KR102632613B1 - Display panel - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 개구영역 및 개구영역을 둘러싸는 표시영역을 구비한 기판과, 표시영역에 위치하는 복수의 표시요소들과, 표시요소들을 커버하며 유기봉지층 및 무기봉지층을 포함하는 박막봉지층과, 개구영역과 표시영역 사이에 위치하고 기판의 깊이 방향으로 오목하며 언더컷 구조를 갖는 제1그루브 및 제2그루브와, 제1그루브 상기 제2그루브 중 적어도 어느 하나를 커버하며 유기절연물을 포함하는 평탄화층, 및 표시영역에 위치하며 박막봉지층 상에 배치된 입력감지층을 포함하며, 평탄화층은 무기봉지층의 위에 배치되고 유기봉지층은 상기 무기봉지층의 아래에 배치된, 표시 패널을 개시한다.One embodiment of the present invention includes a substrate having an opening area and a display area surrounding the opening area, a plurality of display elements located in the display area, and an organic encapsulation layer and an inorganic encapsulation layer covering the display elements. a thin film encapsulation layer, a first groove and a second groove located between the opening area and the display area and having an undercut structure that is concave in the depth direction of the substrate, and covering at least one of the first groove and the second groove and an organic insulating material. A planarization layer including a, and an input sensing layer located in the display area and disposed on the thin film encapsulation layer, wherein the planarization layer is disposed on top of the inorganic encapsulation layer and the organic encapsulation layer is disposed below the inorganic encapsulation layer. The display panel is started.

Description

표시 패널 {Display panel}Display panel {Display panel}

본 발명의 실시예들은 표시 패널에 관한 것이며, 또한, 표시 패널을 포함하는 표시 장치에 관한 것이다. Embodiments of the present invention relate to a display panel and also to a display device including a display panel.

근래에 표시 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 또한, 표시 장치의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이다. Recently, the uses of display devices have become more diverse. In addition, the thickness of display devices is becoming thinner and lighter, and the scope of their use is expanding.

표시 장치 중 표시영역이 차지하는 면적을 확대하면서, 표시 장치에 접목 또는 연계하는 다양한 기능들이 추가되고 있다. 면적을 확대하면서 다양한 기능을 추가하기 위한 방안이 개발되고 있다.As the area occupied by the display area of the display device is expanded, various functions that are incorporated or linked to the display device are being added. Plans are being developed to expand the area and add various functions.

그 구체적 방안으로서 개구영역을 구비하는 표시 장치의 경우, 개구의 측면으로 수분 등의 이물이 침투할 수 있다. 이와 같은 경우, 개구를 적어도 부분적으로 둘러싸는 표시요소들을 손상시킬 수 있다. As a specific solution, in the case of a display device having an opening area, foreign substances such as moisture may penetrate into the side of the opening. In this case, display elements that at least partially surround the opening may be damaged.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 투습을 방지할 수 있는 표시 패널 및 이를 구비한 표시 장치를 제공한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The present invention is intended to solve various problems including the problems described above, and provides a display panel capable of preventing moisture penetration and a display device equipped therewith. However, these tasks are illustrative and do not limit the scope of the present invention.

본 발명의 일 실시예는, 개구영역 및 상기 개구영역을 둘러싸는 표시영역을 구비한 기판; 상기 표시영역에 위치하는 복수의 표시요소들; 상기 표시요소들을 커버하며, 유기봉지층 및 무기봉지층을 포함하는 박막봉지층; 상기 개구영역과 상기 표시영역 사이에 위치하고, 각각 언더컷 구조를 갖는 제1그루브 및 제2그루브; 상기 제1그루브 및 상기 제2그루브 중 적어도 어느 하나를 커버하며, 유기절연물을 포함하는 평탄화층; 및 상기 평탄화층의 아래에 배치된 하부 배리어층;을 포함하며,One embodiment of the present invention includes: a substrate having an opening area and a display area surrounding the opening area; a plurality of display elements located in the display area; a thin film encapsulation layer that covers the display elements and includes an organic encapsulation layer and an inorganic encapsulation layer; a first groove and a second groove located between the opening area and the display area, each having an undercut structure; a planarization layer covering at least one of the first groove and the second groove and including an organic insulating material; And a lower barrier layer disposed below the planarization layer,

상기 평탄화층은 상기 무기봉지층의 위에 배치되고 상기 유기봉지층은 상기 무기봉지층의 아래에 배치된, 표시 패널을 개시한다. Disclosed is a display panel wherein the planarization layer is disposed on the inorganic encapsulation layer and the organic encapsulation layer is disposed below the inorganic encapsulation layer.

본 실시예에 있어서, 상기 기판은 순차적으로 적층된 제1베이스층, 제1무기층, 제2베이스층 및 제2무기층을 포함하며, 상기 제1그루브 및 상기 제2그루브 각각의 바닥면은, 상기 제2베이스층의 하면이거나 상기 제2베이스층의 상면과 하면 사이에 위치한 가상의 면 상에 놓일 수 있다. In this embodiment, the substrate includes a first base layer, a first inorganic layer, a second base layer, and a second inorganic layer sequentially stacked, and the bottom surface of each of the first groove and the second groove is , It may be placed on the lower surface of the second base layer or on an imaginary surface located between the upper and lower surfaces of the second base layer.

본 실시예에 있어서, 상기 박막봉지층은, 순차적으로 적층된 제1무기봉지층, 상기 유기봉지층, 및 제2무기봉지층을 포함할 수 있다. In this embodiment, the thin film encapsulation layer may include a first inorganic encapsulation layer, an organic encapsulation layer, and a second inorganic encapsulation layer that are sequentially stacked.

본 실시예에 있어서, 상기 제1무기봉지층은 상기 제1그루브 및 상기 제2그루브 각각의 내부 표면을 커버할 수 있다. In this embodiment, the first inorganic encapsulation layer may cover the inner surfaces of each of the first groove and the second groove.

본 실시예에 있어서, 상기 유기봉지층은 상기 제1그루브를 커버하며, 상기 제1그루브를 채울 수 있다. In this embodiment, the organic encapsulation layer covers the first groove and may fill the first groove.

본 실시예에 있어서, 상기 하부 배리어층은 상기 제2무기봉지층 위에 위치하며, 상기 제2무기봉지층의 상면과 직접 접촉할 수 있다. In this embodiment, the lower barrier layer is located on the second inorganic encapsulation layer and may be in direct contact with the upper surface of the second inorganic encapsulation layer.

본 실시예에 있어서, 상기 하부 배리어층은 상기 제2그루브를 커버할 수 있다. In this embodiment, the lower barrier layer may cover the second groove.

본 실시예에 있어서, 상기 개구영역과 상기 제2그루브 사이에 배치되는 제3그루브를 더 포함하며, 상기 하부 배리어층은 상기 제2 및 제3그루브를 커버할 수 있다. In this embodiment, it further includes a third groove disposed between the opening area and the second groove, and the lower barrier layer may cover the second and third grooves.

본 실시예에 있어서, 상기 제2그루브는 상기 제2그루브의 중심을 향해 연장된 한 쌍의 팁을 포함하고, 상기 한 쌍의 팁의 바로 아래에 위치하는 유기물을 더 포함할 수 있다. In this embodiment, the second groove may include a pair of tips extending toward the center of the second groove, and may further include an organic material located immediately below the pair of tips.

본 실시예에 있어서, 상기 표시요소들 상에 배치된 입력감지층을 더 포함할 수 있다. In this embodiment, it may further include an input sensing layer disposed on the display elements.

본 실시예에 있어서, 상기 하부 배리어층은 상기 입력감지층에 포함된 무기물과 동일한 물질을 포함할 수 있다. In this embodiment, the lower barrier layer may include the same material as the inorganic material included in the input sensing layer.

본 발명의 다른 실시예는, 개구를 갖는 기판; 상기 개구를 적어도 부분적으로 둘러싸는 표시영역에 위치한 표시요소들; 상기 표시요소들 상에 위치하며, 제1무기봉지층, 유기봉지층 및 제2무기봉지층을 포함하는 박막봉지층; 상기 표시요소들 상에 위치하는 입력감지층; 상기 개구와 상기 표시영역 사이의 그루브영역에 위치하는 복수의 그루브들; 상기 복수의 그루브들 중 적어도 어느 하나를 커버하며, 무기물을 포함하는 배리어층;을 구비하는, 표시 패널을 개시한다. Another embodiment of the present invention includes a substrate having an opening; display elements located in a display area at least partially surrounding the opening; a thin film encapsulation layer located on the display elements and including a first inorganic encapsulation layer, an organic encapsulation layer, and a second inorganic encapsulation layer; an input sensing layer located on the display elements; a plurality of grooves located in a groove area between the opening and the display area; Disclosed is a display panel including a barrier layer that covers at least one of the plurality of grooves and includes an inorganic material.

본 실시예에 있어서, 상기 그루브영역에 위치하는 평탄화층을 더 포함하며,In this embodiment, it further includes a planarization layer located in the groove area,

상기 평탄화층은 상기 제2무기봉지층의 위에 배치되고 상기 유기봉지층은 상기 제2무기봉지층의 아래에 배치될 수 있다.The planarization layer may be disposed on top of the second inorganic encapsulation layer, and the organic encapsulation layer may be disposed below the second inorganic encapsulation layer.

본 실시예에 있어서, 상기 입력감지층은 다층을 포함하며, 상기 배리어층 또는 상기 평탄화층 중 적어도 어느 하나는, 상기 입력감지층의 층들 중 적어도 어느 하나와 동일한 물질을 포함할 수 있다. In this embodiment, the input sensing layer includes multiple layers, and at least one of the barrier layer or the planarization layer may include the same material as at least one of the layers of the input sensing layer.

본 실시예에 있어서, 상기 표시 패널은 유기물층과 상기 유기물층 위에 배치된 적어도 하나의 무기물층을 포함하는 다층 막을 포함하고, 상기 복수의 그루브들은 상기 다층 막의 두께 방향으로 오목하게 형성될 수 있다. In this embodiment, the display panel includes a multilayer film including an organic material layer and at least one inorganic material layer disposed on the organic material layer, and the plurality of grooves may be formed concave in the thickness direction of the multilayer film.

본 실시예에 있어서, 상기 기판은 순차적으로 적층된 제1베이스층, 제1무기층, 제2베이스층 및 제2무기층을 포함하되, 상기 유기물층은 상기 제2베이스층을 포함하고 상기 적어도 하나의 무기물층은 상기 제2무기층을 포함할 있다. In this embodiment, the substrate includes a first base layer, a first inorganic layer, a second base layer, and a second inorganic layer sequentially stacked, and the organic material layer includes the second base layer and the at least one The inorganic layer may include the second inorganic layer.

본 실시예에 있어서, 상기 적어도 하나의 무기물층은 각각의 상기 복수의 그루브들에 대응하는 제1홀을 구비하고, 상기 유기물층은 상기 제1홀과 대응하는 홀 또는 리세스를 포함하며, 상기 제1홀을 정의하는 상기 적어도 하나의 무기물층의 측면은, 상기 홀 또는 상기 리세스를 정의하는 상기 유기물층의 측면 보다 상기 제1홀의 중심을 향해 더 돌출될 수 있다. In this embodiment, the at least one inorganic material layer includes a first hole corresponding to each of the plurality of grooves, the organic material layer includes a hole or recess corresponding to the first hole, and the first hole A side surface of the at least one inorganic material layer defining one hole may protrude more toward the center of the first hole than a side surface of the organic material layer defining the hole or the recess.

본 실시예에 있어서, 상기 복수의 그루브는, 상기 표시영역에 인접한 제1그루브, 및 상기 제1그루브 보다 상기 개구에 인접한 제2그루브를 포함하며, 상기 유기봉지층은 상기 제1그루브를 커버하되, 상기 제1그루브를 채울 수 있다. In this embodiment, the plurality of grooves include a first groove adjacent to the display area and a second groove closer to the opening than the first groove, and the organic encapsulation layer covers the first groove. , the first groove can be filled.

본 실시예에 있어서, 상기 제2그루브 내에 존재하는 유기물을 포함하며, 상기 유기물은 상기 유기봉지층과 동일한 물질을 포함할 수 있다. In this embodiment, it includes an organic material present in the second groove, and the organic material may include the same material as the organic encapsulation layer.

본 실시예에 있어서, 상기 제2그루브는 상기 배리어층으로 커버될 수 있다. In this embodiment, the second groove may be covered with the barrier layer.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다. Other aspects, features and advantages in addition to those described above will become apparent from the following drawings, claims and detailed description of the invention.

본 발명의 실시예들에 관한 표시 장치는, 비표시영역에 그루브를 형성함으로써 표시요소를 향해 진행하는 수분 등의 침투를 방지할 수 있고, 그루브 상에 절연층들, 예컨대 유기봉지층의 일부, 평탄화층 또는/및 하부 배리어층 등을 배치함으로써 그루브 주변에서 막이 들뜨거나 크랙이 발생하는 것을 방지하거나 최소화할 수 있으며, 수분과 같은 외부 이물질에 의해 표시요소가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 그러나 이와 같은 효과는 예시적인 것으로, 실시예들에 따른 효과는 후술하는 내용을 통해 자세하게 설명한다.The display device according to embodiments of the present invention can prevent the infiltration of moisture, etc., toward the display element by forming a groove in the non-display area, and insulating layers on the groove, such as a portion of an organic encapsulation layer, By disposing a flattening layer or/and a lower barrier layer, it is possible to prevent or minimize the occurrence of cracks or lifting of the film around the groove, and to prevent damage to the display element by external foreign substances such as moisture. However, this effect is illustrative, and the effects according to the embodiments will be described in detail later.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 단면도들이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 4는 표시 패널의 어느 한 화소를 개략적으로 나타낸 등가 회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일 영역에 위치한 배선(신호라인)들을 나타낸 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일 영역에 위치한 그루브들을 나타낸 평면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 다른 입력감지층을 발췌하여 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 8a 및 도 8b는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층 중 제1도전층 및 제2도전층을 나타낸 평면도이다.
도 8c는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층을 나타낸 단면도이다.
도 9a 및 도 9b는 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력감지층 중 제1도전층 및 제2도전층을 나타낸 평면도이다.
도 9c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력감지층을 나타낸 단면도이다.
도 10a 및 도 10b는 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력감지층 중 제1도전층 및 제2도전층을 나타낸 평면도이다.
도 10c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력감지층을 나타낸 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 나타낸 단면도이다.
도 12는 도 11의 유기발광다이오드를 확대한 단면도이다.
도 13, 도 15, 도 17, 및 도 19는 본 발명의 일 실시예로서 표시 패널의 제조 공정에 따른 개구영역 및 제1비표시영역을 나타낸 단면도들이다.
도 14는 도 13의 변형 실시예에 해당한다.
도 16은 도 15에서 XVI을 확대한 도면이다.
도 18은 도 17에서 XVIII를 확대한 도면이다.
도 20은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널에서 하부 배리어층을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 21은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널에서 하부 배리어층을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 22는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널에서 하부 배리어층을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 23은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 제1비표시영역의 단면도이다.
도 24는 도 23의 XXIV부분을 확대한 단면도이다.
도 25는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 개략적으로 나타낸 평면이다.
도 26은 도 25의 XXVI- XXVI'선에 따른 단면도이다.
1 is a perspective view schematically showing a display device according to an embodiment of the present invention.
2A to 2C are schematic cross-sectional views of display devices according to embodiments of the present invention.
FIG. 3 is a plan view schematically showing a display panel according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is an equivalent circuit diagram schematically showing one pixel of the display panel.
Figure 5 is a plan view showing wiring (signal lines) located in one area of a display panel according to an embodiment of the present invention.
Figure 6 is a plan view showing grooves located in one area of a display panel according to an embodiment of the present invention.
Figure 7 is a plan view schematically showing an excerpt of another input sensing layer according to an embodiment of the present invention.
Figures 8a and 8b are plan views respectively showing a first conductive layer and a second conductive layer among the input sensing layers according to an embodiment of the present invention.
Figure 8c is a cross-sectional view showing an input sensing layer according to an embodiment of the present invention.
9A and 9B are plan views showing a first conductive layer and a second conductive layer among the input sensing layers according to another embodiment of the present invention, respectively.
Figure 9c is a cross-sectional view showing an input sensing layer according to another embodiment of the present invention.
Figures 10a and 10b are plan views showing a first conductive layer and a second conductive layer among the input sensing layers according to another embodiment of the present invention, respectively.
Figure 10c is a cross-sectional view showing an input sensing layer according to another embodiment of the present invention.
Figure 11 is a cross-sectional view showing a display panel according to an embodiment of the present invention.
FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view of the organic light emitting diode of FIG. 11.
FIGS. 13, 15, 17, and 19 are cross-sectional views showing an opening area and a first non-display area according to the manufacturing process of a display panel according to an embodiment of the present invention.
Figure 14 corresponds to a modified embodiment of Figure 13.
FIG. 16 is an enlarged view of XVI in FIG. 15.
Figure 18 is an enlarged view of section XVIII in Figure 17.
Figure 20 is a plan view schematically showing a lower barrier layer in a display panel according to an embodiment of the present invention.
Figure 21 is a plan view schematically showing a lower barrier layer in a display panel according to another embodiment of the present invention.
Figure 22 is a plan view schematically showing a lower barrier layer in a display panel according to another embodiment of the present invention.
Figure 23 is a cross-sectional view of a first non-display area of a display panel according to another embodiment of the present invention.
FIG. 24 is an enlarged cross-sectional view of portion XXIV of FIG. 23.
25 is a plan view schematically showing a portion of a display panel according to another embodiment of the present invention.
FIG. 26 is a cross-sectional view taken along line XXVI-XXVI' in FIG. 25.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다. Since the present invention can be modified in various ways and can have various embodiments, specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. The effects and features of the present invention and methods for achieving them will become clear by referring to the embodiments described in detail below along with the drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various forms.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. When describing with reference to the drawings, identical or corresponding components will be assigned the same reference numerals and redundant description thereof will be omitted. .

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. In the following embodiments, terms such as first and second are used not in a limiting sense but for the purpose of distinguishing one component from another component.

이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.In the following examples, singular terms include plural terms unless the context clearly dictates otherwise.

이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.In the following embodiments, terms such as include or have mean that the features or components described in the specification exist, and do not exclude in advance the possibility of adding one or more other features or components.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.In the following embodiments, when a part of a film, region, component, etc. is said to be on or on another part, it is not only the case where it is directly on top of the other part, but also when another film, region, component, etc. is interposed between them. Also includes cases where there are.

어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다. In cases where an embodiment can be implemented differently, a specific process sequence may be performed differently from the described sequence. For example, two processes described in succession may be performed substantially at the same time, or may be performed in an order opposite to that in which they are described.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다. In the following embodiments, when membranes, regions, components, etc. are connected, not only are the membranes, regions, and components directly connected, but also other membranes, regions, and components are interposed between the membranes, regions, and components. This includes cases where it is indirectly connected. For example, in this specification, when membranes, regions, components, etc. are said to be electrically connected, not only are the membranes, regions, components, etc. directly electrically connected, but also other membranes, regions, components, etc. are interposed between them. This also includes cases of indirect electrical connection.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다. 1 is a perspective view schematically showing a display device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 표시 장치(1)는 빛을 방출하는 표시영역(DA)과 빛을 방출하지 않는 비표시영역(NDA)을 포함한다. 표시 장치(1)는 표시영역(DA)에 배치된 복수의 화소들에서 방출되는 빛을 이용하여 소정의 이미지를 제공할 수 있다. Referring to FIG. 1, the display device 1 includes a display area (DA) that emits light and a non-display area (NDA) that does not emit light. The display device 1 may provide a predetermined image using light emitted from a plurality of pixels arranged in the display area DA.

표시 장치(1)는 표시영역(DA)에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸인 개구영역(OA)을 포함한다. 도 1은 개구영역(OA)이 표시영역(DA)에 의해 전체적으로 둘러싸인 것을 도시한다. 비표시영역(NDA)은 개구영역(OA)을 둘러싸는 제1비표시영역(NDA1), 및 표시영역(DA)의 외곽을 둘러싸는 제2비표시영역(NDA2)을 포함할 수 있다. 제1비표시영역(NDA1)은 개구영역(OA)을 전체적으로 둘러싸고, 표시영역(DA)은 제1비표시영역(NDA1)을 전체적으로 둘러싸며, 제2비표시영역(NDA2)은 표시영역(DA)을 전체적으로 둘러쌀 수 있다.The display device 1 includes an opening area OA at least partially surrounded by a display area DA. Figure 1 shows that the opening area OA is entirely surrounded by the display area DA. The non-display area NDA may include a first non-display area NDA1 surrounding the opening area OA, and a second non-display area NDA2 surrounding the outside of the display area DA. The first non-display area (NDA1) entirely surrounds the opening area (OA), the display area (DA) entirely surrounds the first non-display area (NDA1), and the second non-display area (NDA2) entirely surrounds the display area (DA). ) can be entirely surrounded.

이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)로서, 유기 발광 표시 장치를 예로 하여 설명하지만, 본 발명의 표시 장치는 이에 제한되지 않는다. 다른 실시예로서, 무기 EL 표시 장치(Inorganic Light Emitting Display), 퀀텀닷 발광 표시 장치(Quantum dot Light Emitting Display) 등과 같이 다양한 방식의 표시 장치가 사용될 수 있다.Hereinafter, the display device 1 according to an embodiment of the present invention will be described by taking an organic light emitting display device as an example, but the display device of the present invention is not limited thereto. As another example, various types of display devices, such as an inorganic light emitting display (EL) display device, a quantum dot light emitting display device, etc., may be used.

도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 단면도로서, 도 1의 II-II'선에 따른 단면에 대응할 수 있다.FIGS. 2A to 2C are briefly cross-sectional views of display devices according to embodiments of the present invention, and may correspond to the cross-section taken along line II-II' in FIG. 1 .

도 2a를 참조하면, 표시 장치(1)는 표시 패널(10), 및 표시 패널(10)의 개구영역(OA)과 대응하는 컴포넌트(20)를 포함할 수 있다. Referring to FIG. 2A , the display device 1 may include a display panel 10 and a component 20 corresponding to an opening area (OA) of the display panel 10 .

표시 패널(10)은 기판(100), 기판(100) 상에 배치되며 표시요소들을 포함하는 표시요소층(200), 표시요소층(200)을 커버하는 봉지부재로서 박막봉지층(300), 및 터치입력을 감지하는 입력감지층(400)을 포함할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 입력감지층(400) 상에는 편광자(polarizer)와 지연자(retarder) 또는 컬러필터와 블랙매트릭스를 포함하는 반사 방지부재, 및 투명한 윈도우와 같은 구성요소(들)이 더 배치될 수 있다.The display panel 10 includes a substrate 100, a display element layer 200 disposed on the substrate 100 and including display elements, a thin film encapsulation layer 300 as an encapsulation member covering the display element layer 200, and And it may include an input sensing layer 400 that senses a touch input. Although not shown, component(s) such as a polarizer and a retarder or an anti-reflection member including a color filter and a black matrix, and a transparent window may be further disposed on the input sensing layer 400. there is.

기판(100)은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 고분자 수지를 포함하는 기판(100)은 유리 재질의 기판에 비하여 가요성을 확보할 수 있다. 예컨대, 기판(100)은 투명한 고분자 수지를 포함할 수 있다. 기판(100)은 전술한 고분자 수지 외에 외부 이물질의 침투를 방지하는 배리어층으로서, 실리콘나이트라이드(SiNx) 및/또는 실리콘옥사이드(SiOx)와 같은 무기물을 포함하는 단일 또는 복수의 무기층을 더 포함할 수 있다. The substrate 100 may include polymer resin. The substrate 100 containing polymer resin can secure flexibility compared to a substrate made of glass. For example, the substrate 100 may include transparent polymer resin. The substrate 100 is a barrier layer that prevents penetration of external substances in addition to the polymer resin described above, and further includes a single or multiple inorganic layers containing inorganic substances such as silicon nitride (SiNx) and/or silicon oxide (SiOx). can do.

표시요소층(200)은 표시영역(DA)에 배치되는 표시요소, 예컨대 유기발광다이오드(organic light-emitting diode)를 포함할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 표시요소층(200)은 표시요소와 연결된 박막트랜지스터, 스토리지 커패시터(Cst) 및 배선들을 포함할 수 있다. The display element layer 200 may include a display element disposed in the display area DA, for example, an organic light-emitting diode. Although not shown, the display element layer 200 may include a thin film transistor, a storage capacitor (Cst), and wires connected to the display element.

박막봉지층(300)은 표시요소층(200)을 커버함으로써, 외부로부터 수분이나 오염물질이 표시요소층(200)으로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 박막봉지층(300)은 적어도 하나의 무기봉지층과 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있다. 박막봉지층(300)은 표시영역(DA)에서 표시요소들을 커버하되, 비표시영역으로 연장될 수 있다. 이와 관련하여, 도 2a는 박막봉지층(300)이 제1비표시영역(NDA1)까지 연장된 것을 도시한다. By covering the display element layer 200, the thin film encapsulation layer 300 can prevent moisture or contaminants from penetrating into the display element layer 200 from the outside. The thin film encapsulation layer 300 may include at least one inorganic encapsulation layer and at least one organic encapsulation layer. The thin film encapsulation layer 300 covers display elements in the display area DA, but may extend to the non-display area. In this regard, FIG. 2A shows that the thin film encapsulation layer 300 extends to the first non-display area NDA1.

입력감지층(400)은 표시영역(DA)에 배치될 수 있다. 입력감지층(400)은 외부의 입력, 예컨대 터치 이벤트에 따른 좌표정보를 획득할 수 있다. 입력감지층(400)은 감지전극(sensing electrode 또는 touch electrode) 및 감지전극과 연결된 신호라인(trace line)들을 포함할 수 있다.The input sensing layer 400 may be disposed in the display area (DA). The input sensing layer 400 can acquire coordinate information according to an external input, for example, a touch event. The input sensing layer 400 may include a sensing electrode (sensing electrode or touch electrode) and signal lines (trace lines) connected to the sensing electrode.

입력감지층(400)을 형성하는 공정은 후술할 평탄화층(610)을 형성하는 공정 이후에 연속적으로 이루어지거나, 박막봉지층(300)을 형성하는 공정 이후에 연속적으로 이루질 수 있다. 따라서, 입력감지층(400)과 박막봉지층(300) 사이에는 접착부재가 개재되지 않을 수 있다. The process of forming the input sensing layer 400 may be carried out continuously after the process of forming the planarization layer 610, which will be described later, or may be carried out continuously after the process of forming the thin film encapsulation layer 300. Accordingly, no adhesive member may be interposed between the input sensing layer 400 and the thin film encapsulation layer 300.

평탄화층(610)은 제1비표시영역(NDA1)에 배치된다. 평탄화층(610)은 유기절연물을 포함한다. 평탄화층(610)은 포토레지스트(예컨대, 네거티브 또는 포지티브 포토레지스트)를 포함하거나, 박막봉지층(300)의 유기봉지층과 동일한 물질을 포함하거나, 후술할 입력감지층의 절연층 중 하나와 동일한 물질을 포함하거나, 기타 다양한 종류의 유기절연물을 포함할 수 있다. The planarization layer 610 is disposed in the first non-display area NDA1. The planarization layer 610 includes an organic insulating material. The planarization layer 610 includes photoresist (e.g., negative or positive photoresist), includes the same material as the organic encapsulation layer of the thin film encapsulation layer 300, or is the same as one of the insulating layers of the input sensing layer to be described later. It may contain substances or various other types of organic insulating materials.

표시 패널(10)은 도 2a에 도시된 바와 같이 개구영역(OA)과 대응하며 표시 패널(10)을 관통하는 개구(10H)를 포함할 수 있다. 기판(100), 표시요소층(200) 박막봉지층(300), 입력감지층(400) 및 평탄화층(610)은 각각 개구영역(OA)과 대응하는 제1 내지 제5개구(100H, 200H, 300H, 400H, 610H)들을 포함할 수 있다. 제1개구(100H)는 기판(100)의 상면과 하면을 관통하고, 제2개구(200H)는 표시요소층(200)의 최하층부터 최상층까지 관통하며, 제3개구(300H)는 박막봉지층(300)을 관통하며, 제4개구(400H)는 입력감지층(400)의 최하층부터 최상층까지 관통하고, 제5개구(610H)는 평탄화층(610)의 상면과 하면을 관통하도록 형성될 수 있다.As shown in FIG. 2A , the display panel 10 may include an opening 10H that corresponds to the opening area OA and penetrates the display panel 10 . The substrate 100, the display element layer 200, the thin film encapsulation layer 300, the input sensing layer 400, and the planarization layer 610 each have first to fifth openings 100H and 200H corresponding to the opening area OA. , 300H, 400H, 610H). The first opening (100H) penetrates the upper and lower surfaces of the substrate 100, the second opening (200H) penetrates from the lowest to the uppermost layer of the display element layer 200, and the third opening (300H) penetrates the thin film encapsulation layer. 300, the fourth opening 400H can be formed to penetrate from the lowest to the top layer of the input sensing layer 400, and the fifth opening 610H can be formed to penetrate the upper and lower surfaces of the planarization layer 610. there is.

개구영역(OA)은 컴포넌트(20)가 배치되는 위치로서, 컴포넌트(20)는 도 2a에 도시된 바와 같이 개구영역(OA)과 대응하도록 표시 패널(10)의 아래에 배치되거나, 도 2b에 도시된 바와 같이 표시 패널(10)의 개구(10H)의 측면과 중첩하도록 개구(10H) 내에 배치될 수 있다. The opening area (OA) is a location where the component 20 is placed. The component 20 is placed below the display panel 10 to correspond to the opening area (OA) as shown in FIG. 2A, or as shown in FIG. 2B. As shown, it may be disposed within the opening 10H to overlap the side of the opening 10H of the display panel 10.

컴포넌트(20)는 전자요소를 포함할 수 있다. 예컨대, 컴포넌트(20)는 빛이나 음향을 이용하는 전자요소일 수 있다. 예컨대, 전자요소는 적외선 센서와 같이 빛을 수광하여 이용하는 센서, 빛을 수광하여 이미지를 촬상하는 카메라, 빛이나 음향을 출력하고 감지하여 거리를 측정하거나 지문 등을 인식하는 센서, 빛을 출력하는 소형 램프이거나, 소리를 출력하는 스피커 등을 포함할 수 있다. 빛을 이용하는 전자요소의 경우, 가시광, 적외선광, 자외선광 등과 같이 다양한 파장 대역의 빛을 이용할 수 있다. 일부 실시예에서, 개구영역(OA)은 컴포넌트(20)로부터 외부로 출력되거나 외부로부터 전자요소를 향해 진행하는 빛 또는/및 음향이 투과할 수 있는 투과영역(transmission area)으로 이해될 수 있다. Component 20 may include electronic elements. For example, the component 20 may be an electronic element that uses light or sound. For example, electronic elements include sensors that receive and use light such as infrared sensors, cameras that receive light and capture images, sensors that output and detect light or sound to measure distance or recognize fingerprints, etc., and small devices that output light. It may include a lamp or a speaker that outputs sound. In the case of electronic elements that use light, light of various wavelength bands such as visible light, infrared light, and ultraviolet light can be used. In some embodiments, the opening area OA may be understood as a transmission area through which light and/or sound output from the component 20 to the outside or traveling from the outside toward the electronic element can pass through.

다른 실시예로, 표시 패널(10)이 스마트 워치나 차량용 계기판으로 이용되는 경우, 컴포넌트(20)는 시계 바늘이나 소정의 정보(예, 차량 속도 등)를 지시하는 바늘 등을 포함하는 부재일 수 있다. 컴포넌트(20)는 도 2a 또는 도 2b에 도시된 바와 같이 표시 패널(10)의 개구(10H)와 대응하는 위치에 배치될 수 있는 구성요소로서, 전술한 바와 같이 표시 패널(10)의 기능과 관계된 구성요소(들)를 포함하거나, 표시 패널(10)의 심미감을 증가시키는 액세서리와 같은 구성요소 등을 포함할 수 있다. In another embodiment, when the display panel 10 is used as a smart watch or a vehicle instrument panel, the component 20 may be a member including a clock hand or a needle indicating certain information (e.g., vehicle speed, etc.). there is. The component 20 is a component that can be disposed at a position corresponding to the opening 10H of the display panel 10 as shown in FIG. 2A or 2B, and has the functions and functions of the display panel 10 as described above. It may include related component(s) or may include components such as accessories that increase the aesthetics of the display panel 10.

도 2a 및 도 2b에 도시된 것과 같이 기판(100)은 개구영역(OA)과 대응하는 제1개구(100H)를 구비할 수 있다. 또는, 도 2c에 도시된 바와 같이, 기판(100)은 제1개구(100H)를 포함하지 않을 수 있다. 컴포넌트(20)는 점선으로 도시된 바와 같이 표시 패널(10)의 아래에 배치되거나, 실선으로 도시된 바와 같이 표시 패널(10)의 개구(10H)의 내에 배치될 수 있다. 표시 패널(10)의 아래에 배치된 컴포넌트(20)는 광을 이용하는 전자요소일 수 있다. 이 경우 표시 패널(10)의 개구영역(OA)에서의 광 투과율은 약 50% 이상, 보다 바람직하게 70% 이상이거나, 75% 이상이거나 80% 이상이거나, 85% 이상이거나 90% 이상일 수 있다.As shown in FIGS. 2A and 2B, the substrate 100 may have a first opening 100H corresponding to the opening area OA. Alternatively, as shown in FIG. 2C, the substrate 100 may not include the first opening 100H. The component 20 may be placed below the display panel 10 as shown in a dotted line, or may be placed within the opening 10H of the display panel 10 as shown in a solid line. The component 20 disposed below the display panel 10 may be an electronic element that uses light. In this case, the light transmittance in the opening area (OA) of the display panel 10 may be about 50% or more, more preferably 70% or more, 75% or more, 80% or more, 85% or more, or 90% or more.

기판(100)은 도 2a 내지 도 2c를 참조하여 설명한 바와 같이 제1개구(100H)를 포함하거나 포함하지 않을 수 있다. 기판(100)이 제1개구(100H)를 포함하는 경우에는 컴포넌트(20)의 종류나 위치의 제한없이 다양하게 활용할 수 있으므로, 더 바람직할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제1개구(100H)를 갖는 기판(100)을 구비한 표시 패널에 대하여 설명하지만, 후술할 특징들은 도 2c에 도시된 표시 패널에도 적용될 수 있음은 물론이다. The substrate 100 may or may not include the first opening 100H, as described with reference to FIGS. 2A to 2C. If the substrate 100 includes the first opening 100H, it may be more preferable because the component 20 can be used in various ways without restrictions on the type or location. Hereinafter, for convenience of explanation, a display panel including the substrate 100 having the first opening 100H will be described. However, it goes without saying that the features described later can also be applied to the display panel shown in FIG. 2C.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 4는 표시 패널의 어느 한 화소를 개략적으로 나타낸 등가 회로도이다.FIG. 3 is a plan view schematically showing a display panel according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is an equivalent circuit diagram schematically showing one pixel of the display panel.

도 3을 참조하면, 표시 패널(10)은 표시영역(DA) 및 제1 및 제2비표시영역(NDA1, NDA2)를 포함한다. 도 3은 표시 패널(10) 중 기판(100)의 모습으로 이해될 수 있다. 예컨대, 기판(100)이 개구영역(OA), 표시영역(DA), 그리고 제1 및 제2비표시영역(NDA1, NDA2)를 갖는 것으로 이해될 수 있다.Referring to FIG. 3 , the display panel 10 includes a display area DA and first and second non-display areas NDA1 and NDA2. FIG. 3 may be understood as a view of the substrate 100 of the display panel 10. For example, the substrate 100 may be understood as having an opening area (OA), a display area (DA), and first and second non-display areas (NDA1 and NDA2).

표시 패널(10)은 표시영역(DA)에 배치된 복수의 화소(P)들을 포함한다. 화소(P)들은 각각 표시요소, 예컨대 유기발광다이오드를 포함할 수 있다. 각 화소(P)는 유기발광다이오드를 통해 예컨대, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다. The display panel 10 includes a plurality of pixels (P) arranged in the display area (DA). Each pixel P may include a display element, for example, an organic light emitting diode. Each pixel P may emit, for example, red, green, blue, or white light through an organic light emitting diode.

도 4를 참조하면, 각 화소(P)는 화소회로(PC), 및 화소회로(PC)에 연결된 유기발광다이오드(OLED)를 포함한다. 화소회로(PC)는 제1박막트랜지스터(T1), 제2박막트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, each pixel (P) includes a pixel circuit (PC) and an organic light emitting diode (OLED) connected to the pixel circuit (PC). The pixel circuit (PC) may include a first thin film transistor (T1), a second thin film transistor (T2), and a storage capacitor (Cst).

제2박막트랜지스터(T2)는 스위칭 박막트랜지스터로서, 스캔라인(SL) 및 데이터라인(DL)에 연결되며, 스캔라인(SL)으로부터 입력되는 스위칭 전압에 따라 데이터라인(DL)으로부터 입력된 데이터 전압을 제1박막트랜지스터(T1)로 전달한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2박막트랜지스터(T2)와 구동전압선(PL)에 연결되며, 제2박막트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 제1전원전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장한다.The second thin film transistor (T2) is a switching thin film transistor, connected to the scan line (SL) and the data line (DL), and the data voltage input from the data line (DL) according to the switching voltage input from the scan line (SL). is transmitted to the first thin film transistor (T1). The storage capacitor (Cst) is connected to the second thin film transistor (T2) and the driving voltage line (PL), and is connected to the voltage received from the second thin film transistor (T2) and the first power voltage (ELVDD) supplied to the driving voltage line (PL). Store the voltage corresponding to the difference.

제1박막트랜지스터(T1)는 구동 박막트랜지스터로서, 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)를 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 대향전극(예, 캐소드)는 제2전원전압(ELVSS)을 공급받을 수 있다. The first thin film transistor (T1) is a driving thin film transistor, which is connected to the driving voltage line (PL) and the storage capacitor (Cst), and emits an organic light emitting diode (OLED) from the driving voltage line (PL) in response to the voltage value stored in the storage capacitor (Cst). The driving current flowing through the OLED can be controlled. Organic light-emitting diodes (OLEDs) can emit light with a certain brightness by driving current. The opposing electrode (e.g., cathode) of the organic light emitting diode (OLED) may be supplied with the second power voltage (ELVSS).

도 4는 화소회로(PC)가 2개의 박막트랜지스터와 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 것을 설명하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 박막트랜지스터의 개수 및 스토리지 커패시터의 개수는 화소회로(PC)의 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있음은 물론이다.Figure 4 illustrates that the pixel circuit (PC) includes two thin film transistors and one storage capacitor, but the present invention is not limited thereto. Of course, the number of thin film transistors and the number of storage capacitors can vary depending on the design of the pixel circuit (PC).

다시 도 3을 참조하면, 제1비표시영역(NDA1)은 개구영역(OA)을 둘러쌀 수 있다. 제1비표시영역(NDA1)은 빛을 방출하는 유기발광다이오드와 같은 표시요소가 배치되지 않은 영역으로, 제1비표시영역(NDA1)에는 개구영역(OA) 주변에 구비된 화소(P)들에 신호를 제공하는 신호라인들과 같은 배선들이 지나가거나 후술할 그루브가 배치될 수 있다. 제2비표시영역(NDA2)에는 각 화소(P)에 스캔신호를 제공하는 스캔 드라이버(1100), 각 화소(P)에 데이터신호를 제공하는 데이터 드라이버(1200), 및 제1 및 제2전원전압을 제공하기 위한 메인 전원배선(미도시) 등이 배치될 수 있다. 또는, 데이터 드라이버(1200)는 표시 패널(10)의 일측에 구비된 패드에 접속하는 FPCB(flexible Printed circuit board) 상에 배치될 수 있다.Referring again to FIG. 3, the first non-display area NDA1 may surround the opening area OA. The first non-display area (NDA1) is an area where display elements such as organic light-emitting diodes that emit light are not disposed. The first non-display area (NDA1) includes pixels (P) provided around the opening area (OA). Wires such as signal lines that provide signals may pass through or grooves, which will be described later, may be placed. The second non-display area NDA2 includes a scan driver 1100 that provides a scan signal to each pixel (P), a data driver 1200 that provides a data signal to each pixel (P), and first and second power supplies. Main power wiring (not shown) to provide voltage may be disposed. Alternatively, the data driver 1200 may be placed on a flexible printed circuit board (FPCB) connected to a pad provided on one side of the display panel 10.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 평면도로서, 제1비표시영역에 위치하는 배선들(예, 신호라인들)을 나타낸다.Figure 5 is a plan view showing a portion of a display panel according to an embodiment of the present invention, showing wires (eg, signal lines) located in the first non-display area.

도 5를 참조하면, 개구영역(OA)을 중심으로 화소(P)들이 표시영역(DA)에 배치되며, 개구영역(OA)과 표시영역(DA) 사이에는 제1비표시영역(NDA1)이 위치할 수 있다. Referring to FIG. 5, pixels P are arranged in the display area DA with the opening area OA as the center, and a first non-display area NDA1 is between the opening area OA and the display area DA. can be located

화소(P)들은 개구영역(OA)을 중심으로 상호 이격되어 배치될 수 있다. 화소(P)들은 개구영역(OA)을 중심으로 위와 아래에 이격되거나, 개구영역(OA)을 중심으로 좌우로 이격될 수 있다. The pixels P may be arranged to be spaced apart from each other around the opening area OA. The pixels P may be spaced above and below the aperture area OA, or may be spaced left and right around the aperture area OA.

화소(P)들에 신호를 공급하는 신호라인들 중 개구영역(OA)과 인접한 신호라인들은 개구영역(OA)을 우회할 수 있다. 표시영역(DA)을 지나는 데이터라인들 중 일부 데이터라인(DL)은, 개구영역(OA)을 사이에 두고 위와 아래에 배치된 화소(P)들에 데이터신호를 제공하도록 y방향으로 연장되되, 제1비표시영역(NDA1)에서 개구영역(OA)의 가장자리를 따라 우회할 수 있다. 표시영역(DA)을 지나는 스캔라인들 중 일부 스캔라인(SL)은, 개구영역(OA)을 사이에 두고 좌우에 배치된 화소(P)들에 스캔신호를 제공하도록 x방향으로 연장되되, 제1비표시영역(NDA1)에서 개구영역(OA)의 가장자리를 따라 우회할 수 있다.Among the signal lines that supply signals to the pixels (P), signal lines adjacent to the opening area (OA) may bypass the opening area (OA). Some of the data lines (DL) among the data lines passing through the display area (DA) extend in the y direction to provide data signals to the pixels (P) arranged above and below with the opening area (OA) in between, It is possible to detour along the edge of the opening area (OA) in the first non-display area (NDA1). Among the scan lines passing through the display area DA, some scan lines SL extend in the x-direction to provide scan signals to the pixels P arranged on the left and right with the opening area OA in between. 1You can detour along the edge of the opening area (OA) in the non-display area (NDA1).

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 평면도로서, 제1비표시영역에 위치하는 그루브를 나타낸다.Figure 6 is a plan view showing a portion of a display panel according to an embodiment of the present invention, showing a groove located in the first non-display area.

개구영역(OA)과 표시영역(DA) 사이에는 그루브가 위치한다. 이와 관련하여, 도 6에서는 개구영역(OA)과 표시영역(DA) 사이에 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)가 위치한 것을 도시한다. 다른 실시예로서, 제1비표시영역(NDA1)에는 2개의 그루브가 위치하거나, 4개 이상의 그루브들이 배치될 수 있다. A groove is located between the opening area (OA) and the display area (DA). In relation to this, FIG. 6 shows that the first to third grooves G1, G2, and G3 are located between the opening area OA and the display area DA. As another example, two grooves or four or more grooves may be located in the first non-display area NDA1.

제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 제1비표시영역(NDA1)에서 개구영역(OA)을 전체적으로 둘러싸는 고리 형상일 수 있다. 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3) 각각의 직경은 개구영역(OA)의 직경보다는 크게 형성될 수 있으며, 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 상호 이격된다. 예컨대, 제1그루브(G1)의 직경은 제2그루브(G2)의 직경보다 크고, 제2그루브(G2)의 직경은 제3그루브(G3)의 직경보다 클 수 있다.The first to third grooves G1, G2, and G3 may have a ring shape that entirely surrounds the opening area OA in the first non-display area NDA1. The diameter of each of the first to third grooves G1, G2, and G3 may be larger than the diameter of the opening area OA, and the first to third grooves G1, G2, and G3 are spaced apart from each other. For example, the diameter of the first groove (G1) may be larger than the diameter of the second groove (G2), and the diameter of the second groove (G2) may be larger than the diameter of the third groove (G3).

도 6에 도시된 바와 같이 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3) 중 적어도 두 개의 그루브의 폭은 서로 다를 수 있다. 또는, 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3) 중 적어도 두 개의 그루브의 돌출 팁 사이의 폭은 서로 동일할 수 있는 것과 같이 다양하게 변경될 수 있다.As shown in FIG. 6, the widths of at least two of the first to third grooves G1, G2, and G3 may be different from each other. Alternatively, the widths between the protruding tips of at least two of the first to third grooves G1, G2, and G3 may be changed in various ways, such as being the same.

도 5와 도 6을 참조하면, 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 개구영역(OA)의 가장자리를 우회하는 신호라인들, 예컨대 데이터선들이나 스캔선들의 우회영역 보다 개구영역(OA)에 더 인접하게 위치할 수 있다.Referring to Figures 5 and 6, the first to third grooves G1, G2, and G3 are formed in an opening area (G1, G2, G3) rather than a bypass area of signal lines, such as data lines or scan lines, that bypass the edges of the opening area (OA). It may be located closer to OA).

도 7은 본 발명의 일 실시예에 다른 입력감지층을 발췌하여 개략적으로 나타낸 평면도이다. 설명의 편의를 위하여 도 7은 입력감지층의 일부, 즉 도 3에서 설명한 표시영역(DA)에 놓이는 입력감지층의 일부를 도시한다. Figure 7 is a plan view schematically showing an excerpt of another input sensing layer according to an embodiment of the present invention. For convenience of explanation, FIG. 7 shows a part of the input sensing layer, that is, a part of the input sensing layer placed in the display area DA described in FIG. 3.

도 7을 참조하면, 입력감지층(400)은 표시영역(DA)에 위치하는 제1감지전극(SP1) 및 제2감지전극(SP2)을 포함한다. 제1감지전극(SP1)들은 x방향을 따라 배열되고, 제2감지전극(SP2)들은 제1감지전극(SP1)들과 교차하는 y방향을 따라 배열된다. 제1감지전극(SP1)들 및 제2감지전극(SP2)들은 수직으로 교차할 수 있다.Referring to FIG. 7, the input sensing layer 400 includes a first sensing electrode (SP1) and a second sensing electrode (SP2) located in the display area (DA). The first sensing electrodes (SP1) are arranged along the x-direction, and the second sensing electrodes (SP2) are arranged along the y-direction that intersects the first sensing electrodes (SP1). The first sensing electrodes (SP1) and the second sensing electrodes (SP2) may cross each other vertically.

제1감지전극(SP)들 및 제2감지전극(SP2)들은 서로 코너가 인접하게 배치될 수 있다. 제1감지전극(SP1)들은 제1연결전극(CP1)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있으며, 제2감지전극(SP2)들은 제2연결전극(CP2)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.The first sensing electrodes (SP) and the second sensing electrodes (SP2) may be arranged at corners adjacent to each other. The first sensing electrodes SP1 may be electrically connected to each other through the first connection electrode CP1, and the second sensing electrodes SP2 may be electrically connected to each other through the second connection electrode CP2.

도 8a 및 도 8b는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층 중 제1도전층 및 제2도전층을 나타낸 평면도이며, 도 8c는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층을 나타낸 단면도로서, 도 7의 VII- VII'선에 따른 단면에 대응할 수 있다.FIGS. 8A and 8B are plan views showing a first conductive layer and a second conductive layer among the input sensing layers according to an embodiment of the present invention, respectively, and FIG. 8C is a cross-sectional view showing the input sensing layer according to an embodiment of the present invention. As, it can correspond to the cross section along line VII-VII' in FIG. 7.

도 8a 및 도 8b를 참조하면, 제1감지전극(SP1) 및 제2감지전극(SP2)은 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 제1도전층(410)은 제1연결전극(CP1)을 포함(도 8a 참조)하고, 제2도전층(420)은 제1감지전극(SP1), 제2감지전극(SP2), 및 제2연결전극(CP2)을 포함(도 8b참조)할 수 있다.Referring to FIGS. 8A and 8B , the first sensing electrode SP1 and the second sensing electrode SP2 may be disposed on the same layer. The first conductive layer 410 includes a first connection electrode (CP1) (see FIG. 8A), and the second conductive layer 420 includes a first sensing electrode (SP1), a second sensing electrode (SP2), and a first sensing electrode (SP2). It may include two connection electrodes (CP2) (see Figure 8b).

제2감지전극(SP2)들은 동일 층에 배치된 제2연결전극(CP2)에 의해서 연결될 수 있다. 제1감지전극(SP1)들은 x방향을 따라 배열되되, 다른 층에 배치된 제1연결전극(CP1)에 의해 연결될 수 있다.The second sensing electrodes (SP2) may be connected by a second connection electrode (CP2) disposed on the same layer. The first sensing electrodes (SP1) are arranged along the x-direction and may be connected by a first connection electrode (CP1) disposed on a different layer.

도 8c를 참조하면, 제1도전층(410)과 제2도전층(420) 사이에는 제2절연층(403)이 개재된다. 제2도전층(420)에 배치된 제1감지전극(SP1)들은 제2절연층(403)의 콘택홀(CNT)을 통해 제1도전층(410)에 배치된 제1연결전극(CP1)과 접속될 수 있다. 제2도전층(420)은 제3절연층(405)으로 커버될 수 있으며, 제1도전층(410) 아래에는 제1절연층(401)이 배치될 수 있다. 제1 및 제2절연층(401, 403)은 실리콘나이트라이드와 같은 무기절연층일 수 있고, 제3절연층(405)은 유기절연층일 수 있다 도 8c에는 박막봉지층(300)과 제1도전층(410) 사이에 제1절연층(401)이 개재된 것을 도시하나, 다른 실시예로서 제1절연층(401)은 생략되고 제1도전층(410)은 박막봉지층(300)의 바로 위에 위치할 수 있다. 다른 실시예로서, 제1 및 제2절연층(401, 403)은 유기절연층일 수 있다.Referring to FIG. 8C, a second insulating layer 403 is interposed between the first conductive layer 410 and the second conductive layer 420. The first sensing electrode (SP1) disposed on the second conductive layer 420 is connected to the first connection electrode (CP1) disposed on the first conductive layer 410 through the contact hole (CNT) of the second insulating layer 403. can be connected to. The second conductive layer 420 may be covered with a third insulating layer 405, and a first insulating layer 401 may be disposed under the first conductive layer 410. The first and second insulating layers 401 and 403 may be inorganic insulating layers such as silicon nitride, and the third insulating layer 405 may be an organic insulating layer. In Figure 8c, the thin film encapsulation layer 300 and the first conductive layer are shown. It is shown that the first insulating layer 401 is interposed between the layers 410, but in another embodiment, the first insulating layer 401 is omitted and the first conductive layer 410 is placed directly on the thin film encapsulation layer 300. It can be located above. As another example, the first and second insulating layers 401 and 403 may be organic insulating layers.

도 9a 및 도 9b는 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력감지층 중 제1도전층 및 제2도전층을 나타낸 평면도이며, 도 9c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력감지층을 나타낸 단면도로서, 도 7의 VII- VII'선에 따른 단면에 대응할 수 있다.Figures 9a and 9b are plan views showing the first conductive layer and the second conductive layer among the input sensing layers according to another embodiment of the present invention, respectively, and Figure 9c is a cross-sectional view showing the input sensing layer according to another embodiment of the present invention. As, it can correspond to the cross section along line VII-VII' in FIG. 7.

도 9a 및 도 9b를 참조하면, 제1도전층(410)은 제1감지전극(SP1)들 및 이들을 연결하는 제1연결전극(CP1)을 포함하고, 제2도전층(420)은 제2감지전극(SP2)들 및 이들을 연결하는 제2연결전극(CP2)을 포함한다. 제1도전층(410)은 제2감지전극(SP2)과 접속되는 제2보조감지전극(S―SP2)을 더 포함할 수 있으며, 제2도전층(420)은 제1감지전극(SP1)과 접속되는 제1 보조감지전극(S―SP1)을 더 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 9A and 9B, the first conductive layer 410 includes first sensing electrodes SP1 and a first connection electrode CP1 connecting them, and the second conductive layer 420 includes the second sensing electrodes SP1. It includes sensing electrodes (SP2) and a second connection electrode (CP2) connecting them. The first conductive layer 410 may further include a second auxiliary sensing electrode (S-SP2) connected to the second sensing electrode (SP2), and the second conductive layer 420 is connected to the first sensing electrode (SP1). It may further include a first auxiliary sensing electrode (S-SP1) connected to.

도 9a의 확대도를 참조하면, 각각의 제1감지전극(SP1)은 복수의 홀(H)을 포함할 수 있다. 홀(H)은 화소의 발광영역(P-E)과 중첩하도록 배치된다. 도시되지는 않았으나, 제2감지전극(SP2), 제1보조감지전극(S―SP1) 및 제2보조감지전극(S―SP2)도 도 9a의 확대도와 같이 화소의 발광영역(P-E)과 대응하는 복수의 홀들을 포함할 수 있다. Referring to the enlarged view of FIG. 9A, each first sensing electrode SP1 may include a plurality of holes H. The hole (H) is arranged to overlap the light emitting area (P-E) of the pixel. Although not shown, the second sensing electrode (SP2), the first auxiliary sensing electrode (S-SP1), and the second auxiliary sensing electrode (S-SP2) also correspond to the light emitting area (P-E) of the pixel as shown in the enlarged view of FIG. 9A. It may include a plurality of holes.

도 9c를 참조하면, 제1보조감지전극(S―SP1)은 제2절연층(403)의 콘택홀(CNT)을 통해 제1감지전극(SP1)에 접속될 수 있으며, 이와 같은 구조를 통해 제1감지전극(SP1)의 저항을 감소시킬 수 있다. 마찬가지로, 제2감지전극(SP2)은 제2절연층(403)의 콘택홀을 통해 제2보조감지전극(S―SP2)에 접속될 수 있다. 제1 및 제2절연층(401, 403)은 무기절연층일 수 있고, 제1 및 제2도전층(410, 420)은 알루미늄이나 티타늄과 같은 금속을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있으며, 제3절연층(405)은 유기절연물을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 9C, the first auxiliary sensing electrode (S-SP1) can be connected to the first sensing electrode (SP1) through the contact hole (CNT) of the second insulating layer 403, and through this structure, The resistance of the first sensing electrode (SP1) can be reduced. Likewise, the second sensing electrode (SP2) can be connected to the second auxiliary sensing electrode (S-SP2) through a contact hole in the second insulating layer (403). The first and second insulating layers 401 and 403 may be inorganic insulating layers, the first and second conductive layers 410 and 420 may be a single layer or a multilayer containing a metal such as aluminum or titanium, and the third conductive layer may be a single or multilayer layer containing a metal such as aluminum or titanium. The insulating layer 405 may include an organic insulating material.

도 10a 및 도 10b는 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력감지층 중 제1도전층 및 제2도전층을 나타낸 평면도이며, 도 10c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력감지층을 나타낸 단면도로서, 도 7의 VII- VII'선에 따른 단면에 대응할 수 있다.Figures 10a and 10b are plan views showing the first conductive layer and the second conductive layer among the input sensing layers according to another embodiment of the present invention, respectively, and Figure 10c is a cross-sectional view showing the input sensing layer according to another embodiment of the present invention. As, it can correspond to the cross section along line VII-VII' in FIG. 7.

도 10a 및 도 10b를 참조하면, 제1도전층(410)은 제1감지전극(SP1)들 및 이들을 연결하는 제1연결전극(CP1)을 포함하고, 제2도전층(420)은 제2감지전극(SP2)들 및 이들을 연결하는 제2연결전극(CP2)을 포함한다.Referring to FIGS. 10A and 10B, the first conductive layer 410 includes first sensing electrodes SP1 and a first connection electrode CP1 connecting them, and the second conductive layer 420 includes the second sensing electrodes SP1. It includes sensing electrodes (SP2) and a second connection electrode (CP2) connecting them.

도 10c를 참조하면, 제1도전층(410)과 제2도전층(420) 사이에는 제2절연층(403')이 배치될 수 있다. 제2절연층(403')은 별도의 콘택홀을 구비하지 않으며, 제1 및 제2감지전극(SP1, SP2)는 제2절연층(403')을 사이에 두고 전기적으로 절연될 수 있다. 제2도전층(420)은 제3절연층(405')으로 커버될 수 있다. 제2절연층(403')은 유기절연층일 수 있다. 또 다른 실시예로, 제2절연층(403')은 무기절연층을 포함하거나 유기 및 무기 절연층들을 모두 포함할 수 있다. 및 제2절연층(403')은 유기절연층이거나, 무기절연층이거나, 유기 및 무기절연층들을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 10C, a second insulating layer 403' may be disposed between the first conductive layer 410 and the second conductive layer 420. The second insulating layer 403' does not have a separate contact hole, and the first and second sensing electrodes SP1 and SP2 may be electrically insulated with the second insulating layer 403' therebetween. The second conductive layer 420 may be covered with a third insulating layer 405'. The second insulating layer 403' may be an organic insulating layer. In another embodiment, the second insulating layer 403' may include an inorganic insulating layer or both organic and inorganic insulating layers. And the second insulating layer 403' may be an organic insulating layer, an inorganic insulating layer, or may include organic and inorganic insulating layers.

도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 나타낸 단면도로서, 도 6의 XI- XI'선에 따른 단면에 해당하고, 도 12은 도 11의 유기발광다이오드를 확대한 단면도이다. 도 11은 개구영역(OA)과 그 주변의 제1비표시영역(NDA1) 및 표시영역(DA)을 도시하며, 기판(100)은 개구영역(OA)과 대응하는 제1개구(100H)를 포함할 수 있다. 이하에서, 개구영역(OA)이라고 함은 표시 패널의 개구(10H)를 지칭하거나 기판(100)의 제1개구(100H)를 지칭하는 것으로 이해할 수 있다.FIG. 11 is a cross-sectional view showing a display panel according to an embodiment of the present invention, corresponding to a cross-section taken along line XI-XI' of FIG. 6, and FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view of the organic light emitting diode of FIG. 11. 11 shows the opening area (OA) and the first non-display area (NDA1) and display area (DA) surrounding it, and the substrate 100 has a first opening (100H) corresponding to the opening area (OA). It can be included. Hereinafter, the opening area OA may be understood to refer to the opening 10H of the display panel or the first opening 100H of the substrate 100.

먼저, 도 11의 표시영역(DA)을 살펴본다.First, look at the display area DA in FIG. 11.

기판(100)은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 기판(100)은 고분자 수지를 포함하는 베이스층, 및 무기층을 포함할 수 있다. 예컨대, 기판(100)은 순차적으로 적층된, 제1베이스층(101), 제1무기층(102), 제2베이스층(103), 및 제2무기층(104)을 포함할 수 있다.The substrate 100 may include polymer resin. The substrate 100 may include a base layer containing a polymer resin and an inorganic layer. For example, the substrate 100 may include a first base layer 101, a first inorganic layer 102, a second base layer 103, and a second inorganic layer 104, which are sequentially stacked.

제1 및 제2베이스층(101, 103)은 각각 고분자 수지를 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2베이스층(101, 103)은 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenene napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 등과 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 고분자 수지는 투명할 수 있다.The first and second base layers 101 and 103 may each include a polymer resin. For example, the first and second base layers 101 and 103 are made of polyethersulphone (PES), polyacrylate (PAR), polyetherimide (PEI), and polyethylene naphthalate (PEN). napthalate), polyethyeleneterepthalate (PET), polyphenylene sulfide (PPS), polyallylate, polyimide (PI), polycarbonate (PC), cellulose triacetate (TAC) , and may include polymer resins such as cellulose acetate propionate (CAP). The polymer resin may be transparent.

제1 및 제2무기층(102, 104)은 각각, 외부 이물질의 침투를 방지하는 배리어층으로서, 실리콘나이트라이드(SiNx) 및/또는 실리콘옥사이드(SiOx)와 같은 무기물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.The first and second inorganic layers 102 and 104 are barrier layers that prevent penetration of external substances, respectively, and may be a single layer or a multilayer containing inorganic materials such as silicon nitride (SiNx) and/or silicon oxide (SiOx). You can.

기판(100) 상에는 불순물이 박막트랜지스터의 반도체층으로 침투하는 것을 방지하기 위해 형성된 버퍼층(201)이 배치될 수 있다. 버퍼층(201)은 실리콘 나이트라이드 또는 실리콘옥사이드와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층일 수 있다. 일부 실시예에서, 기판(100)의 제2무기층(104)은 다층인 버퍼층(201) 의 일부로 이해될 수 있다.A buffer layer 201 formed to prevent impurities from penetrating into the semiconductor layer of the thin film transistor may be disposed on the substrate 100. The buffer layer 201 may include an inorganic insulating material such as silicon nitride or silicon oxide, and may be a single layer or a multilayer. In some embodiments, the second inorganic layer 104 of the substrate 100 may be understood as a part of the multilayer buffer layer 201.

버퍼층(201) 상에는 박막트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cst) 등을 포함하는 화소회로(PC)가 배치될 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(Act), 게이트전극(GE), 소스전극(SE), 드레인전극(DE)을 포함할 수 있다. 도 11에 도시된 박막트랜지스터(TFT)는 도 4를 참조하여 설명한 구동박막트랜지스터에 대응할 수 있다. 본 실시예에서는 게이트전극(GE)이 게이트절연층(203)을 가운데 두고 반도체층(Act) 상에 배치된 탑 게이트 타입을 도시하였으나, 또 다른 실시예에 따르면 박막트랜지스터(TFT)는 바텀 게이트 타입일 수 있다. A pixel circuit (PC) including a thin film transistor (TFT) and a storage capacitor (Cst) may be disposed on the buffer layer 201. A thin film transistor (TFT) may include a semiconductor layer (Act), a gate electrode (GE), a source electrode (SE), and a drain electrode (DE). The thin film transistor (TFT) shown in FIG. 11 may correspond to the driving thin film transistor described with reference to FIG. 4. In this embodiment, a top gate type is shown in which the gate electrode (GE) is disposed on the semiconductor layer (Act) with the gate insulating layer 203 in the center. However, according to another embodiment, the thin film transistor (TFT) is a bottom gate type. It can be.

반도체층(Act)은 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 또는, 반도체층(Act)은 아모퍼스 실리콘을 포함하거나, 산화물 반도체를 포함하거나, 유기 반도체 등을 포함할 수 있다. 게이트전극(GE)은 저저항 금속 물질을 포함할 수 있다. 게이트전극(GE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.The semiconductor layer (Act) may include polysilicon. Alternatively, the semiconductor layer (Act) may include amorphous silicon, an oxide semiconductor, an organic semiconductor, etc. The gate electrode (GE) may include a low-resistance metal material. The gate electrode (GE) may contain a conductive material containing molybdenum (Mo), aluminum (Al), copper (Cu), titanium (Ti), etc., and may be formed as a multilayer or single layer containing the above materials. there is.

반도체층(Act)과 게이트전극(GE) 사이에는 게이트절연층(203)이 개재되며, 게이트절연층(203)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 게이트절연층(203)은 전술한 물질을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.A gate insulating layer 203 is interposed between the semiconductor layer (Act) and the gate electrode (GE), and the gate insulating layer 203 is made of silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, aluminum oxide, titanium oxide, and tantalum oxide. , and may include inorganic insulators such as hafnium oxide. The gate insulating layer 203 may be a single layer or a multilayer containing the above-described materials.

소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 전도성이 좋은 재료를 포함할 수 있다. 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 Ti/Al/Ti의 다층으로 형성될 수 있다.The source electrode (SE) and drain electrode (DE) may include a material with good conductivity. The source electrode (SE) and drain electrode (DE) may contain a conductive material containing molybdenum (Mo), aluminum (Al), copper (Cu), titanium (Ti), etc., and may be a multilayer containing the above materials. Alternatively, it may be formed as a single layer. In one embodiment, the source electrode (SE) and drain electrode (DE) may be formed of a multilayer of Ti/Al/Ti.

스토리지 커패시터(Cst)는 제1층간절연층(205)을 사이에 두고 중첩하는 하부 전극(CE1)과 상부 전극(CE2)을 포함한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩될 수 있다. 이와 관련하여, 도 11은 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(GE)이 스토리지 커패시터(Cst)의 하부 전극(CE1)인 것을 도시하고 있다. 다른 실시예로서, 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩하지 않을 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2층간절연층(207)으로 커버될 수 있다. The storage capacitor Cst includes a lower electrode CE1 and an upper electrode CE2 that overlap with the first interlayer insulating layer 205 therebetween. The storage capacitor (Cst) may overlap with the thin film transistor (TFT). In this regard, FIG. 11 shows that the gate electrode (GE) of the thin film transistor (TFT) is the lower electrode (CE1) of the storage capacitor (Cst). As another example, the storage capacitor (Cst) may not overlap the thin film transistor (TFT). The storage capacitor Cst may be covered with the second interlayer insulating layer 207.

제1 및 제2층간절연층(205, 207)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제1 및 제2층간절연층(205, 207)은 전술한 물질을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.The first and second interlayer insulating layers 205 and 207 may include an inorganic insulating material such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxy nitride, aluminum oxide, titanium oxide, tantalum oxide, and hafnium oxide. The first and second interlayer insulating layers 205 and 207 may be a single layer or a multilayer containing the above-described materials.

박막트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함하는 화소회로(PC)는 유기절연층(209)으로 커버된다. 유기절연층(209)은 평탄화 절연층일 수 있다. 유기절연층(209)는 Polymethylmethacrylate(PMMA)나 Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등과 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 유기절연층(209)은 폴리이미드를 포함할 수 있다.The pixel circuit (PC) including a thin film transistor (TFT) and a storage capacitor (Cst) is covered with an organic insulating layer 209. The organic insulating layer 209 may be a planarization insulating layer. The organic insulating layer 209 is made of general-purpose polymers such as polymethylmethacrylate (PMMA) or polystylene (PS), polymer derivatives with phenolic groups, acrylic polymers, imide polymers, aryl ether polymers, amide polymers, fluorine polymers, p -May include organic insulators such as xylene-based polymers, vinyl alcohol-based polymers, and blends thereof. In one embodiment, the organic insulating layer 209 may include polyimide.

유기절연층(209) 상에는 유기발광다이오드(OLED)가 배치된다. 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극(221)은 유기절연층(209) 상에 배치되며 유기절연층(209)의 콘택홀을 통해 화소회로(PC)와 연결될 수 있다. An organic light emitting diode (OLED) is disposed on the organic insulating layer 209. The pixel electrode 221 of the organic light emitting diode (OLED) is disposed on the organic insulating layer 209 and can be connected to the pixel circuit (PC) through a contact hole in the organic insulating layer 209.

화소전극(221)은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminium zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 화소전극(221)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예로, 화소전극(221)은 전술한 반사막의 위/아래에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막을 더 포함할 수 있다.The pixel electrode 221 is made of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium oxide (In 2 O 3 ), and indium. It may contain a conductive oxide such as gallium oxide (IGO; indium gallium oxide) or aluminum zinc oxide (AZO). In another embodiment, the pixel electrode 221 is made of silver (Ag), magnesium (Mg), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), gold (Au), nickel (Ni), and neodymium (Nd). , it may include a reflective film containing iridium (Ir), chromium (Cr), or a compound thereof. In another embodiment, the pixel electrode 221 may further include a film formed of ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 above and below the above-described reflective film.

화소정의막(211)은 화소전극(221)의 상면을 노출하는 개구를 포함하되, 화소전극(221)의 가장자리를 커버한다. 화소정의막(211)은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 또는 화소정의막(211)은 무기 절연물을 포함하거나, 유기 및 무기절연물을 포함할 수 있다. The pixel definition film 211 includes an opening that exposes the top surface of the pixel electrode 221 and covers the edges of the pixel electrode 221. The pixel defining layer 211 may include an organic insulating material. Alternatively, the pixel defining layer 211 may include an inorganic insulating material, or may include an organic or inorganic insulating material.

중간층(222)은 발광층을 포함한다. 발광층은 소정의 색상의 빛을 방출하는 고분자 또는 저분자 유기물을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 중간층(222)은 도 12에 도시된 바와 같이 발광층(222b)의 아래에 배치된 제1기능층(222a) 및/또는 발광층(222b)의 위에 배치된 제2기능층(222c)을 포함할 수 있다. The middle layer 222 includes a light emitting layer. The light-emitting layer may include a polymer or low-molecular organic material that emits light of a predetermined color. In one embodiment, the intermediate layer 222 includes a first functional layer 222a disposed below the light-emitting layer 222b and/or a second functional layer 222c disposed above the light-emitting layer 222b, as shown in FIG. 12. ) may include.

제1기능층(222a)은 단층 또는 다층일 수 있다. 예컨대 제1기능층(222a)이 고분자 물질로 형성되는 경우, 제1기능층(222a)은 단층구조인 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)으로서, 폴리에틸렌 디히드록시티오펜(PEDOT: poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나 폴리아닐린(PANI: polyaniline)으로 형성할 수 있다. 제1기능층(222a)이 저분자 물질로 형성되는 경우, 제1기능층(222a)은 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)과 홀 수송층(HTL)을 포함할 수 있다.The first functional layer 222a may be a single layer or a multilayer. For example, when the first functional layer 222a is formed of a polymer material, the first functional layer 222a is a single-layer hole transport layer (HTL), and is polyethylene dihydroxythiophene (PEDOT: poly-( 3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene) or polyaniline (PANI: polyaniline). When the first functional layer 222a is formed of a low molecule material, the first functional layer 222a may include a hole injection layer (HIL) and a hole transport layer (HTL).

제2기능층(222c)은 언제나 구비되는 것은 아니다. 예컨대, 제1기능층(222a)과 발광층(222b)을 고분자 물질로 형성하는 경우, 유기발광다이오드(OLED)의 특성이 우수해지도록 하기 위해, 제2기능층(222c)을 형성하는 것이 바람직하다. 제2기능층(222c)은 단층 또는 다층일 수 있다. 제2기능층(222c)은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다.The second functional layer 222c is not always provided. For example, when the first functional layer 222a and the light-emitting layer 222b are formed of a polymer material, it is preferable to form the second functional layer 222c in order to improve the characteristics of the organic light-emitting diode (OLED). . The second functional layer 222c may be a single layer or a multilayer. The second functional layer 222c may include an electron transport layer (ETL) and/or an electron injection layer (EIL).

중간층(222)을 이루는 복수의 층들 중 일부, 예컨대 기능층(들)은 표시영역(DA)뿐만 아니라 제1비표시영역(NDA1)에도 배치될 수 있으며, 제1비표시영역(NDA1)에서 후술할 제1 및 제2그루브(G1, G2)에 의해 단절된다.Some of the plurality of layers forming the middle layer 222, for example, functional layer(s), may be disposed not only in the display area DA but also in the first non-display area NDA1, which will be described later in the first non-display area NDA1. It is cut off by the first and second grooves G1 and G2.

대향전극(223)은 중간층(222)을 사이에 두고 화소전극(221)과 마주보도록 배치된다. 대향전극(223)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 대향전극(223)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(223)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다.The counter electrode 223 is arranged to face the pixel electrode 221 with the intermediate layer 222 interposed therebetween. The counter electrode 223 may be made of a conductive material with a low work function. For example, the counter electrode 223 is made of silver (Ag), magnesium (Mg), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), gold (Au), nickel (Ni), neodymium (Nd), and iridium ( It may include a (semi) transparent layer containing Ir), chromium (Cr), lithium (Li), calcium (Ca), or alloys thereof. Alternatively, the counter electrode 223 may further include a layer such as ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 on the (semi) transparent layer containing the above-mentioned material.

유기발광다이오드(OLED)는 박막봉지층(300)으로 커버되며, 외부의 이물이나 수분(moisture) 등으로부터 보호될 수 있다. 박막봉지층(300)은 적어도 하나의 유기봉지층 및 적어도 하나의 무기봉지층을 포함할 수 있다. 도 11은 박막봉지층(300)이 제1 및 제2무기봉지층(310, 330) 및 이들 사이에 개재된 유기봉지층(320)을 포함하는 것을 도시한다. 다른 실시예에서 유기봉지층의 개수와 무기봉지층의 개수 및 적층 순서는 변경될 수 있다. The organic light emitting diode (OLED) is covered with a thin film encapsulation layer 300 and can be protected from external foreign substances or moisture. The thin film encapsulation layer 300 may include at least one organic encapsulation layer and at least one inorganic encapsulation layer. FIG. 11 shows that the thin film encapsulation layer 300 includes first and second inorganic encapsulation layers 310 and 330 and an organic encapsulation layer 320 sandwiched between them. In other embodiments, the number of organic encapsulation layers and the number and stacking order of inorganic encapsulation layers may be changed.

제1 및 제2무기봉지층(310, 330)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드, 징크옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 화학기상증착법(CVD) 등에 의해 형성될 수 있다. 유기봉지층(320)은 폴리머(polymer)계열의 소재를 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. The first and second inorganic encapsulation layers 310 and 330 may include one or more inorganic insulating materials such as aluminum oxide, titanium oxide, tantalum oxide, hafnium oxide, zinc oxide, silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride, It can be formed by chemical vapor deposition (CVD), etc. The organic encapsulation layer 320 may include a polymer-based material. Polymer-based materials may include acrylic resin, epoxy resin, polyimide, and polyethylene.

입력감지층(400)은 표시영역(DA)에 위치한다. 입력감지층(400)은 외부의 입력, 예컨대 터치 이벤트에 따른 좌표정보를 획득할 수 있다. 입력감지층(400)은 박막봉지층(300)이 형성된 기판(100) 상에 직접 형성되면서 박막봉지층(300)과 접촉할 수 있으며, 따라서 입력감지층(400)과 박막봉지층(300) 사이에는 이들을 결합하기 위한 접착층과 같은 부재가 생략될 수 있다. 입력감지층(400)은 감지전극(sensing electrode 또는 touch electrode) 및 감지전극과 연결된 신호라인(trace line)들을 포함할 수 있다. 입력감지층(400)은 감지전극이 배치된 제1 및 제2도전층(410, 420)을 포함한다. 입력감지층(400)은 제1 및 제2도전층(410, 420)의 위와 아래에 배치되는 절연층들, 예컨대 제1 내지 제3절연층(401, 403, 405)를 포함할 수 있으며, 이와 관련된 입력감지층(400)의 구체적 구조는 앞서 도 7 내지 도 10c를 참조하여 설명한 내용으로 갈음한다.The input sensing layer 400 is located in the display area (DA). The input sensing layer 400 can acquire coordinate information according to an external input, for example, a touch event. The input sensing layer 400 is formed directly on the substrate 100 on which the thin film encapsulation layer 300 is formed and can contact the thin film encapsulation layer 300, and thus the input sensing layer 400 and the thin film encapsulation layer 300 A member such as an adhesive layer for joining them may be omitted. The input sensing layer 400 may include a sensing electrode (sensing electrode or touch electrode) and signal lines (trace lines) connected to the sensing electrode. The input sensing layer 400 includes first and second conductive layers 410 and 420 on which sensing electrodes are disposed. The input sensing layer 400 may include insulating layers disposed above and below the first and second conductive layers 410 and 420, for example, first to third insulating layers 401, 403, and 405, The specific structure of the input sensing layer 400 related to this will be replaced with the content previously described with reference to FIGS. 7 to 10C.

도 11의 제1비표시영역(NDA1)을 살펴본다.Look at the first non-display area (NDA1) in FIG. 11.

도 11의 제1비표시영역(NDA1)을 참조하면, 제1비표시영역(NDA1)은 개구영역(OA)으로부터 상대적으로 먼 제1서브-비표시영역(SNDA1) 및 개구영역(OA)에 상대적으로 가까운 제2서브-비표시영역(SNDA2)을 포함할 수 있다. Referring to the first non-display area (NDA1) of FIG. 11, the first non-display area (NDA1) is located in the first sub-non-display area (SNDA1) and the opening area (OA) that are relatively distant from the opening area (OA). It may include a relatively close second sub-non-display area (SNDA2).

제1서브-비표시영역(SNDA1)은 신호라인들이 지나는 영역이다. 도 11의 도시된 데이터라인(DL)들은 도 5를 참조하여 설명한 개구영역(OA)을 우회하는 데이터라인들에 해당할 수 있다. 제1서브-비표시영역(SNDA1)은 신호라인들이 지나는 배선영역 또는 우회영역일 수 있다. 데이터라인(DL)들은 도 11에 도시된 바와 같이 절연층을 사이에 두고 교번적으로 배치될 수 잇다. 다른 실시예로, 데이터라인(DL)들은 동일한 절연층 상에 배치될 수 있다. 이웃한 데이터라인(DL)들이 절연층(예컨대, 제2층간절연층: 207)을 사이에 두고 아래와 위에 각각 배치되는 경우, 이웃한 데이터라인(DL)들 사이의 갭(피치)을 줄일 수 있으며, 제1비표시영역(NDA1)의 폭을 줄일 수 있다. 도시되지는 않았으나, 도 11의 제1서브-비표시영역(SNDA1)에 위치하는 데이터라인(DL)들과 유사하게, 앞서 도 5를 참조하여 설명한 개구영역(OA)을 우회하는 스캔라인들도 제1서브-비표시영역(SNDA1)에 위치할 수 있다.The first sub-non-display area (SNDA1) is an area through which signal lines pass. The data lines DL shown in FIG. 11 may correspond to data lines that bypass the opening area OA described with reference to FIG. 5 . The first sub-non-display area (SNDA1) may be a wiring area or a bypass area through which signal lines pass. The data lines DL may be arranged alternately with an insulating layer interposed therebetween, as shown in FIG. 11 . In another embodiment, the data lines DL may be disposed on the same insulating layer. When neighboring data lines DL are arranged below and above with an insulating layer (e.g., second interlayer insulating layer 207) in between, the gap (pitch) between neighboring data lines DL can be reduced. , the width of the first non-display area (NDA1) can be reduced. Although not shown, similar to the data lines DL located in the first sub-non-display area SNDA1 of FIG. 11, there are also scan lines that bypass the opening area OA described above with reference to FIG. 5. It may be located in the first sub-non-display area (SNDA1).

제2서브-비표시영역(SNDA2)은 그루브들이 배치되는 일종의 그루브영역으로서, 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)가 위치할 수 있다. 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 각각 언더컷 구조를 가질 수 있다. 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 무기층과 유기층을 포함하는 다층 막에 형성될 수 있다. 예컨대, 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 복수 층을 포함하는 기판(100)의 일부를 제거함으로써 형성될 수 있다. The second sub-non-display area SNDA2 is a type of groove area where grooves are arranged, and the first to third grooves G1, G2, and G3 may be located. The first to third grooves G1, G2, and G3 may each have an undercut structure. The first to third grooves G1, G2, and G3 may be formed in a multilayer film including an inorganic layer and an organic layer. For example, the first to third grooves G1, G2, and G3 may be formed by removing a portion of the substrate 100 including multiple layers.

제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 기판(100)의 제2베이스층(103) 및 그 위의 제2무기층(104) 등을 식각하여 형성할 수 있다. 이와 관련하여, 도 11은 제2베이스층(103)의 일부 및 제2무기층(104)의 일부가 제거되어 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)가 형성된 것을 도시한다. 일 실시예로서, 제2무기층(104) 상의 버퍼층(201), 게이트절연층(203), 제1 및 제2층간절연층(205, 207)도 제거되어 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)의 일부를 이룰 수 있다.The first to third grooves G1, G2, and G3 may be formed by etching the second base layer 103 of the substrate 100 and the second inorganic layer 104 thereon. In this regard, FIG. 11 shows that a portion of the second base layer 103 and a portion of the second inorganic layer 104 are removed to form first to third grooves G1, G2, and G3. In one embodiment, the buffer layer 201, the gate insulating layer 203, and the first and second interlayer insulating layers 205 and 207 on the second inorganic layer 104 are also removed to form the first to third grooves (G1, It can form part of G2, G3).

각각의 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 언더컷 구조를 가질 수 있다. 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3) 각각은 제2베이스층(103)을 지나는 부분의 폭이 무기절연층(들), 예컨대 제2무기층(104) 및/또는 버퍼층(201)을 지나는 부분의 폭 보다 큰 언더컷 구조를 가질 수 있다. 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)의 언더컷 구조를 통해 중간층(222)의 일부(예, 제1 및 제2기능층) 및 대향전극(223)이 단절될 수 있다. Each of the first to third grooves G1, G2, and G3 may have an undercut structure. Each of the first to third grooves (G1, G2, G3) has a width of the portion passing through the second base layer 103, such as an inorganic insulating layer(s), such as the second inorganic layer 104 and/or the buffer layer 201. It may have an undercut structure that is larger than the width of the part passing through. A portion of the middle layer 222 (eg, first and second functional layers) and the counter electrode 223 may be cut off through the undercut structure of the first to third grooves G1, G2, and G3.

박막봉지층(300)의 제1무기봉지층(310)은 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)의 내부 표면(inner surface)을 커버할 수 있다. 유기봉지층(320)은 제1그루브(G1)을 커버하며, 제1무기봉지층(310) 상에서 제1그루브(G1)를 채울 수 있다. 유기봉지층(320)은 기판(100) 상에 모노머를 도포한 후 이를 경화하여 형성할 수 있는데, 모노머의 흐름을 제어하고, 모노머(또는, 유기봉지층)의 두께를 확보하기 위하여 제1 및 제2그루브(G1, G2) 사이에는 격벽(500)이 구비될 수 있다. 격벽(500)은 유기 절연물을 포함할 수 있으며, 예컨대 제1 및 제2서브-격벽부(sub-wall portion, 510, 520)의 적층 구조일 수 있다. The first inorganic encapsulation layer 310 of the thin film encapsulation layer 300 may cover the inner surface of the first to third grooves G1, G2, and G3. The organic encapsulation layer 320 covers the first groove (G1) and may fill the first groove (G1) on the first inorganic encapsulation layer (310). The organic encapsulation layer 320 can be formed by applying a monomer on the substrate 100 and then curing it. In order to control the flow of the monomer and secure the thickness of the monomer (or organic encapsulation layer), the first and A partition wall 500 may be provided between the second grooves G1 and G2. The barrier wall 500 may include an organic insulating material and, for example, may have a stacked structure of first and second sub-wall portions 510 and 520.

유기봉지층(320)의 단부(320E)는 개구영역(OA)으로부터 또는 기판(100)의 단부(100E)로부터 소정의 간격 이격되어 배치될 수 있다. 일부 실시예에서, 유기봉지층(320)을 형성하는 공정 중, 유기봉지층(320)의 물질은 제2그루브(G2)에도 있을 수 있다. 이와 관련하여 도 7에는 제2그루브(G2)에 유기물(320A)이 존재하는 것을 도시한다.The end 320E of the organic encapsulation layer 320 may be disposed at a predetermined distance from the opening area OA or from the end 100E of the substrate 100. In some embodiments, during the process of forming the organic encapsulation layer 320, the material of the organic encapsulation layer 320 may also be present in the second groove G2. In relation to this, FIG. 7 shows that an organic material 320A exists in the second groove G2.

제2무기봉지층(330)은 유기봉지층(320) 상에 배치되되, 제2 및 제3그루브(G2, G3)의 내부 표면을 커버할 수 있다. 제2무기봉지층(330)은 제2 및 제3그루브(G2, G3)에서 제1무기봉지층(310)과 직접 접촉할 수 있다. The second inorganic encapsulation layer 330 is disposed on the organic encapsulation layer 320 and may cover the inner surfaces of the second and third grooves G2 and G3. The second inorganic encapsulation layer 330 may directly contact the first inorganic encapsulation layer 310 in the second and third grooves G2 and G3.

제2 및 제3그루브(G2, G3)와 대응하는 제2무기봉지층(330) 위에는 평탄화층(610)이 위치할 수 있으며, 평탄화층(610)의 아래에는 하부 배리어층(700)이 위치할 수 있다.A planarization layer 610 may be located on the second inorganic encapsulation layer 330 corresponding to the second and third grooves G2 and G3, and a lower barrier layer 700 may be located below the planarization layer 610. can do.

평탄화층(610)은 적어도 하나의 그루브를 커버하도록 제2서브-비표시영역(SNDA2)에 위치할 수 있다. 평탄화층(610)은 제2 및 제3그루브(G3, G3)를 커버할 수 있으며, 제2 및 제3그루브(G2, G3) 중 적어도 어느 하나를 채울 수 있다. 도 11에 도시된 바와 같이, 제2 및 제3그루브(G2, G3) 중 제2무기봉지층(330) 위의 공간은 평탄화층(610)으로 채워질 수 있다 평탄화층(610)은 제2서브-비표시영역(SNDA2) 중 유기봉지층(320)으로 커버되지 않는 영역을 커버함으로써, 개구영역(OA) 주변에서 표시 패널의 평편도를 증가시킬 수 있다. 따라서, 표시 패널(10) 상에 반사 방지부재나 윈도우 등의 구성요소들이 배치될 때 표시 패널(10)으로부터 결합이 잘 되지 않거나, 분리되거나, 들뜨는 것을 방지할 수 있다. The planarization layer 610 may be located in the second sub-non-display area SNDA2 to cover at least one groove. The planarization layer 610 may cover the second and third grooves G3 and G3 and may fill at least one of the second and third grooves G2 and G3. As shown in FIG. 11, the space above the second inorganic encapsulation layer 330 among the second and third grooves G2 and G3 may be filled with the planarization layer 610. The planarization layer 610 may be filled with the second sub-layer 610. -By covering the area of the non-display area (SNDA2) that is not covered by the organic encapsulation layer 320, the flatness of the display panel around the opening area (OA) can be increased. Accordingly, when components such as anti-reflection members or windows are placed on the display panel 10, they can be prevented from being poorly coupled, separated, or lifted from the display panel 10.

평탄화층(610)은 유기 절연물을 포함한다. 평탄화층(610)은 포토레지스트(예컨대, 네거티브 또는 포지티브 포토레지스트)를 포함할 수 있다. 또는, 평탄화층(610)은 앞서 도 8c, 도 9c, 및 도 10c를 참조하여 설명한 제3절연층과 동일한 물질을 포함할 수 있다.The planarization layer 610 includes an organic insulating material. The planarization layer 610 may include photoresist (eg, negative or positive photoresist). Alternatively, the planarization layer 610 may include the same material as the third insulating layer previously described with reference to FIGS. 8C, 9C, and 10C.

평탄화층(610)은 박막봉지층(300) 상에 위치할 수 있다. 평탄화층(610)은 제2무기봉지층(330)에 의해 유기봉지층(320)과 공간적으로 분리될 수 있다. 예컨대, 평탄화층(610)이 제2무기봉지층(330)의 위에 배치되고 유기봉지층(320)이 제2무기봉지층(330)의 아래에 배치되는 것과 같이, 유기봉지층(320) 및 평탄화층(610)은 공간적으로 서로 분리될 수 있다. 유기봉지층(320) 및 평탄화층(610)은 직접 접촉하지 않을 수 있다. 평탄화층(610)은 5㎛ 이상의 두께를 가질 수 있다.The planarization layer 610 may be located on the thin film encapsulation layer 300. The planarization layer 610 may be spatially separated from the organic encapsulation layer 320 by the second inorganic encapsulation layer 330 . For example, the planarization layer 610 is disposed above the second inorganic encapsulation layer 330 and the organic encapsulation layer 320 is disposed below the second inorganic encapsulation layer 330, such that the organic encapsulation layer 320 and The planarization layer 610 may be spatially separated from each other. The organic encapsulation layer 320 and the planarization layer 610 may not be in direct contact. The planarization layer 610 may have a thickness of 5 μm or more.

평탄화층(610)의 일부는 유기봉지층(320)과 중첩할 수 있다. 평탄화층(610)의 제1단부(610E1)는 유기봉지층(320) 상으로 연장되어 유기봉지층(320)과 중첩할 수 있다. 평탄화층(610)의 제2단부(610E2)는 개구영역(OA)을 향한다. 제2단부(610E2)는 기판(100)의 단부(100E)와 동일 선상에 위치할 수 있다.A portion of the planarization layer 610 may overlap the organic encapsulation layer 320. The first end 610E1 of the planarization layer 610 may extend onto the organic encapsulation layer 320 and overlap the organic encapsulation layer 320 . The second end 610E2 of the planarization layer 610 faces the opening area OA. The second end 610E2 may be located on the same line as the end 100E of the substrate 100.

하부 배리어층(700)은 적어도 하나의 그루브를 커버할 수 있다. 이와 관련하여, 도 11은 하부 배리어층(700)이 제2그루브(G2)를 커버하는 것을 도시한다. 표시 패널의 제조 공정 중 제2그루브(G2) 주변에 형성되는 무기층, 예컨대 제1 및 제2무기봉지층(310, 330)에 크랙이 발생하거나 끊어지는 경우, 해당 크랙이나 끊어진 부분을 통해 수분이 침투할 수 있다. 이와 같은 문제를 방지하고자, 하부 배리어층(700)은 제2무기봉지층(330) 상에서 크랙이 발생될 수 있는 영역, 예컨대 제2그루브(G2)와 그 주변을 커버할 수 있다.The lower barrier layer 700 may cover at least one groove. In this regard, FIG. 11 shows the lower barrier layer 700 covering the second groove G2. If a crack occurs or breaks in the inorganic layer formed around the second groove (G2) during the manufacturing process of the display panel, for example, the first and second inorganic encapsulation layers (310, 330), moisture is released through the crack or broken portion. This can penetrate. To prevent such problems, the lower barrier layer 700 may cover areas where cracks may occur on the second inorganic encapsulation layer 330, for example, the second groove G2 and its surroundings.

하부 배리어층(700)은 무기물을 포함한다. 예컨대, 하부 배리어층(700)은 무기절연층 및/또는 금속층을 포함할 수 있으며, 단일층이거나 다층일 수 있다. 일 실시예로 도 11의 확대도에 도시된 바와 같이, 하부 배리어층(700)은 제1 내지 제4하부층(701, 702, 703, 704)의 복수의 층으로 형성될 수 있다. 하부 배리어층(700)은 앞서 도 8a 내지 도 10c를 참조하여 설명한 입력감지층(400)에 포함된 층들 중 적어도 어느 하나의 층을 포함할 수 있다. The lower barrier layer 700 contains an inorganic material. For example, the lower barrier layer 700 may include an inorganic insulating layer and/or a metal layer, and may be a single layer or a multilayer. In one embodiment, as shown in the enlarged view of FIG. 11, the lower barrier layer 700 may be formed of a plurality of first to fourth lower layers 701, 702, 703, and 704. The lower barrier layer 700 may include at least one layer among the layers included in the input sensing layer 400 described above with reference to FIGS. 8A to 10C.

예컨대, 제1 내지 제4하부층(701, 702, 703, 704)은 각각 입력감지층(400)의 제1절연층(401), 제1도전층(410), 제2절연층(403), 및 제2도전층(420)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제1 및 제3하부층(701, 703)은 실리콘나이트라이드와 같은 무기절연층일 수 있고, 제2 및 제4하부층(702, 704)은 알루미늄(Al)과 티타늄(Ti) 등을 포함하는 금속층일 수 있다. 일부 실시예로서, 제2 및 제4하부층(702, 704)는 Ti/Al/Ti와 같은 다층일 수 있다. For example, the first to fourth lower layers 701, 702, 703, and 704 are respectively the first insulating layer 401, the first conductive layer 410, the second insulating layer 403, and the input sensing layer 400. and may include the same material as the second conductive layer 420. The first and third lower layers 701 and 703 may be inorganic insulating layers such as silicon nitride, and the second and fourth lower layers 702 and 704 may be metal layers containing aluminum (Al), titanium (Ti), etc. You can. In some embodiments, the second and fourth lower layers 702 and 704 may be multilayers such as Ti/Al/Ti.

하부 배리어층(700)이 입력감지층(400)의 무기물을 포함하는 층과 동일한 물질을 포함하는 경우, 하부 배리어층(700)은 입력감지층(400) 중 무기물을 포함하는 층과 동일한 공정에서 형성될 수 있다. 유사하게, 평탄화층(610)은 입력감지층(400) 중 유기물을 포함하는 층과 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 평탄화층(610)은 입력감지층(400) 중 유기물을 포함하는 층과 동일한 공정에서 형성될 수 있다.If the lower barrier layer 700 includes the same material as the inorganic material-containing layer of the input sensing layer 400, the lower barrier layer 700 is processed in the same process as the inorganic material-containing layer of the input sensing layer 400. can be formed. Similarly, the planarization layer 610 may include the same material as the organic material-containing layer of the input sensing layer 400, and the planarization layer 610 may include the same material as the organic material-containing layer of the input sensing layer 400. It can be formed in the process.

도 11에는 하부 배리어층(700)의 단부가 입력감지층(400)과 소정의 간격 이격되어 배치된 것을 도시하고, 평탄화층(610)의 단부가 입력감지층(400)과 소정의 간격 이격되어 배치된 것을 도시하나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 하부 배리어층(700) 중 제1 및 제3하부층(701, 703)은 각각 입력감지층(400)의 제1절연층(401) 및 제2절연층(403)과 일체로 연결될 수 있다. 하부 배리어층(700) 중 제2 및 제4하부층(702, 704)은 도 11에 도시된 바와 같이 각각 입력감지층(400)의 제1도전층(410), 및 제2도전층(420)과 이격될 수 있다. 평탄화층(610)은 입력감지층(400)의 제3절연층(405)과 일체로 연결될 수 있다.FIG. 11 shows that the end of the lower barrier layer 700 is spaced apart from the input sensing layer 400 by a predetermined distance, and the end of the planarization layer 610 is spaced apart from the input sensing layer 400 by a predetermined distance. Although the arrangement is shown, the present invention is not limited thereto. The first and third lower layers 701 and 703 of the lower barrier layer 700 may be integrally connected to the first and second insulating layers 401 and 403 of the input sensing layer 400, respectively. The second and fourth lower layers 702 and 704 of the lower barrier layer 700 are the first conductive layer 410 and the second conductive layer 420 of the input sensing layer 400, respectively, as shown in FIG. 11. can be separated from The planarization layer 610 may be integrally connected to the third insulating layer 405 of the input sensing layer 400.

도 11에는 하부 배리어층(700)이 4개의 층인 것을 도시하나, 하부 배리어층(700)은 단일 층이거나 2개, 3개, 5개 이상의 층일 수 있다.Figure 11 shows that the lower barrier layer 700 has four layers, but the lower barrier layer 700 may be a single layer or two, three, five or more layers.

도 13, 도 14, 도 15, 도 17, 및 도 19는 본 발명의 일 실시예로서 표시 패널의 제조 공정에 따른 개구영역 및 제1비표시영역을 나타낸 단면도들이며, 도 16은 도 15에서 XVI을 확대한 도면이고, 도 18은 도 17에서 XVIII를 확대한 도면이다. 도 13는 도 11의 표시 패널 중 제1 내지 제3그루브가 형성된 상태를 나타낸 단면도이고, 도 14는 다른 실시예로서 제1 내지 제3그루브가 형성된 상태를 나타낸 단면도이며, 도 15는 도 13의 표시 패널 상에 중간층 내지 하부 배리어층이 형성된 상태를 나타낸 단면도이고, 도 17은 평탄화층이 형성된 상태를 나타낸 단면도이며, 도 19는 커팅 또는 스크라이빙 공정 이후의 상태를 나타낸 단면도이다.FIGS. 13, 14, 15, 17, and 19 are cross-sectional views showing the opening area and the first non-display area according to the manufacturing process of the display panel as an embodiment of the present invention, and FIG. 16 is XVI in FIG. 15. is an enlarged view, and FIG. 18 is an enlarged view of XVIII in FIG. 17. FIG. 13 is a cross-sectional view showing a state in which first to third grooves are formed in the display panel of FIG. 11, FIG. 14 is a cross-sectional view showing a state in which first to third grooves are formed as another embodiment, and FIG. 15 is a cross-sectional view showing a state in which first to third grooves are formed in the display panel of FIG. 11. It is a cross-sectional view showing the state in which the middle layer and the lower barrier layer are formed on the display panel, FIG. 17 is a cross-sectional view showing the state in which the planarization layer is formed, and FIG. 19 is a cross-sectional view showing the state after the cutting or scribing process.

도 13을 참조하면, 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 다층 막을 일부 제거하여 형성할 수 있다. 다층 막은 기판의 일부 층을 포함하는 층으로서, 고분자 수지와 같이 유기 절연물을 포함하는 층 및 그 위에 배치된 무기 절연물을 포함하는 층의 적층 구조일 수 있다. 예컨대, 고분자 수지를 포함하는 제2베이스층(103), 그리고 제2베이스층(103) 상의 제2무기층(104) 또는/및 버퍼층(201)과 같은 무기절연층(들)이 다층 막에 해당할 수 있다. 도 13에는 제2베이스층(103)과 박막트랜지스터(TFT) 사이의 무기절연층으로서 제2무기층(104)과 버퍼층(201)이 각각 별개의 명칭으로 명명되었지만, 실시예에 따라 제2무기층(104)은 다층인 버퍼층(201)의 일부이거나, 버퍼층(201)이 다층인 제2무기층(104)의 일부로 이해될 수 있다. Referring to FIG. 13, the first to third grooves G1, G2, and G3 can be formed by partially removing the multilayer film. A multilayer film is a layer including some layers of a substrate and may have a stacked structure of a layer including an organic insulating material such as polymer resin and a layer including an inorganic insulating material disposed thereon. For example, a second base layer 103 containing a polymer resin, and an inorganic insulating layer(s) such as a second inorganic layer 104 or/and a buffer layer 201 on the second base layer 103 are attached to the multilayer film. It may apply. In FIG. 13, the second inorganic layer 104 and the buffer layer 201 are named as separate inorganic insulating layers between the second base layer 103 and the thin film transistor (TFT), but according to the embodiment, the second inorganic layer 104 and the buffer layer 201 are each named separately. The layer 104 may be understood as a part of the multi-layered buffer layer 201, or the buffer layer 201 may be understood as a part of the multi-layered second inorganic layer 104.

제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 제2베이스층(103) 및 그 위의 무기절연층(들)을 일부 제거하여 형성할 수 있다. 일 실시예로, 도 13에는 제2베이스층(103), 제2무기층(104), 버퍼층(201), 게이트절연층(203), 그리고 제1 및 제2층간절연층(205, 207)이 식각 공정을 통해 제거된 것을 도시한다. 제2베이스층(103)의 일부를 제거하는 식각 공정과 제2베이스층(103)위의 무기절연층(들)을 제거하는 식각 공정은 서로 개별적으로 수행될 수 있다. 제1그루브(G1)와 제2그루브(G2) 사이에는 격벽(500)이 위치할 수 있으며, 격벽(500)은 유기절연층(209)과 동일한 물질로 형성된 제1서브-격벽부(510) 및 화소정의막(211)과 동일한 물질로 형성된 제2서브-격벽부(520)를 포함할 수 있다.The first to third grooves G1, G2, and G3 may be formed by partially removing the second base layer 103 and the inorganic insulating layer(s) thereon. In one embodiment, Figure 13 shows a second base layer 103, a second inorganic layer 104, a buffer layer 201, a gate insulating layer 203, and first and second interlayer insulating layers 205 and 207. It shows what was removed through this etching process. The etching process for removing a portion of the second base layer 103 and the etching process for removing the inorganic insulating layer(s) on the second base layer 103 may be performed separately. A partition 500 may be located between the first groove (G1) and the second groove (G2), and the partition 500 is a first sub-partition 510 formed of the same material as the organic insulating layer 209. and a second sub-partition wall portion 520 formed of the same material as the pixel defining layer 211.

깊이(두께) 방향을 따라, 제1그루브(G1) 중 제2베이스층(103)을 지나는 부분의 폭(W1)은 제1그루브(G1) 중 버퍼층(201) 및/또는 제2무기층(104)을 지나는 홀의 폭(W2) 보다 크게 형성되며, 따라서 제1그루브(G1)는 언더컷 구조를 가질 수 있다. 버퍼층(201) 및/또는 제2무기층(104)의 측면은 제2베이스층(103)의 측면 보다 더 제1그루브(G1)의 중심을 향해 더 돌출될 수 있다. 제1그루브(G1)의 중심을 향해 기판(100)의 상면과 평행한 방향으로 더 돌출된 버퍼층(201) 및/또는 제2무기층(104)의 부분들은 한 쌍의 처마 (또는 한 쌍의 돌출 팁 또는 팁, PT)에 해당한다.Along the depth (thickness) direction, the width W1 of the portion of the first groove G1 passing through the second base layer 103 is the buffer layer 201 and/or the second inorganic layer ( 104), the first groove G1 may have an undercut structure. The side surfaces of the buffer layer 201 and/or the second inorganic layer 104 may protrude further toward the center of the first groove G1 than the side surfaces of the second base layer 103. The portions of the buffer layer 201 and/or the second inorganic layer 104 that protrude further in a direction parallel to the upper surface of the substrate 100 toward the center of the first groove G1 are a pair of eaves (or a pair of eaves). Corresponds to the protruding tip or tip (PT).

제1그루브(G1)와 마찬가지로, 제2 및 제3그루브(G2, G3)도 언더컷 구조/처마 구조를 갖는다. 제2 및 제3그루브(G2, G3) 중 제2베이스층(103)을 지나는 부분의 폭(W1', W1")은, 제1그루브(G1) 중 버퍼층(201) 및/또는 제2무기층(104)을 지나는 부분의 폭(W2', W2") 보다 크게 형성될 수 있다. 마찬가지로, 제2 및 제3그루브(G2, G3)를 정의하는 버퍼층(201) 및/또는 제2무기층(104)의 측면은 제2베이스층(103)의 측면 보다 더 제1그루브(G1)의 중심을 향해 더 돌출될 수 있다. 버퍼층 및/또는 제2무기절연층(104)의 측면, 예컨대 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3) 각각의 돌출 팁(PT)은, 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)의 중심을 향해 약 0.7㎛~1.5㎛ 정도 돌출될 수 있다.Like the first groove (G1), the second and third grooves (G2, G3) also have an undercut structure/eave structure. The width (W1', W1") of the portion of the second and third grooves (G2, G3) passing through the second base layer 103 is determined by the buffer layer 201 and/or the second weapon in the first groove (G1). It may be formed to be larger than the width (W2', W2") of the portion passing through the layer 104. Likewise, the side of the buffer layer 201 and/or the second inorganic layer 104 defining the second and third grooves (G2, G3) is closer to the first groove (G1) than the side of the second base layer (103). It may protrude further toward the center of . The side surfaces of the buffer layer and/or the second inorganic insulating layer 104, for example, the protruding tips PT of each of the first to third grooves G1, G2, and G3, are formed on the first to third grooves G1, G2, and G3. ) may protrude about 0.7㎛ to 1.5㎛ toward the center.

도 13은 각각의 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)가 무기절연층을 지나는 홀, 예컨대 버퍼층(201) 및 제2무기층(104)에 형성된 홀과 제2베이스층(103)에 형성된 리세스로 이루어진 것을 도시한다. 제2베이스층(103)에 형성된 각 리세스의 깊이(h1, h2, h3)는 제2베이스층(103)의 두께(t) 보다 작을 수 있다. 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)의 바닥면은 각각 제2베이스층(103)의 상면과 하면 사이의 가상의 면 상에 놓일 수 있다.13 shows holes through which each of the first to third grooves G1, G2, and G3 passes through an inorganic insulating layer, for example, a hole formed in the buffer layer 201 and the second inorganic layer 104, and the second base layer 103. It shows that it consists of a recess formed in . The depth (h1, h2, h3) of each recess formed in the second base layer 103 may be smaller than the thickness (t) of the second base layer 103. Bottom surfaces of the first to third grooves G1, G2, and G3 may be placed on an imaginary surface between the upper and lower surfaces of the second base layer 103, respectively.

다른 실시예로, 도 14에 도시된 바와 같이, 각각의 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G)는 무기절연층을 지나는 홀(예컨대, 버퍼층(201) 및 제2무기층(104)에 형성된 홀) 및 제2베이스층(103)을 지나는 홀로 이루어질 수 있다. 제2베이스층(103)에 형성된 각 홀의 깊이(h1', h2', h3')는 제2베이스층(103)의 두께(t)와 실질적으로 동일할 수 있으며, 따라서 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)의 바닥면은 각각 제2베이스층(103)의 하면과 동일한 가상의 면 상에 놓일 수 있다. 전술한 리세스 또는 홀의 깊이(h1, h2, h3, h1', h2', h3')는 약 2㎛ 이상일 수 있다.In another embodiment, as shown in FIG. 14, each of the first to third grooves G1, G2, and G is a hole passing through an inorganic insulating layer (e.g., a buffer layer 201 and a second inorganic layer 104). It may be composed of a hole formed in) and a hole passing through the second base layer 103. The depths (h1', h2', h3') of each hole formed in the second base layer 103 may be substantially equal to the thickness (t) of the second base layer 103, and thus the first to third grooves The bottom surfaces of (G1, G2, G3) may each be placed on the same virtual surface as the bottom surface of the second base layer 103. The depth of the above-mentioned recess or hole (h1, h2, h3, h1', h2', h3') may be about 2㎛ or more.

이하에서는, 설명의 편의상 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)의 바닥면이 제2베이스층(103)의 상면 및 하면 사이에 위치하는 도 13의 구조를 중심으로 설명하나, 후술하는 실시예들 및 이들로부터 파생되는 실시예에서 제2베이스층(103)은 도 14를 참조하여 설명한 구조를 가질 수 있다. Hereinafter, for convenience of explanation, the description will focus on the structure of FIG. 13 in which the bottom surfaces of the first to third grooves G1, G2, and G3 are located between the upper and lower surfaces of the second base layer 103, which will be described later. In the embodiments and embodiments derived therefrom, the second base layer 103 may have the structure described with reference to FIG. 14 .

도 15를 참조하면, 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)를 구비하는 기판(100) 상에 중간층(222) 및 대향전극(223)이 형성된다. 중간층(222) 및 대향전극(223)은 열증착법 등에 의해 형성될 수 있다. Referring to FIG. 15, an intermediate layer 222 and a counter electrode 223 are formed on the substrate 100 having the first to third grooves G1, G2, and G3. The middle layer 222 and the counter electrode 223 may be formed by a thermal evaporation method or the like.

중간층의 일부, 예컨대 제1 및 제2기능층, 및 대향전극(223)은 표시영역(DA) 및 제1비표시영역(NDA1)에서 일체로 형성될 수 있다. 도 16에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2기능층(222a, 222c)은 제2그루브(G2)의 언더컷 구조에 의해 제1비표시영역(NDA1)에서 단절될 수 있다. 제2그루브(G2)의 언더컷 구조를 정의하는 한 쌍의 팁("PT")에 의해 제1 및 제2기능층(222a, 222c)이 단절되고, 대향전극(223)도 단절된다. 제1 및 제2기능층(222a, 222c)과 대향전극(223)은 도 15에 도시된 바와 같이 제1 및 제2그루브(G1, G2)의 언더컷 구조에 의해서도 단절된다. A portion of the intermediate layer, for example, the first and second functional layers, and the counter electrode 223 may be formed integrally in the display area DA and the first non-display area NDA1. As shown in FIG. 16, the first and second functional layers 222a and 222c may be cut off in the first non-display area NDA1 by the undercut structure of the second groove G2. The first and second functional layers 222a and 222c are cut off by a pair of tips (“PT”) defining the undercut structure of the second groove G2, and the counter electrode 223 is also cut off. The first and second functional layers 222a and 222c and the counter electrode 223 are also disconnected by the undercut structure of the first and second grooves G1 and G2, as shown in FIG. 15.

기판(100) 상의 층들 중 유기물을 포함하는 층은 수분이나 산소와 같은 이물질의 투습 경로가 될 수 있다. 유기물인 제1 및 제2기능층(222a, 222c)은 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)에 의해 단절되므로, 수분이 측 방향(lateral direction, x방향)으로 진행하면서 유기발광다이오드를 손상시키는 것을 방지할 수 있다.Among the layers on the substrate 100, a layer containing organic material may serve as a moisture permeation path for foreign substances such as moisture or oxygen. Since the first and second functional layers 222a and 222c, which are organic materials, are cut off by the first to third grooves G1, G2, and G3, moisture flows in the lateral direction (x-direction) and flows into the organic light-emitting diode. It can prevent damage.

박막봉지층(300) 중 제1무기봉지층(310)은 중간층(222) 및 대향전극(223)과 달리 스텝 커버리지가 상대적으로 우수하므로, 제1무기봉지층(310)은 연속적으로 형성될 수 있다. 제1무기봉지층(310)은 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)의 내부 표면을 전체적으로 커버할 수 있다. Among the thin film encapsulation layers 300, the first inorganic encapsulation layer 310 has relatively excellent step coverage, unlike the middle layer 222 and the counter electrode 223, so the first inorganic encapsulation layer 310 can be formed continuously. there is. The first inorganic encapsulation layer 310 may entirely cover the inner surfaces of the first to third grooves G1, G2, and G3.

유기봉지층(320)은 제1무기봉지층(310) 상에 형성된다. 제1그루브(G1)는 유기봉지층(320)으로 커버되며, 제1그루브(G1) 중 제1무기봉지층(310) 위의 공간은 유기봉지층(320)으로 채워질 수 있다. 유기봉지층(320)의 제조 공정 중, 모노머는 제1그루브(G1) 및 제2그루브(G2) 사이의 격벽(500)에 의해 흐름이 제어될 수 있다. 격벽(500)에 의해 흐름이 제어된 모노머가 경화되면서 형성된 유기봉지층(320)은 격벽(500)을 지나 연장되지 않을 수 있다. The organic encapsulation layer 320 is formed on the first inorganic encapsulation layer 310. The first groove G1 is covered with the organic encapsulation layer 320, and the space above the first inorganic encapsulation layer 310 in the first groove G1 may be filled with the organic encapsulation layer 320. During the manufacturing process of the organic encapsulation layer 320, the flow of monomer may be controlled by the partition wall 500 between the first groove (G1) and the second groove (G2). The organic encapsulation layer 320 formed by curing the monomer whose flow is controlled by the partition wall 500 may not extend past the partition wall 500.

일부 실시예에서, 도 15 및 도 16에 도시된 바와 같이 유기봉지층(320)의 제조 공정 중 유기물(320A)이 제2그루브(G2)에 위치할 수 있다. 예컨대, 모노머를 도포하는 과정에서 모노머의 일부가 제2그루브(G2)에 떨어진 채 경화되어 유기물(320A)를 형성할 수 있다. 다른 실시예로, 모노머를 경화하고 애슁하는 공정을 수행할 수 있는데 이 때 애슁에 의해 제거되지 않은 유기물(320A)이 제2그루브(G2)에 존재할 수 있다. 유기물(320A)은 제2그루브(G2)의 처마구조, 예컨대 돌출 팁(T) 아래에 존재할 수 있다. 유기물(320A)은 유기봉지층(320)과 동일한 물질일 수 있다. 유기물(320A)은 격벽(500)을 중심으로 유기봉지층(320)과 단절된다. In some embodiments, as shown in FIGS. 15 and 16 , the organic material 320A may be located in the second groove G2 during the manufacturing process of the organic encapsulation layer 320. For example, during the process of applying the monomer, a portion of the monomer may fall into the second groove G2 and harden to form the organic material 320A. In another embodiment, a process of curing the monomer and ashing may be performed, and at this time, organic matter 320A that is not removed by ashing may exist in the second groove G2. The organic material 320A may be present under the eaves structure of the second groove G2, for example, the protruding tip T. The organic material 320A may be the same material as the organic encapsulation layer 320. The organic material 320A is cut off from the organic encapsulation layer 320 around the partition wall 500.

제2무기봉지층(330)은 유기봉지층(320) 상에 형성된다. 제1그루브(G1) 상에서 제1무기봉지층(310)은 유기봉지층(320)에 의해 제2무기봉지층(330)과 직접 접촉하지 않는다. 반면, 제2 및 제3그루브(G2, G3) 상에서 제1 및 제2무기봉지층(310, 330)은 서로 접촉할 수 있다. 제1 및 제2무기봉지층(310, 330)은 도 15에 도시된 바와 같이 제1비표시영역(NDA1) 뿐만 아니라 개구영역(OA)에도 형성될 수 있다. The second inorganic encapsulation layer 330 is formed on the organic encapsulation layer 320. On the first groove G1, the first inorganic encapsulation layer 310 does not directly contact the second inorganic encapsulation layer 330 due to the organic encapsulation layer 320. On the other hand, the first and second inorganic encapsulation layers 310 and 330 may contact each other on the second and third grooves G2 and G3. As shown in FIG. 15 , the first and second inorganic encapsulation layers 310 and 330 may be formed not only in the first non-display area NDA1 but also in the opening area OA.

다음으로, 하부 배리어층(700)이 제2무기봉지층(330) 상에 형성될 수 있다. 하부 배리어층(700)은 제1비표시영역(NDA1)의 일부, 예컨대 제2그루브(G2)를 커버하도록 형성될 수 있다. 일 실시예로, 하부 배리어층(700)은 도 16에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제4하부층(701, 702, 703, 704)의 복수의 층으로 형성될 수 있다. 제2그루브(G2) 중 제2베이스층(103)을 지나는 부분의 깊이(h2)는 제1 및 제2기능층(222a, 222c), 대향전극(223), 제1 및 제2무기봉지층(310, 330) 및 하부 배리어층(700)의 수직 방향(기판의 상면에 수직인 방향, z방향)으로의 두께의 합 보다 크게 형성될 수 있다.Next, the lower barrier layer 700 may be formed on the second inorganic encapsulation layer 330. The lower barrier layer 700 may be formed to cover a portion of the first non-display area NDA1, for example, the second groove G2. In one embodiment, the lower barrier layer 700 may be formed of a plurality of first to fourth lower layers 701, 702, 703, and 704, as shown in FIG. 16. The depth (h2) of the portion of the second groove (G2) passing through the second base layer (103) is the first and second functional layers (222a, 222c), the counter electrode (223), and the first and second inorganic encapsulation layers. It may be formed to be larger than the sum of the thicknesses of the layers 310 and 330 and the lower barrier layer 700 in the vertical direction (direction perpendicular to the top surface of the substrate, z-direction).

제1 내지 제4하부층(701, 702, 703, 704)은 순차적으로 제2무기봉지층(330) 상에 형성될 수 있다. 제2그루브(G2)의 언더컷 구조에 따른 공간, 즉 돌출 팁(T) 아래의 공간은 유기물(320A)에 의해 채워지므로, 하부 배리어층(700)의 층들은 돌출 팁(T) 주변에서 두께가 매우 얇게 형성되거나 끊어지는 등의 현상 없이 연속적으로 형성될 수 있다.The first to fourth lower layers 701, 702, 703, and 704 may be sequentially formed on the second inorganic encapsulation layer 330. Since the space according to the undercut structure of the second groove G2, that is, the space below the protruding tip T, is filled with the organic material 320A, the layers of the lower barrier layer 700 have a thickness around the protruding tip T. It can be formed very thinly or continuously without phenomenon such as breaking.

도 17를 참조하면, 하부 배리어층(700) 상에 평탄화층(610)이 형성될 수 있다. 평탄화층(610)은 앞서 도 8a 내지 도 10c를 참조하여 설명한 입력감지층에 구비된 층들 중 적어도 어느 하나의 층에 구비된 유기물과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 또는, 평탄화층(610)은 포토레지스트(예컨대, 네거티브 또는 포지티브 포토레지스트)를 포함하거나, 박막봉지층(300)의 유기봉지층과 동일한 물질을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 17, a planarization layer 610 may be formed on the lower barrier layer 700. The planarization layer 610 may include the same material as the organic material provided in at least one of the layers provided in the input sensing layer described above with reference to FIGS. 8A to 10C. Alternatively, the planarization layer 610 may include photoresist (eg, negative or positive photoresist) or may include the same material as the organic encapsulation layer of the thin film encapsulation layer 300.

도 18을 참조하면, 평탄화층(610)은 제2그루브(G2)를 채울 수 있다. 예컨대, 평탄화층(610)은 제2그루브(G2) 중 하부 배리어층(700) 위의 공간을 채울 수 있다. Referring to FIG. 18 , the planarization layer 610 may fill the second groove G2. For example, the planarization layer 610 may fill the space above the lower barrier layer 700 in the second groove G2.

다음으로, 개구영역(OA)에 해당하는 제1라인(SCL1)을 따라 레이저 커팅 또는 스크라이빙 공정을 진행하면, 도 19에 도시된 바와 같이 표시 패널의 개구(10H)를 형성할 수 있다. 커팅 또는 스크라이빙 공정을 통해, 기판(100)에는 제1개구(100H)가 형성될 수 있다. 기판(100)을 커팅하거나 스크라이빙하는 공정 중 무기절연층에 크랙이 야기되는 경우, 크랙은 측 방향(x방향)을 따라 진행할 수 있으나, 제3그루브(G3) 또는 제2그루브(G2)의 돌출 팁 주변에서 멈출 수 있다. 따라서, 크랙은 표시영역을 향해 더 이상 진행하지 않을 수 있다.Next, if a laser cutting or scribing process is performed along the first line SCL1 corresponding to the opening area OA, the opening 10H of the display panel can be formed as shown in FIG. 19. A first opening 100H may be formed in the substrate 100 through a cutting or scribing process. If a crack occurs in the inorganic insulating layer during the cutting or scribing process of the substrate 100, the crack may progress along the lateral direction (x-direction), but is not formed in the third groove (G3) or the second groove (G2). It may stop around the protruding tip of . Accordingly, the crack may no longer progress toward the display area.

전술한 실시예에서는 기판(100)에 제1개구(100H)를 형성하는 방법으로 레이저 커팅 또는 스크라이빙 공정을 설명하였으나, 다른 실시예로서 기계적 연마법 등 다양한 방법을 이용할 수 있다.In the above-described embodiment, a laser cutting or scribing process was described as a method of forming the first opening 100H in the substrate 100, but in other embodiments, various methods such as mechanical polishing can be used.

도 20은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널에서 하부 배리어층을 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 20에서는 편의상 제1그루브(G1)를 생략한다. Figure 20 is a plan view schematically showing a lower barrier layer in a display panel according to an embodiment of the present invention. In FIG. 20 , the first groove G1 is omitted for convenience.

도 20을 참조하면, 하부 배리어층(700)은 개구영역(OA)을 둘러싸는 고리 형상일 수 있다. 하부 배리어층(700)은 제2그루브(G2)를 커버하되 제2그루브(G2)의 폭 보다 더 큰 폭을 가질 수 있다. Referring to FIG. 20, the lower barrier layer 700 may have a ring shape surrounding the opening area OA. The lower barrier layer 700 covers the second groove G2 and may have a width greater than the width of the second groove G2.

도 20에 도시된 제1비표시영역(NDA1)의 단면 구조는 앞서 도 11 내지 도 19를 참조하여 설명한 구조와 동일할 수 있다. 즉, 도 11 내지 도 19를 참조하여 설명한 구조는 도 20에 도시된 바와 같이 개구(10H), 즉 개구영역(OA)을 둘러싸는 구조로 이해할 수 있다. 예를 들어, 개구영역(OA)과 표시영역(DA) 사이의 하부 배리어층(700)은 도 20에 도시된 바와 같이 평면상에서 개구영역(OA)을 둘러싸는 고리 형으로 이해된다. 마찬가지로, 도 11 내지 도 19에서 설명한 평탄화층(610)도 평면상에서 개구영역(OA)을 둘러싸는 고리 형으로 이해될 수 있다. 격벽(500)도 평면상에서 개구영역(OA)을 둘러싸는 고리 형으로 이해될 수 있다.The cross-sectional structure of the first non-display area NDA1 shown in FIG. 20 may be the same as the structure previously described with reference to FIGS. 11 to 19. That is, the structure described with reference to FIGS. 11 to 19 can be understood as a structure surrounding the opening 10H, that is, the opening area OA, as shown in FIG. 20. For example, the lower barrier layer 700 between the opening area OA and the display area DA is understood to have a ring shape surrounding the opening area OA in a plan view, as shown in FIG. 20 . Likewise, the planarization layer 610 described in FIGS. 11 to 19 may also be understood as a ring shape surrounding the opening area OA in a plane view. The partition wall 500 may also be understood as a ring shape surrounding the opening area (OA) in a plan view.

도 21은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널에서 하부 배리어층을 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 21는 도 20과 마찬가지로 편의상 제1그루브(G1)를 생략한다. Figure 21 is a plan view schematically showing a lower barrier layer in a display panel according to another embodiment of the present invention. In FIG. 21 , like FIG. 20 , the first groove G1 is omitted for convenience.

도 21을 참조하면, 하부 배리어층(700)은 개구영역(OA)을 둘러싸는 고리 형상이되, 평면상에서 제2그루브(G2)의 일부 영역만을 커버할 수 있다. 예컨대, 하부 배리어층(700)의 폭은 제2그루브(G2)의 폭 보다 작을 수 있으며, 하부 배리어층(700)은 제2그루브(G2)의 일측, 예컨대 도 16을 참조하여 설명한 제2그루브(G2)에 구비된 한 쌍의 돌출 팁 중 어느 하나, 예컨대 우측의 돌출 팁(T)을 커버할 수 있다.Referring to FIG. 21 , the lower barrier layer 700 has a ring shape surrounding the opening area OA, but may only cover a partial area of the second groove G2 in a plan view. For example, the width of the lower barrier layer 700 may be smaller than the width of the second groove G2, and the lower barrier layer 700 is located on one side of the second groove G2, for example, the second groove described with reference to FIG. 16. It can cover any one of a pair of protruding tips provided in (G2), for example, the right protruding tip (T).

도 20 및 도 21은 하부 배리어층(700)이 평면 상에서 폐곡선 형상인 것을 도시하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예에서, 하부 배리어층(700)은 평면 상에서 개곡선 형상을 가질 수 있다. 20 and 21 show that the lower barrier layer 700 has a closed curve shape on a plane, but the present invention is not limited thereto. In another embodiment, the lower barrier layer 700 may have an open curved shape on a plane.

도 22는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널에서 하부 배리어층을 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 22는 도 20과 마찬가지로 편의상 제1그루브(G1)를 생략한다. Figure 22 is a plan view schematically showing a lower barrier layer in a display panel according to another embodiment of the present invention. In FIG. 22 , like FIG. 20 , the first groove G1 is omitted for convenience.

도 22를 참조하면, 하부 배리어층(700')은 제1비표시영역(NDA1)에서 개곡선 형상을 가질 수 있다. 하부 배리어층(700')의 제1단부(710)와 제2단부(720)는 상호 이격된 구성으로서, 각각 독립적으로 형성된다. 도시되지는 않았으나, 도 22의 하부 배리어층(700')은 앞서 도 11을 참조하여 설명한 바와 같이 복수의 층의 적층 구조일 수 있다.Referring to FIG. 22 , the lower barrier layer 700' may have an open curved shape in the first non-display area NDA1. The first end 710 and the second end 720 of the lower barrier layer 700' are spaced apart from each other and are formed independently. Although not shown, the lower barrier layer 700' of FIG. 22 may have a stacked structure of multiple layers, as previously described with reference to FIG. 11.

하부 배리어층(700') 중 도전성 물질을 포함하는 층, 예컨대 제2 및/또는 제4하부층 중 적어도 어느 하나는 배선으로 활용될 수 있다. 예컨대, 제1단부(710)로 인가된 소정의 신호는 도전성 물질을 포함하는 층을 통해 제2단부(720)를 통해 외부로 출력될 수 있는데, 하부 배리어층(700')의 일부가 끊어진 경우, 제2단부(720)에서는 신호가 출력되지 않을 수 있다. 이와 같이, 하부 배리어층(700')은 표시 패널의 제조 공정 중 또는 표시 패널의 제조 이후에 발생할 수 있는 크랙의 발생을 확인하는데 사용될 수 있다. Among the lower barrier layers 700', at least one of the layers containing a conductive material, for example, the second and/or fourth lower layers, may be used as a wiring. For example, a predetermined signal applied to the first end 710 may be output to the outside through the second end 720 through a layer containing a conductive material, but if a portion of the lower barrier layer 700' is broken, , a signal may not be output from the second end 720. In this way, the lower barrier layer 700' can be used to check the occurrence of cracks that may occur during or after manufacturing the display panel.

하부 배리어층(700')의 일부, 예컨대 제1단부(710)와 제2단부(720) 사이의 부분은 도 22에 도시된 바와 같이 지그재그 형상을 가질 수 있다. 하부 배리어층(700')의 제1부분은 제2그루브(G2)를 일부 둘러싸도록 제2그루브(G2)의 가장자리를 따라 연장될 수 있고, 하부 배리어층(700')의 제2부분은 제2그루브(G2)와 중첩하도록 개구영역(OA)의 중심을 향해 소정의 간격 연장될 수 있다. 제1부분과 제2부분은 반복적으로 배치되면서, 하부 배리어층(700')은 평면상에서 지그재그 형상을 가질 수 있다.A portion of the lower barrier layer 700', for example, a portion between the first end 710 and the second end 720, may have a zigzag shape as shown in FIG. 22. The first portion of the lower barrier layer 700' may extend along the edge of the second groove G2 to partially surround the second groove G2, and the second portion of the lower barrier layer 700' may extend to partially surround the second groove G2. 2 It may be extended at a predetermined distance toward the center of the opening area (OA) to overlap the groove (G2). While the first and second parts are repeatedly disposed, the lower barrier layer 700' may have a zigzag shape on a plane.

전술한 실시예에서는 하부 배리어층(700)이 제2그루브(G2)를 커버하도록 제1비표시영역(NDA1)에 위치하는 것을 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로서, 하부 배리어층(700)은 제2 및 제3그루브(G2, G3)을 커버할 수 있다.In the above-described embodiment, it has been described that the lower barrier layer 700 is located in the first non-display area NDA1 to cover the second groove G2, but the present invention is not limited to this. As another example, the lower barrier layer 700 may cover the second and third grooves G2 and G3.

도 23은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 제1비표시영역의 단면도를 나타내고, 도 24는 도 23의 XXIV부분을 확대한 단면도이다.FIG. 23 is a cross-sectional view of the first non-display area of a display panel according to another embodiment of the present invention, and FIG. 24 is an enlarged cross-sectional view of portion XXIV of FIG. 23.

도 23을 참조하면, 하부 배리어층(700)은 제1비표시영역(NDA1)에서 제2 및 제3그루브(G2, G3)를 커버할 수 있으며, 이와 같은 특징을 제외한 나머지 구조 및 특징들은 앞서 설명한 바와 동일하므로 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.Referring to FIG. 23, the lower barrier layer 700 can cover the second and third grooves G2 and G3 in the first non-display area NDA1, and other than this feature, the remaining structure and features are as described above. Since it is the same as described, the following will focus on the differences.

도 23의 제1비표시영역(NDA1)을 참조하면, 제2 및 제3그루브(G2, G3)는 각각 하부 배리어층(700)으로 커버되되, 하부 배리어층(700)의 일 단부(700E)는 기판(100)의 단부(100E)와 동일한 선상에 위치할 수 있다. 제2그루브(G2) 상의 적층 구조는 앞서 도 16 및 도 18을 참조하여 설명한 바와 동일하다.Referring to the first non-display area NDA1 of FIG. 23, the second and third grooves G2 and G3 are each covered with the lower barrier layer 700, and one end 700E of the lower barrier layer 700 May be located on the same line as the end 100E of the substrate 100. The laminated structure on the second groove G2 is the same as previously described with reference to FIGS. 16 and 18.

제3그루브(G3) 상에는 제1 및 제2무기봉지층(310, 330)과 하부 배리어층(700)이 순차적으로 형성된다. 제2무기봉지층(330)은 제1무기봉지층(310)의 상면과 직접 접촉하고, 하부 배리어층(700)은 제2무기봉지층(330)의 상면과 직접 접촉할 수 있다.The first and second inorganic encapsulation layers 310 and 330 and the lower barrier layer 700 are sequentially formed on the third groove G3. The second inorganic encapsulation layer 330 may be in direct contact with the upper surface of the first inorganic encapsulation layer 310, and the lower barrier layer 700 may be in direct contact with the upper surface of the second inorganic encapsulation layer 330.

도 24를 참조하면, 제3그루브(G3) 중 제2베이스층(103)을 지나는 부분의 깊이(h3)는 제1 및 제2기능층(222a, 222c), 대향전극(223), 제1 및 제2무기봉지층(310, 330) 및 하부 배리어층(700)의 수직 방향(기판의 상면에 수직인 방향, z방향)으로의 두께의 합 보다 크게 형성될 수 있다. 제1 및 제2무기봉지층(310, 330) 및 제1 및 제3하부층(701, 703)은 화학기상증착법 등의 공정을 통해 형성될 수 있고, 제2 및 제4하부층(702, 704)은 스퍼터링법 등의 공정을 통해 형성될 수 있다. Referring to FIG. 24, the depth (h3) of the portion of the third groove (G3) passing through the second base layer (103) is the first and second functional layers (222a, 222c), the counter electrode (223), and the first and the second inorganic encapsulation layers 310 and 330 and the lower barrier layer 700 may be formed to be larger than the sum of the thicknesses in the vertical direction (direction perpendicular to the top surface of the substrate, z-direction). The first and second inorganic encapsulation layers 310, 330 and the first and third lower layers 701, 703 may be formed through a process such as chemical vapor deposition, and the second and fourth lower layers 702, 704 Can be formed through a process such as sputtering.

제1 및 제2무기봉지층(310, 330) 그리고 제1 및 제3하부층(701, 703)은, 제3그루브(G3)의 내부 표면을 전체적으로 커버할 수 있다. 반면, 제2 및 제4하부층(702, 704)은 공정 조건 등에 따라 무기절연층 보다 스텝 커버리지가 상대적으로 낮을 수 있다. 이 경우 도 24에 도시된 바와 같이 제2 및 제4하부층(702, 704)은 돌출 팁 주변에서 불연속적이거나 매우 얇게 형성될 수 있다. The first and second inorganic encapsulation layers 310 and 330 and the first and third lower layers 701 and 703 may entirely cover the inner surface of the third groove G3. On the other hand, the second and fourth lower layers 702 and 704 may have relatively lower step coverage than the inorganic insulating layer depending on process conditions, etc. In this case, as shown in FIG. 24, the second and fourth lower layers 702 and 704 may be discontinuous or formed very thin around the protruding tip.

도 25는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 개략적으로 나타낸 평면이고, 도 26은 도 25의 XXVI- XXVI'선에 따른 단면도이다. 도 25의 제1비표시영역(NDA1)에는 개구영역(OA)을 둘러싸는 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)가 위치할 수 있으며, 그 구체적 구성은 앞서 설명한 바와 같으며, 표시영역(DA)의 구조도 동일하므로, 이하에서는 차이점을 위주로 설명한다.FIG. 25 is a plan view schematically showing a portion of a display panel according to another embodiment of the present invention, and FIG. 26 is a cross-sectional view taken along line XXVI-XXVI' of FIG. 25. First to third grooves G1, G2, and G3 surrounding the opening area OA may be located in the first non-display area NDA1 of FIG. 25, the specific configuration of which is as described above, and the display Since the structure of the area (DA) is the same, the following will mainly explain the differences.

도 25 및 도 26을 참조하면, 제2비표시영역(NDA2)에는 적어도 하나의 외측그루브가 구비될 수 있다. 이와 관련하여 도 25 및 도 26에는, 제1 및 제2외측그루브(OG1, OG2)를 도시한다. 제1 및 제2외측그루브(OG1, OG2)는 제2비표시영역(NDA2)에서 표시영역(DA)을 적어도 부분적으로 둘러쌀 수 있다. Referring to FIGS. 25 and 26 , the second non-display area NDA2 may be provided with at least one outer groove. In this regard, first and second outer grooves OG1 and OG2 are shown in FIGS. 25 and 26 . The first and second outer grooves OG1 and OG2 may at least partially surround the display area DA in the second non-display area NDA2.

도 26의 제2비표시영역(NDA2)을 참조하면, 기판(100) 상에 형성된 절연층들 중 유기물을 포함하는 절연층(들)은 밸리홀을 포함할 수 있다. 예컨대, 유기절연층(209) 및 화소정의막(211)은 각각 제1 및 제2밸리홀(209VH, 211VH)를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 유기절연층(209) 아래의 무기물을 포함하는 절연층도 도 26에 도시된 바와 같이 밸리홀을 구비할 수 있다. 전술한 바와 같이 유기물은 투습 경로가 될 수 있는데, 표시 패널은 제1 및 제2밸리홀(209VH, 211VH)을 포함하는 밸리 구조(VY)를 구비하므로, 기판(100)의 상면과 나란한 방향(x방향)으로 침투하는 수분은 표시영역(DA)을 향해 이동할 수 없다. Referring to the second non-display area NDA2 of FIG. 26, among the insulating layers formed on the substrate 100, the insulating layer(s) containing an organic material may include valley holes. For example, the organic insulating layer 209 and the pixel defining layer 211 may include first and second valley holes 209VH and 211VH, respectively. In some embodiments, the insulating layer containing an inorganic material under the organic insulating layer 209 may also have valley holes as shown in FIG. 26. As described above, organic matter can become a moisture permeable path. Since the display panel has a valley structure (VY) including the first and second valley holes (209VH, 211VH), the display panel is provided in a direction parallel to the upper surface of the substrate 100 ( Moisture penetrating in the x direction) cannot move toward the display area (DA).

제2비표시영역(NDA2)에는 격벽(1500)이 구비될 수 있으며, 격벽(1500)은 제1외측그루브(OG1)의 내측, 즉 제1외측그루브(OG1) 보다 표시영역(DA)에 인접하게 배치될 수 있다. 격벽(1500)은 표시영역(DA)을 둘러쌀 수 있다. 격벽(1500)에 의해 유기봉지층(320)은 제1 및 제2외측그루브(OG1, OG2)를 향해 연장되지 않을 수 있다. 또는, 유기봉지층(320)을 형성하는 공정에서 제1외측그루브(OG1)에 유기물(1320A)이 존재할 수 있으나, 제1외측그루브(OG1)의 유기물(1320A)과 유기봉지층(320)의 단부는 격벽(1500)을 사이에 두고 분리될 수 있다.The second non-display area NDA2 may be provided with a partition wall 1500, and the partition wall 1500 is located inside the first outer groove OG1, that is, closer to the display area DA than the first outer groove OG1. It can be placed like this. The partition 1500 may surround the display area DA. Due to the partition wall 1500, the organic encapsulation layer 320 may not extend toward the first and second outer grooves OG1 and OG2. Alternatively, in the process of forming the organic encapsulation layer 320, the organic material 1320A may be present in the first outer groove OG1, but the organic material 1320A in the first outer groove OG1 and the organic encapsulation layer 320 The ends may be separated with a partition wall 1500 therebetween.

제1 및 제2무기봉지층(310, 330)은 각각 제2비표시영역(NDA2)을 커버하도록 기판(100)의 외측 단부(100OE)까지 연장된다. 제1 및 제2무기봉지층(310, 330)은 제1 및 제2외측그루브(OG1, OG2) 상에서 서로 접촉할 수 있다.The first and second inorganic encapsulation layers 310 and 330 extend to the outer end 100OE of the substrate 100 to cover the second non-display area NDA2, respectively. The first and second inorganic encapsulation layers 310 and 330 may contact each other on the first and second outer grooves OG1 and OG2.

제2무기봉지층(330) 상에는 배리어층(1700)이 구비될 수 있다. 배리어층(1700)은 앞서 설명한 하부 배리어층(700)과 동일한 공정에서 형성될 수 있으며, 동일한 적층 구조를 가질 수 있다.A barrier layer 1700 may be provided on the second inorganic encapsulation layer 330. The barrier layer 1700 may be formed in the same process as the lower barrier layer 700 described above and may have the same stacked structure.

배리어층(1700)은 적어도 어느 하나의 외측그루브, 예컨대 제1외측그루브(OG1)를 커버할 수 있으며, 제1외측그루브(OG1)를 중심으로 한 적층 구조는 앞서 도 16을 참조하여 설명한 구조와 실질적으로 동일하므로, 중복 설명은 생략한다. 다른 실시예로, 배리어층(1700)은 제1 및 제2외측그루브(OG1, OG2)를 모두 커버할 수 있으며, 배리어층(1700)의 단부는 기판(100)의 외측 단부(100OE)와 동일한 선상에 위치할 수 있다. The barrier layer 1700 may cover at least one outer groove, for example, the first outer groove (OG1), and the laminated structure centered on the first outer groove (OG1) has the structure described above with reference to FIG. 16. Since they are substantially the same, duplicate descriptions are omitted. In another embodiment, the barrier layer 1700 may cover both the first and second outer grooves OG1 and OG2, and the end of the barrier layer 1700 is the same as the outer end 100OE of the substrate 100. It can be located on board.

이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.As such, the present invention has been described with reference to an embodiment shown in the drawings, but this is merely an example, and those skilled in the art will understand that various modifications and variations of the embodiment are possible therefrom. Therefore, the true scope of technical protection of the present invention should be determined by the technical spirit of the attached patent claims.

100: 기판
101: 제1베이스층
102: 제1무기층
103: 제2베이스층
104: 제2무기층
200: 표시요소층
300: 박막봉지층
310: 제1무기봉지층
320: 유기봉지층
330: 제2무기봉지층
400: 입력감지층
610: 평탄화층
620: 배리어층
700: 하부 배리어층/ 배리어층
100: substrate
101: first base layer
102: First inorganic layer
103: second base layer
104: Second inorganic layer
200: Display element layer
300: Thin film encapsulation layer
310: First inorganic encapsulation layer
320: Organic bag layer
330: Second inorganic encapsulation layer
400: Input detection layer
610: Flattening layer
620: barrier layer
700: Lower barrier layer/barrier layer

Claims (20)

개구영역 및 상기 개구영역을 둘러싸는 표시영역을 구비한 기판;
상기 표시영역에 위치하는 복수의 표시요소들;
상기 표시요소들을 커버하며, 유기봉지층 및 상기 유기봉지층 상의 무기봉지층을 포함하는 박막봉지층;
상기 개구영역과 상기 표시영역 사이에 위치하고, 각각 언더컷 구조를 갖는 제1그루브 및 제2그루브;
상기 개구영역과 상기 표시영역 사이로 연장된 상기 무기봉지층 상에 배치되고, 상기 제1그루브 및 상기 제2그루브 중 적어도 어느 하나의 그루브를 커버하며, 유기절연물을 포함하는, 평탄화층; 및
상기 무기봉지층과 상기 평탄화층 사이에 배치되며, 상기 적어도 어느 하나의 그루브와 중첩하며 무기물을 포함하는, 하부 배리어층;
을 포함하는, 표시 패널.
A substrate having an opening area and a display area surrounding the opening area;
a plurality of display elements located in the display area;
a thin film encapsulation layer that covers the display elements and includes an organic encapsulation layer and an inorganic encapsulation layer on the organic encapsulation layer;
a first groove and a second groove located between the opening area and the display area, each having an undercut structure;
a planarization layer disposed on the inorganic encapsulation layer extending between the opening area and the display area, covering at least one of the first groove and the second groove, and including an organic insulating material; and
a lower barrier layer disposed between the inorganic encapsulation layer and the planarization layer, overlapping the at least one groove and containing an inorganic material;
A display panel containing.
제1항에 있어서,
상기 기판은 순차적으로 적층된 제1베이스층, 제1무기층, 제2베이스층 및 제2무기층을 포함하며,
상기 제1그루브 및 상기 제2그루브 각각의 바닥면은, 상기 제2베이스층의 하면이거나 상기 제2베이스층의 상면과 하면 사이에 위치한 가상의 면 상에 놓이는, 표시 패널.
According to paragraph 1,
The substrate includes a first base layer, a first inorganic layer, a second base layer, and a second inorganic layer sequentially stacked,
A bottom surface of each of the first groove and the second groove is a lower surface of the second base layer or a virtual surface located between the upper and lower surfaces of the second base layer.
제1항에 있어서,
상기 박막봉지층은, 제1무기봉지층, 상기 제1무기봉지층 상의 상기 유기봉지층, 및 상기 유기봉지층 상의 상기 무기봉지층을 포함하는, 표시 패널.
According to paragraph 1,
The display panel wherein the thin film encapsulation layer includes a first inorganic encapsulation layer, the organic encapsulation layer on the first inorganic encapsulation layer, and the inorganic encapsulation layer on the organic encapsulation layer.
제3항에 있어서,
상기 제1무기봉지층은 상기 제1그루브 및 상기 제2그루브 각각의 내부 표면을 커버하는, 표시 패널.
According to paragraph 3,
The display panel wherein the first inorganic encapsulation layer covers inner surfaces of each of the first groove and the second groove.
제3항 또는 제4항에 있어서,
상기 유기봉지층은 상기 제1그루브를 커버하며, 상기 제1그루브를 채우는, 표시 패널.
According to clause 3 or 4,
The organic encapsulation layer covers the first groove and fills the first groove.
제3항에 있어서,
상기 하부 배리어층은 상기 무기봉지층 위에 위치하며, 상기 무기봉지층의 상면과 직접 접촉하는, 표시 패널.
According to paragraph 3,
The display panel wherein the lower barrier layer is located on the inorganic encapsulation layer and directly contacts the upper surface of the inorganic encapsulation layer.
제1항에 있어서,
상기 제1그루브는 상대적으로 상기 표시영역에 인접하고 상기 제2그루브는 상기 표시영역에서 상대적으로 멀리 배치되며,
상기 하부 배리어층은 상기 제2그루브를 커버하는, 표시 패널.
According to paragraph 1,
The first groove is relatively adjacent to the display area and the second groove is disposed relatively far from the display area,
The display panel wherein the lower barrier layer covers the second groove.
제7항에 있어서,
상기 개구영역과 상기 제2그루브 사이에 배치되는 제3그루브를 더 포함하며, 상기 하부 배리어층은 상기 제2 및 제3그루브를 커버하는, 표시 패널.
In clause 7,
The display panel further includes a third groove disposed between the opening area and the second groove, and the lower barrier layer covers the second and third grooves.
제1항에 있어서,
상기 제2그루브는 상기 제2그루브의 중심을 향해 연장된 한 쌍의 팁을 포함하고,
상기 한 쌍의 팁의 바로 아래에 위치하는 유기물을 더 포함하는, 표시 패널.
According to paragraph 1,
The second groove includes a pair of tips extending toward the center of the second groove,
A display panel further comprising an organic material located immediately below the pair of tips.
제1항에 있어서,
상기 표시요소들 상에 배치된 입력감지층을 더 포함하는, 표시 패널.
According to paragraph 1,
A display panel further comprising an input sensing layer disposed on the display elements.
제10항에 있어서,
상기 하부 배리어층은 상기 입력감지층에 포함된 무기물과 동일한 물질을 포함하는, 표시 패널.
According to clause 10,
The display panel wherein the lower barrier layer includes the same material as the inorganic material included in the input sensing layer.
개구를 갖는 기판;
상기 개구를 적어도 부분적으로 둘러싸는 표시영역에 위치한 표시요소들;
상기 표시요소들 상에 위치하며, 제1무기봉지층, 유기봉지층 및 제2무기봉지층을 포함하는 박막봉지층;
상기 표시요소들 상에 위치하는 입력감지층;
상기 개구와 상기 표시영역 사이의 그루브영역에 위치하는 복수의 그루브들;
상기 복수의 그루브들 중 적어도 어느 하나의 그루브를 커버하며, 무기물을 포함하는 배리어층;
을 구비하는, 표시 패널.
A substrate having an opening;
display elements located in a display area at least partially surrounding the opening;
a thin film encapsulation layer located on the display elements and including a first inorganic encapsulation layer, an organic encapsulation layer, and a second inorganic encapsulation layer;
an input sensing layer located on the display elements;
a plurality of grooves located in a groove area between the opening and the display area;
a barrier layer covering at least one groove among the plurality of grooves and containing an inorganic material;
A display panel comprising:
제12항에 있어서,
상기 그루브영역에 위치하는 평탄화층을 더 포함하며,
상기 평탄화층은 상기 제2무기봉지층의 위에 배치되고 상기 유기봉지층은 상기 제2무기봉지층의 아래에 배치된, 표시 패널.
According to clause 12,
It further includes a planarization layer located in the groove area,
The display panel wherein the planarization layer is disposed above the second inorganic encapsulation layer and the organic encapsulation layer is disposed below the second inorganic encapsulation layer.
제13항에 있어서,
상기 입력감지층은 다층을 포함하며,
상기 배리어층 또는 상기 평탄화층 중 적어도 어느 하나는, 상기 입력감지층의 층들 중 적어도 어느 하나와 동일한 물질을 포함하는, 표시 패널.
According to clause 13,
The input sensing layer includes multiple layers,
At least one of the barrier layer and the planarization layer includes the same material as at least one of the layers of the input sensing layer.
제14항에 있어서,
상기 표시 패널은 유기물층과 상기 유기물층 위에 배치된 적어도 하나의 무기물층을 포함하는 다층 막을 포함하고,
상기 복수의 그루브들은 상기 다층 막의 두께 방향으로 오목하게 형성된, 표시 패널.
According to clause 14,
The display panel includes a multilayer film including an organic material layer and at least one inorganic material layer disposed on the organic material layer,
A display panel, wherein the plurality of grooves are concavely formed in a thickness direction of the multilayer film.
제15항에 있어서,
상기 기판은 순차적으로 적층된 제1베이스층, 제1무기층, 제2베이스층, 및 제2무기층을 포함하되, 상기 유기물층은 상기 제2베이스층을 포함하고 상기 적어도 하나의 무기물층은 상기 제2무기층을 포함하는, 표시 패널.
According to clause 15,
The substrate includes a first base layer, a first inorganic layer, a second base layer, and a second inorganic layer sequentially stacked, wherein the organic material layer includes the second base layer and the at least one inorganic layer includes the A display panel comprising a second inorganic layer.
제16항에 있어서,
상기 적어도 하나의 무기물층은 각각의 상기 복수의 그루브들에 대응하는 제1홀을 구비하고,
상기 유기물층은 상기 제1홀과 대응하는 홀 또는 리세스를 포함하며,
상기 제1홀을 정의하는 상기 적어도 하나의 무기물층의 측면은, 상기 홀 또는 상기 리세스를 정의하는 상기 유기물층의 측면 보다 상기 제1홀의 중심을 향해 더 돌출된, 표시 패널.
According to clause 16,
The at least one inorganic layer has a first hole corresponding to each of the plurality of grooves,
The organic layer includes a hole or recess corresponding to the first hole,
A side of the at least one inorganic layer defining the first hole protrudes more toward the center of the first hole than a side of the organic layer defining the hole or the recess.
제12항에 있어서,
상기 복수의 그루브는, 상기 표시영역에 인접한 제1그루브, 및 상기 제1그루브 보다 상기 개구에 인접한 제2그루브를 포함하며,
상기 유기봉지층은 상기 제1그루브를 커버하되, 상기 제1그루브를 채우는, 표시 패널.
According to clause 12,
The plurality of grooves include a first groove adjacent to the display area and a second groove closer to the opening than the first groove,
The organic encapsulation layer covers the first groove and fills the first groove.
제18항에 있어서,
상기 제2그루브 내에 존재하는 유기물을 포함하며, 상기 유기물은 상기 유기봉지층과 동일한 물질을 포함하는, 표시 패널.
According to clause 18,
A display panel comprising an organic material present in the second groove, wherein the organic material includes the same material as the organic encapsulation layer.
제19항에 있어서,
상기 제2그루브는 상기 배리어층으로 커버되는, 표시 패널.
According to clause 19,
The display panel wherein the second groove is covered with the barrier layer.
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