KR102625052B1 - Compound and Organic light emitting device comprising same - Google Patents

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KR102625052B1
KR102625052B1 KR1020160105581A KR20160105581A KR102625052B1 KR 102625052 B1 KR102625052 B1 KR 102625052B1 KR 1020160105581 A KR1020160105581 A KR 1020160105581A KR 20160105581 A KR20160105581 A KR 20160105581A KR 102625052 B1 KR102625052 B1 KR 102625052B1
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황석환
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Abstract

하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
<화학식 1>

Figure 112016080808881-pat00113

상기 화학식 1에 대해서는 상세한 설명을 참조한다.Compound represented by Formula 1:
<Formula 1>
Figure 112016080808881-pat00113

For the above Chemical Formula 1, please refer to the detailed description.

Description

화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자{Compound and Organic light emitting device comprising same}Compound and organic light emitting device comprising same}

화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다. It relates to compounds and organic light-emitting devices containing them.

유기 발광 소자(organic light emitting device)는 자발광형 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가지고 있다.Organic light emitting devices (organic light emitting devices) are self-emitting devices that not only have a wide viewing angle and excellent contrast, but also have the advantages of fast response time, excellent brightness, driving voltage, and response speed characteristics, and the ability to be multicolored.

상기 유기 발광 소자는 기판 상부에 제1전극이 배치되어 있고, 상기 제1전극 상부에 정공 수송 영역(hole transport region), 발광층, 전자 수송 영역(electron transport region) 및 제2전극이 순차적으로 형성되어 있는 구조를 가질 수 있다. 상기 제1전극으로부터 주입된 정공은 정공 수송 영역을 경유하여 발광층으로 이동하고, 제2전극으로부터 주입된 전자는 전자 수송 영역을 경유하여 발광층으로 이동한다. 상기 정공 및 전자와 같은 캐리어들은 발광층 영역에서 재결합하여 엑시톤(exciton)을 생성한다. 이 엑시톤이 여기 상태에서 기저상태로 변하면서 광이 생성된다.The organic light-emitting device has a first electrode disposed on an upper part of a substrate, and a hole transport region, a light-emitting layer, an electron transport region, and a second electrode are sequentially formed on the first electrode. It can have a structure. Holes injected from the first electrode move to the light-emitting layer via the hole transport region, and electrons injected from the second electrode move to the light-emitting layer via the electron transport region. Carriers such as holes and electrons recombine in the light emitting layer region to generate excitons. Light is generated as this exciton changes from the excited state to the ground state.

높은 유리 전이 온도, 전기적인 안정성, 전공 수송 능력 및 발광 효율을 보이는 화합물을 개발하고, 이를 유기 발광 소자의 전공 수송층 (hole transport layer) 및 발광층 (emitting layer)에 도입하는 것이다.The goal is to develop compounds that exhibit high glass transition temperature, electrical stability, hole transport ability, and luminous efficiency, and introduce them into the hole transport layer and emitting layer of organic light-emitting devices.

일 측면에 따르면, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물이 제공된다:According to one aspect, a compound represented by the following formula (1) is provided:

<화학식 1><Formula 1>

Figure 112016080808881-pat00001
Figure 112016080808881-pat00001

상기 화학식 1 중, In Formula 1,

R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트로기, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고;R 1 to R 4 are each independently hydrogen, deuterium, halogen, amino group, nitro group, nitrile group, substituted or unsubstituted C 1 -C 60 alkyl group, substituted or unsubstituted C 2 -C 60 alkenyl group, substituted or Unsubstituted C 2 -C 60 alkynyl group, substituted or unsubstituted C 1 -C 60 alkoxy group, substituted or unsubstituted C 3 -C 10 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C 2 -C 10 heterocycloalkyl group , substituted or unsubstituted C 3 -C 10 cycloalkenyl group, substituted or unsubstituted C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 60 aryl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 60 aryloxy group, substituted or unsubstituted C 6 -C 60 arylthio group, substituted or unsubstituted C 1 -C 60 heteroaryl group, substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, and selected from substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic heterocondensed polycyclic groups;

L1 및 L2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹, 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되며;L 1 and L 2 are each independently a substituted or unsubstituted C 6 -C 60 arylene group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 60 heteroarylene group, a substituted or unsubstituted divalent non-aromatic condensed polycyclic group, and substituted or unsubstituted divalent non-aromatic heterocondensed polycyclic groups;

Ar1 내지 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고;Ar 1 to Ar 4 are each independently a substituted or unsubstituted C 6 -C 60 aryl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 60 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 60 arylthio group, selected from a substituted or unsubstituted C 1 -C 60 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, and a substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group;

a, b, c 및 d는 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수 중에서 선택되며; a, b, c and d are each independently selected from integers from 0 to 3;

A는 수소이거나; 또는 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기가 융합된 것을 나타내며;A is hydrogen; or a substituted or unsubstituted C 6 -C 60 aryl group is fused;

상기 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 치환된 C6-C60아릴렌기, 치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹, 및 치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중 적어도 하나의 치환기는, The substituted C 1 -C 60 alkyl group, substituted C 2 -C 60 alkenyl group, substituted C 2 -C 60 alkynyl group, substituted C 1 -C 60 alkoxy group, substituted C 3 -C 10 cycloalkyl group, Substituted C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, substituted C 3 -C 10 cycloalkenyl group, substituted C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, substituted C 6 -C 60 aryl group, substituted C 6 -C 60 aryloxy group, substituted C 6 -C 60 arylthio group, substituted C 1 -C 60 heteroaryl group, substituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, substituted monovalent non-aromatic heterocondensed polycyclic group, At least one substituent among a substituted C 6 -C 60 arylene group, a substituted C 1 -C 60 heteroarylene group, a substituted divalent non-aromatic condensed polycyclic group, and a substituted divalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group ,

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or salts thereof, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group and C 1 -C 60 alkoxy group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기(aryloxy), C6-C60아릴티오기(arylthio), C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q11)(Q12), -Si(Q13)(Q14)(Q15) 및 -B(Q16)(Q17) 중 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 - C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 1 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group, - C 1 -C 60 alkyl group, C 2 substituted with at least one of N(Q 11 )(Q 12 ), -Si(Q 13 )(Q 14 )(Q 15 ) and -B(Q 16 )(Q 17 ) -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group and C 1 -C 60 alkoxy group;

C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryl Oxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 1 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group and monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q21)(Q22), -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 중 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, C 1 -C 60 alkoxy group, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group , C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 1 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, -N(Q 21 )(Q 22 ), -Si(Q 23 )(Q 24 )(Q 25 ) and -B(Q 26 )(Q 27 ), substituted with at least one of C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalke Nyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 1 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group and monovalent non- aromatic heterocondensed polycyclic group; and

Si(Q13)(Q14)(Q15); 중에서 선택되고;Si(Q 13 )(Q 14 )(Q 15 ); is selected from;

상기 Q11 내지 Q17 및 Q21 내지 Q27은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된다.Q 11 to Q 17 and Q 21 to Q 27 are each independently selected from hydrogen, deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or its salt, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, C 1 -C 60 Alkoxy group, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 1 - C 60 is selected from heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group and monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group.

다른 측면에 따라, 제1전극; 상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되고 발광층을 포함한 유기층;을 포함하고, 상기 유기층이 상기 화합물을 포함하는 유기 발광 소자가 제공된다.According to another aspect, a first electrode; a second electrode opposite the first electrode; and an organic layer interposed between the first electrode and the second electrode and including a light-emitting layer. An organic light-emitting device is provided, wherein the organic layer includes the compound.

또 다른 측면에 따라, 상기 유기 발광 소자를 구비하고, 상기 유기 발광 소자의 제 1 전극이 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결된 평판 표시 장치가 제공된다.According to another aspect, a flat panel display device is provided, including the organic light emitting device, wherein a first electrode of the organic light emitting device is electrically connected to a source electrode or a drain electrode of a thin film transistor.

본 발명의 일 구현예에 유기 발광 소자는 고효율, 저전압, 고휘도, 장수명의 효과를 보인다.In one embodiment of the present invention, the organic light emitting device exhibits high efficiency, low voltage, high brightness, and long lifespan.

도 1은 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다. 1 is a diagram schematically showing the structure of an organic light-emitting device according to an embodiment.

본 발명의 일 측면에 따른 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다:A compound according to one aspect of the present invention is represented by the following formula (1):

<화학식 1><Formula 1>

Figure 112016080808881-pat00002
Figure 112016080808881-pat00002

상기 화학식 1 중, In Formula 1,

R1 내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트로기, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고;R 1 to R 4 are each independently hydrogen, deuterium, halogen, amino group, nitro group, nitrile group, substituted or unsubstituted C 1 -C 60 alkyl group, substituted or unsubstituted C 2 -C 60 alkenyl group, substituted or Unsubstituted C 2 -C 60 alkynyl group, substituted or unsubstituted C 1 -C 60 alkoxy group, substituted or unsubstituted C 3 -C 10 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C 2 -C 10 heterocycloalkyl group , substituted or unsubstituted C 3 -C 10 cycloalkenyl group, substituted or unsubstituted C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 60 aryl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 60 aryloxy group, substituted or unsubstituted C 6 -C 60 arylthio group, substituted or unsubstituted C 1 -C 60 heteroaryl group, substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, and selected from substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic heterocondensed polycyclic groups;

L1 및 L2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹, 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되며;L 1 and L 2 are each independently a substituted or unsubstituted C 6 -C 60 arylene group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 60 heteroarylene group, a substituted or unsubstituted divalent non-aromatic condensed polycyclic group, and substituted or unsubstituted divalent non-aromatic heterocondensed polycyclic groups;

Ar1 내지 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고;Ar 1 to Ar 4 are each independently a substituted or unsubstituted C 6 -C 60 aryl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 60 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 60 arylthio group, selected from a substituted or unsubstituted C 1 -C 60 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, and a substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group;

a, b, c 및 d는 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수 중에서 선택되며; a, b, c and d are each independently selected from integers from 0 to 3;

A는 수소이거나; 또는 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기가 융합된 것을 나타내며;A is hydrogen; or a substituted or unsubstituted C 6 -C 60 aryl group is fused;

상기 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 치환된 C6-C60아릴렌기, 치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹, 및 치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중 적어도 하나의 치환기는, The substituted C 1 -C 60 alkyl group, substituted C 2 -C 60 alkenyl group, substituted C 2 -C 60 alkynyl group, substituted C 1 -C 60 alkoxy group, substituted C 3 -C 10 cycloalkyl group, Substituted C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, substituted C 3 -C 10 cycloalkenyl group, substituted C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, substituted C 6 -C 60 aryl group, substituted C 6 -C 60 aryloxy group, substituted C 6 -C 60 arylthio group, substituted C 1 -C 60 heteroaryl group, substituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, substituted monovalent non-aromatic heterocondensed polycyclic group, At least one substituent among a substituted C 6 -C 60 arylene group, a substituted C 1 -C 60 heteroarylene group, a substituted divalent non-aromatic condensed polycyclic group, and a substituted divalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group ,

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or salts thereof, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group and C 1 -C 60 alkoxy group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기(aryloxy), C6-C60아릴티오기(arylthio), C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q11)(Q12), -Si(Q13)(Q14)(Q15) 및 -B(Q16)(Q17) 중 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 - C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 1 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group, - C 1 -C 60 alkyl group, C 2 substituted with at least one of N(Q 11 )(Q 12 ), -Si(Q 13 )(Q 14 )(Q 15 ) and -B(Q 16 )(Q 17 ) -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group and C 1 -C 60 alkoxy group;

C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryl Oxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 1 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group and monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q21)(Q22), -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 중 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, C 1 -C 60 alkoxy group, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group , C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 1 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, -N(Q 21 )(Q 22 ), -Si(Q 23 )(Q 24 )(Q 25 ) and -B(Q 26 )(Q 27 ), substituted with at least one of C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalke Nyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 1 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group and monovalent non- aromatic heterocondensed polycyclic group; and

Si(Q13)(Q14)(Q15); 중에서 선택되고;Si(Q 13 )(Q 14 )(Q 15 ); is selected from;

상기 Q11 내지 Q17 및 Q21 내지 Q27은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된다.Q 11 to Q 17 and Q 21 to Q 27 are each independently selected from hydrogen, deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or its salt, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, C 1 -C 60 Alkoxy group, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 1 - C 60 is selected from heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group and monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group.

A가 수소라는 것은 벤조크로멘 모이어티에 아무것도 융합되지 않은 상태를 의미한다. The fact that A is hydrogen means that nothing is fused to the benzochromene moiety.

본 발명에 따른 상기 화학식 1의 화합물들은 정공 주입 재료, 정공 수송 재료 및/또는 발광 재료로서의 기능을 가진다. 또한 화학식 1의 화합물들은 헤테로고리의 도입으로 유리 전이 온도(Tg)나 융점이 높다. 따라서 발광시에 있어서의 유기층 중, 유기층 사이 내지는, 유기층과 금속 전극간에서 발생하는 줄 열에 대한 내열성 및 고온 환경 하에서의 내성이 증가된다. 이러한 화합물을 이용하여 제조된 유기 발광 소자는 보존시 및 구동시의 내구성이 높다.The compounds of Formula 1 according to the present invention function as hole injection materials, hole transport materials, and/or light-emitting materials. In addition, compounds of Formula 1 have a high glass transition temperature (Tg) or melting point due to the introduction of a heterocycle. Therefore, heat resistance to Joule heat generated during light emission, among the organic layers, or between the organic layer and the metal electrode, and resistance in a high temperature environment are increased. Organic light-emitting devices manufactured using these compounds have high durability during storage and operation.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1에서, 상기 A는 벤젠, 또는 나프탈렌이 융합된 것일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, in Formula 1, A may be a fusion of benzene or naphthalene.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1에서, 상기 R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소, 또는 중수소일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, in Formula 1, R 3 and R 4 may each independently be hydrogen or deuterium.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1에서, 상기 L1 및 L2가 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기일 수 있다. According to one embodiment of the present invention, in Formula 1, L 1 and L 2 are each independently a substituted or unsubstituted C 6 -C 60 arylene group, or a substituted or unsubstituted C 1 -C 60 heteroaryl group. It could be Rengi.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1에서, 상기 Ar1 내지 Ar4가 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 또는 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, in Formula 1, Ar 1 to Ar 4 are each independently a substituted or unsubstituted C 6 -C 60 aryl group or a substituted or unsubstituted C 1 -C 60 heteroaryl group. , a substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, or a substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1에서, 상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 또는 하기 화학식 2a 내지 2d이거나,According to one embodiment of the present invention, in Formula 1, R 1 and R 2 are each independently hydrogen, deuterium, or one of the following Formulas 2a to 2d,

Figure 112016080808881-pat00003
Figure 112016080808881-pat00003

상기 화학식 2a 내지 2d 중, Z1은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 및 Si(Q13)(Q14)(Q15) 중에서 선택되고;In the above formulas 2a to 2d, Z 1 is each independently hydrogen, deuterium, cyano group, halogen group, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or Unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted heteroaryl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic hetero a condensed polycyclic group, and Si(Q 13 )(Q 14 )(Q 15 );

p는 1 내지 5의 정수를 나타내고;p represents an integer from 1 to 5;

*는 결합 자리를 나타낸다; 또는* indicates binding site; or

상기 R1 및 R2는 서로 연결되어 사이클로헥실기, 또는 사이클로헵틸기를 형성할 수 있다.R 1 and R 2 may be connected to each other to form a cyclohexyl group or a cycloheptyl group.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1에서, 상기 L1 또는 L2가 하기 화학식 3a일 수 있다:According to one embodiment of the present invention, in Formula 1, L 1 or L 2 may be of Formula 3a below:

Figure 112016080808881-pat00004
Figure 112016080808881-pat00004

상기 화학식 3a에서, *는 결합 자리를 나타낸다.In Formula 3a, * represents a binding site.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1에서, 상기 Ar1 내지 Ar4가 각각 독립적으로 하기 화학식 4a 내지 4e일 수 있다:According to one embodiment of the present invention, in Formula 1, Ar 1 to Ar 4 may each independently represent the following Formulas 4a to 4e:

Figure 112016080808881-pat00005
Figure 112016080808881-pat00005

상기 화학식 4a 내지 4e중, H1은 O, S, CR11R12, 또는 NR13을 나타내고, In Formulas 4a to 4e, H 1 represents O, S, CR 11 R 12 , or NR 13 ,

R11 내지 R13, 및 Z1은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 및 Si(Q13)(Q14)(Q15) 중에서 선택되고;R 11 to R 13 , and Z 1 are each independently hydrogen, deuterium, cyano group, halogen group, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or Unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted heteroaryl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic hetero a condensed polycyclic group, and Si(Q 13 )(Q 14 )(Q 15 );

p는 1 내지 9의 정수를 나타내고;p represents an integer from 1 to 9;

*는 결합 자리를 나타낸다. * indicates a binding site.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1이 하기 화학식 2, 3, 또는 4일 수 있다:According to one embodiment of the present invention, Formula 1 may be Formula 2, 3, or 4 below:

<화학식 2><Formula 2>

Figure 112016080808881-pat00006
Figure 112016080808881-pat00006

<화학식 3><Formula 3>

Figure 112016080808881-pat00007
Figure 112016080808881-pat00007

<화학식 4><Formula 4>

Figure 112016080808881-pat00008
Figure 112016080808881-pat00008

상기 화학식 2, 3, 또는 4 중, 치환기 및 기호에 대한 정의는 상술한 바와 같다. In Formula 2, 3, or 4, the definitions of substituents and symbols are as described above.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1이 하기 화학식 5일 수 있다:According to one embodiment of the present invention, Formula 1 may be Formula 5 below:

<화학식 5><Formula 5>

Figure 112016080808881-pat00009
Figure 112016080808881-pat00009

상기 화학식 5 중, 치환기 및 기호에 대한 정의는 상술한 바와 같다. In Formula 5, the definitions of substituents and symbols are as described above.

본 발명의 일 구현예에 따르면, 상기 화학식 1의 화합물이 하기 화합물 중 어느 하나일 수 있다:According to one embodiment of the present invention, the compound of Formula 1 may be any one of the following compounds:

Figure 112016080808881-pat00010
Figure 112016080808881-pat00010

Figure 112016080808881-pat00011
Figure 112016080808881-pat00011

Figure 112016080808881-pat00012
Figure 112016080808881-pat00012

Figure 112016080808881-pat00013
Figure 112016080808881-pat00013

Figure 112016080808881-pat00014
Figure 112016080808881-pat00014

Figure 112016080808881-pat00015
Figure 112016080808881-pat00015

Figure 112016080808881-pat00016
Figure 112016080808881-pat00016

Figure 112016080808881-pat00017
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Figure 112016080808881-pat00018
Figure 112016080808881-pat00018

Figure 112016080808881-pat00019
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Figure 112016080808881-pat00020
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Figure 112016080808881-pat00021
Figure 112016080808881-pat00021

Figure 112016080808881-pat00022
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Figure 112016080808881-pat00023
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Figure 112016080808881-pat00024
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본 명세서 중 "유기층"은 상기 유기 발광 소자 중 제1전극과 제2전극 사이에 개재된 단일 및/또는 복수의 모든 층을 가리키는 용어이다. 상기 "유기층"의 층에 포함된 물질이 유기물로 한정되는 것은 아니다. In this specification, “organic layer” is a term referring to all single and/or multiple layers interposed between the first electrode and the second electrode of the organic light emitting device. Materials included in the “organic layer” layer are not limited to organic materials.

도 1은 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자(10)의 단면도를 개략적으로 도시한 것이다. 상기 유기 발광 소자(10)은 제1전극(110), 유기층(150) 및 제2전극(190)을 포함한다. Figure 1 schematically shows a cross-sectional view of an organic light-emitting device 10 according to an embodiment of the present invention. The organic light emitting device 10 includes a first electrode 110, an organic layer 150, and a second electrode 190.

이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자의 구조 및 제조 방법을 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, the structure and manufacturing method of an organic light-emitting device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1.

도 1의 제1전극(110)의 하부 또는 제2전극(190)의 상부에는 기판이 추가로 배치될 수 있다. 상기 기판은 기계적 강도, 열안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급 용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 사용할 수 있다.A substrate may be additionally disposed below the first electrode 110 or above the second electrode 190 in FIG. 1 . The substrate may be a glass substrate or a transparent plastic substrate having excellent mechanical strength, thermal stability, transparency, surface smoothness, ease of handling, and waterproofness.

상기 제1전극(110)은, 예를 들면, 기판 상부에, 제1전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등을 이용하여 제공함으로써 형성될 수 있다. 상기 제1전극(110)이 애노드일 경우, 정공 주입이 용이하도록 제1전극용 물질은 높은 일함수를 갖는 물질 중에서 선택될 수 있다. 상기 제1전극(110)은 반사형 전극, 반투과형 전극 또는 투과형 전극일 수 있다. 제1전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 이용할 수 있다. 또는, 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 제1전극(110)을 형성하기 위하여, 제1전극용 물질로서, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 중 적어도 하나를 선택할 수 있다. The first electrode 110 may be formed, for example, by providing a first electrode material on the upper part of the substrate using a deposition method or sputtering method. When the first electrode 110 is an anode, the material for the first electrode may be selected from materials with a high work function to facilitate hole injection. The first electrode 110 may be a reflective electrode, a transflective electrode, or a transmissive electrode. Materials for the first electrode include transparent and highly conductive materials such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), tin oxide (SnO 2 ), and zinc oxide (ZnO). Alternatively, to form the first electrode 110, which is a transflective electrode or a reflective electrode, materials for the first electrode include magnesium (Mg), aluminum (Al), aluminum-lithium (Al-Li), and calcium (Ca). ), magnesium-indium (Mg-In), or magnesium-silver (Mg-Ag).

상기 제1전극(110)은 단일층 또는 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1전극(110)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The first electrode 110 may have a single layer or a multi-layer structure having multiple layers. For example, the first electrode 110 may have a three-layer structure of ITO/Ag/ITO, but is not limited to this.

상기 제1전극(110) 상부에는 유기층(150)이 배치되어 있다. 상기 유기층(150)은 발광층을 포함한다. An organic layer 150 is disposed on the first electrode 110. The organic layer 150 includes a light emitting layer.

상기 유기층(150)은, 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 개재되는 정공 수송 영역(hole transport region) 및 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 개재되는 전자 수송 영역(electron transport region)을 더 포함할 수 있다. The organic layer 150 may further include a hole transport region interposed between the first electrode and the light-emitting layer and an electron transport region interposed between the light-emitting layer and the second electrode. You can.

상기 정공 수송 영역은, 정공 수송층(HTL), 정공 주입층(HIL), 버퍼층 및 전자 저지층 중 적어도 하나;를 포함할 수 있고, 상기 전자 수송 영역은 정공 저지층(HBL), 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL) 중 적어도 하나;를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The hole transport region may include at least one of a hole transport layer (HTL), a hole injection layer (HIL), a buffer layer, and an electron blocking layer, and the electron transport region may include a hole blocking layer (HBL) and an electron transport layer (ETL). ) and at least one of an electron injection layer (EIL); but is not limited thereto.

상기 정공 수송 영역은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. The hole transport region may have a single layer made of a single material, a single layer made of a plurality of different materials, or a multilayer structure having a plurality of layers made of a plurality of different materials.

예를 들어, 상기 정공 수송 영역은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층의 구조를 갖거나, 제1전극(110)으로부터 차례로 적층된 정공 주입층/정공 수송층, 정공 주입층/정공 수송층/버퍼층, 정공 주입층/버퍼층, 정공 수송층/버퍼층, 또는 정공 주입층/정공 수송층/전자 저지층의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, the hole transport region may have a single layer structure made of a plurality of different materials, or a hole injection layer/hole transport layer, a hole injection layer/hole transport layer/buffer layer sequentially stacked from the first electrode 110. , it may have a structure of a hole injection layer/buffer layer, a hole transport layer/buffer layer, or a hole injection layer/hole transport layer/electron blocking layer, but is not limited thereto.

상기 정공 수송 영역이 정공 주입층을 포함할 경우, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여, 상기 제1전극(110) 상부에 상기 정공 주입층을 형성할 수 있다. When the hole transport region includes a hole injection layer, vacuum deposition, spin coating, casting, LB (Langmuir-Blodgett), inkjet printing, laser printing, and laser induced thermal imaging (LITI) methods are used. The hole injection layer can be formed on the first electrode 110 using various methods such as the like.

진공 증착법에 의하여 정공 주입층을 형성할 경우, 증착 조건은, 예를 들면, 약 100 내지 약 500℃의 증착 온도, 약 10-8 내지 약 10- 3torr의 진공도 및 약 0.01 내지 약 100Å/sec의 증착 속도 범위 내에서, 증착하고자 하는 정공 주입층용 화합물 및 형성하고자 하는 정공 주입층 구조를 고려하여 선택될 수 있다. When forming a hole injection layer by vacuum deposition, the deposition conditions include, for example, a deposition temperature of about 100 to about 500°C, a vacuum degree of about 10 -8 to about 10 -3 torr , and about 0.01 to about 100 Å/sec. Within the deposition rate range, it can be selected in consideration of the hole injection layer compound to be deposited and the hole injection layer structure to be formed.

스핀 코팅법에 의하여 정공 주입층을 형성할 경우, 코팅 조건은 약 2000rpm 내지 약 5000rpm의 코팅 속도 및 약 80℃ 내지 200℃의 열처리 온도 범위 내에서, 증착하고자 하는 정공 주입층용 화합물 및 형성하고자 하는 정공 주입층 구조를 고려하여 선택될 수 있다. When forming a hole injection layer by spin coating, the coating conditions are a coating speed of about 2000 rpm to about 5000 rpm and a heat treatment temperature of about 80 ℃ to 200 ℃, the compound for the hole injection layer to be deposited and the hole to be formed It may be selected considering the injection layer structure.

상기 정공 수송 영역이 정공 수송층을 포함할 경우, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여, 제1전극(110) 상부 또는 정공 주입층 상부에 상기 정공 수송층을 형성할 수 있다. 진공 증착법 및 스핀 코팅법에 의하여 정공 수송층을 형성할 경우, 정공 수송층의 증착 조건 및 코팅 조건은 상기 정공 주입층의 증착 조건 및 코팅 조건을 참조한다. When the hole transport region includes a hole transport layer, vacuum deposition, spin coating, casting, LB (Langmuir-Blodgett), inkjet printing, laser printing, laser induced thermal imaging (LITI), etc. The hole transport layer can be formed on the first electrode 110 or on the hole injection layer using various methods. When forming a hole transport layer by vacuum deposition or spin coating, the deposition and coating conditions of the hole transport layer refer to the deposition and coating conditions of the hole injection layer.

상기 정공 수송 영역은, m-MTDATA, TDATA, 2-TNATA, NPB, β-NPB, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, alpha-NPB, TAPC, HMTPD, TCTA(4,4',4"-트리스(N-카바졸일)트리페닐아민(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)), Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid:폴리아닐린/도데실벤젠술폰산), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonicacid:폴리아닐린/캠퍼술폰산), PANI/PSS (Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리아닐린)/폴리(4-스티렌술포네이트)), 하기 화학식 201로 표시되는 화합물, 하기 화학식 202로 표시되는 화합물, 또는 본 발명의 일 구현예에 따른 화학식 1의 화합물을 포함할 수 있다:The hole transport region is m-MTDATA, TDATA, 2-TNATA, NPB, β-NPB, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, alpha-NPB, TAPC, HMTPD, TCTA (4,4',4"- Tris(N-carbazolyl)triphenylamine (4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine), Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PEDOT/PSS( Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonicacid:Polyaniline/Camphor sulfonic acid), PANI/PSS (Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate):polyaniline)/poly(4-styrenesulfonate)), a compound represented by the following formula 201, a compound represented by the following formula 202, or a compound of the present invention According to one embodiment, it may include a compound of Formula 1:

<화학식 201><Formula 201>

<화학식 202><Formula 202>

상기 화학식 201 및 202 중, In formulas 201 and 202,

L201 내지 L205에 대한 설명은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹, 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고;Descriptions of L 201 to L 205 include, independently of each other, a substituted or unsubstituted C 6 -C 60 arylene group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 60 heteroarylene group, a substituted or unsubstituted divalent non-aromatic selected from condensed polycyclic groups, and substituted or unsubstituted divalent non-aromatic heterocondensed polycyclic groups;

xa1 내지 xa4는 서로 독립적으로, 0, 1, 2 및 3 중에서 선택되고; xa1 to xa4 are independently selected from 0, 1, 2, and 3;

xa5는 1, 2, 3, 4 및 5 중에서 선택되고; xa5 is selected from 1, 2, 3, 4 and 5;

R201 내지 R204은 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된다. R 201 to R 204 are each independently a substituted or unsubstituted C 3 -C 10 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C 3 -C 10 cycloalkenyl group. , substituted or unsubstituted C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 60 aryl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 60 aryloxy group, substituted or unsubstituted C 6 -C 60 arylthio group, substituted or unsubstituted C 1 -C 60 heteroaryl group, substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, and substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group. is selected.

예를 들어, 상기 화학식 201 및 202 중, For example, in formulas 201 and 202,

L201 내지 L205는 서로 독립적으로, L 201 to L 205 are independently of each other,

페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-플루오레닐렌기, 벤조플루오렌기, 디벤조플루오렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 피리디닐렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 카바졸일렌기 및 트리아지닐렌기; 및Phenylene group, naphthylene group, fluorenylene group, spiro-fluorenylene group, benzofluorene group, dibenzofluorene group, phenanthrenylene group, anthracenylene group, pyrenylene group, chrysenylene group, pyridinyl lene group, pyrazinylene group, pyrimidinylene group, pyridazinylene group, quinolinylene group, isoquinolinenylene group, quinoxalinylene group, quinazolinylene group, carbazonylene group and triazinylene group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 피리디닐렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 카바졸일렌기 및 트리아지닐렌기; 중에서 선택되고;Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group , phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, isoindolyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group. , a phenylene group, a naphthylene group, a fluorenylene group, a spiro-fluorenylene group, a benzofluorenylene group, a dibenzofluorenylene group, substituted with at least one of a quinazolinyl group, a carbazolyl group, and a triazinyl group. , phenanthrenylene group, anthracenylene group, pyrenylene group, chrycenylene group, pyridinylene group, pyrazinylene group, pyrimidinylene group, pyridazinylene group, quinolinylene group, isoquinolinylene group, quinoxalinyl. Len group, quinazolinylene group, carbazonylene group and triazinylene group; is selected from;

xa1 내지 xa4는 서로 독립적으로, 0, 1 또는 2이고; xa1 to xa4 are independently 0, 1, or 2;

xa5는 1, 2 또는 3이고;xa5 is 1, 2, or 3;

R201 내지 R204는 서로 독립적으로, R 201 to R 204 are independently of each other,

페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기; 및Phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group , pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and triazinyl group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기; 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, azulenyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, di Benzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group , quinazolinyl group, carbazolyl group and triazinyl group, substituted with at least one of phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group. , phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group. , carbazolyl group and triazinyl group; It may be selected from among, but is not limited to.

상기 화학식 201로 표시되는 화합물은 하기 화학식 201A로 표시될 수 있다:The compound represented by Formula 201 may be represented by the following Formula 201A:

<화학식 201A><Formula 201A>

예를 들어, 상기 화학식 201로 표시되는 화합물은 하기 화학식 201A-1로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:For example, the compound represented by Formula 201 may be represented by the following Formula 201A-1, but is not limited thereto:

<화학식 201A-1><Formula 201A-1>

상기 화학식 202로 표시되는 화합물은 하기 화학식 202A로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:The compound represented by Formula 202 may be represented by the following Formula 202A, but is not limited thereto:

<화학식 202A><Formula 202A>

상기 화학식 201A, 201A-1 및 202A 중 L201 내지 L203, xa1 내지 xa3, xa5 및 R202 내지 R204에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조하고, R211은 R203에 대한 설명을 참조하고, R213 내지 R216은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴기옥시기, C6-C60아릴기티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택될 수 있다.In the above formulas 201A, 201A-1 and 202A, the description of L 201 to L 203 , xa1 to xa3, xa5 and R 202 to R 204 refers to the description in this specification, and for R 211 , refer to the description of R 203 , R 213 to R 216 are independently of each other hydrogen, deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, car Boxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or its salt, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, C 1 -C 60 alkoxy group, C 3 - C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryl group, oxy group, It may be selected from a C 6 -C 60 aryl group, a C 1 -C 60 heteroaryl group, a monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, and a monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group.

예를 들어, 상기 화학식 201A, 201A-1 및 202A 중, For example, among the formulas 201A, 201A-1 and 202A,

L201 내지 L203은 서로 독립적으로, L 201 to L 203 are independently of each other,

페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 피리디닐렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 카바졸일렌기 및 트리아지닐렌기; 및Phenylene group, naphthylene group, fluorenylene group, spiro-fluorenylene group, benzofluorenylene group, dibenzofluorenylene group, phenanthrenylene group, anthracenylene group, pyrenylene group, chrysenylene group, Pyridinylene group, pyrazinylene group, pyrimidinylene group, pyridazinylene group, quinolinylene group, isoquinolinylene group, quinoxalinylene group, quinazolinylene group, carbazonylene group and triazinylene group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 피리디닐렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 카바졸일렌기 및 트리아지닐렌기; 중에서 선택되고; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group , phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group. , substituted with at least one selected from carbazolyl group and triazinyl group, phenylene group, naphthylene group, fluorenylene group, spiro-fluorenylene group, benzofluorenylene group, dibenzofluorenylene group, phenanthre. Nylene group, anthracenylene group, pyrenylene group, chrycenylene group, pyridinylene group, pyrazinylene group, pyrimidinylene group, pyridazinylene group, quinolinylene group, isoquinolinylene group, quinoxalinylene group, quina Zolinylene group, carbazonylene group and triazinylene group; is selected from;

xa1 내지 xa3은 서로 독립적으로, 0 또는 1이고;xa1 to xa3 are independently 0 or 1;

R203, R211 및 R212는 서로 독립적으로, R 203 , R 211 and R 212 are independently of each other,

페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기; 및Phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group , pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and triazinyl group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기; 중에서 선택되고; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid Carboxylic acid or salt thereof, sulfonic acid or salt thereof , phosphoric acid or a salt thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzo. Fluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, Phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, substituted with at least one selected from quinazolinyl group, carbazolyl group and triazinyl group. , phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, Quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and triazinyl group; is selected from;

R213 및 R214는 서로 독립적으로, R 213 and R 214 are independently of each other,

C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; C 1 -C 20 alkyl group and C 1 -C 20 alkoxy group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl Substituted with at least one selected from group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and triazinyl group, C 1 -C 20 alkyl group and C 1 -C 20 alkoxy group;

페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기; 및Phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group , pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and triazinyl group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기; 중에서 선택되고; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group , phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group. , substituted with at least one selected from carbazolyl group and triazinyl group, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthre. Nyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazole diary and triazinyl groups; is selected from;

R215 및 R216은 서로 독립적으로, R 215 and R 216 are independently of each other,

수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기;Hydrogen, deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or salt thereof, sulfonic acid or salt thereof, Phosphoric acid or a salt thereof, C 1 -C 20 alkyl group and C 1 -C 20 alkoxy group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl Substituted with at least one selected from group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and triazinyl group, C 1 -C 20 alkyl group and C 1 -C 20 alkoxy group;

페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기 및 트리아지닐기; 및Phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group , pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group and triazinyl group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기; 중에서 선택되고;Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group , phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group. , substituted with at least one selected from carbazolyl group and triazinyl group, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthre. Nyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazole diary and triazinyl groups; is selected from;

xa5는 1 또는 2이다.xa5 is 1 or 2.

상기 화학식 201A 및 201A-1 중 R213 및 R214는 서로 결합하여 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있다. In Formulas 201A and 201A-1, R 213 and R 214 may be combined with each other to form a saturated or unsaturated ring.

상기 화학식 201로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 202로 표시되는 화합물은 하기 화합물 HT1 내지 HT20을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The compound represented by Formula 201 and the compound represented by Formula 202 may include, but are not limited to, the following compounds HT1 to HT20.

상기 정공 수송 영역의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들면, 약 100Å 내지 약 1000Å일 수 있다. 상기 정공 수송 영역이 정공 주입층 및 정공 수송층을 모두 포함한다면, 상기 정공 주입층의 두께는 약 100Å 내지 약 10000Å, 예를 들면, 약 100Å 내지 약 1000Å이고, 상기 정공 수송층의 두께는 약 50Å 내지 약 2000Å, 예를 들면 약 100Å 내지 약 1500Å일 수 있다. 상기 정공 수송 영역, 정공 주입층 및 정공 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다. The thickness of the hole transport region may be about 100Å to about 10000Å, for example, about 100Å to about 1000Å. If the hole transport region includes both a hole injection layer and a hole transport layer, the thickness of the hole injection layer is about 100 Å to about 10000 Å, for example, about 100 Å to about 1000 Å, and the thickness of the hole transport layer is about 50 Å to about 10000 Å. It may be 2000 Å, for example about 100 Å to about 1500 Å. When the thickness of the hole transport region, hole injection layer, and hole transport layer satisfies the above-mentioned ranges, satisfactory hole transport characteristics can be obtained without a substantial increase in driving voltage.

상기 정공 수송 영역은 상술한 바와 같은 물질 외에, 도전성 향상을 위하여 전하-생성 물질을 더 포함할 수 있다. 상기 전하-생성 물질은 상기 정공 수송 영역 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다. In addition to the materials described above, the hole transport region may further include a charge-generating material to improve conductivity. The charge-generating material may be uniformly or non-uniformly dispersed within the hole transport region.

상기 전하-생성 물질은 예를 들면, p-도펀트일 수 있다. 상기 p-도펀트는 퀴논 유도체, 금속 산화물 및 시아노기-함유 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 p-도펀트의 비제한적인 예로는, 테트라시아노퀴논다이메테인(TCNQ) 및 2,3,5,6-테트라플루오로-테트라시아노-1,4-벤조퀴논다이메테인(F4-TCNQ) 등과 같은 퀴논 유도체; 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물; 및 하기 화합물 HT-D1 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The charge-generating material may be, for example, a p-dopant. The p-dopant may be one of a quinone derivative, a metal oxide, and a cyano group-containing compound, but is not limited thereto. For example, non-limiting examples of the p-dopant include tetracyanoquinonedimethane (TCNQ) and 2,3,5,6-tetrafluoro-tetracyano-1,4-benzoquinonedimethane. quinone derivatives such as phosphorus (F4-TCNQ); metal oxides such as tungsten oxide and molybdenum oxide; and the following compound HT-D1, etc., but are not limited thereto.

<화합물 HT-D1> <F4-TCNQ><Compound HT-D1> <F4-TCNQ>

상기 정공 수송 영역은 상술한 바와 같은 전자 저지층, 정공 주입층 및 정공 수송층 외에, 버퍼층을 더 포함할 수 있다. 상기 버퍼층은 발광층에서 방출되는 광의 파장에 따른 광학적 공진 거리를 보상하여 광 방출 효율을 증가시키는 역할을 수 있다. 상기 버퍼층에 포함되는 물질로는 정공 수송 영역에 포함될 수 있는 물질을 사용할 수 있다. 전자 저지층은 전자 수송 영역으로부터의 전자 주입을 방지하는 역할을 하는 층이다.The hole transport region may further include a buffer layer in addition to the electron blocking layer, hole injection layer, and hole transport layer as described above. The buffer layer may serve to increase light emission efficiency by compensating for an optical resonance distance depending on the wavelength of light emitted from the light emitting layer. The material included in the buffer layer may be a material that can be included in the hole transport region. The electron blocking layer is a layer that serves to prevent electron injection from the electron transport region.

상기 제1전극(110) 상부 또는 정공 수송 영역 상부에 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 발광층을 형성한다. 진공 증착법 및 스핀 코팅법에 의해 발광층을 형성할 경우, 발광층의 증착 조건 및 코팅 조건은 상기 정공 주입층의 증착 조건 및 코팅 조건을 참조한다. Vacuum deposition, spin coating, casting, LB (Langmuir-Blodgett), inkjet printing, laser printing, or laser induced thermal imaging (LITI) method is applied to the top of the first electrode 110 or the hole transport area. ), etc., are used to form the light-emitting layer. When forming the light-emitting layer by vacuum deposition and spin coating, the deposition and coating conditions of the light-emitting layer refer to the deposition and coating conditions of the hole injection layer.

상기 유기 발광 소자(10)가 풀 컬러 유기 발광 소자일 경우, 발광층, 개별 부화소별로, 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층으로 패터닝될 수 있다. 또는, 상기 발광층은, 적색 발광층, 녹색 발광층 및 청색 발광층이 적층된 구조를 갖거나, 적색광 발출 물질, 녹색광 발출 물질 및 청색광 방출 물질이 층구분없이 혼합된 구조를 가져, 백색광을 방출할 수 있다. When the organic light emitting device 10 is a full color organic light emitting device, the light emitting layer and each subpixel may be patterned into a red light emitting layer, a green light emitting layer, and a blue light emitting layer. Alternatively, the light-emitting layer may have a structure in which a red light-emitting layer, a green light-emitting layer, and a blue light-emitting layer are stacked, or a structure in which a red light-emitting material, a green light-emitting material, and a blue light-emitting material are mixed without layer distinction, and may emit white light.

상기 발광층은 호스트 및 도펀트를 포함할 수 있다.The light emitting layer may include a host and a dopant.

상기 호스트는, 예를 들어, 하기 TPBi, TBADN, ADN("DNA"라고도 함), CBP, CDBP, 및 TCP 중 적어도 하나를 포함할 수 있다:The host may include, for example, at least one of the following: TPBi, TBADN, ADN (also referred to as “DNA”), CBP, CDBP, and TCP:

또는, 상기 호스트는 하기 화학식 301로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다. Alternatively, the host may include a compound represented by Chemical Formula 301 below.

<화학식 301><Formula 301>

Ar301-[(L301)xb1-R301]xb2 Ar 301 -[(L 301 ) xb1 -R 301 ] xb2

상기 화학식 301 중, In the above formula 301,

Ar301Ar 301 is

나프탈렌(naphthalene), 헵탈렌(heptalene), 플루오렌(fluorenene), 스파이로-플루오렌, 벤조플루오렌, 디벤조플루오렌, 페날렌(phenalene), 페난트렌(phenanthrene), 안트라센(anthracene), 플루오란텐(fluoranthene), 트리페닐렌(triphenylene), 파이렌(pyrene), 크라이센(chrysene), 나프타센(naphthacene), 피센(picene), 페릴렌(perylene), 펜타펜(pentaphene) 및 인데노안트라센(indenoanthracene);Naphthalene, hepthalene, fluorene, spiro-fluorene, benzofluorene, dibenzofluorene, phenalene, phenanthrene, anthracene, fluorine fluoranthene, triphenylene, pyrene, chrysene, naphthacene, picene, perylene, pentaphene and indeno. anthracene (indenoanthracene);

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴기옥시기, C6-C60아릴기티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 및 -Si(Q301)(Q302)(Q303) (상기 Q301 내지 Q303은 서로 독립적으로, 수소, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C6-C60아릴기 및 C1-C60헤테로아릴기 중에서 선택됨) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 나프탈렌, 헵탈렌, 플루오렌, 스파이로-플루오렌, 벤조플루오렌, 디벤조플루오렌, 페날렌, 페난트렌, 안트라센, 플루오란텐, 트리페닐렌, 파이렌, 크라이센, 나프타센, 피센, 페릴렌, 펜타펜 및 인데노안트라센; 중에서 선택되고; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, C 1 -C 60 alkoxy group, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group , C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryl group oxy group, C 6 -C 60 aryl group, C 1 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, and -Si(Q 301 )(Q 302 )(Q 303 ) (Q 301 to Q 303 are independently of each other, substituted with at least one selected from hydrogen, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 6 -C 60 aryl group and C 1 -C 60 heteroaryl group), naphthalene, hepthalene, fluorene , spiro-fluorene, benzofluorene, dibenzofluorene, phenalene, phenanthrene, anthracene, fluoranthene, triphenylene, pyrene, chrysene, naphthacene, picene, perylene, pentaphene and inde. noanthracene; is selected from;

L301은 페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-플루오레닐렌기, 벤조플루오렌기, 디벤조플루오렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 피리디닐렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 카바졸일렌기 및 트리아지닐렌기; 및L 301 is phenylene group, naphthylene group, fluorenylene group, spiro-fluorenylene group, benzofluorene group, dibenzofluorene group, phenanthrenylene group, anthracenylene group, pyrenylene group, chrysenylene group , pyridinylene group, pyrazinylene group, pyrimidinylene group, pyridazinylene group, quinolinylene group, isoquinolinylene group, quinoxalinylene group, quinazolinylene group, carbazonylene group and triazinylene group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐렌기, 피리디닐렌기, 피라지닐렌기, 피리미디닐렌기, 피리다지닐렌기, 퀴놀리닐렌기, 이소퀴놀리닐렌기, 퀴녹살리닐렌기, 퀴나졸리닐렌기, 카바졸일렌기 및 트리아지닐렌기; 중에서 선택되고;Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthra Cenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, isoindolyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carboxylinyl group Substituted with at least one of a zolyl group and a triazinyl group, phenylene group, naphthylene group, fluorenylene group, spiro-fluorenylene group, benzofluorenylene group, dibenzofluorenylene group, phenanthrenylene group, Anthracenylene group, pyrenylene group, chrysenylene group, pyridinylene group, pyrazinylene group, pyrimidinylene group, pyridazinylene group, quinolinylene group, isoquinolinylene group, quinoxalinylene group, quinazolinylene group , carbazoylene group and triazinylene group; is selected from;

R301R 301 is

C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; C 1 -C 20 alkyl group and C 1 -C 20 alkoxy group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, A C 1 -C 20 alkyl group substituted with at least one selected from pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and triazinyl group. and C 1 -C 20 alkoxy group;

페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸기 및 트리아지닐기; 및Phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group , pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazole group and triazinyl group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기; 중에서 선택되고; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthra Cenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and tria Substituted with at least one selected from the group consisting of phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group. group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and triazinyl group; is selected from;

xb1은 0, 1, 2 및 3 중에서 선택되고; xb1 is selected from 0, 1, 2 and 3;

xb2는 1, 2, 3 및 4 중에서 선택된다. xb2 is selected from 1, 2, 3 and 4.

예를 들어, 상기 화학식 301 중,For example, in Formula 301,

L301은 페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 파이레닐렌기 및 크라이세닐렌기; 및L 301 is phenylene group, naphthylene group, fluorenylene group, spiro-fluorenylene group, benzofluorenylene group, dibenzofluorenylene group, phenanthrenylene group, anthracenylene group, pyrenylene group and cry Senylene group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기 및 크라이세닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐렌기, 나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 스파이로-플루오레닐렌기, 벤조플루오레닐렌기, 디벤조플루오레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 파이레닐렌기 및 크라이세닐렌기; 중에서 선택되고;Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthra Substituted with at least one selected from cenyl group, pyrenyl group and chrysenyl group, phenylene group, naphthylene group, fluorenylene group, spiro-fluorenylene group, benzofluorenylene group, dibenzofluorenylene group, phenanthrenylene group, anthracenylene group, pyrenylene group and chrysenylene group; is selected from;

R301R 301 is

C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; C 1 -C 20 alkyl group and C 1 -C 20 alkoxy group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기 및 크라이세닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Substituted with at least one selected from salts thereof, phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group and chrysenyl group. C 1 -C 20 alkyl group and C 1 -C 20 alkoxy group;

페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기 및 크라이세닐기; 및phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group and chrysenyl group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기 및 크라이세닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기 및 크라이세닐기; 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthra Substituted with at least one selected from cenyl group, pyrenyl group and chrysenyl group, phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group group, pyrenyl group and chrysenyl group; It may be selected from among, but is not limited to.

예를 들어, 상기 호스트는 하기 화학식 301A로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다:For example, the host may include a compound represented by the following formula 301A:

<화학식 301A><Formula 301A>

상기 화학식 301A 중 치환기에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다. For descriptions of substituents in Formula 301A, refer to what is described herein.

상기 화학식 301로 표시되는 화합물은 하기 화합물 H1 내지 H42 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:The compound represented by Formula 301 may include at least one of the following compounds H1 to H42, but is not limited thereto:

또는, 상기 호스트는 하기 화합물 H43 내지 H49 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:Alternatively, the host may include at least one of the following compounds H43 to H49, but is not limited thereto:

상기 도펀트는 공지의 형광 도펀트, 인광 도펀트, 또는 본 발명의 일 구현예에 따른 화학식 1의 화합물을 포함할 수 있다. The dopant may include a known fluorescent dopant, a phosphorescent dopant, or the compound of Formula 1 according to an embodiment of the present invention.

상기 인광 도펀트는 하기 화학식 401로 표시되는 유기금속 착체를 포함할 수 있다:The phosphorescent dopant may include an organometallic complex represented by the following chemical formula 401:

<화학식 401><Formula 401>

상기 화학식 401 중, In the above formula 401,

M은 이리듐(Ir), 백금(Pt), 오스뮴(Os), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 유로퓸(Eu), 테르븀(Tb) 및 톨륨(TM) 중에서 선택되고; M is selected from iridium (Ir), platinum (Pt), osmium (Os), titanium (Ti), zirconium (Zr), hafnium (Hf), europium (Eu), terbium (Tb) and tholium (TM);

X401 내지 X404는 서로 독립적으로, 질소 또는 탄소이고;X 401 to X 404 are independently nitrogen or carbon;

A401 및 A402 고리는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 벤젠, 치환 또는 비치환된 나프탈렌, 치환 또는 비치환된 플루오렌, 치환 또는 비치환된 스파이로-플루오렌, 치환 또는 비치환된 인덴, 치환 또는 비치환된 피롤, 치환 또는 비치환된 티오펜, 치환 또는 비치환된 퓨란(furan), 치환 또는 비치환된 이미다졸, 치환 또는 비치환된 피라졸, 치환 또는 비치환된 티아졸, 치환 또는 비치환된 이소티아졸, 치환 또는 비치환된 옥사졸, 치환 또는 비치환된 이속사졸(isooxazole), 치환 또는 비치환된 피리딘, 치환 또는 비치환된 피라진, 치환 또는 비치환된 피리미딘, 치환 또는 비치환된 피리다진, 치환 또는 비치환된 퀴놀린, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀린, 치환 또는 비치환된 벤조퀴놀린, 치환 또는 비치환된 퀴녹살린, 치환 또는 비치환된 퀴나졸린, 치환 또는 비치환된 카바졸, 치환 또는 비치환된 벤조이미다졸, 치환 또는 비치환된 벤조퓨란(benzofuran), 치환 또는 비치환된 벤조티오펜, 치환 또는 비치환된 이소벤조티오펜, 치환 또는 비치환된 벤조옥사졸, 치환 또는 비치환된 이소벤조옥사졸, 치환 또는 비치환된 트리아졸, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸, 치환 또는 비치환된 트리아진, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란(dibenzofuran) 및 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜 중에서 선택되고;A 401 and A 402 rings are each independently selected from substituted or unsubstituted benzene, substituted or unsubstituted naphthalene, substituted or unsubstituted fluorene, substituted or unsubstituted spiro-fluorene, or substituted or unsubstituted indene. , substituted or unsubstituted pyrrole, substituted or unsubstituted thiophene, substituted or unsubstituted furan, substituted or unsubstituted imidazole, substituted or unsubstituted pyrazole, substituted or unsubstituted thiazole, Substituted or unsubstituted isothiazole, substituted or unsubstituted oxazole, substituted or unsubstituted isoxazole, substituted or unsubstituted pyridine, substituted or unsubstituted pyrazine, substituted or unsubstituted pyrimidine, Substituted or unsubstituted pyridazine, substituted or unsubstituted quinoline, substituted or unsubstituted isoquinoline, substituted or unsubstituted benzoquinoline, substituted or unsubstituted quinoxaline, substituted or unsubstituted quinazoline, substituted or unsubstituted Substituted carbazole, substituted or unsubstituted benzoimidazole, substituted or unsubstituted benzofuran, substituted or unsubstituted benzothiophene, substituted or unsubstituted isobenzothiophene, substituted or unsubstituted benzo Oxazole, substituted or unsubstituted isobenzooxazole, substituted or unsubstituted triazole, substituted or unsubstituted oxadiazole, substituted or unsubstituted triazine, substituted or unsubstituted dibenzofuran, and selected from substituted or unsubstituted dibenzothiophene;

상기 치환된 벤젠, 치환된 나프탈렌, 치환된 플루오렌, 치환된 스파이로-플루오렌, 치환된 인덴, 치환된 피롤, 치환된 티오펜, 치환된 퓨란, 치환된 이미다졸, 치환된 피라졸, 치환된 티아졸, 치환된 이소티아졸, 치환된 옥사졸, 치환된 이속사졸, 치환된 피리딘, 치환된 피라진, 치환된 피리미딘, 치환된 피리다진, 치환된 퀴놀린, 치환된 이소퀴놀린, 치환된 벤조퀴놀린, 치환된 퀴녹살린, 치환된 퀴나졸린, 치환된 카바졸, 치환된 벤조이미다졸, 치환된 벤조퓨란, 치환된 벤조티오펜, 치환된 이소벤조티오펜, 치환된 벤조옥사졸, 치환된 이소벤조옥사졸, 치환된 트리아졸, 치환된 옥사디아졸, 치환된 트리아진, 치환된 디벤조퓨란 및 치환된 디벤조티오펜의 적어도 하나의 치환기는, The substituted benzene, substituted naphthalene, substituted fluorene, substituted spiro-fluorene, substituted indene, substituted pyrrole, substituted thiophene, substituted furan, substituted imidazole, substituted pyrazole, substituted substituted thiazole, substituted isothiazole, substituted oxazole, substituted isoxazole, substituted pyridine, substituted pyrazine, substituted pyrimidine, substituted pyridazine, substituted quinoline, substituted isoquinoline, substituted benzo Quinoline, substituted quinoxaline, substituted quinazoline, substituted carbazole, substituted benzoimidazole, substituted benzofuran, substituted benzothiophene, substituted isobenzothiophene, substituted benzoxazole, substituted iso At least one substituent of benzooxazole, substituted triazole, substituted oxadiazole, substituted triazine, substituted dibenzofuran and substituted dibenzothiophene is:

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or salts thereof, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group and C 1 -C 60 alkoxy group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기(aryloxy), C6-C60아릴티오기(arylthio), C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹(non-aromatic condensed polycyclic group), 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q401)(Q402), -Si(Q403)(Q404)(Q405) 및 -B(Q406)(Q407) 중 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 - C 60 aryloxy, C 6 -C 60 arylthio, C 1 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, non-monovalent -Aromatic heterocondensed polycyclic group, -N (Q 401 ) (Q 402 ), -Si (Q 403 ) (Q 404 ) (Q 405 ) and -B (Q 406 ) (Q 407 ), substituted with at least one of 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group and C 1 -C 60 alkoxy group;

C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기 및 비-방향족 축합다환 그룹;C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryl oxy groups, C 6 -C 60 arylthio groups, C 1 -C 60 heteroaryl groups and non-aromatic condensed polycyclic groups;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴기옥시기, C6-C60아릴기티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q411)(Q412), -Si(Q413)(Q414)(Q415) 및 -B(Q416)(Q417) 중 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, C 1 -C 60 alkoxy group, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group , C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryl group oxy group, C 6 -C 60 aryl group, C 1 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, -N(Q 411 )(Q 412 ), -Si(Q 413 )(Q 414 )(Q 415 ) and -B(Q 416 )(Q 417 ), substituted with at least one of C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalke Nyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 1 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group and monovalent non- aromatic heterocondensed polycyclic group; and

-N(Q421)(Q422), -Si(Q423)(Q424)(Q425) 및 -B(Q426)(Q427); 중에서 선택되고;-N(Q 421 )(Q 422 ), -Si(Q 423 )(Q 424 )(Q 425 ) and -B(Q 426 )(Q 427 ); is selected from;

L401은 유기 리간드이고;L 401 is an organic ligand;

xc1은 1, 2 또는 3이고;xc1 is 1, 2 or 3;

xc2는 0, 1, 2 또는 3이다. xc2 is 0, 1, 2 or 3.

상기 L401은 임의의 1가, 2가 또는 3가의 유기 리간드일 수 있다. 예를 들어, L401은 할로겐 리간드(예를 들면, Cl, F), 디케톤 리간드(예를 들면, 아세틸아세토네이트, 1,3-디페닐-1,3-프로판디오네이트, 2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디오네이트, 헥사플루오로아세토네이트), 카르복실산 리간드(예를 들면, 피콜리네이트, 디메틸-3-피라졸카르복실레이트, 벤조에이트), 카본 모노옥사이드 리간드, 이소니트릴 리간드, 시아노 리간드 및 포스포러스 리간드(예를 들면, 포스핀(phosphine), 포스파이트(phosphite)) 중 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The L 401 may be any monovalent, divalent or trivalent organic ligand. For example, L 401 is a halogen ligand (e.g. Cl, F), a diketone ligand (e.g. acetylacetonate, 1,3-diphenyl-1,3-propanedionate, 2,2, 6,6-Tetramethyl-3,5-heptandionate, hexafluoroacetonate), carboxylic acid ligands (e.g. picolinate, dimethyl-3-pyrazolecarboxylate, benzoate), carbon It may be selected from a monooxide ligand, an isonitrile ligand, a cyano ligand, and a phosphorus ligand (e.g., phosphine, phosphite), but is not limited thereto.

상기 화학식 401 중 A401가 2 이상의 치환기를 가질 경우, A401의 2 이상의 치환기를 서로 결합하여 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있다. In Formula 401, when A 401 has two or more substituents, two or more substituents of A 401 may be combined to form a saturated or unsaturated ring.

상기 화학식 401 중 A402가 2 이상의 치환기를 가질 경우, A402의 2 이상의 치환기를 서로 결합하여 포화 또는 불포화 고리를 형성할 수 있다. In Formula 401, when A 402 has two or more substituents, the two or more substituents of A 402 may be combined to form a saturated or unsaturated ring.

상기 화학식 401 중 xc1이 2 이상일 경우, 화학식 401 중 복수의 리간드 는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 상기 화학식 401 중 xc1이 2 이상일 경우, A401 및 A402는 각각 이웃하는 다른 리간드의 A401 및 A402와 각각 직접(directly) 또는 연결기(예를 들면, C1-C5알킬렌기, -N(R')-(여기서, R'은 C1-C10알킬기 또는 C6-C20아릴기임) 또는 -C(=O)-)를 사이에 두고 연결될 수 있다.When xc1 in Formula 401 is 2 or more, a plurality of ligands in Formula 401 may be the same or different from each other. In Formula 401, when xc1 is 2 or more, A 401 and A 402 are directly connected to A 401 and A 402 of other neighboring ligands, respectively, or are connected to a linking group (for example, C 1 -C 5 alkylene group, -N (R')-(where R' is a C 1 -C 10 alkyl group or a C 6 -C 20 aryl group) or -C(=O)-).

상기 인광 도펀트는 하기 화합물 PD1 내지 PD74 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:The phosphorescent dopant may include at least one of the following compounds PD1 to PD74, but is not limited thereto:

또는, 상기 인광 도펀트는 하기 PtOEP를 포함할 수 있다:Alternatively, the phosphorescent dopant may include PtOEP:

상기 형광 도펀트는 하기 DPAVBi, BDAVBi, TBPe, DCM, DCJTB, Coumarin 6 및 C545T 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The fluorescent dopant may include at least one of the following DPAVBi, BDAVBi, TBPe, DCM, DCJTB, Coumarin 6, and C545T.

또는, 상기 형광 도펀트는, 하기 화학식 501로 표시되는 화합물을 포함할 수 있다:Alternatively, the fluorescent dopant may include a compound represented by the following formula 501:

<화학식 501><Formula 501>

상기 화학식 501 중, In formula 501,

Ar501Ar 501 silver

나프탈렌(naphthalene), 헵탈렌(heptalene), 플루오렌(fluorenene), 스파이로-플루오렌, 벤조플루오렌, 디벤조플루오렌, 페날렌(phenalene), 페난트렌(phenanthrene), 안트라센(anthracene), 플루오란텐(fluoranthene), 트리페닐렌(triphenylene), 파이렌(pyrene), 크라이센(chrysene), 나프타센(naphthacene), 피센(picene), 페릴렌(perylene), 펜타펜(pentaphene) 및 인데노안트라센(indenoanthracene);Naphthalene, hepthalene, fluorene, spiro-fluorene, benzofluorene, dibenzofluorene, phenalene, phenanthrene, anthracene, fluorine fluoranthene, triphenylene, pyrene, chrysene, naphthacene, picene, perylene, pentaphene and indeno. anthracene (indenoanthracene);

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 및 -Si(Q501)(Q502)(Q503) (상기 Q501 내지 Q503은 서로 독립적으로, 수소, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C6-C60아릴기 및 C1-C60헤테로아릴기 중에서 선택됨) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 나프탈렌, 헵탈렌, 플루오렌, 스파이로-플루오렌, 벤조플루오렌, 디벤조플루오렌, 페날렌, 페난트렌, 안트라센, 플루오란텐, 트리페닐렌, 파이렌, 크라이센, 나프타센, 피센, 페릴렌, 펜타펜 및 인데노안트라센; 중에서 선택되고; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, C 1 -C 60 alkoxy group, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group , C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 1 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, and -Si(Q 501 )(Q 502 )(Q 503 ) (Q 501 to Q 503 are independently of each other, substituted with at least one selected from hydrogen, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 6 -C 60 aryl group and C 1 -C 60 heteroaryl group), naphthalene, hepthalene, fluorene , spiro-fluorene, benzofluorene, dibenzofluorene, phenalene, phenanthrene, anthracene, fluoranthene, triphenylene, pyrene, chrysene, naphthacene, picene, perylene, pentaphene and inde. noanthracene; is selected from;

L501 내지 L503에 대한 설명은 각각 본 명세서 중 L203에 대한 설명을 참조하고;For descriptions of L 501 to L 503 , refer to the description of L 203 in this specification, respectively;

R501 및 R502는 서로 독립적으로,R 501 and R 502 are independently of each other,

페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오기페닐기; 및Phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group , pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazole group, triazinyl group, dibenzofuranyl group and dibenzothiogiphenyl group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오기페닐기 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기, 트리아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 및 디벤조티오기페닐기; 중에서 선택되고; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group , phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group. , phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzoflu, substituted with at least one selected from carbazolyl group, triazinyl group, dibenzofuranyl group and dibenzothiogophenyl group. Orenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group , quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group, triazinyl group and dibenzofuranyl group and dibenzothiogiphenyl group; is selected from;

xd1 내지 xd3는 서로 독립적으로, 0, 1, 2 및 3 중에서 선택되고; xd1 to xd3 are independently selected from 0, 1, 2, and 3;

xb4는 1, 2, 3 및 4 중에서 선택된다. xb4 is selected from 1, 2, 3 and 4.

상기 형광 도펀트는 하기 화합물 FD1 내지 FD8 중 적어도 하나를 포함할 수 있다: The fluorescent dopant may include at least one of the following compounds FD1 to FD8:

상기 발광층 중 도펀트의 함량은 통상적으로 호스트 약 100 중량부에 대하여, 약 0.01 내지 약 15 중량부의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The content of the dopant in the light-emitting layer can typically be selected in the range of about 0.01 to about 15 parts by weight based on about 100 parts by weight of the host, but is not limited thereto.

상기 발광층의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 200Å 내지 약 600Å일 수 있다. 상기 발광층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 발광 특성을 나타낼 수 있다.The thickness of the light emitting layer may be about 100Å to about 1000Å, for example, about 200Å to about 600Å. When the thickness of the light-emitting layer satisfies the range described above, excellent light-emitting characteristics can be exhibited without a substantial increase in driving voltage.

다음으로 발광층 상부에 전자 수송 영역이 배치될 수 있다. Next, an electron transport region may be placed on top of the light emitting layer.

상기 전자 수송 영역은, 정공 저지층, 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The electron transport region may include at least one of a hole blocking layer, an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer, but is not limited thereto.

상기 전자 수송 영역이 정공 저지층을 포함할 경우, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여, 상기 발광층 상부에 상기 정공 저지층을 형성할 수 있다. 진공 증착법 및 스핀 코팅법에 의해 정공 저지층을 형성할 경우, 정공 저지층의 증착 조건 및 코팅 조건은 상기 정공 주입층의 증착 조건 및 코팅 조건을 참조한다. When the electron transport region includes a hole blocking layer, vacuum deposition, spin coating, casting, LB (Langmuir-Blodgett), inkjet printing, laser printing, and laser induced thermal imaging (LITI) methods are used. The hole blocking layer can be formed on top of the light emitting layer using various methods such as the like. When forming a hole blocking layer by vacuum deposition or spin coating, the deposition and coating conditions of the hole blocking layer refer to the deposition and coating conditions of the hole injection layer.

상기 정공 저지층은 예를 들면, 하기 BCP 및 Bphen 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The hole blocking layer may include, for example, at least one of the following BCP and Bphen, but is not limited thereto.

상기 정공 저지층의 두께는 약 20Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 30Å 내지 약 300Å일 수 있다. 상기 정공저지층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 우수한 정공 저지 특성을 얻을 수 있다. The thickness of the hole blocking layer may be about 20Å to about 1000Å, for example, about 30Å to about 300Å. When the thickness of the hole blocking layer satisfies the range described above, excellent hole blocking characteristics can be obtained without a substantial increase in driving voltage.

상기 전자 수송 영역은, 발광층으로부터 차례로 적층된 전자 수송층/전자 주입층, 또는 정공 저지층/전자 수송층/전자 주입층의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The electron transport region may have a structure of an electron transport layer/electron injection layer or a hole blocking layer/electron transport layer/electron injection layer sequentially stacked from the light emitting layer, but is not limited thereto.

일 구현예에 따르면, 상기 유기 발광 소자의 유기층(150)은 발광층과 제2전극(190) 사이에 개재된 전자 수송 영역을 포함하고, 상기 전자 수송 영역은 전자 수송층을 포함한다. 상기 전자 수송층은 복수개의 층일 수 있다. 예를 들어, 상기 전자 수송 영역은 제1 전자 수송층 및 제 2 전자 수송층을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the organic layer 150 of the organic light emitting device includes an electron transport region interposed between the light emitting layer and the second electrode 190, and the electron transport region includes an electron transport layer. The electron transport layer may be comprised of multiple layers. For example, the electron transport region may include a first electron transport layer and a second electron transport layer.

상기 전자 수송층은 상기 BCP, Bphen 및 하기 Alq3, Balq, TAZ 및 NTAZ 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The electron transport layer may include the BCP, Bphen, and at least one of the following Alq 3 , Balq, TAZ, and NTAZ.

또는, 상기 전자 수송층은, 하기 화학식 601로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 602로 표시되는 화합물 중에서 선택된 적어도 하나의 화합물을 포함할 수 있다:Alternatively, the electron transport layer may include at least one compound selected from a compound represented by the following Chemical Formula 601 and a compound represented by the following Chemical Formula 602:

<화학식 601><Formula 601>

Ar601-[(L601)xe1-E601]xe2 Ar 601 -[(L 601 ) xe1 -E 601 ] xe2

상기 화학식 601 중, In the above formula 601,

Ar601Ar 601 is

나프탈렌, 헵탈렌, 플루오렌, 스파이로-플루오렌, 벤조플루오렌, 디벤조플루오렌, 페날렌, 페난트렌, 안트라센, 플루오란텐, 트리페닐렌, 파이렌, 크라이센, 나프타센, 피센, 페릴렌, 펜타펜 및 인데노안트라센;Naphthalene, hepthalene, fluorene, spiro-fluorene, benzofluorene, dibenzofluorene, phenalene, phenanthrene, anthracene, fluoranthene, triphenylene, pyrene, chrysene, naphthacene, pycene, perylene, pentaphene and indenoanthracene;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C3-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C3-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 및 -Si(Q301)(Q302)(Q303) (상기 Q301 내지 Q303은 서로 독립적으로, 수소, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C6-C60아릴기 및 C1-C60헤테로아릴기 중에서 선택됨) 중에서 선택된 적어도 하나로 치환된, 나프탈렌, 헵탈렌, 플루오렌, 스파이로-플루오렌, 벤조플루오렌, 디벤조플루오렌, 페날렌, 페난트렌, 안트라센, 플루오란텐, 트리페닐렌, 파이렌, 크라이센, 나프타센, 피센, 페릴렌, 펜타펜 및 인데노안트라센; 중에서 선택되고; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, C 1 -C 60 alkoxy group, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 3 -C 10 heterocycloalkyl group , C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 3 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 1 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, and -Si(Q 301 )(Q 302 )(Q 303 ) (Q 301 to Q 303 are independently of each other, substituted with at least one selected from hydrogen, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 6 -C 60 aryl group and C 1 -C 60 heteroaryl group), naphthalene, hepthalene, fluorene , spiro-fluorene, benzofluorene, dibenzofluorene, phenalene, phenanthrene, anthracene, fluoranthene, triphenylene, pyrene, chrysene, naphthacene, picene, perylene, pentaphene and inde. noanthracene; is selected from;

L601에 대한 설명은 본 명세서 중 L203에 대한 설명을 참조하고;For a description of L 601 , refer to the description of L 203 in this specification;

E601은,E 601 is

피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 티아디아졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기; 및Pyrrolyl group, thiophenyl group, furanyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxazolyl group, isoxazolyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group , isoindoleyl group, indoleyl group, indazolyl group, purinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, benzoquinolinyl group, phthalazinyl group, naphthyridinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, cynolinyl group, Carbazolyl group, phenanthridinyl group, acridinyl group, phenanthrolinyl group, phenazinyl group, benzoimidazolyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, isobenzothiazolyl group, benzoxazolyl group, isobenzooxazolyl group , triazolyl group, tetrazolyl group, oxadiazolyl group, triazinyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarbazolyl group, dibenzocarbazolyl group, thiadiazolyl group, imidazopyridinyl group, imidazopyrimidinyl group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 티아디아졸일기, 이미다조피리디닐기 및 이미다조피리미디닐기 중 적어도 하나로 치환된, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 티아디아졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기; 중에서 선택되고;Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclopentenyl group, cyclohexenyl group, phenyl group, pentalenyl group, indenyl group, naphthyl group. , azulenyl group, hepthalenyl group, indacenyl group, acenaphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenalenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group. , fluoranthenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, naphthacenyl group, picenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, rubisenyl group, coronenyl group, Ovalenyl group, pyrrolyl group, thiophenyl group, furanyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxazolyl group, isoxazolyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, Pyridazinyl group, isoindoleyl group, indolyl group, indazolyl group, purinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, benzoquinolinyl group, phthalazinyl group, naphthyridinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, Cinolinyl group, carbazolyl group, phenanthridinyl group, acridinyl group, phenanthrolinyl group, phenazinyl group, benzoimidazolyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, isobenzothiazolyl group, benzoxazolyl group, iso Benzooxazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, oxadiazolyl group, triazinyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarbazolyl group, dibenzocarbazolyl group, thiadiazolyl group, imida Substituted with at least one of zopyridinyl group and imidazopyrimidinyl group, pyrrolyl group, thiophenyl group, furanyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxazolyl group, isoxazolyl group, pyrrolyl group Dinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, isoindolyl group, indolyl group, indazolyl group, purinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, benzoquinolinyl group, phthalazinyl group, naphthy Ridinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, cinolinyl group, carbazolyl group, phenanthridinyl group, acridinyl group, phenanthrolinyl group, phenazinyl group, benzoimidazolyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, iso Benzothiazolyl group, benzooxazolyl group, isobenzooxazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, oxadiazolyl group, triazinyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarbazolyl group, dibenzo Carbazolyl group, thiadiazolyl group, imidazopyridinyl group, imidazopyrimidinyl group; is selected from;

xe1은 0, 1, 2 및 3 중에서 선택되고;xe1 is selected from 0, 1, 2, and 3;

xe2는 1, 2, 3 및 4 중에서 선택된다. xe2 is selected from 1, 2, 3 and 4.

<화학식 602><Formula 602>

상기 화학식 602 중,In the above formula 602,

X611은 N 또는 C-(L611)xe611-R611이고, X612는 N 또는 C-(L612)xe612-R612이고, X613은 N 또는 C-(L613)xe613-R613이고, X611 내지 X613 중 적어도 하나는 N이고;X 611 is N or C-(L 611 ) xe611 -R 611 , X 612 is N or C- (L 612 ) xe612 -R 612 , and , at least one of X 611 to X 613 is N;

L611 내지 L616 각각에 대한 설명은 본 명세서 중 L203에 대한 설명을 참조하고;For a description of each of L 611 to L 616 , refer to the description of L 203 in this specification;

R611 내지 R616은 서로 독립적으로, R 611 to R 616 are independently of each other,

페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기; 및Phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group , pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and triazinyl group; and

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기 중 적어도 하나로 치환된, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 카바졸일기 및 트리아지닐기; 중에서 선택되고;Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 20 alkyl group, C 1 -C 20 alkoxy group, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group , phenanthrenyl group, anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group. , substituted with at least one of a carbazolyl group and a triazinyl group, phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthrenyl group. , anthracenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group and triazinyl group; is selected from;

xe611 내지 xe616은 서로 독립적으로, 0, 1, 2 및 3 중에서 선택된다. xe611 to xe616 are independently selected from 0, 1, 2, and 3.

상기 화학식 601로 표시되는 화합물 및 602로 표시되는 화합물은 하기 화합물 ET1 내지 ET15 중에서 선택될 수 있다:The compound represented by Formula 601 and 602 may be selected from the following compounds ET1 to ET15:

상기 전자 수송층의 두께는 약 100Å 내지 약 1000Å, 예를 들면 약 150Å 내지 약 500Å일 수 있다. 상기 전자 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.The thickness of the electron transport layer may be about 100Å to about 1000Å, for example, about 150Å to about 500Å. When the thickness of the electron transport layer satisfies the range described above, satisfactory electron transport characteristics can be obtained without a substantial increase in driving voltage.

상기 전자 수송층은 상술한 바와 같은 물질 외에, 금속-함유 물질을 더 포함할 수 있다. The electron transport layer may further include a metal-containing material in addition to the materials described above.

상기 금속-함유 물질은 Li 착체를 포함할 수 있다. 상기 Li 착체는, 예를 들면, 하기 화합물 ET-D1(리튬 퀴놀레이트, LiQ) 또는 ET-D2을 포함할 수 있다.The metal-containing material may include a Li complex. The Li complex may include, for example, the following compound ET-D1 (lithium quinolate, LiQ) or ET-D2.

상기 전자 수송 영역은, 제2전극(190)으로부터의 전자 주입을 용이하게 하는 전자 주입층을 포함할 수 있다. The electron transport region may include an electron injection layer that facilitates electron injection from the second electrode 190.

상기 전자 주입층은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여, 상기 전자 수송층 상부에 형성될 수 있다. 진공 증착법 및 스핀 코팅법에 의해 전자 주입층을 형성할 경우, 전자 주입층의 증착 조건 및 코팅 조건은 상기 정공 주입층의 증착 조건 및 코팅 조건을 참조한다. The electron injection layer is formed using various methods such as vacuum deposition, spin coating, casting, LB (Langmuir-Blodgett), inkjet printing, laser printing, and laser thermal imaging (LITI). , may be formed on the electron transport layer. When forming an electron injection layer by vacuum deposition or spin coating, the deposition and coating conditions of the electron injection layer refer to the deposition and coating conditions of the hole injection layer.

상기 전자 주입층은, LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO 및 LiQ 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. The electron injection layer may include at least one selected from LiF, NaCl, CsF, Li 2 O, BaO, and LiQ.

상기 전자 주입층의 두께는 약 1Å 내지 약 100Å, 약 3Å 내지 약 90Å일 수 있다. 상기 전자 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다.The thickness of the electron injection layer may be about 1Å to about 100Å, or about 3Å to about 90Å. When the thickness of the electron injection layer satisfies the range described above, satisfactory electron injection characteristics can be obtained without a substantial increase in driving voltage.

상술한 바와 같은 유기층(150) 상부에는 제2전극(190)이 배치되어 있다. 상기 제2전극(190)은 전자 주입 전극인 캐소드(Cathode)일 수 있는데, 이 때, 상기 제2전극(190)용 물질로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 제2전극(190)용 물질의 구체적인 예에는, 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag) 등이 포함될 수 있다. 또는, 상기 제2전극(190)용 물질로서 ITO 또는 IZO 등을 사용할 수 있다. 상기 제2전극(190)은 반사형 전극, 반투과형 전극 또는 투과형 전극일 수 있다. The second electrode 190 is disposed on the organic layer 150 as described above. The second electrode 190 may be a cathode, which is an electron injection electrode. In this case, materials for the second electrode 190 include metals, alloys, electrically conductive compounds, and mixtures thereof having a low work function. can be used. Specific examples of materials for the second electrode 190 include lithium (Li), magnesium (Mg), aluminum (Al), aluminum-lithium (Al-Li), calcium (Ca), and magnesium-indium (Mg-In). , magnesium-silver (Mg-Ag), etc. may be included. Alternatively, ITO or IZO may be used as a material for the second electrode 190. The second electrode 190 may be a reflective electrode, a transflective electrode, or a transmissive electrode.

한편, 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 소자의 유기층은 본 발명의 일 구현에에 따른 화합물을 사용하여 증착 방법으로 형성될 수 있거나, 또는 용액으로 제조된 본 발명의 일 구현에에 따른 화합물을 코팅하는 습식 방법으로도 형성될 수 있다.Meanwhile, the organic layer of the organic light-emitting device according to an embodiment of the present invention may be formed by a deposition method using a compound according to an embodiment of the present invention, or a compound according to an embodiment of the present invention prepared as a solution. It can also be formed by a wet coating method.

본 발명의 일 구현예에 의한 유기 발광 소자는 다양한 형태의 평판 표시 장치, 예를 들면 수동 매트릭스 유기 발광 표시 장치 및 능동 매트릭스 유기 발광 표시 장치에 구비될 수 있다. 특히, 능동 매트릭스 유기 발광 표시 장치에 구비되는 경우, 기판 측에 구비된 제 1 전극은 화소 전극으로서 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극와 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 소자는 양면으로 화면을 표시할 수 있는 평판 표시 장치에 구비될 수 있다.The organic light emitting device according to an embodiment of the present invention may be provided in various types of flat panel displays, for example, a passive matrix organic light emitting display device and an active matrix organic light emitting display device. In particular, when provided in an active matrix organic light emitting display device, the first electrode provided on the substrate side serves as a pixel electrode and may be electrically connected to the source electrode or drain electrode of the thin film transistor. Additionally, the organic light emitting device can be installed in a flat panel display capable of displaying a screen on both sides.

이상, 상기 유기 발광 소자를 도 1을 참조하여 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Above, the organic light emitting device has been described with reference to FIG. 1, but it is not limited thereto.

이하, 본 명세서에서 사용되는 치환기들 중 대표적인 치환기의 정의를 살펴보면 다음과 같다 (치환기를 한정하는 탄소 수는 비제한적인 것으로서 치환기의 특성을 제한하지는 않으며, 본 명세서에서 정의하지 않은 치환기는 일반적인 정의에 따른다).Hereinafter, the definitions of representative substituents among the substituents used in this specification are as follows (the number of carbon atoms defining the substituent is non-limiting and does not limit the characteristics of the substituent, and substituents not defined in this specification are subject to the general definition. follows).

본 명세서 중 C1-C60알킬기는, 탄소수 1 내지 60의 선형 또는 분지형 지방족 탄화수소 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, 구체적인 예에는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소부틸기, sec-부틸기, ter-부틸기, 펜틸기, iso-아밀기, 헥실기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C1-C60알킬렌기는 상기 C1-C60알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다. As used herein, C 1 -C 60 alkyl group refers to a linear or branched aliphatic hydrocarbon monovalent group having 1 to 60 carbon atoms, and specific examples include methyl group, ethyl group, propyl group, isobutyl group, and sec-butyl group. group, ter-butyl group, pentyl group, iso-amyl group, hexyl group, etc. As used herein, the C 1 -C 60 alkylene group refers to a divalent group having the same structure as the C 1 -C 60 alkyl group.

본 명세서 중 C1-C60알콕시기는, -OA101(여기서, A101은 상기 C1-C60알킬기임)의 화학식을 갖는 1가 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 메톡시기, 에톡시기, 이소프로필옥시기 등이 포함된다. As used herein, C 1 -C 60 alkoxy group refers to a monovalent group having the formula -OA 101 (where A 101 is the C 1 -C 60 alkyl group), and specific examples thereof include methoxy group and ethoxy group. , isopropyloxy group, etc.

본 명세서 중 C2-C60알케닐기는, 상기 C2-C60알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 이중 결합을 포함한 탄화수소 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 에테닐기, 프로페닐기, 부테닐기 등이 포함된다. 본 명세서 중 C2-C60알케닐렌기는 상기 C2-C60알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다. As used herein, the C 2 -C 60 alkenyl group refers to a hydrocarbon group containing at least one carbon double bond at the middle or end of the C 2 -C 60 alkyl group, and specific examples thereof include ethenyl group, propenyl group, and butenyl group. etc. are included. As used herein, the C 2 -C 60 alkenylene group refers to a divalent group having the same structure as the C 2 -C 60 alkenyl group.

본 명세서 중 C2-C60알키닐기는, 상기 C2-C60알킬기의 중간 또는 말단에 하나 이상의 탄소 삼중 결합을 포함한 탄화수소 그룹을 의미하며, 이의 구체적인 예에는, 에티닐기(ethynyl), 프로피닐기(propynyl), 등이 포함된다. 본 명세서 중 C2-C60알키닐렌기는 상기 C2-C60알키닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다. As used herein, the C 2 -C 60 alkynyl group refers to a hydrocarbon group containing at least one carbon triple bond at the middle or end of the C 2 -C 60 alkyl group, and specific examples thereof include ethynyl group and propynyl group. (propynyl), etc. are included. As used herein, the C 2 -C 60 alkynylene group refers to a divalent group having the same structure as the C 2 -C 60 alkynyl group.

본 명세서 중 C3-C10시클로알킬기는, 탄소수 3 내지 10의 1가 포화 탄화수소 모노시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예는 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C3-C10시클로알킬렌기는 상기 C3-C10시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.As used herein, C 3 -C 10 cycloalkyl group refers to a monovalent saturated hydrocarbon monocyclic group having 3 to 10 carbon atoms, and specific examples thereof include cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, and cyclo Includes heptyl group, etc. As used herein, the C 3 -C 10 cycloalkylene group refers to a divalent group having the same structure as the C 3 -C 10 cycloalkyl group.

본 명세서 중 C1-C10헤테로시클로알킬기는, N, O, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함한 탄소수 1 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹을 의미하며, 이의 구체예는 테트라히드로퓨라닐기(tetrahydrofuranyl), 테트라히드로티오페닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C2-C10헤테로시클로알킬렌기는 상기 C2-C10헤테로시클로알킬기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.As used herein, C 1 -C 10 heterocycloalkyl group refers to a monovalent monocyclic group having 1 to 10 carbon atoms containing at least one hetero atom selected from N, O, P and S as a ring-forming atom, and its Specific examples include tetrahydrofuranyl, tetrahydrothiophenyl, etc. As used herein, the C 2 -C 10 heterocycloalkylene group refers to a divalent group having the same structure as the C 2 -C 10 heterocycloalkyl group.

본 명세서 중 C3-C10시클로알케닐기는 탄소수 3 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 이중 결합을 가지나, 방향족성(aromacity)을 갖지 않는 그룹을 의미하며, 이의 구체예는 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C3-C10시클로알케닐렌기는 상기 C3-C10시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.As used herein, C 3 -C 10 cycloalkenyl group refers to a monovalent monocyclic group having 3 to 10 carbon atoms, which has at least one double bond in the ring but does not have aromaticity, and its specific details Examples include cyclopentenyl group, cyclohexenyl group, cycloheptenyl group, etc. As used herein, the C 3 -C 10 cycloalkenylene group refers to a divalent group having the same structure as the C 3 -C 10 cycloalkenyl group.

본 명세서 중 C2-C10헤테로시클로알케닐기는 N, O, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함한 탄소수 2 내지 10의 1가 모노시클릭 그룹으로서, 고리 내에 적어도 하나의 이중 결합을 갖는다. 상기 C2-C10헤테로시클로알케닐기의 구체예는, 2,3-히드로퓨라닐기, 2,3-히드로티오페닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 C2-C10헤테로시클로알케닐렌기는 상기 C2-C10헤테로시클로알케닐기와 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.As used herein, the C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group is a monovalent monocyclic group having 2 to 10 carbon atoms containing at least one hetero atom selected from N, O, P and S as a ring-forming atom, and has at least one in the ring. It has one double bond. Specific examples of the C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group include 2,3-hydrofuranyl group, 2,3-hydrothiophenyl group, and the like. As used herein, the C 2 -C 10 heterocycloalkenylene group refers to a divalent group having the same structure as the C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group.

본 명세서 중 C6-C60아릴기는 탄 원자수 6 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 1가(monovalent) 그룹을 의미하며, C6-C60아릴렌기는 탄소 원자수 6 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 2가(divalent) 그룹을 의미한다. 상기 C6-C60아릴기의 구체예는, 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기 등을 포함한다. 상기 C6-C60아릴기 및 C6-C60아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 상기 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다. As used herein, the C 6 -C 60 aryl group refers to a monovalent group having a carbocyclic aromatic system having 6 to 60 carbon atoms, and the C 6 -C 60 arylene group refers to a carbocyclic aromatic system having 6 to 60 carbon atoms. It refers to a divalent group with a cyclic aromatic system. Specific examples of the C 6 -C 60 aryl group include phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, anthracenyl group, phenanthrenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, etc. When the C 6 -C 60 aryl group and the C 6 -C 60 arylene group include two or more rings, the two or more rings may be fused to each other.

본 명세서 중 C1-C60헤테로아릴기는 N, O, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함하고 탄소수 1 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 1가 그룹을 의미하고, C1-C60헤테로아릴렌기는 N, O, P 및 S 중에서 선택된 적어도 하나의 헤테로 원자를 고리-형성 원자로서 포함하고 탄소수 1 내지 60개의 카보사이클릭 방향족 시스템을 갖는 2가 그룹을 의미한다. 상기 C1-C60헤테로아릴기의 구체예는, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기 등을 포함한다. 상기 C1-C60헤테로아릴기 및 C1-C60헤테로아릴렌기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다. As used herein, C 1 -C 60 heteroaryl group refers to a monovalent group containing at least one hetero atom selected from N, O, P and S as a ring-forming atom and having a carbocyclic aromatic system having 1 to 60 carbon atoms. And, the C 1 -C 60 heteroarylene group refers to a divalent group containing at least one hetero atom selected from N, O, P and S as a ring-forming atom and having a carbocyclic aromatic system having 1 to 60 carbon atoms. do. Specific examples of the C 1 -C 60 heteroaryl group include pyridinyl group, pyrimidinyl group, pyrazinyl group, pyridazinyl group, triazinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, etc. When the C 1 -C 60 heteroaryl group and the C 1 -C 60 heteroarylene group include two or more rings, the two or more rings may be fused to each other.

본 명세서 중 C6-C60아릴옥시기는 -OA102(여기서, A102는 상기 C6-C60아릴기임)를 가리키고, 상기 C6-C60아릴티오기(arylthio)는 -SA103(여기서, A103은 상기 C6-C60아릴기기임)를 가리킨다.As used herein, the C 6 -C 60 aryloxy group refers to -OA 102 (where A 102 is the C 6 -C 60 aryl group), and the C 6 -C 60 arylthio group refers to -SA 103 (where A 102 is the C 6 -C 60 aryl group). , A 103 refers to the C 6 -C 60 aryl group).

본 명세서 중 1가 비-방향족 축합다환 그룹(non-aromatic condensed polycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소만을 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성(non-aromacity)를 갖는 1가 그룹(예를 들면, 탄소수 8 내지 60을 가짐)을 의미한다. 상기 1가 비-방향족 축합다환 그룹의 구체예는 플루오레닐기 등을 포함한다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.As used herein, a monovalent non-aromatic condensed polycyclic group has two or more rings condensed with each other, contains only carbon as a ring forming atom, and the entire molecule is non-aromatic. It means a monovalent group having (for example, having 8 to 60 carbon atoms). Specific examples of the monovalent non-aromatic condensed polycyclic group include a fluorenyl group and the like. As used herein, a divalent non-aromatic condensed polycyclic group refers to a divalent group having the same structure as the monovalent non-aromatic condensed polycyclic group.

본 명세서 중 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹(non-aromatic condensed heteropolycyclic group)은 2 이상의 고리가 서로 축합되어 있고, 고리 형성 원자로서 탄소 외에 N, O, P 및 S 중에서 선택된 헤테로 원자를 포함하고, 분자 전체가 비-방향족성(non-aromacity)를 갖는 1가 그룹(예를 들면, 탄소수 2 내지 60을 가짐)을 의미한다. 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹은, 카바졸일기 등을 포함한다. 본 명세서 중 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹은 상기 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹과 동일한 구조를 갖는 2가 그룹을 의미한다.As used herein, a monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group has two or more rings condensed with each other, and contains a hetero atom selected from N, O, P and S in addition to carbon as a ring forming atom. , means a monovalent group (for example, having 2 to 60 carbon atoms) in which the entire molecule has non-aromaticity. The monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group includes a carbazolyl group and the like. As used herein, a divalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group refers to a divalent group having the same structure as the monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group.

본 명세서 중, 상기 치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환된 C6-C60아릴렌기, 치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중 적어도 하나의 치환기는, In the present specification, the substituted C 3 -C 10 cycloalkylene group, substituted C 2 -C 10 heterocycloalkylene group, substituted C 3 -C 10 cycloalkenylene group, substituted C 2 -C 10 heterocycloal Kenylene group, substituted C 6 -C 60 arylene group, substituted C 1 -C 60 heteroarylene group, substituted divalent non-aromatic condensed polycyclic group, substituted divalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group, substituted C 1 -C 60 alkyl group, substituted C 2 -C 60 alkenyl group, substituted C 2 -C 60 alkynyl group, substituted C 1 -C 60 alkoxy group, substituted C 3 -C 10 cycloalkyl group, substituted C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, substituted C 3 -C 10 cycloalkenyl group, substituted C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, substituted C 6 -C 60 aryl group, substituted C 6 -C 60 aryloxy group , a substituted C 6 -C 60 arylthio group, a substituted C 1 -C 60 heteroaryl group, a substituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, and at least one substituent among a substituted monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group. Is,

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or salts thereof, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group and C 1 -C 60 alkoxy group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기(aryloxy), C6-C60아릴티오기(arylthio), C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q11)(Q12), -Si(Q13)(Q14)(Q15) 및 -B(Q16)(Q17) 중 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 - C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 1 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group, - C 1 -C 60 alkyl group, C 2 substituted with at least one of N(Q 11 )(Q 12 ), -Si(Q 13 )(Q 14 )(Q 15 ) and -B(Q 16 )(Q 17 ) -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group and C 1 -C 60 alkoxy group;

C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryl Oxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 1 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group and monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q21)(Q22), -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 중 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, C 1 -C 60 alkoxy group, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group , C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 1 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, -N(Q 21 )(Q 22 ), -Si(Q 23 )(Q 24 )(Q 25 ) and -B(Q 26 )(Q 27 ), substituted with at least one of C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalke Nyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 1 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group and monovalent non- aromatic heterocondensed polycyclic group; and

-N(Q31)(Q32), -Si(Q33)(Q34)(Q35) 및 -B(Q36)(Q37); 중에서 선택되고;-N(Q 31 )(Q 32 ), -Si(Q 33 )(Q 34 )(Q 35 ) and -B(Q 36 )(Q 37 ); is selected from;

상기 Q11 내지 Q17, Q21 내지 Q27 및 Q31 내지 Q37은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택될 수 있다.Q 11 to Q 17 , Q 21 to Q 27 and Q 31 to Q 37 are each independently hydrogen, deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group. , amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or its salt, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group. , C 1 -C 60 alkoxy group, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 It may be selected from an aryl group, a C 1 -C 60 heteroaryl group, a monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, and a monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group.

예를 들어, 상기 상기 치환된 C3-C10시클로알킬렌기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알킬렌기, 치환된 C3-C10시클로알케닐렌기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐렌기, 치환된 C6-C60아릴렌기, 치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중 적어도 하나의 치환기는, For example, the above substituted C 3 -C 10 cycloalkylene group, substituted C 2 -C 10 heterocycloalkylene group, substituted C 3 -C 10 cycloalkenylene group, substituted C 2 -C 10 heterocyclo Alkenylene group, substituted C 6 -C 60 arylene group, substituted C 1 -C 60 heteroarylene group, substituted divalent non-aromatic condensed polycyclic group, substituted divalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group, substituted C 1 -C 60 alkyl group, substituted C 2 -C 60 alkenyl group, substituted C 2 -C 60 alkynyl group, substituted C 1 -C 60 alkoxy group, substituted C 3 -C 10 cycloalkyl group, substituted C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, substituted C 3 -C 10 cycloalkenyl group, substituted C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, substituted C 6 -C 60 aryl group, substituted C 6 -C 60 aryloc group, at least one of a substituted C 6 -C 60 arylthio group, a substituted C 1 -C 60 heteroaryl group, a substituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, and a substituted monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group. The substituent is,

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or salts thereof, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group and C 1 -C 60 alkoxy group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 티아디아졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기, -N(Q11)(Q12), -Si(Q13)(Q14)(Q15) 및 -B(Q16)(Q17) 중 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기; Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclopentenyl group, cyclohexenyl group, phenyl group, pentalenyl group, indenyl group, naphthyl group, azulenyl group, hepthalenyl group, indacenyl group, acenaph Tyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenalenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, Chrysenyl group, naphthacenyl group, picenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, rubisenyl group, coronenyl group, ovalenyl group, pyrrolyl group, thiophenyl group, furanyl group, imidazole Diary group, pyrazolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxazolyl group, isoxazolyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, isoindoleyl group, indolyl group, indazolyl group , purinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, benzoquinolinyl group, phthalazinyl group, naphthyridinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, cinolinyl group, carbazolyl group, phenanthridinyl group, acridi Nyl group, phenanthrolinyl group, phenazinyl group, benzoimidazolyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, isobenzothiazolyl group, benzoxazolyl group, isobenzooxazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, oxadia Zolyl group, triazinyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarbazolyl group, dibenzocarbazolyl group, thiadiazolyl group, imidazopyridinyl group, imidazopyrimidinyl group, -N (Q 11 )(Q 12 ), -Si(Q 13 )(Q 14 )(Q 15 ) and -B(Q 16 )(Q 17 ), C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkene Nyl group, C 2 -C 60 alkynyl group and C 1 -C 60 alkoxy group;

시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 티아디아졸일기, 이미다조피리디닐기 및 이미다조피리미디닐기;Cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclopentenyl group, cyclohexenyl group, phenyl group, pentalenyl group, indenyl group, naphthyl group, azulenyl group, hepthalenyl group, indacenyl group, acenaphthyl group, flu Orenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenalenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group , naphthacenyl group, picenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, rubisenyl group, coronenyl group, ovalenyl group, pyrrolyl group, thiophenyl group, furanyl group, imidazolyl group, pyrrolyl group. Azolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxazolyl group, isoxazolyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, isoindoleyl group, indolyl group, indazolyl group, purinyl group , quinolinyl group, isoquinolinyl group, benzoquinolinyl group, phthalazinyl group, naphthyridinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, cynolinyl group, carbazolyl group, phenanthridinyl group, acridinyl group, phenanyl Trolinyl group, phenazinyl group, benzoimidazolyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, isobenzothiazolyl group, benzoxazolyl group, isobenzooxazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, oxadiazolyl group, triazinyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarbazolyl group, dibenzocarbazolyl group, thiadiazolyl group, imidazopyridinyl group and imidazopyrimidinyl group;

중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 티아디아졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기, -N(Q21)(Q22), -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 중 적어도 하나로 치환된, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 티아디아졸일기, 이미다조피리디닐기 및 이미다조피리미디닐기; 및Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, C 1 -C 60 alkoxy group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclopentenyl group, Cyclohexenyl group, phenyl group, pentalenyl group, indenyl group, naphthyl group, azulenyl group, heptalenyl group, indacenyl group, acenaphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, di Benzofluorenyl group, phenalenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, naphthacenyl group, picenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, Hexacenyl group, pentacenyl group, rubisenyl group, coronenyl group, ovalenyl group, pyrrolyl group, thiophenyl group, furanyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxazolyl group, Isoxazolyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, isoindolyl group, indolyl group, indazolyl group, purinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, benzoquinolinyl group, pro Thalasinyl group, naphthyridinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, cinolinyl group, carbazolyl group, phenanthridinyl group, acridinyl group, phenanthrolinyl group, phenazinyl group, benzoimidazolyl group, benzofuranyl group, Benzothiophenyl group, isobenzothiazolyl group, benzoxazolyl group, isobenzooxazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, oxadiazolyl group, triazinyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarba Zolyl group, dibenzocarbazolyl group, thiadiazolyl group, imidazopyridinyl group, imidazopyrimidinyl group, -N(Q 21 )(Q 22 ), -Si(Q 23 )(Q 24 )(Q 25 ) and -B (Q 26 ) (Q 27 ), substituted with at least one of a cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclopentenyl group, cyclohexenyl group, phenyl group, pentalenyl group, indenyl group, naphthyl group , azulenyl group, hepthalenyl group, indacenyl group, acenaphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenalenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group. , fluoranthenyl group, triphenylenyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, naphthacenyl group, picenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, rubisenyl group, coronenyl group, Ovalenyl group, pyrrolyl group, thiophenyl group, furanyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxazolyl group, isoxazolyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, Pyridazinyl group, isoindoleyl group, indolyl group, indazolyl group, purinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, benzoquinolinyl group, phthalazinyl group, naphthyridinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, Cinolinyl group, carbazolyl group, phenanthridinyl group, acridinyl group, phenanthrolinyl group, phenazinyl group, benzoimidazolyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, isobenzothiazolyl group, benzoxazolyl group, iso Benzooxazolyl group, triazolyl group, tetrazolyl group, oxadiazolyl group, triazinyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarbazolyl group, dibenzocarbazolyl group, thiadiazolyl group, imida Zopyridinyl group and imidazopyrimidinyl group; and

-N(Q31)(Q32), -Si(Q33)(Q34)(Q35) 및 -B(Q36)(Q37); 중에서 선택되고;-N(Q 31 )(Q 32 ), -Si(Q 33 )(Q 34 )(Q 35 ) and -B(Q 36 )(Q 37 ); is selected from;

상기 Q11 내지 Q17, Q21 내지 Q27 및 Q31 내지 Q37은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 페닐기, 펜탈레닐기, 인데닐기, 나프틸기, 아줄레닐기, 헵탈레닐기, 인다세닐기, 아세나프틸기, 플루오레닐기, 스파이로-플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페날레닐기, 페난트레닐기, 안트라세닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기, 나프타세닐기, 피세닐기, 페릴레닐기, 펜타페닐기, 헥사세닐기, 펜타세닐기, 루비세닐기, 코로네닐기, 오발레닐기, 피롤일기, 티오페닐기, 퓨라닐기, 이미다졸일기, 피라졸일기, 티아졸일기, 이소티아졸일기, 옥사졸일기, 이속사졸일기, 피리디닐기, 피라지닐기, 피리미디닐기, 피리다지닐기, 이소인돌일기, 인돌일기, 인다졸일기, 푸리닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 벤조퀴놀리닐기, 프탈라지닐기, 나프티리디닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 시놀리닐기, 카바졸일기, 페난트리디닐기, 아크리디닐기, 페난트롤리닐기, 페나지닐기, 벤조이미다졸일기, 벤조퓨라닐기, 벤조티오페닐기, 이소벤조티아졸일기, 벤조옥사졸일기, 이소벤조옥사졸일기, 트리아졸일기, 테트라졸일기, 옥사디아졸일기, 트리아지닐기, 디벤조퓨라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조카바졸일기, 디벤조카바졸일기, 티아디아졸일기, 이미다조피리디닐기, 이미다조피리미디닐기 중에서 선택될 수 있다. Q 11 to Q 17 , Q 21 to Q 27 and Q 31 to Q 37 are each independently hydrogen, deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group. , amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or its salt, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group. , C 1 -C 60 alkoxy group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, cyclopentenyl group, cyclohexenyl group, phenyl group, pentalenyl group, indenyl group, naphthyl group, azulenyl group, hepthalenyl group, Indacenyl group, acenaphthyl group, fluorenyl group, spiro-fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenalenyl group, phenanthrenyl group, anthracenyl group, fluoranthenyl group, triphenyl group Nyl group, pyrenyl group, chrysenyl group, naphthacenyl group, picenyl group, perylenyl group, pentaphenyl group, hexacenyl group, pentacenyl group, rubisenyl group, coronenyl group, ovalenyl group, pyrrolyl group, thiophenyl group , furanyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, isothiazolyl group, oxazolyl group, isoxazolyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, isoindoleyl group, Indoleyl group, indazolyl group, purinyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, benzoquinolinyl group, phthalazinyl group, naphthyridinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, cynolinyl group, carbazolyl group, phenene Tridinyl group, acridinyl group, phenanthrolinyl group, phenazinyl group, benzoimidazolyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, isobenzothiazolyl group, benzoxazolyl group, isobenzooxazolyl group, triazolyl group, Tetrazolyl group, oxadiazolyl group, triazinyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzocarbazolyl group, dibenzocarbazolyl group, thiadiazolyl group, imidazopyridinyl group, imidazopyrimidinyl group can be selected from among.

본 명세서 중 "Ph"은 페닐기를 의미하고, "Me"은 메틸기를 의미하고, "Et"은 에틸기를 의미하고, "ter-Bu" 또는 "But"은 tert-부틸기를 의미한다. In this specification, “Ph” means a phenyl group, “Me” means a methyl group, “Et” means an ethyl group, and “ter-Bu” or “Bu t ” means a tert-butyl group.

이하에서, 실시예를 들어, 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자에 대하여 보다 구체적으로 설명한다. Below, an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described in more detail through examples.

합성예Synthesis example

[[ 합성예Synthesis example 1: One: 화합물 의compound of 합성] synthesis]

합성예Synthesis example : 화합물 3의 합성: Synthesis of Compound 3

Figure 112016080808881-pat00079
Figure 112016080808881-pat00079

중간체 A-1의 합성Synthesis of Intermediate A-1

출발물질 methyl 5-bromo-2-iodobenzoate (5.0 g, 14.67 mmol) 과 (4-chloro-2-methoxyphenyl)boronic acid (3.3 g, 17.6 mmol), Pd(PPh3)4 (847.6 mg, 0.733 mmol) 및 K2CO3 (4.0 g, 29.34 mmol) 을 THF/H2O (9:1 부피비) 혼합물 150 mL에 추가하고, 100℃에서 12시간 동안 교반한 후, 상온으로 식혀 물과 diethyl ether 로 3회 유기층을 추출하였다. 추출한 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조시킨 후 용매를 증발시켜 수득한 잔류물을 실리카겔관 크로마토그래피로 분리 정제하여 중간체 A-1 (3.3 g, 9.39 mmol, 64% 수득율)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C15H12BrClO3 cal. 355.61, found 353.97.Starting materials methyl 5-bromo-2-iodobenzoate (5.0 g, 14.67 mmol), (4-chloro-2-methoxyphenyl)boronic acid (3.3 g, 17.6 mmol), Pd(PPh3)4 (847.6 mg, 0.733 mmol) and K2CO3 (4.0 g, 29.34 mmol) was added to 150 mL of THF/H2O (9:1 volume ratio) mixture, stirred at 100°C for 12 hours, cooled to room temperature, and the organic layer was extracted three times with water and diethyl ether. The extracted organic layer was dried over magnesium sulfate, the solvent was evaporated, and the resulting residue was purified by separation using silica gel column chromatography to obtain Intermediate A-1 (3.3 g, 9.39 mmol, 64% yield). The produced compound was confirmed through MS/FAB. C15H12BrClO3 cal. 355.61, found 353.97.

중간체 A-2의 합성Synthesis of Intermediate A-2

중간체 A-1 (3.3 g, 9.39 mmol) 을 100 mL 의 toluene에 녹인 후, phenylmagnesium bromide (50 mmol)을 천천히 적가한 후, reflux 조건 하에서 교반한다. 반응이 종료되면 상온으로 식혀 물과 diethyl ether 로 3회 유기층을 추출하였다. 추출한 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조시킨 후 용매를 증발시켜 수득한 잔류물을 실리카겔관 크로마토그래피로 분리 정제하여 중간체 A-2 (2.9 g, 6.01 mmol, 64% 수득율)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C26H20BrClO2 cal. 479.80, found 478.03.After dissolving Intermediate A-1 (3.3 g, 9.39 mmol) in 100 mL of toluene, phenylmagnesium bromide (50 mmol) was slowly added dropwise, and stirred under reflux conditions. When the reaction was completed, it was cooled to room temperature and the organic layer was extracted three times with water and diethyl ether. The extracted organic layer was dried over magnesium sulfate, the solvent was evaporated, and the resulting residue was purified by separation using silica gel column chromatography to obtain Intermediate A-2 (2.9 g, 6.01 mmol, 64% yield). The produced compound was confirmed through MS/FAB. C26H20BrClO2 cal. 479.80, found 478.03.

중간체 A-3의 합성Synthesis of Intermediate A-3

중간체 A-2 (2.9 g, 6.01 mmol) 를 50 mL 의 MeCN에 녹인 후, boron tribromide (0.68 mL, 6.01 mmol) 를 천천히 적가하여 교반한다. 반응이 종결되면 saturated sodium thiosulfate로 50 mL를 첨가한 뒤 교반한 후, iethyl ether 로 3회 유기층을 추출하였다. 추출한 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조시킨 후 용매를 증발시켜 수득한 잔류물을 실리카겔관 크로마토그래피로 분리 정제하여 중간체 A-2 (2.1 g, 4.81 mmol, 80 % 수득율)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C25H16BrClO cal. 447.76, found 446.01.After dissolving Intermediate A-2 (2.9 g, 6.01 mmol) in 50 mL of MeCN, boron tribromide (0.68 mL, 6.01 mmol) was slowly added dropwise and stirred. When the reaction was completed, 50 mL of saturated sodium thiosulfate was added, stirred, and the organic layer was extracted three times with iethyl ether. The extracted organic layer was dried over magnesium sulfate, the solvent was evaporated, and the resulting residue was purified by separation using silica gel column chromatography to obtain Intermediate A-2 (2.1 g, 4.81 mmol, 80% yield). The produced compound was confirmed through MS/FAB. C25H16BrClO cal. 447.76, found 446.01.

화합물 3의 합성Synthesis of Compound 3

중간체 A-2 (2.1 g, 4.81 mmol), diphenylamine (1.79 g, 10.6 mmol), tris(dibenzylideneacetone)dipalladium(0) (220 mg, 0.24 mmol), tri(tert-butyl)phosphine (145.7 mg, 0.72 mmol), sodium tert-butoxide (1.99 g, 14.4 mmol) 을 toluene 40mL에 넣고 80℃ 에서 2시간 교반한다. 상기 반응액을 상온으로 식힌 후, 물과 diethyl ether로 2회 추출한다. 이로부터 수득한 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조하고 용매를 증발하여 얻어진 잔류물을 실리카겔관 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 3 (2.57 g, 3.85 mmol, 수율 80%)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C49H36N2O cal. 668.84, found 668.28.Intermediate A-2 (2.1 g, 4.81 mmol), diphenylamine (1.79 g, 10.6 mmol), tris(dibenzylideneacetone)dipalladium(0) (220 mg, 0.24 mmol), tri(tert-butyl)phosphine (145.7 mg, 0.72 mmol) ), sodium tert-butoxide (1.99 g, 14.4 mmol) was added to 40mL of toluene and stirred at 80°C for 2 hours. After cooling the reaction solution to room temperature, it is extracted twice with water and diethyl ether. The organic layer obtained from this was dried over magnesium sulfate, the solvent was evaporated, and the resulting residue was purified by separation using silica gel column chromatography to obtain Compound 3 (2.57 g, 3.85 mmol, yield 80%). The produced compound was confirmed through MS/FAB. C49H36N2O cal. 668.84, found 668.28.

화합물 46의 합성Synthesis of compound 46

화합물 3 합성법과 동일한 방법으로 진행하였다. 화합물 46 합성에는 출발물질로 A-3 (1.0 g, 2.23 mmol) 을 사용하였으며, diphenylamine 대신 (5'-fluoro-N-phenyl-[1,1':3',1''-terphenyl]-4'-amine 을 사용하여 화합물 46 (1.19 g, 1.18 mmol, 수율 53%)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C73H50F2N2O cal. 1009.21, found 1008.39.The synthesis was carried out in the same manner as for compound 3. For the synthesis of compound 46, A-3 (1.0 g, 2.23 mmol) was used as a starting material, and instead of diphenylamine (5'-fluoro-N-phenyl-[1,1':3',1''-terphenyl]-4 Compound 46 (1.19 g, 1.18 mmol, yield 53%) was obtained using '-amine. The produced compound was confirmed through MS/FAB. C73H50F2N2O cal. 1009.21, found 1008.39.

화합물 62의 합성Synthesis of compound 62

화합물 3 합성법과 동일한 방법으로 진행하였다. 화합물 62 합성에는 출발물질로 A-3 (1.0 g, 2.23 mmol) 을 사용하였으며, diphenylamine 대신 6-(tert-butyl)-N-(5-(tert-butyl)-[1,1'-biphenyl]-2-yl)dibenzo[b,d]furan-4-amine 을 사용하여 화합물 62 (1.67 g, 1.36 mmol, 수율 61%)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C89H80N2O3 cal. 1225.63, found 1224.62.The synthesis was carried out in the same manner as for compound 3. For the synthesis of compound 62, A-3 (1.0 g, 2.23 mmol) was used as a starting material, and 6-(tert-butyl)-N-(5-(tert-butyl)-[1,1'-biphenyl] was used instead of diphenylamine. Compound 62 (1.67 g, 1.36 mmol, yield 61%) was obtained using -2-yl)dibenzo[b,d]furan-4-amine. The produced compound was confirmed through MS/FAB. C89H80N2O3 cal. 1225.63, found 1224.62.

합성예Synthesis example : 화합물 94의 합성: Synthesis of compound 94

Figure 112016080808881-pat00080
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화합물 94의 합성Synthesis of compound 94

A-3을 (1.0 g, 2.23 mmol)과 (4-(di([1,1'-biphenyl]-4-yl)amino)phenyl)boronic acid (2.95 g, 6.69 mmol), Pd(PPh3)4 (128.8 mg, 0.11 mmol) 및 K2CO3 (924.6 mg, 6.69 mmol) 을 THF/H2O (9/1 부피비) 혼합물 20mL에 추가하고, 80℃ 에서 12시간 동안 교반한 다음, 상온으로 식힌 후, 물과 diethyl ether 로 3회 추출한다. 이로부터 수득한 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조하고 용매를 증발하여 얻어진 잔류물을 실리카겔관 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 화합물 94 (1.86 g, 1.65 mmol, 수율 74%)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C85H60N2O cal. 1125.43, found 1124.47.A-3 (1.0 g, 2.23 mmol) and (4-(di([1,1'-biphenyl]-4-yl)amino)phenyl)boronic acid (2.95 g, 6.69 mmol), Pd(PPh3)4 (128.8 mg, 0.11 mmol) and K2CO3 (924.6 mg, 6.69 mmol) were added to 20 mL of the THF/H2O (9/1 volume ratio) mixture, stirred at 80°C for 12 hours, cooled to room temperature, and mixed with water and diethyl. Extract with ether 3 times. The organic layer obtained from this was dried with magnesium sulfate, the solvent was evaporated, and the resulting residue was purified by separation using silica gel column chromatography to obtain compound 94 (1.86 g, 1.65 mmol, yield 74%). The produced compound was confirmed through MS/FAB. C85H60N2O cal. 1125.43, found 1124.47.

화합물 95의 합성Synthesis of compound 95

화합물 94 합성법과 동일한 방법으로 진행하였다. 화합물 95 합성에는 출발물질로 A-3 (1.0 g, 2.23 mmol) 을 사용하였으며, (4-(di([1,1'-biphenyl]-4-yl)amino)phenyl)boronic acid 대신 (4-(dimesitylamino)phenyl)boronic acid 을 사용하여 화합물 95 (1.50 g, 1.52 mmol, 수율 68%)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C73H68N2O cal. 989.36, found 988.53.The synthesis was carried out in the same manner as for compound 94. For the synthesis of compound 95, A-3 (1.0 g, 2.23 mmol) was used as a starting material, and instead of (4-(di([1,1'-biphenyl]-4-yl)amino)phenyl)boronic acid, (4- Compound 95 (1.50 g, 1.52 mmol, yield 68%) was obtained using (dimesitylamino)phenyl)boronic acid. The produced compound was confirmed through MS/FAB. C73H68N2O cal. 989.36, found 988.53.

합성예Synthesis example : 화합물 103의 합성: Synthesis of Compound 103

Figure 112016080808881-pat00081
Figure 112016080808881-pat00081

중간체 B-1의 합성Synthesis of Intermediate B-1

화합물 94 합성법과 동일한 방법으로 진행하였다. 화합물 103 합성에는 출발물질로 A-3 (1.0 g, 2.23 mmol) 을 사용하였으며, (4-(di([1,1'-biphenyl]-4-yl)amino)phenyl)boronic acid 대신 (4-(di-p-tolylamino)phenyl)boronic acid (1.1 equiv) 을 사용하여 중간체 B-1 (1.14 g, 1.78 mmol, 수율 80%)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C45H34ClNO cal. 640.22, found 639.23.The synthesis was carried out in the same manner as for compound 94. For the synthesis of compound 103, A-3 (1.0 g, 2.23 mmol) was used as a starting material, and instead of (4-(di([1,1'-biphenyl]-4-yl)amino)phenyl)boronic acid, (4- Intermediate B-1 (1.14 g, 1.78 mmol, yield 80%) was obtained using (di-p-tolylamino)phenyl)boronic acid (1.1 equiv). The produced compound was confirmed through MS/FAB. C45H34ClNO cal. 640.22, found 639.23.

화합물 103의 합성Synthesis of compound 103

화합물 3 합성법과 동일한 방법으로 진행하였다. 화합물 103 합성에는 출발물질로 B-1 (1.14 g, 1.78 mmol) 을 사용하였으며, diphenylamine 대신 (di-p-tolylamine (1.1 equiv) 을 사용하여 화합물 103 (1.17 g, 1.46 mmol, 수율 82%)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C59H48N2O cal. 801.05, found 800.38.The synthesis was carried out in the same manner as for compound 3. For the synthesis of compound 103, B-1 (1.14 g, 1.78 mmol) was used as a starting material, and instead of diphenylamine (di-p-tolylamine (1.1 equiv)) was used to obtain compound 103 (1.17 g, 1.46 mmol, yield 82%). Obtained. The produced compound was confirmed through MS/FAB. C59H48N2O cal. 801.05, found 800.38.

합성예Synthesis example : 화합물 2의 합성: Synthesis of Compound 2

Figure 112016080808881-pat00082
Figure 112016080808881-pat00082

중간체 C-1의 합성Synthesis of Intermediate C-1

화합물 A-2 합성법과 동일한 방법으로 진행하였다. 중간체 C-1 합성에는 출발물질로 A-1 (3.0 g, 8.44 mmol) 을 사용하였으며, phenylmagnesium bromide 대신 methylmagnesium bromide 을 사용하여 중간체 C-1 (2.46 g, 6.92 mmol, 수율 82%)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C16H16BrClO2 cal. 355.66, found 354.00.Compound A-2 was synthesized in the same manner as the synthesis method. For the synthesis of intermediate C-1, A-1 (3.0 g, 8.44 mmol) was used as a starting material, and methylmagnesium bromide was used instead of phenylmagnesium bromide to obtain intermediate C-1 (2.46 g, 6.92 mmol, yield 82%). The produced compound was confirmed through MS/FAB. C16H16BrClO2 cal. 355.66, found 354.00.

중간체 C-2의 합성Synthesis of Intermediate C-2

화합물 A-3 합성법과 동일한 방법으로 진행하였다. 중간체 C-2 합성에는 출발물질로 C-1 (2.46 g, 6.92 mmol) 을 사용하여 중간체 C-2 (1.72 g, 5.32 mmol, 수율 77%)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C15H12BrClO cal. 323.61, found 321.98.Compound A-3 was synthesized in the same manner as the synthesis method. For the synthesis of Intermediate C-2, C-1 (2.46 g, 6.92 mmol) was used as a starting material to obtain Intermediate C-2 (1.72 g, 5.32 mmol, yield 77%). The produced compound was confirmed through MS/FAB. C15H12BrClO cal. 323.61, found 321.98.

화합물 2의 합성Synthesis of Compound 2

화합물 3 합성법과 동일한 방법으로 진행하였다. 화합물 2 합성에는 출발물질로 중간체 C-2 (1.72 g, 5.32 mmol )을 사용하여 화합물 2 (2.52 g, 4.63 mmol, 수율 87%)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C39H32N2O cal. 544.70, found 544.25.The synthesis was carried out in the same manner as for compound 3. In the synthesis of Compound 2, Intermediate C-2 (1.72 g, 5.32 mmol) was used as a starting material to obtain Compound 2 (2.52 g, 4.63 mmol, yield 87%). The produced compound was confirmed through MS/FAB. C39H32N2O cal. 544.70, found 544.25.

합성예Synthesis example : 화합물 13의 합성: Synthesis of Compound 13

Figure 112016080808881-pat00083
Figure 112016080808881-pat00083

중간체 D-1의 합성Synthesis of Intermediate D-1

중간체 A-1 합성법과 동일한 방법으로 진행하였다. 중간체 D-1의 합성에는 출발물질로 methyl 4-bromo-2-iodobenzoate (5.11 g, 15.0 mmol) 와 (5-bromo-2-methoxyphenyl)boronic acid (4.16g, 18 mmol)를 사용하여 중간체 D-1을 (4.80 g, 12.0 mmol, 수율 80%)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C15H12Br2O3 cal. 400.07, found 397.92.It was carried out in the same manner as the synthesis of Intermediate A-1. For the synthesis of intermediate D-1, methyl 4-bromo-2-iodobenzoate (5.11 g, 15.0 mmol) and (5-bromo-2-methoxyphenyl)boronic acid (4.16g, 18 mmol) were used as starting materials to produce intermediate D-1. 1 (4.80 g, 12.0 mmol, yield 80%) was obtained. The produced compound was confirmed through MS/FAB. C15H12Br2O3 cal. 400.07, found 397.92.

중간체 D-2의 합성Synthesis of Intermediate D-2

중간체 A-2 합성법과 동일한 방법으로 진행하였다. 중간체 D-2 합성에는 출발물질로 D-1 (4.80 g, 12.0 mmol)을 사용하여 중간체 D-2 (4.08 g, 7.8 mmol, 수율 65%)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C26H20Br2O2 cal. 524.25, found 521.98.It was carried out in the same manner as the synthesis of Intermediate A-2. For the synthesis of intermediate D-2, D-1 (4.80 g, 12.0 mmol) was used as a starting material to obtain intermediate D-2 (4.08 g, 7.8 mmol, yield 65%). The produced compound was confirmed through MS/FAB. C26H20Br2O2 cal. 524.25, found 521.98.

중간체 D-3의 합성Synthesis of intermediate D-3

중간체 A-3 합성법과 동일한 방법으로 진행하였다. 중간체 D-3 합성에는 출발물질로 D-2 (3.27 g, 6.2 mmol)을 사용하여 중간체 D-3 (1.58 g, 3.2 mmol, 수율 52%)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C25H16Br2O cal. 492.21, found 489.96.It was carried out in the same manner as the synthesis of Intermediate A-3. For the synthesis of intermediate D-3, D-2 (3.27 g, 6.2 mmol) was used as a starting material to obtain intermediate D-3 (1.58 g, 3.2 mmol, yield 52%). The produced compound was confirmed through MS/FAB. C25H16Br2O cal. 492.21, found 489.96.

화합물 13의 합성Synthesis of compound 13

화합물 3의 합성법과 동일한 방법으로 진행하였다. 화합물 13의 합성에는 출발물질로 D-3 (1.58 g, 3.2 mmol)을 사용하여 화합물 13 (1.35 g, 2.0 mmol, 수율 63%)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C49H36N2O cal. 668.84, found 668.28The synthesis method of compound 3 was carried out in the same manner. For the synthesis of compound 13, D-3 (1.58 g, 3.2 mmol) was used as a starting material to obtain compound 13 (1.35 g, 2.0 mmol, yield 63%). The produced compound was confirmed through MS/FAB. C49H36N2O cal. 668.84, found 668.28

화합물 46의 합성Synthesis of compound 46

화합물 3 합성법과 동일한 방법으로 진행하였다. 화합물 46 합성에는 출발물질로 D-3 (2.0 g, 2.9 mmol)을 사용하였으며, diphenylamine 대신 5'-fluoro-N-phenyl-[1,1':3',1''-terphenyl]-4'-amine 을 사용하여 화합물 46 (1.26 g, 1.25 mmol, 수율 43%)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C73H50F2N2O cal. 1009.21, found 1008.39.The synthesis was carried out in the same manner as for compound 3. For the synthesis of compound 46, D-3 (2.0 g, 2.9 mmol) was used as a starting material, and instead of diphenylamine, 5'-fluoro-N-phenyl-[1,1':3',1''-terphenyl]-4' Compound 46 (1.26 g, 1.25 mmol, yield 43%) was obtained using -amine. The produced compound was confirmed through MS/FAB. C73H50F2N2O cal. 1009.21, found 1008.39.

합성예Synthesis example : 화합물 108의 합성: Synthesis of Compound 108

Figure 112016080808881-pat00084
Figure 112016080808881-pat00084

중간체 C-1의 합성Synthesis of Intermediate C-1

2,6-dibromo-4H-cyclopenta[def]phenanthrene (2 g, 5.75 mmol) 를 200 mL의 톨루엔에 녹인 후, 활성화 된 MnO2 (8.4 g, 97.75 mmol)를 넣고 reflux 조건에서 12시간 교반한다. 상기 반응액을 상온으로 식힌 후, 용매를 증발하여 얻어진 잔류물을 실리카겔관 크로마토그래피로 분리 정제하여 중간체 C-1 (1.66 g, 4.6 mmol, 수율 80%)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C15H6Br2O cal. 362.02, found 359.88.After dissolving 2,6-dibromo-4H-cyclopenta[def]phenanthrene (2 g, 5.75 mmol) in 200 mL of toluene, activated MnO2 (8.4 g, 97.75 mmol) was added and stirred for 12 hours under reflux conditions. After cooling the reaction solution to room temperature, the solvent was evaporated, and the residue obtained was purified by silica gel column chromatography to obtain Intermediate C-1 (1.66 g, 4.6 mmol, yield 80%). The produced compound was confirmed through MS/FAB. C15H6Br2O cal. 362.02, found 359.88.

중간체 C-2의 합성Synthesis of Intermediate C-2

중간체 C-1 (1.66 g, 4.6 mmol)과 CF3CO2H (10 mL) 의 혼합액을 0 ℃로 유지시킨 후 Na2CO4 (1.57 g, 10 mmol) 을 5회에 걸쳐 40분 동안 첨가한다. 상기 반응액을 상온에서 48시간 교반한 후, 차가운 물을 넣어 반응을 종결하고 물과 CH2Cl2로 3회 유기층을 추출한다. 추출한 휴기층을 10% NaHCO3로 씻어준 후 마그네슘 설페이트로 건조킨 후 용매를 증발시킨다. 수득한 잔류물은 실리카겔관 크로마토그래피로 분리 정제하여 중간체 C-2 (1.29 g, 3.4 mmol, 수득율 74%)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C15H6Br2O2 cal. 378.02, found 375.87. A mixture of Intermediate C-1 (1.66 g, 4.6 mmol) and CF3CO2H (10 mL) was maintained at 0°C, and then Na2CO4 (1.57 g, 10 mmol) was added five times for 40 minutes. After stirring the reaction solution at room temperature for 48 hours, cold water was added to terminate the reaction, and the organic layer was extracted three times with water and CH2Cl2. The extracted dormant layer was washed with 10% NaHCO3, dried with magnesium sulfate, and the solvent was evaporated. The obtained residue was separated and purified by silica gel column chromatography to obtain intermediate C-2 (1.29 g, 3.4 mmol, yield 74%). The produced compound was confirmed through MS/FAB. C15H6Br2O2 cal. 378.02, found 375.87.

중간체 C-3 합성Intermediate C-3 synthesis

중간체 C-2 (1.29 g, 3.4 mmol)를 30 mL의 톨루엔에 녹인 후 phenylmagnesium bromide (15 mmol)을 천천히 첨가한 후 12 h 동안 reflux 조건하에서 반응시킨다. 반응이 종결된 후 0℃로 식힌 후, NH4Cl을 첨가하여 반응을 종결시킨다. 생성된 혼합물을 물과 CH2Cl2로 3회 유기층을 추출한 후 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조시키고 용매를 증발시킨다. 수득한 잔류물을 실리카겔관 크로마토그래피로 분리 정제하여 중간체 C-3 (1.6 g, 3.0 mmol, 88% 수득율)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. : C27H18Br2O2 cal. 534.25, found 531.97. Intermediate C-2 (1.29 g, 3.4 mmol) was dissolved in 30 mL of toluene, then phenylmagnesium bromide (15 mmol) was slowly added and reacted under reflux conditions for 12 h. After the reaction is completed and cooled to 0°C, NH4Cl is added to terminate the reaction. The organic layer of the resulting mixture was extracted three times with water and CH2Cl2, then the organic layer was dried over magnesium sulfate and the solvent was evaporated. The obtained residue was separated and purified by silica gel column chromatography to obtain intermediate C-3 (1.6 g, 3.0 mmol, 88% yield). The produced compound was confirmed through MS/FAB. : C27H18Br2O2 cal. 534.25, found 531.97.

중간체 C-4 합성Intermediate C-4 synthesis

중간체 C-3 (1.6 g, 3.0 mmol)와 K2CO3 (1.66 g, 12.0 mmol)에 5 mL의 DMF를 첨가한 후 CH3I (468 mg, 3.3 mmol)을 천천히 적가한다. 생성된 혼합물을 24시간동안 90 ℃ 하에서 교반한 후, 생성된 고체를 필터한다. 남은 유기층을 NH4Cl과 CH2Cl2를 이용하여 3회 유기층을 추출한다. 추출한 유기층을 마그네슘 설페이트로 건조시킨 후 용매를 증발시켜 수득한 잔류물을 실리카겔관 크로마토그래피로 분리 정제하여 중간체 C-4 (1.22 g, 2.22 mmol, 74% 수득율)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C28H20Br2O2 cal. 548.27, found 545.98.After adding 5 mL of DMF to intermediate C-3 (1.6 g, 3.0 mmol) and K2CO3 (1.66 g, 12.0 mmol), CH3I (468 mg, 3.3 mmol) was slowly added dropwise. The resulting mixture was stirred at 90° C. for 24 hours, and then the resulting solid was filtered. The remaining organic layer was extracted three times using NH4Cl and CH2Cl2. The extracted organic layer was dried over magnesium sulfate, the solvent was evaporated, and the resulting residue was purified by separation using silica gel column chromatography to obtain intermediate C-4 (1.22 g, 2.22 mmol, 74% yield). The produced compound was confirmed through MS/FAB. C28H20Br2O2 cal. 548.27, found 545.98.

중간체 C-5 합성Intermediate C-5 synthesis

화합물 A-3 합성법과 동일한 방법으로 진행하였다. 중간체 C-5 합성에는 출발물질로 C-4 (1.22 g, 2.22 mmol) 을 사용하여 중간체 C-5 (458 mg, 0.89 mmol, 수율 40%)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C27H16Br2O cal. 516.23, found 513.96.Compound A-3 was synthesized in the same manner as the synthesis method. For the synthesis of Intermediate C-5, C-4 (1.22 g, 2.22 mmol) was used as a starting material to obtain Intermediate C-5 (458 mg, 0.89 mmol, yield 40%). The produced compound was confirmed through MS/FAB. C27H16Br2O cal. 516.23, found 513.96.

화합물 108의 합성Synthesis of compound 108

화합물 3 합성법과 동일한 방법으로 진행하였다. 화합물 108 합성에는 출발물질로 C-5 (458 mg, 0.89 mmol) 을 사용하여 화합물 108 (443 mg, 0.64 mmol, 수율 72%)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C51H36N2O cal. 692.86, found 692.28.The synthesis was carried out in the same manner as for compound 3. For the synthesis of compound 108, C-5 (458 mg, 0.89 mmol) was used as a starting material to obtain compound 108 (443 mg, 0.64 mmol, yield 72%). The produced compound was confirmed through MS/FAB. C51H36N2O cal. 692.86, found 692.28.

화합물 146의 합성Synthesis of compound 146

화합물 3 합성법과 동일한 방법으로 진행하였다. 화합물 146 합성에는 출발물질로 C-5 (1.0 g, 1.94 mmol) 을 사용하였으며, diphenylamine 대신 (di-p- N-([1,1'-biphenyl]-2-yl)pyridin-2-amine 을 사용하여 화합물 146 (1.05 g, 1.24 mmol, 수율 63%)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C61H42N4O cal. 847.03, found 846.34.The synthesis was carried out in the same manner as for compound 3. For the synthesis of compound 146, C-5 (1.0 g, 1.94 mmol) was used as a starting material, and (di-p- N-([1,1'-biphenyl]-2-yl)pyridin-2-amine was used instead of diphenylamine. Compound 146 (1.05 g, 1.24 mmol, yield 63%) was obtained. The produced compound was confirmed through MS/FAB. C61H42N4O cal. 847.03, found 846.34.

화합물 147의 합성Synthesis of compound 147

화합물 3 합성법과 동일한 방법으로 진행하였다. 화합물 147 합성에는 출발물질로 C-5 (1.0 g, 1.94 mmol) 을 사용하였으며, diphenylamine 대신 5-methoxy-N-phenyl-[1,1'-biphenyl]-2-amine 을 사용하여 화합물 147 (1.28 g, 1.42 mmol, 수율 73%)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C65H48N2O3 cal. 905.11, found 904.37.The synthesis was carried out in the same manner as for compound 3. For the synthesis of compound 147, C-5 (1.0 g, 1.94 mmol) was used as a starting material, and 5-methoxy-N-phenyl-[1,1'-biphenyl]-2-amine was used instead of diphenylamine to produce compound 147 (1.28 g, 1.42 mmol, yield 73%) was obtained. The produced compound was confirmed through MS/FAB. C65H48N2O3 cal. 905.11, found 904.37.

화합물 153의 합성Synthesis of compound 153

화합물 3 합성법과 동일한 방법으로 진행하였다. 화합물 153 합성에는 출발물질로 C-5 (1.0 g, 1.94 mmol) 을 사용하였으며, diphenylamine 대신 N-([1,1'-biphenyl]-2-yl)dibenzo[b,d]furan-4-amine 을 사용하여 화합물 153 (1.27 g, 1.24 mmol, 수율 64%)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C75H48N2O3 cal. 1025.22, found 1024.37.The synthesis was carried out in the same manner as for compound 3. For the synthesis of compound 153, C-5 (1.0 g, 1.94 mmol) was used as a starting material, and N-([1,1'-biphenyl]-2-yl)dibenzo[b,d]furan-4-amine was used instead of diphenylamine. Compound 153 (1.27 g, 1.24 mmol, yield 64%) was obtained using . The produced compound was confirmed through MS/FAB. C75H48N2O3 cal. 1025.22, found 1024.37.

화합물 155의 합성Synthesis of compound 155

화합물 3 합성법과 동일한 방법으로 진행하였다. 화합물 155 합성에는 출발물질로 C-5 (1.0 g, 1.94 mmol) 을 사용하였으며, diphenylamine 대신 N-([1,1'-biphenyl]-2-yl)dibenzo[b,d]thiophen-4-amine을 사용하여 화합물 155 (1.39 g, 1.32 mmol, 수율 68%)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C75H48N2OS2 cal. 1057.34, found 1056.32.The synthesis was carried out in the same manner as for compound 3. For the synthesis of compound 155, C-5 (1.0 g, 1.94 mmol) was used as a starting material, and N-([1,1'-biphenyl]-2-yl)dibenzo[b,d]thiophen-4-amine was used instead of diphenylamine. Compound 155 (1.39 g, 1.32 mmol, yield 68%) was obtained using . The produced compound was confirmed through MS/FAB. C75H48N2OS2 cal. 1057.34, found 1056.32.

화합물 160의 합성Synthesis of compound 160

화합물 3 합성법과 동일한 방법으로 진행하였다. 화합물 160 합성에는 출발물질로 C-5 (1.0 g, 1.94 mmol) 을 사용하였으며, diphenylamine 대신 N-(4-(tert-butyl)phenyl)dibenzo[b,d]furan-4-amine을 사용하여 화합물 160 (1.37 g, 1.40 mmol, 수율 72%)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C71H56N2O3 cal. 985.24, found 984.43.The synthesis was carried out in the same manner as for compound 3. In the synthesis of compound 160, C-5 (1.0 g, 1.94 mmol) was used as a starting material, and N-(4-(tert-butyl)phenyl)dibenzo[b,d]furan-4-amine was used instead of diphenylamine to produce the compound. 160 (1.37 g, 1.40 mmol, yield 72%) was obtained. The produced compound was confirmed through MS/FAB. C71H56N2O3 cal. 985.24, found 984.43.

화합물 184의 합성Synthesis of compound 184

화합물 3 합성법과 동일한 방법으로 진행하였다. 화합물 184 합성에는 출발물질로 C-5 (1.0 g, 1.94 mmol) 을 사용하였으며, diphenylamine N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)dibenzo[b,d]furan-2-amine 을 사용하여 화합물 153 (1.65 g, 1.61 mmol, 수율 83%)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C75H48N2O3 cal. 1025.22, found 1024.37.The synthesis was carried out in the same manner as for compound 3. For the synthesis of compound 184, C-5 (1.0 g, 1.94 mmol) was used as a starting material, and diphenylamine N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)dibenzo[b,d]furan-2-amine was used as a starting material. Compound 153 (1.65 g, 1.61 mmol, yield 83%) was obtained. The produced compound was confirmed through MS/FAB. C75H48N2O3 cal. 1025.22, found 1024.37.

합성예Synthesis example : 화합물 196의 합성: Synthesis of Compound 196

Figure 112016080808881-pat00085
Figure 112016080808881-pat00085

화합물 94 합성법과 동일한 방법으로 진행하였다. 화합물 196 합성에는 출발물질로 C-5 (1.0 g, 1.94 mmol) 을 사용하였으며, (4-(di([1,1'-biphenyl]-4-yl)amino)phenyl)boronic acid 대신 (4-(diphenylamino)phenyl)boronic acid 을 사용하여 화합물 196 (1.26 g, 1.49 mmol, 수율 77%)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C63H44N2O cal. 845.06, found 844.35.The synthesis was carried out in the same manner as for compound 94. For the synthesis of compound 196, C-5 (1.0 g, 1.94 mmol) was used as a starting material, and instead of (4-(di([1,1'-biphenyl]-4-yl)amino)phenyl)boronic acid, (4- Compound 196 (1.26 g, 1.49 mmol, yield 77%) was obtained using (diphenylamino)phenyl)boronic acid. The produced compound was confirmed through MS/FAB. C63H44N2O cal. 845.06, found 844.35.

화합물 199의 합성Synthesis of Compound 199

화합물 94 합성법과 동일한 방법으로 진행하였다. 화합물 199 합성에는 출발물질로 C-5 (1.0 g, 1.94 mmol) 을 사용하여 화합물 199 (1.76 g, 1.53 mmol, 수율 79%)을 얻었다. 생성된 화합물은 MS/FAB 를 통하여 확인하였다. C87H60N2O cal. 1149.45, found 1148.47.The synthesis was carried out in the same manner as for compound 94. For the synthesis of Compound 199, C-5 (1.0 g, 1.94 mmol) was used as a starting material to obtain Compound 199 (1.76 g, 1.53 mmol, yield 79%). The produced compound was confirmed through MS/FAB. C87H60N2O cal. 1149.45, found 1148.47.

상기 합성예에서 합성된 화합물의 NMR 및 MS 데이터는 하기 표 1을 참조한다:Refer to Table 1 below for NMR and MS data of the compounds synthesized in the above synthesis examples:

화합물compound 1H NMR (CDCl3, 400MHz) 1H NMR (CDCl 3 , 400MHz) MS/FABMS/FAB calc.calc. foundfound 22 δ= 7.66-7.59(m, 2H),7.1-7.02(m, 9H),6.73(d, 1H), 6.7-6.63(m, 4H), 6.53(s, 1H), 6.36-6.29(m, 5H),6.23-6.16(m, 4H), 1.72(s, 3H), 1.68(s, 3H)δ= 7.66-7.59(m, 2H), 7.1-7.02(m, 9H), 6.73(d, 1H), 6.7-6.63(m, 4H), 6.53(s, 1H), 6.36-6.29(m, 5H) ),6.23-6.16(m, 4H), 1.72(s, 3H), 1.68(s, 3H) 544.70544.70 544.25
544.25
33 δ= 7.5-7.46(m, 4H), 7.43(d, 1H), 7.37(dd, 1H), 7.34-7.25(m, 6H),7.09-7.01(m, 9H), 6.7-6.62(m, 4H), 6.56(dd, 1H), 6.35-6.28(m, 5H), 6.22-6.16(m, 5H)δ= 7.5-7.46(m, 4H), 7.43(d, 1H), 7.37(dd, 1H), 7.34-7.25(m, 6H), 7.09-7.01(m, 9H), 6.7-6.62(m, 4H) ), 6.56(dd, 1H), 6.35-6.28(m, 5H), 6.22-6.16(m, 5H) 668.84668.84 668.24668.24 1313 7.51-7.46(m, 4H), 7.31-7.26(m, 6H),7.21(d, 1H), 7.09-7.04(m, 8H), 6.89(d, 1H), 6.85(d, 1H), 6.78(s, 1H), 6.77(s, 1H), 6.7-6.64(m, 4H),6.45(dd, 1H), 6.28-6.23(m, 8H)7.51-7.46(m, 4H), 7.31-7.26(m, 6H),7.21(d, 1H), 7.09-7.04(m, 8H), 6.89(d, 1H), 6.85(d, 1H), 6.78( s, 1H), 6.77(s, 1H), 6.7-6.64(m, 4H),6.45(dd, 1H), 6.28-6.23(m, 8H) 668.84668.84 668.24668.24 4646 δ= 7.73-7.68(m, 4H), 7.65-7.59(m, 6H), 7.56-7.46(m, 14H), 7.45-7.41(m, 2H), 7.33-7.26(m, 7H), 7.2(d, 1H), 7.13(d, 1H), 7.13(d, 1H), 7.11-7.06(m, 5H), 6.67-6.62(m, 2H), 6.34(dd, 1H), 6.29-6.25(m, 3H), 6.18-6.13(m, 2H), 5.99(d, 1H)δ= 7.73-7.68(m, 4H), 7.65-7.59(m, 6H), 7.56-7.46(m, 14H), 7.45-7.41(m, 2H), 7.33-7.26(m, 7H), 7.2(d) , 1H), 7.13(d, 1H), 7.13(d, 1H), 7.11-7.06(m, 5H), 6.67-6.62(m, 2H), 6.34(dd, 1H), 6.29-6.25(m, 3H) ), 6.18-6.13(m, 2H), 5.99(d, 1H) 1009.211009.21 1008.391008.39 6262 δ= 7.47-7.65(m, 4H), 7.7-7.65(m, 2H), 7.65-7.6(m, 2H), 7.6-7.56(m, 4H), 7.53-7.46(m, 10H),7.43(d, 1H), 7.36(s, 1H), 7.36(s, 1H), 7.33(d, 1H), 7.33-7.26(m, 8H), 7.11(d, 1H), 7.11(d, 1H), 7.07(d, 1H), 6.96(dd, 1H), 6.91(dd, 1H), 6.78(d, 1H), 6.62(d, 1H), 6.37(dd, 1H), 6.25(dd, 1H), 6.04-5.99(m, 1H), 1.56(s, 9H), 1.56(s, 9H), 1.54(s, 9H), 1.54(s, 9H)δ= 7.47-7.65(m, 4H), 7.7-7.65(m, 2H), 7.65-7.6(m, 2H), 7.6-7.56(m, 4H), 7.53-7.46(m, 10H),7.43(d , 1H), 7.36(s, 1H), 7.36(s, 1H), 7.33(d, 1H), 7.33-7.26(m, 8H), 7.11(d, 1H), 7.11(d, 1H), 7.07( d, 1H), 6.96(dd, 1H), 6.91(dd, 1H), 6.78(d, 1H), 6.62(d, 1H), 6.37(dd, 1H), 6.25(dd, 1H), 6.04-5.99 (m, 1H), 1.56(s, 9H), 1.56(s, 9H), 1.54(s, 9H), 1.54(s, 9H) 1225.631225.63 1224.621224.62 9494 δ= 7.87(dd, 1H), 7.82(dd, 1H), 7.75(d , 1H), 7.65-7.6(m, 9H), 7.57-7.51(m, 13H), 7.48-7.39(m, 14H),7.36-7.26(m, 8H),7.17(d, 1H), 6.96-6.84(m, 10H), 6.61-6.58(m, 2H)δ= 7.87(dd, 1H), 7.82(dd, 1H), 7.75(d, 1H), 7.65-7.6(m, 9H), 7.57-7.51(m, 13H), 7.48-7.39(m, 14H), 7.36-7.26(m, 8H),7.17(d, 1H), 6.96-6.84(m, 10H), 6.61-6.58(m, 2H) 1125.431125.43 1124.471124.47 9595 δ= 7.87(dd, 1H), 7.82(dd, 1H), 7.75(d , 1H), 7.64(d, 1H), 7.57-7.51(m, 5H), 7.4-7.36(m, 2H), 7.32-7.27(m, 8H), 7.18(d, 1H), 6.79-6.73(m, 10H), 6.2-6.15(m, 2H), 2.45(s, 12H), 2.34(s, 24H)δ= 7.87(dd, 1H), 7.82(dd, 1H), 7.75(d, 1H), 7.64(d, 1H), 7.57-7.51(m, 5H), 7.4-7.36(m, 2H), 7.32- 7.27(m, 8H), 7.18(d, 1H), 6.79-6.73(m, 10H), 6.2-6.15(m, 2H), 2.45(s, 12H), 2.34(s, 24H) 989.36989.36 988.53988.53 103103 δ=7.87(d, 1H), 7.75(d, 1H), 7.63(d , 1H), 7.56-7.51(m, 4H), 7.37-7.34(m, 2H), 7.32-7.27(m, 6H), 7.09(d, 1H), 7.03-6.93(m, 10H), 6.59-6.54(m, 8H), 6.42(d, 1H), 6.28(s, 1H), 2.46(s, 12H)δ=7.87(d, 1H), 7.75(d, 1H), 7.63(d, 1H), 7.56-7.51(m, 4H), 7.37-7.34(m, 2H), 7.32-7.27(m, 6H), 7.09(d, 1H), 7.03-6.93(m, 10H), 6.59-6.54(m, 8H), 6.42(d, 1H), 6.28(s, 1H), 2.46(s, 12H) 801.05801.05 800.38800.38 108108 δ=7.61-7.49(m, 6H), 7.41(d, 1H), 7.36-7.26(m, 6H), 7.12-7.02(m, 9H), 6.82(d, 1H), 6.7-6.65(m, 4H), 6.33-6.28(m, 4H), 6.21-6.16(m, 4H), 6.1(d, 1H)δ=7.61-7.49(m, 6H), 7.41(d, 1H), 7.36-7.26(m, 6H), 7.12-7.02(m, 9H), 6.82(d, 1H), 6.7-6.65(m, 4H) ), 6.33-6.28(m, 4H), 6.21-6.16(m, 4H), 6.1(d, 1H) 692.86692.86 692.28692.28 146146 δ=8.52(dd, 1H), 8.16(dd, 1H), 7.98(d, 1H), 7.61-7.41(m, 18H), 7.36-7.23(m, 11H), 7.21-7.1(m, 4H), 7.02(d, 1H), 6.92(d, 1H), 6.9(t, 1H), 6.82-6.77(m, 1H), 6.06(d, 1H), 5.91(d, 1H)δ=8.52(dd, 1H), 8.16(dd, 1H), 7.98(d, 1H), 7.61-7.41(m, 18H), 7.36-7.23(m, 11H), 7.21-7.1(m, 4H), 7.02(d, 1H), 6.92(d, 1H), 6.9(t, 1H), 6.82-6.77(m, 1H), 6.06(d, 1H), 5.91(d, 1H) 847.03847.03 846.34846.34 147147 δ=7.74-7.69(m, 4H), 7.61-7.46(m, 11H), 7.39(d, 1H), 7.36-7.26(m, 6H), 7.14-7.04(m, 7H), 6.91(d, 1H), 6.88-6.77(m, 3H), 6.73(d, 1H), 6.72(d, 1H), 6.68-6.63(m, 2H), 6.27-6.23(m, 2H), 6.16-6.11(m, 2H), 5.92(d, 1H), 3.97(s, 3H), 3.95(s, 3H)δ=7.74-7.69(m, 4H), 7.61-7.46(m, 11H), 7.39(d, 1H), 7.36-7.26(m, 6H), 7.14-7.04(m, 7H), 6.91(d, 1H) ), 6.88-6.77(m, 3H), 6.73(d, 1H), 6.72(d, 1H), 6.68-6.63(m, 2H), 6.27-6.23(m, 2H), 6.16-6.11(m, 2H) ), 5.92(d, 1H), 3.97(s, 3H), 3.95(s, 3H) 905.11905.11 904.37904.37 153153 δ=7.85-7.82(m, 2H),7.74-7.02(m, 2H), 7.64-7.51(m, 15H), 7.49-7.41(m, 6H), 7.36-7.26(m, 7H), 7.21-6.92(m, 14H), 6.73(d, 1H), 5.85(d, 1H)δ=7.85-7.82(m, 2H), 7.74-7.02(m, 2H), 7.64-7.51(m, 15H), 7.49-7.41(m, 6H), 7.36-7.26(m, 7H), 7.21-6.92 (m, 14H), 6.73(d, 1H), 5.85(d, 1H) 1025.221025.22 1024.371024.37 155155 δ=8.06-8.02(m, 2H), 7.97-7.93(m, 2H),7.81-7.78(m, 2H), 7.64-7.51(m, 15H), 7.49-7.44(m, 2H), 7.41-7.26(m, 8H), 7.26-7.18(m, 5H), 7.12(d, 1H), 7.04-6.94(m, 6H), 6.94-6.87(m, 3H), 6.81(d, 1H), 5.67(d, 1H)δ=8.06-8.02(m, 2H), 7.97-7.93(m, 2H),7.81-7.78(m, 2H), 7.64-7.51(m, 15H), 7.49-7.44(m, 2H), 7.41-7.26 (m, 8H), 7.26-7.18(m, 5H), 7.12(d, 1H), 7.04-6.94(m, 6H), 6.94-6.87(m, 3H), 6.81(d, 1H), 5.67(d) , 1H) 1057.341057.34 1056.321056.32 160160 δ=7.85-7.82(m, 2H), 7.75-7.7(m, 2H), 7.61-7.51(m, 8H), 7.49-7.41(m, 4H), 7.36-7.26(m, 10H), 7.15-6.97(m, 6H), 6.91(d, 1H), 6.51-6.46(m, 4H), 6.18(d, 1H), 1.63(s, 18H)δ=7.85-7.82(m, 2H), 7.75-7.7(m, 2H), 7.61-7.51(m, 8H), 7.49-7.41(m, 4H), 7.36-7.26(m, 10H), 7.15-6.97 (m, 6H), 6.91(d, 1H), 6.51-6.46(m, 4H), 6.18(d, 1H), 1.63(s, 18H) 985.24985.24 984.43984.43 184184 δ=7.85-7.7(m, 5H), 7.66-7.61(m, 4H), 7.59-7.39(m, 24H), 7.36-7.26(m, 6H), 7.07-6.94(m, 4H), 6.8-6.77(m, 2H), 6.63-6.57(m, 2H), 6.18(d, 1H)δ=7.85-7.7(m, 5H), 7.66-7.61(m, 4H), 7.59-7.39(m, 24H), 7.36-7.26(m, 6H), 7.07-6.94(m, 4H), 6.8-6.77 (m, 2H), 6.63-6.57(m, 2H), 6.18(d, 1H) 1025.221025.22 1024.371024.37 196196 δ=8.17(s, 1H), 7.92(s, 1H), 7.9(s, 1H), 7.72(s, 1H), 7.59-7.51(m, 5H), 7.49-7.36(m, 4H), 7.36-7.31(m, 4H), 7.31-7.26(m, 2H), 7.17(s, 1H), 7.1-7.07(m, 8H), 6.97-6.82(m, 4H), 6.7-6.63(m, 4H), 6.21-6.14(m, 8H)δ=8.17(s, 1H), 7.92(s, 1H), 7.9(s, 1H), 7.72(s, 1H), 7.59-7.51(m, 5H), 7.49-7.36(m, 4H), 7.36- 7.31(m, 4H), 7.31-7.26(m, 2H), 7.17(s, 1H), 7.1-7.07(m, 8H), 6.97-6.82(m, 4H), 6.7-6.63(m, 4H), 6.21-6.14(m, 8H) 845.06845.06 844.35844.35 199199 δ=8.17(s, 1H), 7.92(s, 1H), 7.9(s, 1H), 7.72(d, 1H), 7.66-7.61(m, 8H), 7.59-7.55(m, 4H), 7.55-7.49(m, 9H), 7.49-7.44(m, 10H), 7.44-7.36(m, 6H), 7.36-7.34(m, 4H), 7.33-7.26(m, 2H), 7.17(q, 1H), 6.97-6.92(m, 2H), 6.9-6.85(m, 8H), 6.66-6.61(m, 2H)δ=8.17(s, 1H), 7.92(s, 1H), 7.9(s, 1H), 7.72(d, 1H), 7.66-7.61(m, 8H), 7.59-7.55(m, 4H), 7.55- 7.49(m, 9H), 7.49-7.44(m, 10H), 7.44-7.36(m, 6H), 7.36-7.34(m, 4H), 7.33-7.26(m, 2H), 7.17(q, 1H), 6.97-6.92(m, 2H), 6.9-6.85(m, 8H), 6.66-6.61(m, 2H) 1145.451145.45 1144.471144.47

실시예Example 1 One

애노드는 코닝(corning) 15Ω/cm2 (1200Å) ITO 유리 기판을 50mm x 50mm x 0.7mm크기로 잘라서 이소프로필 알코올과 순수를 이용하여 각 5분 동안 초음파 세정한 후, 30분 동안 자외선을 조사하고 오존에 노출시켜 세정하고 진공 증착 장치에 이 유리기판을 설치하였다. Anode is corning 15Ω/cm 2 (1200Å) ITO glass substrate was cut into 50mm This glass substrate was installed.

상기 기판 상부에 우선 정공 주입층으로서 공지의 화합물 2-TNATA를 진공 증착하여 600Å 두께로 형성한 후, 이어서 정공 수송성 화합물로서 본 발명의 화합물인 화합물 3을 300Å의 두께로 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다.First, as a hole injection layer, the known compound 2-TNATA was vacuum deposited on the upper part of the substrate to form a hole injection layer to a thickness of 600 Å, and then Compound 3, a compound of the present invention, as a hole transport compound was vacuum deposited to a thickness of 300 Å to form a hole transport layer. did.

상기 정공 수송층 상부에 공지의 청색 형광 호스트인 9,10-di-naphthalene-2-yl-anthracene(이하, ADN)과 청색 형광 도펀트로 공지의 화합물인 N,N,N',N'-tetraphenyl-pyrene-1,6-diamine (TPD)를 중량비 98 : 2로 동시 증착하여 300Å의 두께로 발광층을 형성하였다.A known blue fluorescent host is placed on top of the hole transport layer. 9,10-di-naphthalene-2-yl-anthracene (hereinafter referred to as ADN) and N,N,N',N'-tetraphenyl-pyrene-1,6-diamine (TPD), a compound known as a blue fluorescent dopant. A light emitting layer was formed with a thickness of 300 Å by simultaneous deposition at a weight ratio of 98:2.

Figure 112016080808881-pat00086
Figure 112016080808881-pat00086

이어서 상기 발광층 상부에 전자 수송층으로 Alq3를 300Å의 두께로 증착 한 후, 이 전자 수송층 상부에 할로겐화 알칼리금속인 LiF를 전자주입층으로 10Å의 두께로 증착 하고, Al를 3000Å(음극 전극)의 두께로 진공 증착 하여 LiF/Al 전극을 형성함으로써 유기 발광 소자를 제조 하였다.  Then, an electron transport layer was placed on top of the light emitting layer. After depositing Alq3 to a thickness of 300Å, LiF, an alkali metal halide, was deposited to a thickness of 10Å as an electron injection layer on top of this electron transport layer, and Al was vacuum deposited to a thickness of 3000Å (cathode electrode) to create a LiF/Al electrode. An organic light-emitting device was manufactured by forming an organic light-emitting device.

실시예Example 2 2

정공 수송층 형성시 상기 화합물 3 대신 화합물 94를 이용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여 유기 EL 소자를 제작했다. An organic EL device was manufactured in the same manner as Example 1, except that Compound 94 was used instead of Compound 3 when forming the hole transport layer.

실시예Example  33

정공 수송층 형성시 상기 화합물 3 대신 화합물 96을 이용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여 유기 EL 소자를 제작했다. An organic EL device was manufactured in the same manner as Example 1, except that Compound 96 was used instead of Compound 3 when forming the hole transport layer.

실시예Example  44

정공 수송층 형성시 상기 화합물 3 대신 화합물 103를 이용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여 유기 EL 소자를 제작했다. An organic EL device was manufactured in the same manner as Example 1, except that Compound 103 was used instead of Compound 3 when forming the hole transport layer.

실시예Example  55

정공 수송층 형성시 상기 화합물 3 대신 화합물 184를 이용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여 유기 EL 소자를 제작했다. An organic EL device was manufactured in the same manner as Example 1, except that Compound 184 was used instead of Compound 3 when forming the hole transport layer.

실시예Example  66

정공 수송층 형성시 상기 화합물 3 대신 화합물 196을 이용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여 유기 EL 소자를 제작했다. An organic EL device was manufactured in the same manner as Example 1, except that Compound 196 was used instead of Compound 3 when forming the hole transport layer.

실시예Example  77

정공 수송층 형성시 상기 화합물 3 대신 화합물 199를 이용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여 유기 EL 소자를 제작했다.   An organic EL device was manufactured in the same manner as Example 1, except that Compound 199 was used instead of Compound 3 when forming the hole transport layer.

비교예Comparative example 1 One

정공수송층 형성시 공지의 화합물인 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐 (이하, NPB) 이용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여 유기 EL 소자를 제작했다.Organic material was prepared in the same manner as in Example 1, except that the known compound 4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl (hereinafter referred to as NPB) was used when forming the hole transport layer. An EL device was manufactured.

Figure 112016080808881-pat00087
Figure 112016080808881-pat00087

상기 실시예 및 비교예의 소자 결과를 하기 표 2에 나타내었다.The device results of the examples and comparative examples are shown in Table 2 below.

  정공수송층hole transport layer 구동전압
(V)
driving voltage
(V)
전류밀도
(㎃/㎠)
current density
(㎃/㎠)
휘도
(cd/㎡)
Luminance
(cd/㎡)
효율
(cd/A)
efficiency
(cd/A)
발광색Luminous color 반감수명     (hr @100㎃/㎠)Half life     (hr @100㎃/㎠)
실시예 1Example 1 화합물 3Compound 3 5.425.42 5050 34563456 6.436.43 청색blue 318318 실시예 2Example 2 화합물 94Compound 94 6.016.01 5050 32963296 6.636.63 청색blue 361361 실시예 3Example 3 화합물 95Compound 95 5.675.67 5050 31253125 6.666.66 청색blue 306306 실시예 4Example 4 화합물 103Compound 103 5.555.55 5050 36993699 6.236.23 청색blue 322322 실시예 5Example 5 화합물 184Compound 184 5.845.84 5050 34833483 6.156.15 청색blue 299299 실시예 6Example 6 화합물 196Compound 196 6.006.00 5050 30103010 6.396.39 청색blue 318318 실시예 7Example 7 화합물 199Compound 199 5.635.63 5050 33913391 6.456.45 청색blue 283283 비교예 1Comparative Example 1 NPBNPB 6.996.99 5050 27452745 5.225.22 청색blue 256256

실시예Example  88

상기 정공 수송층 화합물 3 대신 공지의 화합물인 NPB 를 사용하고, 발광층 형성시 공지의 도판트 화합물인 TPD 대신 본 발명의 화합물 2를 이용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여 유기 EL 소자를 제작했다.An organic EL device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that NPB, a known compound, was used instead of Compound 3 for the hole transport layer, and Compound 2 of the present invention was used instead of TPD, a known dopant compound, when forming the light emitting layer. did.

실시예9Example 9

발광층 형성시 상기 화합물 2 대신 화합물 13를 이용한 것을 제외하고는, 실시예 8와 동일하게 하여 유기 EL 소자를 제작했다.An organic EL device was manufactured in the same manner as Example 8, except that Compound 13 was used instead of Compound 2 when forming the light-emitting layer.

실시예Example  1010

발광층 형성시 상기 화합물 2 대신 화합물 46를 이용한 것을 제외하고는, 실시예 8와 동일하게 하여 유기 EL 소자를 제작했다. An organic EL device was manufactured in the same manner as Example 8, except that Compound 46 was used instead of Compound 2 when forming the light-emitting layer.

실시예Example  1111

발광층 형성시 상기 화합물 2 대신 화합물 62를 이용한 것을 제외하고는, 실시예 8와 동일하게 하여 유기 EL 소자를 제작했다. An organic EL device was manufactured in the same manner as Example 8, except that Compound 62 was used instead of Compound 2 when forming the light-emitting layer.

실시예Example  1212

발광층 형성시 상기 화합물 2 대신 화합물 108을 이용한 것을 제외하고는, 실시예 8와 동일하게 하여 유기 EL 소자를 제작했다. An organic EL device was manufactured in the same manner as Example 8, except that Compound 108 was used instead of Compound 2 when forming the light-emitting layer.

실시예Example  1313

발광층 형성시 상기 화합물 2 대신 화합물 146를 이용한 것을 제외하고는, 실시예 8와 동일하게 하여 유기 EL 소자를 제작했다. An organic EL device was manufactured in the same manner as Example 8, except that Compound 146 was used instead of Compound 2 when forming the light-emitting layer.

실시예Example  1414

발광층 형성시 상기 화합물 2 대신 화합물 147을 이용한 것을 제외하고는, 실시예 8와 동일하게 하여 유기 EL 소자를 제작했다. An organic EL device was manufactured in the same manner as Example 8, except that Compound 147 was used instead of Compound 2 when forming the light-emitting layer.

실시예Example  1515

발광층 형성시 상기 화합물 2 대신 화합물 153를 이용한 것을 제외하고는, 실시예 8와 동일하게 하여 유기 EL 소자를 제작했다. An organic EL device was manufactured in the same manner as Example 8, except that Compound 153 was used instead of Compound 2 when forming the light-emitting layer.

실시예Example  1616

발광층 형성시 상기 화합물 2 대신 화합물 155를 이용한 것을 제외하고는, 실시예 8와 동일하게 하여 유기 EL 소자를 제작했다.An organic EL device was manufactured in the same manner as Example 8, except that Compound 155 was used instead of Compound 2 when forming the light-emitting layer.

실시예Example  1717

발광층 형성시 상기 화합물 2 대신 화합물 160를 이용한 것을 제외하고는, 실시예 8와 동일하게 하여 유기 EL 소자를 제작했다.  An organic EL device was manufactured in the same manner as Example 8, except that Compound 160 was used instead of Compound 2 when forming the light-emitting layer.

비교예Comparative example 2 2

발광층 형성시 상기 화합물 2 대신 공지의 화합물인 A 를 이용한 것을 제외하고는, 실시예 8와 동일하게 하여 유기 EL 소자를 제작했다.An organic EL device was manufactured in the same manner as Example 8, except that the known compound A was used instead of the compound 2 when forming the light-emitting layer.

Figure 112016080808881-pat00088
Figure 112016080808881-pat00088

상기 비교예 및 실시예의 결과를 표 3에 정리하여 나타내었다.The results of the comparative examples and examples are summarized in Table 3.

  발광층luminescent layer 구동전압
(V)
driving voltage
(V)
전류밀도
(㎃/㎠)
current density
(㎃/㎠)
휘도
(cd/㎡)
Luminance
(cd/㎡)
효율
(cd/A)
efficiency
(cd/A)
발광색Luminous color 반감수명     (hr @100㎃/㎠)Half life     (hr @100㎃/㎠)
실시예 8Example 8 화합물 2compound 2 5.895.89 5050 29622962 7.267.26 청색blue 351351 실시예 9Example 9 화합물 13Compound 13 5.225.22 5050 33373337 7.417.41 청색blue 258258 실시예 10Example 10 화합물 46Compound 46 5.355.35 5050 32553255 7.277.27 청색blue 345345 실시예 11Example 11 화합물 62Compound 62 5.255.25 5050 34563456 7.317.31 청색blue 331331 실시예 12Example 12 화합물 108Compound 108 5.705.70 5050 34633463 6.986.98 청색blue 299299 실시예 13Example 13 화합물 146Compound 146 5.395.39 5050 35973597 7.627.62 청색blue 364364 실시예 14Example 14 화합물 147Compound 147 5.195.19 5050 33283328 6.946.94 청색blue 347347 실시예 15Example 15 화합물 153Compound 153 5.665.66 5050 30453045 7.017.01 청색blue 326326 실시예 16Example 16 화합물 155Compound 155 5.635.63 5050 32043204 7.117.11 청색blue 254254 실시예 17Example 17 화합물 160Compound 160 5.365.36 5050 36543654 7.257.25 청색blue 368368 비교예 2Comparative Example 2 AA 6.336.33 5050 35603560 6.156.15 청색blue 335335

본 발명의 일 구현예에 따른 화학식 1 의 구조를 정공 수송층 재료 및 발광층 재료로 사용할 경우, 공지의 화합물 대비 구동전압이 저하되고 효율이 상승되는 효과를 얻을 수 있다. 특히 소자의 반감 수명이 증가되는 효과를 얻을 수 있다.When the structure of Chemical Formula 1 according to an embodiment of the present invention is used as a hole transport layer material and a light emitting layer material, the effect of lowering the driving voltage and increasing efficiency can be obtained compared to known compounds. In particular, the effect of increasing the half-life of the device can be obtained.

본 발명에 대해 상기 실시예를 참고하여 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명에 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the above embodiments, this is merely illustrative, and those skilled in the art will understand that various modifications and other equivalent embodiments are possible therefrom. . Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the attached patent claims.

10: 유기 발광 소자
110: 제1전극
150: 유기층
190: 제2전극
10: Organic light emitting device
110: first electrode
150: Organic layer
190: second electrode

Claims (20)

하기 화학식 3으로 표시되는 화합물:
<화학식 3>

상기 화학식 3 중,
R1 내지 R2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐, 아미노기, 니트로기, 니트릴기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고;
선택적으로, 상기 R1 및 R2는 서로 연결되어 사이클로헥실기, 또는 사이클로헵틸기를 형성하고;
L1 및 L2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹, 및 치환 또는 비치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되며;
Ar1 내지 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 및 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택되고;
c 및 d는 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수 중에서 선택되며;
상기 치환된 C1-C60알킬기, 치환된 C2-C60알케닐기, 치환된 C2-C60알키닐기, 치환된 C1-C60알콕시기, 치환된 C3-C10시클로알킬기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기, 치환된 C6-C60아릴기, 치환된 C6-C60아릴옥시기, 치환된 C6-C60아릴티오기, 치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 치환된 C6-C60아릴렌기, 치환된 C1-C60헤테로아릴렌기, 치환된 2가 비-방향족 축합다환 그룹, 및 치환된 2가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중 적어도 하나의 치환기는,
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기(aryloxy), C6-C60아릴티오기(arylthio), C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q11)(Q12), -Si(Q13)(Q14)(Q15) 및 -B(Q16)(Q17) 중 적어도 하나로 치환된, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기 및 C1-C60알콕시기;
C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹;
중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, -N(Q21)(Q22), -Si(Q23)(Q24)(Q25) 및 -B(Q26)(Q27) 중 적어도 하나로 치환된, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C6-C60아릴옥시기, C6-C60아릴티오기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹; 및
Si(Q13)(Q14)(Q15); 중에서 선택되고;
상기 Q11 내지 Q17 및 Q21 내지 Q27은 서로 독립적으로, 수소, 중수소, -F, -Cl, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, C1-C60알킬기, C2-C60알케닐기, C2-C60알키닐기, C1-C60알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C2-C10헤테로시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2-C10헤테로시클로알케닐기, C6-C60아릴기, C1-C60헤테로아릴기, 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹 중에서 선택된다.
Compound represented by the following formula (3):
<Formula 3>

Of the above formula 3,
R 1 to R 2 are each independently hydrogen, deuterium, halogen, amino group, nitro group, nitrile group, substituted or unsubstituted C 1 -C 60 alkyl group, substituted or unsubstituted C 2 -C 60 alkenyl group, substituted or Unsubstituted C 2 -C 60 alkynyl group, substituted or unsubstituted C 1 -C 60 alkoxy group, substituted or unsubstituted C 3 -C 10 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C 2 -C 10 heterocycloalkyl group , substituted or unsubstituted C 3 -C 10 cycloalkenyl group, substituted or unsubstituted C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 60 aryl group, substituted or unsubstituted C 6 -C 60 aryloxy group, substituted or unsubstituted C 6 -C 60 arylthio group, substituted or unsubstituted C 1 -C 60 heteroaryl group, substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, and selected from substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic heterocondensed polycyclic groups;
Optionally, R 1 and R 2 are connected to each other to form a cyclohexyl group or a cycloheptyl group;
L 1 and L 2 are each independently a substituted or unsubstituted C 6 -C 60 arylene group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 60 heteroarylene group, a substituted or unsubstituted divalent non-aromatic condensed polycyclic group, and substituted or unsubstituted divalent non-aromatic heterocondensed polycyclic groups;
Ar 1 to Ar 4 are each independently a substituted or unsubstituted C 6 -C 60 aryl group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 60 aryloxy group, a substituted or unsubstituted C 6 -C 60 arylthio group, selected from a substituted or unsubstituted C 1 -C 60 heteroaryl group, a substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, and a substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group;
c and d are each independently selected from integers from 0 to 3;
The substituted C 1 -C 60 alkyl group, substituted C 2 -C 60 alkenyl group, substituted C 2 -C 60 alkynyl group, substituted C 1 -C 60 alkoxy group, substituted C 3 -C 10 cycloalkyl group, Substituted C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, substituted C 3 -C 10 cycloalkenyl group, substituted C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, substituted C 6 -C 60 aryl group, substituted C 6 -C 60 aryloxy group, substituted C 6 -C 60 arylthio group, substituted C 1 -C 60 heteroaryl group, substituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, substituted monovalent non-aromatic heterocondensed polycyclic group, At least one substituent among a substituted C 6 -C 60 arylene group, a substituted C 1 -C 60 heteroarylene group, a substituted divalent non-aromatic condensed polycyclic group, and a substituted divalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group ,
Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or salts thereof, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group and C 1 -C 60 alkoxy group;
Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 - C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 1 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group, - C 1 -C 60 alkyl group, C 2 substituted with at least one of N(Q 11 )(Q 12 ), -Si(Q 13 )(Q 14 )(Q 15 ) and -B(Q 16 )(Q 17 ) -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group and C 1 -C 60 alkoxy group;
C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryl Oxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 1 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group and monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group;
Deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or Salts thereof, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, C 1 -C 60 alkoxy group, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group , C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 1 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, -N(Q 21 )(Q 22 ), -Si(Q 23 )(Q 24 )(Q 25 ) and -B(Q 26 )(Q 27 ), substituted with at least one of C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalke Nyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 6 -C 60 aryloxy group, C 6 -C 60 arylthio group, C 1 -C 60 heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group and monovalent non- aromatic heterocondensed polycyclic group; and
Si(Q 13 )(Q 14 )(Q 15 ); is selected from;
Q 11 to Q 17 and Q 21 to Q 27 are each independently selected from hydrogen, deuterium, -F, -Cl, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or its salt, sulfonic acid or its salt, phosphoric acid or its salt, C 1 -C 60 alkyl group, C 2 -C 60 alkenyl group, C 2 -C 60 alkynyl group, C 1 -C 60 Alkoxy group, C 3 -C 10 cycloalkyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkyl group, C 3 -C 10 cycloalkenyl group, C 2 -C 10 heterocycloalkenyl group, C 6 -C 60 aryl group, C 1 - C 60 is selected from heteroaryl group, monovalent non-aromatic condensed polycyclic group and monovalent non-aromatic condensed heteropolycyclic group.
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 화학식 3에서, 상기 L1 및 L2가 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴렌기, 또는 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴렌기인 화합물.
According to paragraph 1,
In Formula 3, the compound wherein L 1 and L 2 are each independently a substituted or unsubstituted C 6 -C 60 arylene group, or a substituted or unsubstituted C 1 -C 60 heteroarylene group.
제1항에 있어서,
상기 화학식 3에서, 상기 Ar1 내지 Ar4가 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C1-C60헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 또는 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹인 화합물.
According to paragraph 1,
In Formula 3, Ar 1 to Ar 4 are each independently a substituted or unsubstituted C 6 -C 60 aryl group, a substituted or unsubstituted C 1 -C 60 heteroaryl group, or a substituted or unsubstituted monovalent non-substituted group. - A compound that is an aromatic condensed polycyclic group, or a substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic heterocondensed polycyclic group.
제1항에 있어서,
상기 화학식 3에서, 상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 또는 하기 화학식 2a 내지 2d 중 어느 하나이거나,
Figure 112023061502058-pat00090

상기 화학식 2a 내지 2d 중, Z1은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 및 Si(Q13)(Q14)(Q15) 중에서 선택되고;
p는 1 내지 5의 정수를 나타내고;
*는 결합 자리를 나타낸다; 또는
상기 R1 및 R2는 서로 연결되어 사이클로헥실기, 또는 사이클로헵틸기를 형성하는 화합물.
According to paragraph 1,
In Formula 3, R 1 and R 2 are each independently hydrogen, deuterium, or any one of the following Formulas 2a to 2d,
Figure 112023061502058-pat00090

In the above formulas 2a to 2d, Z 1 is each independently hydrogen, deuterium, cyano group, halogen group, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or Unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted heteroaryl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic hetero a condensed polycyclic group, and Si(Q 13 )(Q 14 )(Q 15 );
p represents an integer from 1 to 5;
* indicates binding site; or
A compound in which R 1 and R 2 are connected to each other to form a cyclohexyl group or a cycloheptyl group.
제1항에 있어서,
상기 화학식 3에서, 상기 L1 또는 L2가 하기 화학식 3a인 화합물:
Figure 112023061502058-pat00091

상기 화학식 3a에서, *는 결합 자리를 나타낸다.
According to paragraph 1,
In Formula 3, L 1 or L 2 is a compound of Formula 3a:
Figure 112023061502058-pat00091

In Formula 3a, * represents a binding site.
제1항에 있어서,
상기 화학식 3에서, 상기 Ar1 내지 Ar4가 각각 독립적으로 하기 화학식 4a 내지 4e 중 어느 하나인 화합물:
Figure 112023061502058-pat00092

상기 화학식 4a 내지 4e중, H1은 O, S, CR11R12, 또는 NR13을 나타내고,
R11 내지 R13, 및 Z1은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비-방향족 헤테로축합다환 그룹, 및 Si(Q13)(Q14)(Q15) 중에서 선택되고;
p는 1 내지 9의 정수를 나타내고;
*는 결합 자리를 나타낸다.
According to paragraph 1,
In Formula 3, Ar 1 to Ar 4 are each independently one of the following Formulas 4a to 4e:
Figure 112023061502058-pat00092

In Formulas 4a to 4e, H 1 represents O, S, CR 11 R 12 , or NR 13 ,
R 11 to R 13 , and Z 1 are each independently hydrogen, deuterium, cyano group, halogen group, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or Unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted heteroaryl group having 1 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic condensed polycyclic group, substituted or unsubstituted monovalent non-aromatic hetero a condensed polycyclic group, and Si(Q 13 )(Q 14 )(Q 15 );
p represents an integer from 1 to 9;
* indicates a binding site.
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 화학식 3의 화합물이 하기 화합물들 중 어느 하나인 화합물:


Figure 112023061502058-pat00120

Figure 112023061502058-pat00121

Figure 112023061502058-pat00122
According to paragraph 1,
The compound of formula 3 is any one of the following compounds:


Figure 112023061502058-pat00120

Figure 112023061502058-pat00121

Figure 112023061502058-pat00122
제1전극;
상기 제1전극에 대향된 제2전극; 및
상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되고 발광층을 포함한 유기층;을 포함하고,
상기 유기층이 제1항의 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.
first electrode;
a second electrode opposite the first electrode; and
An organic layer interposed between the first electrode and the second electrode and including a light-emitting layer,
An organic light-emitting device wherein the organic layer includes the compound of claim 1.
제12항에 있어서,
상기 제1전극이 애노드이고,
상기 제2전극이 캐소드이고,
상기 유기층이,
i) 상기 제1전극과 상기 발광층 사이에 개재되며, 정공 수송층; 및 정공 주입층, 및 전자 저지층 중 적어도 하나;를 포함한 정공 수송 영역 및
ii) 상기 발광층과 상기 제2전극 사이에 개재되며, 전자 수송층, 정공 저지층, 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함한 전자 수송 영역을 포함한, 유기 발광 소자.
According to clause 12,
The first electrode is an anode,
The second electrode is a cathode,
The organic layer,
i) a hole transport layer interposed between the first electrode and the light emitting layer; and at least one of a hole injection layer and an electron blocking layer; and a hole transport region including
ii) an organic light emitting device interposed between the light emitting layer and the second electrode and including an electron transport region including at least one of an electron transport layer, a hole blocking layer, and an electron injection layer.
제12항에 있어서,
상기 발광층이 제1항의 상기 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.
According to clause 12,
An organic light-emitting device wherein the light-emitting layer includes the compound of claim 1.
제13항에 있어서,
상기 정공 수송 영역이 제1항의 상기 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.
According to clause 13,
An organic light-emitting device wherein the hole transport region includes the compound of claim 1.
제13항에 있어서,
상기 정공 수송층이 제1항의 상기 화합물을 포함하는 유기 발광 소자.
According to clause 13,
An organic light-emitting device wherein the hole transport layer includes the compound of claim 1.
제13항에 있어서,
상기 정공 수송 영역이 전하-생성 물질을 포함하는 유기 발광 소자.
According to clause 13,
An organic light emitting device wherein the hole transport region includes a charge-generating material.
제13항에 있어서,
상기 전자 수송 영역이 금속 착체를 포함하는 유기 발광 소자.
According to clause 13,
An organic light-emitting device wherein the electron transport region includes a metal complex.
제13항에 있어서,
상기 전자 수송 영역이 ET-D1, 또는 ET-D2을 포함하는 유기 발광 소자:
According to clause 13,
Organic light-emitting device wherein the electron transport region includes ET-D1 or ET-D2:
제12항의 유기 발광 소자를 구비하고, 상기 유기 발광 소자의 제 1 전극이 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결된 표시 장치.A display device comprising the organic light emitting device of claim 12, wherein a first electrode of the organic light emitting device is electrically connected to a source electrode or a drain electrode of a thin film transistor.
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