KR102571492B1 - 2-D Perovskite Light-Emitting Material for Red Emission - Google Patents

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Abstract

비납계 2차원 페로브스카이트가 개시된다. [SnI6]-4 들은 팔면체의 구조를 가지고, 인접한 팔면체와 코너를 공유하는 무기 평면 구조를 형성한다. 무기 평면 구조들 사이에는 유기물의 스페이서들이 배치된다. 스페이서들은 2-티오펜메틸암모늄 유래의 양이온 또는 테트라하이드로퍼퓨릴암모늄 유래의 양이온을 가진다.A lead-free two-dimensional perovskite is disclosed. [SnI 6 ] -4 has an octahedral structure and forms an inorganic planar structure sharing a corner with an adjacent octahedron. Organic spacers are disposed between the inorganic planar structures. The spacers have cations derived from 2-thiophenmethylammonium or cations derived from tetrahydrofurfurylammonium.

Description

적색 발광용 2차원 페로브스카이트 발광체{2-D Perovskite Light-Emitting Material for Red Emission}2-D Perovskite Light-Emitting Material for Red Emission}

본 발명은 적색 광원으로 작용하는 페로브스카이트 발광체에 관한 것으로 더욱 상세하게는 비납계이며, 2차원 구조를 가지는 유무기 하이브리드 타입의 페로브스카이트 발광체에 관한 것이다.The present invention relates to a perovskite light emitting body acting as a red light source, and more particularly, to a lead-free, organic-inorganic hybrid type perovskite light emitting body having a two-dimensional structure.

페로브스카이트는 체심입방구조와 면심입방구조가 혼합된 결정구조를 가지며, 무기 페로브스카이트와 유무기 페로브스카이트로 구분된다. 또한, 2차원 구조와 3차원 구조를 가질 수 있다.Perovskite has a mixed crystal structure of body-centered cubic structure and face-centered cubic structure, and is divided into inorganic perovskite and organic-inorganic perovskite. In addition, it may have a two-dimensional structure and a three-dimensional structure.

3차원 구조는 나노입자의 형태를 가지며, 대표적으로 ABX3의 결정구조를 가진다. 최근에는 A site에 유기 소재인 메틸 암모늄 이온이 도입되어 CH3NH3PbBr3 또는 CH3NH3PbI3의 나노입자가 합성되었으며, 이를 통해 녹색 및 적색 발광이 확인된 바 있다.The three-dimensional structure has the form of nanoparticles, and typically has a crystal structure of ABX 3 . Recently, nanoparticles of CH 3 NH 3 PbBr 3 or CH 3 NH 3 PbI 3 were synthesized by introducing methyl ammonium ion, an organic material, into the A site, and green and red light emission was confirmed through this.

2차원 구조는 A2BX4의 결정구조를 가진다. 우선 BX4의 octahedron 구조는 상호 간에 평면을 이루고, 평면들 사이에는 A가 배치된다. 평면들 사이에 배치되는 A는 결정 구조 내에서 일종의 스페이서로 작용한다. 또한, 스페이서로 작용하는 A로는 유기물이 사용된다. 2차원 구조의 페로브스카이트와 관련하여 “Efficient Two-Dimensional Tin Halide Perovskite Light-Emitting Diodes via Spacer Cation Substitution Strategy”[J. Phys. Chem. Lett. 2020, 11, 1120-1127]에서는 비납계 구조가 개시된다. 사용가능한 유기물로는 페닐에틸암모늄 이온(phenylethylammonium ion, PEA)이 있으며, 요오드(I)가 B site에 위치하여 중심금속으로 이용된다. 이외에 2-사이오펜에틸 암모늄 이온(2-thiopheneethylammonium ion, TEA)이 사용될 수 있으며, 각각 PEA2SnI4 및 TEA2SnI4를 형성한다.The two-dimensional structure has a crystal structure of A 2 BX 4 . First, the octahedron structure of BX 4 forms planes with each other, and A is placed between the planes. A placed between the planes acts as a kind of spacer within the crystal structure. In addition, an organic material is used as A acting as a spacer. “Efficient Two-Dimensional Tin Halide Perovskite Light-Emitting Diodes via Spacer Cation Substitution Strategy” regarding the two-dimensional perovskite structure [J. Phys. Chem. Lett. 2020, 11, 1120-1127], a non-lead structure is disclosed. Phenylethylammonium ion (PEA) is available as an organic material, and iodine (I) is located at the B site and is used as a central metal. In addition, 2-thiopheneethylammonium ion (TEA) may be used, and PEA 2 SnI 4 and TEA 2 SnI 4 are formed, respectively.

또한, 최근에는 페로브스카이트의 비납계에 대한 요구가 증가하고 있다. 중심 금속에 해당하는 납(Pb)는 환경 문제를 유발할 수 있으므로, 이를 다른 금속으로 대체하고자 하는 연구가 활발히 진행된다. 특히, 주석(Sn)이 주로 검토된다. 페로브스카이트는 구조식에 도입되는 할로겐 원소에 의해 발광 파장이 결정되는 특징이 있으며, 적색광의 발광을 위해서는 할로겐 원소로 I가 포함될 필요가 있다. 할로겐 원소가 포함된 페로브스카이트 소재는 당업계에서 할라이드 페로브스카이트로 지칭된다. 할라이드 페로브스카이트는 산화물계와 달리 이온 결합을 통해 결정구조가 형성되는 특징이 있다. 따라서, 중심 금속 B와 할로겐 원소 X 사이의 결합력은 산화물계에 비해 상대적으로 약하며, 이는 할라이드 페로브스카이트의 신뢰성을 저하시키는 일 요인이 된다.In addition, in recent years, the demand for lead-free perovskite has increased. Since lead (Pb), which is a central metal, can cause environmental problems, research to replace it with other metals is actively conducted. In particular, tin (Sn) is mainly reviewed. Perovskite is characterized in that the emission wavelength is determined by the halogen element introduced into the structural formula, and I needs to be included as the halogen element in order to emit red light. A perovskite material containing a halogen element is referred to as a halide perovskite in the art. Unlike oxide-based perovskite, halide perovskite is characterized in that a crystal structure is formed through ionic bonding. Therefore, the binding force between the central metal B and the halogen element X is relatively weak compared to that of the oxide system, which becomes one of the factors deteriorating the reliability of the halide perovskite.

즉, 대기 중의 수분 및 산소의 영향으로 인해 중심금속인 Pb 또는 Sn이 산화되는 문제가 발생된다. 또한, 2차원 구조에서 스페이서로 작용하는 TEA 또는 PEA가 BX4로 이루어진 octahedron 구조를 캡핑할 필요가 있다. 그러나, octahedron 구조의 캡핑이 원활하지 못한 경우, 열적 안정성 및 동작 안정성이 저하된다.That is, due to the influence of moisture and oxygen in the air, a problem occurs in which Pb or Sn, which is a central metal, is oxidized. In addition, TEA or PEA acting as a spacer in the two-dimensional structure is required to cap the octahedron structure composed of BX4. However, when the capping of the octahedron structure is not smooth, thermal stability and operational stability are deteriorated.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 수분 및 산소 환경에서도 안정성을 확보할 수 있고, 적색광을 형성할 수 있는 할라이드 페로브스카이트를 제공하는데 있다.A technical problem to be achieved by the present invention is to provide a halide perovskite capable of securing stability even in a moisture and oxygen environment and forming red light.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은, [SnI6]4-에 의한 팔면체 구조들의 코너 공유를 통해 형성된 2차원 무기 평면; 및 상기 2차원 평면 구조들 사이에 배치되는 스페이서를 포함하되, 상기 스페이서는 2-티오펜메틸암모늄(TPM)으로부터 유래된 양이온인 것을 특징으로 하는 2차원 페로브스카이트 발광체를 제공한다.The present invention for achieving the above technical problem is a two-dimensional inorganic plane formed through corner sharing of octahedral structures by [SnI 6 ] 4- ; and a spacer disposed between the two-dimensional planar structures, wherein the spacer is a cation derived from 2-thiophenemethylammonium (TPM).

또한, 본 발명의 상기 과제는, [SnI6]4-에 의한 팔면체 구조들의 코너 공유를 통해 형성된 2차원 무기 평면; 및 상기 2차원 평면 구조들 사이에 배치되는 스페이서를 포함하되, 상기 스페이서는 테트라하이드로퍼퓨릴암모늄(TFF)으로부터 유래된 양이온이며, 상기 스페이서들 사이는 활공 평면으로 정의되는 이격 공간을 가지는 것을 특징으로 하는 2차원 페로브스카이트 발광체의 제공을 통해서도 달성된다.In addition, the above object of the present invention is a two-dimensional inorganic plane formed through corner sharing of octahedral structures by [SnI 6 ] 4- ; And a spacer disposed between the two-dimensional planar structures, wherein the spacer is a cation derived from tetrahydrofurfurylammonium (TFF), and has a separation space defined by a sliding plane between the spacers. It is also achieved through the provision of a two-dimensional perovskite light emitting body that does.

상술한 본 발명에 따르면, 2차원 무기 평면들이 프레임을 형성하고, 무기 평면들 사이에는 스페이서가 배치된다. 유기물 스페이서는 양이온화되고, 무기 평면의 음이온과 이온성 결합을 이루되, 무기 평면의 할라이드 원소와 수소 결합을 형성한다. 이를 통해 무기 평면은 유기물 스페이서에 의해 캡핑되고, 수분 및 산소의 영향이 차단된다. 또한, 본 발명에 의해 제공되는 2차원 페로브스카이트는 적색광을 발광하며, 이를 통해 높은 색순도가 확보될 수 있다. According to the present invention described above, two-dimensional inorganic planes form a frame, and a spacer is disposed between the inorganic planes. The organic spacer is cationized, forms an ionic bond with an anion on an inorganic plane, and forms a hydrogen bond with a halide element on an inorganic plane. Through this, the inorganic plane is capped by the organic spacer and the influence of moisture and oxygen is blocked. In addition, the two-dimensional perovskite provided by the present invention emits red light, and through this, high color purity can be secured.

도 1은 본 발명의 제1 실시예의 제조예 1에 의해 제조된 (TPM)2SnI4 페로브스카이트의 결정구조를 도시한 모식도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예의 제조예 1에 의해 제조된 (TPM)2SnI4 페로브스카이트의 결정구조를 도시한 다른 모식도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예의 제조예 2에 의해 제조된 (TFF)2SnI4 페로브스카이트의 결정구조를 도시한 모식도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예 및 제2 실시예에 따른 페로브스카이트들의 흡수 스펙트럼을 도시한 그래프이다.
도 5는 (TPM)2SnI4 및 (TFF)2SnI4 페로브스카이트 단결정으로부터 분쇄된 분말의 PXRD 패턴을 도시한 그래프들이다.
도 6은 (TPM)2SnI4 및 (TFF)2SnI4 페로브스카이트의 감쇠 특성을 나타내는 그래프들 및 이미지들이다.
도 7은 페로브스카이트의 온도에 따른 광발광 특성을 도시한 그래프들이다.
도 8은 본 발명의 제1 실시예의 (TPM)2SnI4 및 제2 실시예의 (TFF)2SnI4의 발광 특성을 도시한 것이다.
1 is a schematic diagram showing the crystal structure of (TPM) 2 SnI 4 perovskite prepared by Preparation Example 1 of the first embodiment of the present invention.
2 is another schematic diagram showing the crystal structure of (TPM) 2 SnI 4 perovskite prepared by Preparation Example 1 of the first embodiment of the present invention.
3 is a schematic diagram showing the crystal structure of (TFF) 2 SnI 4 perovskite prepared by Preparation Example 2 of the second embodiment of the present invention.
4 is a graph showing absorption spectra of perovskites according to the first and second embodiments of the present invention.
5 are graphs showing PXRD patterns of powders pulverized from (TPM) 2 SnI 4 and (TFF) 2 SnI 4 perovskite single crystals.
6 are graphs and images showing damping characteristics of (TPM) 2 SnI 4 and (TFF) 2 SnI 4 perovskite.
7 are graphs showing the photoluminescence characteristics of perovskite according to temperature.
8 shows emission characteristics of (TPM) 2 SnI 4 of the first embodiment and (TFF) 2 SnI 4 of the second embodiment of the present invention.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.Since the present invention may have various changes and various forms, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, it should be understood that this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, and includes all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. Like reference numerals have been used for like elements throughout the description of each figure.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and unless explicitly defined in the present application, they should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning. don't

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail.

제1 실시예Example 1

본 실시예에서는 2-티오펜메틸암모늄(2-thiophenemethylammonium, C4SH3CH2NH3, 이하 TPM이라 함)을 이용하여 2 차원 구조를 가지는 페로브스카이트 (TPM)2SnI4가 개시된다. (TPM)2SnI4 페로브스카이트는 [SnI6]-4가 무기 평면의 프레임을 구성하고, TMP는 무기 평면들 사이의 스페이서로 작용한다. 무기 평면들 사이에 배치되는 스페이서는 무기 평면의 할라이드 원소 요오드와 수소 결합을 형성한다. 즉, TMP의 말단의 양이온화된 아민기는 무기 평면의 내부 표면을 캡핑한다.In this embodiment, a perovskite (TPM) 2 SnI 4 having a two-dimensional structure using 2-thiophenemethylammonium (C 4 SH 3 CH 2 NH 3 , hereinafter referred to as TPM) is disclosed. . In the (TPM) 2 SnI 4 perovskite, [SnI 6 ] -4 constitutes the frame of the inorganic plane, and TMP acts as a spacer between the inorganic planes. A spacer disposed between the inorganic planes forms a hydrogen bond with the halide element iodine of the inorganic planes. That is, the terminal cationized amine group of TMP caps the inner surface of the inorganic plane.

제조예 1 : (TPM)Preparation Example 1: (TPM) 22 SnISnI 44 의 합성synthesis of

5 ㎖ HI 용액(HI는 H2O 내에서 57 wt%)에 1 mmol SnCl2·2H2O 분말이 용해된다. 분말이 용해된 용액은 플라스크 내에서 5분 동안 교반되면서 180 ℃ 내지 220 ℃로 가열된다. 교반 및 가열을 통해 플라스크 내에서는 노란색의 제1 용액이 형성된다. 이를 통해 Sn 양이온 및 할라이드 음이온들이 용액 내에서 부유한다.1 mmol SnCl 2 .2H 2 O powder is dissolved in 5 ml HI solution (HI is 57 wt% in H 2 O). The solution in which the powder is dissolved is heated to 180° C. to 220° C. while stirring for 5 minutes in the flask. Through stirring and heating, a yellow first solution is formed in the flask. This allows Sn cations and halide anions to float in the solution.

또한, 별도의 용기에는 2 mmol의 2-thiophenemethylamine이 1 ㎖의 H3PO2 용액(H3PO2는 H2O 내에서 50 wt%)에 용해되고, 제2 용액이 형성된다.Also, in a separate container, 2 mmol of 2-thiophenemethylamine is dissolved in 1 ml of H 3 PO 2 solution (H 3 PO 2 is 50 wt% in H 2 O), and a second solution is formed.

계속해서, 제2 용액은 가열 상태인 제1 용액에 서서히 첨가된다. 첨가를 통해 2 종류의 용액이 완전히 혼합될 때까지 교반된다. 이후에는 교반이 중지되고, 교반용액은 서서히 냉각된다. 냉각을 통해 혼합 용액의 플라스크 바닥에는 보라색의 판상 결정이 침전된다.Subsequently, the second solution is gradually added to the heated first solution. Upon addition, the two solutions are stirred until completely mixed. After that, stirring is stopped, and the stirring solution is gradually cooled. Through cooling, purple plate-like crystals precipitate at the bottom of the flask of the mixed solution.

수집된 결정은 진공 오븐을 통해 60℃에서 24 시간 동안 건조된다.The collected crystals are dried at 60° C. for 24 hours in a vacuum oven.

도 1은 본 발명의 제1 실시예의 제조예 1에 의해 제조된 (TPM)2SnI4 페로브스카이트의 결정구조를 도시한 모식도이다.1 is a schematic diagram showing the crystal structure of (TPM) 2 SnI 4 perovskite prepared by Preparation Example 1 of the first embodiment of the present invention.

결정구조의 분석을 위해 X-선 회절법이 사용되며, 개시된 결정구조는 100 K 상태에서의 결정구조이다.For the analysis of the crystal structure, X-ray diffraction is used, and the disclosed crystal structure is a crystal structure in the 100 K state.

100 K에서는 a축의 격자상수는 28.881 Å이며, b 축의 격자상수는 8.707 Å이며, c축의 격자상수는 8.638 Å이다. 또한, 격자의 부피는 2172.7 Å3으로 비중심 대칭 공간그룹(noncentrosymmetric space group) Cmc2 1 내에서 결정화된다. 사방정계 공간그룹 Cmc21 내에서의 결정화는 [SnI6]-4로 이루어지며, 상호간에 코너를 공유하면서 층상 구조를 형성한다. 또한, 1 가 유기 양이온 TPM+는 층상 구조들 사이에 배치되며, 말단에서 양이온화된 아민기는 수소 결합을 통해 할라이드인 요오드와 연결된다.At 100 K, the a-axis lattice constant is 28.881 Å, the b-axis lattice constant is 8.707 Å, and the c-axis lattice constant is 8.638 Å. In addition, the volume of the lattice is 2172.7 Å 3 , crystallized within the noncentrosymmetric space group Cmc2 1 . Crystallization in the orthorhombic space group Cmc2 1 consists of [SnI 6 ] -4 , and forms a layered structure while sharing a corner with each other. In addition, the monovalent organic cation TPM + is disposed between the layered structures, and the cationized amine group at the terminal is linked to iodine, a halide, through a hydrogen bond.

특히, 층상 구조를 형성하는 무기 평면 내에서 하나의 팔면체 구조를 형성하는 [SnI6]-4와 다른 무기 평면의 [SnI6]-4 사이에는 2개의 TMP들이 배치되며, 서로 대향하는 양상으로 배치된다. In particular, two TMPs are arranged between [SnI 6 ] -4 forming one octahedral structure and [SnI 6 ] -4 in another inorganic plane in an inorganic plane forming a layered structure, and are arranged in opposite directions. do.

또한, 스페이서를 형성하는 TPM들 사이는 π-σ 상호 작용을 통해 안정화된다. 파이(π) 결합의 길이는 3.45 Å이며, 시그마(σ) 결합의 길이는 3.29 Å으로 나타나다. 이를 통해 층상 구조들 사이의 스페이서들은 안정화된다.In addition, the TPMs forming the spacer are stabilized through the π-σ interaction. The length of a pi (π) bond is 3.45 Å, and the length of a sigma (σ) bond is 3.29 Å. This stabilizes the spacers between the layered structures.

즉, 상기 결정구조에서 무기물인 [SnI6]-4는 무기 프레임을 형성하며, 평면 구조를 이룬다. 평면 구조들 사이의 유기물인 TPM는 스페이서를 형성한다. 스페이서와 무기 프레임 사이의 수소 결합은 밴드갭에 영향을 미치는 Sn-I-Sn의 각도에 영향을 미친다. 또한, Sn-I-Sn의 각도에 의해 결정구조의 왜곡이 감소하는 구조는 Sn의 s 오비탈과 I(요오드)의 p 오비탈의 중첩을 증가시키며, 밴드갭의 감소를 가져와서 발광 대역폭을 넓히는 경향이 있다. Sn-I-Sn의 결합각은 무기 평면을 기준으로 한 각과 층상 구조의 수직축을 기준으로 한 각도로 구분된다.That is, [SnI 6 ] -4 , which is an inorganic substance in the crystal structure, forms an inorganic frame and forms a planar structure. The organic TPM between the planar structures forms a spacer. The hydrogen bonding between the spacer and the inorganic frame affects the angle of Sn-I-Sn which affects the band gap. In addition, the structure in which the distortion of the crystal structure is reduced by the angle of Sn-I-Sn increases the overlap of the s orbital of Sn and the p orbital of I (iodine), resulting in a decrease in band gap and a tendency to widen the emission bandwidth there is The bonding angle of Sn-I-Sn is divided into an angle based on the inorganic plane and an angle based on the vertical axis of the layered structure.

무기 평면을 기준으로 한 결합각은 스페이서의 양이온과의 상호작용에 의한 영향을 적게 받으며, 수직축을 기준으로 한 각도는 유기 양이온에 노출된 무기층이 감안된다.The bonding angle based on the inorganic plane is less affected by the interaction of the spacer with the cation, and the angle based on the vertical axis considers the inorganic layer exposed to the organic cation.

본 발명의 (TPM)2SnI4의 구조는 무기 프레임에서는 Sn-I-Sn의 각도가 153.91°이며, 수직축을 기준을 한 각도는 154.27°로 나타난다. 또한, 100 K에서의 각도가, 298 K에서 측정된 각도보다 더 왜곡된 것으로 나타난다.In the structure of (TPM) 2 SnI 4 of the present invention, the angle of Sn-I-Sn in the inorganic frame is 153.91°, and the angle based on the vertical axis is 154.27°. Also, the angle at 100 K appears to be more distorted than the angle measured at 298 K.

도 2는 본 발명의 제1 실시예의 제조예 1에 의해 제조된 (TPM)2SnI4 페로브스카이트의 결정구조를 도시한 다른 모식도이다.2 is another schematic diagram showing the crystal structure of (TPM) 2 SnI 4 perovskite prepared by Preparation Example 1 of the first embodiment of the present invention.

결정구조의 분석을 위해 X-선 회절법이 사용되며, 개시된 결정구조는 상온인 298 K 상태에서의 결정구조이다.For the analysis of the crystal structure, X-ray diffraction is used, and the disclosed crystal structure is a crystal structure at room temperature of 298 K.

도 2를 참조하면, 298 K에서 (TPM)2SnI4는 격자 상수 a=8.797 Å, b=8.688 Å 및 c=29.17 Å의 값을 가지며, 내부 대칭 사방정계 공간 그룹(centrosymmetric orthorhombic space group) Pbca를 형성한다. 격자의 체적은 2229.4 Å3이다. [SnI6]4-는 이차원 무기층을 형성하며, 팔면체에서 코너를 상호 공유한다. 또한, 팔면체들로 구성되고, 평면 구조를 형성하는 무기 프레임들은 두층의 TPM들로 분리된다. 또한, TPM의 질소 원자와 수소 원자는 각각 팔면체 정점의 요오드와 수소 결합을 형성하여 안정화된다.Referring to FIG. 2, (TPM) 2 SnI 4 at 298 K has values of lattice constants a=8.797 Å, b=8.688 Å and c=29.17 Å, and the centrosymmetric orthorhombic space group Pbca form The volume of the lattice is 2229.4 Å 3 . [SnI 6 ] 4- forms a two-dimensional inorganic layer and shares corners in the octahedron. Also, the weapon frames, which are composed of octahedrons and form a planar structure, are separated into two layers of TPMs. In addition, the nitrogen and hydrogen atoms of the TPM are stabilized by forming hydrogen bonds with iodine at the octahedral apex, respectively.

또한, 요오드의 전기 음성도가 약한 편이므로 요오드 원자와 수소 원자 사이의 결합의 강도는 약한데 비해 스페이서를 구성하는 암모늄 양이온과 음이온성 이차원 무기층 사이의 정전기적 상호 인력은 더 강하게 나타난다. 또한, TPM의 구조 내에에는 방향족 고리가 포함된다. 따라서, 약한 층간 안정화 인력이 작용하며, 이는 도 2c에 나타나는 바와 같이 C-H 결합의 벡터와 방향족 고리의 중심사이의 거리가 3.60 Å 및 3.58 Å를 가지는 π-σ 상호작용에 의해 발생되는 약한 층간 안정화 인력이다.In addition, since the electronegativity of iodine is weak, the strength of the bond between the iodine atom and the hydrogen atom is weak, whereas the electrostatic mutual attraction between the ammonium cation constituting the spacer and the anionic two-dimensional inorganic layer is stronger. In addition, an aromatic ring is included in the structure of the TPM. Therefore, a weak interlayer stabilizing force acts, which is a weak interlayer stabilizing force generated by the π-σ interaction in which the distances between the vector of the C–H bond and the center of the aromatic ring are 3.60 Å and 3.58 Å, as shown in FIG. 2c. am.

평면을 이루는 무기 프레임에서의 구조적 왜곡은 페로브스카이트의 광학적 특성 및 전기적 특성에 영향을 미친다. 무기 프레임 내에서 Sn-I-Sn 의 각도는 156.1°이며, 100 K에서의 구조에 비해 왜곡의 정도가 매우 약하며, 무기층 사이의 거리는 7.99 Å에서 9.32 Å으로 증가한다.Structural distortions in the planar inorganic frame affect the optical and electrical properties of the perovskite. The angle of Sn-I-Sn in the inorganic frame is 156.1°, the degree of distortion is very weak compared to the structure at 100 K, and the distance between the inorganic layers increases from 7.99 Å to 9.32 Å.

제2 실시예Second embodiment

본 실시예에서는 상기 제1 실시예와 달리 스페이서로 테트라하이드로퍼퓨릴암모늄(tetrahydrofurfurylammonium, C4OH7CH2NH3, 이하 TFF라 함)이 이용된다. In this embodiment, unlike the first embodiment, tetrahydrofurfurylammonium (tetrahydrofurfurylammonium, C 4 OH 7 CH 2 NH 3 , hereinafter referred to as TFF) is used as a spacer.

제조예 2 : (TFF)Preparation Example 2: (TFF) 22 SnISnI 44 의 합성synthesis of

상기 제조예 1에서 제조된 제1 용액이 준비된다. 또한, 별도의 용기에 2 mmol의 tetrahydrofurfurylamine이 1 ㎖의 H3PO2 용액(H3PO2는 H2O 내에서 50 wt%)에 용해되고, 제2 용액이 형성된다.The first solution prepared in Preparation Example 1 is prepared. Also, in a separate vessel, 2 mmol of tetrahydrofurfurylamine is dissolved in 1 ml of H 3 PO 2 solution (H 3 PO 2 is 50 wt % in H 2 O), and a second solution is formed.

제2 용액은 가열 상태의 제1 용액에 서서히 첨가된다 첨가를 통해 2 종류의 용액이 완전히 혼합될 때까지 교반된다. 이후에는 교반이 중지되고, 교반용액은 서서히 냉각된다. 냉각을 통해 혼합 용액의 플라스크 바닥에는 보라색의 판상 결정이 침전된다.The second solution is slowly added to the heated first solution. Through the addition, the two types of solutions are stirred until completely mixed. After that, stirring is stopped, and the stirring solution is gradually cooled. Through cooling, purple plate-like crystals precipitate at the bottom of the flask of the mixed solution.

수집된 결정은 진공 오븐을 통해 60℃에서 24 시간 동안 건조된다.The collected crystals are dried at 60° C. for 24 hours in a vacuum oven.

도 3은 본 발명의 제2 실시예의 제조예 2에 의해 제조된 (TFF)2SnI4 페로브스카이트의 결정구조를 도시한 모식도이다.3 is a schematic diagram showing the crystal structure of (TFF) 2 SnI 4 perovskite prepared by Preparation Example 2 of the second embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, (a)에서는 100 K에서 b 축을 따라 (TFF)2SnI4 페로브스카이트의 결정구조가 도시되며, (b)에서는 100 K에서의 (TFF)2SnI4 페로브스카이트의 결정구조 내에서의 무기 평면을 이루는 Sn-I-Sn의 결합각을 설명하기 위한 구조가 개시된다. 또한, (c)에서는 상온인 298 K에서 (b)측을 따라 (TFF)2SnI4 페로브스카이트의 결정구조가 도시되며, (d)에서는 298 K에서의 (TFF)2SnI4 페로브스카이트의 결정구조 내에서의 무기 평면을 이루는 Sn-I-Sn의 결합각을 설명하기 위한 구조가 개시된다.Referring to FIG. 3, (a) shows the crystal structure of (TFF) 2 SnI 4 perovskite along the b axis at 100 K, and (b) shows the crystal structure of (TFF) 2 SnI 4 perovskite at 100 K. A structure for explaining the bonding angle of Sn-I-Sn constituting the inorganic plane in the crystal structure of the crystal is disclosed. In addition, (c) shows the crystal structure of (TFF) 2 SnI 4 perovskite along the (b) side at 298 K, which is room temperature, and (TFF) 2 SnI 4 perovskite at 298 K in (d). A structure for explaining the bonding angle of Sn-I-Sn constituting an inorganic plane in the crystal structure of skyt is disclosed.

(TFF)2SnI4는 100 K 및 298 K에서 단사정 공간 그룹(monoclinic space group) P2 1 /c로 결정화된다. 또한, (TFF)2SnI4 페로브스카이트는 TFF로 구성되는 스페이서들 사이에 이격공간을 형성한다. 이격공간을 정의하는 2개의 스페이스들의 표면은 활공 평면으로 정의한다. 상기 활공 평면과 관련된 두 개의 양이온들은 서로 마주보는 방향으로 배열된 테트라하이드로퓨란-CH2NH2 + 그룹을 가지며, 이는 도 3에서 설명되는 중심 대칭 공간그룹을 형성한다. 상기 스페이서의 양이온화된 아민기는 무기 평면을 이루는 [SnI6]4-의 요오드(I)와 수소결합을 형성하고, 무기 평면을 안정화시킨다. 또한, 테트라하이드로퓨란에 포함된 산소 원자는 비공유 전자쌍을 가지므로, 무기 평면의 Sn(주석) 원자의 산화 현상을 차단할 수 있다.(TFF) 2 SnI 4 crystallizes in monoclinic space group P2 1 /c at 100 K and 298 K. In addition, (TFF) 2 SnI 4 perovskite forms a separation space between spacers composed of TFF. The surface of the two spaces defining the separation space is defined as a gliding plane. The two cations associated with the glide plane have tetrahydrofuran-CH 2 NH 2 + groups oriented in opposite directions, forming a centrosymmetric space group illustrated in FIG. 3 . The cationized amine group of the spacer forms a hydrogen bond with iodine (I) of [SnI 6 ] 4- constituting the inorganic plane and stabilizes the inorganic plane. In addition, since the oxygen atom included in tetrahydrofuran has an unshared electron pair, it is possible to block the oxidation of Sn (tin) atoms on the inorganic plane.

무기 프레임은 서로 분리된 이중층의 TFF 사슬에 의해 분리되며, [SnI6]4-에 의한 팔면체를 기반으로 상호간에 코너를 공유한다. 이를 통해 2차원의 무기 평면 구조가 형성된다. The inorganic frames are separated by bilayer TFF chains that are separated from each other and share corners with each other based on an octahedron by [SnI 6 ] 4- . Through this, a two-dimensional inorganic planar structure is formed.

TFF 사슬들 사이의 분리 공간은 2.1235 Å의 폭을 가진다. TFF 사슬은 무기 프레임을 캡핑함을 통해 양자 구속을 극대화하는 구조를 형성한다. 100 K에서 무기 프레임의 평면 방향에서의 Sn-I-Sn 각도는 159.78°이며, 298 K에서는 161.42° 및 161.44°이다.The separation space between the TFF chains has a width of 2.1235 Å. The TFF chain forms a structure that maximizes quantum confinement by capping the weapon frame. At 100 K, the Sn-I-Sn angles in the planar direction of the weapon frame are 159.78°, and at 298 K, they are 161.42° and 161.44°.

298 K에서 층간 요오드들 사이의 거리는 100 K에서 10.02 Å과 비교하여 10.15 Å으로 증가된다. 이는 온도의 증가에 따라 구조적 왜곡이 감소되고, 무기 평면들 사이의 층간 간격이 증가하여 구조 단위의 부피가 증가함을 의미한다.At 298 K the distance between interlayer iodines increases to 10.15 Å compared to 10.02 Å at 100 K. This means that as the temperature increases, the structural distortion decreases and the interlayer spacing between the inorganic planes increases, resulting in an increase in the volume of the structural unit.

제3 실시예Third embodiment

본 실시예에서는 제1 실시예에 따른 (TPM)2SnI4 페로브스카이트 및 제2 실시예에 따른 (TFF)2SnI4 페로브스카이트에 대한 특성 분석이 수행된다.In this embodiment, characterization is performed on the (TPM) 2 SnI 4 perovskite according to the first embodiment and the (TFF) 2 SnI 4 perovskite according to the second embodiment.

아래의 표 1은 상기 제1 실시예의 (TPM)2SnI4 페로브스카이트의 100 K 및 298 K에서의 결정학적 데이터들과 제2 실시예의 (TFF)2SnI4 페로브스카이트의 100 K 및 298 K에서의 결정학적 데이터들이 개시된다.Table 1 below shows the crystallographic data at 100 K and 298 K of the (TPM) 2 SnI 4 perovskite of the first example and the 100 K of the (TFF) 2 SnI 4 perovskite of the second example. and crystallographic data at 298 K.

[표 1][Table 1]

흡수 스펙트럼 분석Absorption spectrum analysis

도 4는 본 발명의 제1 실시예 및 제2 실시예에 따른 페로브스카이트들의 흡수 스펙트럼을 도시한 그래프이다.4 is a graph showing absorption spectra of perovskites according to the first and second embodiments of the present invention.

도 4를 참조하면, 흡수 스펙트럼의 측정을 위해 형광 크세논 램프가 사용된다. 사용되는 형광 크세논 램프는 연속광을 방출하여 샘플을 여기시킨다. 높은 광량으로 인해 구조적 왜곡으로 인한 여기보다는 밴드갭 에너지에 따른 여기가 주도적으로 발생된다.Referring to FIG. 4 , a fluorescent xenon lamp is used to measure an absorption spectrum. The fluorescent xenon lamp used emits continuous light to excite the sample. Due to the high amount of light, excitation due to bandgap energy is predominantly generated rather than excitation due to structural distortion.

흡수 스펙트럼의 데이터들은 Kubelka-Munk 방정식을 통해 계산된다. Absorption spectral data is calculated through the Kubelka-Munk equation.

(a)에서는 밴드갭이 결정된다. 밴드갭은 흡수 스펙트럼 그래프에서 선형 부분에 삽입되는 직선과 에너지 축 사이의 교차점으로 결정된다. 두 종류의 화합물 (TPM)2SnI4 및 (TFF)2SnI4는 모두 흡수 스펙트럼의 급준한 영역 부근에서 엑시톤 피크를 나타내며, 이는 직접 밴드갭 소재임을 나타낸다. 따라서, 발광 재료로 사용될 수 있다. (TPM)2SnI4의 밴드갭은 1.8 eV이며, (TFF)2SnI4의 밴드갭은 1.73 eV이다. (TPM)2SnI4는 (TFF)2SnI4 보다 더 작은 Sn-I-Sn의 결합각을 가지며, 이는 무기 프레임에서 (TPM)2SnI4이 더 많이 왜곡된 것을 의미한다. 따라서, 무기 프레임에서의 왜곡으로 인해 (TPM)2SnI4가 (TFF)2SnI4 보다 더 큰 밴드갭을 가진다.In (a), the band gap is determined. The band gap is determined by the intersection point between the energy axis and a straight line inserted in the linear portion of the absorption spectrum graph. Both compounds (TPM) 2 SnI 4 and (TFF) 2 SnI 4 exhibit exciton peaks near steep regions of their absorption spectra, indicating that they are direct bandgap materials. Therefore, it can be used as a light emitting material. The band gap of (TPM) 2 SnI 4 is 1.8 eV, and the band gap of (TFF) 2 SnI 4 is 1.73 eV. (TPM) 2 SnI 4 has a smaller Sn-I-Sn bond angle than (TFF) 2 SnI 4 , which means that (TPM) 2 SnI 4 is more distorted in the inorganic frame. Therefore, (TPM) 2 SnI 4 has a larger bandgap than (TFF) 2 SnI 4 due to distortion in the inorganic frame.

(b)에서는 여기 및 방출 스펙트럼이 도시된다. 두 화합물의 여기 스펙트럼은 535 nm에서 가장 큰 피크를 가진다. 또한, 여기 스펙트럼과 방출 스펙트럼 사이에는 큰 스토크스 이동(Stokes Shift)을 보인다. 즉, 에너지가 최대인 파장은 에너지가 흡수될 때와 방출될 때의 스펙트럼이 크게 이동된다. (TPM)2SnI4의 적색 방출은 621 nm를 중심으로 하며, 좁은 피크를 나타낸다. 상기 물질이 반치폭(FWHM)은 20 nm이다. 또한, (TFF)2SnI4의 적색 방출은 상대적으로 넓은 대역에 걸쳐 나타나며, 675 nm의 숄터 피크를 가지고, 600 nm 내지 750 nm의 광대역 방출을 나타낸다. (TFF)2SnI4의 광대역 방출은 벌크 결정 내에서 TFF 양이온에 의해 무기 프레임이 분리되고, 분리된 무기 프레임 내에서 국부적으로 형성되는 엑시톤들에 기인한다.In (b) the excitation and emission spectra are shown. Excitation spectra of both compounds have the largest peak at 535 nm. In addition, a large Stokes shift is shown between the excitation spectrum and the emission spectrum. That is, the wavelength of the maximum energy has a large shift in the spectrum between when energy is absorbed and when it is emitted. The red emission of (TPM) 2 SnI 4 is centered at 621 nm and exhibits a narrow peak. The material has a full width at half maximum (FWHM) of 20 nm. In addition, the red emission of (TFF) 2 SnI 4 appears over a relatively broad band, with a Schallter peak at 675 nm, and a broadband emission from 600 nm to 750 nm. The broadband emission of (TFF) 2 SnI 4 is due to the dissociation of inorganic frames by TFF cations within the bulk crystal and the local formation of excitons within the separated inorganic frames.

도 4c 및 도 4d는 각각 (TPM)2SnI4 및 (TFF)2SnI4의 온도에 따른 라만 분광 그래프를 도시한다. 샘플의 온도는 80 K, 200 K 및 300 K이며, [SnI6]4-의 팔면체 구조의 격자 진동이 조사된다.4c and 4d show Raman spectrographs of (TPM) 2 SnI 4 and (TFF) 2 SnI 4 according to temperature, respectively. The temperature of the sample is 80 K, 200 K and 300 K, and the lattice vibration of the octahedral structure of [SnI 6 ] 4- is investigated.

도 4c를 참조하면, 80 K에서 (TPM)2SnI4의 라만 스펙트럼은 22 cm-1, 33 cm-1, 44 cm-1에서 세가지의 활성 라만 모드를 나타내며, 이들은 무기 프레임을 구성하는 [SnI6]-4에서의 I-Sn-I의 휨 모드에 할당된다. 또한, 101 cm-1 및 124 cm-1에서의 넓은 대역폭은 Sn-I에 결합되는 유기 양이온의 librational mode에 기인한다.Referring to FIG. 4c, the Raman spectrum of (TPM) 2 SnI 4 at 80 K shows three active Raman modes at 22 cm −1 , 33 cm −1 , and 44 cm −1 , which constitute the inorganic frame [SnI 6 ] is assigned to the bending mode of I-Sn-I at -4 . In addition, the wide bandwidths at 101 cm -1 and 124 cm -1 are due to the librational mode of organic cations bound to Sn-I.

온도가 200 K로 증가함에 따라 26 cm-1 및 34 cm-1의 모드들은 저온에서의 22 cm-1, 33 cm-1 및 44 cm-1 모드들이 청색 편이되면서 상호 병합되어 형성된 것으로 이는 비교적 고온에서의 동적 무질서 산란이 증가함을 나타낸다. 이 피크들은 300 K에서는 25 cm-1 및 30 cm-1에서 나타나며, 낮은 파수(적색 편이)로 이동된 것이다.As the temperature increases to 200 K, the modes at 26 cm -1 and 34 cm -1 are formed by merging with each other while blue-shifting the 22 cm -1 , 33 cm -1 and 44 cm -1 modes at low temperatures, which are relatively high temperatures. indicates an increase in dynamic disorder scattering at . These peaks appear at 25 cm -1 and 30 cm -1 at 300 K and are shifted to lower wavenumbers (redshift).

도 4d에서는 (TFF)2SnI4의 라만 스펙트럼이 개시되며, 80 K 조건에서 62 cm-1에서 관찰되는 대역은 I-Sn-I의 휨 현상에 기인한 것으로 추측된다. 또한, 80 K에서 113 cm-1, 127 cm-1 및 150 cm-1에서의 3개의 피크들은 결합된 [SnI6]4- 및 TFF 양이온의 진동 모드에 해당한다. 다만, 이 결합의 진동 모드는 200 K 및 300 K에서 회전 모드의 활성화로 인해 사라진다. 200 K 및 300 K에서 I-Sn-I의 대칭 모드들이 21 cm-1 및 20 cm-1에서 각각 관찰되는 바, 이들은 진동 대역에 해당한다.In FIG. 4d, a Raman spectrum of (TFF) 2 SnI 4 is disclosed, and the band observed at 62 cm −1 under 80 K conditions is presumed to be due to the bending of I-Sn-I. In addition, the three peaks at 113 cm -1 , 127 cm -1 and 150 cm -1 at 80 K correspond to the vibrational modes of bound [SnI 6 ] 4- and TFF cations. However, the vibrational mode of this coupling disappears due to the activation of the rotational mode at 200 K and 300 K. Symmetrical modes of I-Sn-I at 200 K and 300 K are observed at 21 cm -1 and 20 cm -1 , respectively, which correspond to the vibration band.

페로브스카이트 단결정의 확인Identification of perovskite single crystals

도 5는 (TPM)2SnI4 및 (TFF)2SnI4 페로브스카이트 단결정으로부터 분쇄된 분말의 PXRD 패턴을 도시한 그래프들이다.5 are graphs showing PXRD patterns of powders pulverized from (TPM) 2 SnI 4 and (TFF) 2 SnI 4 perovskite single crystals.

도 5를 참조하면, 단결정 분말의 순도가 나타난다. 도 5에서 bulk crystal은 실제로 분쇄된 분말의 측정 결과를 도시한 것이며, calculated는 (TPM)2SnI4 및 (TFF)2SnI4 페로브스카이트의 단결정 구조로부터 계산된 결과를 도시한 것이다. 계산치와 실측치들은 상호간에 잘 일치하는 것을 확인할 수 있다. Referring to Figure 5, the purity of the single crystal powder is shown. In FIG. 5, bulk crystal shows the measurement result of actually pulverized powder, and calculated shows the result calculated from the single crystal structure of (TPM) 2 SnI 4 and (TFF) 2 SnI 4 perovskite. It can be seen that the calculated values and the measured values agree well with each other.

감쇠 특성의 확인Confirmation of damping characteristics

도 6은 (TPM)2SnI4 및 (TFF)2SnI4 페로브스카이트의 감쇠 특성을 나타내는 그래프들 및 이미지들이다.6 are graphs and images showing damping characteristics of (TPM) 2 SnI 4 and (TFF) 2 SnI 4 perovskite.

도 6a에서는 (TPM)2SnI4 페로브스카이트의 시간에 따른 광발광 감쇠 특성이 도시되며, 도 6b에서는 (TPM)2SnI4 페로브스카이트의 발광 감쇠의 맵핑 이미지가 개시된다. 도 6c에서는 (TFF)2SnI4 페로브스카이트의 시간에 따른 광발광 감쇠 특성이 도시되며, 도 6d에서는 (TFF)2SnI4 페로브스카이트의 발광 감쇠의 맵핑 이미지가 개시된다. (TPM)2SnI4 페로브스카이트의 광발광 감쇠는 이중 지수 함수(biexponential function)를 이용하여 그래프로 도출(fitting)될 수 있으며, (TFF)2SnI4 페로브스카이트의 광발광 감쇠는 지수감쇠 역학을 사용하여 분석된다. FIG. 6A shows the photoluminescence attenuation characteristics of (TPM) 2 SnI 4 perovskite over time, and FIG. 6B shows a mapping image of the luminescence attenuation of (TPM) 2 SnI 4 perovskite. FIG. 6c shows the photoluminescence attenuation characteristics of (TFF) 2 SnI 4 perovskite over time, and FIG. 6d shows a mapping image of the luminescence attenuation of (TFF) 2 SnI 4 perovskite. The photoluminescence attenuation of (TPM) 2 SnI 4 perovskite can be graphed using a biexponential function, and the photoluminescence attenuation of (TFF) 2 SnI 4 perovskite is It is analyzed using exponential decay dynamics.

아래의 표 2는 천이 광발광 감쇠 분석을 통해 제1 실시예의 (TPM)2SnI4 페로브스카이트 및 제2 실시예의 (TFF)2SnI4 페로브스카이트의 광발광 수명을 조사한 표이다.Table 2 below shows the photoluminescence lifetimes of the (TPM) 2 SnI 4 perovskite of the first embodiment and the (TFF) 2 SnI 4 perovskite of the second embodiment through a transient photoluminescence decay analysis.

[표 2][Table 2]

상기 표 2에서 발광 감쇠는 다음의 방정식 1에 의해 연산될 수 있다.In Table 2, the luminescence attenuation can be calculated by Equation 1 below.

[방정식 1][Equation 1]

발광 감쇠 I(t) = A1exp(-t/τ1) + A2exp(-t/τ2) + A3exp(-t/τ1) + ...Luminescence decay I(t) = A 1 exp(-t/τ 1 ) + A 2 exp(-t/τ 2 ) + A 3 exp(-t/τ 1 ) + ...

상기 방정식 1에서 ΣiAi/(A1+A2+A3+...)=1이다.In Equation 1 above, Σ i A i /(A 1 +A 2 +A 3 +...)=1.

또한, 상기 표 2에서 평균 수명 τavg는 아래의 방정식 2에 의해 도출된다.In addition, in Table 2, the average lifetime τ avg is derived by Equation 2 below.

[방정식 2] [Equation 2]

τavg = ΣiAiτi 2iAiτi, 또한, τamp 는 평균 수명의 진폭을 나타낸다.τ avg = Σ i A i τ i 2i A i τ i , and τ amp denotes the amplitude of the mean lifetime.

상대적으로 빠른 감쇠 성분(시간) τ1은 엑시톤의 복사 재결합에 기인하는 반면, 느린 감쇠 성분(시간) τ2 및 τ3은 층상 구조 내에서의 트랩 상태의 형성에 기인한다. The relatively fast decay components (time) τ 1 are due to the radiative recombination of excitons, while the slow decay components (time) τ 2 and τ 3 are due to the formation of trap states within the layered structure.

상기 표 2에서 나타나는 바와 같이 (TPM)2SnI4는 0.51 ns의 값을 가지는 감쇠 성분 τ1이 90.43%이고, 1.49 ns의 값을 가지는 감쇠 성분 τ2가 9.14%에 불과하다. 즉, (TPM)2SnI4에서는 엑시톤의 재결합에 따른 광발광이 주도적으로 일어난다.As shown in Table 2, in (TPM) 2 SnI 4 , the attenuation component τ 1 having a value of 0.51 ns is 90.43%, and the attenuation component τ 2 having a value of 1.49 ns is only 9.14%. That is, in (TPM) 2 SnI 4 , photoluminescence is predominantly caused by recombination of excitons.

반면, (TFF)2SnI4는 88 ns의 값을 가지는 감쇄 성분 τ1이 8.18%에 불과하고, 20 ns의 값을 가지는 감쇠 성분 τ2가 38.11%이며, 3.9 ns의 값을 가지는 감쇄 성분 τ3이 51.64%를 가진다. 즉, 층상 구조의 트랩 상태에 의한 발광 동작이 주도적임을 알 수 있으며, 이는 구조적 왜곡에 기인하는 self-trapped exciton(STE)에 의한 발광 동작임을 나타낸다. 결론적으로 (TPM)2SnI4의 평균 감쇠 성분 τavg는 0.73 ns이며, (TFF)2SnI4의 평균 감쇠 성분 τavg는 47 nm이다.On the other hand, in (TFF) 2 SnI 4 , the attenuation component τ 1 having a value of 88 ns is only 8.18%, the attenuation component τ 2 having a value of 20 ns is 38.11%, and the attenuation component τ having a value of 3.9 ns 3 has 51.64%. That is, it can be seen that the light emitting operation by the trap state of the layered structure is dominant, indicating that the light emitting operation is by self-trapped exciton (STE) due to structural distortion. In conclusion, the average attenuation component τ avg of (TPM) 2 SnI 4 is 0.73 ns, and the average attenuation component τ avg of (TFF) 2 SnI 4 is 47 nm.

도 6b 및 도 6d에서의 맵핑 이미지들이 개시되는 바, (TMP)2SnI4는 전체 분말 결정을 통해 매우 짧은 시간 동안 균일한 발광 동작이 수행됨을 알 수 있으며, (TFF)2SnI4는 상대적으로 긴 방출 시간 동안 균일한 발광 동작을 수행함을 알 수 있다.As the mapping images in FIGS. 6B and 6D are disclosed, it can be seen that (TMP) 2 SnI 4 performs a uniform light emission operation for a very short time through the entire powder crystal, and (TFF) 2 SnI 4 is relatively It can be seen that a uniform light emission operation is performed for a long emission time.

페로브스카이트의 온도에 따른 광발광 특성의 조사Investigation of photoluminescent properties according to temperature of perovskite

도 7은 페로브스카이트의 온도에 따른 광발광 특성을 도시한 그래프들이다. 7 are graphs showing the photoluminescence characteristics of perovskite according to temperature.

광발광 특성을 측정하기 위해 514 nm의 레이저가 샘플에 인가되며, 레이저는 30 ps의 주기를 가진다. 또한, 펄스 레이저의 광량은 상기 도 4에서 인가되는 형광 램프에 비해 약하다.To measure photoluminescence characteristics, a 514 nm laser is applied to the sample, and the laser has a period of 30 ps. Also, the amount of light of the pulse laser is weaker than that of the fluorescent lamp applied in FIG. 4 .

도 7a를 참조하면, (TPM)2SnI4는 10 K 온도에서 615 nm와 665 nm의 피크 파장을 보이며, 이는 각각 I-Sn-I의 휨 현상에 따른 longitudinal 광학 포논 모드 및 I-Sn의 결합에 따른 longitudinal 광학 포논 모드에 의한 것이다. 온도에 따른 PL 발광의 분포가 넓어지는 현상은 페로브스카이트의 팔면체 구조에서의 왜곡과 관련된다.Referring to FIG. 7a, (TPM) 2 SnI 4 shows peak wavelengths of 615 nm and 665 nm at 10 K temperature, which are the longitudinal optical phonon mode and I-Sn coupling according to the bending of I-Sn-I, respectively. This is due to the longitudinal optical phonon mode according to . The widening of the distribution of PL emission with temperature is related to distortion in the octahedral structure of perovskite.

온도가 증가함에 따라 PL 스펙트럼의 피크 파장은 단파장으로 이동하는 청색 편이를 보이고, 스펙트럼이 폭이 넓어지며, 발광의 세기는 감소한다. 온도에 따라 페로브스카이트의 PL 피크에서 나타나는 현상은 100 K에서 왜곡된 사방정계상 (Cmc2 1 )으로부터 상온에서 덜 왜곡된 사방정계상 (Pbca)로의 구조적인 변화에 따른 것이다.As the temperature increases, the peak wavelength of the PL spectrum shows a blue shift to a shorter wavelength, the spectrum broadens, and the intensity of luminescence decreases. The phenomenon that appears in the PL peak of perovskite according to temperature is due to a structural change from a distorted orthorhombic phase ( Cmc2 1 ) at 100 K to a less distorted orthorhombic phase ( Pbca ) at room temperature.

이와 유사하게 도 7b에서는 (TFF)2SnI4이 광발광 데이터가 개시되는 바, 10 K에서의 강한 광발광 방출은 저온에서 열 진동이 감소하기 때문이다. 또한 온도가 증가함에 따라 광발광 스펙트럼은 넓어지며, 청색 편이가 나타난다. 이는 온도의 증가에 따른 격자의 팽창과 엑시톤-포톤 결합에 기인한 것이다. 온도가 증가하면, 팔면체 구조의 열적 요동은 무기 평면을 형성하는 [SnI6]4- 프레임 주변의 강한 극성을 유발하는 동기가 된다.Similarly, FIG. 7B shows (TFF) 2 SnI 4 photoluminescence data, and the strong photoluminescence emission at 10 K is due to a decrease in thermal oscillation at low temperatures. In addition, as the temperature increases, the photoluminescence spectrum broadens, and a blue shift appears. This is due to lattice expansion and exciton-photon coupling with increasing temperature. When the temperature increases, the thermal fluctuations of the octahedral structure are motivated to induce a strong polarization around [SnI 6 ] 4- frames forming inorganic planes.

도 8은 본 발명의 제1 실시예의 (TPM)2SnI4 및 제2 실시예의 (TFF)2SnI4의 발광 특성을 도시한 것이다. 8 shows emission characteristics of (TPM) 2 SnI 4 of the first embodiment and (TFF) 2 SnI 4 of the second embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, (a)는 페로브스카이트의 색 좌표를 나타내고, (b)는 페로브스카이트에 470 nm이 여기 파장이 입사된 경의의 안정화된 광발광 특성을 도시한다. 또한, (c)는 365 nm의 적외선에서 여기된 페로브스카이트들의 적색 발광을 도시하는 이미지이다.Referring to FIG. 8, (a) shows the color coordinates of perovskite, and (b) shows the stabilized photoluminescence characteristics of the perovskite when an excitation wavelength of 470 nm is incident. Also, (c) is an image showing red emission of perovskites excited by infrared light of 365 nm.

제조된 화합물의 CIE 색 좌표는 도 8a에서 적색 영역에서 상호 동일한 지점에 나타난다. 색 좌표(CIE color coordinates)와 상관 색온도(correlated color temperature, CCT)는 오스람사의 ColorCalculator를 사용하여 계산되었다. The CIE color coordinates of the prepared compounds appear at the same point in the red region in FIG. 8a. CIE color coordinates and correlated color temperature (CCT) were calculated using Osram's ColorCalculator.

다음의 표 3은 페로브스카이트들의 색 좌표, 상관 색온도, 색순도(color purity), 연색 평가 지수(color rendering index, CRI 및 PLQY를 도시한다.Table 3 below shows the color coordinates, correlated color temperature, color purity, color rendering index (CRI, and PLQY) of perovskites.

[표 3][Table 3]

표 3에 개시된 바와 같이 (TPM)2SnI4의 색 좌표는 (0.6216, 0.3740)이며, (TFF)2SnI4의 색 좌표는 (0.6211, 0.3733)이다. 또한, (TPM)2SnI4의 CCT는 1217.9K이며, (TFF)2SnI4의 CCT는 1196.6 K로 상기 물질들이 따뜻한 빛을 방출함을 알 수 있다. 또한, 표 3에서는 (TPM)2SnI4 및 (TFF)2SnI4의 연색성 지수(CRI)가 57.1 및 52.26으로 나타난다.As shown in Table 3, the color coordinates of (TPM) 2 SnI 4 are (0.6216, 0.3740), and the color coordinates of (TFF) 2 SnI 4 are (0.6211, 0.3733). In addition, the CCT of (TPM) 2 SnI 4 is 1217.9K, and the CCT of (TFF) 2 SnI 4 is 1196.6 K, indicating that the materials emit warm light. In addition, in Table 3, the color rendering indexes (CRI) of (TPM) 2 SnI 4 and (TFF) 2 SnI 4 are 57.1 and 52.26, respectively.

(TPM)2SnI4의 PLQY는 0.3%이며, (TFF)2SnI4의 PLQY는 1.17%이다 (TPM)2SnI4에 비해 (TFF)2SnI4의 PLQY가 높은 이유는 양자 구속 효과를 증가시키는 TFF양이온에 의한 것으로 상호간에 크게 분리된 무기 사슬에 기인한다. 특히, (TFF)2SnI4 페로브스카이트는 내부에 무기 프레임을 분리하는 이중층의 TFF들에 의해 전하 균형이 이루어지며, 중간에 빈 공간이 형성되고, 무기 프레임의 내부 표면을 캡핑하여 양자 구속을 극대화한다.The PLQY of ( TPM) 2 SnI 4 is 0.3 %, and the PLQY of (TFF) 2 SnI 4 is 1.17%. This is due to the highly separated inorganic chains from each other by TFF cations. In particular, (TFF) 2 SnI 4 perovskite is charge-balanced by the double-layered TFFs separating the inorganic frame inside, an empty space is formed in the middle, and quantum confinement is achieved by capping the inner surface of the inorganic frame. Maximize.

상술한 본 발명에서는 2차원 무기 평면들이 프레임을 형성하고, 무기 평면들 사이에는 스페이서가 배치된다. 유기물 스페이서는 양이온화되고, 무기 평면의 음이온과 이온성 결합을 이루되, 무기 평면의 할라이드 원소와 수소 결합을 형성한다. 이를 통해 무기 평면은 유기물 스페이서에 의해 캡핑되고, 수분 및 산소의 영향이 차단된다. 또한, 본 발명에 의해 제공되는 2차원 페로브스카이트는 적색광을 발광하며, 이를 통해 높은 색순도가 확보될 수 있다.In the present invention described above, two-dimensional inorganic planes form a frame, and a spacer is disposed between the inorganic planes. The organic spacer is cationized, forms an ionic bond with an anion on an inorganic plane, and forms a hydrogen bond with a halide element on an inorganic plane. Through this, the inorganic plane is capped by the organic spacer and the influence of moisture and oxygen is blocked. In addition, the two-dimensional perovskite provided by the present invention emits red light, and through this, high color purity can be secured.

Claims (10)

[SnI6]4-에 의한 팔면체 구조들의 코너 공유를 통해 형성된 2차원 무기 평면; 및
상기 2차원 평면 구조들 사이에 배치되는 스페이서를 포함하되,
상기 스페이서는 2-티오펜메틸암모늄(TPM)으로부터 유래된 양이온이고,
상기 TPM 말단의 양이온화된 아민기는 수소 결합을 통해 할라이드인 요오드와 연결되는 것을 특징으로 하는 2차원 페로브스카이트 발광체.
a two-dimensional inorganic plane formed through corner sharing of octahedral structures by [SnI 6 ] 4- ; and
Including a spacer disposed between the two-dimensional planar structures,
The spacer is a cation derived from 2-thiophenemethylammonium (TPM),
The two-dimensional perovskite light emitting body, characterized in that the cationized amine group at the end of the TPM is connected to iodine, which is a halide, through a hydrogen bond.
삭제delete 제1항에 있어서, 상기 TPM의 질소 원자와 수소 원자는 상기 팔면체 구조의 정점의 요오드와 수소 결합을 형성하는 것을 특징으로 하는 2차원 페로브스카이트 발광체.The two-dimensional perovskite light emitting body of claim 1, wherein the nitrogen and hydrogen atoms of the TPM form a hydrogen bond with iodine at the apex of the octahedral structure. 제1항에 있어서, 상기 2차원 무기 평면 내에서 상기 하나의 팔면체 구조를 형성하는 [SnI6]4-와, 상기 하나의 팔면체에 대향하는 다른 2차원 무기 평면의 [SnI6]4- 사이에는 2개의 상기 TPM들이 배치되고, 상기 2개의 TPM들은 서로 대향하는 것을 특징으로 하는 2차원 페로브스카이트 발광체.The method according to claim 1, wherein between [SnI 6 ] 4- forming the one octahedral structure in the two-dimensional inorganic plane and [SnI 6 ] 4- of another two-dimensional inorganic plane facing the one octahedron, Two-dimensional perovskite light emitting body, characterized in that two of the TPMs are disposed, and the two TPMs are opposite to each other. 제1항에 있어서, 상기 2차원 페로브스카이트 발광체는 100 K에서 결정구조로 비중심 대칭 공간 그룹 Cmc2 1 을 형성하고, 298 K에서 내부 대칭 사방정계 공간 그룹 Pbca를 형성하는 것을 특징으로 하는 2차원 페로브스카이트 발광체.The two-dimensional perovskite emitter according to claim 1, characterized in that it forms a non-centrosymmetric space group Cmc2 1 in the crystal structure at 100 K and an internally symmetric orthorhombic space group Pbca at 298 K. Dimensional perovskite luminaries. [SnI6]4-에 의한 팔면체 구조들의 코너 공유를 통해 형성된 2차원 무기 평면; 및
상기 2차원 평면 구조들 사이에 배치되는 스페이서를 포함하되,
상기 스페이서는 테트라하이드로퍼퓨릴암모늄(TFF)으로부터 유래된 양이온이며, 상기 스페이서들 사이는 활공 평면으로 정의되는 이격 공간을 가지는 것을 특징으로 하는 2차원 페로브스카이트 발광체.
a two-dimensional inorganic plane formed through corner sharing of octahedral structures by [SnI 6 ] 4- ; and
Including a spacer disposed between the two-dimensional planar structures,
The spacer is a cation derived from tetrahydrofurfurylammonium (TFF), and the two-dimensional perovskite light emitting body, characterized in that it has a spaced space defined by a gliding plane between the spacers.
제6항에 있어서, 상기 TFF 말단의 양이온화된 아민기는 수소 결합을 통해 할라이드인 요오드와 연결되는 것을 특징으로 하는 2차원 페로브스카이트 발광체.The two-dimensional perovskite light-emitting body according to claim 6, characterized in that the cationized amine group at the TFF terminal is connected to iodine, which is a halide, through a hydrogen bond. 제6항에 있어서, 상기 2차원 페로브스카이트 발광체는 100 K 및 298 K에서 단사정 공간 그룹 P2 1 /c로 결정화된 것을 특징으로 하는 2차원 페로브스카이트 발광체.The two-dimensional perovskite light-emitting body according to claim 6, characterized in that the two-dimensional perovskite light-emitting body is crystallized in monoclinic space group P2 1 /c at 100 K and 298 K. 제6항에 있어서, 상기 2차원 페로브스카이트 발광체는 광발광 데이터 상으로 결정의 구조적 왜곡에 기인한 STE(self-trapped exciton)에 의한 발광 동작이 주도적으로 발생되는 것을 특징으로 하는 2차원 페로브스카이트 발광체.The two-dimensional perovskite light emitting body according to claim 6, characterized in that the light emission operation by self-trapped exciton (STE) due to the structural distortion of the crystal is predominantly generated on the photoluminescence data. Lobsite luminary. 제6항에 있어서, 상기 2차원 무기 평면 내에서 상기 하나의 팔면체 구조를 형성하는 [SnI6]4-와, 상기 하나의 팔면체에 대향하는 다른 2차원 무기 평면의 [SnI6]4- 사이에는 2개의 상기 TFF들이 배치되고, 상기 2개의 TFF들은 서로 대향하는 것을 특징으로 하는 2차원 페로브스카이트 발광체.The method according to claim 6, wherein between [SnI 6 ] 4- forming the one octahedral structure in the two-dimensional inorganic plane and [SnI 6 ] 4- of another two-dimensional inorganic plane facing the one octahedron, Two-dimensional perovskite light emitting body, characterized in that two of the TFFs are disposed, and the two TFFs face each other.
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