KR102590966B1 - Organic compound and organic thin film and electronic device - Google Patents
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Abstract
하기 화학식 1로 표현되는 유기 화합물, 상기 유기 화합물을 포함하는 유기 박막, 박막 트랜지스터 및 전자 소자에 관한 것이다.
It relates to an organic compound represented by the following formula (1), an organic thin film containing the organic compound, a thin film transistor, and an electronic device.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
A 및 B는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 2가의 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 또는 이들의 조합이고,
Z1 내지 Z6은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C10 할로알킬기 또는 할로겐 원자이되, Z1 내지 Z6 중 적어도 하나는 C1 내지 C10 할로알킬기 또는 할로겐 원자이고,
n1 및 n2은 각각 독립적으로 0 내지 5인 정수이고,
L은 6개 이상의 고리가 융합된 축합다환기로, 하기 화학식 2로 표현되는 기이고,
[화학식 2]
상기 화학식 2 및 3에서, Ar1 내지 Ar3, X1, X2, R1, R2, Ra, a, b 및 *의 정의는 명세서에서 기재한 바와 같다.[Formula 1]
In Formula 1,
A and B are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a divalent substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, or a combination thereof,
Z 1 to Z 6 are each independently hydrogen, a C1 to C10 haloalkyl group or a halogen atom, but at least one of Z 1 to Z 6 is a C1 to C10 haloalkyl group or a halogen atom,
n 1 and n 2 are each independently integers from 0 to 5,
L is a condensed polycyclic group in which six or more rings are fused, and is a group represented by the following formula (2),
[Formula 2]
In Formulas 2 and 3, the definitions of Ar 1 to Ar 3 , X 1 , X 2 , R 1 , R 2 , R a , a, b and * are as described in the specification.
Description
유기 화합물, 유기 박막 및 전자 소자에 관한 것이다.It relates to organic compounds, organic thin films, and electronic devices.
액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display, OLED display), 전기 영동 표시 장치(electrophoretic display) 등의 평판 표시 장치는 복수 쌍의 전기장 생성 전극과 그 사이에 들어 있는 전기 광학 활성층을 포함한다. 액정 표시 장치의 경우 전기 광학 활성층으로 액정층을 포함하고, 유기 발광 표시 장치의 경우 전기 광학 활성층으로 유기 발광층을 포함한다.Flat panel displays, such as liquid crystal displays (LCD), organic light emitting diode displays (OLED displays), and electrophoretic displays, have multiple pairs of electric field generating electrodes and between them. It contains an electro-optic active layer. In the case of a liquid crystal display device, the electro-optical active layer includes a liquid crystal layer, and in the case of an organic light-emitting display device, the electro-optical active layer includes an organic light-emitting layer.
한 쌍을 이루는 전기장 생성 전극 중 하나는 통상 스위칭 소자에 연결되어 전기 신호를 인가받고, 전기 광학 활성층은 이 전기 신호를 광학 신호로 변환함으로써 영상을 표시한다.One of the pair of electric field generating electrodes is usually connected to a switching element to receive an electric signal, and the electro-optical active layer converts this electric signal into an optical signal to display an image.
평판 표시 장치에서는 스위칭 소자로서 삼단자 소자인 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 사용하며, 이 박막 트랜지스터를 제어하기 위한 주사 신호를 전달하는 게이트선(gate line)과 화소 전극에 인가될 신호를 전달하는 데이터선(data line)이 평판 표시 장치에 구비된다.Flat panel display devices use a three-terminal thin film transistor (TFT) as a switching element, and a gate line that transmits a scanning signal to control the thin film transistor and a signal to be applied to the pixel electrode are used as a switching element. A data line that transmits data is provided in the flat panel display device.
이러한 박막 트랜지스터 중에서, 규소(Si)와 같은 무기 반도체 대신 저분자 또는 고분자와 같은 유기 반도체(organic semiconductor)를 포함하는 유기 박막 트랜지스터(organic thin film transistor, OTFT)에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다.Among these thin film transistors, research is being actively conducted on organic thin film transistors (OTFTs), which contain organic semiconductors such as low molecules or polymers instead of inorganic semiconductors such as silicon (Si).
유기 박막 트랜지스터는 유기 물질의 특성상 섬유(fiber) 또는 필름(film)과 같은 형태로 만들 수 있어서 가요성 표시 장치(flexible display device)의 핵심 소자로 주목받고 있다. 또한 유기 박막 트랜지스터는 잉크젯 인쇄와 같은 용액 공정(solution process)으로 제작할 수 있어서 증착 공정만으로 한계가 있는 대면적 평판 표시 장치에도 쉽게 적용할 수 있다.Organic thin film transistors are attracting attention as a core element of flexible display devices because they can be made into shapes such as fibers or films due to the nature of organic materials. In addition, organic thin film transistors can be manufactured through a solution process such as inkjet printing, so they can be easily applied to large-area flat panel displays where only the deposition process has limitations.
일 구현예는 유기 박막 트랜지스터와 같은 전자 소자에 적용할 수 있는 유기 화합물을 제공한다.One embodiment provides an organic compound applicable to electronic devices such as organic thin film transistors.
다른 구현예는 상기 유기 화합물을 포함하는 유기 박막을 제공한다.Another embodiment provides an organic thin film containing the organic compound.
또 다른 구현예는 상기 유기 박막을 포함하는 전자 소자를 제공한다.Another embodiment provides an electronic device including the organic thin film.
일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1로 표현되는 유기 화합물을 제공한다.According to one embodiment, an organic compound represented by the following Chemical Formula 1 is provided.
[화학식 1][Formula 1]
상기 화학식 1에서,In Formula 1,
A 및 B는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 2가의 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 또는 이들의 조합이고,A and B are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a divalent substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, or a combination thereof,
Z1 내지 Z6은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C10 할로알킬기 또는 할로겐 원자이되, Z1 내지 Z6 중 적어도 하나는 C1 내지 C10 할로알킬기 또는 할로겐 원자이고,Z 1 to Z 6 are each independently hydrogen, a C1 to C10 haloalkyl group or a halogen atom, but at least one of Z 1 to Z 6 is a C1 to C10 haloalkyl group or a halogen atom,
n1 및 n2은 각각 독립적으로 0 내지 5인 정수이고,n 1 and n 2 are each independently integers from 0 to 5,
L은 6개 이상의 고리가 융합된 축합다환기로, 하기 화학식 2로 표현되는 기이고,L is a condensed polycyclic group in which six or more rings are fused, and is a group represented by the following formula (2),
[화학식 2] [Formula 2]
상기 화학식 2에서,In Formula 2,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 오각 고리 또는 치환 또는 비치환된 육각 고리이고,Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted pentagonal ring or a substituted or unsubstituted hexagonal ring,
Ar3은 또는 이고,Ar 3 is or ego,
X1 내지 X4는 각각 독립적으로 O, S, Se, Te 또는 NRa이고,X 1 to X 4 are each independently O, S, Se, Te or NR a ,
R1, R2, Ra, Rx 및 Ry는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 히드록시기, 할로겐 원자 또는 이들의 조합이고, R 1 , R 2 , R a , R x and R y are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group. group, substituted or unsubstituted C7 to C30 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, substituted or An unsubstituted C2 to C30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, a hydroxy group, a halogen atom, or a combination thereof,
a 및 b는 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이고,a and b are each independently an integer of 1 to 3,
*는 연결 지점이고,* is the connection point,
상기 화학식 2에서 Ar3이 이고 a=b=1인 경우, 상기 L은 하기 화학식 3으로 표현되는 기이다:In
[화학식 3][Formula 3]
상기 화학식 3에서,In Formula 3 above,
Ar1, Ar2, X1 내지 X4, R1, R2 및 *는 상기 화학식 2에서 정의한 바와 같다.Ar 1 , Ar 2 , X 1 to X 4 , R 1 , R 2 and * are as defined in
상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 벤젠 고리, 치환 또는 비치환된 헤테로고리기일 수 있다.Ar 1 and Ar 2 may each independently be a substituted or unsubstituted benzene ring or a substituted or unsubstituted heterocyclic group.
상기 Ar1 및 Ar2는 치환 또는 비치환된 벤젠 고리일 수 있다.Ar 1 and Ar 2 may be a substituted or unsubstituted benzene ring.
상기 화학식 2에서 a=b=1 또는 a=b=2를 만족할 수 있다.In
상기 L 은 하기 그룹 1에 나열된 기 중 어느 하나일 수 있다.The L may be any one of the groups listed in
[그룹 1][Group 1]
상기 그룹 1에서,In
X1 내지 X4는 각각 독립적으로 O, S, Se, Te 또는 NRa이고,X 1 to X 4 are each independently O, S, Se, Te or NR a ,
R1 내지 R12, 및 Ra는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 히드록시기, 할로겐 원자 또는 이들의 조합이고, R 1 to R 12 , and R a are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted Ringed C7 to C30 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group. A C30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, a hydroxy group, a halogen atom, or a combination thereof,
*는 연결 지점이다.* is a connection point.
상기 A 및 B는 각각 독립적으로 하기 그룹 2에 나열된 기 중 어느 하나일 수 있다.A and B may each independently be any one of the groups listed in
[그룹 2][Group 2]
X21 내지 X23은 각각 독립적으로 O, S, Se, Te 또는 NRa이고,X 21 to X 23 are each independently O, S, Se, Te or NR a ,
R21 내지 R26, 및 Ra는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 히드록시기, 할로겐 원자 또는 이들의 조합이고, R 21 to R 26 , and R a are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted Ringed C7 to C30 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group. A C30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, a hydroxy group, a halogen atom, or a combination thereof,
*는 연결 지점이다.* is a connection point.
상기 Z1 내지 Z6은 각각 독립적으로 할로겐 원자일 수 있다.Z 1 to Z 6 may each independently be a halogen atom.
상기 유기 화합물은 하기 그룹 3에 나열된 것들 중 어느 하나일 수 있다.The organic compound may be any one of those listed in Group 3 below.
[그룹 3][Group 3]
상기 그룹 3에서,In group 3 above,
X1 내지 X4는 각각 독립적으로 O, S, Se, Te 또는 NRa이고,X 1 to X 4 are each independently O, S, Se, Te or NR a ,
Ra는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 히드록시기, 할로겐 원자 또는 이들의 조합이다.R a is each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, or a substituted or unsubstituted C7 to C30 arylalkyl group. , substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl group, substituted or unsubstituted It is a ringed C2 to C30 alkynyl group, a hydroxy group, a halogen atom, or a combination thereof.
다른 구현예에 따르면, 상기 유기 화합물을 포함하는 유기 박막을 제공한다.According to another embodiment, an organic thin film containing the organic compound is provided.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 유기 박막을 포함하는 전자 소자를 제공한다.According to another embodiment, an electronic device including the organic thin film is provided.
또 다른 구현예에 따르면, 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 중첩하는 유기 반도체, 그리고 상기 유기 반도체와 전기적으로 연결되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 유기 반도체는 상기 화학식 1로 표현되는 유기 화합물을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공한다.According to another embodiment, it includes a gate electrode, an organic semiconductor overlapping the gate electrode, and a source electrode and a drain electrode electrically connected to the organic semiconductor, wherein the organic semiconductor is an organic compound represented by Formula 1. Provides a thin film transistor including a.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 박막 트랜지스터를 포함하는 전자 소자를 제공한다.According to another embodiment, an electronic device including the thin film transistor is provided.
상기 전자 소자는 태양 전지, 액정 표시 장치, 유기 발광 장치, 전기 영동 장치, 유기 광전 소자 및 유기 센서를 포함할 수 있다.The electronic devices may include solar cells, liquid crystal displays, organic light emitting devices, electrophoresis devices, organic photoelectric devices, and organic sensors.
전하 이동성과 같은 전기적 특성을 개선한 유기 화합물을 제공한다.An organic compound with improved electrical properties such as charge mobility is provided.
도 1은 일 구현예에 따른 박막 트랜지스터를 도시한 단면도이다.
도 2는 합성예 1에 따른 화합물의 MALDI-TOF 질량 분석 데이터이다.
도 3은 합성예 2에 따른 화합물의 MALDI-TOF 질량 분석 데이터이다.
도 4는 실시예 1에 따른 유기 박막 트랜지스터의 전하 이동도를 보여주는 그래프이다.
도 5는 실시예 2에 따른 유기 박막 트랜지스터의 전하 이동도를 보여주는 그래프이다. Figure 1 is a cross-sectional view showing a thin film transistor according to one implementation.
Figure 2 shows MALDI-TOF mass spectrometry data of the compound according to Synthesis Example 1.
Figure 3 shows MALDI-TOF mass spectrometry data of the compound according to Synthesis Example 2.
Figure 4 is a graph showing the charge mobility of the organic thin film transistor according to Example 1.
Figure 5 is a graph showing the charge mobility of the organic thin film transistor according to Example 2.
이하, 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily implement the present invention. However, the present invention may be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '치환된'이란, 화합물 중의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Br, Cl, 또는 I), 히드록시기, 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1 내지 C20 알킬기, C2 내지 C20 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C30 아릴기, C7 내지 C30 아릴알킬기, C1 내지 C30 알콕시기, C1 내지 C20 헤테로알킬기, C3 내지 C20 헤테로아릴알킬기, C3 내지 C30 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C6 내지 C15 사이클로알키닐기, C3 내지 C30 헤테로사이클로알킬기 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 것을 의미한다.Unless otherwise defined herein, 'substituted' means that the hydrogen atom in the compound is a halogen atom (F, Br, Cl, or I), a hydroxy group, an alkoxy group, a nitro group, a cyano group, an amino group, an azido group, or an amino group. Dino group, hydrazino group, hydrazono group, carbonyl group, carbamyl group, thiol group, ester group, carboxyl group or its salt, sulfonic acid group or its salt, phosphoric acid or its salt, C1 to C20 alkyl group, C2 to C20 alkenyl group, C2 to C20 alkynyl group, C6 to C30 aryl group, C7 to C30 arylalkyl group, C1 to C30 alkoxy group, C1 to C20 heteroalkyl group, C3 to C20 heteroarylalkyl group, C3 to C30 cycloalkyl group, C3 to C15 cycloalkenyl group, It means substituted with a substituent selected from C6 to C15 cycloalkynyl group, C3 to C30 heterocycloalkyl group, and combinations thereof.
또한, 본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '헤테로'란, N, O, S, Se 및 P에서 선택된 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유한 것을 의미한다.Additionally, unless otherwise defined in the specification, 'hetero' means containing 1 to 3 hetero atoms selected from N, O, S, Se, and P.
이하 일 구현예에 따른 유기 화합물을 설명한다.Hereinafter, an organic compound according to one embodiment will be described.
일 구현예에 따른 유기 화합물은 하기 화학식 1로 표현될 수 있다.The organic compound according to one embodiment may be represented by the following
[화학식 1][Formula 1]
상기 화학식 1에서,In
A 및 B는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 2가의 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 또는 이들의 조합이고,A and B are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a divalent substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, or a combination thereof,
Z1 내지 Z6은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C10 할로알킬기 또는 할로겐 원자이되, Z1 내지 Z6 중 적어도 하나는 C1 내지 C10 할로알킬기 또는 할로겐 원자이고,Z 1 to Z 6 are each independently hydrogen, a C1 to C10 haloalkyl group or a halogen atom, but at least one of Z 1 to Z 6 is a C1 to C10 haloalkyl group or a halogen atom,
n1 및 n2은 각각 독립적으로 0 내지 5인 정수이고,n 1 and n 2 are each independently integers from 0 to 5,
L은 6개 이상의 고리가 융합된 축합다환기로, 하기 화학식 2로 표현되는 기이고,L is a condensed polycyclic group in which six or more rings are fused, and is a group represented by the following formula (2),
[화학식 2] [Formula 2]
상기 화학식 2에서,In
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 오각 고리 또는 치환 또는 비치환된 육각 고리이고,Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted pentagonal ring or a substituted or unsubstituted hexagonal ring,
Ar3은 또는 이고,Ar 3 is or ego,
X1 내지 X4는 각각 독립적으로 O, S, Se, Te 또는 NRa이고,X 1 to X 4 are each independently O, S, Se, Te or NR a ,
R1, R2, Ra, Rx 및 Ry는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 히드록시기, 할로겐 원자 또는 이들의 조합이고, R 1 , R 2 , R a , R x and R y are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, or a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group. group, substituted or unsubstituted C7 to C30 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, substituted or An unsubstituted C2 to C30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, a hydroxy group, a halogen atom, or a combination thereof,
a 및 b는 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이고,a and b are each independently an integer of 1 to 3,
*는 연결 지점이고, * is the connection point,
상기 화학식 2에서 Ar3이 이고, a=b=1인 경우, 상기 L은 하기 화학식 3으로 표현되는 기이다.In
[화학식 3][Formula 3]
상기 화학식 3에서,In Formula 3 above,
Ar1, Ar2, X1 내지 X4, R1, R2 및 *는 상기 화학식 2에서 정의한 바와 같다.Ar 1 , Ar 2 , X 1 to X 4 , R 1 , R 2 and * are as defined in
상기 유기 화합물은 코어부에 6개 이상의 고리가 융합된 축합다환기인 L 이 위치하고 말단부에 할로겐 원자를 함유하고 상기 코어부와 말단부가 소정의 고리기로 연결되어 있는 저분자 화합물이다. 상기 유기 화합물은 코어부의 융합 고리의 개수를 적절히 조절하여 화합물의 평면성을 높여 분자 사이의 팩킹(packing) 및 스태킹(stacking)을 높일 수 있다. 또한, 상기 유기 화합물은 말단부에 할로겐 원자를 함유함으로써, 할로겐 원자간의 반데르 발스 력(Van der Waals Force)의 작용에 의해 말단부 간의 상호작용이 증대될 뿐만 아니라 코어부 간의 pi-pi 상호작용이 증대되어, 분자간 상호작용 혹은 분자간 공간 구조를 더 좋게 만들 수 있다. The organic compound is a low-molecular compound in which L, a condensed polycyclic group in which six or more rings are fused, is located in the core, a halogen atom is contained in the terminal portion, and the core portion and the terminal portion are connected to a predetermined ring group. The organic compound can increase the planarity of the compound by appropriately adjusting the number of fused rings in the core portion, thereby increasing packing and stacking between molecules. In addition, the organic compound contains halogen atoms at the end portions, thereby increasing not only the interaction between the end portions but also the pi-pi interaction between the core portions due to the action of Van der Waals Force between halogen atoms. This can improve intermolecular interactions or intermolecular space structure.
상기 Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 벤젠 고리, 치환 또는 비치환된 헤테로고리기일 수 있다.Ar 1 and Ar 2 may each independently be a substituted or unsubstituted benzene ring or a substituted or unsubstituted heterocyclic group.
일 예로, 상기 L은 치환 또는 비치환된 벤젠 고리와 치환 또는 비치환된 헤테로고리기가 융합된 형태일 수 있고, 예컨대 상기 Ar1 및 Ar2는 치환 또는 비치환된 벤젠 고리일 수 있다.For example, L may be a fusion of a substituted or unsubstituted benzene ring and a substituted or unsubstituted heterocyclic group, and for example, Ar 1 and Ar 2 may be a substituted or unsubstituted benzene ring.
일 예로, 상기 Ar1 또는 Ar2 가 치환 또는 비치환된 헤테로고리기일 경우, Ar1 또는 Ar2 는 O, S, Se, Te 또는 NRa를 포함하는 헤테로고리기일 수 있고, 여기서 상기 Ra는 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 히드록시기, 할로겐 원자 또는 이들의 조합일 수 있다.As an example, when Ar 1 or Ar 2 is a substituted or unsubstituted heterocyclic group, Ar 1 or Ar 2 includes O, S, Se, Te, or NR a . It may be a heterocyclic group, where R a is hydrogen, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, or a substituted or unsubstituted C3 to C30 aryl group. C7 to C30 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkyl group. It may be a nyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, a hydroxy group, a halogen atom, or a combination thereof.
일 예로, 상기 L로 표시되는 축합다환기는 대칭 구조를 가질 수 있으며, 예컨대 a 및 b가 동시에 1이거나 a 및 b가 동시에 2일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.As an example, the condensed polycyclic group represented by L may have a symmetrical structure, for example, a and b may be 1 at the same time, or a and b may be 2 at the same time, but the present invention is not limited thereto.
상기 L은 하기 그룹 1에 나열된 기 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The L may be one of the groups listed in
[그룹 1][Group 1]
상기 그룹 1에서,In
X1 내지 X4는 각각 독립적으로 O, S, Se, Te 또는 NRa이고,X 1 to X 4 are each independently O, S, Se, Te or NR a ,
R1 내지 R12, 및 Ra는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 히드록시기, 할로겐 원자 또는 이들의 조합이고, R 1 to R 12 , and R a are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted Ringed C7 to C30 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group. A C30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, a hydroxy group, a halogen atom, or a combination thereof,
*는 연결 지점이다.* is a connection point.
상술한 바와 같이 상기 유기 화합물은 말단부에 적어도 하나의 할로겐 원자를 함유하며, 상기 할로겐 원자는 상기 적어도 하나의 할로겐 원자는 상기 유기 화합물의 일 측 말단에 함유되어도 되고 양 측 말단에 함유되어도 된다. 일 예로 상기 할로겐 원자는 불소일 수 있다. 일 예로, 상기 화학식 1에서 Z1 내지 Z6은 각각 독립적으로 예컨대 불소(F), 염소(Cl), 브롬(Br) 또는 요오드(I)와 같은 할로겐 원자일 수 있고, 예컨대 Z1 내지 Z6은 모두 불소일 수 있다. 일 예로, 상기 화학식 1에서 n1 및 n2은 각각 독립적으로 1 내지 5인 정수일 수 있으며, 예컨대 1 또는 2일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.As described above, the organic compound contains at least one halogen atom at an end, and the at least one halogen atom may be contained at one end or both ends of the organic compound. For example, the halogen atom may be fluorine. For example, in
한편, 상기 화학식 1에서 A 및 B는 예컨대 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 하기 그룹 2에 나열된 기 중 어느 하나일 수 있으나 이에 한정되는 아니다.Meanwhile, in
[그룹 2][Group 2]
X21 내지 X23은 각각 독립적으로 O, S, Se, Te 또는 NRa이고,X 21 to X 23 are each independently O, S, Se, Te or NR a ,
R21 내지 R26, 및 Ra는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 히드록시기, 할로겐 원자 또는 이들의 조합이고,R 21 to R 26 , and R a are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted Ringed C7 to C30 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group. A C30 alkenyl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, a hydroxy group, a halogen atom, or a combination thereof,
*는 연결 지점이다.* is a connection point.
상기 유기 화합물은 예컨대 하기 그룹 3에 나열된 화합물들 중 어느 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The organic compound may be, for example, any one of the compounds listed in Group 3 below, but is not limited thereto.
[그룹 3][Group 3]
상기 그룹 3에서,In group 3 above,
X1 내지 X4는 각각 독립적으로 O, S, Se, Te 또는 NRa이고,X 1 to X 4 are each independently O, S, Se, Te or NR a ,
Ra는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 히드록시기, 할로겐 원자 또는 이들의 조합이다.R a is each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, or a substituted or unsubstituted C7 to C30 arylalkyl group. , substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl group, substituted or unsubstituted It is a ringed C2 to C30 alkynyl group, a hydroxy group, a halogen atom, or a combination thereof.
상기 유기 화합물은 증착 또는 용액 공정을 통해 유기 박막으로 구현될 수 있다. 상기 유기 박막은 유기 반도체를 포함하는 다양한 소자에 적용될 수 있다. 예컨대 상기 유기 화합물은 박막 트랜지스터에 적용될 수 있으며, 태양 전지, 액정 표시 장치, 유기 발광 표시 장치, 전기 영동 장치, 유기 광전 소자 및 유기 센서와 같은 전자 소자에서 전하 수송층 및/또는 활성층으로 적용될 수 있다.The organic compound may be implemented as an organic thin film through a deposition or solution process. The organic thin film can be applied to various devices including organic semiconductors. For example, the organic compound can be applied to a thin film transistor and as a charge transport layer and/or an active layer in electronic devices such as solar cells, liquid crystal displays, organic light-emitting displays, electrophoretic devices, organic photoelectric devices, and organic sensors.
이하 상기 유기 화합물을 포함하는 박막 트랜지스터의 일 예에 대하여 도면을 참고하여 설명한다.Hereinafter, an example of a thin film transistor containing the organic compound will be described with reference to the drawings.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawing, the thickness is enlarged to clearly express various layers and regions. Throughout the specification, similar parts are given the same reference numerals. When a part of a layer, membrane, region, plate, etc. is said to be “on” another part, this includes not only cases where it is “directly above” the other part, but also cases where there is another part in between. Conversely, when a part is said to be “right on top” of another part, it means that there is no other part in between.
도 1은 일 구현예에 따른 박막 트랜지스터를 도시한 단면도이다.Figure 1 is a cross-sectional view showing a thin film transistor according to one implementation.
투명한 유리, 실리콘 또는 플라스틱 따위로 만들어진 기판(110) 위에 게이트 전극(124)이 형성되어 있다. 게이트 전극(124)은 게이트 신호를 전달하는 게이트선(도시하지 않음)과 연결되어 있다. 게이트 전극(124)은 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 이들의 합금 또는 이들의 조합으로 만들어질 수 있다.A
게이트 전극(124) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)은 유기 물질 또는 무기 물질로 만들어질 수 있으며, 유기 물질의 예로는 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol)계 화합물, 폴리이미드(polyimide)계 화합물, 폴리아크릴(polyacryl)계 화합물, 폴리스티렌(polystyrene)계 화합물, 벤조시클로부탄(benzocyclobutane, BCB) 따위의 용해성 고분자 화합물을 들 수 있고, 무기 물질의 예로는 질화규소(SiNx) 및 산화규소(SiO2)를 들 수 있다.A
게이트 절연막(140) 위에는 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)이 형성되어 있다. 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 게이트 전극(124)을 중심으로 마주하고 있다. 소스 전극(173)은 데이터 신호를 전달하는 데이터선(도시하지 않음)과 연결되어 있다. 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 이들의 합금 또는 이들의 조합으로 만들어질 수 있다.A
소스 전극(173) 및 드레인 전극(175) 위에는 유기 반도체(154)가 형성되어 있다. 유기 반도체(154)는 전술한 유기 화합물로 만들어질 수 있다. 유기 반도체(154)는 전술한 유기 화합물을 용액 형태로 준비하여 예컨대 스핀 코팅, 슬릿 코팅 또는 잉크젯 인쇄와 같은 용액 공정으로 형성될 수 있다. 그러나 이에 한하지 않고 전술한 유기 화합물을 증착과 같은 건식 공정으로 형성할 수도 있다.An
여기서는 박막 트랜지스터의 일 예로서 바텀 게이트 구조의 박막 트랜지스터를 설명하였지만, 이에 한정되지 않고 탑 게이트 구조의 박막 트랜지스터 등 모든 구조의 박막 트랜지스터에 동일하게 적용할 수 있다.Here, a bottom gate structure thin film transistor is described as an example of a thin film transistor, but it is not limited to this and can be equally applied to thin film transistors of any structure, including a top gate structure thin film transistor.
상기 박막 트랜지스터는 다양한 전자 소자에 스위칭 소자 또는 구동 소자로 적용될 수 있으며, 상기 전자 소자는 예컨대 액정 표시 장치, 유기 발광 표시 장치, 전기 영동 표시 장치, 유기 광전 소자 및 유기 센서를 포함할 수 있다.The thin film transistor may be applied as a switching element or driving element to various electronic devices, and the electronic devices may include, for example, a liquid crystal display device, an organic light emitting display device, an electrophoretic display device, an organic photoelectric device, and an organic sensor.
이하 실시예를 통하여 상술한 구현예를 보다 상세하게 설명한다. 다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.The above-described implementation example will be described in more detail through examples below. However, the following examples are for illustrative purposes only and do not limit the scope of the present invention.
유기 화합물의 합성synthesis of organic compounds
합성예Synthesis example 1 One
(화합물 P1의 합성)(Synthesis of Compound P1)
2000 ml 의 2구 플라스크에, 2,4-dibrom thiophene 8g (33mmol), 4-(trifluoromethyl)boronic acid 7.52g (39.6 mmol), potassium carbonate 8.66g(66 mmol), tetrakisb (triphenylphosphine)palladium(0) 0.953g(0.825 mmol), THF 640 ml 및 물 40ml을 온도 65 ℃에서 12시간 동안 환류(reflux) 한다. 그 후 물과 chloroform으로 반응을 종료하고 work-up을 한다. 그 후 hexane으로 column chromatography를 이용하여 정제하여 상기 화합물 P1을 얻는다. (수율: 71 %)In a 2000 ml two-neck flask, 8g (33mmol) of 2,4-dibrom thiophene, 7.52g (39.6 mmol) of 4-(trifluoromethyl)boronic acid, 8.66g (66 mmol) of potassium carbonate, tetrakisb (triphenylphosphine)palladium(0) 0.953 g (0.825 mmol), 640 ml of THF and 40 ml of water were refluxed at a temperature of 65°C for 12 hours. Afterwards, the reaction is terminated with water and chloroform and work-up is performed. Afterwards, the compound P1 is obtained by purifying it using column chromatography with hexane. (Yield: 71%)
(화합물 P2의 합성)(Synthesis of Compound P2)
화합물 P1 0.515g (1.68 mmol)을 100 ml의 1구 플라스크에 넣고, THF 20 ml에 녹인다. 그 후 온도를 -78 ℃까지 떨어뜨린 후, LDA 0.84 m (1.68 mmol) 를 넣는다. 그 후 thieno[3,2-b]thiophene-2,5-dicarbaldehyde 0.15 g (0.765 mmol)를 투입한다. 12 시간 후 sodium hydrogen carbonate로 반응을 종료하고 chloroform으로 work-up을 한다. 그 후 chloroform을 이용하여 재결정을 하여 화합물 P2를 얻는다. (수율: 46 %)Add 0.515 g (1.68 mmol) of compound P1 to a 100 ml one-necked flask and dissolve in 20 ml of THF. Afterwards, the temperature is lowered to -78°C, and 0.84 m (1.68 mmol) of LDA is added. Afterwards, 0.15 g (0.765 mmol) of thieno[3,2-b]thiophene-2,5-dicarbaldehyde was added. After 12 hours, the reaction is terminated with sodium hydrogen carbonate and work-up is performed with chloroform. Afterwards, recrystallization is performed using chloroform to obtain compound P2. (Yield: 46%)
(화합물 P3의 합성)(Synthesis of Compound P3)
화합물 P2 0.38g(0.468 mmol), sodium cyanoborohydride(NaCNBH3) 0.44g (3.52 mmol), 및 Zinc iodide (ZnI2)를 250 ml의 2구 플라스크에 넣는다. 1,2 dichloroethane 70 ml을 넣고, 온도를 40℃로 환류하고 밤새 둔다. 반응 용기에 물 50 ml을 천천히 부어주고, 그 후 1N HCl 를 천천히 넣어주면서 반응을 종료 한다. chloroform으로 work-up후 메탄올로 침전을 잡아 정제하여 화합물 P3을 얻는다 (수율: 80 %).Add 0.38 g (0.468 mmol) of compound P2, 0.44 g (3.52 mmol) of sodium cyanoborohydride (NaCNBH 3 ), and zinc iodide (ZnI 2 ) into a 250 ml two-necked flask. Add 70 ml of 1,2 dichloroethane, reflux the temperature to 40℃, and leave it overnight. Slowly pour 50 ml of water into the reaction vessel, and then slowly add 1N HCl to complete the reaction. After work-up with chloroform, the precipitate is captured and purified with methanol to obtain compound P3 (yield: 80%).
(화합물 P4의 합성)(Synthesis of Compound P4)
화합물 P3 1.0 g, CuCN 0.6 g 및 NMP 20 ml을 50 ml의 바이알(vial)에 넣고, 마이크로웨이브 반응기에서 1시간 30분 동안 온도 180 ℃에서 반응시킨다. 그 후 1 N HCl 용액으로 반응을 종료시키고, DCM을 이용하여 work-up 한다. 그 후 Ethyl acetate를 이용하여 침전을 잡아 정제하여 화합물 P4를 얻는다 (수율: 85 %).1.0 g of compound P3, 0.6 g of CuCN and 20 ml of NMP were placed in a 50 ml vial and reacted at a temperature of 180° C. for 1 hour and 30 minutes in a microwave reactor. Afterwards, the reaction was terminated with 1 N HCl solution and work-up was performed using DCM. Afterwards, the precipitate is captured and purified using ethyl acetate to obtain compound P4 (yield: 85%).
(화합물 P5의 합성)(Synthesis of Compound P5)
화합물 P4 1.82g(2.72 mmol)를 DCM 200ml에 녹인 후 온도를 -10℃까지 떨어뜨린다. 그 후 DIBAL-H 8.5 ml(8.16 mmol) 를 천천히 첨가 한다. -10℃에서 2시간 후 1N HCl (MeOH (3): H2O (1))를 천천히 주입한다. 그 후 상온까지 천천히 온도를 올린다. 그 후 물과 DCM을 이용하여 유기층을 분리한다. Chloroform을 이용하여 column chromatography로 이용하여 분리 정제하여 화합물 P5를 얻는다. (수율: 39 %)Dissolve 1.82 g (2.72 mmol) of compound P4 in 200 ml of DCM and lower the temperature to -10°C. Afterwards, slowly add 8.5 ml (8.16 mmol) of DIBAL-H. After 2 hours at -10°C, 1N HCl (MeOH (3): H2O (1)) is slowly injected. After that, slowly raise the temperature to room temperature. Afterwards, the organic layer is separated using water and DCM. Compound P5 is obtained by separation and purification using column chromatography using chloroform. (Yield: 39%)
(화합물 P6의 합성)(Synthesis of Compound P6)
화합물 P5 1.0 g, Amberlyst 15 (Sigma-adrich 제) 1.0 g, 및 1,2-Dichorobenzene 20 ml에 넣고, microwave 반응기에서 14시간 동안 120℃에서 반응시킨다. 그 후 상온으로 온도를 떨어뜨린 후 Ethyl acetate를 이용하여 디켄트(Decant) 하여 분리 정제하여 화합물 P6을 얻는다. (수율: 50 %)Add 1.0 g of compound P5, 1.0 g of Amberlyst 15 (manufactured by Sigma-adrich), and 20 ml of 1,2-Dichorobenzene, and react at 120°C for 14 hours in a microwave reactor. Afterwards, the temperature is lowered to room temperature and then separated and purified by decant using ethyl acetate to obtain compound P6. (Yield: 50%)
이어서, 합성예 1에서 얻어진 최종 화합물(화합물 P6)의 실제 구조를 MALDI-TOF 질량 분석에 의하여 확인한다.Next, the actual structure of the final compound (compound P6) obtained in Synthesis Example 1 was confirmed by MALDI-TOF mass spectrometry.
도 2는 합성예 1에서 얻어진 최종 화합물의 MALDI-TOF 질량 분석 데이터이다 (m/z = 639.898). 도 2를 참고하면, 합성예의 화합물이 실제로 얻어졌음을 확인할 수 있다.Figure 2 shows MALDI-TOF mass spectrometry data of the final compound obtained in Synthesis Example 1 (m/z = 639.898). Referring to Figure 2, it can be confirmed that the compound of the synthesis example was actually obtained.
합성예Synthesis example 2 2
(화합물 P2'의 합성)(Synthesis of Compound P2')
0.5g (2.63mmol) 의 Benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene 을 30ml의 THF에 녹이고, 질소 분위기하에서 온도를 -78 ℃까지 떨어뜨린 후, lithium diisopropylamine (LDA) 용액 (2.0 M , 3.0 ml, 5.8 mmol, 2.2 equiv.)을 조심스럽게 주입한다. 그 후 0 ℃가 되었을 때, 다시 온도를 -78 ℃로 떨어뜨리고, Anhydrous dimethylformamide (0.6 ml, excess)를 주입한다. 상온으로 도달하였을 때, 1N HCl용액을 주입하고 20분간 stirring 한다. 그 후 1N 농도의 NaHCO3을 주입하면서 PH를 중화시킨다. 그 후 유기층은 dicholromethane으로 추출하고, MgSO4 를 이용하여 수분을 제거한 후 건조시킨다. 그 후 column chromatography를 이용하여 정제하여 상기 화합물 P2'를 얻는다 (수율: 80 %).Dissolve 0.5g (2.63mmol) of Benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene in 30ml of THF, drop the temperature to -78°C under a nitrogen atmosphere, and then add lithium diisopropylamine (LDA) solution ( 2.0 M, 3.0 ml, 5.8 mmol, 2.2 equiv.) was carefully injected. Afterwards, when the temperature reaches 0 ℃, drop the temperature again to -78 ℃ and inject Anhydrous dimethylformamide (0.6 ml, excess). When room temperature is reached, 1N HCl solution is injected and stirred for 20 minutes. Afterwards, PH is neutralized by injecting 1N concentration of NaHCO 3 . Afterwards, the organic layer was extracted with dicholromethane, moisture was removed using MgSO 4 and dried. Afterwards, the compound P2' is obtained by purification using column chromatography (yield: 80%).
(화합물 P3'의 합성)(Synthesis of compound P3')
상기 합성예 1의 과정에서 얻어진 화합물 P1 1.35 g(4.4 mmol) 을 100 ml의 one-neck flask에 넣고, 30 ml의 THF에 녹인다. 그 후 온도를 -78℃ 까지 떨어뜨린 후, 2.2 ml (4.4 mmol)의 LDA 를 넣는다. 그 후 0.5 g (2.0 mmol) Benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-dicarbaldehyde를 투입한다. 12 시간 후 sodium hydrogen carbonate로 반응을 종료하고 chloroform으로 work-up을 한다. 그 후 chloroform을 이용하여 재결정을 하여 상기 화합물 P3'를 얻는다 (수율: 65 %).1.35 g (4.4 mmol) of compound P1 obtained in the process of Synthesis Example 1 was placed in a 100 ml one-neck flask and dissolved in 30 ml of THF. Afterwards, the temperature is lowered to -78°C, and 2.2 ml (4.4 mmol) of LDA is added. Afterwards, 0.5 g (2.0 mmol) Benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-dicarbaldehyde is added. After 12 hours, the reaction is terminated with sodium hydrogen carbonate and work-up is performed with chloroform. Afterwards, the above compound P3' was obtained by recrystallization using chloroform (yield: 65%).
(화합물 P4'의 합성)(Synthesis of compound P4')
3.8g(4.42 mmol)의 P3', 4.44g (70.72 mmol)의 sodium cyanoborohydride(NaCNBH3)과 5.64g (17.68 mmol)의 Zinc iodide (ZnI2) 를 1000 ml의 two-neck flask에 넣는다. 600 ml의 1,2 dichloroethane을 넣고, 온도를 40℃로 환류하고 over-night한다. 반응용기에 50 ml의 물을 천천히 부어주고, 그 후 1N HCl 를 천천히 넣어주면서 반응을 종료 한다. chloroform으로 work-up후 메탄올로 침전을 잡아 정제하여 상기 화합물 P4'를 얻는다 (수율: 80 %).Add 3.8 g (4.42 mmol) of P3', 4.44 g (70.72 mmol) of sodium cyanoborohydride (NaCNBH 3 ), and 5.64 g (17.68 mmol) of zinc iodide (ZnI 2 ) into a 1000 ml two-neck flask. Add 600 ml of 1,2 dichloroethane, reflux the temperature to 40℃, and leave overnight. Slowly pour 50 ml of water into the reaction vessel, and then complete the reaction by slowly adding 1N HCl. After work-up with chloroform, the precipitate is captured and purified with methanol to obtain the above compound P4' (yield: 80%).
(화합물 P5'의 합성)(Synthesis of compound P5')
1.0 g의 P4'와 0.45 g의 CuCN, 20 ml의 NMP을 50 ml 의 바이얼(vial)에 넣고, 마이크로웨이브 반응기에서 1시간 30분 동안 온도 180℃에서 반응시킨다. 그 후 1 N HCl 용액으로 반응을 종료시키고, DCM을 이용하여 work-up 한다. 그 후 Ethyl acetate를 이용하여 침전을 분리하여 상기 화합물 P5'를 얻는다 (수율: 60 %).1.0 g of P4', 0.45 g of CuCN, and 20 ml of NMP were placed in a 50 ml vial, and reacted in a microwave reactor at a temperature of 180°C for 1 hour and 30 minutes. Afterwards, the reaction was terminated with 1 N HCl solution and work-up was performed using DCM. Afterwards, the precipitate is separated using ethyl acetate to obtain the compound P5' (yield: 60%).
(화합물 P6'의 합성)(Synthesis of Compound P6')
1.0g(1.38 mmol)의 P5'를 120ml의 DCM에 녹인 후 온도를 -10℃까지 떨어뜨린다. 그 후 4.13 ml(4.13 mmol)의 DIBAL-H를 천천히 첨가를 한다. -10℃에서 2시간 후 1 N HCl (MeOH (3): H2O (1))를 천천히 주입한다. 그 후 상온까지 천천히 온도를 올린다. 그 후 물과 DCM을 이용하여 유기층을 분리한다. Chloroform을 이용하여 column chromatography로 정제하여 상기 화합물 P6'를 얻는다 (수율: 50 %).Dissolve 1.0 g (1.38 mmol) of P5' in 120 ml of DCM and then drop the temperature to -10°C. Afterwards, slowly add 4.13 ml (4.13 mmol) of DIBAL-H. After 2 hours at -10°C, slowly inject 1 N HCl (MeOH (3): H2O (1)). After that, slowly raise the temperature to room temperature. Afterwards, the organic layer is separated using water and DCM. The above compound P6' was obtained by purification by column chromatography using chloroform (yield: 50%).
(화합물 P7'의 합성)(Synthesis of compound P7')
1.0 g의 P6'와 1.0 g의 Amberlyst 15, 20 ml의 1,2-Dichorobenzene을 바이얼에 넣고, 마이크로웨이브 반응기에서 10시간 동안 120℃에서 반응시킨다. 그 후 상온으로 온도를 떨어뜨린 후 Ethyl acetate를 이용하여 Decant 하여 분리 정제하여 상기 화합물 P7'을 얻는다 (수율: 50 %).Add 1.0 g of P6', 1.0 g of
이어서, 합성예 2에서 얻어진 최종 화합물(화합물 P7')의 실제 구조를 MALDI-TOF 질량 분석에 의하여 확인한다.Next, the actual structure of the final compound (compound P7 ' ) obtained in Synthesis Example 2 was confirmed by MALDI-TOF mass spectrometry.
도 3은 합성예 2에서 얻어진 최종 화합물의 MALDI-TOF 질량 분석 데이터이다 (m/z = 690.017). 도 3을 참고하면, 합성예의 화합물이 실제로 얻어졌음을 확인할 수 있다.Figure 3 shows MALDI-TOF mass spectrometry data of the final compound obtained in Synthesis Example 2 (m/z = 690.017). Referring to Figure 3, it can be confirmed that the compound of the synthesis example was actually obtained.
유기 박막 트랜지스터의 제조Fabrication of organic thin film transistors
실시예Example 1 One
먼저 세정된 SiO2가 3000Å 덮힌 실리콘 웨이퍼 기판을 O2 플라즈마에 노출시킨 후, 헥산에 10mM 농도로 희석시킨 옥타데실트리클로로실란 용액에 담궈 표면을 소수성으로 변화시킨다. 이어서 합성예 1에서 얻은 유기화합물을 기판의 온도를 상온에서 200℃로 변화시키면서 진공 기상 증착 방법을 통해 700Å 두께로 증착시킨다. 이어서 새도우 마스크를 사용하여 Au로 소스와 드레인 전극을 1000Å 두께로 증착하여 유기박막 트랜지스터를 제작한다.First, the cleaned silicon wafer substrate covered with 3000Å of SiO 2 is exposed to O 2 plasma, and then immersed in an octadecyltrichlorosilane solution diluted in hexane to a concentration of 10mM to change the surface to hydrophobicity. Next, the organic compound obtained in Synthesis Example 1 was deposited to a thickness of 700 Å through a vacuum vapor deposition method while changing the temperature of the substrate from room temperature to 200°C. Then, using a shadow mask, source and drain electrodes are deposited with Au to a thickness of 1000 Å to produce an organic thin film transistor.
실시예Example 2 2
합성예 1에서 얻은 유기화합물 대신 합성예 2에서 얻은 유기화합물을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 유기박막 트랜지스터를 제작한다.An organic thin film transistor was manufactured in the same manner as Example 1, except that the organic compound obtained in Synthesis Example 2 was used instead of the organic compound obtained in Synthesis Example 1.
평가evaluation
실시예 1에 따른 유기박막 트랜지스터의 전하 이동도를 계산한다.Calculate the charge mobility of the organic thin film transistor according to Example 1.
유기박막트랜지스터의 전하 이동도는 포화영역(saturation region) 전류식으로부터 (ISD)1/ 2 과 VGS를 변수로 한 그래프를 얻고 그 기울기로부터 구하였다:The charge mobility of the organic thin film transistor was obtained from the saturation region current equation by obtaining a graph with (I SD ) 1/2 and V GS as variables and the slope :
상기 식에서, ISD는 소스-드레인 전류이고, m 또는 mFET는 전하 이동도이며, C0는 게이트절연막의 정전용량이고, W는 채널 폭이며, L은 채널 길이이고, VGS는 게이트 전압이며, VT는 문턱전압이다. In the above equation, I SD is the source-drain current, m or m FET is the charge mobility, C 0 is the capacitance of the gate dielectric, W is the channel width, L is the channel length, V GS is the gate voltage, and , V T is the threshold voltage.
차단누설전류(Ioff)는 오프 상태일 때 흐르는 전류로서, 전류비에서 오프 상태에서 최소전류로 구하였다. 전류점멸비(Ion/Ioff)는 온 상태의 최대 전류 값과 오프 상태의 최소 전류 값의 비로 구하였다.The blocking leakage current (I off ) is the current that flows when in the off state, and was obtained from the current ratio as the minimum current in the off state. The current blink ratio (I on /I off ) was obtained as the ratio of the maximum current value in the on state and the minimum current value in the off state.
그 결과는 도 4 및 5, 그리고 표 1과 같다.The results are shown in Figures 4 and 5 and Table 1.
도 4는 실시예 1에 따른 유기 박막 트랜지스터의 전하 이동도를 보여주는 그래프이고, 도 5는 실시예 2에 따른 유기 박막 트랜지스터의 전하 이동도를 보여주는 그래프이다. FIG. 4 is a graph showing the charge mobility of the organic thin film transistor according to Example 1, and FIG. 5 is a graph showing the charge mobility of the organic thin film transistor according to Example 2.
도 4 및 5, 그리고 표 1을 참고하면, 실시예 1에 따른 유기박막트랜지스터는 약 11 cm2/Vs 이상의 전하이동도, 그리고 109 이상의 전류 점멸비가 확보되어 우수한 특성을 가지는 것을 확인할 수 있다.Referring to Figures 4 and 5 and Table 1, it can be seen that the organic thin film transistor according to Example 1 has excellent characteristics by securing a charge mobility of about 11 cm 2 /Vs or more and a current blink ratio of 10 9 or more.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements can also be made by those skilled in the art using the basic concept of the present invention as defined in the following claims. It falls within the scope of invention rights.
110: 기판 124: 게이트 전극
140: 게이트 절연막 154: 유기 반도체
173: 소스 전극 175: 드레인 전극110: substrate 124: gate electrode
140: gate insulating film 154: organic semiconductor
173: source electrode 175: drain electrode
Claims (13)
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
A 및 B는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기이고,
Z1 내지 Z6은 각각 독립적으로 수소, C1 내지 C10 할로알킬기 또는 할로겐 원자이되, Z1 내지 Z6 중 적어도 하나는 C1 내지 C10 할로알킬기 또는 할로겐 원자이고,
n1 및 n2은 각각 독립적으로 1 내지 5인 정수이고,
L은 6개 이상의 고리가 융합된 축합다환기로, 하기 화학식 2로 표현되는 기이고,
[화학식 2]
상기 화학식 2에서,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 육각 고리이고,
Ar3은 이고,
X1 내지 X4는 각각 독립적으로 O, S, Se 또는 Te이고,
R1, R2, Rx 및 Ry는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 히드록시기, 할로겐 원자 또는 이들의 조합이고,
a 및 b는 각각 독립적으로 1 내지 3의 정수이고,
*는 연결 지점이다.
Organic compound represented by the following formula (1):
[Formula 1]
In Formula 1,
A and B are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group,
Z 1 to Z 6 are each independently hydrogen, a C1 to C10 haloalkyl group or a halogen atom, but at least one of Z 1 to Z 6 is a C1 to C10 haloalkyl group or a halogen atom,
n 1 and n 2 are each independently integers from 1 to 5,
L is a condensed polycyclic group in which six or more rings are fused, and is a group represented by the following formula (2),
[Formula 2]
In Formula 2,
Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted hexagonal ring,
Ar 3 is ego,
X 1 to X 4 are each independently O, S, Se or Te,
R 1 , R 2 , R x and R y are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C7 to C30 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, hydroxy group, halogen atom, or a combination thereof,
a and b are each independently integers from 1 to 3,
* is a connection point.
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 벤젠 고리인 유기 화합물.
In paragraph 1:
Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted benzene ring.
a=b=1 또는 a=b=2를 만족하는 유기 화합물.
In paragraph 1:
Organic compounds that satisfy a=b=1 or a=b=2.
상기 L 은 하기 그룹 1에 나열된 기 중 어느 하나인 유기 화합물:
[그룹 1]
상기 그룹 1에서,
X1 내지 X4는 각각 독립적으로 O, S, Se 또는 Te이고,
R1 내지 R12는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 히드록시기, 할로겐 원자 또는 이들의 조합이고,
*는 연결 지점이다.In paragraph 1:
An organic compound wherein L is any one of the groups listed in Group 1 below:
[Group 1]
In group 1 above,
X 1 to X 4 are each independently O, S, Se or Te,
R 1 to R 12 are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, or a substituted or unsubstituted C7 to C30 aryl group. C30 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl group, A substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, a hydroxy group, a halogen atom, or a combination thereof,
* is a connection point.
A 및 B는 각각 독립적으로 하기 그룹 2에 나열된 기 중 어느 하나인 유기 화합물:
[그룹 2]
상기 그룹 2에서,
R21 내지 R26은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 히드록시기, 할로겐 원자 또는 이들의 조합이고,
*는 연결 지점이다.In paragraph 1:
A and B are each independently any of the groups listed in Group 2:
[Group 2]
In group 2 above,
R 21 to R 26 are each independently hydrogen, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, or a substituted or unsubstituted C7 to C30 aryl group. C30 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl group, A substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, a hydroxy group, a halogen atom, or a combination thereof,
* is a connection point.
Z1 내지 Z6은 각각 독립적으로 할로겐 원자인 유기 화합물.In paragraph 1:
Z 1 to Z 6 are each independently a halogen atom.
하기 그룹 3에 나열된 것 중 하나인 유기 화합물:
[그룹 3]
상기 그룹 3에서,
X1 내지 X4는 각각 독립적으로 O, S, Se 또는 Te이다.
In paragraph 1:
Organic compounds that are one of those listed in Group 3 below:
[Group 3]
In group 3 above,
X 1 to X 4 are each independently O, S, Se or Te.
An organic thin film comprising the organic compound according to any one of claims 1, 2, and 4 to 8.
상기 게이트 전극과 중첩하고 제1항, 제2항 및 제4항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 유기 화합물을 포함하는 유기 반도체, 그리고
상기 유기 반도체와 전기적으로 연결되어 있는 소스 전극 및 드레인 전극
을 포함하는 박막 트랜지스터.
gate electrode,
an organic semiconductor overlapping the gate electrode and comprising the organic compound according to any one of claims 1, 2, and 4 to 8, and
A source electrode and a drain electrode electrically connected to the organic semiconductor.
A thin film transistor containing a.
태양 전지, 액정 표시 장치, 유기 발광 장치, 전기 영동 장치, 유기 광전 소자 또는 유기 센서를 포함하는 전자 소자.
In paragraph 11:
Electronic devices including solar cells, liquid crystal displays, organic light-emitting devices, electrophoresis devices, organic photoelectric devices, or organic sensors.
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