KR102617370B1

KR102617370B1 - An electronic device comprising a housing including a plurality of layers

Info

Publication number: KR102617370B1
Application number: KR1020180136563A
Authority: KR
Inventors: 김세진; 신완주; 김경태; 박시윤
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2018-11-08
Filing date: 2018-11-08
Publication date: 2023-12-26
Also published as: WO2020096393A1; KR20200053215A

Abstract

전자 장치가 개시된다. 전자 장치는, 제1 플레이트, 상기 제1 플레이트와 반대 방향을 향하는 제2 플레이트, 및 상기 제1 플레이트 및 상기 제2 플레이트 사이의 공간을 둘러싸는 측면 부재를 포함하는 하우징을 포함하고, 상기 측면 부재는, 상기 공간으로부터 상기 하우징의 외측으로, 금속 모재, 상기 금속 모재의 표면에 형성되고, SiO₂ 또는 TiO₂ 중 적어도 하나를 포함하는 내식 층, 상기 내식층의 표면에 형성되고, TiSi 또는 Si 중 적어도 하나를 포함하는 접착 층, 상기 접착층의 표면에 형성되고, TiSiC, TiSiN 또는 CrSiC중 적어도 하나를 포함하는 내마모 층, 및 상기 내마모 층의 표면에 형성되고, TiSiCN을 포함하는 컬러 층을 포함할 수 있다. 이 외에도 명세서를 통해 파악되는 다양한 실시 예가 가능하다.An electronic device is disclosed. The electronic device includes a housing including a first plate, a second plate facing in a direction opposite to the first plate, and a side member surrounding a space between the first plate and the second plate, the side member is, from the space to the outside of the housing, a metal base material, a corrosion-resistant layer formed on the surface of the metal base material and containing at least one of SiO ₂ or TiO ₂ , formed on the surface of the corrosion-resistant layer, and consisting of TiSi or Si. an adhesive layer comprising at least one, a wear-resistant layer formed on the surface of the adhesive layer and comprising at least one of TiSiC, TiSiN or CrSiC, and a color layer formed on the surface of the wear-resistant layer and comprising TiSiCN. can do. In addition to this, various embodiments identified through the specification are possible.

Description

An electronic device comprising a housing including a plurality of layers}

본 문서에서 개시되는 실시 예들은, 복수의 층을 포함하는 하우징을 포함하는 전자 장치와 관련된다.Embodiments disclosed in this document relate to an electronic device including a housing including a plurality of layers.

종래 전자 장치의 알루미늄 하우징은 높은 광택을 구현하기 위해 착색 및 산화막을 형성하기 위한 아노다이징 공정 후 추가적인 폴리싱 공정이 수행됨으로써 제조된다. Aluminum housings in conventional electronic devices are manufactured by performing an additional polishing process after an anodizing process to form a coloring and oxide film to achieve high gloss.

종래의 알루미늄 하우징 제조 공정에서는, 추가적인 폴리싱 공정에 의해 표면에 형성된 산화막이 일부 제거되는 문제가 있다. 특히 알루미늄은 반응성이 높으므로 산화막이 일부 제거되었음에도, 하우징이 전체적으로 부식되는 문제가 있다. In the conventional aluminum housing manufacturing process, there is a problem in that some of the oxide film formed on the surface is removed by an additional polishing process. In particular, aluminum is highly reactive, so even though some of the oxide film is removed, there is a problem that the entire housing is corroded.

일 실시 예에 따르면, 종래의 하우징보다 높은 광택을 가지면서, 부식이 방지될 수 있는 하우징을 포함하는 전자 장치를 제공하고자 한다. According to one embodiment, an object is to provide an electronic device including a housing that can prevent corrosion while having higher gloss than a conventional housing.

다양한 실시 예에서, 전자 장치는 제1 플레이트, 상기 제1 플레이트와 반대 방향을 향하는 제2 플레이트, 및 상기 제1 플레이트 및 상기 제2 플레이트 사이의 공간을 둘러싸는 측면 부재를 포함하는 하우징을 포함하고, 상기 측면 부재는, 상기 공간으로부터 상기 하우징의 외측으로, 금속 모재, 상기 금속 모재의 표면에 형성되고, SiO₂ 또는 TiO₂ 중 적어도 하나를 포함하는 내식 층, 상기 내식층의 표면에 형성되고, TiSi 또는 Si 중 적어도 하나를 포함하는 접착 층, 상기 접착층의 표면에 형성되고, TiSiC, TiSiN 또는 CrSiC중 적어도 하나를 포함하는 내마모 층, 및 상기 내마모 층의 표면에 형성되고, TiSiCN을 포함하는 컬러 층을 포함할 수 있다.In various embodiments, an electronic device includes a housing including a first plate, a second plate facing in an opposite direction from the first plate, and a side member surrounding a space between the first plate and the second plate; , the side member is, from the space to the outside of the housing, a metal base material, a corrosion-resistant layer formed on the surface of the metal base material, and containing at least one of SiO ₂ or TiO ₂ , and formed on the surface of the corrosion-resistant layer, An adhesive layer comprising at least one of TiSi or Si, a wear-resistant layer formed on the surface of the adhesive layer and comprising at least one of TiSiC, TiSiN, or CrSiC, and a wear-resistant layer formed on the surface of the wear-resistant layer and comprising TiSiCN. May include color layers.

다양한 실시 예에서, 전자 장치는 내부 공간을 포함하는 하우징을 포함하고, 상기 하우징의 적어도 일부는, 상기 내부 공간으로부터 상기 하우징의 외측으로, 금속 모재, 상기 금속 모재의 표면 상에 형성되고, SiO₂, TiO₂ 또는 CrSi중 적어도 하나를 포함하는 내식층, 상기 내식층의 표면 상에 형성되고, TiSi 또는 Si 중 적어도 하나를 포함하는 접착층, 상기 접착층의 표면 상에 형성되고, TiSiC, TiSiN 또는 CrSiC중 적어도 하나를 포함하는 내마모층, 및 상기 내마모층의 표면 상에 형성된 컬러층을 포함할 수 있다.In various embodiments, an electronic device includes a housing including an internal space, and at least a portion of the housing is formed, from the internal space to the outside of the housing, on a metal base material, a surface of the metal base material, and SiO ₂ , a corrosion-resistant layer containing at least one of TiO ₂ or CrSi, formed on the surface of the corrosion-resistant layer, an adhesive layer containing at least one of TiSi or Si, formed on the surface of the adhesive layer, and selected from TiSiC, TiSiN, or CrSiC. It may include at least one wear-resistant layer, and a color layer formed on the surface of the wear-resistant layer.

다양한 실시 예에서, 전자 장치는 상기 전자 장치의 제1 면을 형성하는 제1 커버, 상기 전자 장치의 제2 면을 형성하며 상기 제1 커버와 마주보는 제2 커버, 및 상기 제1 커버와 상기 제2 커버 사이의 공간을 둘러싸며 상기 전자 장치의 외면을 형성하는 제1 구조와 상기 제1 구조로부터 상기 공간으로 연장되는 제2 구조를 포함하는 측면 부재를 포함하는 하우징 구조물, 상기 제1 커버를 통해 상기 전자 장치의 상기 제1 면으로 보여지는 디스플레이, 및 상기 측면 부재의 상기 제2 구조에 배치되는 인쇄 회로 기판을 포함하고, 상기 측면 부재의 상기 제1 구조는, 금속 모재와 상기 금속 모재의 표면에 형성된 피막 층을 포함하고, 상기 피막 층은, 상기 공간으로부터 상기 하우징 구조물 외측으로, 상기 금속 모재에 형성되며 절연성 물질로 이루어져 상기 금속 모재의 부식을 방지하는 절연 층, 및 상기 절연 층에 형성되며 상기 전자 장치의 상기 외면을 형성하는 표면 층을 포함하고, 상기 절연 층은 실질적으로 균일한 두께로 형성될 수 있다.In various embodiments, an electronic device includes a first cover forming a first side of the electronic device, a second cover forming a second side of the electronic device and facing the first cover, and the first cover and the first cover. A housing structure including a side member including a first structure surrounding the space between the second covers and forming an outer surface of the electronic device and a second structure extending from the first structure into the space, the first cover a display visible to the first side of the electronic device, and a printed circuit board disposed on the second structure of the side member, wherein the first structure of the side member includes a metal base material and a metal base material. It includes a coating layer formed on the surface, wherein the coating layer is formed on the metal base material from the space to the outside of the housing structure and is made of an insulating material to prevent corrosion of the metal base material, and is formed on the insulating layer. and includes a surface layer forming the outer surface of the electronic device, and the insulating layer may be formed to have a substantially uniform thickness.

본 문서에 개시되는 실시 예들에 따른 전자 장치는, 부식 우려가 없으며 높은 광택을 가지는 금속 하우징을 포함할 수 있다. 이 외에, 본 문서를 통해 직접적 또는 간접적으로 파악되는 다양한 효과들이 제공될 수 있다.Electronic devices according to embodiments disclosed in this document may include a metal housing that is free from corrosion and has high gloss. In addition, various effects that can be directly or indirectly identified through this document may be provided.

도 1은 일 실시 예에 따른 모바일 전자 장치의 전면의 사시도이다.
도 2는 도 1의 전자 장치의 후면의 사시도이다.
도 3은 도 1의 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 4는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 측면 부재를 도시한다.
도 5a는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 측면 부재의 층 구조를 도시한다.
도 5b는 도 5a에 도시된 층 구조의 제조 방법을 도시한 순서도이다.
도 6a는 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 측면 부재의 층 구조를 도시한다.
도 6b는 도 6a에 도시된 층 구조의 제조 방법을 도시한 순서도이다.
도 7a는 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 측면 부재의 층 구조를 도시한다.
도 7b는 도 7a에 도시된 층 구조의 제조 방법을 도시한 순서도이다.
도면의 설명과 관련하여, 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일 또는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.1 is a perspective view of the front of a mobile electronic device according to one embodiment.
FIG. 2 is a perspective view of the rear of the electronic device of FIG. 1.
FIG. 3 is an exploded perspective view of the electronic device of FIG. 1.
Figure 4 shows a side member of an electronic device according to one embodiment.
FIG. 5A shows a layer structure of a side member of an electronic device according to one embodiment.
FIG. 5B is a flowchart showing a method of manufacturing the layered structure shown in FIG. 5A.
FIG. 6A illustrates a layer structure of a side member of an electronic device according to various embodiments of the present disclosure.
FIG. 6B is a flowchart showing a method of manufacturing the layered structure shown in FIG. 6A.
FIG. 7A illustrates a layer structure of a side member of an electronic device according to various embodiments of the present disclosure.
FIG. 7B is a flowchart showing a method of manufacturing the layered structure shown in FIG. 7A.
In relation to the description of the drawings, identical or similar reference numerals may be used for identical or similar components.

이하, 본 발명의 다양한 실시 예가 첨부된 도면을 참조하여 기재된다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 실시 예의 다양한 변경(modification), 균등물(equivalent), 및/또는 대체물(alternative)을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. Hereinafter, various embodiments of the present invention are described with reference to the accompanying drawings. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and should be understood to include various modifications, equivalents, and/or alternatives to the embodiments of the present invention.

도 1은 일 실시 예에 따른 모바일 전자 장치의 전면의 사시도이다. 도 2는 도 1의 전자 장치의 후면의 사시도이다. 도 3은 도 1의 전자 장치의 분해 사시도이다. 1 is a perspective view of the front of a mobile electronic device according to one embodiment. FIG. 2 is a perspective view of the rear of the electronic device of FIG. 1. FIG. 3 is an exploded perspective view of the electronic device of FIG. 1.

도 1 및 2를 참조하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치(100)는, 제1 면(또는 전면)(110A), 제2 면(또는 후면)(110B), 및 제1 면(110A) 및 제2 면(110B) 사이의 공간을 둘러싸는 측면(110C)을 포함하는 하우징(110)을 포함할 수 있다. 다른 실시 예(미도시)에서는, 하우징은, 도 1의 제1 면(110A), 제2 면(110B) 및 측면(110C)들 중 일부를 형성하는 구조를 지칭할 수도 있다. 일 실시 예에 따르면, 제1 면(110A)은 적어도 일부분이 실질적으로 투명한 전면 플레이트(102)(예: 다양한 코팅 레이어들을 포함하는 글라스 플레이트, 또는 폴리머 플레이트)에 의하여 형성될 수 있다. 제2 면(110B)은 실질적으로 불투명한 후면 플레이트(111)에 의하여 형성될 수 있다. 상기 후면 플레이트(111)는, 예를 들어, 코팅 또는 착색된 유리, 세라믹, 폴리머, 금속(예: 알루미늄, 스테인레스 스틸(STS), 또는 마그네슘), 또는 상기 물질들 중 적어도 둘의 조합에 의하여 형성될 수 있다. 상기 측면(110C)은, 전면 플레이트(102) 및 후면 플레이트(111)와 결합하며, 금속 및/또는 폴리머를 포함하는 측면 베젤 구조 (또는 “측면 부재”)(118)에 의하여 형성될 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 후면 플레이트(111) 및 측면 베젤 구조(118)는 일체로 형성되고 동일한 물질(예: 알루미늄과 같은 금속 물질)을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 and 2, the electronic device 100 according to one embodiment includes a first side (or front) 110A, a second side (or back) 110B, and a first side 110A and It may include a housing 110 including a side surface 110C surrounding the space between the second surfaces 110B. In another embodiment (not shown), the housing may refer to a structure that forms some of the first side 110A, second side 110B, and side surface 110C of FIG. 1 . According to one embodiment, the first surface 110A may be formed at least in part by a substantially transparent front plate 102 (eg, a glass plate including various coating layers, or a polymer plate). The second surface 110B may be formed by a substantially opaque back plate 111. The back plate 111 is formed, for example, by coated or colored glass, ceramic, polymer, metal (e.g., aluminum, stainless steel (STS), or magnesium), or a combination of at least two of these materials. It can be. The side 110C is coupled to the front plate 102 and the rear plate 111 and may be formed by a side bezel structure (or “side member”) 118 including metal and/or polymer. In some embodiments, the back plate 111 and the side bezel structure 118 may be integrally formed and include the same material (eg, a metallic material such as aluminum).

도시된 실시 예에서는, 상기 전면 플레이트(102)는, 상기 제1 면(110A)으로부터 상기 후면 플레이트(111) 쪽으로 휘어져 심리스하게(seamless) 연장된 2개의 제1 영역(110D)들을, 상기 전면 플레이트(102)의 긴 엣지(long edge) 양단에 포함할 수 있다. 도시된 실시 예(도 2 참조)에서, 상기 후면 플레이트(111)는, 상기 제2 면(110B)으로부터 상기 전면 플레이트(102) 쪽으로 휘어져 심리스하게 연장된 2개의 제2 영역(110E)들을 긴 엣지 양단에 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 상기 전면 플레이트(102)(또는 상기 후면 플레이트(111))가 상기 제1 영역(110D)들(또는 상기 제2 영역(110E)들) 중 하나 만을 포함할 수 있다. 다른 실시 예에서는, 상기 제1 영역(110D)들 또는 제2 영역(110E)들 중 일부가 포함되지 않을 수 있다. 상기 실시 예들에서, 상기 전자 장치(100)의 측면에서 볼 때, 측면 베젤 구조(118)는, 상기와 같은 제1 영역(110D)들 또는 제2 영역(110E)들이 포함되지 않는 측면 쪽에서는 제1 두께(또는 폭)을 가지고, 상기 제1 영역(110D)들 또는 제2 영역(110E)들을 포함한 측면 쪽에서는 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 가질 수 있다.In the illustrated embodiment, the front plate 102 has two first regions 110D that are curved from the first surface 110A toward the rear plate 111 and extend seamlessly, the front plate 102 It can be included at both ends of the long edge of (102). In the illustrated embodiment (see FIG. 2), the rear plate 111 is curved from the second surface 110B toward the front plate 102 and has two second regions 110E extending seamlessly with long edges. It can be included at both ends. In some embodiments, the front plate 102 (or the rear plate 111) may include only one of the first areas 110D (or the second areas 110E). In another embodiment, some of the first areas 110D or the second areas 110E may not be included. In the above embodiments, when viewed from the side of the electronic device 100, the side bezel structure 118 has a It may have a thickness (or width) of 1, and may have a second thickness thinner than the first thickness on the side including the first areas 110D or the second areas 110E.

일 실시 예에 따르면, 전자 장치(100)는, 디스플레이(101), 오디오 모듈(103, 107, 114), 센서 모듈(104, 116, 119), 카메라 모듈(105, 112, 113), 키 입력 장치(117), 발광 소자(106), 및 커넥터 홀(108, 109) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 전자 장치(100)는, 구성요소들 중 적어도 하나(예: 키 입력 장치(117), 또는 발광 소자(106))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다.According to one embodiment, the electronic device 100 includes a display 101, audio modules 103, 107, and 114, sensor modules 104, 116, and 119, camera modules 105, 112, and 113, and key input. It may include at least one of the device 117, the light emitting element 106, and the connector holes 108 and 109. In some embodiments, the electronic device 100 may omit at least one of the components (eg, the key input device 117 or the light emitting device 106) or may additionally include another component.

디스플레이(101)는, 예를 들어, 전면 플레이트(102)의 상당 부분을 통하여 노출될 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 상기 제1 면(110A), 및 상기 측면(110C)의 제1 영역(110D)들을 형성하는 전면 플레이트(102)를 통하여 상기 디스플레이(101)의 적어도 일부가 노출될 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 디스플레이(101)의 모서리를 상기 전면 플레이트(102)의 인접한 외곽 형상과 대체로 동일하게 형성할 수 있다. 다른 실시 예(미도시)에서는, 디스플레이(101)가 노출되는 면적을 확장하기 위하여, 디스플레이(101)의 외곽과 전면 플레이트(102)의 외곽간의 간격이 대체로 동일하게 형성될 수 있다.Display 101 may be exposed, for example, through a significant portion of front plate 102 . In some embodiments, at least a portion of the display 101 may be exposed through the front plate 102 forming the first area 110D of the first surface 110A and the side surface 110C. In some embodiments, the edges of the display 101 may be formed to be substantially the same as the adjacent outer shape of the front plate 102. In another embodiment (not shown), in order to expand the area where the display 101 is exposed, the distance between the outer edge of the display 101 and the outer edge of the front plate 102 may be formed to be substantially the same.

다른 실시 예(미도시)에서는, 디스플레이(101)의 화면 표시 영역의 일부에 리세스 또는 개구부(opening)을 형성하고, 상기 리세스 또는 상기 개구부(opening)와 정렬되는 오디오 모듈(114), 센서 모듈(104), 카메라 모듈(105), 및 발광 소자(106) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 다른 실시 예(미도시)에서는, 디스플레이(101)의 화면 표시 영역의 배면에, 오디오 모듈(114), 센서 모듈(104), 카메라 모듈(105), 지문 센서(116), 및 발광 소자(106) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 다른 실시 예(미도시)에서는, 디스플레이(101)는, 터치 감지 회로, 터치의 세기(압력)를 측정할 수 있는 압력 센서, 및/또는 자기장 방식의 스타일러스 펜을 검출하는 디지타이저와 결합되거나 인접하여 배치될 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 상기 센서 모듈(104, 119)의 적어도 일부, 및/또는 키 입력 장치(117)의 적어도 일부가, 상기 제1 영역(110D)들, 및/또는 상기 제2 영역(110E)들에 배치될 수 있다. In another embodiment (not shown), a recess or opening is formed in a portion of the screen display area of the display 101, and an audio module 114 and a sensor are aligned with the recess or opening. It may include at least one of a module 104, a camera module 105, and a light emitting device 106. In another embodiment (not shown), an audio module 114, a sensor module 104, a camera module 105, a fingerprint sensor 116, and a light emitting element 106 are provided on the back of the screen display area of the display 101. ) may include at least one of the following. In another embodiment (not shown), the display 101 is coupled to or adjacent to a touch detection circuit, a pressure sensor capable of measuring the intensity (pressure) of touch, and/or a digitizer that detects a magnetic field type stylus pen. can be placed. In some embodiments, at least a portion of the sensor modules 104, 119, and/or at least a portion of the key input device 117 are located in the first areas 110D and/or the second areas 110E. can be placed in the field.

오디오 모듈(103, 107, 114)은, 마이크 홀(103) 및 스피커 홀(107, 114)을 포함할 수 있다. 마이크 홀(103)은 외부의 소리를 획득하기 위한 마이크가 내부에 배치될 수 있고, 어떤 실시 예에서는 소리의 방향을 감지할 수 있도록 복수개의 마이크가 배치될 수 있다. 스피커 홀(107, 114)은, 외부 스피커 홀(107) 및 통화용 리시버 홀(114)을 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서는 스피커 홀(107, 114)과 마이크 홀(103)이 하나의 홀로 구현 되거나, 스피커 홀(107, 114) 없이 스피커가 포함될 수 있다(예: 피에조 스피커). The audio modules 103, 107, and 114 may include a microphone hole 103 and speaker holes 107 and 114. A microphone for acquiring external sound may be placed inside the microphone hole 103, and in some embodiments, a plurality of microphones may be placed to detect the direction of the sound. The speaker holes 107 and 114 may include an external speaker hole 107 and a receiver hole 114 for calls. In some embodiments, the speaker holes 107 and 114 and the microphone hole 103 may be implemented as one hole, or a speaker may be included without the speaker holes 107 and 114 (e.g., piezo speaker).

센서 모듈(104, 116, 119)은, 전자 장치(100)의 내부의 작동 상태, 또는 외부의 환경 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 센서 모듈(104, 116, 119)은, 예를 들어, 하우징(110)의 제1 면(110A)에 배치된 제1 센서 모듈(104)(예: 근접 센서) 및/또는 제2 센서 모듈(미도시)(예: 지문 센서), 및/또는 상기 하우징(110)의 제2 면(110B)에 배치된 제3 센서 모듈(119)(예: HRM 센서) 및/또는 제4 센서 모듈(116) (예: 지문 센서)을 포함할 수 있다. 상기 지문 센서는 하우징(110)의 제1면(110A)(예: 디스플레이(101)) 뿐만 아니라 제2 면(110B)에 배치될 수 있다. 전자 장치(100)는, 도시되지 않은 센서 모듈, 예를 들어, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서(104) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.The sensor modules 104, 116, and 119 may generate electrical signals or data values corresponding to the internal operating state of the electronic device 100 or the external environmental state. The sensor modules 104, 116, 119 may include, for example, a first sensor module 104 (e.g., a proximity sensor) and/or a second sensor module (e.g., a proximity sensor) disposed on the first side 110A of the housing 110. (not shown) (e.g., fingerprint sensor), and/or a third sensor module 119 (e.g., HRM sensor) and/or fourth sensor module 116 disposed on the second side 110B of the housing 110. ) (e.g., a fingerprint sensor) may be included. The fingerprint sensor may be disposed on the first side 110A (eg, display 101) as well as the second side 110B of the housing 110. The electronic device 100 includes sensor modules not shown, for example, a gesture sensor, a gyro sensor, an air pressure sensor, a magnetic sensor, an acceleration sensor, a grip sensor, a color sensor, an IR (infrared) sensor, a biometric sensor, a temperature sensor, It may further include at least one of a humidity sensor or an illuminance sensor 104.

카메라 모듈(105, 112, 113)은, 전자 장치(100)의 제1 면(110A)에 배치된 제1 카메라 장치(105), 및 제2 면(110B)에 배치된 제2 카메라 장치(112), 및/또는 플래시(113)를 포함할 수 있다. 상기 카메라 장치들(105, 112)은, 하나 또는 복수의 렌즈들, 이미지 센서, 및/또는 이미지 시그널 프로세서를 포함할 수 있다. 플래시(113)는, 예를 들어, 발광 다이오드 또는 제논 램프(xenon lamp)를 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 2개 이상의 렌즈들(적외선 카메라, 광각 및 망원 렌즈) 및 이미지 센서들이 전자 장치(100)의 한 면에 배치될 수 있다.The camera modules 105, 112, and 113 include a first camera device 105 disposed on the first side 110A of the electronic device 100, and a second camera device 112 disposed on the second side 110B. ), and/or a flash 113. The camera devices 105 and 112 may include one or more lenses, an image sensor, and/or an image signal processor. The flash 113 may include, for example, a light emitting diode or a xenon lamp. In some embodiments, two or more lenses (an infrared camera, a wide-angle lens, and a telephoto lens) and image sensors may be placed on one side of the electronic device 100.

키 입력 장치(117)는, 하우징(110)의 측면(110C)에 배치될 수 있다. 다른 실시 예에서는, 전자 장치(100)는 상기 언급된 키 입력 장치(117) 중 일부 또는 전부를 포함하지 않을 수 있고 포함되지 않은 키 입력 장치(117)는 디스플레이(101) 상에 소프트 키 등 다른 형태로 구현될 수 있다. 어떤 실시 예에서, 키 입력 장치는 하우징(110)의 제2면(110B)에 배치된 센서 모듈(116)을 포함할 수 있다.The key input device 117 may be disposed on the side 110C of the housing 110. In another embodiment, the electronic device 100 may not include some or all of the key input devices 117 mentioned above, and the key input devices 117 not included may be other than soft keys on the display 101. It can be implemented in the form In some embodiments, the key input device may include a sensor module 116 disposed on the second side 110B of the housing 110.

발광 소자(106)는, 예를 들어, 하우징(110)의 제1 면(110A)에 배치될 수 있다. 발광 소자(106)는, 예를 들어, 전자 장치(100)의 상태 정보를 광 형태로 제공할 수 있다. 다른 실시 예에서는, 발광 소자(106)는, 예를 들어, 카메라 모듈(105)의 동작과 연동되는 광원을 제공할 수 있다. 발광 소자(106)는, 예를 들어, LED, IR LED 및 제논 램프를 포함할 수 있다.For example, the light emitting device 106 may be disposed on the first surface 110A of the housing 110. For example, the light emitting device 106 may provide status information of the electronic device 100 in the form of light. In another embodiment, the light emitting device 106 may provide a light source that is linked to the operation of the camera module 105, for example. The light emitting device 106 may include, for example, an LED, an IR LED, and a xenon lamp.

커넥터 홀(108, 109)은, 외부 전자 장치와 전력 및/또는 데이터를 송수신하기 위한 커넥터(예를 들어, USB 커넥터)를 수용할 수 있는 제1 커넥터 홀(108), 및/또는 외부 전자 장치와 오디오 신호를 송수신하기 위한 커넥터를 수용할 수 있는 제2 커넥터 홀(예를 들어, 이어폰 잭)(109)을 포함할 수 있다.The connector holes 108 and 109 are a first connector hole 108 that can accommodate a connector (for example, a USB connector) for transmitting and receiving power and/or data with an external electronic device, and/or an external electronic device. and a second connector hole (eg, earphone jack) 109 that can accommodate a connector for transmitting and receiving audio signals.

도 3을 참조하면, 전자 장치(100)는, 측면 베젤 구조(140)(예: 측면 부재), 제1 지지 부재(142)(예: 브라켓), 전면 플레이트(120), 디스플레이(130), 인쇄 회로 기판(150), 배터리(190), 제2 지지 부재(160)(예: 리어 케이스), 안테나(170), 및 후면 플레이트(180)를 포함할 수 있다. 어떤 실시 예에서는, 전자 장치(100)는, 구성요소들 중 적어도 하나(예: 제1 지지 부재(142), 또는 제2 지지 부재(160))를 생략하거나 다른 구성요소를 추가적으로 포함할 수 있다. 전자 장치(100)의 구성요소들 중 적어도 하나는, 도 1, 또는 도 2의 전자 장치(100)의 구성요소들 중 적어도 하나와 동일, 또는 유사할 수 있으며, 중복되는 설명은 이하 생략한다.Referring to FIG. 3, the electronic device 100 includes a side bezel structure 140 (e.g., a side member), a first support member 142 (e.g., a bracket), a front plate 120, a display 130, It may include a printed circuit board 150, a battery 190, a second support member 160 (eg, a rear case), an antenna 170, and a rear plate 180. In some embodiments, the electronic device 100 may omit at least one of the components (e.g., the first support member 142 or the second support member 160) or may additionally include other components. . At least one of the components of the electronic device 100 may be the same as or similar to at least one of the components of the electronic device 100 of FIG. 1 or 2, and overlapping descriptions will be omitted below.

제1 지지 부재(142)는, 전자 장치(100) 내부에 배치되어 측면 베젤 구조(140)와 연결될 수 있거나, 측면 베젤 구조(140)와 일체로 형성될 수 있다. 제1 지지 부재(142)는, 예를 들어, 금속 재질 및/또는 비금속 (예: 폴리머) 재질로 형성될 수 있다. 제1 지지 부재(142)는, 일면에 디스플레이(130)가 결합되고 타면에 인쇄 회로 기판(150)이 결합될 수 있다. 인쇄 회로 기판(150)에는, 프로세서, 메모리, 및/또는 인터페이스가 장착될 수 있다. 프로세서는, 예를 들어, 중앙처리장치, 어플리케이션 프로세서, 그래픽 처리 장치, 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서 중 하나 또는 그 이상을 포함할 수 있다.The first support member 142 may be disposed inside the electronic device 100 and connected to the side bezel structure 140, or may be formed integrally with the side bezel structure 140. The first support member 142 may be formed of, for example, a metallic material and/or a non-metallic (eg, polymer) material. The first support member 142 may have the display 130 coupled to one side and the printed circuit board 150 to the other side. The printed circuit board 150 may be equipped with a processor, memory, and/or interface. The processor may include, for example, one or more of a central processing unit, an application processor, a graphics processing unit, an image signal processor, a sensor hub processor, or a communication processor.

메모리는, 예를 들어, 휘발성 메모리 또는 비휘발성 메모리를 포함할 수 있다. Memory may include, for example, volatile memory or non-volatile memory.

인터페이스는, 예를 들어, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 및/또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다. 인터페이스는, 예를 들어, 전자 장치(100)를 외부 전자 장치와 전기적 또는 물리적으로 연결시킬 수 있으며, USB 커넥터, SD 카드/MMC 커넥터, 또는 오디오 커넥터를 포함할 수 있다.The interface may include, for example, a high definition multimedia interface (HDMI), a universal serial bus (USB) interface, an SD card interface, and/or an audio interface. For example, the interface may electrically or physically connect the electronic device 100 to an external electronic device and may include a USB connector, SD card/MMC connector, or audio connector.

배터리(190)는 전자 장치(100)의 적어도 하나의 구성 요소에 전력을 공급하기 위한 장치로서, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 또는 재충전 가능한 2차 전지, 또는 연료 전지를 포함할 수 있다. 배터리(190)의 적어도 일부는, 예를 들어, 인쇄 회로 기판(150)과 실질적으로 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 배터리(190)는 전자 장치(100) 내부에 일체로 배치될 수 있고, 전자 장치(100)와 탈부착 가능하게 배치될 수도 있다.The battery 190 is a device for supplying power to at least one component of the electronic device 100 and may include, for example, a non-rechargeable primary battery, a rechargeable secondary battery, or a fuel cell. . At least a portion of the battery 190 may be disposed, for example, on substantially the same plane as the printed circuit board 150 . The battery 190 may be placed integrally within the electronic device 100, or may be placed to be detachable from the electronic device 100.

안테나(170)는, 후면 플레이트(180)와 배터리(190) 사이에 배치될 수 있다. 안테나(170)는, 예를 들어, NFC(near field communication) 안테나, 무선 충전 안테나, 및/또는 MST(magnetic secure transmission) 안테나를 포함할 수 있다. 안테나(170)는, 예를 들어, 외부 장치와 근거리 통신을 하거나, 충전에 필요한 전력을 무선으로 송수신 할 수 있다. 다른 실시 예에서는, 측면 베젤 구조(140) 및/또는 상기 제1 지지 부재(142)의 일부 또는 그 조합에 의하여 안테나 구조가 형성될 수 있다.The antenna 170 may be disposed between the rear plate 180 and the battery 190. The antenna 170 may include, for example, a near field communication (NFC) antenna, a wireless charging antenna, and/or a magnetic secure transmission (MST) antenna. For example, the antenna 170 can perform short-distance communication with an external device or wirelessly transmit and receive power required for charging. In another embodiment, an antenna structure may be formed by part or a combination of the side bezel structure 140 and/or the first support member 142.

도 4는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 측면 부재를 도시한다.Figure 4 shows a side member of an electronic device according to one embodiment.

일 실시 예에서, 측면 부재(140)는 전자 장치(예: 도 3의 전자 장치(100))의 외면을 형성하는 제1 구조(141)와 제1 구조(141)로부터 하우징 구조물(예: 도 1의 하우징(110))의 내부(예: 도 3의 제1 플레이트(120)와 제2 플레이트(180) 사이의 공간)로 연장되는 제2 구조(142)(예: 도 3의 제1 지지 부재(142))를 포함할 수 있다. 제2 구조(142)에는 인쇄 회로 기판(예: 도 3의 인쇄 회로 기판(150)), 및/또는 디스플레이(예: 도 3의 디스플레이(130))가 배치될 수 있다.In one embodiment, the side member 140 is connected to a first structure 141 that forms the outer surface of an electronic device (e.g., electronic device 100 of FIG. 3) and a housing structure (e.g., FIG. 3) from the first structure 141. A second structure 142 (e.g., the first support of FIG. 3) extending into the interior of the housing 110 of 1 (e.g., the space between the first plate 120 and the second plate 180 of FIG. 3). It may include member 142). A printed circuit board (eg, printed circuit board 150 of FIG. 3) and/or a display (eg, display 130 of FIG. 3) may be disposed in the second structure 142.

일 실시 예에서, 측면 부재(140)는 금속 물질을 주된 소재로 이루어질 수 있다. 측면 부재(140)는 금속 모재(예: 도 5a의 금속 모재(51)), 및 금속 모재(예: 도 5a의 금속 모재(51))의 표면에 형성된 복수의 층 구조(예: 도 5a의 피막 층(52))를 포함할 수 있다. 상기 복수의 층 구조(예: 도 5a의 피막 층(52))는 제1 구조(141) 및/또는 제2 구조(142)에 형성될 수 있다.In one embodiment, the side member 140 may be made primarily of metal. The side member 140 has a metal base material (e.g., the metal base material 51 in FIG. 5A), and a plurality of layer structures (e.g., the metal base material 51 in FIG. 5A) formed on the surface of the metal base material (e.g., the metal base material 51 in FIG. 5A). It may include a coating layer 52). The plurality of layer structures (eg, the coating layer 52 in FIG. 5A) may be formed on the first structure 141 and/or the second structure 142.

다양한 실시 예에서, 측면 부재는 상기 제1 구조(141) 및 상기 제2 구조(142)에 형성된 복수의 층 구조를 포함할 수 있다. 제1 구조(141)에 형성되는 복수의 층 구조(예: 도 5a의 피막 층(52))는 후술하는 바와 같이 버퍼 층(예: 도 5a의 버퍼 층(520)), 내식 층(예: 도 5a의 내식 층(530)), 내마모 층(예: 도 5a의 내마모 층(550)), 및 컬러 층(예: 도 5a의 컬러 층(560)) 중 적어도 일부를 포함할 수 있다. 반면, 제2 구조에 형성되는 복수의 층 구조는, 상기 제1 구조에 형성되는 복수의 층 구조와 달리 아노다이징 공정에 의해 형성되는 산화막 층을 포함할 수 있다. In various embodiments, the side member may include a plurality of layer structures formed on the first structure 141 and the second structure 142. As will be described later, the plurality of layer structures formed in the first structure 141 (e.g., the coating layer 52 in FIG. 5A) include a buffer layer (e.g., the buffer layer 520 in FIG. 5a) and a corrosion-resistant layer (e.g., It may include at least a portion of a corrosion-resistant layer 530 in FIG. 5A), a wear-resistant layer (e.g., wear-resistant layer 550 in FIG. 5A), and a color layer (e.g., color layer 560 in FIG. 5A). . On the other hand, the plurality of layers formed in the second structure may include an oxide layer formed through an anodizing process, unlike the plurality of layers formed in the first structure.

다양한 실시 예에서, 측면 부재(140)를 구성하는 금속 모재(예: 도 5a의 금속 모재(51))는 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 및 티타늄(Ti) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In various embodiments, the metal base material constituting the side member 140 (e.g., the metal base material 51 in FIG. 5A) may include at least one of aluminum (Al), magnesium (Mg), and titanium (Ti). there is.

도 5a는 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징 구조물의 층 구조(500)를 도시한다. 도 5b는 도 5a에 도시된 층 구조의 제조 방법을 도시한 순서도이다.FIG. 5A shows a layered structure 500 of a housing structure of an electronic device according to one embodiment. FIG. 5B is a flowchart showing a method of manufacturing the layered structure shown in FIG. 5A.

도 5a 를 참조하면, 하우징 구조물(예: 도 1의 하우징(110) 또는 도 4의 측면 부재(140))은 하우징 구조물의 내부 공간(예: 도 3의 제1 플레이트(120)와 제2 플레이트(180) 사이의 공간)으로부터 외측 방향으로 금속 층(510), 버퍼 층(520)(buffer layer), 내식 층(530)(anticorrosion layer), 접착 층(540)(adhesion layer), 내마모 층(550)(wear resistant layer), 및 컬러 층(560)(coloring layer)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 5A, the housing structure (e.g., the housing 110 in FIG. 1 or the side member 140 in FIG. 4) has an internal space of the housing structure (e.g., the first plate 120 and the second plate in FIG. 3). (180) in the outward direction from the space between the metal layer 510, the buffer layer 520 (buffer layer), the anticorrosion layer 530 (anticorrosion layer), the adhesion layer 540 (adhesion layer), and the wear-resistant layer. It may include (550) (wear resistant layer), and a color layer (560) (coloring layer).

어떤 실시 예에서, 금속 층(510)은 하우징 구조물(예: 도 1의 하우징(110) 또는 도 4의 측면 부재(140))의 상당 부분을 이루는 금속 모재(51)로 형성될 수 있다. 금속 모재(51)의 표면에는 피막 층(52)이 형성될 수 있다. 이 때, 피막 층(52)은 하우징 구조물의 내부 공간으로부터 외측 방향으로 순차적으로 버퍼 층(520), 내식 층(530), 접착 층(540), 내마모 층(550), 및 컬러 층(560)을 포함할 수 있다. In some embodiments, the metal layer 510 may be formed of a metal base material 51 that forms a significant portion of the housing structure (e.g., the housing 110 in FIG. 1 or the side member 140 in FIG. 4). A film layer 52 may be formed on the surface of the metal base material 51. At this time, the coating layer 52 sequentially includes a buffer layer 520, a corrosion-resistant layer 530, an adhesive layer 540, a wear-resistant layer 550, and a color layer 560 from the internal space of the housing structure to the outside. ) may include.

어떤 실시 예에서, 내식 층(530)은 금속 층(510)의 표면에 형성되고, 버퍼 층(520)이 내식 층(530)의 표면에 형성될 수 있다.In some embodiments, the corrosion-resistant layer 530 may be formed on the surface of the metal layer 510, and the buffer layer 520 may be formed on the surface of the corrosion-resistant layer 530.

일 실시 예에서, 버퍼 층(520)은 금속 층(510)의 표면에 형성될 수 있다. 버퍼 층(520)은 실리콘(Si), 티타늄(Ti), 및 크롬(Cr) 중 적어도 하나를 포함하는 조성물로 이루어질 수 있다. 어떤 실시 예에서, 버퍼 층(520)은 금속 모재(51)와 피막 층(52) 사이에 형성되며, 금속 모재(51)와 피막 층(52)을 밀착시킬 수 있다. 상기 물질들은 금속 모재(51)와 피막 층(52) 사이에서 완충재(cushioning material)로 형성될 수 있다.In one embodiment, the buffer layer 520 may be formed on the surface of the metal layer 510. The buffer layer 520 may be made of a composition containing at least one of silicon (Si), titanium (Ti), and chromium (Cr). In some embodiments, the buffer layer 520 is formed between the metal base material 51 and the coating layer 52 and can bring the metal base material 51 and the coating layer 52 into close contact. The materials may be formed as a cushioning material between the metal base material 51 and the coating layer 52.

일 실시 예에서, 내식 층(530)은 반응성이 높은 금속에 이종 물질이 접촉하는 경우 발생할 수 있는 갈바닉 부식을 방지하기 위한 것으로 버퍼 층(520) 표면에 형성될 수 있다. 내식 층(530)은 금속 층(510)과 버퍼 층(520)이 외부 기체와 접촉하는 것을 차단할 수 있다. 또한, 내식 층(530)은 전자의 이동을 차단하기 위해 절연성으로 형성될 수 있다. 어떤 실시 예에서 내식 층(530)은 절연 층으로 참조될 수 있다.In one embodiment, the corrosion resistance layer 530 is to prevent galvanic corrosion that may occur when a dissimilar material comes into contact with a highly reactive metal and may be formed on the surface of the buffer layer 520. The corrosion resistance layer 530 may block the metal layer 510 and the buffer layer 520 from contacting external gas. Additionally, the corrosion-resistant layer 530 may be formed as an insulator to block the movement of electrons. In some embodiments, corrosion resistant layer 530 may be referred to as an insulating layer.

일례로, 내식 층(530)은 실리콘 산화물(예: SiO₂) 및/또는 티타늄 산화물(예: TiO₂)을 포함할 수 있다. 내식 층(530)은 산소 기체(O₂)가 버퍼 층(520)에 포함된 버퍼 물질의 일부와 반응함으로써 형성될 수 있다. 이와 같은 산화물을 포함하는 내식 층(530)은 비도전성이므로 금속 층(510)(예: 알루미늄(Al))의 표면에 산화막(예: 산화 알루미늄(Al2O3))이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 또한 내식 층(530)은 버퍼 층(520)과 함께 금속 층(510)의 표면을 덮어 외부 산소가 금속 층(510)의 표면과 반응하는 것을 방지할 수 있다.For example, the corrosion resistance layer 530 may include silicon oxide (eg, SiO ₂ ) and/or titanium oxide (eg, TiO ₂ ). The corrosion-resistant layer 530 may be formed by reacting oxygen gas (O ₂ ) with a portion of the buffer material included in the buffer layer 520 . Since the corrosion-resistant layer 530 containing such an oxide is non-conductive, it can prevent an oxide film (eg, aluminum oxide (Al2O3)) from being formed on the surface of the metal layer 510 (eg, aluminum (Al)). Additionally, the corrosion-resistant layer 530 may cover the surface of the metal layer 510 together with the buffer layer 520 to prevent external oxygen from reacting with the surface of the metal layer 510.

일 실시 예에서, 접착 층(540)은 내식 층(530)과 내마모 층(550) 사이에 형성될 수 있다. 접착 층(540)은 내식 층(530)과 내마모 층(550)의 충분한 접착력을 제공할 수 있다. 접착 층(540)은 실리콘(Si), 또는 티타늄(Ti)과 실리콘(Si)의 화합물을 포함하는 조성물로 이루어질 수 있다. 일례로, 접착 층(540)은 티타늄실리사이드(TiSi), 및/또는 실리콘(Si)로 이루어질 수 있다.In one embodiment, adhesive layer 540 may be formed between corrosion resistant layer 530 and wear resistant layer 550. The adhesive layer 540 may provide sufficient adhesion between the corrosion-resistant layer 530 and the wear-resistant layer 550. The adhesive layer 540 may be made of silicon (Si) or a composition containing a compound of titanium (Ti) and silicon (Si). For example, the adhesive layer 540 may be made of titanium silicide (TiSi) and/or silicon (Si).

일 실시 예에서, 내마모 층(550)은 접착 층(540)의 표면에 형성될 수 있다. 내마모 층(550)은 1㎛이상 두께로 형성될 수 있다. 상기 내마모 층(550)은 1㎛ 내지 2㎛의 두께로 형성될 수 있다. 내마모 층(550)은 내식 층(530), 버퍼 층(520), 및 금속 층(510)을 보호하기 위해 다른 층에 비해 높은 경도를 가질 수 있다. 일례로, 하우징 구조물(예: 도 1의 하우징(110) 또는 도 4의 측면 부재(140))의 표면(예: 컬러 층(560))에 상처(예: 긁힘 자국)가 생기는 경우 내식 층(530)이나 금속 층(510)의 일부가 외부로 노출될 수 있으며, 노출된 부분을 통해 금속 층(510)이 부식될 수 있다. 내마모 층(550)은 TiSiC, TiSiN, 및 CrSiC 중 적어도 하나를 포함하는 조성물로 이루어질 수 있다.In one embodiment, the wear-resistant layer 550 may be formed on the surface of the adhesive layer 540. The wear-resistant layer 550 may be formed to have a thickness of 1 μm or more. The wear-resistant layer 550 may be formed to have a thickness of 1㎛ to 2㎛. The wear-resistant layer 550 may have higher hardness than other layers to protect the corrosion-resistant layer 530, buffer layer 520, and metal layer 510. For example, if a scratch (e.g., scratch mark) occurs on the surface (e.g., color layer 560) of the housing structure (e.g., housing 110 in FIG. 1 or side member 140 in FIG. 4), the corrosion resistance layer ( 530) or a portion of the metal layer 510 may be exposed to the outside, and the metal layer 510 may be corroded through the exposed portion. The wear-resistant layer 550 may be made of a composition containing at least one of TiSiC, TiSiN, and CrSiC.

일 실시 예에서, 컬러 층(560)은 전자 장치 또는 하우징 구조물의 외면을 형성할 수 있다. 컬러 층(560)은 TiSiCN, 및/또는 CrSiC를 포함하는 조성물로 이루어질 수 있다. 이 때, TiSiCN을 포함하는 컬러 층(560)은 검정색(black), 회색(gray), 갈색(brown), 또는 금색(gold)으로 형성될 수 있다. CrSiC를 포함하는 컬러 층(560)은 은색(silver)으로 형성될 수 있다. 어떤 실시 예에서, 컬러 층(560)은 하우징 구조물의 표면 층으로 참조될 수 있다.In one embodiment, color layer 560 may form an exterior surface of an electronic device or housing structure. Color layer 560 may be made of a composition containing TiSiCN, and/or CrSiC. At this time, the color layer 560 containing TiSiCN may be formed in black, gray, brown, or gold. The color layer 560 including CrSiC may be formed in silver. In some embodiments, color layer 560 may be referred to as a surface layer of the housing structure.

어떤 실시 예에서, 하우징 구조물(예: 도 1의 하우징(110) 또는 도 4의 측면 부재(140))는 모재의 부식 방지를 위한 내식 층(530)과 내마모 성능을 위한 내마모 층(550)을 포함할 수 있다. 하우징 구조물을 구성하는 금속 층(510)는 컬러를 형성하기 위해 컬러 층(560)에 포함된 물질과 직접 접촉하는 경우 부식이 발생할 가능성이 높으므로 컬러 층(560)과 금속 층(510) 사이에 내식 층(530)과 내마모 층(550)이 형성될 수 있다. 추가적으로 내식 층(530)과 내마모 층(550) 사이에 접착 층(540)이 더 형성될 수 있다. In some embodiments, the housing structure (e.g., the housing 110 in FIG. 1 or the side member 140 in FIG. 4) includes a corrosion resistance layer 530 for preventing corrosion of the base material and a wear resistance layer 550 for wear resistance performance. ) may include. Since the metal layer 510 constituting the housing structure is highly likely to cause corrosion when it comes into direct contact with the material included in the color layer 560 to form color, it must be placed between the color layer 560 and the metal layer 510. A corrosion-resistant layer 530 and a wear-resistant layer 550 may be formed. Additionally, an adhesive layer 540 may be further formed between the corrosion-resistant layer 530 and the wear-resistant layer 550.

도 5b를 참조하면, 하우징 구조물(예: 도 1의 하우징(110) 또는 도 4의 측면 부재(140))의 피막 층(52)(예: 버퍼 층(520), 내식 층(530), 접착 층(540), 내마모 층(550), 및 컬러 층(560))은 물리 증착 공정(PVD)에 의해 형성될 수 있다. Referring to FIG. 5B, the coating layer 52 (e.g., buffer layer 520, corrosion resistance layer 530, adhesive layer 52) of the housing structure (e.g., housing 110 in FIG. 1 or side member 140 in FIG. 4) Layer 540, wear-resistant layer 550, and color layer 560) may be formed by a physical vapor deposition process (PVD).

일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징 구조물(예: 도 1의 하우징(110) 또는 도 4의 측면 부재(140))에 피막 층(52)을 형성하기 위한 공정은, 금속 모재(51)의 표면에 형성된 산화막을 제거하는 단계(501); 산화막이 제거된 금속 모재(51)의 표면에 버퍼 층(520)을 형성하는 단계(502); 버퍼 층(520)의 표면에 내식 층(530)을 형성하는 단계(503); 내식 층(530)의 표면에 접착 층(540)을 형성하는 단계(504); 접착 층(540)의 표면에 내마모 층(550)을 형성하는 단계(505); 및 내마모 층(550)의 표면에 컬러 층(560)을 형성하는 단계(506);를 포함할 수 있다.The process for forming the coating layer 52 on the housing structure of the electronic device (e.g., the housing 110 in FIG. 1 or the side member 140 in FIG. 4) according to an embodiment is performed by forming the film layer 52 on the surface of the metal base material 51. removing the oxide film formed on (501); Forming a buffer layer 520 on the surface of the metal base material 51 from which the oxide film has been removed (502); Forming a corrosion-resistant layer 530 on the surface of the buffer layer 520 (503); Forming an adhesive layer 540 on the surface of the corrosion resistant layer 530 (504); Forming a wear-resistant layer 550 on the surface of the adhesive layer 540 (505); and forming a color layer 560 on the surface of the wear-resistant layer 550 (step 506).

먼저, 금속 모재(51)의 표면에 형성된 산화막이 제거될 수 있다. 일례로, 금속 모재(51)가 알루미늄으로 이루어진 경우 산화막은 산화 알루미늄 물질(예: Al₂O₃)로 이루어질 수 있으며, 산화 알루미늄은 공기 중에 노출된 알루미늄이 산소와 반응함으로써 형성되는 박막일 수 있다. First, the oxide film formed on the surface of the metal base material 51 may be removed. For example, if the metal base material 51 is made of aluminum, the oxide film may be made of an aluminum oxide material (e.g., Al ₂ O ₃ ), and the aluminum oxide may be a thin film formed when aluminum exposed to the air reacts with oxygen. .

금속 모재(51)의 표면에 산화막(예: Al₂O₃)이 형성된 상태에서 버퍼 층(520)이 형성되는 경우 버퍼 층(520)은 금속 모재(51)로부터 쉽게 분리될 수 있다. 따라서, 버퍼 층(520)의 접착력을 향상시키기 위해 금속 모재(51)의 표면에 형성된 산화막을 우선 제거한 후 버퍼 층(520)을 형성할 수 있다. 산화막은 화학적 에칭 공정을 통해 금속 모재(51)의 표면으로부터 제거될 수 있다. 일례로, 산화막은 강한 산성 물질(예: 질산)과 반응됨으로써 제거될 수 있다.When the buffer layer 520 is formed while an oxide film (eg, Al ₂ O ₃ ) is formed on the surface of the metal base material 51, the buffer layer 520 can be easily separated from the metal base material 51. Therefore, in order to improve the adhesion of the buffer layer 520, the oxide film formed on the surface of the metal base material 51 may be first removed and then the buffer layer 520 may be formed. The oxide film can be removed from the surface of the metal base material 51 through a chemical etching process. For example, the oxide film can be removed by reacting with a strong acid (eg, nitric acid).

이후, 물리 증착 공정을 이용하여 금속 모재(51)의 표면에 피막 층(52)(예: 버퍼 층(520), 내식 층(530), 접착 층(540), 내마모 층(550), 및 컬러 층(560))이 형성될 수 있다. Thereafter, a coating layer 52 (e.g., buffer layer 520, corrosion resistance layer 530, adhesive layer 540, wear resistance layer 550, and A color layer 560) may be formed.

물리 증착 공정은 플라즈마를 발생시킴으로써, 비활성 기체(예: 아르곤(Ar))를 이온화 시키고, 이온화된 비활성 기체(예: 아르곤 이온(Ar+))를 타겟 물질에 충돌시키는 것을 포함할 수 있다. 이 때, 타겟 물질은 원자 상태로 증착 대상 물체의 표면에 부착될 수 있다. 다양한 실시 예에서, 상기 물리 증착 공정은 진공 상태에서 이루어질 수 있다.The physical vapor deposition process may include ionizing an inert gas (e.g., argon (Ar)) by generating plasma, and colliding the ionized inert gas (e.g., argon ions (Ar+)) with a target material. At this time, the target material may be attached to the surface of the object to be deposited in an atomic state. In various embodiments, the physical vapor deposition process may be performed in a vacuum state.

버퍼 층(520)은 산화막이 제거된 금속 모재(51)의 표면에 형성될 수 있다. 버퍼 층(520)은 물리 증착 공정(PVD)(예: 스퍼터링 공정)을 통해 금속 모재(51)의 표면에 증착됨으로써 형성될 수 있다. 버퍼 층(520)을 형성하기 위해, 타겟 물질은 Si, Ti, 및 Cr 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 증착 대상 물체는 산화막이 제거된 금속 모재(51)를 포함할 수 있다. 다양한 실시 예에서, Cr은 Si와 함께 증착됨으로써, 버퍼 층(520)은 CrSi(실리사이드 크롬)로 이루어질 수 있다.The buffer layer 520 may be formed on the surface of the metal base material 51 from which the oxide film has been removed. The buffer layer 520 may be formed by being deposited on the surface of the metal base material 51 through a physical vapor deposition (PVD) process (eg, sputtering process). To form the buffer layer 520, the target material may include at least one of Si, Ti, and Cr, and the object to be deposited may include the metal base material 51 from which the oxide film has been removed. In various embodiments, Cr is deposited together with Si, such that the buffer layer 520 may be made of CrSi (chromium silicide).

다양한 실시 예에서, 버퍼 층(520)은 구현하고자 하는 하우징 구조물(예: 도 1의 하우징(110) 또는 도 4의 측면 부재(140))의 색상에 따라 다른 타겟 물질이 이용될 수 있다. 일례로, 은색(silver)의 하우징 구조물을 형성하기 위해, 버퍼 층(520)은 Cr을 포함할 수 있다. 한편, 검정색(black), 회색(gray), 갈색(brown), 또는 금색(gold)의 하우징 구조물을 형성하기 위해, 버퍼 층(520)은 Si 또는 Ti를 포함할 수 있다. In various embodiments, the buffer layer 520 may be made of different target materials depending on the color of the housing structure to be implemented (e.g., the housing 110 in FIG. 1 or the side member 140 in FIG. 4). For example, to form a silver housing structure, the buffer layer 520 may include Cr. Meanwhile, to form a black, gray, brown, or gold housing structure, the buffer layer 520 may include Si or Ti.

다음으로, 버퍼 층(520)의 표면에 내식 층(530)이 형성될 수 있다. 내식 층(530)을 형성하기 위해, 타겟 물질은 Si, 및 Ti 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 반응 기체로서 산소 기체(O₂)를 더 포함할 수 있다. 상기 타겟 물질은 산소 기체와 반응함으로써 증착 대상 물체의 버퍼 층(520) 표면에 산화물로 증착될 수 있다. 또는 버퍼 층(520) 표면에 증착된 타겟 물질에 산소가 결합되면서 산화물이 형성될 수 있다. Next, a corrosion resistant layer 530 may be formed on the surface of the buffer layer 520. To form the corrosion-resistant layer 530, the target material may include at least one of Si and Ti, and may further include oxygen gas (O ₂ ) as a reaction gas. The target material may be deposited as an oxide on the surface of the buffer layer 520 of the deposition target object by reacting with oxygen gas. Alternatively, oxide may be formed as oxygen combines with the target material deposited on the surface of the buffer layer 520.

일 실시 예에서, 내식 층(530)을 이루는 상기 산화물은 버퍼 층(520)에 포함된 물질이 산화됨으로써 얻어지는 산화물일 수 있다. 일례로 버퍼 층(520)이 Si를 포함하는 경우 내식 층(530)은 SiO₂를 포함할 수 있다. 일례로, 버퍼 층(520)이 Ti를 포함하는 경우, 내식 층(530)은 TiO₂를 포함할 수 있다. 한편 버퍼 층(520)이 CrSi를 포함하는 경우, 내식 층(530)은 SiO₂를 포함할 수 있다. 상기와 같이 버퍼 층(520)을 이루는 산화물은 절연성이므로 금속 모재(51)의 전자 이동을 제한할 수 있다. 이로써, 금속 모재(51)의 부식이 방지될 수 있다.In one embodiment, the oxide forming the corrosion resistance layer 530 may be an oxide obtained by oxidizing a material included in the buffer layer 520. For example, when the buffer layer 520 includes Si, the corrosion resistance layer 530 may include SiO ₂ . For example, when the buffer layer 520 includes Ti, the corrosion resistance layer 530 may include TiO ₂ . Meanwhile, when the buffer layer 520 includes CrSi, the corrosion resistance layer 530 may include SiO ₂ . As described above, since the oxide forming the buffer layer 520 is insulating, it can limit electron movement in the metal base material 51. Accordingly, corrosion of the metal base material 51 can be prevented.

이 때, 기존의 하우징들은 아노다이징 공정을 통해 양극 산화막이 형성된 후 양극 산화막의 표면 균일화를 위해 추가적인 폴리싱 공정이 수행된다. At this time, in existing housings, an anodizing film is formed through an anodizing process, and then an additional polishing process is performed to equalize the surface of the anodizing film.

이와 달리, 일 실시 예에서는 PVD 공정을 통해 타겟 물질이 금속 모재의 표면에 원자 단위로 적층되므로 추가적인 폴리싱 공정이 생략될 수 있다. 관련하여 일 실시 예에서 내식 층은 균일한 두께를 가질 수 있다.In contrast, in one embodiment, the target material is layered atomically on the surface of the metal base material through the PVD process, so an additional polishing process can be omitted. Relatedly, in one embodiment, the corrosion resistant layer may have a uniform thickness.

아노다이징 공정에 의한 양극 산화막 형성과 달리 상기 공정에 따르면, 내식 층(530)을 형성한 후 추가적인 폴리싱 공정 없이도 높은 광택을 유지할 수 있다. Unlike forming an anodic oxide film by an anodizing process, according to the above process, high gloss can be maintained without an additional polishing process after forming the corrosion resistance layer 530.

이후 내식 층(530)의 표면에 접착 층(540)이 형성될 수 있다. 접착 층(540)은 내식 층(530)과 내마모 층(550)을 접착시키기 위해 내식 층(530)과 내마모 층(550) 사이에 형성될 수 있다. 접착 층(540)은 TiSi를 포함할 수 있다. 접착 층(540)을 형성하기 위해 타겟 물질은 Ti 및 Si를 포함할 수 있으며, 증착 대상 물체는 내식 층(530)이 형성된 금속 모재(51)일 수 있다. Afterwards, an adhesive layer 540 may be formed on the surface of the corrosion resistant layer 530. The adhesive layer 540 may be formed between the corrosion-resistant layer 530 and the wear-resistant layer 550 to adhere the corrosion-resistant layer 530 and the wear-resistant layer 550. Adhesion layer 540 may include TiSi. To form the adhesive layer 540, the target material may include Ti and Si, and the object to be deposited may be the metal base material 51 on which the corrosion resistance layer 530 is formed.

다양한 실시 예에서, 버퍼 층(520)이 CrSi를 포함하는 경우 접착 층(540)은 Si로 이루어질 수 있다. 이를 위해 Si가 타겟 물질로 이루어질 수 있다.In various embodiments, when the buffer layer 520 includes CrSi, the adhesive layer 540 may be made of Si. For this purpose, Si may be used as the target material.

이후 접착 층(540)의 표면에 내마모 층(550)이 형성될 수 있다. 내마모 층(550) 형성 단계는 내마모 층(550)이 충분한 경도를 제공할 수 있는 두께로 증착되기 위해, 다른 공정에 비해 상대적으로 긴 시간 동안 수행될 수 있다. 내마모 층(550)은 TiSiC, TiSiN, 및 TiSiCN 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 내마모 층(550)을 형성하기 위해 타겟 물질은 Ti, 및 Si 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며 반응 기체로 C2H2, 또는 N2를 포함할 수 있다. 접착 층(540)의 표면에 Ti 및 Si가 증착시 C2H2와 반응하여 TiSiC 화합물을 형성하거나, 또는 접착 층(540)의 표면에 Ti 및 Si가 증착시 N2와 반응하여 TiSiN 화합물을 형성할 수 있다. Afterwards, a wear-resistant layer 550 may be formed on the surface of the adhesive layer 540. The step of forming the wear-resistant layer 550 may be performed for a relatively long time compared to other processes in order for the wear-resistant layer 550 to be deposited to a thickness that can provide sufficient hardness. The wear-resistant layer 550 may include at least one of TiSiC, TiSiN, and TiSiCN. To form the wear-resistant layer 550, the target material may include at least one of Ti and Si, and the reaction gas may include C2H2 or N2. When deposited on the surface of the adhesive layer 540, Ti and Si may react with C2H2 to form a TiSiC compound, or when Ti and Si are deposited on the surface of the adhesive layer 540, they may react with N2 to form a TiSiN compound. .

다양한 실시 예에서, 상기 TiSiCN은 컬러 층(560)에도 포함될 수 있다. 내마모 층(550)에 포함된 TiSiCN은 컬러 층(560)에 포함된 TiSiCN과 구성 원소(예: Ti, Si, C, N)의 비율이 다를 수 있다. 일례로, 타겟 물질에 가해지는 힘(예: 아르곤 이온이 타겟 물질에 충돌하는 힘)에 따라, Ti 및 Si의 비율이 달라질 수 있다. 일례로, 아세틸렌 가스 농도 및 질소 가스의 농도에 따라 C 및 N의 비율이 달라질 수 있다. In various embodiments, the TiSiCN may also be included in the color layer 560. TiSiCN included in the wear-resistant layer 550 may have a different ratio of constituent elements (eg, Ti, Si, C, N) from TiSiCN included in the color layer 560. For example, depending on the force applied to the target material (e.g., the force with which argon ions collide with the target material), the ratio of Ti and Si may vary. For example, the ratio of C and N may vary depending on the concentration of acetylene gas and nitrogen gas.

다양한 실시 예에서, 버퍼 층(520)이 Cr을 포함하는 경우 내마모 층(550)은 CrSiC를 포함할 수 있다. 이를 위해 물리 증착 공정에서 타겟 물질은 Cr을 포함할 수 있다. In various embodiments, when the buffer layer 520 includes Cr, the wear resistance layer 550 may include CrSiC. For this purpose, the target material in the physical vapor deposition process may include Cr.

마지막으로 내마모 층(550)의 표면에 컬러 층(560)이 형성될 수 있다. 컬러 층(560)은 TiSiCN을 포함할 수 있다. 컬러 층(560)을 형성하기 위해 타겟 물질은 Ti 및 Si를 포함할 수 있으며 반응 기체는 N2및 C2H2를 포함할 수 있다. Finally, a color layer 560 may be formed on the surface of the wear-resistant layer 550. Color layer 560 may include TiSiCN. To form the color layer 560, the target material may include Ti and Si and the reaction gas may include N2 and C2H2.

도 6a는 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 측면 부재의 층 구조(600)를 도시한다. 도 6b는 도 6a에 도시된 층 구조의 제조 방법을 도시한 순서도이다. 이하, 도 5a 및 도 5b에서 설명한 내용과 중복되는 부분은 생략한다.FIG. 6A illustrates a layered structure 600 of a side member of an electronic device according to various embodiments. FIG. 6B is a flowchart showing a method of manufacturing the layered structure shown in FIG. 6A. Hereinafter, parts that overlap with the content described in FIGS. 5A and 5B will be omitted.

도 6a를 참조하면, 하우징 구조물(예: 도 1의 하우징(110) 또는 도 4의 측면 부재(140))는 금속 모재(61)와 복수의 층을 포함하는 피막 층(62)을 포함할 수 있다. 이 때, 피막 층(62)은 전자 장치의 외면을 형성하는 제1 구조(예: 도 4의 제1 구조(141))에 형성되거나, 또는 제1 구조(141) 및 인쇄 회로 기판(예: 도 3의 인쇄 회로 기판(150))이 배치되는 제2 구조(예: 도 4의 제2 구조(142))에 형성될 수 있다.Referring to FIG. 6A, the housing structure (e.g., the housing 110 in FIG. 1 or the side member 140 in FIG. 4) may include a metal base material 61 and a coating layer 62 including a plurality of layers. there is. At this time, the coating layer 62 is formed on the first structure forming the outer surface of the electronic device (e.g., the first structure 141 in FIG. 4), or on the first structure 141 and the printed circuit board (e.g., The printed circuit board 150 of FIG. 3 may be formed in a second structure (eg, the second structure 142 of FIG. 4 ).

도시된 실시 예에서, 하우징 구조물(예: 도 1의 하우징(110) 또는 도 4의 측면 부재(140))는 하우징 구조물의 내부 공간으로부터 외측 방향으로 금속 층(610), 내식 층(630)(anticorrosion layer), 접착 층(640)(adhesion layer), 내마모 층(650)(wear resistant layer), 및 컬러 층(660)(coloring layer)을 포함할 수 있다. 도 6a에 도시된 피막 층(62)는 도 5a에 도시된 피막 층(52)에서 버퍼 층(예: 도5a의 버퍼 층(520))이 생략된 실시 예일 수 있다. In the illustrated embodiment, the housing structure (e.g., the housing 110 in FIG. 1 or the side member 140 in FIG. 4) includes a metal layer 610 and a corrosion-resistant layer 630 ( It may include an anticorrosion layer, an adhesion layer 640, a wear resistant layer 650, and a coloring layer 660. The coating layer 62 shown in FIG. 6A may be an embodiment in which the buffer layer (eg, the buffer layer 520 in FIG. 5A) is omitted from the coating layer 52 shown in FIG. 5A.

어떤 실시 예에서, 금속 층(610)은 하우징 구조물(예: 도 1의 하우징(110) 또는 도 4의 측면 부재(140))의 상당 부분을 이루는 금속 모재(61)로 형성될 수 있으며, 금속 모재(61)의 표면에는 피막 층(62)이 형성될 수 있다. 이 때, 피막 층(62)은 내식 층(630), 접착 층(640), 내마모 층(650), 및 컬러 층(660)을 포함할 수 있다. In some embodiments, the metal layer 610 may be formed of a metal base material 61 that forms a significant portion of the housing structure (e.g., the housing 110 in FIG. 1 or the side member 140 in FIG. 4), and may be formed of a metal base material 61. A film layer 62 may be formed on the surface of the base material 61. At this time, the coating layer 62 may include a corrosion-resistant layer 630, an adhesive layer 640, a wear-resistant layer 650, and a color layer 660.

도시된 실시 예에서, 내식 층(630)은 반응성이 높은 금속에 다른 물질이 접촉하는 경우 발생할 수 있는 갈바닉 부식을 방지하기 위한 것으로 금속 층(610)의 표면에 형성될 수 있다. 일례로, 금속 층(610)에 컬러 층(660)이 직접 접촉되는 경우, 컬러를 형성하는 물질과 금속 층(610) 사이에 전자 이동이 이루어지고 반응성이 높은 금속 층(610)에 부식이 발생할 수 있다. In the illustrated embodiment, the corrosion resistance layer 630 may be formed on the surface of the metal layer 610 to prevent galvanic corrosion that may occur when another material comes into contact with a highly reactive metal. For example, when the color layer 660 is in direct contact with the metal layer 610, electron transfer occurs between the material forming the color and the metal layer 610, and corrosion occurs in the highly reactive metal layer 610. You can.

일례로, 내식 층(630)은 실리콘 산화물(예: SiO₂) 및/또는 티타늄 산화물(예: TiO₂)을 포함할 수 있다. 이와 같은 산화물을 포함하는 내식 층(630)은 비도전성이므로 금속 층(610)의 표면에 산화막이 형성되는 것을 방지할 수 있다. For example, the corrosion resistance layer 630 may include silicon oxide (eg, SiO ₂ ) and/or titanium oxide (eg, TiO ₂ ). Since the corrosion-resistant layer 630 containing such an oxide is non-conductive, it can prevent an oxide film from forming on the surface of the metal layer 610.

도 6b를 참조하면, 일 실시 예에 따른 하우징 구조물(예: 도 1의 하우징(110) 또는 도 4의 측면 부재(140))의 층 구조를 형성하는 공정은 금속 모재(61)의 표면에 형성된 산화막을 제거하는 단계(601); 금속 모재(61)의 표면에 내식 층(630)을 형성하는 단계(603); 내식 층(630)의 표면에 접착 층(640)을 형성하는 단계(604); 접착 층(640)의 표면에 내마모 층(650)을 형성하는 단계(605); 및 내마모 층(650)의 표면에 컬러 층(660)을 형성하는 단계(606);를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6B, the process of forming a layered structure of a housing structure (e.g., the housing 110 in FIG. 1 or the side member 140 in FIG. 4) according to an embodiment is formed on the surface of the metal base material 61. removing the oxide film (601); Forming a corrosion-resistant layer 630 on the surface of the metal base material 61 (603); Forming an adhesive layer 640 on the surface of the corrosion resistant layer 630 (604); Forming a wear-resistant layer 650 on the surface of the adhesive layer 640 (605); and forming a color layer 660 on the surface of the wear-resistant layer 650 (step 606).

도 6b를 참조하면, 먼저 금속 모재(61)의 표면에 형성된 산화막이 제거될 수 있다. 일례로, 금속 모재(61)가 알루미늄을 포함하는 경우, 산화막은 산화 알루미늄 물질(예: Al₂O₃)로 이루어질 수 있으며, 산화막은 알루미늄이 공기 중에 노출되면 반응성이 높은 알루미늄의 표면에 형성되는 박막일 수 있다. Referring to FIG. 6B, first, the oxide film formed on the surface of the metal base material 61 may be removed. For example, when the metal base material 61 includes aluminum, the oxide film may be made of an aluminum oxide material (e.g., Al ₂ O ₃ ), and the oxide film is formed on the surface of aluminum, which is highly reactive when aluminum is exposed to air. It can be a thin film.

내식 층(630)과 금속 모재(61) 사이의 접착력을 향상시키기 위해 금속 모재(61)의 표면에 형성된 산화막을 우선 제거한 후 내식 층(630)을 형성할 수 있다. In order to improve the adhesion between the corrosion-resistant layer 630 and the metal base material 61, the oxide film formed on the surface of the metal base material 61 may be first removed and then the corrosion-resistant layer 630 may be formed.

이후, 앞서 설명한 물리 증착 공정에 의해 금속 모재(61)의 표면에 피막 층(62)(예: 내식 층(630), 접착 층(640), 내마모 층(650), 및 컬러 층(660))이 형성될 수 있다. Thereafter, a coating layer 62 (e.g., a corrosion-resistant layer 630, an adhesive layer 640, a wear-resistant layer 650, and a color layer 660) is formed on the surface of the metal base material 61 by the physical vapor deposition process described above. ) can be formed.

내식 층(630)을 형성하기 위해, 타겟 물질은 Si, 및 Ti 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 반응 기체로서 산소 기체를 포함할 수 있다. 이를 통해 금속 모재(61)의 표면에는 SiO₂, 및 TiO₂ 중 적어도 하나를 포함하는 내식 층(630)이 형성될 수 있다. 이와 같은 내식 층(630)은 절연성으로서 금속 모재(61)의 전자 이동을 제한시켜 금속 모재(61)의 부식이 방지될 수 있다.To form the corrosion resistance layer 630, the target material may include at least one of Si and Ti, and may include oxygen gas as a reaction gas. Through this, a corrosion-resistant layer 630 containing at least one of SiO ₂ and TiO ₂ may be formed on the surface of the metal base material 61. This corrosion-resistant layer 630 is insulating and can prevent corrosion of the metal base material 61 by limiting electron movement in the metal base material 61.

즉, 도 6a 및 도 6b에 도시된 실시 예에서, 내식 층(630)을 형성하기 위해 하우징 구조물(예: 도 1의 하우징(110) 또는 도 4의 측면 부재(140))의 색상에 관계 없이 SiO₂ 또는 TiO₂가 금속 모재(61)의 표면에 증착될 수 있다. 이후 구현하고자 하는 색상에 따라 다양한 물질(예: 은색(silver)의 경우 CrSiCN)을 포함하는 컬러 층(660)이 형성될 수 있다. That is, in the embodiment shown in FIGS. 6A and 6B, regardless of the color of the housing structure (e.g., housing 110 in FIG. 1 or side member 140 in FIG. 4) to form the corrosion resistant layer 630. SiO ₂ or TiO ₂ may be deposited on the surface of the metal base material 61. Afterwards, a color layer 660 containing various materials (e.g., CrSiCN for silver) may be formed depending on the color to be implemented.

이후, 순차적으로 접착 층(640), 내마모 층(650), 및 컬러 층(660)이 형성될 수 있다. 구체적인 공정 및 물질 구성은 도 5a 및 도 5b에서 설명한 바와 같다. 이 때, 컬러 층(660)은 CrSiC, 또는 TiSiCN을 포함할 수 있다. 컬러 층(660)이 CrSiC를 포함하는 경우 은색(silver)으로 형성될 수 있다.Thereafter, an adhesive layer 640, a wear-resistant layer 650, and a color layer 660 may be formed sequentially. The specific process and material composition are as described in FIGS. 5A and 5B. At this time, the color layer 660 may include CrSiC or TiSiCN. If the color layer 660 includes CrSiC, it may be formed in silver.

다양한 실시 예에서, 컬러 층(660)은 상기 CrSiC, 또는 상기 TiSiCN 외에도 구현하고자 하는 색상에 따라 결정되는 다양한 물질을 포함할 수 있다.In various embodiments, the color layer 660 may include various materials determined depending on the color to be realized in addition to CrSiC or TiSiCN.

도 7a는 다양한 실시 예에 따른 전자 장치의 측면 부재의 층 구조(700)를 도시한다. 도 7b는 도 7a에 도시된 층 구조의 제조 방법을 도시한 순서도이다. 이하, 도 5a 및 도 5b에서 설명한 내용과 중복되는 부분은 생략한다.FIG. 7A illustrates a layered structure 700 of a side member of an electronic device according to various embodiments. FIG. 7B is a flowchart showing a method of manufacturing the layered structure shown in FIG. 7A. Hereinafter, parts that overlap with the content described in FIGS. 5A and 5B will be omitted.

도 7a를 참조하면, 하우징 구조물(예: 도 1의 하우징(110) 또는 도 4의 측면 부재(140))는 금속 모재(71)와 금속 모재(71)의 표면에 형성되며 복수의 층을 포함하는 피막 층(72)를 포함할 수 있다. 이 때, 피막 층(72)은 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(100))의 외면을 형성하는 제1 구조(예: 도 4의 제1 구조(141))에 형성되거나, 또는 제1 구조(예: 도 4의 제1 구조(141)) 및 인쇄 회로 기판(예: 도 3의 인쇄 회로 기판(150))이 배치되는 제2 구조(예: 도 4의 제2 구조(142))에 형성될 수 있다.Referring to FIG. 7A, the housing structure (e.g., the housing 110 in FIG. 1 or the side member 140 in FIG. 4) is formed on a metal base material 71 and a surface of the metal base material 71 and includes a plurality of layers. It may include a coating layer 72 that does. At this time, the coating layer 72 is formed on the first structure (e.g., the first structure 141 in FIG. 4) forming the outer surface of the electronic device (e.g., the electronic device 100 in FIG. 1), or 1 structure (e.g., the first structure 141 in FIG. 4) and a second structure (e.g., the second structure 142 in FIG. 4) on which a printed circuit board (e.g., the printed circuit board 150 in FIG. 3) is disposed. ) can be formed.

도 7a 를 참조하면, 하우징 구조물(예: 도 1의 하우징(110) 또는 도 4의 측면 부재(140))는 하우징 구조물의 내부 공간으로부터 외측 방향으로 금속 층(710), 버퍼 층(720)(buffer layer), 내식 층(730)(anticorrosion layer), 내마모 층(750)(wear resistant layer), 및 컬러 층(760)(coloring layer)을 포함할 수 있다. 도 7a에 도시된 피막 층(72)는 도 5a에 도시된 피막 층(52)에서 접착 층(예: 도 5a의 접착 층(540))이 생략된 실시 예일 수 있다. Referring to FIG. 7A, the housing structure (e.g., the housing 110 in FIG. 1 or the side member 140 in FIG. 4) includes a metal layer 710 and a buffer layer 720 ( It may include a buffer layer), an anticorrosion layer 730, a wear resistant layer 750, and a coloring layer 760. The coating layer 72 shown in FIG. 7A may be an embodiment in which the adhesive layer (eg, the adhesive layer 540 in FIG. 5A) is omitted from the coating layer 52 shown in FIG. 5A.

어떤 실시 예에서, 금속 층(710)은 하우징 구조물(예: 도 1의 하우징(110) 또는 도 4의 측면 부재(140))의 상당 부분을 이루는 금속 모재(71)로 형성될 수 있으며, 금속 모재(71)의 표면에는 피막 층(72)이 형성될 수 있다. 이 때, 피막 층(72)은 버퍼 층(720), 내식 층(730), 내마모 층(750), 및 컬러 층(760)을 포함할 수 있다.In some embodiments, the metal layer 710 may be formed of a metal base material 71 that forms a significant portion of the housing structure (e.g., the housing 110 in FIG. 1 or the side member 140 in FIG. 4), and may be formed of a metal base material 71. A film layer 72 may be formed on the surface of the base material 71. At this time, the coating layer 72 may include a buffer layer 720, a corrosion-resistant layer 730, a wear-resistant layer 750, and a color layer 760.

도시된 실시 예에서, 내식 층(730)은 반응성이 높은 금속에 이종 물질이 접촉하는 경우 발생할 수 있는 갈바닉 부식을 방지하기 위한 것으로 금속 층(710)의 표면에 형성될 수 있다. 일례로, 알루미늄 모재에 컬러 층(760)이 직접 형성되는 경우, 컬러를 형성하는 물질과 알루미늄 모재 사이에 전자 이동이 이루어지고 상대적으로 반응성이 높은 알루미늄 모재에 부식이 발생할 수 있다. In the illustrated embodiment, the corrosion resistance layer 730 may be formed on the surface of the metal layer 710 to prevent galvanic corrosion that may occur when a dissimilar material comes into contact with a highly reactive metal. For example, when the color layer 760 is formed directly on an aluminum base material, electron transfer occurs between the material forming the color and the aluminum base material, and corrosion may occur in the relatively highly reactive aluminum base material.

도시된 실시 예에서, 금속 층(710)의 표면에는 버퍼 층(720)이 형성되고, 버퍼 층(720)의 표면에 내식 층(730)이 형성될 수 있다. 어떤 실시 예에서는 내식 층(730)이 금속 층(710)의 표면에 형성되고, 내식 층(730)의 표면에 버퍼 층(720)이 형성될 수 있다. 이 때, 내식 층(730)은 기체가 금속과 반응하는 것을 방지하기 위한 내식 층(730)이 형성될 수 있다. 내식 층(730)은 금속 표면을 덮음으로써 산소와 같은 외부 기체가 반응하는 것을 방지할 수 있으며 또한, 절연성으로 이루어져 금속 층(710)의 전자 이동을 차단할 수 있다. In the illustrated embodiment, a buffer layer 720 may be formed on the surface of the metal layer 710, and a corrosion-resistant layer 730 may be formed on the surface of the buffer layer 720. In some embodiments, the corrosion-resistant layer 730 may be formed on the surface of the metal layer 710, and the buffer layer 720 may be formed on the surface of the corrosion-resistant layer 730. At this time, the corrosion-resistant layer 730 may be formed to prevent the gas from reacting with the metal. The corrosion-resistant layer 730 covers the metal surface to prevent external gases such as oxygen from reacting, and is insulating to block electron movement in the metal layer 710.

도시된 실시 예에서, 내식 층(730) 표면에는 내마모 층(750)이 형성될 수 있다. 내마모 층(750)은 충분한 경도를 제공할 수 있는 두께로 이루어질 수 있다. In the illustrated embodiment, a wear-resistant layer 750 may be formed on the surface of the corrosion-resistant layer 730. The wear-resistant layer 750 may have a thickness that can provide sufficient hardness.

도 7b를 참조하면, 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징 구조물(예: 도 1의 하우징(110) 또는 도 4의 측면 부재(140))의 피막 층(72)를 형성하는 공정은 금속 모재(71)의 표면에 형성된 산화막을 제거하는 단계(701); 산화막이 제거된 금속 모재(71)의 표면에 버퍼 층(720)을 형성하는 단계(702); 버퍼 층(720)의 표면에 내식 층(730)을 형성하는 단계(703); 내식 층의 표면에 내마모 층(750)을 형성하는 단계(705); 및 내마모 층(750)의 표면에 컬러 층을 형성하는 단계(706);를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 7B, the process of forming the coating layer 72 of the housing structure (e.g., the housing 110 in FIG. 1 or the side member 140 in FIG. 4) of an electronic device according to an embodiment includes a metal base material ( Step 701 of removing the oxide film formed on the surface of 71); Forming a buffer layer 720 on the surface of the metal base material 71 from which the oxide film has been removed (702); Forming a corrosion-resistant layer 730 on the surface of the buffer layer 720 (703); Forming a wear-resistant layer 750 on the surface of the corrosion-resistant layer (705); and forming a color layer on the surface of the wear-resistant layer 750 (706).

일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징 구조물(예: 도 1의 하우징(110) 또는 도 4의 측면 부재(140))는 금속 재질로 이루어진 금속 모재(71)를 포함하고, 금속 모재(71)의 표면에는 층 구조를 가지는 피막 층(72)을 포함할 수 있다. 피막 층(72)의 층 구조는 알루미늄 모재의 부식을 방지하기 위한 내식 층(730)과 내식 층(730)이 외부로 노출되는 것을 방지하기 위한 내마모 층(750)을 포함할 수 있다.A housing structure (e.g., the housing 110 in FIG. 1 or the side member 140 in FIG. 4) of an electronic device according to an embodiment includes a metal base material 71 made of a metal material, and the metal base material 71 The surface may include a coating layer 72 having a layered structure. The layer structure of the coating layer 72 may include a corrosion-resistant layer 730 to prevent corrosion of the aluminum base material and a wear-resistant layer 750 to prevent the corrosion-resistant layer 730 from being exposed to the outside.

종래 전자 장치의 하우징은 알루미늄으로 이루어진다. 일반적으로 알루미늄이 부식되는 것을 방지하기 위해 아노다이징 공정이 수행된다. 아노다이징 공정은 알루미늄을 타겟 물질 이온을 포함하는 전해질 용액에 담그고 전기 분해하는 것을 포함한다. 이로써 알루미늄의 표면에는 산화 알루미늄 막이 형성되고 알루미늄의 부식이 방지될 수 있다. 이 때, 종래 전자 장치의 하우징은 광택을 높이기 위해(표면 조도를 낮추기 위해) 추가적인 폴리싱 공정이 수행되어야 한다. 알루미늄의 표면 조도는 아노다이징 공정 후에 증가하기 때문이다. 한편, 산화막 형성 후 폴리싱 공정이 수행되는 경우, 표면 조도를 낮춰 광택을 높일 수 있으나 산화막의 일부가 제거되는 문제가 있다. 이에 따라 제거된 산화막 틈을 통해 알루미늄이 부식되는 문제가 있다.The housing of conventional electronic devices is made of aluminum. Typically, an anodizing process is performed to prevent aluminum from corrosion. The anodizing process involves immersing aluminum in an electrolyte solution containing target material ions and electrolyzing it. As a result, an aluminum oxide film is formed on the surface of aluminum and corrosion of aluminum can be prevented. At this time, the housing of a conventional electronic device must undergo an additional polishing process to increase gloss (to reduce surface roughness). This is because the surface roughness of aluminum increases after the anodizing process. Meanwhile, when a polishing process is performed after forming an oxide film, surface roughness can be lowered and gloss can be increased, but there is a problem in that part of the oxide film is removed. Accordingly, there is a problem of aluminum corroding through the gap in the removed oxide film.

이와 달리, 본 발명의 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징 구조물(예: 도 1의 하우징(110) 또는 도 4의 측면 부재(140))은 산화막(예: 내식 층)이 형성된 후에 추가적인 폴리싱 공정 없이도 높은 광택을 가질 수 있다. In contrast, the housing structure (e.g., the housing 110 in FIG. 1 or the side member 140 in FIG. 4) of an electronic device according to an embodiment of the present invention requires an additional polishing process after the oxide film (e.g., corrosion resistance layer) is formed. You can have high gloss without it.

즉 일 실시 예에서, 하우징 구조물(예: 도 1의 하우징(110) 또는 도 4의 측면 부재(140))의 금속 모재(51, 61, 71)의 표면 조도는, 피막 층(52, 62, 72)(버퍼 층, 내식 층, 내마모 층, 접착 층, 컬러 층)이 형성되기 전과, 피막 층(52, 62, 72)이 형성된 후가 실질적으로 동일할 수 있다. 이는 물리 증착 공정(예: 스퍼터링)에 의해, 금속 모재(51, 61, 71)의 표면에 타겟 물질(예: Si, Ti, Cr)이 원자 단위로 적층되기 때문이다.That is, in one embodiment, the surface roughness of the metal base materials 51, 61, and 71 of the housing structure (e.g., the housing 110 in FIG. 1 or the side member 140 in FIG. 4) is the coating layer (52, 62, 72) before the (buffer layer, corrosion-resistant layer, wear-resistant layer, adhesive layer, color layer) is formed and after the coating layers 52, 62, and 72 are formed may be substantially the same. This is because target materials (eg, Si, Ti, Cr) are deposited on the surface of the metal base material 51, 61, and 71 atomic by atom by a physical vapor deposition process (eg, sputtering).

이와 같이, 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징 구조물(예: 도 1의 하우징(110) 또는 도 4의 측면 부재(140))은 종래의 전자 장치의 하우징보다 더 높은 광택을 가질 수 있다. 또한, 일 실시 예에 따른 전자 장치의 하우징 구조물은 물리 증착 공정만으로 표면 처리가 가능하므로, 전기 분해, 및 폴리싱이 각각 수행되는 종래의 제조 공정에 비해, 공정상 유리한 효과가 있다. 또한, 피막 층(52, 62, 72)이 형성된 후 추가적인 폴리싱 공정이 없으므로 금속 모재(51, 61, 71)의 부식 방지에 더 유리할 수 있다.As such, the housing structure (e.g., the housing 110 in FIG. 1 or the side member 140 in FIG. 4) of an electronic device according to an embodiment may have higher gloss than a housing of a conventional electronic device. Additionally, since the housing structure of the electronic device according to one embodiment can be surface treated only through a physical vapor deposition process, there is an advantageous effect in terms of the process compared to a conventional manufacturing process in which electrolysis and polishing are respectively performed. In addition, since there is no additional polishing process after the film layers 52, 62, and 72 are formed, it may be more advantageous to prevent corrosion of the metal base materials 51, 61, and 71.

본 문서의 다양한 실시 예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시 예의 다양한 변경, 균등물, 및/또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및/또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C" 또는 "A, B 및/또는 C 중 적어도 하나" 등의 표현은 함께 나열된 항목들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제1," "제2," "첫째," 또는 "둘째,"등의 표현들은 해당 구성요소들을, 순서 또는 중요도에 상관없이 수식할 수 있고, 한 구성요소를 다른 구성요소와 구분하기 위해 사용될 뿐 해당 구성요소들을 한정하지 않는다. 어떤(예: 제1) 구성요소가 다른(예: 제2) 구성요소에 "(기능적으로 또는 통신적으로) 연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나, 다른 구성요소(예: 제 3 구성요소)를 통하여 연결될 수 있다.The various embodiments of this document and the terms used herein are not intended to limit the technology described in this document to a specific embodiment, and should be understood to include various changes, equivalents, and/or replacements of the embodiments. In connection with the description of the drawings, similar reference numbers may be used for similar components. Singular expressions may include plural expressions, unless the context clearly indicates otherwise. In this document, expressions such as “A or B”, “at least one of A and/or B”, “A, B or C” or “at least one of A, B and/or C” refer to all of the items listed together. Possible combinations may be included. Expressions such as “first,” “second,” “first,” or “second,” can modify the corresponding components regardless of order or importance, and are used to distinguish one component from another. It is only used and does not limit the corresponding components. When a component (e.g. a first) component is said to be "connected (functionally or communicatively)" or "connected" to another (e.g. a second) component, it means that the component is connected to the other component. It may be connected directly to a component or may be connected through another component (e.g., a third component).

본 문서에서, "~하도록 설정된(adapted to or configured to)"은 상황에 따라, 예를 들면, 하드웨어적 또는 소프트웨어적으로 "~에 적합한," "~하는 능력을 가지는," "~하도록 변경된," "~하도록 만들어진," "~를 할 수 있는," 또는 "~하도록 설계된"과 상호 호환적으로(interchangeably) 사용될 수 있다. 어떤 상황에서는, "~하도록 구성된 장치"라는 표현은, 그 장치가 다른 장치 또는 부품들과 함께 "~할 수 있는" 것을 의미할 수 있다. 예를 들면, 문구 "A, B, 및 C를 수행하도록 설정된 (또는 구성된) 프로세서"는 해당 동작들을 수행하기 위한 전용 프로세서(예: 임베디드 프로세서), 또는 메모리 장치에 저장된 하나 이상의 프로그램들을 실행함으로써, 해당 동작들을 수행할 수 있는 범용 프로세서(예: CPU 또는 AP)를 의미할 수 있다.In this document, “adapted to or configured to” means “suitable for,” “having the ability to,” “changed to,” depending on the situation, for example, in terms of hardware or software. "Can be used interchangeably with "made to," "capable of," or "designed to." In some contexts, the expression “a device configured to” may mean that the device is “capable of” working with other devices or components. For example, the phrase "a processor set (or configured) to perform A, B, and C" refers to a processor dedicated to performing the operations (e.g., an embedded processor), or by executing one or more programs stored in a memory device. It may refer to a general-purpose processor (e.g., CPU or AP) that can perform the corresponding operations.

본 문서에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어(firmware)로 구성된 유닛(unit)을 포함하며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로 등의 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. "모듈"은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. "모듈"은 기계적으로 또는 전자적으로 구현될 수 있으며, 예를 들면, 어떤 동작들을 수행하는, 알려졌거나 앞으로 개발될, ASIC(application-specific integrated circuit) 칩, FPGAs(field-programmable gate arrays), 또는 프로그램 가능 논리 장치를 포함할 수 있다.The term "module" used in this document includes a unit consisting of hardware, software, or firmware, and may be used interchangeably with terms such as logic, logic block, component, or circuit, for example. You can. A “module” may be an integrated part, a minimum unit that performs one or more functions, or a part thereof. A “module” may be implemented mechanically or electronically, for example, in application-specific integrated circuit (ASIC) chips, field-programmable gate arrays (FPGAs), known or hereafter developed, that perform certain operations. May include programmable logic devices.

다양한 실시 예들에 따른 장치(예: 모듈들 또는 그 기능들) 또는 방법(예: 동작들)의 적어도 일부는 프로그램 모듈의 형태로 컴퓨터로 판독 가능한 저장 매체에 저장된 명령어로 구현될 수 있다. 상기 명령어가 프로세서에 의해 실행될 경우, 프로세서가 상기 명령어에 해당하는 기능을 수행할 수 있다. 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체는, 하드디스크, 플로피디스크, 마그네틱 매체(예: 자기테이프), 광기록 매체(예: CD-ROM, DVD, 자기-광 매체(예: 플롭티컬 디스크), 내장 메모리 등을 포함할 수 있다. 명령어는 컴파일러에 의해 만들어지는 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다.At least some of the devices (eg, modules or functions) or methods (eg, operations) according to various embodiments may be implemented as instructions stored in a computer-readable storage medium in the form of program modules. When the instruction is executed by a processor, the processor can perform the function corresponding to the instruction. Computer-readable recording media include hard disks, floppy disks, magnetic media (e.g. magnetic tape), optical recording media (e.g. CD-ROM, DVD, magneto-optical media (e.g. floptical disks), built-in memory, etc. An instruction may include code generated by a compiler or code that can be executed by an interpreter.

다양한 실시 예들에 따른 구성 요소(예: 모듈 또는 프로그램 모듈) 각각은 단수 또는 복수의 개체로 구성될 수 있으며, 전술한 해당 서브 구성 요소들 중 일부 서브 구성 요소가 생략되거나, 또는 다른 서브 구성 요소를 더 포함할 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 일부 구성 요소들(예: 모듈 또는 프로그램 모듈)은 하나의 개체로 통합되어, 통합되기 이전의 각각의 해당 구성 요소에 의해 수행되는 기능을 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시 예들에 따른 모듈, 프로그램 모듈 또는 다른 구성 요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적, 병렬적, 반복적 또는 휴리스틱(heuristic)하게 실행되거나, 적어도 일부 동작이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 다른 동작이 추가될 수 있다.Each component (e.g., module or program module) according to various embodiments may be composed of a single or multiple entities, and some of the above-described sub-components may be omitted or other sub-components may be used. More may be included. Alternatively or additionally, some components (e.g., modules or program modules) may be integrated into one entity and perform the same or similar functions performed by each corresponding component prior to integration. Operations performed by modules, program modules, or other components according to various embodiments may be executed sequentially, in parallel, iteratively, or heuristically, or at least some operations may be executed in a different order, omitted, or other operations. This can be added.

100: 전자 장치 110: 하우징
120: 제1 플레이트 130: 디스플레이
140: 측면 부재 150: 인쇄 회로 기판
180: 제2 플레이트 51, 61, 71: 금속 모재
52, 62, 72: 피막 층 100: electronic device 110: housing
120: first plate 130: display
140: side member 150: printed circuit board
180: second plate 51, 61, 71: metal base material
52, 62, 72: film layer

Claims

In electronic devices,
A housing comprising a first plate, a second plate facing in a direction opposite to the first plate, and a side member surrounding a space between the first plate and the second plate,
The side member includes a metal base material and a film layer formed on the surface of the metal base material,
The coating layer extends from the space to the outside of the housing,
A corrosion-resistant layer formed on the surface of the metal base material and containing at least one of SiO2 or TiO2,
An adhesive layer formed on the surface of the corrosion resistance layer and containing at least one of TiSi or Si,
A wear-resistant layer formed on the surface of the adhesive layer and containing at least one of TiSiC, TiSiN, or CrSiC, and
It is formed on the surface of the wear-resistant layer and includes a color layer containing TiSiCN,
The wear-resistant layer has higher hardness than the corrosion-resistant layer, the adhesive layer, and the color layer,
The surface roughness of the side member on which the film layer is formed is formed to be the same as the surface roughness of the metal base material,
The side member includes a first structure that forms an outer surface of the electronic device and is exposed to the outside, and a second structure that extends from the first structure into the space and is shielded from the outside by a display,
The first structure includes a coating layer having the corrosion resistance layer, adhesive layer, wear resistance layer, and color layer,
The second structure is an electronic device including an oxide film obtained by an anodizing process.

In claim 1,
An electronic device wherein the metal base material includes at least one of aluminum (Al), magnesium (Mg), or titanium (Ti).

In claim 1,
The side member includes a buffer layer disposed between the metal base material and the corrosion resistance layer; and; a buffer layer disposed between the corrosion resistance layer and the adhesive layer; An electronic device further comprising at least one of the following:

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In claim 3,
The buffer layer is an electronic device comprising at least one of silicon (Si), titanium (Ti), or chromium (Cr).

In claim 1,
The side member includes at least one insulating portion that electrically separates the metal base material into at least two sections, and the insulating portion is exposed to the outside of the electronic device.

In claim 1,
The electronic device further includes an intermediate plate positioned between the first plate and the second plate, wherein the intermediate plate is formed integrally with the side member.

In claim 7,
The intermediate plate includes the metal base material, and the metal base material includes an insulating layer on a surface facing inside the space.

In claim 1,
The wear-resistant layer is an electronic device having a thickness of 1㎛ to 2㎛.

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In electronic devices,
A first cover forming a first side of the electronic device, a second cover forming a second side of the electronic device facing the first cover, and surrounding a space between the first cover and the second cover. a housing structure including a side member including a first structure forming an outer surface of the electronic device and a second structure extending from the first structure into the space;
a display visible to the first side of the electronic device through the first cover; and
A printed circuit board disposed on the second structure of the side member,
The first structure of the side member includes a metal base material and a film layer formed on the surface of the metal base material,
The coating layer extends from the space to the outside of the housing structure,
An insulating layer formed on the metal base material and made of an insulating material to prevent corrosion of the metal base material,
A wear-resistant layer formed on the surface of the insulating layer and preventing exposure of the insulating layer, and
A surface layer formed on the surface of the wear-resistant layer and forming the outer surface of the electronic device,
The insulating layer is formed to have a substantially uniform thickness,
The wear-resistant layer has higher hardness than the insulating layer and the surface layer,
The surface roughness of the first structure on which the film layer is formed is formed to be the same as the surface roughness of the metal base material,
The first structure of the side member includes a coating layer having the insulating layer, the wear-resistant layer, and the surface layer,
The second structure of the side member that is obscured from the outside by the printed circuit board and the display includes an oxide film formed by an anodizing process.

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In claim 16,
The film layer includes at least one of silicon (Si) and titanium (Ti),
The surface layer includes at least one of carbon (C) and nitrogen (N),
The insulating layer is
An electronic device comprising at least one of silicon oxide (SiO2) and titanium oxide (TiO2).

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