KR102604811B1 - Method of manufacturing hexagonal tungsten oxide and method of manufacturing an electrochromic device comprising the same - Google Patents
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Abstract
본 발명의 개념에 따른 육방정계 산화 텅스텐의 제조방법은 물 및 알코올 중 적어도 어느 하나를 포함하는 pH 8 내지 9의 알칼리성 용매를 준비하는 것, 상기 알칼리성 용매에 염화 텅스텐을 첨가하여 제1 반응 용액을 형성하는 것, 상기 제1 반응 용액에 첨가제를 첨가하여 제2 반응 용액을 형성하는 것, 및 상기 제2 반응 용액에 강산을 첨가하여 나노 입자를 형성하는 것을 포함한다. 상기 첨가제는 탄소수가 1개 내지 8개인 아민 화합물 및 탄소수가 10개 이상인 지방족 탄화수소 유도체 중 어느 하나를 포함한다.The method for producing hexagonal tungsten oxide according to the concept of the present invention includes preparing an alkaline solvent of pH 8 to 9 containing at least one of water and alcohol, adding tungsten chloride to the alkaline solvent to prepare a first reaction solution. forming a second reaction solution by adding an additive to the first reaction solution, and forming nanoparticles by adding a strong acid to the second reaction solution. The additive includes any one of an amine compound having 1 to 8 carbon atoms and an aliphatic hydrocarbon derivative having 10 or more carbon atoms.
Description
본 발명은 육방정계 산화 텅스텐의 제조 방법 및 이를 포함하는 전기변색 소자의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing hexagonal tungsten oxide and a method of manufacturing an electrochromic device containing the same.
전기 변색은 전기화학적 외부 자극에 의해 착색과 탈색이 가역적으로 일어나는 현상을 말한다. 일반적으로, 전기변색은 환원 착색/산화 착색 물질에 전자 및 이온(H+, Li+)의 삽입/추출 과정에 의해 발생한다. 산화 텅스텐(WO3)은 대표적인 전기 변색 물질에 해당한다. 산화 텅스텐은 환원착색물질로 소자 구현을 위해서 산화 텅스텐은 투명 전극(양극)에 증착된다. Electrodiscoloration refers to a phenomenon in which coloring and decolorization occur reversibly due to external electrochemical stimulation. In general, electrochromism occurs by the insertion/extraction process of electrons and ions (H + , Li + ) into reductive/oxidative colored materials. Tungsten oxide (WO 3 ) is a representative electrochromic material. Tungsten oxide is a reduced coloring material, and in order to implement a device, tungsten oxide is deposited on a transparent electrode (anode).
산화 텅스텐은 다양한 상이 있다. 산화 텅스텐은 상온에서 단사정계(monoclinic) 상으로 존재한다. Tungsten oxide comes in various phases. Tungsten oxide exists in a monoclinic phase at room temperature.
단사정계의 산화 텅스텐은 일반적으로 판상의 형태를 가진 입자로 존재한다. 단사정계 산화 텅스텐 나노 입자를 포함한 박막을 형성하면 입자 사이의 간격이 좁고 Li+, H+ 이온 등의 전해질의 전하의 이동도가 낮다. 따라서, 단사정계 나노 입자 박막으로 제작한 전기 변색 소자의 경우 변색 속도가 늦고 착색-탈색 사이의 안정성이 떨어진다. Monoclinic tungsten oxide generally exists as particles with a plate-like shape. When a thin film containing monoclinic tungsten oxide nanoparticles is formed, the gap between particles is narrow and the mobility of electrolyte charges such as Li + and H + ions is low. Therefore, in the case of electrochromic devices made from monoclinic nanoparticle thin films, the discoloration speed is slow and the stability between coloring and discoloring is poor.
육방정계 결정상으로 성장하는 입자는 일반적으로 1차원 성장으로 침상형 형태를 가진다. 침상형 결정으로 성장한 입자들은 박막으로 형성될 때 상대적으로 박막의 밀도가 낮고 입자 사이의 공극이 넓다. 그 결과, 박막의 비표면적이 증가한다. 따라서, Li+, H+ 이온 등의 전해질의 전하의 이동도가 크다. 육방정계 산화 텅스텐 나노 입자 박막으로 제작한 전기변색 소자의 변색 속도가 빠르고 착색-탈색 사이클 안정성이 향상된다.Particles growing in a hexagonal crystal phase generally have a needle-like shape due to one-dimensional growth. When particles grown as needle-shaped crystals are formed into a thin film, the density of the thin film is relatively low and the pores between particles are wide. As a result, the specific surface area of the thin film increases. Therefore, the mobility of charges in the electrolyte such as Li + and H + ions is large. The discoloration speed of electrochromic devices made from hexagonal tungsten oxide nanoparticle thin films is fast and the coloring-decolorizing cycle stability is improved.
산화 텅스텐은 특별한 공정을 이용하지 않으면 단사정계 산화 텅스텐으로 성장되기 때문에, 육방정계 산화 텅스텐을 형성하기 위한 많은 연구가 이루어지고 있다.Since tungsten oxide is grown into monoclinic tungsten oxide without using a special process, much research is being conducted to form hexagonal tungsten oxide.
본 발명에서 해결하고자 하는 과제는 고온 고압의 공정 없이 육방정계 산화텅스텐의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.The problem to be solved by the present invention is to provide a method for producing hexagonal tungsten oxide without a high temperature and high pressure process.
본 발명의 일 개념에 따른 육방정계 산화 텅스텐의 제조 방법은 물 및 알코올 중 적어도 어느 하나를 포함하는 pH 8 내지 9의 알칼리성 용매를 준비하는 것, 상기 알칼리성 용매에 염화 텅스텐을 첨가하여 제1 반응 용액을 형성하는 것, 상기 제1 반응 용액에 첨가제를 첨가하여 제2 반응 용액을 형성하는 것, 및 상기 제2 반응 용액에 강산을 첨가하여 나노 입자를 형성하는 것을 포함하고, 상기 첨가제는 탄소수가 1개 내지 8개인 아민 화합물 및 탄소수가 10개 이상인 지방족 탄화수소 유도체 중 어느 하나를 포함할 수 있다.A method for producing hexagonal tungsten oxide according to one concept of the present invention includes preparing an alkaline solvent of pH 8 to 9 containing at least one of water and alcohol, adding tungsten chloride to the alkaline solvent to produce a first reaction solution. forming a second reaction solution by adding an additive to the first reaction solution, and forming nanoparticles by adding a strong acid to the second reaction solution, wherein the additive has a carbon number of 1 It may include any one of amine compounds having 1 to 8 carbon atoms and aliphatic hydrocarbon derivatives having 10 or more carbon atoms.
일부 실시예들에 따르면, 상기 아민 화합물은 요소(urea), 모노에탄올아민(monoethanolamine), 아닐린(aniline), 옥틸아민(octylaime) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.According to some embodiments, the amine compound may include at least one of urea, monoethanolamine, aniline, and octylamine.
일부 실시예들에 따르면, 상기 아민 화합물의 첨가량은 상기 염화 텅스텐의 첨가량의 300mol% 내지 1200mol%일 수 있다.According to some embodiments, the amount of the amine compound added may be 300 mol% to 1200 mol% of the amount of tungsten chloride added.
일부 실시예들에 따르면, 상기 지방족 탄화수소 유도체는 폴리에틸렌 글라이콜(Polyethylene glycol), 폴리(메틸 메타크릴레이트), 폴리아크릴아마이드, 폴리비닐 알코올, 헥사데실아민 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.According to some embodiments, the aliphatic hydrocarbon derivative may include at least one of polyethylene glycol, poly(methyl methacrylate), polyacrylamide, polyvinyl alcohol, and hexadecylamine.
일부 실시예들에 따르면, 상기 지방족 탄화수소의 첨가량은 상기 염화 텅스텐의 첨가량의 30mol% 내지 120mol%일 수 있다.According to some embodiments, the amount of the aliphatic hydrocarbon added may be 30 mol% to 120 mol% of the amount of tungsten chloride added.
일부 실시예들에 따르면, 상기 제1 반응 용액을 만드는 것, 제2 반응 용액을 만드는 것, 및 상기 제2 반응 용액에 강산을 첨가하는 것은 60℃ 내지 80℃의 온도에서 이루어질 수 있다.According to some embodiments, making the first reaction solution, making the second reaction solution, and adding a strong acid to the second reaction solution may be performed at a temperature of 60°C to 80°C.
일부 실시예들에 따르면, 상기 강산을 첨가 후에 상온으로 냉각하여 상기 나노 입자를 석출시키는 것, 원심 분리 방법으로 상기 석출된 나노 입자를 분리하는 것, 상기 분리된 나노 입자를 세척하여 건조하는 것, 및 상기 건조된 나노 입자를 열처리하여 건조 분말을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.According to some embodiments, cooling to room temperature after adding the strong acid to precipitate the nanoparticles, separating the precipitated nanoparticles by centrifugation, washing and drying the separated nanoparticles, And it may further include heat treating the dried nanoparticles to form dry powder.
일부 실시예들에 따르면, 상기 건조 분말을 용매 및 약산과 함께 혼합하여 슬러리를 제조하는 것, 상기 슬러리를 양극 상에 코팅 하여 코팅막을 형성하는 것, 상기 코팅막을 사이에 두고 상기 양극과 이격하는 음극을 배치하는 것, 및 상기 코팅막 및 상기 음극 사이에 전해질을 삽입하는 것을 포함할 수 있다.According to some embodiments, mixing the dry powder with a solvent and a weak acid to prepare a slurry, coating the slurry on an anode to form a coating film, and a cathode spaced apart from the anode with the coating film interposed therebetween. It may include placing and inserting an electrolyte between the coating film and the cathode.
일부 실시예들에 따르면, 상기 용매는 물 및 알코올 중 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 약산은 TEOS(tetra-ethoxysilane), 초산(acetic acid), Poly(metacrylic acid) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.According to some embodiments, the solvent may include at least one of water and alcohol, and the weak acid may include at least one of TEOS (tetra-ethoxysilane), acetic acid, and poly (metacrylic acid). there is.
본 발명의 다른 일 개념에 따른 육방정계 산화 텅스텐의 제조 방법은 물 및 알코올 중 적어도 어느 하나를 포함하는 용매를 준비하는 것, 상기 용매에 알칼리 염을 첨가하여 알칼리성 용매를 형성하는 것, 상기 알칼리성 용매에 염화 텅스텐을 첨가하여 제1 반응 용액을 만드는 것, 상기 제1 반응 용액에 첨가제를 첨가하여 제2 반응 용액을 만드는 것, 및 상기 제2 반응 용액에 강산을 첨가하여 나노 입자를 형성하는 것을 포함하고, 상기 첨가제는 요소, 모노에탄올아민, 폴리에틸렌 글리콜 중 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 첨가되는 강산의 몰 수는 상기 염화 텅스텐의 몰 수와 상기 첨가제의 몰 수를 합보다 클 수 있다.A method for producing hexagonal tungsten oxide according to another concept of the present invention includes preparing a solvent containing at least one of water and alcohol, adding an alkali salt to the solvent to form an alkaline solvent, and forming the alkaline solvent. It includes adding tungsten chloride to make a first reaction solution, adding an additive to the first reaction solution to make a second reaction solution, and adding a strong acid to the second reaction solution to form nanoparticles. The additive includes at least one of urea, monoethanolamine, and polyethylene glycol, and the number of moles of the added strong acid may be greater than the sum of the number of moles of the tungsten chloride and the number of moles of the additive.
일부 실시예들에 따르면, 상기 첨가되는 강산의 몰 수는 상기 염화 텅스텐의 몰 수와 상기 첨가제의 몰 수의 합의 1.1배 이상일 수 있다.According to some embodiments, the number of moles of the added strong acid may be 1.1 times or more than the sum of the number of moles of the tungsten chloride and the number of moles of the additive.
본 발명의 또 다른 일 개념에 따른 육방정계 산화 텅스텐의 제조 방법은 물 및 알코올 중 적어도 어느 하나를 포함하는 용매를 준비하는 것, 상기 용매에 알칼리 염을 첨가하여 pH 8 내지 9인 알칼리성 용매를 형성하는 것, 상기 알칼리성 용매에 첨가제를 첨가하여 제1 반응 용액을 만드는 것, 상기 제1 반응 용액에 염화 텅스텐을 첨가하여 제2 반응 용액을 만드는 것, 및 상기 제2 반응 용액에 강산을 첨가하여 나노 입자를 형성하는 것을 포함하고, 상기 첨가제는 요소, 모노에탄올아민, 폴리에틸렌 글리콜 중 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 제1 반응 용액을 만드는 것, 제2 반응 용액을 만드는 것, 및 상기 제2 반응 용액에 강산을 첨가하는 것은 60℃ 내지 80℃의 온도에서 이루어질 수 있다.A method for producing hexagonal tungsten oxide according to another concept of the present invention includes preparing a solvent containing at least one of water and alcohol, and adding an alkali salt to the solvent to form an alkaline solvent with a pH of 8 to 9. making a first reaction solution by adding an additive to the alkaline solvent, making a second reaction solution by adding tungsten chloride to the first reaction solution, and adding a strong acid to the second reaction solution to form nano and forming particles, wherein the additive includes at least one of urea, monoethanolamine, and polyethylene glycol, making the first reaction solution, making the second reaction solution, and the second reaction solution. Adding a strong acid to can be done at a temperature of 60°C to 80°C.
본 발명에 따른 육방정계 산화텅스텐의 제조방법에 따라서, 고온 고압의 공정 없이 육방정계 산화텅스텐을 제조할 수 있다. According to the method for producing hexagonal tungsten oxide according to the present invention, hexagonal tungsten oxide can be produced without a high temperature and high pressure process.
도 1은 본 발명에 따른 육방정계 산화 텅스텐의 제조방법을 도식화한 순서도이다.
도 2는 실험예 1의 XRD(X Ray Diffraction) 그래프이다.
도 3은 실험예 2의 XRD 그래프이다.
도 4는 비교예의 XRD 그래프이다.1 is a flowchart schematically illustrating a method for producing hexagonal tungsten oxide according to the present invention.
Figure 2 is an XRD (X Ray Diffraction) graph of Experimental Example 1.
Figure 3 is an XRD graph of Experimental Example 2.
Figure 4 is an XRD graph of a comparative example.
본 발명의 구성 및 효과를 충분히 이해하기 위하여, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라, 여러 가지 형태로 구현될 수 있고 다양한 변경을 가할 수 있다. 단지, 본 실시예들의 설명을 통해 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위하여 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 구성 요소들은 설명의 편의를 위하여 그 크기가 실제보다 확대하여 도시한 것이며, 각 구성 요소의 비율은 과장되거나 축소될 수 있다. In order to fully understand the configuration and effects of the present invention, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the attached drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various forms and various changes can be made. However, the description of the present embodiments is provided to ensure that the disclosure of the present invention is complete and to fully inform those skilled in the art of the present invention of the scope of the invention. In the attached drawings, the components are shown enlarged in size for convenience of explanation, and the proportions of each component may be exaggerated or reduced.
도 1은 본 발명의 개념에 따른 육방정계 산화텅스텐의 제조방법을 나타낸 순서도이다. 이하의 모든 제조 방법은 추가적인 고압 조건 없이, 대기압 하에서 이루어질 수 있다. 1 is a flowchart showing a method for manufacturing hexagonal tungsten oxide according to the concept of the present invention. All manufacturing methods below can be carried out under atmospheric pressure, without additional high pressure conditions.
도 1을 참조하면, 물 및 알코올 중 적어도 어느 하나를 포함하는 알칼리성 용매가 준비될 수 있다(S100). 물은 일 예로 증류수 일 수 있다. 알코올은 일 예로 메탄올, 에탄올, 이소프로필알콜, n-부탄올, 에틸렌 글리콜 등 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, an alkaline solvent containing at least one of water and alcohol may be prepared (S100). The water may be distilled water, for example. For example, the alcohol may include at least one of methanol, ethanol, isopropyl alcohol, n-butanol, and ethylene glycol.
용매에 알칼리 염 또는 암모니아수를 첨가 및 용해시켜 상기 용매를 알칼리성 용매로 만들 수 있다(S200). 알칼리 염은 일 예로 NaOH, KOH, 및 Ca(OH)2 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 알칼리성 용매의 용해 공정은 20~80℃ 에서 진행될 수 있다. 알칼리성 용매의 pH는 8 내지 9로 조절될 수 있다. 알칼리성 용매의 pH가 8보다 낮은 경우, 이후의 알칼리성 용매에 염화 텅스텐의 용해가 잘 이루어지지 않을 수 있다(S300 참조). 알칼리성 용매의 pH가 9보다 높은 경우, 이후 강산을 첨가하는 공정에서 산화 텅스텐 입자가 생성되는 속도가 늦고 최종 산화 텅스텐 입자의 양이 첨가한 염화 텅스텐의 양에 비해 적을 수 있다(S500 참조).The solvent can be made into an alkaline solvent by adding and dissolving an alkaline salt or aqueous ammonia in the solvent (S200). For example, the alkaline salt may include at least one of NaOH, KOH, and Ca(OH) 2 . The dissolution process of alkaline solvent can be carried out at 20~80℃. The pH of the alkaline solvent can be adjusted to 8 to 9. If the pH of the alkaline solvent is lower than 8, tungsten chloride may not be dissolved well in the subsequent alkaline solvent (see S300). If the pH of the alkaline solvent is higher than 9, the rate at which tungsten oxide particles are generated in the subsequent process of adding strong acid may be slow and the final amount of tungsten oxide particles may be less than the amount of tungsten chloride added (see S500).
이어서 알칼리성 용매에 염화 텅스텐(WCl6)을 첨가 및 용해시켜 1차 반응 용액을 만들 수 있다(S300). 염화 텅스텐(WCl6)의 용해 공정은 60~80℃ 에서 진행될 수 있다. Next, tungsten chloride (WCl 6 ) can be added and dissolved in an alkaline solvent to create a first reaction solution (S300). The dissolution process of tungsten chloride (WCl 6 ) can be carried out at 60~80℃.
1차 반응 용액에 첨가제를 첨가 및 용해시켜 제2차 반응용액을 만들 수 있다(S400). 첨가제의 용해 공정은 60~80℃ 에서 진행될 수 있다. The second reaction solution can be prepared by adding and dissolving additives in the first reaction solution (S400). The additive dissolution process can be carried out at 60~80℃.
첨가제는 아민 화합물 또는 지방족 탄화수소 유도체를 포함할 수 있다. Additives may include amine compounds or aliphatic hydrocarbon derivatives.
아민 화합물은 요소(urea), 모노에탄올아민(monoethanolamine), 아닐린(aniline), 옥틸아민(octylaime) 등을 포함할 수 있다. 상기 아민 화합물은 8개 이하인 탄소를 포함할 수 있다. Amine compounds may include urea, monoethanolamine, aniline, octylamine, etc. The amine compound may contain 8 or less carbons.
지방족 탄화수소 유도체는 10개보다 많은 탄소를 포함할 수 있다. 지방족 탄화수소 유도체는 폴리에틸렌 글라이콜(PEG:Polyethylene glycol), 폴리(메틸 메타크릴레이트(PMMA: (Poly(methyl methacrylate)), 폴리아크릴아미드(Polyacrylamide), 폴리비닐 알코올(Polyvinyl alcohol), 헥사데실아민(hexadecylamine) 등을 포함할 수 있다. Aliphatic hydrocarbon derivatives may contain more than 10 carbons. Aliphatic hydrocarbon derivatives include polyethylene glycol (PEG), poly(methyl methacrylate) (PMMA), polyacrylamide, polyvinyl alcohol, and hexadecylamine. (hexadecylamine) and the like.
일 예로, 요소 및 모노 에탄올아민 중 적어도 어느 하나를 포함하는 아민 화합물의 경우, 아민 화합물은 제1차 반응 용액에 용해된 염화 텅스텐의 300 mol% 내지 1200mol%을 첨가할 수 있다.For example, in the case of an amine compound containing at least one of urea and monoethanolamine, 300 mol% to 1200 mol% of tungsten chloride dissolved in the first reaction solution may be added to the amine compound.
다른 일 예로 폴리에틸렌 글라이콜(PEG:Polyethylene glycol)을 포함하는 지방족 탄화수소 유도체의 경우, 지방족 탄화수소 유도체는 1000g/mol 이하의 질량을 가질 수 있다. 지방족 탄화수소 유도체는 제1차 반응 용액에 용해된 염화 텅스텐의 30 mol% 내지 120mol%을 첨가할 수 있다.As another example, in the case of an aliphatic hydrocarbon derivative including polyethylene glycol (PEG), the aliphatic hydrocarbon derivative may have a mass of 1000 g/mol or less. The aliphatic hydrocarbon derivative may be added in an amount of 30 mol% to 120 mol% of tungsten chloride dissolved in the first reaction solution.
제2차 반응 용액에 강산을 첨가하여 나노 입자를 형성할 수 있다(S500). 형성된 나노 입자는 육방정계 산화 텅스텐 입자일 수 있다. 본 명세서에서 강산은 pH 3 이하의 산으로 정의될 수 있다. 산 첨가 공정은 60~80℃ 에서 진행될 수 있다. 강산은 질산(HNO3) 및 염산(HCl) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 첨가되는 강산의 몰 수는 염화 텅스텐의 몰 수와 알칼리 염의 몰 수의 합보다 클 수 있다. 일 예로, 강산의 몰 수는 염화 텅스텐의 몰 수와 알칼리 염의 몰 수의 합의 1.1배 이상일 수 있다. 위 비율보다 강산이 적게 첨가되는 경우, 산화 텅스텐 입자가 생성되는 속도가 늦고, 생성된 산화 텅스텐 입자의 양이 투입된 염화 텅스텐의 양보다 많이 적게 된다. 강산의 첨가 반응은 작은 방울로 강산을 천천히 적하하여, pH 변화가 천천히 이루어지게 할 수 있다. 강산 첨가 속도가 빠른 경우 생성되는 산화 텅스텐 입자가 빠르게 응집하여 크기가 증가할 수 있다.Nanoparticles can be formed by adding strong acid to the second reaction solution (S500). The formed nanoparticles may be hexagonal tungsten oxide particles. In this specification, a strong acid may be defined as an acid with a pH of 3 or less. The acid addition process can be carried out at 60~80℃. The strong acid may include at least one of nitric acid (HNO 3 ) and hydrochloric acid (HCl). The number of moles of strong acid added may be greater than the sum of the number of moles of tungsten chloride and the number of moles of the alkali salt. For example, the number of moles of the strong acid may be 1.1 times or more than the sum of the number of moles of the tungsten chloride and the number of moles of the alkali salt. If less strong acid is added than the above ratio, the rate at which tungsten oxide particles are generated is slow, and the amount of tungsten oxide particles generated is much smaller than the amount of tungsten chloride added. The addition reaction of a strong acid can be done by slowly dropping the strong acid in small droplets, allowing the pH to change slowly. If the rate of addition of strong acid is fast, the resulting tungsten oxide particles may quickly aggregate and increase in size.
상기 제1차 반응용액 제조 공정과 제2차 반응용액 제조공정의 순서는 서로 변경될 수 있다. 즉, 첨가제를 먼저 알칼리성 용매에 용해시키고, 추가적으로 염화 텅스텐을 용해시킬 수 있다.The order of the first reaction solution preparation process and the second reaction solution preparation process may be changed. That is, the additive may first be dissolved in an alkaline solvent, and then tungsten chloride may be additionally dissolved.
이어서 상온으로 냉각하여 산화텅스텐 나노 입자를 석출할 수 있다. 원심 분리 방법을 이용하여 석출된 나노 입자를 분리할 수 있다. 분리된 나노 입자를 세척하여 건조할 수 있다. 건조된 나노 입자를 열처리하여 건조 분말을 형성할 수 있다.Then, it can be cooled to room temperature to precipitate tungsten oxide nanoparticles. Precipitated nanoparticles can be separated using a centrifugation method. Separated nanoparticles can be washed and dried. Dried nanoparticles can be heat treated to form dry powder.
(실험예 1)(Experimental Example 1)
에틸렌글리콜 100g에 증류수 200g을 더하여 용매를 준비하였다. 상온 상태에서, 용매에 수산화나트륨 5g를 첨가하고, 용해시켜 알칼리성 용매를 제조하였다. 이어서 80℃ 온도까지 올렸다. 상기 알칼리성 용매에 염화 텅스텐 10g을 첨가하고 용해시켜 제1차 반응 용액을 형성하였다. 상기 제1차 반응 용액에 요소 10g을 첨가하고 용해시켜 제2차 반응 용액을 형성하였다. 제2차 반응 용액에 질산(70%) 18g과 증류수 15g을 더하여 60분동안 적하(dropping)하여 생성 용액을 형성하였다. 생성 용액을 80℃에서 교반하면서 4시간동안 유지하였다. A solvent was prepared by adding 200 g of distilled water to 100 g of ethylene glycol. At room temperature, 5 g of sodium hydroxide was added to the solvent and dissolved to prepare an alkaline solvent. Then, the temperature was raised to 80°C. 10 g of tungsten chloride was added to the alkaline solvent and dissolved to form a first reaction solution. 10 g of urea was added to the first reaction solution and dissolved to form a second reaction solution. To the second reaction solution, 18 g of nitric acid (70%) and 15 g of distilled water were added and dropped over 60 minutes to form a resulting solution. The resulting solution was maintained at 80°C with stirring for 4 hours.
교반을 중지하고, 상온으로 냉각하여, 원심 분리 방법으로 산화 텅스텐 입자를 분리하였다. 산화 텅스텐 입자를 메탄올로 세척하고 건조한 뒤에, 공기 중에서 350℃ 에서 열처리 하여 건조 분말을 형성하였다. Stirring was stopped, cooled to room temperature, and tungsten oxide particles were separated by centrifugation. The tungsten oxide particles were washed with methanol, dried, and then heat-treated at 350°C in air to form dry powder.
(실험예 2)(Experimental Example 2)
에틸렌글리콜 50g에 증류수 250g을 더하여 용매를 준비하였다. 상온 상태에서, 용매에 수산화나트륨 18g를 첨가하고, 용해시켜 알칼리성 용매를 제조하였다. 이어서 80℃ 온도까지 올렸다. 상기 알칼리성 용매에 염화 텅스텐 22g을 첨가하고 용해시켜 제1차 반응 용액을 형성하였다. 상기 제1차 반응 용액에 폴리에틸렌글리콜 22g을 첨가하여 용해시켜 제2차 반응 용액을 형성하였다. 제2차 반응 용액에 질산(70%) 35g과 증류수 65g을 더하여 60분동안 적하(dropping)하여 생성 용액을 형성하였다. 생성 용액을 80℃에서 교반하면서 4시간동안 유지하였다. A solvent was prepared by adding 250 g of distilled water to 50 g of ethylene glycol. At room temperature, 18 g of sodium hydroxide was added to the solvent and dissolved to prepare an alkaline solvent. Then, the temperature was raised to 80°C. 22 g of tungsten chloride was added to the alkaline solvent and dissolved to form a first reaction solution. 22 g of polyethylene glycol was added to the first reaction solution and dissolved to form a second reaction solution. To the second reaction solution, 35 g of nitric acid (70%) and 65 g of distilled water were added and dropped for 60 minutes to form a resulting solution. The resulting solution was maintained at 80°C with stirring for 4 hours.
교반을 중지하고, 상온으로 냉각하여, 원심 분리 방법으로 산화 텅스텐 입자를 분리하였다. 산화 텅스텐 입자를 메탄올로 세척하고 건조한 뒤에, 공기 중에서 350℃ 에서 열처리 하여 건조 분말을 형성하였다. Stirring was stopped, cooled to room temperature, and tungsten oxide particles were separated by centrifugation. The tungsten oxide particles were washed with methanol, dried, and then heat-treated at 350°C in air to form dry powder.
(비교예)(Comparative example)
실험예 1 및 실험예 2와 달리 알칼리성 용매의 형성, 및 첨가제를 첨가하지 않은 것을 제외하고는 실질적으로 실험예 1 및 실험예 2와 유사하게 실험하였다. Unlike Experiment 1 and Experiment 2, the experiment was substantially similar to Experiment 1 and Experiment 2, except that an alkaline solvent was not formed and no additives were added.
에틸렌글리콜 100g을 용매로 준비하였다. 상기 용매에 염화 텅스텐 10g을 첨가하고 용해시켜 반응 용액을 형성하였다. 상기 반응 용액에 질산(70%) 20g과 증류수 200g을 더하여 60분동안 적하(dropping)하여 생성 용액을 형성하였다. 생성 용액을 80℃에서 교반하면서 4시간동안 유지하였다. 100 g of ethylene glycol was prepared as a solvent. 10 g of tungsten chloride was added to the solvent and dissolved to form a reaction solution. 20 g of nitric acid (70%) and 200 g of distilled water were added to the reaction solution and dropped over 60 minutes to form a resulting solution. The resulting solution was maintained at 80°C with stirring for 4 hours.
교반을 중지하고, 상온으로 냉각하여, 원심 분리 방법으로 입자를 분리하였다. 입자를 메탄올로 세척하고 건조한 뒤에, 공기 중에서 350℃ 에서 열처리 하여 건조 분말을 형성하였다.Stirring was stopped, cooled to room temperature, and particles were separated by centrifugation. The particles were washed with methanol, dried, and then heat-treated at 350°C in air to form dry powder.
도 2는 실험예 1의 XRD 그래프이다. 도 3은 실험예 2의 XRD 그래프이다. 도 4는 비교예의 XRD 그래프이다. Figure 2 is an XRD graph of Experimental Example 1. Figure 3 is an XRD graph of Experimental Example 2. Figure 4 is an XRD graph of a comparative example.
도 2 및 도 3을 참조하면, 육방정계 산화 텅스텐의 (100) 면에서의 피크가 관찰되었다. 이에 반하여 비교예에서는 육방정계 산화 텅스텐이 아닌 단사정계의 산화 텅스텐의 피크가 관찰되었다. 즉, 실험예 1, 및 실험예 2와 비교예를 비교하면, 알칼리성 용매의 사용, 첨가제의 사용에 따라서 육방정계 산화 텅스텐이 형성됨을 알 수 있다.Referring to Figures 2 and 3, a peak on the (100) plane of hexagonal tungsten oxide was observed. In contrast, in the comparative example, the peak of monoclinic tungsten oxide rather than hexagonal tungsten oxide was observed. That is, comparing Experimental Examples 1 and 2 with Comparative Examples, it can be seen that hexagonal tungsten oxide is formed depending on the use of alkaline solvents and additives.
본 발명의 개념에 따라 형성된 건조 분말을 용매 및 약산과 함께 볼 밀(ball mill)에 넣고 밀링(milling)함으로써, 슬러리(slurry)가 제조될 수 있다. 용매는 물, 알코올, 또는 물과 알코올의 혼합물 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 알코올은 메탄올, 에탄올, 이소프로필알콜, n-부탄올, 에틸렌글리콜 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 약산은 TEOS(tetra-ethoxysilane), 초산(acetic acid), Poly(metacrylic acid) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 본 명세서에서 약산은 pH 3.5 이상 및 7 미만의 산으로 정의될 수 있다. 용매 및 열처리 분말의 혼합 용액을 10~25 중량%에 약산의 중량은 0.1~10 중량%으로 혼합될 수 있다. A slurry can be produced by placing the dry powder formed according to the concept of the present invention together with a solvent and a weak acid in a ball mill and milling. The solvent may include either water, alcohol, or a mixture of water and alcohol. Alcohol may include any one of methanol, ethanol, isopropyl alcohol, n-butanol, and ethylene glycol. The weak acid may include at least one of TEOS (tetra-ethoxysilane), acetic acid, and poly (metacrylic acid). In this specification, a weak acid may be defined as an acid with a pH of 3.5 or higher and less than 7. A mixed solution of solvent and heat-treated powder may be mixed at 10 to 25% by weight and 0.1 to 10% by weight of weak acid.
이어서 슬러리를 스핀 코팅 또는 딥 코팅과 같은 용액 코팅 방법을 이용하여 양극 상에 코팅막을 형성할 수 있다. 양극은 일예로 ITO 전극일 수 있다. 음극을 상기 양극과 반대편에 고정한 후 이들 사이에 전해질을 삽입하고 밀봉하면 전기 변색 소자가 생성될 수 있다.The slurry can then be used to form a coating film on the anode using a solution coating method such as spin coating or dip coating. The anode may be, for example, an ITO electrode. An electrochromic device can be created by fixing a cathode opposite to the anode and then inserting and sealing an electrolyte between them.
(실험예 1에 따른 육방정계 산화 텅스텐을 포함하는 코팅막)(Coating film containing hexagonal tungsten oxide according to Experimental Example 1)
실험예 1에 따른 건조 분말 4g, 에탄올 20g, TEOS 0.3g, 증류수 0.7g, 염산 0.007g, PMAA(polymethyl methacrylate) 0.04g을 볼밀에 넣고 5일간 밀링하여 슬러리를 제조하였다. 슬러리를 ITO 상에 위에 1200rpm에서 30초동안 스핀 코팅하여 코팅막을 형성하였다. A slurry was prepared by putting 4 g of dry powder, 20 g of ethanol, 0.3 g of TEOS, 0.7 g of distilled water, 0.007 g of hydrochloric acid, and 0.04 g of PMAA (polymethyl methacrylate) according to Experimental Example 1 into a ball mill and milling for 5 days. The slurry was spin-coated on the ITO at 1200 rpm for 30 seconds to form a coating film.
코팅막의 투명도를 측정한 결과 헤이즈(haze) 지수는 4.8%로 투명하였다. 이는 산화 텅스텐의 입자의 크기가 가시광선의 중심 파장(Central Wavelength)인 550nm보다 작음을 알 수 있다. SEM 사진으로 확인 결과, 코팅막을 이루는 입자의 크기는 50nm의 크기로 관찰되었다.As a result of measuring the transparency of the coating film, the haze index was transparent at 4.8%. This shows that the particle size of tungsten oxide is smaller than 550 nm, which is the central wavelength of visible light. As confirmed by SEM photographs, the size of the particles forming the coating film was observed to be 50 nm.
(실험예 2에 따른 육방정계 산화 텅스텐을 포함하는 코팅막)(Coating film containing hexagonal tungsten oxide according to Experimental Example 2)
실험예 2에 따른 열처리 분말 4g, 에탄올 20g, TEOS 0.3g, 증류수 0.7g, 염산 0.007g, PMAA(polymethyl methacrylate) 0.04g을 볼밀에 넣고 5일간 볼밀링하여 슬러리를 제조하였다. 상기 슬러리를 ITO 상에 1200rpm에서 30초동안 스핀 코팅하여 코팅막을 형성하였다. 코팅막의 투명도를 측정한 결과 헤이즈(haze) 지수는 4.9%로 투명하였다. 4 g of heat-treated powder according to Experimental Example 2, 20 g of ethanol, 0.3 g of TEOS, 0.7 g of distilled water, 0.007 g of hydrochloric acid, and 0.04 g of polymethyl methacrylate (PMAA) were placed in a ball mill and ball milled for 5 days to prepare a slurry. The slurry was spin coated on ITO at 1200 rpm for 30 seconds to form a coating film. As a result of measuring the transparency of the coating film, the haze index was transparent at 4.9%.
위 코팅막의 투명도를 관찰해 본 결과 본 발명의 제조방법에 따라서 형성된 육방정계 산화 텅스텐의 경우, 일반적인 볼 밀링 만으로도 투명해질 정도의 작은 사이즈로 형성됨을 알 수 있다.As a result of observing the transparency of the above coating film, it can be seen that the hexagonal tungsten oxide formed according to the manufacturing method of the present invention is formed in a small size enough to become transparent through general ball milling alone.
기존의 육방정계 산화 텅스텐의 제조방법들의 경우 아래와 같은 문제들로 인하여 개선점이 요구되었다. 일 방법의 경우, 수소 분위기를 이용한 환원 분위기가 필요하여 제조과정이 위험하였다. 다른 일 방법인 수열(hydrothermal) 합성법의 경우 생산량이 적고 고온, 고압의 조건이 요구되었다. 또 다른 일 방법의 경우 별도의 유기 용매들이 필수적으로 요구되었다.In the case of existing methods for manufacturing hexagonal tungsten oxide, improvements were required due to the following problems. In the case of one method, a reducing atmosphere using a hydrogen atmosphere was required, making the manufacturing process dangerous. In the case of another method, hydrothermal synthesis, the production volume was low and conditions of high temperature and pressure were required. In another method, separate organic solvents were essentially required.
본 발명의 경우, 고온, 고압의 조건이 요구되지 않고, 별도의 유기 용매가 필요 없이도 대량 생산이 가능한 제조 공정을 사용하여 육방정계 산화 텅스텐을 제조할 수 있다.In the case of the present invention, hexagonal tungsten oxide can be manufactured using a manufacturing process that does not require high temperature and high pressure conditions and allows mass production without the need for a separate organic solvent.
이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 설명하였지만, 본 발명은 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수도 있다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야 한다.Above, embodiments of the present invention have been described with reference to the attached drawings, but the present invention may be implemented in other specific forms without changing the technical idea or essential features. Therefore, the embodiments described above should be understood as illustrative in all respects and not restrictive.
Claims (16)
상기 알칼리성 용매에 염화 텅스텐을 첨가하여 제1 반응 용액을 형성하는 것;
상기 제1 반응 용액에 첨가제를 첨가하여 제2 반응 용액을 형성하는 것; 및
상기 제2 반응 용액에 강산을 첨가하여 나노 입자를 형성하는 것을 포함하고,
상기 첨가제는 탄소수가 1개 내지 8개인 아민 화합물 및 탄소수가 10개 이상인 지방족 탄화수소 유도체 중의 어느 하나를 포함하는 육방정계 산화 텅스텐의 제조방법.
Preparing an alkaline solvent of pH 8 to 9 containing at least one of water and alcohol;
Adding tungsten chloride to the alkaline solvent to form a first reaction solution;
adding an additive to the first reaction solution to form a second reaction solution; and
Including adding a strong acid to the second reaction solution to form nanoparticles,
A method for producing hexagonal tungsten oxide, wherein the additive includes any one of an amine compound having 1 to 8 carbon atoms and an aliphatic hydrocarbon derivative having 10 or more carbon atoms.
상기 아민 화합물은 요소(urea), 모노에탄올아민(monoethanolamine), 아닐린(aniline), 옥틸아민(octylaime) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 육방정계 산화 텅스텐의 제조방법.
According to paragraph 1,
A method for producing hexagonal tungsten oxide, wherein the amine compound includes at least one of urea, monoethanolamine, aniline, and octylamine.
상기 아민 화합물의 첨가량은 상기 염화 텅스텐의 첨가량의 300mol% 내지 1200mol%인 육방정계 산화 텅스텐의 제조방법.
According to paragraph 1,
A method for producing hexagonal tungsten oxide, wherein the amount of the amine compound added is 300 mol% to 1200 mol% of the amount of tungsten chloride.
상기 지방족 탄화수소 유도체는 폴리에틸렌 글라이콜(Polyethylene glycol), 폴리(메틸 메타크릴레이트), 폴리아크릴아마이드, 폴리비닐 알코올, 헥사데실아민 중 적어도 어느 하나를 포함하는 육방정계 산화 텅스텐의 제조방법.
According to paragraph 1,
A method for producing hexagonal tungsten oxide, wherein the aliphatic hydrocarbon derivative includes at least one of polyethylene glycol, poly(methyl methacrylate), polyacrylamide, polyvinyl alcohol, and hexadecylamine.
상기 지방족 탄화수소의 첨가량은 상기 염화 텅스텐의 첨가량의 30mol% 내지 120mol%인 육방정계 산화 텅스텐의 제조방법.
According to paragraph 1,
A method for producing hexagonal tungsten oxide, wherein the amount of the aliphatic hydrocarbon added is 30 mol% to 120 mol% of the amount of tungsten chloride added.
상기 제1 반응 용액을 만드는 것, 제2 반응 용액을 만드는 것, 및 상기 제2 반응 용액에 강산을 첨가하는 것은 60℃ 내지 80℃의 온도에서 이루어지는 육방정계 산화 텅스텐의 제조방법.
According to paragraph 1,
A method for producing hexagonal tungsten oxide, wherein making the first reaction solution, making the second reaction solution, and adding a strong acid to the second reaction solution are performed at a temperature of 60°C to 80°C.
상기 강산을 첨가 후에 상온으로 냉각하여 상기 나노 입자를 석출시키는 것;
원심 분리 방법으로 상기 석출된 나노 입자를 분리하는 것;
상기 분리된 나노 입자를 세척하여 건조하는 것; 및
상기 건조된 나노 입자를 열처리하여 건조 분말을 형성하는 것을 더 포함하는 육방정계 산화 텅스텐의 제조방법.
According to paragraph 1,
Precipitating the nanoparticles by cooling to room temperature after adding the strong acid;
Separating the precipitated nanoparticles by centrifugation;
Washing and drying the separated nanoparticles; and
A method for producing hexagonal tungsten oxide further comprising heat-treating the dried nanoparticles to form dry powder.
상기 알칼리성 용매에 염화 텅스텐을 첨가하여 제1 반응 용액을 형성하는 것;
상기 제1 반응 용액에 첨가제를 첨가하여 제2 반응 용액을 형성하는 것;
상기 제2 반응 용액에 강산을 첨가하여 육방정계 산화 텅스텐을 형성하는 것을 포함하고,
상기 강산을 첨가 후에 상온으로 냉각하여 상기 육방정계 산화 텅스텐을 석출시키는 것;
원심 분리 방법으로 상기 석출된 육방정계 산화 텅스텐을 분리하는 것;
상기 분리된 육방정계 산화 텅스텐을 세척하여 건조하는 것;
상기 건조된 육방정계 산화 텅스텐을 열처리하여 건조 분말을 형성하는 것;
상기 건조 분말을 용매 및 약산과 함께 혼합하여 슬러리를 제조하는 것;
상기 슬러리를 양극 상에 코팅 하여 코팅막을 형성하는 것;
상기 코팅막을 사이에 두고 상기 양극과 이격하는 음극을 배치하는 것; 및
상기 코팅막 및 상기 음극 사이에 전해질을 삽입하는 것을 포함하고,
상기 첨가제는 탄소수가 1개 내지 8개인 아민 화합물 및 탄소수가 10개 이상인 지방족 탄화수소 유도체 중의 어느 하나를 포함하는 전기 변색 소자의 제조 방법.
Preparing an alkaline solvent of pH 8 to 9 containing at least one of water and alcohol;
Adding tungsten chloride to the alkaline solvent to form a first reaction solution;
adding an additive to the first reaction solution to form a second reaction solution;
Adding a strong acid to the second reaction solution to form hexagonal tungsten oxide,
After adding the strong acid, cooling to room temperature to precipitate the hexagonal tungsten oxide;
Separating the precipitated hexagonal tungsten oxide by centrifugation;
Washing and drying the separated hexagonal tungsten oxide;
heat-treating the dried hexagonal tungsten oxide to form dry powder;
Mixing the dry powder with a solvent and a weak acid to prepare a slurry;
Forming a coating film by coating the slurry on the anode;
Disposing a cathode spaced apart from the anode with the coating film therebetween; and
Including inserting an electrolyte between the coating film and the cathode,
The method of manufacturing an electrochromic device wherein the additive includes any one of an amine compound having 1 to 8 carbon atoms and an aliphatic hydrocarbon derivative having 10 or more carbon atoms.
상기 용매는 물 및 알코올 중 적어도 어느 하나를 포함하고,
상기 약산은 TEOS(tetra-ethoxysilane), 초산(acetic acid), Poly(metacrylic acid) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 전기 변색 소자의 제조 방법.
According to clause 8,
The solvent includes at least one of water and alcohol,
A method of manufacturing an electrochromic device wherein the weak acid includes at least one of TEOS (tetra-ethoxysilane), acetic acid, and poly (metacrylic acid).
상기 용매에 알칼리 염을 첨가하여 알칼리성 용매를 형성하는 것;
상기 알칼리성 용매에 염화 텅스텐을 첨가하여 제1 반응 용액을 만드는 것;
상기 제1 반응 용액에 첨가제를 첨가하여 제2 반응 용액을 만드는 것; 및
상기 제2 반응 용액에 강산을 첨가하여 나노 입자를 형성하는 것을 포함하고,
상기 첨가제는:
요소, 모노에탄올아민, 폴리에틸렌 글리콜 중 적어도 어느 하나를 포함하고,
상기 첨가되는 강산의 몰 수는 상기 염화 텅스텐의 몰 수와 상기 첨가제의 몰 수를 합보다 큰 육방정계 산화 텅스텐의 제조방법.
preparing a solvent containing at least one of water and alcohol;
adding an alkaline salt to the solvent to form an alkaline solvent;
Adding tungsten chloride to the alkaline solvent to create a first reaction solution;
adding an additive to the first reaction solution to create a second reaction solution; and
Including adding a strong acid to the second reaction solution to form nanoparticles,
The additives are:
Contains at least one of urea, monoethanolamine, and polyethylene glycol,
A method for producing hexagonal tungsten oxide, wherein the number of moles of the added strong acid is greater than the sum of the number of moles of the tungsten chloride and the number of moles of the additive.
상기 첨가되는 강산의 몰 수는 상기 염화 텅스텐의 몰 수와 상기 첨가제의 몰 수의 합의 1.1배 이상인 육방정계 산화 텅스텐의 제조방법.
According to clause 10,
A method for producing hexagonal tungsten oxide, wherein the number of moles of the added strong acid is 1.1 times or more than the sum of the number of moles of the tungsten chloride and the number of moles of the additive.
상기 알칼리성 용매의 pH는 8 내지 9인 육방정계 산화 텅스텐의 제조방법.
According to clause 10,
A method for producing hexagonal tungsten oxide wherein the alkaline solvent has a pH of 8 to 9.
상기 알칼리성 용매를 형성하는 것은 20℃ 내지 80℃의 온도에서 이루어지는 육방정계 산화 텅스텐의 제조방법.
According to clause 10,
A method of producing hexagonal tungsten oxide in which the formation of the alkaline solvent is performed at a temperature of 20°C to 80°C.
상기 제1 반응 용액을 만드는 것, 제2 반응 용액을 만드는 것, 및 상기 제2 반응 용액에 강산을 첨가하는 것은 60℃ 내지 80℃의 온도에서 이루어지는 육방정계 산화 텅스텐의 제조방법.
According to clause 10,
A method for producing hexagonal tungsten oxide, wherein making the first reaction solution, making the second reaction solution, and adding a strong acid to the second reaction solution are performed at a temperature of 60°C to 80°C.
상기 강산을 첨가 후에, 상온으로 냉각하여 상기 나노 입자를 석출시키는 것;
원심 분리 방법으로 상기 석출된 나노 입자를 분리하는 것;
상기 분리된 나노 입자를 세척하여 건조하는 것; 및
상기 건조된 나노 입자를 열처리하여 건조 분말을 형성하는 것을 더 포함하는 육방정계 산화 텅스텐의 제조방법.
According to clause 10,
After adding the strong acid, cooling to room temperature to precipitate the nanoparticles;
Separating the precipitated nanoparticles by centrifugation;
Washing and drying the separated nanoparticles; and
A method for producing hexagonal tungsten oxide further comprising heat-treating the dried nanoparticles to form dry powder.
상기 용매에 알칼리 염을 첨가하여 pH 8 내지 9인 알칼리성 용매를 형성하는 것;
상기 알칼리성 용매에 첨가제를 첨가하여 제1 반응 용액을 만드는 것;
상기 제1 반응 용액에 염화 텅스텐을 첨가하여 제2 반응 용액을 만드는 것; 및
상기 제2 반응 용액에 강산을 첨가하여 나노 입자를 형성하는 것을 포함하고,
상기 첨가제는:
요소, 모노에탄올아민, 폴리에틸렌 글리콜 중 적어도 어느 하나를 포함하고,
상기 제1 반응 용액을 만드는 것, 제2 반응 용액을 만드는 것, 및 상기 제2 반응 용액에 강산을 첨가하는 것은 60℃ 내지 80℃의 온도에서 이루어지는 육방정계 산화 텅스텐의 제조 방법.
preparing a solvent containing at least one of water and alcohol;
adding an alkaline salt to the solvent to form an alkaline solvent having a pH of 8 to 9;
Adding additives to the alkaline solvent to create a first reaction solution;
Adding tungsten chloride to the first reaction solution to create a second reaction solution; and
Including adding a strong acid to the second reaction solution to form nanoparticles,
The additives are:
Contains at least one of urea, monoethanolamine, and polyethylene glycol,
A method for producing hexagonal tungsten oxide, wherein making the first reaction solution, making the second reaction solution, and adding a strong acid to the second reaction solution are performed at a temperature of 60°C to 80°C.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US17/477,182 US11873232B2 (en) | 2020-12-01 | 2021-09-16 | Method for producing hexagonal tungsten oxide and method for producing electrochromic device including the same |
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|---|---|
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-
2021
- 2021-03-17 KR KR1020210034545A patent/KR102604811B1/en active IP Right Grant
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| talanta 85 (2011) 2166~2174 |
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