KR102629152B1 - Liquid crystal display device and method of driving the same - Google Patents

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Abstract

본 발명에서는, VRR 방식의 액정표시장치를 구동함에 있어, 저주파 구동시 게이트전압의 펄스폭을 증가시키고/증가시키거나 전위를 상승시키게 된다.
따라서, 저주파 구동시 스위칭트랜지스터의 게이트-소스 전압의 네거티브 바이어스 상태를 완화하여 문턱전압의 네거티브 쉬프트 현상을 효과적으로 개선할 수수 있게 되어 화질을 향상시킬 수 있다.
In the present invention, when driving a VRR type liquid crystal display device, the pulse width of the gate voltage is increased and/or the potential is raised during low frequency driving.
Therefore, by alleviating the negative bias state of the gate-source voltage of the switching transistor during low-frequency driving, the negative shift phenomenon of the threshold voltage can be effectively improved, thereby improving image quality.

Description

액정표시장치 및 그 구동방법{Liquid crystal display device and method of driving the same}Liquid crystal display device and method of driving the same}

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 저주파 구동에 의한 스위칭트랜지스터의 문턱전압의 네거티브 쉬프트(negative shift) 현상을 개선할 수 있는 액정표시장치 및 그 구동방법에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device, and more specifically, to a liquid crystal display device and a driving method thereof that can improve the negative shift phenomenon of the threshold voltage of a switching transistor due to low-frequency driving.

정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정표시장치(LCD : liquid crystal display device), 플라즈마표시장치(PDP : plasma display panel), 유기발광소자(OLED : organic light emitting diode)표시장치와 같은 여러가지 평판표시장치(flat display device)가 활용되고 있다.As the information society develops, the demand for display devices for displaying images is increasing in various forms, and in recent years, liquid crystal display devices (LCDs), plasma display panels (PDPs), organic Various flat display devices such as organic light emitting diode (OLED) displays are being used.

이들 평판표시장치 중에서, 액정표시장치는 소형화, 경량화, 박형화, 저전력 구동의 장점을 가지고 있어 널리 사용되고 있다.Among these flat panel displays, liquid crystal displays are widely used because they have the advantages of miniaturization, weight reduction, thinness, and low-power operation.

일반적으로, 액정표시장치는 외부의 시스템으로부터 입력되는 60Hz의 구동주파수로 클럭을 인가받게 되고, 이 구동주파수에 따라 동작하게 된다.Generally, the liquid crystal display device receives a clock with a driving frequency of 60Hz input from an external system, and operates according to this driving frequency.

이와 같은 경우에, 동영상과 같이 영상의 변화가 큰 영상뿐만 아니라 정지 영상과 같이 영상의 변화가 크지 않은 영상에 대해서도 실질적으로 동일한 구동주파수로 표시장치가 동작하게 되므로, 전력 소모가 높아지게 된다. In such a case, the display device operates at substantially the same driving frequency not only for images with large changes in images, such as moving images, but also for images with small changes in images, such as still images, so power consumption increases.

이를 개선하기 위해, 동영상을 표시하는 경우에는 60Hz의 정상 주파수로 구동하고, 정지영상을 표시하는 경우에는 정상 주파수 보다 낮은 저주파수로 표시장치를 구동하여 소비 전력을 절감하는 소위 배리어블리프레쉬레이트(Variable Refresh rate: VRR) 구동방식이 제안되었다. To improve this, the so-called Variable Refresh Rate is used to reduce power consumption by driving the display device at a normal frequency of 60Hz when displaying moving images and at a low frequency lower than the normal frequency when displaying still images. rate: VRR) driving method was proposed.

그런데, 표시장치를 저주파 모드로 장시간 구동하게 되면, 스위칭트랜지스터의 게이스-소스 전압(Vgs)은 대부분의 시간 동안 네거티브 바이어스(negative bias) 상태가 되며, 이에 따라 스위칭트랜지스터의 문턱전압(Vth)이 네거티브 쉬프트되어 크로스토크(cross-talk)와 같은 화질 열화가 유발된다. 더욱이, 산화물반도체를 사용한 스위칭트랜지스터는 게이스-소스 전압(Vgs)의 네거티브 바이어스에 더욱 취약하다.However, when the display device is operated in low-frequency mode for a long time, the gate-source voltage (Vgs) of the switching transistor is in a negative bias state for most of the time, and accordingly, the threshold voltage (Vth) of the switching transistor becomes negative. Shifting causes image quality deterioration such as cross-talk. Moreover, switching transistors using oxide semiconductors are more vulnerable to negative bias of the gate-source voltage (Vgs).

이와 같은 종래의 문턱전압 네거티브 쉬프트와 이에 따른 화질 열화 현상에 대해 도 1 및 2를 참조할 수 있다. 도 1은 종래의 VRR 방식 액정표시장치에서 문턱전압의 네거티브 쉬프트 현상을 도시한 도면이고, 도 2는 종래의 문턱전압 네거티브 쉬프트에 의해 발생된 크로스토크를 도시한 도면이다.Refer to FIGS. 1 and 2 for this conventional threshold voltage negative shift and the resulting image quality deterioration phenomenon. FIG. 1 is a diagram showing a negative shift phenomenon of the threshold voltage in a conventional VRR type liquid crystal display device, and FIG. 2 is a diagram showing crosstalk generated by a conventional threshold voltage negative shift.

도 1을 참조하면, 저주파 구동에 의해 스위칭트랜지스터의 게이트-소스 전압(Vgs)이 장시간 네거티브 바이어스 상태를 갖게 됨에 따라 문턱전압(Vth)은 초기 상태에 비해 네거티브 쉬프트되어 드레인-소스 전류(Ids)가 변화하게 됨을 알 수 있다. 이에 따라, 도 2에 도시한 바와 같은 크로스토크가 유발되게 된다. Referring to FIG. 1, as the gate-source voltage (Vgs) of the switching transistor is in a negative bias state for a long time due to low-frequency driving, the threshold voltage (Vth) is shifted negatively compared to the initial state, and the drain-source current (Ids) becomes You can see that things are changing. Accordingly, crosstalk as shown in FIG. 2 is caused.

본 발명은 저주파 구동에 의한 스위칭트랜지스터의 문턱전압의 네거티브 쉬프트(negative shift) 현상을 개선할 수 있는 방안을 제공하는 것에 과제가 있다.The object of the present invention is to provide a method for improving the negative shift phenomenon of the threshold voltage of a switching transistor caused by low-frequency driving.

전술한 바와 같은 과제를 달성하기 위해, 본 발명은 정상주파수나 이보다 낮은 저주파수로 구동되는 액정표시장치에 있어서, 스위칭트랜지스터를 구비한 화소와; 상기 화소에 데이터전압을 전달하는 데이터배선과; 상기 화소에 상기 정상주파수 구동시 제1게이트전압을 전달하고 상기 저주파수 구동시 제2게이트전압을 전달하는 게이트배선을 포함하고, 상기 제2게이트전압은 제1게이트전압 보다 펄스의 폭이 크고/크거나 전위가 높은 액정표시장치를 제공한다. In order to achieve the above-described problem, the present invention provides a liquid crystal display device driven at a normal frequency or a lower frequency, including a pixel having a switching transistor; a data line that transmits a data voltage to the pixel; and a gate wire that transmits a first gate voltage to the pixel when driving at the normal frequency and a second gate voltage when driving at the low frequency, wherein the second gate voltage has a pulse width greater/larger than the first gate voltage. Alternatively, a liquid crystal display device with high potential is provided.

여기서, 상기 제2게이트전압은 상기 제1게이트전압 보다 하이전압 및 로우전압이 높을 수 있다.Here, the second gate voltage may have higher high and low voltages than the first gate voltage.

상기 스위칭트랜지스터는 산화물반도체를 포함할 수 있다.The switching transistor may include an oxide semiconductor.

상기 제2게이트전압은 제1게이트전압 보다 펄스의 폭이 2배 이상일 수 있다.The second gate voltage may have a pulse width twice or more than that of the first gate voltage.

다른 측면에서, 본 발명은 정상주파수나 이보다 낮은 저주파수로 구동되는 액정표시장치의 구동방법에 있어서, 스위칭트랜지스터를 구비한 화소에, 상기 정상주파수 구동시 제1게이트전압을 전달하고 상기 저주파수 구동시 제2게이트전압을 전달하는 단계와; 상기 화소에 데이터전압을 전달하는 단계를 포함하고, 상기 제2게이트전압은 제1게이트전압 보다 펄스의 폭이 크고/크거나 전위가 높은 액정표시장치 구동방법을 제공한다. In another aspect, the present invention relates to a method of driving a liquid crystal display device driven at a normal frequency or a lower frequency, wherein a first gate voltage is transmitted to a pixel equipped with a switching transistor when driven at the normal frequency, and a first gate voltage is transmitted when driven at the low frequency. transmitting two gate voltages; A method of driving a liquid crystal display device includes transmitting a data voltage to the pixel, wherein the second gate voltage has a pulse width and/or a higher potential than the first gate voltage.

상기 제2게이트전압은 상기 제1게이트전압 보다 하이전압 및 로우전압이 높을 수 있다.The second gate voltage may have higher high and low voltages than the first gate voltage.

상기 스위칭트랜지스터는 산화물반도체를 포함할 수 있다.The switching transistor may include an oxide semiconductor.

상기 제2게이트전압은 제1게이트전압 보다 펄스의 폭이 2배 이상일 수 있다.The second gate voltage may have a pulse width twice or more than that of the first gate voltage.

본 발명에서는, VRR 방식의 액정표시장치를 구동함에 있어, 저주파 구동시 게이트전압의 펄스폭을 증가시키고/증가시키거나 전위를 상승시키게 된다. In the present invention, when driving a VRR type liquid crystal display device, the pulse width of the gate voltage is increased and/or the potential is increased during low frequency driving.

따라서, 저주파 구동시 스위칭트랜지스터의 게이트-소스 전압의 네거티브 바이어스 상태를 완화하여 문턱전압의 네거티브 쉬프트 현상을 효과적으로 개선할 수수 있게 되어 화질을 향상시킬 수 있다.Therefore, by alleviating the negative bias state of the gate-source voltage of the switching transistor during low-frequency driving, the negative shift phenomenon of the threshold voltage can be effectively improved, thereby improving image quality.

도 1은 종래의 VRR 방식 액정표시장치에서 문턱전압의 네거티브 쉬프트 현상을 도시한 도면.
도 2는 종래의 문턱전압 네거티브 쉬프트에 의해 발생된 크로스토크를 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치를 개략적으로 도시한 블럭도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 화소를 도시한 등가회도로.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치에서 정상주파 모드와 저주파 모 구동시 게이트전압과 화소전압을 개략적으로 도시한 도면.
도 6은 종래와 본 실시예에서 저주파 모드 구동시 게이트전압을 비교한 도면.
도 7은 종래와 본 발명의 실시예의 액정표시장치의 문턱전압 쉬프트 수준을 측정한 실험 결과를 도시한 도면.
Figure 1 is a diagram showing the negative shift phenomenon of the threshold voltage in a conventional VRR type liquid crystal display device.
Figure 2 is a diagram showing crosstalk generated by a conventional threshold voltage negative shift.
Figure 3 is a block diagram schematically showing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is an equivalent circuit diagram showing pixels of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
Figure 5 is a diagram schematically showing the gate voltage and pixel voltage during normal frequency mode and low frequency mode driving in the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
Figure 6 is a diagram comparing gate voltages when driving in low-frequency mode in the prior art and this embodiment.
Figure 7 is a diagram showing the results of an experiment measuring the threshold voltage shift level of a liquid crystal display device according to the related art and an embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치를 개략적으로 도시한 블럭도이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 화소를 도시한 등가회도로이다.Figure 3 is a block diagram schematically showing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, and Figure 4 is an equivalent circuit diagram showing pixels of the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 액정표시장치(100)는 다수의 화소들(P)이 매트릭스 형태로 배치된 표시패널(110)과 표시패널(110)을 구동하는 구동회로를 포함할 수 있다. 그리고, 표시패널(110)을 구동하는 구동회로는, 데이터 구동회로(120)와, 게이트 구동회로(130)와, 타이밍 제어회로(140)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the liquid crystal display device 100 according to this embodiment may include a display panel 110 in which a plurality of pixels P are arranged in a matrix form and a driving circuit that drives the display panel 110. You can. Additionally, the driving circuit that drives the display panel 110 may include a data driving circuit 120, a gate driving circuit 130, and a timing control circuit 140.

본 실시예의 액정표시장치(100)는 표시되는 영상에 따라 주파수가 변동되는 소위 VRR 방식의 액정표시장치(100)이다. The liquid crystal display device 100 of this embodiment is a so-called VRR type liquid crystal display device 100 in which the frequency changes depending on the displayed image.

이와 관련하여, 동영상과 같이 영상의 변화가 큰 영상을 표시하는 경우에는, 외부시스템으로부터 입력된 구동주파수로서 예를 들어 60Hz의 정상주파수에 따라 정상주파 모드로 액정표시장치(100)가 구동된다.In this regard, when displaying an image with large changes in the image, such as a video, the liquid crystal display device 100 is driven in a normal frequency mode according to a normal frequency of, for example, 60 Hz as the driving frequency input from an external system.

그리고, 정지 영상과 같이 영상의 변화가 크지 않은 영상을 표시하는 경우에는, 정상주파수 보다 낮은 저주파수에 따라 저주파 모드로 액정표시장치(100)가 구동된다. 저주파 모드에서는 정상주파 모드에 비해 프레임의 수가 감소하여 데이터 기입 즉 리프레쉬 횟수가 감소되므로, 액정표시장치(100)의 소비전력이 절감될 수 있게 된다.In addition, when displaying an image with little change in the image, such as a still image, the liquid crystal display device 100 is driven in a low-frequency mode according to a low frequency lower than the normal frequency. In the low-frequency mode, the number of frames is reduced compared to the normal frequency mode, thereby reducing the number of data writes, or refreshes, and thus the power consumption of the liquid crystal display device 100 can be reduced.

표시패널(110)에 대해 살펴보면, 표시패널(110)에는 화소들(P)을 구동하기 위한 구동신호를 전달하는 각종 배선들이 형성된다.Looking at the display panel 110, various wires that transmit driving signals for driving the pixels P are formed in the display panel 110.

이와 관련하여 예를 들면, 데이터전압을 전달하는 다수의 데이터배선(DL)이 각 열라인 방향을 따라 연장되어 해당 열라인의 화소(P)에 연결될 수 있다. In this regard, for example, a plurality of data lines DL that transmit data voltages may extend along the direction of each column line and be connected to the pixels P of the corresponding column line.

그리고, 게이트전압을 전달하는 다수의 게이트배선(GL)이 각 행라인 방향을 따라 연장되어 해당 행라인의 화소(P)에 연결될 수 있다.Additionally, a plurality of gate wires (GL) transmitting the gate voltage may extend along the direction of each row line and be connected to the pixel (P) of the corresponding row line.

타이밍 제어회로(140)는 데이터 구동회로(120) 및 게이트 구동회로(130)의 구동 타이밍을 제어하게 된다. The timing control circuit 140 controls the driving timing of the data driving circuit 120 and the gate driving circuit 130.

이와 관련하여, 타이밍 제어회로(140)는 외부시스템으로부터 입력되는 디지털 데이터(RGB)를 표시패널(110)의 해상도에 맞게 재정렬하여 데이터 구동회로(120)에 공급할 수 있다. 그리고, 타이밍 제어회로(140)는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 클럭신호(CLK) 및 데이터 인에이블신호(DE) 등의 타이밍 신호들에 기초하여 데이터 구동회로(120)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어신호(DCS)와, 게이트 구동회로(130)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호(GCS)를 발생시킬 수 있다.In this regard, the timing control circuit 140 may rearrange digital data (RGB) input from an external system to match the resolution of the display panel 110 and supply it to the data driving circuit 120. In addition, the timing control circuit 140 operates the data driving circuit 120 based on timing signals such as the vertical synchronization signal (Vsync), the horizontal synchronization signal (Hsync), the clock signal (CLK), and the data enable signal (DE). A data control signal (DCS) for controlling the operation timing of and a gate control signal (GCS) for controlling the operation timing of the gate driving circuit 130 can be generated.

데이터 구동회로(120)는 데이터배선(DL)을 구동하게 된다. 이와 관련하여, 데이터 구동회로(120)는 데이터 제어신호(DCS)를 기반으로 입력된 디지털 데이터(RGB)를 아날로그 데이터전압으로 변환하여 해당 데이터배선(DL)에 공급할 수 있다. The data driving circuit 120 drives the data line DL. In this regard, the data driving circuit 120 may convert input digital data (RGB) into an analog data voltage based on the data control signal (DCS) and supply it to the corresponding data line (DL).

게이트 구동회로(130)는 게이트배선(GL)을 구동하게 된다. 이와 관련하여, 게이트 구동회로(130)는 게이트 제어신호(GCS)를 기반으로 게이트전압을 발생시켜 이를 라인 순차 방식으로 게이트배선(GL)에 공급할 수 있다.The gate driving circuit 130 drives the gate wiring (GL). In this regard, the gate driving circuit 130 may generate a gate voltage based on the gate control signal (GCS) and supply it to the gate wiring (GL) in a line sequential manner.

이하, 도 4를 함께 참조하여 표시패널(110)에 구성된 화소(P)의 구조를 설명한다. Hereinafter, the structure of the pixel P formed in the display panel 110 will be described with reference to FIG. 4 .

도 4를 참조하면, 본 실시예의 화소(P)는 스위칭소자로 기능하는 스위칭트랜지스터(T)와, 화소(P)를 구동하는 구동소자로 기능하는 액정캐패시터(Clc)와 스토리지캐패시터(Cst)를 포함하여 구성될 수 있다.Referring to FIG. 4, the pixel (P) of this embodiment includes a switching transistor (T) that functions as a switching element, a liquid crystal capacitor (Clc) and a storage capacitor (Cst) that function as a driving element that drives the pixel (P). It can be configured to include.

스위칭트랜지스터(T)는 대응되는 게이트배선 및 데이터배선(GL,DL)과 연결되어 게이트전압과 데이터전압을 인가받게 된다. 이와 같은 스위칭트랜지스터(T)의 게이트는 게이트배선(GL)에 연결되고, 드레인은 데이터배선(DL)에 연결되며, 소스는 액정캐패시터(Clc)에 연결된다. 여기서, 스위칭트랜지스터(T)는 이동도나 오프 전류 특성이 우수한 산화물반도체를 사용하여 구성될 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다.The switching transistor (T) is connected to the corresponding gate wiring and data wiring (GL, DL) to receive gate voltage and data voltage. The gate of this switching transistor (T) is connected to the gate line (GL), the drain is connected to the data line (DL), and the source is connected to the liquid crystal capacitor (Clc). Here, the switching transistor (T) may be constructed using an oxide semiconductor with excellent mobility or off-current characteristics, but is not limited to this.

액정캐패시터(Clc)는 서로 대향하는 화소전극과 공통전극 그리고 이들 전극 사이에 충진된 액정층으로 구성될 수 있다. 화소전극은 스위칭트랜지스터(T)의 소스에 연결되어 데이터전압을 인가받게 되며, 공통전극은 공통배선을 통해 공통전압을 인가받게 된다. 데이터전압과 공통전압의 전압차에 의해 화소전극과 공통전극 사이에 전계가 발생되어 액정분자의 배열을 변화시킴으로써 화상을 표시할 수 있다.The liquid crystal capacitor (Clc) may be composed of a pixel electrode and a common electrode that face each other, and a liquid crystal layer filled between these electrodes. The pixel electrode is connected to the source of the switching transistor (T) and receives the data voltage, and the common electrode receives the common voltage through the common wiring. An electric field is generated between the pixel electrode and the common electrode due to the voltage difference between the data voltage and the common voltage, thereby changing the arrangement of the liquid crystal molecules, allowing images to be displayed.

스토리지캐패시터(Cst)는 액정캐패시터(Clc)에 병렬로 연결되어, 화소전극에 인가된 데이터전압 즉 화소전압을 다음번 프레임까지 저장하게 된다.The storage capacitor (Cst) is connected in parallel to the liquid crystal capacitor (Clc) and stores the data voltage, or pixel voltage, applied to the pixel electrode until the next frame.

위와 같이 구성된 액정표시장치(100)에 있어, 본 실시예에서는 저주파 모드 구동시에 게이트전압을 변조하여 스위칭트랜지스터(T)의 문턱전압(Vth)의 네거티브 쉬트프 현상을 개선하게 되는데, 이에 대해 도 5 및 6을 함께 참조하여 보다 상세하게 설명한다.In the liquid crystal display device 100 configured as above, in this embodiment, the negative shift phenomenon of the threshold voltage (Vth) of the switching transistor (T) is improved by modulating the gate voltage during low-frequency mode driving, which is shown in Figure 5. and 6 together for a more detailed description.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치에서 정상주파 모드와 저주파 모 구동시 게이트전압과 화소전압을 개략적으로 도시한 도면이고, 도 6은 종래와 본 실시예에서 저주파 모드 구동시 게이트전압을 비교한 도면이다.Figure 5 is a diagram schematically showing the gate voltage and pixel voltage when driving in the normal frequency mode and the low frequency mode in the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, and Figure 6 is a diagram showing the gate voltage when driving in the low frequency mode in the conventional and this embodiment. This is a drawing comparing .

본 실시예의 액정표시장치(100)는 표시되는 영상의 종류에 따라 정상주파 모드나 저주파 모드로 선택적으로 구동되는데, 이때 주파수 모드에 따라 게이트전압을 변조하게 된다.The liquid crystal display device 100 of this embodiment is selectively driven in a normal frequency mode or a low frequency mode depending on the type of image being displayed, and at this time, the gate voltage is modulated according to the frequency mode.

먼저, 정상주파 모드에서는 해당 정상주파수(f1) 즉 제1주파수(f1)에 따라 구동되므로 1초에 제1주파수인 f1개의 제1프레임들(F1)이 설정되고 제1프레임(F1)은 1/f1 시간(즉, 주기)을 갖게 되며, 제1프레임(F1) 마다 화소(P)에는 데이터 기입 동작이 수행된다. First, in the normal frequency mode, it is driven according to the normal frequency (f1), that is, the first frequency (f1), so f1 first frames (F1), which are the first frequency, are set per second, and the first frame (F1) is 1 /f1 time (i.e., cycle), and a data writing operation is performed on the pixel (P) every first frame (F1).

이와 같은 정상주파 모드에서, 제1프레임(F1) 마다 각 게이트배선(GL)에는 턴온전압인 하이전압(Vgh1)과 턴오프전압인 로우전압(Vgl1)으로 구성된 게이트전압(Vg1)이 인가된다. 이때, 설명의 편의를 위해, 정상주파 모드에서의 게이트전압(Vg1)은 제1게이트전압(Vg1)이라 하고 이의 하이전압(Vgh1)과 로우전압(Vgl1)은 각각 제1하이전압(Vgh1)과 제1로우전압(Vgl1)이라 한다.In this normal frequency mode, a gate voltage (Vg1) consisting of a high voltage (Vgh1), which is a turn-on voltage, and a low voltage (Vgl1), which is a turn-off voltage, is applied to each gate wire (GL) in each first frame (F1). At this time, for convenience of explanation, the gate voltage (Vg1) in the normal frequency mode is called the first gate voltage (Vg1), and its high voltage (Vgh1) and low voltage (Vgl1) are the first high voltage (Vgh1) and the low voltage (Vgl1), respectively. It is called the first low voltage (Vgl1).

제1하이전압(Vgh1) 상태의 제1게이트전압(Vg1)의 펄스인 제1펄스(VP1)는, 이의 제1펄스폭(w1)으로서 해당 화소(P)의 수평주기인 제1기입구간(tw1) 동안 해당 행라인의 게이트배선(GL)에 인가된다. 이에 응답하여 스위칭트랜지스터(T)는 턴온되며, 이 턴온 상태에서 데이터배선(DL)을 통해 제공된 데이터전압이 화소(P) 내부로 전달되어 화소전압(Vp)으로 기입되어 저장된다.The first pulse (VP1), which is a pulse of the first gate voltage (Vg1) in the first high voltage (Vgh1) state, is its first pulse width (w1), and the first write period ( During tw1), it is applied to the gate wiring (GL) of the corresponding row line. In response, the switching transistor (T) is turned on, and in this turned-on state, the data voltage provided through the data line (DL) is transmitted into the pixel (P) and is written and stored as the pixel voltage (Vp).

제1기입기간(tw1) 경과 후 제1프레임(F1)의 나머지 구간인 제1홀딩구간(th1) 동안 게이트배선(GL)에는 제1로우전압(Vgl1) 상태의 제1게이트전압(Vg1)이 인가된다.After the first writing period (tw1) has elapsed, the first gate voltage (Vg1) in the first low voltage (Vgl1) state is applied to the gate wiring (GL) during the first holding period (th1), which is the remaining section of the first frame (F1). approved.

이와 같은 정상주파 모드에서, 제1프레임(F1)의 제1기입기간(tw1) 동안에는 제1펄스폭(w1)의 제1펄스(VP1)가 인가되는데, 이 기간(tw1) 동안에 인가되는 제1게이트전압(Vg1)은 제1하이전압(Vgh1)으로서 이는 화소(P)에 기입되는 데이터전압 즉 화소전압(Vp) 보다 크다. 따라서, 제1기입기간(tw1) 동안 스위칭트랜지스터(T)의 게이트-소스 전압(Vgs_w1)은 파지티브 바이어스(positive bias) 상태가 된다.In this normal frequency mode, the first pulse VP1 of the first pulse width w1 is applied during the first writing period tw1 of the first frame F1, and the first pulse VP1 applied during this period tw1 The gate voltage (Vg1) is the first high voltage (Vgh1), which is greater than the data voltage written to the pixel (P), that is, the pixel voltage (Vp). Accordingly, the gate-source voltage (Vgs_w1) of the switching transistor (T) is in a positive bias state during the first write period (tw1).

그리고, 제1프레임(F1)의 제1홀딩기간(th1) 동안에는 제1로우전압(Vgl1)이 인가되는데, 제1로우전압(Vgl1)은 제1홀딩기간(th1) 동안 화소(P)에 저장된 화소전압(Vp) 보다 작다. 따라서, 제1홀딩기간(th1) 동안 스위칭트랜지스터(T)의 게이트-소스 전압(Vgs_h1)은 네거티브 바이어스(positive bias) 상태가 된다.In addition, the first low voltage Vgl1 is applied during the first holding period (th1) of the first frame (F1), and the first low voltage (Vgl1) is stored in the pixel (P) during the first holding period (th1). It is smaller than the pixel voltage (Vp). Accordingly, during the first holding period (th1), the gate-source voltage (Vgs_h1) of the switching transistor (T) is in a negative bias (positive bias) state.

이처럼, 정상주파 모드에서는, 스위칭트랜지스터(T)의 게이트-소스 전압은 파지티브 바이어스 상태와 네거티브 바이어스 상태가 짧은 주기인 제1프레임(F1)을 단위로 하여 교대하게 되므로, 네거티브 바이어스 상태는 단시간인 제1홀딩구간(th1) 동안 유지된다. As such, in the normal frequency mode, the gate-source voltage of the switching transistor (T) alternates between the positive bias state and the negative bias state based on the first frame (F1), which is a short period, so the negative bias state is short-term. It is maintained during the first holding period (th1).

따라서, 정상주파 모드로 구동되는 경우에는, 스위칭트랜지스터(T1)의 네거티브 바이어스 상태는 단시간 유지된 후 해소되는바, 네거티브 바이어스 상태로 인한 스위칭트랜지스터(T)의 문턱전압(Vth)의 네거티브 쉬프트 현상은 실질적으로 발생하지 않게 된다.Therefore, when driven in normal frequency mode, the negative bias state of the switching transistor (T1) is maintained for a short time and then resolved, and the negative shift phenomenon of the threshold voltage (Vth) of the switching transistor (T) due to the negative bias state is It doesn't actually happen.

다음으로, 저주파 모드에서는 해당 저주파수(f2) 즉 제2주파수(f2)에 따라 구동되므로 1초에 제2주파수인 f2개의 제2프레임들(F2)이 설정되고 제2프레임(F2)은 1/f2 시간(즉, 주기)을 갖게 되며, 제2프레임(F2) 마다 화소(P)에는 데이터 기입 동작이 수행된다. 이와 같이, 저주파 모드에서는 정상주파수(f1) 보다 작은 저주파수(f2)로 동작하게 되므로, 정상주파 모드에 비해 프레임 개수는 작고 주기는 증가하게 된다.Next, in the low-frequency mode, it is driven according to the corresponding low frequency (f2), that is, the second frequency (f2), so f2 second frames (F2), which are the second frequency, are set per second, and the second frame (F2) is 1/ There is time f2 (i.e., cycle), and a data writing operation is performed on the pixel P every second frame F2. As such, in the low-frequency mode, it operates at a low frequency (f2) that is smaller than the normal frequency (f1), so the number of frames is smaller and the period is increased compared to the normal frequency mode.

이와 같은 저주파 모드에서, 제2프레임(F2) 마다 각 게이트배선(GL)에는 하이전압(Vgh2)과 로우전압(Vgl2)으로 구성된 게이트전압(Vg2)이 인가된다. 이때, 설명의 편의를 위해, 저주파 모드에서의 게이트전압(Vg2)은 제2게이트전압(Vg2)이라 하고 이의 하이전압(Vgh2)과 로우전압(Vgl2)은 각각 제2하이전압(Vgh2)과 제2로우전압(Vgl2)이라 한다.In this low-frequency mode, a gate voltage (Vg2) consisting of a high voltage (Vgh2) and a low voltage (Vgl2) is applied to each gate line (GL) every second frame (F2). At this time, for convenience of explanation, the gate voltage (Vg2) in the low-frequency mode is called the second gate voltage (Vg2), and its high voltage (Vgh2) and low voltage (Vgl2) are the second high voltage (Vgh2) and the second gate voltage (Vg2), respectively. It is called 2 low voltage (Vgl2).

제2하이전압(Vgh2) 상태의 제2게이트전압(Vg2) 즉 제2펄스(VP2)는, 이의 제2펄스폭(w2)으로서 해당 화소(P)의 수평주기인 제2기입구간(tw2) 동안 해당 행라인의 게이트배선(GL)에 인가된다. 이에 응답하여 스위칭트랜지스터(T)는 턴온되며, 이 턴온 상태에서 데이터배선(DL)을 통해 제공된 데이터전압이 화소(P) 내부로 전달되어 화소전압(Vp)으로 기입되어 저장된다.The second gate voltage (Vg2) in the second high voltage (Vgh2) state, that is, the second pulse (VP2), is its second pulse width (w2) and is the second writing period (tw2), which is the horizontal period of the pixel (P). During this time, it is applied to the gate wiring (GL) of the corresponding row line. In response, the switching transistor (T) is turned on, and in this turned-on state, the data voltage provided through the data line (DL) is transmitted into the pixel (P) and is written and stored as the pixel voltage (Vp).

제2기입기간(tw2) 경과 후 제2프레임(F2)의 나머지 구간인 제2홀딩구간(th2) 동안 게이트배선(GL)에는 제2로우전압(Vgl2) 상태의 제2게이트전압(Vg2)이 인가된다.After the second writing period (tw2) has elapsed, the second gate voltage (Vg2) in the second low voltage (Vgl2) state is applied to the gate wiring (GL) during the second holding period (th2), which is the remaining section of the second frame (F2). approved.

이와 같은 저주파 모드에서, 제2프레임(F2)의 제2기입기간(tw2) 동안에는 제2펄스폭(w2)을 갖는 제2펄스(VP2)가 인가되는데, 이 기간(tw2) 동안에 인가되는 제2게이트전압(Vg2)은 제2하이전압(Vgh2)으로서 이는 화소(P)에 기입되는 데이터전압 즉 화소전압(Vp) 보다 크다. 따라서, 제2기입기간(tw2) 동안 스위칭트랜지스터(T)의 게이트-소스 전압(Vgs_w2)은 파지티브 바이어스(positive bias) 상태가 된다.In this low-frequency mode, the second pulse VP2 having the second pulse width w2 is applied during the second writing period tw2 of the second frame F2, and the second pulse VP2 applied during this period tw2 The gate voltage (Vg2) is the second high voltage (Vgh2), which is greater than the data voltage written to the pixel (P), that is, the pixel voltage (Vp). Accordingly, the gate-source voltage (Vgs_w2) of the switching transistor (T) is in a positive bias state during the second write period (tw2).

그리고, 제2프레임(F2)의 제2홀딩기간(th2) 동안에는 제2로우전압(Vgl2)이 인가되는데, 제2로우전압(Vgl2)은 제2홀딩기간(th2) 동안 화소(P)에 저장된 화소전압(Vp) 보다 작다. 따라서, 제2홀딩기간(th2) 동안 스위칭트랜지스터(T)의 게이트-소스 전압(Vgs_h2)은 네거티브 바이어스(positive bias) 상태가 된다.Also, the second low voltage Vgl2 is applied during the second holding period (th2) of the second frame (F2), and the second low voltage (Vgl2) is stored in the pixel (P) during the second holding period (th2). It is smaller than the pixel voltage (Vp). Accordingly, during the second holding period (th2), the gate-source voltage (Vgs_h2) of the switching transistor (T) is in a negative bias (positive bias) state.

이처럼, 저주파 모드에서는, 스위칭트랜지스터(T)의 게이트-로우 전압은 파지티브 바이어스 상태와 네거티브 바이어스 상태가 매우 긴 주기인 제2프레임(F2)을 단위로 하여 교대하게 되므로, 네거티브 바이어스 상태는 장시간인 제2홀딩구간(th2) 동안 유지된다. 즉, 제2프레임(F2)은 제1프레임(F1)에 비해 그 주기가 길고 더욱이 제2홀딩구간(th2)은 실질적으로 제2프레임(F2) 대부분의 시간을 차지하게 된다.As such, in the low-frequency mode, the gate-low voltage of the switching transistor (T) alternates between the positive bias state and the negative bias state based on the second frame (F2), which is a very long period, so the negative bias state is maintained for a long period of time. It is maintained during the second holding period (th2). That is, the second frame (F2) has a longer period than the first frame (F1), and furthermore, the second holding section (th2) substantially occupies most of the time of the second frame (F2).

이러한바, 저주파 모드에서는 정상주파 모드에 비해, 스위칭트랜지스터(T)의 네거티브 바이어스 상태가 차지하는 시간이 급격하게 증가하게 된다.As such, in the low-frequency mode, the time occupied by the negative bias state of the switching transistor T rapidly increases compared to the normal frequency mode.

따라서, 저주파 모드로 구동함에 있어, 종래와 같이 정상주파 모드의 게이트전압과 동일한 특성의 게이트전압을 저주파 모드에 적용하게 되면, 네거티브 바이어스 상태에 의한 문턱전압(Vth)의 네거티브 쉬프트 현상이 강하게 발생된다.Therefore, when driving in the low-frequency mode, if a gate voltage with the same characteristics as the gate voltage in the normal frequency mode is applied to the low-frequency mode as in the past, a strong negative shift phenomenon in the threshold voltage (Vth) due to the negative bias state occurs. .

이를 개선하기 위해, 본 실시예에 따르면, 저주파 모드로 구동시에 종래와 달리 정상주파 모드의 게이트전압과 다른 특성의 게이트전압(Vg2)을 적용함으로써, 종래의 네거티브 바이어스 상태에 의한 문턱전압(Vth)의 네거티브 쉬프트 현상을 개선할 수 있게 된다.To improve this, according to this embodiment, when driving in the low-frequency mode, unlike the prior art, by applying a gate voltage (Vg2) with characteristics different from the gate voltage in the normal frequency mode, the threshold voltage (Vth) due to the conventional negative bias state is reduced. The negative shift phenomenon can be improved.

이에 대해 도 6을 참조하여 살펴보면, 종래에는 점선으로 표시된 저주파 모드 구동시의 게이트전압(Vgp)은 실질적으로 정상주파 모드 구동시와 동일한 펄스폭과 전위를 갖게 되는데, 이때 도 5에 도시된 본 실시예의 정상주파 모드의 게이트전압(Vg1)은 종래의 정상주파 모드의 게이트전압과 동일하다고 한다.Regarding this, referring to FIG. 6, conventionally, the gate voltage (Vgp) when driving in the low-frequency mode, indicated by a dotted line, has substantially the same pulse width and potential as when driving in the normal frequency mode. In this case, in the present embodiment shown in FIG. It is said that the gate voltage (Vg1) of the normal frequency mode in the example is the same as the gate voltage of the conventional normal frequency mode.

즉, 종래의 저주파 모드의 게이트전압(Vgp)의 펄스(VP)의 폭(VPp)과 하이전압 및 로우전압(Vghp,Vglp)은 정상주파 모드의 게이트전압(Vg1)의 펄스폭(VP1)과 하이전압 및 로우전압(Vgh1,Vgl1)과 동일하며, 종래의 저주파 모드에서의 홀딩구간(thp)은 제2프레임(F2)에서 해당 기입기간(twp)을 제외한 구간에 해당된다.That is, the width (VPp) of the pulse (VP) of the gate voltage (Vgp) in the conventional low-frequency mode and the high and low voltages (Vghp, Vglp) are the pulse width (VP1) of the gate voltage (Vg1) in the normal frequency mode. It is the same as the high voltage and low voltage (Vgh1, Vgl1), and the holding section (thp) in the conventional low-frequency mode corresponds to the section excluding the corresponding writing period (twp) in the second frame (F2).

반면에, 본 실시예의 저주파 모드의 제2게이트전압(Vg2)은 정상주파 모드에 비해 펄스폭이 증가(즉, w2 > w1)하고/하거나 로우전압 및 하이전압의 전위(즉, 레벨)이 상승(즉, Vgh2 > Vgh1 및 Vgl2 > Vgl1)되도록 구성된다. 다시 말하면, 본 실시예의 저주파 모드의 제2게이트전압(Vg2)은 종래의 저주파 모드에 비해 펄스폭이 증가(즉, w2 > wp)하고/하거나 로우전압 및 하이전압의 전위가 상승(즉, Vgh2 > Vghp 및 Vgl2 > Vglp)되도록 구성된다.On the other hand, the pulse width of the second gate voltage (Vg2) in the low frequency mode of this embodiment increases (i.e., w2 > w1) and/or the potential (i.e., level) of the low voltage and high voltage increases compared to the normal frequency mode. (i.e., Vgh2 > Vgh1 and Vgl2 > Vgl1). In other words, the pulse width of the second gate voltage (Vg2) in the low-frequency mode of this embodiment increases (i.e., w2 > wp) and/or the potentials of the low and high voltages increase (i.e., Vgh2) compared to the conventional low-frequency mode. > Vghp and Vgl2 > Vglp).

이와 같이, 제2게이트전압(Vg2)의 펄스폭을 증가시키게 되면, 제2홀딩구간(th2)은 종래의 저주파 모드의 홀딩구간(thp)에 비해 감소된다 (즉, th2 < thp). 이로 인해, 홀딩구간에서 스위칭트랜지스터(T)가 네거티브 바이어스 상태를 갖는 시간이 감소될 수 있게 되므로, 결과적으로 스위칭트랜지스터(T)의 문턱전압(Vth)의 네거티브 쉬프트 현상은 완화될 수 있게 된다.In this way, when the pulse width of the second gate voltage (Vg2) is increased, the second holding period (th2) is reduced compared to the holding period (thp) of the conventional low-frequency mode (that is, th2 < thp). Because of this, the time during which the switching transistor (T) is in a negative bias state in the holding period can be reduced, and as a result, the negative shift phenomenon of the threshold voltage (Vth) of the switching transistor (T) can be alleviated.

이때, 제2게이트전압(Vg2)의 펄스폭(w2)은 제1게이트전압(Vg1)의 펄스폭(w1) 보다 2배 이상으로 설정하는 것이 바람직한데, 이에 한정되지는 않는다.At this time, it is preferable that the pulse width (w2) of the second gate voltage (Vg2) is set to more than twice the pulse width (w1) of the first gate voltage (Vg1), but is not limited to this.

그리고, 제2게이트전압(Vg2)의 전위를 높은 레벨로 상승시켜 로우전압을 쉬프트하게 되면, 홀딩구간의 게이트-소스 전압은 종래에 비해 감소(즉, Vgs_h2 < Vgs_hp)되어 네거티브 바이어스 누적량이 감소되므로, 결과적으로 스위칭트랜지스터(T)의 문턱전압(Vth)의 네거티브 쉬프트 현상은 완화될 수 있게 된다.In addition, when the low voltage is shifted by raising the potential of the second gate voltage (Vg2) to a high level, the gate-source voltage in the holding section decreases compared to the prior art (i.e., Vgs_h2 < Vgs_hp), thereby reducing the accumulated negative bias. , As a result, the negative shift phenomenon of the threshold voltage (Vth) of the switching transistor (T) can be alleviated.

또한, 제2게이트전압(Vg2)의 전위를 높은 레벨로 상승시켜 하이전압을 쉬프트시키게 되면, 기입구간의 게이트-소스 전압은 종래에 비해 증가(즉, Vgs_w2 > Vgs_wp)되어 파지티브 바이어스 양이 증가하게 된다. 이처럼, 기입구간의 파지티브 바이어스 양이 증가하게 되면 이는 이전 홀딩구간의 네거티브 바이어스를 완화하는 작용을 하게 되므로, 결과적으로 스위칭트랜지스터(T)의 문턱전압(Vth)의 네거티브 쉬프트 현상은 완화될 수 있게 된다.In addition, when the high voltage is shifted by raising the potential of the second gate voltage (Vg2) to a high level, the gate-source voltage in the writing period increases compared to the conventional case (i.e., Vgs_w2 > Vgs_wp), thereby increasing the amount of positive bias. I do it. In this way, when the amount of positive bias in the writing section increases, it acts to alleviate the negative bias in the previous holding section, and as a result, the negative shift phenomenon of the threshold voltage (Vth) of the switching transistor (T) can be alleviated. do.

따라서, 본 실시예에서와 같이 저주파 모드 구동시 게이트전압의 펄스폭 및/또는 전위를 변조함에 따라 네거티브 바이어스 상태를 완화할 수 있게 된다. 이에 따라, 스위칭트랜지스터(T)의 문턱전압(Vth)의 네거티브 쉬프트 현상을 효과적으로 개선하여 화질을 향상시킬 수 있게 된다.Therefore, as in this embodiment, the negative bias state can be alleviated by modulating the pulse width and/or potential of the gate voltage during low-frequency mode driving. Accordingly, it is possible to improve image quality by effectively improving the negative shift phenomenon of the threshold voltage (Vth) of the switching transistor (T).

특히, 산화물반도체를 사용한 스위칭트랜지스터(T)의 경우에 네거티브 쉬프트 현상 개선 효과가 탁월하다.In particular, in the case of a switching transistor (T) using an oxide semiconductor, the effect of improving the negative shift phenomenon is excellent.

이와 같은 본 발명의 문턱전압 쉬프트 개선과 관련하여 도 7을 참조할 수 있다. 도 7은 종래와 본 발명의 실시예의 액정표시장치의 문턱전압 쉬프트 수준을 측정한 실험 결과를 도시한 도면이다.FIG. 7 may be referred to in relation to the improvement of the threshold voltage shift of the present invention. Figure 7 is a diagram showing the results of an experiment measuring the threshold voltage shift level of the liquid crystal display device of the prior art and an embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 종래의 경우에는 시간 경과에 따라 문턱전압 변동량(ΔVth)이 지속적으로 네거티브 쉬프트됨을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 7, it can be seen that in the conventional case, the threshold voltage variation (ΔVth) continuously shifts negatively over time.

반면에, 본 발명의 실험예1-3의 경우에는, 시간 경과에 따라 문턱전압 변동량(ΔVth)이 매우 낮은 수준으로 포화됨을 확인할 수 있다.On the other hand, in the case of Experimental Examples 1-3 of the present invention, it can be confirmed that the threshold voltage variation (ΔVth) saturates to a very low level over time.

이와 같은 실험 결과를 볼 때, 본 발명의 실시예에 따라 저주파 모드 구동시 게이트전압을 변조하여 적용하게 되면, 스위칭트랜지스터의 네거티브 바이어스 상태를 완화함으로써 문턱전압의 네거티브 쉬프트를 효과적으로 개선할 수 있게 된다.Considering these experimental results, if the gate voltage is modulated and applied during low-frequency mode driving according to an embodiment of the present invention, the negative shift of the threshold voltage can be effectively improved by alleviating the negative bias state of the switching transistor.

전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따르면, VRR 방식의 액정표시장치를 구동함에 있어, 저주파 구동시 게이트전압의 펄스폭을 증가시키고/증가시키거나 전위를 상승시키게 된다. As described above, according to an embodiment of the present invention, when driving a VRR type liquid crystal display device, the pulse width of the gate voltage is increased and/or the potential is increased during low frequency driving.

따라서, 저주파 구동시 스위칭트랜지스터의 게이트-소스 전압의 네거티브 바이어스 상태를 완화하여 문턱전압의 네거티브 쉬프트 현상을 효과적으로 개선할 수수 있게 되어 화질을 향상시킬 수 있다.Therefore, by alleviating the negative bias state of the gate-source voltage of the switching transistor during low-frequency driving, the negative shift phenomenon of the threshold voltage can be effectively improved, thereby improving image quality.

전술한 본 발명의 실시예는 본 발명의 일예로서, 본 발명의 정신에 포함되는 범위 내에서 자유로운 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명은, 첨부된 특허청구범위 및 이와 등가되는 범위 내에서의 본 발명의 변형을 포함한다.The above-described embodiment of the present invention is an example of the present invention, and free modification is possible within the scope included in the spirit of the present invention. Accordingly, the present invention includes modifications of the present invention within the scope of the appended claims and their equivalents.

100: 액정표시장치 110: 표시패널
120: 데이터 구동회로 130: 게이트 구동회로
140: 타이밍 제어회로
P: 화소
T: 스위칭트랜지스터
Clc: 액정캐패시터
Cst: 스토리지캐패시터
GL,DL: 게이트배선, 데이터배선
Vp: 화소전압
Vg1,Vg2: 제1,2게이트전압
Vgh1,Vgh2: 제1,2하이전압
Vgl1,Vgl2: 제1,2로우전압
VP1,VP2: 제1,2펄스
w1,w2: 제1,2펄스폭
Vgs_w1,Vsg_w2: 제1,2기입기간의 게이트-소스 전압
Vgs_h1,Vsg_h2: 제1,2홀딩기간의 게이트-소스 전압
F1,F2: 제1,2프레임
tw1,tw2: 제1,2기입기간
th1,th2: 제1,2홀딩기간
100: liquid crystal display device 110: display panel
120: data driving circuit 130: gate driving circuit
140: Timing control circuit
P: Pixel
T: switching transistor
Clc: liquid crystal capacitor
Cst: storage capacitor
GL, DL: Gate wiring, data wiring
Vp: pixel voltage
Vg1, Vg2: 1st and 2nd gate voltages
Vgh1, Vgh2: 1st and 2nd high voltage
Vgl1, Vgl2: 1st, 2nd low voltage
VP1,VP2: 1st, 2nd pulse
w1,w2: 1st, 2nd pulse width
Vgs_w1, Vsg_w2: Gate-source voltage in the first and second writing periods
Vgs_h1, Vsg_h2: Gate-source voltage in the first and second holding periods
F1, F2: 1st, 2nd frame
tw1,tw2: 1st and 2nd entry period
th1,th2: 1st, 2nd holding period

Claims (10)

정상주파수나 이보다 낮은 저주파수로 구동되는 액정표시장치에 있어서,
스위칭트랜지스터를 구비한 화소와;
상기 화소에 데이터전압을 전달하는 데이터배선과;
상기 화소에 상기 정상주파수 구동시 제1게이트전압을 전달하고 상기 저주파수 구동시 제2게이트전압을 전달하는 게이트배선을 포함하고,
상기 제2게이트전압은 제1게이트전압 보다 펄스의 폭이 크고/크거나 전위가 높은
액정표시장치.
In a liquid crystal display device driven at a normal frequency or a lower frequency,
a pixel including a switching transistor;
a data line that transmits a data voltage to the pixel;
A gate wiring that transmits a first gate voltage to the pixel when driven at the normal frequency and a second gate voltage when driven at the low frequency,
The second gate voltage has a pulse width and/or a higher potential than the first gate voltage.
Liquid crystal display device.
제 1 항에 있어서,
상기 제2게이트전압은 상기 제1게이트전압 보다 하이전압 및 로우전압이 높은
액정표시장치.
According to claim 1,
The second gate voltage has higher high and low voltages than the first gate voltage.
Liquid crystal display device.
제 1 항에 있어서,
상기 스위칭트랜지스터는 산화물반도체를 포함하는
액정표시장치.
According to claim 1,
The switching transistor includes an oxide semiconductor.
Liquid crystal display device.
제 1 항에 있어서,
상기 제2게이트전압은 제1게이트전압 보다 펄스의 폭이 2배 이상인
액정표시장치.
According to claim 1,
The second gate voltage has a pulse width twice or more than the first gate voltage.
Liquid crystal display device.
정상주파수나 이보다 낮은 저주파수로 구동되는 액정표시장치의 구동방법에 있어서,
스위칭트랜지스터를 구비한 화소에, 상기 정상주파수 구동시 제1게이트전압을 전달하고 상기 저주파수 구동시 제2게이트전압을 전달하는 단계와;
상기 화소에 데이터전압을 전달하는 단계를 포함하고,
상기 제2게이트전압은 제1게이트전압 보다 펄스의 폭이 크고/크거나 전위가 높은
액정표시장치 구동방법.
In a method of driving a liquid crystal display device driven at a normal frequency or a lower frequency,
transmitting a first gate voltage when driven at the normal frequency and transmitting a second gate voltage when driven at the low frequency to a pixel equipped with a switching transistor;
Including transmitting a data voltage to the pixel,
The second gate voltage has a pulse width and/or a higher potential than the first gate voltage.
How to drive a liquid crystal display.
제 5 항에 있어서,
상기 제2게이트전압은 상기 제1게이트전압 보다 하이전압 및 로우전압이 높은
액정표시장치 구동방법.
According to claim 5,
The second gate voltage has higher high and low voltages than the first gate voltage.
How to drive a liquid crystal display.
제 5 항에 있어서,
상기 스위칭트랜지스터는 산화물반도체를 포함하는
액정표시장치 구동방법.
According to claim 5,
The switching transistor includes an oxide semiconductor.
How to drive a liquid crystal display.
제 5 항에 있어서,
상기 제2게이트전압은 제1게이트전압 보다 펄스의 폭이 2배 이상인
액정표시장치 구동방법.
According to claim 5,
The second gate voltage has a pulse width twice or more than the first gate voltage.
How to drive a liquid crystal display.
제 1 항에 있어서,
다수의 행라인 각각을 따라 다수의 상기 게이트배선이 연장되고,
상기 다수의 게이트배선 각각은, 상기 정상주파수 구동시 상기 제1게이트전압을 전달하고, 상기 저주파수 구동시 상기 제2게이트전압을 전달하는
액정표시장치.
According to claim 1,
A plurality of the gate wires extend along each of the plurality of row lines,
Each of the plurality of gate wires transmits the first gate voltage when driven at the normal frequency and transmits the second gate voltage when driven at the low frequency.
Liquid crystal display device.
제 5 항에 있어서,
다수의 행라인 각각을 따라 다수의 게이트배선이 연장되고,
상기 다수의 게이트배선 각각은, 상기 정상주파수 구동시 상기 제1게이트전압을 전달하고, 상기 저주파수 구동시 상기 제2게이트전압을 전달하는
액정표시장치 구동방법.
According to claim 5,
A plurality of gate wires extend along each of the plurality of row lines,
Each of the plurality of gate wires transmits the first gate voltage when driven at the normal frequency and transmits the second gate voltage when driven at the low frequency.
How to drive a liquid crystal display.
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