KR102602431B1 - Apparatus for detecting nano particle having monitoring pd and method using same - Google Patents

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Abstract

본 발명에 의한 모니터링 PD가 구비된 나노파티클 검출장치 및 이를 이용한 나노파티클 검출방법은, 정원경의 일부와 타원경의 일부가 상호 결합되는 이종챔버를 지지하는 챔버 케이싱; 상기 챔버 케이싱에 결합되며, 공기 중 에어를 상기 타원경의 제1 초점으로 투입하는 에어입출부; 상기 챔버 케이싱의 일측에 연결되어 상기 이종챔버에 입력광원을 송출하는 광원부; 상기 챔버 케이싱의 상부에 결합되며, 상기 이종챔버로부터 스캐터링되는 산란광을 검출하도록 상기 이종챔버의 제2 초점에 배치되는 수광소자를 포함하는 수광부; 상기 이종챔버를 사이에 두고 상기 광원부의 반대편에 마련되며, 상기 에어 중 나노파티클의 농도에 따라 광량을 검출하는 모니터링 PD(photo diode)를 포함하는 회수 덤프부; 및 상기 모니터링 PD의 센싱신호에 따라 상기 에어입출부를 제어하는 MCU를 포함할 수 있다.
본 발명에 의한 모니터링 PD가 구비된 나노파티클 검출장치 및 이를 이용한 나노파티클 검출방법은, 나노파티클을 정밀하게 측정하여 실시간으로 오염 수치를 모니터링할 수 있으며 특히 대기 중 나노파티클의 농도 변화에 대응되어 에어입출부의 에어 인입량을 조절함으로써 파티클 간의 중첩 현상을 저지하여 검출 정확도가 향상되고 검출 수율이 확보될 수 있다.
A nanoparticle detection device equipped with a monitoring PD according to the present invention and a nanoparticle detection method using the same include a chamber casing supporting a heterogeneous chamber in which a part of a circular mirror and a part of an elliptical mirror are coupled to each other; an air inlet/outlet unit coupled to the chamber casing and injecting air into the first focus of the elliptical mirror; a light source unit connected to one side of the chamber casing and transmitting an input light source to the heterogeneous chamber; a light receiving unit coupled to an upper portion of the chamber casing and including a light receiving element disposed at a second focus of the heterogeneous chamber to detect scattered light scattered from the heterogeneous chamber; a recovery dump unit provided on the opposite side of the light source unit with the heterogeneous chamber in between, and including a monitoring PD (photo diode) that detects the amount of light according to the concentration of nanoparticles in the air; And it may include an MCU that controls the air input and output portion according to the sensing signal of the monitoring PD.
The nanoparticle detection device equipped with monitoring PD and the nanoparticle detection method using the same according to the present invention can precisely measure nanoparticles and monitor pollution levels in real time, and in particular, respond to changes in the concentration of nanoparticles in the air by By controlling the amount of air entering the inlet and outlet, overlap between particles can be prevented, improving detection accuracy and securing detection yield.

Description

모니터링 PD가 구비된 나노파티클 검출장치 및 이를 이용한 나노파티클 검출방법{APPARATUS FOR DETECTING NANO PARTICLE HAVING MONITORING PD AND METHOD USING SAME}Nanoparticle detection device equipped with monitoring PD and nanoparticle detection method using the same {APPARATUS FOR DETECTING NANO PARTICLE HAVING MONITORING PD AND METHOD USING SAME}

본 발명은 모니터링 PD가 구비된 나노파티클 검출장치 및 이를 이용한 나노파티클 검출방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 대기 중의 나노파티클의 농도에 따라 에어 입력을 가감 조절하여 검출 수율이 향상될 수 있는 모니터링 PD가 구비된 나노파티클 검출장치 및 이를 이용한 나노파티클 검출방법에 관한 것이다.The present invention relates to a nanoparticle detection device equipped with a monitoring PD and a nanoparticle detection method using the same. More specifically, a monitoring PD in which the detection yield can be improved by adjusting the air input according to the concentration of nanoparticles in the atmosphere. It relates to a nanoparticle detection device equipped with a nanoparticle detection method using the same.

산업이 발달함에 따라 환경이 오염되며, 차량, 산업시설 등 여러가지 오염 유발인자로부터 배출되는 수많은 입자상 물질(PM, Particulate Matter) 예컨대, 미세먼지가 인간의 건강을 위협하고 있고, 그 심각성은 갈수록 더해가고 있는 것이 현실이다As industry develops, the environment is polluted, and numerous particulate matter (PM, particulate matter, such as fine dust) emitted from various pollutants such as vehicles and industrial facilities are threatening human health, and the severity is increasing. What is is reality

특히, 미세먼지는 눈에 보이지 않을 만큼 미세한 입자의 먼지로, 지름 10㎛ 이하의 먼지를 말하며, 크기에 따라 PM10의 미세먼지, PM2.5의 초미세먼지, PM1.0의 극초미세먼지으로 구분한다. In particular, fine dust refers to dust of particles so fine that they are invisible to the eye, with a diameter of 10㎛ or less. Depending on the size, it is classified into PM10 fine dust, PM2.5 ultrafine dust, and PM1.0 ultrafine dust. do.

이중 PM2.5는 지름 2.5㎛ 이하, PM1.0은 지름 1.0㎛ 이하의 먼지를 포함하는 초미세먼지, 극초미세먼지(이하, 나노파티클이라 함)의 경우 폐포와 혈관 등의 인체 침투율이 막대하고 극심하여 문제가 되고 있다.Among them, PM2.5 includes dust with a diameter of 2.5㎛ or less, and PM1.0 includes dust with a diameter of 1.0㎛ or less. In the case of ultrafine dust and ultrafine dust (hereinafter referred to as nanoparticles), the penetration rate into the human body, such as alveoli and blood vessels, is enormous. It is becoming a serious problem.

이에, 실내 또는 실외의 공기질 중 나노파티클을 정밀하게 측정하여 실시간으로 오염 수치를 모니터링할 수 있는 장치 개발이 시급한 실정이다.Accordingly, there is an urgent need to develop a device that can monitor pollution levels in real time by precisely measuring nanoparticles in indoor or outdoor air quality.

그러나, 현재 여러가지 공기질 모니터링 장치가 개발되고 있으나 대부분의 장치는 기설정된 에어 인입량이 고정되어 있어 대기 중 나노파티클이 고농도로 변화될 때 파티클 간의 중첩에 의해 검출 정확도가 낮아지고 검출 수율이 저하되는 문제점이 있다.However, although various air quality monitoring devices are currently being developed, most devices have a fixed preset air intake amount, so when the concentration of nanoparticles in the air changes to a high concentration, the detection accuracy is lowered and the detection yield is lowered due to overlap between particles. there is.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 나노파티클을 정밀하게 측정하여 실시간으로 오염 수치를 모니터링할 수 있으며 특히 대기 중 나노파티클의 농도 변화에 대응되어 에어입출부의 에어 인입량을 조절함으로써 파티클 간의 중첩 현상을 저지하여 검출 정확도가 향상되고 검출 수율이 확보될 수 있는 모니터링 PD가 구비된 나노파티클 검출장치 및 이를 이용한 나노파티클 검출방법을 제공한다.The present invention was proposed to solve the above problems. It can monitor pollution levels in real time by precisely measuring nanoparticles, and in particular, adjusts the amount of air inlet and outlet in response to changes in the concentration of nanoparticles in the air. By doing so, we provide a nanoparticle detection device equipped with a monitoring PD that can improve detection accuracy and secure detection yield by preventing overlap between particles, and a nanoparticle detection method using the same.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 나노파티클 검출장치는, 정원경의 일부와 타원경의 일부가 상호 결합되는 이종챔버를 지지하는 챔버 케이싱; 상기 챔버 케이싱에 결합되며, 공기 중 에어를 상기 타원경의 제1 초점으로 투입하는 에어입출부; 상기 챔버 케이싱의 일측에 연결되어 상기 이종챔버에 입력광원을 송출하는 광원부; 상기 챔버 케이싱의 상부에 결합되며, 상기 이종챔버로부터 스캐터링되는 산란광을 검출하도록 상기 이종챔버의 제2 초점에 배치되는 수광소자를 포함하는 수광부; 상기 이종챔버를 사이에 두고 상기 광원부의 반대편에 마련되며, 상기 에어 중 나노파티클의 농도에 따라 광량을 검출하는 모니터링 PD(photo diode)를 포함하는 회수 덤프부; 및 상기 모니터링 PD의 센싱신호에 따라 상기 에어입출부를 제어하는 MCU를 포함할 수 있다.The nanoparticle detection device according to the present invention for achieving the above object includes a chamber casing supporting a heterogeneous chamber in which a part of the circular mirror and a part of the elliptical mirror are coupled to each other; an air inlet/outlet unit coupled to the chamber casing and injecting air into the first focus of the elliptical mirror; a light source unit connected to one side of the chamber casing and transmitting an input light source to the heterogeneous chamber; a light receiving unit coupled to an upper portion of the chamber casing and including a light receiving element disposed at a second focus of the heterogeneous chamber to detect scattered light scattered from the heterogeneous chamber; a recovery dump unit provided on the opposite side of the light source unit with the heterogeneous chamber in between, and including a monitoring PD (photo diode) that detects the amount of light according to the concentration of nanoparticles in the air; And it may include an MCU that controls the air input/output unit according to the sensing signal of the monitoring PD.

상기 MCU는, 상기 모니터링 PD의 출력 전압값이 미리 설정된 기준 전압값 미만 또는 이상인 경우 상기 이종챔버로 투입되는 에어 유량을 조절할 수 있다.The MCU may adjust the air flow rate introduced into the heterogeneous chamber when the output voltage value of the monitoring PD is below or above a preset reference voltage value.

상기 회수 덤프부는 원뿔형 덤프부재를 더 포함하며, 상기 모니터링 PD는 상기 원뿔형 덤프부재 내에 수용되게 마련될 수 있다.The recovery dump unit further includes a conical dump member, and the monitoring PD may be arranged to be accommodated within the conical dump member.

상기 광원부는, 소자; 제1, 제2 송광렌즈; 및 상기 제1 송광렌즈 및 제2 송광렌즈 사이에 개재되는 송광필터를 포함할 수 있다.The light source unit includes an element; First and second light transmitting lenses; And it may include a light transmission filter interposed between the first light transmission lens and the second light transmission lens.

상기 광원부의 입력광원은 UV 광원이며, 상기 입력광원의 파장 대역은 275 nm ~ 850 nm 인 단파장일 수 있다.The input light source of the light source unit is a UV light source, and the wavelength band of the input light source may be a short wavelength of 275 nm to 850 nm.

상기 광원부는 Laser Diode 나 LED 중 어느 하나일 수 있다.The light source unit may be either a Laser Diode or an LED.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 나노파티클 검출방법은, 정원경의 일부와 타원경의 일부가 상호 결합되는 이종챔버를 지지하는 챔버 케이싱에 결합되어 공기 중 에어를 상기 타원경의 제1 초점으로 투입하는 에어입출부에 의해 에어가 인입되는 단계; 상기 챔버 케이싱의 일측에 연결되어 상기 이종챔버에 입력광원을 송출하고, 상기 이종챔버를 사이에 두고 상기 광원부의 반대편에 마련되는 모니터링 PD(photo diode)에 의해 상기 에어 중 나노파티클의 농도에 따라 광량을 검출하는 단계; 및 상기 모니터링 PD의 출력전압값이 미리 설정된 기준전압값 미만/이상인 경우 MCU가 상기 에어입출부를 제어하는 단계를 포함할 수 있다.The nanoparticle detection method according to the present invention to achieve the above object is coupled to a chamber casing that supports a heterogeneous chamber in which a part of the circular mirror and a part of the elliptical mirror are coupled to each other, and directs air in the air to the first focus of the elliptical mirror. A step of introducing air through an air inlet/outlet unit; It is connected to one side of the chamber casing to transmit an input light source to the heterogeneous chamber, and the amount of light according to the concentration of nanoparticles in the air by a monitoring PD (photo diode) provided on the opposite side of the light source unit with the heterogeneous chamber in between. detecting; And when the output voltage value of the monitoring PD is less than/above a preset reference voltage value, the MCU may include controlling the air input/output unit.

상기 제어하는 단계는, 상기 MCU가 상기 이종챔버로 투입되는 에어 유량을 조절하는 단계일 수 있다.The controlling step may be a step in which the MCU adjusts the air flow rate introduced into the heterogeneous chamber.

본 발명에 의한 모니터링 PD가 구비된 나노파티클 검출장치 및 이를 이용한 나노파티클 검출방법은, 나노파티클을 정밀하게 측정하여 실시간으로 오염 수치를 모니터링할 수 있으며 특히 대기 중 나노파티클의 농도 변화에 대응되어 에어입출부의 에어 인입량을 조절함으로써 파티클 간의 중첩 현상을 저지하여 검출 정확도가 향상되고 검출 수율이 확보될 수 있다.The nanoparticle detection device equipped with monitoring PD according to the present invention and the nanoparticle detection method using the same can monitor pollution levels in real time by precisely measuring nanoparticles, and in particular, respond to changes in the concentration of nanoparticles in the air by By controlling the amount of air entering the inlet and outlet, overlap between particles can be prevented, improving detection accuracy and securing detection yield.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 나노파티클 검출장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 나노파티클 검출장치 및 모니터링 PD의 개략적인 개념도이다.
도 3은 도 2에서 이종챔버의 정원경 및 타원경을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 나노파티클 검출장치의 블록도이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 나노파티클 검출장치의 에어 유량 조절의 일례를 도시한 도면이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 나노파티클 검출장치를 이용한 검출방법의 플로우차트이다.
Figure 1 is a perspective view of a nanoparticle detection device according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a schematic conceptual diagram of a nanoparticle detection device and monitoring PD according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a diagram schematically showing the circular diameter and elliptical mirror of the heterogeneous chamber in Figure 2.
Figure 4 is a block diagram of a nanoparticle detection device according to an embodiment of the present invention.
Figure 5 is a diagram showing an example of air flow rate control of the nanoparticle detection device according to an embodiment of the present invention.
Figures 6 and 7 are flow charts of a detection method using a nanoparticle detection device according to an embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 모니터링 PD가 구비된 나노파티클 검출장치 및 이를 이용한 나노파티클 검출방법의 일 실시예를 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, an embodiment of a nanoparticle detection device equipped with a monitoring PD according to the present invention and a nanoparticle detection method using the same will be described in detail with reference to the attached drawings. The same reference numerals in each drawing indicate the same member.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 나노파티클 검출장치의 사시도이다.Figure 1 is a perspective view of a nanoparticle detection device according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 나노파티클 검출장치 및 모니터링 PD의 개략적인 개념도이다.Figure 2 is a schematic conceptual diagram of a nanoparticle detection device and monitoring PD according to an embodiment of the present invention.

도 3은 도 2에서 이종챔버의 정원경 및 타원경을 개략적으로 도시한 도면이다.Figure 3 is a diagram schematically showing the circular diameter and elliptical mirror of the heterogeneous chamber in Figure 2.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 나노파티클 검출장치의 블록도이다.Figure 4 is a block diagram of a nanoparticle detection device according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 나노파티클 검출장치의 에어 유량 조절의 일례를 도시한 도면이다.Figure 5 is a diagram showing an example of air flow rate control of the nanoparticle detection device according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 실시 예에 따른 모니터링 PD가 구비된 나노파티클 검출장치는 도 1 내지 도 4을 참조하면, 정원경(7)의 일부와 타원경(6)의 일부가 상호 결합되는 이종챔버(210)를 지지하는 챔버 케이싱(200); 상기 챔버 케이싱(200)에 결합되며, 공기 중 에어를 상기 타원경(6)의 제1 초점(12)으로 투입하는 에어입출부(150); 상기 챔버 케이싱(200)의 일측에 연결되어 상기 이종챔버(210)에 입력광원을 송출하는 광원부(100); 및 상기 챔버 케이싱(200)의 상부에 결합되며, 상기 이종챔버(210)로부터 스캐터링되는 산란광을 검출하도록 상기 이종챔버(210)의 제2 초점에 배치되는 수광소자(1)를 포함하는 수광부(300); 상기 이종챔버를 사이에 두고 상기 광원부의 반대편에 마련되며, 상기 에어 중 나노파티클의 농도에 따라 광량을 검출하는 모니터링 PD(photo diode)를 포함하는 회수 덤프부; 및 상기 모니터링 PD의 센싱신호에 따라 상기 에어입출부를 제어하는 MCU를 포함할 수 있다.Referring to Figures 1 to 4, the nanoparticle detection device equipped with a monitoring PD according to an embodiment of the present invention includes a heterogeneous chamber 210 in which a part of the circular mirror 7 and a part of the elliptical mirror 6 are coupled to each other. Supporting chamber casing 200; An air input/output unit 150 coupled to the chamber casing 200 and injecting air into the first focus 12 of the elliptical mirror 6; a light source unit 100 connected to one side of the chamber casing 200 and transmitting an input light source to the heterogeneous chamber 210; and a light receiving element (1) coupled to the upper part of the chamber casing (200) and disposed at the second focus of the heterogeneous chamber (210) to detect scattered light scattered from the heterogeneous chamber (210). 300); a recovery dump unit provided on the opposite side of the light source unit with the heterogeneous chamber in between, and including a monitoring PD (photo diode) that detects the amount of light according to the concentration of nanoparticles in the air; And it may include an MCU that controls the air input/output unit according to the sensing signal of the monitoring PD.

이종챔버(210)는 주로 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 챔버 케이싱(200) 내부에 마련될 수 있다.The heterogeneous chamber 210 may be mainly provided inside the chamber casing 200 as shown in FIGS. 1 and 2.

상기 이종챔버(210)는 주로 도 2 및 도 3을 참조하면, 정원경(7)의 일부와 타원경(6)의 일부가 상호 결합되게 구성될 수 있다. 즉, 이종챔버(210)의 우측 부분은 2개의 초점(F1, F2)을 가지는 타원인 타원경(6)으로 마련될 수 있어, 광원부(100)로부터 입사된 입력광원이 실질적으로 타원경(6)의 제1초점(12, F1)으로 수렴될 수 있다.Referring mainly to FIGS. 2 and 3, the heterogeneous chamber 210 may be configured by combining a portion of the circular mirror 7 and a portion of the elliptical mirror 6. That is, the right part of the heterogeneous chamber 210 can be provided with an ellipsoid mirror 6, which is an ellipse with two foci F1 and F2, so that the input light source incident from the light source unit 100 is substantially the ellipsoid mirror 6. ) may converge to the first focus (12, F1).

그리고, 이종챔버(210)의 좌측 부분은 원 형상인 정원경(7)으로 마련되며, 타원경(6)과 정원경(7)이 상호 결합되게 구성될 수 있다. 여기서, 상기 정원경(7)의 중심은 상기 타원경(6)의 제1 초점(12)일 수 있다.In addition, the left portion of the heterogeneous chamber 210 is provided with a circular mirror 7, and the elliptical mirror 6 and the circular mirror 7 may be configured to be coupled to each other. Here, the center of the circular mirror 7 may be the first focus 12 of the elliptical mirror 6.

이에 따라, 에어 중 나노파티클은 광초점인 제1 초점(12)에 인입되고 마찬가지로 제1 초점(12)에 조사된 입력광원과 충돌되어 산란 및 굴절되며 산란, 굴절된 광원은 정원경(7)에 의해 다시 타원경(6)으로 집광되고 정원경(7)의 개구를 통해 상기 타원경(6)의 제2 초점(F2)을 향하여 사출될 수 있다.Accordingly, the nanoparticles in the air are drawn into the first focus 12, which is the optical focus, and collide with the input light source irradiated to the first focus 12 to be scattered and refracted, and the scattered and refracted light source is directed to the garden mirror 7. The light can be condensed back into the elliptical mirror (6) and emitted toward the second focus (F2) of the elliptical mirror (6) through the opening of the circular mirror (7).

상기 에어입출부(150)는 도 1에 도시된 것처럼 상기 챔버 케이싱(200)에 결합되며, 공기 중 에어는 에어입출부(150)를 통해 챔버 케이싱(200)으로 인입될 수 있다.The air inlet/outlet unit 150 is coupled to the chamber casing 200 as shown in FIG. 1, and air in the air can be introduced into the chamber casing 200 through the air inlet/outlet unit 150.

챔버 케이싱(200)의 일측에는 광원부(100)가 연결될 수 있다. 상기 광원부(100)는 주로 도 2를 참조하면, 광소자(1); 상기 광소자(1)에 인접 배치되는 제1 송광렌즈(2); 제2 송광렌즈(4); 및 상기 제1 송광렌즈(2) 및 제2 송광렌즈(4) 사이에 개재되는 송광필터(3)를 포함할 수 있다.The light source unit 100 may be connected to one side of the chamber casing 200. Referring mainly to FIG. 2, the light source unit 100 includes an optical element 1; A first light transmitting lens (2) disposed adjacent to the optical element (1); Second light transmitting lens (4); And it may include a light transmission filter (3) interposed between the first light transmission lens (2) and the second light transmission lens (4).

광소자(1)는 상기 이종챔버(210)에 입력광원을 송출할 수 있다. 이러한 상기 광원부(100)의 광소자(1)는 파장 대역은 275 nm ~ 430 nm 인 단파장일 수 있다.The optical device 1 may transmit an input light source to the heterogeneous chamber 210. The optical element 1 of the light source unit 100 may have a short wavelength range of 275 nm to 430 nm.

이러한 광소자(1)는 Laser Diode 나 LED 중 어느 하나일 수 있다.This optical device 1 may be either a Laser Diode or an LED.

광소자(1)에 인접하게는 제1 송광렌즈(2)가 마련될 수 있다. 상기 제1 송광렌즈(2)는 광소자(1)에서 조사되는 광원을 집광하는 역할을 한다.A first light transmission lens 2 may be provided adjacent to the optical element 1. The first light transmitting lens 2 serves to converge the light source emitted from the optical element 1.

본 실시예에서의 제1 송광렌즈(2)의 개구수(NA, numerical aperture)는 0.15 ~ 0.25일 수 있다.The numerical aperture (NA) of the first light transmission lens 2 in this embodiment may be 0.15 to 0.25.

그리고 제1 송광렌즈(2)에 연이어 제2 송광렌즈(4)가 마련될 수 있다. 제2 송광렌즈(4)는, 제1 송광렌즈(2)를 거친 광원이 이종챔버(210) 내의 제1 초점(12)으로 집광되는 역할을 한다. 본 실시예에서의 상기 제2 송광렌즈(4)도 제1 송광렌즈(2)와 실질적으로 동일한 개구수(0.15 ~ 0.25)로 마련되는 것이 바람직하다.And the second light transmission lens 4 may be provided in succession to the first light transmission lens 2. The second light transmission lens 4 serves to converge the light source that has passed through the first light transmission lens 2 to the first focus 12 in the heterogeneous chamber 210. In this embodiment, the second light transmission lens 4 is also preferably provided with substantially the same numerical aperture (0.15 to 0.25) as the first light transmission lens 2.

송광필터(3)는 상기 제1 송광렌즈(2) 및 제2 송광렌즈(4) 사이에 개재될 수 있다.The light transmission filter 3 may be interposed between the first light transmission lens 2 and the second light transmission lens 4.

이러한 구성을 통해, 광소자(1)로부터의 입력광원이 이종챔버(210)의 제1 초점(F1, 12)으로 집광될 수 있게 한다.Through this configuration, the input light source from the optical element 1 can be condensed to the first focus F1 and 12 of the heterogeneous chamber 210.

수광부(300)는 나노파티클의 산란광을 수광하여 나노파티클의 입자 수를 검출하는 부분이다. 이를 위해 상기 수광부(300)는 이종챔버(210)에 연결되는 수광게이트(8), 수광어페추어(9), 상기 이종챔버(210)의 제2 초점에 배치되는 수광소자(1) 및 수광소자(1)에 결합되는 수광 pcb보드(11)를 포함할 수 있다.The light receiving unit 300 is a part that detects the number of nanoparticles by receiving scattered light from the nanoparticles. For this purpose, the light receiving unit 300 includes a light receiving gate 8 connected to the heterogeneous chamber 210, a light receiving apeture 9, a light receiving element 1 disposed at the second focus of the heterogeneous chamber 210, and a light receiving element 1. It may include a light receiving PCB board (11) coupled to the device (1).

여기서, 수광소자(1)는 이종챔버(210) 내 타원경(6)의 제2 초점의 위치에 배치될 수 있다. 이에 따라 별도의 집광렌즈나 집광 구성이 불필요하게 되어 장치가 간소화될 수 있다.Here, the light receiving element 1 may be placed at the position of the second focus of the ellipsoid 6 within the heterogeneous chamber 210. Accordingly, the device can be simplified by eliminating the need for a separate condensing lens or condensing configuration.

또한, 산란광이 추가적인 장치 구성을 거치지 않고 수광부(300)에 집광됨으로써 광손실이 최소화될 수 있으며 검출 수율이 향상될 수 있다.Additionally, by concentrating scattered light on the light receiving unit 300 without additional device configuration, light loss can be minimized and detection yield can be improved.

이와 같이 수광부(300)의 크기를 획기적으로 줄일 수 있어 설비 사이즈가 컴팩트해질 수 있으며 산란광이 직접적으로 집광되어 검출 정확도가 우수할 수 있다.In this way, the size of the light receiving unit 300 can be dramatically reduced, so the equipment size can be compact, and the scattered light can be collected directly, resulting in excellent detection accuracy.

한편, 상기 모니터링 PD가 구비된 나노파티클 검출장치는 상기 이종챔버(210)를 사이에 두고 상기 광원부(100)의 반대편에 마련되는 회수 덤프부(14)를 더 포함할 수 있다.Meanwhile, the nanoparticle detection device equipped with the monitoring PD may further include a recovery dump unit 14 provided on the opposite side of the light source unit 100 with the heterogeneous chamber 210 in between.

회수 덤프부(14)는 이종챔버(210)내로 입사된 주광선 중에 제1초점을 지나지 않고 난반사, 투과된 광원을 회수하는 부분이다.The recovery dump unit 14 is a part that recovers the light source that is diffusely reflected and transmitted without passing the first focus among the main rays incident on the heterogeneous chamber 210.

즉, 회수 덤프부(14)는 이종챔버(210)로 입사된 입력광원 중에 측정 샘플의 입자와 충돌하지 않은 광원을 정지시키는 역할을 수행함으로써, 이종챔버(210) 내에서 산란광 이외의 주변광이 제2 초점으로 유입되는 것을 최소화할 수 있다.That is, the recovery dump unit 14 serves to stop the light sources that did not collide with the particles of the measurement sample among the input light sources incident on the heterogeneous chamber 210, thereby preventing ambient light other than scattered light from being transmitted within the heterogeneous chamber 210. Inflow into the second focus can be minimized.

회수 덤프부(14)는 원뿔형 덤프부재(13)를 포함할 수 있으며, 덤프부재(13)는 꼭지점이 출사되는 광의 경로를 향하도록 배치될 수 있어, 원뿔형 부재(13)에 충돌한 광이 직반사되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 회수 덤프부(14) 내벽에는 스펀지 등과 같이 광을 흡수하는 부재가 배치될 수 있으며, 요철 구조로 구현될 수도 있다.The recovery dump unit 14 may include a conical dump member 13, and the dump member 13 may be arranged so that its apex faces the path of the emitted light, so that the light hitting the conical member 13 is directly Reflections can be prevented. Additionally, a member that absorbs light, such as a sponge, may be disposed on the inner wall of the recovery dump unit 14, and may be implemented in a concavo-convex structure.

한편, 종래 대부분의 장치는 기설정된 에어 인입량이 고정되어 있어 대기 중 나노파티클이 고농도로 변화될 때 파티클이 장치내로 폭발적으로 인입되어 파티클 간의 중첩에 의해 검출 정확도가 낮아지고 검출 수율이 저하되는 문제점이 있었다.Meanwhile, in most conventional devices, the preset air intake amount is fixed, so when the concentration of nanoparticles in the air changes to a high concentration, the particles are explosively drawn into the device, causing a problem that detection accuracy is lowered and detection yield is lowered due to overlap between particles. there was.

이에 본 실시예에서는 모니터링 PD(400, photo diode)가 마련될 수 있다. 그리고, 상기 모니터링 PD는 상기 원뿔형 덤프부재(13) 내에 수용되게 마련될 수 있다.Accordingly, in this embodiment, a monitoring PD (400, photo diode) may be provided. In addition, the monitoring PD may be provided to be accommodated within the conical dump member 13.

이러한 모니터링 PD(400)의 동작 방식을 상세 설명하면, 대기 중의 나노파티클의 농도에 따라 상기 Monitoring PD(400)에 노출되는 광량은 줄어들게 되며, 인입된 에어의 파티클 농도가 높아질수록, 상기 Monitoring PD(400)의 출력 전압값은 점점 낮아지게 되는 구조이다.To explain in detail how the monitoring PD (400) operates, the amount of light exposed to the Monitoring PD (400) decreases depending on the concentration of nanoparticles in the air, and as the particle concentration of the incoming air increases, the Monitoring PD ( 400) has a structure in which the output voltage value gradually decreases.

또한, 나노파티클의 농도에 따라 에어 입력을 가감 조절하는 MCU가 마련될 수 있다.Additionally, an MCU that adjusts air input depending on the concentration of nanoparticles can be provided.

상기 MCU는 주로 도 4를 참조하면, 상기 모니터링 PD(400)의 출력 전압값이 미리 설정된 기준 전압값 이하인 경우 상기 이종챔버(210)로 투입되는 에어 유량을 줄일 수 있다.Referring mainly to FIG. 4, the MCU may reduce the air flow rate introduced into the heterogeneous chamber 210 when the output voltage value of the monitoring PD 400 is below a preset reference voltage value.

도 5를 상세 설명하면, VPD는 모니터링 PD(400)의 출력 전압값을 말하고, V0는 정상상태의 초기 전압값, V1, V2, V3는 각각 파티클의 농도가 증가할 때의 전압값을 지칭한다.5, VPD refers to the output voltage value of the monitoring PD 400, V0 refers to the initial voltage value in the steady state, and V1, V2, and V3 refer to the voltage values when the concentration of particles increases, respectively. .

그리고 A(0)는 에어입출부(150)가 인입하는 최대 에어 유량의 100%, A(1)은 에어 유량의 50%, A(2)는 에어 유량의 25%를 말한다.And A(0) refers to 100% of the maximum air flow rate introduced by the air inlet/outlet unit 150, A(1) refers to 50% of the air flow rate, and A(2) refers to 25% of the air flow rate.

예컨대, t12의 시간에 V2 전압값이 검출되게 되면, MCU는 에어입출부(150)를 제어하여 인입되는 에어 유량을 절반으로 줄인다(A(1)).For example, when the V2 voltage value is detected at time t12, the MCU controls the air input/output unit 150 to reduce the incoming air flow rate by half (A(1)).

또한, t13의 시간에 V2 전압값이 재검출되게 되면, MCU는 에어입출부(150)를 제어하여 인입되는 에어 유량을 기존 A(1)에서 다시 절반으로 줄인다(A(2)).Additionally, when the V2 voltage value is re-detected at time t13, the MCU controls the air input/output unit 150 to reduce the incoming air flow rate by half from the existing A(1) (A(2)).

반면, 상기 MCU는 상기 모니터링 PD의 출력 전압값이 미리 설정된 기준 전압값 이상일 경우 상기 이종챔버(210)로 투입되는 에어 유량을 증가시킬 수 있다.On the other hand, the MCU may increase the air flow rate introduced into the heterogeneous chamber 210 when the output voltage value of the monitoring PD is higher than a preset reference voltage value.

예컨대, t14의 시간에 V1 전압값이 검출되게 되면, MCU는 에어입출부(150)를 제어하여 인입되는 에어 유량을 최대 에어 인입량으로 증가시킨다(A(0)).For example, when the V1 voltage value is detected at time t14, the MCU controls the air input/output unit 150 to increase the incoming air flow rate to the maximum air inlet amount (A(0)).

이러한 구성의 모니터링 PD 및 MCU에 의해, 나노파티클을 정밀하게 측정하여 실시간으로 오염 수치를 모니터링할 수 있으며 특히 대기 중 나노파티클의 농도 변화에 대응되어 에어입출부(150)의 에어 인입량을 조절함으로써 파티클 간의 중첩 현상을 저지하여 검출 정확도가 향상되고 검출 수율이 확보될 수 있다.With this configuration of monitoring PD and MCU, it is possible to precisely measure nanoparticles and monitor pollution levels in real time. In particular, by adjusting the air intake amount of the air inlet/outlet unit 150 in response to changes in the concentration of nanoparticles in the air. By preventing overlap between particles, detection accuracy can be improved and detection yield can be secured.

또한, 나노파티클을 정밀하게 측정하여 실시간으로 오염 수치를 모니터링할 수 있으며 특히 수광소자(1)를 타원경(6)의 제2 초점 위치에 배치시켜 수광부(300)의 크기를 획기적으로 줄일 수 있어 설비 사이즈가 컴팩트해질 수 있으며 산란광이 직접적으로 집광되어 검출 정확도가 우수할 수 있다.In addition, contamination levels can be monitored in real time by precisely measuring nanoparticles, and in particular, the size of the light receiving unit 300 can be dramatically reduced by placing the light receiving element 1 at the second focus position of the ellipsoid 6. The equipment size can be compact, and the scattered light can be collected directly, resulting in excellent detection accuracy.

도 6 및 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 나노파티클 검출장치를 이용한 검출방법의 플로우차트이다.Figures 6 and 7 are flow charts of a detection method using a nanoparticle detection device according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 실시예에 따른 나노파티클 검출 방법에 대해 도 1 내지 도 7을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the nanoparticle detection method according to this embodiment will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 7.

먼저, 도 6에 도시된 바와 같이, 정원경(7)의 일부와 타원경(6)의 일부가 상호 결합되는 이종챔버(210)를 지지하는 챔버 케이싱(200)에 결합되어 공기 중 에어를 상기 타원경(6)의 제1 초점(12)으로 투입하는 에어입출부(150)에 의해 에어가 인입되는 단계가 수행된다(S100).First, as shown in FIG. 6, a part of the circular mirror 7 and a part of the elliptical mirror 6 are coupled to the chamber casing 200 that supports the heterogeneous chamber 210 in which the circular mirror 7 and the elliptical mirror 6 are coupled to each other, thereby allowing air in the air to flow into the elliptical mirror. The step of introducing air into the first focus 12 of the mirror 6 through the air input/output unit 150 is performed (S100).

에어입출부(150)를 통해 에어가 이종챔버(210) 내로 투입된다. 이때, 에어 플로우는 제1 초점(12, F1)을 지나가도록 마련될 수 있다.Air is introduced into the heterogeneous chamber 210 through the air inlet/outlet unit 150. At this time, the air flow may be arranged to pass through the first focus point 12 (F1).

다음, 이종챔버에 입력광원을 송출하고 모니터링 PD(photo diode)에 의해 상기 에어 중 나노파티클의 농도에 따라 광량을 검출하는 단계가 수행될 수 있다(S200).Next, a step of transmitting an input light source to the heterogeneous chamber and detecting the amount of light according to the concentration of nanoparticles in the air by a monitoring PD (photo diode) may be performed (S200).

먼저, 광원부(100)를 통해 입력광원이 조사된다.First, an input light source is irradiated through the light source unit 100.

그러면 이종챔버(210)의 타원경(6) 및 정원경(7)을 통해 스캐터링된 산란광은 제2 초점으로 향하게 된다.Then, the scattered light scattered through the elliptical mirror 6 and the circular mirror 7 of the heterogeneous chamber 210 is directed to the second focus.

다음, 제2 초점에 배치되는 수광소자(1)가 산란광을 검출하여 나노파티클을 용이하게 검출할 수 있으며, 검출 분해능은 100nm급의 나노 입자를 검출할 수 있게 된다.Next, the light receiving element 1 disposed at the second focus can easily detect nanoparticles by detecting scattered light, and the detection resolution is capable of detecting nanoparticles of 100 nm level.

한편, MCU는 대기 중의 나노 파티클의 농도를 실시간으로 체크한다. 즉, 대기 중의 나노파티클의 농도에 따라 상기 Monitoring PD(400)에 노출되는 광량은 줄어들게 되며, 인입된 에어의 파티클 농도가 높아질수록, 상기 Monitoring PD(400)의 출력 전압값은 점점 낮아진다.Meanwhile, the MCU checks the concentration of nanoparticles in the air in real time. In other words, the amount of light exposed to the Monitoring PD (400) decreases depending on the concentration of nanoparticles in the air, and as the particle concentration of the incoming air increases, the output voltage value of the Monitoring PD (400) gradually decreases.

즉, 모니터링 PD의 출력전압값이 미리 설정된 기준전압값 미만/ 이상인 경우 MCU가 상기 에어입출부(150)를 제어하는 단계가 수행될 수 있다(S300).That is, if the output voltage value of the monitoring PD is less than/or more than a preset reference voltage value, the step of controlling the air input/output unit 150 by the MCU may be performed (S300).

여기서, 제어하는 단계는, 상기 MCU가 상기 이종챔버(210)로 투입되는 에어 유량을 조절하는 단계일 수 있다.Here, the controlling step may be a step in which the MCU adjusts the air flow rate introduced into the heterogeneous chamber 210.

도 7을 주로 참조하면, VPD값이 V1, V2보다 큰지 판단한다(S310, S320). VPD값이 V1, V2보다 크면 에어입출부(150)의 에어 유량(A(0))을 유지한다(S360).Referring mainly to FIG. 7, it is determined whether the VPD value is greater than V1 and V2 (S310, S320). If the VPD value is greater than V1 and V2, the air flow rate (A(0)) of the air inlet/outlet unit 150 is maintained (S360).

VPD값이 V2보다 작으면, 즉, V2 전압값이 검출되게 되면, MCU는 에어입출부(150)를 제어하여 인입되는 에어 유량을 절반(A(1))으로 줄인다(S330).If the VPD value is less than V2, that is, when the V2 voltage value is detected, the MCU controls the air input/output unit 150 to reduce the incoming air flow rate by half (A(1)) (S330).

다음, VPD값이 최소 유입량(Liter per Minute)인지 판단한다(S340). 아니라면 나노파티클을 검출하는 동작이 수행된다(S350).Next, determine whether the VPD value is the minimum inflow amount (Liter per Minute) (S340). If not, an operation to detect nanoparticles is performed (S350).

다시, 임의 시간에 V2 전압값이 재검출되게 되면(S320에서 NO인 경우), MCU는 에어입출부(150)를 제어하여 인입되는 에어 유량을 기존 A(1)에서 다시 절반으로 줄인다(A(2)). 반면, 임의 시간에 V1 전압값이 재검출되게 되면 에어입출부(150)의 에어 유량(A(0))로 증가시킨다(S360).Again, when the V2 voltage value is re-detected at any time (in the case of NO in S320), the MCU controls the air input and output unit 150 to reduce the incoming air flow rate by half from the existing A (1) (A ( 2)). On the other hand, when the V1 voltage value is re-detected at any time, it is increased to the air flow rate (A(0)) of the air input/output unit 150 (S360).

이러한 단계에 따라 나노파티클을 정밀하게 측정하여 실시간으로 오염 수치를 모니터링할 수 있으며 특히 대기 중 나노파티클의 농도 변화에 대응되어 에어입출부(150)의 에어 인입량, 유량을 조절함으로써 파티클 간의 중첩 현상을 저지하여 검출 정확도가 향상되고 검출 수율이 확보될 수 있다.Following these steps, it is possible to precisely measure nanoparticles and monitor pollution levels in real time. In particular, the air inlet and flow rate of the air inlet/outlet unit 150 are adjusted in response to changes in the concentration of nanoparticles in the air, thereby creating an overlap phenomenon between particles. By preventing this, detection accuracy can be improved and detection yield can be secured.

또한, 별도의 집광렌즈나 집광 구성이 불필요하게 되어 장치가 간소화될 수 있으며 산란광이 추가적인 장치 구성을 거치지 않고 수광부(300)에 집광됨으로써 광손실이 최소화될 수 있으며 검출 수율이 향상될 수 있다.In addition, the device can be simplified by eliminating the need for a separate condenser lens or light-concentrating configuration, and by concentrating scattered light on the light receiving unit 300 without additional device configuration, light loss can be minimized and detection yield can be improved.

이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.Above, the present invention has been described in detail using preferred embodiments, but the scope of the present invention is not limited to the specific embodiments and should be interpreted in accordance with the appended claims. Additionally, those skilled in the art should understand that many modifications and variations are possible without departing from the scope of the present invention.

100 : 광원부 1 : 광소자
2 : 제1 송광렌즈 3 : 송광필터
4 : 제2 송광렌즈
150 : 에어입출부 200 : 챔버 케이싱
6 : 타원경 7 : 정원경
12 : 광초점, 제1 초점
300 : 수광부 8 : 수광게이트
9 : 집광에퍼추어 10 : 수광소자
11 : 수광 pcb보드
13 : 회수 덤프부
400 : 모니터링 PD
100: light source unit 1: optical element
2: First light transmitting lens 3: Light transmitting filter
4: Second light transmission lens
150: Air inlet/outlet 200: Chamber casing
6: Elliptical mirror 7: Garden mirror
12: optical focus, first focus
300: light receiving unit 8: light receiving gate
9: Light collecting aperture 10: Light receiving element
11: Light receiving pcb board
13: Recovery dump unit
400: Monitoring PD

Claims (8)

정원경의 일부와 타원경의 일부가 상호 결합되는 이종챔버를 지지하는 챔버 케이싱;
상기 챔버 케이싱에 결합되며, 대기 중 에어를 상기 타원경의 제1 초점으로 투입하는 에어입출부;
상기 챔버 케이싱의 일측에 연결되어 상기 이종챔버에 입력광원을 송출하는 광원부;
상기 챔버 케이싱의 상부에 결합되며, 상기 이종챔버로부터 스캐터링되는 산란광을 검출하도록 상기 이종챔버의 제2 초점에 배치되는 수광소자를 포함하는 수광부;
상기 이종챔버를 사이에 두고 상기 광원부의 반대편에 마련되며, 상기 에어 중 나노파티클의 농도에 따라 광량을 검출하는 모니터링 PD(photo diode)를 포함하는 회수 덤프부; 및
상기 모니터링 PD의 센싱신호에 따라 상기 에어입출부를 제어하는 MCU를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노파티클 검출장치.
A chamber casing that supports a heterogeneous chamber in which a part of the circular mirror and a part of the elliptical mirror are coupled to each other;
an air inlet/outlet unit coupled to the chamber casing and injecting atmospheric air into the first focus of the ellipsoid;
a light source unit connected to one side of the chamber casing and transmitting an input light source to the heterogeneous chamber;
a light receiving unit coupled to an upper portion of the chamber casing and including a light receiving element disposed at a second focus of the heterogeneous chamber to detect scattered light scattered from the heterogeneous chamber;
a recovery dump unit provided on the opposite side of the light source unit with the heterogeneous chamber in between, and including a monitoring PD (photo diode) that detects the amount of light according to the concentration of nanoparticles in the air; and
Nanoparticle detection device comprising an MCU that controls the air input and output according to the sensing signal of the monitoring PD.
제1항에 있어서,
상기 MCU는, 상기 모니터링 PD의 출력 전압값이 미리 설정된 기준 전압값 미만 또는 이상인 경우 상기 이종챔버로 투입되는 에어 유량을 조절하는 것을 특징으로 하는 나노파티클 검출장치.
According to paragraph 1,
The MCU is a nanoparticle detection device characterized in that it adjusts the air flow rate introduced into the heterogeneous chamber when the output voltage value of the monitoring PD is below or above a preset reference voltage value.
제1항에 있어서,
상기 회수 덤프부는 원뿔형 덤프부재를 더 포함하며,
상기 모니터링 PD는 상기 원뿔형 덤프부재 내에 수용되게 마련되는 것을 특징으로 하는 나노파티클 검출장치.
According to paragraph 1,
The recovery dump unit further includes a conical dump member,
The monitoring PD is a nanoparticle detection device, characterized in that it is provided to be accommodated in the conical dump member.
제1항에 있어서,
상기 광원부는,
광소자;
제1, 제2 송광렌즈; 및
상기 제1 송광렌즈 및 제2 송광렌즈 사이에 개재되는 송광필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노파티클 검출장치.
According to paragraph 1,
The light source unit,
optical device;
First and second light transmitting lenses; and
Nanoparticle detection device comprising a light transmission filter interposed between the first light transmission lens and the second light transmission lens.
제1항에 있어서,
상기 광원부의 입력광원은 UV 광원이며,
상기 입력광원의 파장 대역은 275 nm ~ 430 nm 인 단파장인 것을 특징으로 하는 나노파티클 검출장치.
According to paragraph 1,
The input light source of the light source unit is a UV light source,
A nanoparticle detection device, characterized in that the wavelength band of the input light source is a short wavelength of 275 nm to 430 nm.
제1항에 있어서,
상기 광원부는 Laser Diode 나 LED 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노파티클 검출장치.
According to paragraph 1,
A nanoparticle detection device wherein the light source unit is either a Laser Diode or an LED.
정원경의 일부와 타원경의 일부가 상호 결합되는 이종챔버를 지지하는 챔버 케이싱에 결합되어 대기 중 에어를 상기 타원경의 제1 초점으로 투입하는 에어입출부에 의해 에어가 인입되는 단계;
상기 챔버 케이싱의 일측에 연결되어 상기 이종챔버에 입력광원을 송출하고, 상기 이종챔버를 사이에 두고 광원부의 반대편에 마련되는 모니터링 PD(photo diode)에 의해 상기 에어 중 나노파티클의 농도에 따라 광량을 검출하는 단계;
상기 모니터링 PD의 출력전압값이 미리 설정된 기준전압값 이하인 경우 MCU가 상기 에어입출부를 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노파티클 검출방법.
A step of injecting air through an air inlet/outlet unit that is coupled to a chamber casing supporting a heterogeneous chamber in which a part of the circular mirror and a part of the elliptical mirror are coupled to each other and injects air in the atmosphere into the first focus of the elliptical mirror;
It is connected to one side of the chamber casing to transmit an input light source to the heterogeneous chamber, and the amount of light is adjusted according to the concentration of nanoparticles in the air by a monitoring PD (photo diode) provided on the opposite side of the light source unit with the heterogeneous chamber in between. detecting;
Nanoparticle detection method comprising the step of controlling the air input/output unit by an MCU when the output voltage value of the monitoring PD is less than or equal to a preset reference voltage value.
제7항에 있어서,
상기 제어하는 단계는, 상기 MCU가 상기 이종챔버로 투입되는 에어 유량을 조절하는 단계인 것을 특징으로 하는 나노파티클 검출방법.
In clause 7,
The controlling step is a nanoparticle detection method characterized in that the MCU adjusts the air flow rate introduced into the heterogeneous chamber.
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