KR102579729B1 - 높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피의 해상도를 향상시키는 방법 - Google Patents

높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피의 해상도를 향상시키는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102579729B1
KR102579729B1 KR1020217010719A KR20217010719A KR102579729B1 KR 102579729 B1 KR102579729 B1 KR 102579729B1 KR 1020217010719 A KR1020217010719 A KR 1020217010719A KR 20217010719 A KR20217010719 A KR 20217010719A KR 102579729 B1 KR102579729 B1 KR 102579729B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
target
polygons
substrate
contrast
polygon
Prior art date
Application number
KR1020217010719A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20210044309A (ko
Inventor
크리스토퍼 데니스 벤처
조셉 알. 존슨
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20210044309A publication Critical patent/KR20210044309A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102579729B1 publication Critical patent/KR102579729B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/7045—Hybrid exposures, i.e. multiple exposures of the same area using different types of exposure apparatus, e.g. combining projection, proximity, direct write, interferometric, UV, x-ray or particle beam
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/705—Modelling or simulating from physical phenomena up to complete wafer processes or whole workflow in wafer productions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70791—Large workpieces, e.g. glass substrates for flat panel displays or solar panels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본원에 설명된 실시예들은 기판 상의 이미지 패턴들 해상도를 향상시키는 소프트웨어 애플리케이션 플랫폼에 관한 것이다. 애플리케이션 플랫폼 방법은, 타겟 상에 패턴을 형성하기 위해 상이한 타겟 다각형들을 제공하기 위한 알고리즘을 실행하는 단계를 포함한다. DMD에 의해 형성될 수 있는 최소 피쳐 크기가 결정된다. 최소 피쳐 크기보다 작은 각각의 타겟 다각형들에 대해, 타겟 다각형 경계에서 허용가능한 노출 콘트라스트를 달성하기 위해 하나 이상의 타겟 다각형을 라인 바이어싱 또는 샷 바이어싱하기로 결정한다. 최소 피쳐 크기보다 작은 하나 이상의 타겟 다각형은 디지털화된 패턴을 기판 상에 형성하도록 바이어싱된다. 전자기 방사선은, DMD의 제1 거울의 중심이 하나 이상의 타겟 다각형 내에 있을 때 제1 거울로부터 반사되도록 전달된다.

Description

높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피의 해상도를 향상시키는 방법
본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 마스크없는 리소그래피 분야에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본원에 제공된 실시예들은 마스크없는 디지털 리소그래피 제조 프로세스들을 수행하기 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다.
포토리소그래피는 반도체 디바이스들 및 디스플레이 디바이스들, 예컨대, 액정 디스플레이들(LCD들)의 제조에 폭넓게 사용된다. 대면적 기판들이 종종, LCD들의 제조에 활용된다. LCD들, 또는 평면 패널들은 능동 매트릭스 디스플레이들, 예컨대, 컴퓨터들, 터치 패널 디바이스들, 개인 휴대 정보 단말기들(PDA들), 휴대폰들, 텔레비전 모니터들 등에 일반적으로 사용된다. 일반적으로, 평면 패널들은 2개의 판들 사이에 개재되는 픽셀들을 형성하는 액정 물질의 층을 포함할 수 있다. 전력 공급부로부터 전력이 액정 물질에 걸쳐 인가될 때, 액정 물질을 통과하는 광량은, 이미지들이 생성될 수 있게 하는 픽셀 위치들에서 제어될 수 있다. 더 높은 해상도의 디스플레이들이 더 수요가 많아짐에 따라, 픽셀 위치들은 점점 더 작아진다.
마이크로리소그래피 기법들은 일반적으로, 픽셀들을 형성하는 액정 물질 층의 일부로서 통합되는 전기 피쳐들을 생성하는 데 채용된다. 이 기법에 따르면, 감광성 포토레지스트가 전형적으로, 기판의 적어도 하나의 표면에 도포된다. 그 다음, 전기 피쳐들을 생성하기 위해 선택 영역들을 후속 물질 제거 및/또는 물질 추가 프로세스들에 대해 준비시키기 위해서 이러한 선택 영역들에서 포토레지스트에 화학적 변화들을 야기하도록 패턴 생성기가 광을 이용하여 패턴의 일부로서 감광성 포토레지스트의 선택된 영역들을 노출시킨다.
더 높은 해상도의 디스플레이 디바이스들 및 다른 디바이스들을 고객들이 요구하는 가격들로 고객들에게 계속 제공하기 위해, 고해상도 디스플레이들을 생산하는 데 사용되는 기판들, 예컨대, 대면적 기판들 상에 이제까지보다 더 작은 패턴들을 정밀하고 비용 효과적으로 생성하기 위한 새로운 장치들, 접근법들 및 시스템들이 필요하다.
전술한 내용이 예시하는 바와 같이, 더 작은 패턴들을 생성하기 위한 개선된 기법이 필요하다.
제조 프로세스에서 높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 기판에 마스크없는 리소그래피 패턴들을 적용하는 능력에 관한 이미지 해상도 향상 애플리케이션이 개시된다. 본원에 설명된 실시예들은 기판 상의 이미지 패턴들 해상도를 향상시키는 소프트웨어 애플리케이션 플랫폼에 관한 것이다. 애플리케이션 플랫폼 방법은, 타겟 상에 패턴을 형성하기 위해 상이한 타겟 다각형들을 제공하기 위한 알고리즘을 실행하는 단계를 포함한다. DMD에 의해 형성될 수 있는 최소 피쳐 크기가 결정된다. 최소 피쳐 크기보다 작은 각각의 타겟 다각형들에 대해, 타겟 다각형 경계에서, 미리 결정된 노출 콘트라스트를 달성하기 위해 하나 이상의 타겟 다각형을 라인 바이어싱 또는 샷 바이어싱하기로 결정한다. 최소 피쳐 크기보다 작은 하나 이상의 타겟 다각형은 디지털화된 패턴을 기판 상에 형성하도록 바이어싱된다. 전자기 방사선은, DMD의 제1 거울의 중심이 하나 이상의 타겟 다각형 내에 있을 때 제1 거울로부터 반사되도록 전달된다.
본 개시내용의 위에서 언급된 특징들이 상세히 이해될 수 있도록, 위에 간략히 요약된 본 개시내용의 더 구체적인 설명이 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있으며, 이들 중 일부는 첨부 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 본 개시내용은 동등한 효과의 다른 실시예들에 적용될 수 있기 때문에, 첨부 도면들은 본 개시내용의 예시적인 실시예들만을 예시하고 그러므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안 된다는 점에 주목해야 한다.
도 1a는, 본원에 개시된 실시예들로부터 이익을 얻을 수 있는 디지털 마이크로거울 디바이스(DMD)를 갖는, 마스크없는 리소그래피를 위한 시스템의 사시도이다.
도 1b는 본원에 개시된 다른 실시예들에 따른 단일 기판 포토리소그래피 시스템의 사시도이다.
도 2는 일 실시예에 따른, 도 1a의 시스템의 측단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 DMD의 복수의 이미지 투영 시스템들의 개략적인 사시도이다.
도 4는 일 실시예에 따른, 도 3의 복수의 이미지 투영 디바이스들의 이미지 투영 장치의 개략적인 사시도이다.
도 5는 일 실시예에 따라 DMD의 2개의 거울들에 의해 반사되고 있는 빔을 개략적으로 예시한다.
도 6은 기판 상의 마스크없는 리소그래피 패턴 해상도를 향상시키도록 구성된 컴퓨터 시스템을 예시한다.
도 7은 일 실시예에 따른, 도 6의 서버의 더 상세한 도면을 예시한다.
도 8은 일 실시예에 따른, 마스크없는 리소그래피 해상도 향상 애플리케이션에 접근하는 데 사용되는 제어기 컴퓨팅 시스템을 예시한다.
도 9는 높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피의 해상도를 향상시키기 위한 방법을 예시한다.
도 10a-10b는 라인 바이어스 또는 다중 바이어스를 사용하지 않고 리소그래피 패턴 해상도를 향상시키기 위한 제1 방식을 예시한다.
도 11a-11b는 라인 바이어스를 사용하지만 다중 바이어스는 사용하지 않고 리소그래피 패턴 해상도를 향상시키기 위한 제2 방식을 예시한다.
도 12a-12b는 라인 바이어스 없이 다중 바이어스를 사용하여 리소그래피 패턴 해상도를 향상시키기 위한 제3 방식을 예시한다.
도 13a-13b는 라인 바이어스 및 다중 바이어스 양쪽 모두를 사용하여 리소그래피 패턴 해상도를 향상시키기 위한 제4 방식을 예시한다.
이해를 용이하게 하기 위해, 가능한 경우, 도면들에 공통된 동일한 요소들을 지시하는 데에 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 요소들 및 특징들이 추가의 언급 없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있다는 것이 고려된다.
본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 제조 프로세스에서 기판에 마스크없는 리소그래피 패턴들을 적용하는 능력에 관한 소프트웨어 애플리케이션에 관한 것이다. 소프트웨어 애플리케이션은 높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피에 대한 기본 해상도를 향상시킨다. 마스크없는 리소그래피 작동은, 디지털 마이크로거울 디바이스(DMD)의 기본 해상도 미만의 피쳐들을 형성하기 위해, DMD로부터 반사된 전자기 에너지의 샷들의 횟수가 바이어싱되거나 타겟 다각형 크기가 바이어싱되는 방법을 활용한다. 유리하게, 더 높은 해상도가, 어떠한 하드웨어 수정도 없이 기판 상에 더 낮은 해상도의 디바이스들을 형성하기 위해 적절히 배열된 DMD들로 확장될 수 있다. 예를 들어, 3.6 ㎛ 피쳐들을 형성하기에 적합한 더 낮은 해상도의 DMD는 더 높은 해상도, 즉, 더 작은 피쳐들, 예컨대, 2.35 ㎛ 피쳐를 형성하도록 확장될 수 있다. 이 방법은 0.6 ㎛ 피쳐들 또는 더 작은 피쳐들을 형성하기 위해 유사하게 확장될 수 있다. 하드웨어 광학계와 함께 거울들의 크기는 DMD가 형성할 수 있는 피쳐 크기들을 결정한다. 아래에 설명되는 방법은, 종래에 허용된 하드웨어 광학계들 및 거울들 크기들보다 더 작은 크기의 피쳐들을 형성하기 위해 DMD의 능력들을 확장시킨다.
본원에서 사용되는 바와 같은 "사용자"라는 용어는, 예를 들어, 컴퓨팅 디바이스 또는 무선 디바이스를 소유하는 개인 또는 엔티티; 컴퓨팅 디바이스 또는 무선 디바이스를 작동시키거나 활용하는 개인 또는 엔티티; 또는 컴퓨팅 디바이스 또는 무선 디바이스와 다른 방식으로 연관된 개인 또는 엔티티를 포함한다. "사용자"라는 용어는 제한을 의도한 것이 아니고, 설명된 것들을 넘어서는 다양한 예들을 포함할 수 있음이 고려된다.
도 1a은 본원에 개시된 실시예들로부터 이익을 얻을 수 있는 시스템(100A)의 사시도이다. 시스템(100A)은 베이스 프레임(110), 슬래브(120), 둘 이상의 스테이지들(130), 및 처리 장치(160)를 포함한다. 베이스 프레임(110)은 제조 설비의 바닥 상에 놓일 수 있고 슬래브(120)를 지지할 수 있다. 수동 공기 격리기들(112)이 베이스 프레임(110)과 슬래브(120) 사이에 위치될 수 있다. 슬래브(120)는 화강암의 단일 조각일 수 있고, 둘 이상의 스테이지들(130)이 슬래브(120) 상에 배치될 수 있다. 기판(140)은 둘 이상의 스테이지들(130) 각각에 의해 지지될 수 있다. 복수의 홀들(도시되지 않음)이, 그를 통해 복수의 리프트 핀들(도시되지 않음)이 연장되는 것을 허용하기 위해 스테이지(130)에 형성될 수 있다. 리프트 핀들은, 예컨대, 이송 로봇(도시되지 않음)으로부터 기판(140)을 수용하기 위해, 연장된 위치까지 상승할 수 있다. 이송 로봇은 기판(140)을 리프트 핀들 상에 위치시킬 수 있고, 그 후에, 리프트 핀들은 기판(140)을 스테이지(130) 상으로 서서히 하강시킬 수 있다.
예를 들어, 기판(140)은 석영으로 만들어질 수 있고, 평판 디스플레이의 일부로서 사용될 수 있다. 다른 실시예들에서, 기판(140)은 다른 물질들, 예컨대, 유리로 만들어질 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판(140)은 기판 상에 형성된 포토레지스트 층을 가질 수 있다. 포토레지스트는 방사선에 민감하고 포지티브 포토레지스트 또는 네거티브 포토레지스트일 수 있으며, 방사선에 노출된 포토레지스트의 부분들이, 포토레지스트 내에 패턴이 기입된 후, 포토레지스트에 적용된 포토레지스트 현상제에 대해 각각 가용성 또는 불용성이 될 것을 의미한다. 포토레지스트의 화학적 조성이, 포토레지스트가 포지티브 포토레지스트일지 또는 네거티브 포토레지스트일지 여부를 결정한다. 예를 들어, 포토레지스트는 디아조나프토퀴논, 페놀 포름알데히드 수지, 폴리(메틸 메타크릴레이트), 폴리(메틸 글루타르이미드), 및 SU-8 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이 방식으로, 전자 회로를 형성하기 위해 패턴이 기판(140)의 표면 상에 생성될 수 있다.
시스템(100A)은 한 쌍의 지지부들(122) 및 한 쌍의 트랙들(124)을 더 포함할 수 있다. 한 쌍의 지지부들(122)은 슬래브(120) 상에 배치될 수 있고, 슬래브(120) 및 한 쌍의 지지부들(122)은 물질의 단일 조각일 수 있다. 한 쌍의 트랙들(124)은 한 쌍의 지지부들(122)에 의해 지지될 수 있고, 둘 이상의 스테이지들(130)은 트랙들(124)을 따라 X 방향으로 이동할 수 있다. 일 실시예에서, 한 쌍의 트랙들(124)은 한 쌍의 평행한 자기 채널들이다. 도시된 바와 같이, 한 쌍의 트랙들(124) 중 각각의 트랙(124)은 선형이다. 다른 실시예들에서, 트랙(124)은 비선형 형상을 가질 수 있다. 위치 정보를 제어기(602)(도 6에 도시됨)에 제공하기 위해, 인코더(126)가 각각의 스테이지(130)에 결합될 수 있다.
처리 장치(160)는 지지부(162) 및 처리 유닛(164)을 포함할 수 있다. 지지부(162)는 슬래브(120) 상에 배치될 수 있고, 둘 이상의 스테이지들(130)이 처리 유닛(164) 아래를 지나가기 위한 개구부(166)를 포함할 수 있다. 처리 유닛(164)은 지지부(162)에 의해 지지될 수 있다. 일 실시예에서, 처리 유닛(164)은 포토리소그래피 프로세스에서 포토레지스트를 노출시키도록 구성된 패턴 생성기이다. 일부 실시예들에서, 패턴 생성기는 마스크없는 리소그래피 프로세스를 수행하도록 구성될 수 있다. 처리 유닛(164)은 케이스(165)에 배치된 복수의 이미지 투영 시스템들(도 3에 도시됨)을 포함할 수 있다. 처리 장치(160)는 마스크없는 직접 패터닝을 수행하는 데 활용될 수 있다. 작동 동안, 둘 이상의 스테이지들(130) 중 하나는, 도 1에 도시된 바와 같이, 로딩 위치로부터 처리 위치로 X 방향으로 이동한다. 처리 위치는 스테이지(130)가 처리 유닛(164) 아래를 지나갈 때의 스테이지(130)의 하나 이상의 위치를 지칭할 수 있다. 작동 동안, 둘 이상의 스테이지들(130)은 복수의 공기 베어링들(202)(도 2에 도시됨)에 의해 들어올려질 수 있고 한 쌍의 트랙들(124)을 따라 로딩 위치로부터 처리 위치로 이동할 수 있다. 스테이지(130)의 이동을 안정화하기 위해 복수의 수직 안내 공기 베어링들(도시되지 않음)이 각각의 스테이지(130)에 결합될 수 있고, 각각의 지지부(122)의 내측 벽(128)에 인접하여 위치될 수 있다. 둘 이상의 스테이지들(130) 각각은 또한, 기판(140)을 처리하고/거나 인덱싱하기 위해 트랙(150)을 따라 이동함으로써 Y 방향으로 이동할 수 있다.
도 1b는 본원에 개시된 실시예들에 따른, 단일 기판을 위한 포토리소그래피 시스템(100B)의 사시도이다. 세대들이 더 큰 기판들로 커짐에 따라, 바닥 공간이 문제가 된다. 단일 기판을 위한 포토리소그래피 시스템(100B)은 도 1a와 관련하여 위에서 설명된 시스템(100A)보다 더 적은 바닥 공간을 활용한다. 시스템(100B)은 베이스 프레임(110), 슬래브(120), 스테이지(130), 및 처리 장치(160)를 포함한다. 베이스 프레임(110)은 제조 설비의 바닥 상에 놓이고 슬래브(120)를 지지한다. 수동 공기 격리기들(112)이 베이스 프레임(110)과 슬래브(120) 사이에 위치된다. 일 실시예에서, 슬래브(120)는 화강암의 단일 조각이고, 스테이지(130)가 슬래브(120) 상에 배치된다. 기판(140)이 스테이지(130)에 의해 지지된다. 복수의 홀들(도시되지 않음)이, 그를 통해 복수의 리프트 핀들(도시되지 않음)이 연장되는 것을 허용하기 위해 스테이지(130)에 형성된다. 일부 실시예들에서, 리프트 핀들은, 예컨대, 하나 이상의 이송 로봇(도시되지 않음)으로부터 기판(140)을 수용하기 위해, 연장된 위치까지 상승한다. 하나 이상의 이송 로봇은 기판(140)을 스테이지(130)에 로딩하고 그로부터 언로딩하는 데 사용된다.
기판(140)은 평면 패널 디스플레이의 일부로서 사용되는 임의의 적합한 물질, 예를 들어, 석영을 포함한다. 다른 실시예들에서, 기판(140)은 다른 물질들로 만들어진다. 일부 실시예들에서, 기판(140)은 기판 상에 형성된 포토레지스트 층을 갖는다. 포토레지스트는 방사선에 민감하다. 포지티브 포토레지스트는, 방사선에 노출될 때, 포토레지스트 내에 패턴이 기입된 후, 포토레지스트에 적용된 포토레지스트 현상제에 대해 각각 가용성이 될, 포토레지스트의 부분들을 포함한다. 네거티브 포토레지스트는, 방사선에 노출될 때, 포토레지스트 내에 패턴이 기입된 후, 포토레지스트에 적용된 포토레지스트 현상제에 대해 각각 불용성이 될, 포토레지스트의 부분들을 포함한다. 포토레지스트의 화학적 조성이, 포토레지스트가 포지티브 포토레지스트일지 또는 네거티브 포토레지스트일지 여부를 결정한다. 포토레지스트들의 예들은, 디아조나프토퀴논, 페놀 포름알데히드 수지, 폴리(메틸 메타크릴레이트), 폴리(메틸 글루타르이미드), 및 SU-8 중 적어도 하나를 포함하지만 이에 제한되지 않는다. 이 방식으로, 전자 회로를 형성하기 위해 패턴이 기판(140)의 표면 상에 생성된다.
시스템(100B)은 한 쌍의 지지부들(122) 및 한 쌍의 트랙들(124)을 포함한다. 한 쌍의 지지부들(122)은 슬래브(120) 상에 배치되고, 슬래브(120) 및 한 쌍의 지지부들(122)은 물질의 단일 조각이다. 한 쌍의 트랙들(124)은 한 쌍의 지지부들(122)에 의해 지지되고, 스테이지(130)는 트랙들(124)을 따라 X 방향으로 이동한다. 일 실시예에서, 한 쌍의 트랙들(124)은 한 쌍의 평행한 자기 채널들이다. 도시된 바와 같이, 한 쌍의 트랙들(124) 중 각각의 트랙(124)은 선형이다. 다른 실시예들에서, 하나 이상의 트랙(124)은 비선형이다. 위치 정보를 제어기(도시되지 않음)에 제공하기 위해 인코더(126)가 스테이지(130)에 결합된다.
처리 장치(160)는 지지부(162) 및 처리 유닛(164)을 포함한다. 지지부(162)는 슬래브(120) 상에 배치되고, 스테이지(130)가 처리 유닛(164) 아래를 지나가기 위한 개구부(166)를 포함한다. 처리 유닛(164)은 지지부(162)에 의해 지지된다. 일 실시예에서, 처리 유닛(164)은 포토리소그래피 프로세스에서 포토레지스트를 노출시키도록 구성된 패턴 생성기이다. 일부 실시예들에서, 패턴 생성기는 마스크없는 리소그래피 프로세스를 수행하도록 구성된다. 처리 유닛(164)은 복수의 이미지 투영 장치(도 3에 도시됨)를 포함한다. 일 실시예에서, 처리 유닛(164)은 84개의 이미지 투영 장치를 포함한다. 각각의 이미지 투영 장치는 케이스(165)에 배치된다. 처리 장치(160)는 마스크없는 직접 패터닝을 수행하는 데 유용하다.
작동 동안, 스테이지(130)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 로딩 위치로부터 처리 위치로 X 방향으로 이동한다. 처리 위치는 스테이지(130)가 처리 유닛(164) 아래를 지나갈 때의 스테이지(130)의 하나 이상의 위치이다. 작동 동안, 스테이지(130)는 복수의 공기 베어링들(도시되지 않음)에 의해 들어올려지고 한 쌍의 트랙들(124)을 따라 로딩 위치로부터 처리 위치로 이동한다. 스테이지(130)의 이동을 안정화하기 위해 복수의 수직 안내 공기 베어링들(도시되지 않음)이 스테이지(130)에 결합되고, 각각의 지지부(122)의 내측 벽(128)에 인접하여 위치된다. 스테이지(130)는 또한, 기판(140)을 처리하고/거나 인덱싱하기 위해 트랙(150)을 따라 이동함으로써 Y 방향으로 이동한다. 스테이지(130)는 독립적인 작동이 가능하고, 기판(140)을 한 방향으로 스캔하고 다른 방향으로 스텝이동할 수 있다.
계측 시스템은 복수의 이미지 투영 장치 각각이, 기입되는 패턴들을 포토레지스트로 덮힌 기판에 정확하게 위치시킬 수 있도록 스테이지(130) 각각의 X 및 Y 측방향 위치 좌표들을 실시간으로 측정한다. 계측 시스템은 또한, 수직 또는 Z 축에 대한 스테이지(130) 각각의 각도 위치의 실시간 측정을 제공한다. 각도 위치 측정은 스캐닝 동안 각도 위치를 서보 메커니즘에 의해 일정하게 유지하는 데 사용될 수 있거나, 도 3에 도시된, 이미지 투영 장치(301)에 의해 기판(140) 상에 기입되는 패턴들의 위치들에 보정들을 적용하는 데 사용될 수 있다. 이러한 기법들은 조합하여 사용될 수 있다.
도 2는 일 실시예에 따른, 도 1a의 시스템(100A)의 측단면도이다. 도시된 바와 같이, 각각의 스테이지(130)는 스테이지(130)를 들어올리기 위한 복수의 공기 베어링들(202)을 포함한다. 각각의 스테이지(130)는 또한, 스테이지(130)를 트랙들(124)을 따라 이동시키기 위한 모터 코일(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 둘 이상의 스테이지들(130) 및 처리 장치(160)는 온도 및 압력 제어를 제공하기 위해 인클로저(도시되지 않음)에 의해 에워싸일 수 있다.
도 3은 일 실시예에 따른 복수의 이미지 투영 시스템들(301)의 개략적인 사시도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 각각의 이미지 투영 시스템(301)은 기판(140)의 표면(304) 상으로 지향되는 복수의 기입 빔들(302)을 생성한다. 기판(140)이 X 방향 및 Y 방향으로 이동함에 따라, 전체 표면(304)이 기입 빔들(302)에 의해 패터닝될 수 있다. 이미지 투영 시스템들(301)의 개수는 기판(140)의 크기 및/또는 스테이지(130)의 속도에 기초하여 달라질 수 있다. 일 실시예에서, 처리 장치(160)에 22개의 이미지 투영 시스템들(301)이 존재한다.
도 4는 일 실시예에 따른, 도 3의 복수의 이미지 투영 디바이스들의 이미지 투영 장치(481)의 개략적인 사시도이다. 도시된 실시예에서, 이미지 투영 장치(481)는 하나 이상의 DMD(410)를 공간 광 변조기(들)로서 사용한다. 이미지 투영 장치(481)는 정렬 및 검사 시스템(484) 및 투영 렌즈(416)에 추가하여, 광원(402), 애퍼쳐(474), 렌즈(476), 프러스트레이티드 프리즘 조립체(frustrated prism assembly)(488), 하나 이상의 DMD(410)(하나가 도시됨), 및 광 덤프(482)를 포함하는 이미지 투영 시스템(301)의 일부이다. 광원(402)은 미리 결정된 파장을 갖는 광을 생성할 수 있는 임의의 적합한 광원, 예컨대, 발광 다이오드(LED) 또는 레이저이다. 일 실시예에서, 미리 결정된 파장은 청색 또는 근자외선(UV) 범위, 예컨대, 약 450 nm 미만에 있다. 프러스트레이티드 프리즘 조립체(488)는 복수의 반사 표면들을 포함한다. 투영 렌즈(416)는, 예로서, 10x 대물 렌즈이다. 이미지 투영 장치(481)의 작동 동안, 미리 결정된 파장, 예컨대, 청색 범위의 파장을 갖는 광 빔(403)이 광원(402)에 의해 생성된다. 광 빔(403)은 프러스트레이티드 프리즘 조립체(488)에 의해 DMD(410)로 반사된다. DMD(410)는 복수의 거울들을 포함하고, 거울들의 개수는 투영될 픽셀들의 개수에 대응한다. 복수의 거울들은 개별적으로 제어가능하고, 복수의 거울들 중 각각의 거울은, 제어기(도시되지 않음)에 의해 DMD(410)에 제공되는 마스크 데이터에 기초하여, "작동" 위치 또는 "비작동" 위치에 있다. 광 빔(403)이 DMD(289)의 거울들에 도달할 때, "작동" 위치에 있는 거울들은 광 빔(403), 즉, 복수의 기입 빔들을 형성하는 광 빔을 투영 렌즈(416)로 반사시킨다. 그 다음, 투영 렌즈(416)는 기입 빔들을 기판의 표면으로 투영한다. "비작동" 위치에 있는 거울들은 광 빔(403)을 기판의 표면 대신에 광 덤프(482)로 반사시킨다.
도 5는 일 실시예에 따른, DMD(410)의 2개의 거울들(502, 504)을 예시한다. 도시된 바와 같이, DMD(410)의 각각의 거울(502, 504)은 메모리 셀(508) 상에 배치된 틸팅 메커니즘(506) 상에 배치된다. 메모리 셀(508)은 CMOS SRAM일 수 있다. 작동 동안, 각각의 거울(502, 504)은 마스크 데이터를 메모리 셀 내로 로딩함으로써 제어된다. 마스크 데이터는 이진 방식으로 거울(502, 504)의 틸팅을 정전기적으로 제어한다. 거울(502, 504)이 재설정 모드에 있거나 인가되는 전력이 없는 경우, 거울은 어떤 이진수에도 대응하지 않는 평평한 위치로 설정될 수 있다. 이진법에서 0은 "비작동" 위치에 대응할 수 있고, 이는, 거울이 -10 도, -12 도, 또는 임의의 다른 실현가능한 음의 틸팅 각도로 틸팅됨을 의미한다. 이진법에서 1은 "작동" 위치에 대응할 수 있고, 이는, 거울이 +10 도, +12 도, 또는 임의의 다른 실현가능한 양의 틸팅 각도로 틸팅됨을 의미한다. 도 5에 도시된 바와 같이, 거울(502)은 비작동 위치에 있고 거울(504)은 작동 위치에 있다.
빔(403)은 일 실시예에 따라 DMD(410)의 2개의 거울들(502, 504)에 의해 반사될 수 있다. 도시된 바와 같이, "비작동" 위치에 있는 거울(502)은 광원(402)으로부터 생성된 빔(403)을 광 덤프(412)로 반사시킨다. "작동" 위치에 있는 거울(504)은 빔(403)을 투영 렌즈(416)로 반사시킴으로써 기입 빔(302)을 형성한다.
도 6은, 본 개시내용의 실시예들이 실시될 수 있는, 기판 상의 마스크없는 리소그래피 패턴 해상도를 향상시키도록 구성된 컴퓨터 시스템을 예시한다. 도시된 바와 같이, 컴퓨팅 시스템(600)은 복수의 서버들(608), 패턴 해상도 향상 애플리케이션(PREA) 서버(612), 및 복수의 제어기들(즉, 컴퓨터들, 개인용 컴퓨터들, 모바일/무선 디바이스들)(602)(명확성을 위해 이 중 2개만 도시됨)을 포함할 수 있고, 이들 각각은 통신 네트워크(606)(예를 들어, 인터넷)에 연결된다. 서버들(608)은 로컬 연결(예를 들어, 저장 영역 네트워크(SAN) 또는 네트워크 연결 저장소(NAS))을 통해, 또는 인터넷을 통해 데이터베이스(614)와 통신할 수 있다. 서버들(608)은 데이터베이스(614)에 포함된 데이터에 직접 접근하거나, 데이터베이스(614) 내에 포함된 데이터를 관리하도록 구성된 데이터베이스 관리자와 인터페이싱하도록 구성된다.
제어기(602)는 일반적으로, 본원에 설명되는 처리 기법들의 제어 및 자동화를 용이하게 하도록 설계된다. 제어기(602)는 처리 장치(160), 스테이지들(130), 및 인코더(126) 중 하나 이상에 결합되거나 그와 통신할 수 있다. 처리 장치(160) 및 스테이지들(130)은 제어기(602)에 기판 처리 및 기판 정렬에 관한 정보를 제공할 수 있다. 예를 들어, 처리 장치(160)는 기판 처리가 완료되었음을 제어기(602)에 알리기 위해 제어기에 정보를 제공할 수 있다. 인코더(126)는 위치 정보를 제어기(602)에 제공할 수 있고, 그 다음, 위치 정보는 스테이지들(130) 및 처리 장치(160)를 제어하는 데 사용된다.
각각의 제어기(602)는 컴퓨팅 디바이스의 종래의 구성요소들, 예를 들어, 프로세서, 시스템 메모리, 하드 디스크 드라이브, 배터리, 입력 디바이스들, 예컨대, 마우스 및 키보드, 및/또는 출력 디바이스들, 예컨대, 모니터 또는 그래픽 사용자 인터페이스, 및/또는 입력을 수신할 뿐만 아니라 출력을 디스플레이하는 입력/출력 조합 디바이스, 예컨대, 터치스크린을 포함할 수 있다. 각각의 서버(608) 및 PREA 서버(612)는 프로세서 및 시스템 메모리(도시되지 않음)를 포함할 수 있고, 예를 들어, 관계형 데이터베이스 소프트웨어 및/또는 파일 시스템을 사용하여, 데이터베이스(614)에 저장된 컨텐츠를 관리하도록 구성될 수 있다. 서버들(608)은 네트워크 프로토콜, 예컨대, 예를 들어, TCP/IP 프로토콜을 사용하여 서로, 제어기들(602), 및 PREA 서버(612)와 통신하도록 프로그래밍될 수 있다. PREA 서버(612)는 통신 네트워크(606)를 통해 제어기들(602)과 직접 통신할 수 있다. 제어기들(602)은 소프트웨어(604), 예컨대, 프로그램들 및/또는 다른 소프트웨어 애플리케이션들을 실행하고, 서버들(608)에 의해 관리되는 애플리케이션들에 접근하도록 프로그래밍된다.
아래에서 설명되는 실시예들에서, 사용자들은 통신 네트워크(606)를 통해 서버들(608)에 연결될 수 있는 제어기들(602)을 각각 작동시킬 수 있다. 페이지들, 이미지들, 데이터, 문서들 등이 제어기들(602)을 통해 사용자에게 디스플레이될 수 있다. 정보 및 이미지들은 제어기(602)와 통신하는 디스플레이 디바이스 및/또는 그래픽 사용자 인터페이스를 통해 디스플레이될 수 있다.
제어기(602)는 개인용 컴퓨터, 랩탑 모바일 컴퓨팅 디바이스, 스마트폰, 비디오 게임 콘솔, 홈 디지털 미디어 플레이어, 네트워크 연결형 텔레비전, 셋탑 박스, 및/또는 통신 네트워크(606) 및/또는 요구되는 애플리케이션들 또는 소프트웨어와 통신하기에 적합한 구성요소들을 갖는 다른 컴퓨팅 디바이스들일 수 있다는 점을 주목한다. 제어기(602)는 또한, PREA 서버(612)로부터 컨텐츠 및 정보를 수신하도록 구성된 다른 소프트웨어 애플리케이션들을 실행할 수 잇다.
도 7은 도 6의 PREA 서버(612)의 더 상세한 도면을 예시한다. PREA 서버(612)는, 제한 없이, 중앙 처리 유닛(CPU)(702), 네트워크 인터페이스(704), 메모리(720), 및 저장소(730)를 포함하고, 이들은 인터커넥트(706)를 통해 통신한다. PREA 서버(612)는 또한, I/O 디바이스들(710)(예를 들어, 키보드, 비디오, 마우스, 오디오, 터치스크린 등)을 연결하는 I/O 디바이스 인터페이스들(708)을 포함할 수 있다. PREA 서버(612)는 통신 네트워크(606)를 통해 데이터를 송신하도록 구성된 네트워크 인터페이스(804)를 더 포함할 수 있다.
CPU(702)는 메모리(720)에 저장된 프로그래밍 명령어들을 검색 및 실행하고, 일반적으로, 다른 시스템 구성요소들의 작동들을 제어하고 조정한다. 유사하게, CPU(702)는 메모리(720)에 상주하는 애플리케이션 데이터를 저장 및 검색한다. CPU(702)는 단일 CPU, 다중 CPU들, 다수의 처리 코어들을 갖는 단일 CPU 등을 나타내도록 포함된다. 인터커넥트(706)는 프로그래밍 명령어들 및 애플리케이션 데이터를 CPU(702), I/O 디바이스 인터페이스들(708), 저장소(730), 네트워크 인터페이스(704), 및 메모리(720) 간에 송신하는 데 사용된다.
메모리(720)는 일반적으로, 랜덤 액세스 메모리를 나타내도록 포함되고, 작동 시에, CPU(702)에 의한 사용을 위해 소프트웨어 애플리케이션들 및 데이터를 저장한다. 단일 유닛으로서 도시되어 있지만, 저장소(730)는 비휘발성 데이터를 저장하도록 구성된 고정식 및/또는 이동식 저장 디바이스들, 예컨대, 고정식 디스크 드라이브들, 플로피 디스크 드라이브들, 하드 디스크 드라이브들, 플래시 메모리 저장 드라이브들, 테이프 드라이브들, 이동식 메모리 카드들, CD-ROM, DVD-ROM, 블루레이, HD-DVD, 광학 저장소, 네트워크 연결 저장소(NAS), 클라우드 저장소, 또는 저장 영역 네트워크(SAN)의 조합일 수 있다.
메모리(720)는 패턴 해상도 향상 애플리케이션 소프트웨어(728)를 포함할 수 있는 애플리케이션 플랫폼(726)을 실행하기 위한 명령어들 및 로직을 저장할 수 있다. 저장소(730)는 데이터(734) 및 연관된 애플리케이션 플랫폼 컨텐츠(736)를 저장하도록 구성된 데이터베이스(732)를 포함할 수 있다. 데이터베이스(732)는 임의의 유형의 저장 디바이스일 수 있다.
네트워크 컴퓨터들은 본원에 제공된 개시내용들과 함께 사용될 수 있는 다른 유형의 컴퓨터 시스템이다. 네트워크 컴퓨터들은 일반적으로, 하드 디스크 또는 다른 대용량 저장소를 포함하지 않으며, 실행가능한 프로그램들은 CPU(702)에 의한 실행을 위해 네트워크 연결로부터 메모리(720) 내로 로딩된다. 전형적인 컴퓨터 시스템은 일반적으로, 적어도, 프로세서, 메모리, 및 메모리를 프로세서에 결합시키는 인터커넥트를 포함할 것이다.
도 8은 PREA 서버(612)에 접근하고 애플리케이션 플랫폼(726)과 연관된 데이터를 검색 또는 디스플레이하는 데 사용되는 제어기(602)를 예시한다. 제어기(602)는, 제한 없이, 중앙 처리 유닛(CPU)(802), 네트워크 인터페이스(804), 인터커넥트(806), 메모리(820), 저장소(830), 및 지원 회로들(840)을 포함할 수 있다. 제어기(602)는 또한, I/O 디바이스들(810)(예를 들어, 키보드, 디스플레이, 터치스크린, 및 마우스 디바이스들)을 제어기(602)에 연결하는 I/O 디바이스 인터페이스(808)를 포함할 수 있다.
CPU(702)와 마찬가지로, CPU(802)는 단일 CPU, 다중 CPU들, 다수의 처리 코어들을 갖는 단일 CPU 등을 나타내도록 포함되며, 메모리(820)는 일반적으로, 랜덤 액세스 메모리를 나타내도록 포함된다. 인터커넥트(806)는 프로그래밍 명령어들 및 애플리케이션 데이터를 CPU(802), I/O 디바이스 인터페이스(808), 저장소(830), 네트워크 인터페이스(804), 및 메모리(820) 간에 송신하는 데 사용될 수 있다. CPU(802)는, 다양한 프로세스들 및 하드웨어(예를 들어, 패턴 생성기들, 모터들, 및 다른 하드웨어)를 제어하고 프로세스들(예를 들어, 처리 시간 및 기판 위치)을 모니터링하기 위해 산업 현장들에서 사용되는 임의의 형태의 컴퓨터 프로세서들 중 하나일 수 있다.
네트워크 인터페이스(804)는, 예를 들어, PREA 서버(612)로부터 컨텐츠를 전달하기 위해 통신 네트워크(606)를 통해 데이터를 송신하도록 구성될 수 있다. 저장소(830), 예컨대, 하드 디스크 드라이브 또는 고체 상태 저장 드라이브(SSD)는 비휘발성 데이터를 저장할 수 있다. 저장소(830)는 데이터베이스(831)를 포함할 수 있다. 데이터베이스(831)는 데이터(832), 다른 컨텐츠(834), 및 데이터(838) 및 제어 로직(839)을 갖는 이미지 프로세스 유닛(836)을 포함할 수 있다.
메모리(820)는 CPU(802)에 연결되고, 쉽게 입수가능한 메모리, 예컨대, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 판독 전용 메모리(ROM), 플로피 디스크, 하드 디스크, 또는 임의의 다른 형태의 로컬 또는 원격 디지털 저장소 중 하나 이상일 수 있다. 소프트웨어 명령어들 및 데이터는 CPU(802)에 명령하기 위해 메모리 내에서 코딩되고 저장될 수 있다. 메모리(820)는 애플리케이션 인터페이스(822)를 포함할 수 있고, 이는 그 자체가 소프트웨어 명령어들(824)을 디스플레이하고/거나 데이터(826)를 저장 또는 디스플레이할 수 있다. 애플리케이션 인터페이스(822)는, 제어기가, PREA 서버(612)에 의해 호스팅되는 데이터 및 다른 컨텐츠에 접근하는 것을 허용하는 하나 이상의 소프트웨어 애플리케이션을 제공할 수 있다.
프로세서를 지원하기 위해 CPU(802)에 연결된 지원 회로들(840)은 종래의 캐시(842), 전력 공급부들(844), 클럭 회로들(846), 입력/출력 회로(848), 하위시스템들(850) 등을 포함할 수 있다. 제어기(602)에 의해 판독가능한 프로그램(또는 컴퓨터 명령어들)은 어느 작업들이 기판에 대해 수행가능한지를 결정한다. 프로그램은 제어기(602)에 의해 판독가능한 소프트웨어일 수 있고, 예를 들어, 처리 시간 및 기판 위치를 모니터링하고 제어하기 위한 코드를 포함할 수 있다.
그러나, 이러한 용어들 및 유사한 용어들 전부는 적절한 물리적 양들과 연관되어야 하며 단지 이러한 양들에 적용되는 편리한 표지들이라는 점을 염두에 두어야 한다. 이하의 논의로부터 명백한 것으로서 다른 방식으로 구체적으로 언급되지 않는 한, 설명 전반에 걸쳐, "처리" 또는 "컴퓨팅" 또는 "계산" 또는 "결정" 또는 "디스플레이" 등과 같은 용어들을 활용한 논의들이, 컴퓨터 시스템의 레지스터들 및 메모리들 내에서 물리적 (전기적) 양들로서 표현되는 데이터를 컴퓨터 시스템 메모리들 또는 레지스터들 또는 다른 그러한 정보 저장, 송신, 또는 디스플레이 디바이스들 내에서 물리적 양들로서 유사하게 표현되는 다른 데이터로 조작하고 변환시키는 컴퓨터 시스템 또는 유사한 전자 컴퓨팅 디바이스의 작동 및 프로세스들을 지칭한다는 것이 이해된다.
본 예는 또한, 본원의 작동들을 수행하기 위한 장치에 관한 것이다. 이러한 장치는 요구되는 목적들을 위해 특별히 구성될 수 있거나, 이는 컴퓨터에 저장된 컴퓨터 프로그램에 의해 선택적으로 활성화되거나 재구성되는 범용 컴퓨터를 포함할 수 있다. 그러한 컴퓨터 프로그램은 전자적 명령어들을 저장하기에 적합하고 각각이 컴퓨터 시스템 인터커넥트에 결합된 컴퓨터 판독가능 저장 매체, 예컨대, 판독 전용 메모리들(ROM들), 랜덤 액세스 메모리들(RAM들), EPROM들, EEPROM들, 플래시 메모리, 자기 또는 광학 카드들, 플로피 디스크들, 광학 디스크들, CD-ROM들, 및 광자기 디스크들을 포함한 임의의 유형의 디스크, 또는 임의의 유형의 매체들(그러나 이에 제한되지 않음)에 저장될 수 있다.
본원에서 제공된 알고리즘들 및 디스플레이들은 임의의 특정한 컴퓨터 또는 다른 장치와 본질적으로 관련되지 않는다. 다양한 범용 시스템들은, 본원의 교시들에 따라 프로그램들과 함께 사용될 수 있거나, 이는, 요구되는 방법 작동들을 수행하기 위해 더 특화된 장치를 구성하기에 편리하다는 것을 증명할 수 있다. 다양한 이러한 시스템들에 대한 구조가 위의 설명으로부터 나타날 것이다. 추가적으로, 본 예들은 임의의 특정 프로그래밍 언어와 관련하여 설명되지 않으며, 따라서 다양한 예들이, 다양한 프로그래밍 언어들을 사용하여 구현될 수 있다.
본원에 설명된 실시예들은, 리소그래피 패턴을 기판 상에 형성할 때, 거울 크기가, 주어진 거울 크기를 허용하는 것보다 더 가는 라인들, 즉, 더 작은 피쳐 크기들의 현상을 가능하게 하는 소프트웨어 애플리케이션 플랫폼에 관한 것이다. 도 9는 높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피의 해상도를 향상시키기 위한 방법(900)을 예시한다. 방법은 도 8에 도시된 바와 같은 제어기(602) 또는 다른 적합한 디바이스에 의해 수행될 수 있다. 방법(900)은 블록(910)에서 시작한다. 블록(910)에서, 기판 상에 패턴을 형성하기 위해 상이한 다각형들을 제공하기 위한 알고리즘이 실행된다. 컴퓨터로 생성된 패턴, 즉, 다각형들은 기판 상의 포토레지스트를 노출시키기 위한 경계 조건들을 제공한다. 다각형들의 패턴은 포토리소그래피 프로세스에서 노출될 약 0.01 ㎛ 내지 약 50 ㎛, 예컨대, 약 3.0 ㎛의 라인들을 생성할 수 있다.
블록(920)에서, DMD에 의해 형성될 수 있는 최소 피쳐 크기가 결정된다. 위에서 논의된 바와 같이, 피쳐 크기 제한은 DMD 거울 크기 및 하드웨어 렌즈의 함수이다. DMD의 하드웨어 구성은 인쇄될 수 있는 최소 표준 피쳐를 좌우한다. 예를 들어, DMD는 약 5 ㎛의 해상도의 노출에 적합할 수 있다. 노출될 4 ㎛ 피쳐들이 존재하면, 후속하는 방법은 임의의 하드웨어 변화들 없이 더 작은 피쳐들을 형성하기 위해 DMD를 제공한다. 표준 레시피가 본 발명자들의 타겟 다각형들 모두에 100회 샷들 분량의 광을 축적시키는 것이라면, 본 발명자들의 5 ㎛ 최소 피쳐 크기보다 작은 피쳐는 100회 미만의 샷들을 수용하고 과소노출될 것이다. 대신에, 피쳐는 라인 바이어스 또는 다중 바이어스(샷 바이어스) 또는 양쪽 모두를 통해 적절하게 노출될 수 있다. 예를 들어, 샷들의 횟수는 100%만큼 증가될 수 있다. 도 10a 내지 도 13b를 사용하여 바이어싱이 더 설명될 것이다.
블록(930)에서, 라인 바이어스 및/또는 샷 바이어스는, 최소 피쳐 크기보다 작은 다각형들에 대한 다각형 경계에서, 미리 결정된 허용가능한 노출 콘트라스트를 달성하도록 결정된다. 이는, 약 40% 내지 약 80%, 예컨대, 약 60% 이상의 콘트라스트가 제공되는, 즉, 광 에너지가, 피쳐를 적절히 노출시키기에 충분한 양으로 기판 상의 물질(포토레지스트)의 층 상으로 지향된 기판 상의 피쳐들의 형성을 초래한다. 즉, 각각의 DMD는 그 자신의 기본 해상도 제한을 미리 결정된 최소 콘트라스트, 예컨대, 약 60%로 노출시키고, 여기서 콘트라스트는 (lmax-lmin)/(lmax+lmin)의 척도이다. 그러나, 60% 미만 또는 60% 초과의 콘트라스트가, 원하는 피쳐를 형성하기 위한 노출에 적절할 수 있도록 다수의 변수들이 최소 콘트라스트 간격에 영향을 줄 수 있다는 것을 이해해야 한다. 그러나, 본원에 설명된 방법들을 쉽게 이해하기 위해, 노출 콘트라스트의 나머지 예들은 약 60%의 최소 콘트라스트를 사용할 것이다.
노출 콘트라스트는, 타겟 다각형에서의 샷들의 횟수를 증가시키는 것뿐만 아니라 타겟 다각형의 폭을 증가시키는 것(라인 바이어스)에 의해서도 증가될 수 있다. 최소 피쳐 경계는 60% 콘트라스트 간격으로 설정되는데, 즉, 60% 미만의 콘트라스트를 갖는 영역들은 피쳐를 생성하기 위해 적절히 노출되지 않는다. 0.8 ㎛의 서브해상도는, 타겟 다각형에서의 에너지 샷들의 횟수를 증가시키는 것, 즉, 다중 바이어스에 의해 그리고/또는 노출된 다각형을 얇게 하여, 즉, 타겟 다각형 폭을 더 작게 만드는 라인 바이어스에 의해 달성될 수 있고, 기본 해상도 기법들 하에서 가능한 것보다 더 작은 피쳐들이 생성되는 것을 허용한다. 예를 들어, 노출 샷들의 횟수를 106회에서 320회로 증가시키고 0.33 라인 바이어스를 적용함으로써, 라인 해상도는 1.5 ㎛로부터 약 0.7 ㎛로 감소될 수 있고, 기본 해상도 기법들 하에서 가능한 것보다 더 작은 피쳐들을 허용한다.
블록(940)에서, 전자기 방사선 샷 또는 다각형 라인들은 포토레지스트를 노출시킬 때 기판 상에 디지털화된 패턴을 형성하기 위해 최소 피쳐 크기보다 작은 다각형들에 대해 바이어싱된다. 타겟 다각형들은 광의 임의의 샷들을 발사하기 전에 바이어싱된다. 이는 샷 바이어싱을 필요로 하지 않는다. 그러나, 라인 바이어싱은 또한, 샷 바이어싱을 필요로 할 수 있다. 기판 상의 포토레지스트를 노출시키는 것은 기판 상에 패턴, 즉, 피쳐들을 형성하는 데 사용된다.
블록(950)에서, 전자기 방사선의 샷은 DMD의 제1 거울의 중심이 패턴의 다각형들 내에 있을 때 제1 거울로부터 반사된다. 전자기 방사선은 DMD 거울들로부터 반사된 레이저로부터의 광의 형태, 예컨대, 청색 광 레이저일 수 있다. 원하는 거울들로부터의 전자기 방사선만이 타겟 다각형으로 지향되고 타겟 다각형 외부의 영역들은 어떠한 잔여 전자기 방사선도 수집하지 않는 것을 보장하기 위해, 디지털화된 패턴을 반사시킬 때, 각각의 DMD 거울이 작동 또는 비작동으로 전환될 수 있다. 일 실시예에서, 이미지 투영 시스템(301)은 전자기 방사선을 생성할 수 있다. 전자기 방사선은 가시광, 예를 들어, 이미지 투영 시스템(301)으로부터 방출되고 DMD(410)로부터 반사되는 청색 레이저 광일 수 있다.
노출 지점들이 타겟의 영역에 축적됨에 따라, 균일한 에어리얼 이미지가 타겟 상의 포토레지스트에 형성된다. DMD의 해상도, 스텝 크기, 깎여진 열들의 개수, 및 노출 샷들의 횟수에 기초하여, 피쳐 다각형들에 대한 노출된 라인의 충실도는 광범위하게 변할 수 있다. 노출된 다각형들의 폭이 감소함에 따라, 이미지 콘트라스트는 감소하기 시작한다. DMD의 기본 해상도 미만의 피쳐들의 임계 치수들을 기판 상에 형성하기 위해, 타겟 다각형의 라인 에지에서 최소 60% 콘트라스트를 획득하는 데 라인 및/또는 다중 바이어싱이 사용된다.
라인 또는 다중(샷) 바이어싱이 없는 효과에 대한 논의는 여기서 도 10a 및 10b와 함께 관련하여 제공된다. 연구는 제1 피쳐(1010), 제2 피쳐(1020) 및 제3 피쳐(1030)를 예시한다. 제1 피쳐(1010)는 0.5 ㎛의 설계 폭을 갖는 제1 타겟 다각형(1091)을 갖는다. 제2 피쳐(1020)는 1.0 ㎛의 설계 폭을 갖는 제2 타겟 다각형(1092)을 갖는다. 제3 피쳐(1030)는 1.0 ㎛의 설계 폭을 갖는 제3 타겟 다각형(1093)을 갖는다. 제3 타겟 다각형(1093)과 제2 타겟 다각형(1092) 사이의 피치(1045)는, 이러한 영역에서 피쳐들의 형성을 방지하기 위해 노출이 이상적으로는 제로이지만 60% 미만의 콘트라스트여야 하는 영역이다.
노출된 다각형들의 폭이 감소함에 따라, 일단 타겟 다각형 크기가, 시스템에 의해 해결될 수 있는 최소 피쳐보다 작으면, 이미지 콘트라스트는 감소하기 시작한다. 제1 피쳐(1010)는 약 0.29 ㎛의 제1 폭(1015)을 갖는 노출된 다각형(1001)을 갖는다. 노출된 다각형(1001)은 60% 초과의 콘트라스트를 갖는다. 도시된 콘트라스트 간격들은 60% 간격(1060), 50% 간격(1005) 및 40% 간격(1004)이다. 알 수 있는 바와 같이, 노출된 다각형(1001)의 제1 폭(1015)은 제1 타겟 다각형(1091)의 제1 타겟 폭(1081)보다 작은 거리(1072)이다. 거리(1072)는 피쳐 설계의 단일 측에 대해 약 (0.5 ㎛ - 0.29 ㎛)/2, 즉, 0.105 ㎛ 짧다. 노출에 따른 길이(도 10b)에 도시된 바와 같이, 임계 현상(1011)은 60% 미만, 즉, 약 54%이고, 따라서 제1 피쳐(1010)의 완전한 형성이 획득되지 않는다.
제2 피쳐(1020)는 약 0.97 ㎛의 제2 폭(1025)을 갖는 제2 노출된 다각형(1002)을 갖는다. 제2 노출된 다각형(1002)은 60% 초과의 콘트라스트를 갖는 제2 피쳐(1020)의 영역에 존재한다. 제2 노출된 다각형(1002)의 제2 폭(1025)은 제2 타겟 다각형(1092)의 제2 타겟 폭(1082)과 실질적으로 유사하다. 노출에 따른 길이(도 10b)에 도시된 바와 같이, 임계 현상은 60% 초과 및 100% 미만, 예컨대, 약 86%이다. 따라서, 제2 피쳐(1020)의 완전한 형성이 획득된다.
제3 피쳐(1030)는 약 0.97 ㎛의 제3 폭(1035)을 갖는 제3 노출된 다각형(1003)을 갖는다. 제3 피쳐(1030)는 제2 피쳐(1020)와 실질적으로 유사하고, 피쳐를 형성하는 데 있어서 유사한 결과들을 갖는다.
도 11a 및 11b는 다중 바이어싱 없는 라인 바이어싱의 효과들의 연구를 예시한다. 즉, 처리 동안 상이한 치수를 달성하기 위해 피쳐의 설계 폭을 증가시키거나 감소시킨다. 연구는 기판 상의 제1 피쳐(1110), 제2 피쳐(1120) 및 제3 피쳐(1130) 형성을 예시한다. 제1 피쳐(1110)는 0.62 ㎛로 바이어싱되는 0.5의 설계 폭을 갖는 제1 타겟 다각형(1191)을 갖는다. 제2 피쳐(1120)는 1.0 ㎛의 설계 폭을 갖는 제2 타겟 다각형(1192)을 갖는다. 제3 피쳐(1130)는 1.0 ㎛의 설계 폭을 갖는 제3 타겟 다각형(1193)을 갖는다. 제3 타겟 다각형(1193)과 제2 타겟 다각형(1192) 사이에, 피쳐들의 형성을 갖지 않는 피치(1145)가 도시된다.
제1 피쳐(1110)는 약 0.51 ㎛의 제1 폭(1115)을 갖는 노출된 다각형(1101)을 갖는다. 노출된 다각형(1101)은 60% 초과의 콘트라스트를 갖는다. 도시된 콘트라스트 간격들은 60% 간격(1160), 50% 간격(1105) 및 40% 간격(1104)이다. 노출된 다각형(1101)의 제1 폭(1115)은 제1 타겟 다각형(1191)의 제1 타겟 폭(1181)과 실질적으로 동일하다. 노출에 따른 길이(도 11b)는, 60% 초과, 예컨대, 약 62.3%의 임계 현상(1111)을 도시하고, 따라서 제1 피쳐(1110)의 완전한 형성이 획득된다. 제1 타겟 다각형(1191)의 폭을 0.12 ㎛만큼 바이어싱함으로써, 노출된 다각형(1101)은 약 0.50 ㎛의 원하는 임계 치수로 형성될 수 있다.
제2 피쳐(1120)는 약 0.97 ㎛의 제2 폭(1125)을 갖는 제2 노출된 다각형(1102)을 갖는다. 제2 노출된 다각형(1102)은, 위의 콘트라스트 간격들, 예컨대, 70% 간격(1107)을 포함하는, 60% 초과의 콘트라스트를 갖는다. 제2 노출된 다각형(1102)의 제2 폭(1125)은 제2 타겟 다각형(1192)의 제2 타겟 폭(1182)과 실질적으로 유사하다. 제1 타겟 다각형(1191)과는 달리, 제2 타겟 다각형(1192)은 이 작동을 수행할 때 바이어싱되지 않았다. 노출에 따른 길이(도 11b)에 도시된 바와 같이, 임계 현상은 60% 초과 및 100% 미만, 예컨대, 약 86%이다. 따라서, 제2 피쳐(1120)의 완전한 형성이 획득된다.
제3 피쳐(1130)는 약 0.97 ㎛의 제3 폭(1135)을 갖는 제3 노출된 다각형(1103)을 갖는다. 제3 피쳐(1130)는 제2 피쳐(1120)와 실질적으로 유사하고, 피쳐를 형성하는 데 있어서 유사한 결과들을 갖는다.
도 12a 및 12b는 라인 바이어싱 없는 다중 바이어싱의 효과들의 연구를 예시한다. 즉, 그렇게 하도록 바이어싱되는 노출 샷들의 횟수를 증가시킨다. 연구는 기판 상의 제1 피쳐(1210), 제2 피쳐(1220) 및 제3 피쳐(1230) 형성을 예시한다. 제1 피쳐(1210)는 0.5의 설계 폭을 갖는 제1 타겟 다각형(1291)을 갖는다. 제2 피쳐(1220)는 1.0 ㎛의 설계 폭을 갖는 제2 타겟 다각형(1292)을 갖는다. 제3 피쳐(1230)는 1.0 ㎛의 설계 폭을 갖는 제3 타겟 다각형(1293)을 갖는다. 제3 타겟 다각형(1293)과 제2 타겟 다각형(1292) 사이에, 피쳐들의 형성을 갖지 않는 피치(1245)가 도시된다. 제1 피쳐(1210), 제2 피쳐(1220) 및 제3 피쳐(1230) 각각에 대해, 노출된 다각형을 현상하는 데 사용되는 노출 샷들의 횟수는 노출 샷들의 원래 횟수의 2배 또는 3배만큼 바이어싱, 즉, 증가된다. 예를 들어, 피쳐를 채우기 위한 노출 샷들의 횟수는 균등하게 약 100회의 샷들일 수 있다. 만약 100회의 샷들이 타겟 다각형 경계에서 60% 미만의 콘트라스트를 갖는 노출된 다각형을 초래했다면, 노출 샷들의 횟수는 2배로 약 200회로 증가될 수 있다. 예컨대, 노출 샷들이 이제 약 120회인 약 20%의 백분율 증가는 샷들이 노출에 걸쳐 채워지는 방식을 변화시킬 것인데, 즉, 이는 불균일할 것이다. 배수들, 예컨대, 2가 샷들의 원래 횟수의 승수로서 선택된다. 배수들은 원하는 횟수의 샷들을 달성하는 자연수 또는 심지어 실수일 수 있다. 예를 들어, 100회 샷 패턴은 300회 샷 패턴 또는 심지어 303회 샷 패턴을 달성하기 위해 패턴에 적용되는 배수를 가질 수 있다. 일 실시예에서, 2개의 별개의 100회 샷 패턴들이 서로에 대해 오버레이되고, 노출 샷들에 대한 균일한 분포를 유지하면서 순 200회 샷 패턴을 획득한다. 대안적으로, 타겟 다각형 내에 균등하게 분포된 패턴으로 배치되기 위해 노출 샷들의 백분율의 증가가 계산될 수 있다. 제1 피쳐(1210)는 약 0.51 ㎛의 제1 폭(1215)을 갖는 제1 노출된 다각형(1201)을 갖는다. 제1 노출된 다각형(1201)은 60% 초과의 콘트라스트를 갖는다. 도시된 콘트라스트 간격들은 60% 간격(1260), 50% 간격(1205) 및 40% 간격(1204)이다. 제1 노출된 다각형(1201)의 제1 폭(1215)은 제1 타겟 다각형(1291)의 제1 타겟 폭(1281)과 실질적으로 동일하다. 노출에 따른 길이(도 12b)는, 60% 초과, 예컨대, 약 64%의 임계 현상(1211)을 도시하고, 따라서 제1 피쳐(1210)의 완전한 형성이 획득된다. 제1 타겟 다각형(1291)에 대한 샷들의 횟수(다중)를 100%만큼 바이어싱함으로써, 제1 노출된 다각형(1201)은 약 0.50 ㎛의 원하는 임계 치수로 형성될 수 있다.
제2 피쳐(1220)는 약 1.12 ㎛의 제2 폭(1225)을 갖는 제2 노출된 다각형(1202)을 갖는다. 제2 노출된 다각형(1202)은 60% 초과의 콘트라스트를 갖는다. 상기 것들에 추가하여 도시된 콘트라스트 간격들은 70% 간격(1207) 및 80% 간격(1208)이다. 제2 노출된 다각형(1202)의 제2 폭(1225)은 제2 타겟 다각형(1292)의 제2 타겟 폭(1282) 초과의 제2 거리(1272)를 갖는다. 제2 거리(1272)는 약 0.03 ㎛ 내지 약 0.10 ㎛, 예컨대, 약 0.06 ㎛이다. 제1 노출된 다각형(1201)과 달리, 제2 노출된 다각형(1202)은 제2 피쳐의 임계 치수에 대한 설계보다 약 12%만큼 더 크다. 노출에 따른 길이(도 12b)에 도시된 바와 같이, 임계 현상은 100% 초과이다. 따라서, 제2 피쳐(1220)는 과대 크기로 형성된다.
제3 피쳐(1230)는 약 1.12 ㎛의 제3 폭(1235)을 갖는 제3 노출된 다각형(1203)을 갖는다. 제3 피쳐(1230)는 제2 피쳐(1220)와 실질적으로 유사하고, 피쳐를 형성하는 데 있어서 유사한 결과들을 갖는다.
도 13a 및 13b는 다중 바이어싱 및 라인 바이어싱의 효과들의 연구를 예시한다. 즉, 타겟 다각형들의 에지에서 60% 임계를 달성하기 위해 노출 샷들의 횟수를 증가시키고 타겟 다각형 치수를 바이어싱하며, 그렇게 하도록 바이어싱되는 라인 폭을 증가시키거나 감소시킨다. 연구는 기판 상의 제1 피쳐(1310), 제2 피쳐(1320) 및 제3 피쳐(1330) 형성을 예시한다. 제1 피쳐(1310)는 0.5의 설계 폭을 갖는 제1 타겟 다각형(1391)을 갖는다. 제2 피쳐(1320)는 0.88 ㎛로 바이어싱되는 1.0 ㎛의 설계 폭을 갖는 제2 타겟 다각형(1392)을 갖는다. 제3 피쳐(1330)는 0.88 ㎛로 바이어싱되는 1.0 ㎛의 설계 폭을 갖는 제3 타겟 다각형(1393)을 갖는다. 제3 타겟 다각형(1393)과 제2 타겟 다각형(1392) 사이에, 피쳐들의 형성을 갖지 않는 피치(1345)가 도시된다. 제1 피쳐(1310), 제2 피쳐(1320) 및 제3 피쳐(1330) 각각에 대해, 노출된 다각형을 현상하는 데 사용되는 노출 샷들의 횟수는 약 2x만큼 바이어싱, 즉, 증가된다.
제1 피쳐(1310)는 약 0.51 ㎛의 제1 폭(1315)을 갖는 노출된 다각형(1301)을 갖는다. 노출된 다각형(1301)은 60% 초과의 콘트라스트를 갖는다. 도시된 콘트라스트 간격들은 60% 간격(1360), 50% 간격(1305) 및 40% 간격(1304)이다. 노출된 다각형(1301)의 제1 폭(1315)은 제1 타겟 다각형(1391)의 제1 타겟 폭(1381)과 실질적으로 동일하다. 노출에 따른 길이(도 13b)는, 60% 초과, 예컨대, 약 64%의 임계 현상(1311)을 도시하고, 따라서 제1 피쳐(1310)의 완전한 형성이 획득된다. 제1 타겟 다각형(1391)에 대한 샷들의 횟수(다중)를 100%만큼 바이어싱함으로써, 노출된 다각형(1301)은 약 0.50 ㎛(약 0.51 ㎛로 측정)의 원하는 임계 치수로 형성될 수 있다.
제2 피쳐(1320)는 약 0.99 ㎛의 제2 폭(1325)을 갖는 제2 노출된 다각형(1302)을 갖는다. 제2 노출된 다각형(1302)은 60% 초과의 콘트라스트를 갖는다. 상기 것들에 추가하여 도시된 콘트라스트 간격들은 70% 간격(1307) 및 80% 간격(1308)이다. 제2 노출된 다각형(1302)의 제2 폭(1325)은 제2 타겟 다각형(1392)의 제2 타겟 폭(1382)과 실질적으로 동일한데, 즉, 제2 폭(1325)과 제2 타겟 폭(1382) 사이의 거리(1372)는 0에 접근한다. 제2 폭(1325)은 샷들의 횟수의 증가로 인해 제2 피쳐(1320)가 과대 크기가 되는 것을 방지하기 위해 약 0.12 ㎛만큼 바이어싱되었다. 노출에 따른 길이(도 13b)에 도시된 바와 같이, 임계 현상은 60% 초과 및 100% 미만, 예컨대, 97%이다. 따라서, 제2 피쳐(1320)는 정확하게 형성될 수 있다.
제3 피쳐(1330)는 약 0.99 ㎛의 제3 폭(1335)을 갖는 제3 노출된 다각형(1303)을 갖는다. 제3 피쳐(1330)는 제2 피쳐(1320)와 실질적으로 유사하고, 피쳐를 형성하는 데 있어서 유사한 결과들을 갖는다.
도 10a 내지 13b와 관련하여 위에서 논의된 바와 같이, 샷들의 횟수를 증가시킴으로써, 큰 피쳐들이 너무 커진다. 타겟 다각형의 치수를 감소시킴으로써, 이러한 피쳐들은 타겟 임계 치수로 되돌아갈 수 있다. 라인 및 다중 바이어스를 혼합함으로써, 각각의 피쳐는, DMD와 함께 제공된 하드웨어의 해상도 미만의 피쳐들을 형성하려고 시도할 때 정확한 치수로 형성될 수 있다. 라인 및 다중 바이어스가 피쳐마다 수행될 수 있고 모든 피쳐들이 바이어싱되는 것은 아닐 수 있다는 것이 이해해야 한다. 예를 들어, 제1 피쳐는 그에 인가되는 라인 바이어스만 가질 수 있고, 제2 피쳐는 그에 인가되는 다중 바이어스(샷)만 가질 수 있고, 제3 피쳐는 그에 인가되는 라인 및 다중 바이어스 양쪽 모두를 가질 수 있는 반면, 제4 피쳐는 인가되는 바이어스를 전혀 갖지 않는다. 피쳐가 바이어싱되는 샷들의 횟수는, 샷들의 횟수만큼 또한 바이어싱되는 다른 피쳐와는 상이할 수 있다는 것을 또한 이해해야 한다. 예를 들어, 제1 피쳐는 2x의 다중 바이어스를 가질 수 있는 한편, 제2 피쳐는 3x의 다중 바이어스를 가질 수 있다. 유사하게, 제1 피쳐에 대한 라인 바이어스는 제2 피쳐의 라인 바이어스와 동일하지 않을 수 있다. 예를 들어, 제1 피쳐는 +0.12 ㎛의 라인 바이어스를 가질 수 있는 한편, 제2 피쳐는 -0.06 ㎛로 바이어싱된다.
일 실시예에서, 이미지 투영 시스템(301)은 기판을 노출시킬 수 있고, 광을 기판(140)의 표면에 전달할 수 있다. 각각의 노출은 대략적으로 약 45 마이크로초 내지 약 85 마이크로초, 예를 들어, 약 55 마이크로초 내지 약 75 마이크로초 동안 지속될 수 있다.
다른 실시예에서, 높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피의 해상도를 향상시키기 위한 컴퓨터 시스템이 제공된다. 컴퓨터 시스템은 프로세서 및 메모리를 포함한다. 메모리는, 프로세서에 의해 실행될 때, 컴퓨터 시스템으로 하여금 기판 상의 높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피의 해상도를 향상시키게 하는 명령어들을 저장한다. 단계들은 상이한 다중 또는 라인 바이어스를 갖는 상이한 다각형들을 제공하기 위한 알고리즘을 실행하는 단계; DMD의 복수의 거울들에 대한 중심 격자를 결정하는 단계; DMD의 제1 거울로부터 반사시키기 위해 전자기 방사선을 방출하는 단계; 및 포토레지스트를 노출시키기 위해, 디지털화된 패턴을 타겟 상에 형성하기 위해서 광을 반사시키는 단계를 포함한다.
또 다른 실시예에서, 명령어들을 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체로서, 명령어들은 프로세서에 의해 실행될 때, 컴퓨터 시스템으로 하여금 높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피의 해상도를 향상시키게 한다. 단계들은 상이한 다중 또는 라인 바이어스를 갖는 상이한 다각형들을 제공하기 위한 알고리즘을 실행하는 단계; DMD의 복수의 거울들에 대한 중심 격자를 결정하는 단계; DMD의 제1 거울로부터 반사시키기 위해 전자기 방사선을 방출하는 단계 및 포토레지스트를 노출시키기 위해, 디지털화된 패턴을 타겟 상에 형성하기 위해서 광을 반사시키는 단계를 포함한다.
본원에 개시된 실시예들의 이점들은, 위에서 논의된 방법(900)을 통해, 고용량 제조(HVM) 툴을 더 낮은 해상도로 확장시키는 것이다. 콘트라스트에 대한 임계값에서, 3.6 ㎛ 크기의 픽셀들에 적합한 DMD는 약 2.35 ㎛ 크기의 픽셀들을 생성할 수 있음을 알 수 있다. 유사하게, 1.25 ㎛ 크기의 픽셀들을 생성하기에 적합한 DMD는 0.85 ㎛ 크기의 픽셀들을 생성하도록 확장될 수 있다. 추가적으로, 0.6 ㎛ 크기의 픽셀들을 생성하기에 적합한 DMD는 어떠한 하드웨어 변화 없이 0.4 ㎛ 크기의 픽셀들을 생성하도록 확장될 수 있다.
전술한 내용은 본원에 설명된 실시예들에 관한 것이지만, 다른 및 추가적인 실시예들이 그의 기본 범위로부터 벗어나지 않고 안출될 수 있다. 예를 들어, 본 개시내용의 양상들은 하드웨어 또는 소프트웨어로, 또는 하드웨어 및 소프트웨어의 조합으로 구현될 수 있다. 본원에 설명되는 일 실시예는 컴퓨터 시스템과 함께 사용하기 위한 프로그램 제품으로서 구현될 수 있다. 프로그램 제품의 프로그램(들)은 (본원에서 설명되는 방법들을 포함하는) 실시예들의 기능들을 정의하고, 다양한 컴퓨터 판독가능 저장 매체들 상에 포함될 수 있다. 예시적인 컴퓨터 판독가능한 저장 매체는: (i) 정보가 영구적으로 저장되는 기입 불가능한 저장 매체(예를 들어, 컴퓨터 내의 판독 전용 메모리 디바이스들, 예컨대, CD-ROM 드라이브에 의해 판독가능한 CD-ROM 디스크들, 플래시 메모리, ROM 칩들 또는 임의의 유형의 고체 상태 비휘발성 반도체 메모리); 및 (ii) 변경가능한 정보가 저장되는 기입가능한 저장 매체(예를 들어, 디스켓 드라이브 내의 플로피 디스크들 또는 하드 디스크 드라이브 또는 임의의 유형의 고체 상태 랜덤 액세스 반도체 메모리)를 포함하지만, 이에 제한되지는 않는다. 그러한 컴퓨터 판독가능한 저장 매체는, 개시된 실시예들의 기능들을 지시하는 컴퓨터 판독가능한 명령어들을 보유하는 경우, 본 개시내용의 실시예들이다.
관련 기술분야의 통상의 기술자는 앞의 예들이 예시적인 것이고 제한이 아님을 이해할 것이다. 본 명세서를 읽고 도면들에 대한 연구를 통해 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 명백한 모든 치환들, 향상들, 등가물들 및 그에 대한 개선들이 본 개시내용의 진정한 사상 및 범위 내에 포함되도록 의도된다. 그러므로, 이하의 첨부된 청구항들은 그러한 모든 수정들, 치환들, 및 등가물들을 이러한 교시들의 진정한 사상 및 범위 내에 드는 것으로서 포함하도록 의도된다.

Claims (20)

  1. 기판 상의 높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피의 해상도를 향상시키는 방법으로서,
    타겟 상에 패턴을 형성하기 위해 상이한 타겟 다각형들을 제공하기 위한 알고리즘을 실행하는 단계;
    DMD에 의해 형성될 수 있는 최소 피쳐 크기를 결정하는 단계 - 상기 최소 피쳐 크기는 DMD를 구성하는 각각의 거울의 크기 및 투영 렌즈의 함수임 -;
    상기 최소 피쳐 크기보다 작은 각각의 타겟 다각형들에 대해 타겟 다각형 경계에서 허용가능한 노출 콘트라스트를 달성하기 위해 하나 이상의 상기 타겟 다각형을 라인 바이어싱 또는 샷 바이어싱하기로 결정하는 단계 - 상기 라인 바이어싱은 상기 타겟 다각형의 크기를 증가시키는 단계를 포함하고, 상기 샷 바이어싱은 상기 타겟 다각형에서의 전자기 방사선 샷들의 횟수를 증가시키는 단계를 포함함 -;
    디지털화된 패턴을 상기 기판 상에 형성하기 위해 상기 최소 피쳐 크기보다 작은 상기 하나 이상의 타겟 다각형을 바이어싱하는 단계; 및
    상기 DMD의 제1 거울의 중심이 상기 하나 이상의 타겟 다각형 내에 있을 때 상기 제1 거울로부터 반사시키기 위해 전자기 방사선의 샷을 전달하는 단계를 포함하는, 기판 상의 높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피의 해상도를 향상시키는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 타겟 다각형들 내부의 노출 콘트라스트가 현상 임계치보다 크고 상기 다각형들 외부의 노출 콘트라스트가 상기 현상 임계치보다 작을 때까지 상기 타겟 다각형들에서의 샷들의 전달을 반복하는 단계를 더 포함하는, 기판 상의 높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피의 해상도를 향상시키는 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 하나 이상의 타겟 다각형을 바이어싱하는 단계는:
    상기 하나 이상의 타겟 다각형 중 제1 타겟 다각형의 폭을 감소시키는 단계를 포함하는, 기판 상의 높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피의 해상도를 향상시키는 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 하나 이상의 타겟 다각형을 바이어싱하는 단계는:
    상기 하나 이상의 타겟 다각형 중 제2 타겟 다각형에 대한 전자기 방사선의 샷들의 횟수를 증가시키는 단계를 포함하는, 기판 상의 높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피의 해상도를 향상시키는 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 샷들의 횟수는 승수에 의해 증가되는, 기판 상의 높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피의 해상도를 향상시키는 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    노출은 포토레지스트에 패턴을 형성하는, 기판 상의 높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피의 해상도를 향상시키는 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 타겟 다각형 외부의 콘트라스트는 현상 임계치보다 작고, 상기 타겟 다각형 내부의 콘트라스트는 상기 현상 임계치보다 큰, 기판 상의 높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피의 해상도를 향상시키는 방법.
  8. 기판 상의 높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피의 해상도를 향상시키기 위한 컴퓨터 시스템으로서,
    프로세서; 및
    명령어들을 저장하는 메모리를 포함하고,
    상기 명령어들은 상기 프로세서에 의해 실행될 때 상기 컴퓨터 시스템으로 하여금:
    타겟 상에 패턴을 형성하기 위해 상이한 타겟 다각형들을 제공하기 위한 알고리즘을 실행하게 하고;
    DMD에 의해 형성될 수 있는 최소 피쳐 크기를 결정하게 하고 - 상기 최소 피쳐 크기는 DMD를 구성하는 각각의 거울의 크기 및 투영 렌즈의 함수임 -;
    상기 최소 피쳐 크기보다 작은 각각의 타겟 다각형들에 대해 타겟 다각형 경계에서 허용가능한 노출 콘트라스트를 달성하기 위해 하나 이상의 상기 타겟 다각형을 라인 바이어싱 또는 샷 바이어싱하기로 결정하게 하고 - 상기 라인 바이어싱은 상기 타겟 다각형의 크기를 증가시키는 것을 포함하고, 상기 샷 바이어싱은 상기 타겟 다각형에서의 전자기 방사선 샷들의 횟수를 증가시키는 것을 포함함 -;
    디지털화된 패턴을 상기 기판 상에 형성하기 위해 상기 최소 피쳐 크기보다 작은 상기 하나 이상의 타겟 다각형을 바이어싱하게 하고;
    상기 DMD의 제1 거울의 중심이 상기 하나 이상의 타겟 다각형 내에 있을 때 상기 제1 거울로부터 반사시키기 위해 전자기 방사선의 샷을 전달하게 하는, 기판 상의 높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피의 해상도를 향상시키기 위한 컴퓨터 시스템.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 타겟 다각형들 내부의 노출 콘트라스트가 현상 임계치보다 크고 상기 다각형들 외부의 노출 콘트라스트가 상기 현상 임계치보다 작을 때까지 상기 타겟 다각형들에서의 샷들의 전달을 반복하게 하는 것을 더 포함하는, 기판 상의 높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피의 해상도를 향상시키기 위한 컴퓨터 시스템.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 하나 이상의 타겟 다각형의 바이어싱은:
    상기 하나 이상의 타겟 다각형 중 제1 타겟 다각형의 폭을 감소시키는 단계를 포함하는, 기판 상의 높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피의 해상도를 향상시키기 위한 컴퓨터 시스템.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 하나 이상의 타겟 다각형의 바이어싱은:
    상기 하나 이상의 타겟 다각형 중 제2 타겟 다각형에 대한 전자기 방사선의 샷들의 횟수를 증가시키는 단계를 포함하는, 기판 상의 높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피의 해상도를 향상시키기 위한 컴퓨터 시스템.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 샷들의 횟수는 승수에 의해 증가되는, 기판 상의 높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피의 해상도를 향상시키기 위한 컴퓨터 시스템.
  13. 제12항에 있어서,
    노출은 포토레지스트에 패턴을 형성하는, 기판 상의 높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피의 해상도를 향상시키기 위한 컴퓨터 시스템.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 타겟 다각형 외부의 콘트라스트는 현상 임계치보다 작고, 상기 타겟 다각형 내부의 콘트라스트는 상기 현상 임계치보다 큰, 기판 상의 높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피의 해상도를 향상시키기 위한 컴퓨터 시스템.
  15. 명령어들을 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체로서,
    상기 명령어들은 프로세서에 의해 실행될 때, 컴퓨터 시스템으로 하여금 다음의 단계들:
    타겟 상에 패턴을 형성하기 위해 상이한 타겟 다각형들을 제공하기 위한 알고리즘을 실행하는 단계;
    DMD에 의해 형성될 수 있는 최소 피쳐 크기를 결정하는 단계 - 상기 최소 피쳐 크기는 DMD를 구성하는 각각의 거울의 크기 및 투영 렌즈의 함수임 -;
    상기 최소 피쳐 크기보다 작은 각각의 타겟 다각형들에 대해 타겟 다각형 경계에서 허용가능한 노출 콘트라스트를 달성하기 위해 하나 이상의 상기 타겟 다각형을 라인 바이어싱 또는 샷 바이어싱하기로 결정하는 단계 - 상기 라인 바이어싱은 상기 타겟 다각형의 크기를 증가시키는 단계를 포함하고, 상기 샷 바이어싱은 상기 타겟 다각형에서의 전자기 방사선 샷들의 횟수를 증가시키는 단계를 포함함 -;
    디지털화된 패턴을 기판 상에 형성하기 위해 상기 최소 피쳐 크기보다 작은 상기 하나 이상의 타겟 다각형을 바이어싱하는 단계; 및
    상기 DMD의 제1 거울의 중심이 상기 하나 이상의 타겟 다각형 내에 있을 때 상기 제1 거울로부터 반사시키기 위해 전자기 방사선의 샷을 전달하는 단계
    를 수행함으로써 기판 상의 높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피의 해상도를 향상시키게 하는, 명령어들을 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 타겟 다각형들 내부의 노출 콘트라스트가 현상 임계치보다 크고 상기 다각형들 외부의 노출 콘트라스트가 상기 현상 임계치보다 작을 때까지 상기 타겟 다각형들에서의 샷들의 전달을 반복하는 단계를 더 포함하는, 명령어들을 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 하나 이상의 타겟 다각형을 바이어싱하는 단계는:
    상기 하나 이상의 타겟 다각형 중 제1 타겟 다각형의 폭을 감소시키는 단계를 포함하는, 명령어들을 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 하나 이상의 타겟 다각형을 바이어싱하는 단계는:
    상기 하나 이상의 타겟 다각형 중 제2 타겟 다각형에 대한 전자기 방사선의 샷들의 횟수를 증가시키는 단계를 포함하는, 명령어들을 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 샷들의 횟수는 승수에 의해 증가되는, 명령어들을 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체.
  20. 제15항에 있어서,
    상기 타겟 다각형 외부의 콘트라스트는 현상 임계치보다 작고 상기 타겟 다각형 내부의 콘트라스트는 상기 현상 임계치보다 큰, 명령어들을 저장하는 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체.
KR1020217010719A 2018-09-13 2019-08-14 높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피의 해상도를 향상시키는 방법 KR102579729B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862730997P 2018-09-13 2018-09-13
US62/730,997 2018-09-13
PCT/US2019/046489 WO2020055535A1 (en) 2018-09-13 2019-08-14 Method to enhance the resolution of maskless lithography while maintaining a high image contrast

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210044309A KR20210044309A (ko) 2021-04-22
KR102579729B1 true KR102579729B1 (ko) 2023-09-19

Family

ID=69773914

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217010719A KR102579729B1 (ko) 2018-09-13 2019-08-14 높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피의 해상도를 향상시키는 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10761430B2 (ko)
EP (1) EP3850434A4 (ko)
JP (1) JP7166435B2 (ko)
KR (1) KR102579729B1 (ko)
CN (1) CN112654929B (ko)
TW (1) TWI731402B (ko)
WO (1) WO2020055535A1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050053850A1 (en) 2003-08-04 2005-03-10 Micronic Laser Systems Ab Further method to pattern a substrate
US20050083511A1 (en) 2001-03-23 2005-04-21 Ultratech, Inc. Computer architecture for and method of high-resolution imaging using a low-resolution image transducer
JP2006285243A (ja) 2005-03-30 2006-10-19 Asml Netherlands Bv データフィルタ処理を利用したリソグラフィ装置及びデバイス製造法
JP2010212684A (ja) 2009-03-09 2010-09-24 Ims Nanofabrication Ag マルチビームパターニングにおけるグローバル点広がり関数
US20160103394A1 (en) 2013-12-30 2016-04-14 Periodic Structures, Inc. Apparatus and method of direct writing with photons beyond the diffraction limit using two-color resist

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5691541A (en) 1996-05-14 1997-11-25 The Regents Of The University Of California Maskless, reticle-free, lithography
SE9800665D0 (sv) 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
US6498685B1 (en) * 1999-01-11 2002-12-24 Kenneth C. Johnson Maskless, microlens EUV lithography system
EP1249734B1 (en) * 2001-04-11 2012-04-18 Fujitsu Semiconductor Limited Rectangle/lattice data conversion method for charged particle beam exposure mask pattern and charged particle beam exposure method
US7106490B2 (en) 2001-12-14 2006-09-12 Micronic Laser Systems Ab Methods and systems for improved boundary contrast
US6888615B2 (en) * 2002-04-23 2005-05-03 Asml Holding N.V. System and method for improving linewidth control in a lithography device by varying the angular distribution of light in an illuminator as a function of field position
JP4274784B2 (ja) 2002-05-28 2009-06-10 新光電気工業株式会社 配線形成システムおよびその方法
US6777146B1 (en) * 2003-02-21 2004-08-17 International Business Machines Corporation Method of optical proximity correction with sub-resolution assists
JP4580338B2 (ja) * 2004-12-23 2010-11-10 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置、エキシマ・レーザ、およびデバイス製造方法
US7675670B2 (en) * 2005-10-28 2010-03-09 Miradia Inc. Fabrication of a high fill ratio silicon spatial light modulator
US20090111056A1 (en) 2007-08-31 2009-04-30 Applied Materials, Inc. Resolution enhancement techniques combining four beam interference-assisted lithography with other photolithography techniques
US20090246706A1 (en) 2008-04-01 2009-10-01 Applied Materials, Inc. Patterning resolution enhancement combining interference lithography and self-aligned double patterning techniques
US8572517B2 (en) * 2008-06-10 2013-10-29 Cadence Design Systems, Inc. System and method for modifying a data set of a photomask
US8670106B2 (en) 2008-09-23 2014-03-11 Pinebrook Imaging, Inc. Optical imaging writer system
US8255838B2 (en) * 2010-01-15 2012-08-28 Synopsys, Inc. Etch-aware OPC model calibration by using an etch bias filter
US9304410B2 (en) * 2011-11-18 2016-04-05 Periodic Structures Inc. Apparatus and method of direct writing with photons beyond the diffraction limit
JP5886979B2 (ja) * 2011-11-29 2016-03-16 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置用の所望のデバイスパターンのベクタ形式表現を変換する装置および方法、プログラマブルパターニングデバイスにデータを供給する装置および方法、リソグラフィ装置、デバイス製造方法
JP6013930B2 (ja) * 2013-01-22 2016-10-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US8954900B1 (en) * 2013-07-31 2015-02-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Multi-patterning mask decomposition method and system
JP6200253B2 (ja) 2013-09-26 2017-09-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 露光装置用のｇｕｉ装置、露光システム、露光条件設定方法およびプログラム
KR20160073415A (ko) 2013-10-22 2016-06-24 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 능동 정렬을 이용하는 롤 투 롤 마스크-없는 리소그래피
WO2016008711A1 (en) * 2014-07-14 2016-01-21 Asml Netherlands B.V. Optimization of assist features and source
US9645496B2 (en) 2014-08-08 2017-05-09 David A. Markle Maskless digital lithography systems and methods with image motion compensation
KR102102296B1 (ko) * 2015-09-04 2020-04-21 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 스텝 크기 변경을 통한 라인 에지 거칠기 감소
KR102395621B1 (ko) 2015-12-30 2022-05-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 직접 기입 마스크리스 리소그래피를 위한 방법 및 장치
US9791786B1 (en) * 2016-04-08 2017-10-17 Applied Materials, Inc. Method to reduce line waviness
WO2017214540A1 (en) * 2016-06-10 2017-12-14 Applied Materials, Inc. Maskless parallel pick-and-place transfer of micro-devices

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050083511A1 (en) 2001-03-23 2005-04-21 Ultratech, Inc. Computer architecture for and method of high-resolution imaging using a low-resolution image transducer
US20050053850A1 (en) 2003-08-04 2005-03-10 Micronic Laser Systems Ab Further method to pattern a substrate
JP2006285243A (ja) 2005-03-30 2006-10-19 Asml Netherlands Bv データフィルタ処理を利用したリソグラフィ装置及びデバイス製造法
JP2010212684A (ja) 2009-03-09 2010-09-24 Ims Nanofabrication Ag マルチビームパターニングにおけるグローバル点広がり関数
US20160103394A1 (en) 2013-12-30 2016-04-14 Periodic Structures, Inc. Apparatus and method of direct writing with photons beyond the diffraction limit using two-color resist

Also Published As

Publication number Publication date
US20200089128A1 (en) 2020-03-19
EP3850434A4 (en) 2022-06-08
US10761430B2 (en) 2020-09-01
JP2022511298A (ja) 2022-01-31
CN112654929A (zh) 2021-04-13
CN112654929B (zh) 2023-12-12
EP3850434A1 (en) 2021-07-21
TWI731402B (zh) 2021-06-21
KR20210044309A (ko) 2021-04-22
TW202024800A (zh) 2020-07-01
WO2020055535A1 (en) 2020-03-19
JP7166435B2 (ja) 2022-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10495975B2 (en) Line edge roughness reduction via step size alteration
CN109073993B (zh) 用于数字光刻的焦点定心方法
KR102207155B1 (ko) 구분적 정렬 모델링 방법
KR102611058B1 (ko) 타임 시프트 노출을 이용하는 불균일 패턴들의 정정
US10935890B2 (en) Half tone scheme for maskless lithography
US10571809B1 (en) Half tone scheme for maskless lithography
KR102579729B1 (ko) 높은 이미지 콘트라스트를 유지하면서 마스크없는 리소그래피의 해상도를 향상시키는 방법
US9818168B2 (en) Data tuning for fast computation and polygonal manipulation simplification
US20220326616A1 (en) Multi-tone scheme for maskless lithography
WO2023113803A1 (en) Generate 3d photoresist profiles using digital lithography
US20160284044A1 (en) Low-latency high bandwidth data path

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant