KR102632355B1 - Acoustic resonator - Google Patents

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삼성전기주식회사
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Abstract

본 발명은 음향 공진기에 관한 것으로, 이는 제1전극, 제2전극 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 위치하는 압전층을 포함하는 공진부; 및 상기 공진부의 적어도 일측에 배치되고 금속 산화물로 형성되는 보호층을 포함하여서, 단일막으로 보호층을 형성하여 희생층의 식각시 공진부 등의 다른 층들을 효과적으로 보호함과 동시에 공정을 줄일 수 있는 효과가 있다. The present invention relates to an acoustic resonator, which includes a resonator including a first electrode, a second electrode, and a piezoelectric layer located between the first electrode and the second electrode; And a protective layer disposed on at least one side of the resonance portion and formed of a metal oxide, wherein the protective layer is formed as a single film to effectively protect other layers such as the resonance portion when etching the sacrificial layer and at the same time reduce the process. It works.

Description

음향 공진기 {ACOUSTIC RESONATOR}Acoustic resonator {ACOUSTIC RESONATOR}

본 발명은 음향 공진기에 관한 것이다.
The present invention relates to acoustic resonators.

무선 통신 기기의 소형화 추세에 따라 고주파 부품기술의 소형화가 적극적으로 요구되고 있으며, 일례로 반도체 박막 웨이퍼 제조기술을 이용하는 박막 벌크 음향 공진기(FBAR: Film Bulk Acoustic Resonator)가 알려져 있다. In accordance with the trend toward miniaturization of wireless communication devices, miniaturization of high-frequency component technology is actively required. For example, a thin-film bulk acoustic resonator (FBAR) using semiconductor thin-film wafer manufacturing technology is known.

박막 벌크 음향 공진기란 반도체 기판인 실리콘 웨이퍼 상에 압전 유전체 물질을 증착하여 그 압전특성을 이용함으로써 공진을 유발시키도록 된 박막형태의 소자로 구현한 것이다.A thin film bulk acoustic resonator is a thin film device that induces resonance by depositing a piezoelectric dielectric material on a silicon wafer, a semiconductor substrate, and using its piezoelectric properties.

이용분야로는 이동통신기기, 화학 및 바이오기기 등의 소형 경량의 필터, 오실레이터, 공진소자, 음향 공진 질량센서 등이 있다.Fields of use include small and lightweight filters for mobile communication devices, chemical and bio devices, oscillators, resonant elements, and acoustic resonance mass sensors.

한편, 박막 벌크 음향 공진기의 특성과 성능을 높이기 위한 여러 가지 구조적 형상 및 기능에 대한 연구가 이루어지고 있으며, 특히 다양한 주파수와 대역을 확보하기 위한 구조와 재료 또는 제조 방법에 대한 연구가 요구되고 있다. Meanwhile, research is being conducted on various structural shapes and functions to improve the characteristics and performance of thin film bulk acoustic resonators, and in particular, research on structures, materials, or manufacturing methods to secure various frequencies and bands is required.

(특허문헌 1) 미국 특허공보 제6,239,536호
(Patent Document 1) U.S. Patent Publication No. 6,239,536

이에 본 발명은 희생층의 식각시 공진부를 보호하여 손상을 방지함과 더불어, 시드층과 압전층의 결정성을 높여 전체적인 성능을 향상시킬 수 있는 음향 공진기를 제공하는 데에 그 주된 목적이 있다.
Accordingly, the main purpose of the present invention is to provide an acoustic resonator that can improve overall performance by protecting the resonator part during etching of the sacrificial layer to prevent damage, and by increasing the crystallinity of the seed layer and piezoelectric layer.

본 발명에 따른 음향 공진기는, 제1전극, 제2전극 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 위치하는 압전층을 포함하는 공진부; 및 상기 공진부의 적어도 일측에 배치되고 금속 산화물로 형성되는 보호층을 포함하는 것을 특징으로 하여, 공진부를 보호할 수 있다.
An acoustic resonator according to the present invention includes a resonator unit including a first electrode, a second electrode, and a piezoelectric layer located between the first electrode and the second electrode; and a protective layer disposed on at least one side of the resonator and made of metal oxide, thereby protecting the resonator.

이상과 같이 본 발명에 의하면, 단일막으로 보호층을 형성하여 희생층의 식각시 공진부 등의 다른 층들을 효과적으로 보호함으로써 음향 공진기의 성능에 영향을 끼치는 것을 방지함과 동시에 공정을 줄임으로써 원가절감을 도모할 수 있는 효과가 있게 된다. As described above, according to the present invention, by forming a protective layer with a single layer, other layers such as the resonator are effectively protected when etching the sacrificial layer, thereby preventing the performance of the acoustic resonator from being affected and reducing costs by reducing the number of processes. There is an effect that can promote .

또한, 본 발명에 의하면, 시드층과 이에 따른 압전층의 고결정성 확보가 가능함에 따라 음향파의 손실을 최소화하고 음향 공진기의 kt2(Electro-mechanical Coupling Coefficient)값 및 성능을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
In addition, according to the present invention, it is possible to secure high crystallinity of the seed layer and the resulting piezoelectric layer, thereby minimizing the loss of acoustic waves and improving the kt2 (Electro-mechanical Coupling Coefficient) value and performance of the acoustic resonator. there is.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 음향 공진기의 단면도이다.
도 2는 도 1의 요부를 도시한 확대 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 음향 공진기의 요부를 도시한 확대 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제3실시예에 따른 음향 공진기의 요부를 도시한 확대 단면도이다.1 is a cross-sectional view of an acoustic resonator according to a first embodiment of the present invention.
Figure 2 is an enlarged cross-sectional view showing the main part of Figure 1.
Figure 3 is an enlarged cross-sectional view showing the main part of the acoustic resonator according to the second embodiment of the present invention.
Figure 4 is an enlarged cross-sectional view showing the main part of the acoustic resonator according to the third embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시예를 예시적인 도면들을 통해 상세하게 설명된다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail through exemplary drawings.

각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. When adding reference numerals to components in each drawing, it should be noted that identical components are given the same reference numerals as much as possible even if they are shown in different drawings.

또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
Additionally, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 음향 공진기의 단면도이고, 도 2는 도 1의 요부를 도시한 확대 단면도이다.Figure 1 is a cross-sectional view of an acoustic resonator according to a first embodiment of the present invention, and Figure 2 is an enlarged cross-sectional view showing the main part of Figure 1.

이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 음향 공진기(100)는, 제1전극(151), 제2전극(152), 및 제1전극과 제2전극 사이에 위치하는 압전층(153)을 포함하는 공진부(150); 및 이 공진부의 적어도 일측에 배치되고 금속 산화물로 형성되는 보호층(140, 160)을 포함하고 있다. As shown in these figures, the acoustic resonator 100 according to the first embodiment of the present invention includes a first electrode 151, a second electrode 152, and a structure located between the first electrode and the second electrode. A resonance portion 150 including a piezoelectric layer 153; and protective layers 140 and 160 disposed on at least one side of the resonance portion and made of metal oxide.

본 발명의 제1실시예에 따른 음향 공진기(100)에서, 보호층은 공진부(150)의 제1전극(151)에 인접하게 배치된 제1보호층(140); 및 이 공진부에서 제1보호층의 반대쪽에 배치된, 즉 공진부의 제2전극(152)에 인접하게 배치된 제2보호층(160)을 포함하는 것을 특징으로 한다. In the acoustic resonator 100 according to the first embodiment of the present invention, the protective layer includes a first protective layer 140 disposed adjacent to the first electrode 151 of the resonator 150; and a second protective layer 160 disposed on the opposite side of the first protective layer in the resonance portion, that is, disposed adjacent to the second electrode 152 of the resonance portion.

또한, 본 발명의 제1실시예에 따른 음향 공진기(100)는 제1보호층(140)에서 공진부(150)의 반대쪽에 배치된 기판(110)을 더 포함할 수 있다. Additionally, the acoustic resonator 100 according to the first embodiment of the present invention may further include a substrate 110 disposed on the first protective layer 140 opposite to the resonator 150.

기판(110)은 실리콘 기판 또는 SOI(Silicon On Insulator) 타입의 기판으로 형성될 수 있다. The substrate 110 may be formed of a silicon substrate or a silicon on insulator (SOI) type substrate.

이러한 기판(110)과 제1보호층(140) 사이에는 에어 갭(130)이 형성될 수 있으며, 이 에어 갭을 통해 제1보호층은 기판과 적어도 일부가 이격되게 배치된다. An air gap 130 may be formed between the substrate 110 and the first protective layer 140, and the first protective layer is at least partially spaced apart from the substrate through this air gap.

공진부(150)가 제1보호층(140) 상에 형성되므로, 공진부 역시 에어 갭(130)을 통해 기판(110)과 이격될 수 있다. Since the resonator 150 is formed on the first protective layer 140, the resonator part can also be spaced apart from the substrate 110 through the air gap 130.

제1보호층(140)과 기판(110) 사이에 에어 갭(130)이 형성됨으로써, 압전층(153)에서 발생하는 음향파(Acoustic Wave)가 기판의 영향을 받지 않도록 할 수 있다.By forming the air gap 130 between the first protective layer 140 and the substrate 110, acoustic waves generated in the piezoelectric layer 153 can be prevented from being affected by the substrate.

또한, 에어 갭(130)을 통하여 공진부(150)에서 발생하는 음향파의 반사특성이 향상될 수 있다. Additionally, the reflection characteristics of acoustic waves generated in the resonator 150 can be improved through the air gap 130.

에어 갭(130)은 비어 있는 공간으로서 임피던스가 무한대에 가깝기 때문에, 에어 갭으로 인해 음향파는 손실되지 않고서 공진부(150) 내에 잔존할 수 있다.Since the air gap 130 is an empty space and has an impedance close to infinity, acoustic waves can remain in the resonator 150 without being lost due to the air gap.

따라서, 에어 갭(130)을 통해 종방향으로의 음향파 손실을 최소화시킬 수 있게 되며, 이로써 공진부(150)의 품질 계수(Quality Factor; QF)를 향상시킬 수 있다.Accordingly, it is possible to minimize acoustic wave loss in the longitudinal direction through the air gap 130, thereby improving the quality factor (QF) of the resonator 150.

제1보호층(140)은 에어 갭(130)의 상부에 위치하여 에어 갭의 형상을 유지시키고, 공진부(150)의 구조를 지지하는 역할을 한다.The first protective layer 140 is located on top of the air gap 130, maintains the shape of the air gap, and serves to support the structure of the resonance unit 150.

이러한 제1보호층(140)은 산화 알루미늄(Aluminium Oxide; Al2O3) 등과 같은 금속 산화물로 형성될 수 있다. This first protective layer 140 may be formed of a metal oxide such as aluminum oxide (Al 2 O 3 ).

제1보호층(140)을 산화 알루미늄으로 형성하기 위해서는, 예를 들어 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD)을 이용하여 증착할 수 있는데, 산화 알루미늄은 핀홀(Pinhole) 등과 같은 결함이 없는 박막을 형성할 수 있어, 보호층으로 사용되기에 적합하다. To form the first protective layer 140 of aluminum oxide, it can be deposited using, for example, atomic layer deposition (ALD). Aluminum oxide forms a thin film without defects such as pinholes. It can be formed, making it suitable for use as a protective layer.

후술하는 바와 같이, 희생층을 식각하여 에어 갭(130)을 형성할 때, 제1보호층(140)은 식각 스토퍼로서 기능할 수 있게 된다. As will be described later, when the sacrificial layer is etched to form the air gap 130, the first protective layer 140 can function as an etch stopper.

물론, 기판(110)을 보호하기 위해 기판상에도 식각 스토퍼로서 기능하는 저지층(120)이 형성될 수 있으며, 이 저지층에는 산화 실리콘(SiOX) 또는 질화 실리콘(SiNX) 등이 포함될 수 있다.Of course, in order to protect the substrate 110, a stop layer 120 that functions as an etch stopper may be formed on the substrate, and this stop layer may include silicon oxide ( SiO there is.

한편으로, 이렇게 증착된 산화 알루미늄의 제1보호층(140)은 시드층(145)의 증착시 그 결정성을 높이는 데에 기여할 수 있다.On the other hand, the first protective layer 140 of aluminum oxide deposited in this way can contribute to increasing the crystallinity of the seed layer 145 when deposited.

여기서, 시드층(145)은 제1보호층(140) 상에 곧바로 제1전극(151)을 형성하기가 곤란하므로 그 접착성을 도모하기 위하여 형성됨과 더불어, 후술할 압전층(153)의 결정성을 높이기 위해서는 그 아래에 놓인 제1전극의 결정성이 확보되어야 하는데, 이를 위해 제1전극의 아래에 시드층이 사용될 수 있다. Here, the seed layer 145 is formed to improve adhesion since it is difficult to form the first electrode 151 directly on the first protective layer 140, and also to determine the piezoelectric layer 153, which will be described later. In order to increase the crystallinity of the first electrode placed underneath, the crystallinity must be secured, and for this purpose, a seed layer can be used under the first electrode.

시드층(145)이 공진부(150)의 일측, 즉 제1전극(151)과 제1보호층(140)의 사이에 배치되게 된다. The seed layer 145 is disposed on one side of the resonator 150, that is, between the first electrode 151 and the first protective layer 140.

이러한 시드층(145)은 질화 알루미늄(AlN), 도핑된 질화 알루미늄(예컨대 Sc-AlN, MgZr-AlN, Cr-AlN, Er-AlN, Y-AlN) 또는 기타 동일한 결정성 물질, 예를 들면 알루미늄 옥시나이트라이드(ALON) 등을 이용하여 제조할 수 있다. This seed layer 145 is made of aluminum nitride (AlN), doped aluminum nitride (e.g. Sc-AlN, MgZr-AlN, Cr-AlN, Er-AlN, Y-AlN) or other identical crystalline materials, such as aluminum. It can be manufactured using oxynitride (ALON), etc.

예를 들어, 압전층(153)이 질화 알루미늄(AlN)으로 형성되고, 제1전극(151)이 몰리브덴으로 형성되는 경우에, 질화 알루미늄으로 된 압전층의 박막은 초기에 다결정(Polycrystalline) 성장 특성을 보이다가 성장 속도가 가장 빠른 (001) 방향으로 정렬한다. For example, when the piezoelectric layer 153 is formed of aluminum nitride (AlN) and the first electrode 151 is formed of molybdenum, the thin film of the piezoelectric layer made of aluminum nitride initially has polycrystalline growth characteristics. and then sorted in the (001) direction with the fastest growth rate.

만약 시드층 없이 예컨대 몰리브덴으로 된 제1전극(151)을 성장시키면 몰리브덴의 결정성 저하로 그 위에 증착하게 되는 질화 알루미늄의 압전층(153)도 결정성이 매우 좋지 않게 된다. If the first electrode 151 made of, for example, molybdenum is grown without a seed layer, the crystallinity of the aluminum nitride piezoelectric layer 153 deposited thereon will also be very poor due to the decrease in crystallinity of molybdenum.

하지만, 압전층(153)의 재질과 동일한 결정성 물질, 예컨대 질화 알루미늄으로 된 시드층(145)을 사용하게 되면, (001) 방향, 즉 적층방향으로 성장하기 시작한 질화 알루미늄 시드가 몰리브덴으로 된 제1전극(151)의 결정성 확보를 가능하게 하고, 그 위에 올라간 질화 알루미늄의 압전층(153)도 고결정성을 가지게 된다. However, when the seed layer 145 made of the same crystalline material as the material of the piezoelectric layer 153, for example, aluminum nitride, is used, the aluminum nitride seed that begins to grow in the (001) direction, that is, the stacking direction, is made of molybdenum. It is possible to secure the crystallinity of the first electrode 151, and the piezoelectric layer 153 of aluminum nitride placed on top of it also has high crystallinity.

이렇게 압전층(153)의 결정성이 우수하게 되면, 음향 공진기(100)의 kt2값이 커지는 효과를 얻을 수 있다. When the crystallinity of the piezoelectric layer 153 becomes excellent, the effect of increasing the kt2 value of the acoustic resonator 100 can be obtained.

더구나, 질화 알루미늄과 산화 알루미늄은 동일한 기하형태의 단위격자(Unit Cell)를 가진 육방정계(Hexagonal System)를 가지고 있어, 두 물질을 적층할 때 결정성 확보가 유리하게 이루어질 수 있다.Moreover, aluminum nitride and aluminum oxide have a hexagonal system with a unit cell of the same geometry, so crystallinity can be advantageously secured when stacking the two materials.

이에, 본 발명에서는 압전층(153)의 결정성 확보를 통한 kt2값의 향상을 위하여 예컨대 질화 알루미늄 등으로 된 시드층(145)의 아래에 격자 불일치가 낮은 예컨대 산화 알루미늄으로 된 제1보호층(140)이 마련되어 있다. Accordingly, in the present invention, in order to improve the kt2 value by securing the crystallinity of the piezoelectric layer 153, a first protective layer (e.g., aluminum oxide) with low lattice mismatch is placed under the seed layer 145 (e.g., aluminum nitride) ( 140) is provided.

예를 들어, 질화 알루미늄으로 된 시드층(145)의 아래에 격자 불일치가 낮은 산화 알루미늄으로 된 제1보호층(140)을 채용하게 되면, 산화 알루미늄은 적층방향으로 성장하고, 질화 알루미늄과 산화 알루미늄은 낮은 격자 불일치를 갖기 때문에, 질화 알루미늄으로 된 시드층은 초기의 다결정 성장 없이 바로 (001) 방향, 즉 적층방향으로 성장할 것이다. For example, when the first protective layer 140 made of aluminum oxide with a low lattice mismatch is adopted under the seed layer 145 made of aluminum nitride, the aluminum oxide grows in the stacking direction, and the aluminum nitride and aluminum oxide Since has a low lattice mismatch, the seed layer of aluminum nitride will grow directly in the (001) direction, i.e., the stacking direction, without initial polycrystalline growth.

따라서, 산화 알루미늄의 제1보호층(140)으로 인해, 질화 알루미늄으로 된 시드층(145)의 고결정성이 확보되고, 그 위에 성장한 몰리브덴으로 된 제1전극(151)과 질화 알루미늄으로 된 압전층(153)의 결정성이 향상되게 되어, 음향파의 손실이 커지지 않으면서도 높은 kt2값을 얻을 수 있게 되는 것이다.
Therefore, the high crystallinity of the seed layer 145 made of aluminum nitride is secured due to the first protective layer 140 of aluminum oxide, and the first electrode 151 made of molybdenum and the piezoelectric layer made of aluminum nitride grown thereon. The crystallinity of (153) is improved, making it possible to obtain a high kt2 value without increasing the loss of acoustic waves.

공진부(150)는 전술한 바와 같이 제1전극(151)과 제2전극(152) 및 압전층(153)을 포함하는데, 공진부는 아래에서부터 제1전극과 압전층 및 제2전극이 순서대로 적층되어 형성될 수 있다. As described above, the resonance unit 150 includes a first electrode 151, a second electrode 152, and a piezoelectric layer 153. The resonance unit includes the first electrode, the piezoelectric layer, and the second electrode in that order from the bottom. It can be formed by stacking.

이에 따라 제1전극(151)과 제2전극(152) 사이에 압전층(153)이 배치될 수 있다. Accordingly, the piezoelectric layer 153 may be disposed between the first electrode 151 and the second electrode 152.

공진부(150)가 제1보호층(140) 상에 형성되기 때문에, 결국 기판(110)의 상부에는 제1보호층(140), 시드층(145), 제1전극(151), 압전층(153) 및 제2전극(152)이 순서대로 적층되게 된다.Since the resonator 150 is formed on the first protective layer 140, the first protective layer 140, the seed layer 145, the first electrode 151, and the piezoelectric layer are ultimately formed on the upper part of the substrate 110. (153) and the second electrode 152 are stacked in order.

이러한 공진부(150)는 제1전극(151)과 제2전극(152)에 인가되는 전기 신호에 따라 압전층(153)을 공진시켜 공진 주파수 및 반공진 주파수를 발생시킬 수 있다.This resonator 150 may resonate the piezoelectric layer 153 according to an electrical signal applied to the first electrode 151 and the second electrode 152 to generate a resonance frequency and an anti-resonance frequency.

제1전극(151) 및 제2전극(152)은 금, 몰리브덴, 루테늄, 알루미늄, 백금, 티타늄, 텅스텐, 팔라듐, 크롬, 니켈, 이리듐 등과 같은 금속으로 형성될 수 있다.The first electrode 151 and the second electrode 152 may be formed of metal such as gold, molybdenum, ruthenium, aluminum, platinum, titanium, tungsten, palladium, chromium, nickel, iridium, etc.

공진부(150)는 압전층(153)의 음향파를 이용하는데, 예를 들어 제1전극(151)과 제2전극(152)에 신호가 인가되면, 압전층의 두께방향으로 기계적 진동이 발생하여 음향파가 생성된다.The resonance unit 150 uses acoustic waves of the piezoelectric layer 153. For example, when a signal is applied to the first electrode 151 and the second electrode 152, mechanical vibration occurs in the thickness direction of the piezoelectric layer. Thus, acoustic waves are generated.

여기서, 압전층(153)은 산화 아연(ZnO), 질화 알루미늄(AlN), 이산화 실리콘(SiO2), 도핑된 산화 아연(예컨대 W-ZnO), 도핑된 질화 알루미늄(예컨대 Sc-AlN, MgZr-AlN, Cr-AlN, Er-AlN, Y-AlN) 등과 같은 압전체 재질로 형성될 수 있다.Here, the piezoelectric layer 153 is made of zinc oxide (ZnO), aluminum nitride (AlN), silicon dioxide (SiO 2 ), doped zinc oxide (e.g. W-ZnO), doped aluminum nitride (e.g. Sc-AlN, MgZr- It may be formed of a piezoelectric material such as AlN, Cr-AlN, Er-AlN, Y-AlN).

압전층(153)의 공진 현상은 인가된 신호 파장의 1/2이 압전층의 두께와 일치할 때 발생한다. The resonance phenomenon of the piezoelectric layer 153 occurs when 1/2 of the applied signal wavelength matches the thickness of the piezoelectric layer.

이러한 공진 현상이 발생할 때, 전기적 임피던스가 급격하게 변하므로 본 발명의 음향 공진기는 주파수를 선택할 수 있는 필터로 사용될 수 있다.When this resonance phenomenon occurs, the electrical impedance changes rapidly, so the acoustic resonator of the present invention can be used as a filter that can select frequencies.

공진 주파수는 압전층(153)의 두께, 그리고 압전층을 감싸고 있는 제1전극(151)과 제2전극(152) 및 압전층(153)의 고유 탄성파 속도 등에 의해 결정된다.The resonance frequency is determined by the thickness of the piezoelectric layer 153, the intrinsic elastic wave velocity of the first and second electrodes 151 and 152 surrounding the piezoelectric layer, and the piezoelectric layer 153.

일 예로 압전층(153)의 두께가 얇으면 얇을수록 공진 주파수는 커지게 된다.For example, the thinner the piezoelectric layer 153 is, the larger the resonance frequency becomes.

또한, 압전층(153)이 공진부(150) 내에만 배치되므로, 압전층에 의해 형성된 음향파가 공진부의 외부로 누설되는 것을 최소화할 수 있다. Additionally, since the piezoelectric layer 153 is disposed only within the resonator 150, leakage of acoustic waves formed by the piezoelectric layer to the outside of the resonator can be minimized.

공진부(150)에서 제1보호층(140)의 반대쪽에는, 공진부의 제2전극(152)에 인접하게 배치된 제2보호층(160)이 마련되어 있다. On the opposite side of the first protective layer 140 from the resonance unit 150, a second protective layer 160 is provided adjacent to the second electrode 152 of the resonance unit.

이 제2보호층(160)은 제2전극(152)을 덮어씌워 제2전극이 외부 환경에 노출되는 것을 방지한다.This second protective layer 160 covers the second electrode 152 and prevents the second electrode from being exposed to the external environment.

제2보호층(160)도 산화 알루미늄으로 형성되기 위해서는, 예를 들어 원자층 증착법(ALD)을 이용하여 증착할 수 있는데, 산화 알루미늄은 핀홀 등과 같은 결함이 없는 박막을 형성할 수 있어, 보호층으로 사용되기에 적합하다. In order for the second protective layer 160 to be formed of aluminum oxide, it can be deposited using, for example, atomic layer deposition (ALD). Aluminum oxide can form a thin film without defects such as pinholes, so the protective layer It is suitable to be used as

후술하는 바와 같이, 희생층을 식각하여 에어 갭(130)을 형성할 때, 제2보호층(140)은 공진부(150)를 덮어씌우고 있어 공진부를 보호하게 된다. As will be described later, when the sacrificial layer is etched to form the air gap 130, the second protective layer 140 covers the resonant part 150 and protects the resonant part.

제1전극(151)과 제2전극(152)은 압전층(153)의 외측으로 연장 형성되고, 연장된 부분에 각각 제1접속부(171)와 제2접속부(172)가 연결된다. The first electrode 151 and the second electrode 152 extend to the outside of the piezoelectric layer 153, and the first connection part 171 and the second connection part 172 are connected to the extended portion, respectively.

이들 제1접속부(171)와 제2접속부(172)는 공진기와 필터의 특성을 확인하고 필요한 주파수 트리밍을 수행하기 위해 구비될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
These first connection parts 171 and second connection parts 172 may be provided to check the characteristics of the resonator and filter and perform necessary frequency trimming, but are not limited thereto.

이하에서는 본 발명의 제1실시예에 따른 음향 공진기의 제조 방법을 설명한다. Hereinafter, a method for manufacturing an acoustic resonator according to the first embodiment of the present invention will be described.

먼저, 기판(110)의 상부에 저지층(120)을 형성한다.First, a stop layer 120 is formed on the top of the substrate 110.

저지층(120)은 에어 갭(130)을 형성하기 위해 희생층(미도시)을 제거할 때 기판(110)을 보호하는 역할을 한다. The stop layer 120 serves to protect the substrate 110 when the sacrificial layer (not shown) is removed to form the air gap 130.

이러한 저지층(120)은 산화 실리콘(SiOX) 또는 질화 실리콘(SiNX) 등으로 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.This stop layer 120 may be formed of silicon oxide ( SiO

다음으로, 희생층을 저지층(120) 위에 형성하는데, 희생층의 재질로는 폴리실리콘 또는 폴리머 등이 사용될 수 있다.Next, a sacrificial layer is formed on the stop layer 120, and polysilicon or polymer may be used as a material for the sacrificial layer.

이러한 희생층은 추후의 식각 공정을 통해 제거되어 에어 갭(130)을 형성하게 된다. This sacrificial layer is removed through a later etching process to form the air gap 130.

이어서, 저지층(120)과 희생층의 상부에 제1보호층(140)을 형성한다. Next, a first protective layer 140 is formed on the stop layer 120 and the sacrificial layer.

제1보호층(140)은 산화 알루미늄(Al2O3)으로 형성될 수 있는데, 이를 위해 예컨대 원자층 증착법(ALD)을 이용하여 증착할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. The first protective layer 140 may be formed of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), and may be deposited using, for example, atomic layer deposition (ALD), but is not limited thereto.

반응챔버 내에 저지층(120)과 희생층이 적층된 기판(110)을 적치하고, 금속(여기서는 Al) 전구체를 공급하여 기판 중 저지층과 희생층의 상부에 흡착막을 형성한다. The substrate 110 on which the stop layer 120 and the sacrificial layer are stacked is placed in a reaction chamber, and a metal (here, Al) precursor is supplied to form an adsorption film on the top of the stop layer and the sacrificial layer of the substrate.

이어, 반응에 참여하지 못한 금속 전구체를 퍼징(Purging)한 후, 반응챔버 내에 산소 공급원을 공급하며, 이러한 산소 공급원의 유입으로 인해 금속이 산화되어 산화물(여기서는 Al2O3)이 기판 중 저지층과 희생층의 상부에 형성된다. Next, after purging the metal precursor that did not participate in the reaction, an oxygen source is supplied into the reaction chamber. Due to the inflow of this oxygen source, the metal is oxidized and oxide (here, Al 2 O 3 ) is formed in the stop layer of the substrate. and is formed on top of the sacrificial layer.

이후 퍼징에 의해 잔여 불순물을 제거하면 기판(110) 상에는 산화 알루미늄으로 된 제1보호층(140)이 남게 되는 것이다.Afterwards, when the remaining impurities are removed by purging, the first protective layer 140 made of aluminum oxide remains on the substrate 110.

제1보호층(140)의 상부에 시드층(145)을 형성하는데, 시드층을 제조하는 기술 및 프로세스는 당해 기술 분야에서는 널리 알려져 있고, 예를 들면 스퍼터링 기술이 이를 위해 이용될 수 있다.The seed layer 145 is formed on the first protective layer 140. The technology and process for manufacturing the seed layer are widely known in the art, and for example, sputtering technology can be used for this.

특히 스퍼터링의 공정 조건, 예를 들면 온도, 진공도, 전원의 세기, 주입되는 가스량 등을 적당하게 제어함으로써, 시드층(145)을 (001) 방향, 즉 적층방향으로만 성장시킬 수 있다. In particular, by appropriately controlling the sputtering process conditions, such as temperature, vacuum degree, power intensity, and injected gas amount, the seed layer 145 can be grown only in the (001) direction, that is, in the stacking direction.

이와 같이 대부분이 원하는 배향, 즉 (001) 방향으로 배향하고 있으면, 후술하는 바와 같이 시드층(145) 위에 압전층(153)을 형성할 때, 압전층이 시드층의 결정 구조를 계승해 동일한 결정 구조로 배향되게 된다. In this way, if most of them are oriented in the desired orientation, that is, in the (001) direction, when forming the piezoelectric layer 153 on the seed layer 145, as will be described later, the piezoelectric layer inherits the crystal structure of the seed layer and has the same crystal structure. is oriented.

제1실시예에서 시드층(145)은 질화 알루미늄(AlN)으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 도핑된 질화 알루미늄(예컨대 Sc-AlN, MgZr-AlN, Cr-AlN, Er-AlN, Y-AlN) 또는 기타 동일한 결정성 물질, 예를 들면 알루미늄 옥시나이트라이드(ALON) 등이 이용될 수 있다. In the first embodiment, the seed layer 145 may be formed of aluminum nitride (AlN), but is not limited thereto, and may be formed of doped aluminum nitride (e.g., Sc-AlN, MgZr-AlN, Cr-AlN, Er-AlN, Y-AlN) or other identical crystalline materials such as aluminum oxynitride (ALON) may be used.

그 후에, 시드층(145)의 상부에 제1전극(151)과 압전층(153)을 순차적으로 형성한다.Afterwards, the first electrode 151 and the piezoelectric layer 153 are sequentially formed on the seed layer 145.

제1전극(151)은 시드층(145)의 상부에 도전층을 증착함으로써 형성될 수 있으며, 마찬가지로 압전층(153)은 제1전극(151) 상에 압전 물질을 증착함으로써 형성될 수 있다. The first electrode 151 may be formed by depositing a conductive layer on top of the seed layer 145, and similarly, the piezoelectric layer 153 may be formed by depositing a piezoelectric material on the first electrode 151.

제1실시예에서 제1전극(151)은 몰리브덴(Mo) 재질로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 금, 루테늄, 알루미늄, 백금, 티타늄, 텅스텐, 팔라듐, 크롬, 니켈, 이리듐 등 다양한 금속이 이용될 수 있다. In the first embodiment, the first electrode 151 may be formed of molybdenum (Mo), but is not limited thereto, and may be made of various materials such as gold, ruthenium, aluminum, platinum, titanium, tungsten, palladium, chromium, nickel, and iridium. Metal may be used.

또, 제1실시예에서 압전층(153)은 질화 알루미늄(AlN)으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 산화 아연(ZnO)이나 이산화 실리콘(SiO2), 도핑된 산화 아연(예컨대 W-ZnO), 도핑된 질화 알루미늄(예컨대 Sc-AlN, MgZr-AlN, Cr-AlN, Er-AlN, Y-AlN) 등 다양한 압전 재질이 이용될 수 있다.Additionally, in the first embodiment, the piezoelectric layer 153 may be formed of aluminum nitride (AlN), but is not limited thereto, and may be formed of zinc oxide (ZnO), silicon dioxide (SiO 2 ), or doped zinc oxide (e.g., W -ZnO), doped aluminum nitride (e.g. Sc-AlN, MgZr-AlN, Cr-AlN, Er-AlN, Y-AlN), etc. can be used.

여기서, 제1전극(151)과 압전층(153)은 각각 도전층 또는 압전층의 상부에 포토레지스트를 증착하며, 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝을 수행한 후, 패터닝 된 포토레지스트를 마스크로 하여 불필요한 부분을 제거함으로써 필요한 패턴으로 형성될 수 있다.Here, the first electrode 151 and the piezoelectric layer 153 each deposit a photoresist on the conductive layer or the piezoelectric layer, and after patterning is performed through a photolithography process, the patterned photoresist is used as a mask to remove unnecessary material. By removing parts, it can be formed into the required pattern.

이를 통해, 압전층(153)은 제1전극(151)의 상부에만 남게 되며, 이에 제1전극은 압전층의 주변으로 더 돌출되는 형태로 남게 된다.Through this, the piezoelectric layer 153 remains only on the top of the first electrode 151, and thus the first electrode remains in a form that protrudes further to the periphery of the piezoelectric layer.

다음으로, 제2전극(152)을 형성한다.Next, the second electrode 152 is formed.

제2전극(152)은 압전층(153)과 제1전극(151)의 위에 도전층을 형성한 다음, 도전층 상에 포토레지스트를 증착하고 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝을 수행한 후, 패터닝 된 포토레지스트를 마스크로 하여 필요한 패턴으로 형성될 수 있다.The second electrode 152 is formed by forming a conductive layer on the piezoelectric layer 153 and the first electrode 151, depositing a photoresist on the conductive layer, and performing patterning through a photolithography process. The required pattern can be formed using photoresist as a mask.

제1실시예에서 제2전극(152)은 루테늄(Ru)으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 금, 몰리브덴, 알루미늄, 백금, 티타늄, 텅스텐, 팔라듐, 크롬, 니켈, 이리듐 등 다양한 금속이 이용될 수 있다. In the first embodiment, the second electrode 152 may be formed of ruthenium (Ru), but is not limited thereto, and may be made of various metals such as gold, molybdenum, aluminum, platinum, titanium, tungsten, palladium, chromium, nickel, and iridium. This can be used.

공진부(150)의 상부에 제2보호층(160)을 형성할 수 있다. A second protective layer 160 may be formed on the resonator part 150.

제2보호층(160)도 산화 알루미늄(Al2O3)으로 형성될 수 있는데, 이를 위해 예컨대 원자층 증착법(ALD)을 이용하여 증착할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 임의의 증착법을 통해 핀홀 등과 같은 결함 없이 보호층을 형성할 수 있다면 충분하다.The second protective layer 160 may also be formed of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), and for this purpose, it may be deposited using, for example, atomic layer deposition (ALD), but is not necessarily limited thereto and may be any other deposition method. It is sufficient if a protective layer can be formed without defects such as pinholes.

그 후에, 예컨대 주파수 트리밍에 이용될 수 있는 접속부(171, 172)들을 형성한다.Afterwards, connections 171 and 172 are formed, which can be used for frequency trimming, for example.

제1접속부(171)와 제2접속부(172)는 각각 제2보호층(160)을 관통하여 제1전극(151)과 제2전극(152)에 접합된다.The first connection part 171 and the second connection part 172 pass through the second protective layer 160 and are connected to the first electrode 151 and the second electrode 152, respectively.

제1접속부(171)는 제2보호층(160)을 부분적으로 제거하여 구멍을 형성함으로써 제1전극(151)을 외부로 노출시킨 후, 금(Au) 또는 구리(Cu) 등을 제1전극 상에 증착하여 형성할 수 있다.The first connection part 171 exposes the first electrode 151 to the outside by partially removing the second protective layer 160 to form a hole, and then gold (Au) or copper (Cu) is applied to the first electrode. It can be formed by depositing on a surface.

마찬가지로, 제2접속부(172)도 제2보호층(160)을 부분적으로 제거하여 구멍을 형성하고 제2전극(152)을 외부로 노출시킨 후, 금(Au) 또는 구리(Cu) 등을 제2전극 상에 증착하여 형성할 수 있다.Likewise, the second connection portion 172 also forms a hole by partially removing the second protective layer 160, exposes the second electrode 152 to the outside, and then deposits gold (Au) or copper (Cu). It can be formed by depositing on two electrodes.

이들 접속부(171, 172)를 이용하여 공진부(150) 또는 필터의 특성을 확인하고 필요한 주파수 트리밍을 수행한 다음에, 에어 갭(130)을 형성한다. The characteristics of the resonator 150 or filter are checked using these connection parts 171 and 172, necessary frequency trimming is performed, and then the air gap 130 is formed.

에어 갭(130)은 전술한 바와 같이 희생층을 제거함에 따라 형성되며, 이에 따라 본 발명의 제1실시예에 따른 공진부(150)가 완성된다. The air gap 130 is formed by removing the sacrificial layer as described above, and thus the resonator unit 150 according to the first embodiment of the present invention is completed.

여기서 희생층은 건식 식각을 통해 제거될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. Here, the sacrificial layer may be removed through dry etching, but is not necessarily limited to this.

예를 들어 희생층을 폴리실리콘으로 형성하는 경우, 이 희생층은 이불화 제논(XeF2) 등과 같은 건식 식각용 가스를 통해 제거될 수 있다. For example, when the sacrificial layer is made of polysilicon, the sacrificial layer can be removed using a dry etching gas such as xenon difluoride (XeF 2 ).

희생층까지 연결되는 통로를 패터닝 등을 이용하여 형성하고, 이 통로에다 식각이 가능한 건식 식각용 가스를 흘려보내어 희생층을 식각으로 제거하게 된다.A passage connecting to the sacrificial layer is formed using patterning, etc., and a dry etching gas capable of etching is flowed through this passage to remove the sacrificial layer by etching.

이와 같이 희생층을 없애는 공정을 진행할 때에는 다른 층들, 특히 예컨대 몰리브덴으로 형성된 제1전극을 보호하는 것이 중요한데, 본 발명의 제1실시예에서는 산화 알루미늄(Al2O3)으로 형성되어 핀홀 등과 같은 결함이 없는 보호층을 사용하기 때문에, 이불화 제논(XeF2) 등과 같은 건식 식각용 가스로부터 희생층 이외의 층들을 단일한 막으로도 우수하게 보호해 줄 수 있어 공정을 줄일 수 있을 뿐만 아니라, 다른 층들을 효과적으로 보호함으로써 손상에 따른 음향 공진기의 성능 저하를 방지함과 동시에 시드층의 결정성을 높이는 데에 기여하여 더욱 향상된 결정성을 가진 압전 박막을 얻을 수 있게 되는 것이다. When performing the process of removing the sacrificial layer, it is important to protect other layers, especially the first electrode made of molybdenum, but in the first embodiment of the present invention, it is made of aluminum oxide (Al 2 O 3 ) to prevent defects such as pinholes. Because a pore-free protective layer is used, layers other than the sacrificial layer can be excellently protected from dry etching gases such as xenon difluoride (XeF 2 ) with a single film, which not only reduces the process but also reduces other By effectively protecting the layers, it prevents performance degradation of the acoustic resonator due to damage and at the same time contributes to increasing the crystallinity of the seed layer, making it possible to obtain a piezoelectric thin film with improved crystallinity.

결국, 산화 알루미늄으로 된 보호층은 건식 식각용 가스로부터 다른 층들을 보호해 주는 역할을 하면서 시드층의 결정성을 확보할 수 있게 하는 역할을 한다.Ultimately, the protective layer made of aluminum oxide serves to protect other layers from dry etching gas and ensures the crystallinity of the seed layer.

한편, 본 발명에 따른 음향 공진기의 제조 방법은 전술한 실시예에 한정되지 않으며 다양한 변형이 가능하다.
Meanwhile, the method of manufacturing an acoustic resonator according to the present invention is not limited to the above-described embodiments and various modifications are possible.

도 3은 본 발명의 제2실시예에 따른 음향 공진기의 요부를 도시한 확대 단면도이다. Figure 3 is an enlarged cross-sectional view showing the main part of the acoustic resonator according to the second embodiment of the present invention.

본 발명의 제2실시예에서는 제1보호층(140)만 산화 알루미늄(Al2O3)으로 형성되고 제2보호층(160')이 다른 재질로 형성된 점을 제외하고, 나머지 구성요소들은 전술한 제1실시예의 구성요소들과 동일하다. In the second embodiment of the present invention, except that only the first protective layer 140 is formed of aluminum oxide (Al 2 O 3 ) and the second protective layer 160' is formed of another material, the remaining components are as described above. The components are the same as those of the first embodiment.

이에 따라, 도 3에 본 발명의 제2실시예에 따른 음향 공진기(200)를 도시함에 있어, 제1실시예에 의한 음향 공진기(100)와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 부여한다.Accordingly, when the acoustic resonator 200 according to the second embodiment of the present invention is shown in FIG. 3, the same components as those of the acoustic resonator 100 according to the first embodiment are assigned the same symbols.

본 발명의 제2실시예에 따른 음향 공진기(200)에서, 제1보호층(140)은 산화 알루미늄으로 형성되지만 제2보호층(160')은 절연 물질로 형성될 수 있는데, 절연 물질로는 실리콘 옥사이드 계열, 실리콘 나이트라이드 계열 및 알루미늄 나이트라이드 계열의 물질이 포함될 수 있다.In the acoustic resonator 200 according to the second embodiment of the present invention, the first protective layer 140 is formed of aluminum oxide, but the second protective layer 160' may be formed of an insulating material. Silicon oxide-based, silicon nitride-based, and aluminum nitride-based materials may be included.

이러한 경우에, 제2보호층(160')은 형성하는 재질에 따라 적절한 방법이 선택되어 형성되게 된다. In this case, the second protective layer 160' is formed by selecting an appropriate method depending on the material from which it is formed.

본 발명의 제2실시예에서도, 희생층을 없애는 공정을 진행할 때, 산화 알루미늄(Al2O3)으로 형성되어 핀홀 등과 같은 결함이 없는 제1보호층(140)과, 절연 물질로 된 제2보호층(160')을 사용하기 때문에, 이불화 제논(XeF2) 등과 같은 건식 식각용 가스로부터 희생층 이외의 층들을 단일한 막으로도 우수하게 보호해 줄 수 있어 공정을 줄일 수 있을 뿐만 아니라, 시드층의 결정성을 높이는 데에 기여하여 더욱 향상된 결정성을 가진 압전 박막을 얻을 수 있다.
In the second embodiment of the present invention, when the process of removing the sacrificial layer is performed, the first protective layer 140 is formed of aluminum oxide (Al 2 O 3 ) and has no defects such as pinholes, and the second protective layer 140 is made of an insulating material. Since the protective layer 160' is used, layers other than the sacrificial layer can be excellently protected from dry etching gases such as xenon difluoride (XeF 2 ) with a single film, which not only reduces the process. , contributing to increasing the crystallinity of the seed layer, making it possible to obtain a piezoelectric thin film with improved crystallinity.

도 4는 본 발명의 제3실시예에 따른 음향 공진기의 요부를 도시한 확대 단면도이다.Figure 4 is an enlarged cross-sectional view showing the main part of the acoustic resonator according to the third embodiment of the present invention.

본 발명의 제3실시예에서는 제2보호층(160)만 산화 알루미늄(Al2O3)으로 형성되고 제1보호층(140')이 다른 재질로 형성된 점을 제외하고, 나머지 구성요소들은 전술한 제1실시예의 구성요소들과 동일하다. In the third embodiment of the present invention, except that only the second protective layer 160 is formed of aluminum oxide (Al 2 O 3 ) and the first protective layer 140' is formed of another material, the remaining components are as described above. The components are the same as those in the first embodiment.

이에 따라, 도 4에 본 발명의 제3실시예에 따른 음향 공진기(300)를 도시함에 있어, 제1실시예에 의한 음향 공진기(100)와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 부여한다.Accordingly, when the acoustic resonator 300 according to the third embodiment of the present invention is shown in FIG. 4, the same components as those of the acoustic resonator 100 according to the first embodiment are assigned the same symbols.

본 발명의 제3실시예에 따른 음향 공진기(300)에서, 제2보호층(160)은 산화 알루미늄으로 형성되지만 제1보호층(140')은 예컨대 이산화 실리콘(SiO2), 질화 실리콘(SiNX) 등을 포함할 수 있다.In the acoustic resonator 300 according to the third embodiment of the present invention, the second protective layer 160 is formed of aluminum oxide, but the first protective layer 140' is made of, for example, silicon dioxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiN). X ), etc. may be included.

이러한 경우에, 제1보호층(140')에 대해서는, 화학기상증착(CVD), 스퍼터링 등과 같은 증착법 중에서 형성하는 재질에 따라 적절한 방법이 선택되어 이용될 수 있다.In this case, for the first protective layer 140', an appropriate method may be selected and used depending on the material to be formed from among deposition methods such as chemical vapor deposition (CVD) and sputtering.

본 발명의 제3실시예에서는, 희생층을 없애는 공정을 진행할 때, 산화 알루미늄(Al2O3)으로 형성되어 핀홀 등과 같은 결함이 없는 제2보호층(160)을 사용하기 때문에, 이불화 제논(XeF2) 등과 같은 건식 식각용 가스로부터 다른 층들을 단일한 막으로도 우수하게 보호해 줄 수 있다. In the third embodiment of the present invention, when performing the process of removing the sacrificial layer, the second protective layer 160, which is formed of aluminum oxide (Al 2 O 3 ) and has no defects such as pinholes, is used, so that xenon difluoride Even a single film can excellently protect other layers from dry etching gases such as (XeF 2 ).

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다.
The above description is merely an illustrative explanation of the technical idea of the present invention, and various modifications and variations will be possible to those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention.

110: 기판 120: 저지층
130: 에어 갭 140: 제1보호층
150: 공진부 151: 제1전극
152: 제2전극 153: 압전층
160: 제2보호층110: substrate 120: low layer
130: air gap 140: first protective layer
150: Resonator 151: First electrode
152: second electrode 153: piezoelectric layer
160: second protective layer

Claims (10)

제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 압전층을 포함하는 공진부;
상기 공진부의 일측에 배치되는 시드층;
상기 시드층에서 상기 공진부의 반대쪽에 배치되는 제1보호층;
상기 제2 전극에서 상기 압전층의 반대쪽에 배치되는 제2보호층;
상기 제1보호층에서 상기 공진부의 반대쪽에 배치된 기판; 및
상기 기판과 상기 제1보호층 사이에 형성되는 에어 갭; 을 포함하고,
상기 제1보호층 또는 상기 제2보호층은 산화 알루미늄(Aluminium Oxide; Al2O3)으로 형성되고,
상기 시드층은 상기 압전층의 재질과 동일한 결정성 물질로 형성되며,
상기 제1보호층은 상기 시드층과 동일한 기하형태의 단위격자(Unit Cell)를 가진 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 음향 공진기.
A resonance unit including a first electrode, a second electrode, and a piezoelectric layer located between the first electrode and the second electrode;
A seed layer disposed on one side of the resonance unit;
a first protective layer disposed on an opposite side of the resonance unit from the seed layer;
a second protective layer disposed on an opposite side of the piezoelectric layer from the second electrode;
a substrate disposed on an opposite side of the resonance portion from the first protective layer; and
an air gap formed between the substrate and the first protective layer; Including,
The first protective layer or the second protective layer is formed of aluminum oxide (Al2O3),
The seed layer is formed of the same crystalline material as the piezoelectric layer,
An acoustic resonator, wherein the first protective layer is formed of a material having a unit cell of the same geometric shape as the seed layer.
 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1보호층 또는 상기 제2보호층은 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition; ALD)을 이용하여 증착되는 것을 특징으로 하는 음향 공진기.
According to paragraph 1,
An acoustic resonator, characterized in that the first protective layer or the second protective layer is deposited using Atomic Layer Deposition (ALD).
 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 압전층과 상기 시드층 및 상기 제1보호층은 육방정계를 가진 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 음향 공진기.
According to paragraph 1,
An acoustic resonator, wherein the piezoelectric layer, the seed layer, and the first protective layer are formed of a material having a hexagonal system.
 제8항에 있어서,
상기 압전층은 질화 알루미늄 또는 도핑된 질화 알루미늄으로 형성되고,
상기 제1전극은 몰리브덴으로 형성되며,
상기 시드층은 질화 알루미늄으로 형성되고,
상기 제1보호층은 산화 알루미늄으로 형성되는 것을 특징으로 하는 음향 공진기.
According to clause 8,
The piezoelectric layer is formed of aluminum nitride or doped aluminum nitride,
The first electrode is formed of molybdenum,
The seed layer is formed of aluminum nitride,
An acoustic resonator, characterized in that the first protective layer is formed of aluminum oxide.
 삭제delete
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