KR102573175B1 - Novel compound and organic light emitting device comprising the same - Google Patents
Novel compound and organic light emitting device comprising the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR102573175B1 KR102573175B1 KR1020200114079A KR20200114079A KR102573175B1 KR 102573175 B1 KR102573175 B1 KR 102573175B1 KR 1020200114079 A KR1020200114079 A KR 1020200114079A KR 20200114079 A KR20200114079 A KR 20200114079A KR 102573175 B1 KR102573175 B1 KR 102573175B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- compound
- group
- formula
- light emitting
- layer
- Prior art date
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 132
- -1 phenylene, biphenyldiyl Chemical group 0.000 claims description 68
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 39
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 27
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 14
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 7
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000005509 dibenzothiophenyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000003960 triphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 claims description 3
- 125000006819 (C2-60) heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-VVKOMZTBSA-N Dideuterium Chemical compound [2H][2H] UFHFLCQGNIYNRP-VVKOMZTBSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 155
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 description 43
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 41
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 40
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 40
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 26
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 25
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 23
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 18
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- MXQOYLRVSVOCQT-UHFFFAOYSA-N palladium;tritert-butylphosphane Chemical compound [Pd].CC(C)(C)P(C(C)(C)C)C(C)(C)C.CC(C)(C)P(C(C)(C)C)C(C)(C)C MXQOYLRVSVOCQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 12
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 9
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N sodium tert-butoxide Chemical compound [Na+].CC(C)(C)[O-] MFRIHAYPQRLWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 7
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 7
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical group C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 6
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 5
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- JNGZXGGOCLZBFB-IVCQMTBJSA-N compound E Chemical compound N([C@@H](C)C(=O)N[C@@H]1C(N(C)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=N1)=O)C(=O)CC1=CC(F)=CC(F)=C1 JNGZXGGOCLZBFB-IVCQMTBJSA-N 0.000 description 5
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 5
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 4
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N protoneodioscin Natural products O(C[C@@H](CC[C@]1(O)[C@H](C)[C@@H]2[C@]3(C)[C@H]([C@H]4[C@@H]([C@]5(C)C(=CC4)C[C@@H](O[C@@H]4[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@@H](O)[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@H](CO)O4)CC5)CC3)C[C@@H]2O1)C)[C@H]1[C@H](O)[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N 0.000 description 4
- GHYOCDFICYLMRF-UTIIJYGPSA-N (2S,3R)-N-[(2S)-3-(cyclopenten-1-yl)-1-[(2R)-2-methyloxiran-2-yl]-1-oxopropan-2-yl]-3-hydroxy-3-(4-methoxyphenyl)-2-[[(2S)-2-[(2-morpholin-4-ylacetyl)amino]propanoyl]amino]propanamide Chemical compound C1(=CCCC1)C[C@@H](C(=O)[C@@]1(OC1)C)NC([C@H]([C@@H](C1=CC=C(C=C1)OC)O)NC([C@H](C)NC(CN1CCOCC1)=O)=O)=O GHYOCDFICYLMRF-UTIIJYGPSA-N 0.000 description 3
- QFLWZFQWSBQYPS-AWRAUJHKSA-N (3S)-3-[[(2S)-2-[[(2S)-2-[5-[(3aS,6aR)-2-oxo-1,3,3a,4,6,6a-hexahydrothieno[3,4-d]imidazol-4-yl]pentanoylamino]-3-methylbutanoyl]amino]-3-(4-hydroxyphenyl)propanoyl]amino]-4-[1-bis(4-chlorophenoxy)phosphorylbutylamino]-4-oxobutanoic acid Chemical compound CCCC(NC(=O)[C@H](CC(O)=O)NC(=O)[C@H](Cc1ccc(O)cc1)NC(=O)[C@@H](NC(=O)CCCCC1SC[C@@H]2NC(=O)N[C@H]12)C(C)C)P(=O)(Oc1ccc(Cl)cc1)Oc1ccc(Cl)cc1 QFLWZFQWSBQYPS-AWRAUJHKSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000001769 aryl amino group Chemical group 0.000 description 3
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical group C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 3
- 229940125773 compound 10 Drugs 0.000 description 3
- 229940125797 compound 12 Drugs 0.000 description 3
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 3
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 3
- 229940125898 compound 5 Drugs 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- ZLVXBBHTMQJRSX-VMGNSXQWSA-N jdtic Chemical compound C1([C@]2(C)CCN(C[C@@H]2C)C[C@H](C(C)C)NC(=O)[C@@H]2NCC3=CC(O)=CC=C3C2)=CC=CC(O)=C1 ZLVXBBHTMQJRSX-VMGNSXQWSA-N 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical group C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 150000003852 triazoles Chemical group 0.000 description 3
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UNILWMWFPHPYOR-KXEYIPSPSA-M 1-[6-[2-[3-[3-[3-[2-[2-[3-[[2-[2-[[(2r)-1-[[2-[[(2r)-1-[3-[2-[2-[3-[[2-(2-amino-2-oxoethoxy)acetyl]amino]propoxy]ethoxy]ethoxy]propylamino]-3-hydroxy-1-oxopropan-2-yl]amino]-2-oxoethyl]amino]-3-[(2r)-2,3-di(hexadecanoyloxy)propyl]sulfanyl-1-oxopropan-2-yl Chemical compound O=C1C(SCCC(=O)NCCCOCCOCCOCCCNC(=O)COCC(=O)N[C@@H](CSC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC)OC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC)C(=O)NCC(=O)N[C@H](CO)C(=O)NCCCOCCOCCOCCCNC(=O)COCC(N)=O)CC(=O)N1CCNC(=O)CCCCCN\1C2=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C2CC/1=C/C=C/C=C/C1=[N+](CC)C2=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C2C1 UNILWMWFPHPYOR-KXEYIPSPSA-M 0.000 description 2
- 125000005916 2-methylpentyl group Chemical group 0.000 description 2
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical compound C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 9-methylidenefluorene Chemical compound C1=CC=C2C(=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000006069 Suzuki reaction reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005264 aryl amine group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001246 bromo group Chemical group Br* 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 2
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 2
- 125000004427 diamine group Chemical group 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 150000002219 fluoranthenes Chemical class 0.000 description 2
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 2
- 125000005241 heteroarylamino group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 2
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- OENHRRVNRZBNNS-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,8-diol Chemical compound C1=CC(O)=C2C(O)=CC=CC2=C1 OENHRRVNRZBNNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N oxidophosphanium Chemical group [PH3]=O MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=C(C(O)=O)C2=C(C(O)=O)C=CC=1C1=CC=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- KOFLVDBWRHFSAB-UHFFFAOYSA-N 1,2,4,5-tetrahydro-1-(phenylmethyl)-5,9b(1',2')-benzeno-9bh-benz(g)indol-3(3ah)-one Chemical compound C1C(C=2C3=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C23C1C(=O)CN2CC1=CC=CC=C1 KOFLVDBWRHFSAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000355 1,3-benzoxazolyl group Chemical group O1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical group C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKWWASUTWAFKHA-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-2,3-difluorobenzene Chemical compound FC1=CC=CC(Br)=C1F RKWWASUTWAFKHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004973 1-butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- 125000006218 1-ethylbutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000006023 1-pentenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006017 1-propenyl group Chemical group 0.000 description 1
- MYKQKWIPLZEVOW-UHFFFAOYSA-N 11h-benzo[a]carbazole Chemical group C1=CC2=CC=CC=C2C2=C1C1=CC=CC=C1N2 MYKQKWIPLZEVOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical group C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004974 2-butenyl group Chemical group C(C=CC)* 0.000 description 1
- 125000006176 2-ethylbutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000006024 2-pentenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004975 3-butenyl group Chemical group C(CC=C)* 0.000 description 1
- 125000006027 3-methyl-1-butenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004920 4-methyl-2-pentyl group Chemical group CC(CC(C)*)C 0.000 description 1
- DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 6-[3-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperidin-1-yl]-3-oxopropyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1CCN(CC1)C(CCC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)=O DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXLXNENXOJSQEI-UHFFFAOYSA-L Oxine-copper Chemical compound [Cu+2].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 YXLXNENXOJSQEI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical class C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical group C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical group C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005332 alkyl sulfoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005377 alkyl thioxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 150000003974 aralkylamines Chemical group 0.000 description 1
- 125000005104 aryl silyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005165 aryl thioxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003609 aryl vinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001556 benzimidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000000499 benzofuranyl group Chemical group O1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 150000001638 boron Chemical class 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Inorganic materials [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M chlorogallium Chemical compound [Ga]Cl XOYLJNJLGBYDTH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 125000002676 chrysenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=C4C=CC=CC4=C3C=CC12)* 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004210 cyclohexylmethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004851 cyclopentylmethyl group Chemical group C1(CCCC1)C* 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 150000004826 dibenzofurans Chemical class 0.000 description 1
- IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N dibenzothiophene Chemical group C1=CC=CC=2[34S]C3=C(C=21)C=CC=C3 IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 150000002240 furans Chemical class 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004491 isohexyl group Chemical group C(CCC(C)C)* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000000555 isopropenyl group Chemical group [H]\C([H])=C(\*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002183 isoquinolinyl group Chemical group C1(=NC=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 125000000842 isoxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- XNUVVHVFAAQPQY-UHFFFAOYSA-L manganese(2+) quinolin-8-olate Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC(=C12)[O-].[Mn+2].N1=CC=CC2=CC=CC(=C12)[O-] XNUVVHVFAAQPQY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 150000002964 pentacenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003538 pentan-3-yl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 125000001484 phenothiazinyl group Chemical group C1(=CC=CC=2SC3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- XPPWLXNXHSNMKC-UHFFFAOYSA-N phenylboron Chemical group [B]C1=CC=CC=C1 XPPWLXNXHSNMKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 125000004592 phthalazinyl group Chemical group C1(=NN=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 1
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical group C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229940083082 pyrimidine derivative acting on arteriolar smooth muscle Drugs 0.000 description 1
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 1
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002294 quinazolinyl group Chemical group N1=C(N=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical group N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003548 sec-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 150000003413 spiro compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 125000003011 styrenyl group Chemical group [H]\C(*)=C(/[H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- JLBRGNFGBDNNSF-UHFFFAOYSA-N tert-butyl(dimethyl)borane Chemical group CB(C)C(C)(C)C JLBRGNFGBDNNSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001113 thiadiazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N thiopyran Chemical compound S1C=CC=C=C1 IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- KWQNQSDKCINQQP-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)gallane Chemical compound C1=CN=C2C(O[Ga](OC=3C4=NC=CC=C4C=CC=3)OC=3C4=NC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 KWQNQSDKCINQQP-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- LALRXNPLTWZJIJ-UHFFFAOYSA-N triethylborane Chemical group CCB(CC)CC LALRXNPLTWZJIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXRGABKACDFXMG-UHFFFAOYSA-N trimethylborane Chemical group CB(C)C WXRGABKACDFXMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- MXSVLWZRHLXFKH-UHFFFAOYSA-N triphenylborane Chemical group C1=CC=CC=C1B(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MXSVLWZRHLXFKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L zinc;quinolin-8-olate Chemical compound [Zn+2].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D321/00—Heterocyclic compounds containing rings having two oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D317/00 - C07D319/00
- C07D321/02—Seven-membered rings
- C07D321/10—Seven-membered rings condensed with carbocyclic rings or ring systems
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
- H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D407/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00
- C07D407/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00 containing two hetero rings
- C07D407/12—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00 containing two hetero rings linked by a chain containing hetero atoms as chain links
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
- C07D409/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings
- C07D409/12—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings linked by a chain containing hetero atoms as chain links
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/653—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only oxygen as heteroatom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
- H10K50/181—Electron blocking layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
본 발명은 신규한 화합물 및 이를 이용한 유기발광 소자를 제공한다. The present invention provides a novel compound and an organic light emitting device using the same.
Description
본 발명은 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다. The present invention relates to a novel compound and an organic light emitting device including the same.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 넓은 시야각, 우수한 콘트라스트, 빠른 응답 시간을 가지며, 휘도, 구동 전압 및 응답 속도 특성이 우수하여 많은 연구가 진행되고 있다. In general, the organic light emitting phenomenon refers to a phenomenon in which electrical energy is converted into light energy using an organic material. An organic light emitting device using an organic light emitting phenomenon has a wide viewing angle, excellent contrast, and a fast response time, and has excellent luminance, driving voltage, and response speed characteristics, and thus many studies are being conducted.
유기 발광 소자는 일반적으로 양극과 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 상기 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. An organic light emitting device generally has a structure including an anode, a cathode, and an organic material layer between the anode and the cathode. In order to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device, the organic material layer is often composed of a multi-layered structure composed of different materials, and may include, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. In the structure of this organic light emitting device, when a voltage is applied between the two electrodes, holes are injected from the anode and electrons from the cathode are injected into the organic material layer, and when the injected holes and electrons meet, excitons are formed. When it falls back to the ground state, it glows.
상기와 같은 유기 발광 소자에 사용되는 유기물에 대하여 새로운 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.The development of new materials for organic materials used in the organic light emitting device as described above is continuously required.
본 발명은 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다. The present invention relates to a novel compound and an organic light emitting device including the same.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다:The present invention provides a compound represented by Formula 1 below:
[화학식 1] [Formula 1]
상기 화학식 1에서,In Formula 1,
L, L' 및 L1 내지 L4는 각각 독립적으로 단일 결합; 또는 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴렌이고,L, L' and L 1 to L 4 are each independently a single bond; or a substituted or unsubstituted C 6-60 arylene;
Ar1 내지 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S 중 1개 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴이고,Ar 1 to Ar 4 are each independently a substituted or unsubstituted C 6-60 aryl; Or a substituted or unsubstituted C 2-60 heteroaryl containing one or more heteroatoms of N, O and S,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬; 또는 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴이고,R 1 and R 2 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; Substituted or unsubstituted C 1-60 Alkyl; or a substituted or unsubstituted C 6-60 aryl;
n 및 m은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이고,n and m are each independently an integer from 0 to 2;
단, n+m은 1 내지 3이고,However, n + m is 1 to 3,
a는 0 내지 4-m의 정수이고,a is an integer from 0 to 4-m;
b는 0 내지 6-n의 정수이고,b is an integer from 0 to 6-n;
n, m, a 및 b가 각각 2 이상인 경우, 괄호 안의 치환기는 서로 동일하거나 상이하다.When each of n, m, a and b is 2 or more, the substituents in parentheses are the same as or different from each other.
또한, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 유기 발광 소자를 제공한다.In addition, the present invention is a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes the compound represented by Chemical Formula 1. .
상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있으며, 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성을 향상시킬 수 있다. The compound represented by Chemical Formula 1 may be used as a material for an organic material layer of an organic light emitting device, and may improve efficiency, low driving voltage, and/or lifetime characteristics of an organic light emitting device.
도 1은 기판(1), 양극(2), 정공수송층(3), 발광층(4), 전자주입 및 수송층(5) 및 음극(6)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
도 2는 기판(1), 양극(2), 정공주입층(7), 정공수송층(3), 전자억제층(8), 발광층(4), 정공저지층(9), 전자주입 및 수송층(5) 및 음극(6)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.1 shows an example of an organic light emitting device composed of a substrate 1, an anode 2, a hole transport layer 3, a light emitting layer 4, an electron injection and transport layer 5 and a cathode 6.
2 shows a substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 7, a hole transport layer 3, an electron blocking layer 8, a light emitting layer 4, a hole blocking layer 9, an electron injection and transport layer ( 5) and an example of an organic light emitting element composed of a cathode 6 is shown.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, in order to aid understanding of the present invention, it will be described in more detail.
(용어의 정의)(Definition of Terms)
본 명세서에서, 및 는 다른 치환기에 연결되는 결합을 의미한다.In this specification, and means a bond connected to another substituent.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 시아노기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥시기; 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭시기; 실릴기; 붕소기; 알킬기; 사이클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 또는 N, O 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 비페닐기일 수 있다. 즉, 비페닐이기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수도 있다.In this specification, the term "substituted or unsubstituted" means deuterium; halogen group; cyano group; nitro group; hydroxy group; carbonyl group; ester group; imide group; amino group; phosphine oxide group; alkoxy group; aryloxy group; Alkyl thioxy group; Arylthioxy group; an alkyl sulfoxy group; aryl sulfoxy groups; silyl group; boron group; an alkyl group; cycloalkyl group; alkenyl group; aryl group; aralkyl group; Aralkenyl group; Alkyl aryl group; Alkylamine group; Aralkylamine group; heteroarylamine group; Arylamine group; Arylphosphine group; Or substituted or unsubstituted with one or more substituents selected from the group consisting of heteroaryl containing at least one of N, O, and S atoms, or substituted or unsubstituted with two or more substituents linked to each other among the substituents exemplified above. . For example, "a substituent in which two or more substituents are connected" may be a biphenyl group. That is, the biphenyl group may be an aryl group or may be interpreted as a substituent in which two phenyl groups are connected.
본 명세서에서 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms of the carbonyl group is not particularly limited, but is preferably 1 to 40 carbon atoms. Specifically, it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 25의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the ester group may be substituted with an aryl group having 6 to 25 carbon atoms or a straight-chain, branched-chain or cyclic chain alkyl group having 1 to 25 carbon atoms in the ester group. Specifically, it may be a compound of the following structural formula, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the number of carbon atoms of the imide group is not particularly limited, but is preferably 1 to 25 carbon atoms. Specifically, it may be a compound having the following structure, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. In the present specification, the silyl group is specifically a trimethylsilyl group, a triethylsilyl group, a t-butyldimethylsilyl group, a vinyldimethylsilyl group, a propyldimethylsilyl group, a triphenylsilyl group, a diphenylsilyl group, a phenylsilyl group, and the like. but not limited to
본 명세서에 있어서, 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기, 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the boron group specifically includes a trimethyl boron group, a triethyl boron group, a t-butyldimethyl boron group, a triphenyl boron group, a phenyl boron group, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.In this specification, examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine or iodine.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 사이클로펜틸메틸, 사이클로헥틸메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkyl group may be straight-chain or branched-chain, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 1 to 40. According to one embodiment, the number of carbon atoms of the alkyl group is 1 to 20. According to another exemplary embodiment, the number of carbon atoms of the alkyl group is 1 to 10. According to another exemplary embodiment, the alkyl group has 1 to 6 carbon atoms. Specific examples of the alkyl group include methyl, ethyl, propyl, n-propyl, isopropyl, butyl, n-butyl, isobutyl, tert-butyl, sec-butyl, 1-methyl-butyl, 1-ethyl-butyl, pentyl, n -pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, hexyl, n-hexyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, heptyl , n-heptyl, 1-methylhexyl, cyclopentylmethyl, cyclohexylmethyl, octyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2 -Dimethylheptyl, 1-ethyl-propyl, 1,1-dimethyl-propyl, isohexyl, 2-methylpentyl, 4-methylhexyl, 5-methylhexyl, etc., but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.In the present specification, the alkenyl group may be linear or branched, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably 2 to 40. According to one embodiment, the alkenyl group has 2 to 20 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkenyl group has 2 to 10 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the alkenyl group has 2 to 6 carbon atoms. Specific examples include vinyl, 1-propenyl, isopropenyl, 1-butenyl, 2-butenyl, 3-butenyl, 1-pentenyl, 2-pentenyl, 3-pentenyl, 3-methyl-1- Butenyl, 1,3-butadienyl, allyl, 1-phenylvinyl-1-yl, 2-phenylvinyl-1-yl, 2,2-diphenylvinyl-1-yl, 2-phenyl-2-( naphthyl-1-yl)vinyl-1-yl, 2,2-bis(diphenyl-1-yl)vinyl-1-yl, stilbenyl group, styrenyl group, etc., but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 사이클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 사이클로프로필, 사이클로부틸, 사이클로펜틸, 3-메틸사이클로펜틸, 2,3-디메틸사이클로펜틸, 사이클로헥실, 3-메틸사이클로헥실, 4-메틸사이클로헥실, 2,3-디메틸사이클로헥실, 3,4,5-트리메틸사이클로헥실, 4-tert-부틸사이클로헥실, 사이클로헵틸, 사이클로옥틸, 아다만틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.In the present specification, the cycloalkyl group is not particularly limited, but preferably has 3 to 60 carbon atoms, and according to an exemplary embodiment, the cycloalkyl group has 3 to 30 carbon atoms. According to another exemplary embodiment, the number of carbon atoms of the cycloalkyl group is 3 to 20. According to another exemplary embodiment, the number of carbon atoms of the cycloalkyl group is 3 to 6. Specifically, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, 3-methylcyclopentyl, 2,3-dimethylcyclopentyl, cyclohexyl, 3-methylcyclohexyl, 4-methylcyclohexyl, 2,3-dimethylcyclohexyl, 3, 4,5-trimethylcyclohexyl, 4-tert-butylcyclohexyl, cycloheptyl, cyclooctyl, adamantyl, and the like, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며, 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면, 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기, 비페닐이기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트릴이기, 페난트릴이기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the aryl group is not particularly limited, but preferably has 6 to 60 carbon atoms, and may be a monocyclic aryl group or a polycyclic aryl group. According to one embodiment, the number of carbon atoms of the aryl group is 6 to 30. According to one embodiment, the number of carbon atoms of the aryl group is 6 to 20. The aryl group may be a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, etc. as a monocyclic aryl group, but is not limited thereto. The polycyclic aryl group may be a naphthyl group, anthryl group, phenanthryl group, pyrenyl group, perylenyl group, chrysenyl group, fluorenyl group, and the like, but is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 플루오레닐기는 치환될 수 있고, 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다. 상기 플루오레닐기가 치환되는 경우, 등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present specification, the fluorenyl group may be substituted, and two substituents may be bonded to each other to form a spiro structure. When the fluorenyl group is substituted, etc. However, it is not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴은 이종 원소로 O, N, Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 헤테로아릴로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로아릴의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 이소옥사졸릴기, 티아디아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present specification, heteroaryl is a heteroaryl containing at least one of O, N, Si, and S as a heterogeneous element, and the number of carbon atoms is not particularly limited, but preferably has 2 to 60 carbon atoms. Examples of the heteroaryl include a thiophene group, a furan group, a pyrrole group, an imidazole group, a thiazole group, an oxazole group, an oxadiazole group, a triazole group, a pyridyl group, a bipyridyl group, a pyrimidyl group, a triazine group, an acridyl group, Pyridazine group, pyrazinyl group, quinolinyl group, quinazoline group, quinoxalinyl group, phthalazinyl group, pyridopyrimidinyl group, pyridopyrazinyl group, pyrazinopyrazinyl group, isoquinoline group, indole group, Carbazole group, benzoxazole group, benzoimidazole group, benzothiazole group, benzocarbazole group, benzothiophene group, dibenzothiophene group, benzofuranyl group, phenanthroline group, isoxazolyl group, thiadiazolyl group group, a phenothiazinyl group and a dibenzofuranyl group, but are not limited thereto.
본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 아르알케닐기, 알킬아릴기, 아릴아민기, 아릴실릴기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 아르알킬기, 알킬아릴기, 알킬아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민 중 헤테로아릴은 전술한 헤테로아릴에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서, 아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 탄화수소 고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 아릴기 또는 사이클로알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 헤테로고리는 1가기가 아니고, 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴에 관한 설명이 적용될 수 있다.In the present specification, an aralkyl group, an aralkenyl group, an alkylaryl group, an arylamine group, and an aryl group among arylsilyl groups are the same as the examples of the aryl group described above. In the present specification, the alkyl group among the aralkyl group, the alkylaryl group, and the alkylamine group is the same as the examples of the above-mentioned alkyl group. In the present specification, the description of the above-described heteroaryl may be applied to the heteroaryl among heteroarylamines. In the present specification, the alkenyl group among the aralkenyl groups is the same as the examples of the alkenyl group described above. In the present specification, the description of the aryl group described above may be applied except that the arylene is a divalent group. In the present specification, the description of heteroaryl described above may be applied except that the heteroarylene is a divalent group. In the present specification, the hydrocarbon ring is not a monovalent group, and the description of the aryl group or cycloalkyl group described above may be applied, except that the hydrocarbon ring is formed by combining two substituents. In the present specification, the heterocyclic group is not a monovalent group, and the description of the above-described heteroaryl may be applied, except that it is formed by combining two substituents.
(화합물)(compound)
한편, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다. Meanwhile, the present invention provides a compound represented by Formula 1 above.
구체적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 벤조[b]나프토[1,8-ef][1,4]디옥세핀(benzo[b]naphtho[1,8-ef][1,4]dioxepine) 코어의 벤젠 고리에 아미노기가 결합된 화합물로, 선택적으로 상기 코어의 나프탈렌 고리에도 아미노기가 1개 또는 2개 결합될 수 있다는 특징이 있다. Specifically, the compound represented by Formula 1 is benzo [b] naphtho [1,8-ef] [1,4] dioxepin (benzo [b] naphtho [1,8-ef] [1,4] dioxepine ) A compound in which an amino group is bonded to the benzene ring of the core, and is characterized in that one or two amino groups may optionally be bonded to the naphthalene ring of the core.
이러한 구조를 갖는 화합물은, 상기와 같은 구조를 가져 향상된 정공 수송 능력 및 개선된 열안정성을 나타내고, 이에 따라 상기 화합물을 채용한 유기 발광 소자는 기존 유기 발광 소자에 비해 고효율, 저 구동 전압 및 장수명 등의 특성을 나타낼 수 있다. A compound having such a structure exhibits improved hole transport capability and improved thermal stability by having the above structure, and accordingly, an organic light emitting device employing the compound has high efficiency, low driving voltage and long lifespan compared to conventional organic light emitting devices. can represent the characteristics of
구체적으로, 상기 화합물은 하기 화학식 1A 내지 1C 중 어느 하나로 표시될 수 있다:Specifically, the compound may be represented by any one of Formulas 1A to 1C:
[화학식 1A][Formula 1A]
[화학식 1B][Formula 1B]
[화학식 1C][Formula 1C]
상기 화학식 1A 내지 1C에서,In Formulas 1A to 1C,
L, L', L1 내지 L4, Ar1 내지 Ar4, R1, R2, n, m, a 및 b는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.L, L', L 1 to L 4 , Ar 1 to Ar 4 , R 1 , R 2 , n, m, a and b are as defined in Formula 1 above.
보다 구체적으로 상기 화학식 1A로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1A'로 표시될 수 있다:More specifically, the compound represented by Formula 1A may be represented by Formula 1A' below:
[화학식 1A'][Formula 1A']
상기 화학식 1A'에서,In Formula 1A',
L, L1, L2, Ar1, Ar2, R1 및 a는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고,L, L 1 , L 2 , Ar 1 , Ar 2 , R 1 and a are as defined in Formula 1 above,
Z1 내지 Z6은 각각 독립적으로 R2이거나;Z 1 to Z 6 are each independently R 2 ;
Z1 내지 Z6 중 하나는 하기 화학식 a로 표시되는 치환기이고, 나머지는 각각 독립적으로 R2이거나; 또는One of Z 1 to Z 6 is a substituent represented by the following formula (a), and the others are each independently R 2 ; or
Z1 내지 Z6 중 둘은 각각 독립적으로 하기 화학식 a로 표시되는 치환기이고, 나머지는 각각 독립적으로 R2일 수 있고,Two of Z 1 to Z 6 are each independently a substituent represented by the following formula (a), and the others may each independently be R 2 ;
[화학식 a][Formula a]
상기 화학식 a에서,In the above formula (a),
L', L3, L4, Ar3 및 Ar4는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.L', L 3 , L 4 , Ar 3 and Ar 4 are as defined in Formula 1 above.
예를 들어, 상기 화학식 1A'에서,For example, in Formula 1A',
Z1 내지 Z6은 각각 독립적으로 R2이거나;Z 1 to Z 6 are each independently R 2 ;
Z1이 상기 화학식 a로 표시되는 치환기이고, Z2 내지 Z6은 각각 독립적으로 R2이거나;Z 1 is a substituent represented by Formula (a), and Z 2 to Z 6 are each independently R 2 ;
Z2이 상기 화학식 a로 표시되는 치환기이고, Z1 및 Z3 내지 Z6은 각각 독립적으로 R2이거나;Z 2 is a substituent represented by Formula (a), and Z 1 and Z 3 to Z 6 are each independently R 2 ;
Z3이 상기 화학식 a로 표시되는 치환기이고, Z1, Z2 및 Z4 내지 Z6은 각각 독립적으로 R2이거나;Z 3 is a substituent represented by Formula (a), Z 1 , Z 2 and Z 4 to Z 6 are each independently R 2 ;
Z4이 상기 화학식 a로 표시되는 치환기이고, Z1 내지 Z3, Z5 및 Z6는 각각 독립적으로 R2이거나;Z 4 is a substituent represented by Formula (a), and Z 1 to Z 3 , Z 5 and Z 6 are each independently R 2 ;
Z5이 상기 화학식 a로 표시되는 치환기이고, Z1 내지 Z4 및 Z6은 각각 독립적으로 R2이거나; 또는Z 5 is a substituent represented by Formula (a), and Z 1 to Z 4 and Z 6 are each independently R 2 ; or
Z6이 상기 화학식 a로 표시되는 치환기이고, Z1 내지 Z5은 각각 독립적으로 R2일 수 있다.Z 6 is a substituent represented by Formula (a), and Z 1 to Z 5 may each independently represent R 2 .
또한, 상기 화학식 1B로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1B'로 표시될 수 있다:In addition, the compound represented by Formula 1B may be represented by Formula 1B' below:
[화학식 1B'][Formula 1B']
상기 화학식 1B'에서,In Formula 1B',
L, L1, L2, Ar1, Ar2, R1 및 a는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고,L, L 1 , L 2 , Ar 1 , Ar 2 , R 1 and a are as defined in Formula 1 above,
Z1 내지 Z6은 각각 독립적으로 R2이거나;Z 1 to Z 6 are each independently R 2 ;
Z1 내지 Z6 중 하나는 상기 화학식 a로 표시되는 치환기이고, 나머지는 각각 독립적으로 R2이거나; 또는One of Z 1 to Z 6 is a substituent represented by Formula (a), and the others are each independently R 2 ; or
Z1 내지 Z6 중 둘은 각각 독립적으로 상기 화학식 a로 표시되는 치환기이고, 나머지는 각각 독립적으로 R2일 수 있다.Two of Z 1 to Z 6 are each independently a substituent represented by Formula (a), and the others may each independently be R 2 .
예를 들어, 상기 화학식 1B'에서,For example, in Formula 1B',
Z1 내지 Z6은 각각 독립적으로 R2이거나;Z 1 to Z 6 are each independently R 2 ;
Z1이 상기 화학식 a로 표시되는 치환기이고, Z2 내지 Z6은 각각 독립적으로 R2이거나;Z 1 is a substituent represented by Formula (a), and Z 2 to Z 6 are each independently R 2 ;
Z2이 상기 화학식 a로 표시되는 치환기이고, Z1 및 Z3 내지 Z6은 각각 독립적으로 R2이거나;Z 2 is a substituent represented by Formula (a), and Z 1 and Z 3 to Z 6 are each independently R 2 ;
Z3이 상기 화학식 a로 표시되는 치환기이고, Z1, Z2 및 Z4 내지 Z6은 각각 독립적으로 R2이거나;Z 3 is a substituent represented by Formula (a), Z 1 , Z 2 and Z 4 to Z 6 are each independently R 2 ;
Z4이 상기 화학식 a로 표시되는 치환기이고, Z1 내지 Z3, Z5 및 Z6는 각각 독립적으로 R2이거나;Z 4 is a substituent represented by Formula (a), and Z 1 to Z 3 , Z 5 and Z 6 are each independently R 2 ;
Z5이 상기 화학식 a로 표시되는 치환기이고, Z1 내지 Z4 및 Z6은 각각 독립적으로 R2이거나; 또는Z 5 is a substituent represented by Formula (a), and Z 1 to Z 4 and Z 6 are each independently R 2 ; or
Z6이 상기 화학식 a로 표시되는 치환기이고, Z1 내지 Z5은 각각 독립적으로 R2일 수 있다.Z 6 is a substituent represented by Formula (a), and Z 1 to Z 5 may each independently represent R 2 .
또한, 상기 화학식 1C로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1C'로 표시될 수 있다:In addition, the compound represented by Formula 1C may be represented by Formula 1C' below:
[화학식 1C'][Formula 1C']
상기 화학식 1C'에서,In Formula 1C',
L', L3, L4, Ar3, Ar4, R2 및 b는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같고,L', L 3 , L 4 , Ar 3 , Ar 4 , R 2 and b are as defined in Formula 1 above,
Z7 내지 Z10은 각각 독립적으로 R1이거나;Z 7 to Z 10 are each independently R 1 ;
Z1 내지 Z6 중 하나는 하기 화학식 b로 표시되는 치환기이고, 나머지는 각각 독립적으로 R1이거나; 또는One of Z 1 to Z 6 is a substituent represented by Formula b below, and the others are each independently R 1 ; or
Z1 내지 Z6 중 둘은 각각 독립적으로 상기 화학식 b로 표시되는 치환기이고, 나머지는 각각 독립적으로 R1일 수 있고,Two of Z 1 to Z 6 are each independently a substituent represented by Formula (b), and the others may each independently be R 1 ;
[화학식 b][Formula b]
상기 화학식 b에서,In the formula b,
L, L1, L2, Ar1, Ar2, R1 및 a는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.L, L 1 , L 2 , Ar 1 , Ar 2 , R 1 and a are as defined in Formula 1 above.
예를 들어, 상기 화학식 1C'에서,For example, in Formula 1C',
Z7 내지 Z10은 각각 독립적으로 R1이거나;Z 7 to Z 10 are each independently R 1 ;
Z7이 상기 화학식 b로 표시되는 치환기이고, Z8 내지 Z10은 각각 독립적으로 R1이거나;Z 7 is a substituent represented by Formula b, and Z 8 to Z 10 are each independently R 1 ;
Z8이 상기 화학식 b로 표시되는 치환기이고, Z7, Z9 및 Z10은 각각 독립적으로 R1이거나;Z 8 is a substituent represented by Formula b, and Z 7 , Z 9 and Z 10 are each independently R 1 ;
Z9이 상기 화학식 b로 표시되는 치환기이고, Z7, Z8 및 Z10은 각각 독립적으로 R1이거나; 또는Z 9 is a substituent represented by Formula b, and Z 7 , Z 8 and Z 10 are each independently R 1 ; or
Z10이 상기 화학식 b로 표시되는 치환기이고, Z7 내지 Z9은 각각 독립적으로 R1일 수 있다.Z 10 is a substituent represented by Formula b, and Z 7 to Z 9 may each independently represent R 1 .
또한, 상기 화학식 1에서, L 및 L'은 각각 독립적으로 단일 결합, 또는 비치환되거나, 또는 중수소로 치환된 C6-20 아릴렌일 수 있다. In Formula 1, L and L' may each independently represent a single bond, unsubstituted, or deuterium-substituted C 6-20 arylene.
구체적으로, L 및 L'은 각각 독립적으로 단일 결합, 페닐렌, 비페닐디일, 또는 나프틸렌일 수 있다.Specifically, L and L' may each independently represent a single bond, phenylene, biphenyldiyl, or naphthylene.
보다 구체적으로, L 및 L'은 각각 독립적으로 단일 결합, 또는 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있다:More specifically, L and L' may each independently be a single bond or any one selected from the group consisting of:
. .
예를 들어, L 및 L'가 모두 단일 결합이거나; L 및 L'가 모두 페닐렌이거나; 또는 L 및 L' 중 하나는 단일 결합이고, 다른 하나는 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있다:For example, L and L' are both single bonds; L and L' are both phenylene; Or one of L and L' is a single bond, and the other may be any one selected from the group consisting of:
. .
또한, 상기 화학식 1에서, L1 내지 L4는 각각 독립적으로 단일 결합, 페닐렌, 비페닐디일, 또는 나프틸렌일 수 있다.In addition, in Formula 1, L 1 to L 4 may each independently be a single bond, phenylene, biphenyldiyl, or naphthylene.
보다 구체적으로, L1 내지 L4는 각각 독립적으로 단일 결합, 또는 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있다:More specifically, L 1 to L 4 may each independently be a single bond or any one selected from the group consisting of:
. .
예를 들어, L1 및 L2는 모두 단일 결합이거나; L1 및 L2 중 하나는 단일 결합이고, 다른 하나는 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있다:For example, L 1 and L 2 are both single bonds; One of L 1 and L 2 may be a single bond, and the other may be any one selected from the group consisting of:
. .
또한, 예를 들어, L3 및 L4는 모두 단일 결합이거나; L3 및 L4 중 하나는 단일 결합이고, 다른 하나는 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있다:Also, for example, L 3 and L 4 are both single bonds; One of L 3 and L 4 may be a single bond, and the other may be any one selected from the group consisting of:
. .
또한, 상기 화학식 1에서, Ar1 내지 Ar4는 각각 독립적으로 C6-20 아릴, 디벤조퓨라닐, 또는 디벤조티오페닐이고,Further, in Formula 1, Ar 1 to Ar 4 are each independently C 6-20 aryl, dibenzofuranyl, or dibenzothiophenyl;
여기서, Ar1 내지 Ar4는 비치환되거나, 또는 중수소, C1-10 알킬 및 C6-20 아릴로 구성되는 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환될 수 있다. Here, Ar 1 to Ar 4 may be unsubstituted or substituted with one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, C 1-10 alkyl and C 6-20 aryl.
구체적으로, Ar1 내지 Ar4는 각각 독립적으로 페닐, 비페닐릴, 터페닐릴, 쿼터페닐릴, 나프틸, 페난트릴, 트리페닐레닐, 플루오레닐, 디벤조퓨라닐, 또는 디벤조티오페닐이고,Specifically, Ar 1 to Ar 4 are each independently phenyl, biphenylyl, terphenylyl, quaterphenylyl, naphthyl, phenanthryl, triphenylenyl, fluorenyl, dibenzofuranyl, or dibenzothiophenyl. ego,
여기서, Ar1 내지 Ar4는 비치환되거나, 또는 중수소, C1-10 알킬 및 C6-20 아릴로 구성되는 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기, 예를 들어, 중수소, 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸, tert-부틸 및 페닐로 구성되는 군으로부터 선택되는 1개 이상의 치환기로 치환될 수 있다. Here, Ar 1 to Ar 4 are unsubstituted or one or more substituents selected from the group consisting of deuterium, C 1-10 alkyl and C 6-20 aryl, for example, deuterium, methyl, ethyl, propyl, It may be substituted with one or more substituents selected from the group consisting of isopropyl, butyl, tert-butyl and phenyl.
보다 구체적으로, Ar1 내지 Ar4는 각각 독립적으로 페닐, 비페닐릴, 터페닐릴, 쿼터페닐릴, 나프틸, 페닐나프틸, 페난트릴, 트리페닐레닐, 플루오레닐, 9,9-디메틸플루오레닐, 9,9-디페닐플루오레닐, 디벤조퓨라닐, 또는 디벤조티오페닐일 수 있다.More specifically, Ar 1 to Ar 4 are each independently phenyl, biphenylyl, terphenylyl, quaterphenylyl, naphthyl, phenylnaphthyl, phenanthryl, triphenylenyl, fluorenyl, 9,9-dimethyl fluorenyl, 9,9-diphenylfluorenyl, dibenzofuranyl, or dibenzothiophenyl.
예를 들어, Ar1 내지 Ar4는 각각 독립적으로 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다: For example, Ar 1 to Ar 4 may each independently be any one selected from the group consisting of, but is not limited thereto:
. .
이때, Ar1 및 Ar2는 서로 동일할 수 있다. 다르게는, Ar1 및 Ar2는 상이할 수 있다. In this case, Ar 1 and Ar 2 may be the same as each other. Alternatively, Ar 1 and Ar 2 may be different.
또한, 치환기 의 개수를 의미하는 n은 0, 1, 또는 2이고, 치환기 의 개수를 의미하는 m은 0, 1, 또는 2일 수 있다. 이때, n+m은 1, 2, 또는 3일 수 있다. Also, substituents n, which means the number of, is 0, 1, or 2, and the substituent m, meaning the number of, may be 0, 1, or 2. In this case, n+m may be 1, 2, or 3.
또는, n은 0 또는 1이고, m은 0 또는 1이며, n+m은 1 또는 2일 수 있다.Alternatively, n may be 0 or 1, m may be 0 or 1, and n+m may be 1 or 2.
이때, n 및 m이 모두 1인 경우, L1 및 L3는 서로 동일하고, L2 및 L4는 서로 동일하고, Ar1 및 Ar3는 서로 동일하고, Ar2 및 Ar4는 서로 동일할 수 있다.In this case, when n and m are both 1, L 1 and L 3 are equal to each other, L 2 and L 4 are equal to each other, Ar 1 and Ar 3 are equal to each other, and Ar 2 and Ar 4 are equal to each other. can
또한, R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 중수소일 수 있다. In addition, R 1 and R 2 may each independently represent hydrogen or deuterium.
보다 구체적으로는, R1 및 R2는 모두 수소이거나, 또는 모두 중수소일 수 있다.More specifically, R 1 and R 2 may both be hydrogen or both deuterium.
또한, R1의 개수를 의미하는 a는 0 내지 4-m의 정수로, 예를 들어, m이 0인 경우 a는 0, 1, 2, 3, 또는 4이고, m이 1인 경우 a는 0, 1, 2, 또는 3이다.In addition, which means the number of R 1 a is an integer from 0 to 4-m, for example, when m is 0, a is 0, 1, 2, 3, or 4, and when m is 1, a is 0, 1, 2, or 3 .
또한, R2의 개수를 의미하는 b는 0 내지 6-n의 정수로, 예를 들어, n이 0인 경우 b는 0, 1, 2, 3, 4, 5, 또는 6이고, n이 1인 경우 b는 0, 1, 2, 3, 4, 또는 5이다.In addition, which means the number of R 2 b is an integer from 0 to 6-n, for example, when n is 0, b is 0, 1, 2, 3, 4, 5, or 6, and when n is 1, b is 0, 1, 2 , 3, 4, or 5.
또한, 상기 화합물은 하기 화학식 1A-1 내지 1A-5, 1B-1, 1C-1 및 1C-2 중 어느 하나로 표시될 수 있다:In addition, the compound may be represented by any one of Formulas 1A-1 to 1A-5, 1B-1, 1C-1 and 1C-2:
상기 화학식 1A-1 내지 1A-5, 1B-1, 1C-1 및 1C-2에서,In Formulas 1A-1 to 1A-5, 1B-1, 1C-1 and 1C-2,
L, L', L1 내지 L4 및 Ar1 내지 Ar4는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 같다.L, L', L 1 to L 4 and Ar 1 to Ar 4 are as defined in Formula 1 above.
한편, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 대표적인 예는 하기와 같다:On the other hand, representative examples of the compound represented by Formula 1 are as follows:
..
한편, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 일례로 n이 0이고, m이 1이며, L이 단일 결합인 경우, 하기 반응식 1과 같은 제조 방법으로 제조할 수 있다. 상기 제조 방법은 후술할 제조예에서 보다 구체화될 수 있다. Meanwhile, when n is 0, m is 1, and L is a single bond, the compound represented by Chemical Formula 1 can be prepared by a preparation method as shown in Scheme 1 below. The manufacturing method may be more specific in Preparation Examples to be described later.
[반응식 1] [Scheme 1]
상기 반응식 1에서, X는 할로겐이고, 바람직하게는 브로모, 또는 클로로이고, 다른 치환기에 대한 정의는 앞서 설명한 바와 같다.In Scheme 1, X is halogen, preferably bromo or chloro, and other substituents are defined as described above.
구체적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 아민 치환 반응을 통해 출발물질 SM1 및 SM2가 결합하여 제조된다. 이러한 아민 치환 반응은 팔라듐 촉매와 염기의 존재 하에 수행하는 것이 바람직하며, 상기 반응을 위한 반응기는 적절히 변경될 수 있다. Specifically, the compound represented by Chemical Formula 1 is prepared by combining starting materials SM1 and SM2 through an amine substitution reaction. It is preferable to carry out this amine substitution reaction in the presence of a palladium catalyst and a base, and a reactor for the reaction may be appropriately changed.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 일례로 n이 0이고, m이 1이며, L이 단일 결합이 아닌 경우, 하기 반응식 2와 같은 제조 방법으로 제조할 수 있다. 상기 제조 방법은 후술할 제조예에서 보다 구체화될 수 있다. In addition, when n is 0, m is 1, and L is not a single bond, the compound represented by Formula 1 can be prepared by a preparation method shown in Scheme 2 below. The manufacturing method may be more specific in Preparation Examples to be described later.
[반응식 2] [Scheme 2]
상기 반응식 2에서, X는 할로겐이고, 바람직하게는 브로모, 또는 클로로이고, 다른 치환기에 대한 정의는 앞서 설명한 바와 같다.In Scheme 2, X is halogen, preferably bromo or chloro, and definitions of other substituents are as described above.
구체적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 Suzuki-Coupling 반응을 통해 출발물질 SM3 및 SM4가 결합하여 제조된다. 이러한 Suzuki-Coupling 반응은 팔라듐 촉매와 염기의 존재 하에 수행하는 것이 바람직하며, 상기 반응을 위한 반응기는 적절히 변경될 수 있다. Specifically, the compound represented by Chemical Formula 1 is prepared by combining starting materials SM3 and SM4 through a Suzuki-Coupling reaction. It is preferable to carry out this Suzuki-Coupling reaction in the presence of a palladium catalyst and a base, and a reactor for the reaction may be appropriately changed.
그 외 예시되지 않은 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 반응식 1 및 2를 참조로 출발물질을 적절히 변형하여 제조할 수 있다.Other unexemplified compounds represented by Formula 1 can be prepared by appropriately modifying starting materials with reference to Schemes 1 and 2 above.
(유기 발광 소자)(organic light emitting device)
한편, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. 일례로, 본 발명은 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는, 유기 발광 소자를 제공한다. Meanwhile, the present invention provides an organic light emitting device including the compound represented by Formula 1 above. In one example, the present invention provides a first electrode; a second electrode provided to face the first electrode; and one or more organic material layers provided between the first electrode and the second electrode, wherein at least one of the organic material layers includes the compound represented by Chemical Formula 1. .
본 발명의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present invention may have a single-layer structure, or may have a multi-layer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic light emitting device of the present invention may have a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer as organic material layers. However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include fewer organic layers.
또한, 상기 유기물 층은 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층을 포함할 수 있고, 상기 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공 주입과 수송을 동시에 하는 층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. In addition, the organic material layer may include a hole injection layer, a hole transport layer, or a layer that simultaneously injects and transports holes, and the hole injection layer, the hole transport layer, or a layer that simultaneously injects and transports holes is represented by Formula 1 above. Contains the indicated compounds.
또한, 상기 유기물층은 발광층을 포함할 수 있고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. Also, the organic material layer may include a light emitting layer, and the light emitting layer includes the compound represented by Chemical Formula 1.
본 발명의 유기 발광 소자의 유기물 층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물 층으로서 발광층 이외에, 상기 제1전극과 상기 발광층 사이의 정공주입층 및 정공수송층, 및 상기 발광층과 상기 제2전극 사이의 전자수송층 및 전자주입층을 더 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수 또는 더 많은 수의 유기층을 포함할 수 있다.The organic material layer of the organic light emitting device of the present invention may have a single-layer structure, or may have a multi-layer structure in which two or more organic material layers are stacked. For example, the organic light emitting device of the present invention further includes a hole injection layer and a hole transport layer between the first electrode and the light emitting layer, and an electron transport layer and an electron injection layer between the light emitting layer and the second electrode, in addition to the light emitting layer as an organic material layer. can have a structure that However, the structure of the organic light emitting device is not limited thereto and may include fewer or more organic layers.
또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 상기 제1 전극이 양극이고 상기 제2 전극은 음극인, 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 상기 제1 전극이 음극이고 상기 제2 전극은 양극인, 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 2에 예시되어 있다.In addition, the organic light emitting device according to the present invention has a structure (normal type) in which an anode, one or more organic material layers, and a cathode are sequentially stacked on a substrate, wherein the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode. may be minor. In addition, the organic light emitting device according to the present invention has an inverted type organic layer in which a cathode, one or more organic material layers, and an anode are sequentially stacked on a substrate, wherein the first electrode is a cathode and the second electrode is an anode. It may be a light emitting device. For example, the structure of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention is illustrated in FIGS. 1 and 2 .
도 1은 기판(1), 양극(2), 정공수송층(3), 발광층(4), 전자주입 및 수송층(5) 및 음극(6)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공수송층에 포함될 수 있다. 1 shows an example of an organic light emitting device composed of a substrate 1, an anode 2, a hole transport layer 3, a light emitting layer 4, an electron injection and transport layer 5 and a cathode 6. In this structure, the compound represented by Chemical Formula 1 may be included in the hole transport layer.
도 2는 기판(1), 양극(2), 정공주입층(7), 정공수송층(3), 전자억제층(8), 발광층(4), 정공저지층(9), 전자주입 및 수송층(5) 및 음극(6)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 정공주입층, 정공수송층, 또는 전자억제층에 포함될 수 있다.2 shows a substrate 1, an anode 2, a hole injection layer 7, a hole transport layer 3, an electron blocking layer 8, a light emitting layer 4, a hole blocking layer 9, an electron injection and transport layer ( 5) and an example of an organic light emitting element composed of a cathode 6 is shown. In this structure, the compound represented by Formula 1 may be included in the hole injection layer, the hole transport layer, or the electron suppression layer.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는, 상기 유기물층 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. 또한, 상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. The organic light emitting device according to the present invention may be manufactured with materials and methods known in the art, except that at least one of the organic material layers includes the compound represented by Chemical Formula 1. Also, when the organic light emitting device includes a plurality of organic material layers, the organic material layers may be formed of the same material or different materials.
예컨대, 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시켜 제조할 수 있다. 이때, 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시켜 제조할 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다. For example, the organic light emitting device according to the present invention may be manufactured by sequentially stacking a first electrode, an organic material layer, and a second electrode on a substrate. At this time, by using a physical vapor deposition (PVD) method such as sputtering or e-beam evaporation, depositing a metal or a metal oxide having conductivity or an alloy thereof on the substrate to form an anode After forming an organic material layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer thereon, it can be prepared by depositing a material that can be used as a cathode thereon. In addition to this method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing a cathode material, an organic material layer, and an anode material on a substrate.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.In addition, the compound represented by Chemical Formula 1 may be formed as an organic material layer by a solution coating method as well as a vacuum deposition method when manufacturing an organic light emitting device. Here, the solution coating method means spin coating, dip coating, doctor blading, inkjet printing, screen printing, spraying, roll coating, etc., but is not limited to these.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다(WO 2003/012890). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다. In addition to this method, an organic light emitting device may be manufactured by sequentially depositing an organic material layer and an anode material on a substrate from a cathode material (WO 2003/012890). However, the manufacturing method is not limited thereto.
일례로, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이거나, 또는 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다.In one example, the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode, or the first electrode is a cathode and the second electrode is an anode.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. As the anode material, a material having a high work function is generally preferred so that holes can be smoothly injected into the organic material layer. Specific examples of the cathode material include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold or alloys thereof; metal oxides such as zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); combinations of metals and oxides such as ZnO:Al or SnO 2 :Sb; Conductive polymers such as poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene] (PEDOT), polypyrrole, and polyaniline, but are not limited thereto.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 상기 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. The cathode material is preferably a material having a small work function so as to facilitate electron injection into the organic material layer. Specific examples of the anode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, and lead, or alloys thereof; There are multi-layered materials such as LiF/Al or LiO 2 /Al, but are not limited thereto.
상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다. The hole injection layer is a layer for injecting holes from the electrode, and the hole injection material has the ability to transport holes and has a hole injection effect at the anode, an excellent hole injection effect for the light emitting layer or the light emitting material, and generated in the light emitting layer A compound that prevents migration of excitons to the electron injecting layer or electron injecting material and has excellent thin film formation ability is preferred. It is preferable that the highest occupied molecular orbital (HOMO) of the hole injection material is between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic layer. Specific examples of the hole injection material include metal porphyrins, oligothiophenes, arylamine-based organic materials, hexanitrilehexaazatriphenylene-based organic materials, quinacridone-based organic materials, and perylene-based organic materials. of organic matter, anthraquinone, and polyaniline and polythiophene-based conductive polymers, but are not limited thereto.
상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 상기 정공 수송 물질로 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 사용하거나, 또는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The hole transport layer is a layer that receives holes from the hole injection layer and transports the holes to the light emitting layer. The hole transport material is a material that can receive holes from the anode or the hole injection layer and transfer them to the light emitting layer, and has high hole mobility. material is suitable. As the hole transport material, the compound represented by Formula 1, or an arylamine-based organic material, a conductive polymer, and a block copolymer having both a conjugated and a non-conjugated part may be used, but is not limited thereto. .
상기 전자억제층은 상기 정공수송층 상에 형성되어, 바람직하게는 발광층에 접하여 구비되어, 정공이동도를 조절하고, 전자의 과다한 이동을 방지하여 정공-전자간 결합 확률을 높여줌으로써 유기 발광 소자의 효율을 개선하는 역할을 하는 층을 의미한다. 상기 전자억제층은 전자저지물질을 포함하고, 이러한 전자저지물질의 예로 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 사용하거나, 또는 아릴아민 계열의 유기물 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The electron blocking layer is formed on the hole transport layer, and is preferably provided in contact with the light emitting layer to control hole mobility and prevent excessive movement of electrons to increase hole-electron coupling probability, thereby increasing the efficiency of the organic light emitting device. means a layer that serves to improve The electron blocking layer includes an electron blocking material, and as an example of the electron blocking material, a compound represented by Chemical Formula 1 or an arylamine-based organic material may be used, but is not limited thereto.
상기 발광 물질로는 정공 수송층과 전자 수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The light emitting material is a material capable of emitting light in the visible ray region by receiving and combining holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and a material having good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence is preferable. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ); carbazole-based compounds; dimerized styryl compounds; BAlq; 10-hydroxybenzoquinoline-metal compounds; compounds of the benzoxazole, benzthiazole and benzimidazole series; poly(p-phenylenevinylene) (PPV)-based polymers; spiro compounds; Polyfluorene, rubrene, etc., but are not limited thereto.
상기 발광층은 상술한 바와 같이 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등을 더 포함할 수 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. As described above, the light emitting layer may include a host material and a dopant material. The host material may further include a condensed aromatic ring derivative or a compound containing a hetero ring. Specifically, condensed aromatic ring derivatives include anthracene derivatives, pyrene derivatives, naphthalene derivatives, pentacene derivatives, phenanthrene compounds, fluoranthene compounds, etc., and heterocyclic-containing compounds include carbazole derivatives, dibenzofuran derivatives, ladder type furan compounds, pyrimidine derivatives, etc., but are not limited thereto.
도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 사이클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Dopant materials include aromatic amine derivatives, strylamine compounds, boron complexes, fluoranthene compounds, metal complexes, and the like. Specifically, aromatic amine derivatives are condensed aromatic ring derivatives having a substituted or unsubstituted arylamino group, such as pyrene, anthracene, chrysene, periplanthene, etc. having an arylamino group, and styrylamine compounds include substituted or unsubstituted arylamine is substituted with at least one arylvinyl group, wherein one or two or more substituents selected from the group consisting of an aryl group, a silyl group, an alkyl group, a cycloalkyl group, and an arylamino group are substituted or unsubstituted. Specifically, there are styrylamine, styryldiamine, styryltriamine, styryltetraamine, etc., but is not limited thereto. In addition, metal complexes include, but are not limited to, iridium complexes and platinum complexes.
상기 정공저지층은 발광층 상에 형성되어, 바람직하게는 발광층에 접하여 구비되어, 전자이동도를 조절하고 정공의 과다한 이동을 방지하여 정공-전자간 결합 확률을 높여줌으로써 유기 발광 소자의 효율을 개선하는 역할을 하는 층을 의미한다. 상기 정공저지층은 정공저지물질을 포함하고, 이러한 정공저지물질의 예로 트리아진을 포함한 아진류유도체; 트리아졸 유도체; 옥사디아졸 유도체; 페난트롤린 유도체; 포스핀옥사이드 유도체 등의 전자흡인기가 도입된 화합물을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The hole blocking layer is formed on the light emitting layer, preferably provided in contact with the light emitting layer, to improve the efficiency of the organic light emitting device by controlling electron mobility and preventing excessive movement of holes to increase the probability of hole-electron coupling layers that play a role. The hole blocking layer includes a hole blocking material, and examples of the hole blocking material include azine derivatives including triazine; triazole derivatives; oxadiazole derivatives; phenanthroline derivatives; A compound having an electron withdrawing group such as a phosphine oxide derivative may be used, but is not limited thereto.
상기 전자 주입 및 수송층은 전극으로부터 전자를 주입하고, 수취된 전자를 발광층까지 수송하는 전자수송층 및 전자주입층의 역할을 동시에 수행하는 층으로, 상기 발광층 또는 상기 정공저지층 상에 형성된다. 이러한 전자 주입 및 수송물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 전자 주입 및 수송물질의 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물; 트리아진 유도체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 또는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 플루오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물, 또는 질소 함유 5원환 유도체 등과 함께 사용할 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The electron injection and transport layer is a layer that simultaneously serves as an electron transport layer and an electron injection layer for injecting electrons from an electrode and transporting the received electrons to the light emitting layer, and is formed on the light emitting layer or the hole blocking layer. As such an electron injecting and transporting material, a material capable of receiving electrons from the cathode and transferring them to the light emitting layer is suitable. Examples of specific electron injection and transport materials include Al complexes of 8-hydroxyquinoline; Complexes containing Alq 3 ; organic radical compounds; hydroxyflavone-metal complexes; triazine derivatives, etc., but are not limited thereto. Or fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetracarboxylic acid, fluorenylidene methane, anthrone, etc. and their derivatives, metal complex compounds , Or may be used together with nitrogen-containing 5-membered ring derivatives, etc., but is not limited thereto.
상기 전자 주입 및 수송층은 전자주입층 및 전자수송층과 같은 별개의 층으로도 형성될 수 있다. 이와 같은 경우, 전자 수송층은 상기 발광층 또는 상기 정공저지층 상에 형성되고, 상기 전자 수송층에 포함되는 전자 수송 물질로는 상술한 전자 주입 및 수송 물질이 사용될 수 있다. 또한, 전자 주입층은 상기 전자 수송층 상에 형성되고, 상기 전자 주입층에 포함되는 전자 주입 물질로는 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO, 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 플루오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 질소 함유 5원환 유도체 등이 사용될 수 있다.The electron injection and transport layer may also be formed as a separate layer such as an electron injection layer and an electron transport layer. In this case, the electron transport layer is formed on the light emitting layer or the hole blocking layer, and the above-described electron injection and transport material may be used as an electron transport material included in the electron transport layer. In addition, the electron injection layer is formed on the electron transport layer, and examples of electron injection materials included in the electron injection layer include LiF, NaCl, CsF, Li 2 O, BaO, fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, Thiophyran dioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylene tetracarboxylic acid, fluorenylidene methane, anthrone, etc. and their derivatives, metal complex compounds, nitrogen-containing 5-membered ring derivatives, and the like can be used.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinato lithium, bis(8-hydroxyquinolinato)zinc, bis(8-hydroxyquinolinato)copper, bis(8-hydroxyquinolinato)manganese, Tris(8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris(2-methyl-8-hydroxyquinolinato) aluminum, tris(8-hydroxyquinolinato) gallium, bis(10-hydroxybenzo[h] Quinolinato) beryllium, bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)zinc, bis(2-methyl-8-quinolinato)chlorogallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)( There are o-cresolato) gallium, bis(2-methyl-8-quinolinato)(1-naphtolato)aluminum, and bis(2-methyl-8-quinolinato)(2-naphtolato)gallium. It is not limited to this.
본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be a top emission type, a bottom emission type, or a double side emission type depending on the material used.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다.In addition, the compound represented by Chemical Formula 1 may be included in an organic solar cell or an organic transistor in addition to an organic light emitting device.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조는 이하 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.Preparation of the compound represented by Chemical Formula 1 and the organic light emitting device including the same will be described in detail in the following examples. However, the following examples are intended to illustrate the present invention, and the scope of the present invention is not limited thereto.
[제조예][Production Example]
제조예 A: 중간체 화합물 A의 제조Preparation Example A: Preparation of Intermediate Compound A
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 sub 1인 나프탈렌-1,8-디올 (20.00 g, 125.00 mmol), 및 화합물 sub 2인 1-브로모-2,3-디플로로벤젠 (22.92 g, 137.50 mmol)을 DMF 230 mL에 완전히 녹인 후 K2CO3 (69.11 g, 500.00 mmol)을 첨가하고, 5시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염기를 제거한 후 DMF을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 250 mL으로 재결정하여 화합물 A(28.47 g, 수율: 73%)를 제조하였다.Compound sub 1, naphthalene-1,8-diol (20.00 g, 125.00 mmol), and compound sub 2, 1-bromo-2,3-difluorobenzene (22.92 g, 137.50 mmol) was completely dissolved in 230 mL of DMF, K 2 CO 3 (69.11 g, 500.00 mmol) was added, and the mixture was heated and stirred for 5 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the base, DMF was concentrated under reduced pressure and recrystallized with 250 mL of ethyl acetate to prepare Compound A (28.47 g, yield: 73%).
MS[M+H]+= 314MS[M+H] + = 314
제조예 B: 중간체 화합물 B의 제조Preparation Example B: Preparation of Intermediate Compound B
상기 제조예 A에서 sub 1 대신 sub 3을 사용한 것을 제외하고는, 제조예 A와 동일한 방법을 사용하여 중간체 화합물 B를 제조하였다. Intermediate compound B was prepared in the same manner as in Preparation Example A, except that sub 3 was used instead of sub 1 in Preparation Example A.
MS[M+H]+= 314MS[M+H] + = 314
제조예 C: 중간체 화합물 C의 제조Preparation Example C: Preparation of Intermediate Compound C
상기 제조예 A에서 sub 1 및 sub 2 대신 각각 sub 4 및 sub 5를 사용한 것을 제외하고는, 제조예 A와 동일한 방법을 사용하여 중간체 화합물 C를 제조하였다. Intermediate Compound C was prepared in the same manner as in Preparation Example A, except that sub 4 and sub 5 were used instead of sub 1 and sub 2 in Preparation Example A.
MS[M+H]+= 314MS[M+H] + = 314
제조예 D: 중간체 화합물 D의 제조Preparation Example D: Preparation of Intermediate Compound D
상기 제조예 A에서 sub 1 및 sub 2 대신 각각 sub 6 및 sub 5를 사용한 것을 제외하고는, 제조예 A와 동일한 방법을 사용하여 중간체 화합물 D를 제조하였다. Intermediate compound D was prepared in the same manner as in Preparation Example A, except that sub 6 and sub 5 were used instead of sub 1 and sub 2 in Preparation Example A.
MS[M+H]+= 314MS[M+H] + = 314
제조예 E: 중간체 화합물 E의 제조Preparation Example E: Preparation of Intermediate Compound E
상기 제조예 A에서 sub 1 및 sub 2 대신 각각 sub 4 및 sub 6을 사용한 것을 제외하고는, 제조예 A와 동일한 방법을 사용하여 중간체 화합물 E를 제조하였다.Intermediate compound E was prepared in the same manner as in Preparation Example A, except that sub 4 and sub 6 were used instead of sub 1 and sub 2 in Preparation Example A.
MS[M+H]+= 391MS[M+H] + = 391
제조예 F: 중간체 화합물 F의 제조Preparation Example F: Preparation of Intermediate Compound F
상기 제조예 A에서 sub 1 및 sub 2 대신 각각 sub 7 및 sub 6을 사용한 것을 제외하고는, 제조예 A와 동일한 방법을 사용하여 중간체 화합물 E를 제조하였다.Intermediate compound E was prepared in the same manner as in Preparation Example A, except that sub 7 and sub 6 were used instead of sub 1 and sub 2 in Preparation Example A.
MS[M+H]+= 391MS[M+H] + = 391
제조예 1: 화합물 1의 제조Preparation Example 1: Preparation of Compound 1
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 A(6.25 g, 19.97 mmol), 및 화합물 a-1(8.72 g, 21.96 mmol)을 자일렌 330 mL에 완전히 녹인 후 NaOtBu(2.49 g, 25.96 mmol)을 첨가하고, 비스(트리-tert-부틸포스핀) 팔라듐(0)(0.20 g, 0.40 mmol)을 넣은 후 5시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염기를 제거한 후 자일렌을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 250 mL으로 재결정하여 화합물 1(7.74 g, 수율: 62%)를 제조하였다.After completely dissolving compound A (6.25 g, 19.97 mmol) and compound a-1 (8.72 g, 21.96 mmol) in 330 mL of xylene in a 500 mL round bottom flask under a nitrogen atmosphere, NaOtBu (2.49 g, 25.96 mmol) was added. After adding bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.20 g, 0.40 mmol), the mixture was heated and stirred for 5 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the base, xylene was concentrated under reduced pressure and recrystallized with 250 mL of ethyl acetate to prepare Compound 1 (7.74 g, yield: 62%).
MS[M+H]+= 630MS[M+H] + = 630
제조예 2: 화합물 2의 제조Preparation Example 2: Preparation of Compound 2
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 B(6.53 g, 20.86 mmol), 및 화합물 a-2(9.66 g, 22.95 mmol)을 자일렌 320 mL에 완전히 녹인 후 NaOtBu(2.61 g, 27.12 mmol)을 첨가하고, 비스(트리-tert-부틸포스핀) 팔라듐(0)(0.21 g, 0.42 mmol)을 넣은 후 5시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염기를 제거한 후 자일렌을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 310 mL으로 재결정하여 화합물 2(9.94 g, 수율: 56%)를 제조하였다.After completely dissolving compound B (6.53 g, 20.86 mmol) and compound a-2 (9.66 g, 22.95 mmol) in 320 mL of xylene in a 500 mL round bottom flask under a nitrogen atmosphere, NaOtBu (2.61 g, 27.12 mmol) was added. After adding bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.21 g, 0.42 mmol), the mixture was heated and stirred for 5 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the base, xylene was concentrated under reduced pressure and recrystallized with 310 mL of ethyl acetate to prepare Compound 2 (9.94 g, yield: 56%).
MS[M+H]+= 654MS[M+H] + = 654
제조예 3: 화합물 3의 제조Preparation Example 3: Preparation of Compound 3
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 C(6.88 g, 21.98 mmol), 및 화합물 a-3(10.18 g, 24.18 mmol)을 자일렌 320 mL에 완전히 녹인 후 NaOtBu(2.75 g, 28.58 mmol)을 첨가하고, 비스(트리-tert-부틸포스핀) 팔라듐(0)(0.22 g, 0.44 mmol)을 넣은 후 6시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염기를 제거한 후 자일렌을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 340 mL으로 재결정하여 화합물 3(8.81 g, 수율: 61%)를 제조하였다.After completely dissolving compound C (6.88 g, 21.98 mmol) and compound a-3 (10.18 g, 24.18 mmol) in 320 mL of xylene in a 500 mL round bottom flask under a nitrogen atmosphere, NaOtBu (2.75 g, 28.58 mmol) was added. After adding bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.22 g, 0.44 mmol), the mixture was heated and stirred for 6 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the base, xylene was concentrated under reduced pressure and recrystallized with 340 mL of ethyl acetate to prepare compound 3 (8.81 g, yield: 61%).
MS[M+H]+= 654MS[M+H] + = 654
제조예 4: 화합물 4의 제조Preparation Example 4: Preparation of Compound 4
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 D(7.13 g, 22.78 mmol), 및 화합물 a-4(10.30 g, 25.06 mmol)을 자일렌 320 mL에 완전히 녹인 후 NaOtBu(2.85 g, 29.61 mmol)을 첨가하고, 비스(트리-tert-부틸포스핀) 팔라듐(0)(0.23 g, 0.46 mmol)을 넣은 후 7시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염기를 제거한 후 자일렌을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 270 mL으로 재결정하여 화합물 4(7.95 g, 수율: 54%)를 제조하였다.After completely dissolving compound D (7.13 g, 22.78 mmol) and compound a-4 (10.30 g, 25.06 mmol) in 320 mL of xylene in a 500 mL round bottom flask under a nitrogen atmosphere, NaOtBu (2.85 g, 29.61 mmol) was added. After adding bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.23 g, 0.46 mmol), the mixture was heated and stirred for 7 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the base, xylene was concentrated under reduced pressure and recrystallized with 270 mL of ethyl acetate to prepare Compound 4 (7.95 g, yield: 54%).
MS[M+H]+= 644MS[M+H] + = 644
제조예 5: 화합물 5의 제조Preparation Example 5: Preparation of Compound 5
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 A(6.13 g, 19.58 mmol), 및 화합물 a-5(7.44 g, 21.54 mmol)을 테트라하이드로퓨란 240 mL에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(120 mL)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.68 g, 0.59 mmol)을 넣은 후 4시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 350 mL로 재결정하여 화합물 5(9.26 g, 75%)를 제조하였다.After completely dissolving compound A (6.13 g, 19.58 mmol) and compound a-5 (7.44 g, 21.54 mmol) in 240 mL of tetrahydrofuran in a 500 mL round bottom flask under a nitrogen atmosphere, 2M potassium carbonate aqueous solution (120 mL) was added. After adding tetrakis-(triphenylphosphine)palladium (0.68 g, 0.59 mmol), the mixture was heated and stirred for 4 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 350 mL of ethyl acetate to prepare Compound 5 (9.26 g, 75%).
MS[M+H]+= 630MS[M+H] + = 630
제조예 6: 화합물 6의 제조Preparation Example 6: Preparation of Compound 6
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 B(6.55 g, 20.93 mmol), 및 화합물 a-6(9.09 g, 23.02 mmol)을 테트라하이드로퓨란 240 mL에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(120 mL)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.73 g, 0.63 mmol)을 넣은 후 7시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 340 mL로 재결정하여 화합물 6(8.88 g, 62%)를 제조하였다.After completely dissolving compound B (6.55 g, 20.93 mmol) and compound a-6 (9.09 g, 23.02 mmol) in 240 mL of tetrahydrofuran in a 500 mL round bottom flask under a nitrogen atmosphere, 2M potassium carbonate aqueous solution (120 mL) was added. After adding tetrakis-(triphenylphosphine)palladium (0.73 g, 0.63 mmol), the mixture was heated and stirred for 7 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 340 mL of ethyl acetate to prepare compound 6 (8.88 g, 62%).
MS[M+H]+= 680MS[M+H] + = 680
제조예 7: 화합물 7의 제조Preparation Example 7: Preparation of Compound 7
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 C(6.49 g, 20.73 mmol), 및 화합물 a-7(7.87 g, 22.81 mmol)을 테트라하이드로퓨란 240 mL에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(120 mL)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.72 g, 0.62 mmol)을 넣은 후 4시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 310 mL로 재결정하여 화합물 7(7.93 g, 61%)를 제조하였다.After completely dissolving compound C (6.49 g, 20.73 mmol) and compound a-7 (7.87 g, 22.81 mmol) in 240 mL of tetrahydrofuran in a 500 mL round bottom flask under a nitrogen atmosphere, 2M potassium carbonate aqueous solution (120 mL) was added. After adding tetrakis-(triphenylphosphine)palladium (0.72 g, 0.62 mmol), the mixture was heated and stirred for 4 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 310 mL of ethyl acetate to prepare compound 7 (7.93 g, 61%).
MS[M+H]+= 630MS[M+H] + = 630
제조예 8: 화합물 8의 제조Preparation Example 8: Preparation of Compound 8
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 D(5.98 g, 19.11 mmol), 및 화합물 a-8(8.85 g, 21.02 mmol)을 테트라하이드로퓨란 240 mL에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(120 mL)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.66 g, 0.57 mmol)을 넣은 후 5시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 420 mL로 재결정하여 화합물 8(10.07 g, 75%)를 제조하였다.After completely dissolving compound D (5.98 g, 19.11 mmol) and compound a-8 (8.85 g, 21.02 mmol) in 240 mL of tetrahydrofuran in a 500 mL round bottom flask under a nitrogen atmosphere, 2M potassium carbonate aqueous solution (120 mL) was added. After adding tetrakis-(triphenylphosphine)palladium (0.66 g, 0.57 mmol), the mixture was heated and stirred for 5 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 420 mL of ethyl acetate to prepare Compound 8 (10.07 g, 75%).
MS[M+H]+= 706MS[M+H] + = 706
제조예 9: 화합물 9의 제조Preparation Example 9: Preparation of Compound 9
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 B(6.48 g, 20.70 mmol), 및 화합물 a-9(11.36 g, 22.77 mmol)을 자일렌 300 mL에 완전히 녹인 후 NaOtBu(2.59 g, 26.91 mmol)을 첨가하고, 비스(트리-tert-부틸포스핀) 팔라듐(0)(0.21 g, 0.41 mmol)을 넣은 후 5시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염기를 제거한 후 자일렌을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 360 mL으로 재결정하여 화합물 9(9.11 g, 수율: 60%)를 제조하였다.After completely dissolving compound B (6.48 g, 20.70 mmol) and compound a-9 (11.36 g, 22.77 mmol) in 300 mL of xylene in a 500 mL round bottom flask under a nitrogen atmosphere, NaOtBu (2.59 g, 26.91 mmol) was added. After adding bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.21 g, 0.41 mmol), the mixture was heated and stirred for 5 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the base, xylene was concentrated under reduced pressure and recrystallized with 360 mL of ethyl acetate to prepare compound 9 (9.11 g, yield: 60%).
MS[M+H]+= 732MS[M+H] + = 732
제조예 10: 화합물 10의 제조Preparation Example 10: Preparation of Compound 10
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 B(7.34 g, 23.45 mmol), 및 화합물 a-10(10.09 g, 25.80 mmol)을 자일렌 300 mL에 완전히 녹인 후 NaOtBu(2.93 g, 30.49 mmol)을 첨가하고, 비스(트리-tert-부틸포스핀) 팔라듐(0)(0.24 g, 0.47 mmol)을 넣은 후 5시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염기를 제거한 후 자일렌을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 280 mL으로 재결정하여 화합물 10(7.87 g, 수율: 54%)를 제조하였다.After completely dissolving compound B (7.34 g, 23.45 mmol) and compound a-10 (10.09 g, 25.80 mmol) in 300 mL of xylene in a 500 mL round bottom flask in a nitrogen atmosphere, NaOtBu (2.93 g, 30.49 mmol) was added. After adding bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.24 g, 0.47 mmol), the mixture was heated and stirred for 5 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the base, xylene was concentrated under reduced pressure and recrystallized with 280 mL of ethyl acetate to prepare Compound 10 (7.87 g, yield: 54%).
MS[M+H]+= 624MS[M+H] + = 624
제조예 11: 화합물 11의 제조Preparation Example 11: Preparation of Compound 11
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 E(5.26 g, 16.81 mmol), 및 화합물 a-11(7.74 g, 35.29 mmol)을 자일렌 300 mL에 완전히 녹인 후 NaOtBu(4.04 g, 42.01 mmol)을 첨가하고, 비스(트리-tert-부틸포스핀) 팔라듐(0)(0.34 g, 0.67 mmol)을 넣은 후 4시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염기를 제거한 후 자일렌을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 280 mL으로 재결정하여 화합물 11(7.13 g, 수율: 63%)를 제조하였다.After completely dissolving compound E (5.26 g, 16.81 mmol) and compound a-11 (7.74 g, 35.29 mmol) in 300 mL of xylene in a 500 mL round bottom flask under a nitrogen atmosphere, NaOtBu (4.04 g, 42.01 mmol) was added. After adding bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.34 g, 0.67 mmol), the mixture was heated and stirred for 4 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the base, xylene was concentrated under reduced pressure and recrystallized with 280 mL of ethyl acetate to prepare Compound 11 (7.13 g, yield: 63%).
MS[M+H]+= 669MS[M+H] + = 669
제조예 12: 화합물 12의 제조Preparation Example 12: Preparation of Compound 12
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 F(5.55 g, 17.73 mmol), 및 화합물 a-12(11.01 g, 37.24 mmol)을 자일렌 300 mL에 완전히 녹인 후 NaOtBu(4.26 g, 44.33 mmol)을 첨가하고, 비스(트리-tert-부틸포스핀) 팔라듐(0)(0.36 g, 0.71 mmol)을 넣은 후 7시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 염기를 제거한 후 자일렌을 감압농축 시키고 에틸아세테이트 250 mL으로 재결정하여 화합물 12(8.36 g, 수율: 57%)를 제조하였다.After completely dissolving compound F (5.55 g, 17.73 mmol) and compound a-12 (11.01 g, 37.24 mmol) in 300 mL of xylene in a 500 mL round bottom flask under a nitrogen atmosphere, NaOtBu (4.26 g, 44.33 mmol) was added. After adding bis(tri-tert-butylphosphine)palladium(0) (0.36 g, 0.71 mmol), the mixture was heated and stirred for 7 hours. After lowering the temperature to room temperature and filtering to remove the base, xylene was concentrated under reduced pressure and recrystallized with 250 mL of ethyl acetate to prepare Compound 12 (8.36 g, yield: 57%).
MS[M+H]+= 821MS[M+H] + = 821
제조예 13: 화합물 13의 제조Preparation Example 13: Preparation of Compound 13
질소 분위기에서 500 mL 둥근 바닥 플라스크에 화합물 E(5.11 g, 13.04 mmol), 및 화합물 a-13(8.29 g, 28.68 mmol)을 테트라하이드로퓨란 240 mL에 완전히 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액(120 mL)을 첨가하고, 테트라키스-(트리페닐포스핀)팔라듐(0.90 g, 0.78 mmol)을 넣은 후 6시간 동안 가열 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 물 층을 제거하고 무수황산마그네슘으로 건조한 후 감압농축 시키고 에틸아세테이트 340 mL로 재결정하여 화합물 13(7.44 g, 79%)를 제조하였다.After completely dissolving compound E (5.11 g, 13.04 mmol) and compound a-13 (8.29 g, 28.68 mmol) in 240 mL of tetrahydrofuran in a 500 mL round bottom flask under a nitrogen atmosphere, 2M potassium carbonate aqueous solution (120 mL) was added. After adding tetrakis-(triphenylphosphine)palladium (0.90 g, 0.78 mmol), the mixture was heated and stirred for 6 hours. The temperature was lowered to room temperature, the water layer was removed, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and recrystallized with 340 mL of ethyl acetate to prepare Compound 13 (7.44 g, 79%).
MS[M+H]+= 721MS[M+H] + = 721
실시예 1-1Example 1-1
ITO(indium tin oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.A glass substrate coated with ITO (indium tin oxide) to a thickness of 1,000 Å was put in distilled water in which detergent was dissolved and washed with ultrasonic waves. At this time, a Fischer Co. product was used as the detergent, and distilled water filtered through a second filter of a Millipore Co. product was used as the distilled water. After washing the ITO for 30 minutes, ultrasonic cleaning was performed twice with distilled water for 10 minutes. After washing with distilled water, ultrasonic cleaning was performed with solvents such as isopropyl alcohol, acetone, and methanol, dried, and transported to a plasma cleaner. In addition, after cleaning the substrate for 5 minutes using oxygen plasma, the substrate was transferred to a vacuum deposition machine.
이렇게 준비된 양극인 ITO 투명 전극 위에 하기 화합물 HI1 및 하기 화합물 HI2의 화합물을 98:2(몰비)의 비가 되도록 100Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공주입층을 형성하였다. 상기 정공주입층 위에 상기 제조예 4에서 제조한 화합물 4를 1150Å의 두께로 진공 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 이어서, 상기 정공수송층 위에 막 두께 50Å으로 EB1의 화합물을 진공 증착하여 전자억제층을 형성하였다. A hole injection layer was formed by thermally vacuum-depositing the following compound HI1 and the following compound HI2 to a thickness of 100 Å in a ratio of 98:2 (molar ratio) on the ITO transparent electrode prepared as described above. Compound 4 prepared in Preparation Example 4 was vacuum deposited on the hole injection layer to a thickness of 1150 Å to form a hole transport layer. Subsequently, an electron blocking layer was formed on the hole transport layer by vacuum depositing a compound of EB1 to a film thickness of 50 Å.
이어서, 상기 전자억제층 위에 막 두께 200Å으로 하기 화학식 BH로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 BD로 표시되는 화합물을 25:1의 중량비로 진공증착하여 발광층을 형성하였다. Subsequently, a compound represented by Chemical Formula BH and a compound represented by Chemical Formula BD were vacuum deposited at a weight ratio of 25:1 to form a light emitting layer on the electron blocking layer to a film thickness of 200 Å.
상기 발광층 위에 막 두께 50Å으로 화학식 HB1으로 표시되는 화합물을 진공 증착하여 정공저지층을 형성하였다. 이어서, 상기 정공저지층 위에 하기 화학식 ET1으로 표시되는 화합물과 하기 화학식 LiQ로 표시되는 화합물을 1:1의 중량비로 진공증착하여 310Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å두께로 리튬플로라이드(LiF)와 1,000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다. A hole blocking layer was formed on the light emitting layer by vacuum depositing a compound represented by Chemical Formula HB1 to a film thickness of 50 Å. Subsequently, a compound represented by Chemical Formula ET1 and a compound represented by Chemical Formula LiQ were vacuum deposited at a weight ratio of 1:1 on the hole-blocking layer to form an electron injection and transport layer with a thickness of 310 Å. A negative electrode was formed by sequentially depositing lithium fluoride (LiF) to a thickness of 12 Å and aluminum to a thickness of 1,000 Å on the electron injection and transport layer.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4~0.7Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플로라이드는 0.3Å/sec, 알루미늄은 2Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2ⅹ10-7 ~ 5ⅹ10-6 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.In the above process, the deposition rate of the organic material was maintained at 0.4 ~ 0.7Å / sec, the deposition rate of lithium fluoride on the cathode was 0.3Å / sec, and the deposition rate of aluminum was 2Å / sec, and the vacuum level during deposition was 2ⅹ10 -7 ~ Maintaining 5x10 -6 torr, an organic light emitting device was manufactured.
실시예 1-2 내지 실시예 1-5Examples 1-2 to 1-5
제조예 1의 화합물 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다. 이때, 상기 실시예에 사용된 화합물의 구조를 정리하면 하기와 같다.An organic light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1-1, except that the compounds shown in Table 1 were used instead of the compounds of Preparation Example 1. At this time, the structures of the compounds used in the above examples are summarized as follows.
. .
비교예 1-1 내지 1-3Comparative Examples 1-1 to 1-3
제조예 1의 화합물 대신 하기 표 1에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다. 이때, 하기 표 1에서 사용한 화합물 HT1, HT2 및 HT3의 구조는 하기와 같다.An organic light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1-1, except that the compounds shown in Table 1 were used instead of the compounds of Preparation Example 1. At this time, the structures of the compounds HT1, HT2 and HT3 used in Table 1 are as follows.
실험예 1Experimental Example 1
상기 실시예 및 비교예에서 제조한 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때, 전압, 효율, 색좌표 및 수명을 측정하고 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다. T95은 휘도가 초기 휘도(1600 nit)에서 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미한다.When current was applied to the organic light emitting devices prepared in Examples and Comparative Examples, voltage, efficiency, color coordinates, and lifetime were measured, and the results are shown in Table 1 below. T95 means the time required for the luminance to decrease from the initial luminance (1600 nit) to 95%.
(정공수송층)compound
(hole transport layer)
(V
@10mA/cm2)Voltage
(V
@10mA/cm 2 )
(cd/A
@10mA/cm2)efficiency
(cd/A
@10mA/cm 2 )
(x,y4color seat 4
(x,y4
(hr)T95
(hr)
상기 표 1에 나타난 바와 같이, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 정공수송층 물질로 사용한 실시예의 유기 발광 소자는 비교예의 유기 발광 소자에 비하여 구동 전압, 발광 효율 및 수명 모두에서 우수한 특성을 나타내었다. As shown in Table 1, the organic light emitting device of the example using the compound represented by Formula 1 as a material for the hole transport layer exhibited excellent characteristics in all of driving voltage, luminous efficiency, and lifetime compared to the organic light emitting device of the comparative example.
구체적으로, 상기 실시예의 유기 발광 소자는, 디아민의 구조를 가지면서 기존의 정공수송층 물질로 자주 사용되고 있는 HT1 HT2 및 HT3 물질을 각각 채용한 비교예 1-1 내지 1-3의 유기 발광 소자 대비 낮은 구동 전압을 가지면서, 향상된 효율 및 현저히 긴 수명을 나타냄을 확인할 수 있다.Specifically, the organic light emitting device of the above embodiment has a diamine structure and employs HT1 HT2 and HT3 materials, respectively, which are often used as conventional hole transport layer materials. Compared to the organic light emitting devices of Comparative Examples 1-1 to 1-3, It can be seen that while having a driving voltage, it exhibits improved efficiency and significantly longer lifespan.
실시예 2-1 내지 실시예 2-7Example 2-1 to Example 2-7
실시예 1-1에서 정공수송층으로 제조예 4에서 제조한 화합물 4 대신 상기 HI 화합물을 사용하고, 전자억제층으로 화합물 EB1 대신 하기 표 2에 기재된 화합물을 전자억제층으로 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다. 이때, 상기 실시예에 사용된 화합물의 구조를 정리하면 하기와 같다.Except for using the HI compound instead of Compound 4 prepared in Preparation Example 4 as the hole transport layer in Example 1-1 and using the compound shown in Table 2 instead of Compound EB1 as the electron suppression layer, An organic light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1-1. At this time, the structures of the compounds used in the above examples are summarized as follows.
. .
비교예 2-1 및 2-2Comparative Examples 2-1 and 2-2
실시예 2-1의 화합물 대신 하기 표 2에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 2-1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제조하였다. 이때, 하기 표 2에서 사용한 화합물 EB2 및 EB3의 화합물의 구조는 하기와 같다.An organic light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 2-1, except that the compounds shown in Table 2 were used instead of the compound of Example 2-1. At this time, the structures of the compounds of the compounds EB2 and EB3 used in Table 2 are as follows.
실험예 2Experimental Example 2
상기 실시예 및 비교예에서 제조한 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때, 전압, 효율, 색좌표 및 수명을 측정하고 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다. T95은 휘도가 초기 휘도(1600 nit)에서 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미한다.When current was applied to the organic light emitting devices prepared in the above Examples and Comparative Examples, voltage, efficiency, color coordinates and lifetime were measured, and the results are shown in Table 2 below. T95 means the time required for the luminance to decrease from the initial luminance (1600 nit) to 95%.
(전자억제층)compound
(electron suppression layer)
(V@
10mA/cm2)Voltage
(V@
10 mA/cm 2 )
(cd/A
@10mA/cm2)efficiency
(cd/A
@10mA/cm 2 )
(x,y)color coordinates
(x,y)
(hr)T95
(hr)
상기 표 2에 나타난 바와 같이, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 전자억제층 물질로 사용한 실시예의 유기 발광 소자는 비교예의 유기 발광 소자에 비하여 구동 전압, 발광 효율 및 수명 모두에서 우수한 특성을 나타내었다. As shown in Table 2, the organic light emitting device of the example using the compound represented by Formula 1 as the electron suppression layer material exhibited excellent characteristics in all of driving voltage, luminous efficiency and lifetime compared to the organic light emitting device of the comparative example.
구체적으로, 상기 실시예의 유기 발광 소자는, 디아민의 구조를 가지면서 기존의 전자억제층 물질로 자주 사용되고 있는 EB2 및 EB3의 물질을 각각 채용한 비교예 2-1 및 2-2의 유기 발광 소자 대비 낮은 구동 전압을 가지면서, 향상된 효율 및 현저히 긴 수명을 나타냄을 확인할 수 있다.Specifically, the organic light emitting device of the above embodiment is compared to the organic light emitting devices of Comparative Examples 2-1 and 2-2 employing materials of EB2 and EB3, which have a diamine structure and are often used as conventional electron suppression layer materials, respectively It can be confirmed that while having a low driving voltage, improved efficiency and significantly longer lifespan are exhibited.
1: 기판 2: 양극
3: 정공수송층 4: 발광층
5: 전자주입 및 수송층 6: 음극
7: 정공주입층 8: 전자억제층
9: 정공저지층 1: substrate 2: anode
3: hole transport layer 4: light emitting layer
5: electron injection and transport layer 6: cathode
7: hole injection layer 8: electron suppression layer
9: hole blocking layer
Claims (11)
[화학식 1]
상기 화학식 1에서,
L, L' 및 L1 내지 L4는 각각 독립적으로 단일 결합; 또는 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴렌이고,
Ar1 내지 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴; 또는 치환 또는 비치환된 N, O 및 S 중 1개 이상의 헤테로원자를 포함하는 C2-60 헤테로아릴이고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1-60 알킬; 또는 치환 또는 비치환된 C6-60 아릴이고,
n 및 m은 각각 독립적으로 0 내지 2의 정수이고,
단, n+m은 1 내지 3이고,
a는 0 내지 4-m의 정수이고,
b는 0 내지 6-n의 정수이고,
단, 하기 화합물들은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물에서 제외한다,
.
A compound represented by Formula 1 below:
[Formula 1]
In Formula 1,
L, L' and L 1 to L 4 are each independently a single bond; or a substituted or unsubstituted C 6-60 arylene;
Ar 1 to Ar 4 are each independently a substituted or unsubstituted C 6-60 aryl; Or a substituted or unsubstituted C 2-60 heteroaryl containing one or more heteroatoms of N, O and S,
R 1 and R 2 are each independently hydrogen; heavy hydrogen; Substituted or unsubstituted C 1-60 Alkyl; or a substituted or unsubstituted C 6-60 aryl;
n and m are each independently an integer from 0 to 2;
However, n + m is 1 to 3,
a is an integer from 0 to 4-m;
b is an integer from 0 to 6-n;
However, the following compounds are excluded from the compounds represented by Formula 1,
.
상기 화합물은 하기 화학식 1A 내지 1C 중 어느 하나로 표시되는,
화합물:
[화학식 1A]
[화학식 1B]
[화학식 1C]
상기 화학식 1A 내지 1C에서,
L, L', L1 내지 L4, Ar1 내지 Ar4, R1, R2, n, m, a 및 b는 제1항에서 정의한 바와 같다.
According to claim 1,
The compound is represented by any one of the following formulas 1A to 1C,
compound:
[Formula 1A]
[Formula 1B]
[Formula 1C]
In Formulas 1A to 1C,
L, L', L 1 to L 4 , Ar 1 to Ar 4 , R 1 , R 2 , n, m, a and b are as defined in claim 1.
L 및 L'은 각각 독립적으로 단일 결합, 또는 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나인,
화합물:
.
According to claim 1,
L and L' are each independently a single bond, or any one selected from the group consisting of,
compound:
.
L1 내지 L4는 각각 독립적으로 단일 결합, 페닐렌, 비페닐디일, 또는 나프틸렌인,
화합물.
According to claim 1,
L 1 to L 4 are each independently a single bond, phenylene, biphenyldiyl, or naphthylene;
compound.
Ar1 내지 Ar4는 각각 독립적으로 페닐, 비페닐릴, 터페닐릴, 쿼터페닐릴, 나프틸, 페닐나프틸, 페난트릴, 트리페닐레닐, 플루오레닐, 9,9-디메틸플루오레닐, 9,9-디페닐플루오레닐, 디벤조퓨라닐, 또는 디벤조티오페닐인,
화합물.
According to claim 1,
Ar 1 to Ar 4 are each independently phenyl, biphenylyl, terphenylyl, quaterphenylyl, naphthyl, phenylnaphthyl, phenanthryl, triphenylenyl, fluorenyl, 9,9-dimethylfluorenyl, 9,9-diphenylfluorenyl, dibenzofuranyl, or dibenzothiophenyl;
compound.
Ar1 내지 Ar4는 각각 독립적으로 하기로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나인,
화합물:
.
According to claim 5,
Ar 1 to Ar 4 are each independently any one selected from the group consisting of
compound:
.
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 또는 중수소인,
화합물.
According to claim 1,
R 1 and R 2 are each independently hydrogen or deuterium;
compound.
n+m은 1 또는 2인,
화합물.
According to claim 1,
n+m is 1 or 2;
compound.
상기 화합물은 하기 화학식 1A-1 내지 1A-5, 1B-1, 1C-1 및 1C-2 중 어느 하나로 표시되는,
화합물:
상기 화학식 1A-1 내지 1A-5, 1B-1, 1C-1 및 1C-2에서,
L, L', L1 내지 L4 및 Ar1 내지 Ar4는 제1항에서 정의한 바와 같다.
According to claim 1,
The compound is represented by any one of Formulas 1A-1 to 1A-5, 1B-1, 1C-1 and 1C-2,
compound:
In Formulas 1A-1 to 1A-5, 1B-1, 1C-1 and 1C-2,
L, L', L 1 to L 4 and Ar 1 to Ar 4 are as defined in claim 1.
상기 화합물은 하기 화합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나인,
화합물:
.
According to claim 1,
The compound is any one selected from the group consisting of the following compounds,
compound:
.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200114079A KR102573175B1 (en) | 2020-09-07 | 2020-09-07 | Novel compound and organic light emitting device comprising the same |
CN202180043938.XA CN115768758B (en) | 2020-09-07 | 2021-05-27 | Compound and organic light emitting device comprising the same |
PCT/KR2021/006623 WO2022050533A1 (en) | 2020-09-07 | 2021-05-27 | Novel compound and organic light-emitting device using same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200114079A KR102573175B1 (en) | 2020-09-07 | 2020-09-07 | Novel compound and organic light emitting device comprising the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20220032376A KR20220032376A (en) | 2022-03-15 |
KR102573175B1 true KR102573175B1 (en) | 2023-08-30 |
Family
ID=80491275
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200114079A KR102573175B1 (en) | 2020-09-07 | 2020-09-07 | Novel compound and organic light emitting device comprising the same |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102573175B1 (en) |
CN (1) | CN115768758B (en) |
WO (1) | WO2022050533A1 (en) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100430549B1 (en) | 1999-01-27 | 2004-05-10 | 주식회사 엘지화학 | New organomattalic complex molecule for the fabrication of organic light emitting diodes |
KR102516053B1 (en) * | 2015-10-22 | 2023-03-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | Compound and Organic light emitting device comprising same |
KR102666615B1 (en) * | 2015-12-08 | 2024-05-20 | 듀폰스페셜티머터리얼스코리아 유한회사 | Organic electroluminescent compound and organic electroluminescent device comprising the same |
KR102617612B1 (en) * | 2015-12-22 | 2023-12-27 | 솔루스첨단소재 주식회사 | Organic compounds and organic electro luminescence device comprising the same |
JP6446099B1 (en) * | 2017-07-18 | 2018-12-26 | 彩豐精技股▲分▼有限公司 | Novel compounds and organic electronic devices containing the same |
WO2019143184A1 (en) * | 2018-01-19 | 2019-07-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. | Organic electroluminescent compound and organic electroluminescent device comprising the same |
KR20210152919A (en) * | 2020-06-09 | 2021-12-16 | 덕산네오룩스 주식회사 | Compound for organic electronic element, organic electronic element using the same, and an electronic device thereof |
CN112521343B (en) * | 2020-11-23 | 2022-10-14 | 北京八亿时空液晶科技股份有限公司 | Organic electroluminescent material and device thereof |
-
2020
- 2020-09-07 KR KR1020200114079A patent/KR102573175B1/en active IP Right Grant
-
2021
- 2021-05-27 CN CN202180043938.XA patent/CN115768758B/en active Active
- 2021-05-27 WO PCT/KR2021/006623 patent/WO2022050533A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115768758B (en) | 2024-05-10 |
WO2022050533A1 (en) | 2022-03-10 |
KR20220032376A (en) | 2022-03-15 |
CN115768758A (en) | 2023-03-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20200063046A (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR102235734B1 (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR102506584B1 (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR102163070B1 (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR102080286B1 (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR102465242B1 (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR102469106B1 (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR102500849B1 (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR102623893B1 (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR102168068B1 (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR102217268B1 (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR20220008668A (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR102534717B1 (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR20230007114A (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR102288756B1 (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR102202058B1 (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR20210123664A (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR102573175B1 (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR20210059448A (en) | Novel amine-based compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR20210046229A (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR20210046231A (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR20200110508A (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR102573735B1 (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR102520587B1 (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same | |
KR102469105B1 (en) | Novel compound and organic light emitting device comprising the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |