KR102614949B1 - Silicon electrode and radio frequency treatment device using the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 실리콘 전극 및 이를 이용한 고주파 발생장치 에 관한 발명이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 전극은, 전극필름; 상기 전극필름 위에 접착된 도전성 섬유; 상기 도전성 섬유 위에 접착된 금속판; 상기 금속판 상에 접합된 온도센서; 상기 도전성 섬유와 상기 금속판의 상부면에 접착되며 표면에 동공이 형성된 실리콘커버; 상기 동공을 통해서 상기 금속판에 결합되며, 상기 금속판에 전력을 제공하는 전력케이블; 및 상기 동공과 상기 전력케이블을 덮도록 상기 실리콘커버 상에 접착되는 케이블배선커버; 를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 발생장치는, 실리콘 전극; 상기 실리콘 전극에 제공되는 고주파 전력을 생성하는 전원부; 및 상기 실리콘 전극에서 측정된 온도를 바탕으로 상기 상기 전원부를 제어하는 전력제어부;를 포함할 수 있다.
본 발명의 고주파 치료기기는, 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 전극과 고주파 발생장치를 활용할 수 있다.The present invention relates to a silicon electrode and a high frequency generator using the same.
A silicon electrode according to an embodiment of the present invention includes an electrode film; Conductive fibers adhered on the electrode film; A metal plate adhered on the conductive fiber; A temperature sensor bonded to the metal plate; A silicone cover adhered to the conductive fiber and the upper surface of the metal plate and having a cavity formed on the surface; A power cable coupled to the metal plate through the cavity and providing power to the metal plate; and a cable wiring cover attached to the silicone cover to cover the cavity and the power cable. may include.
A high frequency generator according to an embodiment of the present invention includes a silicon electrode; a power supply unit that generates high-frequency power provided to the silicon electrode; and a power control unit that controls the power unit based on the temperature measured at the silicon electrode.
The high-frequency treatment device of the present invention can utilize a silicon electrode and a high-frequency generator according to an embodiment of the present invention.
Description
본 발명은 실리콘 전극 및 이를 이용한 고주파 치료기기에 관한 발명이다. 보다 자세하게는 도전성 섬유에 접착된 금속판에 고주파 전력를 인가하여 온열을 발생시키는 실리콘 전극과 이를 이용한 고주파 발생장치를 활용한 고주파 치료기기에 관한 것이다.The present invention relates to a silicon electrode and a high-frequency treatment device using the same. More specifically, it relates to a high-frequency treatment device using a silicon electrode that generates heat by applying high-frequency power to a metal plate attached to a conductive fiber and a high-frequency generator using the same.
일반적으로, 고주파 치료장치는 고주파 전력을 신체에 인가하여 고주파 전력을 생체 에너지로 전환하고, 이러한 생체 에너지를 이용하여 발생된 심부열을 통해 지방대사와 근육운동을 촉진시킴으로써, 비만치료나 근육강화, 피부관리, 모발촉진 또는 통증완화 등에 사용되는 의료용 기기이다.In general, a high-frequency treatment device applies high-frequency power to the body, converts the high-frequency power into bioenergy, and promotes fat metabolism and muscle exercise through deep heat generated using this bioenergy, thereby treating obesity, strengthening muscles, etc. It is a medical device used for skin care, hair promotion, or pain relief.
고주파 전력의 전류는 다른 형태의 전류와 달리 감각신경이나 운동신경을 자극하지 않고 근육 수축을 일으키지 않으면서도 해당 신체조직 내의 특정부위를 가열할 수 있다.Unlike other types of electric current, high-frequency electric current can heat specific parts of the body tissue without stimulating sensory or motor nerves or causing muscle contraction.
이와 같은 특성을 갖는 고주파 온열 치료장치를 이용하여 환자를 치료하는 경우에는, 단말기로부터 연결된 고주파 방열판을 환자의 환부 등과 같은 사용자의 신체 부위(배나 허리 등)에 밀착시킨 상태에서 고정시킨 후, 고주파 전력을 인가하여 심부열이 발생되도록 하고 있다.When treating a patient using a high-frequency thermal treatment device with these characteristics, the high-frequency heat sink connected from the terminal is fixed in close contact with the user's body part (belly, waist, etc.), such as the patient's affected area, and then the high-frequency power is applied. is approved to generate deep heat.
고주파 의료기기에서 가장 큰 기술적 난제는 도전성 섬유에 안전하게 전기에너지를 전달하는 방법이다. 도전성 섬유에 전기선을 직접 접촉 연결하여 사용하는 경우 연결부위에 과전류에 의한 과열이 발생하여 사용자의 화상사고가 발생할 수 있다. 박막 금속판만 사용하는 경우 전기접촉은 좋지만, 박막제품의 관리의 어려움, 조립 중의 구김 또는 파손, 낮은 내구성 등의 문제점이 있다.The biggest technical challenge in high-frequency medical devices is how to safely transmit electrical energy to conductive fibers. If an electric wire is used by directly contacting a conductive fiber, overheating due to overcurrent may occur at the connection area, resulting in a burn injury to the user. When only thin-film metal plates are used, electrical contact is good, but there are problems such as difficulty in managing thin-film products, wrinkling or damage during assembly, and low durability.
따라서 도전성 섬유와 박막 금속의 장점만을 살릴 수 있는 고주파 의료기기에 대한 수요가 늘어나고 있다.Therefore, demand for high-frequency medical devices that can utilize only the strengths of conductive fibers and thin-film metals is increasing.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 도전성 섬유와 금속판을 이용하여 고주파 전력을 전달하는 실리콘 전극을 제공하는 것이다.The technical problem to be solved by the present invention is to provide a silicon electrode that transmits high-frequency power using a conductive fiber and a metal plate.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 실리콘 전극을 이용한 고주파 발생장치를 제공하는 것이다.The technical problem to be solved by the present invention is to provide a high frequency generator using a silicon electrode.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해 될 수 있을 것이다.The technical problems of the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 전극은, 전극필름; 상기 전극필름 위에 접착된 도전성 섬유; 상기 도전성 섬유 위에 접착된 금속판; 상기 금속판 상에 접합된 온도센서; 상기 도전성 섬유와 상기 금속판의 상부면에 접착되며 표면에 동공이 형성된 실리콘커버; 상기 동공을 통해서 상기 금속판에 결합되며, 상기 금속판에 전력을 제공하는 전력케이블; 및 상기 동공과 상기 전력케이블을 덮도록 상기 실리콘커버 상에 접착되는 케이블배선커버; 를 포함할 수 있다. A silicon electrode according to an embodiment of the present invention for achieving the above technical problem includes an electrode film; Conductive fibers adhered on the electrode film; A metal plate adhered on the conductive fiber; A temperature sensor bonded to the metal plate; A silicone cover adhered to the conductive fiber and the upper surface of the metal plate and having a cavity formed on the surface; A power cable coupled to the metal plate through the cavity and providing power to the metal plate; and a cable wiring cover attached to the silicone cover to cover the cavity and the power cable. may include.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 발생장치는, 실리콘 전극; 상기 실리콘 전극에 제공되는 고주파 전력을 생성하는 전원부; 및 상기 실리콘 전극에서 측정된 온도를 바탕으로 상기 전원부를 제어하는 전력제어부;를 포함할 수 있다.A high frequency generator according to an embodiment of the present invention for achieving the above technical problem includes a silicon electrode; a power supply unit that generates high-frequency power provided to the silicon electrode; and a power control unit that controls the power supply unit based on the temperature measured at the silicon electrode.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 실리콘 전극은 도전성 섬유와 금속판을 함께 사용하여 고주파 전력 전달을 극대화할 수 있으며, 실리콘 전극은 유연한 성질을 가지며 굴곡이 있는 피부 표면에 잘 부착 가능하고, 온도 센서를 이용하여 과열을 사전에 감지함으로써 화상을 방지할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention as described above, the silicon electrode can maximize high-frequency power transmission by using a conductive fiber and a metal plate together. The silicon electrode has flexible properties and can be easily attached to the curved skin surface, and uses a temperature sensor. This has the effect of preventing burns by detecting overheating in advance.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른, 실리콘 전극의 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른, 실리콘 전극의 수직 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른, 고주파 발생장치의 구성도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른, 전력제어부의 구성도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른, 인공지능 모델을 설명하기 위한 예시이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른, 고주파 발생장치의 동작을 설명하기 위한 순서도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른, 인공지능 기반 고주파 발생장치의 동작을 설명하기 위한 순서도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른, 원의 형상을 포함하는 실리콘 전극의 구성도이다.1 is a configuration diagram of a silicon electrode according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a vertical cross-sectional view of a silicon electrode, according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a configuration diagram of a high frequency generator according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a configuration diagram of a power control unit according to another embodiment of the present invention.
Figure 5 is an example to explain an artificial intelligence model according to an embodiment of the present invention.
Figure 6 is a flowchart for explaining the operation of a high frequency generator according to an embodiment of the present invention.
Figure 7 is a flowchart for explaining the operation of an artificial intelligence-based high frequency generator according to an embodiment of the present invention.
Figure 8 is a configuration diagram of a silicon electrode including a circular shape according to another embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. The advantages and features of the present invention and methods for achieving them will become clear by referring to the embodiments described in detail below along with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various different forms. The present embodiments are merely intended to ensure that the disclosure of the present invention is complete and to provide common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in this specification may be used with meanings that can be commonly understood by those skilled in the art to which the present invention pertains. Additionally, terms defined in commonly used dictionaries are not interpreted ideally or excessively unless clearly specifically defined.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른, 실리콘 전극의 구성도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른, 실리콘 전극의 수직 단면도이다. 도 1과 도 2를 참조하여, 실리콘 전극의 구성을 설명한다.1 is a configuration diagram of a silicon electrode according to an embodiment of the present invention. Figure 2 is a vertical cross-sectional view of a silicon electrode, according to an embodiment of the present invention. With reference to FIGS. 1 and 2, the configuration of the silicon electrode will be described.
본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 전극(100)은 전극필름(110), 도전성 섬유(120), 금속판(130), 온도센서(140), 실리콘커버(150), 전력케이블(160) 및 케이블배선커버(170)를 포함할 수 있다.The silicon electrode 100 according to an embodiment of the present invention includes an electrode film 110, a conductive fiber 120, a metal plate 130, a temperature sensor 140, a silicon cover 150, a power cable 160, and a cable. It may include a wiring cover 170.
전극필름(110)은 실리콘(silicon) 또는 우레탄(polyurethane)을 포함하는 소재로 제작된 것일 수 있다. 전극필름(110)은 실리콘 전극(100)이 사람에게 사용될 때 사람의 피부에 부착되는 면일 수 있다.The electrode film 110 may be made of a material containing silicon or polyurethane. The electrode film 110 may be the surface attached to the human skin when the silicon electrode 100 is used on a person.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 전극필름(110)은 한 변의 길이는 50[mm]내지 250[mm]이고, 다른 한 변의 길이는 50[mm] 내지 320[mm]인 정사각형 또는 직사각형의 형상일 수 있다. 예를 들어, 전극필름(110)은 50[mm] X 50[mm]의 정사각형 또는 250[mm] X 320[mm]의 직사각형일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the electrode film 110 has a square or rectangular shape with one side having a length of 50 [mm] to 250 [mm] and the other side having a length of 50 [mm] to 320 [mm]. It can be. For example, the electrode film 110 may be a square of 50 [mm]
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 전극필름(110)은 지름이 50[mm] 내지 320[mm]인 원형으로 제작될 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the electrode film 110 may be manufactured in a circular shape with a diameter of 50 [mm] to 320 [mm].
도전성 섬유(120)는 로 금속 반도체, 카본 블랙 및 금속 산화물 등의 도체 재료를 사용하여 전기저항이 비교적 낮게 만든 섬유를 포함할 수 있다. The conductive fiber 120 may include fibers made with relatively low electrical resistance using conductive materials such as raw metal semiconductors, carbon black, and metal oxides.
도전성 섬유(120)는 전극필름(110) 위에 실리콘 접착제를 사용하여 접착될 수 있다. The conductive fiber 120 may be adhered to the electrode film 110 using a silicone adhesive.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 도전성 섬유(120)은 한 변의 길이는 30[mm]내지 230[mm]이고, 다른 한 변의 길이는 30[mm] 내지 300[mm]인 정사각형 또는 직사각형의 형상일 수 있다. 예를 들어, 도전성 섬유(120)은 30[mm] X 30[mm]의 정사각형 또는 230[mm] X 300[mm]의 직사각형일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the conductive fiber 120 has a square or rectangular shape with one side having a length of 30 [mm] to 230 [mm] and the other side having a length of 30 [mm] to 300 [mm]. It can be. For example, the conductive fiber 120 may be a square of 30 [mm] x 30 [mm] or a rectangle of 230 [mm] x 300 [mm].
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 전극필름(110)은 지름이 50[mm] 내지 320[mm]인 원형으로 제작될 수 있다According to another embodiment of the present invention, the electrode film 110 may be manufactured in a circular shape with a diameter of 50 [mm] to 320 [mm].
도전성 섬유(120)은 전극필름(110)의 상부면에 부착되기 때문에, 전극필름(110)의 면적보다 작으며, 전극필름(110)의 내부에 도전성 섬유(120)이 모두 포함될 수 있다. Since the conductive fibers 120 are attached to the upper surface of the electrode film 110, the area is smaller than the area of the electrode film 110, and all of the conductive fibers 120 may be included within the electrode film 110.
금속판(130)은 구리, 알루미늄 또는 스테인리스스틸(Stainless Steel)을 포함하는 재질로 제작된 박막을 포함할 수 있다.The metal plate 130 may include a thin film made of a material including copper, aluminum, or stainless steel.
금속판(130)은 도전성 섬유(120) 위에 접착될 수 있다. 금속판(130)은 도전성 섬유(120)의 면적 대비 20% 내지 70%의 면적을 가질 수 있다. 금속판(130)은 도전성 섬유(120)의 어느 한 코너(corner) 방향으로 치우쳐서 접착될 수 있다.The metal plate 130 may be adhered onto the conductive fiber 120. The metal plate 130 may have an area of 20% to 70% of the area of the conductive fiber 120. The metal plate 130 may be adhered with a bias toward one corner of the conductive fiber 120.
예를 들어, 도전성 섬유(120)가 사각형 형상일 때, 금속판(130)은 상기 사각형의 중심에서 어느 한 꼭지점의 구석 방향으로 치우쳐서 접착될 수 있다.For example, when the conductive fiber 120 has a square shape, the metal plate 130 may be adhered with a bias from the center of the square toward a corner of one of the vertices.
온도센서(140)는 금속판(130)의 온도를 측정할 수 있다. 온도센서(140)는 금속판(130)의 상부에 실리콘으로 접합될 수 있다. The temperature sensor 140 can measure the temperature of the metal plate 130. The temperature sensor 140 may be bonded to the top of the metal plate 130 with silicon.
예를 들어, 온도센서(140)은 50[mm] 내지 100[mm]의 길이를 가지는 필름 박막 센서를 포함할 수 있다.For example, the temperature sensor 140 may include a thin film sensor having a length of 50 [mm] to 100 [mm].
온도센서(140)는 상기 측정된 온도를 외부로 전송하는 온도신호선을 포함할 수 있다. 상기 온도신호선은 실리콘 전극(100)의 외부로 돌출될 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 상기 온도신호선은 전력케이블(160)에 포함될 수 있으며, 전력케이블(160)에 포함된 전력용 전선과 함께 외부로 연결될 수 있다.The temperature sensor 140 may include a temperature signal line that transmits the measured temperature to the outside. The temperature signal line may protrude out of the silicon electrode 100. According to another embodiment, the temperature signal line may be included in the power cable 160 and may be connected to the outside together with the power wire included in the power cable 160.
온도센서(140)는 실리콘 전극(100)이 고주파 발생장치에 사용될 때, 피부에서 발생하는 열에 의한 피부 온도를 측정할 수 있으며, 온도에 관한 모니터링을 통해서 피부의 화상을 방지할 수 있다.The temperature sensor 140 can measure skin temperature due to heat generated from the skin when the silicon electrode 100 is used in a high frequency generator, and can prevent skin burns through temperature monitoring.
실리콘커버(150)는 도전성 섬유(120)와 금속판(130)의 상부면에 접착될 수 있다. The silicone cover 150 may be adhered to the conductive fiber 120 and the upper surface of the metal plate 130.
예를 들어, 실리콘커버(150)은 전극필름(110), 도전성 섬유(120) 및 금속판(130)의 상부면에 실리콘 접착제를 사용하여 접착될 수 있다.For example, the silicone cover 150 may be attached to the upper surface of the electrode film 110, the conductive fiber 120, and the metal plate 130 using a silicone adhesive.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 실리콘커버(150)의 한 변은 50[mm] 내지 250[mm] 이고, 다른 한 변은 50[mm] 내지 320[mm]인 정사각형 또는 직사각형의 형상일 수 있다. 예를 들어, 실리콘커버(150)은 50[mm] X 50[mm]의 정사각형 또는 250[mm] X 320[mm]의 직사각형일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, one side of the silicone cover 150 is 50 [mm] to 250 [mm], and the other side is 50 [mm] to 320 [mm]. It may be a square or rectangular shape. there is. For example, the silicone cover 150 may be a square of 50 [mm]
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 실리콘커버(150)은 지름이 50[mm] 내지 320[mm] 인 원의 형상일 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the silicone cover 150 may be in the shape of a circle with a diameter of 50 [mm] to 320 [mm].
실리콘커버(150)은 전극필름(110)과 형상과 면적이 동일 할 수 있다. 실리콘커버(150)은 전극필름(110)의 상부면을 덮을 수 있으며, 실리콘커버(150)과 전극필름(110)의 사이에 도전성 섬유(120), 금속판(130) 및 온도센서(140)을 포함할 수 있다.The silicon cover 150 may have the same shape and area as the electrode film 110. The silicon cover 150 can cover the upper surface of the electrode film 110, and a conductive fiber 120, a metal plate 130, and a temperature sensor 140 are placed between the silicon cover 150 and the electrode film 110. It can be included.
예를 들어, 실리콘커버(150)은 전극필름(11)과 각 모서리가 일치하도록 겹쳐져 접착될 수 있다.For example, the silicone cover 150 may be overlapped and bonded to the electrode film 11 so that each edge matches.
실리콘커버(150)는 상부면과 하부면을 관통하는 동공(155)을 포함할 수 있다. The silicone cover 150 may include a cavity 155 penetrating the upper and lower surfaces.
동공(155)은 전력케이블(160)이 금속판(130)에 결합되기 위해서 지나가는 통로일 수 있다. 동공(155)의 내경은 전력케이블(160)의 외경보다 클 수 있다.The cavity 155 may be a passage through which the power cable 160 passes to be coupled to the metal plate 130. The inner diameter of the cavity 155 may be larger than the outer diameter of the power cable 160.
동공(155)은 실리콘커버(150)와 금속판(130)이 겹치는 영역에 형성될 수 있다. 예를 들어, 실리콘커버(150)가 금속판(130) 위에 접착될 때, 동공(155)은 금속판(130) 위에 배치되도록 형성될 수 있다.The cavity 155 may be formed in an area where the silicon cover 150 and the metal plate 130 overlap. For example, when the silicone cover 150 is adhered onto the metal plate 130, the cavity 155 may be formed to be disposed on the metal plate 130.
전력케이블(160)은 금속판(130)에 전력을 제공할 수 있다. 전력케이블(160)은 동공(155)을 통해서 외부에서 금속판(130)과 접촉할 수 있다. 전력케이블(160)은 금속판(130)에 납땜될 수 있다.The power cable 160 may provide power to the metal plate 130. The power cable 160 may contact the metal plate 130 from the outside through the cavity 155. The power cable 160 may be soldered to the metal plate 130.
금속판(130)에 전력이 공급되면, 금속판(130)과 도전성 섬유(120) 에 의해 열이 발생할 수 있다. When power is supplied to the metal plate 130, heat may be generated by the metal plate 130 and the conductive fiber 120.
전력케이블(160)을 통해서 제공되는 전력은 온도센서(140)에서 측정된 온도값에 따라 제어될 수 있다. 예를 들어, 상기 온도값이 사전에 설정된 기준온도 이상이면 상기 전력을 차단되거나 감소될 수 있다.Power provided through the power cable 160 can be controlled according to the temperature value measured by the temperature sensor 140. For example, if the temperature value is higher than a preset reference temperature, the power may be cut off or reduced.
케이블배선커버(170)는 동공(155)과 전력케이블(160)을 덮도록 실리콘커버(150) 상에 접착될 수 있다. The cable wiring cover 170 may be attached to the silicone cover 150 to cover the cavity 155 and the power cable 160.
도 2에 도시된 단면은 실리콘 전극(100)의 각 구성 요소가 적층된 관계를 보여주기 위하여 과장되게 도시되었으며, 실리콘 전극(100)의 각 구성요소는 빈 공간 없이 밀착되어 접착될 수 있다. 실리콘커버(150)는 전극필름(110) 위에 도전성 섬유(120), 금속판(130), 온도센서(140) 및 전력케이블(160)이 모두 접착되면, 최종적으로 실리콘을 이용하여 전체를 덮으면서 접착될 수 있다.The cross section shown in FIG. 2 is exaggerated to show the stacked relationship of each component of the silicon electrode 100, and each component of the silicon electrode 100 can be adhered in close contact with no empty space. The silicone cover 150 is formed when the conductive fiber 120, metal plate 130, temperature sensor 140, and power cable 160 are all bonded onto the electrode film 110, and is finally bonded by covering the entire surface using silicone. It can be.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른, 고주파 발생장치의 구성도이다. 도 3을 참조하여, 실리콘 전극(100)을 이용한 고주파 발생장치를 설명한다.Figure 3 is a configuration diagram of a high frequency generator according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, a high frequency generator using a silicon electrode 100 will be described.
본 발명의 일 실시예에 따른 고주파 발생장치(300)는 실리콘 전극(100), 전원부(320) 및 전력제어부(310)를 포함할 수 있다.The high frequency generator 300 according to an embodiment of the present invention may include a silicon electrode 100, a power supply unit 320, and a power control unit 310.
전원부(320)는 고주파 전력을 생성할 수 있다.The power supply unit 320 may generate high frequency power.
전력제어부(310)는 전원부(320)에서 생성된 전력을 실리콘 전극(100)에 제공하는 것을 제어할 수 있다. 예를 들어, 전력제어부(310)는 실리콘 전극(100)에서 측정된 온도를 바탕으로 실리콘 전극(100)에 제공되는 전력을 제어할 수 있다.The power control unit 310 may control providing power generated by the power source 320 to the silicon electrode 100. For example, the power control unit 310 may control the power provided to the silicon electrode 100 based on the temperature measured at the silicon electrode 100.
실리콘 전극(100)은 내부에 포함된 온도센서가 측정한 온도를 온도신호선(145)을 통해서 전력제어부(310)에 제공할 수 있다.The silicon electrode 100 may provide the temperature measured by the temperature sensor included therein to the power control unit 310 through the temperature signal line 145.
전력제어부(310)는 상기 제공받은 온도가 사전에 설정된 기준온도보다 높으면 전력케이블(160)을 통해서 실리콘 전극(100)에 제공되는 전력을 차단하거나 감소시킬 수 있다.The power control unit 310 may block or reduce the power provided to the silicon electrode 100 through the power cable 160 when the received temperature is higher than a preset reference temperature.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른, 전력제어부의 구성도이다. 도 4를 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 전력제어부(310)의 구성을 설명한다.Figure 4 is a configuration diagram of a power control unit according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, the configuration of the power control unit 310 according to another embodiment of the present invention will be described.
본 발명의 일 실시예에 따른 전력제어부(310)는 온도센서(140)의 온도와 기준온도를 비교하여 전력 제어를 할 수 있다.The power control unit 310 according to an embodiment of the present invention may control power by comparing the temperature of the temperature sensor 140 with the reference temperature.
본 발명의 다른 실시예에 따른 전력제어부(310)는 인공지능 모델(312), 온도 수집부(314), 전력공급부(316)를 포함할 수 있으며, 인공지능 바탕으로 비정상 온도를 검출하고 이에 따라 전력을 제어할 수 있다.The power control unit 310 according to another embodiment of the present invention may include an artificial intelligence model 312, a temperature collection unit 314, and a power supply unit 316, and detects abnormal temperatures based on artificial intelligence and accordingly Power can be controlled.
인공지능 모델(312)은 고주파 발생장치의 사용에 따른 피부 온도 데이터를 바탕으로 학습된 딥러닝(deep learning) 모델일 수 있다. The artificial intelligence model 312 may be a deep learning model learned based on skin temperature data resulting from the use of a high-frequency generator.
도 5는 인공지능 모델(312)의 예시이다. 도 5를 참조하여 인공지능 모델(312)을 설명한다.Figure 5 is an example of an artificial intelligence model 312. The artificial intelligence model 312 will be described with reference to FIG. 5 .
인공지능 모델(312)은 RNN(RNN, Recurrent Neural Network)를 포함할 수 있다. RNN은 시계열적인 입력을 받아 다음 데이터를 예측할 수 있다. 도 5를 참조하면, 제1 온도 내지 제4 온도를 순차적으로 입력 받으면 다음 시간의 온도를 예측할 수 있다.The artificial intelligence model 312 may include a Recurrent Neural Network (RNN). RNN can predict the next data by receiving time series input. Referring to FIG. 5, if the first to fourth temperatures are sequentially input, the temperature for the next time can be predicted.
온도 수집부(314)는 실리콘 전극(100)으로부터 온도 데이터를 수집할 수 있다. 실리콘 전극(100)에 포함된 온도 센서가 측정한 온도를 온도신호선(145)을 통해서 수신할 수 있다.The temperature collection unit 314 may collect temperature data from the silicon electrode 100. The temperature measured by the temperature sensor included in the silicon electrode 100 can be received through the temperature signal line 145.
온도 수집부(314)는 수집된 온도 데이터를 시간 순으로 인공지능 모델(312)에 입력할 수 있다. 인공지능 모델(312)은 다음 시간의 예측 온도를 출력할 수 있다. 온도 수집부(314)는 인공지능 모델(312)의 예측 온도와 현재 수집된 온도를 비교하여 기준 오차율 이상이면 비정상 온도 데이터로 판단할 수 있다.The temperature collection unit 314 may input the collected temperature data into the artificial intelligence model 312 in chronological order. The artificial intelligence model 312 can output the predicted temperature for the next time. The temperature collection unit 314 may compare the predicted temperature of the artificial intelligence model 312 with the currently collected temperature and determine it as abnormal temperature data if it is higher than the standard error rate.
예를 들어, 기준 오차율이 10%이고, 온도 수집부(314)는 이전 시간대까지의 온도 데이터를 인공지능 모델(312)에 입력하여 출력된 예측온도보다 현재 수집된 온도가 10% 이상 높으면 비정상 온도 데이터로 판단할 수 있다. For example, if the standard error rate is 10% and the temperature collection unit 314 inputs temperature data up to the previous time period into the artificial intelligence model 312 and the currently collected temperature is 10% or more higher than the predicted temperature output, the abnormal temperature is detected. You can judge with data.
인공지능 모델(312)와 기준 오차율을 이용함으로써, 실리콘 전극(100)의 급격한 온도 상승을 감지할 수 있으며, 급격한 온도 상승이 예상될 때 전력을 차단함으로써 화상을 방지할 수 있다.By using the artificial intelligence model 312 and the standard error rate, a sudden temperature rise of the silicon electrode 100 can be detected, and burns can be prevented by cutting off power when a sudden temperature rise is expected.
전력공급부(316)는 온도 수집부(314)에서 비정상 온도 데이터로 판단되면, 전력케이블(160)에 공급되는 전력을 차단하거나 감소시킬 수 있다.If the temperature collection unit 314 determines that the temperature data is abnormal, the power supply unit 316 may block or reduce the power supplied to the power cable 160.
전력공급부(316)는 상기 비정상 온도 데이터로 판단되지 않은 경우 전력케이블(160)에 사전에 정해진 일정한 전력을 공급할 수 있다.The power supply unit 316 may supply a predetermined constant power to the power cable 160 when the temperature data is not determined to be abnormal.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른, 고주파 발생장치의 동작을 설명하기 위한 순서도이다.Figure 6 is a flowchart for explaining the operation of a high frequency generator according to an embodiment of the present invention.
전력제어부(310)는 실리콘 전극(100)의 온도를 수집한다(S100).The power control unit 310 collects the temperature of the silicon electrode 100 (S100).
전력제어부(310)는 상기 수집된 온도가 사전에 설정된 기준온도보다 큰 값인지 비교한다(S110).The power control unit 310 compares whether the collected temperature is greater than a preset reference temperature (S110).
전력제어부(310)는 상기 수집된 온도가 상기 기준온도보다 큰 값이면, 전력케이블(160)의 전력을 차단한다(S120).If the collected temperature is greater than the reference temperature, the power control unit 310 cuts off the power to the power cable 160 (S120).
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른, 인공지능 기반 고주파 발생장치의 동작을 설명하기 위한 순서도이다.Figure 7 is a flowchart for explaining the operation of an artificial intelligence-based high frequency generator according to another embodiment of the present invention.
온도 수집부(314)는 실리콘 전극(100)의 온도를 수집한다(S200).The temperature collection unit 314 collects the temperature of the silicon electrode 100 (S200).
온도 수집부(314)는 상기 수집된 온도를 인공지능 모델(312)에 입력한다(S210). 인공지능 모델(312)은 상기 입력에 대하여 예측온도를 출력한다.The temperature collection unit 314 inputs the collected temperature into the artificial intelligence model 312 (S210). The artificial intelligence model 312 outputs a predicted temperature for the input.
온도 수집부(314)는 상기 수집된 온도와 인공지능 모델(312)의 직전 예측온도를 비교한다(S220). The temperature collection unit 314 compares the collected temperature with the immediately predicted temperature of the artificial intelligence model 312 (S220).
온도 수집부(314)는 상기 수집된 온도가 상기 직접 예측온도보다 기준 오차율 이상이면, 비정상 데이터로 판단한다. If the collected temperature is higher than the standard error rate than the directly predicted temperature, the temperature collection unit 314 determines it as abnormal data.
전력공급부(316)는 온도 수집부(314)가 비정상 데이터로 판단하면, 전력케이블(160)에 공급되는 전력을 차단한다(S230).If the temperature collection unit 314 determines that the data is abnormal, the power supply unit 316 cuts off the power supplied to the power cable 160 (S230).
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른, 원의 형상을 포함하는 실리콘 전극의 구성도이다.Figure 8 is a configuration diagram of a silicon electrode including a circular shape according to another embodiment of the present invention.
도 8을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 실리콘 전극(100)은 원의 형상을 포함할 수 있다. 전극필름(110), 도전성 섬유(120) 및 실리콘커버(150)는 원 또는 타원의 형상일 수 있다.Referring to FIG. 8, the silicon electrode 100 according to another embodiment of the present invention may include a circular shape. The electrode film 110, conductive fiber 120, and silicone cover 150 may have a circular or oval shape.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the attached drawings, those skilled in the art will understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing its technical idea or essential features. You will be able to understand it. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive.
실리콘 전극 100
전극필름 110
도전성 섬유 120
금속판 130
온도센서 140
실리콘커버 150
전력케이블 160
케이블배선커버 170silicon electrode 100
Electrode film 110
Conductive fiber 120
metal plate 130
Temperature sensor 140
Silicone Cover 150
Power cable 160
Cable wiring cover 170
Claims (23)
상기 전극필름 위에 접착된 도전성 섬유;
상기 도전성 섬유 위에 접착된 금속판;
상기 금속판 상에 접합된 온도센서;
상기 도전성 섬유와 상기 금속판의 상부면에 접착되며 표면에 동공이 형성된 실리콘커버;
상기 동공을 통해서 상기 금속판에 결합되며, 상기 금속판에 전력을 제공하는 전력케이블; 및
상기 동공과 상기 전력케이블을 덮도록 상기 실리콘커버 상에 접착되는 케이블배선커버; 를 포함하는,
실리콘 전극.electrode film;
Conductive fibers adhered on the electrode film;
A metal plate adhered on the conductive fiber;
A temperature sensor bonded to the metal plate;
A silicone cover adhered to the conductive fiber and the upper surface of the metal plate and having a cavity formed on the surface;
A power cable coupled to the metal plate through the cavity and providing power to the metal plate; and
a cable wiring cover attached to the silicone cover to cover the cavity and the power cable; Including,
Silicone electrode.
상기 전극필름은,
실리콘 또는 우레탄 소재를 포함하는,
실리콘 전극.According to paragraph 1,
The electrode film is,
Containing silicone or urethane material,
Silicone electrode.
상기 도전성 섬유는,
상기 전극필름에 실리콘 접착제를 사용하여 접착되는,
실리콘 전극.According to paragraph 1,
The conductive fiber is,
Adhered to the electrode film using a silicone adhesive,
Silicone electrode.
상기 금속판은,
상기 도전성 섬유의 면적 대비 20% 내지 70%의 면적을 가지며, 상기 도전성 섬유의 어느 한 코너 방향으로 치우쳐서 접착되는,
실리콘 전극.According to paragraph 1,
The metal plate is,
It has an area of 20% to 70% of the area of the conductive fiber, and is biased toward one corner of the conductive fiber and adhered.
Silicone electrode.
상기 금속판은,
구리, 알루미늄 또는 스테인리스스틸의 재질을 포함하는,
실리콘 전극.According to paragraph 1,
The metal plate is,
Containing materials of copper, aluminum or stainless steel,
Silicone electrode.
상기 실리콘 커버는,
상기 전극필름과 면적 및 형상이 동일하고, 상기 전극필름과 각 모서리가 일치하도록 실리콘 접착제를 사용하여 접착되며, 상기 전극필름과 상기 실리콘 커버의 사이에 상기 금속판과 상기 도전성 섬유를 포함하도록 접착되는,
실리콘 전극.According to paragraph 1,
The silicone cover is,
It has the same area and shape as the electrode film, is bonded using a silicone adhesive so that each corner matches the electrode film, and is bonded to include the metal plate and the conductive fiber between the electrode film and the silicone cover.
Silicone electrode.
상기 온도센서는,
상기 금속판에 실리콘으로 접합되며, 상기 금속판의 온도를 측정하는,
실리콘 전극.According to paragraph 1,
The temperature sensor is,
It is bonded to the metal plate with silicon and measures the temperature of the metal plate,
Silicone electrode.
상기 동공은,
상기 실리콘커버의 상부면과 하부면을 관통하고, 상기 전력케이블의 외경보다는 큰 내경을 가지며, 상기 실리콘커버가 상기 금속판 위에 접착될 때 상기 동공은 상기 금속판 위에 배치되도록 형성된,
실리콘 전극.According to paragraph 1,
The pupil is,
It penetrates the upper and lower surfaces of the silicon cover, has an inner diameter larger than the outer diameter of the power cable, and when the silicon cover is glued on the metal plate, the cavity is formed to be disposed on the metal plate,
Silicone electrode.
상기 온도센서에서 측정된 온도값이 사전에 설정된 기준 온도를 넘어가면 상기 전력케이블을 통해서 제공되는 전력이 감소될 수 있는,
실리콘 전극.According to paragraph 1,
If the temperature value measured by the temperature sensor exceeds a preset reference temperature, the power provided through the power cable may be reduced.
Silicone electrode.
상기 실리콘 전극에 제공되는 고주파 전력을 생성하는 전원부; 및
상기 실리콘 전극에서 측정된 온도를 바탕으로 상기 전원부를 제어하는 전력제어부;를 포함하되,
상기 실리콘 전극은,
전극필름, 상기 전극필름 위에 접착된 도전성 섬유, 상기 도전성 섬유 위에 접착된 금속판, 상기 금속판 상에 접합된 온도센서, 상기 도전성 섬유와 상기 금속판의 상부면에 접착되며 표면에 동공이 형성된 실리콘커버, 상기 동공을 통해서 상기 금속판에 결합되며 상기 금속판에 전력을 제공하는 전력케이블 및 상기 동공과 상기 전력케이블을 덮도록 상기 실리콘커버 상에 접착되는 케이블배선커버를 포함하는,
고주파 발생장치.silicon electrode;
a power supply unit that generates high-frequency power provided to the silicon electrode; and
Including a power control unit that controls the power supply unit based on the temperature measured at the silicon electrode,
The silicon electrode is,
An electrode film, a conductive fiber bonded on the electrode film, a metal plate bonded on the conductive fiber, a temperature sensor bonded on the metal plate, a silicone cover bonded to the upper surface of the conductive fiber and the metal plate and having a cavity formed on the surface, the A power cable coupled to the metal plate through a cavity and providing power to the metal plate, and a cable wiring cover attached to the silicone cover to cover the cavity and the power cable,
High frequency generator.
상기 전극필름은,
실리콘 또는 우레탄 소재를 포함하는,
고주파 발생장치.According to clause 10,
The electrode film is,
Containing silicone or urethane material,
High frequency generator.
상기 도전성 섬유는,
상기 전극필름에 실리콘 접착제를 사용하여 접착되는,
고주파 발생장치.According to clause 10,
The conductive fiber is,
Adhered to the electrode film using a silicone adhesive,
High frequency generator.
상기 금속판은,
상기 도전성 섬유의 면적 대비 20% 내지 70%의 면적을 가지며, 상기 도전성 섬유의 어느 한 코너 방향으로 치우쳐서 접착되는,
고주파 발생장치.According to clause 10,
The metal plate is,
It has an area of 20% to 70% of the area of the conductive fiber, and is biased toward one corner of the conductive fiber and adhered.
High frequency generator.
상기 금속판은,
구리, 알루미늄 또는 스테인리스스틸의 재질을 포함하는,
고주파 발생장치.According to clause 10,
The metal plate is,
Containing materials of copper, aluminum or stainless steel,
High frequency generator.
상기 실리콘 커버는,
상기 전극필름과 면적 및 형상이 동일하고, 상기 전극필름과 각 모서리가 일치하도록 실리콘 접착제를 사용하여 접착되며, 상기 전극필름과 상기 실리콘 커버의 사이에 상기 금속판과 상기 도전성 섬유를 포함하도록 접착되는,
고주파 발생장치.According to clause 10,
The silicone cover is,
It has the same area and shape as the electrode film, is bonded using a silicone adhesive so that each corner matches the electrode film, and is bonded to include the metal plate and the conductive fiber between the electrode film and the silicone cover.
High frequency generator.
상기 온도센서는,
상기 금속판에 실리콘으로 접합되며, 상기 금속판의 온도를 측정하는,
고주파 발생장치.According to clause 10,
The temperature sensor is,
It is bonded to the metal plate with silicon and measures the temperature of the metal plate,
High frequency generator.
상기 실리콘커버는,
상기 실리콘커버의 상부면과 하부면을 관통되게 형성된 동공을 포함하며,
상기 동공은,
상기 전력케이블의 외경보다는 큰 내경을 가지며, 상기 실리콘커버가 상기 금속판 위에 접착될 때 상기 동공은 상기 금속판 위에 배치되도록 형성된,
고주파 발생장치.According to clause 10,
The silicone cover is,
It includes a cavity formed to penetrate the upper and lower surfaces of the silicone cover,
The pupil is,
It has an inner diameter larger than the outer diameter of the power cable, and the cavity is formed to be disposed on the metal plate when the silicone cover is glued on the metal plate.
High frequency generator.
상기 전력제어부는,
상기 전원부에서 생성된 고주파 전력을 상기 전력케이블을 통해서 상기 실리콘 전극에 공급하는,
고주파 발생장치.According to clause 10,
The power control unit,
Supplying high-frequency power generated by the power source to the silicon electrode through the power cable,
High frequency generator.
상기 전력제어부는,
상기 온도센서에서 측정된 온도값이 사전에 설정된 기준 온도를 넘어가면 상기 전력케이블을 통해서 제공되는 전력을 차단하거나 감소시키는,
고주파 발생장치.According to clause 10,
The power control unit,
If the temperature value measured by the temperature sensor exceeds a preset reference temperature, the power provided through the power cable is blocked or reduced.
High frequency generator.
상기 전력제어부는,
인공지능 모델, 온도 수집부 및 전력공급부를 포함하며,
상기 온도 수집부는,
상기 온도센서에서 측정된 온도 데이터를 수집하며, 상기 수집된 온도 데이터를 상기 인공지능 모델에 입력하여 예측 온도를 획득하고, 상기 예측 온도와 상기 온도센서에서 현재 측정된 온도를 비교하여 비정상 온도 데이터 여부를 결정하고,
상기 전력공급부는,
상기 온도 수집부에서 상기 비정상 온도 데이터로 결정되면 상기 실리콘 전극에 공급되는 전력을 차단하거나 감소시키는,
고주파 발생장치.According to clause 10,
The power control unit,
Includes artificial intelligence model, temperature collection unit, and power supply unit,
The temperature collection unit,
Collect temperature data measured by the temperature sensor, input the collected temperature data into the artificial intelligence model to obtain a predicted temperature, and compare the predicted temperature with the temperature currently measured by the temperature sensor to determine whether abnormal temperature data is present. Decide,
The power supply unit,
When the temperature collection unit determines the abnormal temperature data, the power supplied to the silicon electrode is blocked or reduced.
High frequency generator.
상기 인공지능 모델은,
고주파 발생장치의 사용에 따른 피부 온도 데이터를 바탕으로 학습된 딥러닝(deep learning) 모델을 포함하는,
고주파 발생장치.According to clause 20,
The artificial intelligence model is,
Contains a deep learning model learned based on skin temperature data resulting from the use of a high-frequency generator,
High frequency generator.
상기 인공지능 모델은,
RNN(Recurrent Neural Network)을 포함하는,
고주파 발생장치.According to clause 21,
The artificial intelligence model is,
Including RNN (Recurrent Neural Network),
High frequency generator.
상기 온도 수집부는,
상기 현재 측정된 온도가 상기 예측 온도보다 사전에 정해진 기준 오차율 이상으로 큰 값이면 비정상 온도 데이터로 결정하는,
고주파 발생장치.According to clause 20,
The temperature collection unit,
Determining abnormal temperature data if the currently measured temperature is greater than the predicted temperature by more than a predetermined standard error rate,
High frequency generator.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220163549A KR102614949B1 (en) | 2022-11-30 | 2022-11-30 | Silicon electrode and radio frequency treatment device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220163549A KR102614949B1 (en) | 2022-11-30 | 2022-11-30 | Silicon electrode and radio frequency treatment device using the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR102614949B1 true KR102614949B1 (en) | 2023-12-19 |
Family
ID=89385319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020220163549A KR102614949B1 (en) | 2022-11-30 | 2022-11-30 | Silicon electrode and radio frequency treatment device using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102614949B1 (en) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS567785B2 (en) * | 1978-12-12 | 1981-02-19 | ||
| KR20130100443A (en) * | 2012-03-02 | 2013-09-11 | 박익로 | Electrode for stimulating living body |
| KR102039451B1 (en) | 2017-07-21 | 2019-11-01 | 정상문 | Apparatus generating low/high frequency wave with heating function |
| KR102039447B1 (en) * | 2017-07-11 | 2019-11-01 | 정상문 | Apparatus generating micro current with heating function |
| KR20210086392A (en) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 박영균 | Electrical stimulation pad |
-
2022
- 2022-11-30 KR KR1020220163549A patent/KR102614949B1/en active IP Right Grant
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