KR102580804B1 - Organic Light Emitting Diode Display Device - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 제1 내지 제4부화소를 포함하는 기판과; 상기 기판 상부에 서로 이격되도록 배치되는 게이트배선 및 센싱배선과; 상기 게이트배선 및 상기 센싱배선과 교차하여 상기 제1 내지 제4부화소를 정의하는 데이터배선과; 상기 데이터배선으로부터 이격되는 기준배선과; 상기 제1 내지 제4부화소 각각의 회로영역에 배치되는 제1 내지 제3박막트랜지스터와 스토리지 커패시터과; 상기 제1 내지 제4부화소 각각의 발광영역에 배치되는 발광다이오드를 포함하고, 상기 제3부화소의 상기 제1 및 제3박막트랜지스터는 상기 게이트배선에 연결되는 유기발광다이오드 표시장치를 제공한다.The present invention includes a substrate including first to fourth subpixels; Gate wiring and sensing wiring arranged to be spaced apart from each other on the upper part of the substrate; a data line that intersects the gate line and the sensing line to define the first to fourth subpixels; a reference wire spaced apart from the data wire; first to third thin film transistors and storage capacitors disposed in circuit areas of each of the first to fourth subpixels; An organic light emitting diode display device includes a light emitting diode disposed in a light emitting area of each of the first to fourth subpixels, and the first and third thin film transistors of the third subpixel are connected to the gate wiring. .

Description

유기발광다이오드 표시장치 {Organic Light Emitting Diode Display Device}Organic Light Emitting Diode Display Device

본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 적어도 하나의 부화소의 스위칭 박막트랜지스터 및 센싱 박막트랜지스터를 하나의 게이트배선에 연결되도록 배치함으로써, 개구율이 증가되고 수명이 향상되는 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and relates to an organic light emitting diode display device in which the aperture ratio is increased and the lifespan is improved by arranging the switching thin film transistor and the sensing thin film transistor of at least one subpixel to be connected to one gate wiring.

평판표시장치(flat panel display: FPD) 중 하나인 유기발광다이오드(organic light emitting diode: OLED) 표시장치는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 갖는다. An organic light emitting diode (OLED) display, one of the flat panel displays (FPD), has high brightness and low operating voltage characteristics.

그리고, 스스로 빛을 내는 자체 발광형이기 때문에 대조비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(micro second) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류 5 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다.In addition, because it is a self-luminous type that emits light on its own, it has a high contrast ratio, enables the implementation of an ultra-thin display, has a response time of several microseconds, is easy to implement moving images, has no viewing angle limitations, and can be used even at low temperatures. It is stable and operates at a low voltage of 5 to 15V DC, making it easy to manufacture and design the driving circuit.

또한, 유기발광다이오드 표시장치의 제조공정은 증착(deposition) 및 인캡슐레이션(encapsulation)이 전부라고 할 수 있기 때문에, 제조공정이 매우 단순하다. In addition, since the manufacturing process of an organic light emitting diode display device can be said to consist entirely of deposition and encapsulation, the manufacturing process is very simple.

이러한 유기발광다이오드 표시장치의 각 부화소에는 스위칭 박막트랜지스터, 구동 박막트랜지스터, 센싱 박막트랜지스터 등 다수의 박막트랜지스터, 스토리지 커패시터 및 발광다이오드가 형성된다.Each subpixel of such an organic light emitting diode display device is formed with a number of thin film transistors such as a switching thin film transistor, a driving thin film transistor, and a sensing thin film transistor, a storage capacitor, and a light emitting diode.

센싱 박막트랜지스터는, 구동 박막트랜지스터 및 발광다이오드에 연결되어 구동 박막트랜지스터 및 발광다이오드 사이의 연결노드를 초기화 하는 역할을 하는데, 이러한 연결노드의 전압 변화로부터 구동 박막트랜지스터의 문턱전압 변동 및 이동도 변동과 발광다이오드의 문턱전압 변동을 파악하여 보상할 수 있다. The sensing thin film transistor is connected to the driving thin film transistor and the light emitting diode and serves to initialize the connection node between the driving thin film transistor and the light emitting diode. From the voltage change of this connection node, the threshold voltage and mobility changes of the driving thin film transistor and It is possible to identify and compensate for changes in the threshold voltage of the light emitting diode.

그런데, 하나의 부화소에 기본적 소자인 스위칭 박막트랜지스터, 구동 박막트랜지스터 및 발광다이오드 외에 보상을 위한 센싱 박막트랜지스터 등을 배치함에 따라, 발광다이오드에 할당되는 면적이 작아지고 이에 따라 하나의 부화소의 면적에 대한 광을 방출하는 발광다이오드의 면적의 비율인 개구율이 감소하고 휘도가 감소하는 문제가 있다.However, as sensing thin film transistors for compensation are placed in one subpixel in addition to the basic elements such as switching thin film transistor, driving thin film transistor, and light emitting diode, the area allocated to the light emitting diode becomes smaller, and thus the area of one subpixel becomes smaller. There is a problem that the aperture ratio, which is the ratio of the area of the light emitting diode that emits light to the area, decreases and the luminance decreases.

그리고, 이러한 휘도 감소를 보상하기 위하여, 발광다이오드에 흐르는 전류를 증가시킬 경우, 발광다이오드의 유기물질이 더 빨리 열화되어 수명이 감소하는 문제가 있다. Additionally, when the current flowing through the light emitting diode is increased to compensate for this decrease in luminance, the organic material of the light emitting diode deteriorates more quickly, thereby reducing its lifespan.

본 발명은, 이러한 문제점을 해결하기 위하여 제시된 것으로, 적어도 하나의 부화소의 스위칭 박막트랜지스터 및 센싱 박막트랜지스터를 하나의 게이트배선에 연결되도록 배치함으로써, 적어도 하나의 부화소의 개구율이 증가되고 수명이 향상되는 유기발광다이오드 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention was proposed to solve this problem. By arranging the switching thin film transistor and the sensing thin film transistor of at least one subpixel to be connected to one gate wiring, the aperture ratio of at least one subpixel is increased and the lifespan is improved. The purpose is to provide an organic light emitting diode display device.

그리고, 본 발명은, 적어도 하나의 부화소의 스위칭 박막트랜지스터 및 센싱 박막트랜지스터를 하나의 게이트배선에 연결되도록 배치하고, 인접 부화소의 발광다이오드의 면적을 증가시킴으로써, 인접 부화소의 개구율이 증가되고 수명이 향상되고 색특성이 개선되는 유기발광다이오드 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, in the present invention, by arranging the switching thin film transistor and the sensing thin film transistor of at least one subpixel to be connected to one gate wiring and increasing the area of the light emitting diode of the adjacent subpixel, the aperture ratio of the adjacent subpixel is increased. The purpose is to provide an organic light emitting diode display device with improved lifespan and improved color characteristics.

위와 같은 과제의 해결을 위해, 본 발명은, 제1 내지 제4부화소를 포함하는 기판과; 상기 기판 상부에 서로 이격되도록 배치되는 게이트배선 및 센싱배선과; 상기 게이트배선 및 상기 센싱배선과 교차하여 상기 제1 내지 제4부화소를 정의하는 데이터배선과; 상기 데이터배선으로부터 이격되는 기준배선과; 상기 제1 내지 제4부화소 각각의 회로영역에 배치되는 제1 내지 제3박막트랜지스터와 스토리지 커패시터과; 상기 제1 내지 제4부화소 각각의 발광영역에 배치되는 발광다이오드를 포함하고, 상기 제3부화소의 상기 제1 및 제3박막트랜지스터는 상기 게이트배선에 연결되는 유기발광다이오드 표시장치를 제공한다. In order to solve the above problems, the present invention includes a substrate including first to fourth subpixels; Gate wiring and sensing wiring arranged to be spaced apart from each other on the upper part of the substrate; a data line that intersects the gate line and the sensing line to define the first to fourth subpixels; a reference wire spaced apart from the data wire; first to third thin film transistors and storage capacitors disposed in circuit areas of each of the first to fourth subpixels; An organic light emitting diode display device includes a light emitting diode disposed in a light emitting area of each of the first to fourth subpixels, and the first and third thin film transistors of the third subpixel are connected to the gate wiring. .

그리고, 상기 제1, 제2 및 제4부화소 각각의 상기 제1 및 제3박막트랜지스터는 각각 상기 게이트배선 및 상기 센싱배선에 연결될 수 있다.In addition, the first and third thin film transistors of each of the first, second, and fourth subpixels may be connected to the gate wiring and the sensing wiring, respectively.

또한, 상기 제1, 제2 및 제4부화소의 상기 회로영역은 서로 동일한 제1회로면적을 갖고, 상기 제3부화소의 상기 회로영역은 상기 제1회로면적보다 변화면적만큼 작은 제2회로면적을 갖고, 상기 제1, 제2 및 제4부화소의 상기 발광영역은 서로 동일한 제1발광면적을 갖고, 상기 제3부화소의 상기 발광영역은 상기 제1발광면적보다 상기 변화면적만큼 큰 제2발광면적을 가질 수 있다.In addition, the circuit areas of the first, second and fourth sub-pixels have the same first circuit area, and the circuit area of the third sub-pixel has a second circuit whose change area is smaller than the first circuit area. The light-emitting areas of the first, second and fourth sub-pixels have the same first light-emitting area, and the light-emitting area of the third sub-pixel is larger than the first light-emitting area by the change area. It may have a second light emitting area.

그리고, 상기 제3부화소 상측의 상기 센싱배선은, 상기 제3부화소 상측으로 인접한 부화소의 상기 회로영역의 상기 변화면적을 둘러싸도록 'ㄷ'자 형태로 절곡될 수 있다.Additionally, the sensing wire above the third sub-pixel may be bent in a 'ㄷ' shape to surround the change area of the circuit area of the sub-pixel adjacent to the top of the third sub-pixel.

또한, 상기 제1, 제2 및 제4부화소의 상기 회로영역은 서로 동일한 제1회로면적을 갖고, 상기 제3부화소의 상기 회로영역은 상기 제1회로면적보다 제1변화면적만큼 작은 제2회로면적을 갖고, 상기 제1 및 제2부화소의 상기 발광영역은 서로 동일한 제1발광면적을 갖고, 상기 제3부화소의 상기 발광영역은 상기 제1발광면적보다 상기 제1변화면적과 제2변화면적의 차이만큼 크거나 작은 제2발광면적을 갖고, 상기 제4부화소의 상기 발광영역은 상기 제1발광면적보다 상기 제2변화면적만큼 큰 제3발광면적을 가질 수 있다.In addition, the circuit areas of the first, second and fourth subpixels have the same first circuit area, and the circuit area of the third subpixel has a first change area smaller than the first circuit area. It has two circuit areas, the light-emitting areas of the first and second sub-pixels have the same first light-emitting area, and the light-emitting area of the third sub-pixel has a first change area greater than the first light-emitting area. It may have a second light-emitting area that is larger or smaller than the difference between the second change areas, and the light-emitting area of the fourth sub-pixel may have a third light-emitting area that is larger than the first light-emitting area by the second change area.

그리고, 상기 제3부화소 상측의 상기 센싱배선은, 상기 제3부화소 상측으로 인접한 부화소의 상기 회로영역의 상기 제1변화면적을 둘러싸도록 'ㄷ'자 형태로 절곡되고, 상기 제3부화소 우측의 상기 데이터배선은, 상기 제3부화소 우측으로 인접한 부화소의 상기 발광영역의 상기 제2변화면적을 둘러싸도록 'ㄷ'자 형태로 절곡될 수 있다.And, the sensing wire above the third sub-pixel is bent in a 'ㄷ' shape to surround the first change area of the circuit area of the sub-pixel adjacent to the top of the third sub-pixel, and the third sub-pixel The data wire on the right side of the pixel may be bent in a 'ㄷ' shape to surround the second change area of the light emitting area of the subpixel adjacent to the right side of the third subpixel.

또한, 상기 제1 및 제2변화면적은 서로 동일할 수 있다.Additionally, the first and second change areas may be the same.

그리고, 상기 제1, 제2 및 제4부화소에서, 상기 제3박막트랜지스터의 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극은 각각 상기 센싱배선, 상기 제2박막트랜지스터의 소스전극 및 상기 기준배선에 연결되고, 상기 제3부화소에서, 상기 제3박막트랜지스터의 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극은 각각 상기 게이트배선, 상기 제2박막트랜지스터의 소스전극 및 상기 기준배선에 연결될 수 있다.And, in the first, second, and fourth subpixels, the gate electrode, source electrode, and drain electrode of the third thin film transistor are connected to the sensing wire, the source electrode of the second thin film transistor, and the reference wire, respectively. , In the third subpixel, the gate electrode, source electrode, and drain electrode of the third thin film transistor may be connected to the gate wiring, the source electrode of the second thin film transistor, and the reference wiring, respectively.

또한, 상기 제1 내지 제4부화소 각각에서, 상기 제1박막트랜지스터의 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극은 각각 상기 게이트배선, 상기 데이터배선 및 상기 제2박막트랜지스터의 게이트전극에 연결되고, 상기 제1 내지 제4부화소 각각에서, 상기 제2박막트랜지스터의 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극은 각각 상기 제3박막트랜지스터의 드레인전극, 상기 발광다이오드의 양극 및 고전위전압에 연결되고, 상기 제1 내지 제4부화소 각각에서, 상기 스토리지 커패시터는 상기 제2박막트랜지스터의 게이트전극 및 소스전극 사이에 연결되고, 상기 제1 내지 제4부화소 각각에서, 상기 발광다이오드의 양극 및 음극은 각각 상기 제2박막트랜지스터의 소스전극 및 저전위전압에 연결될 수 있다.In addition, in each of the first to fourth subpixels, the gate electrode, source electrode, and drain electrode of the first thin film transistor are connected to the gate wire, the data wire, and the gate electrode of the second thin film transistor, respectively, In each of the first to fourth subpixels, the gate electrode, source electrode, and drain electrode of the second thin film transistor are respectively connected to the drain electrode of the third thin film transistor, the anode of the light emitting diode, and a high potential voltage, and the In each of the first to fourth subpixels, the storage capacitor is connected between the gate electrode and the source electrode of the second thin film transistor, and in each of the first to fourth subpixels, the anode and cathode of the light emitting diode are respectively It can be connected to the source electrode and low potential voltage of the second thin film transistor.

본 발명은, 적어도 하나의 부화소의 스위칭 박막트랜지스터 및 센싱 박막트랜지스터를 하나의 게이트배선에 연결되도록 배치함으로써, 적어도 하나의 부화소의 개구율이 증가되고 수명이 향상되는 효과를 갖는다. The present invention has the effect of increasing the aperture ratio and improving the lifespan of at least one subpixel by arranging the switching thin film transistor and the sensing thin film transistor of at least one subpixel to be connected to one gate wiring.

그리고, 본 발명은, 적어도 하나의 부화소의 스위칭 박막트랜지스터 및 센싱 박막트랜지스터를 하나의 게이트배선에 연결되도록 배치하고, 인접 부화소의 발광다이오드의 면적을 증가시킴으로써, 인접 부화소의 개구율이 증가되고 수명이 향상되고 색특성이 개선되는 효과를 갖는다. In addition, in the present invention, by arranging the switching thin film transistor and the sensing thin film transistor of at least one subpixel to be connected to one gate wiring and increasing the area of the light emitting diode of the adjacent subpixel, the aperture ratio of the adjacent subpixel is increased. It has the effect of improving lifespan and color characteristics.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 도면.
도 2a 내지 도 2c는 각각 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 구동 박막트랜지스터의 문턱전압 변동, 구동 박막트랜지스터의 이동도 변동, 발광다이오드의 문턱전압 변동을 검출하기 위한 다수의 신호를 도시한 타이밍도.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 구동시간에 따른 휘도편차의 변화를 도시한 그래프.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 도면.1 is a diagram showing an organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention.
2A to 2C show a plurality of devices for detecting changes in the threshold voltage of the driving thin-film transistor, changes in the mobility of the driving thin-film transistor, and changes in the threshold voltage of the light-emitting diode of the organic light-emitting diode display device according to the first embodiment of the present invention, respectively. Timing diagram showing signals.
Figure 3 is a graph showing the change in luminance deviation depending on the driving time of the organic light emitting diode display device according to the first embodiment of the present invention.
Figure 4 is a diagram showing an organic light emitting diode display device according to a second embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 설명한다. Hereinafter, an organic light emitting diode display device according to the present invention will be described with reference to the attached drawings.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 도면이다. Figure 1 is a diagram showing an organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention.

도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(110)는 다수의 화소(P)를 포함하고, 각 화소(P)는 제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)를 포함한다. As shown in FIG. 1, the organic light emitting diode display device 110 according to the first embodiment of the present invention includes a plurality of pixels (P), and each pixel (P) includes first to fourth subpixels ( SP1 to SP4).

예를 들어, 제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)는 각각 적색, 백색, 청색, 녹색을 표시할 수 있다. For example, the first to fourth subpixels (SP1 to SP4) may display red, white, blue, and green, respectively.

구체적으로, 유기발광다이오드 표시장치(110)의 기판(미도시) 상부에는 서로 교차하여 제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)를 정의하는 다수의 게이트배선(GL) 및 다수의 데이터배선(DL)이 배치되고, 제2 및 제3부화소(SP2, SP3) 사이에는 다수의 데이터배선(DL)으로부터 평행하게 이격되는 기준배선(RL)이 배치되고, 제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4) 상측 및 하측에는 게이트배선(GL)으로부터 평행하게 이격되는 센싱배선(SL)이 배치된다.Specifically, on the top of the substrate (not shown) of the organic light emitting diode display device 110, a plurality of gate wires (GL) and a plurality of data wires (GL) crossing each other to define the first to fourth subpixels (SP1 to SP4) DL) is disposed, a reference line (RL) is disposed between the second and third subpixels (SP2, SP3) and is spaced in parallel from the plurality of data lines (DL), and the first to fourth subpixels (SP1) to SP4), sensing wires (SL) are disposed on the upper and lower sides in parallel and spaced apart from the gate wire (GL).

도시하지는 않았지만, 유기발광다이오드 표시장치(110)의 기판 상부에는 게이트배선(GL) 또는 데이터배선(DL)으로부터 평행하게 이격되는 파워배선이 배치될 수 있다.Although not shown, power wires that are parallel to and spaced apart from the gate wire (GL) or data wire (DL) may be disposed on the top of the substrate of the organic light emitting diode display device 110.

게이트배선(GL)에는 게이트신호(GATE)가 공급되고, 센싱배선(SL)에는 센싱신호(SENS)가 공급되고, 데이터배선(DL)에는 데이터신호(DATA)가 공급되고, 기준배선(RL)에는 기준신호(REF)가 공급되고, 파워배선에는 고전위전압(VDD)이 공급될 수 있다.A gate signal (GATE) is supplied to the gate wire (GL), a sensing signal (SENS) is supplied to the sensing wire (SL), a data signal (DATA) is supplied to the data wire (DL), and the reference wire (RL) A reference signal (REF) may be supplied to and a high potential voltage (VDD) may be supplied to the power wiring.

제1실시예에서는 제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)에 하나의 기준배선(RL)이 배치되는 것을 예로 들었으나, 다른 실시예에서는 제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)에 둘 이상의 기준배선(DL)이 배치될 수도 있다.In the first embodiment, one reference line (RL) is disposed in the first to fourth subpixels (SP1 to SP4), but in other embodiments, one reference line (RL) is disposed in the first to fourth subpixels (SP1 to SP4). Two or more reference lines (DL) may be arranged.

제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4) 각각에는, 제1 내지 제3박막트랜지스터(T1 내지 T3), 스토리지 커패시터(Cst) 및 발광다이오드(Del)가 배치된다.In each of the first to fourth subpixels (SP1 to SP4), first to third thin film transistors (T1 to T3), a storage capacitor (Cst), and a light emitting diode (Del) are disposed.

도시하지는 않았지만, 제1 내지 제3박막트랜지스터(T1 내지 T3)는 각각 게이트전극, 반도체층, 소스전극 및 드레인전극을 포함하고, 게이트전극과 반도체층 사이에는 게이트절연층이 배치되고, 소스전극 및 드레인전극 상부에는 보호층이 배치될 수 있다.Although not shown, the first to third thin film transistors (T1 to T3) each include a gate electrode, a semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode, a gate insulating layer is disposed between the gate electrode and the semiconductor layer, and the source electrode and A protective layer may be disposed on the drain electrode.

제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)에서, 스위칭 박막트랜지스터인 제1박막트랜지스터(T1)의 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극은 각각 게이트배선(GL), 데이터배선(DL) 및 제2박막트랜지스터(T2)의 게이트전극에 연결된다.In the first to fourth subpixels (SP1 to SP4), the gate electrode, source electrode, and drain electrode of the first thin film transistor (T1), which is a switching thin film transistor, are respectively the gate wire (GL), data wire (DL), and second wire. It is connected to the gate electrode of the thin film transistor (T2).

제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)에서, 구동 박막트랜지스터인 제2박막트랜지스터(T2)의 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극은 각각 제3박막트랜지스터(T3)의 드레인전극, 발광다이오드(Del)의 양극 및 고전위전압(VDD)에 연결된다.In the first to fourth subpixels (SP1 to SP4), the gate electrode, source electrode, and drain electrode of the second thin film transistor (T2), which is a driving thin film transistor, are respectively the drain electrode of the third thin film transistor (T3) and the light emitting diode ( It is connected to the positive electrode of Del) and high potential voltage (VDD).

제1, 제2 및 제4부화소(SP1, SP2, SP4)에서, 센싱 박막트랜지스터인 제3박막트랜지스터(T3)의 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극은 각각 센싱배선(SL), 제2박막트랜지스터(T2)의 소스전극 및 기준배선(RL)에 연결된다. In the first, second, and fourth subpixels (SP1, SP2, SP4), the gate electrode, source electrode, and drain electrode of the third thin film transistor (T3), which is a sensing thin film transistor, are connected to the sensing wire (SL) and the second thin film, respectively. It is connected to the source electrode of the transistor (T2) and the reference wiring (RL).

반면에, 제3부화소(SP3)에서, 센싱 박막트랜지스터인 제3박막트랜지스터(T3)의 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극은 각각 게이트배선(GL), 제2박막트랜지스터(T2)의 소스전극 및 기준배선(RL)에 연결된다On the other hand, in the third subpixel (SP3), the gate electrode, source electrode, and drain electrode of the third thin film transistor (T3), which is a sensing thin film transistor, are the gate wiring (GL) and the source electrode of the second thin film transistor (T2), respectively. and is connected to the reference wiring (RL)

제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)에서, 스토리지 커패시터(Cst)는 제2박막트랜지스터(T2)의 게이트전극 및 소스전극 사이에 연결된다.In the first to fourth subpixels SP1 to SP4, the storage capacitor Cst is connected between the gate electrode and the source electrode of the second thin film transistor T2.

제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)에서, 발광다이오드(Del)의 양극 및 음극은 각각 제2박막트랜지스터(T2)의 소스전극 및 저전위전압(VSS)에 연결된다.In the first to fourth subpixels (SP1 to SP4), the anode and cathode of the light emitting diode (Del) are respectively connected to the source electrode and the low potential voltage (VSS) of the second thin film transistor (T2).

도시하지는 않았지만, 발광다이오드(Del)는 양극, 발광층 및 음극을 포함할 수 있고, 제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)에는 각각 상이한 색의 컬러필터가 형성될 수 있다.Although not shown, the light emitting diode Del may include an anode, a light emitting layer, and a cathode, and color filters of different colors may be formed in the first to fourth subpixels SP1 to SP4.

이러한 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(110)에서, 제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4) 각각은 발광다이오드(Del)가 배치되어 광을 방출하는 발광영역과, 제1 내지 제3박막트랜지스터(T1 내지 T3)와 스토리지 커패시터(Cst)가 배치되어 광을 방출하지 않는 회로영역을 포함할 수 있다.In the organic light emitting diode display device 110 according to the first embodiment of the present invention, each of the first to fourth subpixels SP1 to SP4 has a light emitting area where a light emitting diode Del is disposed to emit light, It may include a circuit area where the first to third thin film transistors (T1 to T3) and the storage capacitor (Cst) are disposed and do not emit light.

여기서, 발광영역은 발광다이오드(Del)의 양극, 발광층 및 음극에 대응되는 영역일 수 있다.Here, the light emitting area may be an area corresponding to the anode, light emitting layer, and cathode of the light emitting diode (Del).

구체적으로, 제1부화소(SP1)는 제1발광영역(EA1) 및 제1회로영역(CA1)을 포함하고, 제2부화소(SP2)는 제2발광영역(EA2) 및 제2회로영역(CA2)을 포함하고, 제3부화소(SP3)는 제3발광영역(EA3) 및 제3회로영역(CA3)을 포함하고, 제4부화소(SP4)는 제4발광영역(EA4) 및 제4회로영역(CA4)을 포함한다.Specifically, the first sub-pixel (SP1) includes a first emission area (EA1) and a first circuit area (CA1), and the second sub-pixel (SP2) includes a second emission area (EA2) and a second circuit area. (CA2), the third sub-pixel (SP3) includes the third emission area (EA3) and the third circuit area (CA3), and the fourth sub-pixel (SP4) includes the fourth emission area (EA4) and Includes the fourth circuit area (CA4).

여기서, 제1, 제2 및 제4부화소(SP1, SP2, SP4)의 제3박막트랜지스터(T3)의 게이트전극은 센싱배선(SL)에 연결되는 반면, 제3부화소(SP3)의 제3박막트랜지스터(T3)의 게이트전극은 게이트배선(GL)에 연결된다.Here, the gate electrode of the third thin film transistor (T3) of the first, second, and fourth subpixels (SP1, SP2, SP4) is connected to the sensing wire (SL), while the gate electrode of the third thin film transistor (T3) of the first, second, and fourth subpixels (SP1, SP2, SP4) is connected to the sensing wire (SL). 3The gate electrode of the thin film transistor (T3) is connected to the gate wiring (GL).

이에 따라, 제1, 제2 및 제4부화소(SP1, SP2, SP4)의 제3박막트랜지스터(T3)는 게이트배선(GL) 및 센싱배선(SL) 사이의 제1, 제2 및 제4회로영역(CA1, CA2, CA4)에 각각 배치되는 반면, 제3부화소(SP3)의 제3박막트랜지스터(T3)는 게이트배선(GL) 상측의 제3회로영역(CA3)에 배치된다. Accordingly, the third thin film transistor (T3) of the first, second, and fourth subpixels (SP1, SP2, SP4) is the first, second, and fourth thin film transistor (T3) between the gate wiring (GL) and the sensing wiring (SL). While each is disposed in the circuit areas CA1, CA2, and CA4, the third thin film transistor T3 of the third subpixel SP3 is disposed in the third circuit area CA3 above the gate wiring GL.

따라서, 제1, 제2 및 제4부화소(SP1, SP2, SP4)의 제1, 제2 및 제4회로영역(CA1, CA2, CA4)은 서로 동일한 제1회로면적(Sc1)으로 형성되고, 제3부화소(SP3)의 제3회로영역(CA3)은 제1회로면적(Sc1)보다 변화면적(VA)만큼 작은 제2회로면적(Sc2)으로 형성된다. (Sc1 - VA = Sc2)Accordingly, the first, second, and fourth circuit areas (CA1, CA2, CA4) of the first, second, and fourth subpixels (SP1, SP2, and SP4) are formed with the same first circuit area (Sc1). , the third circuit area CA3 of the third subpixel SP3 is formed with a second circuit area Sc2 that is smaller than the first circuit area Sc1 by the change area VA. (Sc1 - VA = Sc2)

그리고, 제3부화소(SP3)의 제3회로영역(CA3)의 감소된 변화면적(VA)은 제3부화소(SP3)의 제3발광영역(EA3)으로 이용된다.Also, the reduced change area VA of the third circuit area CA3 of the third subpixel SP3 is used as the third emission area EA3 of the third subpixel SP3.

즉, 제3부화소(SP3) 상측의 센싱배선(SL)을 제3부화소(SP3) 상측으로 인접한 부화소의 회로영역의 변화면적(VA)을 둘러싸도록 'ㄷ'자 형태로 4회 절곡하여 구성하고, 제3부화소(SP3)의 발광다이오드(Del)를 절곡된 센싱배선(SL) 하측의 변화면적(VA)을 포함하도록 확대 형성할 수 있다. That is, the sensing wire (SL) on the upper side of the third sub-pixel (SP3) is bent four times in a 'ㄷ' shape to surround the change area (VA) of the circuit area of the sub-pixel adjacent to the upper side of the third sub-pixel (SP3). The light emitting diode (Del) of the third subpixel (SP3) can be enlarged to include the change area (VA) below the bent sensing wire (SL).

따라서, 제1, 제2 및 제4부화소(SP1, SP2, SP4)의 제1, 제2 및 제4발광영역(EA1, EA2, EA4)은 서로 동일한 제1발광면적(Se1)으로 형성되고, 제3부화소(SP3)의 제3발광영역(EA3)은 제1발광면적(Se1)보다 변화면적(VA)만큼 큰 제2발광면적(Se2)으로 형성된다. (Se1 + VA = Se2)Accordingly, the first, second, and fourth emission areas (EA1, EA2, EA4) of the first, second, and fourth subpixels (SP1, SP2, and SP4) are formed with the same first emission area (Se1). , the third light-emitting area (EA3) of the third sub-pixel (SP3) is formed with a second light-emitting area (Se2) that is larger than the first light-emitting area (Se1) by the change area (VA). (Se1 + VA = Se2)

결론적으로, 제3부화소(SP3)의 발광다이오드(Del)에 대응되는 제3발광영역(EA3)이 증가하므로, 유기발광다이오드 표시장치(110)의 개구율이 증가하고 수명이 향상된다.In conclusion, since the third light emitting area (EA3) corresponding to the light emitting diode (Del) of the third subpixel (SP3) increases, the aperture ratio of the organic light emitting diode display device 110 increases and the lifespan improves.

한편, 제1, 제2, 제4부화소(SP1, SP2, SP4)의 제3박막트랜지스터(T3)를 센싱배선(SL)에 연결하고 센싱신호(SENS)로 구동함으로써, 제1, 제2, 제4부화소(SP1, SP2, SP4)에서는 구동 박막트랜지스터인 제3박막트랜지스터(T3)의 문턱전압(threshold voltage) 변동 및 이동도(mobility) 변동과 발광다이오드(Del)의 문턱전압 변동(열화)이 보상된다.Meanwhile, the third thin film transistor (T3) of the first, second, and fourth subpixels (SP1, SP2, SP4) is connected to the sensing wire (SL) and driven by the sensing signal (SENS), thereby , In the fourth subpixel (SP1, SP2, SP4), the threshold voltage and mobility of the third thin film transistor (T3), which is a driving thin film transistor, and the threshold voltage of the light emitting diode (Del) ( deterioration) is compensated.

반면에, 제3부화소(SP3)의 제3박막트랜지스터(T3)를 센싱배선(SL) 대신 게이트배선(GL)에 연결하고 센싱신호(SENS) 대신 게이트신호(GATE)로 구동함으로써, 제3부화소(SP3)에서는 구동 박막트랜지스터인 제3박막트랜지스터(T3)의 문턱전압 변동 및 이동도 변동은 보상되고 발광다이오드(Del)의 문턱전압 변동(열화)은 보상되지 않는다.On the other hand, by connecting the third thin film transistor (T3) of the third subpixel (SP3) to the gate wiring (GL) instead of the sensing wiring (SL) and driving it with the gate signal (GATE) instead of the sensing signal (SENS), the third thin film transistor (T3) is connected to the gate wiring (GL) instead of the sensing wiring (SL). In the subpixel (SP3), the threshold voltage variation and mobility variation of the third thin film transistor (T3), which is the driving thin film transistor, are compensated, but the threshold voltage variation (deterioration) of the light emitting diode (Del) is not compensated.

그러나, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(110)에서는, 적색, 백색, 녹색을 표시하는 제1, 제2, 제4부화소(SP1, SP2, SP4)의 발광물질에 비하여 청색을 표시하는 제3부화소(SP3)의 발광물질의 수명이 우수하여 열화특성이 양호하고 발광다이오드(Del)의 문턱전압 변동에 대한 보상효과가 미미하므로, 제3부화소(SP3)의 발광다이오드(Del)의 문턱전압 변동을 보상하지 않더라도 특성 저하가 거의 발생하지 않는다.However, in the organic light-emitting diode display device 110 according to the first embodiment of the present invention, the light-emitting materials of the first, second, and fourth subpixels (SP1, SP2, and SP4) displaying red, white, and green colors. In comparison, the lifespan of the light emitting material of the third subpixel (SP3), which displays blue, is excellent, so its deterioration characteristics are good, and the compensation effect for changes in the threshold voltage of the light emitting diode (Del) is minimal. Even if the threshold voltage variation of the light emitting diode (Del) is not compensated for, there is almost no degradation in characteristics.

이러한 제3박막트랜지스터(T3)의 문턱전압 변동 및 이동도 변동과 발광다이오드(Del)의 문턱전압 변동을 도면을 참조하여 설명한다.The threshold voltage and mobility variations of the third thin film transistor T3 and the threshold voltage variations of the light emitting diode Del will be described with reference to the drawings.

도 2a 내지 도 2c는 각각 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 구동 박막트랜지스터의 문턱전압 변동, 구동 박막트랜지스터의 이동도 변동, 발광다이오드의 문턱전압 변동을 검출하기 위한 다수의 신호를 도시한 타이밍도로서, 도 1을 함께 참조하여 설명한다.2A to 2C show a plurality of devices for detecting changes in the threshold voltage of the driving thin-film transistor, changes in the mobility of the driving thin-film transistor, and changes in the threshold voltage of the light-emitting diode of the organic light-emitting diode display device according to the first embodiment of the present invention, respectively. A timing diagram showing signals will be described with reference to FIG. 1.

도 2a에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(110)에서는, 게이트배선(GL)의 게이트신호(GATE), 센싱배선(SL)의 센싱신호(SENS), 데이터배선(DL)의 데이터신호(DATA)를 이용하여 구동 박막트랜지스터인 제2박막트랜지스터(T2)의 문턱전압 변동을 산출한다.As shown in FIG. 2A, in the organic light emitting diode display device 110 according to the first embodiment of the present invention, the gate signal (GATE) of the gate wire (GL) and the sensing signal (SENS) of the sensing wire (SL) , the threshold voltage variation of the second thin film transistor (T2), which is a driving thin film transistor, is calculated using the data signal (DATA) of the data line (DL).

구체적으로, 제1타이밍(t1)에, 게이트신호(GATE) 및 센싱신호(SENS)가 로우레벨로부터 하이레벨로 상승하여 제1 및 제3박막트랜지스터(T1, T3)가 턴-온(turn-on) 되고, 데이터신호(DATA)가 입력된다.Specifically, at the first timing (t1), the gate signal (GATE) and the sensing signal (SENS) rise from low level to high level, so that the first and third thin film transistors (T1, T3) turn on. on) and the data signal (DATA) is input.

제2타이밍(t2)에, 기준배선(RL)에 연결된 소자(예를 들어, 박막트랜지스터)에 인가되는 샘플링신호(SAMP)가 로우레벨로부터 하이레벨로 상승하여 제2박막트랜지스터(T2) 및 발광다이오드(Del) 사이의 연결노드의 전압을 검출한다.At the second timing (t2), the sampling signal (SAMP) applied to the element (for example, thin film transistor) connected to the reference wiring (RL) rises from low level to high level, causing the second thin film transistor (T2) and light emission. Detect the voltage at the connection node between diodes (Del).

제3타이밍(t3)에, 게이트신호(GATE) 및 센싱신호(SENS)가 하이레벨로부터 로우레벨로 하강하여 제1 및 제3박막트랜지스터(T1, T3)가 턴-오프(turn-off) 된다.At the third timing (t3), the gate signal (GATE) and the sensing signal (SENS) fall from high level to low level, and the first and third thin film transistors (T1, T3) are turned off. .

그리고, 검출된 제2박막트랜지스터(T2) 및 발광다이오드(Del) 사이의 연결노드의 전압으로부터 제2박막트랜지스터(T2)의 문턱전압 변동을 산출할 수 있다.And, the threshold voltage variation of the second thin film transistor (T2) can be calculated from the detected voltage of the connection node between the second thin film transistor (T2) and the light emitting diode (Del).

여기서, 게이트신호(GATE) 및 센싱신호(SENS)는 동일한 파형을 가지므로, 제1 및 제3박막트랜지스터(T1, T3)가 각각 게이트신호(GATE) 및 센싱신호(SENS)에 따라 스위칭 되는 제1, 제2, 제4부화소(SP1, SP2, SP4)뿐만 아니라, 제1 및 제3박막트랜지스터(T1, T3)가 모두 게이트신호(GATE)에 따라 스위칭 되는 제3부화소(SP3)에서도 제3박막트랜지스터(T3)의 문턱전압 변동을 검출할 수 있다. Here, since the gate signal (GATE) and the sensing signal (SENS) have the same waveform, the first and third thin film transistors (T1, T3) are switched according to the gate signal (GATE) and sensing signal (SENS), respectively. In addition to the first, second, and fourth subpixels (SP1, SP2, and SP4), the first and third thin film transistors (T1, T3) are all switched according to the gate signal (GATE) in the third subpixel (SP3). A change in the threshold voltage of the third thin film transistor (T3) can be detected.

도 2b에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(110)에서는, 게이트배선(GL)의 게이트신호(GATE), 센싱배선(SL)의 센싱신호(SENS), 데이터배선(DL)의 데이터신호(DATA)를 이용하여 구동 박막트랜지스터인 제2박막트랜지스터(T2)의 이동도 변동을 검출한다.As shown in Figure 2b, in the organic light emitting diode display device 110 according to the first embodiment of the present invention, the gate signal (GATE) of the gate wire (GL) and the sensing signal (SENS) of the sensing wire (SL) , the mobility change of the second thin film transistor (T2), which is a driving thin film transistor, is detected using the data signal (DATA) of the data line (DL).

구체적으로, 제1타이밍(t1)에, 데이터신호(DATA)가 입력된다.Specifically, at the first timing t1, the data signal DATA is input.

제2타이밍(t2)에, 게이트신호(GATE) 및 센싱신호(SENS)가 로우레벨로부터 하이레벨로 상승하여 제1 및 제3박막트랜지스터(T1, T3)가 턴-온 된다.At the second timing (t2), the gate signal (GATE) and the sensing signal (SENS) rise from low level to high level, and the first and third thin film transistors (T1, T3) are turned on.

제3타이밍(t3)에, 기준배선(RL)에 연결된 소자(예를 들어, 박막트랜지스터)에 인가되는 샘플링신호(SAMP)가 로우레벨로부터 하이레벨로 상승하여 제2박막트랜지스터(T2) 및 발광다이오드(Del) 사이의 연결노드의 전압을 검출한다.At the third timing (t3), the sampling signal (SAMP) applied to the element (for example, thin film transistor) connected to the reference wiring (RL) rises from low level to high level, causing the second thin film transistor (T2) and light emission. Detect the voltage at the connection node between diodes (Del).

제4타이밍(t4)에, 게이트신호(GATE) 및 센싱신호(SENS)가 하이레벨로부터 로우레벨로 하강하여 제1 및 제3박막트랜지스터(T1, T3)가 턴-오프 된다.At the fourth timing (t4), the gate signal (GATE) and the sensing signal (SENS) fall from high level to low level, and the first and third thin film transistors (T1, T3) are turned off.

그리고, 검출된 제2박막트랜지스터(T2) 및 발광다이오드(Del) 사이의 연결노드의 전압으로부터 제2박막트랜지스터(T2)의 이동도 변동을 산출할 수 있다.Also, the mobility variation of the second thin film transistor (T2) can be calculated from the detected voltage of the connection node between the second thin film transistor (T2) and the light emitting diode (Del).

여기서, 게이트신호(GATE) 및 센싱신호(SENS)는 동일한 파형을 가지므로, 제1 및 제3박막트랜지스터(T1, T3)가 각각 게이트신호(GATE) 및 센싱신호(SENS)에 따라 스위칭 되는 제1, 제2, 제4부화소(SP1, SP2, SP4)뿐만 아니라, 제1 및 제3박막트랜지스터(T1, T3)가 모두 게이트신호(GATE)에 따라 스위칭 되는 제3부화소(SP3)에서도 제3박막트랜지스터(T3)의 이동도 변동을 검출할 수 있다. Here, since the gate signal (GATE) and the sensing signal (SENS) have the same waveform, the first and third thin film transistors (T1, T3) are switched according to the gate signal (GATE) and sensing signal (SENS), respectively. In addition to the first, second, and fourth subpixels (SP1, SP2, and SP4), the first and third thin film transistors (T1, T3) are all switched according to the gate signal (GATE) in the third subpixel (SP3). Changes in the mobility of the third thin film transistor T3 can be detected.

도 2c에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(110)에서는, 게이트배선(GL)의 게이트신호(GATE), 센싱배선(SL)의 센싱신호(SENS), 데이터배선(DL)의 데이터신호(DATA)를 이용하여 발광다이오드(Del)의 문턱전압 변동을 검출한다.As shown in FIG. 2C, in the organic light emitting diode display device 110 according to the first embodiment of the present invention, the gate signal (GATE) of the gate wire (GL) and the sensing signal (SENS) of the sensing wire (SL) , the threshold voltage change of the light emitting diode (Del) is detected using the data signal (DATA) of the data line (DL).

구체적으로, 제1타이밍(t1)에, 센싱신호(SENS)가 로우레벨로부터 하이레벨로 상승하여 제3박막트랜지스터(T3)가 턴-온 되고, 데이터신호(DATA)가 입력된다.Specifically, at the first timing (t1), the sensing signal (SENS) rises from low level to high level, the third thin film transistor (T3) is turned on, and the data signal (DATA) is input.

제2타이밍(t2)에, 게이트신호(GATE)가 로우레벨로부터 하이레벨로 상승하여 제1박막트랜지스터(T1)가 턴-온 된다.At the second timing (t2), the gate signal (GATE) rises from low level to high level and the first thin film transistor (T1) is turned on.

제3타이밍(t3)에, 센싱신호(SENS)가 하이레벨로부터 로우레벨로 상승하여 제3박막트랜지스터(T3)가 턴-오프 된다.At the third timing (t3), the sensing signal (SENS) rises from high level to low level and the third thin film transistor (T3) is turned off.

제4타이밍(t4)에, 게이트신호(GATE)가 하이레벨로부터 로우레벨로 하강하여 제1박막트랜지스터(T1)가 제1박막트랜지스터(T1)가 턴-오프 된다.At the fourth timing (t4), the gate signal (GATE) falls from the high level to the low level, and the first thin film transistor (T1) is turned off.

제5타이밍(t5)에, 센싱신호(SENS)가 로우레벨로부터 하이레벨로 상승하여 제3박막트랜지스터(T3)가 턴-온 된다.At the fifth timing (t5), the sensing signal (SENS) rises from low level to high level and the third thin film transistor (T3) is turned on.

제6타이밍(t6)에, 게이트신호(GATE)가 로우레벨로부터 하이레벨로 상승하여 제1박막트랜지스터(T1)가 턴-온 된다.At the sixth timing (t6), the gate signal (GATE) rises from low level to high level and the first thin film transistor (T1) is turned on.

제7타이밍(t7)에, 기준배선(RL)에 연결된 소자(예를 들어, 박막트랜지스터)에 인가되는 샘플링신호(SAMP)가 로우레벨로부터 하이레벨로 상승하여 제2박막트랜지스터(T2) 및 발광다이오드(Del) 사이의 연결노드의 전압을 검출한다.At the seventh timing (t7), the sampling signal (SAMP) applied to the element (for example, thin film transistor) connected to the reference wiring (RL) rises from low level to high level, causing the second thin film transistor (T2) and light emission. Detect the voltage at the connection node between diodes (Del).

제8타이밍(t8)에, 게이트신호(GATE)가 하이레벨로부터 로우레벨로 하강하여 제1박막트랜지스터(T1)가 턴-오프 된다.At the eighth timing (t8), the gate signal (GATE) falls from high level to low level and the first thin film transistor (T1) is turned off.

제9타이밍(t9)에, 센싱신호(SENS)가 하이레벨로부터 로우레벨로 하강하여 제3박막트랜지스터(T3)가 턴-오프 된다.At the ninth timing (t9), the sensing signal (SENS) falls from high level to low level and the third thin film transistor (T3) is turned off.

그리고, 검출된 제2박막트랜지스터(T2) 및 발광다이오드(Del) 사이의 연결노드의 전압으로부터 발광다이오드(Del)의 문턱전압 변동을 산출할 수 있다.Also, the threshold voltage variation of the light emitting diode (Del) can be calculated from the detected voltage of the connection node between the second thin film transistor (T2) and the light emitting diode (Del).

여기서, 게이트신호(GATE) 및 센싱신호(SENS)는 상이한 파형을 가지므로, 제1 및 제3박막트랜지스터(T1, T3)가 각각 게이트신호(GATE) 및 센싱신호(SENS)에 따라 스위칭 되는 제1, 제2, 제4부화소(SP1, SP2, SP4)에서는 발광다이오드(Del)의 문턱전압 변동을 산출할 수 있지만, 제1 및 제3박막트랜지스터(T1, T3)가 모두 게이트신호(GATE)에 따라 스위칭 되는 제3부화소(SP3)에서는 발광다이오드(Del)의 문턱전압 변동을 산출할 수 없다. Here, since the gate signal (GATE) and the sensing signal (SENS) have different waveforms, the first and third thin film transistors (T1, T3) are switched according to the gate signal (GATE) and sensing signal (SENS), respectively. The first, second, and fourth subpixels (SP1, SP2, SP4) can calculate the threshold voltage variation of the light emitting diode (Del), but the first and third thin film transistors (T1, T3) all use the gate signal (GATE). ), the threshold voltage change of the light emitting diode (Del) cannot be calculated in the third subpixel (SP3), which is switched according to ).

그러나, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(110)에서는, 적색, 백색, 녹색을 표시하는 제1, 제2, 제4부화소(SP1, SP2, SP4)의 발광물질에 비하여 청색을 표시하는 제3부화소(SP3)의 발광물질의 수명이 우수하여 열화특성이 양호하고 발광다이오드(Del)의 문턱전압 변동에 대한 보상효과가 미미하다.However, in the organic light-emitting diode display device 110 according to the first embodiment of the present invention, the light-emitting materials of the first, second, and fourth subpixels (SP1, SP2, and SP4) displaying red, white, and green colors. In comparison, the lifespan of the light emitting material of the third subpixel (SP3) displaying blue is excellent, so the deterioration characteristics are good, and the compensation effect for the threshold voltage variation of the light emitting diode (Del) is minimal.

따라서, 제3부화소(SP3)의 발광다이오드(Del)의 문턱전압 변동을 보상하지 않더라도 발광다이오드(Del)의 특성 저하는 거의 발생하지 않으며, 제3부화소(SP3)의 발광다이오드(Del)에 대응되는 제3발광영역(EA3)을 증가시킴으로써, 개구율 증가 및 수명 향상의 효과를 얻을 수 있다.Therefore, even if the threshold voltage variation of the light emitting diode (Del) of the third subpixel (SP3) is not compensated for, the characteristics of the light emitting diode (Del) are hardly deteriorated, and the light emitting diode (Del) of the third subpixel (SP3) By increasing the third light emitting area (EA3) corresponding to , the effects of increasing the aperture ratio and improving lifespan can be obtained.

이러한 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 수명 특성을 도면을 참조하여 설명한다.The lifespan characteristics of the organic light emitting diode display device according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 구동시간에 따른 휘도편차의 변화를 도시한 그래프로서, 도 1, 도 2를 함께 참조하여 설명한다.FIG. 3 is a graph showing the change in luminance deviation depending on the driving time of the organic light emitting diode display device according to the first embodiment of the present invention, which will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

도 3에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(110)에서는, 제3부화소(SP3)의 제3발광영역(EA3)의 제2발광면적(Se2)을 제1, 제2, 제4부화소(SP1, SP2, SP4)의 제1, 제2, 제4발광영역(EA1, EA2, EA4)의 제1발광면적(Se1)보다 크게 형성함으로써, 개구율이 증가하고 수명이 향상된다.As shown in FIG. 3, in the organic light emitting diode display device 110 according to the first embodiment of the present invention, the second light emitting area (Se2) of the third light emitting area (EA3) of the third subpixel (SP3) By forming to be larger than the first emission area (Se1) of the first, second, and fourth emission areas (EA1, EA2, EA4) of the first, second, and fourth subpixels (SP1, SP2, and SP4), the aperture ratio This increases and lifespan improves.

구체적으로, 제3부화소(SP3)의 제1 및 제3박막트랜지스터(T1, T3)가 각각 게이트신호(GATE) 및 센싱신호(SENS)에 따라 스위칭 되고 발광다이오드(Del)의 문턱전압 변동의 보상을 수행하지 않는 제1비교예의 유기발광다이오드 표시장치는, 구동초기에 0%의 휘도편차를 갖고 구동말기에 제1최고약 5.2%의 휘도편차(Dmax1)를 갖는다.Specifically, the first and third thin film transistors (T1, T3) of the third subpixel (SP3) are switched according to the gate signal (GATE) and the sensing signal (SENS), respectively, and the threshold voltage variation of the light emitting diode (Del) is changed. The organic light emitting diode display device of the first comparative example that does not perform compensation has a luminance deviation of 0% at the beginning of operation and has a luminance deviation (Dmax1) of a first maximum of about 5.2% at the end of operation.

그리고, 제3부화소(SP3)의 제1 및 제3박막트랜지스터(T1, T3)가 각각 게이트신호(GATE) 및 센싱신호(SENS)에 따라 스위칭 되고 발광다이오드(Del)의 문턱전압 변동의 보상을 수행하는 제2비교예의 유기발광다이오드 표시장치는, 구동초기에 0%의 휘도편차를 갖고 구동말기에 제1최고휘도편차(Dmax1)보다 작은 제2최고약 4.6%의 휘도편차(Dmax2)를 갖는다. (Dmax1 > Dmax2)In addition, the first and third thin film transistors (T1, T3) of the third subpixel (SP3) are switched according to the gate signal (GATE) and the sensing signal (SENS), respectively, and compensate for the threshold voltage variation of the light emitting diode (Del). The organic light emitting diode display device of the second comparative example has a luminance deviation of 0% at the beginning of operation and has a luminance deviation of about 4.6% at the second highest luminance deviation (Dmax2), which is smaller than the first highest luminance deviation (Dmax1) at the end of operation. have (Dmax1 > Dmax2)

반면에, 제3부화소(SP3)의 제1 및 제3박막트랜지스터(T1, T3)가 모두 게이트신호(GATE)에 따라 스위칭 되고 발광다이오드(Del)의 문턱전압 변동의 보상을 수행하지 않는 제1실시예의 유기발광다이오드 표시장치(110)는, 구동초기에 0%의 휘도편차를 갖고 구동말기에 제2최고휘도편차(Dmax2)보다 작은 제3최고약 4.0%의 휘도편차(Dmax3)를 갖는다. (Dmax2 > Dmax3)On the other hand, the first and third thin film transistors (T1, T3) of the third subpixel (SP3) are all switched according to the gate signal (GATE) and do not compensate for the threshold voltage variation of the light emitting diode (Del). The organic light emitting diode display device 110 of one embodiment has a luminance deviation of 0% at the beginning of driving and has a luminance deviation (Dmax3) of about 4.0% at the third maximum, which is smaller than the second maximum luminance deviation (Dmax2) at the end of driving. . (Dmax2 > Dmax3)

즉, 제1 및 제2비교예의 유기발광다이오드 표시장치의 열화 속도보다 제1실시예의 유기발광다이오드 표시장치(110)의 열화 속도가 낮으며, 그 결과 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(110)의 수명이 향상된다. That is, the deterioration rate of the organic light emitting diode display device 110 of the first embodiment is lower than the deterioration rate of the organic light emitting diode display devices of the first and second comparative examples, and as a result, the organic light emitting diode display device 110 according to the first embodiment of the present invention is lower. The lifespan of the diode display device 110 is improved.

이상과 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(110)에서는, 제3부화소(SP3)의 제3박막트랜지스터(T3)를 센싱배선(SL) 대신에 게이트배선(GL)에 연결하여 게이트배선(GL) 상측의 제3회로영역(CA3)에 배치함으로써, 제3부화소(SP3)의 제3발광영역(EA3)을 제1, 제2 및 제4부화소(SP1, SP2, SP4)의 제1, 제2 및 제4발광영역(EA1, EA2, EA4)보다 크게 형성할 수 있으며, 그 결과 유기발광다이오드 표시장치(110)의 개구율이 증가하고 수명이 향상된다. As described above, in the organic light emitting diode display device 110 according to the first embodiment of the present invention, the third thin film transistor (T3) of the third subpixel (SP3) is connected to the gate wiring (GL) instead of the sensing wiring (SL). ) and disposed in the third circuit area (CA3) above the gate wiring (GL), thereby connecting the third emission area (EA3) of the third sub-pixel (SP3) to the first, second and fourth sub-pixels (SP1). , SP2, SP4) can be formed larger than the first, second, and fourth light emitting areas (EA1, EA2, EA4), and as a result, the aperture ratio of the organic light emitting diode display device 110 increases and the lifespan is improved.

한편, 다른 실시예에서는 제3부화소(SP3)의 변화면적(VA)을 인접 부화소에 할당할 수도 있는데, 이를 도면을 참조하여 설명한다.Meanwhile, in another embodiment, the change area VA of the third subpixel SP3 may be allocated to an adjacent subpixel, which will be described with reference to the drawings.

도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 도시한 도면으로, 제1실시예와 동일한 부분에 대한 설명은 생략한다. Figure 4 is a diagram showing an organic light emitting diode display device according to a second embodiment of the present invention, and description of the same parts as the first embodiment will be omitted.

도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(210)는 다수의 화소(P)를 포함하고, 각 화소(P)는 제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)를 포함한다. As shown in FIG. 4, the organic light emitting diode display device 210 according to the second embodiment of the present invention includes a plurality of pixels (P), and each pixel (P) includes first to fourth subpixels ( SP1 to SP4).

구체적으로, 유기발광다이오드 표시장치(210)의 기판(미도시) 상부에는 서로 교차하여 제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)를 정의하는 다수의 게이트배선(GL) 및 다수의 데이터배선(DL)이 배치되고, 제2 및 제3부화소(SP2, SP3) 사이에는 다수의 데이터배선(DL)으로부터 평행하게 이격되는 기준배선(RL)이 배치되고, 제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4) 상측 및 하측에는 게이트배선(GL)으로부터 평행하게 이격되는 센싱배선(SL)이 배치된다.Specifically, on the top of the substrate (not shown) of the organic light emitting diode display device 210, a plurality of gate wires (GL) and a plurality of data wires (GL) crossing each other to define the first to fourth subpixels (SP1 to SP4) DL) is disposed, a reference line (RL) is disposed between the second and third subpixels (SP2, SP3) and is spaced in parallel from the plurality of data lines (DL), and the first to fourth subpixels (SP1) to SP4), sensing wires (SL) are disposed on the upper and lower sides in parallel and spaced apart from the gate wire (GL).

게이트배선(GL)에는 게이트신호(GATE)가 공급되고, 센싱배선(SL)에는 센싱신호(SENS)가 공급되고, 데이터배선(DL)에는 데이터신호(DATA)가 공급되고, 기준배선(RL)에는 기준신호(REF)가 공급되고, 파워배선에는 고전위전압(VDD)이 공급될 수 있다.A gate signal (GATE) is supplied to the gate wire (GL), a sensing signal (SENS) is supplied to the sensing wire (SL), a data signal (DATA) is supplied to the data wire (DL), and the reference wire (RL) A reference signal (REF) may be supplied to and a high potential voltage (VDD) may be supplied to the power wiring.

제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4) 각각에는, 제1 내지 제3박막트랜지스터(T1 내지 T3), 스토리지 커패시터(Cst) 및 발광다이오드(Del)가 배치된다.In each of the first to fourth subpixels (SP1 to SP4), first to third thin film transistors (T1 to T3), a storage capacitor (Cst), and a light emitting diode (Del) are disposed.

제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)에서, 스위칭 박막트랜지스터인 제1박막트랜지스터(T1)의 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극은 각각 게이트배선(GL), 데이터배선(DL) 및 제2박막트랜지스터(T2)의 게이트전극에 연결된다.In the first to fourth subpixels (SP1 to SP4), the gate electrode, source electrode, and drain electrode of the first thin film transistor (T1), which is a switching thin film transistor, are respectively the gate wire (GL), data wire (DL), and second wire. It is connected to the gate electrode of the thin film transistor (T2).

제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)에서, 구동 박막트랜지스터인 제2박막트랜지스터(T2)의 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극은 각각 제3박막트랜지스터(T3)의 드레인전극, 발광다이오드(Del)의 양극 및 고전위전압(VDD)에 연결된다.In the first to fourth subpixels (SP1 to SP4), the gate electrode, source electrode, and drain electrode of the second thin film transistor (T2), which is a driving thin film transistor, are respectively the drain electrode of the third thin film transistor (T3) and the light emitting diode ( It is connected to the positive electrode of Del) and high potential voltage (VDD).

제1, 제2 및 제4부화소(SP1, SP2, SP4)에서, 센싱 박막트랜지스터인 제3박막트랜지스터(T3)의 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극은 각각 센싱배선(SL), 제2박막트랜지스터(T2)의 소스전극 및 기준배선(RL)에 연결된다. In the first, second, and fourth subpixels (SP1, SP2, SP4), the gate electrode, source electrode, and drain electrode of the third thin film transistor (T3), which is a sensing thin film transistor, are connected to the sensing wire (SL) and the second thin film, respectively. It is connected to the source electrode of the transistor (T2) and the reference wiring (RL).

반면에, 제3부화소(SP3)에서, 센싱 박막트랜지스터인 제3박막트랜지스터(T3)의 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극은 각각 게이트배선(GL), 제2박막트랜지스터(T2)의 소스전극 및 기준배선(RL)에 연결된다On the other hand, in the third subpixel (SP3), the gate electrode, source electrode, and drain electrode of the third thin film transistor (T3), which is a sensing thin film transistor, are the gate wiring (GL) and the source electrode of the second thin film transistor (T2), respectively. and is connected to the reference wiring (RL)

제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)에서, 스토리지 커패시터(Cst)는 제2박막트랜지스터(T2)의 게이트전극 및 소스전극 사이에 연결된다.In the first to fourth subpixels SP1 to SP4, the storage capacitor Cst is connected between the gate electrode and the source electrode of the second thin film transistor T2.

제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)에서, 발광다이오드(Del)의 양극 및 음극은 각각 제2박막트랜지스터(T2)의 소스전극 및 저전위전압(VSS)에 연결된다.In the first to fourth subpixels (SP1 to SP4), the anode and cathode of the light emitting diode (Del) are respectively connected to the source electrode and the low potential voltage (VSS) of the second thin film transistor (T2).

도시하지는 않았지만, 발광다이오드(Del)는 양극, 발광층 및 음극을 포함할 수 있고, 제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4)에는 각각 상이한 색의 컬러필터가 형성될 수 있다.Although not shown, the light emitting diode Del may include an anode, a light emitting layer, and a cathode, and color filters of different colors may be formed in the first to fourth subpixels SP1 to SP4.

이러한 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(210)에서, 제1 내지 제4부화소(SP1 내지 SP4) 각각은 발광다이오드(Del)가 배치되어 광을 방출하는 발광영역과, 제1 내지 제3박막트랜지스터(T1 내지 T3)와 스토리지 커패시터(Cst)가 배치되어 광을 방출하지 않는 회로영역을 포함할 수 있다.In the organic light emitting diode display device 210 according to the second embodiment of the present invention, each of the first to fourth subpixels (SP1 to SP4) has a light emitting area where a light emitting diode (Del) is disposed to emit light, It may include a circuit area where the first to third thin film transistors (T1 to T3) and the storage capacitor (Cst) are disposed and do not emit light.

구체적으로, 제1부화소(SP1)는 제1발광영역(EA1) 및 제1회로영역(CA1)을 포함하고, 제2부화소(SP2)는 제2발광영역(EA2) 및 제2회로영역(CA2)을 포함하고, 제3부화소(SP3)는 제3발광영역(EA3) 및 제3회로영역(CA3)을 포함하고, 제4부화소(SP4)는 제4발광영역(EA4) 및 제4회로영역(CA4)을 포함한다.Specifically, the first sub-pixel (SP1) includes a first emission area (EA1) and a first circuit area (CA1), and the second sub-pixel (SP2) includes a second emission area (EA2) and a second circuit area. (CA2), the third sub-pixel (SP3) includes the third emission area (EA3) and the third circuit area (CA3), and the fourth sub-pixel (SP4) includes the fourth emission area (EA4) and Includes the fourth circuit area (CA4).

여기서, 제1, 제2 및 제4부화소(SP1, SP2, SP4)의 제3박막트랜지스터(T3)의 게이트전극은 센싱배선(SL)에 연결되는 반면, 제3부화소(SP3)의 제3박막트랜지스터(T3)의 게이트전극은 게이트배선(GL)에 연결된다.Here, the gate electrode of the third thin film transistor (T3) of the first, second, and fourth subpixels (SP1, SP2, SP4) is connected to the sensing wire (SL), while the gate electrode of the third thin film transistor (T3) of the first, second, and fourth subpixels (SP1, SP2, SP4) is connected to the sensing wire (SL). 3The gate electrode of the thin film transistor (T3) is connected to the gate wiring (GL).

이에 따라, 제1, 제2 및 제4부화소(SP1, SP2, SP4)의 제3박막트랜지스터(T3)는 게이트배선(GL) 및 센싱배선(SL) 사이의 제1, 제2 및 제4회로영역(CA1, CA2, CA4)에 각각 배치되는 반면, 제3부화소(SP3)의 제3박막트랜지스터(T3)는 게이트배선(GL) 상측의 제3회로영역(CA3)에 배치된다. Accordingly, the third thin film transistor (T3) of the first, second, and fourth subpixels (SP1, SP2, SP4) is the first, second, and fourth thin film transistor (T3) between the gate wiring (GL) and the sensing wiring (SL). While each is disposed in the circuit areas CA1, CA2, and CA4, the third thin film transistor T3 of the third subpixel SP3 is disposed in the third circuit area CA3 above the gate wiring GL.

따라서, 제1, 제2 및 제4부화소(SP1, SP2, SP4)의 제1, 제2 및 제4회로영역(CA1, CA2, CA4)은 서로 동일한 제1회로면적(Sc1)으로 형성되고, 제3부화소(SP3)의 제3회로영역(CA3)은 제1회로면적(Sc1)보다 제1변화면적(VA1)만큼 작은 제2회로면적(Sc2))으로 형성된다. (Sc1 - VA1 = Sc2)Accordingly, the first, second, and fourth circuit areas (CA1, CA2, CA4) of the first, second, and fourth subpixels (SP1, SP2, and SP4) are formed with the same first circuit area (Sc1). , the third circuit area CA3 of the third subpixel SP3 is formed with a second circuit area Sc2 that is smaller than the first circuit area Sc1 by the first change area VA1. (Sc1 - VA1 = Sc2)

그리고, 제3부화소(SP3)의 제3회로영역(CA3)의 감소된 제1변화면적(VA1)은 제3부화소(SP3)의 제3발광영역(EA3) 대신 제4부화소(SP4)의 제4발광영역(EA4)으로 이용된다.In addition, the reduced first change area VA1 of the third circuit area CA3 of the third subpixel SP3 is changed to the fourth subpixel SP4 instead of the third emission area EA3 of the third subpixel SP3. ) is used as the fourth light-emitting area (EA4).

즉, 제3부화소(SP3) 상측의 센싱배선(SL)을 제3부화소(SP3) 상측으로 인접한 부화소의 회로영역의 제1변화면적(VA1)을 둘러싸도록 'ㄷ'자 형태로 4회 절곡하여 구성하고, 제3부화소(SP3)의 발광다이오드(Del)를 절곡된 센싱배선(SL) 하측의 제1변화면적(VA1)을 포함하도록 확대 형성할 수 있다. That is, the sensing wire (SL) on the upper side of the third sub-pixel (SP3) is formed in a 'ㄷ' shape to surround the first change area (VA1) of the circuit area of the sub-pixel adjacent to the third sub-pixel (SP3). It is configured by bending twice, and the light emitting diode (Del) of the third subpixel (SP3) can be enlarged to include the first change area (VA1) below the bent sensing wire (SL).

그리고, 제3부화소(SP3) 우측의 데이터배선(DL)을 제3부화소(SP3) 우측으로 인접한 부화소의 발광영역의 제2변화면적(VA2)을 둘러싸도록 'ㄷ'자 형태로 4회 절곡하여 구성하고, 제3부화소(SP3)의 발광다이오드(Del)를 절곡된 데이터배선(DL) 좌측의 제2변화면적(VA2)을 제외하도록 축소 형성할 수 있다. And, the data line (DL) on the right side of the third subpixel (SP3) is formed in a 'ㄷ' shape to surround the second change area (VA2) of the light emitting area of the subpixel adjacent to the right side of the third subpixel (SP3). It is configured by bending twice, and the light emitting diode (Del) of the third subpixel (SP3) can be reduced to exclude the second change area (VA2) on the left side of the bent data line (DL).

즉, 제1 및 제2부화소(SP1, SP2)의 제1 및 제2발광영역(EA1, EA2)은 서로 동일한 제1발광면적(Se1)으로 형성되고, 제3부화소(SP3)의 제3발광영역(EA3)은 제1발광면적(Se1)보다 제1 및 제2변화면적(VA1, VA2)의 차이만큼 크거나 작은 제2발광면적(Se2)으로 형성된다. (Se1 + VA1 - VA2 = Se3) That is, the first and second emission areas (EA1, EA2) of the first and second subpixels (SP1, SP2) are formed with the same first emission area (Se1), and the first emission areas (EA1, EA2) of the third subpixel (SP3) are formed with the same first emission area (Se1). The third light-emitting area (EA3) is formed with a second light-emitting area (Se2) that is larger or smaller than the first light-emitting area (Se1) by the difference between the first and second change areas (VA1 and VA2). (Se1 + VA1 - VA2 = Se3)

여기서, 제1 및 제2변화면적(VA1, VA2)은 실질적으로 동일할 수 있으며(VA1 = VA2), 그 경우 제1 및 제2부화소(SP1, SP2)의 제1 및 제2발광영역(EA1, EA2)의 제발광면적(Se1)과 제3부화소(SP3)의 제3발광영역(EA3)의 제2발광면적(Se2)은 서로 동일할 수 있다. (Se1 = Se2) Here, the first and second change areas (VA1, VA2) may be substantially the same (VA1 = VA2), in which case the first and second emission areas of the first and second subpixels (SP1, SP2) ( The primary emission area (Se1) of EA1 and EA2) may be equal to the second emission area (Se2) of the third emission area (EA3) of the third subpixel (SP3). (Se1 = Se2)

또한, 제4부화소(SP4)의 발광다이오드(Del)를 절곡된 데이터배선(DL) 우측의 제2변화면적(VA2)을 포함하도록 확대 형성할 수 있으며, 그 결과 제4부화소(SP4)의 제4발광영역(EA4)은 제1발광면적(Se1)보다 제2변화면적(VA2)만큼 큰 제3발광면적(Se3)으로 형성된다. (Se1 + VA2 = Se3)In addition, the light emitting diode (Del) of the fourth sub-pixel (SP4) can be enlarged to include the second change area (VA2) on the right side of the bent data line (DL), and as a result, the fourth sub-pixel (SP4) The fourth light-emitting area (EA4) is formed with a third light-emitting area (Se3) that is larger than the first light-emitting area (Se1) by the second change area (VA2). (Se1 + VA2 = Se3)

결론적으로, 제4부화소(SP4)의 발광다이오드(Del)에 대응되는 제4발광영역(EA4)이 증가하므로, 유기발광다이오드 표시장치(210)의 개구율이 증가하고 수명이 향상될 뿐만 아니라, 제4부화소(SP4)가 표시하는 녹색이 강조되어 색특성이 개선되고 휘도가 향상된다. In conclusion, since the fourth light emitting area (EA4) corresponding to the light emitting diode (Del) of the fourth subpixel (SP4) increases, the aperture ratio of the organic light emitting diode display device 210 not only increases and the lifespan improves, The green color displayed by the fourth subpixel (SP4) is emphasized, improving color characteristics and improving luminance.

이상과 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치(210)에서는, 제3부화소(SP3)의 제3박막트랜지스터(T3)를 센싱배선(SL) 대신에 게이트배선(GL)에 연결하여 게이트배선(GL) 상측의 제3회로영역(CA3)에 배치하고, 제3부화소(SP3)의 제3발광영역(EA3)의 제1변화면적(VA1)에 대응되는 제2변화면적(VA2)을 제4부화소(SP4)에 추가함으로써, 제4부화소(SP4)의 제4발광영역(EA4)을 제1, 제2 및 제3부화소(SP1, SP2, SP3)의 제1, 제2 및 제3발광영역(EA1, EA2, EA3)보다 크게 형성할 수 있으며, 그 결과 유기발광다이오드 표시장치(210)의 개구율이 증가하고 수명이 향상될 뿐만 아니라 유기발광다이오드 표시장치(210)의 색특성이 개선되고 휘도가 향상된다. As described above, in the organic light emitting diode display device 210 according to the second embodiment of the present invention, the third thin film transistor (T3) of the third subpixel (SP3) is connected to the gate wiring (GL) instead of the sensing wiring (SL). ) and disposed in the third circuit area (CA3) above the gate wiring (GL), and the second change area (VA1) corresponding to the first change area (VA1) of the third emission area (EA3) of the third subpixel (SP3). By adding the change area VA2 to the fourth subpixel SP4, the fourth emission area EA4 of the fourth subpixel SP4 is divided into the first, second, and third subpixels SP1, SP2, and SP3. It can be formed to be larger than the first, second and third light emitting areas (EA1, EA2, EA3) of The color characteristics of the device 210 are improved and luminance is improved.

본 발명의 제1 및 제2실시예에서는 하나의 화소가 4개의 부화소(SP1 내지 SP4)를 포함하는 것을 예로 들었으나, 다른 실시예에서는 하나의 화소가 3개의 부화소를 포함할 수도 있다. In the first and second embodiments of the present invention, one pixel includes four subpixels (SP1 to SP4) as an example, but in other embodiments, one pixel may include three subpixels.

그리고, 본 발명의 제1 및 제2실시예에서는 4개의 부화소(SP1 내지 SP4) 중 하나의 부화소의 제3박막트랜지스터(T3)가 게이트신호(GATE)에 의하여 스위칭 되는 것을 예로 들었으나, 다른 실시예에서는 4개의 부화소(SP1 내지 SP4) 중 둘 이상의 부화소의 제3박막트랜지스터(T3)가 게이트신호(GATE)에 의하여 스위칭 될 수도 있다. In addition, in the first and second embodiments of the present invention, the third thin film transistor (T3) of one of the four subpixels (SP1 to SP4) is switched by the gate signal (GATE) as an example. In another embodiment, the third thin film transistor (T3) of two or more subpixels among the four subpixels (SP1 to SP4) may be switched by the gate signal (GATE).

또한, 본 발명의 제1 및 제2실시예에서는 청색을 표시하는 제3부화소(SP3)의 제3박막트랜지스터(T3)가 게이트신호(GATE)에 의하여 스위칭 되는 것을 예로 들었으나, 다른 실시예에서는 적색, 백색 또는 녹색을 표시하는 부화소의 제3박막트랜지스터(T3)가 게이트신호(GATE)에 의하여 스위칭 될 수도 있다. In addition, in the first and second embodiments of the present invention, the third thin film transistor (T3) of the third subpixel (SP3) displaying blue is switched by the gate signal (GATE) as an example, but in other embodiments In , the third thin film transistor (T3) of the subpixel that displays red, white, or green may be switched by the gate signal (GATE).

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the present invention has been described above with reference to preferred embodiments, those skilled in the art may make various modifications and changes to the present invention without departing from the technical spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. You will understand that you can do it.

110: 유기발광다이오드 표시장치 GL: 게이트배선
SL: 센싱배선 DL: 데이터배선
RL: 기준배선 SP1 내지 SP4: 제1 내지 제4부화소
CA1 내지 CA4: 제1 내지 제4회로영역
EA1 내지 EA4: 제1 내지 제4발광영역
T1 내지 T3: 제1 내지 제3박막트랜지스터
Cst: 스토리지 커패시터 Del: 발광다이오드110: Organic light emitting diode display device GL: Gate wiring
SL: Sensing wiring DL: Data wiring
RL: Reference wiring SP1 to SP4: 1st to 4th subpixels
CA1 to CA4: 1st to 4th circuit areas
EA1 to EA4: 1st to 4th emission areas
T1 to T3: first to third thin film transistors
Cst: storage capacitor Del: light emitting diode

Claims (13)

제1 내지 제4부화소를 포함하는 기판과;
상기 기판 상부에 서로 이격되도록 배치되는 게이트배선 및 센싱배선과;
상기 게이트배선 및 상기 센싱배선과 교차하여 상기 제1 내지 제4부화소를 정의하는 데이터배선과;
상기 데이터배선으로부터 이격되는 기준배선과;
상기 제1 내지 제4부화소 각각의 회로영역에 배치되는 제1 내지 제3박막트랜지스터와 스토리지 커패시터과;
상기 제1 내지 제4부화소 각각의 발광영역에 배치되는 발광다이오드
를 포함하고,
상기 제1, 제2 및 제4부화소 각각의 상기 제1 및 제3박막트랜지스터는 각각 상기 게이트배선 및 상기 센싱배선에 연결되고,
상기 제3부화소의 상기 제1 및 제3박막트랜지스터는 상기 게이트배선에 연결되고,
상기 제1, 제2 및 제4부화소 상측의 상기 센싱배선은 직선 형태를 갖고,
상기 제3부화소 상측의 상기 센싱배선은 'ㄷ'자 형태를 갖는 유기발광다이오드 표시장치.
A substrate including first to fourth subpixels;
Gate wiring and sensing wiring arranged to be spaced apart from each other on the upper part of the substrate;
a data line that intersects the gate line and the sensing line to define the first to fourth subpixels;
a reference wire spaced apart from the data wire;
first to third thin film transistors and storage capacitors disposed in circuit areas of each of the first to fourth subpixels;
A light emitting diode disposed in the light emitting area of each of the first to fourth subpixels
Including,
The first and third thin film transistors of each of the first, second, and fourth subpixels are connected to the gate wire and the sensing wire, respectively,
The first and third thin film transistors of the third subpixel are connected to the gate wiring,
The sensing wires above the first, second and fourth sub-pixels have a straight line,
The sensing wiring on the upper side of the third sub-pixel is an organic light emitting diode display device having a 'ㄷ' shape.
 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제1, 제2 및 제4부화소의 상기 회로영역은 서로 동일한 제1회로면적을 갖고,
상기 제3부화소의 상기 회로영역은 상기 제1회로면적보다 변화면적만큼 작은 제2회로면적을 갖고,
상기 제1, 제2 및 제4부화소의 상기 발광영역은 서로 동일한 제1발광면적을 갖고,
상기 제3부화소의 상기 발광영역은 상기 제1발광면적보다 상기 변화면적만큼 큰 제2발광면적을 갖는 유기발광다이오드 표시장치.
According to claim 1,
The circuit areas of the first, second and fourth subpixels have the same first circuit area,
The circuit area of the third subpixel has a second circuit area smaller than the first circuit area by a change area,
The light emitting areas of the first, second and fourth subpixels have the same first light emitting area,
The organic light emitting diode display device wherein the light emitting area of the third subpixel has a second light emitting area that is larger than the first light emitting area by the change area.
 제 3 항에 있어서,
상기 제3부화소 상측의 상기 센싱배선은, 상기 제3부화소 상측으로 인접한 부화소의 상기 회로영역의 상기 변화면적을 둘러싸도록 'ㄷ'자 형태로 절곡되는 유기발광다이오드 표시장치.
According to claim 3,
The sensing wire on the upper side of the third sub-pixel is bent in a 'ㄷ' shape to surround the change area of the circuit area of the sub-pixel adjacent to the upper side of the third sub-pixel.
 제 1 항에 있어서,
상기 제1, 제2 및 제4부화소의 상기 회로영역은 서로 동일한 제1회로면적을 갖고,
상기 제3부화소의 상기 회로영역은 상기 제1회로면적보다 제1변화면적만큼 작은 제2회로면적을 갖고,
상기 제1 및 제2부화소의 상기 발광영역은 서로 동일한 제1발광면적을 갖고,
상기 제3부화소의 상기 발광영역은 상기 제1발광면적보다 상기 제1변화면적과 제2변화면적의 차이만큼 크거나 작은 제2발광면적을 갖고,
상기 제4부화소의 상기 발광영역은 상기 제1발광면적보다 상기 제2변화면적만큼 큰 제3발광면적을 갖는 유기발광다이오드 표시장치.
According to claim 1,
The circuit areas of the first, second and fourth subpixels have the same first circuit area,
The circuit area of the third subpixel has a second circuit area smaller than the first circuit area by a first change area,
The light emitting areas of the first and second subpixels have the same first light emitting area,
The light-emitting area of the third sub-pixel has a second light-emitting area that is larger or smaller than the first light-emitting area by the difference between the first change area and the second change area,
The organic light-emitting diode display device wherein the light-emitting area of the fourth sub-pixel has a third light-emitting area that is larger than the first light-emitting area by the second change area.
 제 5 항에 있어서,
상기 제3부화소 상측의 상기 센싱배선은, 상기 제3부화소 상측으로 인접한 부화소의 상기 회로영역의 상기 제1변화면적을 둘러싸도록 'ㄷ'자 형태로 절곡되고,
상기 제3부화소 우측의 상기 데이터배선은, 상기 제3부화소 우측으로 인접한 부화소의 상기 발광영역의 상기 제2변화면적을 둘러싸도록 'ㄷ'자 형태로 절곡되는 유기발광다이오드 표시장치.
According to claim 5,
The sensing wire on the upper side of the third sub-pixel is bent in a 'ㄷ' shape to surround the first change area of the circuit area of the sub-pixel adjacent to the upper side of the third sub-pixel,
The data wire on the right side of the third subpixel is bent in a 'ㄷ' shape to surround the second change area of the light emitting area of the subpixel adjacent to the right side of the third subpixel.
 제 5 항에 있어서,
상기 제1 및 제2변화면적은 서로 동일한 유기발광다이오드 표시장치.
According to claim 5,
An organic light emitting diode display device wherein the first and second change areas are equal to each other.
 제 1 항에 있어서,
상기 제1, 제2 및 제4부화소에서, 상기 제3박막트랜지스터의 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극은 각각 상기 센싱배선, 상기 제2박막트랜지스터의 소스전극 및 상기 기준배선에 연결되고,
상기 제3부화소에서, 상기 제3박막트랜지스터의 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극은 각각 상기 게이트배선, 상기 제2박막트랜지스터의 소스전극 및 상기 기준배선에 연결되는 유기발광다이오드 표시장치.
According to claim 1,
In the first, second, and fourth subpixels, the gate electrode, source electrode, and drain electrode of the third thin film transistor are connected to the sensing wire, the source electrode of the second thin film transistor, and the reference wire, respectively,
In the third subpixel, the gate electrode, source electrode, and drain electrode of the third thin film transistor are connected to the gate wiring, the source electrode of the second thin film transistor, and the reference wiring, respectively.
 제 8 항에 있어서,
상기 제1 내지 제4부화소 각각에서, 상기 제1박막트랜지스터의 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극은 각각 상기 게이트배선, 상기 데이터배선 및 상기 제2박막트랜지스터의 게이트전극에 연결되고,
상기 제1 내지 제4부화소 각각에서, 상기 제2박막트랜지스터의 게이트전극, 소스전극 및 드레인전극은 각각 상기 제3박막트랜지스터의 드레인전극, 상기 발광다이오드의 양극 및 고전위전압에 연결되고,
상기 제1 내지 제4부화소 각각에서, 상기 스토리지 커패시터는 상기 제2박막트랜지스터의 게이트전극 및 소스전극 사이에 연결되고,
상기 제1 내지 제4부화소 각각에서, 상기 발광다이오드의 양극 및 음극은 각각 상기 제2박막트랜지스터의 소스전극 및 저전위전압에 연결되는 유기발광다이오드 표시장치.According to claim 8,
In each of the first to fourth subpixels, the gate electrode, source electrode, and drain electrode of the first thin film transistor are connected to the gate wire, the data wire, and the gate electrode of the second thin film transistor, respectively,
In each of the first to fourth subpixels, the gate electrode, source electrode, and drain electrode of the second thin film transistor are connected to the drain electrode of the third thin film transistor, the anode of the light emitting diode, and a high potential voltage, respectively,
In each of the first to fourth subpixels, the storage capacitor is connected between the gate electrode and the source electrode of the second thin film transistor,
In each of the first to fourth subpixels, an anode and a cathode of the light emitting diode are connected to a source electrode and a low potential voltage of the second thin film transistor, respectively. 제 1 항에 있어서,
상기 제1, 제2 및 제4부화소 각각에서, 상기 제3박막트랜지스터는 상기 센싱배선의 센싱신호에 의해 구동되어 상기 제2박막트랜지스터의 문턱전압 변동 및 이동도 변동과 상기 발광다이오드의 문턱전압 변동이 산출되고,
상기 제3부화소에서, 상기 제3박막트랜지스터는 상기 게이트배선의 게이트신호에 의해 구동되어 상기 제2박막트랜지스터의 문턱전압 변동 및 이동도 변동이 산출되는 유기발광다이오드 표시장치.
According to claim 1,
In each of the first, second and fourth subpixels, the third thin film transistor is driven by the sensing signal of the sensing wire to determine the threshold voltage and mobility of the second thin film transistor and the threshold voltage of the light emitting diode. Variation is calculated,
In the third subpixel, the third thin film transistor is driven by a gate signal of the gate wiring to calculate the threshold voltage variation and mobility variation of the second thin film transistor.
 제 10 항에 있어서,
제1타이밍에, 상기 센싱신호는 로우레벨로부터 하이레벨로 상승하고, 상기 데이터배선에 데이터신호가 입력되고,
제2타이밍에, 상기 게이트신호는 로우레벨로부터 하이레벨로 상승하고,
제3타이밍에, 상기 센싱신호는 하이레벨로부터 로우레벨로 하강하고,
제4타이밍에, 상기 게이트신호는 하이레벨로부터 로우레벨로 하강하고,
제5타이밍에, 상기 센싱신호는 로우레벨로부터 하이레벨로 상승하고,
제6타이밍에, 상기 게이트신호는 로우레벨로부터 하이레벨로 상승하고,
제7타이밍에, 상기 기준배선의 샘플링신호는 로우레벨로부터 하이레벨로 상승하고,
제8타이밍에, 상기 게이트신호는 하이레벨로부터 로우레벨로 하강하고,
제9타이밍에, 상기 센싱신호는 하이레벨로부터 로우레벨로 하강하고,
상기 제1, 제2 및 제4부화소 각각에서, 상기 제7타이밍에 검출된 상기 제2박막트랜지스터 및 상기 발광다이오드 사이의 연결노드의 전압으로부터 상기 발광다이오드의 문턱전압 변동이 산출되는 유기발광다이오드 표시장치.
According to claim 10,
At the first timing, the sensing signal rises from low level to high level, and a data signal is input to the data wire,
At the second timing, the gate signal rises from low level to high level,
At the third timing, the sensing signal falls from high level to low level,
At the fourth timing, the gate signal falls from the high level to the low level,
At the fifth timing, the sensing signal rises from low level to high level,
At the sixth timing, the gate signal rises from low level to high level,
At the seventh timing, the sampling signal of the reference line rises from low level to high level,
At the eighth timing, the gate signal falls from the high level to the low level,
At the ninth timing, the sensing signal falls from high level to low level,
An organic light emitting diode in which, in each of the first, second and fourth subpixels, a change in the threshold voltage of the light emitting diode is calculated from the voltage of a connection node between the second thin film transistor and the light emitting diode detected at the seventh timing. Display device.
 제 1 항에 있어서,
상기 제3부화소는 청색을 표시하는 유기발광다이오드 표시장치.
According to claim 1,
The third subpixel is an organic light emitting diode display device that displays blue.
 제 1 항에 있어서,
상기 제1, 제2, 제3 및 제4부화소는 각각 적색, 백색, 청색 및 녹색을 표시하는 유기발광다이오드 표시장치.
According to claim 1,
An organic light emitting diode display device in which the first, second, third, and fourth subpixels display red, white, blue, and green, respectively.
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