KR102596919B1 - Light emitting diode package - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 디스플레이에서 백라이트 유닛으로 사용되는 발광 다이오드 패키지로서, 하우징; 상기 하우징에 배치되는 적어도 하나의 발광 다이오드 칩; 상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩에 의해 여기되어 녹색광을 방출하는 제1 형광체; 및 상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩에 의해 여기되어 적색광을 방출하는 제2 형광체 및 제3 형광체를 포함하되, 상기 제2 형광체는 A2MF6: Mn4+의 화학식을 가지는 형광체이고, 상기 A는 Li, Na, K, Ba, Rb, Cs, Mg, Ca, Se 및 Zn 중 하나이고, M은 Ti, Si, Zr, Sn 및 Ge 중 하나이며, 상기 제3 형광체는 질화물계 형광체이되, 상기 제2 형광체 및 상기 제3 형광체 각각의 적색광은 서로 다른 피크 파장을 가지고, 상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩, 상기 제1 형광체, 상기 제2 형광체 및 상기 제3 형광체에서 방출되는 광의 합성에 의해 백색광이 형성되고, 상기 백색광은 CIE 색도도 상의 영역 내에 있는 지점을 형성하는 x 및 y 색좌표를 가지며, 상기 x 색좌표는 0.25 내지 0.35이고, 상기 y 색좌표는 0.22 내지 0.32이다.The light emitting diode package according to the present invention is a light emitting diode package used as a backlight unit in a display, and includes a housing; At least one light emitting diode chip disposed in the housing; a first phosphor that is excited by the at least one light emitting diode chip and emits green light; and a second phosphor and a third phosphor that are excited by the at least one light emitting diode chip and emit red light, wherein the second phosphor is a phosphor having the chemical formula A2MF6:Mn4+, and A is Li, Na, K , Ba, Rb, Cs, Mg, Ca, Se and Zn, M is one of Ti, Si, Zr, Sn and Ge, and the third phosphor is a nitride-based phosphor, wherein the second phosphor and the third phosphor are The red light of each of the three phosphors has a different peak wavelength, and white light is formed by synthesis of light emitted from the at least one light emitting diode chip, the first phosphor, the second phosphor, and the third phosphor, and the white light is The CIE chromaticity diagram has x and y color coordinates that define points within the region, where the x color coordinate is 0.25 to 0.35 and the y color coordinate is 0.22 to 0.32.
Description
본 발명은 발광 다이오드 패키지에 대한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 형광체를 포함하는 발광 다이오드 패키지에 대한 것이다. The present invention relates to a light emitting diode package. More specifically, the present invention relates to a light emitting diode package containing a phosphor.
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED) 패키지는 반도체의 p-n 접합 구조를 가지는 화합물 반도체로서 소수 캐리어(전자 또는 정공)들의 재결합에 의하여 소정의 광을 발산하는 소자를 지칭한다. 발광 다이오드 패키지는 소비 전력이 적고 수명이 길며, 소형화가 가능하다. A light emitting diode (LED) package is a compound semiconductor having a semiconductor p-n junction structure and refers to a device that emits a certain amount of light by recombination of minority carriers (electrons or holes). Light-emitting diode packages consume less power, have a longer lifespan, and can be miniaturized.
발광 다이오드 패키지는 파장 변환 수단인 형광체를 사용하여 백색광을 구현할 수 있다. 즉, 형광체를 발광 다이오드 칩 상에 배치하여, 발광 다이오드 칩의 1차 광의 일부와 형광체에 의해 파장 변환된 2차 광의 혼색을 통하여 백색광을 구현할 수 있다. 이런 구조의 백색 발광 다이오드 패키지는 가격이 싸고, 원리적 및 구조적으로 간단하기 때문에 널리 이용되고 있다.A light emitting diode package can produce white light using a phosphor, which is a means of converting wavelengths. That is, by placing a phosphor on a light-emitting diode chip, white light can be generated through color mixing of a portion of the primary light of the light-emitting diode chip and secondary light whose wavelength has been converted by the phosphor. White light emitting diode packages of this structure are widely used because they are inexpensive and simple in principle and structure.
구체적으로, 청색 발광 다이오드 칩 상에 청색광의 일부를 여기광으로 흡수하여 황록색 또는 황색을 발광하는 형광체를 도포하여 백색광을 얻을 수 있다. 대한민국 공개특허 제10-2004-0032456호를 참조하면, 청색으로 발광하는 발광 다이오드 칩 위에 그 광의 일부를 여기원으로서 황록색 내지 황색 발광하는 형광체를 부착하여 발광 다이오드의 청색 발광과 형광체의 황록색 내지 황색 발광에 따라 백색 발광하는 발광 다이오드를 개시하고 있다.Specifically, white light can be obtained by applying a phosphor that absorbs part of the blue light as excitation light and emits yellow-green or yellow light on the blue light-emitting diode chip. Referring to Korean Patent Publication No. 10-2004-0032456, a phosphor that emits yellow-green to yellow light is attached to a light-emitting diode chip that emits blue light using part of the light as an excitation source, so that the light-emitting diode emits blue light and the phosphor emits yellow-green to yellow light. Accordingly, a light emitting diode that emits white light is disclosed.
그러나, 이러한 방식을 사용하는 백색 발광 다이오드 패키지는 황색 형광체의 발광을 활용하므로, 방출되는 광의 녹색 및 적색 영역의 스펙트럼 결핍으로 인해 높은 색 재현성을 구현하기 어렵다. 특히, 백라이트 유닛(backlight unit)으로 사용 시, 색 필터를 투과한 이후의 낮은 색순도로 인하여 자연색에 가까운 색 구현이 어렵다.However, since the white light emitting diode package using this method utilizes the light emission of the yellow phosphor, it is difficult to achieve high color reproducibility due to the spectral deficiency in the green and red regions of the emitted light. In particular, when used as a backlight unit, it is difficult to realize colors close to natural colors due to low color purity after passing through the color filter.
이러한 문제점을 해결하기 위해, 청색 발광 다이오드 칩과 청색광을 여기광으로 하여 녹색 및 적색을 발광하는 형광체들을 사용하여 발광 다이오드를 제조한다. 즉, 청색광과 청색광에 의해 여기되어 나오는 녹색광 및 적색광의 혼색을 통하여, 높은 연색성을 가지는 백색광을 구형할 수 있다. 이러한, 백색 발광 다이오드를 백라이트 유닛으로 사용할 경우, 색 필터와의 일치도가 매우 높기 때문에, 보다 자연색에 가까운 영상을 구현할 수 있다. 그러나, 형광체의 여기를 통하여 방출되는 광은 발광 다이오드 칩과 비교하여, 넓은 반치폭(full width at half maximum)을 가진다. 또한, 대한민국 등록특허 제10-0961324호를 참조하면, 질화물 형광체와 그 제조 방법 및 발광 장치가 개시되어 있다. 질화물 형광체를 포함하는 발광 장치의 발광 스펙트럼을 검토하면, 적색 영역에서 넓은 반치폭을 가짐을 알 수 있다. 따라서, 이 경우에도 높은 색재현성을 구현하기 어렵다.To solve this problem, a light emitting diode is manufactured using a blue light emitting diode chip and phosphors that emit green and red light using blue light as excitation light. That is, through mixing blue light with green light and red light excited by blue light, white light with high color rendering properties can be produced. When such a white light emitting diode is used as a backlight unit, the degree of matching with the color filter is very high, so an image closer to natural colors can be realized. However, the light emitted through excitation of the phosphor has a wide full width at half maximum compared to the light emitting diode chip. Additionally, referring to Republic of Korea Patent No. 10-0961324, a nitride phosphor, its manufacturing method, and a light emitting device are disclosed. When examining the emission spectrum of a light emitting device containing a nitride phosphor, it can be seen that it has a wide half width in the red region. Therefore, even in this case, it is difficult to implement high color reproducibility.
따라서, 보다 높은 색재현성을 가지는 백색광을 구현하기 위해서는, 보다 좁은 반치폭을 가지는 형광체의 사용이 필요하다. 그러나, 좁은 반치폭을 가지는 형광체들은 대체로 수분에 취약한 특성을 보이고, 이는 발광 다이오드 패키지의 전체적인 신뢰성을 저하시키는 문제점이 있다.Therefore, in order to implement white light with higher color reproducibility, it is necessary to use a phosphor with a narrower half width. However, phosphors with a narrow half width are generally vulnerable to moisture, which reduces the overall reliability of the light emitting diode package.
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본 발명에 해결하고자 하는 과제는, 형광체의 고온 및/또는 고습 환경에서의 열화 문제를 해결하여, 신뢰성이 향상된 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide a light emitting diode package with improved reliability by solving the problem of deterioration of the phosphor in a high temperature and/or high humidity environment.
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본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 컬러 영상을 구현하기 위해 백라이트 유닛으로 사용되는 발광 다이오드 패키지로서, 하우징; 상기 하우징에 배치되는 적어도 하나의 발광 다이오드 칩; 상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩에 의해 여기되어 녹색광을 방출하는 제1 형광체; 및 상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩에 의해 여기되어 적색광을 방출하는 제2 형광체 및 제3 형광체를 포함하되, 상기 제2 형광체는 A2MF6: Mn4+의 화학식을 가지는 형광체이고, 상기 A는 Li, Na, K, Ba, Rb, Cs, Mg, Ca, Se 및 Zn 중 하나이고, M은 Ti, Si, Zr, Sn 및 Ge 중 하나이며, 상기 제3 형광체는 질화물계 형광체이되, 상기 제2 형광체 및 상기 제3 형광체 각각의 적색광은 서로 다른 피크 파장을 가지고, 상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩, 상기 제1 형광체, 상기 제2 형광체 및 상기 제3 형광체에서 방출되는 광의 합성에 의해 백색광이 형성되고, 상기 백색광은 CIE 색도도 상의 영역 내에 있는 지점을 형성하는 x 및 y 색좌표를 가지며, 상기 x 색좌표는 0.25 내지 0.35이고, 상기 y 색좌표는 0.22 내지 0.32이다.A light emitting diode package according to an embodiment of the present invention is a light emitting diode package used as a backlight unit to implement a color image, and includes a housing; At least one light emitting diode chip disposed in the housing; a first phosphor that is excited by the at least one light emitting diode chip and emits green light; and a second phosphor and a third phosphor that are excited by the at least one light emitting diode chip and emit red light, wherein the second phosphor is a phosphor having the chemical formula A2MF6:Mn4+, and A is Li, Na, K , Ba, Rb, Cs, Mg, Ca, Se and Zn, M is one of Ti, Si, Zr, Sn and Ge, and the third phosphor is a nitride-based phosphor, wherein the second phosphor and the third phosphor are The red light of each of the three phosphors has a different peak wavelength, and white light is formed by synthesis of light emitted from the at least one light emitting diode chip, the first phosphor, the second phosphor, and the third phosphor, and the white light is The CIE chromaticity diagram has x and y color coordinates that define points within the region, where the x color coordinate is 0.25 to 0.35 and the y color coordinate is 0.22 to 0.32.
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상기 제1 형광체는 BAM(Ba-Al-Mg) 계열의 형광체, 양자점(quantum dot) 형광체, 실리케이트(Silicate) 계열, 베타-사이알론(beta-SiAlON) 계열, 가넷(Garnet)계열, LSN 계열 형광체 중 적어도 하나일 수 있다.The first phosphor is a BAM (Ba-Al-Mg) series phosphor, quantum dot phosphor, Silicate series, beta-SiAlON series, Garnet series, and LSN series phosphor. It can be at least one of:
상기 제1 형광체의 녹색광의 피크 파장은 500 내지 570nm 범위 내에 위치하고, 상기 제2 형광체의 적색광의 피크 파장은 610 내지 650nm위 내에 위치할 수 있으며, 상기 제3 형광체의 적색광의 피크 파장은 600 내지 670nm 범위 내에 위치할 수 있다. The peak wavelength of the green light of the first phosphor may be located within the range of 500 to 570 nm, the peak wavelength of the red light of the second phosphor may be located within the range of 610 to 650 nm, and the peak wavelength of the red light of the third phosphor may be located within the range of 600 to 670 nm. It can be located within the range.
상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩은 청색 발광 다이오드 칩 및 자외선 발광 다이오드 칩 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The at least one light emitting diode chip may include at least one of a blue light emitting diode chip and an ultraviolet light emitting diode chip.
상기 백색광은 85% 이상의 NTSC(national television system committee) 색채 포화도를 가질 수 있다.The white light may have a national television system committee (NTSC) color saturation of 85% or more.
상기 제3 형광체는 MSiN2, MSiON2 및 M2Si5N8 화학식으로 표현되는 형광체들 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 M은 Ca, Sr, Ba, Zn, Mg 및 Eu 중 하나일 수 있다.The third phosphor includes at least one of the phosphors expressed by the chemical formulas MSiN2, MSiON2, and M2Si5N8, and M may be one of Ca, Sr, Ba, Zn, Mg, and Eu.
상기 제2 형광체는 상기 제3 형광체보다 작은 반치폭(FWMH)을 가질 수 있다.The second phosphor may have a smaller width at half maximum (FWMH) than the third phosphor.
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본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 좁은 반치폭을 가지는 광을 방출하는 형광체를 포함하므로, 발광 다이오드 패키지의 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 형광체 고온 및/또는 고습 환경에서 발광 특성 등이 저하되는 열화 현상을 방지하여, 형광체의 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 이에 따라 발광 다이오드 패키지의 전체적이 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Since the light emitting diode package according to the present invention includes a phosphor that emits light with a narrow half width, the color reproducibility of the light emitting diode package can be improved. In addition, the reliability of the phosphor can be improved by preventing deterioration of the phosphor's luminous properties in a high temperature and/or high humidity environment, thereby improving the overall reliability of the light emitting diode package.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 3는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a cross-sectional view showing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
Figure 3 is a cross-sectional view showing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
Figure 4 is a cross-sectional view showing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
Figure 5 is a cross-sectional view showing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 또한, 하나의 구성요소가 다른 구성요소의 "상부에" 또는 "상에" 있다고 기재된 경우 각 부분이 다른 부분의 "바로 상부" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라 각 구성요소와 다른 구성요소 사이에 또 다른 구성요소가 있는 경우도 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. The embodiments introduced below are provided as examples so that the idea of the present invention can be sufficiently conveyed to those skilled in the art. Accordingly, the present invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. Also, in the drawings, the width, length, thickness, etc. of components may be exaggerated for convenience. Additionally, when one component is described as being "on top of" or "on" another component, it means that each component is "directly on" or "directly on" the other component, as well as when each component is described as being "directly on" or "directly on" the other component. This also includes cases where there are other components in between. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타내는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 발광 다이오드 패키지는 하우징(101), 발광 다이오드 칩(102)), 제1 형광체(105), 제2 형광체(106), 제3 형광체(107) 및 몰딩부(104)를 포함한다.1 is a cross-sectional view showing a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the light emitting diode package includes a housing 101, a light emitting diode chip 102), a first phosphor 105, a second phosphor 106, a third phosphor 107, and a molding portion 104. Includes.
하우징(101) 상에 발광 다이오드 칩(102), 제1 형광체(105), 제2 형광체(106), 제3 형광체(107) 및 몰딩부(104)가 배치될 수 있다. 발광 다이오드 칩(102)은 하우징(101)의 바닥면에 배치될 수 있다. 하우징(101)에는 발광 다이오드 칩(102)에 전력을 입력하기 위한 리드 단자들(미도시)이 설치될 수 있다. 몰딩부(104)는 제1 형광체(105), 제2 형광체(106), 및 제3 형광체(107)들을 포함하고, 발광 다이오드 칩(102)을 덮을 수 있다.A light emitting diode chip 102, a first phosphor 105, a second phosphor 106, a third phosphor 107, and a molding portion 104 may be disposed on the housing 101. The light emitting diode chip 102 may be placed on the bottom surface of the housing 101. Lead terminals (not shown) for inputting power to the light emitting diode chip 102 may be installed in the housing 101. The molding part 104 includes the first phosphor 105, the second phosphor 106, and the third phosphor 107, and may cover the light emitting diode chip 102.
하우징(101)은 일반적인 플라스틱(폴리머), ABS(acrylonitrile butadiene styrene), LCP(liquid crystalline polymer), PA(polyamide), IPS(polyphenylene sulfide) 또는 TPE(thermoplastic elastomer) 등으로 형성되거나, 메탈 또는 세라믹으로 형성될 수도 있다. 발광 다이오드 칩(102)이 자외선 발광 다이오드 칩인 경우에는, 하우징(101)은 세라믹으로 형성될 수 있다. 하우징(101)이 세라믹인 경우에는, 자외선 발광 다이오드 칩에서 방출된 자외선 광에 의해 세라믹을 포함하는 하우징(101)이 변색되거나 변질될 우려가 없어, 발광 다이오드 패키지의 신뢰성을 유지할 수 있다. 하우징(101)이 메탈인 경우에는, 하우징(101)은 둘 이상의 금속 프레임들을 포함할 수 있고, 금속 프레임들은 서로 절연될 수 있다. 메탈을 포함하는 하우징(101)을 통해, 발광 다이오드 패키지의 방열 능력을 향상시킬 수 있다. 하우징(101)을 형성할 수 있는 물질들을 상기에 언급하였지만, 하우징(101)은 이에 제한되지 않고 다양한 물질들로 형성할 수 있다.The housing 101 is made of general plastic (polymer), acrylonitrile butadiene styrene (ABS), liquid crystalline polymer (LCP), polyamide (PA), polyphenylene sulfide (IPS), or thermoplastic elastomer (TPE), or is made of metal or ceramic. may be formed. When the light emitting diode chip 102 is an ultraviolet light emitting diode chip, the housing 101 may be formed of ceramic. When the housing 101 is made of ceramic, there is no risk that the ceramic-containing housing 101 will be discolored or deteriorated by ultraviolet light emitted from the ultraviolet light emitting diode chip, thereby maintaining the reliability of the light emitting diode package. When the housing 101 is made of metal, the housing 101 may include two or more metal frames, and the metal frames may be insulated from each other. Through the housing 101 containing metal, the heat dissipation ability of the light emitting diode package can be improved. Although materials that can form the housing 101 have been mentioned above, the housing 101 is not limited thereto and can be formed of various materials.
하우징(101)은 발광 다이오드 칩(102)에서 방출되는 광의 반사를 위하여 경사진 내벽을 포함할 수 있다.The housing 101 may include an inclined inner wall to reflect light emitted from the light emitting diode chip 102.
몰딩부(104)는 실리콘(silicone), 에폭시(epoxy), PMMA(polymethyl methacrylate), PE(polyethylene) 및 PS(polystyrene) 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 형성될 수 있다. 몰딩부(104)는 필요에 따라 일정한 경도를 가지는 물질로 형성될 수 있으며 상술한 물질로 제한되는 것은 아니다.The molding portion 104 may be formed of a material containing at least one of silicone, epoxy, polymethyl methacrylate (PMMA), polyethylene (PE), and polystyrene (PS). The molding portion 104 may be formed of a material having a certain hardness as needed and is not limited to the materials described above.
몰딩부(104)는 상술한 물질과 제1, 제2, 및 제3 형광체(105, 106, 107)들의 혼합물을 이용한 사출 공정을 통해 형성할 수 있다. 또한 별도의 주형을 이용하여 제작한 다음, 이를 가압 또는 열처리하여 몰딩부(104)를 형성할 수 있다. 몰딩부(104)는 볼록 렌즈 형태, 평판 형태(미도시) 및 표면에 소정의 요철을 갖는 형태 등 다양한 형상으로 형성할 수 있다. 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 볼록 렌즈 형태를 가지는 몰딩부(104)를 개시하였지만, 몰딩부(104)의 형상은 이에 국한되지 않는다.The molding portion 104 can be formed through an injection process using a mixture of the above-described materials and the first, second, and third phosphors 105, 106, and 107. Additionally, the molding portion 104 can be formed by manufacturing it using a separate mold and then pressurizing or heat treating it. The molding part 104 can be formed in various shapes, such as a convex lens shape, a flat shape (not shown), and a shape with predetermined irregularities on the surface. Although the light emitting diode package according to the present invention discloses a molding part 104 having a convex lens shape, the shape of the molding part 104 is not limited to this.
발광 다이오드 칩(102)은 자외선 발광 다이오드 칩 또는 청색 발광 다이오드 칩일 수 있다. 발광 다이오드 칩(102)이 청색 발광 다이오드 칩인 경우에는, 방출하는 광의 피크 파장은 410 내지 490nm 범위 내에 위치할 수 있다. 발광 다이오드 칩(102)이 방출하는 청색광의 피크 파장의 반치폭(full width at half maximum: FWHM)은 40nm 이하 일 수 있다. 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 하나의 발광 다이오드 칩(102)이 배치된 형태를 개시하였지만, 배치되는 발광 다이오드 칩(102)의 개수 및 배치 형태는 이에 제한되지 않는다.The light emitting diode chip 102 may be an ultraviolet light emitting diode chip or a blue light emitting diode chip. When the light emitting diode chip 102 is a blue light emitting diode chip, the peak wavelength of the emitted light may be located within the range of 410 to 490 nm. The full width at half maximum (FWHM) of the peak wavelength of the blue light emitted by the light emitting diode chip 102 may be 40 nm or less. Although the light emitting diode package according to the present invention is disclosed in a form in which one light emitting diode chip 102 is disposed, the number and arrangement form of the light emitting diode chip 102 are not limited thereto.
제1 형광체(105)는 발광 다이오드 칩(102)에 여기되어 녹색광을 방출할 수 있다. 제2 형광체(106) 및 제3 형광체(107)는 발광 다이오드 칩(102)에 여기되어 적색광을 방출할 수 있다.The first phosphor 105 may be excited by the light emitting diode chip 102 and emit green light. The second phosphor 106 and the third phosphor 107 may be excited by the light emitting diode chip 102 and emit red light.
제1 형광체(105)가 방출하는 녹색광의 피크 파장은 500 내지 570nm 범위 내에 위치할 수 있다. 제1 형광체(105)는 35nm이하의 반치폭을 가지는 녹색광을 방출할 수 있다. 제1 형광체(105)는 BAM(Ba-Al-Mg) 계열의 형광체, 양자점(quantum dot) 형광체, 실리케이트(Silicate) 계열, 베타-사이알론(beta-SiAlON) 계열, 가넷(Garnet) 계열, LSN 계열 및 불화물 계열 형광체에서 선택된 적어도 하나의 형광체를 포함할 수 있다. 상기 불화물 계열 형광체는 A2MF6:Mn4+의 화학식을 가지는 형광체일 수 있다. 상기 화학식에서 A는 Li, Na, K, 및 Rb 중 하나일 수 있고, M은 Si, 및 Ti 중 하나일 수 있다. The peak wavelength of green light emitted by the first phosphor 105 may be located within the range of 500 to 570 nm. The first phosphor 105 can emit green light with a half width of 35 nm or less. The first phosphor 105 is a BAM (Ba-Al-Mg) series phosphor, quantum dot phosphor, Silicate series, beta-SiAlON series, Garnet series, and LSN. It may include at least one phosphor selected from fluoride-based and fluoride-based phosphors. The fluoride-based phosphor may have the chemical formula A 2 MF 6 :Mn 4+ . In the above formula, A may be one of Li, Na, K, and Rb, and M may be one of Si and Ti.
상기에 제1 형광체(105)의 종류를 서술하였지만, 본 발명에 따른 제1 형광체(105)의 종류는 이로 인해 제한되는 것은 아니다.Although the type of the first phosphor 105 has been described above, the type of the first phosphor 105 according to the present invention is not limited thereto.
녹색광의 반치폭이 좁을수록 높은 색 순도를 가지는 녹색광을 구현할 수 있다. 반치폭이 35㎚ 이상인 경우에는, 발광하는 광의 색 순도가 낮기 때문에 컬러 텔레비전의 방송 방식으로서 채용되고 있는 NTSC(National Television System Committee) 방식의 규격으로 정해져 있는 전체 색 재현 범위의 85% 이상을 재현하기 어렵다. 따라서, 본 발명에 따른 발광 소자가 방출하는 백색광의 85% 이상의 NTSC 색채 포화도를 구현하기 위해, 상기 제1 형광체는 35㎚ 이하의 반치폭을 가지는 녹색광을 방출한다.The narrower the half width of green light, the more likely it is that green light with higher color purity can be realized. When the full width at half maximum is 35 nm or more, the color purity of the emitted light is low, so it is difficult to reproduce more than 85% of the total color reproduction range specified in the NTSC (National Television System Committee) standard, which is adopted as a broadcasting method for color television. . Therefore, in order to realize NTSC color saturation of 85% or more of the white light emitted by the light emitting device according to the present invention, the first phosphor emits green light with a full width at half maximum of 35 nm or less.
제2 형광체(106)는 발광 다이오드 칩(102)에 의해 여기되어 적색광을 방출할 수 있다. 제2 형광체(106)가 방출하는 적색광의 피크 파장은 610 내지 650㎚ 범위 내에서 위치할 수 있다. 제2 형광체(106)는 양자점(quantum dot) 형광체, 황화물계 형광체 및 불화물 계열 형광체에서 선택된 적어도 하나의 형광체를 포함할 수 있다. 불화물 계열 형광체는 A2MF6:Mn4+의 화학식을 가지는 형광체일 수 있다. 상기 화학식에서 상기 A는 Li, Na, K, Ba, Rb, Cs, Mg, Ca, Se 및 Zn 중 하나이고, 상기 M은 Ti, Si, Zr, Sn 및 Ge 중 하나일 수 있다. The second phosphor 106 may be excited by the light emitting diode chip 102 to emit red light. The peak wavelength of red light emitted by the second phosphor 106 may be located within the range of 610 to 650 nm. The second phosphor 106 may include at least one phosphor selected from quantum dot phosphor, sulfide-based phosphor, and fluoride-based phosphor. The fluoride-based phosphor may be a phosphor having the chemical formula A 2 MF 6 :Mn 4+ . In the above formula, A may be one of Li, Na, K, Ba, Rb, Cs, Mg, Ca, Se, and Zn, and M may be one of Ti, Si, Zr, Sn, and Ge.
제2 형광체(106)는 좁은 반치폭을 가지는 적색광을 방출할 수 있다. 구체적으로, 양자점 형광체의 경우에는 30 내지 40㎚의 반치폭을, 황화물계 형광체인 경우에는 65㎚ 이하의 반치폭을, 불화물 계열 형광체의 경우에는 20㎚ 이하의 반치폭을 가지는 적색광을 방출할 수 있다. 즉, 제2 형광체(106)가 불화물 계열 형광체인 경우에, 가장 좁은 반치폭을 가지는 적색광을 방출할 수 있다. 제3 형광체(107)는 발광 다이오드 칩(102)에 의해 여기되어 적색광을 방출할 수 있다. 구체적으로, 제3 형광체(107)가 방출하는 적색광의 피크 파장은 600 내지 670nm 범위 내에서 위치할 수 있다. 제3 형광체(107)는 질화물계 형광체일 수 있다. 상기 질화물계 형광체는 MSiN2, MSiON2 및 M2Si5N8 화학식으로 표현되는 형광체들 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 M은 Ca, Sr, Ba, Zn, Mg 및 Eu 중 하나일 수 있다. 상기 제2 형광체는 상기 제3 형광체보다 작은 반치폭(FWMH)을 가질 수 있다.The second phosphor 106 may emit red light with a narrow half width. Specifically, quantum dot phosphors can emit red light with a half width of 30 to 40 nm, sulfide-based phosphors can emit red light with a half width of 65 nm or less, and fluoride-based phosphors can emit red light with a half width of 20 nm or less. That is, when the second phosphor 106 is a fluoride-based phosphor, it can emit red light with the narrowest full width at half maximum. The third phosphor 107 may be excited by the light emitting diode chip 102 and emit red light. Specifically, the peak wavelength of red light emitted by the third phosphor 107 may be located within the range of 600 to 670 nm. The third phosphor 107 may be a nitride-based phosphor. The nitride-based phosphor may include at least one of the phosphors expressed by the chemical formula MSiN 2 , MSiON 2 and M 2 Si 5 N 8 , and M may be one of Ca, Sr, Ba, Zn, Mg and Eu. there is. The second phosphor may have a smaller width at half maximum (FWMH) than the third phosphor.
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또한, 상기 백색광의 CIE 색도도 상의 일 지점을 형성하는 x,y 색좌표, 역시 최소한의 변화를 나타낼 수 있다. 구체적으로, x 색좌표는 0.25 내지 0.35일 수 있으며, y 색좌표는 0.22 내지 0.32일 수 있다. Additionally, the x,y color coordinates that form a point on the CIE chromaticity diagram of the white light may also show minimal change. Specifically, the x color coordinate may be 0.25 to 0.35, and the y color coordinate may be 0.22 to 0.32.
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도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타내는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 발광 다이오드 패키지는 하우징(101), 발광 다이오드 칩(102), 몰딩부(104), 제1 형광체(105), 제2 형광체(106), 제3 형광체(107) 및 버퍼부(109)를 포함한다. 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 버퍼부(109)를 제외하면, 상기 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지와 대체로 유사하며, 따라서 중복되는 설명은 생략한다.Figure 2 is a cross-sectional view showing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention. Referring to Figure 2, the light emitting diode package includes a housing 101, a light emitting diode chip 102, a molding part 104, a first phosphor 105, a second phosphor 106, a third phosphor 107, and a buffer. Includes part 109. The light emitting diode package according to this embodiment is generally similar to the light emitting diode package according to the above embodiment except for the buffer unit 109, and therefore redundant description will be omitted.
버퍼부(109)는 발광 다이오드 칩(102)과 몰딩부(104) 사이에 배치될 수 있다. 버퍼부는 silicone, epoxy, PMMA(polymethyl methacrylate), PE(polyethylene) 및 PS(polystyrene) 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 형성될 수 있다. 버퍼부(109)의 경도는 몰딩부(104)보다 작을 수 있다. 버퍼부(109)을 이용하여, 발광 다이오드 칩(102)에서 발생하는 열로 인한 몰딩부(104)의 열적 스트레스를 방지할 수 있다. 본 실시예에 따른 버퍼부(109)는 발광 다이오드 칩(102) 주변 영역에 배치된 경우를 개시하였지만, 버퍼부(109)는 하우징(101)의 좌측벽과 우측벽 모두와 접하도록 넓은 영역에 배치될 수 도 있다.The buffer unit 109 may be disposed between the light emitting diode chip 102 and the molding unit 104. The buffer unit may be formed of a material containing at least one of silicone, epoxy, polymethyl methacrylate (PMMA), polyethylene (PE), and polystyrene (PS). The hardness of the buffer portion 109 may be smaller than that of the molding portion 104. By using the buffer unit 109, thermal stress on the molding unit 104 due to heat generated from the light emitting diode chip 102 can be prevented. Although the buffer unit 109 according to this embodiment is disposed in the area surrounding the light emitting diode chip 102, the buffer unit 109 is placed in a wide area so as to contact both the left and right walls of the housing 101. It may also be placed.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타내는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 발광 다이오드 패키지는 하우징(101), 발광 다이오드 칩(102), 몰딩부(104), 제1 형광체(105), 제2 형광체(106), 제3 형광체(107), 리플렉터(111) 및 베리어 리플렉터(112)를 포함할 수 있다. 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 리플렉터(111) 및 베리어 리플렉터(112)를 제외하면, 상기 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지와 대체로 유사하며, 따라서 중복되는 설명은 생략한다.Figure 3 is a cross-sectional view showing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention. Referring to Figure 3, the light emitting diode package includes a housing 101, a light emitting diode chip 102, a molding part 104, a first phosphor 105, a second phosphor 106, a third phosphor 107, and a reflector. (111) and may include a barrier reflector (112). The light emitting diode package according to this embodiment is generally similar to the light emitting diode package according to the above embodiment, except for the reflector 111 and the barrier reflector 112, and therefore redundant description will be omitted.
리플렉터(111)는 발광 다이오드 칩(102)과 이격되어 측면에 배치될 수 있다. 리플렉터(111)는 발광 다이오드 칩(102), 제1, 제2 및 제3 형광체(105, 106, 107)에서 방출되는 광의 반사를 극대화하여 발광 효율을 증대시킬 수 있다. 리플렉터(111)는 반사 코팅 필름 및 반사 코팅 물질층 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 리플렉터(111)는 내열성 및 내광성이 우수한 무기 재료, 유기 재료, 금속 재료 및 금속 산화물 재료 중에서 적어도 하나로 형성될 수 있다. 일례로, 리플렉터(111)는 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 이산화 티타늄(TiO2) 등과 같이 높은 반사율을 가지는 금속 또는 금속 산화물을 포함하여 구성될 수 있다. 리플렉터(111)는 하우징(101) 상에 금속 또는 금속 산화물을 증착 또는 코팅하여 형성할 수 있으며, 금속 잉크를 인쇄하여 형성할 수도 있다. 또한, 리플렉터(111)는 하우징(101) 상에 반사 필름 또는 반사 시트(sheet)를 접착하여 형성할 수도 있다.The reflector 111 may be placed on the side and spaced apart from the light emitting diode chip 102. The reflector 111 can increase luminous efficiency by maximizing reflection of light emitted from the light emitting diode chip 102 and the first, second, and third phosphors 105, 106, and 107. The reflector 111 may be formed of either a reflective coating film or a reflective coating material layer. The reflector 111 may be formed of at least one of an inorganic material, an organic material, a metal material, and a metal oxide material having excellent heat resistance and light resistance. For example, the reflector 111 may be made of a metal or metal oxide with high reflectivity, such as aluminum (Al), silver (Ag), gold (Au), titanium dioxide (TiO 2 ), etc. The reflector 111 can be formed by depositing or coating metal or metal oxide on the housing 101, and can also be formed by printing metal ink. Additionally, the reflector 111 may be formed by adhering a reflective film or a reflective sheet to the housing 101.
베리어 리플렉터(112)는 리플렉터(111)를 덮을 수 있다. 베리어 리플렉터(112)는 발광 다이오드 칩(102)에서 방출되는 열로 인한 리플렉터(111)의 열화 등을 방지할 수 있다. 베리어 리플렉터(112)는 내광성 및 반사율이 높은 무기 재료 또는 금속 재료로 형성될 수 있다.The barrier reflector 112 may cover the reflector 111. The barrier reflector 112 can prevent deterioration of the reflector 111 due to heat emitted from the light emitting diode chip 102. The barrier reflector 112 may be formed of an inorganic material or a metal material with high light resistance and reflectivity.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타내는 단면도이다. 도 4를 참조하면, 발광 소자는 하우징(101), 발광 다이오드 칩(102), 몰딩부(104), 제1 형광체(105), 제2 형광체(106), 및 제3 형광체(107)를 포함하고, 몰딩부(104)는 제1 몰딩부(104b) 및 제2 몰딩부(104a)를 더 포함할 수 있다. 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 제1 몰딩부(104b) 및 제2 몰딩부(104a)를 제외하면, 상기 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지와 대체로 유사하며, 따라서 중복되는 설명은 생략한다.Figure 4 is a cross-sectional view showing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, the light emitting device includes a housing 101, a light emitting diode chip 102, a molding part 104, a first phosphor 105, a second phosphor 106, and a third phosphor 107. And the molding part 104 may further include a first molding part 104b and a second molding part 104a. The light emitting diode package according to this embodiment is generally similar to the light emitting diode package according to the above embodiment, except for the first molding part 104b and the second molding part 104a, and therefore redundant description will be omitted.
제1 몰딩부(104b)는 발광 다이오드 칩(102)을 덮을 수 있다. 제2 몰딩부(104a)는 제1 몰딩부(104b)를 덮을 수 있다. 제1 몰딩부(104b)는 제2 몰딩부(104a)와 동일한 경도를 가지는 물질로 형성되거나, 다른 경도를 가지는 물질로 형성될 수 있다. 제1 몰딩부(104b)의 경도는 제2 몰딩부(104a)보다 낮을 수 있고, 이 경우, 상술한 실시예의 버퍼부(109)와 동일하게, 발광 다이오드 칩(102)에 인한 열 스트레스를 완화할 수 있다. The first molding part 104b may cover the light emitting diode chip 102. The second molding part 104a may cover the first molding part 104b. The first molding part 104b may be formed of a material having the same hardness as the second molding part 104a, or may be formed of a material having a different hardness. The hardness of the first molding part 104b may be lower than that of the second molding part 104a, and in this case, like the buffer part 109 in the above-described embodiment, thermal stress caused by the light emitting diode chip 102 is alleviated. can do.
제1 몰딩부(104b)는 적색광을 방출하는 제2 형광체(106) 및 제3 형광체(107)를 함유할 수 있다. 제2 몰딩부(104a)는 녹색광을 방출하는 제1 형광체(105)를 함유할 수 있다. 장파장을 방출하는 형광체들을 하부에 배치하고, 단파장을 방출하는 형광체들을 상부에 배치하여, 제1 형광체(105)에서 발광된 녹색광이 제2 형광체(106) 및 제3 형광체(107)에 다시 흡수되어 손실되는 것을 방지할 수 있다. The first molding part 104b may contain a second phosphor 106 and a third phosphor 107 that emit red light. The second molding part 104a may contain the first phosphor 105 that emits green light. Phosphors emitting long wavelengths are placed at the bottom and phosphors emitting short wavelengths are placed at the top, so that the green light emitted from the first phosphor 105 is absorbed again by the second phosphor 106 and the third phosphor 107. Loss can be prevented.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타내는 단면도이다. 도 5를 참조하면, 발광 다이오드 패키지는 하우징(101), 발광 다이오드 칩(102), 몰딩부(104), 제1 형광체(105), 제2 형광체(106), 제3 형광체(107) 및 형광체 플레이트(118)를 포함한다. 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 형광체 플레이트(118)를 제외하면, 상기 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지와 대체로 유사하며, 따라서 중복되는 설명은 생략한다.Figure 5 is a cross-sectional view showing a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention. Referring to Figure 5, the light emitting diode package includes a housing 101, a light emitting diode chip 102, a molding part 104, a first phosphor 105, a second phosphor 106, a third phosphor 107, and a phosphor. Includes plate 118. The light emitting diode package according to this embodiment is generally similar to the light emitting diode package according to the above embodiment except for the phosphor plate 118, and therefore redundant description will be omitted.
형광체 플레이트(118)는 발광 다이오드 칩(102)과 이격되어 몰딩부(104) 상부에 배치되고, 제1, 제2, 및 제3 형광체(105, 106, 107)들을 포함할 수 있다. 상기 형광체 플레이트(118)은 본 발명의 일 실시예에 따른 몰딩부(104)와 동일한 물질 또는 높은 경도를 가지는 물질로 형성될 수 있다.The phosphor plate 118 is disposed on the molding part 104 and spaced apart from the light emitting diode chip 102, and may include first, second, and third phosphors 105, 106, and 107. The phosphor plate 118 may be formed of the same material as the molding portion 104 according to an embodiment of the present invention or a material having high hardness.
제1, 제2, 및 제3 형광체(105, 106, 107)들이 발광 다이오드 칩(102)와 이격되어 배치되기 때문에, 제1, 제2, 및 제3 형광체(105, 106, 107)들 및 형광체 플레이트(118)의 열 또는 광에 의한 손상을 줄일 수 있다. 따라서, 제1, 제2, 및 제3 형광체(105, 106, 107)들의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. Since the first, second, and third phosphors 105, 106, and 107 are arranged to be spaced apart from the light emitting diode chip 102, the first, second, and third phosphors 105, 106, and 107 and Damage caused by heat or light to the phosphor plate 118 can be reduced. Accordingly, the reliability of the first, second, and third phosphors 105, 106, and 107 can be improved.
형광체 플레이트(118)와 발광 다이오드 칩(102) 사이에는 몰딩부(104) 대신에 빈공간이 형성될 수 있다. An empty space may be formed between the phosphor plate 118 and the light emitting diode chip 102 instead of the molding portion 104.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정, 변경 및 치환이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예 및 첨부된 도면들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예 및 첨부된 도면에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely an illustrative explanation of the technical idea of the present invention, and various modifications, changes, and substitutions can be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. will be. Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention and the attached drawings are not intended to limit the technical idea of the present invention, but are for illustrative purposes, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments and the attached drawings. . The scope of protection of the present invention should be interpreted in accordance with the claims below, and all technical ideas within the equivalent scope should be construed as being included in the scope of rights of the present invention.
101: 하우징
102: 발광 다이오드 칩
104: 몰딩부
104a: 제1 몰딩부
104b: 제2 몰딩부
105: 제1 형광체
106: 제2 형광체
107: 제3 형광체
109: 버퍼부
111: 리플렉터
112: 베리어 리플렉터
118: 형광체 플레이트101: housing
102: Light emitting diode chip
104: Molding part
104a: first molding part
104b: second molding part
105: first phosphor
106: second phosphor
107: Third phosphor
109: buffer unit
111: reflector
112: Barrier reflector
118: Phosphor plate
Claims (7)
하우징;
상기 하우징에 배치되는 적어도 하나의 발광 다이오드 칩;
상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩에 의해 여기되어 녹색광을 방출하는 제1 형광체; 및
상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩에 의해 여기되어 적색광을 방출하는 제2 형광체 및 제3 형광체를 포함하되,
상기 제2 형광체는 A2MF6: Mn4+의 화학식을 가지는 형광체이고, 상기 A는 Li, Na, K, Ba, Rb, Cs, Mg, Ca, Se 및 Zn 중 하나이고, M은 Ti, Si, Zr, Sn 및 Ge 중 하나이며,
상기 제3 형광체는 질화물계 형광체이되,
상기 제2 형광체 및 상기 제3 형광체 각각의 적색광은 서로 다른 피크 파장을 가지고,
상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩, 상기 제1 형광체, 상기 제2 형광체 및 상기 제3 형광체에서 방출되는 광의 합성에 의해 백색광이 형성되고,
상기 백색광은 CIE 색도도 상의 영역 내에 있는 지점을 형성하는 x 및 y 색좌표를 가지며,
상기 x 색좌표는 0.25 내지 0.35이고, 상기 y 색좌표는 0.22 내지 0.32인 발광 다이오드 패키지.A light emitting diode package used as a backlight unit to implement color images,
housing;
At least one light emitting diode chip disposed in the housing;
a first phosphor that is excited by the at least one light emitting diode chip and emits green light; and
A second phosphor and a third phosphor that are excited by the at least one light emitting diode chip and emit red light,
The second phosphor is a phosphor with the chemical formula A2MF6: Mn4+, where A is one of Li, Na, K, Ba, Rb, Cs, Mg, Ca, Se, and Zn, and M is Ti, Si, Zr, and Sn. and Ge,
The third phosphor is a nitride-based phosphor,
Red light from each of the second and third phosphors has different peak wavelengths,
White light is formed by synthesis of light emitted from the at least one light emitting diode chip, the first phosphor, the second phosphor, and the third phosphor,
The white light has x and y color coordinates that form a point within the region on the CIE chromaticity diagram,
A light emitting diode package wherein the x color coordinate is 0.25 to 0.35, and the y color coordinate is 0.22 to 0.32.
상기 제1 형광체의 녹색광의 피크 파장은 500 내지 570nm 범위 내에 위치하고,
상기 제2 형광체의 적색광의 피크 파장은 610 내지 650nm 범위 내에 위치하며,
상기 제3 형광체의 적색광의 피크 파장은 600 내지 670nm 범위 내에 위치하는 발광 다이오드 패키지.In claim 1,
The peak wavelength of the green light of the first phosphor is located in the range of 500 to 570 nm,
The peak wavelength of red light of the second phosphor is located within the range of 610 to 650 nm,
A light emitting diode package in which the peak wavelength of red light of the third phosphor is located within the range of 600 to 670 nm.
상기 제3 형광체는 MSiN2, MSiON2 및 M2Si5N8 화학식으로 표현되는 형광체들 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 M은 Ca, Sr, Ba, Zn, Mg 및 Eu 중 하나인 발광다이오드 패키지.In claim 1,
The third phosphor includes at least one of the phosphors expressed by the chemical formulas MSiN2, MSiON2, and M2Si5N8, and M is one of Ca, Sr, Ba, Zn, Mg, and Eu.
상기 제2 형광체는 상기 제3 형광체보다 작은 반치폭(FWMH)을 가지는 발광 다이오드 패키지.In claim 1,
A light emitting diode package wherein the second phosphor has a smaller width at half maximum (FWMH) than the third phosphor.
상기 제1 형광체는 BAM(Ba-Al-Mg) 계열의 형광체, 양자점(quantum dot) 형광체, 실리케이트(Silicate) 계열, 베타-사이알론(beta-SiAlON) 계열, 가넷(Garnet)계열, LSN 계열 형광체 중 적어도 하나인 발광 다이오드 패키지.In claim 1,
The first phosphor is a BAM (Ba-Al-Mg) series phosphor, quantum dot phosphor, Silicate series, beta-SiAlON series, Garnet series, and LSN series phosphor. At least one light emitting diode package.
상기 적어도 하나의 발광 다이오드 칩은 청색 발광 다이오드 칩 및 자외선 발광 다이오드 칩 중 적어도 하나를 포함하는 발광 다이오드 패키지.In claim 1,
A light emitting diode package wherein the at least one light emitting diode chip includes at least one of a blue light emitting diode chip and an ultraviolet light emitting diode chip.
상기 백색광은 85% 이상의 NTSC(national television system committee) 색채 포화도를 가지는 발광 다이오드 패키지.In claim 1,
The white light is a light emitting diode package having an NTSC (National Television System Committee) color saturation of 85% or more.
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Legal Events
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| E701 | Decision to grant or registration of patent right |