KR102577288B1 - Apparatus for treating substrate and method thereof - Google Patents

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Abstract

베벨 에칭을 이용하여 기판의 베벨 에지 영역에 축적되어 있는 부산물을 제거하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다. 상기 기판 처리 장치는, 기판의 상부에 배치되며, 제1 공정 가스, 제2 공정 가스 및 제3 공정 가스를 통과시키는 샤워 헤드 유닛; 및 기판 및 샤워 헤드 유닛 사이에 형성되는 공간이며, 제3 영역 및 제3 영역의 외측에 배치되는 제4 영역을 포함하는 프로세스 영역을 포함하며, 제4 영역에서는 제2 공정 가스 및 제3 공정 가스를 기초로 에천트가 생성되며, 에천트가 기판을 처리하는 동안, 제3 영역에서는 제1 공정 가스가 기판 상에 분포한다.A substrate processing apparatus and method for removing by-products accumulated on a bevel edge region of a substrate using bevel etching are provided. The substrate processing apparatus may include a shower head unit disposed above a substrate and passing a first process gas, a second process gas, and a third process gas; and a process region that is a space formed between the substrate and the shower head unit and includes a third region and a fourth region disposed outside the third region, wherein the fourth region includes a second process gas and a third process gas. An etchant is generated based on , and while the etchant processes the substrate, the first process gas is distributed on the substrate in the third region.

Description

기판 처리 장치 및 방법 {Apparatus for treating substrate and method thereof}Substrate processing apparatus and method {Apparatus for treating substrate and method thereof}

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to devices and methods for processing substrates. More specifically, it relates to an apparatus and method for processing a substrate using plasma.

반도체 소자 제조 공정은 반도체 제조 설비 내에서 연속적으로 수행될 수 있으며, 전공정 및 후공정으로 구분될 수 있다. 반도체 제조 설비는 반도체 소자를 제조하기 위해 팹(FAB)으로 정의되는 공간 내에 설치될 수 있다.The semiconductor device manufacturing process can be performed continuously within a semiconductor manufacturing facility and can be divided into pre-process and post-process. Semiconductor manufacturing facilities may be installed in a space defined as a fab to manufacture semiconductor devices.

전공정은 기판(예를 들어, 웨이퍼(Wafer)) 상에 회로 패턴을 형성하여 칩(Chip)을 완성하는 공정을 말한다. 이러한 전공정은 기판 상에 박막을 형성하는 증착 공정(Deposition Process), 포토 마스크(Photo Mask)를 이용하여 박막 상에 포토 레지스트(Photo Resist)를 전사하는 노광 공정(Photo Lithography Process), 기판 상에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해 화학 물질이나 반응성 가스를 이용하여 필요 없는 부분을 선택적으로 제거하는 식각 공정(Etching Process), 식각 후에 남아있는 포토 레지스트를 제거하는 에싱 공정(Ashing Process), 회로 패턴과 연결되는 부분에 이온을 주입하여 전자 소자의 특성을 가지도록 하는 이온 주입 공정(Ion Implantation Process), 기판 상에서 오염원을 제거하는 세정 공정(Cleaning Process) 등을 포함할 수 있다.The preprocess refers to the process of completing a chip by forming a circuit pattern on a substrate (e.g., wafer). These pre-processes include a deposition process that forms a thin film on a substrate, an exposure process that transfers photo resist onto a thin film using a photo mask, and a photo lithography process that transfers a photo resist onto a thin film using a photo mask. An etching process that selectively removes unnecessary parts using chemicals or reactive gases to form a circuit pattern, an ashing process that removes photoresist remaining after etching, and a process that is connected to the circuit pattern. It may include an ion implantation process in which ions are implanted into a part to have the characteristics of an electronic device, a cleaning process in which contaminants are removed from the substrate, etc.

후공정은 전공정을 통해 완성된 제품의 성능을 평가하는 공정을 말한다. 후공정은 기판 상의 각각의 칩에 대해 동작 여부를 검사하여 양품과 불량을 선별하는 기판 검사 공정, 다이싱(Dicing), 다이 본딩(Die Bonding), 와이어 본딩(Wire Bonding), 몰딩(Molding), 마킹(Marking) 등을 통해 각각의 칩을 절단 및 분리하여 제품의 형상을 갖추도록 하는 패키지 공정(Package Process), 전기적 특성 검사, 번인(Burn In) 검사 등을 통해 제품의 특성과 신뢰성을 최종적으로 검사하는 최종 검사 공정 등을 포함할 수 있다.Post-process refers to the process of evaluating the performance of a product completed through the pre-process. The post-process includes a board inspection process that checks the operation of each chip on the board to select good and defective products, dicing, die bonding, wire bonding, molding, The product's characteristics and reliability are ultimately determined through the package process, which involves cutting and separating each chip to form the product shape through marking, electrical characteristic testing, and burn-in testing. It may include the final inspection process, etc.

한국공개특허 제10-2016-0072044호 (공개일: 2016.06.22.)Korea Patent Publication No. 10-2016-0072044 (Publication date: 2016.06.22.)

반도체 소자를 제조하기 위해 기판을 처리하는 과정에서, 그 부산물(예를 들어, 탄소(C), 산소(O), 질소(N), 불소(F) 등으로 구성된 폴리머(Polymer))이 기판의 베벨 에지(Bevel Edge) 영역에 축적될 수 있다. 이러한 부산물은 디바이스의 표면을 오염시키거나, 제품의 수율에 영향을 끼칠 수 있다.In the process of processing a substrate to manufacture a semiconductor device, the by-products (e.g., polymer composed of carbon (C), oxygen (O), nitrogen (N), fluorine (F), etc.) are removed from the substrate. It can accumulate in the bevel edge area. These by-products can contaminate the surface of the device or affect product yield.

본 발명에서 해결하고자 하는 과제는, 베벨 에칭(Bevel Etching)을 이용하여 기판의 베벨 에지 영역에 축적되어 있는 부산물을 제거하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide a substrate processing device and method for removing by-products accumulated in the bevel edge area of a substrate using bevel etching.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 면(aspect)은, 기판의 상부에 배치되며, 제1 공정 가스, 제2 공정 가스 및 제3 공정 가스를 통과시키는 샤워 헤드 유닛; 및 상기 기판 및 상기 샤워 헤드 유닛 사이에 형성되는 공간이며, 제3 영역 및 상기 제3 영역의 외측에 배치되는 제4 영역을 포함하는 프로세스 영역을 포함하며, 상기 제4 영역에서는 상기 제2 공정 가스 및 상기 제3 공정 가스를 기초로 에천트가 생성되며, 상기 에천트가 상기 기판을 처리하는 동안, 상기 제3 영역에서는 상기 제1 공정 가스가 상기 기판 상에 분포한다.One aspect (aspect) of the substrate processing apparatus of the present invention for achieving the above object is disposed on the substrate, the shower head unit for passing a first process gas, a second process gas and a third process gas; and a process region formed between the substrate and the shower head unit and including a third region and a fourth region disposed outside the third region, wherein the second process gas is disposed in the fourth region. and an etchant is generated based on the third process gas, and the first process gas is distributed on the substrate in the third region while the etchant processes the substrate.

상기 제1 공정 가스의 유량은 상기 제3 공정 가스의 유량보다 클 수 있다.The flow rate of the first process gas may be greater than the flow rate of the third process gas.

상기 제3 영역에 공급되는 상기 제1 공정 가스의 공급량이 상기 제4 영역에 공급되는 상기 제3 공정 가스의 공급량보다 많거나, 또는 상기 제3 영역에서의 상기 제1 공정 가스의 이동 속도가 상기 제4 영역에서의 상기 제3 공정 가스의 이동 속도보다 빠를 수 있다.The supply amount of the first process gas supplied to the third area is greater than the supply amount of the third process gas supplied to the fourth area, or the moving speed of the first process gas in the third area is greater than the supply amount of the third process gas supplied to the fourth area. It may be faster than the moving speed of the third process gas in the fourth area.

상기 샤워 헤드 유닛은, 제1 부분 모듈; 및 상기 제1 부분 모듈의 외측에 배치되는 제2 부분 모듈을 포함하며, 상기 제1 부분 모듈은 상기 제1 공정 가스를 통과시키고, 상기 제2 부분 모듈은 상기 제2 공정 가스 및 상기 제3 공정 가스를 통과시킬 수 있다.The shower head unit includes a first partial module; and a second partial module disposed outside the first partial module, wherein the first partial module passes the first process gas, and the second partial module passes the second process gas and the third process gas. gas can pass through.

상기 제1 부분 모듈이 상기 제1 공정 가스를 통과시키는 것은 상기 제2 부분 모듈이 상기 제2 공정 가스 및 상기 제3 공정 가스를 통과시키는 것보다 먼저 수행되거나, 동시에 수행될 수 있다.The first partial module passing the first process gas may be performed before or simultaneously with the second partial module passing the second process gas and the third process gas.

상기 기판 처리 장치는, 상기 샤워 헤드 유닛의 상부에 형성되는 공간이며, 제1 영역 및 상기 제1 영역의 외측에 배치되는 제2 영역을 포함하는 플라즈마 생성 영역을 더 포함하며, 상기 제1 공정 가스는 상기 제1 영역에서 상기 제3 영역으로 이동하고, 상기 제2 공정 가스는 상기 제2 영역에서 상기 제4 영역으로 이동할 수 있다.The substrate processing apparatus is a space formed at an upper portion of the shower head unit, and further includes a plasma generation region including a first region and a second region disposed outside the first region, and the first process gas may move from the first area to the third area, and the second process gas may move from the second area to the fourth area.

상기 제3 공정 가스는 상기 샤워 헤드 유닛을 통해 상기 제4 영역으로 이동할 수 있다.The third process gas may move to the fourth area through the shower head unit.

상기 제2 영역에서는 상기 제2 공정 가스로부터 라디칼이 생성되며, 상기 라디칼이 상기 제2 영역에서 상기 제4 영역으로 이동할 수 있다.In the second region, radicals are generated from the second process gas, and the radicals may move from the second region to the fourth region.

상기 제1 공정 가스가 상기 제3 영역으로 이동하는 것은 상기 제2 공정 가스가 상기 제4 영역으로 이동하는 것보다 먼저 수행되거나, 동시에 수행될 수 있다.The movement of the first process gas to the third area may be performed before or simultaneously with the movement of the second process gas to the fourth area.

상기 기판 처리 장치는, 상기 샤워 헤드 유닛의 상부에 배치되며, 상기 제1 공정 가스 및 상기 제2 공정 가스를 통과시키는 탑 소스; 및 상기 탑 소스 및 상기 샤워 헤드 유닛 사이에 형성되는 공간이며, 제1 영역 및 상기 제1 영역의 외측에 배치되는 제2 영역을 포함하는 플라즈마 생성 영역을 더 포함하며, 상기 제1 공정 가스는 상기 제1 영역으로 이동하고, 상기 제2 공정 가스는 상기 제2 영역으로 이동할 수 있다.The substrate processing apparatus may include a top source disposed above the shower head unit and passing the first process gas and the second process gas; and a plasma generation region that is a space formed between the top source and the shower head unit and includes a first region and a second region disposed outside the first region, wherein the first process gas is supplied to the first region. moves to the first area, and the second process gas may move to the second area.

상기 탑 소스는, 제3 부분 모듈; 및 상기 제3 부분 모듈의 외측에 배치되는 제4 부분 모듈을 포함하며, 상기 제3 부분 모듈은 상기 제1 공정 가스를 통과시키고, 상기 제4 부분 모듈은 상기 제2 공정 가스를 통과시킬 수 있다.The top source may include a third partial module; and a fourth partial module disposed outside the third partial module, wherein the third partial module is capable of passing the first process gas and the fourth partial module is capable of passing the second process gas. .

상기 제1 공정 가스가 상기 제1 영역으로 이동하는 것은 상기 제2 공정 가스가 상기 제2 영역으로 이동하는 것보다 먼저 수행되거나, 동시에 수행될 수 있다.The movement of the first process gas to the first area may be performed before or simultaneously with the movement of the second process gas to the second area.

상기 제1 공정 가스는 비활성 가스일 수 있다.The first process gas may be an inert gas.

상기 제2 공정 가스는 에칭 가스이고, 상기 제3 공정 가스는 상기 에칭 가스와 반응하는 반응 가스일 수 있다.The second process gas may be an etching gas, and the third process gas may be a reactive gas that reacts with the etching gas.

상기 제2 공정 가스는 플루오린 성분을 포함하는 가스이고, 상기 제3 공정 가스는 수소 성분을 포함하는 가스일 수 있다.The second process gas may be a gas containing a fluorine component, and the third process gas may be a gas containing a hydrogen component.

상기 에천트는 상기 기판의 베벨 영역 및/또는 에지 영역을 식각 처리할 수 있다.The etchant may etch the bevel area and/or edge area of the substrate.

상기 기판 처리 장치는, 상기 기판을 지지하는 기판 지지 유닛의 내부에 설치되며, 상기 기판을 승강시키는 리프트 핀을 더 포함하며, 상기 리프트 핀은 상기 기판의 베벨 영역을 식각할 때 작동할 수 있다.The substrate processing apparatus is installed inside a substrate support unit that supports the substrate, and further includes lift pins that lift and lower the substrate, and the lift pins can operate when etching a beveled region of the substrate.

상기 기판 처리 장치는, 상기 기판을 지지하는 기판 지지 유닛의 내부에 설치되며, 상기 기판을 가열시키는 가열 부재; 및 상기 기판 지지 유닛의 내부에 설치되며, 상기 기판을 냉각시키는 냉각 부재 중 적어도 하나를 더 포함하며, 상기 가열 부재 및/또는 상기 냉각 부재는 상기 기판의 베벨 영역 및/또는 에지 영역을 식각할 때 작동할 수 있다.The substrate processing apparatus includes a heating member installed inside a substrate support unit that supports the substrate and heats the substrate; and at least one of a cooling member installed inside the substrate support unit and cooling the substrate, wherein the heating member and/or the cooling member etches the bevel region and/or edge region of the substrate. It can work.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 면은, 기판의 상부에 배치되며, 제1 공정 가스, 제2 공정 가스 및 제3 공정 가스를 통과시키는 샤워 헤드 유닛; 및 상기 기판 및 상기 샤워 헤드 유닛 사이에 형성되는 공간이며, 제3 영역 및 상기 제3 영역의 외측에 배치되는 제4 영역을 포함하는 프로세스 영역을 포함하며, 상기 제4 영역에서는 상기 제2 공정 가스 및 상기 제3 공정 가스를 기초로 에천트가 생성되고, 상기 에천트가 상기 기판을 처리하는 동안, 상기 제3 영역에서는 상기 제1 공정 가스가 상기 기판 상에 분포하며, 상기 제1 공정 가스의 유량은 상기 제3 공정 가스의 유량보다 크다.Another aspect of the substrate processing apparatus of the present invention for achieving the above object is a shower head unit disposed above a substrate and passing a first process gas, a second process gas, and a third process gas; and a process region formed between the substrate and the shower head unit and including a third region and a fourth region disposed outside the third region, wherein the second process gas is disposed in the fourth region. and an etchant is generated based on the third process gas, the first process gas is distributed on the substrate in the third region while the etchant processes the substrate, and The flow rate is greater than the flow rate of the third process gas.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 방법의 일 면은, 기판의 상부에 배치되는 샤워 헤드 유닛이 제1 공정 가스, 제2 공정 가스 및 제3 공정 가스를 통과시키는 단계; 상기 제1 공정 가스가 상기 기판 및 상기 샤워 헤드 유닛 사이에 형성되는 프로세스 영역 중 제3 영역으로 이동하고, 상기 제2 공정 가스 및 상기 제3 공정 가스가 상기 프로세스 영역 중 상기 제3 영역의 외측에 배치되는 제4 영역으로 이동하는 단계; 상기 제2 공정 가스 및 상기 제3 공정 가스를 기초로 에천트를 생성하는 단계; 및 상기 에천트가 상기 기판을 처리하는 단계를 포함하며, 상기 처리하는 단계에서, 상기 에천트가 상기 기판을 처리하는 동안, 상기 제3 영역에서는 상기 제1 공정 가스가 상기 기판 상에 분포한다.One aspect of the substrate processing method of the present invention for achieving the above problem includes passing a first process gas, a second process gas, and a third process gas through a shower head unit disposed on top of a substrate; The first process gas moves to a third area of the process area formed between the substrate and the shower head unit, and the second process gas and the third process gas move to the outside of the third area of the process area. moving to a fourth area where it is arranged; generating an etchant based on the second process gas and the third process gas; and processing the substrate by the etchant, wherein in the processing step, the first process gas is distributed on the substrate in the third region while the etchant is processing the substrate.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 내부 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 샤워 헤드 유닛의 내부 구조를 구체적으로 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 탑 소스의 내부 구조를 구체적으로 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 내부 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 전극 제어 유닛의 다양한 실시 형태를 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 처리 방법에 따라 처리되는 기판 상의 영역을 설명하기 위한 제1 예시도이다.
도 7은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 처리 방법에 따라 처리되는 기판 상의 영역을 설명하기 위한 제2 예시도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 처리 방법을 순차적으로 도시한 흐름도이다.
도 9는 도 8에 도시된 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제1 예시도이다.
도 10은 도 8에 도시된 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제2 예시도이다.
도 11은 도 8에 도시된 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제3 예시도이다.
도 12는 도 8에 도시된 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제4 예시도이다.
도 13은 도 8에 도시된 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제5 예시도이다.
도 14는 도 8에 도시된 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제6 예시도이다.
도 15는 도 8에 도시된 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제7 예시도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing the internal structure of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a cross-sectional view specifically showing the internal structure of a shower head unit constituting a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a cross-sectional view specifically showing the internal structure of a top source constituting a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a cross-sectional view schematically showing the internal structure of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view showing various embodiments of an electrode control unit constituting a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
6 is a first example diagram illustrating an area on a substrate to be processed according to a substrate processing method of a substrate processing apparatus according to various embodiments of the present invention.
7 is a second example diagram illustrating an area on a substrate to be processed according to a substrate processing method of a substrate processing apparatus according to various embodiments of the present invention.
8 is a flowchart sequentially showing a substrate processing method of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a first example diagram for further explaining each step of the substrate processing method shown in FIG. 8.
FIG. 10 is a second example diagram for further explaining each step of the substrate processing method shown in FIG. 8.
FIG. 11 is a third example diagram for further explaining each step of the substrate processing method shown in FIG. 8.
FIG. 12 is a fourth exemplary diagram for further explaining each step of the substrate processing method shown in FIG. 8.
FIG. 13 is a fifth exemplary diagram for further explaining each step of the substrate processing method shown in FIG. 8.
FIG. 14 is a sixth exemplary diagram for further explaining each step of the substrate processing method shown in FIG. 8.
FIG. 15 is a seventh exemplary diagram for further explaining each step of the substrate processing method shown in FIG. 8.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. The advantages and features of the present invention and methods for achieving them will become clear by referring to the embodiments described in detail below along with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and may be implemented in various different forms. The present embodiments are merely intended to ensure that the disclosure of the present invention is complete and to provide common knowledge in the technical field to which the present invention pertains. It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.When an element or layer is referred to as “on” or “on” another element or layer, it refers not only to being directly on top of another element or layer, but also to having another element or layer in between. Includes all. On the other hand, when an element is referred to as “directly on” or “directly on”, it indicates that there is no intervening element or layer.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.Spatially relative terms such as “below”, “beneath”, “lower”, “above”, “upper”, etc. are used as a single term as shown in the drawing. It can be used to easily describe the correlation between elements or components and other elements or components. Spatially relative terms should be understood as terms that include different directions of the element during use or operation in addition to the direction shown in the drawings. For example, if an element shown in the drawings is turned over, an element described as “below” or “beneath” another element may be placed “above” the other element. Accordingly, the illustrative term “down” may include both downward and upward directions. Elements can also be oriented in other directions, so spatially relative terms can be interpreted according to orientation.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.Although first, second, etc. are used to describe various elements, elements and/or sections, it is understood that these elements, elements and/or sections are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element, component or section from another element, component or section. Accordingly, it goes without saying that the first element, first element, or first section referred to below may also be a second element, second element, or second section within the spirit of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for describing embodiments and is not intended to limit the invention. As used herein, singular forms also include plural forms, unless specifically stated otherwise in the context. As used herein, "comprises" and/or "comprising" means that a stated component, step, operation, and/or element is present in the presence of one or more other components, steps, operations, and/or elements. or do not rule out additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in this specification may be used with meanings that can be commonly understood by those skilled in the art to which the present invention pertains. Additionally, terms defined in commonly used dictionaries are not interpreted ideally or excessively unless clearly specifically defined.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description with reference to the accompanying drawings, identical or corresponding components will be assigned the same reference numbers regardless of the reference numerals, and overlapping elements will be assigned the same reference numbers. Description is omitted.

본 발명은 기판(예를 들어, 웨이퍼(Wafer))의 베벨 에지(Bevel Edge) 영역에 축적되어 있는 부산물을 제거하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 베벨 에칭(Bevel Etching)을 이용하여 기판의 베벨 에지 영역에 축적되어 있는 부산물을 제거할 수 있다. 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 베벨 에지 영역을 포함하여 기판의 에지 영역에 축적되어 있는 부산물을 제거하는 것도 가능하다.The present invention relates to a substrate processing apparatus for removing by-products accumulated in a bevel edge region of a substrate (eg, a wafer). Specifically, the substrate processing device according to the present invention can remove by-products accumulated in the bevel edge area of the substrate using bevel etching. The substrate processing apparatus according to the present invention is also capable of removing by-products accumulated in the edge area of the substrate, including the bevel edge area.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판의 센터 영역을 비활성 가스 존으로 형성하고, 기판의 에지 영역에서만 에천트(Etchant)를 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 이를 통해 기판의 베벨 에지 영역에 축적되어 있는 부산물을 효과적으로 제거할 수 있으며, 이에 따라 제품의 수율(Yield)을 향상시키는 효과를 얻을 수 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention is characterized in that the center region of the substrate is formed as an inert gas zone, and an etchant is formed only in the edge region of the substrate. The substrate processing apparatus according to the present invention can effectively remove the by-products accumulated in the bevel edge region of the substrate through this, thereby obtaining an effect of improving the yield of the product.

이하에서는 도면 등을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 내부 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing the internal structure of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1에 따르면, 기판 처리 장치(100)는 하우징(110), 기판 지지 유닛(120), 샤워 헤드 유닛(130), 공정 가스 제공 유닛(140) 및 전극 제어 유닛(150)을 포함하여 구성될 수 있다.According to FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 may include a housing 110, a substrate support unit 120, a shower head unit 130, a process gas providing unit 140, and an electrode control unit 150. You can.

기판 처리 장치(100)는 하우징(110) 내에 설정된 진공 환경에서 기판(W)(예를 들어, 웨이퍼(Wafer))을 처리하는 것이다. 이러한 기판 처리 장치(100)는 플라즈마 공정(Plasma Process)을 이용하여 기판(W)을 처리할 수 있다. 기판 처리 장치(100)는 예를 들어, 식각 설비(Etching System)나 세정 설비(Cleaning System)로 구현될 수 있다.The substrate processing apparatus 100 processes a substrate W (eg, a wafer) in a vacuum environment set in the housing 110 . This substrate processing apparatus 100 can process the substrate W using a plasma process. The substrate processing apparatus 100 may be implemented as, for example, an etching system or a cleaning system.

하우징(110)은 기판(W)이 처리되는 공간을 제공하는 것이다. 이러한 하우징(110)은 플라즈마 공정이 수행되는 동안 그 내부가 밀폐될 수 있다. 하우징(110)은 기판(W)의 내부 출입을 위해 그 측면에 개폐 가능한 도어(미도시)를 구비할 수 있으며, 잔여 가스의 외부 배출을 위해 그 하부에 배기구(미도시)를 구비할 수 있다.The housing 110 provides a space where the substrate W is processed. The interior of this housing 110 may be sealed while the plasma process is performed. The housing 110 may be provided with an openable door (not shown) on its side for internal entry and exit of the substrate W, and may be provided with an exhaust port (not shown) at its lower portion for external discharge of remaining gas. .

기판 지지 유닛(120)은 기판(W)을 지지하는 것이다. 이러한 기판 지지 유닛(120)은 플라즈마 공정이 수행되는 동안 기판(W)을 지지할 수 있도록 하우징(110)의 내부에 설치될 수 있다.The substrate support unit 120 supports the substrate (W). This substrate support unit 120 may be installed inside the housing 110 to support the substrate W while a plasma process is performed.

기판 지지 유닛(120)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지할 수 있다. 이 경우, 기판 지지 유닛(120)은 베이스 및 정전 척(ESC; Electro Static Chuck)(미도시)을 포함하여 구성될 수 있다.The substrate support unit 120 may support the substrate W using electrostatic force. In this case, the substrate support unit 120 may include a base and an electrostatic chuck (ESC) (not shown).

정전 척은 세라믹 물질을 소재로 하여 제조될 수 있다. 정전 척은 기판(W)을 보다 균일한 플라즈마 분포를 나타내는 영역에 위치시키기 위해 하우징(110)의 내부에서 상하 방향(제3 방향(30))으로 이동 가능하게 설치될 수 있다.Electrostatic chucks may be manufactured using ceramic materials. The electrostatic chuck may be installed to be movable in the vertical direction (third direction 30) inside the housing 110 in order to position the substrate W in an area showing more uniform plasma distribution.

한편, 기판 지지 유닛(120)은 기계적 클램핑(Mechanical Clamping), 진공(Vacuum) 등 정전기력 외 다양한 방식을 이용하여 기판(W)을 지지하는 것도 가능하다.Meanwhile, the substrate support unit 120 can also support the substrate W using various methods other than electrostatic force, such as mechanical clamping and vacuum.

기판 지지 유닛(120)은 그 상부에 안착되는 기판(W)을 둘러싸도록 제공되는 링 어셈블리(Ring Assembly)(미도시)를 포함할 수 있다. 이러한 링 어셈블리는 포커스 링(Focus Ring), 에지 링(Edge Ring) 등을 포함하여 구성될 수 있다.The substrate support unit 120 may include a ring assembly (not shown) provided to surround the substrate W seated thereon. This ring assembly may include a focus ring, an edge ring, etc.

포커스 링은 실리콘 재질로 제공될 수 있으며, 플라즈마 공정시 생성되는 이온이 기판(W) 상에 집중되도록 하는 역할을 할 수 있다.The focus ring may be made of silicon and may serve to focus ions generated during the plasma process on the substrate W.

에지 링은 포커스 링의 외측에 배치되어 포커스 링을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 이러한 에지 링은 절연 역할을 위해 쿼츠(Quartz) 재질로 제공될 수 있다. 한편, 에지 링은 플라즈마에 의해 정전 척의 측면이 손상되는 것을 방지하기 위해 포커스 링뿐만 아니라 정전 척을 둘러싸도록 형성되는 것도 가능하다.The edge ring may be disposed on the outside of the focus ring and may be formed to surround the focus ring. These edge rings may be made of quartz material for an insulating role. Meanwhile, the edge ring may be formed to surround the electrostatic chuck as well as the focus ring to prevent the side of the electrostatic chuck from being damaged by plasma.

기판 지지 유닛(120)은 기판(W)이 처리되는 동안 공정 온도를 유지할 수 있도록 제공되는 가열 부재(Heater)(미도시) 및 냉각 부재(Cooler)(미도시)를 그 내부에 포함할 수 있다. 가열 부재는 열선으로 기판 지지 유닛(120)의 내부(예를 들어, 정전 척의 내부)에 설치될 수 있으며, 냉각 부재는 냉매가 흐르는 냉각 라인으로 기판 지지 유닛(120)의 내부(예를 들어, 베이스의 내부)에 설치될 수 있다. 냉각 부재는 하우징(110)의 외부에 설치되는 냉각 장치(Chiller)(미도시)를 이용하여 냉매를 공급받을 수 있다.The substrate support unit 120 may include a heater (not shown) and a cooling member (not shown) provided therein so as to maintain a process temperature while the substrate W is being processed. . The heating member may be installed inside the substrate support unit 120 as a hot wire (eg, inside the electrostatic chuck), and the cooling member may be a cooling line through which a refrigerant flows and may be installed inside the substrate support unit 120 (eg, inside the substrate support unit 120). inside the base). The cooling member may be supplied with refrigerant using a cooling device (Chiller) (not shown) installed on the outside of the housing 110.

샤워 헤드 유닛(Shower Head Unit; 130)은 기판(W)이 위치한 방향으로 공정 가스를 분사하는 것이다. 샤워 헤드 유닛(130)은 이를 위해 하우징(110)의 내부에서 기판(W)의 상부에 배치될 수 있다.The shower head unit (Shower Head Unit) 130 sprays process gas in the direction where the substrate (W) is located. For this purpose, the shower head unit 130 may be placed on top of the substrate W inside the housing 110 .

본 실시예에서 하우징(110)의 내부 공간은 샤워 헤드 유닛(130)에 의해 플라즈마 생성 영역(Plasma Generation Region; 210) 및 프로세스 영역(Process Region; 220)으로 구분될 수 있다.In this embodiment, the internal space of the housing 110 may be divided into a plasma generation region 210 and a process region 220 by the shower head unit 130.

플라즈마 생성 영역(210)은 하우징(110)의 내부에서 샤워 헤드 유닛(130)의 상부에 위치하는 공간이다. 플라즈마 생성 영역(210)에서는 플라즈마가 활성화되어, 라디칼(Radical)이 생성될 수 있다.The plasma generation area 210 is a space located inside the housing 110 and at the top of the shower head unit 130. In the plasma generation region 210, plasma may be activated and radicals may be generated.

프로세스 영역(220)은 하우징(110)의 내부에서 샤워 헤드 유닛(130)의 하부에 위치하는 공간이다. 프로세스 영역(220)에서는 플라즈마 생성 영역(210)에서 생성되는 라디칼을 이용하여 에천트(Etchant)가 생성되며, 이 에천트를 통해 기판(W)이 처리될 수 있다.The process area 220 is a space located inside the housing 110 and below the shower head unit 130. In the process region 220, an etchant is generated using radicals generated in the plasma generation region 210, and the substrate W can be processed through this etchant.

샤워 헤드 유닛(130)은 프로세스 영역(220)으로 라디칼을 포함하는 공정 가스를 분사하기 위해 복수 개의 가스 피딩 홀(Gas Feeding Hole)(미도시)을 구비할 수 있다. 샤워 헤드 유닛(130)은 기판(W)과 동일한 직경을 가지도록 제공되거나, 기판(W)보다 더 큰 직경을 가지도록 제공될 수 있다. 샤워 헤드 유닛(130)은 세라믹 성분이나 금속 성분을 소재로 하여 제조될 수 있다.The shower head unit 130 may be provided with a plurality of gas feeding holes (not shown) to spray process gas containing radicals into the process area 220. The shower head unit 130 may be provided to have the same diameter as the substrate (W) or may be provided to have a larger diameter than the substrate (W). The shower head unit 130 may be manufactured using ceramic components or metal components.

샤워 헤드 유닛(130)은 도 2에 도시된 바와 같이 센터 영역(Center Zone)에 배치되는 제1 부분 모듈(310) 및 에지 영역(Edge Zone)에 배치되는 제2 부분 모듈(320)로 분할될 수 있다.As shown in FIG. 2, the shower head unit 130 is divided into a first partial module 310 disposed in the center zone and a second partial module 320 disposed in the edge zone. You can.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 샤워 헤드 유닛의 내부 구조를 구체적으로 도시한 단면도이다. 이하 설명은 도 2를 참조한다.Figure 2 is a cross-sectional view specifically showing the internal structure of a shower head unit constituting a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. The following description refers to FIG. 2 .

샤워 헤드 유닛(130)이 이와 같이 구성되는 경우, 제1 부분 모듈(310)에 형성되는 복수 개의 가스 피딩 홀과 제2 부분 모듈(320)에 형성되는 복수 개의 가스 피딩 홀을 이용하여 서로 다른 공정 가스를 프로세스 영역(220)으로 공급할 수 있다.When the shower head unit 130 is configured in this way, different processes are performed using the plurality of gas feeding holes formed in the first partial module 310 and the plurality of gas feeding holes formed in the second partial module 320. Gas may be supplied to the process area 220.

그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 부분 모듈(310)에 형성되는 복수 개의 가스 피딩 홀과 제2 부분 모듈(320)에 형성되는 복수 개의 가스 피딩 홀을 이용하여 동일한 공정 가스를 프로세스 영역(220)으로 공급하는 것도 가능하다.However, this embodiment is not limited to this. It is also possible to supply the same process gas to the process area 220 using a plurality of gas feeding holes formed in the first partial module 310 and a plurality of gas feeding holes formed in the second partial module 320.

한편, 샤워 헤드 유닛(130)의 상부에는 이온 차단 유닛(Ion Blocking Unit; 330)이 설치될 수 있다. 이온 차단 유닛(330)은 플라즈마 생성 영역(210)에서 생성되는 라디칼만 통과시키고, 그 외의 이온은 차단시키는 역할을 할 수 있다.Meanwhile, an ion blocking unit (Ion Blocking Unit) 330 may be installed on the top of the shower head unit 130. The ion blocking unit 330 may serve to pass only radicals generated in the plasma generation region 210 and block other ions.

이온 차단 유닛(330)은 샤워 헤드 유닛(130)의 상부 전면에 설치될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 이온 차단 유닛(330)은 샤워 헤드 유닛(130)의 내부에 설치되는 것도 가능하다.The ion blocking unit 330 may be installed on the upper front of the shower head unit 130. However, this embodiment is not limited to this. The ion blocking unit 330 can also be installed inside the shower head unit 130.

한편, 이온 차단 유닛(330)은 제1 부분 모듈(310)의 상부 및 제2 부분 모듈(320)의 상부 중 어느 하나에 설치되는 것도 가능하다. 또한, 이온 차단 유닛(330)은 제1 부분 모듈(310)의 내부 및 제2 부분 모듈(320)의 내부 중 어느 하나에 설치되는 것도 가능하다.Meanwhile, the ion blocking unit 330 may be installed on either the top of the first partial module 310 or the top of the second partial module 320. Additionally, the ion blocking unit 330 may be installed either inside the first partial module 310 or inside the second partial module 320.

한편, 샤워 헤드 유닛(130)은 세 개 이상의 부분 모듈로 분할되는 것도 가능하다. 샤워 헤드 유닛(130)은 세 개의 부분 모듈로 분할되는 경우, 예를 들어, 센터 영역(Center Zone)에 배치되는 부분 모듈, 미들 영역(Middle Zone)에 배치되는 부분 모듈, 에지 영역(Edge Zone)에 배치되는 부분 모듈 등으로 분할될 수 있다. 이 경우, 센터 영역에 배치되는 부분 모듈 및 미들 영역에 배치되는 부분 모듈이 도 2의 제1 부분 모듈(310)과 동일하게 취급될 수 있으며, 에지 영역에 배치되는 부분 모듈이 도 2의 제2 부분 모듈(320)과 동일하게 취급될 수 있다.Meanwhile, the shower head unit 130 can also be divided into three or more partial modules. When the shower head unit 130 is divided into three partial modules, for example, a partial module placed in the center zone, a partial module placed in the middle zone, and an edge zone. It can be divided into partial modules placed in . In this case, the partial module disposed in the center area and the partial module disposed in the middle area may be treated the same as the first partial module 310 of FIG. 2, and the partial module disposed in the edge area may be treated as the second partial module 310 of FIG. 2. It can be treated the same as the partial module 320.

한편, 샤워 헤드 유닛(130)은 네 개의 부분 모듈로 분할되는 경우, 예를 들어 센터 영역(Center Zone)에 배치되는 부분 모듈, 미들 영역(Middle Zone)에 배치되는 부분 모듈, 에지 영역(Edge Zone)에 배치되는 부분 모듈, 극단 에지 영역(Extremely Edge Zone)에 배치되는 부분 모듈 등으로 분할될 수 있다. 이 경우, 센터 영역에 배치되는 부분 모듈 및 미들 영역에 배치되는 부분 모듈이 도 2의 제1 부분 모듈(310)과 동일하게 취급될 수 있으며, 에지 영역에 배치되는 부분 모듈 및 극단 에지 영역에 배치되는 부분 모듈이 도 2의 제2 부분 모듈(320)과 동일하게 취급될 수 있다.On the other hand, when the shower head unit 130 is divided into four partial modules, for example, a partial module disposed in the center zone, a partial module disposed in the middle zone, and an edge zone ) can be divided into partial modules placed in the area, partial modules placed in the Extremely Edge Zone, etc. In this case, the partial modules disposed in the center region and the partial modules disposed in the middle region may be treated the same as the first partial module 310 of FIG. 2, and the partial modules disposed in the edge region and the partial modules disposed in the extreme edge region The partial module may be treated the same as the second partial module 320 of FIG. 2.

한편, 샤워 헤드 유닛(130)과 기판(W) 사이의 간격(Gap)은 로컬 제어(Local Control)를 위해 기존보다 축소될 수 있다. 구체적으로, 기판(W)의 베벨 영역 및/또는 에지 영역만을 처리할 때의 샤워 헤드 유닛(130) 및 기판(W) 사이의 간격은 기판(W)의 전면을 처리할 때의 샤워 헤드 유닛(130) 및 기판(W) 사이의 간격보다 축소될 수 있다.Meanwhile, the gap between the shower head unit 130 and the substrate W may be smaller than before for local control. Specifically, the gap between the shower head unit 130 and the substrate W when processing only the bevel area and/or the edge area of the substrate W is the shower head unit 130 when processing the entire surface of the substrate W ( 130) and the substrate (W) may be reduced.

다시 도 1을 참조하여 설명한다.It will be described with reference to FIG. 1 again.

공정 가스 제공 유닛(140)은 기판(W)을 처리하기 위해 하우징(110)의 내부로 제1 공정 가스를 제공하는 것이다. 이러한 공정 가스 제공 유닛(140)은 제1 공정 가스 공급 모듈(140a), 제2 공정 가스 공급 모듈(140b) 및 제3 공정 가스 공급 모듈(140c)을 포함하여 구성될 수 있다.The process gas providing unit 140 provides first process gas to the inside of the housing 110 to process the substrate W. This process gas supply unit 140 may include a first process gas supply module 140a, a second process gas supply module 140b, and a third process gas supply module 140c.

제1 공정 가스 공급 모듈(140a) 및 제2 공정 가스 공급 모듈(140b)은 탑 소스(Top Source; 160)를 통해 플라즈마 생성 영역(210)으로 공정 가스를 공급하는 것이다.The first process gas supply module 140a and the second process gas supply module 140b supply process gas to the plasma generation area 210 through a top source (Top Source) 160.

구체적으로, 제1 공정 가스 공급 모듈(140a)은 탑 소스(160)의 제3 부분 모듈(340)을 통해 플라즈마 생성 영역(210)으로 제1 공정 가스를 공급하며, 제2 공정 가스 공급 모듈(140b)은 탑 소스(160)의 제4 부분 모듈(350)을 통해 플라즈마 생성 영역(210)으로 제2 공정 가스를 공급할 수 있다.Specifically, the first process gas supply module 140a supplies the first process gas to the plasma generation area 210 through the third partial module 340 of the top source 160, and the second process gas supply module ( 140b) may supply the second process gas to the plasma generation region 210 through the fourth partial module 350 of the top source 160.

상기에서, 제1 공정 가스 공급 모듈(140a)은 비활성 가스를 제1 공정 가스로 공급할 수 있다. 제1 공정 가스 공급 모듈(140a)은 예를 들어, He 가스, Ar 가스, Xe 가스 등을 비활성 가스로 공급할 수 있다.In the above, the first process gas supply module 140a may supply an inert gas as the first process gas. The first process gas supply module 140a may supply, for example, He gas, Ar gas, Xe gas, etc. as inert gases.

제2 공정 가스 공급 모듈(140b)은 식각 가스(Etching Gas)를 제2 공정 가스로 공급할 수 있다. 제2 공정 가스 공급 모듈(140b)은 예를 들어, NF3 가스 등 플루오린(Fluorine) 성분을 포함하는 가스를 식각 가스로 공급할 수 있다.The second process gas supply module 140b may supply etching gas as the second process gas. The second process gas supply module 140b may supply a gas containing a fluorine component, such as NF3 gas, as an etching gas.

탑 소스(160)는 하우징(110)의 상부를 덮도록 형성되는 것이다. 이러한 탑 소스(160)는 전류가 흐를 수 있도록 금속 성분을 소재로 하여 제조될 수 있다. 탑 소스(160)는 센터 영역(Center Zone)에 배치되는 제3 부분 모듈(340) 및 에지 영역(Edge Zone)에 배치되는 제4 부분 모듈(350)로 분할될 수 있다.The top source 160 is formed to cover the upper part of the housing 110. This top source 160 may be manufactured using metal components to allow current to flow. The top source 160 may be divided into a third partial module 340 disposed in the center zone and a fourth partial module 350 disposed in the edge zone.

탑 소스(160)의 제3 부분 모듈(340)은, 샤워 헤드 유닛(130)이 제1 부분 모듈(310) 및 제2 부분 모듈(320)로 분할되는 경우, 샤워 헤드 유닛(130)의 제1 부분 모듈(310)에 대응하는 크기를 가지도록 형성될 수 있다. 마찬가지로, 탑 소스(160)의 제4 부분 모듈(350)은, 샤워 헤드 유닛(130)이 제1 부분 모듈(310) 및 제2 부분 모듈(320)로 분할되는 경우, 샤워 헤드 유닛(130)의 제2 부분 모듈(320)에 대응하는 크기를 가지도록 형성될 수 있다.The third part module 340 of the top source 160 is the first part of the shower head unit 130 when the shower head unit 130 is divided into the first part module 310 and the second part module 320. It may be formed to have a size corresponding to the one-part module 310. Similarly, the fourth partial module 350 of the top source 160, when the shower head unit 130 is divided into the first partial module 310 and the second partial module 320, the shower head unit 130 It may be formed to have a size corresponding to the second partial module 320 of .

한편, 탑 소스(160)의 제3 부분 모듈(340) 및 제4 부분 모듈(350) 사이에는 도 3에 도시된 바와 같이 절연체(Insulator; 360)가 설치될 수 있다. 이때, 절연체(360)는 제4 부분 모듈(350)의 외측에도 추가로 설치될 수 있다.Meanwhile, an insulator 360 may be installed between the third partial module 340 and the fourth partial module 350 of the top source 160 as shown in FIG. 3 . At this time, the insulator 360 may be additionally installed on the outside of the fourth partial module 350.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 탑 소스의 내부 구조를 구체적으로 도시한 단면도이다. 이하 설명은 도 3을 참조한다.Figure 3 is a cross-sectional view specifically showing the internal structure of a top source constituting a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. The following description refers to FIG. 3 .

절연체(360)는, 제1 공정 가스 공급 모듈(140a)이 탑 소스(160)의 제3 부분 모듈(340)을 통해 제1 공정 가스를 플라즈마 생성 영역(210)에 공급하고 제2 공정 가스 공급 모듈(140b)이 탑 소스(160)의 제4 부분 모듈(350)을 통해 제2 공정 가스를 플라즈마 생성 영역(210)에 공급하는 경우, 제3 부분 모듈(340) 및 제4 부분 모듈(350) 사이에 설치될 수 있다.The insulator 360 is configured such that the first process gas supply module 140a supplies the first process gas to the plasma generation region 210 through the third partial module 340 of the top source 160 and supplies the second process gas. When the module 140b supplies the second process gas to the plasma generation region 210 through the fourth partial module 350 of the top source 160, the third partial module 340 and the fourth partial module 350 ) can be installed between

절연체(360)는 세라믹 성분을 소재로 하여 제조될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 본 실시예에서 절연체(360)는 절연 및/또는 차단 기능을 할 수 있는 것이라면 그 어떠한 성분을 소재로 하여 제조되어도 무방하다.The insulator 360 may be manufactured using ceramic components. However, this embodiment is not limited to this. In this embodiment, the insulator 360 may be made of any material as long as it can perform insulation and/or blocking functions.

한편, 본 실시예에서는 절연체(360) 대신에 절연체 역할을 할 수 있는 아이솔레이터(Isolator)가 탑 소스(160)의 제3 부분 모듈(340) 및 제4 부분 모듈(350) 사이에 설치되는 것도 가능하다.Meanwhile, in this embodiment, an isolator that can act as an insulator instead of the insulator 360 may be installed between the third partial module 340 and the fourth partial module 350 of the top source 160. do.

다시 도 1을 참조하여 설명한다.It will be described with reference to FIG. 1 again.

제3 공정 가스 공급 모듈(140c)은 샤워 헤드 유닛(130)을 통해 프로세스 영역(220)으로 제3 공정 가스를 공급하는 것이다.The third process gas supply module 140c supplies the third process gas to the process area 220 through the shower head unit 130.

제3 공정 가스 공급 모듈(140c)은 에칭 가스(즉, 제2 공정 가스)와 반응하는 반응 가스를 제3 공정 가스로 공급할 수 있다. 이러한 제3 공정 가스 공급 모듈(140c)은 수소 성분을 포함하는 가스를 반응 가스로 공급할 수 있다. 제3 공정 가스 공급 모듈(140c)은 예를 들어, NH3 가스를 반응 가스로 공급할 수 있다.The third process gas supply module 140c may supply a reaction gas that reacts with the etching gas (ie, the second process gas) as the third process gas. This third process gas supply module 140c can supply gas containing hydrogen as a reaction gas. For example, the third process gas supply module 140c may supply NH3 gas as a reaction gas.

제3 공정 가스 공급 모듈(140c)은, 샤워 헤드 유닛(130)이 제1 부분 모듈(310) 및 제2 부분 모듈(320)로 분할되는 경우, 제2 부분 모듈(320)을 통해 기판(W)의 에지 영역으로 제3 공정 가스를 공급할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제3 공정 가스 공급 모듈(140c)은 제1 부분 모듈(310) 및 제2 부분 모듈(320)을 통해 기판(W)의 센터 영역 및 에지 영역으로 제3 공정 가스를 공급하는 것도 가능하다.When the shower head unit 130 is divided into the first partial module 310 and the second partial module 320, the third process gas supply module 140c operates on the substrate (W) through the second partial module 320. ) can be supplied to the edge area of the third process gas. However, this embodiment is not limited to this. The third process gas supply module 140c can also supply the third process gas to the center area and edge area of the substrate W through the first partial module 310 and the second partial module 320.

전극 제어 유닛(150)은 플라즈마 생성 영역(210)에 플라즈마를 발생시키고, 프로세스 영역(220)에서 기판(W)이 처리될 수 있도록, 전극을 제어하는 것이다. 이러한 전극 제어 유닛(150)은 기판(W)의 상부에 배치되는 상부 전극 및 기판(W)의 하부에 배치되는 하부 전극을 제어할 수 있다.The electrode control unit 150 generates plasma in the plasma generation area 210 and controls the electrode so that the substrate W can be processed in the process area 220. This electrode control unit 150 can control the upper electrode disposed on the top of the substrate W and the lower electrode disposed on the bottom of the substrate W.

전극 제어 유닛(150)은 플라즈마 생성 영역(210)에 플라즈마를 발생시키기 위해 CCP(Capacitively Coupled Plasma) 방식을 이용할 수 있다. 이 경우, 전극 제어 유닛(150)은 탑 소스(160)를 상부 전극으로 이용하고, 기판 지지 유닛(120)의 정전 척을 하부 전극으로 이용할 수 있다.The electrode control unit 150 may use a capacitively coupled plasma (CCP) method to generate plasma in the plasma generation area 210. In this case, the electrode control unit 150 may use the top source 160 as an upper electrode and the electrostatic chuck of the substrate support unit 120 as a lower electrode.

그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 전극 제어 유닛(150)은 플라즈마 생성 영역(210)에 플라즈마를 발생시키기 위해 ICP(Inductively Coupled Plasma) 방식을 이용하는 것도 가능하다. 이 경우, 전극 제어 유닛(150)은 도 4에 도시된 바와 같이 탑 소스(160)의 상부에 설치되는 안테나 유닛(170)을 상부 전극으로 이용하고, 기판 지지 유닛(120)의 정전 척을 하부 전극으로 이용할 수 있다.However, this embodiment is not limited to this. The electrode control unit 150 may also use an inductively coupled plasma (ICP) method to generate plasma in the plasma generation area 210. In this case, the electrode control unit 150 uses the antenna unit 170 installed on the top of the top source 160 as the upper electrode, as shown in FIG. 4, and the electrostatic chuck of the substrate support unit 120 as the lower electrode. It can be used as an electrode.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 내부 구조를 개략적으로 도시한 단면도이다. 이하 설명은 도 4를 참조한다.Figure 4 is a cross-sectional view schematically showing the internal structure of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. The following description refers to FIG. 4.

안테나 유닛(170)은 폐루프를 형성하는 코일(예를 들어, 평판 스파이럴(Planar Spiral) 형태의 코일)로 제공될 수 있다. 이러한 안테나 유닛(170)은 상부 전극으로 작동하기 위해 탑 소스(160)의 상부에 설치될 수 있다.The antenna unit 170 may be provided as a coil forming a closed loop (for example, a coil in the form of a planar spiral). This antenna unit 170 may be installed on top of the top source 160 to operate as an upper electrode.

그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 안테나 유닛(170)은 하우징(110)의 측면을 둘러싸도록 설치되는 것도 가능하다. 이 경우, 기판 지지 유닛(120)의 정전 척은 하부 전극으로 작동하지 않아도 무방하다.However, this embodiment is not limited to this. The antenna unit 170 can also be installed to surround the side of the housing 110. In this case, the electrostatic chuck of the substrate support unit 120 does not need to operate as a lower electrode.

다시 도 1을 참조하여 설명한다.Description will be made again with reference to FIG. 1 .

전극 제어 유닛(150)은 상부 전극 및 하부 전극을 제어하기 위해 제1 전원(150a), 제2 전원(150b) 및 전원 제어부(150c)를 포함하여 구성될 수 있다.The electrode control unit 150 may include a first power source 150a, a second power source 150b, and a power control unit 150c to control the upper electrode and the lower electrode.

제1 전원(150a)은 탑 소스(160)에 전원을 인가하는 것이다. 제1 전원(150a)은 플라즈마의 특성을 제어하는 역할을 할 수 있다. 제1 전원(150a)은 예를 들어, 이온 충격 에너지(Ion Bombardment Energy)를 조절하는 역할을 할 수 있다.The first power source 150a applies power to the top source 160. The first power source 150a may serve to control the characteristics of plasma. For example, the first power source 150a may serve to control ion bombardment energy.

제2 전원(150b)은 기판 지지 유닛(120)의 정전 척에 전원을 인가하는 것이다. 제2 전원(150b)은 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스 역할을 하거나, 제1 전원(150a)과 더불어 플라즈마의 특성을 제어하는 역할을 할 수 있다.The second power source 150b applies power to the electrostatic chuck of the substrate support unit 120. The second power source 150b may serve as a plasma source that generates plasma, or may serve to control the characteristics of plasma together with the first power source 150a.

전원 제어부(150c)는 제1 전원(150a) 및 제2 전원(150b)이 소정 값의 RF 전원을 인가할 수 있도록 제1 전원(150a) 및 제2 전원(150b)을 제어하는 것이다.The power control unit 150c controls the first power source 150a and the second power source 150b so that the first power source 150a and the second power source 150b can apply RF power of a predetermined value.

전원 제어부(150c)는 제1 전원(150a) 및 제2 전원(150b)이 동일한 값의 RF 전원을 인가하도록 제1 전원(150a) 및 제2 전원(150b)을 제어할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 전원 제어부(150c)는 제1 전원(150a) 및 제2 전원(150b)이 서로 다른 값의 RF 전원을 인가하도록 제1 전원(150a) 및 제2 전원(150b)을 제어하는 것도 가능하다.The power controller 150c may control the first power source 150a and the second power source 150b so that the first power source 150a and the second power source 150b apply RF power of the same value. However, this embodiment is not limited to this. The power controller 150c may also control the first power source 150a and the second power source 150b so that the first power source 150a and the second power source 150b apply RF power of different values.

한편, 탑 소스(160)는 앞서 설명한 바와 같이, 제3 부분 모듈(340) 및 제4 부분 모듈(350)을 포함하여 구성될 수 있다. 본 실시예에서는 이러한 측면을 고려하여, 도 5에 도시된 바와 같이 전극 제어 유닛(150)이 제2 전원(150b), 제3 전원(150d), 제4 전원(150e) 및 전원 제어부(150c)를 포함하여 구성되는 것도 가능하다.Meanwhile, as described above, the top source 160 may be configured to include a third partial module 340 and a fourth partial module 350. In this embodiment, taking this aspect into consideration, as shown in FIG. 5, the electrode control unit 150 includes a second power source 150b, a third power source 150d, a fourth power source 150e, and a power control unit 150c. It is also possible to be configured to include.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 구성하는 전극 제어 유닛의 다양한 실시 형태를 도시한 단면도이다. 이하 설명은 도 5를 참조한다.5 is a cross-sectional view showing various embodiments of an electrode control unit constituting a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. The following description refers to FIG. 5.

제2 전원(150b)에 대해서는 도 1을 참조하여 전술하였는 바, 여기서는 그 자세한 설명을 생략한다.The second power source 150b has been described above with reference to FIG. 1, and its detailed description will be omitted here.

제3 전원(150d) 및 제4 전원(150e)은 탑 소스(160)에 전원을 인가하는 것이다. 구체적으로, 제3 전원(150d)은 탑 소스(160)의 제3 부분 모듈(340)에 전원을 인가하며, 제4 전원(150e)은 탑 소스(160)의 제4 부분 모듈(350)에 전원을 인가한다.The third power source 150d and the fourth power source 150e apply power to the top source 160. Specifically, the third power source 150d applies power to the third partial module 340 of the top source 160, and the fourth power source 150e applies power to the fourth partial module 350 of the top source 160. Apply power.

제3 전원(150d) 및 제4 전원(150e)은 탑 소스(160)의 제3 부분 모듈(340) 및 제4 부분 모듈(350)에 서로 다른 값의 RF 전원을 인가할 수 있다. 이 경우, 제3 전원(150d) 및 제4 전원(150e)에 의해 각각 인가되는 RF 전원(RF1, RF2)은 상호(RF1, RF2) 간 커플링(Coupling) 방지를 위한 하모닉스 프리 프리퀀시(Harmonics Free Frequency)로 구현될 수 있다.The third power source 150d and the fourth power source 150e may apply RF power of different values to the third partial module 340 and the fourth partial module 350 of the top source 160 . In this case, the RF power sources RF1 and RF2 respectively applied by the third power source 150d and the fourth power source 150e have harmonics free frequencies for preventing coupling between RF1 and RF2. Frequency) can be implemented.

그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제3 전원(150d) 및 제4 전원(150e)은 제3 부분 모듈(340) 및 제4 부분 모듈(350)에 동일한 값의 RF 전원을 인가하는 것도 가능하다.However, this embodiment is not limited to this. The third power source 150d and the fourth power source 150e may apply RF power of the same value to the third partial module 340 and the fourth partial module 350.

한편, 제3 전원(150d) 및 제4 전원(150e)이 서로 다른 값의 RF 전원을 인가하는 경우, 제3 전원(150d)이 제4 전원(150e)보다 더 큰 값의 RF 전원을 인가할 수 있다. 예를 들어, 제3 전원(150d)이 50MHz ~ 70MHz의 RF 전원을 인가하고, 제4 전원(150e)이 10MHz ~ 20MHz의 RF 전원을 인가할 수 있다.Meanwhile, when the third power source 150d and the fourth power source 150e apply RF power of different values, the third power source 150d may apply an RF power of a greater value than the fourth power source 150e. can For example, the third power source 150d may apply RF power of 50 MHz to 70 MHz, and the fourth power source 150e may apply RF power of 10 MHz to 20 MHz.

이상, 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 다양한 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)에 대하여 설명하였다. 기판 처리 장치(100)는 기판(W)의 베벨 영역에 잔여하는 부산물을 제거할 때, 리프트 핀(Lift Pin)(미도시)을 이용하여 기판(W)을 기판 지지 유닛(120)의 상부 방향(제3 방향(30))으로 리프트시킬 수 있다.Above, the substrate processing apparatus 100 according to various embodiments of the present invention has been described with reference to FIGS. 1 to 5 . When removing byproducts remaining on the bevel area of the substrate W, the substrate processing apparatus 100 moves the substrate W toward the upper side of the substrate support unit 120 by using a lift pin (not shown). It can be lifted in the third direction (30).

또한, 기판 처리 장치(100)는 기판(W)의 베벨 영역(Bevel Area)을 포함하여 기판(W)의 에지 영역(Edge Area)에 잔여하는 부산물을 제거하는 것도 가능하다.Additionally, the substrate processing apparatus 100 is also capable of removing by-products remaining in the edge area of the substrate W, including the bevel area of the substrate W.

상기에서, 베벨 영역은 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이 기판(W)의 상부, 측부 및 하부를 포함하는 극단 에지 영역(Extremely Edge Zone; 410)을 의미한다. 그리고, 에지 영역(420)은 극단 에지 영역보다 더 넓은 폭을 가지며, 기판(W)의 상부만을 포함하는 영역을 의미한다.In the above, the bevel area refers to an extreme edge area (Extremely Edge Zone) 410 including the top, side, and bottom of the substrate W, as shown in FIGS. 6 and 7. Additionally, the edge area 420 has a wider width than the extreme edge area and refers to an area including only the top of the substrate W.

따라서, 기판 처리 장치(100)가 기판(W)의 베벨 영역에 잔여하는 부산물을 제거한다는 것은 도 6에서 알 수 있듯이 기판(W)의 극단 에지 영역(410) 상부, 측부 및 하부에 축적된 부산물(430, 440, 450)을 제거한다는 것을 의미한다. 도 6은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 처리 방법에 따라 처리되는 기판 상의 영역을 설명하기 위한 제1 예시도이다.Therefore, as can be seen in FIG. 6 , the substrate processing apparatus 100 removes by-products remaining in the bevel area of the substrate W, by-products accumulated on the top, side, and bottom of the extreme edge area 410 of the substrate W. This means removing (430, 440, 450). 6 is a first example diagram illustrating an area on a substrate to be processed according to a substrate processing method of a substrate processing apparatus according to various embodiments of the present invention.

또한, 기판 처리 장치(100)가 기판(W)의 에지 영역에 잔여하는 부산물을 제거한다는 것은 도 7에서 알 수 있듯이 기판(W)의 에지 영역(420) 상부에 축적된 부산물(460)을 제거한다는 것을 의미한다. 도 7은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 처리 방법에 따라 처리되는 기판 상의 영역을 설명하기 위한 제2 예시도이다.In addition, as can be seen in FIG. 7 , the substrate processing apparatus 100 removes the by-products remaining on the edge region of the substrate W by removing the by-products 460 accumulated on the edge region 420 of the substrate W. It means doing it. 7 is a second exemplary view for explaining a region on a substrate processed according to a substrate processing method of a substrate processing apparatus according to various embodiments of the present disclosure.

한편, 기판 처리 장치(100)는 기판(W)에 대해 베벨 에칭을 수행하는 경우, 기판 지지 유닛(120)의 가열 부재 및 냉각 부재를 이용하여 기판(W)의 센터 영역과 에지 영역 간에 온도 차를 발생시키는 것도 가능하다.Meanwhile, when the substrate processing apparatus 100 performs bevel etching on the substrate W, the substrate support unit 120 uses a heating member and a cooling member to detect a temperature difference between the center region and the edge region of the substrate W. It is also possible to generate .

다음으로, 기판 처리 장치(100)가 기판(W)에 대해 베벨 에칭(Bevel Etching)을 수행하는 경우 즉, 기판(W)의 베벨 영역에 잔여하는 부산물(예를 들어, 산화막(Oxide), 질화막(Nitride) 등)을 식각하는 경우, 기판 처리 방법에 대하여 설명한다.Next, when the substrate processing apparatus 100 performs bevel etching on the substrate W, that is, by-products remaining in the bevel area of the substrate W (e.g., oxide film, nitride film) (Nitride, etc.), the substrate processing method is explained.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 기판 처리 방법을 순차적으로 도시한 흐름도이다. 이하 설명은 도 8 내지 도 15를 참조한다. 도 9 내지 도 15에 대해서는 순차적으로 후술하기로 한다.8 is a flowchart sequentially showing a substrate processing method of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. The following description refers to FIGS. 8 to 15. Figures 9 to 15 will be described sequentially later.

먼저, 제1 공정 가스 공급 모듈(140a) 및 제2 공정 가스 공급 모듈(140b)이 탑 소스(160)를 통해 플라즈마 생성 영역(210)으로 공정 가스를 공급한다(S510).First, the first process gas supply module 140a and the second process gas supply module 140b supply process gas to the plasma generation region 210 through the top source 160 (S510).

구체적으로, 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 공정 가스 공급 모듈(140a)이 탑 소스(160)의 제3 부분 모듈(340)을 통해 제1 영역(610)으로 제1 공정 가스(630)를 공급하며, 제2 공정 가스 공급 모듈(140b)이 탑 소스(160)의 제4 부분 모듈(350)을 통해 제2 영역(620)으로 제2 공정 가스(640)를 공급한다.Specifically, as shown in FIG. 9, the first process gas supply module 140a supplies the first process gas 630 to the first region 610 through the third partial module 340 of the top source 160. and the second process gas supply module 140b supplies the second process gas 640 to the second region 620 through the fourth partial module 350 of the top source 160.

상기에서, 제1 영역(610)은 플라즈마 생성 영역(210)의 센터 영역을 의미하며, 제2 영역(620)은 플라즈마 생성 영역(210)의 에지 영역을 의미한다. 도 9는 도 8에 도시된 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제1 예시도이다.In the above, the first area 610 refers to the center area of the plasma generation area 210, and the second area 620 refers to the edge area of the plasma generation area 210. FIG. 9 is a first example diagram for further explaining each step of the substrate processing method shown in FIG. 8.

제1 공정 가스 공급 모듈(140a)이 제1 공정 가스(630)를 공급하는 것은 제2 공정 가스 공급 모듈(140b)이 제2 공정 가스(640)를 공급하는 것보다 먼저 수행될 수 있다. 이 경우, 제2 공정 가스(640)(또는 제2 공정 가스(640)로부터 생성되는 라디칼(Radical))가 제1 영역(610)으로 침범하는 것을 방지하는 효과를 얻을 수 있다.The first process gas supply module 140a may supply the first process gas 630 before the second process gas supply module 140b supplies the second process gas 640. In this case, the effect of preventing the second process gas 640 (or radicals generated from the second process gas 640) from invading the first area 610 can be obtained.

그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 공정 가스 공급 모듈(140a)이 제1 공정 가스(630)를 공급하는 것은 제2 공정 가스 공급 모듈(140b)이 제2 공정 가스(640)를 공급하는 것과 동시에 수행되는 것도 가능하다.However, this embodiment is not limited to this. It is possible that the first process gas supply module 140a supplies the first process gas 630 at the same time that the second process gas supply module 140b supplies the second process gas 640.

제1 공정 가스 공급 모듈(140a) 및 제2 공정 가스 공급 모듈(140b)이 플라즈마 생성 영역(210)으로 제1 공정 가스(630) 및 제2 공정 가스(640)를 공급하면, 도 10에 도시된 바와 같이, 제1 전원(150a) 및 제2 전원(150b)은 전원 제어부(150c)의 제어에 따라 탑 소스(160) 및 기판 지지 유닛(120)의 정전 척에 각각 RF 전원(650, 660)을 인가한다(S520). 도 10은 도 8에 도시된 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제2 예시도이다.When the first process gas supply module 140a and the second process gas supply module 140b supply the first process gas 630 and the second process gas 640 to the plasma generation area 210, as shown in FIG. 10 As described above, the first power source 150a and the second power source 150b supply RF power sources 650 and 660 to the top source 160 and the electrostatic chuck of the substrate support unit 120, respectively, under the control of the power control unit 150c. ) is applied (S520). FIG. 10 is a second example diagram for further explaining each step of the substrate processing method shown in FIG. 8.

그러면, 도 11에 도시된 바와 같이, 제1 영역(610)에서는 제1 공정 가스(630)를 이용하여 플라즈마가 활성화되며(예를 들어, 제1 공정 가스(630)가 He 가스인 경우, He ⇒ He Plasma), 제2 영역(620)에서는 제2 공정 가스(640)로부터 라디칼(670)이 생성된다(예를 들어, 제2 공정 가스가 NF3 가스인 경우, NF3 *)(S530). 도 11은 도 8에 도시된 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제3 예시도이다.Then, as shown in FIG. 11, plasma is activated in the first area 610 using the first process gas 630 (for example, if the first process gas 630 is He gas, He ⇒ He Plasma), radicals 670 are generated from the second process gas 640 in the second region 620 (for example, if the second process gas is NF3 gas, NF 3 * ) (S530). FIG. 11 is a third example diagram for further explaining each step of the substrate processing method shown in FIG. 8.

한편, 본 실시예에서 S520 단계는 S510 단계 이후에 수행될 수 있으나, 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, S520 단계는 S510 단계와 동시에 수행되거나, S510 단계보다 먼저 수행되는 것도 가능하다.Meanwhile, in this embodiment, step S520 may be performed after step S510, but the present embodiment is not limited to this, and step S520 may be performed simultaneously with step S510 or may be performed before step S510.

이후, 플라즈마 생성 영역(210) 내에 분포되어 있던 제1 공정 가스(630) 및 라디칼(670)은 샤워 헤드 유닛(130)을 통해 프로세스 영역(220)으로 이동한다(S540).Thereafter, the first process gas 630 and the radicals 670 distributed in the plasma generating region 210 move to the process region 220 through the shower head unit 130 (S540).

구체적으로, 도 12에 도시된 바와 같이, 제1 영역(610) 내에 분포되어 있던 제1 공정 가스(630)는 샤워 헤드 유닛(130)의 제1 부분 모듈(310)을 통해 제3 영역(710)으로 이동하며, 제2 영역(620) 내에서 생성된 라디칼(670)은 샤워 헤드 유닛(130)의 제2 부분 모듈(320)을 통해 제4 영역(720)으로 이동한다.Specifically, as shown in FIG. 12, the first process gas 630 distributed in the first area 610 is transmitted to the third area 710 through the first partial module 310 of the shower head unit 130. ), and the radicals 670 generated in the second region 620 move to the fourth region 720 through the second partial module 320 of the shower head unit 130.

상기에서, 제3 영역(710)은 프로세스 영역(220)의 센터 영역을 의미하며, 제4 영역(720)은 프로세스 영역(220)의 에지 영역을 의미한다. 도 12는 도 8에 도시된 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제4 예시도이다.In the above, the third area 710 refers to the center area of the process area 220, and the fourth area 720 refers to the edge area of the process area 220. FIG. 12 is a fourth exemplary diagram for further explaining each step of the substrate processing method shown in FIG. 8.

한편, 제3 공정 가스 공급 모듈(140c)은 샤워 헤드 유닛(130)을 통해 제3 공정 가스(680)를 프로세스 영역(220)으로 공급한다(S550).Meanwhile, the third process gas supply module 140c supplies the third process gas 680 to the process area 220 through the shower head unit 130 (S550).

구체적으로, 도 13에 도시된 바와 같이, 제3 공정 가스(680)는 샤워 헤드 유닛(130)의 제2 부분 모듈(320)을 통해 프로세스 영역(220)으로 공급되며, 제3 공정 가스(680)는 라디칼(670)과 더불어 제4 영역(720)으로 이동한다. 도 13은 도 8에 도시된 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제5 예시도이다.Specifically, as shown in FIG. 13, the third process gas 680 is supplied to the process region 220 through the second partial module 320 of the shower head unit 130, and the third process gas 680 ) moves to the fourth region 720 together with the radical 670. FIG. 13 is a fifth exemplary diagram for further explaining each step of the substrate processing method shown in FIG. 8.

제3 공정 가스(680)가 제4 영역(720)으로 이동하는 것은 제1 공정 가스(630)가 제3 영역(710)으로 이동하는 것 및 라디칼(670)이 제4 영역(720)으로 이동하는 것보다 나중에 수행될 수 있다. 이 경우, 제3 공정 가스(680)가 제3 영역(710)으로 침입하는 것을 방지하는 효과를 얻을 수 있다.When the third process gas 680 moves to the fourth region 720, the first process gas 630 moves to the third region 710 and the radical 670 moves to the fourth region 720. It can be done later than before. In this case, the effect of preventing the third process gas 680 from entering the third area 710 can be obtained.

그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제3 공정 가스(680)가 제4 영역(720)으로 이동하는 것은 제1 공정 가스(630)가 제3 영역(710)으로 이동하는 것 및 라디칼(670)이 제4 영역(720)으로 이동하는 것과 동시에 수행되는 것도 가능하다.However, this embodiment is not limited to this. The movement of the third process gas 680 to the fourth area 720 means that the first process gas 630 moves to the third area 710 and the radical 670 moves to the fourth area 720. It is also possible to perform it simultaneously.

이후, 도 14에 도시된 바와 같이, 제4 영역(720)에 이동된 라디칼(670) 및 제3 공정 가스(680)는 상호 반응을 통해 에천트(Etchant; 690)를 생성한다(S560). 상기에서, 제1 공정 가스(630)가 NF3 가스이고 제3 공정 가스(680)가 NH3 가스인 경우, 에천트(690)는 NF3 * + NH3 Etchant일 수 있다. 도 14는 도 8에 도시된 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제6 예시도이다.Thereafter, as shown in FIG. 14, the radicals 670 and the third process gas 680 moved to the fourth region 720 generate an etchant (Etchant) 690 through a mutual reaction (S560). In the above, when the first process gas 630 is NF3 gas and the third process gas 680 is NH3 gas, the etchant 690 may be NF 3 * + NH 3 Etchant. FIG. 14 is a sixth exemplary diagram for further explaining each step of the substrate processing method shown in FIG. 8.

이후, 도 15에 도시된 바와 같이, 에천트(690)는 제4 영역(720)에서 기판(W)의 베벨 영역 및/또는 에지 영역으로 이동하여, 기판(W)의 베벨 영역 및/또는 에지 영역에 잔여하는 부산물(예를 들어, 산화막(SiO2), 질화막(SiN) 등)을 제거한다(S570). 도 15는 도 8에 도시된 기판 처리 방법의 각 단계를 부연 설명하기 위한 제7 예시도이다.Thereafter, as shown in FIG. 15, the etchant 690 moves from the fourth area 720 to the bevel area and/or edge area of the substrate W, and forms the bevel area and/or edge area of the substrate W. Byproducts (for example, oxide film (SiO 2 ), nitride film (SiN), etc.) remaining in the area are removed (S570). FIG. 15 is a seventh exemplary diagram for further explaining each step of the substrate processing method shown in FIG. 8.

한편, 제4 영역(720)으로 이동된 라디칼(670) 및 제3 공정 가스(680), 및 라디칼(670) 및 제3 공정 가스(680)의 상호 반응을 통해 생성된 에천트(690)는 제3 영역(710)으로 이동하지 못한다. 그 이유는 제1 공정 가스(630)가 샤워 헤드 유닛(130)의 제1 부분 모듈(310)을 통해 제3 영역(710)으로 이동하여 분포되어 있기 때문이다.Meanwhile, the radicals 670 moved to the fourth region 720 and the third process gas 680, and the etchant 690 generated through the mutual reaction of the radicals 670 and the third process gas 680 are It cannot move to the third area 710. The reason is that the first process gas 630 is distributed to the third area 710 through the first partial module 310 of the shower head unit 130 .

따라서, 에천트(690)는 기판(W)의 센터 영역을 식각하지 못하며, 제4 영역(720) 내 또는 제4 영역(720)으로부터 수직 방향(제3 방향(30))으로 아래에 위치하는 기판(W)의 베벨 영역 및/또는 에지 영역에 잔여하는 부산물만을 효과적으로 제거할 수 있다.Therefore, the etchant 690 cannot etch the center region of the substrate W, and the etchant 690 is located within the fourth region 720 or below the fourth region 720 in the vertical direction (third direction 30). Only by-products remaining in the bevel area and/or edge area of the substrate W can be effectively removed.

본 실시예에서는 라디칼(670), 제3 공정 가스(680) 및 에천트(690)가 제3 영역(710)으로 이동하지 못하도록 하기 위해, 제1 공정 가스(630)를 이용하여 프로세스 영역(220), 특히 제3 영역(710)에 공정 압력을 형성할 수 있다. 이때, 프로세스 영역(220)에서의 공정 온도(즉, Chuck의 온도)는 0℃ ~ 110℃일 수 있으며, 공정 압력은 0.1Torr ~ 9Torr일 수 있다.In this embodiment, in order to prevent the radicals 670, third process gas 680, and etchant 690 from moving to the third area 710, the first process gas 630 is used to process the process area 220. ), in particular, process pressure can be formed in the third region 710. At this time, the process temperature (i.e., the temperature of the chuck) in the process area 220 may be 0°C to 110°C, and the process pressure may be 0.1 Torr to 9 Torr.

본 실시예에서는 샤워 헤드 유닛(130)의 제1 부분 모듈(310)을 통해 제3 영역(710)으로 이동하는 제1 공정 가스(630)의 유량을 샤워 헤드 유닛(130)의 제2 부분 모듈(320)을 통해 제4 영역(720)으로 이동하는 제3 공정 가스(680)의 유량보다 크게 하여(제1 공정 가스(630)의 유량 >> 제3 공정 가스(680)의 유량), 제3 영역(710)에 공정 압력을 형성할 수 있다.In this embodiment, the flow rate of the first process gas 630 moving to the third area 710 through the first partial module 310 of the shower head unit 130 is controlled by the second partial module of the shower head unit 130. By increasing the flow rate of the third process gas 680 moving to the fourth area 720 through 320 (flow rate of the first process gas 630 >> flow rate of the third process gas 680), Process pressure can be formed in area 3 (710).

그러면, 제3 영역(710)은 제1 공정 가스(630)에 의해 비활성 가스 영역(Inert Gas Zone)으로 형성되며, 제3 영역(710)의 경계 특히, 제3 영역(710)과 제4 영역(720)의 사이 공간에 에어 커튼(Air Curtain) 효과를 발생시킬 수 있다.Then, the third area 710 is formed as an inert gas zone by the first process gas 630, and the boundary of the third area 710, especially the third area 710 and the fourth area An air curtain effect can be generated in the space between (720).

즉, 제1 공정 가스(630)의 유량을 제3 공정 가스(680)의 유량보다 크게 함으로써, 라디칼(670), 제3 공정 가스(680), 에천트(690) 등이 제4 영역(720)에서 제3 영역(710)으로 침입하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 에천트(690)(예를 들어, NF3 * + NH3 Etchant)는 기판(W)의 베벨 영역 및/또는 에지 영역에서 산화막(예를 들어, SiO2), 질화막(예를 들어, SiN) 등과 반응하여 산화막, 질화막 등을 제거하며, 이에 따라 기판(W)의 베벨 영역 및/또는 에지 영역만 식각되는 효과를 얻을 수 있다.That is, by making the flow rate of the first process gas 630 larger than the flow rate of the third process gas 680, the radicals 670, third process gas 680, etchant 690, etc. flow into the fourth region 720. ) can be prevented from intruding into the third area 710. Therefore, the etchant 690 (e.g., NF 3 * + NH 3 Etchant) is used to etch an oxide film (e.g., SiO 2 ), a nitride film (e.g., It reacts with (SiN), etc. to remove the oxide film, nitride film, etc., thereby achieving the effect of etching only the bevel area and/or edge area of the substrate (W).

한편, 제1 공정 가스(630)의 유량을 제3 공정 가스(680)의 유량보다 크게 하는 경우, 제1 공정 가스(630)의 공급량을 제3 공정 가스(680)의 공급량보다 많게 하여 제1 공정 가스(630)의 유량을 제3 공정 가스(680)의 유량보다 크게 할 수 있다. 또한, 제1 공정 가스(630)의 이동 속도를 제3 공정 가스(680)의 이동 속도보다 빠르게 하여 제1 공정 가스(630)의 유량을 제3 공정 가스(680)의 유량보다 크게 하는 것도 가능하다.Meanwhile, when the flow rate of the first process gas 630 is made larger than the flow rate of the third process gas 680, the supply amount of the first process gas 630 is increased than the supply amount of the third process gas 680 to produce the first process gas 680. The flow rate of the process gas 630 may be greater than the flow rate of the third process gas 680. In addition, it is possible to make the flow rate of the first process gas 630 greater than the flow rate of the third process gas 680 by making the movement speed of the first process gas 630 faster than the movement speed of the third process gas 680. do.

한편, 도 5의 예시와 같이, 탑 소스(160)의 제3 부분 모듈(340) 및 제4 부분 모듈(350)이 제3 전원(150d) 및 제4 전원(150e)에 각각 연결되고, 제3 전원(150d) 및 제4 전원(150e)이 전원 제어부(150c)에 의해 독립적으로 제어되는 경우, 기판(W)의 영역별 에칭 레이트(E/R; Etch Rate)를 비교하여 얻은 결과를 토대로 기판(W)의 베벨 영역 및/또는 에지 영역에서의 식각 정도를 조절하는 것도 가능하다.Meanwhile, as in the example of FIG. 5, the third partial module 340 and the fourth partial module 350 of the top source 160 are connected to the third power source 150d and the fourth power source 150e, respectively. 3 When the power source 150d and the fourth power source 150e are independently controlled by the power control unit 150c, based on the results obtained by comparing the etching rate (E/R; Etch Rate) for each region of the substrate W It is also possible to adjust the degree of etching in the bevel area and/or edge area of the substrate W.

이 경우, 제3 전원(150d) 및 제4 전원(150e)은 서로 다른 값의 RF 전원을 탑 소스(160)의 제3 부분 모듈(340) 및 제4 부분 모듈(350)에 인가할 수 있으나, 동일한 값의 RF 전원을 탑 소스(160)의 제3 부분 모듈(340) 및 제4 부분 모듈(350)에 인가하는 것도 가능하다.In this case, the third power source 150d and the fourth power source 150e may apply RF power of different values to the third partial module 340 and the fourth partial module 350 of the top source 160. , it is also possible to apply the same value of RF power to the third partial module 340 and the fourth partial module 350 of the top source 160.

이상, 도 1 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 다양한 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(100) 및 그 장치(100)의 기판 처리 방법에 대하여 설명하였다. 기판 처리 장치(100)는 센터 영역의 비활성 가스 유량을 에지 영역의 NH3 유량보다 높여서, 웨이퍼의 센터 영역은 비활성 가스 존으로 만들고, 웨이퍼의 베벨 영역 및/또는 에지 영역에서만 에천트를 형성시켜 산화막, 질화막 등을 효과적으로 제거할 수 있다.Above, the substrate processing apparatus 100 and the substrate processing method of the apparatus 100 according to various embodiments of the present invention have been described with reference to FIGS. 1 to 13. The substrate processing apparatus 100 increases the flow rate of the inert gas in the center region to the NH3 flow rate in the edge region, thereby making the center region of the wafer an inert gas zone, and forms an etchant only in the bevel region and/or edge region of the wafer to form an oxide film, Nitride films, etc. can be effectively removed.

이러한 기판 처리 장치(100)는 이를 통해 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.This substrate processing apparatus 100 can achieve the following effects.

첫째, Radical + Gas 식각으로 Bevel 측면 및 Back면 식각 등에 유리하며, Dry Clean에 적합하다.First, it is advantageous for etching the bevel side and back surface due to radical + gas etching, and is suitable for dry cleaning.

둘째, 수 Å 수준의 측면 오염 식각에 유리하다.Second, it is advantageous for etching side contamination at the level of several Å.

이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described with reference to the above and the attached drawings, those skilled in the art will understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical idea or essential features. You will understand that it exists. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive.

100: 기판 처리 장치 110: 하우징
120: 기판 지지 유닛 130: 샤워 헤드 유닛
140: 공정 가스 제공 유닛 140a: 제1 공정 가스 공급 모듈
140b: 제2 공정 가스 공급 모듈 140c: 제3 공정 가스 공급 모듈
150: 전극 제어 유닛 150a: 제1 전원
150b: 제2 전원 150c: 전원 제어부
150d: 제3 전원 150e: 제4 전원
160: 탑 소스 170: 안테나 유닛
210: 플라즈마 생성 영역 220: 프로세스 영역
310: 제1 부분 모듈 320: 제2 부분 모듈
330: 이온 차단 유닛 340: 제3 부분 모듈
350: 제4 부분 모듈 360: 절연체
410: 극단 에지 영역 420: 에지 영역
430, 440, 450, 460: 부산물 610: 제1 영역
620: 제2 영역 630: 제1 공정 가스
640: 제2 공정 가스 650, 660: RF 전원
670: 라디칼 680: 제3 공정 가스
690: 에천트 710: 제3 영역
720: 제4 영역100: substrate processing device 110: housing
120: substrate support unit 130: shower head unit
140: process gas provision unit 140a: first process gas supply module
140b: second process gas supply module 140c: third process gas supply module
150: electrode control unit 150a: first power source
150b: second power source 150c: power control unit
150d: Third power source 150e: Fourth power source
160: Top source 170: Antenna unit
210: plasma generation area 220: process area
310: first partial module 320: second partial module
330: ion blocking unit 340: third portion module
350: fourth partial module 360: insulator
410: extreme edge area 420: edge area
430, 440, 450, 460: By-product 610: First region
620: second region 630: first process gas
640: second process gas 650, 660: RF power source
670: radical 680: third process gas
690: etchant 710: third area
720: Area 4

Claims (20)

기판의 상부에 배치되며, 제1 공정 가스, 제2 공정 가스 및 제3 공정 가스를 통과시키는 샤워 헤드 유닛; 및
상기 기판 및 상기 샤워 헤드 유닛 사이에 형성되는 공간이며, 제3 영역 및 상기 제3 영역의 외측에 배치되는 제4 영역을 포함하는 프로세스 영역을 포함하며,
상기 제4 영역에서는 상기 제2 공정 가스 및 상기 제3 공정 가스를 기초로 에천트가 생성되며,
상기 에천트가 상기 기판을 처리하는 동안, 상기 제3 영역에서는 상기 제1 공정 가스가 상기 기판 상에 분포하고,
상기 제1 공정 가스는 비활성 가스이고,
상기 제3 영역과 상기 제4 영역의 경계 부분에는 상기 제1 공정 가스에 의해 에어 커튼이 형성되는 기판 처리 장치.a shower head unit disposed on top of the substrate and allowing first process gas, second process gas, and third process gas to pass through; and
It is a space formed between the substrate and the shower head unit, and includes a process area including a third area and a fourth area disposed outside the third area,
In the fourth region, an etchant is generated based on the second process gas and the third process gas,
While the etchant processes the substrate, the first process gas is distributed on the substrate in the third region,
The first process gas is an inert gas,
A substrate processing apparatus in which an air curtain is formed at a boundary between the third area and the fourth area by the first process gas. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 공정 가스의 유량은 상기 제3 공정 가스의 유량보다 큰 기판 처리 장치.According to claim 1,
A flow rate of the first process gas is greater than a flow rate of the third process gas. 제 2 항에 있어서,
상기 제3 영역에 공급되는 상기 제1 공정 가스의 공급량이 상기 제4 영역에 공급되는 상기 제3 공정 가스의 공급량보다 많거나, 또는
상기 제3 영역에서의 상기 제1 공정 가스의 이동 속도가 상기 제4 영역에서의 상기 제3 공정 가스의 이동 속도보다 빠른 기판 처리 장치.According to claim 2,
The supply amount of the first process gas supplied to the third area is greater than the supply amount of the third process gas supplied to the fourth area, or
A substrate processing apparatus wherein the movement speed of the first process gas in the third area is faster than the movement speed of the third process gas in the fourth area. 제 1 항에 있어서,
상기 샤워 헤드 유닛은,
제1 부분 모듈; 및
상기 제1 부분 모듈의 외측에 배치되는 제2 부분 모듈을 포함하며,
상기 제1 부분 모듈은 상기 제1 공정 가스를 통과시키고,
상기 제2 부분 모듈은 상기 제2 공정 가스 및 상기 제3 공정 가스를 통과시키는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The shower head unit,
first partial module; and
It includes a second partial module disposed outside the first partial module,
the first partial module passes the first process gas,
The second partial module passes the second process gas and the third process gas. 제 4 항에 있어서,
상기 제1 부분 모듈이 상기 제1 공정 가스를 통과시키는 것은 상기 제2 부분 모듈이 상기 제2 공정 가스 및 상기 제3 공정 가스를 통과시키는 것보다 먼저 수행되거나, 동시에 수행되는 기판 처리 장치.According to claim 4,
The substrate processing apparatus wherein the first partial module passes the first process gas before or simultaneously with the second partial module passes the second process gas and the third process gas. 제 1 항에 있어서,
상기 샤워 헤드 유닛의 상부에 형성되는 공간이며, 제1 영역 및 상기 제1 영역의 외측에 배치되는 제2 영역을 포함하는 플라즈마 생성 영역을 더 포함하며,
상기 제1 공정 가스는 상기 제1 영역에서 상기 제3 영역으로 이동하고,
상기 제2 공정 가스는 상기 제2 영역에서 상기 제4 영역으로 이동하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
It is a space formed in an upper part of the shower head unit, and further includes a plasma generation area including a first area and a second area disposed outside the first area,
The first process gas moves from the first region to the third region;
The second process gas moves from the second region to the fourth region. 제 6 항에 있어서,
상기 제3 공정 가스는 상기 샤워 헤드 유닛을 통해 상기 제4 영역으로 이동하는 기판 처리 장치.According to claim 6,
The substrate processing apparatus of claim 1 , wherein the third process gas moves to the fourth region through the shower head unit. 제 6 항에 있어서,
상기 제2 영역에서는 상기 제2 공정 가스로부터 라디칼이 생성되며, 상기 라디칼이 상기 제2 영역에서 상기 제4 영역으로 이동하는 기판 처리 장치.According to claim 6,
In the second region, radicals are generated from the second process gas, and the radicals move from the second region to the fourth region. 제 6 항에 있어서,
상기 제1 공정 가스가 상기 제3 영역으로 이동하는 것은 상기 제2 공정 가스가 상기 제4 영역으로 이동하는 것보다 먼저 수행되거나, 동시에 수행되는 기판 처리 장치.According to claim 6,
The substrate processing apparatus wherein the movement of the first process gas to the third area is performed before or simultaneously with the movement of the second process gas to the fourth area. 제 1 항에 있어서,
상기 샤워 헤드 유닛의 상부에 배치되며, 상기 제1 공정 가스 및 상기 제2 공정 가스를 통과시키는 탑 소스; 및
상기 탑 소스 및 상기 샤워 헤드 유닛 사이에 형성되는 공간이며, 제1 영역 및 상기 제1 영역의 외측에 배치되는 제2 영역을 포함하는 플라즈마 생성 영역을 더 포함하며,
상기 제1 공정 가스는 상기 제1 영역으로 이동하고,
상기 제2 공정 가스는 상기 제2 영역으로 이동하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
a top source disposed above the shower head unit and passing the first process gas and the second process gas; and
It is a space formed between the top source and the shower head unit, and further includes a plasma generation region including a first region and a second region disposed outside the first region,
The first process gas moves to the first region,
The second process gas moves to the second area. 제 10 항에 있어서,
상기 탑 소스는,
제3 부분 모듈; 및
상기 제3 부분 모듈의 외측에 배치되는 제4 부분 모듈을 포함하며,
상기 제3 부분 모듈은 상기 제1 공정 가스를 통과시키고,
상기 제4 부분 모듈은 상기 제2 공정 가스를 통과시키는 기판 처리 장치.According to claim 10,
The top source is,
third part module; and
It includes a fourth partial module disposed outside the third partial module,
the third partial module passes the first process gas,
A substrate processing apparatus wherein the fourth partial module passes the second process gas. 제 10 항에 있어서,
상기 제1 공정 가스가 상기 제1 영역으로 이동하는 것은 상기 제2 공정 가스가 상기 제2 영역으로 이동하는 것보다 먼저 수행되거나, 동시에 수행되는 기판 처리 장치.According to claim 10,
The substrate processing apparatus wherein the movement of the first process gas to the first area is performed before or simultaneously with the movement of the second process gas to the second area. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제2 공정 가스는 에칭 가스이고, 상기 제3 공정 가스는 상기 에칭 가스와 반응하는 반응 가스인 기판 처리 장치.According to claim 1,
The second process gas is an etching gas, and the third process gas is a reaction gas that reacts with the etching gas. 제 14 항에 있어서,
상기 제2 공정 가스는 플루오린 성분을 포함하는 가스이고, 상기 제3 공정 가스는 수소 성분을 포함하는 가스인 기판 처리 장치.According to claim 14,
The second process gas is a gas containing a fluorine component, and the third process gas is a gas containing a hydrogen component. 제 1 항에 있어서,
상기 에천트는 상기 기판의 베벨 영역 및/또는 에지 영역을 식각 처리하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The etchant is a substrate processing apparatus for etching a bevel region and / or an edge region of the substrate. 제 16 항에 있어서,
상기 기판을 지지하는 기판 지지 유닛의 내부에 설치되며, 상기 기판을 승강시키는 리프트 핀을 더 포함하며,
상기 리프트 핀은 상기 기판의 베벨 영역을 식각할 때 작동하는 기판 처리 장치.According to claim 16,
It is installed inside the substrate support unit for supporting the substrate, and further includes a lift pin for lifting the substrate,
The substrate processing apparatus of claim 1, wherein the lift pin operates when etching a bevel region of the substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 기판을 지지하는 기판 지지 유닛의 내부에 설치되며, 상기 기판을 가열시키는 가열 부재; 및
상기 기판 지지 유닛의 내부에 설치되며, 상기 기판을 냉각시키는 냉각 부재 중 적어도 하나를 더 포함하며,
상기 가열 부재 및/또는 상기 냉각 부재는 상기 기판의 베벨 영역 및/또는 에지 영역을 식각할 때 작동하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
a heating member installed inside a substrate support unit that supports the substrate and heats the substrate; and
It is installed inside the substrate support unit and further includes at least one of cooling members for cooling the substrate,
A substrate processing apparatus wherein the heating member and/or the cooling member operates when etching a bevel region and/or an edge region of the substrate. 기판의 상부에 배치되며, 제1 공정 가스, 제2 공정 가스 및 제3 공정 가스를 통과시키는 샤워 헤드 유닛; 및
상기 기판 및 상기 샤워 헤드 유닛 사이에 형성되는 공간이며, 제3 영역 및 상기 제3 영역의 외측에 배치되는 제4 영역을 포함하는 프로세스 영역을 포함하며,
상기 제4 영역에서는 상기 제2 공정 가스 및 상기 제3 공정 가스를 기초로 에천트가 생성되고,
상기 에천트가 상기 기판을 처리하는 동안, 상기 제3 영역에서는 상기 제1 공정 가스가 상기 기판 상에 분포하고,
상기 제1 공정 가스는 비활성 가스이고, 상기 제2 공정 가스는 에칭 가스이고, 상기 제3 공정 가스는 상기 에칭 가스와 반응하는 반응 가스이고,
상기 제1 공정 가스의 유량은 상기 제3 공정 가스의 유량보다 크고,
상기 제3 영역과 상기 제4 영역의 경계 부분에는 상기 제1 공정 가스에 의해 에어 커튼이 형성되는 기판 처리 장치.a shower head unit disposed on top of the substrate and allowing first process gas, second process gas, and third process gas to pass through; and
It is a space formed between the substrate and the shower head unit, and includes a process area including a third area and a fourth area disposed outside the third area,
In the fourth region, an etchant is generated based on the second process gas and the third process gas,
While the etchant processes the substrate, the first process gas is distributed on the substrate in the third region,
The first process gas is an inert gas, the second process gas is an etching gas, and the third process gas is a reactive gas that reacts with the etching gas,
The flow rate of the first process gas is greater than the flow rate of the third process gas,
A substrate processing apparatus in which an air curtain is formed at a boundary between the third area and the fourth area by the first process gas. 기판의 상부에 배치되는 샤워 헤드 유닛이 제1 공정 가스, 제2 공정 가스 및 제3 공정 가스를 통과시키는 단계;
상기 제1 공정 가스가 상기 기판 및 상기 샤워 헤드 유닛 사이에 형성되는 프로세스 영역 중 제3 영역으로 이동하고, 상기 제2 공정 가스 및 상기 제3 공정 가스가 상기 프로세스 영역 중 상기 제3 영역의 외측에 배치되는 제4 영역으로 이동하는 단계;
상기 제2 공정 가스 및 상기 제3 공정 가스를 기초로 에천트를 생성하는 단계; 및
상기 에천트가 상기 기판을 처리하는 단계를 포함하며,
상기 처리하는 단계에서, 상기 에천트가 상기 기판을 처리하는 동안, 상기 제3 영역에서는 상기 제1 공정 가스가 상기 기판 상에 분포하고,
상기 제1 공정 가스는 비활성 가스이고,
상기 제3 영역과 상기 제4 영역의 경계 부분에는 상기 제1 공정 가스에 의해 에어 커튼이 형성되는 기판 처리 방법.passing a first process gas, a second process gas, and a third process gas through a shower head unit disposed on top of the substrate;
The first process gas moves to a third area of the process area formed between the substrate and the shower head unit, and the second process gas and the third process gas move to the outside of the third area of the process area. moving to a fourth area where it is arranged;
generating an etchant based on the second process gas and the third process gas; and
comprising treating the substrate with the etchant,
In the processing step, while the etchant processes the substrate, the first process gas is distributed on the substrate in the third region,
The first process gas is an inert gas,
A substrate processing method in which an air curtain is formed at a boundary between the third area and the fourth area by the first process gas.
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