양극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
또한 전자 특성이란, 전기장을 가했을 때 전자를 받을 수 있는 특성을 말하는 것으로, LUMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 음극에서 형성된 전자의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 전자의 음극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
이하 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 조성물을 설명한다.
일 구현예에 따른 유기광전자소자용 조성물은 정공 특성을 가진 제1 화합물과 전자 특성을 가진 제2 화합물을 포함한다.
제1 화합물은 하기 화학식 1 및 화학식 2의 조합으로 표현된다.
[화학식 1] [화학식 2]
Figure 112023131279754-pat00005
상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
a1* 내지 a4* 중 인접한 둘은 각각 b1* 및 b2*와 연결되고,
a1* 내지 a4* 중 b1* 및 b2*와 연결되지 않은 나머지는 각각 독립적으로 C-La-Ra 이고,
La 및 L1 내지 L4는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
Ra 및 R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
Ra 및 R1 내지 R4 중 적어도 하나는 하기 화학식 A로 표현되는 기이고,
[화학식 A]
Figure 112023131279754-pat00006
상기 화학식 A에서,
Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
*은 La 및 L1 내지 L4와의 연결 지점이다.
제1 화합물은 벤조카바졸에 아민이 치환된 구조를 가짐으로써 HOMO 전자 구름이 아민으로부터 벤조카바졸로 확장됨으로써 높은 HOMO 에너지를 갖게 되어 정공 주입 및 전달 특성이 우수하다.
또한 벤조카바졸은 바이카바졸 및 인돌로카바졸에 비하여 상대적으로 높은 HOMO 에너지를 갖기 때문에 벤조카바졸에 아민이 치환된 구조를 적용함으로써 낮은 구동 전압을 갖는 소자를 구현할 수 있다.
또한 바이카바졸 및 인돌로카바졸은 높은 T1 에너지를 가지므로 Red host로서 적합하지 않은 반면에, 벤조카바졸에 아민이 치환된 구조는 Red host로서 적합한 T1 에너지를 갖는다. 이에 따라 본 발명에 따른 화합물이 적용된 소자는 고효율/장수명 특성이 구현될 수 있다.
한편 제2 화합물과 함께 포함되어 정공과 전자의 균형을 맞출 수 있고 이에 따라 이를 적용한 소자의 구동 전압을 낮출 수 있다.
일 예로, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기일 수 있다.
예컨대, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된, 페닐기, 치환 또는 비치환된 p-바이페닐기 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐기일 수 있고, 이 때 치환기는 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 트리페닐렌기, 카바졸일기, 디벤조퓨란일기 또는 디벤조티오펜일기일 수 있다.
일 예로, Ar1은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로고리기일 수 있다.
예컨대, Ar1은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기 또는 이들의 조합일 수 있다.
예컨대, Ar1은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기 또는 치환 또는 비치환된 카바졸일기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 예로, La 및 L1 내지 L4는 각각 독립적으로 단일 결합 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기일 수 있다.
예컨대, La 및 L1 내지 L4는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 터페닐렌기, 또는 치환 또는 비치환된 나프틸렌기일 수 있다.
예컨대, La 및 L1 내지 L4는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 m-페닐렌기, 치환 또는 비치환된 p-페닐렌기, 치환 또는 비치환된 o-페닐렌기, 치환 또는 비치환된 m-바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 p-바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 o-바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐렌기, 치환 또는 비치환된 p-터페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 o-터페닐렌기일 수 있다. 여기서 치환은 예컨대 적어도 하나의 수소가 중수소, C1 내지 C20 알킬기, C6 내지 C20 아릴기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합으로 치환된 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 예로, Ra 및 R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로고리기 또는 상기 화학식 A로 표현되는 기일 수 있다.
예컨대, Ra 및 R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소 또는 상기 화학식 A로 표현되는 기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 예로, 상기 제1 화합물은 화학식 1 및 화학식 2의 융합 위치에 따라 예컨대 하기 화학식 1A 내지 화학식 1C 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 1A] [화학식 1B] [화학식 1C]
Figure 112023131279754-pat00007
상기 화학식 1A 내지 화학식 1C에서, Ar1, La 및 L1 내지 L4, 그리고 Ra 및 R1 내지 R4는 전술한 바와 같다.
일 예로, 상기 화학식 1A는 화학식 A로 표현되는 기의 치환 위치에 따라 하기 화학식 1A-1 내지 화학식 1A-3 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 1A-1] [화학식 1A-2] [화학식 1A-3]
Figure 112023131279754-pat00008
상기 화학식 1A-1 내지 화학식 1A-3에서, Ar1, La 및 L1 내지 L4, Ra 및 R1 내지 R4, 그리고 Rb 및 Rc는 전술한 바와 같다.
예컨대, 상기 화학식 1A-1은 화학식 A로 표현되는 기의 구체적인 치환 위치에 따라 하기 화학식 1A-1-a 내지 화학식 1A-1-d 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 1A-1-a] [화학식 1A-1-b]
Figure 112023131279754-pat00009
[화학식 1A-1-c] [화학식 1A-1-d]
Figure 112023131279754-pat00010
상기 화학식 1A-1-a 내지 화학식 1A-1-d에서, Ar1, La 및 L1 내지 L4, Ra 및 R1 내지 R4, 그리고 Rb 및 Rc는 전술한 바와 같다.
일 실시예에서, 화학식 1A-1은 상기 화학식 1A-1-b 또는 화학식 1A-1-c로 표현될 수 있다.
예컨대, 상기 화학식 1A-2는 화학식 A로 표현되는 기의 구체적인 치환 위치에 따라 하기 화학식 1A-2-a 또는 화학식 1A-2-b로 표현될 수 있다.
[화학식 1A-2-a] [화학식 1A-2-b]
Figure 112023131279754-pat00011
상기 화학식 1A-2-a 및 화학식 1A-2-b에서, Ar1, La 및 L1 내지 L4 및 R1 내지 R4, 그리고 Rb 및 Rc는 전술한 바와 같다.
일 실시예에서, 화학식 1A-2는 상기 화학식 1A-2-a로 표현될 수 있다.
예컨대, 상기 화학식 1A-3은 화학식 A로 표현되는 기의 구체적인 치환 위치에 따라 하기 화학식 1A-3-a 내지 화학식 1A-3-d 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 1A-3-a] [화학식 1A-3-b]
Figure 112023131279754-pat00012
[화학식 1A-3-c] [화학식 1A-3-d]
Figure 112023131279754-pat00013
상기 화학식 1A-3-a 내지 화학식 1A-3-d에서, Ar1, La 및 L1 내지 L4, Ra 및 R1 내지 R4, 그리고 Rb 및 Rc는 전술한 바와 같다.
일 실시예에서, 화학식 1A-3은 상기 화학식 1A-3-b 또는 화학식 1A-3-c로 표현될 수 있다.
일 예로, 상기 화학식 1B는 화학식 A로 표현되는 기의 치환 위치에 따라 하기 화학식 1B-1 내지 화학식 1B-3 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 1B-1] [화학식 1B-2] [화학식 1B-3]
Figure 112023131279754-pat00014
Figure 112023131279754-pat00015
Figure 112023131279754-pat00016
상기 화학식 1B-1 내지 화학식 1B-3에서, Ar1, La 및 L1 내지 L4, Ra 및 R1 내지 R4, 그리고 Rb 및 Rc는 전술한 바와 같다.
예컨대, 상기 화학식 1B-1은 화학식 A로 표현되는 기의 구체적인 치환 위치에 따라 하기 화학식 1B-1-a 내지 화학식 1B-1-d 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 1B-1-a] [화학식 1B-1-b]
Figure 112023131279754-pat00017
Figure 112023131279754-pat00018
[화학식 1B-1-c] [화학식 1B-1-d]
Figure 112023131279754-pat00019
Figure 112023131279754-pat00020
상기 화학식 1B-1-a 내지 화학식 1B-1-d에서, Ar1, La 및 L1 내지 L4, Ra 및 R1 내지 R4, 그리고 Rb 및 Rc는 전술한 바와 같다.
예컨대, 상기 화학식 1B-2는 화학식 A로 표현되는 기의 구체적인 치환 위치에 따라 하기 화학식 1B-2-a 또는 화학식 1B-2-b로 표현될 수 있다.
[화학식 1B-2-a] [화학식 1B-2-b]
Figure 112023131279754-pat00021
Figure 112023131279754-pat00022
상기 화학식 1B-2-a 및 화학식 1B-2-b에서, Ar1, La 및 L1 내지 L4, R1 내지 R4, 그리고 Rb 및 Rc는 전술한 바와 같다.
예컨대, 상기 화학식 1B-3은 화학식 A로 표현되는 기의 구체적인 치환 위치에 따라 하기 화학식 1B-3-a 내지 화학식 1B-3-d 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 1B-3-a] [화학식 1B-3-b]
Figure 112023131279754-pat00023
Figure 112023131279754-pat00024
[화학식 1B-3-c] [화학식 1B-3-d]
Figure 112023131279754-pat00025
Figure 112023131279754-pat00026
상기 화학식 1B-3-a 내지 화학식 1B-3-d에서, Ar1, La 및 L1 내지 L4, Ra 및 R1 내지 R4, 그리고 Rb 및 Rc는 전술한 바와 같다.
일 실시예에서, 화학식 1B-3은 상기 화학식 1B-3-b로 표현될 수 있다.
일 예로, 상기 화학식 1C는 화학식 A로 표현되는 기의 치환 위치에 따라 하기 화학식 1C-1 내지 화학식 1C-3 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 1C-1] [화학식 1C-2] [화학식 1C-3]
Figure 112023131279754-pat00027
Figure 112023131279754-pat00028
Figure 112023131279754-pat00029
상기 화학식 1C-1 내지 화학식 1C-3에서, Ar1, La 및 L1 내지 L4, Ra 및 R1 내지 R4, 그리고 Rb 및 Rc는 전술한 바와 같다.
예컨대, 상기 화학식 1C-1은 화학식 A로 표현되는 기의 구체적인 치환 위치에 따라 하기 화학식 1C-1-a 내지 화학식 1C-1-d 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 1C-1-a] [화학식 1C-1-b] [화학식 1C-1-c] [화학식 1C-1-d]
Figure 112023131279754-pat00030
Figure 112023131279754-pat00031
Figure 112023131279754-pat00032
Figure 112023131279754-pat00033
상기 화학식 1C-1-a 내지 화학식 1C-1-d에서, Ar1, La 및 L1 내지 L4, Ra 및 R1 내지 R4, 그리고 Rb 및 Rc는 전술한 바와 같다.
일 실시예에서, 화학식 1C-1은 상기 화학식 1C-1-b로 표현될 수 있다.
예컨대, 상기 화학식 1C-2는 화학식 A로 표현되는 기의 구체적인 치환 위치에 따라 하기 화학식 1C-2-a 또는 화학식 1C-2-b로 표현될 수 있다.
[화학식 1C-2-a] [화학식 1C-2-b]
Figure 112023131279754-pat00034
Figure 112023131279754-pat00035
상기 화학식 1C-2-a 및 화학식 1C-2-b에서, Ar1, La 및 L1 내지 L4, R1 내지 R4, 그리고 Rb 및 Rc는 전술한 바와 같다.
예컨대, 상기 화학식 1C-3은 화학식 A로 표현되는 기의 구체적인 치환 위치에 따라 하기 화학식 1C-3-a 내지 화학식 1C-3-d 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 1C-3-a] [화학식 1C-3-b]
Figure 112023131279754-pat00036
Figure 112023131279754-pat00037
[화학식 1C-3-c] [화학식 1C-3-d]
Figure 112023131279754-pat00038
Figure 112023131279754-pat00039
상기 화학식 1C-3-a 내지 화학식 1C-3-d에서, Ar1, La 및 L1 내지 L4, Ra 및 R1 내지 R4, 그리고 Rb 및 Rc는 전술한 바와 같다.
일 실시예에서, 화학식 1C-3은 상기 화학식 1C-3-b로 표현될 수 있다.
본 발명의 구체적인 일 실시예에서, 제1 화합물은 상기 화학식 1A로 표현될 수 있고, 구체적으로는 상기 화학식 1A-1로 표현될 수 있으며, 예컨대 상기 화학식 1A-1-b로 표현될 수 있다.
제1 화합물은 예컨대 하기 그룹 1에 나열된 화합물에서 선택된 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 1]
Figure 112023131279754-pat00040
Figure 112023131279754-pat00041
Figure 112023131279754-pat00042
Figure 112023131279754-pat00043
Figure 112023131279754-pat00044
Figure 112023131279754-pat00045
Figure 112023131279754-pat00046
Figure 112023131279754-pat00047
Figure 112023131279754-pat00048
Figure 112023131279754-pat00049
Figure 112023131279754-pat00050
Figure 112023131279754-pat00051
Figure 112023131279754-pat00052
Figure 112023131279754-pat00053
Figure 112023131279754-pat00054
Figure 112023131279754-pat00055
Figure 112023131279754-pat00056
Figure 112023131279754-pat00057
Figure 112023131279754-pat00058
Figure 112023131279754-pat00059
Figure 112023131279754-pat00060
Figure 112023131279754-pat00061
Figure 112023131279754-pat00062
제2 화합물은 하기 화학식 3으로 표현된다.
[화학식 3]
Figure 112023131279754-pat00063
상기 화학식 3에서,
L5 내지 L9는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
Ar2는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
R5 내지 R8은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이고,
R5 내지 R8은 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 기가 연결되어 치환 또는 비치환된 방향족의 단환식 또는 다환식 고리를 형성하고,
Ar2 및 R5 내지 R8 중 적어도 하나는 하기 화학식 B로 표현되는 기이고,
[화학식 B]
Figure 112023131279754-pat00064
상기 화학식 B에서,
Z1 내지 Z5는 각각 독립적으로 N 또는 C-Lb-Rd이고,
Z1 내지 Z5 중 적어도 하나는 N이고,
여기서 Lb는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
Rd는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이고,
Rd는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 기가 연결되어 치환 또는 비치환된 방향족의 단환식 또는 다환식 고리, 또는 치환 또는 비치환된 방향족의 단환식 또는 다환식 헤테로고리를 형성하고,
*는 L5 내지 L9와의 연결 지점이다.
제2 화합물은 전기장을 걸었을 때 정공과 전자를 모두 받을 수 있는 특성, 즉 바이폴라 특성을 가지는 화합물로, 구체적으로 상기 화학식 3으로 표현되는 카바졸 코어에 적어도 하나의 질소를 함유하는 고리, 예컨대 피리미딘 또는 트리아진 등이 치환된 구조를 가짐으로써 분자량 대비 유리 전이 온도가 향상되는 효과가 있으므로, 내열성이 확보될 수 있다.
또한, 제2 화합물은 빠르고 안정한 전자 전달 특성을 가지므로, 빠르고 안정한 정공 전달 특성을 갖는 전술한 제1 화합물과 함께 포함되어 소자 내 정공과 전자의 균형을 맞출 수 있고, 이에 따라 이를 적용한 유기 광전자 소자의 구동 전압을 낮출 수 있다.
일 예로, L5 내지 L9는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로고리기 일 수 있다.
일 예로, L5 내지 L9는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 터페닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프틸렌기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기, 치환 또는 비치환된 융합디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 융합디벤조티오펜일기, 또는 이들의 조합일 수 있다.
예컨대 L5 내지 L9는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 m-페닐렌기, 치환 또는 비치환된 p-페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 또는 치환 또는 비치환된 터페닐렌기일 수 있다.
일 예로, Ar2는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 상기 화학식 B로 표현되는 기 또는 이들의 조합일 수 있다.
예컨대 Ar2는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기 또는 상기 화학식 B로 표현되는 기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 예로, R5 내지 R8은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기, 상기 화학식 B로 표현되는 기 또는 이들의 조합일 수 있다.
예컨대 R5 내지 R8은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기 또는 상기 화학식 B로 표현되는 기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 예로, 제2 화합물은 상기 화학식 B로 표현되는 기의 결합 위치에 따라 예컨대 하기 하기 화학식 2A 내지 화학식 2L 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 2A] [화학식 2B] [화학식 2C]
Figure 112023131279754-pat00065
Figure 112023131279754-pat00066
Figure 112023131279754-pat00067
[화학식 2D] [화학식 2E] [화학식 2F]
Figure 112023131279754-pat00068
Figure 112023131279754-pat00069
Figure 112023131279754-pat00070
[화학식 2G] [화학식 2H] [화학식 2I]
Figure 112023131279754-pat00071
Figure 112023131279754-pat00072
Figure 112023131279754-pat00073
[화학식 2J] [화학식 2K] [화학식 2L]
Figure 112023131279754-pat00074
Figure 112023131279754-pat00075
Figure 112023131279754-pat00076
상기 화학식 2A 내지 2L에서, L5 내지 L9, Ar2, R5 내지 R8, Z1 내지 Z5는 전술한 바와 같고,
Re, Rf, Rg, Rh, Ri 및 Rj는 전술한 R5 내지 R8의 정의와 같고,
Z1a 내지 Z5a는 전술한 Z1 내지 Z5의 정의와 같으며,
Z1b 내지 Z5b도 전술한 Z1 내지 Z5의 정의와 같다.
일 예로 Lb는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
예컨대 Lb는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 터페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일렌기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일렌기일 수 있다.
예컨대 Lb는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 m-페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 p-페닐렌기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 예로 Rd는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
예컨대 Rd는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트렌기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기일 수 있다.
예컨대 Rd는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 m-바이페닐기, 치환 또는 비치환된 p-바이페닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Rd는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 기가 서로 연결되어 치환 또는 비치환된 방향족의 단환식 또는 다환식 고리, 또는 치환 또는 비치환된 방향족의 단환식 또는 다환식 헤테로고리를 형성할 수 있다.
일 예로, 화학식 B로 표현되는 기에서 Z1 내지 Z5 중 적어도 둘은 N이고, Rd는 각각 독립적으로 존재할 수 있다.
일 예로, 화학식 B로 표현되는 기는 치환 또는 비치환된 피리미디닐기 또는 치환 또는 비치환된 트리아지닐기일 수 있다.
예컨대, Z1 및 Z3이 N이고, Z2, Z4 및 Z5가 각각 독립적으로 C-Lb-Rd이거나; Z3 및 Z5가 N이고, Z1, Z2 및 Z4가 각각 독립적으로 C-Lb-Rd이거나; 또는 Z2 및 Z4가 N이고, Z1, Z3 및 Z5가 각각 독립적으로 C-Lb-Rd 일 수 있다. 이 경우, Lb 및 Rd는 전술한 바와 같다.
예컨대, Z1, Z3 및 Z5가 N이고, Z2 및 Z4는 각각 독립적으로 C-Lb-Rd 일 수 있다. 이 경우, Lb 및 Rd는 전술한 바와 같다.
일 예로, 화학식 B로 표현되는 기에서 Z1 내지 Z5 중 적어도 하나는 N이고, Rd는 서로 연결되어 치환 또는 비치환된 방향족의 단환식 고리, 또는 치환 또는 비치환된 방향족의 단환식 헤테로고리를 형성할 수 있다.
이 경우, 화학식 B로 표현되는 기는 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기 또는 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기일 수 있다.
예컨대, Z3 및 Z4는 각각 C-Rd이고 인접한 Rd는 서로 연결되어 벤젠 고리를 형성하고 Z1, Z2 및 Z5 중 어느 하나가 N일 수 있다.
예컨대, Z3 및 Z4는 각각 C-Rd이고 인접한 Rd는 서로 연결되어 벤젠 고리를 형성하고 Z1, Z2 및 Z5 중 어느 둘이 N일 수 있다.
예컨대, Z3 및 Z4는 각각 C-Rd이고 인접한 Rd는 서로 연결되어 벤젠 고리를 형성하고 Z1, Z2 및 Z5이 각각 N일 수 있다.
예컨대, 상기 화학식 B는 하기 화학식 B-1 내지 B-7 중 어느 하나로 표현될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 B-1] [화학식 B-2] [화학식 B-3] [화학식 B-4] [화학식 B-5]
Figure 112023131279754-pat00077
Figure 112023131279754-pat00078
Figure 112023131279754-pat00079
Figure 112023131279754-pat00080
Figure 112023131279754-pat00081
[화학식 B-6] [화학식 B-7]
Figure 112023131279754-pat00082
Figure 112023131279754-pat00083
상기 화학식 B-1 내지 화학식 B-7에서,
Lb1 내지 Lb5, 그리고 Lc1 및 Lc2는 전술한 Lb의 정의와 같고,
Rd1 내지 Rd5, Rk1 및 Rk2는 전술한 Rd의 정의와 같다.
구체적인 일 예로 상기 화학식 B로 표현되는 기는 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기 또는 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기일 수 있다.
더욱 구체적인 일 예로 상기 화학식 B는 하기 그룹 Ⅰ에 나열된 치환기에서 선택된 어느 하나일 수 있다.
[그룹 Ⅰ]
Figure 112023131279754-pat00084
일 예로, 상기 화학식 2A는 상기 화학식 B로 표현되는 기의 구체적인 결합 위치에 따라 하기 화학식 2A-1 내지 화학식 2A-4 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 2A-1] [화학식 2A-2]
Figure 112023131279754-pat00085
Figure 112023131279754-pat00086
[화학식 2A-3] [화학식 2A-4]
Figure 112023131279754-pat00087
Figure 112023131279754-pat00088
상기 화학식 2A-1 내지 화학식 2A-4에서, L5 내지 L9, Ar2, R5 내지 R8, Z1 내지 Z5는 전술한 바와 같다.
일 예로, 상기 화학식 2C는 상기 화학식 B로 표현되는 기의 구체적인 결합 위치에 따라 하기 화학식 2C-1 내지 화학식 2C-4 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 2C-1] [화학식 2C-2] [화학식 2C-3] [화학식 2C-4]
Figure 112023131279754-pat00089
Figure 112023131279754-pat00090
Figure 112023131279754-pat00091
Figure 112023131279754-pat00092
상기 화학식 2C-1 내지 화학식 2C-4에서, L5 내지 L9, R6 내지 R8, Z1a 내지 Z5a, 및 Z1b 내지 Z5b는 전술한 바와 같다.
본 발명의 구체적인 일 실시예에서, 제2 화합물은 상기 화학식 2B, 화학식 2C, 화학식 2D, 화학식 2E 및 화학식 2F 중 어느 하나로 표현될 수 있고, 예컨대 상기 화학식 2B 또는 화학식 2F로 표현될 수 있다.
제2 화합물은 예컨대 하기 그룹 2에 나열된 화합물에서 선택된 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 2]
Figure 112023131279754-pat00093
Figure 112023131279754-pat00094
Figure 112023131279754-pat00095
Figure 112023131279754-pat00096
Figure 112023131279754-pat00097
Figure 112023131279754-pat00098
Figure 112023131279754-pat00099
Figure 112023131279754-pat00100
Figure 112023131279754-pat00101
Figure 112023131279754-pat00102
Figure 112023131279754-pat00103
Figure 112023131279754-pat00104
Figure 112023131279754-pat00105
Figure 112023131279754-pat00106
Figure 112023131279754-pat00107
Figure 112023131279754-pat00108
제1 화합물과 제2 화합물은 예컨대 1:99 내지 99:1의 중량비로 포함될 수 있다. 상기 범위로 포함됨으로써 제1 화합물의 정공 수송 능력과 제2 화합물의 전자 수송 능력을 이용해 적절한 중량비를 맞추어 바이폴라 특성을 구현하여 효율과 수명을 개선할 수 있다. 상기 범위 내에서 예컨대 약 10:90 내지 90:10, 약 20:80 내지 80:20, 약 30:70 내지 70:30, 약 40:60 내지 60:40 또는 약 50:50의 중량비로 포함될 수 있다. 일 예로, 50:50 내지 60:40의 중량비로 포함될 수 있으며, 예컨대, 50:50 또는 60:40의 중량비로 포함될 수 있다.
일 예로 본 발명의 일 실시예에 따른 조성물은 상기 화학식 1A-1-b로 표현되는 화합물을 제1 화합물로서 포함하고, 상기 화학식 2B 또는 화학식 2F로 표현되는 화합물을 제2 화합물로서 포함할 수 있다.
예컨대, 상기 화학식 1A-1-b에서, Ar1은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기 또는 이들의 조합이고, La 및 L1 내지 L4는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 터페닐렌기, 또는 치환 또는 비치환된 나프틸렌기이고, Ra, R1, R2 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기일 수 있고,
상기 화학식 2B 및 화학식 2F에서, L5 내지 L9는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 터페닐렌기, 또는 치환 또는 비치환된 나프틸렌기이고, R5 내지 R8, Re, Rf 및 Rg는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합일 수 있다.
또한, Z1 내지 Z5는 각각 독립적으로 N 또는 C-Lb-Rd이고, Z1 내지 Z5 중 적어도 둘은 N이고, Lb는 각각 독립적으로 단일 결합, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이고, Rd는 각각 독립적으로 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기일 수 있다.
조성물은 전술한 제1 화합물 및 제2 화합물 외에 1종 이상의 화합물을 더 포함할 수 있다.
조성물은 도펀트를 더 포함할 수 있다. 도펀트는 예컨대 인광 도펀트일 수 있고, 예컨대 적색, 녹색 또는 청색의 인광 도펀트일 수 있고, 예컨대 적색 인광 도펀트일 수 있다.
도펀트는 제1 화합물과 제2 화합물에 미량 혼합되어 발광을 일으키는 물질로, 일반적으로 삼중항 상태 이상으로 여기시키는 다중항 여기(multiple excitation)에 의해 발광하는 금속 착체(metal complex)와 같은 물질이 사용될 수 있다. 도펀트는 예컨대 무기, 유기, 유무기 화합물일 수 있으며, 1종 또는 2종 이상 포함될 수 있다.
도펀트의 일 예로 인광 도펀트를 들 수 있으며, 인광 도펀트의 예로는 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd 또는 이들의 조합을 포함하는 유기 금속화합물을 들 수 있다. 인광 도펀트는 예컨대 하기 화학식 Z로 표현되는 화합물을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 Z]
L10MX
상기 화학식 Z에서, M은 금속이고, L10 및 X는 서로 같거나 다르며 M과 착화합물을 형성하는 리간드이다.
상기 M은 예컨대 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd 또는 이들의 조합일 수 있고, 상기 L10 및 X는 예컨대 바이덴테이트 리간드일 수 있다.
조성물은 화학기상증착과 같은 건식 성막법에 의해 형성될 수 있다.
이하 상술한 조성물을 적용한 유기 광전자 소자를 설명한다.
유기 광전자 소자는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 유기 광전 소자, 유기 발광 소자, 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 등을 들 수 있다.
여기서는 유기 광전자 소자의 일 예인 유기 발광 소자를 도면을 참고하여 설명한다.
도 1 및 도 2는 일 구현예에 따른 유기 발광 소자를 보여주는 단면도이다.
도 1을 참고하면, 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자(100)는 서로 마주하는 양극(120)과 음극(110), 그리고 양극(120)과 음극(110) 사이에 위치하는 유기층(105)을 포함한다.
양극(120)은 예컨대 정공 주입이 원활하도록 일 함수가 높은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속, 금속 산화물 및/또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 양극(120)은 예컨대 니켈, 백금, 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO와 Al 또는 SnO2와 Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리(3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜)(polyehtylenedioxythiophene: PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 도전성 고분자 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
음극(110)은 예컨대 전자 주입이 원활하도록 일 함수가 낮은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속, 금속 산화물 및/또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 음극(110)은 예컨대 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 납, 세슘, 바륨 등과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al, LiO2/Al, LiF/Ca, LiF/Al 및 BaF2/Ca과 같은 다층 구조 물질을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
유기층(105)은 전술한 조성물을 포함하는 발광층(130)을 포함한다.
발광층(130)은 예컨대 전술한 조성물을 포함할 수 있다.
전술한 조성물은 예컨대 적색 발광 조성물일 수 있다.
발광층(130)은 예컨대 전술한 제1 화합물과 제2 화합물을 각각 인광 호스트로서 포함할 수 있다.
도 2를 참고하면, 유기 발광 소자(200)는 발광층(130) 외에 정공 보조층(140)을 더 포함한다. 정공 보조층(140)은 양극(120)과 발광층(130) 사이의 정공 주입 및/또는 정공 이동성을 더욱 높이고 전자를 차단할 수 있다. 정공 보조층(140)은 예컨대 정공 수송층, 정공 주입층 및/또는 전자 차단층일 수 있으며, 적어도 1층을 포함할 수 있다.
상기 정공 보조층(140)은 예컨대 하기 그룹 D에 나열된 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
구체적으로 상기 정공 보조층(140)은 양극(120)과 발광층(130) 사이의 정공 수송층, 및 상기 발광층(130)과 상기 정공 수송층 사이의 정공 수송 보조층을 포함할 수 있고, 하기 그룹 D에 나열된 화합물 중 적어도 하나는 상기 정공 수송 보조층에 포함될 수 있다.
[그룹 D]
Figure 112023131279754-pat00109
Figure 112023131279754-pat00110
Figure 112023131279754-pat00111
Figure 112023131279754-pat00112
Figure 112023131279754-pat00113
Figure 112023131279754-pat00114
Figure 112023131279754-pat00115
Figure 112023131279754-pat00116
Figure 112023131279754-pat00117
Figure 112023131279754-pat00118
Figure 112023131279754-pat00119
Figure 112023131279754-pat00120
상기 정공 수송 보조층에는 전술한 화합물 외에도 US5061569A, JP1993-009471A, WO1995-009147A1, JP1995-126615A, JP1998-095973A 등에 기재된 공지의 화합물 및 이와 유사한 구조의 화합물도 사용될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 구현예에서는 도 1 또는 도 2에서 유기층(105)으로서 추가로 전자 수송층, 전자주입층, 전공주입층 등을 더 포함한 유기발광 소자일 수도 있다.
유기 발광 소자(100, 200)는 기판 위에 양극 또는 음극을 형성한 후, 진공증착법(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 플라즈마 도금 및 이온도금과 같은 건식성막법 등으로 유기층을 형성한 후, 그 위에 음극 또는 양극을 형성하여 제조할 수 있다.
상술한 유기 발광 소자는 유기 발광 표시 장치에 적용될 수 있다.
이하 실시예를 통하여 상술한 구현예를 보다 상세하게 설명한다. 　다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 권리범위를 제한하는 것은 아니다.
(제1 화합물의 제조)
합성예 1: 화합물 A-2의 합성
[반응식 1]
Figure 112023131279754-pat00121
a) 중간체 A-2-1의 합성
phenylhydrazinehydrochloride (70.0g, 484.1 mmol), 7-bromo-3,4-dihydro-2H-naphthalen-1-one (108.9g, 484.1 mmol)을 환저플라스크에 넣고 에탄올(1200ml)에 녹인다. 상온에서 염산 60 mL를 천천히 적가한 후 90℃에서 12시간 동안 교반한다. 반응이 종료되면 용매를 감압 하에서 제거한 후 과량의 EA로 추출한다. 유기용매를 감압하에 제거하고 소량의 메탄올 속에서 교반시킨 후 필터하여 중간체 A-2-1을 95.2g(66%) 수득하였다.
b) 중간체 A-2-2의 합성
중간체 A-2-1 (95.2g, 319.3 mmol), 2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone (108.7g, 478.9 mmol)을 환저플라스크에 넣고 톨루엔(600ml)에 녹인다. 80℃에서 12시간 동안 교반한다. 반응이 종료되면 반응용매를 제거한 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 중간체 A-2-2를 41.3g(44%) 수득하였다.
c) 중간체 A-2-3의 합성
중간체 A-2-2 (41.3g, 139.0 mmol), iodobenzene (199.2g, 976.0 mmol), CuI (5.31g, 28.0 mmol), K2CO3 (28.9g, 209.0 mmol), 1,10-phenanthroline (5.03g, 28.0 mmol)을 환저플라스크에 넣고 DMF(500ml)에 녹인다. 180℃에서 12 시간 동안 교반한다. 반응이 종료되면 반응용매를 감압 하에서 제거한 후 디클로로메탄에 용해 후 실리카겔 여과한다. 디클로로메탄 농축 후 헥산으로 재결정하여 중간체 A-2-3를 39.0g(75%) 수득하였다.
d) 화합물 A-2의 합성
중간체 A-2-3 (23.2g, 62.5 mmol), bis-biphenyl-4-yl-amine (21.1g, 65.6 mmol), 소듐 t-부톡사이드 (NaOtBu) (9.0 g, 93.8 mmol), Pd2(dba)3 (3.4 g, 3.7 mmol), 트리 t-부틸포스핀 (P(tBu)3) (4.5 g, 50% in 톨루엔)를 자일렌(300 mL)에 넣고 질소 기류 하에서 12시간 동안 가열하여 환류하였다. 자일렌을 제거한 후, 이로부터 수득한 혼합물에 메탄올 200 mL를 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 톨루엔에 녹여 실리카겔/셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 농축하여 화합물 A-2(29g, 76%)을 수득하였다.
LC/MS calculated for: C46H32N2 Exact Mass: 612.26 found for 612.32 [M+H]
합성예 2: 화합물 A-3의 합성
[반응식 2]
Figure 112023131279754-pat00122
a) 중간체 A-3-1의 합성
phenylhydrazinehydrochloride, 6-bromo-3,4-dihydro-2H-naphthalen-1-one을 각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 1의 a)와 같은 방법으로 중간체 A-3-1을 합성하였다.
b) 중간체 A-3-2의 합성
중간체 A-3-1, 2,3-Dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone을 1:1.5 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 b)와 같은 방법으로 중간체 A-3-2을 합성하였다.
c) 중간체 A-3-3의 합성
중간체 A-3-2, iodobenzene을 1:3 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 c)와 같은 방법으로 중간체 A-3-3을 합성하였다.
d) 화합물 A-3의 합성
중간체 A-3-3, bis-biphenyl-4-yl-amine을 1:1 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 d)와 같은 방법으로 화합물 A-3을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C46H32N2 Exact Mass: 612.26 found for 612.28 [M+H]
합성예 3: 화합물 A-5의 합성
[반응식 3]
Figure 112023131279754-pat00123
a) 중간체 A-5-1의 합성
phenylhydrazinehydrochloride, 3,4-Dihydro-2H-naphthalen-1-one을 각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 1의 a)와 같은 방법으로 중간체 A-5-1을 합성하였다.
b) 중간체 A-5-2의 합성
중간체 A-5-1, 2,3-Dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone을 1:1.5 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 b)와 같은 방법으로 중간체 A-5-2을 합성하였다.
c) 중간체 A-5-3의 합성
중간체 A-5-2, iodobenzene을 1:3 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 c)와 같은 방법으로 중간체 A-5-3을 합성하였다.
d) 중간체 A-5-4의 합성
중간체 A-5-3 (23.6g, 80.6 mmol)을 환저플라스크에 넣고 디클로로메탄 300mL에 녹인다. N-Bromosuccinimide(NBS) (14.1g, 79.0 mmol) DMF 100mL에 녹인 후 천천히 적가한 후 상온에서 2시간 동안 교반한다. 반응이 종료되면 반응용매를 제거한 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 중간체 A-5-4를 25g(83%) 수득하였다.
e) 화합물 A-5의 합성
중간체 A-5-4, bis-biphenyl-4-yl-amine을 1:1 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 d)와 같은 방법으로 화합물 A-5을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C46H32N2 Exact Mass: 612.26 found for 612.33 [M+H]
합성예 4: 화합물 A-7의 합성
[반응식 4]
Figure 112023131279754-pat00124
a) 중간체 A-7-1의 합성
4-bromophenylhydrazinehydrochloride, 3,4-dihydro-2H-naphthalen-1-one을 각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 1의 a)와 같은 방법으로 중간체 A-7-1을 합성하였다.
b) 중간체 A-7-2의 합성
중간체 A-7-1, 2,3-Dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone을 1:1.5 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 b)와 같은 방법으로 중간체 A-7-2을 합성하였다.
c) 중간체 A-7-3의 합성
중간체 A-7-2, iodobenzene을 1:3 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 c)와 같은 방법으로 중간체 A-7-3을 합성하였다.
d) 화합물 A-7의 합성
중간체 A-7-3, bis-biphenyl-4-yl-amine을 1:1 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 d)와 같은 방법으로 화합물 A-7을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C46H32N2 Exact Mass: 612.26 found for 612.30 [M+H]
합성예 5: 화합물 A-8의 합성
[반응식 5]
Figure 112023131279754-pat00125
a) 중간체 A-8-1의 합성
3-bromophenylhydrazinehydrochloride, 3,4-dihydro-2H-naphthalen-1-one을 각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 1의 a)와 같은 방법으로 중간체 A-8-1을 합성하였다.
b) 중간체 A-8-2의 합성
중간체 A-8-1, 2,3-Dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone을 1:1.5 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 b)와 같은 방법으로 중간체 A-8-2을 합성하였다.
c) 중간체 A-8-3의 합성
중간체 A-8-2, iodobenzene을 1:3 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 c)와 같은 방법으로 중간체 A-8-3을 합성하였다.
d) 화합물 A-8의 합성
중간체 A-8-3, bis-biphenyl-4-yl-amine을 1:1 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 d)와 같은 방법으로 화합물 A-8을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C46H32N2 Exact Mass: 612.26 found for 612.33 [M+H]
합성예 6: 화합물 A-11의 합성
[반응식 6]
Figure 112023131279754-pat00126
a) 중간체 A-11-1의 합성
4-Bromo-phenylamine (50.0g, 290.7 mmol), 2-naphthalene boronic Acid (59.9g, 171.9 mmol), K2CO3 (80.4g, 581.3 mmol) 그리고 Pd(PPh3)4 (10.1g, 8.7 mmol)을 환저플라스크에 넣고 toluene(800ml)와 증류수(400ml)에 녹인 후 80℃에서 12시간 동안 교반한다. 반응이 종료되면 물층을 제거한 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 중간체 A-11-1를 40.0g(63%) 수득하였다.
b) 중간체 A-11-2의 합성
중간체 A-11-1 (17.7g, 80.8 mmol), 4-Bromo-biphenyl (18.8g, 80.8 mmol), 소듐 t-부톡사이드 (NaOtBu) (11.6 g, 121.1 mmol), Pd2(dba)3 (4.4 g, 4.8 mmol), 트리 t-부틸포스핀 (P(tBu)3) (5.9 g, 50% in 톨루엔)를 자일렌(400 mL)에 넣고 질소 기류 하에서 12시간 동안 가열하여 환류하였다. 자일렌을 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 중간체 A-11-2를 20.0g(67%) 수득하였다.
c) 화합물 A-11의 합성
중간체 A-11-2 및 중간체 A-2-3을 1:1 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 d)와 같은 방법으로 화합물 A-11을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C50H34N2 Exact Mass: 662.27 found for 662.31 [M+H]
합성예 7: 화합물 A-12의 합성
[반응식 7]
Figure 112023131279754-pat00127
상기 중간체 A-3-3, 중간체 A-11-2을 1:1 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 d)와 같은 방법으로 화합물 A-12을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C50H34N2 Exact Mass: 662.27 found for 662.30 [M+H]
합성예 8: 화합물 A-29의 합성
[반응식 8]
Figure 112023131279754-pat00128
a) 중간체 A-29-1의 합성
aniline (8.3g, 89.5 mmol), 4-(4-Bromo-phenyl)-dibenzofuran (23.1g, 71.5 mmol), 소듐 t-부톡사이드 (NaOtBu) (12.9 g, 134.2 mmol), Pd2(dba)3 (4.9 g, 5.4 mmol), 트리 t-부틸포스핀 (P(tBu)3) (6.5 g, 50% in 톨루엔)를 자일렌(400 mL)에 넣고 질소 기류 하에서 12시간 동안 가열하여 환류하였다. 자일렌을 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 중간체 A-29-1를 20.0g(67%) 수득하였다.
b) 화합물 A-29의 합성
중간체 A-29-1 및 중간체 A-2-3을 1:1 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 d)와 같은 방법으로 화합물 A-29를 합성하였다.
LC/MS calculated for: C46H30N2O Exact Mass: 626.24 found for 626.28 [M+H]
합성예 9: 화합물 A-38의 합성
[반응식 9]
Figure 112023131279754-pat00129
a) 중간체 A-38-1의 합성
9,9-Dimethyl-9H-fluoren-2-ylamine (17.4g, 83.0 mmol), 4-Bromo-biphenyl (15.5g, 66.4 mmol), 소듐 t-부톡사이드 (NaOtBu) (12.0 g, 124.5 mmol), Pd2(dba)3 (4.6 g, 5.0 mmol), 트리 t-부틸포스핀 (P(tBu)3) (6.0 g, 50% in 톨루엔)를 자일렌(400 mL)에 넣고 질소 기류 하에서 12시간 동안 가열하여 환류하였다. 자일렌을 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 중간체 A-38-1를 18.0g(60%) 수득하였다.
b) 화합물 A-38의 합성
중간체 A-38-1 및 중간체 A-3-3을 1:1 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 d)와 같은 방법으로 화합물 A-38을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C49H36N2 Exact Mass: 652.29 found for 652.33 [M+H]
합성예 10: 화합물 A-51의 합성
[반응식 10]
Figure 112023131279754-pat00130
a) 중간체 A-51-1의 합성
중간체 A-3-3 (30.0g, 80.6 mmol), 4-chlorophenyl boronic Acid (15.1g, 96.7 mmol), K2CO3 (22.3g, 161.2 mmol) 그리고 Pd(PPh3)4 (2.8g, 2.4 mmol)을 환저플라스크에 넣고 tetrahydrofuran(200ml)와 증류수(100ml)에 녹인 후 80℃에서 12시간 동안 교반한다. 반응이 종료되면 물층을 제거한 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 중간체 A-51-1를 27.0g(83%) 수득하였다.
b) 화합물 A-51의 합성
중간체 A-51-1, bis-biphenyl-4-yl-amine을 1:1 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 d)와 같은 방법으로 화합물 A-51을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C52H36N2 Exact Mass: 688.29 found for 688.34 [M+H]
합성예 11: 화합물 A-65의 합성
[반응식 11]
Figure 112023131279754-pat00131
a) 중간체 A-65-1의 합성
1,4-Dibromo-2-nitro-benzene (30.0g, 106.8 mmol), 2-naphthalene boronic Acid (18.4g, 106.8 mmol), K2CO3 (29.5g, 213.6 mmol) 그리고 Pd(PPh3)4 (3.7g, 3.2 mmol)을 환저플라스크에 넣고 tetrahydrofuran(300mL)와 증류수(150mL)에 녹인 후 80℃에서 12시간 동안 교반한다. 반응이 종료되면 물층을 제거한 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 중간체 A-65-1를 27.0g(77%) 수득하였다.
b) 중간체 A-65-2의 합성
중간체 A-65-1 (27.0g, 82.3 mmol), triphenylphosphine (86.3g, 329.1 mmol)을 환저플라스크에 넣고 1,2-dichlorobenzene(300mL)에 녹인 후 180℃에서 12시간 동안 교반한다. 반응이 종료되면 용매를 제거한 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 중간체 A-65-2를 18.0g(74%) 수득하였다.
c) 중간체 A-65-3의 합성
중간체 A-65-2, iodobenzene을 1:3 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 c)와 같은 방법으로 중간체 A-65-3을 합성하였다.
d) 화합물 A-65의 합성
중간체 A-65-3, bis-biphenyl-4-yl-amine을 1:1 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 d)와 같은 방법으로 화합물 A-65을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C46H32N2 Exact Mass: 612.26 found for 612.30 [M+H]
합성예 12: 화합물 A-72의 합성
[반응식 12]
Figure 112023131279754-pat00132
a) 중간체 A-72-1의 합성
phenylhydrazinehydrochloride, 6-Bromo-3,4-dihydro-1H-naphthalen-2-one을 각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 1의 a)와 같은 방법으로 중간체 A-72-1을 합성하였다.
b) 중간체 A-72-2의 합성
중간체 A-72-1, 2,3-Dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone을 1:1.5 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 b)와 같은 방법으로 중간체 A-72-2을 합성하였다.
c) 중간체 A-72-3의 합성
중간체 A-72-2, iodobenzene을 1:3 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 c)와 같은 방법으로 중간체 A-72-3을 합성하였다.
d) 화합물 A-72의 합성
상기 합성한 중간체 A-72-3, bis-biphenyl-4-yl-amine을 1:1 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 d)와 같은 방법으로 화합물 A-72을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C46H32N2 Exact Mass: 612.26 found for 612.31 [M+H]
합성예 13: 화합물 A-77의 합성
[반응식 13]
Figure 112023131279754-pat00133
a) 중간체 A-77-1의 합성
1,4-Dibromo-2-nitro-benzene, 1-naphthalene boronic Acid를 각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 11의 a)와 같은 방법으로 중간체 A-77-1을 합성하였다.
b) 중간체 A-77-2의 합성
중간체 A-77-1, triphenylphosphine을 1:4 당량비를 사용하여 상기 합성예 11의 b)와 같은 방법으로 중간체 A-77-2을 합성하였다.
c) 중간체 A-77-3의 합성
중간체 A-77-2, iodobenzene을 1:3 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 c)와 같은 방법으로 중간체 A-77-3을 합성하였다.
d) 화합물 A-77의 합성
중간체 A-77-3, bis-biphenyl-4-yl-amine을 1:1 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 d)와 같은 방법으로 화합물 A-77을 합성하였다.
LC/MS calculated for: C46H32N2 Exact Mass: 612.26 found for 612.29 [M+H]
(제2 화합물의 제조)
합성예 14: 화합물 B-8의 합성
[반응식 14]
Figure 112023131279754-pat00134
Figure 112023131279754-pat00135
Figure 112023131279754-pat00136
a) 중간체 B-8-1의 합성
1 L의 둥근 바닥 플라스크에 3-bromocarbazole(35 g, 142 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 0.5 L에 녹인 후, 여기에 phenyl boronic acid(17.3 g, 142 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(8.2 g, 7.1 mmol)을 넣고 교반시켰다. 그리고 물에 포화된 potassium carbonate(49.1 g, 356 mmol)을 넣고 80 ℃에서 12시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 magnesium sulfate anhydrous로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 B-8-1를 22.0 g 얻었다.
b) 중간체 B-8-2의 합성
1 L의 둥근 바닥 플라스크에 (1) (40 g, 149 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 0.5 L에 녹인 후, 여기에 (2) (25.7 g, 164 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(8.63 g, 7.5 mmol)을 넣고 교반시켰다. 그리고 물에 포화된 potassium carbonate(51.6 g, 374 mmol)을 넣고 80 ℃에서 12시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 magnesium sulfate anhydrous로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 B-8-2를 32.1 g 얻었다
c) 화합물 B-8의 합성
중간체 B-8-1 (22.0g, 90.4 mmol), 중간체 B-8-2 (31.1g, 90.4 mmol), 소듐 t-부톡사이드 (NaOtBu) (13.01 g, 135.6 mmol), Pd2(dba)3 (2.48 g, 2.7 mmol), 트리 t-부틸포스핀 (P(tBu)3) (5.49 g, 50% in 톨루엔)를 자일렌(300 mL)에 넣고 질소 기류 하에서 12시간 동안 가열하여 환류하였다. 자일렌을 제거한 후, 이로부터 수득한 혼합물에 메탄올 200 mL를 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 모노클로로벤젠(MCB)에 녹여 실리카겔/셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 농축하여 화합물 B-8(32g, 64.3%)을 수득하였다.
합성예 15: 화합물 B-12의 합성
[반응식 15]
Figure 112023131279754-pat00137
Figure 112023131279754-pat00138
a) 중간체 B-12-1의 합성
Carbazole(35g, 209.3 mmol), 1-bromo-4-chloro-benzene(60.11g 313.98mmol), CuI (3.99g, 20.9 mmol), K2CO3 (43.39g, 313.98 mmol), 1,10-phenanthroline (3.77g, 20.9 mmol)을 환저플라스크에 넣고 DMF(700ml)에 녹인다. 180℃에서 18 시간 동안 교반한다. 반응이 종료되면 반응용매를 감압 하에서 제거한 후 디클로로메탄에 용해 후 실리카겔 여과한다. 디클로로메탄 농축 후 헥산으로 재결정하여 중간체 B-12-1를 40.0g (68.8%) 수득하였다.
b) 중간체 B-12-2의 합성
중간체 B-12-1 (40g, 144mmol), Bis(pinacolato)diboron (54.86g, 216mmol), Pd(dppf)Cl2 (7.1g, 8.64mmol), Tricyclohexylphosphine (8.08g, 28.8mmol) 그리고 Potassium acetate (42.4g, 432.04mmol)을 환저플라스크에 넣고 DMF(720ml)으로 녹인다. 혼합물을 120℃에서 12시간 동안 환류교반한다. 반응이 종료되면 과량의 증류수에 혼합물을 붓고 1시간 동안 교반한다. 고형물을 필터한 후 DCM에 녹인다. MgSO4로 수분을 제거한 후 실리카겔 패드를 이용하여 유기용매를 필터한 후 감압 하에 제거한다. 고형물을 EA와 Hexane으로 재결정하여 중간체 B-12-2를 31.3g(58.9%) 수득하였다.
c) 화합물 B-12의 합성
1 L의 둥근 바닥 플라스크에 중간체 B-12-2 (31 g, 83.95 mmol)을 tetrahydrofuran(THF) 0.3 L에 녹인 후, 여기에 중간체 B-8-2 (28.86 g, 83.95 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(4.85 g, 4.2 mmol)을 넣고 교반시켰다. 그리고 물에 포화된 potassium carbonate(29.01 g, 209.9 mmol)을 넣고 80 ℃에서 12시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 30분간 교반하여 필터한 다음, 얻은 고체를 모노클로로벤젠에 133℃ 온도에서 녹이고 magnesium sulfate anhydrous로 수분을 제거한 후, 실리카겔을 이용하여 필터하고 여액을 상온으로 식혀서 필터하였다. 이렇게 얻어진 고체를 모노클로로벤젠을 이용하여 반복 정제하여 화합물 B-12를 31.0 g (67.1%) 얻었다.
합성예 16: 화합물 B-25의 합성
[반응식 16]
Figure 112023131279754-pat00139
a) 중간체 B-25-1의 합성
2-bromocarbazole (35g 142mmol)을 이용하여 상기 합성예 14의 a)와 같은 방법으로 합성하여 중간체 B-25-1을 22g (63.6%)을 얻었다.
b) 중간체 B-25-2의 합성
중간체 B-25-1 (22g, 90.4mmol)을 이용하여 상기 합성예 15의 a)와 같은 방법으로 합성하여 중간체 B-25-2를 18g (56.3%)을 얻었다.
c) 중간체 B-25-3의 합성
중간체 B-25-2 (18g, 51mmol)를 이용하여 상기 합성예 15의 b)와 같은 방법으로 합성하여 중간체 B-25-3을 14.8g (65.3%)를 얻었다.
d) 중간체 B-25-4의 합성
3-bromo-dibenzofuran (40g, 162mmol)을 상기 합성예 15의 b)와 같은 방법으로 중간체 B-25-4를 합성하여 31g (65.1%)를 얻었다.
e) 중간체 B-25-5의 합성
2,4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine (21g, 93mmol)과 중간체 B-25-4를 상기 합성예 15의 c)와 같은 방법으로 합성하여 중간체 B-25-5 15g (64.8%)를 얻었다.
f) 화합물 B-25의 합성
중간체 B-25-5 (10.5g 29.3mmol)과 중간체 B-25-3(14.38g, 32.28mmol)를 상기 합성예 15의 c)와 같은 방법으로 합성하여 화합물 B-25 12.7g(67.5%)를 얻었다
합성예 17: 화합물 B-42의 합성
[반응식 17]
Figure 112023131279754-pat00140
a) 중간체 B-42-1의 합성
질소상태하에서 Mg(3.44g, 142mmol), I2(0.36g, 1.41mmol)를 교반한다. 여기에 무수 THF 236ml에 3-bromo-dibenzofuran (35g, 142mmol)을 완전히 녹인 용액을 서서히 드랍하여 3-Mgbr-dibenzofuran을 만든다. 질소 상태에서 무수 THF 118ml에 Cyanuric chloride (13.06g, 70.8mmol)를 녹인 용액을 0℃상태를 유지하면서, 상기 3-Mgbr-dibenzofuran, THF 혼합용액을 을 서서히 드랍하고 상온상태에서 2시간 반응시킨다. 반응이 완료되면 물과 얼음을 넣어 쿨링시키고 Ethyl acetate를 넣어 물층과 유기층을 추출 분리한다. 추출된 유기층을 실리카 필터 하고, 얻은 용매는 모두 증발 증류한다. 이후 n-Hexane을 이용해 재결정하고 종이필터를 진행한다. 얻은 고체는 건조한다. 위의 방법으로 중간체 B-42-1를 21g (66.2%) 획득 하였다.
b) 화합물 B-42의 합성
중간체 B-42-1 (21g, 46.89mmol), carbazole(7.84g, 46.89mmol)을 상기 합성예 14의 c)와 같은 방법으로 합성하여 화합물 B-42 18.7g(68.9%)를 얻었다.
합성예 18: 화합물 B-55의 합성
[반응식 18]
Figure 112023131279754-pat00141
Figure 112023131279754-pat00142
a) 중간체 B-55-1의 합성
1-bromo-2-nitro-benzene (35g, 173.2mmol)과 1-naphthalene-boronic acid(32.78g, 190.6mmol)을 상기 합성예 14의 a)와 같은 방법으로 합성하여 중간체 B-55-1 28g(64.8%)를 얻었다.
b) 중간체 B-55-2의 합성
중간체 B-55-1 (28.0g, 112 mmol), triphenylphosphine (88.4g, 337 mmol)을 환저플라스크에 넣고 1,2-dichlorobenzene(300mL)에 녹인 후 180℃에서 24시간 동안 교반한다. 반응이 종료되면 용매를 제거한 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 중간체 B-55-2를 17.7g(72.5%) 얻었다.
c) 화합물 B-55-3의 합성
상기 합성예 14의 b)와 같은 방법으로 중간체 B-55-3을 합성하였다.
d) 화합물 B-55의 합성
중간체 B-55-3 (22g, 63.9mmol), 중간체 B-55-2 (13.9g, 63.9mmol)을 상기 합성예 14의 c)와 같은 방법으로 합성하여 화합물 B-55 21.0g (62.6%)를 얻었다
비교합성예 1: 비교화합물 1의 합성
[반응식 19]
Figure 112023131279754-pat00143
a) 중간체 1-2의 합성
500mL 플라스크에 중간체 1-1 (30g, 121.9mmol), 4,4,4',4', 5,5,5',5'-옥타메틸-2,2'-바이(1,3,2-다이옥사보로란) 1당량, 아세트산칼륨 2당량 및 1,1'-비스(다이페닐포스피노) 페로센-팔라듐(Ⅱ)다이클로라이드 0.03 당량, 트리사이클로헥실포스핀 0.2당량을 N,N-다이메틸포름아마이드 300mL에 넣은 후, 130℃에서 12시간 교반하였다. 반응 완료 후, 반응 용액을 물과 EA로 추출하여 수득한 유기층으로부터 황산마그네슘을 사용하여 수분을 제거하고 농축하여, 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 중간체 1-2를 흰색의 고체 (29.66g, 83%의 수율)로 얻었다.
b) 중간체 1-3의 합성
500mL 플라스크에 중간체 1-2 29.66g (0.4 mol), 1-브로모-2-니트로 벤젠 2당량, 탄산칼륨 2당량, 테트라키스(트리페닐포스핀) 팔라듐 (0) 0.02당량을 1,4-다이옥산 200mL, 물 100mL 에 넣어준 후, 질소 기류 하에서 16시간 동안 90℃로 가열하였다. 반응 용매를 제거한 후, 디클로로메탄에 녹여 실리카겔/셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄올로 재결정하여 중간체 1-3을 고체(16.92g, 58%의 수율)로 얻었다.
c) 중간체 1-4의 합성
500 mL 플라스크에 상기 합성한 중간체 1-3 8.7g (30.2 mmol), 2-브로모나프탈렌 7.5g (36.2 mmol), 소듐 t-부톡사이드 (NaOtBu) 4.3 g (45.3 mmol), Pd(dba)2 1.0 g (1.8 mmol), 트리 t-부틸포스핀 (P(tBu)3) 2.2 g (50% in 톨루엔)를 자일렌 150 mL 에 넣고 질소 기류 하에서 12시간 동안 가열하여 환류하였다. 자일렌을 제거한 후, 이로부터 수득한 혼합물에 메탄올 200 mL를 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 디클로로메탄에 녹여 실리카겔/셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 아세톤으로 재결정하여 중간체 1-4 (9.83g, 77%의 수율)을 수득하였다.
d) 중간체 1-5의 합성
1000ml 플라스크에 상기 합성한 중간체 1-4 (211.37 g, 0.51 mol) 및 트리에틸 포스파이트 (528ml, 3.08mol)을 넣고 질소치환을 하고 12시간 동안 160℃에서 교반하였다. 반응 종료 후, MeOH 3L를 넣고 교반 후, 필터하고, 여액을 휘발하였다. 컬럼 크로마토그래피로 정제(Hexane) 하여 중간체 1-5 (152.14g, 78%의 수율)를 얻었다.
e) 비교화합물 1의 합성
상기 합성한 중간체 1-5 및 중간체 1-(4-브로모페닐)-4-페닐벤젠을 사용하여 상기 비교합성예의 c)와 동일한 방법으로 비교화합물 1을 합성하였다.
비교합성예 2: 비교화합물 2의 합성
[반응식 20]
Figure 112023131279754-pat00144
a) 비교화합물 2의 합성
비교합성예 1의 e)와 동일한 방법으로, 상기 합성한 중간체 2-1 및 중간체 2-2를 이용하여 비교화합물 2를 합성하였다.
비교합성예 3: 비교화합물 3의 합성
[반응식 21]
Figure 112023131279754-pat00145
a) 중간체 3-1의 합성
비교합성예 1의 c)와 동일한 방법으로, 2-브로모나프탈렌 대신 브로모벤젠을 이용하여 중간체 3-1을 합성하였다.
b) 중간체 3-2의 합성
비교합성예 1의 d)와 동일한 방법으로, 중간체 3-2를 합성하였다.
c) 비교화합물 3의 합성
비교합성예 1의 e)와 동일한 방법으로, 상기 합성한 중간체 3-2 및 2-(4-클로로페닐)나프탈렌을 이용하여 비교화합물 3을 합성하였다.
(유기 발광 소자의 제작)
실시예 1
ITO (Indium tin oxide)가 1500Å 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송 시킨 다음 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 10분간 세정 한 후 진공 증착기로 기판을 이송하였다. 이렇게 준비된 ITO 투명 전극을 양극으로 사용하여 ITO 기판 상부에 화합물 A을 진공 증착하여 700Å 두께의 정공 주입층을 형성하고 상기 주입층 상부에 화합물 B를 50Å의 두께로 증착한 후, 화합물 C를 700Å의 두께로 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 상부에 화합물 C-1을 400Å의 두께로 증착하여 정공수송보조층을 형성하였다. 정공수송보조층 상부에 화합물 A-2 및 B-42를 동시에 호스트로 사용하고 도판트로 [Ir(piq)2acac] 2wt% 로 도핑하여 진공 증착으로 400Å 두께의 발광층을 형성하였다. 여기서 화합물 A-2와 화합물 B-42은 6:4 중량비로 사용되었으며, 하기 실시예의 경우 별도로 비율을 기술하였다. 이어서 상기 발광층 상부에 화합물 D와 Liq를 동시에 1:1 비율로 진공 증착하여 300Å 두께의 전자수송층을 형성하고 상기 전자수송층 상부에 Liq 15Å과 Al 1200Å을 순차적으로 진공 증착 하여 음극을 형성함으로써 유기발광소자를 제작하였다.
상기 유기발광소자는 5층의 유기 박막층을 가지는 구조로 되어 있으며, 구체적으로 다음과 같다.
ITO/화합물A(700Å)/화합물B(50Å)/화합물C(700Å)/화합물C-1(400 Å)/EML[화합물 A-2 : B-42 : [Ir(piq)2acac] (2wt%)] (400Å) / 화합물D : Liq(300Å) / Liq(15Å) / Al(1200Å)의 구조로 제작하였다.
화합물 A: N4,N4'-diphenyl-N4,N4'-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)biphenyl-4,4'-diamine
화합물 B: 1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile (HAT-CN)
화합물 C: N-(biphenyl-4-yl)-9,9-dimethyl-N-(4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl)-9H-fluoren-2-amine
화합물 C-1: N,N-di([1,1'-biphenyl]-4-yl)-7,7-dimethyl-7H-fluoreno[4,3-b]benzofuran-10-amine
화합물 D: 8-(4-(4,6-di(naphthalen-2-yl)-1,3,5-triazin-2-yl)phenyl)quinoline
실시예 2 내지 6 및 비교예 1 내지 5
표 1 내지 표 5에 기재된 조성으로 변경한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다.
평가
실시예 1 내지 6와 비교예 1 내지 5에 따른 유기발광소자의 전력효율을 평가하였다.
구체적인 측정방법은 하기와 같고, 그 결과는 표 1 내지 5와 같다.
(1) 전압변화에 따른 전류밀도의 변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 전류-전압계(Keithley 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고, 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다.
(2) 전압변화에 따른 휘도변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 휘도계(Minolta Cs-1000A)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다.
(3) 전력효율 측정
상기(1) 및 (2)로부터 측정된 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 동일 전류밀도(10 mA/cm2)의 전력 효율(cd/A) 을 계산하였다.
(4) 수명 측정
휘도(cd/m2)를 9000 cd/m2 로 유지하고 전류 효율(cd/A)이 97%로 감소하는 시간을 측정하여 결과를 얻었다.
(5) T97 수명비(%) 계산
동일한 제2 호스트를 적용한 실시예(제1화합물을 제1호스트로 적용)와 비교예(비교화합물을 제1 호스트로 적용)의 T97(h)의 상대 비교값을 나타낸다.
T97 수명비(%) = {[실시예(제1화합물을 제1 호스트로 적용)의 T97(h)] / [비교예(비교화합물을 제1 호스트로 적용)의 T97(h)]} X 100
(6) 구동전압 측정
전류-전압계(Keithley 2400)를 이용하여 15 mA/cm2에서 각 소자의 구동전압을 측정하여 결과를 얻었다.
(7) 구동전압비(%) 계산
동일한 제2 호스트를 적용한 실시예(제1화합물을 제1 호스트로 적용)와 비교예(비교화합물을 제1 호스트로 적용)의 상대 비교값을 나타낸다.
구동전압비(%) = {[실시예(제1화합물을 제1 호스트로 적용)의 구동전압(V)] / [비교예(비교화합물을 제1 호스트로 적용)의 구동전압(V)]} X 100
제1호스트 제2호스트 제1호스트:
제2호스트
비율(wt:wt)		 색 구동
전압
(V)		 구동
전압
비
(%)		 T97
수명
비
(%)
실시예 1 A-2 B-42 6:4 적색 3.91 95 656
비교예 1 비교화합물 2 B-42 6:4 적색 4.10 100 100
제1호스트 제2호스트 제1호스트:
제2호스트
비율(wt:wt)		 색 구동
전압
(V)		 구동
전압
비
(%)		 T97
수명
비
(%)
실시예 2 A-2 B-8 6:4 적색 3.88 91 379
실시예 3 A-11 B-8 6:4 적색 3.67 86 957
비교예 2 비교화합물 1 B-8 6:4 적색 4.26 100 100
제1호스트 제2호스트 제1호스트:
제2호스트
비율(wt:wt)		 색 구동
전압
(V)		 구동
전압
비
(%)		 T97
수명
비
(%)
실시예 4 A-2 B-12 6:4 적색 3.81 92 208
비교예 3 비교화합물 3 B-12 6:4 적색 4.13 100 100
제1호스트 제2호스트 제1호스트:
제2호스트
비율(wt:wt)		 색 구동
전압
(V)		 구동
전압
비
(%)		 T97
수명
비
(%)
실시예 5 A-2 B-25 5:5 적색 3.79 93 425
비교예 4 비교화합물1 B-25 5:5 적색 4.08 100 100
제1호스트 제2호스트 제1호스트:
제2호스트
비율(wt:wt)		 색 구동
전압
(V)		 구동
전압
비
(%)		 T97
수명
비
(%)
실시예 6 A-2 B-55 5:5 적색 3.66 87 123
비교예 5 비교화합물1 B-55 5:5 적색 4.20 100 100
표 1 내지 표 5를 참고하면, 실시예 1 내지 6에 따른 유기발광소자는 비교예 1 내지 5에 따른 유기발광소자와 비교하여 구동 전압 및 수명이 현저히 개선된 것을 확인할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
100, 200: 유기 발광 소자
105: 유기층
110: 음극
120: 양극
130: 발광층
140: 정공 보조층

Claims (13)

  1. 하기 화학식 1A-1로 표현되는 제1 화합물, 그리고
    하기 화학식 2C, 화학식 2D 및 화학식 2E 중 어느 하나로 표현되는 제2 화합물
    을 포함하는 조성물:
    [화학식 1A-1]
    Figure 112023131279754-pat00177

    상기 화학식 1A-1에서,
    Ar1은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기 또는 이들의 조합이고,
    La 및 L1 내지 L4는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
    Ra, R1, R2 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
    Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기이고,
    Rb 및 Rc 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기이며;
    [화학식 2C] [화학식 2D] [화학식 2E]
    Figure 112023131279754-pat00148
    Figure 112023131279754-pat00149
    Figure 112023131279754-pat00150

    상기 화학식 2C, 화학식 2D 및 화학식 2E에서,
    L5 내지 L9는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
    R6 내지 R8, Re, Rf, 및 Rg은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이고,
    Z1 내지 Z5는 각각 독립적으로 N 또는 C-Lb-Rd이고,
    Z1 내지 Z5 중 적어도 하나는 N이고,
    Z1a 내지 Z5a는 각각 독립적으로 N 또는 C-Lb-Rd이고,
    Z1a 내지 Z5a 중 적어도 하나는 N이고,
    Z1b 내지 Z5b는 각각 독립적으로 N 또는 C-Lb-Rd이고,
    Z1b 내지 Z5b 중 적어도 하나는 N이고,
    여기서 Lb는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
    Rd는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이고,
    Rd는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 기가 연결되어 치환 또는 비치환된 방향족의 단환식 또는 다환식 고리, 또는 치환 또는 비치환된 방향족의 단환식 또는 다환식 헤테로고리를 형성하고,
    *는 L5 내지 L9와의 연결 지점이다.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 화합물은 하기 화학식 1A-1-b로 표현되는 조성물:
    [화학식 1A-1-b]
    Figure 112023131279754-pat00160

    상기 화학식 1A-1-b 에서,
    Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
    La 및 L1 내지 L4는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
    Ra 및 R1, R2 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
    Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기이고,
    Rb 및 Rc 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기이다.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 화학식 1A-1-b의 La 및 L1 내지 L4는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 터페닐렌기, 또는 치환 또는 비치환된 나프틸렌기인, 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 2C의
    Figure 112023131279754-pat00161
    및
    Figure 112023131279754-pat00162
    , 그리고 화학식 2D 및 화학식 2E의
    Figure 112023131279754-pat00163
    는 각각 독립적으로 하기 화학식 B-1 내지 화학식 B-7 중 어느 하나로 표현되는 조성물:
    [화학식 B-1] [화학식 B-2] [화학식 B-3] [화학식 B-4] [화학식 B-5]
    Figure 112023131279754-pat00164
    Figure 112023131279754-pat00165
    Figure 112023131279754-pat00166
    Figure 112023131279754-pat00167
    Figure 112023131279754-pat00168

    [화학식 B-6] [화학식 B-7]
    Figure 112023131279754-pat00169
    Figure 112023131279754-pat00170

    상기 화학식 B-1 내지 화학식 B-7에서,
    Lb1 내지 Lb5, Lc1 및 Lc2는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
    Rd1 내지 Rd5, Rk1 및 Rk2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기이고,
    *는 L5 내지 L9와의 연결 지점이다.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 화학식 B-1 내지 화학식 B-7는 하기 그룹 Ⅰ에 나열된 치환기에서 선택된 하나인 조성물:
    [그룹 Ⅰ]
    Figure 112023131279754-pat00171

    상기 그룹 Ⅰ에서, *은 연결 지점이다.
  8. 제1항에 있어서,
    도펀트를 더 포함하는 조성물.
  9. 서로 마주하는 양극과 음극,
    상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 1층의 유기층을 포함하고,
    상기 유기층은 제1항 및 제4항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 조성물을 포함하는 유기 광전자 소자.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 유기층은 발광층을 포함하고,
    상기 발광층은 상기 조성물을 포함하는 유기 광전자 소자.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 화합물과 상기 제2 화합물은 각각 상기 발광층의 인광 호스트로서 포함되는 유기 광전자 소자.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 조성물은 적색 발광 조성물인 유기 광전자 소자.
  13. 제9항에 따른 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치.
KR1020220053709A 2018-04-23 2022-04-29 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 KR102636056B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220053709A KR102636056B1 (ko) 2018-04-23 2022-04-29 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180046910A KR20190123138A (ko) 2018-04-23 2018-04-23 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR1020210072011A KR102464924B1 (ko) 2018-04-23 2021-06-03 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR1020220053709A KR102636056B1 (ko) 2018-04-23 2022-04-29 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210072011A Division KR102464924B1 (ko) 2018-04-23 2021-06-03 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220062246A KR20220062246A (ko) 2022-05-16
KR102636056B1 true KR102636056B1 (ko) 2024-02-08

Family

ID=68295701

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180046910A KR20190123138A (ko) 2018-04-23 2018-04-23 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR1020210072011A KR102464924B1 (ko) 2018-04-23 2021-06-03 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR1020220053710A KR102636058B1 (ko) 2018-04-23 2022-04-29 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR1020220053709A KR102636056B1 (ko) 2018-04-23 2022-04-29 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치

Family Applications Before (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180046910A KR20190123138A (ko) 2018-04-23 2018-04-23 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR1020210072011A KR102464924B1 (ko) 2018-04-23 2021-06-03 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR1020220053710A KR102636058B1 (ko) 2018-04-23 2022-04-29 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20210119136A1 (ko)
KR (4) KR20190123138A (ko)
CN (1) CN112041998A (ko)
TW (1) TWI712589B (ko)
WO (1) WO2019208937A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113678274B9 (zh) * 2019-11-11 2023-10-24 株式会社Lg化学 有机发光器件
WO2021096331A1 (ko) * 2019-11-11 2021-05-20 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
US20220045282A1 (en) * 2020-08-10 2022-02-10 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for organic optoelectronic device, organic optoelectronic device and display device
CN115073428A (zh) * 2022-07-29 2022-09-20 阜阳欣奕华材料科技有限公司 一种三嗪类组合物及其制备方法和应用

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103772268B (zh) * 2008-08-22 2017-01-04 株式会社Lg化学 用于有机电子器件的材料以及使用所述材料的有机电子器件
KR20120052879A (ko) * 2010-11-16 2012-05-24 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 전자재료용 화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 전계 발광 소자
KR102066437B1 (ko) * 2013-07-02 2020-01-15 덕산네오룩스 주식회사 광효율 개선층을 포함하는 유기전기소자 및 이를 포함하는 전자 장치
KR101804630B1 (ko) * 2014-09-05 2017-12-05 주식회사 엘지화학 함질소 다환 화합물 및 이를 이용한 유기 전자 소자
KR101872580B1 (ko) * 2016-02-17 2018-06-28 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102116161B1 (ko) * 2016-02-29 2020-05-27 주식회사 엘지화학 함질소 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102110983B1 (ko) * 2016-04-14 2020-05-14 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR102577726B1 (ko) * 2016-04-29 2023-09-14 솔루스첨단소재 주식회사 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR102455656B1 (ko) * 2016-09-22 2022-10-19 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 전자 버퍼층 및 전자 전달층을 포함하는 유기 전계 발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
TWI712589B (zh) 2020-12-11
TW201943699A (zh) 2019-11-16
KR102636058B1 (ko) 2024-02-08
KR20210070257A (ko) 2021-06-14
US20210119136A1 (en) 2021-04-22
KR20220062247A (ko) 2022-05-16
KR102464924B1 (ko) 2022-11-07
CN112041998A (zh) 2020-12-04
KR20190123138A (ko) 2019-10-31
WO2019208937A1 (ko) 2019-10-31
KR20220062246A (ko) 2022-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110437213B (zh) 化合物、组合物、有机光电子器件及显示器件
KR102219645B1 (ko) 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102636056B1 (ko) 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102171533B1 (ko) 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102258084B1 (ko) 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102207892B1 (ko) 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102448566B1 (ko) 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102199075B1 (ko) 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102283787B1 (ko) 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR20190139593A (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102138823B1 (ko) 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102586097B1 (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102600624B1 (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102319226B1 (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102213664B1 (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102262471B1 (ko) 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR20180035076A (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR20200087020A (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102586096B1 (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102563286B1 (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102448567B1 (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102599003B1 (ko) 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102025360B1 (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR20230134879A (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR20240051912A (ko) 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant