KR102617770B1 - Hole formming system and hole forming method - Google Patents

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Abstract

본 개시의 예시적인 실시예에 따른 홀 형성 시스템은 레이저를 출력하는 레이저 출력 장치; 제1 회전축을 중심으로 회전하는 스테이지; 및 상기 레이저 출력 장치로부터 입사되는 상기 레이저를 상기 스테이지를 향해 반사시키는 반사판을 포함한다.A hole forming system according to an exemplary embodiment of the present disclosure includes a laser output device that outputs laser; A stage rotating around a first rotation axis; and a reflector that reflects the laser incident from the laser output device toward the stage.

Description

홀 형성 시스템 및 홀 형성 방법 {HOLE FORMMING SYSTEM AND HOLE FORMING METHOD}Hole forming system and hole forming method {HOLE FORMMING SYSTEM AND HOLE FORMING METHOD}

본 개시의 기술적 사상은 홀 형성 시스템 및 홀 형성 방법에 관한 것으로, 상세하게는 반도체 장치에 홀(hole)(예컨대, 비아홀 또는 쓰루홀)을 형성하기 위한 홀 형성 시스템 및 홀 형성 방법에 관한 것이다.The technical idea of the present disclosure relates to a hole forming system and a hole forming method, and more specifically, to a hole forming system and a hole forming method for forming a hole (eg, via hole or through hole) in a semiconductor device.

전자 산업의 비약적인 발전 및 사용자의 요구에 따라 전자기기는 더욱 더 소형화, 고집적화 및 대면적화되고 있다. 이에 따라 전자기기에 포함되는 반도체 소자의 크기가 나노미터 단위의 미세 영역으로 진입하고 있는 실정이다.In accordance with the rapid development of the electronics industry and user demands, electronic devices are becoming more compact, highly integrated, and large-area. Accordingly, the size of semiconductor devices included in electronic devices is entering the nanometer scale.

따라서, 반도체 칩에 홀을 형성하는데 있어서도 인접한 홀에 영향을 미치지 않고 특정 몰드층만을 균일하게 제거해야 할 필요성이 점점 높아지고 있다.Therefore, when forming holes in a semiconductor chip, there is an increasing need to uniformly remove only a specific mold layer without affecting adjacent holes.

또한, 웨이퍼를 먼저 칩 단위로 잘라낸 후 패키징을 하지 않고, 칩을 웨이퍼에 직접 패키징하는 웨이퍼 레벨 패키징이 많아지고 있다. 이 경우, 웨이퍼에 비아홀을 만들어 인터커넥트(interconnect)를 만들거나, 다층으로 구성된 반도체에서 히트싱크(heat sink) 역할로 비아홀이 요구되기도 한다.In addition, wafer-level packaging, in which chips are packaged directly on the wafer, rather than first cutting the wafer into chips and then packaging them, is increasing. In this case, a via hole is made in the wafer to create an interconnect, or a via hole is required to serve as a heat sink in a multi-layered semiconductor.

본 개시의 기술적 사상은 피조사체의 가공 품질을 향상시킬 수 있고, 파티클에 의한 품질 저하가 방지될 수 있으며, 인터커넥트 생성 및 히트싱크 기능을 수행할 수 있는 홀 형성 시스템 및 홀 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The technical idea of the present disclosure is to provide a hole forming system and a hole forming method that can improve the processing quality of the irradiated object, prevent quality degradation due to particles, and perform interconnect creation and heat sink functions. The purpose.

본 개시의 예시적 실시예에 따른 홀 형성 시스템은 레이저를 출력하는 레이저 출력 장치; 제1 회전축을 중심으로 회전하는 스테이지; 및 상기 레이저 출력 장치로부터 입사되는 상기 레이저를 상기 스테이지를 향해 반사시키는 반사판을 포함하고, 상기 반사판은 상기 제1 회전축이 연장하는 방향과 교차하는 방향으로 연장하는 제2 회전축을 중심으로 진동할 수 있다. A hole forming system according to an exemplary embodiment of the present disclosure includes a laser output device that outputs laser; A stage rotating around a first rotation axis; and a reflector that reflects the laser incident from the laser output device toward the stage, and the reflector may vibrate around a second rotation axis extending in a direction intersecting the direction in which the first rotation axis extends. .

상기 제1 회전축은 상기 반사판과 중첩될 수 있다.The first rotation axis may overlap the reflector.

상기 반사판은 상기 제2 회전축을 중심으로 시계 방향 회전 및 반시계 방향회전을 반복할 수 있다.The reflector may repeat clockwise rotation and counterclockwise rotation around the second rotation axis.

상기 반사판은 상기 레이저가 반사되는 반사면을 포함하고, 상기 반사판은 상기 레이저와 상기 반사면 사이의 입사각이 커지는 것 및 작아지는 것이 교대로 반복되도록 진동할 수 있다. The reflector includes a reflective surface on which the laser is reflected, and the reflector may vibrate so that the angle of incidence between the laser and the reflective surface alternately increases and decreases.

상기 반사판 및 상기 스테이지 사이에 배치되는 가스 분사 장치를 더 포함하고, 상기 가스 분사 장치는 상부 개구 및 하부 개구를 포함하는 하우징 및 상기 하우징에 의해 둘러싸이는 렌즈를 포함할 수 있다. It may further include a gas injection device disposed between the reflector and the stage, and the gas injection device may include a housing including an upper opening and a lower opening and a lens surrounded by the housing.

상기 하우징의 상기 상부 개구는 상기 하우징의 상기 하부 개구보다 클 수 있다. The upper opening of the housing may be larger than the lower opening of the housing.

본 개시의 예시적 실시예에 따른 홀 형성 시스템은 레이저를 출력하는 레이저 출력 장치; 상기 레이저 출력 장치에서 출력된 상기 레이저를 반사시키는 반사판; 피조사체가 배치되는 스테이지; 및 상기 반사판과 상기 스테이지 사이의 회전 모듈을 포함하고, 상기 회전 모듈은 제1 회전축을 중심으로 회전하고, 상기 레이저를 반사시키는 복수개의 회전 반사판들을 포함할 수 있다. A hole forming system according to an exemplary embodiment of the present disclosure includes a laser output device that outputs laser; a reflector that reflects the laser output from the laser output device; A stage on which the subject is placed; and a rotation module between the reflector and the stage, wherein the rotation module rotates about a first rotation axis and may include a plurality of rotation reflectors that reflect the laser.

상기 복수개의 회전 반사판들 중 적어도 하나는 진동할 수 있다. At least one of the plurality of rotating reflectors may vibrate.

상기 복수개의 회전 반사판들 중 상기 스테이지에 가장 가깝게 배치되는 하나는 상기 제1 회전축이 연장하는 방향과 교차하는 방향으로 연장하는 제2 회전축을 중심으로 진동할 수 있다. Among the plurality of rotating reflectors, one disposed closest to the stage may vibrate around a second rotation axis extending in a direction intersecting the direction in which the first rotation axis extends.

상기 복수개의 회전 반사판들 중 상기 스테이지에 가장 가깝게 배치되는 상기 하나는 상기 제1 회전축과 중첩될 수 있다. Among the plurality of rotating reflectors, the one disposed closest to the stage may overlap the first rotation axis.

본 개시의 예시적 실시예에 따른 홀 형성 방법은 스테이지 상에 피조사체를 배치하는 것; 레이저 출력 장치에서 레이저를 출력하는 것; 상기 레이저 출력 장치에서 출력된 상기 레이저를 반사판에서 반사시켜 상기 피조사체로 조사하는 것; 및 상기 스테이지를 회전시키는 것을 포함하고, 상기 레이저를 상기 반사판에서 반사시키는 것은, 상기 레이저의 입사각의 증가 및 감소가 교대로 반복되도록 상기 반사판을 진동시키는 것을 포함할 수 있다.A hole forming method according to an exemplary embodiment of the present disclosure includes disposing an object to be irradiated on a stage; outputting a laser from a laser output device; reflecting the laser output from the laser output device on a reflector and irradiating it to the irradiated object; and rotating the stage, wherein reflecting the laser on the reflector may include vibrating the reflector so that an increase and decrease in the incident angle of the laser is alternately repeated.

본 개시의 예시적 실시예에 따른 홀 형성 방법은 스테이지 상에 피조사체를 배치하는 것; 레이저 출력 장치에서 레이저를 출력하는 것; 반사판에서 상기 레이저 출력 장치에서 출력된 상기 레이저를 회전 모듈을 향해 반사시키는 것; 상기 회전 모듈의 회전 반사판들에서 상기 레이저를 반사시키는 것; 및 상기 회전 모듈을 회전시키는 것을 포함할 수 있다. A hole forming method according to an exemplary embodiment of the present disclosure includes disposing an object to be irradiated on a stage; outputting a laser from a laser output device; Reflecting the laser output from the laser output device toward the rotation module on a reflector; reflecting the laser at rotating reflectors of the rotating module; And it may include rotating the rotation module.

본 개시의 예시적 실시예에 따르면, 반사판이 진동하여 레이저의 진행 경로가 진행 영역을 따라 반복적으로 변하면서 레이저가 피조사체에 조사됨에 따라, 레이저의 출력 강도를 상대적으로 낮출 수 있고, 피조사체의 가공 품질이 향상될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present disclosure, as the reflector vibrates and the laser travel path repeatedly changes along the travel area and the laser is irradiated to the irradiated object, the output intensity of the laser can be relatively lowered, and the laser's output intensity can be relatively lowered. Processing quality can be improved.

본 개시의 예시적 실시예에 따르면, 반사판이 진동하여 레이저의 진행 경로가 진행 영역을 따라 반복적으로 변하면서 레이저가 피조사체에 조사됨에 따라, 피조사체의 가공에 의해 발생하는 파티클이 레이저의 움직임에 의해 피조사체 상에서 제거될 수 있고, 파티클에 의한 품질 저하가 방지될 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present disclosure, as the reflector vibrates and the laser travel path repeatedly changes along the travel area and the laser is irradiated to the irradiated object, particles generated by processing of the irradiated object are affected by the movement of the laser. It can be removed from the irradiated object, and quality deterioration due to particles can be prevented.

본 개시의 예시적 실시예에 따르면, 스테이지의 회전에 따라 피조사체가 회전하여, 피조사체의 가공에 의해 발생하는 파티클이 원심력에 의해 피조사체 상에서 제거될 수 있고, 파티클에 의한 품질 저하가 방지될 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present disclosure, the irradiated object rotates according to the rotation of the stage, so that particles generated by processing the irradiated object can be removed from the irradiated object by centrifugal force, and quality deterioration due to the particles can be prevented. You can.

도 1은 본 개시의 예시적 실시예에 따른 홀 형성 시스템을 설명하기 위한 도면이다.
도 2 및 3은 도 1에 따른 홀 형성 시스템의 반사판의 진동을 설명하기 위한 도면들이다.
도 4는 도 1에 따른 홀 형성 시스템의 스테이지의 회전을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 도 1에 따른 홀 형성 시스템의 반사판의 동작에 따른 레이저의 진행 영역을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 도 1에 따른 홀 형성 시스템에 의해 피조사체에 형성되는 가공 라인을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 도 1에 따른 홀 형성 시스템에 의해 홀이 형성된 피조사체를 나타내는 도면이다.
도 8은 본 개시의 예시적 실시예에 따른 반사판을 구동하기 위한 구성 요소들을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 개시의 예시적 실시예에 따른 홀 형성 시스템을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 도 9에 따른 홀 형성 시스템의 반사판 및 회전 모듈의 동작에 따른 레이저의 진행 영역을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 개시의 예시적 실시예에 따른 홀 형성 시스템을 설명하기 위한 도면이다.
1 is a diagram for explaining a hole forming system according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
Figures 2 and 3 are diagrams for explaining the vibration of the reflector of the hole forming system according to Figure 1.
FIG. 4 is a diagram for explaining the rotation of the stage of the hole forming system according to FIG. 1.
FIG. 5 is a diagram illustrating the progress area of the laser according to the operation of the reflector of the hole forming system according to FIG. 1.
FIG. 6 is a diagram for explaining a processing line formed on an object to be irradiated by the hole forming system according to FIG. 1.
FIG. 7 is a diagram showing an object in which a hole is formed by the hole forming system according to FIG. 1.
FIG. 8 is a diagram for explaining components for driving a reflector according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
FIG. 9 is a diagram for explaining a hole forming system according to an exemplary embodiment of the present disclosure.
FIG. 10 is a diagram for explaining the laser travel area according to the operation of the reflector and rotation module of the hole forming system according to FIG. 9.
FIG. 11 is a diagram for explaining a hole forming system according to an exemplary embodiment of the present disclosure.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 개시의 실시예에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the attached drawings.

도 1은 본 개시의 예시적 실시예에 따른 홀 형성 시스템을 설명하기 위한 도면이다.1 is a diagram for explaining a hole forming system according to an exemplary embodiment of the present disclosure.

도 1을 참조하면, 홀 형성 시스템은 레이저 출력 장치(100), 반사판(200) 및 스테이지(300)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1 , the hole forming system may include a laser output device 100, a reflector 200, and a stage 300.

레이저 출력 장치(100)는 레이저를 출력하는 장치일 수 있다. 일 실시예에 있어서, 레이저 출력 장치(100)는 레이저 생성부, 광 섬유 및 광학계를 포함할 수 있다. 레이저 생성부에서 생성된 레이저는 광 섬유 및 광학계를 통해 레이저 출력 장치(100)의 외부로 출력될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 레이저 출력 장치(100)는 출력되는 레이저의 출력 강도 등을 조절하여 출력할 수 있다. 레이저 출력 장치(100)는 반사판(200)을 향해 레이저를 출력할 수 있다.The laser output device 100 may be a device that outputs laser. In one embodiment, the laser output device 100 may include a laser generator, an optical fiber, and an optical system. The laser generated in the laser generator may be output to the outside of the laser output device 100 through an optical fiber and an optical system. In one embodiment, the laser output device 100 may output by adjusting the output intensity of the laser output. The laser output device 100 may output a laser toward the reflector 200.

반사판(200)은 레이저 출력 장치(100)로부터 입사되는 레이저를 스테이지(300)를 향해 반사할 수 있다. 레이저 출력 장치(100)에서 출력된 레이저는 반사판(200)의 반사면(201)에서 반사될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 반사판(200)은 평면 거울일 수 있다.The reflector 200 may reflect the laser incident from the laser output device 100 toward the stage 300. The laser output from the laser output device 100 may be reflected on the reflective surface 201 of the reflector 200. In one embodiment, the reflector 200 may be a flat mirror.

스테이지(300)는 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)에 의해 정의되는 평면을 따라 확장하는 플레이트의 형태를 가질 수 있다. 스테이지(300)의 상면은 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)에 의해 정의되는 평면과 평행할 수 있다. 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)은 서로 교차할 수 있다. 일 예로, 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)은 서로 직교할 수 있다.The stage 300 may have the shape of a plate extending along a plane defined by the first direction D1 and the second direction D2. The upper surface of the stage 300 may be parallel to a plane defined by the first direction D1 and the second direction D2. The first direction D1 and the second direction D2 may intersect each other. For example, the first direction D1 and the second direction D2 may be perpendicular to each other.

스테이지(300)는 반사판(200)과 제3 방향(D3)으로 중첩되도록 배치될 수 있다. 일 예로, 스테이지(300)는 반사판(200)과 수직적으로 중첩될 수 있다. 다시 말하면, 스테이지(300)의 수직 위에 반사판(200)이 배치될 수 있다. 제3 방향(D3)은 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)과 교차할 수 있다. 일 예로, 제3 방향(D3)은 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)과 직교할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 스테이지(300)는 스테이지(300) 상에 피조사체를 고정시키기 위한 흡입구들을 포함할 수 있다.The stage 300 may be arranged to overlap the reflector 200 in the third direction D3. As an example, the stage 300 may vertically overlap the reflector 200. In other words, the reflector 200 may be placed vertically on the stage 300. The third direction D3 may intersect the first direction D1 and the second direction D2. For example, the third direction D3 may be perpendicular to the first direction D1 and the second direction D2. In one embodiment, the stage 300 may include suction ports for fixing the object to be examined on the stage 300.

스테이지(300)는 제1 회전축(R1)을 중심으로 회전할 수 있다. 제1 회전축(R1)은 스테이지(300)의 회전 중심을 정의하는 가상의 선일 수 있다. 스테이지(300)의 제1 회전축(R1)은 제3 방향(D3)으로 연장될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 스테이지(300)는 그의 회전을 위한 구동부를 포함할 수 있고, 구동부의 동작에 의해 스테이지(300)가 회전할 수 있다.The stage 300 may rotate around the first rotation axis R1. The first rotation axis R1 may be an imaginary line defining the rotation center of the stage 300. The first rotation axis R1 of the stage 300 may extend in the third direction D3. In one embodiment, the stage 300 may include a driving unit for its rotation, and the stage 300 may rotate by the operation of the driving unit.

일 실시예에 있어서, 스테이지(300)의 제1 회전축(R1)은 반사판(200)과 제3 방향(D3)으로 중첩될 수 있다. 일 예로, 스테이지(300)의 제1 회전축(R1)은 반사판(200)과 수직적으로 중첩될 수 있다. 다시 말하면, 스테이지(300)의 제1 회전축(R1)의 수직 위에 반사판(200)이 배치될 수 있다. 반사판(200)은 스테이지(300)의 제1 회전축(R1)과 동일 선상에 배치될 수 있다. In one embodiment, the first rotation axis R1 of the stage 300 may overlap the reflector 200 in the third direction D3. For example, the first rotation axis R1 of the stage 300 may vertically overlap the reflector 200. In other words, the reflector 200 may be disposed perpendicular to the first rotation axis R1 of the stage 300. The reflector 200 may be disposed on the same line as the first rotation axis R1 of the stage 300.

일 실시예에 있어서, 반사판(200)은 스테이지(300)의 제1 회전축(R1)의 연장선이 제2 회전축(R2)과 한 점에서 교차되도록 배치될 수 있다. 이는, 형성되는 홀의 위치를 용이하게 결정할 수 있도록 하기 위함이며, 결론적으로 피조사체(400)에 홀의 위치 및 크기를 정확히 형성하기 위함이다.In one embodiment, the reflector 200 may be arranged so that an extension of the first rotation axis R1 of the stage 300 intersects the second rotation axis R2 at one point. This is to enable the position of the hole to be formed to be easily determined, and ultimately to accurately form the position and size of the hole in the irradiated object 400.

도 2 및 3은 도 1에 따른 홀 형성 시스템의 반사판의 진동을 설명하기 위한 도면들이다.Figures 2 and 3 are diagrams for explaining the vibration of the reflector of the hole forming system according to Figure 1.

도 2 및 3을 참조하면, 반사판(200)은 레이저 출력 장치(100)로부터 입사되는 레이저를 반사할 수 있다. 레이저 출력 장치(100)에서 출력된 이후부터 반사판(200)에서 반사되기 전까지의 레이저가 입사 레이저(L1)로 정의될 수 있다. 반사판(200)에서 반사된 이후부터 피조사체(400)에 조사되기 전까지의 레이저가 반사 레이저(L2)로 정의될 수 있다. 입사 레이저(L1) 및 반사 레이저(L2)는 설명의 편의를 위해 구분된 것이며 물리적으로 하나의 레이저 빔일 수 있다.Referring to FIGS. 2 and 3, the reflector 200 may reflect the laser incident from the laser output device 100. The laser from the time it is output from the laser output device 100 until it is reflected from the reflector 200 may be defined as the incident laser L1. The laser after being reflected from the reflector 200 before being irradiated to the irradiated object 400 may be defined as the reflected laser L2. The incident laser (L1) and the reflected laser (L2) are separated for convenience of explanation and may physically be one laser beam.

반사판(200)의 회전축은 제2 회전축(R2)으로 정의될 수 있다. 반사판(200)의 제2 회전축(R2)은 제1 방향(D1)으로 연장할 수 있다. 반사판(200)의 제2 회전축(R2)은 스테이지(300)의 제1 회전축(R1)이 연장하는 방향과 교차하는 방향으로 연장할 수 있다. 일 예로, 반사판(200)의 제2 회전축(R2)은 스테이지(300)의 제1 회전축(R1)이 연장하는 방향과 직교하는 방향으로 연장할 수 있다. 반사판(200)은 제2 회전축(R2)을 중심으로 진동할 수 있다. 반사판(200)은 제2 회전축(R2)을 중심으로 회전할 수 있다. The rotation axis of the reflector 200 may be defined as the second rotation axis R2. The second rotation axis R2 of the reflector 200 may extend in the first direction D1. The second rotation axis R2 of the reflector 200 may extend in a direction intersecting the direction in which the first rotation axis R1 of the stage 300 extends. For example, the second rotation axis R2 of the reflector 200 may extend in a direction perpendicular to the direction in which the first rotation axis R1 of the stage 300 extends. The reflector 200 may vibrate around the second rotation axis R2. The reflector 200 may rotate around the second rotation axis R2.

반사판(200)에서 레이저가 반사되는 동안, 반사판(200)이 진동할 수 있다. 반사판(200)을 진동시키는 것은 제1 회전 동작 및 제2 회전 동작을 교대로 반복하는 것을 포함할 수 있다. 제1 회전 동작은 반사판(200)을 제2 회전축(R2)을 중심으로 제4 방향(D4)으로 회전시키는 동작일 수 있다(도 2 참조). 제2 회전 동작은 반사판(200)을 제2 회전축(R2)을 중심으로 제5 방향(D5)으로 회전시키는 동작일 수 있다(도 3 참조). 도 2 및 3에 따른 관점에서, 제4 방향(D4)은 제2 회전축(R2)을 중심으로 하는 시계 방향일 수 있다. 제5 방향(D5)은 제2 회전축(R2)을 중심으로 하는 반시계 방향일 수 있다. 즉, 제4 방향(D4) 및 제5 방향(D5)은 각각 반대 방향의 원운동에 대응될 수 있다.While the laser is reflected from the reflector 200, the reflector 200 may vibrate. Vibrating the reflector 200 may include alternately repeating the first rotation operation and the second rotation operation. The first rotation operation may be an operation of rotating the reflector 200 in the fourth direction D4 about the second rotation axis R2 (see FIG. 2). The second rotation operation may be an operation of rotating the reflector 200 in the fifth direction D5 about the second rotation axis R2 (see FIG. 3). From the perspective of FIGS. 2 and 3, the fourth direction D4 may be clockwise around the second rotation axis R2. The fifth direction D5 may be a counterclockwise direction centered on the second rotation axis R2. That is, the fourth direction D4 and the fifth direction D5 may each correspond to circular motion in opposite directions.

제1 회전 동작을 수행하여 반사판(200)이 제4 방향(D4)으로 최대 각도로 회전하면, 반사판(200)의 반사면(201)과 입사 레이저(L1) 사이의 입사각 및 반사판(200)의 반사면(201)과 반사 레이저 사이의 반사각은 제1 각도(A1)를 이룰 수 있다. 제1 각도(A1)는 반사면(201)과 입사 레이저(L1) 사이의 최소 입사각 및 반사면(201)과 반사 레이저 사이의 최소 반사각일 수 있다. When the reflector 200 rotates at the maximum angle in the fourth direction D4 by performing the first rotation operation, the incident angle between the reflecting surface 201 of the reflector 200 and the incident laser L1 and the angle of incidence of the reflector 200 The reflection angle between the reflection surface 201 and the reflection laser may form a first angle A1. The first angle A1 may be the minimum incident angle between the reflective surface 201 and the incident laser L1 and the minimum reflection angle between the reflective surface 201 and the reflective laser.

제2 회전 동작을 수행하여 반사판(200)이 제5 방향(D5)으로 최대 각도로 회전하면, 반사판(200)의 반사면(201)과 입사 레이저(L1) 사이의 입사각 및 반사판(200)의 반사면(201)과 반사 레이저(L2) 사이의 반사각은 제2 각도(A2)를 이룰 수 있다. 제2 각도(A2)는 제1 각도(A1)보다 클 수 있다. 제2 각도(A2)는 반사면(201)과 입사 레이저(L1) 사이의 최대 입사각 및 반사면(201)과 반사 레이저(L2) 사이의 최대 반사각일 수 있다. When the second rotation operation is performed and the reflector 200 rotates at the maximum angle in the fifth direction D5, the incident angle between the reflecting surface 201 of the reflector 200 and the incident laser L1 and the angle of the reflector 200 are changed. The reflection angle between the reflection surface 201 and the reflection laser L2 may form a second angle A2. The second angle A2 may be greater than the first angle A1. The second angle A2 may be the maximum angle of incidence between the reflective surface 201 and the incident laser L1 and the maximum angle of reflection between the reflective surface 201 and the reflective laser L2.

반사판(200)의 진동에 따라, 입사 레이저(L1)와 반사면(201) 사이의 입사각 및 반사 레이저(L2)와 반사면(201) 사이의 반사각은 제1 각도(A1) 및 제2 각도(A2) 사이에서 변할 수 있다. 반사판(200)의 진동에 따라, 입사 레이저(L1)와 반사면(201) 사이의 입사각 및 반사 레이저(L2)와 반사면(201) 사이의 반사각은 반복적으로 증가 및 감소될 수 있다. 반사판(200)의 진동에 따라, 입사 레이저(L1)와 반사면(201) 사이의 입사각이 제1 각도(A1)에서 제2 각도(A2)로 커지는 것 및 제2 각도(A2)에서 제1 각도(A1)로 작아지는 것이 교대로 반복될 수 있다.According to the vibration of the reflector 200, the incident angle between the incident laser L1 and the reflecting surface 201 and the reflection angle between the reflecting laser L2 and the reflecting surface 201 are changed to the first angle A1 and the second angle ( A2) can vary between. According to the vibration of the reflector 200, the incident angle between the incident laser L1 and the reflective surface 201 and the reflection angle between the reflective laser L2 and the reflective surface 201 may repeatedly increase and decrease. According to the vibration of the reflector 200, the incident angle between the incident laser L1 and the reflecting surface 201 increases from the first angle A1 to the second angle A2, and from the second angle A2 to the first angle A2. The decrease in angle A1 can be alternately repeated.

일 실시예에 있어서, 반사판(200)은 5도 내지 30도의 최대 회전 각도를 가지도록 진동 동작을 수행할 수 있다. 여기서, 진동 주파수는 다양한 대역대를 커버할 수 있으나, 일 실시예에 있어서, 반사판(200)은 200Hz 내지 16000Hz로 진동할 수 있다. 반사판(200)의 진동수가 클수록 작은 최대 회전 각도를 가지도록 진동 동작이 수행될 수 있다. In one embodiment, the reflector 200 may perform an oscillating motion to have a maximum rotation angle of 5 degrees to 30 degrees. Here, the vibration frequency may cover various bands, but in one embodiment, the reflector 200 may vibrate at 200 Hz to 16000 Hz. As the frequency of the reflector 200 increases, the vibration operation may be performed to have a small maximum rotation angle.

도 4는 도 1에 따른 홀 형성 시스템의 스테이지의 회전을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 4 is a diagram for explaining the rotation of the stage of the hole forming system according to FIG. 1.

도 4를 참조하면, 피조사체(400)가 스테이지(300) 상에 배치될 수 있다. 일 예로, 피조사체(400)는 반도체 패키지일 수 있다. 반도체 패키지는 메모리 소자 및 프로세서 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 메모리 소자는 DRAM(Dynamic Random Access Memory)와 같은 휘발성 메모리이거나, 플래시 메모리, MRAM(Magnetic RAM), FRAM(Ferroelectric RAM), PRAM(Phase change RAM), RRAM(Resistive RAM)과 같은 비휘발성 메모리일 수 있다. 프로세서는 그래픽 처리 유닛(GPU) 또는 중앙 처리 유닛(CPU)일 수 있다. Referring to FIG. 4 , the object 400 may be placed on the stage 300 . As an example, the irradiated object 400 may be a semiconductor package. A semiconductor package may include at least one of a memory element and a processor. The memory element may be volatile memory such as dynamic random access memory (DRAM), or non-volatile memory such as flash memory, magnetic RAM (MRAM), ferroelectric RAM (FRAM), phase change RAM (PRAM), or resistive RAM (RRAM). there is. The processor may be a graphics processing unit (GPU) or a central processing unit (CPU).

또한, 피조사체(400)는 반도체 패키지에 한정되지 않으며, 유리와 같은 취성소재를 포함할 수 있다. 이 밖에, 피조사체(400)는 레이저 가공이 가능한 소재로 구성된 물체를 포함할 수 있다.Additionally, the irradiated body 400 is not limited to a semiconductor package and may include a brittle material such as glass. In addition, the irradiated object 400 may include an object made of a material capable of laser processing.

피조사체(400)는 스테이지(300)의 제1 회전축(R1)과 제3 방향(D3)으로 중첩되도록 스테이지(300)상에 배치될 수 있다. 일 예로, 피조사체(400)는 스테이지(300)의 제1 회전축(R1)과 수직적으로 중첩되도록 배치될 수 있다. 다시 말하면, 피조사체(400)는 스테이지(300)의 제1 회전축(R1)의 수직 위에 배치될 수 있다.The irradiated object 400 may be disposed on the stage 300 so as to overlap the first rotation axis R1 of the stage 300 in the third direction D3. As an example, the object 400 may be arranged to vertically overlap the first rotation axis R1 of the stage 300. In other words, the object 400 may be placed perpendicular to the first rotation axis R1 of the stage 300.

피조사체(400)는 가공 영역(410)을 포함할 수 있다. 가공 영역(410)은 홀 형성 공정에서 제거되는 피조사체(400)의 일부 영역일 수 있다. 피조사체(400)의 가공 영역(410)이 스테이지(300)의 제1 회전축(R1)과 제3 방향(D3)으로 중첩되도록 피조사체(400)를 스테이지(300) 상에 배치할 수 있다. 일 예로, 피조사체(400)의 가공 영역(410)의 중심이 스테이지(300)의 제1 회전축(R1)과 제3 방향(D3)으로 중첩되도록 피조사체(400)가 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 피조사체(400)가 스테이지(300) 상에 배치된 후, 스테이지(300)의 흡입구들이 음압을 형성하여 피조사체(400)가 고정될 수 있다.The irradiated object 400 may include a processing area 410 . The processing area 410 may be a partial area of the irradiated object 400 that is removed in the hole forming process. The irradiated object 400 may be placed on the stage 300 so that the processing area 410 of the irradiated object 400 overlaps the first rotation axis R1 of the stage 300 in the third direction D3. As an example, the object 400 may be arranged so that the center of the processing area 410 of the object 400 overlaps the first rotation axis R1 of the stage 300 in the third direction D3. In one embodiment, after the subject 400 is placed on the stage 300, the suction ports of the stage 300 create negative pressure so that the subject 400 is fixed.

피조사체(400)가 배치된 후, 스테이지(300)는 회전할 수 있다. 스테이지(300)는 제1 회전축(R1)을 중심으로 제6 방향(D6)(즉, 도 4에 따른 관점에서, 제1 회전축(R1)을 중심으로 시계 방향)으로 회전할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 도시된 것과 달리, 스테이지(300)는 제1 회전축(R1)을 중심으로 반시계 방향(도 4에 따른 관점에서)으로 회전할 수 있다. 스테이지(300)의 회전 속도는 반사판(200)의 진동수, 레이저의 출력 강도등에 따라 적절하게 조절할 수 있다. After the object to be irradiated 400 is disposed, the stage 300 may rotate. The stage 300 may rotate about the first rotation axis R1 in the sixth direction D6 (that is, clockwise about the first rotation axis R1 from the perspective of FIG. 4 ). In one embodiment, unlike what is shown, the stage 300 may rotate counterclockwise (from the perspective of FIG. 4) about the first rotation axis R1. The rotation speed of the stage 300 can be appropriately adjusted depending on the frequency of the reflector 200, the output intensity of the laser, etc.

도 5는 도 1에 따른 홀 형성 시스템의 반사판의 동작에 따른 레이저의 진행 영역을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 5 is a diagram illustrating the progress area of the laser according to the operation of the reflector of the hole forming system according to FIG. 1.

도 5를 참조하면, 반사판(200)에서 반사된 반사 레이저(L2)가 피조사체(400)에 도달할 때까지 진행하는 경로가 반사 레이저(L2)의 진행 경로로 정의될 수 있다. 반사판(200)의 진동에 따라, 반사 레이저(L2)는 제1 진행 경로(PP1) 및 제2 진행 경로(PP2) 사이의 진행 경로(제1 진행 경로(PP1) 및 제2 진행 경로(PP2)를 포함)로 진행할 수 있다. Referring to FIG. 5 , the path along which the reflective laser L2 reflected from the reflector 200 travels until it reaches the irradiated object 400 may be defined as the travel path of the reflective laser L2. According to the vibration of the reflector 200, the reflection laser L2 travels on a travel path between the first travel path PP1 and the second travel path PP2 (the first travel path PP1 and the second travel path PP2). (including).

제1 진행 경로(PP1)는 반사판(200)의 반사면(201)과 입사 레이저(L1) 사이의 입사각 및 반사판(200)의 반사면(201)과 반사 레이저(L2) 사이의 반사각이 제1 각도(A1)일 때의 반사 레이저(L2)의 진행 경로일 수 있다. 제2 진행 경로(PP2)는 반사판(200)의 반사면(201)과 입사 레이저(L1) 사이의 입사각 및 반사판(200)의 반사면(201)과 반사 레이저 사이의 반사각이 제2 각도(A2)일 때의 반사 레이저(L2)의 진행 경로일 수 있다. The first traveling path PP1 has a first incident angle between the reflective surface 201 of the reflector 200 and the incident laser L1 and a first reflection angle between the reflective surface 201 of the reflector 200 and the incident laser L2. This may be the travel path of the reflected laser L2 at the angle A1. The second traveling path PP2 has an incident angle between the reflective surface 201 of the reflector 200 and the incident laser L1 and a reflection angle between the reflective surface 201 of the reflector 200 and the reflected laser at a second angle A2. ) may be the path of the reflection laser (L2).

반사판(200)의 진동에 따라, 반사 레이저(L2)의 진행 경로는 제1 진행 경로(PP1)에서 제2 진행 경로(PP2)로 변하는 것 및 제2 진행 경로(PP2)에서 제1 진행 경로로(PP1) 변하는 것이 교대로 반복될 수 있다. 반사판(200)의 진동 각도를 조절하여 제1 각도(A1) 및 제2각도(A2)를 조절할 수 있고, 제1 진행 경로(PP1) 및 제2 진행 경로(PP2)를 설정할 수 있다.According to the vibration of the reflector 200, the travel path of the reflective laser L2 changes from the first travel path PP1 to the second travel path PP2 and from the second travel path PP2 to the first travel path. (PP1) Changes can be repeated alternately. By adjusting the vibration angle of the reflector 200, the first angle A1 and the second angle A2 can be adjusted, and the first travel path PP1 and the second travel path PP2 can be set.

반사판(200)에서 반사된 반사 레이저(L2)가 피조사체(400)에 도달할 때까지 진행할 수 있는 영역인 진행 영역(PR)이 정의될 수 있다. 진행 영역(PR)은 반사 레이저(L2)가 진행할 수 있는 모든 진행 경로들을 포함하는 영역일 수 있다. 반사 레이저(L2)의 진행 경로는 진행 영역(PR)을 따라 변할 수 있다. 진행 영역(PR)은 제1 진행 경로(PP1) 및 제2 진행 경로(PP2) 사이의 영역으로 정의될 수 잇다. 진행 영역(PR)은 2차원적 삼각형의 형태를 가질 수 있다. 진행 영역(PR)은 제3 방향(D3)에 평행할 수 있다. 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)에 의해 정의되는 평면적 관점에서, 진행 영역(PR)은 직선의 형태를 가질 수 있다.A progress area PR, which is an area in which the reflected laser L2 reflected from the reflector 200 can proceed until it reaches the irradiated object 400, may be defined. The progress area PR may be an area including all progress paths through which the reflective laser L2 can travel. The progress path of the reflection laser L2 may change along the progress area PR. The progress area (PR) may be defined as an area between the first progress path (PP1) and the second progress path (PP2). The progress area (PR) may have the shape of a two-dimensional triangle. The progress area PR may be parallel to the third direction D3. From a planar perspective defined by the first direction D1 and the second direction D2, the progress area PR may have the shape of a straight line.

반사 레이저(L2)의 진행 영역(PR)은 피조사체(400)의 상면에서 직선의 형태를 가질 수 있다. 피조사체(400)의 상면에서 진행 영역(PR)의 길이가 피조사체(400)의 가공 영역(410)의 지름과 일치하도록 진행 영역(PR)을 설정할 수 있다. 반사판(200)의 진동 각도를 조절하여 제1 및 제2 각도들(A1, A2) 및 제1 및 제2 진행 경로들(PP1, PP2)을 조절할 수 있고, 진행 영역(PR)을 설정할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 진행 영역(PR)의 중심이 스테이지(300)의 제1 회전축(R1)과 제3 방향(D3)으로 중첩되도록 진행 영역(PR)이 설정될 수 있다.The travel area PR of the reflective laser L2 may have a straight line on the upper surface of the irradiated object 400. The progress area (PR) may be set so that the length of the progress area (PR) on the upper surface of the subject 400 matches the diameter of the processing area 410 of the subject 400. By adjusting the vibration angle of the reflector 200, the first and second angles A1 and A2 and the first and second travel paths PP1 and PP2 can be adjusted, and the progress area PR can be set. . In one embodiment, the progress area PR may be set so that the center of the progress area PR overlaps the first rotation axis R1 of the stage 300 in the third direction D3.

도 6은 도 1에 따른 홀 형성 시스템에 의해 피조사체에 형성되는 가공 라인을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 6 is a diagram for explaining a processing line formed on an object to be irradiated by the hole forming system according to FIG. 1.

도 6을 참조하면, 반사판(200)의 진동 및 스테이지(300)의 회전에 대응하여 반사 레이저(L2)가 피조사체(400)에 조사될 수 있다. 도 5에서 설명한 것과 같이, 진행 영역(PR)을 따라 반사 레이저(L2)의 진행 경로가 반복적으로 변하므로, 피조사체(400)의 상면에서 반사 레이저(L2)는 직선의 진행 영역(PR)을 따라 조사될 수 있다. Referring to FIG. 6 , the reflection laser L2 may be irradiated to the irradiated object 400 in response to the vibration of the reflector 200 and the rotation of the stage 300. As explained in FIG. 5, since the progress path of the reflective laser L2 repeatedly changes along the progress area PR, the reflected laser L2 moves along the straight progress area PR on the upper surface of the irradiated object 400. It can be investigated accordingly.

스테이지(300)의 회전에 따라 피조사체(400)가 회전하면서 반사 레이저(L2)가 조사되어, 피조사체(400)에 가공 라인들(PL)이 형성될 수 있다. 가공 라인들(PL)은 반사 레이저(L2)가 조사된 피조사체(400)의 부분들을 연결한 라인일 수 있다. 피조사체(400)의 상면에서 반사 레이저(L2)가 직선의 진행 영역(PR)을 따라 조사되더라도, 피조사체(400)가 회전하므로, 반사 레이저(L2)가 조사된 피조사체(400)의 부분들은 곡선의 가공 라인들(PL)을 형성할 수 있다. 피조사체(400)의 회전에 따라, 가공 영역(410) 내의 서로 다른 부분들에 가공 라인들(PL)이 형성될 수 있다.As the stage 300 rotates, the irradiated object 400 rotates and the reflected laser L2 is irradiated, thereby forming processing lines PL on the irradiated object 400. The processing lines PL may be lines connecting portions of the irradiated object 400 irradiated with the reflective laser L2. Even if the reflected laser L2 is irradiated from the upper surface of the irradiated object 400 along a straight progression region PR, the irradiated object 400 rotates, so the portion of the irradiated object 400 to which the reflected laser L2 is irradiated These can form curved processing lines (PL). As the irradiated object 400 rotates, processing lines PL may be formed in different portions of the processing area 410 .

반사 레이저(L2)가 조사된 피조사체(400)의 부분들은 반사 레이저(L2)에 의해 가공될 수 있다. 다시 말하면, 가공 라인들(PL)이 형성되는 피조사체(400)의 부분들은 반사 레이저(L2)에 의해 가공될 수 있다. 일 예로, 반사 레이저(L2)의 열에 의해 피조사체(400)의 부분들이 제거될 수 있다.Portions of the irradiated object 400 irradiated with the reflection laser L2 may be processed by the reflection laser L2. In other words, portions of the irradiated object 400 where the processing lines PL are formed may be processed by the reflective laser L2. For example, parts of the irradiated object 400 may be removed by the heat of the reflective laser L2.

반사 레이저(L2)의 조사 및 스테이지(300)의 회전을 충분한 시간 동안 진행하면, 피조사체(400)의 가공 영역(410)에 가공 라인들(PL)이 중복적으로 형성되면서 가공 영역(410)이 전체적으로 가공될 수 있다. 일 예로, 가공 영역(410)이 제거되어 피조사체(400)에 홀이 형성될 수 있다.When the irradiation of the reflective laser L2 and the rotation of the stage 300 proceed for a sufficient time, the machining lines PL are formed overlapping in the machining area 410 of the irradiated object 400, thereby forming the machining area 410. This can be processed as a whole. As an example, the processing area 410 may be removed to form a hole in the irradiated object 400.

본 개시의 예시적 실시예에 따르면, 가공 라인들(PL)은 방사형으로 구현될 수 있다. 홀 형성 시스템은 반사판(200)의 진동 및 스테이지(300)의 회전에 대응하여 피조사체(400)에 원점으로부터 가공 영역(410) 까지의 반지름에 대응되는 직경을 갖는 타원 형태의 가공 라인(PL)을 형성할 수 있다. 곡선 내지는 타원 형태의 가공 라인(PL)으로 인해 가공 품질이 뛰어난 홀을 형성할 수 있으며, 별도의 공정 없이 파티클이 제거될 수 있다. According to an exemplary embodiment of the present disclosure, the processing lines PL may be implemented radially. The hole forming system creates an elliptical processing line (PL) with a diameter corresponding to the radius from the origin to the processing area 410 on the irradiated object 400 in response to the vibration of the reflector 200 and the rotation of the stage 300. can be formed. A curved or oval-shaped processing line (PL) can form a hole with excellent processing quality, and particles can be removed without a separate process.

일 예로, 가공 라인(PL)은 원점 대칭의 복수의 타원 모양으로 형성될 수 있다. 다른 예로, 가공 라인(PL)은 가로 방향, 세로 방향 및 대각선 방향의 폐곡선을 이룰 수 있다. 또 다른 예로, 가공 라인(PL)은 원첨 대칭의 방사 형태의 곡선으로 이루어질 수도 있다. As an example, the processing line PL may be formed in a plurality of oval shapes symmetrical to the origin. As another example, the processing line PL may form a closed curve in the horizontal, vertical, and diagonal directions. As another example, the processing line PL may be formed as a radial curve with apex symmetry.

도 7은 도 1에 따른 홀 형성 시스템에 의해 홀이 형성된 피조사체를 나타내는 도면이다.FIG. 7 is a diagram showing an object in which a hole is formed by the hole forming system according to FIG. 1.

도 7을 참조하면, 도 2 내지 6에서 설명한 홀 형성 방법을 수행하여, 피조사체(400)에 홀(420)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 7 , a hole 420 may be formed in the irradiated object 400 by performing the hole forming method described in FIGS. 2 to 6 .

일 실시예에 있어서, 피조사체(400)는 반도체 패키지일 수 있다. 반도체 패키지(400)는 메모리 소자 또는 프로세서와 전기적으로 연결되는 도전체(430)를 포함할 수 있다. 일 예로, 도전체(430)는 솔더볼 또는 패드일 수 있다. 본 개시의 예시적 실시예에 따른 홀 형성 방법은 반도체 패키지(400)의 도전체(430)를 외부 배선과 전기적으로 연결시키기 위한 홀(420)을 형성하는 것을 제공한다. In one embodiment, the irradiated object 400 may be a semiconductor package. The semiconductor package 400 may include a conductor 430 that is electrically connected to a memory element or processor. As an example, the conductor 430 may be a solder ball or pad. A hole forming method according to an exemplary embodiment of the present disclosure provides forming a hole 420 for electrically connecting the conductor 430 of the semiconductor package 400 to an external wiring.

본 개시의 예시적 실시예에 따른 홀 형성 방법은, 레이저의 진행 경로가 진행 영역을 따라 반복적으로 변하면서 레이저가 피조사체에 조사됨에 따라, 레이저의 출력 강도를 상대적으로 낮출 수 있고, 피조사체의 가공 품질이 향상될 수 있다.The hole forming method according to an exemplary embodiment of the present disclosure can relatively lower the output intensity of the laser as the laser is irradiated to the irradiated object while the traveling path of the laser repeatedly changes along the traveling area, and the laser is irradiated to the irradiated object. Processing quality can be improved.

본 개시의 예시적 실시예에 따른 홀 형성 방법에 의하면, 작은 초점을 만드는 렌즈로 인하여 레이저 초점의 강도(intensity)를 높일 수 있다. 이렇게 형성된 레이저 초점을 빠르게 움직이면서 조사하게 되면, 피조사체의 상변화가 고체에서 액체로 용융됨과 동시에, 레이저 빔이 진동에 의해 자리를 바꾸면서 고체로 다시 굳어지기 때문에 레이저 열로 인한 문제(예컨대, 열 변형)를 해결할 수 있으며, 이로 인하여 파티클은 손쉽게 제거될 수 있다. According to the hole forming method according to an exemplary embodiment of the present disclosure, the intensity of the laser focus can be increased due to the lens creating a small focus. When the laser focus formed in this way is quickly moved and irradiated, the phase change of the irradiated object melts from a solid to a liquid, and at the same time, the laser beam changes position due to vibration and solidifies again into a solid, causing problems due to laser heat (e.g., thermal deformation). can be solved, and because of this, particles can be easily removed.

구체적으로, 높은 배율의 렌즈에 의해 사이즈가 작고 높은 강도를 갖는 초점을 획득할 수 있다. 다시 말해, 초점은 동일하게 투입된 에너지에 비하여 상대적으로 높은 강도를 가질 수 있다. 투입된 에너지가 상대적으로 낮아지기 때문에, 레이저 열로 인한 피조사체의 상변화를 최소화할 수 있다. Specifically, a focus with a small size and high intensity can be obtained using a high magnification lens. In other words, the focus may have a relatively high intensity compared to the same input energy. Because the input energy is relatively low, the phase change of the irradiated object due to laser heat can be minimized.

레이저의 진행 경로가 진행 영역을 따라 반복적으로 변하면서 레이저가 피조사체에 조사됨에 따라, 피조사체의 가공에 의해 발생하는 파티클이 레이저의 움직임에 의해 피조사체 상에서 제거될 수 있고, 파티클에 의한 품질 저하가 방지될 수 있다. 또한, 파티클이 제거되기 때문에 같은 경로상에 조사되는 후차적인 레이저가 방해를 받지 않고 가공을 할 수 있어 상대적으로 깊은 홀을 생성할 수 있으며 가공 품질확보를 달성할 수 있다.본 개시의 예시적 실시예에 따른 홀 형성 방법은, 스테이지의 회전에 따라 피조사체(400)가 회전하여, 피조사체의 가공에 의해 발생하는 파티클이 원심력에 의해 피조사체 상에서 제거될 수 있고, 파티클에 의한 품질 저하가 방지될 수 있다. As the laser travel path changes repeatedly along the travel area and the laser irradiates the irradiated object, particles generated by processing the irradiated object may be removed from the irradiated object by the movement of the laser, and quality deterioration due to the particles. can be prevented. In addition, because the particles are removed, processing can be performed without interference from subsequent lasers irradiated along the same path, thereby creating a relatively deep hole and ensuring processing quality. Exemplary implementation of the present disclosure In the hole forming method according to the example, the irradiated object 400 rotates according to the rotation of the stage, so that particles generated by processing of the irradiated object can be removed from the irradiated object by centrifugal force, and quality deterioration due to particles is prevented. It can be.

도 8은 본 개시의 예시적 실시예에 따른 반사판을 구동하기 위한 구성 요소들을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 8 is a diagram for explaining components for driving a reflector according to an exemplary embodiment of the present disclosure.

도 8을 참조하면, 홀 형성 시스템은 반사판(200a)에 연결되는 연결축(210a) 및 연결축(210a)에 연결되는 동력원(220a)을 포함할 수 있다. 동력원(220a)은 연결축(210a)이 회전하도록 동력을 제공할 수 있다. 연결축(210a)은 동력원(220a)에 의해 동력을 전달받아 회전할 수 있고, 연결축(210a)과 함께 연결축(210a)에 연결된 반사판(200a)이 회전할 수 있다. 반사판(200a)은 연결축(210a)을 회전축으로 하여 진동할 수 있다.Referring to FIG. 8, the hole forming system may include a connection shaft 210a connected to the reflector 200a and a power source 220a connected to the connection shaft 210a. The power source 220a may provide power to rotate the connecting shaft 210a. The connecting shaft 210a can rotate by receiving power from the power source 220a, and the reflector 200a connected to the connecting shaft 210a can rotate together with the connecting shaft 210a. The reflector 200a may vibrate using the connection shaft 210a as a rotation axis.

도 9는 본 개시의 예시적 실시예에 따른 홀 형성 시스템을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 9 is a diagram for explaining a hole forming system according to an exemplary embodiment of the present disclosure.

도 9를 참조하면, 홀 형성 시스템은 레이저 출력 장치(100b), 반사판(200b), 스테이지(300b) 및 회전 모듈(500)을 포함할 수 있다. 레이저 출력 장치(100b)는 반사판(200b)을 향해 레이저를 출력할 수 있다. 반사판(200b)은 레이저 출력 장치(100b)에서 출력된 레이저를 회전 모듈(500)을 향해 반사할 수 있다.Referring to FIG. 9 , the hole forming system may include a laser output device 100b, a reflector 200b, a stage 300b, and a rotation module 500. The laser output device 100b may output a laser toward the reflector 200b. The reflector 200b may reflect the laser output from the laser output device 100b toward the rotation module 500.

회전 모듈(500)은 제1 회전 반사판(510), 제2 회전 반사판(520), 제3 회전 반사판(530) 및 제4 회전 반사판(540)을 포함할 수 있다. 회전 모듈(500)이 4개의 회전 반사판들(510, 520, 530, 540)을 포함하는 것으로 도시 및 설명하였지만, 회전 반사판들(510, 520, 530, 540)의 개수가 이에 제한되는 것은 아니다. 회전 모듈(500)은 케이스(550)를 더 포함할 수 있다. 회전 모듈(500)의 케이스(550) 내에 회전 반사판들(510, 520, 530, 540)이 배치될 수 있다. The rotation module 500 may include a first rotation reflector 510, a second rotation reflector 520, a third rotation reflector 530, and a fourth rotation reflector 540. Although the rotation module 500 is shown and described as including four rotation reflectors 510, 520, 530, and 540, the number of rotation reflectors 510, 520, 530, and 540 is not limited thereto. The rotation module 500 may further include a case 550. Rotating reflectors 510, 520, 530, and 540 may be disposed in the case 550 of the rotation module 500.

복수의 회전 반사판들(510~540) 중 일부(예컨대, 510 및 520)는 동일한 제1 각도로 설치될 수 있으며, 나머지(예컨대, 530 및 540)는 제2 각도로 설치될 수 있다. 이는, 반사판(200b)으로부터 출력된 레이저를 피조사체(400b)로 유도하기 위함이다. Some of the plurality of rotating reflectors 510 to 540 (eg, 510 and 520) may be installed at the same first angle, and others (eg, 530 and 540) may be installed at a second angle. This is to guide the laser output from the reflector 200b to the irradiated object 400b.

반사판(200b)에서 반사된 레이저는 회전 모듈(500)의 케이스(550) 안으로 입사될 수 있다. 회전 모듈(500)의 케이스(550)는 레이저가 통과할 수 있는 상부 개구를 포함할 수 있고, 반사판(200b)에서 반사된 레이저는 케이스(550)의 상부 개구를 통해 케이스(550) 안으로 입사될 수 있다. The laser reflected from the reflector 200b may be incident into the case 550 of the rotation module 500. The case 550 of the rotation module 500 may include an upper opening through which a laser can pass, and the laser reflected from the reflector 200b may be incident into the case 550 through the upper opening of the case 550. You can.

케이스(550) 안으로 입사된 레이저는 제1 회전 반사판(510), 제2 회전 반사판(520), 제3 회전 반사판(530) 및 제4 회전 반사판(540)에서 순차적으로 반사될 수 있다. 회전 모듈(500)의 케이스(550)는 레이저가 통과할 수 있는 하부 개구를 포함할 수 있고, 제4 회전 반사판(540)에서 반사된 레이저는 케이스(550)의 하부 개구를 통해 케이스(550) 밖으로 진행되어 스테이지(300b) 상의 피조사체(400b)에 조사될 수 있다. The laser incident into the case 550 may be sequentially reflected by the first rotating reflector 510, the second rotating reflector 520, the third rotating reflector 530, and the fourth rotating reflector 540. The case 550 of the rotation module 500 may include a lower opening through which a laser can pass, and the laser reflected from the fourth rotating reflector 540 may enter the case 550 through the lower opening of the case 550. It may proceed outward and be irradiated to the irradiated object 400b on the stage 300b.

회전 모듈(500)의 회전축이 제3 회전축(R3)으로 정의될 수 있다. 회전 모듈(500)은 제3 회전축(R3)을 중심으로 회전할 수 있다. 회전 모듈(500)은 회전축(R3)을 중심으로 제7 방향(D7)(즉, 위에서 볼 때, 제3 회전축(R3)을 중심으로 하는 시계 방향)으로 회전할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 도시된 것과 달리, 회전 모듈(500)은 제3 회전축(R3)을 중심으로 반시계 방향(위에서 볼 때)으로 회전할 수 있다. 회전 모듈(500)의 케이스(550) 및 제1 내지 제4 회전 반사판들(510, 520, 530, 540)은 회전 모듈(500)의 제3 회전축(R3)을 중심으로 회전할 수 있다. 회전 모듈(500)의 제3 회전축(R3)은 제3 방향(D3)으로 연장할 수 있다. The rotation axis of the rotation module 500 may be defined as the third rotation axis R3. The rotation module 500 may rotate about the third rotation axis R3. The rotation module 500 may rotate in the seventh direction D7 (that is, clockwise around the third rotation axis R3 when viewed from above) about the rotation axis R3. In one embodiment, unlike what is shown, the rotation module 500 may rotate counterclockwise (as viewed from above) about the third rotation axis R3. The case 550 and the first to fourth rotation reflectors 510, 520, 530, and 540 of the rotation module 500 may rotate about the third rotation axis R3 of the rotation module 500. The third rotation axis R3 of the rotation module 500 may extend in the third direction D3.

회전 반사판들(510, 520, 530, 540) 중 레이저가 마지막으로 반사되는 회전 반사판인 제4 회전 반사판(540)은 반사판(200b)과 유사하게 진동할 수 있다. 제4 회전 반사판(540) 만이 진동함으로써 복수의 진동 동력원들을 구비할 필요가 없어지기 때문에 장치의 내구도를 향상시킬 수 있으며 홀 형성 시스템의 제조 비용을 절감할 수 있다. 또한, 회전 모듈(500)을 회전시키는 대신 스테이지(300b)를 안정적으로 고정시켜 피조사체(400b)에 가해지는 데미지를 줄일 수 있어 피조사체(400b) 및 그에 따른 장비들의 수율을 높일 수 있다.Among the rotating reflectors 510, 520, 530, and 540, the fourth rotating reflector 540, which is the last rotating reflector at which the laser is reflected, may vibrate similarly to the reflector 200b. Since only the fourth rotating reflector 540 vibrates, there is no need to provide a plurality of vibration power sources, so the durability of the device can be improved and the manufacturing cost of the hole forming system can be reduced. In addition, damage to the object 400b can be reduced by stably fixing the stage 300b instead of rotating the rotation module 500, thereby increasing the yield of the object 400b and related equipment.

제4 회전 반사판(540)은 회전 모듈(500)의 제3 회전축(R3)이 연장하는 방향과 교차하는 방향으로 연장하는 제4 회전축(R4)을 중심으로 진동할 수 있다. 회전 모듈(500)의 회전에 따라, 제4 회전 반사판(540)과 함께 제4 회전 반사판(540)의 제4 회전축(R4)이 회전할 수 있다. 회전 반사판들(510, 520, 530, 540) 중 제4 회전 반사판(540)이 스테이지(300b)에 가장 가깝게 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 내지 제3 회전 반사판들(510, 520, 530) 또한 반사판(200)과 유사하게 진동할 수 있다. The fourth rotation reflector 540 may vibrate around the fourth rotation axis R4 extending in a direction intersecting the direction in which the third rotation axis R3 of the rotation module 500 extends. As the rotation module 500 rotates, the fourth rotation axis R4 of the fourth rotation reflector 540 may rotate together with the fourth rotation reflector 540 . Among the rotating reflectors 510, 520, 530, and 540, the fourth rotating reflector 540 may be placed closest to the stage 300b. In one embodiment, the first to third rotating reflectors 510, 520, and 530 may also vibrate similarly to the reflector 200.

회전 모듈(500)의 제3 회전축(R3)은 반사판(200b)과 제3 방향(D3)으로 중첩될 수 있다. 일 예로, 회전 모듈(500)의 제3 회전축(R3)은 반사판(200b)과 수직적으로 중첩될 수 있다. 다시 말하면, 회전 모듈(500)의 제3 회전축(R3)의 수직 위에 반사판(200b)이 배치될 수 있다. 반사판(200b)은 회전 모듈(500)의 제3 회전축(R3)과 동일 선상에 배치될 수 있다. The third rotation axis R3 of the rotation module 500 may overlap the reflector 200b in the third direction D3. For example, the third rotation axis R3 of the rotation module 500 may vertically overlap the reflector 200b. In other words, the reflector 200b may be disposed perpendicular to the third rotation axis R3 of the rotation module 500. The reflector 200b may be disposed on the same line as the third rotation axis R3 of the rotation module 500.

회전 모듈(500)의 제3 회전축(R3)은 제1 및 제4 회전 반사판들(510, 540)과 중첩될 수 있다. 회전 모듈(500)의 제3 회전축(R3)은 제1 및 제4 회전 반사판들(510, 540)을 관통할 수 있다. The third rotation axis R3 of the rotation module 500 may overlap the first and fourth rotation reflectors 510 and 540. The third rotation axis R3 of the rotation module 500 may pass through the first and fourth rotation reflectors 510 and 540.

도 10은 도 9에 따른 홀 형성 시스템의 반사판 및 회전 모듈의 동작에 따른 레이저의 진행 영역을 설명하기 위한 도면이다. FIG. 10 is a diagram for explaining the laser travel area according to the operation of the reflector and rotation module of the hole forming system according to FIG. 9.

도 10을 참조하면, 레이저 출력 장치(100b)에서 출력된 레이저가 반사판(200b) 및 회전 모듈(500)의 제1 내지 제4 회전 반사판들(510, 520, 530, 540)에서 반사되면서, 반사판(200b) 및 제4 회전 반사판(540)이 진동할 수 있다. 이에 따라, 제4 회전 반사판(540)에서 반사되어 피조사체(400b)를 향해 진행하는 레이저의 진행 경로는 진행 영역(PRb)을 따라 변할 수 있다. 다시 말하면, 진행 영역(PRb)을 따라 레이저가 피조사체(400b)로 반복적으로 조사될 수 있다. 진행 영역(PRb)은 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)에 의해 정의되는 평면적 관점에서 원의 형태를 가질 수 있다. 진행 영역(PRb)은 3차원적 원뿔의 형태를 가질 수 있다. Referring to FIG. 10, the laser output from the laser output device 100b is reflected by the reflector 200b and the first to fourth rotating reflectors 510, 520, 530, and 540 of the rotation module 500, and the reflector (200b) and the fourth rotating reflector 540 may vibrate. Accordingly, the travel path of the laser reflected from the fourth rotating reflector 540 and traveling toward the irradiated object 400b may change along the progress area PRb. In other words, the laser may be repeatedly irradiated to the irradiated object 400b along the progress area PRb. The progress area PRb may have the shape of a circle in a planar view defined by the first direction D1 and the second direction D2. The progress area (PRb) may have the shape of a three-dimensional cone.

피조사체(400b)의 상면에서 진행 영역(PRb)과 가공 영역(410b)이 일치하도록 진행 영역(PRb)을 설정할 수 있다. 진행 영역(PRb)을 따라 레이저가 피조사체(400b)로 조사되어, 피조사체(400b)에 원형 홀이 형성될 수 있다. 홀의 크기는 반사판(200b)의 진동 각도 및 제4 회전 반사판(540)의 진동 각도롤 조절하여 진행 영역(PRb)을 설정함으로써 조절될 수 있다.The progress area PRb may be set so that the progress area PRb and the processing area 410b coincide on the upper surface of the irradiated object 400b. A laser may be irradiated to the irradiated object 400b along the progress area PRb, thereby forming a circular hole in the irradiated object 400b. The size of the hole can be adjusted by setting the progress area PRb by adjusting the vibration angle of the reflector 200b and the vibration angle of the fourth rotating reflector 540.

도 11은 본 개시의 예시적 실시예에 따른 홀 형성 시스템을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 11 is a diagram for explaining a hole forming system according to an exemplary embodiment of the present disclosure.

도 11을 참조하면, 홀 형성 시스템은 레이저 출력 장치(100c), 반사판(200c) 및 스테이지(300c)를 포함할 수 있다. 레이저 출력 장치(100c)는 반사판(200c)을 향해 레이저를 출력할 수 있다. 반사판(200c)은 레이저 출력 장치(100c)에서 출력된 레이저를 스테이지(300c)를 향해 반사할 수 있다.Referring to FIG. 11, the hole forming system may include a laser output device 100c, a reflector 200c, and a stage 300c. The laser output device 100c may output a laser toward the reflector 200c. The reflector 200c may reflect the laser output from the laser output device 100c toward the stage 300c.

홀 형성 시스템은 반사판(200c)과 스테이지(400c) 사이의 가스 분사 장치(600)를 더 포함할 수 있다. 가스 분사 장치(600)는 하우징(610) 및 렌즈(620)를 포함할 수 있다. 렌즈(620)는 하우징(610)에 의해 둘러싸일 수 있다. 렌즈(620)와 하우징(610)은 이격될 수 있다. 렌즈(620)와 하우징(610) 사이에 가스 유로(GP)가 제공될 수 있다. 가스 유로(GP)는 렌즈(620)를 둘러쌀 수 있다. 렌즈(620)는 레이저를 피조사체(400c)에 집중시키기 위한 구성일 수 있다. 일 예로, 렌즈(620)는 대물 렌즈일 수 있다. 반사판(200c)에서 반사된 레이저는 렌즈(620)를 통과하여 피조사체(400c)에 조사될 수 있다.The hole forming system may further include a gas injection device 600 between the reflector 200c and the stage 400c. The gas injection device 600 may include a housing 610 and a lens 620. Lens 620 may be surrounded by housing 610 . The lens 620 and the housing 610 may be spaced apart. A gas flow path (GP) may be provided between the lens 620 and the housing 610. The gas flow path (GP) may surround the lens 620. The lens 620 may be configured to focus the laser on the irradiated object 400c. As an example, the lens 620 may be an objective lens. The laser reflected from the reflector 200c may pass through the lens 620 and be irradiated to the object 400c.

하우징(610)은 상부 개구(611) 및 하부 개구(612)를 포함할 수 있다. 하우징(610)의 상부 개구(611)는 하부 개구(612)보다 클 수 있다. 하우징(610)은 스테이지(300c)에 가까워질수록 폭이 작아지는 구조를 가질 수 있다.Housing 610 may include an upper opening 611 and a lower opening 612. The upper opening 611 of the housing 610 may be larger than the lower opening 612. The housing 610 may have a structure whose width becomes smaller as it approaches the stage 300c.

가스 분사 장치(600)는 가스 공급원(630)을 더 포함할 수 있다. 가스 공급원(630)은 하우징(610) 및 렌즈(620)를 향해 가스(GAS)를 공급할 수 있다. 가스 공급원(630)은 하우징(610) 및 렌즈(620)를 향해 개구되는 가스 개구(631)를 포함할 수 있다. 가스 공급원(630)은 가스 개구(631)를 통해 하우징(610) 및 렌즈(620)를 향해 가스(GAS)를 공급할 수 있다. 일 예로, 가스 공급원(630)을 통해 공급되는 가스(GAS)는 공기일 수 있다. 일 실시예에 있어서, 도시된 것과 같이, 가스 공급원(630)의 가스 개구(631)는 렌즈(620)의 상면을 향해 개구되어 렌즈(620)의 상면을 향해 가스(GAS)를 공급할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 도시된 것과 달리, 가스 공급원(630)의 가스 개구(631)는 하우징(610)과 렌즈(620) 사이의 가스 유로(GP)를 향해 개구되어 가스 유로(GP)를 향해 가스(GAS)를 공급할 수 있다. 가스 공급원(630)은 반사판(200c)에서 반사되어 피조사체(400c)를 향해 진행하는 레이저의 진행 경로를 방해하지 않도록 배치될 수 있다. The gas injection device 600 may further include a gas source 630. The gas source 630 may supply gas (GAS) toward the housing 610 and the lens 620. The gas source 630 may include a gas opening 631 that opens toward the housing 610 and the lens 620. The gas source 630 may supply gas (GAS) toward the housing 610 and the lens 620 through the gas opening 631. For example, the gas supplied through the gas source 630 may be air. In one embodiment, as shown, the gas opening 631 of the gas source 630 is opened toward the upper surface of the lens 620 and may supply gas (GAS) toward the upper surface of the lens 620. In one embodiment, unlike what is shown, the gas opening 631 of the gas source 630 is opened toward the gas flow path GP between the housing 610 and the lens 620 and opens toward the gas flow path GP. Gas can be supplied. The gas source 630 may be arranged so as not to interfere with the path of the laser that is reflected from the reflector 200c and travels toward the irradiated object 400c.

가스 공급원(630)을 통해 공급되는 가스(GAS)는 하우징(610)의 상부 개구(611), 가스 유로(GP) 및 하부 개구(612)를 순차적으로 통과하면서 스테이지(300c) 상의 피조사체(400c)를 향해 분사될 수 있다. 하부 개구(612)의 크기가 상대적으로 작으므로, 하부 개구(612)를 통과하면서 가스(GAS)의 유속이 빨라질 수 있다.The gas (GAS) supplied through the gas source 630 sequentially passes through the upper opening 611, the gas flow path (GP), and the lower opening 612 of the housing 610 to the irradiated object 400c on the stage 300c. ) can be sprayed toward. Since the size of the lower opening 612 is relatively small, the flow rate of gas may increase while passing through the lower opening 612.

레이저 출력 장치(100c) 및 반사판(200c)을 이용하여 레이저를 피조사체(400c)에 조사하면, 피조사체(400c)가 가공되면서 피조사체(400c) 상에 파티클이 생성될 수 있다. 가스 공급원(630)을 통해 공급되는 가스(GAS)가 피조사체(400c)를 향해 분사됨으로써, 피조사체(400c) 상에 생성된 파티클들이 제거될 수 있다.When a laser is irradiated to the irradiated object 400c using the laser output device 100c and the reflecting plate 200c, the irradiated object 400c is processed and particles may be generated on the irradiated object 400c. As the gas (GAS) supplied through the gas source 630 is sprayed toward the irradiated object 400c, particles generated on the irradiated object 400c may be removed.

이상에서와 같이 도면과 명세서에서 예시적인 실시예들이 개시되었다. 본 명세서에서 특정한 용어를 사용하여 실시예들을 설명되었으나, 이는 단지 본 개시의 기술적 사상을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 청구범위에 기재된 본 개시의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.따라서, 본 개시의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.As above, exemplary embodiments have been disclosed in the drawings and specification. In this specification, embodiments have been described using specific terms, but this is only used for the purpose of explaining the technical idea of the present disclosure and is not used to limit the meaning or scope of the present disclosure described in the claims. Therefore, those skilled in the art will understand that various modifications and other equivalent embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present disclosure should be determined by the technical spirit of the appended claims. something to do.

Claims (7)

레이저를 출력하는 레이저 출력 장치;
피조사체가 배치되는 스테이지;
상기 레이저 출력 장치로부터 입사되는 상기 레이저를 상기 스테이지를 향해 반사시키는 반사판; 및
상기 스테이지와 상기 반사판 사이의 회전 모듈을 포함하고,
상기 회전 모듈은, 제3 회전축을 중심으로 회전하고, 상기 레이저를 반사시키는 복수의 회전 반사판들을 포함하며, 상기 복수의 회전 반사판들 중 상기 스테이지와 가장 가깝게 배치된 제4 회전 반사판은 상기 제3 회전축과 다른 제4 회전축을 중심으로 진동하고, 상기 제4 회전축은 상기 제3 회전축이 연장하는 방향과 상기 제4 회전 반사판에서 교차하는 방향으로 연장되며,
상기 피조사체에 형성되는 레이저의 가공 라인들은 방사형으로 구현되며, 각 가공 라인은 상기 피조사체의 원점으로부터 가공 영역까지의 반지름에 대응되는 직경을 갖는 타원 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 홀 형성 시스템.
A laser output device that outputs laser;
A stage on which the subject is placed;
a reflector that reflects the laser incident from the laser output device toward the stage; and
Comprising a rotation module between the stage and the reflector,
The rotation module rotates about a third rotation axis and includes a plurality of rotation reflectors that reflect the laser, and a fourth rotation reflector disposed closest to the stage among the plurality of rotation reflectors is connected to the third rotation axis. Vibrates about a fourth rotation axis different from the other, and the fourth rotation axis extends in a direction that intersects the direction in which the third rotation axis extends in the fourth rotation reflector,
The laser processing lines formed on the irradiated object are implemented in a radial shape, and each processing line is formed in an oval shape with a diameter corresponding to the radius from the origin of the irradiated object to the processing area.
제1항에 있어서,
상기 제4 회전 반사판은,
상기 복수의 회전 반사판들 중 레이저가 마지막으로 반사되는 것을 특징으로 하는 홀 형성 시스템.
According to paragraph 1,
The fourth rotating reflector is,
A hole forming system, wherein the laser is reflected last among the plurality of rotating reflectors.
제1항에 있어서,
상기 제3 회전축은 상기 제4 회전 반사판을 관통하는 것을 특징으로 하는 홀 형성 시스템.
According to paragraph 1,
A hole forming system, wherein the third rotation axis passes through the fourth rotation reflector.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 반사판 및 상기 스테이지 사이에 배치되는 가스 분사 장치를 더 포함하고,
상기 가스 분사 장치는 상부 개구 및 하부 개구를 포함하는 하우징 및 상기 하우징에 의해 둘러싸이는 렌즈를 포함하는 홀 형성 시스템.
According to paragraph 1,
Further comprising a gas injection device disposed between the reflector and the stage,
A hole forming system wherein the gas injection device includes a housing including an upper opening and a lower opening and a lens surrounded by the housing.
제5항에 있어서,
상기 하우징의 상기 상부 개구는 상기 하우징의 상기 하부 개구보다 큰 홀 형성 시스템.
According to clause 5,
A hole forming system wherein the upper opening of the housing is larger than the lower opening of the housing.
레이저를 출력하는 레이저 출력 장치;
상기 레이저 출력 장치에서 출력된 상기 레이저를 반사시키는 반사판;
피조사체가 배치되는 스테이지; 및
상기 반사판과 상기 스테이지 사이의 회전 모듈을 포함하고,
상기 회전 모듈은 제3 회전축을 중심으로 회전하고, 상기 레이저를 반사시키는 복수개의 회전 반사판들을 포함하며, 상기 복수의 회전 반사판들 중 상기 레이저가 마지막으로 반사되는 제4 회전 반사판은 상기 제3 회전축과 교차되는 제4 회전축을 중심으로 진동하고, 상기 제4 회전축은 상기 제3 회전축이 연장하는 방향과 상기 제4 회전 반사판에서 교차하는 방향으로 연장되고, 상기 피조사체에 형성되는 레이저의 가공 라인들은 방사형으로 구현되며, 각 가공 라인은 상기 피조사체의 원점으로부터 가공 영역까지의 반지름에 대응되는 직경을 갖는 타원 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 홀 형성 시스템.
A laser output device that outputs laser;
a reflector that reflects the laser output from the laser output device;
A stage on which the subject is placed; and
Comprising a rotation module between the reflector and the stage,
The rotation module rotates about a third rotation axis and includes a plurality of rotation reflectors that reflect the laser, and among the plurality of rotation reflectors, a fourth rotation reflector on which the laser is reflected last is connected to the third rotation axis. It vibrates around an intersecting fourth rotation axis, the fourth rotation axis extends in a direction intersecting the direction in which the third rotation axis extends and the fourth rotation reflector, and the laser processing lines formed on the irradiated object are radial. A hole forming system, wherein each processing line is formed in an oval shape with a diameter corresponding to the radius from the origin of the object to the processing area.
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