KR102578136B1 - Device for varying laser emission angle and device for acquiring 2-dimensional image - Google Patents
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Abstract
본 발명은 레이저 방출 각도를 변화시킬 수 있는 소자와, 이를 이용하여 2차원 영상을 획득할 수 있는 장치에 관한 것이다.
본 발명은, 서로 마주보는 레이저 모듈과; 광 굴절 모듈을 포함하고, 상기 레이저 모듈은, 하나 이상의 수직 캐비티 표면 광방출 레이저 다이오드를 포함하고, 상기 광 굴절 모듈은, 전기 활성 고분자 물질을 포함하는 전기 활성 고분자 물질층과; 전기 활성 고분자 물질을 포함하며, 상기 레이저 모듈과 마주보는 상기 전기 활성 고분자 물질층의 제 1 면 또는 상기 전기 활성 고분자 물질층의 제 1 면과 마주보는 상기 전기 활성 고분자 물질층의 제 4 면에 형성한 광학 패턴과; 상기 전기 활성 고분자 물질층의 제 1 면 및 제 4 면과 마주보지 않는 상기 전기 활성 고분자 물질층의 제 2 면에 형성한 제 3 전극과; 상기 전기 활성 고분자 물질층의 제 2 면과 마주보는 상기 전기 활성 고분자 물질층의 제 3 면에 형성한 제 4 전극을 포함하는, 레이저 방출 각도 가변 소자를 제공한다.The present invention relates to a device that can change the laser emission angle and a device that can acquire two-dimensional images using the same.
The present invention includes laser modules facing each other; A light refraction module comprising: a laser module comprising one or more vertical cavity surface light-emitting laser diodes; the light refraction module comprising: an electroactive polymer material layer comprising an electroactive polymer material; Comprising an electro-active polymer material, formed on a first side of the electro-active polymer material layer facing the laser module or a fourth side of the electro-active polymer material layer facing the first side of the electro-active polymer material layer an optical pattern; a third electrode formed on a second side of the electroactive polymer material layer that faces the first and fourth sides of the electroactive polymer material layer; A laser emission angle variable element is provided, including a fourth electrode formed on a third side of the electroactive polymer material layer facing the second side of the electroactive polymer material layer.
Description
본 발명은 레이저 방출 각도를 변화시킬 수 있는 소자와, 이를 이용하여 2차원 영상을 획득할 수 있는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a device that can change the laser emission angle and a device that can acquire two-dimensional images using the same.
더욱 상세하게는, 수직 캐비티 표면 광방출 레이저와 전기 활성 고분자 물질을 포함하여 레이저의 방출 각도를 조절할 수 있는 소자와, 이를 포함하여 2차원 영상을 획득할 수 있는 장치에 관한 것이다.More specifically, it relates to a device capable of controlling the emission angle of the laser, including a vertical cavity surface light-emitting laser and an electroactive polymer material, and a device including the same, capable of acquiring two-dimensional images.
수직 캐비티 표면 광방출 레이저(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser, VCSEL)는 상부 표면에 수직한 방향으로 레이저를 방출하는 반도체 레이저 다이오드이다. 수직 캐비티 표면 광방출 레이저는, SL(Structure Light) 방식으로 도트 패턴을 생성하거나, ToF(Time of Flight) 방식으로 적외선을 생성할 때 이용할 수 있다.A vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) is a semiconductor laser diode that emits laser light in a direction perpendicular to its top surface. Vertical cavity surface light-emitting lasers can be used to generate dot patterns using the Structure Light (SL) method or to generate infrared rays using the Time of Flight (ToF) method.
그러나 수직 캐비티 표면 광방출 레이저는, 상부 표면에 수직한 방향으로 레이저를 방출하기 때문에, 상부 표면에 수직한 방향 이외에는 도트 패턴 또는 적외선을 조사할 수 없는 문제점이 있다.However, since the vertical cavity surface optical emission laser emits laser in a direction perpendicular to the upper surface, there is a problem in that it cannot irradiate dot patterns or infrared rays in directions other than perpendicular to the upper surface.
이를 해결하기 위하여 확산 장치(diffuser)를 구비할 수 있으나, 수직 캐비티 표면 광방출 레이저가 방출하여 확산 장치를 통과한 도트 패턴 또는 적외선은, 고정된 각도 범위 안에서만 확산될 수 있다.To solve this problem, a diffuser can be provided, but the dot pattern or infrared rays emitted by the vertical cavity surface light-emitting laser and passing through the diffuser can be diffused only within a fixed angle range.
따라서 수직 캐비티 표면 광방출 레이저가 방출한, 도트 패턴 또는 적외선이 확산되는 각도 범위를 조절할 수 있는 장치가 요구되고 있다.Therefore, there is a need for a device that can adjust the angular range over which dot patterns or infrared rays emitted by a vertical cavity surface light-emitting laser are spread.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 수직 캐비티 표면 광방출 레이저에서 방출한 빛이 확산되는 각도 범위를 조절할 수 있는 레이저 방출 각도 가변 소자와, 이를 이용하여 2차원 영상을 획득할 수 있는 장치를 제공하는 것이다.The purpose of the present invention is to solve the above problems, including a laser emission angle variable element that can adjust the angular range in which light emitted from a vertical cavity surface light emission laser is spread, and a two-dimensional image using the same. The goal is to provide a device that can
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 서로 마주보는 레이저 모듈과; 광 굴절 모듈을 포함하고, 상기 레이저 모듈은, 하나 이상의 수직 캐비티 표면 광방출 레이저 다이오드를 포함하고, 상기 광 굴절 모듈은, 전기 활성 고분자 물질을 포함하는 전기 활성 고분자 물질층과; 전기 활성 고분자 물질을 포함하며, 상기 레이저 모듈과 마주보는 상기 전기 활성 고분자 물질층의 제 1 면 또는 상기 전기 활성 고분자 물질층의 제 1 면과 마주보는 상기 전기 활성 고분자 물질층의 제 4 면에 형성한 광학 패턴과; 상기 전기 활성 고분자 물질층의 제 1 면 및 제 4 면과 마주보지 않는 상기 전기 활성 고분자 물질층의 제 2 면에 형성한 제 3 전극과; 상기 전기 활성 고분자 물질층의 제 2 면과 마주보는 상기 전기 활성 고분자 물질층의 제 3 면에 형성한 제 4 전극을 포함하는, 레이저 방출 각도 가변 소자를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention includes laser modules facing each other; A light refraction module comprising: a laser module comprising one or more vertical cavity surface light-emitting laser diodes; the light refraction module comprising: an electroactive polymer material layer comprising an electroactive polymer material; Comprising an electro-active polymer material, formed on a first side of the electro-active polymer material layer facing the laser module or a fourth side of the electro-active polymer material layer facing the first side of the electro-active polymer material layer an optical pattern; a third electrode formed on a second side of the electroactive polymer material layer that faces the first and fourth sides of the electroactive polymer material layer; A laser emission angle variable element is provided, including a fourth electrode formed on a third side of the electroactive polymer material layer facing the second side of the electroactive polymer material layer.
그리고, 상기 광학 패턴은, 상기 전기 활성 고분자 물질층의 제 1 면에 형성하고, 음각의 렌티큘러 렌즈 형태인, 레이저 방출 각도 가변 소자를 제공한다.In addition, the optical pattern is formed on the first surface of the electroactive polymer material layer, and provides a laser emission angle variable element in the form of a concave lenticular lens.
그리고, 상기 광학 패턴은, 상기 전기 활성 고분자 물질층의 제 4 면에 형성하고, 양각의 렌티큘러 렌즈 형태인, 레이저 방출 각도 가변 소자를 제공한다.In addition, the optical pattern is formed on the fourth side of the electroactive polymer material layer, and provides a laser emission angle variable element in the form of a relief lenticular lens.
그리고, 상기 전기 활성 고분자 물질은, 비닐리덴 플루오라이드와, 트리플루오로에틸렌과, 클로로플루오로에틸렌의 공중합체(P(VDF-TrFE-CFE), [poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene-chlorofluoroethylene)])인, 레이저 방출 각도 가변 소자를 제공한다.In addition, the electroactive polymer material is a copolymer of vinylidene fluoride, trifluoroethylene, and chlorofluoroethylene (P(VDF-TrFE-CFE), [poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene-chlorofluoroethylene)]) A laser emission angle variable device is provided.
그리고, 상기 수직 캐비티 표면 광방출 레이저 다이오드는, 제 1 전극층과; n형의 반도체 물질을 도핑한 기판층과; 서로 다른 굴절률을 가진 박막을 교대로 적층하여 형성하고, n형의 반도체 물질을 도핑한 제 1 브래그 미러층과; 양자 우물층과 장벽층을 교대로 적층하여 형성한 활성화층과; 서로 다른 굴절률을 가진 박막을 교대로 적층하여 형성하고, p형의 반도체 물질을 도핑한 제 2 브래그 미러층과; 중앙 영역에 개구를 형성한 제 2 전극층을 포함하고, 상기 제 1 전극층과, 상기 기판층과, 상기 제 1 브래그 미러층과, 상기 활성화층과, 상기 제 2 브래그 미러층과, 상기 제 2 전극층의 순서대로 적층한, 레이저 방출 각도 가변 소자를 제공한다.And, the vertical cavity surface light-emitting laser diode includes a first electrode layer; a substrate layer doped with an n-type semiconductor material; a first Bragg mirror layer formed by alternately stacking thin films with different refractive indices and doped with an n-type semiconductor material; an activation layer formed by alternately stacking quantum well layers and barrier layers; a second Bragg mirror layer formed by alternately stacking thin films with different refractive indices and doped with a p-type semiconductor material; It includes a second electrode layer with an opening formed in a central region, the first electrode layer, the substrate layer, the first Bragg mirror layer, the activation layer, the second Bragg mirror layer, and the second electrode layer. Provided is a laser emission angle variable element stacked in the following order.
그리고, 전기 제어 모듈을 더 포함하고, 상기 전기 제어 모듈은, 광 생성 제어 신호를 수신하여 상기 수직 캐비티 표면 광방출 레이저 다이오드에 전원을 공급하고, 광 방출 각도 제어 신호를 수신하여 광 굴절 모듈에 전원을 공급하는 제어 유닛과; 교류 전기를 직류 전기로 변환하거나, 직류 전기의 크기를 변환하여 상기 제어 유닛에 공급하는 전원 유닛을 포함하는, 레이저 방출 각도 가변 소자를 제공한다.It further includes an electrical control module, wherein the electrical control module receives a light generation control signal to supply power to the vertical cavity surface light-emitting laser diode, and receives a light emission angle control signal to power the light refraction module. a control unit that supplies; A laser emission angle variable element is provided, including a power unit that converts alternating current electricity into direct current electricity or converts the size of direct current electricity and supplies it to the control unit.
그리고, 상기 레이저 모듈과, 상기 광 굴절 모듈과, 상기 전기 제어 모듈을 수용하는 케이스 모듈을 더 포함하는, 레이저 방출 각도 가변 소자를 제공한다.In addition, a laser emission angle variable element is provided, further comprising a case module accommodating the laser module, the optical refraction module, and the electrical control module.
본 발명의 다른 실시 예는, 상기 레이저 방출 각도 가변 소자와; 수광 렌즈 모듈과; 2차원 영상 센서 모듈과; 영상 처리 모듈을 포함하고, 상기 레이저 방출 각도 가변 소자는, 제 1 광을 방출하고, 상기 수광 렌즈 모듈은, 피사체가 상기 제 1 광을 조사 받아 반사한 제 2 광을 수광하고, 상기 2차원 영상 센서 모듈은, 상기 제 2 광을 2차원 정지 영상의 색상 정보를 포함한 전기 신호인 2차원 색상 신호로 변환하고, 상기 영상 처리 모듈은, 상기 2차원 색상 신호를 디지털 신호로 변환하여 2차원 영상 데이터를 생성하는, 2차원 영상 획득 장치를 제공한다.Another embodiment of the present invention includes the laser emission angle variable element; A light receiving lens module; a two-dimensional image sensor module; An image processing module is included, wherein the laser emission angle variable element emits first light, and the light-receiving lens module receives second light reflected by a subject irradiated with the first light, and produces the two-dimensional image. The sensor module converts the second light into a two-dimensional color signal, which is an electrical signal containing color information of a two-dimensional still image, and the image processing module converts the two-dimensional color signal into a digital signal to produce two-dimensional image data. Provides a two-dimensional image acquisition device that generates.
그리고, 상기 2차원 영상 센서 모듈은, CCD 이미지 센서(Charged Couple Device image sensor) 또는 CMOS 액티브 픽셀 센서(Complementary Metal-Oxide Semiconductor active pixel sensor)인, 2차원 영상 획득 장치를 제공한다.In addition, the two-dimensional image sensor module provides a two-dimensional image acquisition device that is a CCD image sensor (Charged Couple Device image sensor) or a CMOS active pixel sensor (Complementary Metal-Oxide Semiconductor active pixel sensor).
그리고, 제어 모듈을 더 포함하고, 상기 제어 모듈은, 광 생성 제어 신호를 상기 레이저 방출 각도 가변 소자로 송신하여, 상기 상기 레이저 방출 각도 가변 소자가 상기 제 1 광을 생성하도록 제어하고, 광 방출 각도 제어 신호를 상기 레이저 방출 각도 가변 소자로 송신하여, 상기 레이저 방출 각도 가변 소자가 상기 제 1 광을 방출할 때 출사 각도를 조절하도록 제어하고, 2차원 영상 데이터 생성 신호를 상기 영상 처리 모듈로 송신하여, 상기 영상 처리 모듈이 상기 2차원 영상 데이터를 생성하도록 제어하는, 2차원 영상 획득 장치를 제공한다.And, it further includes a control module, wherein the control module transmits a light generation control signal to the laser emission angle variable element to control the laser emission angle variable element to generate the first light, and the light emission angle is Transmitting a control signal to the laser emission angle variable element to control the emission angle when the laser emission angle variable element emits the first light, and transmitting a two-dimensional image data generation signal to the image processing module , providing a two-dimensional image acquisition device that controls the image processing module to generate the two-dimensional image data.
그리고, 출력 모듈을 더 포함하고, 상기 출력 모듈은 디스플레이 장치인 표시 유닛을 포함하며, 상기 표시 유닛은 상기 2차원 영상 데이터를 표시하는, 2차원 영상 획득 장치를 제공한다.And, it further includes an output module, wherein the output module includes a display unit that is a display device, and the display unit displays the two-dimensional image data.
본 발명의 레이저 방출 각도 가변 소자는, 수직 캐비티 표면 광방출 레이저와, 수직 캐비티 표면 광방출 레이저와 마주 보며 전기 활성 고분자 물질로 이루어진 광학 패턴 및 전기 활성 고분자 물질층을 포함하고, 전기 활성 고분자 물질에 인가되는 전압의 차이로 인한 굴절률의 변화를 이용하여, 수직 캐비티 표면 광방출 레이저에서 방출한 빛이 확산되는 각도 범위를 조절할 수 있다.The laser emission angle variable element of the present invention includes a vertical cavity surface light-emitting laser, an optical pattern made of an electroactive polymer material and a layer of an electroactive polymer material facing the vertical cavity surface light emission laser, and the electroactive polymer material By using the change in refractive index due to the difference in applied voltage, the angular range in which the light emitted from the vertical cavity surface light-emitting laser is spread can be adjusted.
또한 레이저 방출 각도 가변 소자를 포함한 2차원 영상 획득 장치는, 빛이 방출되는 각도 범위를 조절하여 촬영 영역을 용이하게 지정할 수 있기 때문에, 사용자는 편리하게 2차원 영상 데이터를 획득할 수 있다.In addition, a two-dimensional image acquisition device including a laser emission angle variable element can easily specify an imaging area by adjusting the angle range in which light is emitted, allowing users to conveniently acquire two-dimensional image data.
도 1a와 도 1b는 각각, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 레이저 방출 각도 가변 소자를 간략하게 나타낸 사시도와 종단면도이다.
도 2a와 도 2b는 각각, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 레이저 방출 각도 가변 소자를 간략하게 나타낸 사시도와 종단면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시 예에서 레이저 모듈을 간략하게 나타낸 종단면도이다.
도 3b와 도 3c는 본 발명의 각각의 실시 예에서 레이저 모듈의 평면도를 간략하게 나타낸 도면이다.
도 4a와 도 4b는 각각, 본 발명의 제 1 실시 예에서 광 굴절 모듈을 간략하게 나타낸 사시도와 종단면도이다.
도 4c는 본 발명의 제 1 실시 예에서 제 1 광이 광 굴절 모듈에 입사하기 전후의 각도를 나타낸 도면이다.
도 5a와 도 5b는 각각, 본 발명의 제 2 실시 예에서 광 굴절 모듈을 간략하게 나타낸 사시도와 종단면도이다.
도 5c는 본 발명의 제 2 실시 예에서 제 1 광이 광 굴절 모듈에서 출사하기 전후의 각도를 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 2차원 영상 획득 장치를 간략하게 나타낸 블록도이다.1A and 1B are a perspective view and a longitudinal cross-sectional view, respectively, schematically showing a laser emission angle variable device according to a first embodiment of the present invention.
Figures 2a and 2b are a perspective view and a longitudinal cross-sectional view, respectively, schematically showing a laser emission angle variable device according to a second embodiment of the present invention.
Figure 3a is a longitudinal cross-sectional view briefly showing a laser module in one embodiment of the present invention.
Figures 3b and 3c are schematic diagrams showing the top view of the laser module in each embodiment of the present invention.
Figures 4a and 4b are a perspective view and a longitudinal cross-sectional view, respectively, schematically showing the light refraction module in the first embodiment of the present invention.
Figure 4c is a diagram showing the angle before and after the first light is incident on the light refraction module in the first embodiment of the present invention.
5A and 5B are a perspective view and a longitudinal cross-sectional view, respectively, schematically showing a light refraction module in a second embodiment of the present invention.
Figure 5c is a diagram showing the angle before and after the first light is emitted from the light refraction module in the second embodiment of the present invention.
Figure 6 is a block diagram briefly showing a two-dimensional image acquisition device according to an embodiment of the present invention.
본 발명은 취지를 벗어나지 않는 한도에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있고, 하나 이상의 실시 예를 가질 수 있다. 그리고 본 발명에서 “발명을 실시하기 위한 구체적인 내용” 및 “도면” 등에 기재한 실시 예는, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 예시이며, 본 발명의 권리 범위를 제한하거나 한정하는 것은 아니다.The present invention can be implemented with various changes without departing from the spirit, and can have one or more embodiments. In addition, in the present invention, the embodiments described in “specific details for carrying out the invention” and “drawings” are examples for specifically explaining the present invention, and do not limit or limit the scope of the present invention.
따라서, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자가, 본 발명의 “발명을 실시하기 위한 구체적인 내용” 및 “도면” 등으로부터 용이하게 유추할 수 있는 것은, 본 발명의 범위에 속하는 것으로 해석할 수 있다.Accordingly, what a person skilled in the art of the present invention can easily infer from the “specific details for carrying out the invention” and “drawings” of the present invention shall be interpreted as falling within the scope of the present invention. can do.
또한, 도면에 표시한 각 구성 요소들의 크기와 형태는, 실시 예의 설명을 위해 과장되어 표현한 것 일 수 있으며, 실제로 실시되는 발명의 크기와 형태를 한정하는 것은 아니다.In addition, the size and shape of each component shown in the drawings may be exaggerated for description of the embodiment, and do not limit the size and shape of the invention in actual practice.
본 발명의 명세서에서 사용되는 용어를 특별히 정의하지 않는 이상, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 일반적으로 이해하는 것과 동일한 의미를 가질 수 있다.Unless the terms used in the specification of the present invention are specifically defined, they may have the same meaning as those generally understood by those skilled in the art to which the present invention pertains.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 1a와 도 1b는 각각, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 레이저 방출 각도 가변 소자를 간략하게 나타낸 사시도와 종단면도이다. 도 2a와 도 2b는 각각, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 레이저 방출 각도 가변 소자를 간략하게 나타낸 사시도와 종단면도이다.1A and 1B are a perspective view and a longitudinal cross-sectional view, respectively, schematically showing a laser emission angle variable device according to a first embodiment of the present invention. Figures 2a and 2b are a perspective view and a longitudinal cross-sectional view, respectively, schematically showing a laser emission angle variable device according to a second embodiment of the present invention.
본 발명의 일 실시 예에 따른 레이저 방출 각도 가변 소자(100)는, 빛을 생성하여 외부로 방출할 수 있다. 또한 본 발명의 일 실시 예에 따른 레이저 방출 각도 가변 소자(100)는, 빛의 방출 각도를 조절할 수 있다.The laser emission angle variable element 100 according to an embodiment of the present invention can generate light and emit it to the outside. Additionally, the laser emission angle variable element 100 according to an embodiment of the present invention can adjust the emission angle of light.
본 발명의 일 실시 예에 따른 레이저 방출 각도 가변 소자(100)는, 레이저 모듈(110)과, 광 굴절 모듈(120)과, 전기 제어 모듈(130)과, 케이스 모듈(140)을 포함할 수 있다.The laser emission angle variable element 100 according to an embodiment of the present invention may include a laser module 110, an optical refraction module 120, an electrical control module 130, and a case module 140. there is.
본 발명의 제 1 실시 예와 제 2 실시 예는 광 굴절 모듈(120)의 구조에서 차이가 있으며, 도 4a 내지 도 4c와 도 5a 내지 도 5c에서 이를 설명한다.There is a difference between the first and second embodiments of the present invention in the structure of the light refraction module 120, which is explained in FIGS. 4A to 4C and 5A to 5C.
도 3a는 본 발명의 일 실시 예에서 레이저 모듈을 간략하게 나타낸 종단면도이고, 도 3b와 도 3c는 본 발명의 각각의 실시 예에서 레이저 모듈의 평면도를 간략하게 나타낸 도면이다.FIG. 3A is a longitudinal cross-sectional view briefly showing the laser module in one embodiment of the present invention, and FIGS. 3B and 3C are schematic plan views of the laser module in each embodiment of the present invention.
도 3a는 레이저 모듈(110)이 하나의 수직 캐비티 표면 광방출 레이저(VCSEL) 다이오드를 포함할 때, 레이저 모듈(110)의 종단면을 나타낸 것이다.FIG. 3A shows a longitudinal cross-section of the laser module 110 when the laser module 110 includes one vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) diode.
레이저 모듈(110)은, 빛을 생성할 수 있다. 레이저 모듈(110)은 수직 캐비티 표면 광방출 레이저(VCSEL) 다이오드일 수 있고, 전기 신호를 공급 받아 광 신호로 변환할 수 있다.The laser module 110 can generate light. The laser module 110 may be a vertical cavity surface light emitting laser (VCSEL) diode, and may receive electrical signals and convert them into optical signals.
도 3a에 도시한 것과 같이 레이저 모듈(110)은, 순서대로 적층한 제 1 전극층(111)과, 기판층(112)과, 제 1 브래그 미러층(113)과, 활성화층(114)과, 제 2 브래그 미러층(115)과, 제 2 전극층(116)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 3A, the laser module 110 includes a first electrode layer 111, a substrate layer 112, a first Bragg mirror layer 113, an activation layer 114, which are stacked in order, It may include a second Bragg mirror layer 115 and a second electrode layer 116.
제 1 전극층(111)과 제 2 전극층(116)은 불투명 도전성 물질로 이루어진 전극일 수 있다. 예를 들어 제 1 전극층(111)과 제 2 전극층(116)은 각각, 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 또는 이들의 합금 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.The first electrode layer 111 and the second electrode layer 116 may be electrodes made of an opaque conductive material. For example, the first electrode layer 111 and the second electrode layer 116 are aluminum (Al), titanium (Ti), iron (Fe), nickel (Ni), copper (Cu), silver (Ag), and gold, respectively. It may be made of (Au) or any of these alloys.
또는 제 1 전극층(111)과 제 2 전극층(116)은 투명 도전성 물질로 이루어진 전극일 수 있다. 예를 들어 제 1 전극층(111)과 제 2 전극층(116)은 각각, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.제 1 전극층(111)과 제 2 전극층(116)은 하나의 층으로 이루어질 수 있다. 또는 제 1 전극층(111)과 제 2 전극층(116)은 2개 이상의 층으로 이루어질 수 있으며, 각각의 층은 불투명 도전성 물질 또는 투명 도전성 물질로 이루어질 수 있다.Alternatively, the first electrode layer 111 and the second electrode layer 116 may be electrodes made of a transparent conductive material. For example, the first electrode layer 111 and the second electrode layer 116 may be made of either ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide), respectively. The first electrode layer 111 and the second electrode layer ( 116) may consist of one layer. Alternatively, the first electrode layer 111 and the second electrode layer 116 may be made of two or more layers, and each layer may be made of an opaque conductive material or a transparent conductive material.
제 2 전극층(116)은 중앙 영역에 개구(aperture, OP)를 형성한 것일 수 있다. 활성화층(114)에서 생성한 빛은 개구(OP)를 통과하여 레이저 모듈(110)의 외부로 방출될 수 있다.The second electrode layer 116 may have an opening (OP) formed in the central area. Light generated in the activation layer 114 may pass through the opening OP and be emitted to the outside of the laser module 110.
기판층(112)은 n형(n-type)의 반도체 물질을 도핑하여 이루어진 것일 수 있다. 예를 들어 기판층(112)은 갈륨비소(GaAs)에 n형 도펀트를 첨가하여 이루어진 것일 수 있다.The substrate layer 112 may be made by doping an n-type semiconductor material. For example, the substrate layer 112 may be formed by adding an n-type dopant to gallium arsenide (GaAs).
제 1 브래그 미러층(113)과 제 2 브래그 미러층(115)은 각각, 굴절률이 상대적으로 높은 박막과, 굴절률이 상대적으로 낮은 박막을 교대로 적층하여 이루어진 것일 수 있다. 그리고 그 박막의 두께는, 레이저 모듈(110)에서 방출하는 빛의 파장의 1/4일 수 있다.The first Bragg mirror layer 113 and the second Bragg mirror layer 115 may be formed by alternately stacking thin films with a relatively high refractive index and thin films with a relatively low refractive index, respectively. And the thickness of the thin film may be 1/4 of the wavelength of light emitted from the laser module 110.
제 1 브래그 미러층(113)은 n형(n-type)의 반도체 물질을 도핑하여 이루어진 것일 수 있다. 예를 들어 제 1 브래그 미러층(113)은, 알루미늄비소(AlAs) 또는 갈륨비소(GaAs)에 n형 도펀트를 첨가하여 이루어진 것일 수 있다.The first Bragg mirror layer 113 may be made by doping an n-type semiconductor material. For example, the first Bragg mirror layer 113 may be formed by adding an n-type dopant to aluminum arsenide (AlAs) or gallium arsenide (GaAs).
제 2 브래그 미러층(115)은 p형(p-type)의 반도체 물질을 도핑하여 이루어진 것일 수 있다. 예를 들어 제 2 브래그 미러층(115)은, 알루미늄갈륨비소(AlGaAs) 또는 갈륨비소(GaAs)에 p형 도펀트를 첨가하여 이루어진 것일 수 있다.The second Bragg mirror layer 115 may be made by doping a p-type semiconductor material. For example, the second Bragg mirror layer 115 may be formed by adding a p-type dopant to aluminum gallium arsenide (AlGaAs) or gallium arsenide (GaAs).
활성화층(114)은 하나의 양자 우물층으로 이루어진 단일 양자 우물 구조일 수 있다.The activation layer 114 may have a single quantum well structure consisting of one quantum well layer.
또는 활성화층(114)은 양자 우물층(114a)과 장벽층(114b)을 교대로 적층하여 형성한 다중 양자 우물 구조일 수 있다. 이때 양자 우물층(114a)은 예를 들어 인듐갈륨비소(InGaAs)로 이루어질 수 있고, 장벽층(114b)은 예를 들어 갈륨비소(GaAs)로 이루어질 수 있다.Alternatively, the activation layer 114 may be a multi-quantum well structure formed by alternately stacking quantum well layers 114a and barrier layers 114b. At this time, the quantum well layer 114a may be made of, for example, indium gallium arsenide (InGaAs), and the barrier layer 114b may be made of, for example, gallium arsenide (GaAs).
제 1 전극층(111)과 제 2 전극층(116)에 각각 전압을 인가할 때, 전자와 정공이 활성화층(114)에서 재결합한 다음 기저 상태로 돌아가게 되면서, 제 1 광(L1)을 생성할 수 있다. 활성화층(114)에서 생성한 제 1 광(L1)은, 제 1 브래그 미러층(113)과 제 2 브래그 미러층(115) 사이에서 반사를 반복하여 발진하게 되고, 광 신호의 크기가 증폭될 수 있다. 그리고 제 1 광(L1)은 제 2 전극층(116)에 수직하는 제 1 방향(D1)으로 방출될 수 있다.When voltage is applied to the first electrode layer 111 and the second electrode layer 116, electrons and holes recombine in the activation layer 114 and then return to the ground state, thereby generating the first light L1. You can. The first light L1 generated in the activation layer 114 is repeatedly reflected and oscillated between the first Bragg mirror layer 113 and the second Bragg mirror layer 115, and the size of the optical signal is amplified. You can. And the first light L1 may be emitted in the first direction D1 perpendicular to the second electrode layer 116.
레이저 모듈(110)은 하나 이상의 수직 캐비티 표면 광방출 레이저 다이오드(VCSEL)를 포함할 수 있다.Laser module 110 may include one or more vertical cavity surface emitting laser diodes (VCSEL).
하나 이상의 수직 캐비티 표면 광방출 레이저 다이오드(VCSEL)를 배치하는 형태는, 레이저 모듈(110)이 생성하여 외부로 방출하고자 하는 도트 패턴의 형태에 따를 수 있다.The form of arranging one or more vertical cavity surface light-emitting laser diodes (VCSEL) may depend on the form of the dot pattern that the laser module 110 wants to generate and emit to the outside.
예를 들어 도 3b에 도시한 것과 같이, 하나 이상의 수직 캐비티 표면 광방출 레이저 다이오드(VCSEL)를 행렬 형태로 배치하여, 레이저 모듈(110)이 행렬 형태의 도트 패턴을 방출하도록 할 수 있다. 또는 도 3c에 도시한 것과 같이, 하나 이상의 수직 캐비티 표면 광방출 레이저 다이오드(VCSEL)를 방사 형태로 배치하여, 레이저 모듈(110)이 방사 형태의 도트 패턴을 방출하도록 할 수 있다.For example, as shown in FIG. 3B, one or more vertical cavity surface light emitting laser diodes (VCSEL) can be arranged in a matrix form so that the laser module 110 emits a dot pattern in a matrix form. Alternatively, as shown in FIG. 3C, one or more vertical cavity surface light-emitting laser diodes (VCSEL) may be arranged in a radiating form so that the laser module 110 emits a radiating dot pattern.
도 4a와 도 4b는 각각, 본 발명의 제 1 실시 예에서 광 굴절 모듈을 간략하게 나타낸 사시도와 종단면도이다. 도 4c는 본 발명의 제 1 실시 예에서 제 1 광이 광 굴절 모듈에 입사하기 전후의 각도를 나타낸 도면이다.Figures 4a and 4b are a perspective view and a longitudinal cross-sectional view, respectively, schematically showing the light refraction module in the first embodiment of the present invention. Figure 4c is a diagram showing the angle before and after the first light is incident on the light refraction module in the first embodiment of the present invention.
본 발명의 제 1 실시 예에서 광 굴절 모듈(120)은, 빛의 방출 각도를 조절할 수 있다. 광 굴절 모듈(120)은 전기 활성 고분자(Electro-active polymer, EAP)을 포함할 수 있고, 레이저 모듈(도 1a, 도 1b의 110)이 생성한 제 1 광(L1)을 레이저 방출 각도 가변 소자(100)에서 방출할 때의 각도를 변화시킬 수 있다.In the first embodiment of the present invention, the light refraction module 120 can adjust the emission angle of light. The light refraction module 120 may include an electro-active polymer (EAP), and transmits the first light L1 generated by the laser module (110 in FIGS. 1A and 1B) to a laser emission angle variable element. The angle of emission at (100) can be changed.
광 굴절 모듈(120)은, 광학 패턴(121)과, 제 3 전극(122)과, 제 4 전극(123)과, 전기 활성 고분자 물질층(124)을 포함할 수 있다.The light refraction module 120 may include an optical pattern 121, a third electrode 122, a fourth electrode 123, and an electroactive polymer material layer 124.
전기 활성 고분자층(124)의 제 1 면(F1)은, 광 굴절 모듈(120)이 레이저 모듈(도 1a, 도 1b의 110)과 마주보는 면으로 정의한다. 전기 활성 고분자층(124)의 제 2 면(F2)과 제 3 면(F3)은 서로 마주보며, 제 2 면(F2)과 제 3 면(F3)은 각각 제 1 면(F1)과 마주보지 않는 것으로 정의한다.The first side (F1) of the electroactive polymer layer 124 is defined as the side where the light refraction module 120 faces the laser module (110 in FIGS. 1A and 1B). The second side (F2) and the third side (F3) of the electroactive polymer layer 124 face each other, and the second side (F2) and the third side (F3) do not face the first side (F1), respectively. Defined as not.
광학 패턴(121)은 렌티큘러 렌즈(lenticular lens)의 형태일 수 있으며, 전기 활성 고분자 물질층(124)의 제 1 면(F1)에, 반원통 형태의 렌즈들을 평행하게 배열하여 형성할 수 있다. 이에 따라 광학 패턴(121)을 제 1 방향(D1)으로 바라볼 때(즉, 레이저 모듈(도 1a, 도 1b의 110)에서 광 굴절 모듈(120)을 바라볼 때), 오목한 형태로 보일 수 있다. 즉, 음각의 렌티큘러 렌즈 형태일 수 있다.The optical pattern 121 may be in the form of a lenticular lens, and may be formed by arranging semi-cylindrical lenses in parallel on the first surface (F1) of the electroactive polymer material layer 124. Accordingly, when the optical pattern 121 is viewed in the first direction D1 (i.e., when looking at the optical refraction module 120 from the laser module (110 in FIGS. 1A and 1B)), it may appear to have a concave shape. there is. That is, it may be in the form of a concave lenticular lens.
광학 패턴(121)은, 레이저 모듈(도 1a, 도 1b의 110)에서 방출한 제 1 광(L1)을 광 굴절 모듈(120)의 내부에서 확산시킬 수 있다.The optical pattern 121 may diffuse the first light L1 emitted from the laser module (110 in FIGS. 1A and 1B) inside the light refraction module 120.
제 3 전극(122)과 제 4 전극(123)은 서로 마주보며 위치할 수 있다. 예를 들어 제 3 전극(122)은 전기 활성 고분자 물질층(124)의 제 2 면(F2)에 위치할 수 있고, 제 4 전극(123)은 전기 활성 고분자 물질층(124)의 제 3 면(F3)에 위치할 수 있다.The third electrode 122 and the fourth electrode 123 may be positioned facing each other. For example, the third electrode 122 may be located on the second side (F2) of the electroactive polymer material layer 124, and the fourth electrode 123 may be located on the third side of the electroactive polymer material layer 124. It can be located at (F3).
제 3 전극(122)과 제 4 전극(123)은 불투명 도전성 물질로 이루어진 전극일 수 있다. 예를 들어 제 3 전극(122)과 제 4 전극(123)은 각각, 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 철(Fe), 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 또는 이들의 합금 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.The third electrode 122 and the fourth electrode 123 may be electrodes made of an opaque conductive material. For example, the third electrode 122 and the fourth electrode 123 are aluminum (Al), titanium (Ti), iron (Fe), nickel (Ni), copper (Cu), silver (Ag), and gold, respectively. It may be made of (Au) or any of these alloys.
또는 제 3 전극(122)과 제 4 전극(123)은 투명 도전성 물질로 이루어진 전극일 수 있다. 예를 들어 제 3 전극(122)과 제 4 전극(123)은 각각, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.Alternatively, the third electrode 122 and the fourth electrode 123 may be electrodes made of a transparent conductive material. For example, the third electrode 122 and the fourth electrode 123 may be made of either ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide), respectively.
광학 패턴(121)과 전기 활성 고분자 물질층(124)의 내부에는 전기 활성 고분자 물질(EAP)이 채워질 수 있다. 전기 활성 고분자 물질(EAP)은 비닐리덴 플루오라이드와, 트리플루오로에틸렌과, 클로로플루오로에틸렌의 공중합체(P(VDF-TrFE-CFE), [poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene-chlorofluoroethylene)])일 수 있다. 그리고 광학 패턴(121)과 전기 활성 고분자 물질층(124)의 경계는, 전기 활성 고분자 물질(EAP)이 통과할 수 있도록 벽으로 막혀 있지 않을 수 있다.The interior of the optical pattern 121 and the electroactive polymer material layer 124 may be filled with an electroactive polymer material (EAP). Electroactive polymer materials (EAPs) are copolymers of vinylidene fluoride, trifluoroethylene, and chlorofluoroethylene (P(VDF-TrFE-CFE), [poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene-chlorofluoroethylene)]). You can. Additionally, the boundary between the optical pattern 121 and the electroactive polymer material layer 124 may not be blocked by a wall to allow the electroactive polymer material (EAP) to pass through.
광학 패턴(121)과 전기 활성 고분자 물질층(124)은 전기장이 인가됨에 따라, 그 굴절률이 다음 수학식1에 따른 수치만큼 변할 수 있다.As an electric field is applied to the optical pattern 121 and the electroactive polymer material layer 124, the refractive index of the optical pattern 121 and the electroactive polymer material layer 124 may change by a value according to Equation 1 below.
수학식1에서, 는 제 1 광(L1)의 파장을 나타내고, k는 전기 활성 고분자 물질(EAP)의 커 상수(Kerr constant)를 나타내며, E는 전기 활성 고분자 물질(EAP)에 인가되는 전기장의 크기를 나타낸다.In equation 1, represents the wavelength of the first light (L1), k represents the Kerr constant of the electroactive polymer material (EAP), and E represents the size of the electric field applied to the electroactive polymer material (EAP).
제 3 전극(122)과 제 4 전극(123)에 각각 전압을 인가하면 그 사이에 전기장이 형성되어, 광학 패턴(121)과 전기 활성 고분자 물질층(124) 내부의 전기 활성 고분자 물질(EAP)의 굴절률이 만큼 변할 수 있다.When a voltage is applied to the third electrode 122 and the fourth electrode 123, an electric field is formed between them, and the electroactive polymer material (EAP) inside the optical pattern 121 and the electroactive polymer material layer 124 The refractive index of It can change as much as
제 1 광(L1)이 광 굴절 모듈(120)에 입사되기 전후의 각도는, 스넬의 법칙(Snell's Law)에 따라 다음 수학식2와 같이 나타낼 수 있다.The angle before and after the first light L1 is incident on the light refraction module 120 can be expressed as Equation 2 below according to Snell's Law.
수학식2에서 은 광 굴절 모듈(120) 외부의 굴절률을 나타내고, 공기의 굴절률과 동일할 수 있다. 은 제 1 광(L1)이 광 굴절 모듈(120)로 입사되기 전 법선(P)에 대한 각도를 나타낸다. 는 전기 활성 고분자 물질(EAP)의 굴절률을 나타내고, 는 광 굴절 모듈(120)로 입사된 후 법선(P)에 대한 각도를 나타내는 굴절각이다.In Equation 2 represents the refractive index outside the light refraction module 120 and may be the same as the refractive index of air. represents the angle with respect to the normal line (P) before the first light (L1) is incident on the light refraction module 120. represents the refractive index of the electroactive polymer material (EAP), is a refraction angle representing the angle with respect to the normal line (P) after the light is incident on the refraction module 120.
전기 활성 고분자 물질(EAP)의 굴절률()이 증가할 때는 제 1 광(L1)의 굴절각()이 감소하게 된다. 반대로 전기 활성 고분자 물질(EAP)의 굴절률()이 감소할 때는 제 1 광(L1)의 굴절각()이 증가하게 된다.Refractive index of electroactive polymer materials (EAP) ( ) increases, the refraction angle of the first light (L1) ( ) decreases. Conversely, the refractive index of electroactive polymer materials (EAP) ( ) decreases, the refraction angle of the first light (L1) ( ) increases.
제 1 광(L1)의 굴절각()이 감소한 경우, 제 1 광(L1)이 광 굴절 모듈(120)에서 방출될 때 출사 영역이 증가될 수 있다. 반대로 제 1 광(L1)의 굴절각()이 증가한 경우, 제 1 광(L1)이 광 굴절 모듈(120)에서 방출될 때 출사 영역이 감소될 수 있다.The refraction angle of the first light (L1) ( ) is reduced, the emission area when the first light L1 is emitted from the light refraction module 120 may be increased. Conversely, the refraction angle of the first light (L1) ( ) increases, the emission area when the first light L1 is emitted from the light refraction module 120 may be reduced.
이에 따라 광 굴절 모듈(120) 내부의 전기 활성 고분자 물질(EAP)에 인가되는 전기장의 크기를 조절하여, 전기 활성 고분자 물질(EAP)의 굴절률()을 변화시킴으로써, 제 1 광(L1)의 출사 영역을 제어할 수 있다.Accordingly, by adjusting the size of the electric field applied to the electroactive polymer material (EAP) inside the light refraction module 120, the refractive index ( ), the emission area of the first light L1 can be controlled.
도 5a와 도 5b는 각각, 본 발명의 제 2 실시 예에서 광 굴절 모듈을 간략하게 나타낸 사시도와 종단면도이다. 도 5c는 본 발명의 제 2 실시 예에서 제 1 광이 광 굴절 모듈에서 출사하기 전후의 각도를 나타낸 도면이다.5A and 5B are a perspective view and a longitudinal cross-sectional view, respectively, schematically showing a light refraction module in a second embodiment of the present invention. Figure 5c is a diagram showing the angle before and after the first light is emitted from the light refraction module in the second embodiment of the present invention.
본 발명의 제 2 실시 예에서 광 굴절 모듈(120)이 포함하는 광학 패턴(121)과, 제 3 전극(122)과, 제 4 전극(123)과, 전기 활성 고분자 물질층(124)은 각각, 제 1 실시 예의 대응되는 구성과 동일할 수 있다. 또한 광학 패턴(121)과, 제 3 전극(122)과, 제 4 전극(123)과, 전기 활성 고분자 물질층(124)를 이루는 물질은 각각, 제 1 실시 예의 대응되는 구성과 동일할 수 있다.In the second embodiment of the present invention, the optical pattern 121, the third electrode 122, the fourth electrode 123, and the electroactive polymer material layer 124 included in the light refraction module 120 are each , may be the same as the corresponding configuration of the first embodiment. In addition, the materials forming the optical pattern 121, the third electrode 122, the fourth electrode 123, and the electroactive polymer material layer 124 may be the same as the corresponding configuration of the first embodiment. .
전기 활성 고분자층(124)의 제 1 면(F1)은, 광 굴절 모듈(120)이 레이저 모듈(도 2a, 도 2b의 110)과 마주보는 면으로 정의한다. 전기 활성 고분자층(124)의 제 2 면(F2)과 제 3 면(F3)은 서로 마주보며, 제 2 면(F2)과 제 3 면(F3)은 각각 제 1 면(F1)과 마주보지 않는 것으로 정의한다. 전기 활성 고분자층(124)의 제 4 면(F4)은 제 1 면(F1)과 마주보는 면으로 정의한다.The first side (F1) of the electroactive polymer layer 124 is defined as the side where the light refraction module 120 faces the laser module (110 in FIGS. 2A and 2B). The second side (F2) and the third side (F3) of the electroactive polymer layer 124 face each other, and the second side (F2) and the third side (F3) do not face the first side (F1), respectively. Defined as not. The fourth side (F4) of the electroactive polymer layer 124 is defined as the side facing the first side (F1).
광학 패턴(121)은 렌티큘러 렌즈(lenticular lens)의 형태일 수 있으며, 전기 활성 고분자 물질층(124)의 제 4 면(F4)에, 반원통 형태의 렌즈들을 평행하게 배열하여 형성할 수 있다. 이에 따라 광학 패턴(121)을 제 2 방향(D2)으로 바라볼 때(즉, 레이저 방출 각도 가변 소자(도 2a, 도 2b의 100)의 외부에서 광 굴절 모듈(120)을 바라볼 때), 볼록한 형태로 보일 수 있다. 즉, 양각의 렌티큘러 렌즈 형태일 수 있다. 그리고 광학 패턴(121)과 전기 활성 고분자 물질층(124)의 경계는, 전기 활성 고분자 물질(EAP)이 통과할 수 있도록 벽으로 막혀 있지 않을 수 있다.The optical pattern 121 may be in the form of a lenticular lens, and may be formed by arranging semi-cylindrical lenses in parallel on the fourth surface F4 of the electroactive polymer material layer 124. Accordingly, when the optical pattern 121 is viewed in the second direction D2 (i.e., when the light refraction module 120 is viewed from the outside of the laser emission angle variable element (100 in FIGS. 2A and 2B), It may appear in a convex shape. That is, it may be in the form of a positive lenticular lens. Additionally, the boundary between the optical pattern 121 and the electroactive polymer material layer 124 may not be blocked by a wall to allow the electroactive polymer material (EAP) to pass through.
광학 패턴(121)은, 광 굴절 모듈(120)의 내부로 입사된 제 1 광(L1)을 확산하여 방출할 수 있다.The optical pattern 121 may diffuse and emit the first light L1 incident into the light refraction module 120.
제 3 전극(122)과 제 4 전극(123)은 서로 마주보며 위치할 수 있다. 예를 들어 제 3 전극(122)은 전기 활성 고분자 물질층(124)의 제 2 면(F2)에 위치할 수 있고, 제 4 전극(123)은 전기 활성 고분자 물질층(124)의 제 3 면(F3)에 위치할 수 있다.The third electrode 122 and the fourth electrode 123 may be positioned facing each other. For example, the third electrode 122 may be located on the second side (F2) of the electroactive polymer material layer 124, and the fourth electrode 123 may be located on the third side of the electroactive polymer material layer 124. It can be located at (F3).
광학 패턴(121)과 전기 활성 고분자 물질층(124)은 전기장이 인가됨에 따라, 그 굴절률이 상기 수학식1에 따른 수치만큼 변할 수 있다.As an electric field is applied to the optical pattern 121 and the electroactive polymer material layer 124, the refractive index of the optical pattern 121 and the electroactive polymer material layer 124 may change by the value according to Equation 1 above.
제 3 전극(122)과 제 4 전극(123)에 각각 전압을 인가하면 그 사이에 전기장이 형성되어, 광학 패턴(121)과 전기 활성 고분자 물질층(124) 내부의 전기 활성 고분자 물질(EAP)의 굴절률이 변할 수 있다.When a voltage is applied to the third electrode 122 and the fourth electrode 123, an electric field is formed between them, and the electroactive polymer material (EAP) inside the optical pattern 121 and the electroactive polymer material layer 124 The refractive index may change.
제 1 광(L1)이 광 굴절 모듈(120)에서 방출되기 전후의 각도는, 스넬의 법칙(Snell's Law)에 따라 다음 수학식3과 같이 나타낼 수 있다.The angle before and after the first light L1 is emitted from the light refraction module 120 can be expressed as Equation 3 below according to Snell's Law.
수학식3에서 은 전기 활성 고분자 물질(EAP)의 굴절률을 나타낸다. 은 광 굴절 모듈(120)로 진입한 제 1 광(L1)이 광학 패턴(121)과 광 굴절 모듈(120) 외부의 경계에 닿을 때 법선(P)에 대한 각도를 나타낸다. 는 광 굴절 모듈(120) 외부의 굴절률을 나타내고, 공기의 굴절률과 동일할 수 있다. 는 제 1 광(L1)이 광 굴절 모듈(120)에서 방출될 때 법선(P)에 대한 각도를 나타내는 출사각이다. In Equation 3 represents the refractive index of the electroactive polymer material (EAP). represents the angle with respect to the normal line P when the first light L1 entering the light refraction module 120 touches the optical pattern 121 and the outer boundary of the light refraction module 120. represents the refractive index outside the light refraction module 120 and may be the same as the refractive index of air. is an emission angle representing the angle with respect to the normal line P when the first light L1 is emitted from the light refraction module 120.
전기 활성 고분자 물질(EAP)의 굴절률()이 증가할 때는 제 1 광(L1)의 출사각()이 증가하게 된다. 반대로 광 굴절 모듈(120)의 굴절률()이 감소할 때는 제 1 광(L1)의 출사각()이 감소하게 된다.Refractive index of electroactive polymer materials (EAP) ( ) increases, the emission angle of the first light (L1) ( ) increases. Conversely, the refractive index of the light refractive module 120 ( ) decreases, the emission angle of the first light (L1) ( ) decreases.
제 1 광(L1)의 출사각()이 증가한 경우, 제 1 광(L1)이 광 굴절 모듈(120)에서 방출될 때 출사 영역이 증가될 수 있다. 반대로 제 1 광(L1)의 출사각()이 감소한 경우, 제 1 광(L1)이 광 굴절 모듈(120)에서 방출될 때 출사 영역이 감소될 수 있다.The exit angle of the first light (L1) ( ) increases, the emission area may increase when the first light L1 is emitted from the light refraction module 120. Conversely, the emission angle of the first light L1 ( ) is reduced, the emission area when the first light L1 is emitted from the light refraction module 120 may be reduced.
이에 따라 광 굴절 모듈(120) 내부의 전기 활성 고분자 물질(EAP)에 인가되는 전기장의 크기를 조절하여, 전기 활성 고분자 물질(EAP)의 굴절률()을 변화시킴으로써, 제 1 광(L1)의 출사 영역을 제어할 수 있다.Accordingly, by adjusting the size of the electric field applied to the electroactive polymer material (EAP) inside the light refraction module 120, the refractive index ( ), the emission area of the first light L1 can be controlled.
다시 도 1b와 도 2b를 살펴보면 전기 제어 모듈(130)은, 레이저 모듈(110)과 광 굴절 모듈(120)에 인가되는 전압의 크기를 조절할 수 있다.Looking at FIGS. 1B and 2B again, the electrical control module 130 can adjust the magnitude of the voltage applied to the laser module 110 and the light refraction module 120.
전기 제어 모듈(130)은 전원 유닛(131)과 제어 유닛(132)을 포함할 수 있다.The electrical control module 130 may include a power unit 131 and a control unit 132.
전원 유닛(131)은 레이저 방출 각도 가변 소자(100)의 외부로부터 교류 전기(alternating current, AC)를 공급 받은 다음, 이를 직류 전기(direct current, DC)로 변환할 수 있다. 또는 전원 유닛(131)은 레이저 방출 각도 가변 소자(100)의 외부로부터 직류 전기(DC)를 공급 받은 다음, 그 크기를 변환할 수 있다.The power unit 131 may receive alternating current (AC) from the outside of the laser emission angle variable element 100 and then convert it into direct current (DC). Alternatively, the power unit 131 may receive direct current (DC) electricity from the outside of the laser emission angle variable element 100 and then convert its size.
그리고 전원 유닛(131)은 변환한 직류 전기(DC)를 제어 유닛(132)으로 공급할 수 있다.And the power unit 131 can supply converted direct current electricity (DC) to the control unit 132.
제어 유닛(132)은 레이저 방출 각도 가변 소자(100)의 외부로부터 수신한 제어 신호(ECS1, ECS2)에 따라, 전압을 조절하여 레이저 모듈(110)과 광 굴절 모듈(120)에 각각 공급할 수 있다.The control unit 132 adjusts the voltage according to the control signals (ECS1 and ECS2) received from the outside of the laser emission angle variable element 100 and supplies it to the laser module 110 and the light refraction module 120, respectively. .
예를 들어, 제어 유닛(132)은 광 생성 제어 신호(ECS1)를 수신한 다음, 레이저 모듈(110)의 제 1 전극층(111)과 제 2 전극층(116)에 각각, 서로 다른 전압을 인가할 수 있다. 이에 따라 레이저 모듈(110)은 제 1 광(L1)을 생성하여, 그 외부로 방출할 수 있다.For example, the control unit 132 receives the light generation control signal ECS1 and then applies different voltages to the first electrode layer 111 and the second electrode layer 116 of the laser module 110, respectively. You can. Accordingly, the laser module 110 may generate the first light L1 and emit it to the outside.
또한 제어 유닛(132)은 광 방출 각도 제어 신호(ECS2)를 수신한 다음, 광 굴절 모듈(120)의 제 3 전극(122)과 제 4 전극(123)에 각각, 서로 다른 전압을 인가할 수 있다.Additionally, the control unit 132 may receive the light emission angle control signal (ECS2) and then apply different voltages to the third electrode 122 and the fourth electrode 123 of the light refraction module 120, respectively. there is.
예를 들어 제 3 전극(122)과 제 4 전극(123) 사이의 전압 차이를 상대적으로 크게 형성하도록 하여, 광 굴절 모듈(120)의 굴절률()을 증가시키고, 제 1 광(L1)의 출사 영역을 감소시킬 수 있다.For example, by making the voltage difference between the third electrode 122 and the fourth electrode 123 relatively large, the refractive index of the light refraction module 120 ( ) can be increased, and the emission area of the first light L1 can be reduced.
또는 제 3 전극(122)과 제 4 전극(123) 사이의 전압 차이를 상대적으로 작게 형성하도록 하여, 광 굴절 모듈(120)의 굴절률()을 감소시키고, 제 1 광(L1)의 출사 영역을 증가시킬 수 있다.Alternatively, the voltage difference between the third electrode 122 and the fourth electrode 123 is made relatively small, so that the refractive index of the light refraction module 120 ( ) can be reduced, and the emission area of the first light L1 can be increased.
케이스 모듈(140)은, 레이저 모듈(110)과, 광 굴절 모듈(120)과, 전기 제어 모듈(130)을 수용할 수 있다.The case module 140 can accommodate the laser module 110, the optical refraction module 120, and the electrical control module 130.
케이스 모듈(140)은, 레이저 모듈(110)과, 광 굴절 모듈(120)과, 전기 제어 모듈(130)을 고정하여, 제 1 광(L1)이 피사체에 정확히 전달되도록 할 수 있다.The case module 140 can fix the laser module 110, the light refraction module 120, and the electrical control module 130 so that the first light L1 is accurately transmitted to the subject.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 2차원 영상 획득 장치를 간략하게 나타낸 블록도이다.Figure 6 is a block diagram briefly showing a two-dimensional image acquisition device according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 일 실시 예에 따른 2차원 영상 획득 장치(1)는, 피사체(SBJT)에 빛을 조사할 수 있고, 피사체(SBJT)로부터 반사된 빛을 수광하여 2차원 영상 데이터를 생성할 수 있다.The two-dimensional image acquisition device 1 according to an embodiment of the present invention can irradiate light to a subject SBJT and receive light reflected from the subject SBJT to generate two-dimensional image data. .
본 발명의 일 실시 예에 따른 2차원 영상 획득 장치(1)는, 레이저 방출 각도 가변 소자(100)와, 수광 렌즈 모듈(200)과, 2차원 영상 센서 모듈(300)과, 영상 처리 모듈(400)과, 제어 모듈(500)과, 입력 모듈(600)과, 출력 모듈(700)을 포함할 수 있다.The two-dimensional image acquisition device 1 according to an embodiment of the present invention includes a laser emission angle variable element 100, a light receiving lens module 200, a two-dimensional image sensor module 300, and an image processing module ( 400), a control module 500, an input module 600, and an output module 700.
레이저 방출 각도 가변 소자(100)는, 전술한 본 발명의 일 실시 예에 따른 레이저 방출 각도 가변 소자(100)와 동일할 수 있다.The laser emission angle variable element 100 may be the same as the laser emission angle variable element 100 according to an embodiment of the present invention described above.
레이저 방출 각도 가변 소자(100)는, 제 1 광(L1)을 생성하여 피사체(SBJT)를 대상으로 조사할 수 있다. 이때 레이저 방출 각도 가변 소자(100)는 제 1 광(L1)의 방출 각도를 조절하여, 촬영 영역(SR)을 확대하거나 축소할 수 있다. 그리고 촬영 영역(SR)에 위치한 피사체(SBJT)는 제 1 광(L1)을 조사 받은 다음, 2차원 영상 획득 장치(1)가 위치한 방향으로 제 2 광(L2)을 반사할 수 있다.The laser emission angle variable element 100 may generate the first light L1 and irradiate it to the subject SBJT. At this time, the laser emission angle variable element 100 can adjust the emission angle of the first light L1 to enlarge or reduce the imaging area SR. Additionally, the subject SBJT located in the capturing area SR may be irradiated with the first light L1 and then reflect the second light L2 in the direction where the two-dimensional image acquisition device 1 is located.
수광 렌즈 모듈(200)은, 피사체(SBJT)로부터 반사된 빛을 수광하여 2차원 영상 획득 장치(1)의 내부로 전달할 수 있다.The light receiving lens module 200 may receive light reflected from the subject SBJT and transmit it to the interior of the two-dimensional image acquisition device 1.
수광 렌즈 모듈(200)은 볼록 렌즈(convex lens)일 수 있으며, 촬영 영역(SR)에 위치한 피사체(SBJT)로부터 반사된 제 2 광(L2)을 2차원 영상 획득 장치(1)의 내부로 모을 수 있다.The light receiving lens module 200 may be a convex lens and collects the second light L2 reflected from the subject SBJT located in the capturing area SR into the interior of the two-dimensional image acquisition device 1. You can.
2차원 영상 센서 모듈(300)은, 피사체(SBJT)로부터 반사된 광 신호를 2차원 정지 영상의 색상 정보를 포함한 전기 신호로 변환할 수 있다.The 2D image sensor module 300 may convert an optical signal reflected from the subject SBJT into an electrical signal including color information of a 2D still image.
2차원 영상 센서 모듈(300)은, CCD 이미지 센서(Charged Couple Device image sensor) 또는 CMOS 액티브 픽셀 센서(Complementary Metal-Oxide Semiconductor active pixel sensor)일 수 있다.The two-dimensional image sensor module 300 may be a CCD image sensor (Charged Couple Device image sensor) or a CMOS active pixel sensor (Complementary Metal-Oxide Semiconductor active pixel sensor).
레이저 모듈(100)이 피사체(SBJT)를 대상으로 도트 패턴을 가진 제 1 광(L1)을 조사한 다음, 2차원 영상 센서 모듈(500)이 피사체(SBJT)로부터 반사되어 되돌아 온 제 2 광(L2)을 대상으로, 위치 별로 색상 정보를 포함한 전기 신호인 2차원 색상 신호(CS)로 변환할 수 있다.The laser module 100 irradiates the first light L1 having a dot pattern to the subject SBJT, and then the two-dimensional image sensor module 500 radiates the second light L2 reflected from the subject SBJT and returned. ) can be converted into a two-dimensional color signal (CS), which is an electrical signal containing color information for each location.
2차원 영상 센서 모듈(500)은 변환한 2차원 색상 신호(CS)를, 영상 처리 모듈(400)로 송신할 수 있다.The 2D image sensor module 500 may transmit the converted 2D color signal (CS) to the image processing module 400.
영상 처리 모듈(400)은, 2차원 색상 신호(CS)로부터 2차원 영상 데이터(TID)를 생성할 수 있다.The image processing module 400 may generate two-dimensional image data (TID) from the two-dimensional color signal (CS).
영상 처리 모듈(400)은, 마이크로 프로세서(microprocessor) 또는 디지털 신호처리 장치(digital signal processor)일 수 있다.The image processing module 400 may be a microprocessor or a digital signal processor.
영상 처리 모듈(400)은, 아날로그 신호인 2차원 색상 신호(CS)를 디지털 신호인 2차원 영상 데이터(TID)로 변환할 수 있다. 또한 영상 처리 모듈(400)은, 디지털 신호로 변환한 2차원 색상 신호(CS)의 노이즈를 제거하는 전처리 작업을 실행할 수 있다.The image processing module 400 can convert a two-dimensional color signal (CS), which is an analog signal, into two-dimensional image data (TID), which is a digital signal. Additionally, the image processing module 400 may perform a preprocessing task to remove noise from the 2D color signal (CS) converted to a digital signal.
제어 모듈(500)은, 촬영 개시 작업과, 촬영 영역 지정과, 2차원 영상 데이터(TID) 생성 작업을 제어할 수 있다.The control module 500 can control a shooting start operation, capturing area designation, and two-dimensional image data (TID) generating operation.
제어 모듈(500)은, 마이크로 프로세서(microprocessor) 또는 디지털 신호처리 장치(digital signal processor)일 수 있다.The control module 500 may be a microprocessor or a digital signal processor.
제어 모듈(500)은, 입력 모듈(600)로부터 촬영 개시 신호(IS1)를 수신한 다음, 레이저 방출 각도 가변 소자(100)의 전기 제어 모듈(130)의 제어 유닛(도 1b, 도 2b의 132)으로 광 생성 제어 신호(ECS1)를 송신할 수 있다. 제어 유닛(도 1b, 도 2b의 132)은 광 생성 제어 신호(ECS1)를 수신한 다음, 레이저 모듈(110)의 제 1 전극층(도 3a의 111)과 제 2 전극층(도 3a의 116)에 각각, 서로 다른 전압을 인가할 수 있다. 이에 따라 레이저 모듈(110)은 제 1 광(L1)을 생성할 수 있다.The control module 500 receives the imaging start signal IS1 from the input module 600, and then controls the control unit (132 in FIGS. 1B and 2B) of the electrical control module 130 of the laser emission angle variable element 100. ) can transmit the light generation control signal (ECS1). The control unit (132 in FIGS. 1B and 2B) receives the light generation control signal (ECS1) and then sends light to the first electrode layer (111 in FIG. 3A) and the second electrode layer (116 in FIG. 3A) of the laser module 110. For each, a different voltage can be applied. Accordingly, the laser module 110 may generate the first light L1.
제어 모듈(500)은, 입력 모듈(600)로부터 촬영 영역 지정 신호(IS2)를 수신한 다음, 레이저 방출 각도 가변 소자(100)의 전기 제어 모듈(130)의 제어 유닛(도 1b, 도 2b의 132)으로 광 방출 각도 제어 신호(ECS2)를 송신할 수 있다. 제어 유닛(도 1b, 도 2b의 132)은 광 방출 각도 제어 신호(ECS2)를 수신한 다음, 광 굴절 모듈(120)의 제 3 전극(도 4a, 도 4b, 도 5a, 도 5b의 122)과 제 4 전극(도 4a, 도 4b, 도 5a, 도 5b의 123)에 각각, 서로 다른 전압을 인가할 수 있다. 이에 따라 레이저 방출 각도 가변 소자(100)가 제 1 광(L1)을 방출할 때 출사 각도를 조절하여, 촬영 영역(SR)을 지정할 수 있다.The control module 500 receives the imaging area designation signal IS2 from the input module 600, and then controls the control unit of the electrical control module 130 of the laser emission angle variable element 100 (see FIGS. 1B and 2B). 132), the light emission angle control signal (ECS2) can be transmitted. The control unit (132 in FIGS. 1B, 2B) receives the light emission angle control signal (ECS2) and then controls the third electrode (122 in FIGS. 4A, 4B, 5A, 5B) of the light refraction module 120. Different voltages may be applied to the and fourth electrodes (123 in FIGS. 4A, 4B, 5A, and 5B), respectively. Accordingly, when the laser emission angle variable element 100 emits the first light L1, the emission angle can be adjusted to designate the imaging area SR.
제어 모듈(500)은, 입력 모듈(600)로부터 촬영 종료 신호(IS3)를 수신한 다음, 영상 처리 모듈(400)로 2차원 영상 데이터 생성 신호(ECS3)를 송신할 수 있다. 영상 처리 모듈(400)은 2차원 영상 데이터 생성 신호(ECS3)를 수신한 다음, 2차원 색상 신호(CS)를 디지털 신호로 변환하여 2차원 영상 데이터(TID)를 생성할 수 있다.The control module 500 may receive the capture end signal IS3 from the input module 600 and then transmit a two-dimensional image data generation signal ECS3 to the image processing module 400. The image processing module 400 may receive the 2D image data generation signal (ECS3) and then convert the 2D color signal (CS) into a digital signal to generate 2D image data (TID).
제어 모듈(500)은, 입력 모듈(600)로부터 영상 표시 신호(IS4)를 수신한 다음, 영상 처리 모듈(400)이 2차원 영상 데이터(TID)를 출력 모듈(700)로 송신하도록 할 수 있다.The control module 500 may receive the image display signal IS4 from the input module 600 and then cause the image processing module 400 to transmit two-dimensional image data (TID) to the output module 700. .
제어 모듈(500)은, 입력 모듈(600)로부터 영상 출력 신호(IS5)를 수신한 다음, 영상 처리 모듈(400)이 2차원 영상 데이터(TID)를 출력 모듈(700)로 송신하도록 할 수 있다.The control module 500 may receive the image output signal IS5 from the input module 600 and then cause the image processing module 400 to transmit two-dimensional image data (TID) to the output module 700. .
입력 모듈(600)은, 2차원 영상 획득 장치(1)의 사용자로부터 촬영 개시 입력과, 촬영 영역 지정 입력과, 촬영 종료 입력을 받을 수 있다.The input module 600 may receive a capture start input, a capture area designation input, and a capture end input from the user of the two-dimensional image acquisition device 1.
입력 모듈(600)은, 제 1 내지 제 4 스위치(610 ~ 640)와 스위치 컨트롤러(650)를 포함할 수 있다.The input module 600 may include first to fourth switches 610 to 640 and a switch controller 650.
제 1 스위치(610)는, 2차원 영상 획득 장치(1)의 사용자로부터 촬영 개시 입력과, 촬영 종료 입력을 받을 수 있다. 제 1 스위치(610)는 푸쉬 버튼(push button) 스위치일 수 있다.The first switch 610 may receive a capture start input and a capture end input from the user of the two-dimensional image acquisition device 1. The first switch 610 may be a push button switch.
제 2 스위치(620)는, 2차원 영상 획득 장치(1)의 사용자로부터 촬영 영역 지정 입력을 받을 수 있다. 제 2 스위치(620)는 슬라이드(slide) 스위치 또는 조이스틱(joystick)일 수 있다.The second switch 620 may receive a capture area designation input from the user of the 2D image acquisition device 1. The second switch 620 may be a slide switch or a joystick.
제 3 스위치(630)는, 2차원 영상 획득 장치(1)의 사용자로부터 영상 표시 입력을 받을 수 있다. 제 3 스위치(630)는 푸쉬 버튼(push button) 스위치일 수 있다.The third switch 630 may receive an image display input from the user of the two-dimensional image acquisition device 1. The third switch 630 may be a push button switch.
제 4 스위치(640)는, 2차원 영상 획득 장치(1)의 사용자로부터 영상 출력 입력을 받을 수 있다. 제 4 스위치(640)는 푸쉬 버튼 스위치일 수 있다.The fourth switch 640 may receive an image output input from the user of the two-dimensional image acquisition device 1. The fourth switch 640 may be a push button switch.
스위치 컨트롤러(650)는, 제 1 내지 제 4 스위치(610 ~ 640)가 입력을 받을 때, 신호를 생성하여 제어 모듈(500)로 송신할 수 있다.The switch controller 650 may generate a signal and transmit it to the control module 500 when the first to fourth switches 610 to 640 receive input.
스위치 컨트롤러(650)는 촬영 여부를 저장하는 촬영 상태 저장 유닛을 포함할 수 있으며, 2차원 영상 획득 장치(1)를 가동한 직후 촬영 상태 저장 유닛에 촬영 종료 상태(SH)를 저장할 수 있다.The switch controller 650 may include a shooting state storage unit that stores whether or not to shoot, and may store the shooting end state (SH) in the shooting state storage unit immediately after operating the 2D image acquisition device 1.
2차원 영상 획득 장치(1)의 사용자가 제 1 스위치(610)를 한 번 입력한 경우, 스위치 컨트롤러(650)는 촬영 개시 신호(IS1)를 생성하여 제어 모듈(500)로 송신할 수 있고, 촬영 상태 저장 유닛에 저장한 촬영 종료 상태(SH)를 촬영 시작 상태(SB)로 변경하여 저장할 수 있다.When the user of the 2D image acquisition device 1 inputs the first switch 610 once, the switch controller 650 may generate an imaging start signal IS1 and transmit it to the control module 500, You can change the shooting end state (SH) saved in the shooting state storage unit to the shooting start state (SB) and save it.
2차원 영상 획득 장치(1)의 사용자가 제 1 스위치(610)를 다시 한 번 입력한 경우, 스위치 컨트롤러(650)는 촬영 종료 신호(IS3)를 생성하여 제어 모듈(500)로 송신할 수 있고, 촬영 상태 저장 유닛에 저장한 촬영 시작 상태(SB)를 촬영 종료 상태(SH)로 변경하여 저장할 수 있다.When the user of the 2D image acquisition device 1 inputs the first switch 610 again, the switch controller 650 may generate an imaging end signal IS3 and transmit it to the control module 500. , You can change the shooting start state (SB) saved in the shooting state storage unit to the shooting end state (SH) and save it.
즉, 2차원 영상 획득 장치(1)의 사용자가 제 1 스위치(610)를 입력할 때마다, 촬영 시작 상태(SB)와 촬영 종료 상태(SH)로 교대하여 변경할 수 있고, 그에 따라 촬영 개시 신호(IS1) 또는 촬영 종료 신호(IS3)를 제어 모듈(500)로 송신하여, 촬영 작업을 제어하도록 할 수 있다.That is, each time the user of the two-dimensional image acquisition device 1 inputs the first switch 610, the shooting start state (SB) and the shooting end state (SH) can be alternately changed, and accordingly, the shooting start signal (IS1) or a shooting end signal (IS3) can be transmitted to the control module 500 to control the shooting operation.
2차원 영상 획득 장치(1)의 사용자가 제 2 스위치(620)를 이동시킨 경우, 스위치 컨트롤러(650)는 제 2 스위치(620)가 이동한 위치와 원점 사이의 거리 정보를 포함한 촬영 영역 지정 신호(IS2)를 생성하여, 제어 모듈(500)로 송신할 수 있다. 그리고 제어 모듈(500)은, 레이저 방출 각도 가변 소자(100)의 광 굴절 모듈(120)의 제 3 전극(도 4a, 도 4b, 도 5a, 도 5b의 122)과 제 4 전극(도 4a, 도 4b, 도 5a, 도 5의 123) 사이의 전압 차이가, 제 2 스위치(620)가 이동한 위치와 원점 사이의 거리 정보에 비례하도록, 광 방출 각도 제어 신호(ECS2)를 생성할 수 있다.When the user of the two-dimensional image acquisition device 1 moves the second switch 620, the switch controller 650 sends a shooting area designation signal including distance information between the position where the second switch 620 moved and the origin. (IS2) can be generated and transmitted to the control module 500. And the control module 500 includes the third electrode (122 in FIGS. 4A, 4B, 5A, and 5B) and the fourth electrode (122 in FIGS. 4A, 4B, 5A, and 5B) of the light refraction module 120 of the laser emission angle variable element 100. A light emission angle control signal (ECS2) may be generated such that the voltage difference between FIGS. 4B, 5A, and 123) of FIG. 5 is proportional to the distance information between the position where the second switch 620 moves and the origin. .
2차원 영상 획득 장치(1)의 사용자가 제 3 스위치(630)를 입력한 경우, 스위치 컨트롤러(650)는 영상 표시 신호(IS4)를 생성하여, 제어 모듈(500)로 송신할 수 있다. 그리고 제어 모듈(700)은, 영상 처리 모듈(400)이 2차원 영상 데이터(TID)를 출력 모듈(700)로 송신하여 표시하도록 할 수 있다.When the user of the 2D image acquisition device 1 inputs the third switch 630, the switch controller 650 may generate an image display signal IS4 and transmit it to the control module 500. Additionally, the control module 700 may cause the image processing module 400 to transmit two-dimensional image data (TID) to the output module 700 and display it.
2차원 영상 획득 장치(1)의 사용자가 제 4 스위치(640)를 입력한 경우, 스위치 컨트롤러(650)는 영상 출력 신호(IS5)를 생성하여, 제어 모듈(500)로 송신할 수 있다. 그리고 제어 모듈(500)은, 영상 처리 모듈(400)이 2차원 영상 데이터(TID)를 출력 모듈(700)로 송신하여, 2차원 영상 획득 장치(1)의 외부로 출력하도록 할 수 있다.When the user of the 2D image acquisition device 1 inputs the fourth switch 640, the switch controller 650 may generate an image output signal IS5 and transmit it to the control module 500. Additionally, the control module 500 may cause the image processing module 400 to transmit two-dimensional image data (TID) to the output module 700 and output it to the outside of the two-dimensional image acquisition device 1.
출력 모듈(700)은, 촬영 영상을 표시하고 2차원 영상 획득 장치(1)의 외부로 송신할 수 있다.The output module 700 can display the captured image and transmit it to the outside of the two-dimensional image acquisition device 1.
출력 모듈(700)은, 표시 유닛(710)과 통신 유닛(720)을 포함할 수 있다.The output module 700 may include a display unit 710 and a communication unit 720.
표시 유닛(710)은, 영상 처리 모듈(400)로부터 2차원 영상 데이터(TID)를 수신하여 표시할 수 있다. 그리고 표시 유닛(710)은 디스플레이 장치일 수 있다.The display unit 710 may receive two-dimensional image data (TID) from the image processing module 400 and display it. And the display unit 710 may be a display device.
통신 유닛(720)은, 영상 처리 모듈(400)로부터 2차원 영상 데이터(TID)를 수신하여, 2차원 영상 획득 장치(1)의 외부로 송신할 수 있다.The communication unit 720 may receive two-dimensional image data (TID) from the image processing module 400 and transmit it to the outside of the two-dimensional image acquisition device 1.
통신 유닛(720)은, 직렬 포트(serial port), 병렬 포트(parallel port), SCSI(Small Computer System Interface), USB(Universal Serial Bus), IEEE 1394, ATA(Advanced Technology Attachment), SATA(Serial Advanced Technology Attachment), M.2, PCI(Peripheral Component Interconnect Bus) PCI-Express 등의 유선 인터페이스를 포함할 수 있다.The communication unit 720 includes a serial port, a parallel port, SCSI (Small Computer System Interface), USB (Universal Serial Bus), IEEE 1394, ATA (Advanced Technology Attachment), and SATA (Serial Advanced). Technology Attachment), M.2, PCI (Peripheral Component Interconnect Bus) PCI-Express, etc. may be included.
또는 통신 유닛(720)은, Wi-Fi, 블루투스(bluetooth), NFC(Near Field Communication), 지그비(ZigBee) 등의 근거리 무선 통신 프로토콜을 구현한 모뎀을 포함할 수 있다.Alternatively, the communication unit 720 may include a modem implementing a short-range wireless communication protocol such as Wi-Fi, Bluetooth, Near Field Communication (NFC), or ZigBee.
이상을 통해 본 발명의 실시 예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시 예에 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않고 효과를 저해하지 않는 한, 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다. 또한 그러한 실시 예가 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments, and may be varied within the scope of the detailed description and accompanying drawings, as long as it does not deviate from the spirit of the present invention and does not impair the effect. It can be implemented by changing it accordingly. It is also natural that such embodiments fall within the scope of the present invention.
1 : 2차원 영상 획득 장치 100 : 레이저 방출 각도 가변 소자
110 : 레이저 모듈 111 : 제 1 전극층
112 : 기판층 113 : 제 1 브래그 미러층
114 : 활성화층 115 : 제 2 브래그 미러층
116 : 제 2 전극층 120 : 광 굴절 모듈
121 : 광학 패턴 122 : 제 3 전극
123 : 제 4 전극 124 : 전기 활성 고분자 물질층
130 : 전기 제어 모듈 131 : 전원 유닛
132 : 제어 유닛 140 : 케이스 모듈
200 : 수광 렌즈 모듈 300 : 2차원 영상 센서 모듈
400 : 영상 처리 모듈 500 : 제어 모듈
600 : 입력 모듈 610 ~ 640 : 제 1 내지 제 4 스위치
650 : 스위치 컨트롤러 700 : 출력 모듈
710 : 표시 유닛 720 : 통신 유닛1: 2D image acquisition device 100: Laser emission angle variable element
110: Laser module 111: First electrode layer
112: substrate layer 113: first Bragg mirror layer
114: activation layer 115: second Bragg mirror layer
116: second electrode layer 120: light refraction module
121: Optical pattern 122: Third electrode
123: Fourth electrode 124: Electroactive polymer material layer
130: Electrical control module 131: Power unit
132: control unit 140: case module
200: light receiving lens module 300: 2D image sensor module
400: Image processing module 500: Control module
600: Input module 610 ~ 640: 1st to 4th switches
650: Switch controller 700: Output module
710: display unit 720: communication unit
Claims (11)
상기 레이저 모듈은,
하나 이상의 수직 캐비티 표면 광방출 레이저 다이오드를 포함하고,
상기 광 굴절 모듈은,
전기 활성 고분자 물질을 포함하는 전기 활성 고분자 물질층과;
전기 활성 고분자 물질을 포함하며, 상기 레이저 모듈과 마주보는 상기 전기 활성 고분자 물질층의 제 1 면 또는 상기 전기 활성 고분자 물질층의 제 1 면과 마주보는 상기 전기 활성 고분자 물질층의 제 4 면에 형성한 광학 패턴과;
상기 전기 활성 고분자 물질층의 제 1 면 및 제 4 면과 마주보지 않는 상기 전기 활성 고분자 물질층의 제 2 면에 형성한 제 3 전극과;
상기 전기 활성 고분자 물질층의 제 2 면과 마주보는 상기 전기 활성 고분자 물질층의 제 3 면에 형성한 제 4 전극을 포함하는,
레이저 방출 각도 가변 소자.
Laser modules facing each other; Comprising a light refraction module,
The laser module is,
comprising one or more vertical cavity surface light-emitting laser diodes;
The light refraction module is,
an electroactive polymer material layer comprising an electroactive polymer material;
Comprising an electro-active polymer material, formed on a first side of the electro-active polymer material layer facing the laser module or a fourth side of the electro-active polymer material layer facing the first side of the electro-active polymer material layer an optical pattern;
a third electrode formed on a second side of the electroactive polymer material layer that faces the first and fourth sides of the electroactive polymer material layer;
Comprising a fourth electrode formed on a third side of the electroactive polymer material layer facing the second side of the electroactive polymer material layer,
Laser emission angle variable element.
상기 광학 패턴은,
상기 전기 활성 고분자 물질층의 제 1 면에 형성하고,
음각의 렌티큘러 렌즈 형태인,
레이저 방출 각도 가변 소자.
According to claim 1,
The optical pattern is,
Formed on the first side of the electroactive polymer material layer,
In the form of a concave lenticular lens,
Laser emission angle variable element.
상기 광학 패턴은,
상기 전기 활성 고분자 물질층의 제 4 면에 형성하고,
양각의 렌티큘러 렌즈 형태인,
레이저 방출 각도 가변 소자.
According to claim 1,
The optical pattern is,
Formed on the fourth side of the electroactive polymer material layer,
In the form of a positive lenticular lens,
Laser emission angle variable element.
상기 전기 활성 고분자 물질은,
비닐리덴 플루오라이드와, 트리플루오로에틸렌과, 클로로플루오로에틸렌의 공중합체(P(VDF-TrFE-CFE), [poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene-chlorofluoroethylene)])인,
레이저 방출 각도 가변 소자.
According to claim 1,
The electroactive polymer material is,
A copolymer of vinylidene fluoride, trifluoroethylene, and chlorofluoroethylene (P(VDF-TrFE-CFE), [poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene-chlorofluoroethylene)]),
Laser emission angle variable device.
상기 수직 캐비티 표면 광방출 레이저 다이오드는,
제 1 전극층과;
n형의 반도체 물질을 도핑한 기판층과;
서로 다른 굴절률을 가진 박막을 교대로 적층하여 형성하고, n형의 반도체 물질을 도핑한 제 1 브래그 미러층과;
양자 우물층과 장벽층을 교대로 적층하여 형성한 활성화층과;
서로 다른 굴절률을 가진 박막을 교대로 적층하여 형성하고, p형의 반도체 물질을 도핑한 제 2 브래그 미러층과;
중앙 영역에 개구를 형성한 제 2 전극층을 포함하고,
상기 제 1 전극층과, 상기 기판층과, 상기 제 1 브래그 미러층과, 상기 활성화층과, 상기 제 2 브래그 미러층과, 상기 제 2 전극층의 순서대로 적층한,
레이저 방출 각도 가변 소자.
According to claim 1,
The vertical cavity surface light-emitting laser diode,
a first electrode layer;
a substrate layer doped with an n-type semiconductor material;
a first Bragg mirror layer formed by alternately stacking thin films with different refractive indices and doped with an n-type semiconductor material;
an activation layer formed by alternately stacking quantum well layers and barrier layers;
a second Bragg mirror layer formed by alternately stacking thin films with different refractive indices and doped with a p-type semiconductor material;
It includes a second electrode layer forming an opening in the central area,
The first electrode layer, the substrate layer, the first Bragg mirror layer, the activation layer, the second Bragg mirror layer, and the second electrode layer are laminated in that order,
Laser emission angle variable device.
전기 제어 모듈을 더 포함하고,
상기 전기 제어 모듈은,
광 생성 제어 신호를 수신하여 상기 수직 캐비티 표면 광방출 레이저 다이오드에 전원을 공급하고, 광 방출 각도 제어 신호를 수신하여 광 굴절 모듈에 전원을 공급하는 제어 유닛과;
교류 전기를 직류 전기로 변환하거나, 직류 전기의 크기를 변환하여 상기 제어 유닛에 공급하는 전원 유닛을 포함하는,
레이저 방출 각도 가변 소자.
According to claim 1,
further comprising an electrical control module,
The electrical control module is,
a control unit configured to receive a light generation control signal to supply power to the vertical cavity surface light-emitting laser diode and to receive a light emission angle control signal to supply power to the light refraction module;
Comprising a power unit that converts alternating current electricity into direct current electricity or converts the size of direct current electricity and supplies it to the control unit,
Laser emission angle variable device.
상기 레이저 모듈과, 상기 광 굴절 모듈과, 상기 전기 제어 모듈을 수용하는 케이스 모듈을 더 포함하는,
레이저 방출 각도 가변 소자.
According to claim 6,
Further comprising a case module accommodating the laser module, the optical refraction module, and the electrical control module,
Laser emission angle variable element.
상기 레이저 방출 각도 가변 소자는, 제 1 광을 방출하고,
상기 수광 렌즈 모듈은, 피사체가 상기 제 1 광을 조사 받아 반사한 제 2 광을 수광하고,
상기 2차원 영상 센서 모듈은, 상기 제 2 광을 2차원 정지 영상의 색상 정보를 포함한 전기 신호인 2차원 색상 신호로 변환하고,
상기 영상 처리 모듈은, 상기 2차원 색상 신호를 디지털 신호로 변환하여 2차원 영상 데이터를 생성하는,
2차원 영상 획득 장치.
The laser emission angle variable element according to any one of claims 1 to 7; A light receiving lens module; a two-dimensional image sensor module; Includes an image processing module,
The laser emission angle variable element emits first light,
The light receiving lens module receives the second light reflected by the subject when irradiated with the first light,
The two-dimensional image sensor module converts the second light into a two-dimensional color signal, which is an electrical signal including color information of a two-dimensional still image,
The image processing module converts the two-dimensional color signal into a digital signal to generate two-dimensional image data.
2D image acquisition device.
상기 2차원 영상 센서 모듈은,
CCD 이미지 센서(Charged Couple Device image sensor) 또는 CMOS 액티브 픽셀 센서(Complementary Metal-Oxide Semiconductor active pixel sensor)인,
2차원 영상 획득 장치.
According to claim 8,
The two-dimensional image sensor module,
A CCD image sensor (Charged Couple Device image sensor) or a CMOS active pixel sensor (Complementary Metal-Oxide Semiconductor active pixel sensor),
2D image acquisition device.
제어 모듈을 더 포함하고,
상기 제어 모듈은,
광 생성 제어 신호를 상기 레이저 방출 각도 가변 소자로 송신하여, 상기 상기 레이저 방출 각도 가변 소자가 상기 제 1 광을 생성하도록 제어하고,
광 방출 각도 제어 신호를 상기 레이저 방출 각도 가변 소자로 송신하여, 상기 레이저 방출 각도 가변 소자가 상기 제 1 광을 방출할 때 출사 각도를 조절하도록 제어하고,
2차원 영상 데이터 생성 신호를 상기 영상 처리 모듈로 송신하여, 상기 영상 처리 모듈이 상기 2차원 영상 데이터를 생성하도록 제어하는,
2차원 영상 획득 장치.
According to claim 8,
further comprising a control module,
The control module is,
Transmitting a light generation control signal to the laser emission angle variable element to control the laser emission angle variable element to generate the first light,
Transmitting a light emission angle control signal to the laser emission angle variable element to control the emission angle when the laser emission angle variable element emits the first light,
Transmitting a two-dimensional image data generation signal to the image processing module and controlling the image processing module to generate the two-dimensional image data,
2D image acquisition device.
출력 모듈을 더 포함하고,
상기 출력 모듈은 디스플레이 장치인 표시 유닛을 포함하며,
상기 표시 유닛은 상기 2차원 영상 데이터를 표시하는,
2차원 영상 획득 장치.
According to claim 10,
further comprising an output module,
The output module includes a display unit, which is a display device,
The display unit displays the two-dimensional image data,
2D image acquisition device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210019149A KR102578136B1 (en) | 2021-02-10 | 2021-02-10 | Device for varying laser emission angle and device for acquiring 2-dimensional image |
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